JPH10303505A - 窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法Info
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- JPH10303505A JPH10303505A JP10868097A JP10868097A JPH10303505A JP H10303505 A JPH10303505 A JP H10303505A JP 10868097 A JP10868097 A JP 10868097A JP 10868097 A JP10868097 A JP 10868097A JP H10303505 A JPH10303505 A JP H10303505A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 面内分布が小さく、かつ、良好な発光特性を
有する窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方
法を提供する。 【解決手段】 気相成長法により、窒化物半導体からな
るクラッド層及び／又はガイド層に挟まれた、少なくと
もインジウムとガリウムを含む窒化物半導体からなる量
子井戸構造活性層を形成する際の基板の厚さを、５０μ
ｍ以上１８０μｍ以下とする。
有する窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方
法を提供する。 【解決手段】 気相成長法により、窒化物半導体からな
るクラッド層及び／又はガイド層に挟まれた、少なくと
もインジウムとガリウムを含む窒化物半導体からなる量
子井戸構造活性層を形成する際の基板の厚さを、５０μ
ｍ以上１８０μｍ以下とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は窒化ガリウム系半導
体発光素子に係り、特に、窒化物半導体よりなる量子井
戸構造活性層を備えた窒化ガリウム系発光素子及びその
製造方法に関する。
体発光素子に係り、特に、窒化物半導体よりなる量子井
戸構造活性層を備えた窒化ガリウム系発光素子及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】紫外から緑色の波長領域での発光波長を
有する半導体レーザ素子（ＬＤ）や発光ダイオード素子
（ＬＥＤ）等の半導体材料として、窒化ガリウム系半導
体（ＧａＩｎＡｌＮ）が用いられている。これらの発光
素子を作製するための基板としてはサファイア基板、Ｇ
ａＡｓ基板、ＳｉＣ基板、ＭｇＯ基板、Ｓｉ基板、スピ
ネル基板等が用いられており、この基板の上に有機金属
気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシー法
（ＭＢＥ法）等の気相成長法により窒化ガリウム系半導
体からなる発光部を形成している。サファイア基板を用
いた場合の気相成長法による窒化ガリウム系半導体を形
成する際の基板の厚さとしては、例えば特開平５−１６
６９２３号公報に記載されており、通常３００〜５００
μｍの厚さが用いられていた。
有する半導体レーザ素子（ＬＤ）や発光ダイオード素子
（ＬＥＤ）等の半導体材料として、窒化ガリウム系半導
体（ＧａＩｎＡｌＮ）が用いられている。これらの発光
素子を作製するための基板としてはサファイア基板、Ｇ
ａＡｓ基板、ＳｉＣ基板、ＭｇＯ基板、Ｓｉ基板、スピ
ネル基板等が用いられており、この基板の上に有機金属
気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）や分子線エピタキシー法
（ＭＢＥ法）等の気相成長法により窒化ガリウム系半導
体からなる発光部を形成している。サファイア基板を用
いた場合の気相成長法による窒化ガリウム系半導体を形
成する際の基板の厚さとしては、例えば特開平５−１６
６９２３号公報に記載されており、通常３００〜５００
μｍの厚さが用いられていた。
【０００３】一方最近では、このような窒化ガリウム系
半導体による発光素子の活性層として、量子井戸構造が
用いられている。例えば青色ＬＤは、Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．６９，Ｎ
ｏ．１０，ｐ．１４７７〜１４７９に記載されており、
その断面図を図５に示す。図５において、１０１はサフ
ァイア基板、１０２はＧａＮバッファ層、１０３はｎ−
ＧａＮコンタクト層、１０４はｎ−Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ
層、１０５はｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎクラッド層、１０
６はｎ−ＧａＮガイド層、１０７はＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量
子井戸層とＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層とからなる多重量
子井戸構造活性層、１０８はｐ−Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層、
１０９はｐ−ＧａＮガイド層、１１０はｐ−Ａｌ0.05Ｇ
ａ0.95Ｎクラッド層、１１１はｐ−ＧａＮコンタクト
層、１１２はｐ側電極、１１３はｎ側電極、１１４はＳ
ｉＯ2絶縁膜である。ここで、多重量子井戸構造活性層
１０７は、３ｎｍ厚のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層が５
層、６ｎｍ厚のＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層が４層、の合
計９層で構成され、量子井戸層と障壁層が交互に形成さ
れている。またこれらの結晶成長時の温度は、ＧａＮバ
ッファ層１０２が５１０℃、多重量子井戸構造活性層１
０７が８３０℃、これら以外の各層は１０２０℃であ
る。この他、特開平８−３１６５２８号公報にも同様に
量子井戸構造活性層を有する窒化ガリウム系半導体を用
いた青色ＬＤが記載されているが、これらはいずれも結
晶成長時における基板の厚さについては特にこだわらず
に作成されていた。
半導体による発光素子の活性層として、量子井戸構造が
用いられている。例えば青色ＬＤは、Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．６９，Ｎ
ｏ．１０，ｐ．１４７７〜１４７９に記載されており、
その断面図を図５に示す。図５において、１０１はサフ
ァイア基板、１０２はＧａＮバッファ層、１０３はｎ−
ＧａＮコンタクト層、１０４はｎ−Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ
層、１０５はｎ−Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎクラッド層、１０
６はｎ−ＧａＮガイド層、１０７はＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量
子井戸層とＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層とからなる多重量
子井戸構造活性層、１０８はｐ−Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層、
１０９はｐ−ＧａＮガイド層、１１０はｐ−Ａｌ0.05Ｇ
ａ0.95Ｎクラッド層、１１１はｐ−ＧａＮコンタクト
層、１１２はｐ側電極、１１３はｎ側電極、１１４はＳ
ｉＯ2絶縁膜である。ここで、多重量子井戸構造活性層
１０７は、３ｎｍ厚のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層が５
層、６ｎｍ厚のＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層が４層、の合
計９層で構成され、量子井戸層と障壁層が交互に形成さ
れている。またこれらの結晶成長時の温度は、ＧａＮバ
ッファ層１０２が５１０℃、多重量子井戸構造活性層１
０７が８３０℃、これら以外の各層は１０２０℃であ
る。この他、特開平８−３１６５２８号公報にも同様に
量子井戸構造活性層を有する窒化ガリウム系半導体を用
いた青色ＬＤが記載されているが、これらはいずれも結
晶成長時における基板の厚さについては特にこだわらず
に作成されていた。
【０００４】また青色ＬＥＤは、例えば、上記の特開平
８−３１６５２８号公報に記載されており、その断面図
を図６に示す。図６において、１２１はサファイア基
板、１２２はＧａＮバッファ層、１２３はｎ−ＧａＮコ
ンタクト層、１２４はｎ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ第２ｎ型ク
ラッド層、１２５はｎ−Ｉｎ0.01Ｇａ0.99ＧａＮ第１ｎ
型クラッド層、１２６は３ｎｍ厚のＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ
単一量子井戸構造活性層、１２７はｐ−Ｉｎ0.01Ｇａ
0.99ＧａＮ第１ｐ型クラッド層、１２８はｐ−Ａｌ0.3
Ｇａ0.7Ｎ第２ｐ型クラッド層、１２９はｐ−ＧａＮコ
ンタクト層、１３０はｐ側電極、１３１はｎ側電極あ
る。これらの結晶成長時の温度は、ＧａＮバッファ層１
２２が５００℃、単一量子井戸構造活性層１２６が８０
０℃、これら以外の各層は１０５０℃である。このよう
な青色ＬＥＤにおいても、結晶成長時における基板の厚
さについては特にこだわらず作成されていた。
８−３１６５２８号公報に記載されており、その断面図
を図６に示す。図６において、１２１はサファイア基
板、１２２はＧａＮバッファ層、１２３はｎ−ＧａＮコ
ンタクト層、１２４はｎ−Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ第２ｎ型ク
ラッド層、１２５はｎ−Ｉｎ0.01Ｇａ0.99ＧａＮ第１ｎ
型クラッド層、１２６は３ｎｍ厚のＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ
単一量子井戸構造活性層、１２７はｐ−Ｉｎ0.01Ｇａ
0.99ＧａＮ第１ｐ型クラッド層、１２８はｐ−Ａｌ0.3
Ｇａ0.7Ｎ第２ｐ型クラッド層、１２９はｐ−ＧａＮコ
ンタクト層、１３０はｐ側電極、１３１はｎ側電極あ
る。これらの結晶成長時の温度は、ＧａＮバッファ層１
２２が５００℃、単一量子井戸構造活性層１２６が８０
０℃、これら以外の各層は１０５０℃である。このよう
な青色ＬＥＤにおいても、結晶成長時における基板の厚
さについては特にこだわらず作成されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，量子井
戸構造活性層を用いた従来の青色ＬＤ及び青色ＬＥＤ素
子には、結晶成長時に用いた基板ウェハーの面内での発
光特性の分布が非常に大きいという問題点があった。す
なわち青色ＬＤでは発振波長が基板ウェハーの中心部分
と周辺部分で大きく異なり、所望の発振波長を得るため
の歩留まりが大きく低下してしまう。例えば直径２イン
チのサファイア基板を使用した場合、発振波長は基板ウ
ェハーの中心部と周辺部とで１５０ｎｍもの違いを生じ
ていた。さらに、従来の青色ＬＤは発振閾値電流値が１
００ｍＡ以上と高く、光ディスク等の情報処理用として
実用に供するためには大幅に発振閾値電流値を低減する
必要があった。
戸構造活性層を用いた従来の青色ＬＤ及び青色ＬＥＤ素
子には、結晶成長時に用いた基板ウェハーの面内での発
光特性の分布が非常に大きいという問題点があった。す
なわち青色ＬＤでは発振波長が基板ウェハーの中心部分
と周辺部分で大きく異なり、所望の発振波長を得るため
の歩留まりが大きく低下してしまう。例えば直径２イン
チのサファイア基板を使用した場合、発振波長は基板ウ
ェハーの中心部と周辺部とで１５０ｎｍもの違いを生じ
ていた。さらに、従来の青色ＬＤは発振閾値電流値が１
００ｍＡ以上と高く、光ディスク等の情報処理用として
実用に供するためには大幅に発振閾値電流値を低減する
必要があった。
【０００６】また、青色ＬＥＤに関してはすでに実用化
されているものの、やはり青色ＬＤと同様に発光波長が
基板ウェハーの中心部分と周辺部分で大きく異なり、所
望の発光波長を得るための歩留まりが大きく低下してし
まうという問題がある。ＬＥＤを用いた大型のフルカラ
ーディスプレーのように、同一の発光波長を有するＬＥ
Ｄを大量に必要とするような用途の場合、発光波長の面
内分布が大きいことにより青色ＬＥＤの歩留まりが低下
してしまうと、フルカラーディスプレーのコストの増大
につながってしまう。このため、歩留まりよく同一の発
光波長で作製できる青色ＬＥＤの実現が望まれていた。
されているものの、やはり青色ＬＤと同様に発光波長が
基板ウェハーの中心部分と周辺部分で大きく異なり、所
望の発光波長を得るための歩留まりが大きく低下してし
まうという問題がある。ＬＥＤを用いた大型のフルカラ
ーディスプレーのように、同一の発光波長を有するＬＥ
Ｄを大量に必要とするような用途の場合、発光波長の面
内分布が大きいことにより青色ＬＥＤの歩留まりが低下
してしまうと、フルカラーディスプレーのコストの増大
につながってしまう。このため、歩留まりよく同一の発
光波長で作製できる青色ＬＥＤの実現が望まれていた。
【０００７】本発明は以上のような事情に鑑みてなされ
たものであり、上記窒化ガリウム系半導体発光素子にお
ける課題を解決して、基板ウェハー面内において均一で
良好なレーザ発振特性を有する半導体レーザ素子とその
製造方法、及び、基板ウェハー面内で発光波長が均一な
発光ダイオード素子とその製造方法を提供することを目
的とする。
たものであり、上記窒化ガリウム系半導体発光素子にお
ける課題を解決して、基板ウェハー面内において均一で
良好なレーザ発振特性を有する半導体レーザ素子とその
製造方法、及び、基板ウェハー面内で発光波長が均一な
発光ダイオード素子とその製造方法を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る窒化ガリウム系半導体発光素子は、気
相成長法により、窒化物半導体からなるクラッド層及び
／又はガイド層に挟まれた、少なくともインジウムとガ
リウムを含む窒化物半導体からなる量子井戸構造活性層
を形成する際の基板の厚さを、５０μｍ以上１８０μｍ
以下とすることにより製造される。
め、本発明に係る窒化ガリウム系半導体発光素子は、気
相成長法により、窒化物半導体からなるクラッド層及び
／又はガイド層に挟まれた、少なくともインジウムとガ
リウムを含む窒化物半導体からなる量子井戸構造活性層
を形成する際の基板の厚さを、５０μｍ以上１８０μｍ
以下とすることにより製造される。
【０００９】このような本発明を見い出すにあたって、
本発明者は従来素子における前記課題の原因について詳
細に調査を行い、その結果、量子井戸層を形成する際の
結晶成長時における基板ウェハーの面内での表面温度の
分布により、基板ウェハーの面内での発光の特性の分布
が生じていることが判明した。すなわち、窒化ガリウム
系半導体発光素子において量子井戸層として用いられる
ＩｎＧａＮ材料は、ＩｎＧａＮが形成される基板表面の
温度によってＩｎ組成が大きく変化する。特にＩｎＧａ
Ｎの結晶成長を開始した直後は、基板表面の温度による
Ｉｎ組成の変化が大きくなっている。従って、層厚が非
常に薄い量子井戸層をＩｎＧａＮで形成する場合は、Ｉ
ｎＧａＮの結晶成長を開始した直後の影響が大きくな
り、基板表面温度が低下すると急激にＩｎ組成が大きく
なってしまうことがわかった。ＩｎＧａＮ材料において
はＩｎ組成によって発光波長が変化するため、Ｉｎ組成
が大きくなると発光波長は長波長化してしまう。
本発明者は従来素子における前記課題の原因について詳
細に調査を行い、その結果、量子井戸層を形成する際の
結晶成長時における基板ウェハーの面内での表面温度の
分布により、基板ウェハーの面内での発光の特性の分布
が生じていることが判明した。すなわち、窒化ガリウム
系半導体発光素子において量子井戸層として用いられる
ＩｎＧａＮ材料は、ＩｎＧａＮが形成される基板表面の
温度によってＩｎ組成が大きく変化する。特にＩｎＧａ
Ｎの結晶成長を開始した直後は、基板表面の温度による
Ｉｎ組成の変化が大きくなっている。従って、層厚が非
常に薄い量子井戸層をＩｎＧａＮで形成する場合は、Ｉ
ｎＧａＮの結晶成長を開始した直後の影響が大きくな
り、基板表面温度が低下すると急激にＩｎ組成が大きく
なってしまうことがわかった。ＩｎＧａＮ材料において
はＩｎ組成によって発光波長が変化するため、Ｉｎ組成
が大きくなると発光波長は長波長化してしまう。
【００１０】さらに、基板ウェハー面内での表面温度の
分布は、結晶成長時の基板の反りによる不均一な熱伝導
が影響していることが判明した。窒化ガリウム系半導体
の結晶成長では基板ウェハーの温度を５００℃〜１１０
０℃に上昇して結晶成長を行っているが、基板の温度を
上昇するには基板の底面に接した発熱体からの熱伝導に
より基板の温度を上昇させている。この場合、基板の厚
さが１８０μｍ以上である従来の窒化ガリウム系半導体
発光素子では、基板が厚いために基板の底面と表面とで
温度差が生じ、底面の方が表面よりも温度が高くなる。
その結果、基板の底面は表面に比べて熱膨張が大きくな
り、図７に示されるように基板ウェハー１５０が反って
しまい、中心部のみが発熱体１５１に接して周辺部が発
熱体１５１から離れた状態になってしまう。従って、周
辺部へは発熱体１５１からの熱が伝わりにくくなり、中
心部に比べて周辺部の温度は低くなっている。このため
ＩｎＧａＮを結晶成長した際に周辺部ではＩｎ組成が大
きくなり、基板ウェハー１５０の面内での発光特性の分
布を引き起こしていた。
分布は、結晶成長時の基板の反りによる不均一な熱伝導
が影響していることが判明した。窒化ガリウム系半導体
の結晶成長では基板ウェハーの温度を５００℃〜１１０
０℃に上昇して結晶成長を行っているが、基板の温度を
上昇するには基板の底面に接した発熱体からの熱伝導に
より基板の温度を上昇させている。この場合、基板の厚
さが１８０μｍ以上である従来の窒化ガリウム系半導体
発光素子では、基板が厚いために基板の底面と表面とで
温度差が生じ、底面の方が表面よりも温度が高くなる。
その結果、基板の底面は表面に比べて熱膨張が大きくな
り、図７に示されるように基板ウェハー１５０が反って
しまい、中心部のみが発熱体１５１に接して周辺部が発
熱体１５１から離れた状態になってしまう。従って、周
辺部へは発熱体１５１からの熱が伝わりにくくなり、中
心部に比べて周辺部の温度は低くなっている。このため
ＩｎＧａＮを結晶成長した際に周辺部ではＩｎ組成が大
きくなり、基板ウェハー１５０の面内での発光特性の分
布を引き起こしていた。
【００１１】すなわち、青色ＬＤでは発振波長がＩｎＧ
ａＮ量子井戸構造活性層のＩｎ組成で決まるために、基
板ウェハーの中心部分と周辺部分でＩｎ組成が異なるこ
とによって発振波長が大きく異なり、所望の発振波長を
得るための歩留まりが大きく低下してしまっていた。さ
らに、１個の青色ＬＤ素子の共振器構造の内部でもＩｎ
ＧａＮ量子井戸層のＩｎ組成に分布が生じているため、
一定の発光波長で得られる光利得が小さくなって、発振
閾値電流を増大させていた。一方、青色ＬＥＤに関して
も青色ＬＤと同様に発光波長が基板ウェハーの中心部分
と周辺部分で大きく異なり、所望の発光波長を得るため
の歩留まりが大きく低下してしまっていた。
ａＮ量子井戸構造活性層のＩｎ組成で決まるために、基
板ウェハーの中心部分と周辺部分でＩｎ組成が異なるこ
とによって発振波長が大きく異なり、所望の発振波長を
得るための歩留まりが大きく低下してしまっていた。さ
らに、１個の青色ＬＤ素子の共振器構造の内部でもＩｎ
ＧａＮ量子井戸層のＩｎ組成に分布が生じているため、
一定の発光波長で得られる光利得が小さくなって、発振
閾値電流を増大させていた。一方、青色ＬＥＤに関して
も青色ＬＤと同様に発光波長が基板ウェハーの中心部分
と周辺部分で大きく異なり、所望の発光波長を得るため
の歩留まりが大きく低下してしまっていた。
【００１２】従って本発明では、気相成長法により、窒
化物半導体からなるクラッド層及び／又はガイド層に挟
まれた、少なくともインジウムとガリウムを含む窒化物
半導体からなる量子井戸構造活性層を形成する際のサフ
ァイア基板の厚さを、５０μｍ以上１８０μｍ以下と薄
くすることにより、ＩｎＧａＮを結晶成長する際の基板
の底面と表面との温度差が無くなり、結晶成長時におけ
る基板ウェハーの反りが抑えられることによって基板ウ
ェハーは底面全体で発熱体と接することになるため、基
板ウェハー面内での表面温度の分布が抑えられた。これ
によりＩｎＧａＮ量子井戸層におけるＩｎ組成の分布が
低減できた。
化物半導体からなるクラッド層及び／又はガイド層に挟
まれた、少なくともインジウムとガリウムを含む窒化物
半導体からなる量子井戸構造活性層を形成する際のサフ
ァイア基板の厚さを、５０μｍ以上１８０μｍ以下と薄
くすることにより、ＩｎＧａＮを結晶成長する際の基板
の底面と表面との温度差が無くなり、結晶成長時におけ
る基板ウェハーの反りが抑えられることによって基板ウ
ェハーは底面全体で発熱体と接することになるため、基
板ウェハー面内での表面温度の分布が抑えられた。これ
によりＩｎＧａＮ量子井戸層におけるＩｎ組成の分布が
低減できた。
【００１３】以上の結果、ＩｎＧａＮ量子井戸構造活性
層からの発光特性の分布が改善され、基板ウェハー面内
において発振波長が均一で発振閾値電流値が低い窒化ガ
リウム系半導体レーザ素子と、基板ウェハー面内で発光
波長が均一な窒化ガリウム系発光ダイオード素子が実現
された。
層からの発光特性の分布が改善され、基板ウェハー面内
において発振波長が均一で発振閾値電流値が低い窒化ガ
リウム系半導体レーザ素子と、基板ウェハー面内で発光
波長が均一な窒化ガリウム系発光ダイオード素子が実現
された。
【００１４】
（発明の実施の形態１）図１は本発明の第１の実施例に
係る窒化ガリウム系半導体レーザ素子を示す断面図であ
り、図２は図１中のＡ部を拡大した断面図である。この
図において、１はｃ面を表面として有し厚さが１５０μ
ｍ、直径が２インチであるサファイア基板、２はＧａＮ
バッファ層、３はｎ−ＧａＮｎ型コンタクト層、４はｎ
−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎｎ型クラッド層、５はｎ−ＧａＮガ
イド層、６は２層のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層１４と
１層のＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層１５とからなる多重量
子井戸構造活性層、７はＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ蒸発防止層、
８はｐ−ＧａＮガイド層、９はｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎｐ
型クラッド層、１０はｐ−ＧａＮｐ型コンタクト層、１
１はｐ側電極、１２はｎ側電極、１３はＳｉＯ2絶縁膜
である。
係る窒化ガリウム系半導体レーザ素子を示す断面図であ
り、図２は図１中のＡ部を拡大した断面図である。この
図において、１はｃ面を表面として有し厚さが１５０μ
ｍ、直径が２インチであるサファイア基板、２はＧａＮ
バッファ層、３はｎ−ＧａＮｎ型コンタクト層、４はｎ
−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎｎ型クラッド層、５はｎ−ＧａＮガ
イド層、６は２層のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層１４と
１層のＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層１５とからなる多重量
子井戸構造活性層、７はＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ蒸発防止層、
８はｐ−ＧａＮガイド層、９はｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎｐ
型クラッド層、１０はｐ−ＧａＮｐ型コンタクト層、１
１はｐ側電極、１２はｎ側電極、１３はＳｉＯ2絶縁膜
である。
【００１５】本実施例において、サファイア基板１の厚
さを１５０μｍとしたが、５０μｍから１８０μｍの間
であればこの厚さにこだわらない。また基板の表面はａ
面、ｒ面、ｍ面等の他の面方位であっても構わない。ま
た、サファイア基板に限らずＳｉＣ基板・スピネル基板
・ＭｇＯ基板・Ｓｉ基板・ＧａＡｓ基板も用いることが
出来る。特にＳｉＣ基板の場合はサファイア基板に比べ
て劈開しやすいため、劈開によるレーザ共振器端面の形
成が容易であるという利点がある。バッファ層２はその
上に窒化ガリウム系半導体をエピタキシャル成長させる
ことが出来るものであればＧａＮにこだわらず他の材
料、例えばＡｌＮやＡｌＧａＮ３元混晶を用いてもよ
い。
さを１５０μｍとしたが、５０μｍから１８０μｍの間
であればこの厚さにこだわらない。また基板の表面はａ
面、ｒ面、ｍ面等の他の面方位であっても構わない。ま
た、サファイア基板に限らずＳｉＣ基板・スピネル基板
・ＭｇＯ基板・Ｓｉ基板・ＧａＡｓ基板も用いることが
出来る。特にＳｉＣ基板の場合はサファイア基板に比べ
て劈開しやすいため、劈開によるレーザ共振器端面の形
成が容易であるという利点がある。バッファ層２はその
上に窒化ガリウム系半導体をエピタキシャル成長させる
ことが出来るものであればＧａＮにこだわらず他の材
料、例えばＡｌＮやＡｌＧａＮ３元混晶を用いてもよ
い。
【００１６】ｎ型クラッド層４及びｐ型クラッド層９
は、ｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ以外のＡｌ組成を持つＡｌＧ
ａＮ３元混晶でもよい。この場合Ａｌ組成を大きくする
と活性層とクラッド層とのエネルギーギャップ差及び屈
折率差が大きくなり、キャリアや光が活性層に有効に閉
じ込められてさらに発振閾値電流の低減及び、温度特性
の向上が図れる。またキャリアや光の閉じ込めが保持さ
れる程度でＡｌ組成を小さくしていくと、クラッド層に
おけるキャリアの移動度が大きくなるため、半導体レー
ザ素子の素子抵抗を小さくできる利点がある。さらにこ
れらのクラッド層は微量に他の元素を含んだ４元以上の
混晶半導体でもよく、ｎ型クラッド層４とｐ型クラッド
層９とで混晶の組成が同一でなくても構わない。
は、ｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ以外のＡｌ組成を持つＡｌＧ
ａＮ３元混晶でもよい。この場合Ａｌ組成を大きくする
と活性層とクラッド層とのエネルギーギャップ差及び屈
折率差が大きくなり、キャリアや光が活性層に有効に閉
じ込められてさらに発振閾値電流の低減及び、温度特性
の向上が図れる。またキャリアや光の閉じ込めが保持さ
れる程度でＡｌ組成を小さくしていくと、クラッド層に
おけるキャリアの移動度が大きくなるため、半導体レー
ザ素子の素子抵抗を小さくできる利点がある。さらにこ
れらのクラッド層は微量に他の元素を含んだ４元以上の
混晶半導体でもよく、ｎ型クラッド層４とｐ型クラッド
層９とで混晶の組成が同一でなくても構わない。
【００１７】ガイド層５と８は、そのエネルギーギャッ
プが、多重量子井戸構造活性層６を構成する量子井戸層
のエネルギーギャップとクラッド層４と９のエネルギー
ギャップの間の値を持つような材料であればＧａＮにこ
だわらず他の材料、例えばＩｎＧａＮやＡｌＧａＮ等の
３元混晶やＩｎＧａＡｌＮ４元混晶等を用いてもよい。
またガイド層全体にわたってドナー又はアクセプターを
ドーピングする必要はなく、多重量子井戸構造活性層６
側の一部のみをノンドープとしてもよく、さらにはガイ
ド層全体をノンドープとしてもよい。この場合、ガイド
層に存在するキャリアが少なくなり、自由キャリアによ
る光の吸収が低減されて、さらに発振閾値電流が低減で
きるという利点がある。
プが、多重量子井戸構造活性層６を構成する量子井戸層
のエネルギーギャップとクラッド層４と９のエネルギー
ギャップの間の値を持つような材料であればＧａＮにこ
だわらず他の材料、例えばＩｎＧａＮやＡｌＧａＮ等の
３元混晶やＩｎＧａＡｌＮ４元混晶等を用いてもよい。
またガイド層全体にわたってドナー又はアクセプターを
ドーピングする必要はなく、多重量子井戸構造活性層６
側の一部のみをノンドープとしてもよく、さらにはガイ
ド層全体をノンドープとしてもよい。この場合、ガイド
層に存在するキャリアが少なくなり、自由キャリアによ
る光の吸収が低減されて、さらに発振閾値電流が低減で
きるという利点がある。
【００１８】多重量子井戸構造活性層６を構成する２層
のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層１４と１層のＩｎ0.05Ｇ
ａ0.95Ｎ障壁層１５は、必要なレーザ発振波長に応じて
その組成を設定すればよく、発振波長を長くしたい場合
は量子井戸層１４のＩｎ組成を大きくし、短くしたい場
合は量子井戸層１４のＩｎ組成を小さくする。また量子
井戸層１４と障壁層１５は、ＩｎＧａＮ３元混晶に微量
に他の元素を含んだ４元以上の混晶半導体でもよい。さ
らに障壁層１５は単にＧａＮを用いてもよい。
のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層１４と１層のＩｎ0.05Ｇ
ａ0.95Ｎ障壁層１５は、必要なレーザ発振波長に応じて
その組成を設定すればよく、発振波長を長くしたい場合
は量子井戸層１４のＩｎ組成を大きくし、短くしたい場
合は量子井戸層１４のＩｎ組成を小さくする。また量子
井戸層１４と障壁層１５は、ＩｎＧａＮ３元混晶に微量
に他の元素を含んだ４元以上の混晶半導体でもよい。さ
らに障壁層１５は単にＧａＮを用いてもよい。
【００１９】次に、図１と図２を参照して上記窒化ガリ
ウム系半導体レーザの作製方法を説明する。以下の説明
ではＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）を用いた場合
を示しているが、ＧａＮをエピタキシャル成長できる成
長法であればよく、ＭＢＥ法（分子線エピタキシャル成
長法）やＨＤＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）等の他
の気相成長法を用いることもできる。
ウム系半導体レーザの作製方法を説明する。以下の説明
ではＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）を用いた場合
を示しているが、ＧａＮをエピタキシャル成長できる成
長法であればよく、ＭＢＥ法（分子線エピタキシャル成
長法）やＨＤＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）等の他
の気相成長法を用いることもできる。
【００２０】まず従来用いられていたｃ面を表面として
有し厚さが３００μｍ以上で直径が２インチであるサフ
ァイア基板の裏面を研磨して、厚さ１５０μｍのサファ
イア基板１とした。続いて、所定の成長炉内の発熱体上
に設置された、前記サファイア基板１上に、トリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）とアンモニア（ＮＨ3）を原料に用
いて、成長温度６００℃でＧａＮバッファ層２を３５ｎ
ｍ成長させる。
有し厚さが３００μｍ以上で直径が２インチであるサフ
ァイア基板の裏面を研磨して、厚さ１５０μｍのサファ
イア基板１とした。続いて、所定の成長炉内の発熱体上
に設置された、前記サファイア基板１上に、トリメチル
ガリウム（ＴＭＧ）とアンモニア（ＮＨ3）を原料に用
いて、成長温度６００℃でＧａＮバッファ層２を３５ｎ
ｍ成長させる。
【００２１】次に成長温度を１０５０℃まで上昇させ
て、ＴＭＧとＮＨ3、及びシランガス（ＳｉＨ4）を原料
に用いて、厚さ３μｍのＳｉドープｎ−ＧａＮｎ型コン
タクト層３を成長する。さらに続けてトリメチルアルミ
ニウム（ＴＭＡ）を原料に加え、成長温度は１０５０℃
のままで厚さ０．７μｍのＳｉドープｎ−Ａｌ0.1Ｇａ
0.9Ｎｎ型クラッド層４を成長する。続けて、ＴＭＡを
原料から除いて、成長温度は１０５０℃のままで厚さ
０．０５μｍのＳｉドープｎ−ＧａＮガイド層５を成長
する。
て、ＴＭＧとＮＨ3、及びシランガス（ＳｉＨ4）を原料
に用いて、厚さ３μｍのＳｉドープｎ−ＧａＮｎ型コン
タクト層３を成長する。さらに続けてトリメチルアルミ
ニウム（ＴＭＡ）を原料に加え、成長温度は１０５０℃
のままで厚さ０．７μｍのＳｉドープｎ−Ａｌ0.1Ｇａ
0.9Ｎｎ型クラッド層４を成長する。続けて、ＴＭＡを
原料から除いて、成長温度は１０５０℃のままで厚さ
０．０５μｍのＳｉドープｎ−ＧａＮガイド層５を成長
する。
【００２２】次に、成長温度を８００℃に下げ、ＴＭＧ
とＮＨ3、及びトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を原料
に用いて、Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層（厚さ５ｎｍ）
１４、Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層（厚さ５ｎｍ）１５、
Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層（厚さ５ｎｍ）１４を順次
成長することにより多重量子井戸構造活性層（トータル
の厚さ１５ｎｍ）６を作成する。さらに続けてＴＭＧと
ＴＭＡとＮＨ3を原料に用いて、成長温度は８００℃の
ままで厚さ１０ｎｍのＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ蒸発防止層７を
成長する。
とＮＨ3、及びトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を原料
に用いて、Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層（厚さ５ｎｍ）
１４、Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層（厚さ５ｎｍ）１５、
Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層（厚さ５ｎｍ）１４を順次
成長することにより多重量子井戸構造活性層（トータル
の厚さ１５ｎｍ）６を作成する。さらに続けてＴＭＧと
ＴＭＡとＮＨ3を原料に用いて、成長温度は８００℃の
ままで厚さ１０ｎｍのＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ蒸発防止層７を
成長する。
【００２３】次に、再び成長温度を１０５０℃に上昇し
て、ＴＭＧとＮＨ3、及びシクロペンタジエニルマグネ
シウム（Ｃｐ2Ｍｇ）を原料に用いて、厚さ０．０５μ
ｍのＭｇドープｐ−ＧａＮガイド層８を成長する。さら
に続けてＴＭＡを原料に加え、成長温度は１０５０℃の
ままで厚さ０．７μｍのＭｇドープｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9
Ｎｐ型クラッド層９を成長する。続けて、ＴＭＡを原料
から除いて、成長温度は１０５０℃のままで厚さ０．２
μｍのＭｇドープｐ−ＧａＮｐ型コンタクト層１０を成
長して、窒化ガリウム系エピタキシャルウエハーを完成
する。
て、ＴＭＧとＮＨ3、及びシクロペンタジエニルマグネ
シウム（Ｃｐ2Ｍｇ）を原料に用いて、厚さ０．０５μ
ｍのＭｇドープｐ−ＧａＮガイド層８を成長する。さら
に続けてＴＭＡを原料に加え、成長温度は１０５０℃の
ままで厚さ０．７μｍのＭｇドープｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9
Ｎｐ型クラッド層９を成長する。続けて、ＴＭＡを原料
から除いて、成長温度は１０５０℃のままで厚さ０．２
μｍのＭｇドープｐ−ＧａＮｐ型コンタクト層１０を成
長して、窒化ガリウム系エピタキシャルウエハーを完成
する。
【００２４】その後、このウエハーを８００℃の窒素ガ
ス雰囲気中でアニールして、Ｍｇドープのｐ型層を低抵
抗化する。
ス雰囲気中でアニールして、Ｍｇドープのｐ型層を低抵
抗化する。
【００２５】さらに通常のフォトリソグラフィーとドラ
イエッチング技術を用いて、２００μｍ幅のストライプ
状にｐ−ＧａＮｐ型コンタクト層１０の最表面から、ｎ
−ＧａＮｎ型コンタクト層３が露出するまでエッチング
を行う。次に、上記と同様のフォトリソグラフィーとド
ライエッチング技術を用いて、残ったｐ−ＧａＮｐ型コ
ンタクト層１０の最表面に、５μｍ幅のストライプ状に
リッジ構造を形成するようにｐ−ＧａＮｐ型コンタクト
層１０とｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎｐ型クラッド層９をエッ
チングする。
イエッチング技術を用いて、２００μｍ幅のストライプ
状にｐ−ＧａＮｐ型コンタクト層１０の最表面から、ｎ
−ＧａＮｎ型コンタクト層３が露出するまでエッチング
を行う。次に、上記と同様のフォトリソグラフィーとド
ライエッチング技術を用いて、残ったｐ−ＧａＮｐ型コ
ンタクト層１０の最表面に、５μｍ幅のストライプ状に
リッジ構造を形成するようにｐ−ＧａＮｐ型コンタクト
層１０とｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎｐ型クラッド層９をエッ
チングする。
【００２６】続いて、リッジの側面とリッジ以外のｐ型
層表面に厚さ２００ｎｍのＳｉＯ2絶縁膜１３を形成す
る。このＳｉＯ2絶縁膜１３とｐ−ＧａＮｐ型コンタク
ト層１０の表面にニッケルと金からなるｐ側電極１１を
形成し、エッチングにより露出したｎ−ＧａＮｎ型コン
タクト層３の表面にチタンとアルミニウムからなるｎ側
電極１２を形成して、窒化ガリウム系ＬＤウエハーを完
成する。
層表面に厚さ２００ｎｍのＳｉＯ2絶縁膜１３を形成す
る。このＳｉＯ2絶縁膜１３とｐ−ＧａＮｐ型コンタク
ト層１０の表面にニッケルと金からなるｐ側電極１１を
形成し、エッチングにより露出したｎ−ＧａＮｎ型コン
タクト層３の表面にチタンとアルミニウムからなるｎ側
電極１２を形成して、窒化ガリウム系ＬＤウエハーを完
成する。
【００２７】その後、このウエハーをリッジストライプ
に垂直な方向に劈開してレーザの共振器端面を形成し、
さらに個々のチップに分割する。そして、各チップをス
テムにマウントし、ワイヤーボンディングにより各電極
とリード端子とを接続して、窒化ガリウム系半導体レー
ザ素子を完成する。
に垂直な方向に劈開してレーザの共振器端面を形成し、
さらに個々のチップに分割する。そして、各チップをス
テムにマウントし、ワイヤーボンディングにより各電極
とリード端子とを接続して、窒化ガリウム系半導体レー
ザ素子を完成する。
【００２８】以上のようにして作製された青色ＬＤ素子
は、発振波長４３０ｎｍ、発振閾値電流４０ｍＡという
レーザ特性が得られた。また、基板ウエハー面内での発
振波長の分布は小さくなり、ウェハーの中心部と周辺部
とで従来１５０ｎｍあった発振波長の違いは１０ｎｍに
まで低減された。このように本発明により、ＩｎＧａＮ
量子井戸活性層からの発光特性の分布が改善され、基板
ウェハー面内において発振波長が均一で発振閾値電流値
が低い窒化ガリウム系半導体レーザ素子が実現できた。
は、発振波長４３０ｎｍ、発振閾値電流４０ｍＡという
レーザ特性が得られた。また、基板ウエハー面内での発
振波長の分布は小さくなり、ウェハーの中心部と周辺部
とで従来１５０ｎｍあった発振波長の違いは１０ｎｍに
まで低減された。このように本発明により、ＩｎＧａＮ
量子井戸活性層からの発光特性の分布が改善され、基板
ウェハー面内において発振波長が均一で発振閾値電流値
が低い窒化ガリウム系半導体レーザ素子が実現できた。
【００２９】図３には、窒化ガリウム系半導体レーザ素
子において、直径が２インチであるサファイア基板の厚
さによる、ウェハーの中心部と周辺部とでの発振波長の
違いの大きさの変化、及び、発振閾値電流値の変化を表
すグラフ図が示されている。各半導体レーザの構造は、
結晶成長時におけるサファイア基板の厚さが異なること
以外は本発明の第１の実施例に係る窒化ガリウム系半導
体レーザ素子と同じである。この図からわかるように、
結晶成長時におけるサファイア基板の厚さが１８０μｍ
を越えると、発振波長の面内分布が急速に増大し、発振
閾値電流値も高くなっている。従って、ウェハー面内に
おいて発光波長が均一であり、かつ低い発振閾値電流値
を得ることが出来るのは、結晶成長時におけるサファイ
ア基板の厚さが５０μｍ以上１８０μｍ以下である本発
明の第１の実施例に係る窒化ガリウム系半導体レーザ素
子のみである。なお基板の厚さを５０μｍ以下とする
と、基板の機械的強度が低下するため割れやすくなり、
基板とその基板上に形成された窒化ガリウム系半導体と
の熱膨張係数に違いがあるため、５００℃〜１１００℃
の温度で結晶成長を行った後、室温まで温度を下げる際
に基板が反って破損してしまった。
子において、直径が２インチであるサファイア基板の厚
さによる、ウェハーの中心部と周辺部とでの発振波長の
違いの大きさの変化、及び、発振閾値電流値の変化を表
すグラフ図が示されている。各半導体レーザの構造は、
結晶成長時におけるサファイア基板の厚さが異なること
以外は本発明の第１の実施例に係る窒化ガリウム系半導
体レーザ素子と同じである。この図からわかるように、
結晶成長時におけるサファイア基板の厚さが１８０μｍ
を越えると、発振波長の面内分布が急速に増大し、発振
閾値電流値も高くなっている。従って、ウェハー面内に
おいて発光波長が均一であり、かつ低い発振閾値電流値
を得ることが出来るのは、結晶成長時におけるサファイ
ア基板の厚さが５０μｍ以上１８０μｍ以下である本発
明の第１の実施例に係る窒化ガリウム系半導体レーザ素
子のみである。なお基板の厚さを５０μｍ以下とする
と、基板の機械的強度が低下するため割れやすくなり、
基板とその基板上に形成された窒化ガリウム系半導体と
の熱膨張係数に違いがあるため、５００℃〜１１００℃
の温度で結晶成長を行った後、室温まで温度を下げる際
に基板が反って破損してしまった。
【００３０】なお、本実施例では、多重量子井戸構造活
性層６を構成する量子井戸層１４の層を２層としたが、
３層以上の多重量子井戸構造でもよく、１層のみの単一
量子井戸構造でもよい。さらに、本実施例では、量子井
戸層１４と障壁層１５の層厚をともに５ｎｍとしたが、
これらの層厚が同一である必要はなく、異なっていても
構わない。また量子井戸層の層厚も本実施例にこだわら
ない。
性層６を構成する量子井戸層１４の層を２層としたが、
３層以上の多重量子井戸構造でもよく、１層のみの単一
量子井戸構造でもよい。さらに、本実施例では、量子井
戸層１４と障壁層１５の層厚をともに５ｎｍとしたが、
これらの層厚が同一である必要はなく、異なっていても
構わない。また量子井戸層の層厚も本実施例にこだわら
ない。
【００３１】また本実施例では、多重量子井戸構造活性
層６に接するようにＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ蒸発防止層７を形
成しているが、これは量子井戸層１４が成長温度を上昇
している間に蒸発してしまうことを防ぐためである。従
って、量子井戸層１４を保護するものであれば蒸発防止
層７として用いることができ、他のＡｌ組成を有するＡ
ｌＧａＮ３元混晶やＧａＮを用いてもよい。また、この
蒸発防止層７にＭｇをドーピングしてもよく、この場合
はｐ−ＧａＮガイド層８やｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎｐ型ク
ラッド層９から正孔が注入され易くなるという利点があ
る。さらに、量子井戸層１４のＩｎ組成が小さい場合は
蒸発防止層７を形成しなくても量子井戸層１４は蒸発し
ないため、特に蒸発防止層７を形成しなくても、本実施
例の窒化ガリウム系半導体レーザ素子の特性は損なわれ
ない。
層６に接するようにＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ蒸発防止層７を形
成しているが、これは量子井戸層１４が成長温度を上昇
している間に蒸発してしまうことを防ぐためである。従
って、量子井戸層１４を保護するものであれば蒸発防止
層７として用いることができ、他のＡｌ組成を有するＡ
ｌＧａＮ３元混晶やＧａＮを用いてもよい。また、この
蒸発防止層７にＭｇをドーピングしてもよく、この場合
はｐ−ＧａＮガイド層８やｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎｐ型ク
ラッド層９から正孔が注入され易くなるという利点があ
る。さらに、量子井戸層１４のＩｎ組成が小さい場合は
蒸発防止層７を形成しなくても量子井戸層１４は蒸発し
ないため、特に蒸発防止層７を形成しなくても、本実施
例の窒化ガリウム系半導体レーザ素子の特性は損なわれ
ない。
【００３２】本実施例では、リッジストライプ構造を形
成して注入電流の狭窄を行っているが、電極ストライプ
構造等の他の電流狭窄の手法を用いてもよい。また、本
実施例では劈開によりレーザの共振器端面を形成してい
るが、ドライエッチングにより共振器端面を形成するこ
ともできる。
成して注入電流の狭窄を行っているが、電極ストライプ
構造等の他の電流狭窄の手法を用いてもよい。また、本
実施例では劈開によりレーザの共振器端面を形成してい
るが、ドライエッチングにより共振器端面を形成するこ
ともできる。
【００３３】さらに本実施例ではサファイア基板を用い
たため、エッチングにより露出したｎ−ＧａＮｎ型コン
タクト層３の表面にｎ側電極１２を形成しているが、ｎ
型導電性を有するＳｉＣ基板、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板
等を結晶成長時の基板に用いれば、この基板の裏面にｎ
側電極１２を形成してもよい。また、ｐ型とｎ型の構成
を逆にしても構わない。
たため、エッチングにより露出したｎ−ＧａＮｎ型コン
タクト層３の表面にｎ側電極１２を形成しているが、ｎ
型導電性を有するＳｉＣ基板、Ｓｉ基板、ＧａＡｓ基板
等を結晶成長時の基板に用いれば、この基板の裏面にｎ
側電極１２を形成してもよい。また、ｐ型とｎ型の構成
を逆にしても構わない。
【００３４】（発明の実施の形態２）図４は本発明の第
２の実施例に係る窒化ガリウム系半導体発光ダイオード
素子を示す断面図である。この図において、２１はｃ面
を表面として有し厚さが１００μｍ、直径が２インチで
あるサファイア基板、２２はＧａＮバッファ層、２３は
ｎ−ＧａＮｎ型コンタクト層、２４はｎ−Ａｌ0.1Ｇａ
0.9Ｎｎ型クラッド層、２５はｎ−ＧａＮガイド層、２
６はＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層からなる単一量子井戸
構造活性層、２７はＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ蒸発防止層、２８
はｐ−ＧａＮガイド層、２９はｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎｐ
型クラッド層、３０はｐ−ＧａＮｐ型コンタクト層、３
１はｐ側電極、３２はｎ側電極である。
２の実施例に係る窒化ガリウム系半導体発光ダイオード
素子を示す断面図である。この図において、２１はｃ面
を表面として有し厚さが１００μｍ、直径が２インチで
あるサファイア基板、２２はＧａＮバッファ層、２３は
ｎ−ＧａＮｎ型コンタクト層、２４はｎ−Ａｌ0.1Ｇａ
0.9Ｎｎ型クラッド層、２５はｎ−ＧａＮガイド層、２
６はＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層からなる単一量子井戸
構造活性層、２７はＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ蒸発防止層、２８
はｐ−ＧａＮガイド層、２９はｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎｐ
型クラッド層、３０はｐ−ＧａＮｐ型コンタクト層、３
１はｐ側電極、３２はｎ側電極である。
【００３５】本実施例において、サファイア基板２１の
厚さを１００μｍとしたが、５０μｍから１８０μｍの
間であればこの厚さにこだわらない。また基板の表面は
ａ面、ｒ面、ｍ面等の他の面方位であっても構わない。
また、サファイア基板に限らずＳｉＣ基板・スピネル基
板・ＭｇＯ基板・Ｓｉ基板・ＧａＡｓ基板も用いること
が出来る。特にＳｉＣ基板の場合はサファイア基板に比
べて劈開しやすいため、ＬＥＤ素子のチップへの分割が
容易であるという利点がある。バッファ層２２はその上
に窒化ガリウム系半導体をエピタキシャル成長させるこ
とが出来るものであればＧａＮにこだわらず他の材料、
例えばＡｌＮやＡｌＧａＮ３元混晶を用いてもよい。
厚さを１００μｍとしたが、５０μｍから１８０μｍの
間であればこの厚さにこだわらない。また基板の表面は
ａ面、ｒ面、ｍ面等の他の面方位であっても構わない。
また、サファイア基板に限らずＳｉＣ基板・スピネル基
板・ＭｇＯ基板・Ｓｉ基板・ＧａＡｓ基板も用いること
が出来る。特にＳｉＣ基板の場合はサファイア基板に比
べて劈開しやすいため、ＬＥＤ素子のチップへの分割が
容易であるという利点がある。バッファ層２２はその上
に窒化ガリウム系半導体をエピタキシャル成長させるこ
とが出来るものであればＧａＮにこだわらず他の材料、
例えばＡｌＮやＡｌＧａＮ３元混晶を用いてもよい。
【００３６】ｎ型クラッド層２４及びｐ型クラッド層２
９は、ｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ以外のＡｌ組成を持つＡｌ
ＧａＮ３元混晶や、単にＧａＮを用いてもよい。この場
合Ａｌ組成を大きくすると活性層とクラッド層とのエネ
ルギーギャップ差が大きくなり、キャリアが活性層に有
効に閉じ込められて温度特性の向上が図れる。またキャ
リアの閉じ込めが保持される程度でＡｌ組成を小さくし
ていくと、クラッド層におけるキャリアの移動度が大き
くなるため、発光ダイオード素子の素子抵抗を小さくで
きる利点がある。さらにこれらのクラッド層は微量に他
の元素を含んだ４元以上の混晶半導体でもよく、ｎ型ク
ラッド層２４とｐ型クラッド層２９とで混晶の組成が同
一でなくても構わない。
９は、ｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ以外のＡｌ組成を持つＡｌ
ＧａＮ３元混晶や、単にＧａＮを用いてもよい。この場
合Ａｌ組成を大きくすると活性層とクラッド層とのエネ
ルギーギャップ差が大きくなり、キャリアが活性層に有
効に閉じ込められて温度特性の向上が図れる。またキャ
リアの閉じ込めが保持される程度でＡｌ組成を小さくし
ていくと、クラッド層におけるキャリアの移動度が大き
くなるため、発光ダイオード素子の素子抵抗を小さくで
きる利点がある。さらにこれらのクラッド層は微量に他
の元素を含んだ４元以上の混晶半導体でもよく、ｎ型ク
ラッド層２４とｐ型クラッド層２９とで混晶の組成が同
一でなくても構わない。
【００３７】ガイド層２５と２８は、そのエネルギーギ
ャップが、単一量子井戸構造活性層２６を構成する量子
井戸層のエネルギーギャップとクラッド層２４と２９の
エネルギーギャップの間の値を持つような材料であれば
ＧａＮにこだわらず他の材料、例えばＩｎＧａＮ・Ａｌ
ＧａＮ３元混晶やＩｎＧａＡｌＮ４元混晶等を用いても
よい。またガイド層全体にわたってドナー又はアクセプ
ターをドーピングする必要はなく、単一量子井戸構造活
性層２６側の一部のみをノンドープとしてもよく、さら
にはガイド層全体をノンドープとしてもよい。この場
合、ガイド層に存在するキャリアが少なくなり、自由キ
ャリアによる光の吸収が低減されて、さらに光出力が向
上するという利点がある。また、ガイド層２５と２８に
は、ｎ型クラッド層２４とｐ型クラッド層２９からそれ
ぞれ電子と正孔を単一量子井戸構造活性層２６へ注入し
やすくするという利点があるが、特にガイド層２５と２
８を設けなくてもＬＥＤ素子特性が大きく悪化すること
はないので、ガイド層２５と２８はなくても構わない。
ャップが、単一量子井戸構造活性層２６を構成する量子
井戸層のエネルギーギャップとクラッド層２４と２９の
エネルギーギャップの間の値を持つような材料であれば
ＧａＮにこだわらず他の材料、例えばＩｎＧａＮ・Ａｌ
ＧａＮ３元混晶やＩｎＧａＡｌＮ４元混晶等を用いても
よい。またガイド層全体にわたってドナー又はアクセプ
ターをドーピングする必要はなく、単一量子井戸構造活
性層２６側の一部のみをノンドープとしてもよく、さら
にはガイド層全体をノンドープとしてもよい。この場
合、ガイド層に存在するキャリアが少なくなり、自由キ
ャリアによる光の吸収が低減されて、さらに光出力が向
上するという利点がある。また、ガイド層２５と２８に
は、ｎ型クラッド層２４とｐ型クラッド層２９からそれ
ぞれ電子と正孔を単一量子井戸構造活性層２６へ注入し
やすくするという利点があるが、特にガイド層２５と２
８を設けなくてもＬＥＤ素子特性が大きく悪化すること
はないので、ガイド層２５と２８はなくても構わない。
【００３８】単一量子井戸構造活性層２６を構成するＩ
ｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層は、必要な発光波長に応じて
その組成を設定すればよく、発光波長を長くしたい場合
は量子井戸層２６のＩｎ組成を大きくし、短くしたい場
合は量子井戸層２６のＩｎ組成を小さくする。また量子
井戸層２６は、ＩｎＧａＮ３元混晶に微量に他の元素を
含んだ４元以上の混晶半導体でもよい。
ｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層は、必要な発光波長に応じて
その組成を設定すればよく、発光波長を長くしたい場合
は量子井戸層２６のＩｎ組成を大きくし、短くしたい場
合は量子井戸層２６のＩｎ組成を小さくする。また量子
井戸層２６は、ＩｎＧａＮ３元混晶に微量に他の元素を
含んだ４元以上の混晶半導体でもよい。
【００３９】次に、図４を参照して上記窒化ガリウム系
半導体発光ダイオードの作製方法を説明する。以下の説
明ではＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）を用いた場
合を示しているが、ＧａＮをエピタキシャル成長できる
成長法であればよく、ＭＢＥ法（分子線エピタキシャル
成長法）やＨＤＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）等の
他の気相成長法を用いることもできる。
半導体発光ダイオードの作製方法を説明する。以下の説
明ではＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）を用いた場
合を示しているが、ＧａＮをエピタキシャル成長できる
成長法であればよく、ＭＢＥ法（分子線エピタキシャル
成長法）やＨＤＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）等の
他の気相成長法を用いることもできる。
【００４０】まず従来用いられていたｃ面を表面として
有し厚さが３００μｍ以上で直径が２インチであるサフ
ァイア基板の裏面を研磨して、厚さ１００μｍのサファ
イア基板２１とした。続いて、所定の成長炉内の発熱体
上に設置された、前記サファイア基板２１上に、ＴＭＧ
とＮＨ3を原料に用いて、成長温度６００℃でＧａＮバ
ッファ層２２を３５ｎｍ成長させる。
有し厚さが３００μｍ以上で直径が２インチであるサフ
ァイア基板の裏面を研磨して、厚さ１００μｍのサファ
イア基板２１とした。続いて、所定の成長炉内の発熱体
上に設置された、前記サファイア基板２１上に、ＴＭＧ
とＮＨ3を原料に用いて、成長温度６００℃でＧａＮバ
ッファ層２２を３５ｎｍ成長させる。
【００４１】次に成長温度を１０５０℃まで上昇させ
て、ＴＭＧとＮＨ3、及びＳｉＨ4を原料に用いて、厚さ
３μｍのＳｉドープｎ−ＧａＮｎ型コンタクト層２３を
成長する。さらに続けてＴＭＡを原料に加え、成長温度
は１０５０℃のままで厚さ０．３μｍのＳｉドープｎ−
Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎｎ型クラッド層２４を成長する。続け
て、ＴＭＡを原料から除いて、成長温度は１０５０℃の
ままで厚さ０．０５μｍのＳｉドープｎ−ＧａＮガイド
層２５を成長する。
て、ＴＭＧとＮＨ3、及びＳｉＨ4を原料に用いて、厚さ
３μｍのＳｉドープｎ−ＧａＮｎ型コンタクト層２３を
成長する。さらに続けてＴＭＡを原料に加え、成長温度
は１０５０℃のままで厚さ０．３μｍのＳｉドープｎ−
Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎｎ型クラッド層２４を成長する。続け
て、ＴＭＡを原料から除いて、成長温度は１０５０℃の
ままで厚さ０．０５μｍのＳｉドープｎ−ＧａＮガイド
層２５を成長する。
【００４２】次に、成長温度を８００℃に下げ、ＴＭＧ
とＮＨ3、及びＴＭＩを原料に用いて、厚さ３ｎｍのＩ
ｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層からなる単一量子井戸構造活
性層２６を作成する。さらに続けてＴＭＧとＴＭＡとＮ
Ｈ3を原料に用いて、成長温度は８００℃のままで厚さ
１０ｎｍのＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ蒸発防止層２７を成長す
る。
とＮＨ3、及びＴＭＩを原料に用いて、厚さ３ｎｍのＩ
ｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層からなる単一量子井戸構造活
性層２６を作成する。さらに続けてＴＭＧとＴＭＡとＮ
Ｈ3を原料に用いて、成長温度は８００℃のままで厚さ
１０ｎｍのＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ蒸発防止層２７を成長す
る。
【００４３】次に、再び成長温度を１０５０℃に上昇し
て、ＴＭＧとＮＨ3、及びＣｐ2Ｍｇを原料に用いて、厚
さ０．０５μｍのＭｇドープｐ−ＧａＮガイド層２８を
成長する。さらに続けてＴＭＡを原料に加え、成長温度
は１０５０℃のままで厚さ０．３μｍのＭｇドープｐ−
Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎｐ型クラッド層２９を成長する。続け
て、ＴＭＡを原料から除いて、成長温度は１０５０℃の
ままで厚さ０．２μｍのＭｇドープｐ−ＧａＮｐ型コン
タクト層３０を成長して、窒化ガリウム系エピタキシャ
ルウエハーを完成する。
て、ＴＭＧとＮＨ3、及びＣｐ2Ｍｇを原料に用いて、厚
さ０．０５μｍのＭｇドープｐ−ＧａＮガイド層２８を
成長する。さらに続けてＴＭＡを原料に加え、成長温度
は１０５０℃のままで厚さ０．３μｍのＭｇドープｐ−
Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎｐ型クラッド層２９を成長する。続け
て、ＴＭＡを原料から除いて、成長温度は１０５０℃の
ままで厚さ０．２μｍのＭｇドープｐ−ＧａＮｐ型コン
タクト層３０を成長して、窒化ガリウム系エピタキシャ
ルウエハーを完成する。
【００４４】その後、このウエハーを８００℃の窒素ガ
ス雰囲気中でアニールして、Ｍｇドープのｐ型層を低抵
抗化する。
ス雰囲気中でアニールして、Ｍｇドープのｐ型層を低抵
抗化する。
【００４５】さらに通常のフォトリソグラフィーとドラ
イエッチング技術を用いて、ＬＥＤ素子作製のために所
定の領域に、ｐ−ＧａＮｐ型コンタクト層３０の最表面
から、ｎ−ＧａＮｎ型コンタクト層２３が露出するまで
エッチングを行う。
イエッチング技術を用いて、ＬＥＤ素子作製のために所
定の領域に、ｐ−ＧａＮｐ型コンタクト層３０の最表面
から、ｎ−ＧａＮｎ型コンタクト層２３が露出するまで
エッチングを行う。
【００４６】続いて、ｐ−ＧａＮｐ型コンタクト層３０
の表面にニッケルと金からなるｐ側電極３１を形成し、
エッチングにより露出したｎ−ＧａＮｎ型コンタクト層
２３の表面にチタンとアルミニウムからなるｎ側電極３
２を形成して、窒化ガリウム系ＬＥＤウエハーを完成す
る。
の表面にニッケルと金からなるｐ側電極３１を形成し、
エッチングにより露出したｎ−ＧａＮｎ型コンタクト層
２３の表面にチタンとアルミニウムからなるｎ側電極３
２を形成して、窒化ガリウム系ＬＥＤウエハーを完成す
る。
【００４７】その後、このウエハーを個々のチップに分
割する。そして、各チップをステムにマウントし、ワイ
ヤーボンディングにより各電極とリード端子とを接続し
て、窒化ガリウム系半導体発光ダイオード素子を完成す
る。
割する。そして、各チップをステムにマウントし、ワイ
ヤーボンディングにより各電極とリード端子とを接続し
て、窒化ガリウム系半導体発光ダイオード素子を完成す
る。
【００４８】以上のようにして作製された青色ＬＥＤ素
子は、順方向電流２０ｍＡで、発光波長４３０ｎｍ・光
出力４ｍＷという発光特性が得られた。また、実施例１
と同様に、基板ウエハー面内での発光波長の分布は小さ
くなり、ウェハーの中心部と周辺部とで従来１５０ｎｍ
あった発光波長の違いは８ｎｍにまで低減された。この
ように本発明により、ＩｎＧａＮ量子井戸活性層からの
発光特性の分布が改善され、基板ウェハー面内において
均一な発光波長を有する窒化ガリウム系半導体発光ダイ
オード素子が実現できた。
子は、順方向電流２０ｍＡで、発光波長４３０ｎｍ・光
出力４ｍＷという発光特性が得られた。また、実施例１
と同様に、基板ウエハー面内での発光波長の分布は小さ
くなり、ウェハーの中心部と周辺部とで従来１５０ｎｍ
あった発光波長の違いは８ｎｍにまで低減された。この
ように本発明により、ＩｎＧａＮ量子井戸活性層からの
発光特性の分布が改善され、基板ウェハー面内において
均一な発光波長を有する窒化ガリウム系半導体発光ダイ
オード素子が実現できた。
【００４９】なお、本実施例では、単一量子井戸構造活
性層２６を構成するＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層の層数
を１とし層厚を３ｎｍとしたが、２層以上の多重量子井
戸構造活性層でもよく、量子井戸層の層厚も本実施例に
こだわらない。
性層２６を構成するＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層の層数
を１とし層厚を３ｎｍとしたが、２層以上の多重量子井
戸構造活性層でもよく、量子井戸層の層厚も本実施例に
こだわらない。
【００５０】また本実施例では、単一量子井戸構造活性
層２６に接するようにＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ蒸発防止層２７
を形成しているが、これは量子井戸層２６が成長温度を
上昇している間に蒸発してしまうことを防ぐためであ
る。従って、量子井戸層２６を保護するものであれば蒸
発防止層２７として用いることができ、他のＡｌ組成を
有するＡｌＧａＮ３元混晶やＧａＮを用いてもよい。ま
た、この蒸発防止層２７にＭｇをドーピングしてもよ
く、この場合はｐ−ＧａＮガイド層２８やｐ−Ａｌ0.1
Ｇａ0.9Ｎｐ型クラッド層２９から正孔が注入され易く
なるという利点がある。さらに、量子井戸層２６のＩｎ
組成が小さい場合は蒸発防止層２７を形成しなくても量
子井戸層２６は蒸発しないため、特に蒸発防止層２７を
形成しなくても、本実施例の窒化ガリウム系半導体発光
ダイオード素子の特性は損なわれない。
層２６に接するようにＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ蒸発防止層２７
を形成しているが、これは量子井戸層２６が成長温度を
上昇している間に蒸発してしまうことを防ぐためであ
る。従って、量子井戸層２６を保護するものであれば蒸
発防止層２７として用いることができ、他のＡｌ組成を
有するＡｌＧａＮ３元混晶やＧａＮを用いてもよい。ま
た、この蒸発防止層２７にＭｇをドーピングしてもよ
く、この場合はｐ−ＧａＮガイド層２８やｐ−Ａｌ0.1
Ｇａ0.9Ｎｐ型クラッド層２９から正孔が注入され易く
なるという利点がある。さらに、量子井戸層２６のＩｎ
組成が小さい場合は蒸発防止層２７を形成しなくても量
子井戸層２６は蒸発しないため、特に蒸発防止層２７を
形成しなくても、本実施例の窒化ガリウム系半導体発光
ダイオード素子の特性は損なわれない。
【００５１】
【発明の効果】上述したように本発明による窒化ガリウ
ム系半導体発光素子においては、気相成長法により、窒
化物半導体からなるクラッド層及び／又はガイド層に挟
まれた、少なくともインジウムとガリウムを含む窒化物
半導体からなる量子井戸構造活性層を形成する際の基板
の厚さを、５０μｍ以上１８０μｍ以下と薄くすること
により、ＩｎＧａＮを結晶成長する際の基板の底面と表
面との温度差が無くなり、結晶成長時における基板ウェ
ハーの反りが抑えられることによって基板ウェハーは底
面全体で発熱体と接することになるため、基板ウェハー
面内での表面温度の分布が抑えられた。これによりＩｎ
ＧａＮ量子井戸層のにおけるＩｎ組成の分布が低減でき
た。
ム系半導体発光素子においては、気相成長法により、窒
化物半導体からなるクラッド層及び／又はガイド層に挟
まれた、少なくともインジウムとガリウムを含む窒化物
半導体からなる量子井戸構造活性層を形成する際の基板
の厚さを、５０μｍ以上１８０μｍ以下と薄くすること
により、ＩｎＧａＮを結晶成長する際の基板の底面と表
面との温度差が無くなり、結晶成長時における基板ウェ
ハーの反りが抑えられることによって基板ウェハーは底
面全体で発熱体と接することになるため、基板ウェハー
面内での表面温度の分布が抑えられた。これによりＩｎ
ＧａＮ量子井戸層のにおけるＩｎ組成の分布が低減でき
た。
【００５２】その結果、ＩｎＧａＮ量子井戸活性層から
の発光特性の分布が改善され、基板ウェハー面内におい
て発振波長が均一で発振閾値電流値が低い窒化ガリウム
系半導体レーザ素子と、基板ウェハー面内で発光波長が
均一な窒化ガリウム系発光ダイオード素子が実現でき
た。
の発光特性の分布が改善され、基板ウェハー面内におい
て発振波長が均一で発振閾値電流値が低い窒化ガリウム
系半導体レーザ素子と、基板ウェハー面内で発光波長が
均一な窒化ガリウム系発光ダイオード素子が実現でき
た。
【図１】本発明の第１の実施例に係る半導体レーザ素子
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例に係る半導体レーザ素子
のＡ部を拡大した断面図である。
のＡ部を拡大した断面図である。
【図３】窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、ウ
ェハーの中心部と周辺部とでの発振波長の違いの大きさ
のサファイア基板の厚さ依存性、及び、発振閾値電流値
のサファイア基板の厚さ依存性を表すグラフ図である。
ェハーの中心部と周辺部とでの発振波長の違いの大きさ
のサファイア基板の厚さ依存性、及び、発振閾値電流値
のサファイア基板の厚さ依存性を表すグラフ図である。
【図４】本発明の第２の実施例に係る半導体発光ダイオ
ード素子を示す断面図である。
ード素子を示す断面図である。
【図５】窒化ガリウム系半導体を用いた従来の青色ＬＤ
の断面図である。
の断面図である。
【図６】窒化ガリウム系半導体を用いた従来の青色ＬＥ
Ｄの断面図である。
Ｄの断面図である。
【図７】発熱体上に設置された従来の基板ウェハーの温
度を上昇したときの、基板の反りを示す図である。
度を上昇したときの、基板の反りを示す図である。
１ サファイア基板 ２ ＧａＮバッファ層 ３ ｎ−ＧａＮｎ型コンタクト層 ４ ｎ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎｎ型クラッド層 ５ ｎ−ＧａＮガイド層 ６ 多重量子井戸構造活性層 ７ Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ蒸発防止層 ８ ｐ−ＧａＮガイド層 ９ ｐ−Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎｐ型クラッド層 １０ ｐ−ＧａＮｐ型コンタクト層 １１ ｐ側電極 １２ ｎ側電極 １３ ＳｉＯ2絶縁膜 １４ Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ量子井戸層 １５ Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ障壁層
Claims (2)
- 【請求項１】 気相成長法により、窒化物半導体からな
るクラッド層及び／又はガイド層に挟まれた、少なくと
もインジウムとガリウムを含む窒化物半導体からなる量
子井戸構造活性層を形成する際の基板の厚さを、５０μ
ｍ以上１８０μｍ以下とすることを特徴とする窒化ガリ
ウム系半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項２】 気相成長法により、窒化物半導体からな
るクラッド層及び／又はガイド層に挟まれた、少なくと
もインジウムとガリウムを含む窒化物半導体からなる量
子井戸構造活性層を形成する際の基板の厚さを５０μｍ
以上１８０μｍ以下とすることにより得られた、少なく
とも１層の量子井戸層を有する窒化ガリウム系半導体発
光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10868097A JPH10303505A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10868097A JPH10303505A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303505A true JPH10303505A (ja) | 1998-11-13 |
| JPH10303505A5 JPH10303505A5 (ja) | 2005-03-17 |
Family
ID=14490956
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10868097A Pending JPH10303505A (ja) | 1997-04-25 | 1997-04-25 | 窒化ガリウム系半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10303505A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100312019B1 (ko) * | 1999-03-30 | 2001-11-03 | 김효근 | 질화인듐갈륨 상분리를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조방법 |
| US6518082B1 (en) | 1998-09-17 | 2003-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating nitride semiconductor device |
| KR100658304B1 (ko) | 2005-07-04 | 2006-12-14 | 엘지전자 주식회사 | 덮개층을 포함한 양자점 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
| JP2007305851A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2009283588A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2010251811A (ja) * | 2010-08-11 | 2010-11-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子 |
| JP2012129340A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JP2020161623A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
-
1997
- 1997-04-25 JP JP10868097A patent/JPH10303505A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6518082B1 (en) | 1998-09-17 | 2003-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating nitride semiconductor device |
| KR100312019B1 (ko) * | 1999-03-30 | 2001-11-03 | 김효근 | 질화인듐갈륨 상분리를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조방법 |
| KR100658304B1 (ko) | 2005-07-04 | 2006-12-14 | 엘지전자 주식회사 | 덮개층을 포함한 양자점 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
| JP2007305851A (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Hitachi Cable Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
| JP2009283588A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2010251811A (ja) * | 2010-08-11 | 2010-11-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子 |
| JP2012129340A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| US8895956B2 (en) | 2010-12-15 | 2014-11-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
| JP2020161623A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
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