JPH10303327A - 半導体チップの接点変換構造と該接点変換構造を有する半導体チップの製造法 - Google Patents
半導体チップの接点変換構造と該接点変換構造を有する半導体チップの製造法Info
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- Wire Bonding (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】液晶ポリマーの特性を利用し、これを外部接点
を形成するベース材（半導体チップ又は半導体ウエハと
の貼り合せ基材）として活用することにより、湿度及び
熱に対する信頼性を向上し、併せて高周波性能を著しく
向上する。又液晶ポリマーフィルムの適用によって、半
導体ウエハレベルでのパッケージ化（電極のピッチ変換
と形状変換）を適正に推進し、従来例における製造技術
上の問題を解決し、コストダウンを達成する。 【解決手段】半導体チップ１３の電極１５群を配置した
側の表面に、該電極１５群を覆う液晶ポリマーフィルム
１１を貼り合せ、該液晶ポリマーフィルム１１の上記貼
り合せ面とは反対側の表面に、上記電極群と該液晶ポリ
マーフィルム１１を通し接続せる外部接点１２群を配し
た半導体チップの接点変換構造。
を形成するベース材（半導体チップ又は半導体ウエハと
の貼り合せ基材）として活用することにより、湿度及び
熱に対する信頼性を向上し、併せて高周波性能を著しく
向上する。又液晶ポリマーフィルムの適用によって、半
導体ウエハレベルでのパッケージ化（電極のピッチ変換
と形状変換）を適正に推進し、従来例における製造技術
上の問題を解決し、コストダウンを達成する。 【解決手段】半導体チップ１３の電極１５群を配置した
側の表面に、該電極１５群を覆う液晶ポリマーフィルム
１１を貼り合せ、該液晶ポリマーフィルム１１の上記貼
り合せ面とは反対側の表面に、上記電極群と該液晶ポリ
マーフィルム１１を通し接続せる外部接点１２群を配し
た半導体チップの接点変換構造。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハから分
割して形成される半導体チップの接点変換構造に関す
る。
割して形成される半導体チップの接点変換構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハは多数の半導体チップから
成り、各半導体チップの多くはその下面の四辺又は対向
する二辺に電極群を列配置している。又最近は半導体チ
ップの下面の全面に万遍なく電極群を配置することも行
なわれている。
成り、各半導体チップの多くはその下面の四辺又は対向
する二辺に電極群を列配置している。又最近は半導体チ
ップの下面の全面に万遍なく電極群を配置することも行
なわれている。
【０００３】而して、半導体チップの電極のピッチが極
小ピッチである場合には、これを搭載する配線回路基板
上の電極接続パッドのピッチに追随できるように、ピッ
チ変換する必要性が生ずる。
小ピッチである場合には、これを搭載する配線回路基板
上の電極接続パッドのピッチに追随できるように、ピッ
チ変換する必要性が生ずる。
【０００４】加えて半導体チップの電極を配線回路基板
の電極接続パッドとの接続に適した、ボール形状等の接
点構造に変換する必要性を生ずる。
の電極接続パッドとの接続に適した、ボール形状等の接
点構造に変換する必要性を生ずる。
【０００５】而して、従来、ウエハレベルにおけるパッ
ケージ化を目指した技術として、図１に示すように、半
田ボールから成る多数のボール形接点２を持ったポリイ
ミド基板１を半導体ウエハ３とは別部品で形成し、この
各ポリイミド基板１のボール形接点２と半導体ウエハの
電極５間をリード線６によりボンディングし、更にこの
ポリイミド基板１と上記半導体ウエハ３間にゴム系の弾
性樹脂を流し込んで弾性樹脂層４を形成し、この弾性樹
脂層４内に上記リード線６及びその両端接続部を埋設
し、次にこの半導体ウエハから半導体チップを分割する
技術が提案されている。
ケージ化を目指した技術として、図１に示すように、半
田ボールから成る多数のボール形接点２を持ったポリイ
ミド基板１を半導体ウエハ３とは別部品で形成し、この
各ポリイミド基板１のボール形接点２と半導体ウエハの
電極５間をリード線６によりボンディングし、更にこの
ポリイミド基板１と上記半導体ウエハ３間にゴム系の弾
性樹脂を流し込んで弾性樹脂層４を形成し、この弾性樹
脂層４内に上記リード線６及びその両端接続部を埋設
し、次にこの半導体ウエハから半導体チップを分割する
技術が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】而して、上記従来例は
上記半導体チップの電極のピッチ変換と形状変換を可能
にしているが、この方法においては半導体ウエハ３とポ
リイミド基板１とをリード線６により接続し、両者３，
１間に前記弾性樹脂を注入し弾性樹脂層４を形成し、ボ
ール形接点２を形成する工程が必要である。然しなが
ら、狭小間隔の半導体ウエハ３とポリイミド基板１の間
隙においてリード線６による接続作業を行なうことは技
術的に困難性を伴ない、ウエハレベルで上記リード線６
による層間接続を行ない、弾性樹脂を注入する上記提案
は、ウエハレベルでのパッケージ化と前記ピッチ変換及
び形状変換を思考している点で、又熱膨張差による応力
緩和機構を持たせた点で注目すべき技術ではあるが、製
造技術やコストの面での種々の課題を残している。
上記半導体チップの電極のピッチ変換と形状変換を可能
にしているが、この方法においては半導体ウエハ３とポ
リイミド基板１とをリード線６により接続し、両者３，
１間に前記弾性樹脂を注入し弾性樹脂層４を形成し、ボ
ール形接点２を形成する工程が必要である。然しなが
ら、狭小間隔の半導体ウエハ３とポリイミド基板１の間
隙においてリード線６による接続作業を行なうことは技
術的に困難性を伴ない、ウエハレベルで上記リード線６
による層間接続を行ない、弾性樹脂を注入する上記提案
は、ウエハレベルでのパッケージ化と前記ピッチ変換及
び形状変換を思考している点で、又熱膨張差による応力
緩和機構を持たせた点で注目すべき技術ではあるが、製
造技術やコストの面での種々の課題を残している。
【０００７】殊に上記従来例において問題となるのは上
記ゴム系の弾性樹脂層４、例えば弾性樹脂として慣用さ
れるシリコンゴムの吸湿性とポリイミドの吸湿性であ
る。
記ゴム系の弾性樹脂層４、例えば弾性樹脂として慣用さ
れるシリコンゴムの吸湿性とポリイミドの吸湿性であ
る。
【０００８】即ち、ウエハから分割された半導体チップ
はその側面に上記弾性樹脂層４（シリコンゴム等）及び
ポリイミド基板１の切断面が露出又は露出に近い形で存
在するため、湿度がこの切断面から弾性樹脂及びポリイ
ミド内へ浸透し、リード線とその接続部に悪影響を与え
信頼性を低下させる問題を有している。
はその側面に上記弾性樹脂層４（シリコンゴム等）及び
ポリイミド基板１の切断面が露出又は露出に近い形で存
在するため、湿度がこの切断面から弾性樹脂及びポリイ
ミド内へ浸透し、リード線とその接続部に悪影響を与え
信頼性を低下させる問題を有している。
【０００９】又従来例はボール形接点２を有するポリイ
ミド基板１と半導体ウエハ３とを別々に製造し、両者１
と３間の間隙においてリード線６による層間接続を行な
い、弾性樹脂を注入する製造法であり、高価となるばか
りか、前記の通り製造技術的に難点がある。
ミド基板１と半導体ウエハ３とを別々に製造し、両者１
と３間の間隙においてリード線６による層間接続を行な
い、弾性樹脂を注入する製造法であり、高価となるばか
りか、前記の通り製造技術的に難点がある。
【００１０】本発明は上記問題点を解消し、ウエハ上で
のパッケージ化（前記電極のピッチ変換と形状変換）を
安廉なるコストで適正且つ容易に実現し得る半導体チッ
プの接点変換構造と、この接点変換構造を有する半導体
チップの製造法を提供する。
のパッケージ化（前記電極のピッチ変換と形状変換）を
安廉なるコストで適正且つ容易に実現し得る半導体チッ
プの接点変換構造と、この接点変換構造を有する半導体
チップの製造法を提供する。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は半導体チップ
に、液晶ポリマーから成るフィルムを貼り合せ、半導体
チップの電極群と該液晶ポリマーフィルムの外表面に形
成した外部接点群とを液晶ポリマーフィルムを通して接
続する構造にした。
に、液晶ポリマーから成るフィルムを貼り合せ、半導体
チップの電極群と該液晶ポリマーフィルムの外表面に形
成した外部接点群とを液晶ポリマーフィルムを通して接
続する構造にした。
【００１２】上記液晶ポリマーは熱膨張系数が非常に小
さく、半導体ウエハとの熱膨張系数に可及的に接近させ
ることができる。
さく、半導体ウエハとの熱膨張系数に可及的に接近させ
ることができる。
【００１３】又液晶ポリマーはその熱膨張係数によって
配線回路基板との温度差による有害な熱膨張を殆ど生ぜ
ず、配線回路基板の熱によって軟化することにより応力
緩和機構を形成し、電極との接続部を保護するための従
来例の如きリード線と弾性樹脂層の介在は不要である。
配線回路基板との温度差による有害な熱膨張を殆ど生ぜ
ず、配線回路基板の熱によって軟化することにより応力
緩和機構を形成し、電極との接続部を保護するための従
来例の如きリード線と弾性樹脂層の介在は不要である。
【００１４】殊に上記液晶ポリマーは吸湿性が非常に少
なく、前記した吸湿による半導体チップの電極間短絡を
確実に防止する高信頼の接点変換構造が提供できる。
なく、前記した吸湿による半導体チップの電極間短絡を
確実に防止する高信頼の接点変換構造が提供できる。
【００１５】本発明は液晶ポリマーが遮湿性に優れ、非
常に小さな熱膨張係数であることに着目し、これを適性
素材として活用することを見出したものである。
常に小さな熱膨張係数であることに着目し、これを適性
素材として活用することを見出したものである。
【００１６】更には上記液晶ポリマーは熱伝導性が良好
であると共に、誘電率が低く、高周波特性が良好であ
り、半導体チップの性能を遺憾なく発揮させることがで
きる。よって半導体チップの外部接点形成手段として極
めて有用である。
であると共に、誘電率が低く、高周波特性が良好であ
り、半導体チップの性能を遺憾なく発揮させることがで
きる。よって半導体チップの外部接点形成手段として極
めて有用である。
【００１７】上記半導体チップの表面と液晶ポリマーフ
ィルム表面とは、液晶ポリマーフィルムの熱可塑性によ
り、貼り合せ構造を形成する。
ィルム表面とは、液晶ポリマーフィルムの熱可塑性によ
り、貼り合せ構造を形成する。
【００１８】又この貼り合せ構造を強固にするために、
上記液晶ポリマーフィルムの表面に無数の微細突起等か
ら成るアンカー手段を形成し、該アンカー手段を介し、
上記半導体チップと液晶ポリマーフィルムとの貼り合せ
構造を形成している。
上記液晶ポリマーフィルムの表面に無数の微細突起等か
ら成るアンカー手段を形成し、該アンカー手段を介し、
上記半導体チップと液晶ポリマーフィルムとの貼り合せ
構造を形成している。
【００１９】又半導体ウエハの電極を配した側の表面に
液晶ポリマーフィルムを貼り合せる工程と、該貼り合せ
状態にある液晶ポリマーフィルムに厚み方向に貫通して
電極に達する多数の貫通孔を設ける工程と、該貫通孔を
設けた液晶ポリマーフィルムの上記貼り合せ面とは反対
側の表面にスパッター又は蒸着又はメッキによる成膜法
の一又は二以上を用いて導電金属膜を形成すると同時に
該導電金属膜の一部を上記貫通孔を通して電極に密着さ
せる工程と、該導電金属膜にエッチング処理を施してリ
ードパターンを形成する工程と、上記該リードパターン
を形成した上記半導体ウエハを分割して半導体チップを
得る工程とを含む接点変換構造を有している。
液晶ポリマーフィルムを貼り合せる工程と、該貼り合せ
状態にある液晶ポリマーフィルムに厚み方向に貫通して
電極に達する多数の貫通孔を設ける工程と、該貫通孔を
設けた液晶ポリマーフィルムの上記貼り合せ面とは反対
側の表面にスパッター又は蒸着又はメッキによる成膜法
の一又は二以上を用いて導電金属膜を形成すると同時に
該導電金属膜の一部を上記貫通孔を通して電極に密着さ
せる工程と、該導電金属膜にエッチング処理を施してリ
ードパターンを形成する工程と、上記該リードパターン
を形成した上記半導体ウエハを分割して半導体チップを
得る工程とを含む接点変換構造を有している。
【００２０】又上記半導体ウエハ上の上記リードパター
ン上に外部接点を形成している。
ン上に外部接点を形成している。
【００２１】又上記分割された半導体チップ上のリード
パターン上に外部接点を形成している。
パターン上に外部接点を形成している。
【００２２】
【発明の実施の形態】全芳香族ポリエステル系液晶ポリ
マー（（株）クラレ、商品名ベクトラ）の構成元素は
Ｃ、Ｈ、Ｏであり下記の通りの化学構造式を持つ。
マー（（株）クラレ、商品名ベクトラ）の構成元素は
Ｃ、Ｈ、Ｏであり下記の通りの化学構造式を持つ。
【００２３】
【化１】
【００２４】この液晶ポリマーは溶融状態で固体結晶の
ように分子の配向を示すポリマーであり、この構造がそ
のまま固定され種々の優れた特性を有している。
ように分子の配向を示すポリマーであり、この構造がそ
のまま固定され種々の優れた特性を有している。
【００２５】その大きな特徴の一つは吸湿性が０．０４
％と極端に少ないことである。例えば配線回路基板等に
用いられているポリイミド樹脂の吸湿性は２．９％であ
り、これに比較し７０分の１以下の吸湿性を示し、この
特性は前記半導体チップのパッケージ化に当り、高耐湿
性を付与し湿分に対する性能向上に寄与する。又他の大
きな特徴は熱伝導性に優れ、上記ポリイミド樹脂の平面
方向の熱伝導性が０．２ｗ／ｍ・℃程度であるのに対
し、液晶ポリマーのそれは２．５ｗ／ｍ・℃（何れもＫ
ＥＭＴＨＥＲＭ ＱＴＭ−Ｄ３の熱伝導度計を用いる）
であり、ポリイミドの１０倍以上に達する。この特性は
半導体チップの放熱作用を促進し熱に対し脆弱な半導体
チップの保護に有用である。
％と極端に少ないことである。例えば配線回路基板等に
用いられているポリイミド樹脂の吸湿性は２．９％であ
り、これに比較し７０分の１以下の吸湿性を示し、この
特性は前記半導体チップのパッケージ化に当り、高耐湿
性を付与し湿分に対する性能向上に寄与する。又他の大
きな特徴は熱伝導性に優れ、上記ポリイミド樹脂の平面
方向の熱伝導性が０．２ｗ／ｍ・℃程度であるのに対
し、液晶ポリマーのそれは２．５ｗ／ｍ・℃（何れもＫ
ＥＭＴＨＥＲＭ ＱＴＭ−Ｄ３の熱伝導度計を用いる）
であり、ポリイミドの１０倍以上に達する。この特性は
半導体チップの放熱作用を促進し熱に対し脆弱な半導体
チップの保護に有用である。
【００２６】更に液晶ポリマーの熱膨張係数は−７〜６
０ｐｐｍ／℃（ＴＭＡ法による測定）であり、他の電気
部品用樹脂に比べ熱に対する安定性が極めて良好であ
る。
０ｐｐｍ／℃（ＴＭＡ法による測定）であり、他の電気
部品用樹脂に比べ熱に対する安定性が極めて良好であ
る。
【００２７】又上記の範囲で熱膨張係数をコントロール
でき、半導体ウエハの熱膨張係数に可及的に近づけるこ
とが可能である。従って、半導体ウエハの電極接続部に
ストレスがかからず、接続の信頼性を確保できる。
でき、半導体ウエハの熱膨張係数に可及的に近づけるこ
とが可能である。従って、半導体ウエハの電極接続部に
ストレスがかからず、接続の信頼性を確保できる。
【００２８】又上記液晶ポリマーは良好な熱可塑性を示
し、半導体チップ表面との熱可塑性による母材融着が良
好で強度が大である。
し、半導体チップ表面との熱可塑性による母材融着が良
好で強度が大である。
【００２９】殊に熱により容易に軟化するので、パッケ
ージ化した半導体チップを配線回路基板に実装した時の
熱膨張差による応力を上記表面軟化により吸収し半導体
チップの電極との接続部、更に半導体パッケージと配線
回路基板とを接合している半田ボール等にストレスを加
えない。即ち、液晶ポリマーがストレス緩衝材となる。
更に、誘電率が低いことから良好な高周波特性を付与で
きる。
ージ化した半導体チップを配線回路基板に実装した時の
熱膨張差による応力を上記表面軟化により吸収し半導体
チップの電極との接続部、更に半導体パッケージと配線
回路基板とを接合している半田ボール等にストレスを加
えない。即ち、液晶ポリマーがストレス緩衝材となる。
更に、誘電率が低いことから良好な高周波特性を付与で
きる。
【００３０】上記の通り液晶ポリマーの特性は半導体チ
ップ乃至半導体ウエハをパッケージ化して電極のピッチ
変換と形状変換を図る外部接点形成用ベース材として極
めて適性であり、半導体チップの性能向上並びにコスト
ダウンをもたらし、上記ウエハレベルでのパッケージ化
の商業レベルでの実用化を促進する。
ップ乃至半導体ウエハをパッケージ化して電極のピッチ
変換と形状変換を図る外部接点形成用ベース材として極
めて適性であり、半導体チップの性能向上並びにコスト
ダウンをもたらし、上記ウエハレベルでのパッケージ化
の商業レベルでの実用化を促進する。
【００３１】本発明は図２に示すように、半導体チップ
１３の多数の電極１５を配置した側の表面に、該電極１
５を覆うように上記液晶ポリマーフィルム１１が貼り合
せられ、該液晶ポリマーフィルム１１の貼り合せ面とは
反対側の表面に電極１５に対応する多数の外部接点１２
を配し、この各外部接点１２と各電極１５とを上記液晶
ポリマーフィルム１１を通し電気的に接続し、この外部
接点１２を配線回路基板等への表面実装に際しての接続
手段として供するようにした。
１３の多数の電極１５を配置した側の表面に、該電極１
５を覆うように上記液晶ポリマーフィルム１１が貼り合
せられ、該液晶ポリマーフィルム１１の貼り合せ面とは
反対側の表面に電極１５に対応する多数の外部接点１２
を配し、この各外部接点１２と各電極１５とを上記液晶
ポリマーフィルム１１を通し電気的に接続し、この外部
接点１２を配線回路基板等への表面実装に際しての接続
手段として供するようにした。
【００３２】上記外部接点１２は半田等の低融点金属か
ら成るボール形接点に代表される。上記液晶ポリマーフ
ィルム１１は該液晶ポリマーの熱可塑性を利用し、半導
体チップ１３の表面に母材融着せる貼り合せ構造にす
る。
ら成るボール形接点に代表される。上記液晶ポリマーフ
ィルム１１は該液晶ポリマーの熱可塑性を利用し、半導
体チップ１３の表面に母材融着せる貼り合せ構造にす
る。
【００３３】図３に示すように、上記液晶ポリマーフィ
ルム１１は半導体チップ１３の電極１５を配置した側の
表面と、その反対側の表面とに貼り合せることができ
る。
ルム１１は半導体チップ１３の電極１５を配置した側の
表面と、その反対側の表面とに貼り合せることができ
る。
【００３４】この両面貼り合せ構造によって、片面貼り
合せ構造において惹起されるかも知れない半導体チップ
１３の極小な反りさえも抑止する。
合せ構造において惹起されるかも知れない半導体チップ
１３の極小な反りさえも抑止する。
【００３５】又上記液晶ポリマーフィルム１１をその熱
可塑性により半導体チップ１３の片面又は両面に貼り合
せるに際し、その貼り合せ強度を高めるために、上記半
導体チップ１３の片面又は両面に微細な突起１７等から
成るアンカー手段を形成し、このアンカー手段に液晶ポ
リマーフィルム１１を喰い付かせる貼り合せ構造にす
る。
可塑性により半導体チップ１３の片面又は両面に貼り合
せるに際し、その貼り合せ強度を高めるために、上記半
導体チップ１３の片面又は両面に微細な突起１７等から
成るアンカー手段を形成し、このアンカー手段に液晶ポ
リマーフィルム１１を喰い付かせる貼り合せ構造にす
る。
【００３６】上記突起１７を形成する方法、即ち半導体
チップ１３又は半導体ウエハの表面を粗面にする方法
は、電極１５又は電極１５を含めた隣接域をホトレジス
トで隠蔽するようにマスキングし、このマスキングから
露出した表面を酸洗するか、又はショットブラストを用
いる。この粗面化領域は半導体チップ表面の周辺に配す
る等、表面中の要所に配することができる。
チップ１３又は半導体ウエハの表面を粗面にする方法
は、電極１５又は電極１５を含めた隣接域をホトレジス
トで隠蔽するようにマスキングし、このマスキングから
露出した表面を酸洗するか、又はショットブラストを用
いる。この粗面化領域は半導体チップ表面の周辺に配す
る等、表面中の要所に配することができる。
【００３７】上記接点形成用ベース材として液晶ポリマ
ーフィルム１１を適用した半導体チップ１３の接点変換
構造は半導体ウエハレベルでの接点変換構造の形成にそ
のまま実施できる。
ーフィルム１１を適用した半導体チップ１３の接点変換
構造は半導体ウエハレベルでの接点変換構造の形成にそ
のまま実施できる。
【００３８】即ち液晶ポリマーの特性は半導体ウエハレ
ベルでのパッケージ化を適正に実施可能とし、液晶ポリ
マーフィルムと半導体ウエハの貼り合せ構造を形成した
状態においての電極のピッチ変換と形状変換を可能にす
る。
ベルでのパッケージ化を適正に実施可能とし、液晶ポリ
マーフィルムと半導体ウエハの貼り合せ構造を形成した
状態においての電極のピッチ変換と形状変換を可能にす
る。
【００３９】その一例を図５に基いて説明する。図５
Ａ、Ｂに示すように、半導体ウエハ１３′の電極１５を
配置した側の表面を覆うように液晶ポリマーフィルム１
１を貼り合せる。好ましくは液晶ポリマーフィルム１１
はその熱可塑性により半導体ウエハ１３′の表面に母材
融着する。
Ａ、Ｂに示すように、半導体ウエハ１３′の電極１５を
配置した側の表面を覆うように液晶ポリマーフィルム１
１を貼り合せる。好ましくは液晶ポリマーフィルム１１
はその熱可塑性により半導体ウエハ１３′の表面に母材
融着する。
【００４０】次に図５Ｃに示すように、エキシマレーザ
等の方法により、上記液晶ポリマーフィルム１１を厚み
方向に貫通して半導体ウエハ１３′の表面の電極１２に
達する多数の貫通孔１６を形成し、次に図５Ｄに示すよ
うに、液晶ポリマーフィルム１１の上記貼り合せ面とは
反対側の外表面に導電金属膜１８をスパッター又は蒸着
又はメッキ等により層着し、この導電金属膜１８の一部
を電極１５と対向する貫通孔１６を通し電極１５の表面
に接続する。
等の方法により、上記液晶ポリマーフィルム１１を厚み
方向に貫通して半導体ウエハ１３′の表面の電極１２に
達する多数の貫通孔１６を形成し、次に図５Ｄに示すよ
うに、液晶ポリマーフィルム１１の上記貼り合せ面とは
反対側の外表面に導電金属膜１８をスパッター又は蒸着
又はメッキ等により層着し、この導電金属膜１８の一部
を電極１５と対向する貫通孔１６を通し電極１５の表面
に接続する。
【００４１】これによって導電膜１８と電極１５とは上
記液晶ポリマーフィルム１１を通して接続部１９を介し
て電気的に導通する。この接続部１９は導電金属膜１８
の成膜法により貫通孔１６の内周面に密着しつつ電極１
５の表面に密着した連続膜であり、貫通孔１６の存在部
において石底の凹所を形成しその底部において電極１５
と密着する。又は導電金属膜１８の一部を貫通孔１６を
満たすように充填し接続部１９を形成することができ
る。
記液晶ポリマーフィルム１１を通して接続部１９を介し
て電気的に導通する。この接続部１９は導電金属膜１８
の成膜法により貫通孔１６の内周面に密着しつつ電極１
５の表面に密着した連続膜であり、貫通孔１６の存在部
において石底の凹所を形成しその底部において電極１５
と密着する。又は導電金属膜１８の一部を貫通孔１６を
満たすように充填し接続部１９を形成することができ
る。
【００４２】次に図５Ｅに示すように、上記導電膜１８
にエッチング処理を施してリードパターン２０を形成す
る。
にエッチング処理を施してリードパターン２０を形成す
る。
【００４３】このリードパターン２０は電極１５をピッ
チ変換するためのものであり、図５Ｆに示すようにこの
リードパターン２０の端部に半田ボールに代表されるボ
ール形接点、即ち外部接点１２を付設し電極１５の形状
変換を行なう。このボール形の外部接点１２は熱溶融金
属によって形成されるもので、これを形成するためのベ
ース基材は高熱による影響を受けるが、本発明は上記ベ
ース材として液晶ポリマーフィルム１１を適用すること
により、半田ボールに代表される外部接点１５を形成す
る場合の、ベース材の熱膨張を有効に抑止し、液晶ポリ
マーフィルム１１を半導体ウエハ１３′の表面に直に貼
り合せた状態で上記外部接点１２を、ウエハレベルで適
正に形成することを可能にする。
チ変換するためのものであり、図５Ｆに示すようにこの
リードパターン２０の端部に半田ボールに代表されるボ
ール形接点、即ち外部接点１２を付設し電極１５の形状
変換を行なう。このボール形の外部接点１２は熱溶融金
属によって形成されるもので、これを形成するためのベ
ース基材は高熱による影響を受けるが、本発明は上記ベ
ース材として液晶ポリマーフィルム１１を適用すること
により、半田ボールに代表される外部接点１５を形成す
る場合の、ベース材の熱膨張を有効に抑止し、液晶ポリ
マーフィルム１１を半導体ウエハ１３′の表面に直に貼
り合せた状態で上記外部接点１２を、ウエハレベルで適
正に形成することを可能にする。
【００４４】これにより半導体ウエハレベルでのパッケ
ージ化を適切に実用化できる。そして上記図５Ｆに示す
半導体ウエハのパッケージを分割して図２に示すパッケ
ージ化された接点変換構造を有する半導体チップ１３を
得る。
ージ化を適切に実用化できる。そして上記図５Ｆに示す
半導体ウエハのパッケージを分割して図２に示すパッケ
ージ化された接点変換構造を有する半導体チップ１３を
得る。
【００４５】図５Ｆに示すように上記リードパターン２
０を施した液晶ポリマーフィルムの外表面にはカバーコ
ート２１を施すことができる。
０を施した液晶ポリマーフィルムの外表面にはカバーコ
ート２１を施すことができる。
【００４６】再述すると、図５は半導体ウエハ１３′の
電極１５を配した側の表面に液晶ポリマーフィルム１１
を貼り合せる工程と、該貼り合せ状態にある液晶ポリマ
ーフィルム１１に厚み方向に貫通して電極１５に達する
多数の貫通孔１６を設ける工程と、該貫通孔１６を設け
た液晶ポリマーフィルム１１の上記貼り合せ面とは反対
側の表面にスパッター又は蒸着又はメッキによる成膜法
の一又は二以上を用いて導電金属膜１８を形成すると同
時に該導電金属膜１８の一部を上記成膜法により上記貫
通孔１６を通して電極に密着させる工程と、該導電金属
膜１８にエッチング処理を施してリードパターン２０を
形成する工程と、該リードパターン上に外部接点を形成
する工程と、該リードパターン２０を形成した上記半導
体ウエハ１３′を分割して半導体チップ１３を得る工程
とを含む接点変換構造を有する半導体チップの製造法を
示している。
電極１５を配した側の表面に液晶ポリマーフィルム１１
を貼り合せる工程と、該貼り合せ状態にある液晶ポリマ
ーフィルム１１に厚み方向に貫通して電極１５に達する
多数の貫通孔１６を設ける工程と、該貫通孔１６を設け
た液晶ポリマーフィルム１１の上記貼り合せ面とは反対
側の表面にスパッター又は蒸着又はメッキによる成膜法
の一又は二以上を用いて導電金属膜１８を形成すると同
時に該導電金属膜１８の一部を上記成膜法により上記貫
通孔１６を通して電極に密着させる工程と、該導電金属
膜１８にエッチング処理を施してリードパターン２０を
形成する工程と、該リードパターン上に外部接点を形成
する工程と、該リードパターン２０を形成した上記半導
体ウエハ１３′を分割して半導体チップ１３を得る工程
とを含む接点変換構造を有する半導体チップの製造法を
示している。
【００４７】又は半導体ウエハ１３′の電極１５を配し
た側の表面に液晶ポリマーフィルム１１を貼り合せる工
程と、該貼り合せ状態にある液晶ポリマーフィルム１１
に厚み方向に貫通して電極１５に達する多数の貫通孔１
６を設ける工程と、該貫通孔１６を設けた液晶ポリマー
フィルム１１の上記貼り合せ面とは反対側の表面にスパ
ッター又は蒸着又はメッキによる成膜法の一又は二以上
を用いて導電金属膜１８を形成すると同時に該導電金属
膜１８の一部を上記成膜法により上記貫通孔１６を通し
て電極に密着させる工程と、該導電金属膜１８にエッチ
ング処理を施してリードパターン２０を形成する工程
と、上記該リードパターン２０を形成した上記半導体ウ
エハ１３′を分割して半導体チップ１３を得る工程と、
該分割された半導体チップ上のリードパターン上に外部
接点を形成する工程を含む接点変換構造を有する半導体
チップの製造法を採ることができる。
た側の表面に液晶ポリマーフィルム１１を貼り合せる工
程と、該貼り合せ状態にある液晶ポリマーフィルム１１
に厚み方向に貫通して電極１５に達する多数の貫通孔１
６を設ける工程と、該貫通孔１６を設けた液晶ポリマー
フィルム１１の上記貼り合せ面とは反対側の表面にスパ
ッター又は蒸着又はメッキによる成膜法の一又は二以上
を用いて導電金属膜１８を形成すると同時に該導電金属
膜１８の一部を上記成膜法により上記貫通孔１６を通し
て電極に密着させる工程と、該導電金属膜１８にエッチ
ング処理を施してリードパターン２０を形成する工程
と、上記該リードパターン２０を形成した上記半導体ウ
エハ１３′を分割して半導体チップ１３を得る工程と、
該分割された半導体チップ上のリードパターン上に外部
接点を形成する工程を含む接点変換構造を有する半導体
チップの製造法を採ることができる。
【００４８】図３において説明したように、図５Ｂの工
程において、半導体ウエハ１３′の両面に上記液晶ポリ
マーフィルム１１を貼り合せすることができる。
程において、半導体ウエハ１３′の両面に上記液晶ポリ
マーフィルム１１を貼り合せすることができる。
【００４９】又図４において説明したように、上記液晶
ポリマーフィルム１１を貼り合せする半導体ウエハ１
３′の電極１５を除いた表面に無数の微細突起１７を、
図５Ａの工程に先立って形成して置き、この微細突起１
７に液晶ポリマーフィルム１１を喰い付かせ貼り合せ強
度を向上できる。
ポリマーフィルム１１を貼り合せする半導体ウエハ１
３′の電極１５を除いた表面に無数の微細突起１７を、
図５Ａの工程に先立って形成して置き、この微細突起１
７に液晶ポリマーフィルム１１を喰い付かせ貼り合せ強
度を向上できる。
【００５０】
【発明の効果】本発明は液晶ポリマーの特性を利用し、
これを外部接点を形成するベース材（半導体チップ又は
半導体ウエハとの貼り合せ基材）として活用することに
より、湿度及び熱に対する信頼性を向上し、併せて高周
波性能を著しく向上する。
これを外部接点を形成するベース材（半導体チップ又は
半導体ウエハとの貼り合せ基材）として活用することに
より、湿度及び熱に対する信頼性を向上し、併せて高周
波性能を著しく向上する。
【００５１】又液晶ポリマーフィルムの適用によって、
半導体ウエハレベルでのパッケージ化（電極のピッチ変
換と形状変換）を適正に推進でき、従来例における製造
技術上の問題を解決し、コストダウンを達成できる。
半導体ウエハレベルでのパッケージ化（電極のピッチ変
換と形状変換）を適正に推進でき、従来例における製造
技術上の問題を解決し、コストダウンを達成できる。
【図１】半導体チップの接点変換構造の従来例を示す拡
大断面図。
大断面図。
【図２】本発明の一実施形態例を示す半導体チップの接
点変換構造の側面図。
点変換構造の側面図。
【図３】本発明の他例を示す半導体チップの接点構造の
側面図。
側面図。
【図４】上記接点変換構造の更に他例を示す拡大断面
図。
図。
【図５】Ａ乃至Ｆは上記接点変換構造を半導体ウエハレ
ベルで実施する場合の製造方法を工程順に示す断面図。
ベルで実施する場合の製造方法を工程順に示す断面図。
１１ 液晶ポリマーフィルム １２ 外部接点 １３ 半導体チップ １３′ 半導体ウエハ １５ 電極 １７ 突起 ２０ リードパターン
Claims (6)
- 【請求項１】半導体チップの電極群を配置した側の表面
に、該電極群を覆う液晶ポリマーフィルムを貼り合せ、
該液晶ポリマーフィルムの上記貼り合せ面とは反対側の
表面に、上記電極群と該液晶ポリマーフィルムを通し接
続せる外部接点群を配したことを特徴とする半導体チッ
プの接点変換構造。 - 【請求項２】上記半導体チップの表面と液晶ポリマーフ
ィルムの表面とが液晶ポリマーフィルムの熱可塑性によ
り貼り合せ構造を形成していることを特徴とする請求項
１記載の半導体チップの接点変換構造。 - 【請求項３】上記半導体チップの電極群を配置した側の
表面にアンカー手段を形成して上記液晶ポリマーフィル
ムとの貼り合せ構造を形成していることを特徴とする請
求項２記載の半導体チップの接点変換構造。 - 【請求項４】半導体ウエハの電極を配した側の表面に液
晶ポリマーフィルムを貼り合せる工程と、該貼り合せ状
態にある液晶ポリマーフィルムに厚み方向に貫通して電
極に達する多数の貫通孔を設ける工程と、該貫通孔を設
けた液晶ポリマーフィルムの上記貼り合せ面とは反対側
の表面にスパッター又は蒸着又はメッキによる成膜法の
一又は二以上を用いて導電金属膜を形成すると同時に該
導電金属膜の一部を上記貫通孔を通して電極に密着させ
る工程と、該導電金属膜にエッチング処理を施してリー
ドパターンを形成する工程と、上記該リードパターンを
形成した上記半導体ウエハを分割して半導体チップを得
る工程とを含む接点変換構造を有する半導体チップの製
造法。 - 【請求項５】上記半導体ウエハ上の上記リードパターン
上に外部接点を形成したことを特徴とする請求項４記載
の接点変換構造を有する半導体チップの製造法。 - 【請求項６】上記分割された半導体チップ上のリードパ
ターン上に外部接点を形成したことを特徴とする請求項
４記載の接点変換構造を有する半導体チップの製造法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9106335A JPH10303327A (ja) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | 半導体チップの接点変換構造と該接点変換構造を有する半導体チップの製造法 |
| US09/063,270 US5955780A (en) | 1997-04-23 | 1998-04-21 | Contact converting structure of semiconductor chip and process for manufacturing semiconductor chip having said contact converting structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9106335A JPH10303327A (ja) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | 半導体チップの接点変換構造と該接点変換構造を有する半導体チップの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303327A true JPH10303327A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14431006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9106335A Pending JPH10303327A (ja) | 1997-04-23 | 1997-04-23 | 半導体チップの接点変換構造と該接点変換構造を有する半導体チップの製造法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5955780A (ja) |
| JP (1) | JPH10303327A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003110053A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Kuraray Co Ltd | フィルム被覆半導体素子とその製造方法 |
| US6696317B1 (en) | 1999-11-04 | 2004-02-24 | Nec Electronics Corporation | Method of manufacturing a flip-chip semiconductor device with a stress-absorbing layer made of thermosetting resin |
| US7217992B2 (en) | 1998-10-28 | 2007-05-15 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device, semiconductor wafer, semiconductor module, and a method of manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6441473B1 (en) * | 1997-09-12 | 2002-08-27 | Agere Systems Guardian Corp. | Flip chip semiconductor device |
| DE10059178C2 (de) * | 2000-11-29 | 2002-11-07 | Siemens Production & Logistics | Verfahren zur Herstellung von Halbleitermodulen sowie nach dem Verfahren hergestelltes Modul |
| DE10059176C2 (de) * | 2000-11-29 | 2002-10-24 | Siemens Ag | Zwischenträger für ein Halbleitermodul, unter Verwendung eines derartigen Zwischenträgers hergestelltes Halbleitermodul sowie Verfahren zur Herstellung eines derartigen Halbleitermoduls |
| JP2004349593A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| EP3280435B1 (en) | 2015-04-06 | 2021-06-02 | Acceleron Pharma Inc. | Tgf-beta superfamily type i and type ii receptor heteromultimers and uses thereof |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0075454B1 (en) * | 1981-09-18 | 1987-11-25 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having new conductive interconnection structure and method for manufacturing the same |
| US4920071A (en) * | 1985-03-15 | 1990-04-24 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | High temperature interconnect system for an integrated circuit |
| JP3342590B2 (ja) * | 1994-10-20 | 2002-11-11 | 株式会社サンギ | 半導体集積回路 |
-
1997
- 1997-04-23 JP JP9106335A patent/JPH10303327A/ja active Pending
-
1998
- 1998-04-21 US US09/063,270 patent/US5955780A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7217992B2 (en) | 1998-10-28 | 2007-05-15 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor device, semiconductor wafer, semiconductor module, and a method of manufacturing semiconductor device |
| US6696317B1 (en) | 1999-11-04 | 2004-02-24 | Nec Electronics Corporation | Method of manufacturing a flip-chip semiconductor device with a stress-absorbing layer made of thermosetting resin |
| US6767761B2 (en) | 1999-11-04 | 2004-07-27 | Nec Electronics Corporation | Method of manufacturing a flip-chip semiconductor device with a stress-absorbing layer made of thermosetting resin |
| JP2003110053A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Kuraray Co Ltd | フィルム被覆半導体素子とその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5955780A (en) | 1999-09-21 |
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