JPH10307225A - 導波路型光素子及び導波路型光素子の製造方法 - Google Patents
導波路型光素子及び導波路型光素子の製造方法Info
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- JPH10307225A JPH10307225A JP10120871A JP12087198A JPH10307225A JP H10307225 A JPH10307225 A JP H10307225A JP 10120871 A JP10120871 A JP 10120871A JP 12087198 A JP12087198 A JP 12087198A JP H10307225 A JPH10307225 A JP H10307225A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 複屈折を利用した導波路型光素子及び導波路
型光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】ＴＥ通過偏光器１０は，基板１１０と下部
クラッディング１１０と光導波路１４０が形成されたコ
ア１２０と上部クラッディング１３０とが順次積層され
て導波路構造が形成されている。さらに，電気光学ポリ
マーから成るコア１２０には，光導波路１５０の進行方
向に所定の長さ１７０に渡り光導波路１４０の一部とし
て形成された偏光光導波路１５０と，偏光光導波路１５
０を両側から挟み込む光漂白領域１６０とが，形成され
ている。光漂白領域１６０は，「紫外線照射により漂白
されてＴＥモード光に対しては屈折率が減少するがＴＭ
モード光に対しては屈折率の変化がほとんどないか若干
増加する」特性を示す。したがって，ＴＥ通過偏光器１
０においては，偏光光導波路１５０の光漂白領域１６０
に対する比屈折率がＴＥモードとＴＭモードとで異なる
ため，入射された光ＴＥ／ＴＭのうちＴＥ波のみが光導
波路１５０を透過する。
型光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】ＴＥ通過偏光器１０は，基板１１０と下部
クラッディング１１０と光導波路１４０が形成されたコ
ア１２０と上部クラッディング１３０とが順次積層され
て導波路構造が形成されている。さらに，電気光学ポリ
マーから成るコア１２０には，光導波路１５０の進行方
向に所定の長さ１７０に渡り光導波路１４０の一部とし
て形成された偏光光導波路１５０と，偏光光導波路１５
０を両側から挟み込む光漂白領域１６０とが，形成され
ている。光漂白領域１６０は，「紫外線照射により漂白
されてＴＥモード光に対しては屈折率が減少するがＴＭ
モード光に対しては屈折率の変化がほとんどないか若干
増加する」特性を示す。したがって，ＴＥ通過偏光器１
０においては，偏光光導波路１５０の光漂白領域１６０
に対する比屈折率がＴＥモードとＴＭモードとで異なる
ため，入射された光ＴＥ／ＴＭのうちＴＥ波のみが光導
波路１５０を透過する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，導波路型光素子及
び導波路型光素子の製造方法に関する。
び導波路型光素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光導波路偏光器は，光導波路に入射され
た入射光のうちＴＥモード（Ｔｒａｎｓｖｅｒｅｓｅ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｍｏｄｅ）又はＴＭモード（Ｔ
ｒａｎｓｖｅｒｅｓｅ Ｍａｇｎｅｔｉｃ ｍｏｄｅ）
のいずれか一方の偏波（偏光）方向の光のみを透過させ
る導波路型光素子である。例えば光繊維ジャイロスコー
プ（ｆｉｂｅｒ−ｏｐｔｉｃｇｙｒｏｓｃｏｐｅ）と一
部スイッチ配列（ｓｗｉｔｃｈａｒｒａｙ）等の単一偏
光の光に対してのみで動作する素子を実現するには，偏
光素子としてかかる光導波路型偏光器が不可欠である。
た入射光のうちＴＥモード（Ｔｒａｎｓｖｅｒｅｓｅ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｍｏｄｅ）又はＴＭモード（Ｔ
ｒａｎｓｖｅｒｅｓｅ Ｍａｇｎｅｔｉｃ ｍｏｄｅ）
のいずれか一方の偏波（偏光）方向の光のみを透過させ
る導波路型光素子である。例えば光繊維ジャイロスコー
プ（ｆｉｂｅｒ−ｏｐｔｉｃｇｙｒｏｓｃｏｐｅ）と一
部スイッチ配列（ｓｗｉｔｃｈａｒｒａｙ）等の単一偏
光の光に対してのみで動作する素子を実現するには，偏
光素子としてかかる光導波路型偏光器が不可欠である。
【０００３】（Ａ）従来，光導波路偏光器は，主とし
て，強誘電体，例えばＬｉＮｂＯ３等を用いて製作され
てきた。強誘電体を用いた光導波路偏光器のうちＬｉＮ
ｂＯ３基板上に形成するものの製造方法には，大きく分
けて２種類の方法が存在する。第１の方法は，陽子交換
（ｐｒｏｔｏｎ ｅｘｃｈａｎｇｅ：プロトン交換）に
より屈折率差を誘起し，かかる屈折率差に基づいた複屈
折（ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）をコアに生じさせる
方法である。また，第２の方法は，金属クラッディング
（ｃｌａｄｄｉｎｇ）によるＴＥ偏光の成分とＴＭ偏光
の成分との導波損失（伝搬損失）差を用いる方法であ
る。ところが，ＬｉＮｂＯ３等の強誘電体を用いて光導
波路偏光器を製作した場合には，基板の組成に制約があ
ることによって，他の素子，例えば光情報処理素子や電
気回路等との大規模の集積に不利である。
て，強誘電体，例えばＬｉＮｂＯ３等を用いて製作され
てきた。強誘電体を用いた光導波路偏光器のうちＬｉＮ
ｂＯ３基板上に形成するものの製造方法には，大きく分
けて２種類の方法が存在する。第１の方法は，陽子交換
（ｐｒｏｔｏｎ ｅｘｃｈａｎｇｅ：プロトン交換）に
より屈折率差を誘起し，かかる屈折率差に基づいた複屈
折（ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）をコアに生じさせる
方法である。また，第２の方法は，金属クラッディング
（ｃｌａｄｄｉｎｇ）によるＴＥ偏光の成分とＴＭ偏光
の成分との導波損失（伝搬損失）差を用いる方法であ
る。ところが，ＬｉＮｂＯ３等の強誘電体を用いて光導
波路偏光器を製作した場合には，基板の組成に制約があ
ることによって，他の素子，例えば光情報処理素子や電
気回路等との大規模の集積に不利である。
【０００４】（Ｂ）強誘電体を用いた光導波路偏光器が
有するこれらの問題を克服するために，近年，電気光学
ポリマーを用いた集積光学素子が活発に研究されてい
る。電気光学ポリマーとは，電界の印加によって屈折率
が変化する重合体をいう。
有するこれらの問題を克服するために，近年，電気光学
ポリマーを用いた集積光学素子が活発に研究されてい
る。電気光学ポリマーとは，電界の印加によって屈折率
が変化する重合体をいう。
【０００５】（Ｂ−１）最近では，ポーリングによって
複屈折を誘起した電気光学ポリマーを用いた光導波路偏
光器が製作されて発表された。ところが，一般に電気光
学ポリマーのポーリング工程は高温の雰囲気において高
電圧を印加することによって行われる。したがって，電
気光学ポリマーを用いた従来の光導波路偏光器は，周り
の素子の特性を著しく低下させる恐れがあるために，例
えば光情報処理素子や電気回路等の他の素子と基板上に
集積するには不向きと言える。
複屈折を誘起した電気光学ポリマーを用いた光導波路偏
光器が製作されて発表された。ところが，一般に電気光
学ポリマーのポーリング工程は高温の雰囲気において高
電圧を印加することによって行われる。したがって，電
気光学ポリマーを用いた従来の光導波路偏光器は，周り
の素子の特性を著しく低下させる恐れがあるために，例
えば光情報処理素子や電気回路等の他の素子と基板上に
集積するには不向きと言える。
【０００６】また，ポーリングには一般的に複雑なポー
リング電極を用いる必要があり，製造工程の複雑化を避
けられない。さらに，ＴＥ偏波成分を通過させる光導波
路偏光器を製作する場合には，空気中における絶縁破壊
現象（放電）により高電圧ポーリングが困難になるので
製作される光導波路偏光器の性能が劣化する。さらにま
た，一般的にポーリングを行うと電気光学ポリマーの導
波損失が大きくなるという問題点がある。
リング電極を用いる必要があり，製造工程の複雑化を避
けられない。さらに，ＴＥ偏波成分を通過させる光導波
路偏光器を製作する場合には，空気中における絶縁破壊
現象（放電）により高電圧ポーリングが困難になるので
製作される光導波路偏光器の性能が劣化する。さらにま
た，一般的にポーリングを行うと電気光学ポリマーの導
波損失が大きくなるという問題点がある。
【０００７】（Ｂ−２）ところで，電気光学ポリマーに
複屈折を生じさせる現象としては，ポーリング以外にも
光漂白（ｐｈｏｔｏｂｌｅａｃｈｉｎｇ）現象が知られ
ている。光漂白現象とは，強い紫外線の照射によって電
気光学ポリマーと結合している色素分子が変形されなが
ら屈折率が低くなる現象をいう。かかる光漂白現象は，
電気光学ポリマーの屈折率を精密に変化させることがで
きるので低損失光導波路の製作に多用されている。
複屈折を生じさせる現象としては，ポーリング以外にも
光漂白（ｐｈｏｔｏｂｌｅａｃｈｉｎｇ）現象が知られ
ている。光漂白現象とは，強い紫外線の照射によって電
気光学ポリマーと結合している色素分子が変形されなが
ら屈折率が低くなる現象をいう。かかる光漂白現象は，
電気光学ポリマーの屈折率を精密に変化させることがで
きるので低損失光導波路の製作に多用されている。
【０００８】一般的に，電気光学ポリマーの光漂白効率
は導波光の偏光に依存する。特に，電気光学ポリマーの
一種であるＰＭＭＡ−ＤＲ１は，常温で光漂白するとＴ
ＥモードとＴＭモードとに対する光漂白効率の差が大き
いことが知られている。かかるＰＭＭＡ−ＤＲ１は，Ｔ
Ｅモードに対しては屈折率が減少するが，他方，ＴＭモ
ードに対しては屈折率がほとんど変わらないかむしろ若
干増加する，という特性を示す。この様に光漂白によっ
て複屈折が誘起されるのは，ポリマー薄膜に対して平行
に配列された色素分子と垂直に配列された色素分子と
で，相互に光漂白効率が異なるためである。
は導波光の偏光に依存する。特に，電気光学ポリマーの
一種であるＰＭＭＡ−ＤＲ１は，常温で光漂白するとＴ
ＥモードとＴＭモードとに対する光漂白効率の差が大き
いことが知られている。かかるＰＭＭＡ−ＤＲ１は，Ｔ
Ｅモードに対しては屈折率が減少するが，他方，ＴＭモ
ードに対しては屈折率がほとんど変わらないかむしろ若
干増加する，という特性を示す。この様に光漂白によっ
て複屈折が誘起されるのは，ポリマー薄膜に対して平行
に配列された色素分子と垂直に配列された色素分子と
で，相互に光漂白効率が異なるためである。
【０００９】電気光学ポリマーにおいては，常温で紫外
線を照射した場合，ポリマー薄膜と並行に配列された色
素分子に対する光漂白効率の方が，ポリマー薄膜と垂直
に配列された色素分子に対する光漂白効率よりも大き
い。したがって，常温で光漂白処理を施した電気光学ポ
リマーは，ＴＥモードのみを導波する複屈折特性を示す
ため，ＴＥ通過偏光器への応用が可能である。従来，実
際に光漂白により複屈折が誘起された電気光学ポリマー
を用いてコアを形成した光導波路偏光器が提案されてい
る。かかる従来の光導波路型偏光器は，光導波路のコア
に直接複屈折を生じさせることによってＴＥモード光を
選択的に透過させることができる。
線を照射した場合，ポリマー薄膜と並行に配列された色
素分子に対する光漂白効率の方が，ポリマー薄膜と垂直
に配列された色素分子に対する光漂白効率よりも大き
い。したがって，常温で光漂白処理を施した電気光学ポ
リマーは，ＴＥモードのみを導波する複屈折特性を示す
ため，ＴＥ通過偏光器への応用が可能である。従来，実
際に光漂白により複屈折が誘起された電気光学ポリマー
を用いてコアを形成した光導波路偏光器が提案されてい
る。かかる従来の光導波路型偏光器は，光導波路のコア
に直接複屈折を生じさせることによってＴＥモード光を
選択的に透過させることができる。
【００１０】しかしながら，光導波路型偏光器において
は，一般に，電気光学ポリマーから形成されているコア
を光漂白処理した後に，上部クラッディングと上部電極
とが形成される。これは，光導波路において，導波光の
光閉じ込めと電力の印加による導波光の処理とを実現す
るためである。
は，一般に，電気光学ポリマーから形成されているコア
を光漂白処理した後に，上部クラッディングと上部電極
とが形成される。これは，光導波路において，導波光の
光閉じ込めと電力の印加による導波光の処理とを実現す
るためである。
【００１１】かかる上部クラッディングと上部電極の形
成は，通常，光導波路の電気光学ポリマーのガラス遷移
温度以上の高温で行われる工程を経て行われる。この様
な高温条件下においては，電気光学ポリマーの色素分子
が不規則に再配列されながら各偏光成分に対する光漂白
後の色素分子の比率が徐々に均一化する。結果として，
光導波路は，偏光依存性が解消されて，ＴＥモード及び
ＴＭモードの２つのモードをともに導波する状態に戻る
可能性が高い。すなわち，従来の光導波路偏光器は，本
質的に歩留まり及び性能の低下が生じやすい。
成は，通常，光導波路の電気光学ポリマーのガラス遷移
温度以上の高温で行われる工程を経て行われる。この様
な高温条件下においては，電気光学ポリマーの色素分子
が不規則に再配列されながら各偏光成分に対する光漂白
後の色素分子の比率が徐々に均一化する。結果として，
光導波路は，偏光依存性が解消されて，ＴＥモード及び
ＴＭモードの２つのモードをともに導波する状態に戻る
可能性が高い。すなわち，従来の光導波路偏光器は，本
質的に歩留まり及び性能の低下が生じやすい。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は，従来の導波
路型光素子が有する上記問題点に鑑みて成されたもので
あり，まず，例えば基板の組成に制約が無いことやポー
リングなどの高温・高電圧が不要であること等から大規
模の集積に有利な，新規かつ改良された導波路型光素子
を提供することを目的とする。さらに，本発明の他の目
的は，自身の特性及び集積される他素子の特性を低下さ
せる可能性が少ない，新規かつ改良された導波路型光素
子を提供することである。また，本発明は，製造する導
波路型光素子の歩留まり及び性能の低下が生じづらい，
新規かつ改良された導波路型光素子の製造方法を提供す
ることを目的とする。
路型光素子が有する上記問題点に鑑みて成されたもので
あり，まず，例えば基板の組成に制約が無いことやポー
リングなどの高温・高電圧が不要であること等から大規
模の集積に有利な，新規かつ改良された導波路型光素子
を提供することを目的とする。さらに，本発明の他の目
的は，自身の特性及び集積される他素子の特性を低下さ
せる可能性が少ない，新規かつ改良された導波路型光素
子を提供することである。また，本発明は，製造する導
波路型光素子の歩留まり及び性能の低下が生じづらい，
新規かつ改良された導波路型光素子の製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】まず，導波路型光素子に
ついての上記課題を解決するために，請求項１に記載の
発明は，基板と下部クラッディングと下部クラッディン
グよりも屈折率が大きなコアとコアよりも屈折率の小さ
な上部クラッディングとが順次積層された導波路構造を
有する，導波路型光素子であって：コアの少なくとも一
部を積層方向と実質的に垂直な方向から挟み込み，所定
の偏光モードの光に対する屈折率がコアより小さく他の
所定の偏波モードの光に対する屈折率がコアより実質的
に小さくない複屈折領域を備えている構成を採用する。
ついての上記課題を解決するために，請求項１に記載の
発明は，基板と下部クラッディングと下部クラッディン
グよりも屈折率が大きなコアとコアよりも屈折率の小さ
な上部クラッディングとが順次積層された導波路構造を
有する，導波路型光素子であって：コアの少なくとも一
部を積層方向と実質的に垂直な方向から挟み込み，所定
の偏光モードの光に対する屈折率がコアより小さく他の
所定の偏波モードの光に対する屈折率がコアより実質的
に小さくない複屈折領域を備えている構成を採用する。
【００１４】請求項１に記載の発明においては，コアに
直接複屈折を生じさせる代わりに，複屈折領域に複屈折
を生じさせる。すなわち，複屈折領域に対するコアの比
屈折率に偏波依存性を持たせることによって，コアに複
屈折を生じさせたのと同様の現象を起こさせる。したが
って，請求項１に記載の発明においては，所定の偏波モ
ードの光のみを選択的に透過させることが可能となる。
ちなみに，請求項１に記載の発明においては，他の所定
の偏波モードの光は，コアに閉じ込められずに複屈折領
域方向に拡散する。
直接複屈折を生じさせる代わりに，複屈折領域に複屈折
を生じさせる。すなわち，複屈折領域に対するコアの比
屈折率に偏波依存性を持たせることによって，コアに複
屈折を生じさせたのと同様の現象を起こさせる。したが
って，請求項１に記載の発明においては，所定の偏波モ
ードの光のみを選択的に透過させることが可能となる。
ちなみに，請求項１に記載の発明においては，他の所定
の偏波モードの光は，コアに閉じ込められずに複屈折領
域方向に拡散する。
【００１５】かかる構成を有する請求項１に記載の発明
において，偏波モードの選択の機能を実現するための加
工は，複屈折領域に対して施される。一方，例えば光の
閉じ込めや導波する光の所定の処理等の偏波モードの選
択以外の機能を実現するための加工は，コアに対して施
される。
において，偏波モードの選択の機能を実現するための加
工は，複屈折領域に対して施される。一方，例えば光の
閉じ込めや導波する光の所定の処理等の偏波モードの選
択以外の機能を実現するための加工は，コアに対して施
される。
【００１６】すなわち，請求項１に記載の発明において
は，コアに対して所定の加工を施したとしても，その影
響から複屈折領域を保護することができる。つまり，例
えば上部クラッディングの形成等，コアを高温に曝す加
工においても，その影響から複屈折領域は守られる。な
お，請求項１に記載の発明において，複屈折領域に施す
加工の影響からコアを保護することができることは，言
うまでもない。
は，コアに対して所定の加工を施したとしても，その影
響から複屈折領域を保護することができる。つまり，例
えば上部クラッディングの形成等，コアを高温に曝す加
工においても，その影響から複屈折領域は守られる。な
お，請求項１に記載の発明において，複屈折領域に施す
加工の影響からコアを保護することができることは，言
うまでもない。
【００１７】したがって，請求項１に記載の発明におい
ては，複屈折領域の複屈折が解消する可能性が極めて低
いため，偏波モードの選択性能が劣化する心配がない。
結果として，請求項１に記載の発明によれば，歩留まり
の向上により低価格化が実現される，偏波モードの選択
性能を持つ導波路型光素子を提供することが可能とな
る。
ては，複屈折領域の複屈折が解消する可能性が極めて低
いため，偏波モードの選択性能が劣化する心配がない。
結果として，請求項１に記載の発明によれば，歩留まり
の向上により低価格化が実現される，偏波モードの選択
性能を持つ導波路型光素子を提供することが可能とな
る。
【００１８】かかる請求項１に記載の発明においては，
請求項２に記載の発明のように，所定の偏波モードはＴ
Ｅモード又はＴＭモードのいずれか一方であり，他の所
定の偏波モードは所定の偏波モードと相違する，ＴＥモ
ード又はＴＭモードの一方である構成とすることができ
る。かかる構成を有する請求項２に記載の発明によれ
ば，廉価で高い偏波モードの選択性能を持つ光導波路偏
光器が実現される。
請求項２に記載の発明のように，所定の偏波モードはＴ
Ｅモード又はＴＭモードのいずれか一方であり，他の所
定の偏波モードは所定の偏波モードと相違する，ＴＥモ
ード又はＴＭモードの一方である構成とすることができ
る。かかる構成を有する請求項２に記載の発明によれ
ば，廉価で高い偏波モードの選択性能を持つ光導波路偏
光器が実現される。
【００１９】さらに，請求項１又は２に記載の発明にお
いては，請求項３に記載の発明のように，光漂白特性を
示す部材から形成される構成を採用することが好適であ
る。かかる構成を有する請求項３に記載の発明において
は，紫外線を照射することによって複屈折領域に複屈折
を誘起することができる。すなわち，高温高電圧雰囲気
で行われるポーリングを行わなくてもよい。
いては，請求項３に記載の発明のように，光漂白特性を
示す部材から形成される構成を採用することが好適であ
る。かかる構成を有する請求項３に記載の発明において
は，紫外線を照射することによって複屈折領域に複屈折
を誘起することができる。すなわち，高温高電圧雰囲気
で行われるポーリングを行わなくてもよい。
【００２０】したがって，請求項３にかかる導波路型光
素子は，製造工程における自身の特性の劣化が生じづら
い。結果として，歩留まりが更に向上すると共に動作信
頼性までもが向上した導波路型光素子の提供が可能とな
る。さらに，請求項３に記載の発明によれば，導波路型
光素子を他素子と同一基板上に集積する場合には，他素
子の特性が劣化する可能性を低減することができる。結
果として，集積化に大変有利な導波路型光素子の提供が
可能となる。
素子は，製造工程における自身の特性の劣化が生じづら
い。結果として，歩留まりが更に向上すると共に動作信
頼性までもが向上した導波路型光素子の提供が可能とな
る。さらに，請求項３に記載の発明によれば，導波路型
光素子を他素子と同一基板上に集積する場合には，他素
子の特性が劣化する可能性を低減することができる。結
果として，集積化に大変有利な導波路型光素子の提供が
可能となる。
【００２１】さらにまた，請求項３に記載の発明におい
ては，複雑なポーリング電極を用いる代わりに，一般に
設計自由度が高い漂白マスクパターンを用いるだけで，
光導波路内を伝搬する光のカップリングしている偏波モ
ードによる選択が容易に実現できる。また，上述したよ
うに，光漂白は屈折率の調整が一般に精密に行える。し
たがって，請求項３に記載の発明によれば，光導波路の
光閉じ込め係数が正確に調節可能な導波路型光素子を提
供することができる。
ては，複雑なポーリング電極を用いる代わりに，一般に
設計自由度が高い漂白マスクパターンを用いるだけで，
光導波路内を伝搬する光のカップリングしている偏波モ
ードによる選択が容易に実現できる。また，上述したよ
うに，光漂白は屈折率の調整が一般に精密に行える。し
たがって，請求項３に記載の発明によれば，光導波路の
光閉じ込め係数が正確に調節可能な導波路型光素子を提
供することができる。
【００２２】さらに，請求項４に記載の発明のように，
コアも，光漂白特性を示す部材から形成されている構成
とすれば，例えばコアと複屈折領域とを同一の製造工程
において形成して，その後に複屈折領域にのみ光を照射
することによって，請求項３に記載の発明の構成を簡単
に実現することができる。
コアも，光漂白特性を示す部材から形成されている構成
とすれば，例えばコアと複屈折領域とを同一の製造工程
において形成して，その後に複屈折領域にのみ光を照射
することによって，請求項３に記載の発明の構成を簡単
に実現することができる。
【００２３】なお，光漂白特性を示す部材としては，例
えば電気光学効果が生じる高分子化合物，例えばＰＭＭ
Ａ−ＤＲ１をはじめとする電気光学ポリマー等を用いる
ことができる。また，例えば磁気複屈折等の磁気光学効
果が生じる高分子化合物を，光漂白特性を示す部材とし
て用いることもできる。
えば電気光学効果が生じる高分子化合物，例えばＰＭＭ
Ａ−ＤＲ１をはじめとする電気光学ポリマー等を用いる
ことができる。また，例えば磁気複屈折等の磁気光学効
果が生じる高分子化合物を，光漂白特性を示す部材とし
て用いることもできる。
【００２４】また，導波路素子の製造方法についての上
記課題を解決するために，請求項５に記載の発明は，基
板と下部クラッディングと下部クラッディングよりも屈
折率が大きなコアとコアよりも屈折率の小さな上部クラ
ッディングとが順次積層された導波路構造を有する，導
波路型光素子の製造方法であって：光漂白特性を有する
部材から，コアとともにコアを積層方向と実質的に垂直
な方向から挟み込む複屈折領域を形成する，第１の工程
と；第２クラディングの形成後に，複屈折領域に光漂白
処理を施す，第２の工程とを；含む構成を採用する。
記課題を解決するために，請求項５に記載の発明は，基
板と下部クラッディングと下部クラッディングよりも屈
折率が大きなコアとコアよりも屈折率の小さな上部クラ
ッディングとが順次積層された導波路構造を有する，導
波路型光素子の製造方法であって：光漂白特性を有する
部材から，コアとともにコアを積層方向と実質的に垂直
な方向から挟み込む複屈折領域を形成する，第１の工程
と；第２クラディングの形成後に，複屈折領域に光漂白
処理を施す，第２の工程とを；含む構成を採用する。
【００２５】かかる構成を有する請求項５に記載の発明
によれば，複屈折領域の光漂白処理は，例えばフォトレ
ジスト等により形成されるマスクパターンを用いて，マ
スク上から紫外線を照射することで実現することができ
る。すなわち，高温高電圧でしかも複雑なポーリングを
行わずに複屈折領域に複屈折を誘起することができる。
結果として，請求項５に記載の発明によれば，導波路型
光素子及び同一基板上に集積された他素子の特性を低下
させず済む。
によれば，複屈折領域の光漂白処理は，例えばフォトレ
ジスト等により形成されるマスクパターンを用いて，マ
スク上から紫外線を照射することで実現することができ
る。すなわち，高温高電圧でしかも複雑なポーリングを
行わずに複屈折領域に複屈折を誘起することができる。
結果として，請求項５に記載の発明によれば，導波路型
光素子及び同一基板上に集積された他素子の特性を低下
させず済む。
【００２６】また，請求項５に記載の発明においては，
上部クラッディングの形成後に第２の工程が実施され
る。したがって，上部クラッディングの形成工程におい
て複屈折が解消するような事態は生じない。結果とし
て，作業効率及び歩留まりが高く信頼性が向上した導波
路型光素子の製造方法を提供することができる。なお，
マスクパターンは，製造工程数の削減という観点から，
電極に成る金属を用いることが好適である。
上部クラッディングの形成後に第２の工程が実施され
る。したがって，上部クラッディングの形成工程におい
て複屈折が解消するような事態は生じない。結果とし
て，作業効率及び歩留まりが高く信頼性が向上した導波
路型光素子の製造方法を提供することができる。なお，
マスクパターンは，製造工程数の削減という観点から，
電極に成る金属を用いることが好適である。
【００２７】さらに，請求項６に記載の発明のように，
第２の工程を連続的に繰り返すことによって，コアのモ
ード分布の調節が行われる構成を採用することが好適で
ある。かかる構成を有する請求項６に記載の発明におい
ては，能動的に紫外線の照射時間を調節することによっ
て，光導波路の導波モード分布を調整して，必要以上の
損失を減らすことができる。
第２の工程を連続的に繰り返すことによって，コアのモ
ード分布の調節が行われる構成を採用することが好適で
ある。かかる構成を有する請求項６に記載の発明におい
ては，能動的に紫外線の照射時間を調節することによっ
て，光導波路の導波モード分布を調整して，必要以上の
損失を減らすことができる。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下，添付図面を参照しながら本
発明の一実施の形態について詳しく説明する。なお，以
下の説明及び添付図面においては，同一の構成及び機能
を有する構成要素については，同一の符号を付すことに
よって重複説明を省略する。
発明の一実施の形態について詳しく説明する。なお，以
下の説明及び添付図面においては，同一の構成及び機能
を有する構成要素については，同一の符号を付すことに
よって重複説明を省略する。
【００２９】まず，本実施の形態にかかるＴＥ通過偏光
器１０の構成について図１を参照しながら説明する。こ
こで，図１は，ＴＥ通過偏光器１０の概略構造を説明す
るための透視見取図である。図１に示すように，ＴＥ通
過偏光器１０は，基板１００上に，下部クラッディング
１１０とコア１２０と上部クラッディング１３０とが順
次積層された層構造を有している。
器１０の構成について図１を参照しながら説明する。こ
こで，図１は，ＴＥ通過偏光器１０の概略構造を説明す
るための透視見取図である。図１に示すように，ＴＥ通
過偏光器１０は，基板１００上に，下部クラッディング
１１０とコア１２０と上部クラッディング１３０とが順
次積層された層構造を有している。
【００３０】ＴＥ通過偏光器１０の層構造を構成する各
部材について順に説明すると，まず，基板１００は，広
く一般に集積素子の基板として用いられているシリコン
（Ｓｉ）から形成されている。シリコンは，比較的熱伝
導率が高いため，ヒートシンクとしても利用することが
できる。
部材について順に説明すると，まず，基板１００は，広
く一般に集積素子の基板として用いられているシリコン
（Ｓｉ）から形成されている。シリコンは，比較的熱伝
導率が高いため，ヒートシンクとしても利用することが
できる。
【００３１】次に，基板１００上に位置する下部クラッ
ディング１１０は，所定の屈折率を有するポリマーから
形成されている。ＴＥ通過偏光器１０において，下部ク
ラッディング１１０は，基板１００表面全体に略均等な
厚さで形成されている。
ディング１１０は，所定の屈折率を有するポリマーから
形成されている。ＴＥ通過偏光器１０において，下部ク
ラッディング１１０は，基板１００表面全体に略均等な
厚さで形成されている。
【００３２】次に，下部クラッディング１１０上に位置
するコア１２０は，下部クラッディング１１０よりも高
い屈折率を有する電気光学ポリマーから形成されてい
る。ＴＥ通過偏光器１０において，かかるコア１２０の
表面には，光導波路１４０と光漂白領域１６０とが隆起
形成されている。
するコア１２０は，下部クラッディング１１０よりも高
い屈折率を有する電気光学ポリマーから形成されてい
る。ＴＥ通過偏光器１０において，かかるコア１２０の
表面には，光導波路１４０と光漂白領域１６０とが隆起
形成されている。
【００３３】ＴＥ通過偏光器１０において，光導波路１
４０は，例えば反応性イオン蝕刻等の蝕刻（エッチン
グ）によって，リブ（ｒｉｂ）状又はチャンネル（ｃｈ
ａｎｎｅｌ）状に形成されている。なお，添付図面中に
は，光導波路１４０は，リブ光導波路として示されてい
る。かかる光導波路１４０は，所定の長さ１７０に渡っ
て形成される偏光光導波路１５０と，導波光の伝搬方向
において偏光光導波路１５０の前後に形成される入力領
域１４０ａ及び出力領域１４０ｂとに大別される。
４０は，例えば反応性イオン蝕刻等の蝕刻（エッチン
グ）によって，リブ（ｒｉｂ）状又はチャンネル（ｃｈ
ａｎｎｅｌ）状に形成されている。なお，添付図面中に
は，光導波路１４０は，リブ光導波路として示されてい
る。かかる光導波路１４０は，所定の長さ１７０に渡っ
て形成される偏光光導波路１５０と，導波光の伝搬方向
において偏光光導波路１５０の前後に形成される入力領
域１４０ａ及び出力領域１４０ｂとに大別される。
【００３４】また，複屈折領域に相当する光漂白領域１
６０は，光導波路１４０の偏光光導波路１５０を両側か
ら挟み込むように形成されている。ＴＥ通過偏光器１０
において，かかる光漂白領域１６０は，「ＴＥモード光
に対する屈折率が減少し，ＴＭモード光に対する屈折率
が無変化又は若干増加する」ように紫外線照射によって
常温で光漂白処理（後述するＴＥ通過偏光器１０の製造
方法において詳述する。）されている。
６０は，光導波路１４０の偏光光導波路１５０を両側か
ら挟み込むように形成されている。ＴＥ通過偏光器１０
において，かかる光漂白領域１６０は，「ＴＥモード光
に対する屈折率が減少し，ＴＭモード光に対する屈折率
が無変化又は若干増加する」ように紫外線照射によって
常温で光漂白処理（後述するＴＥ通過偏光器１０の製造
方法において詳述する。）されている。
【００３５】結果として，偏光光導波路１５０は，光漂
白領域１６０に対する相対的な屈折率が，ＴＥモード光
に対して増加し，ＴＭモード光に対して無変化若しくは
若干減少する。すなわち，偏光光導波路１５０は，ＴＥ
モード光のみを透過させるフィルタリング機能を持つこ
とになる。
白領域１６０に対する相対的な屈折率が，ＴＥモード光
に対して増加し，ＴＭモード光に対して無変化若しくは
若干減少する。すなわち，偏光光導波路１５０は，ＴＥ
モード光のみを透過させるフィルタリング機能を持つこ
とになる。
【００３６】なお，かかるフィルタィング機能は，偏光
光導波路１５０の長さ１７０と密接に関連する。また，
光導波路１４０の他の領域である入力領域１４０ａと出
力領域１４０ｂとは，ＴＥ導波モードとＴＭ導波モード
との特性が略同一であり，ＴＥモード光とＴＭモード光
とをともに導波させる。
光導波路１５０の長さ１７０と密接に関連する。また，
光導波路１４０の他の領域である入力領域１４０ａと出
力領域１４０ｂとは，ＴＥ導波モードとＴＭ導波モード
との特性が略同一であり，ＴＥモード光とＴＭモード光
とをともに導波させる。
【００３７】次に，コア１２０及び漂白領域１６０上に
位置する上部クラッディング１３０は，前記コア１２０
より低い屈折率を有するポリマーから形成されている。
ＴＥ通過偏光器１０において，かかる上部クラッディン
グ１３０は，その表面が略平らになるように整形されて
いる。
位置する上部クラッディング１３０は，前記コア１２０
より低い屈折率を有するポリマーから形成されている。
ＴＥ通過偏光器１０において，かかる上部クラッディン
グ１３０は，その表面が略平らになるように整形されて
いる。
【００３８】以上構成について説明したＴＥ通過偏光器
１０の動作について，図２を参照しながら説明する。こ
こで，図２は，ＴＥ通過偏光器１０の動作を説明するた
めの概念図である。
１０の動作について，図２を参照しながら説明する。こ
こで，図２は，ＴＥ通過偏光器１０の動作を説明するた
めの概念図である。
【００３９】なお，図２においては，光導波路１４０の
線幅を参照符号Ｗで示す。かかる線幅Ｗは，光漂白時間
と蝕刻深さとに対して光導波路１４０の導波特性を決定
する重要なパラメータである。また，図２においては，
偏光光導波路１５０の長さ１７０を参照符号Ｌｆで示
す。ちなみに，発明者等が実際に行った実験において
は，線幅Ｗは数μｍに設定され，長さＬｆは数ｍｍに設
定された。
線幅を参照符号Ｗで示す。かかる線幅Ｗは，光漂白時間
と蝕刻深さとに対して光導波路１４０の導波特性を決定
する重要なパラメータである。また，図２においては，
偏光光導波路１５０の長さ１７０を参照符号Ｌｆで示
す。ちなみに，発明者等が実際に行った実験において
は，線幅Ｗは数μｍに設定され，長さＬｆは数ｍｍに設
定された。
【００４０】図２に示すように，ＴＥ通過偏光器１０に
おいては，光導波路１４０内に，入力領域１４０ａから
ＴＥ波とＴＭ波とが混合した入射光が入射される。かか
る入射光は，入力領域１４０ａをほぼそのまま透過し
て，偏光光導波路１５０に伝搬する。
おいては，光導波路１４０内に，入力領域１４０ａから
ＴＥ波とＴＭ波とが混合した入射光が入射される。かか
る入射光は，入力領域１４０ａをほぼそのまま透過し
て，偏光光導波路１５０に伝搬する。
【００４１】偏光光導波路１５０おいては，偏光光導波
路１５０のフィルタリング機能によって，ＴＥモードに
カップリングしているＴＥ波のみ導波され，ＴＭモード
にカップリングしているＴＭ波は輻射されて消光する。
したがって，出力領域１４０ｂには，ＴＥ波のみが伝搬
し，結果として，ＴＥ通過偏光器１０からは，ＴＥ波が
出射する。
路１５０のフィルタリング機能によって，ＴＥモードに
カップリングしているＴＥ波のみ導波され，ＴＭモード
にカップリングしているＴＭ波は輻射されて消光する。
したがって，出力領域１４０ｂには，ＴＥ波のみが伝搬
し，結果として，ＴＥ通過偏光器１０からは，ＴＥ波が
出射する。
【００４２】次に，図３〜図６を参照しながら本実施の
形態にかかるＴＥ通過偏光器１０の製造方法について説
明する。なお，図３〜図６は，前記光導波路偏光器の製
造過程を説明するための図面であって，図３（ａ），図
４（ａ），図５（ａ）及び図６（ａ）は製造途中のＴＥ
通過偏光器１０を光導波路１４０の進行方向から見た断
面図であり，図３（ｂ），図４（ｂ），図５（ｂ）及び
図６（ｂ）は製造途中のＴＥ通過偏光器１０の平面図で
ある。
形態にかかるＴＥ通過偏光器１０の製造方法について説
明する。なお，図３〜図６は，前記光導波路偏光器の製
造過程を説明するための図面であって，図３（ａ），図
４（ａ），図５（ａ）及び図６（ａ）は製造途中のＴＥ
通過偏光器１０を光導波路１４０の進行方向から見た断
面図であり，図３（ｂ），図４（ｂ），図５（ｂ）及び
図６（ｂ）は製造途中のＴＥ通過偏光器１０の平面図で
ある。
【００４３】まず，図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すよ
うに，ＴＥ通過偏光器１０の最初の製造工程において
は，基板１００上に適当なポリマーをスピンコーティン
グ（ｓｐｉｎｃｏａｔｉｎｇ）して下部クラッディング
１１０を形成する。次の工程では，図４（ａ）及び図４
（ｂ）に示すように，下部クラッディング１１０上に下
部クラッディングより高い屈折率を有する電気光学ポリ
マーでコア１２０を形成する。なお，ＴＥ通過偏光器１
０に適用可能な電気光学ポリマーとしては，例えばＰＭ
ＭＡ−ＤＲ１等がある。
うに，ＴＥ通過偏光器１０の最初の製造工程において
は，基板１００上に適当なポリマーをスピンコーティン
グ（ｓｐｉｎｃｏａｔｉｎｇ）して下部クラッディング
１１０を形成する。次の工程では，図４（ａ）及び図４
（ｂ）に示すように，下部クラッディング１１０上に下
部クラッディングより高い屈折率を有する電気光学ポリ
マーでコア１２０を形成する。なお，ＴＥ通過偏光器１
０に適用可能な電気光学ポリマーとしては，例えばＰＭ
ＭＡ−ＤＲ１等がある。
【００４４】さらに次の工程では，図５（ａ）及び図５
（ｂ）に示すように，コア１２０表面に例えば反応性イ
オン蝕刻等の蝕刻を施して，光導波路１４０と光漂白領
域１６０と成るべき領域以外のコア１２０表面を所定の
深さまで削る。かかる工程においては，光導波路１４０
をリブ状に形成する場合には，コア１２０の途中までの
深さの蝕刻を行う。また，光導波路１４０をチャネル状
に形成する場合には，下部クラッディング１１０表面に
到達する深さまでの蝕刻を行う。
（ｂ）に示すように，コア１２０表面に例えば反応性イ
オン蝕刻等の蝕刻を施して，光導波路１４０と光漂白領
域１６０と成るべき領域以外のコア１２０表面を所定の
深さまで削る。かかる工程においては，光導波路１４０
をリブ状に形成する場合には，コア１２０の途中までの
深さの蝕刻を行う。また，光導波路１４０をチャネル状
に形成する場合には，下部クラッディング１１０表面に
到達する深さまでの蝕刻を行う。
【００４５】さらにまた，次の工程では，図６（ａ）に
示すように，蝕刻後のコア１２０上にコア１２０よりも
低い屈折率を有するポリマーから上部クラッディング層
１３０を形成し，更に上部クラッディング１３０上に漂
白用マスクとなる金属を蒸着する。さらに，次の工程で
は，図６（ｂ）に示されたように，蒸着された金属を，
パターンニングして光漂白用マスクを形成する。かかる
パターニングは，漂白領域１６０に対して積層方向で上
方に位置する部分を削り取ることによって行われる。
示すように，蝕刻後のコア１２０上にコア１２０よりも
低い屈折率を有するポリマーから上部クラッディング層
１３０を形成し，更に上部クラッディング１３０上に漂
白用マスクとなる金属を蒸着する。さらに，次の工程で
は，図６（ｂ）に示されたように，蒸着された金属を，
パターンニングして光漂白用マスクを形成する。かかる
パターニングは，漂白領域１６０に対して積層方向で上
方に位置する部分を削り取ることによって行われる。
【００４６】最後の工程では，図６（ａ）に示すよう
に，漂白用マスク上方から上部クラッディング１３０を
介して紫外線光（ＵＶ光）を照射して，漂白領域１６０
の光漂白を適切に連続的に行う。結果として，ＴＥモー
ド光に対しては屈折率が減少し，ＴＭモード光に対して
は屈折率の変化がほとんどないか若干増加する光漂白領
域１６０が形成されて，図１に示すＴＥ通過偏光器１０
が製造される。
に，漂白用マスク上方から上部クラッディング１３０を
介して紫外線光（ＵＶ光）を照射して，漂白領域１６０
の光漂白を適切に連続的に行う。結果として，ＴＥモー
ド光に対しては屈折率が減少し，ＴＭモード光に対して
は屈折率の変化がほとんどないか若干増加する光漂白領
域１６０が形成されて，図１に示すＴＥ通過偏光器１０
が製造される。
【００４７】なお，ＴＥ通過偏光器１０素子の製造後
に，能動的に照射時間を調節しながら更に紫外線を照射
することによって，偏光光導波路１５０の導波モード分
布を調整して，追加損失を減らすことができる。
に，能動的に照射時間を調節しながら更に紫外線を照射
することによって，偏光光導波路１５０の導波モード分
布を調整して，追加損失を減らすことができる。
【００４８】また，製造されたＴＥ通過偏光器１０の周
り，例えば前段や後段等に複屈折が誘起されていない光
導波路と複屈折が誘起された導波路とをさらに形成して
出力導波モードを観察する。製造された偏光器の偏光フ
ィルタリング能力を示す偏光消光比（ｐｏｌａｒｉｚａ
ｔｉｏｎ ｅｘｔｉｎｃｔｉｏｎ ｒａｔｉｏ）と追加
損失とを測って製造された素子の性能を評価する。かか
る追加損失は光漂白による導波路と反応性イオン蝕刻工
程による導波路との導波モードの分布の間の差により決
定される。
り，例えば前段や後段等に複屈折が誘起されていない光
導波路と複屈折が誘起された導波路とをさらに形成して
出力導波モードを観察する。製造された偏光器の偏光フ
ィルタリング能力を示す偏光消光比（ｐｏｌａｒｉｚａ
ｔｉｏｎ ｅｘｔｉｎｃｔｉｏｎ ｒａｔｉｏ）と追加
損失とを測って製造された素子の性能を評価する。かか
る追加損失は光漂白による導波路と反応性イオン蝕刻工
程による導波路との導波モードの分布の間の差により決
定される。
【００４９】以上，本発明の好適な実施の形態につい
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されない。特許請求の範囲に記載された技
術的思想の範疇において，当業者であれば，各種の変更
例及び修正例に想到し得るものであり，それら変更例及
び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと
了解される。
て，添付図面を参照しながら説明したが，本発明はかか
る構成に限定されない。特許請求の範囲に記載された技
術的思想の範疇において，当業者であれば，各種の変更
例及び修正例に想到し得るものであり，それら変更例及
び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと
了解される。
【００５０】例えば，上記実施の形態においては，基板
としてシリコン基板を適用した導波路型光素子及びその
製造方法を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成
に限定されない。本発明は，他の様々な基板，例えばｎ
型又はｐ型のＩｎＰ基板やＬｉＮｂＯ３基板等を適用し
た導波路型光素子及び導波路型光素子の製造方法に対し
ても適用することができる。
としてシリコン基板を適用した導波路型光素子及びその
製造方法を例に挙げて説明したが，本発明はかかる構成
に限定されない。本発明は，他の様々な基板，例えばｎ
型又はｐ型のＩｎＰ基板やＬｉＮｂＯ３基板等を適用し
た導波路型光素子及び導波路型光素子の製造方法に対し
ても適用することができる。
【００５１】また，上記実施の形態においては，光漂白
特性を有する部材として電気光学ポリマーを適用した導
波路型光素子及びその製造方法を例に挙げて説明した
が，本発明はかかる構成に限定されない。本発明は，他
の様々な部材，例えば多結晶物質や磁気光学複屈折を示
す部材等を適用した導波路型光素子及び導波路型光素子
の製造方法に対しても適用することができる。
特性を有する部材として電気光学ポリマーを適用した導
波路型光素子及びその製造方法を例に挙げて説明した
が，本発明はかかる構成に限定されない。本発明は，他
の様々な部材，例えば多結晶物質や磁気光学複屈折を示
す部材等を適用した導波路型光素子及び導波路型光素子
の製造方法に対しても適用することができる。
【００５２】さらに，上記実施の形態においては，複屈
折を示す部材として電気光学効果が生じる部材を適用し
た導波路型光素子及びその製造方法を例に挙げて説明し
たが，本発明はかかる構成に限定されない。本発明は，
他の様々な複屈折を示す部材を適用した導波路型光素子
及び導波路型光素子の製造方法に対しても適用すること
ができる。
折を示す部材として電気光学効果が生じる部材を適用し
た導波路型光素子及びその製造方法を例に挙げて説明し
たが，本発明はかかる構成に限定されない。本発明は，
他の様々な複屈折を示す部材を適用した導波路型光素子
及び導波路型光素子の製造方法に対しても適用すること
ができる。
【００５３】さらにまた，上記実施の形態においては，
金属マスクをマスクパターンとして用いる導波路型光素
子の製造方法を例に挙げて説明したが，本発明はかかる
構成に限定されない。本発明は，他の様々なマスクパタ
ーンを用いた導波路型光素子の製造方法に対しても適用
することができる。
金属マスクをマスクパターンとして用いる導波路型光素
子の製造方法を例に挙げて説明したが，本発明はかかる
構成に限定されない。本発明は，他の様々なマスクパタ
ーンを用いた導波路型光素子の製造方法に対しても適用
することができる。
【００５４】また，上記実施の形態においては，チャネ
ル状又はリブ状の光導波路を有する導波路型光素子及び
その製造方法を例に挙げて説明したが，本発明はかかる
構成に限定されない。本発明は，他の様々なストライプ
部分を有する光導波路に対しても適用することができ
る。
ル状又はリブ状の光導波路を有する導波路型光素子及び
その製造方法を例に挙げて説明したが，本発明はかかる
構成に限定されない。本発明は，他の様々なストライプ
部分を有する光導波路に対しても適用することができ
る。
【００５５】さらに，上記実施の形態においては，導波
路型偏光器及びその製造方法を例に挙げて説明したが，
本発明はかかる構成に限定されない。本発明は，特定の
偏波モードの光を選択的に導波する構成の他の様々な導
波路型光素子，例えば光変調器や光増幅器等及びそれら
の製造方法に対しても適用することができる。
路型偏光器及びその製造方法を例に挙げて説明したが，
本発明はかかる構成に限定されない。本発明は，特定の
偏波モードの光を選択的に導波する構成の他の様々な導
波路型光素子，例えば光変調器や光増幅器等及びそれら
の製造方法に対しても適用することができる。
【００５６】
【発明の効果】本発明によれば，光導波路偏光器は従来
の素子に比べて次のような長所を有する。一つは，ポー
リングのような高温及び高電圧工程が不要なので，他の
光情報処理素子や電気回路との集積に有利である。他に
は，複雑なポーリング用電極の代りに簡単な光漂白マス
クパターンのみ必要である。更に他には，光漂白導波路
の導波モード分布を素子の製造後に光漂白時間を用いて
能動的に調節しうるために追加損失を減らすことが容易
である。
の素子に比べて次のような長所を有する。一つは，ポー
リングのような高温及び高電圧工程が不要なので，他の
光情報処理素子や電気回路との集積に有利である。他に
は，複雑なポーリング用電極の代りに簡単な光漂白マス
クパターンのみ必要である。更に他には，光漂白導波路
の導波モード分布を素子の製造後に光漂白時間を用いて
能動的に調節しうるために追加損失を減らすことが容易
である。
【００５７】そして，本発明による今後期待される効果
は次の通りである。ポリマーを用いた素子が活発に進行
されることにより偏光器に対する需要が大幅に増加す
る。偏光器の製造時，結合される既存の素子に影響をお
よぼさなく製造工程も簡単になることが望ましい。本発
明のポリマー偏光器は高温，高電圧工程が不要で構造も
簡単なので，製造しやすく大量生産に向いている。
は次の通りである。ポリマーを用いた素子が活発に進行
されることにより偏光器に対する需要が大幅に増加す
る。偏光器の製造時，結合される既存の素子に影響をお
よぼさなく製造工程も簡単になることが望ましい。本発
明のポリマー偏光器は高温，高電圧工程が不要で構造も
簡単なので，製造しやすく大量生産に向いている。
【図１】本発明によるＴＥ通過偏光器の概略構造を説明
するための透視見取図である。
するための透視見取図である。
【図２】図１に示すＴＥ通過偏光器の概略構成を説明す
るための透視平面図である。
るための透視平面図である。
【図３】（ａ）は，図１に示すＴＥ通過偏光器の一の製
造工程を説明するための断面図であり，（ｂ）は，
（ａ）に示す製造工程を説明するための平面図である。
造工程を説明するための断面図であり，（ｂ）は，
（ａ）に示す製造工程を説明するための平面図である。
【図４】（ａ）は，図１に示すＴＥ通過偏光器の他の製
造工程を説明するための断面図であり，（ｂ）は，
（ａ）に示す製造工程を説明するための平面図である。
造工程を説明するための断面図であり，（ｂ）は，
（ａ）に示す製造工程を説明するための平面図である。
【図５】（ａ）は，図１に示すＴＥ通過偏光器の他の製
造工程を説明するための断面図であり，（ｂ）は，
（ａ）に示す製造工程を説明するための平面図である。
造工程を説明するための断面図であり，（ｂ）は，
（ａ）に示す製造工程を説明するための平面図である。
【図６】（ａ）は，図１に示すＴＥ通過偏光器の他の製
造工程を説明するための断面図であり，（ｂ）は，
（ａ）に示す製造工程を説明するための平面図である。
造工程を説明するための断面図であり，（ｂ）は，
（ａ）に示す製造工程を説明するための平面図である。
１００ 基板 １１０ 下部クラッディング １２０ コア １３０ 上部クラッディング １４０ 光導波路 １５０ 偏光光導波路 １６０ 光漂白領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 李 泰衡 大韓民国京畿道城南市盆唐区新基洞121番 地 常緑マウル宇成アパート315棟1202号 (72)発明者 李 炯宰 大韓民国京畿道龍仁市器興邑新葛里14−４ 番地 新美洲アパート101棟1701号
Claims (6)
- 【請求項１】 基板と下部クラッディングと前記下部ク
ラッディングよりも屈折率が大きなコアと前記コアより
も屈折率の小さな上部クラッディングとが順次積層され
た導波路構造を有する，導波路型光素子であって：前記
コアの少なくとも一部を前記積層方向と実質的に垂直な
方向から挟み込み，所定の偏光モードの光に対する屈折
率が前記コアより小さく他の所定の偏波モードの光に対
する屈折率が前記コアより実質的に小さくない複屈折領
域を備えていることを特徴とする，導波路型光素子。 - 【請求項２】 前記所定の偏波モードはＴＥモード又は
ＴＭモードのいずれか一方であり，前記他の所定の偏波
モードは前記所定の偏波モードと相違するＴＥモード又
はＴＭモードの一方であることを特徴とする，請求項１
に記載の導波路型光素子。 - 【請求項３】 前記複屈折領域は，光漂白特性を示す部
材から形成されていることを特徴とする，請求項１又は
２に記載の導波路型光素子。 - 【請求項４】 前記コアも，前記光漂白特性を示す部材
から形成されていることを特徴とする，請求項３に記載
の導波路型光素子。 - 【請求項５】 基板と下部クラッディングと前記下部ク
ラッディングよりも屈折率が大きなコアと前記コアより
も屈折率の小さな上部クラッディングとが順次積層され
た導波路構造を有する，導波路型光素子の製造方法であ
って：光漂白特性を有する部材から，前記コアとともに
前記コアを前記積層方向と実質的に垂直な方向から挟み
込む複屈折領域を形成する，第１の工程と；前記第２ク
ラディングの形成後に，前記複屈折領域に光漂白処理を
施す，第２の工程とを；含むことを特徴とする，導波路
型光素子の製造方法。 - 【請求項６】 前記第２の工程を連続的に繰り返すこと
によって，前記コアのモード分布の調節が行われること
を特徴とする，請求項５に記載の導波路型光素子の製造
方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019970016804A KR100230453B1 (ko) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | 광표백에 의해 유기되는 복굴절을 이용한 광도파로 편광기 및 그 제조방법 |
| KR1997P16804 | 1997-04-30 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10307225A true JPH10307225A (ja) | 1998-11-17 |
Family
ID=19504657
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10120871A Pending JPH10307225A (ja) | 1997-04-30 | 1998-04-30 | 導波路型光素子及び導波路型光素子の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10307225A (ja) |
| KR (1) | KR100230453B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018033970A1 (ja) * | 2016-08-17 | 2018-02-22 | 三菱電機株式会社 | リッジ導波路型レーザ装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100364761B1 (ko) * | 2000-06-02 | 2002-12-16 | 엘지전자 주식회사 | 전기광학 폴리머 편광 분리기 및 그 제조방법 |
| KR100698166B1 (ko) * | 2000-06-02 | 2007-03-22 | 엘지전자 주식회사 | 도파로형 폴리머 편광기 및 그 제조방법 |
-
1997
- 1997-04-30 KR KR1019970016804A patent/KR100230453B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-30 JP JP10120871A patent/JPH10307225A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018033970A1 (ja) * | 2016-08-17 | 2018-02-22 | 三菱電機株式会社 | リッジ導波路型レーザ装置 |
| JPWO2018033970A1 (ja) * | 2016-08-17 | 2018-12-13 | 三菱電機株式会社 | リッジ導波路型レーザ装置 |
| US10985521B2 (en) | 2016-08-17 | 2021-04-20 | Mitsubishi Electric Corporation | Ridge waveguide laser device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100230453B1 (ko) | 1999-11-15 |
| KR19980079129A (ko) | 1998-11-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990713 |