JPH10308285A - 有機エレクトロルミネッセンス素子の電極構造及び有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子の電極構造及び有機エレクトロルミネッセンス素子Info
- Publication number
- JPH10308285A JPH10308285A JP9130267A JP13026797A JPH10308285A JP H10308285 A JPH10308285 A JP H10308285A JP 9130267 A JP9130267 A JP 9130267A JP 13026797 A JP13026797 A JP 13026797A JP H10308285 A JPH10308285 A JP H10308285A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- anode
- metal oxide
- hole transport
- conductive metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/816—Multilayers, e.g. transparent multilayers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】従来法の陽極である透明電極に比較してより低
抵抗値を示し画面の輝度を均一化し、正孔輸送層との接
着強度を改善した陽極構造及びこれを使用した有機ＥＬ
素子を提供することを課題とする。 【解決手段】有機ＥＬ素子の陽極構造を導電性金属酸化
物、高導電性材料及び導電性金属酸化物の３層構造、又
は導電性金属酸化物及び高導電性材料の２層構造とする
ことにより、低抵抗値を示し画面の輝度が均一化し、か
つ正孔輸送層との接着強度を改善した有機ＥＬ素子を提
供する。陰極１；陽極２；有機発光層３；及び正孔輸送
層４。
抵抗値を示し画面の輝度を均一化し、正孔輸送層との接
着強度を改善した陽極構造及びこれを使用した有機ＥＬ
素子を提供することを課題とする。 【解決手段】有機ＥＬ素子の陽極構造を導電性金属酸化
物、高導電性材料及び導電性金属酸化物の３層構造、又
は導電性金属酸化物及び高導電性材料の２層構造とする
ことにより、低抵抗値を示し画面の輝度が均一化し、か
つ正孔輸送層との接着強度を改善した有機ＥＬ素子を提
供する。陰極１；陽極２；有機発光層３；及び正孔輸送
層４。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機エレクトロル
ミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略称す
る。）の新規陽極構造及びこれを使用した有機ＥＬ素子
に関する。
ミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略称す
る。）の新規陽極構造及びこれを使用した有機ＥＬ素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来知られている有機ＥＬ素子として
は、例えば代表例として図１に示されるように、陰極で
ある金属電極１と陽極である透明電極２との間に有機発
光層３、正孔輸送層４が配置されている。ここで、正孔
輸送層４は陽極から正孔を注入され易くする機能と電子
をブロックする機能とを有している。陽極である透明電
極２の外側にはガラス基板５が配置されており、金属電
極１から注入された電子と透明電極２から注入された正
孔との再結合によって励起子が生じ、この励起子が放射
失活する過程で光を放ち、この光が透明電極２及びガラ
ス基板５を介して外部に放出される。上記発光層は、一
般的には有機蛍光体薄膜により構成される。
は、例えば代表例として図１に示されるように、陰極で
ある金属電極１と陽極である透明電極２との間に有機発
光層３、正孔輸送層４が配置されている。ここで、正孔
輸送層４は陽極から正孔を注入され易くする機能と電子
をブロックする機能とを有している。陽極である透明電
極２の外側にはガラス基板５が配置されており、金属電
極１から注入された電子と透明電極２から注入された正
孔との再結合によって励起子が生じ、この励起子が放射
失活する過程で光を放ち、この光が透明電極２及びガラ
ス基板５を介して外部に放出される。上記発光層は、一
般的には有機蛍光体薄膜により構成される。
【０００３】従来、有機ＥＬ素子の陽極である透明電極
として、一般にＩＴＯ（In2O3-SnO2の複合酸化物）が使
用されている（特開平5-28834号及び特開平5-166414号
公報参照。）。
として、一般にＩＴＯ（In2O3-SnO2の複合酸化物）が使
用されている（特開平5-28834号及び特開平5-166414号
公報参照。）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】透明電極に要求される
特性は、低抵抗、化学的安定性、長期安定性、基板や正
孔輸送層との接着強度等である。上記従来法であるＩＴ
Ｏ膜に関しては、抵抗値が１×１０-4ohm・cm以下にする
ことが困難と考えられている。又、正孔輸送層との接着
強度も十分とは言えず、通電を継続すると界面で剥離す
ることがある。
特性は、低抵抗、化学的安定性、長期安定性、基板や正
孔輸送層との接着強度等である。上記従来法であるＩＴ
Ｏ膜に関しては、抵抗値が１×１０-4ohm・cm以下にする
ことが困難と考えられている。又、正孔輸送層との接着
強度も十分とは言えず、通電を継続すると界面で剥離す
ることがある。
【０００５】そこで、本発明においては、上記従来法に
おける透明電極に比較してより低抵抗値を示し画面の輝
度を均一化し、正孔輸送層との接着強度が高く、かつ低
コストで製造され得る透明電極を提供することを課題と
する。
おける透明電極に比較してより低抵抗値を示し画面の輝
度を均一化し、正孔輸送層との接着強度が高く、かつ低
コストで製造され得る透明電極を提供することを課題と
する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、陽極、正孔輸
送層、有機発光層及び陰極を、必要によりこれに更に電
子輸送層を、含む有機ＥＬ素子の陽極として導電性金属
酸化物、高導電性材料及び導電性金属酸化物の３層、又
は導電性金属酸化物（発光層側）及び高導電性材料の２
層を含むことにより、従来の透明電極と比較して低い抵
抗値を示し、画面の輝度を均一化し、正孔輸送層との接
着性を改善することが出来た。
送層、有機発光層及び陰極を、必要によりこれに更に電
子輸送層を、含む有機ＥＬ素子の陽極として導電性金属
酸化物、高導電性材料及び導電性金属酸化物の３層、又
は導電性金属酸化物（発光層側）及び高導電性材料の２
層を含むことにより、従来の透明電極と比較して低い抵
抗値を示し、画面の輝度を均一化し、正孔輸送層との接
着性を改善することが出来た。
【０００７】即ち、本発明は、導電性金属酸化物、高導
電性材料及び導電性金属酸化物の３層、又は導電性金属
酸化物及び高導電性材料の２層を含むことを特徴とする
有機ＥＬ素子の新規陽極構造及びこれを使用した有機Ｅ
Ｌ素子である。例えば、透明基板への高導電性材料の拡
散、又は透明基板と高導電性材料との反応による高導電
性材料の劣化、抵抗値の上昇等の可能性がないか、少な
い場合は上記２層構造で十分である。
電性材料及び導電性金属酸化物の３層、又は導電性金属
酸化物及び高導電性材料の２層を含むことを特徴とする
有機ＥＬ素子の新規陽極構造及びこれを使用した有機Ｅ
Ｌ素子である。例えば、透明基板への高導電性材料の拡
散、又は透明基板と高導電性材料との反応による高導電
性材料の劣化、抵抗値の上昇等の可能性がないか、少な
い場合は上記２層構造で十分である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を説明する。
【０００９】本発明における陽極構造を使用する有機Ｅ
Ｌ素子は、陽極、正孔輸送層、有機発光層及び陰極を含
み、必要によりこれに更に電子輸送層を、含むことも出
来る。これ等を含んでおれば、その他のものを付加的に
含んでいても本発明の有機ＥＬ素子として適用可能であ
る。
Ｌ素子は、陽極、正孔輸送層、有機発光層及び陰極を含
み、必要によりこれに更に電子輸送層を、含むことも出
来る。これ等を含んでおれば、その他のものを付加的に
含んでいても本発明の有機ＥＬ素子として適用可能であ
る。
【００１０】本発明の陽極に使用する導電性金属酸化物
は、比抵抗値が１ohm・cm以下が好ましく、より好ましく
は１〜１０-5ohm・cmであり、例えばSnO2等錫の酸化物、
ZnO亜鉛の酸化物、TiO2等チタンの酸化物、Bi2O3等ビス
マスの酸化物、Cr2O3等クロムの酸化物、In2O3等インジ
ウムの酸化物やGaを添加したZnO（例えば、Gaを0.1〜20
重量％含むZnO）等を採用することが出来る。
は、比抵抗値が１ohm・cm以下が好ましく、より好ましく
は１〜１０-5ohm・cmであり、例えばSnO2等錫の酸化物、
ZnO亜鉛の酸化物、TiO2等チタンの酸化物、Bi2O3等ビス
マスの酸化物、Cr2O3等クロムの酸化物、In2O3等インジ
ウムの酸化物やGaを添加したZnO（例えば、Gaを0.1〜20
重量％含むZnO）等を採用することが出来る。
【００１１】高導電性材料としては、導電性金属酸化物
よりも比抵抗値が低く、その比抵抗値は１×１０-4ohm・
cm以下が好ましく、又より好ましくは１×１０-4〜１０
-6ohm・cmであり、例えばAg、Au、Cu、Al等比抵抗値の極
めて小さい金属や、AgにPdを、例えばAgに対し２〜２０
重量％混合したもの、TiN及びZrB2等金属化合物が例示
される。
よりも比抵抗値が低く、その比抵抗値は１×１０-4ohm・
cm以下が好ましく、又より好ましくは１×１０-4〜１０
-6ohm・cmであり、例えばAg、Au、Cu、Al等比抵抗値の極
めて小さい金属や、AgにPdを、例えばAgに対し２〜２０
重量％混合したもの、TiN及びZrB2等金属化合物が例示
される。
【００１２】層の厚みに関しては、導電性金属酸化物が
100〜1000オングストローム（Å）、好ましくは200〜60
0Å、高導電性材料が50〜400Å、好ましくは100〜300Å
程度である。３層全体では250〜2400Å、好ましくは500
〜1500Å程度である。透明性を維持する上では薄い膜で
ある方が好ましいが、導電性や化学的安定性を考慮する
と薄過ぎるのは好ましくない。
100〜1000オングストローム（Å）、好ましくは200〜60
0Å、高導電性材料が50〜400Å、好ましくは100〜300Å
程度である。３層全体では250〜2400Å、好ましくは500
〜1500Å程度である。透明性を維持する上では薄い膜で
ある方が好ましいが、導電性や化学的安定性を考慮する
と薄過ぎるのは好ましくない。
【００１３】発光層に使用される有機化合物としては、
有機ＥＬ素子の発光層に使用するものとして知られてい
る有機化合物（特開平5-159882号、特開昭63-295695
号、及び特開平3-231970号公報参照。）、例えばトリス
（８−キノリノール）アルミニウム（以下、「Alq」と
略称する。）等が採用されるが、今後開発され有機化合
物であっても発光能を示すものであれば採用可能であ
る。又、発光層を形成する方法もそれ自体公知の方法、
例えば蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等
を採用すればよい。今後、開発される発光層の形成方法
も採用可能である。
有機ＥＬ素子の発光層に使用するものとして知られてい
る有機化合物（特開平5-159882号、特開昭63-295695
号、及び特開平3-231970号公報参照。）、例えばトリス
（８−キノリノール）アルミニウム（以下、「Alq」と
略称する。）等が採用されるが、今後開発され有機化合
物であっても発光能を示すものであれば採用可能であ
る。又、発光層を形成する方法もそれ自体公知の方法、
例えば蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法等
を採用すればよい。今後、開発される発光層の形成方法
も採用可能である。
【００１４】発光層の厚みは特に制限は無く、又正孔輸
送層及び／又は電子輸送層を兼ねるものもありそれによ
っても異なるが、必要により適宜選択すればよく、通常
その厚みは50〜2000Å、好ましくは200〜1000Å程度で
ある。
送層及び／又は電子輸送層を兼ねるものもありそれによ
っても異なるが、必要により適宜選択すればよく、通常
その厚みは50〜2000Å、好ましくは200〜1000Å程度で
ある。
【００１５】正孔輸送層の材料としては、従来から光導
電材料の正孔輸送層の有機材料として知られているもの
や、有機ＥＬ素子の正孔輸送層に使用するものとして知
られているもの（特開平5-159882号公報、米国特許第3,
567,450号明細書等参照。）、例えばN,N'-ジフェニル-
(3-メチルフェニル)-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジアミン
（以下、「TPD」と略称する。）を代表とする一群の化
合物や、ポリ-N-ビニルカルバゾル（以下、「PVCZ」と
略称する。）等の中から選択することも出来るし、正孔
の注入及び電子の障壁性の何れかを有するものであれば
今後開発される材料であってもよい。その形成方法とし
てそれ自体公知の方法、例えば真空蒸着法、スピンコー
ト法、キャスト法、ＬＢ法等で薄膜を形成すればよい。
薄膜層の厚みは、50〜2000Å、好ましくは200〜1000Å
程度である。
電材料の正孔輸送層の有機材料として知られているもの
や、有機ＥＬ素子の正孔輸送層に使用するものとして知
られているもの（特開平5-159882号公報、米国特許第3,
567,450号明細書等参照。）、例えばN,N'-ジフェニル-
(3-メチルフェニル)-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジアミン
（以下、「TPD」と略称する。）を代表とする一群の化
合物や、ポリ-N-ビニルカルバゾル（以下、「PVCZ」と
略称する。）等の中から選択することも出来るし、正孔
の注入及び電子の障壁性の何れかを有するものであれば
今後開発される材料であってもよい。その形成方法とし
てそれ自体公知の方法、例えば真空蒸着法、スピンコー
ト法、キャスト法、ＬＢ法等で薄膜を形成すればよい。
薄膜層の厚みは、50〜2000Å、好ましくは200〜1000Å
程度である。
【００１６】陰極材料としては、従来から有機ＥＬ素子
の陰極材料として知られているものを採用することが出
来る（特開平6-326354号、特開平5-198380号、特開昭63
-295695号公報等参照。）。例えば、仕事関数の小さな
金属や合金（MgAg、MgAl、MgIn、InLi等合金等。）が使
用される。
の陰極材料として知られているものを採用することが出
来る（特開平6-326354号、特開平5-198380号、特開昭63
-295695号公報等参照。）。例えば、仕事関数の小さな
金属や合金（MgAg、MgAl、MgIn、InLi等合金等。）が使
用される。
【００１７】
【発明の作用】有機ＥＬ素子の陽極として本発明の３層
構造、場合により２層構造をとることにより、化学的安
定性と高導電性の両方が可能となるので、これを使用す
ることにより、環境安定性、長期信頼性の高い、画面の
輝度が均一な有機ＥＬ素子が得られる。
構造、場合により２層構造をとることにより、化学的安
定性と高導電性の両方が可能となるので、これを使用す
ることにより、環境安定性、長期信頼性の高い、画面の
輝度が均一な有機ＥＬ素子が得られる。
【００１８】
【実施例】次に、実施例により本発明の有機ＥＬ素子の
陽極構造について具体的に説明する。
陽極構造について具体的に説明する。
【００１９】（実施例１）図１に示すような構成で有機
ＥＬ素子を形成した。陽極部分に関しては、ガラス基板
上にスパッターにより、順にZnOを400オングストローム
（Å）、Agを150Å及びZnOを400Å積層した。その上
に、スピンコートで正孔輸送層としてTPDとPVCZの混合
物（50/50重量％）を600Å、次いで、その上に発光層と
してAlqを600Å積層した。その上に、陰極として蒸着に
よりMgAg合金を2000Å形成せしめた。試料Ａとする。
ＥＬ素子を形成した。陽極部分に関しては、ガラス基板
上にスパッターにより、順にZnOを400オングストローム
（Å）、Agを150Å及びZnOを400Å積層した。その上
に、スピンコートで正孔輸送層としてTPDとPVCZの混合
物（50/50重量％）を600Å、次いで、その上に発光層と
してAlqを600Å積層した。その上に、陰極として蒸着に
よりMgAg合金を2000Å形成せしめた。試料Ａとする。
【００２０】（実施例２）ガラス基板上にスパッターに
より、順にBi2O3を400Å、Auを150Å及びBi2O3を400Å
積層した。次いで、その上に実施例１と同様の方法で、
順に正孔輸送層、発光層及び陰極を形成した。試料Ｂと
する。
より、順にBi2O3を400Å、Auを150Å及びBi2O3を400Å
積層した。次いで、その上に実施例１と同様の方法で、
順に正孔輸送層、発光層及び陰極を形成した。試料Ｂと
する。
【００２１】（実施例３）ガラス基板上にスパッターに
より、順にTiO2を400Å、Agを150Å及びTiO2を400Å積
層した。次いで、その上に実施例１と同様の方法で、順
に正孔輸送層、発光層及び陰極を形成した。試料Ｃとす
る。
より、順にTiO2を400Å、Agを150Å及びTiO2を400Å積
層した。次いで、その上に実施例１と同様の方法で、順
に正孔輸送層、発光層及び陰極を形成した。試料Ｃとす
る。
【００２２】（実施例４）ガラス基板上にスパッターに
より、順にTiO2を400Å、TiNを150Å及びTiO2を400Å積
層した。次いで、その上に実施例１と同様の方法で、順
に正孔輸送層、発光層及び陰極を形成した。試料Ｄとす
る。
より、順にTiO2を400Å、TiNを150Å及びTiO2を400Å積
層した。次いで、その上に実施例１と同様の方法で、順
に正孔輸送層、発光層及び陰極を形成した。試料Ｄとす
る。
【００２３】（実施例５）ガラス基板上にスパッターに
より、順にTiO2を400Å、Cuを150Å及びTiO2を400Å積
層した。次いで、その上に実施例１と同様の方法で、順
に正孔輸送層、発光層及び陰極を形成した。試料Ｅとす
る。
より、順にTiO2を400Å、Cuを150Å及びTiO2を400Å積
層した。次いで、その上に実施例１と同様の方法で、順
に正孔輸送層、発光層及び陰極を形成した。試料Ｅとす
る。
【００２４】（実施例６）ガラス基板上にスパッターに
より、順にTiO2を400Å、Agを150Å及びZnOを400Å積層
した。次いで、その上に実施例１と同様の方法で、順に
正孔輸送層、発光層及び陰極を形成した。試料Ｆとす
る。
より、順にTiO2を400Å、Agを150Å及びZnOを400Å積層
した。次いで、その上に実施例１と同様の方法で、順に
正孔輸送層、発光層及び陰極を形成した。試料Ｆとす
る。
【００２５】（実施例７）ガラス基板上にスパッターに
より、順にGaを5重量％含むZnOを400Å、Agを150Å及び
Gaを5重量％含むZnOを400Å積層した。次いで、その上
に実施例１と同様の方法で、順に正孔輸送層、発光層及
び陰極を形成した。試料Ｇとする。
より、順にGaを5重量％含むZnOを400Å、Agを150Å及び
Gaを5重量％含むZnOを400Å積層した。次いで、その上
に実施例１と同様の方法で、順に正孔輸送層、発光層及
び陰極を形成した。試料Ｇとする。
【００２６】（比較例）ガラス基板上に、スパッター法
により、ＩＴＯを1000Å積層した。次いで、その上に実
施例１と同様の方法で、順に正孔輸送層、発光層及び陰
極を形成した。試料Ｈとする。
により、ＩＴＯを1000Å積層した。次いで、その上に実
施例１と同様の方法で、順に正孔輸送層、発光層及び陰
極を形成した。試料Ｈとする。
【００２７】（発光特性試験）上記実施例及び比較例で
調製された試料Ａ〜Ｈについて発光特性試験を行った。
陰極と陽極間に５mＡの直流を流して、輝度の経時変化
を測定した。この結果を図２に示す。図２から、本発明
品（３層構造の陽極）は何れも比較例に比べて長時間輝
度を保つことが分かった。
調製された試料Ａ〜Ｈについて発光特性試験を行った。
陰極と陽極間に５mＡの直流を流して、輝度の経時変化
を測定した。この結果を図２に示す。図２から、本発明
品（３層構造の陽極）は何れも比較例に比べて長時間輝
度を保つことが分かった。
【００２８】本発明によれば、従来法に比較して高輝度
が得られ、特に黒点の発生成長を抑制する高い環境安定
性及び良好な成膜性が得られ、素子作成の安定性が増
し、連続発光試験による輝度の減衰率が小さくなる等々
の利点を有する。
が得られ、特に黒点の発生成長を抑制する高い環境安定
性及び良好な成膜性が得られ、素子作成の安定性が増
し、連続発光試験による輝度の減衰率が小さくなる等々
の利点を有する。
【００２９】
【発明の効果】本発明は、有機ＥＬ素子の陽極として上
記特定の３つの層、場合により２つの層を含むものであ
り、これにより従来技術に比較して正孔輸送層との接着
性を高め、又低抵抗値を示し画面の輝度が均一化すると
共に長時間輝度を保つことが出来る。
記特定の３つの層、場合により２つの層を含むものであ
り、これにより従来技術に比較して正孔輸送層との接着
性を高め、又低抵抗値を示し画面の輝度が均一化すると
共に長時間輝度を保つことが出来る。
【図１】代表的な有機ＥＬ素子の構成図である。
【図２】本発明の実施例及び比較例で得られた試料につ
いての有機ＥＬ素子輝度の経時変化を示すグラフであ
る。縦軸は輝度（cd/m2）、横軸は時間（ｈ）を表す。
いての有機ＥＬ素子輝度の経時変化を示すグラフであ
る。縦軸は輝度（cd/m2）、横軸は時間（ｈ）を表す。
１ 陰極（金属電極） ２ 陽極（透明電極） ３ 有機発光層 ４ 正孔輸送層 ５ ガラス基板
Claims (4)
- 【請求項１】導電性金属酸化物、高導電性材料及び導電
性金属酸化物の３層、又は高導電性材料及び導電性金属
酸化物（発光層側）の２層を含有することを特徴とする
有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極。 - 【請求項２】導電性金属酸化物の比抵抗値が１ohm・cm以
下であり、高導電性材料の比抵抗値が１×１０-4ohm・cm
以下である請求項１記載の陽極。 - 【請求項３】導電性金属酸化物がSnO2、ZnO、TiO2、Bi2
O3、Gaを添加したZnO及びIn2O3の１種又は２種以上の混
合物を含み、高導電性材料がAg、Au、Cu、Al、AgとPdの
混合物、TiN及びZrB2の１種又は２種以上の混合物を含
む請求項１記載の陽極。 - 【請求項４】請求項１〜３の何れかの陽極、正孔輸送
層、有機発光層及び陰極を含む有機エレクトロルミネッ
センス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9130267A JPH10308285A (ja) | 1997-05-01 | 1997-05-01 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の電極構造及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9130267A JPH10308285A (ja) | 1997-05-01 | 1997-05-01 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の電極構造及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10308285A true JPH10308285A (ja) | 1998-11-17 |
Family
ID=15030208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9130267A Pending JPH10308285A (ja) | 1997-05-01 | 1997-05-01 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の電極構造及び有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10308285A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002015859A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2003115393A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-18 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法、画像表示装置 |
| US6774561B2 (en) | 2001-01-15 | 2004-08-10 | Sony Corporation | Light-emitting device and process for production thereof having an emission laser held between electrodes |
| KR100512626B1 (ko) * | 2002-10-18 | 2005-09-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100615232B1 (ko) * | 2004-07-20 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광형 투명 도전층 및 이를 구비한 전자 방출 소자 |
| US7190111B2 (en) * | 2002-06-22 | 2007-03-13 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescent device employing multi-layered anode |
| KR100706853B1 (ko) * | 2004-08-20 | 2007-04-13 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 일렉트로루미네선스 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR100810640B1 (ko) | 2007-03-07 | 2008-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| US7431626B2 (en) * | 2003-05-01 | 2008-10-07 | Samsung Sdi Co., Ltd. | High efficiency organic electroluminescent display and method for fabricating the same |
| FR2919428A1 (fr) * | 2007-07-27 | 2009-01-30 | Univ Nantes Etablissement Publ | Electrode de composant optoelectronique,comprenant au moins une couche d'un oxyde transparent revetue d'une couche metallique,et composant optoelectronique correspondant. |
| CN107799654A (zh) * | 2017-09-15 | 2018-03-13 | 华南师范大学 | 一种高效率平面钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
| JP2023100414A (ja) * | 2022-01-06 | 2023-07-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
1997
- 1997-05-01 JP JP9130267A patent/JPH10308285A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002015859A (ja) * | 2000-06-30 | 2002-01-18 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US6774561B2 (en) | 2001-01-15 | 2004-08-10 | Sony Corporation | Light-emitting device and process for production thereof having an emission laser held between electrodes |
| JP2003115393A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-04-18 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法、画像表示装置 |
| US7190111B2 (en) * | 2002-06-22 | 2007-03-13 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic electroluminescent device employing multi-layered anode |
| KR100512626B1 (ko) * | 2002-10-18 | 2005-09-02 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 |
| US7431626B2 (en) * | 2003-05-01 | 2008-10-07 | Samsung Sdi Co., Ltd. | High efficiency organic electroluminescent display and method for fabricating the same |
| CN100459218C (zh) * | 2003-05-01 | 2009-02-04 | 三星Sdi株式会社 | 高效有机电致发光显示器及其制造方法 |
| KR100615232B1 (ko) * | 2004-07-20 | 2006-08-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광형 투명 도전층 및 이를 구비한 전자 방출 소자 |
| KR100706853B1 (ko) * | 2004-08-20 | 2007-04-13 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 일렉트로루미네선스 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR100810640B1 (ko) | 2007-03-07 | 2008-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| US7777406B2 (en) | 2007-03-07 | 2010-08-17 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device |
| FR2919428A1 (fr) * | 2007-07-27 | 2009-01-30 | Univ Nantes Etablissement Publ | Electrode de composant optoelectronique,comprenant au moins une couche d'un oxyde transparent revetue d'une couche metallique,et composant optoelectronique correspondant. |
| WO2009016092A3 (fr) * | 2007-07-27 | 2009-04-23 | Univ Nantes | Electrode de composant optoelectronique organique, comprenant au moins une couche d'un oxyde transparent revêtue d'une couche metallique, et composant optoelectronique organique correspondant |
| CN107799654A (zh) * | 2017-09-15 | 2018-03-13 | 华南师范大学 | 一种高效率平面钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
| JP2023100414A (ja) * | 2022-01-06 | 2023-07-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100893056B1 (ko) | 유기-금속 혼합 층을 포함하는 디스플레이 소자 | |
| JP4487010B2 (ja) | 有機発光デバイスの製造方法 | |
| JP3300069B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3562652B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| US6278236B1 (en) | Organic electroluminescent devices with electron-injecting layer having aluminum and alkali halide | |
| JP4315996B2 (ja) | 有機発光デバイス及びその製造方法 | |
| JPH1074586A (ja) | エレクトロルミネセンスデバイスで用いられる二層電子注入電極 | |
| JPH1187068A (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| US20020021088A1 (en) | Organic light emitting diode devices with improved anode stability | |
| JPH0517764A (ja) | 有機エレクトロルミネツセンス素子 | |
| US6252246B1 (en) | Organic electroluminescent device | |
| JPH07192866A (ja) | 有機薄膜型電界発光素子 | |
| KR100338251B1 (ko) | 유기발광전계소자 | |
| JPH10308285A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の電極構造及び有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH08222373A (ja) | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3189438B2 (ja) | 有機薄膜発光素子 | |
| JPH10214683A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH1140365A (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| US6262433B1 (en) | Organic electroluminescent device | |
| JP3300065B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2003297554A (ja) | 発光素子およびこれを用いた表示装置並びに照明装置 | |
| JPH07166160A (ja) | 有機薄膜ｅｌ素子 | |
| JPH08222375A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JPH10321373A (ja) | 電界発光素子 | |
| JP4892795B2 (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20040707 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426 Effective date: 20040707 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060404 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060418 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070828 |