JPH10308548A - パルスレーザ光照射装置及び照射方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザビーム強度の安定した照射を可能にす
ると共に、他結晶シリコン薄膜形成に寄与しない無駄な
レーザ発振を抑制し、この薄膜の生産効率を改善し、生
産コストの上昇を防ぐことが可能なパルスレーザ光照射
装置、照射方法を提供する。 【解決手段】 レーザ光の基板上のｎ−１番目の照射範
囲からｎ番目の照射範囲への移行期間にパルスレーザの
発振を停止する期間を置き、かつ、ｎ番目の照射のため
に再発振されたパルスレーザの初期パルス部が遮蔽装置
により遮蔽されるように制御される。発振されたレーザ
光を所定の時間に応じて複数の光路に分解するための分
配手段を有し、分配された光路の延長上に移動機構を有
し、分配手段はレーザ光を第１の光路及び第２の光路へ
と順次供給し、それぞれの光路の延長上にある基板上の
照射領域は、次の照射光を供給されるまでに、所望の位
置に移動する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、パルスレーザ光照
射装置及び照射方法に関する。より詳しく云えば、各種
半導体製品に用いられる多結晶シリコン薄膜等の製造の
ためのパルスレーザ光照射装置及び照射方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図８（Ａ）は、従来例の一制御タイミン
グチャート、（Ｂ）は、従来例の第２の制御タイミング
チャート、（Ｃ）は、従来例の第３の制御タイミングチ
ャートである。

【０００３】ガラス基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）を形成する代表的な技術として、水素化アモルファ
ス半導体ＴＦＴ技術および多結晶シリコンＴＦＴ技術が
挙げられる。前者は作製プロセス最高温度３００℃程度
であり、移動度１ｃｍ²／（Ｖｏｌｔ・ｓｅｃ）程度の
キャリア移動度を実現している。後者は、例えば石英基
板を用い１０００℃程度のＬＳＩと類似した高温プロセ
スを用いることで、キャリア移動度３０〜１００ｃｍ²
／（Ｖｏｌｔ・ｓｅｃ）の性能を得ることができる。こ
のような高いキャリア移動度の実現は、たとえば前記Ｔ
ＦＴを液晶ディスプレイに応用した場合、各画素を駆動
する画素ＴＦＴと同時に、周辺駆動回路部までもが同一
ガラス基板上に同時に形成することができるという低コ
スト、小型化に関する利点がある。ところが、多結晶シ
リコンＴＦＴ技術において、上述のような高温プロセス
を用いる場合、前者のプロセスに用いることができる安
価な低軟化点ガラスを用いることができない。そこで多
結晶シリコンＴＦＴプロセスの温度低減が必要になって
おり、レーザ結晶化技術を応用した多結晶シリコン膜の
低温形成技術が研究・開発されている。

【０００４】その例として、短波長パルスレーザ光を非
晶質基板上の非晶質シリコン薄膜を結晶化し、薄膜トラ
ンジスタに応用する技術が、特公平７−１１８４４３
（特開昭６０−２４５１４２、特願昭５９−１００１８
０）に開示されている。本手法によれば基板全体を高温
にすることなく非晶質シリコンの結晶化が可能であるの
で、液晶ディスプレイ等の大面積かつガラス等の安価な
基板上辺半導体素子、半導体集積回路を作製できるとい
う利点がある。ところが上述公報においても述べられて
いるように、短波長レーザによる非晶質シリコン薄膜結
晶化には５０−５００ｍＪ／ｃｍ²程度の照射強度が必
要である。一方、現在一般に入手できるパルスレーザ装
置の発光出力は最大１Ｊ／ｐｕｌｓｅ程度であり、単純
換算によっても一度に照射できる面積は２−２０ｃｍ²
程度にすぎない。したがって、たとえば基板サイズ４７
×３７ｃｍ基板全面をレーザ結晶化するためには、少な
くとも８７−８７０箇所にレーザ照射が必要となる。

【０００５】さて、前述の方法で大面積基板上に薄膜半
導体素子群を均一に形成するためには、特開平５−２１
１１６７（特願平３−３１５８６３）に開示されている
ような、素子群をレーザのビームサイズよりも小さく分
割、あるいはビームサイズよりも小さな素子群を形成
し、ステップアンドリピートにより、数パルス照射＋照
射領域，照射容器の移動＋数パルス照射＋照射領域の移
動＋…・を繰り返す方法が有効であることが知られてい
る。図８（Ｂ）に示すように、レーザの発振とステージ
（したがって基板）もしくはビームの移動とが交互に行
われる方法である。ところが、本手法によっても現在入
手し得る発振強度のばらつき±５％（連続発振時）程度
のパルスレーザ装置を用い、たとえば３パルス／箇所〜
２０パルス／箇所程度の照射を繰り返す場合、発振強度
ばらつきが±５％を超え、結果として得られる多結晶シ
リコン薄膜および多結晶シリコン薄膜トランジスタ特性
が十分な均一性を有さないという問題があった。特にス
パイキングと呼ばれる、レーザ発振初期の放電の不安定
に起因した、強光の発生が不均一の問題となっている。
このようなスパイキングの回避方法としては、図８
（Ａ）に示すように、レーザ発振を、素子形成領域への
照射開始以前から開始することにより回避する方法が知
られているが、図８（Ｂ）に示すようなレーザの発振と
ステージの移動とが断続的に繰り返す場合には応用でき
ないという問題があった。

【０００６】さらにこれらの問題を回避すべく、特開平
５−９０１９１（特願平３−２５１９８４）ではパルス
レーザ光源を連続発振させると共にステージの移動期間
には光遮蔽装置を用いて基板への照射を防ぐ方法が提案
されている。すなわち、図８（Ｃ）に示すようにレーザ
をある周波数で連続発振させ、所望の照射位置へのステ
ージの移動と光路の遮蔽を同期させることによって、パ
ルス間強度の安定したレーザ光を所望の照射位置への照
射を可能にした。ところが、本方法によればレーザビー
ムの安定した基板への照射が可能になるものの、多結晶
シリコン薄膜の生産性および、レーザ発振に要する電力
等に対する多結晶シリコン薄膜の生産効率が低下して、
生産コストの上昇を招くという問題があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
目的は、レーザビーム強度の安定した照射を可能にする
と共に、多結晶シリコン薄膜形成に寄与することのない
無駄なレーザ発振を抑制し、レーザ光源や励起ガスの寿
命に対する多結晶シリコン薄膜の生産性およびレーザ発
振に要する電力等に対する多結晶シリコン薄膜の生産効
率が改善し、生産コストの上昇を防ぐことが可能な、パ
ルスレーザ光照射装置および例えば多結晶シリコン薄膜
等の半導体製造のためのパルスレーザ光照射方法を提供
することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の第１のパルスレ
ーザ光照射装置は、少なくとも一つのパルスレーザ光源
と、パルスレーザ光源から発振されたレーザ光をレーザ
光の１回の照射範囲よりも大きな基板に照射するための
レーザ光または基板の移動走査機構とを有し、さらにパ
ルスレーザ光源から基板上の照射箇所までの間に少なく
とも一つのレーザ光の遮蔽装置を有するパルスレーザ光
照射装置において、基板上のｎ−１番目の照射範囲から
ｎ番目の照射範囲への移行期間にパルスレーザの発振を
停止する期間を置き、かつ、ｎ番目の照射のために再発
振されたパルスレーザの初期パルス部が遮蔽装置により
遮蔽されるように制御されることを特徴としている。

【０００９】本発明の第２のパルスレーザ光照射装置
は、少なくとも一つのパルスレーザ光源と、パルスレー
ザ光源から発振されたレーザ光をレーザ光の１照射範囲
よりも大きな基板に照射するためのレーザ光または基板
の移動走査機構とを有するパルスレーザ光照射装置にお
いて、パルスレーザ光源から発振されたレーザ光を所定
の時間に応じて複数の光路に分解するための分配手段を
有し、分配された光路の延長上に移動機構を有し、分配
手段はレーザ光を第１の光路及び第２の光路へと順次供
給し、それぞれの光路の延長上にある基板上の照射領域
は、任意のレーザ照射光を受けた後次の照射光を供給さ
れるまでの間に、所望の位置に移動することを特徴とし
ている。

【００１０】なお、パルスレーザ光照射装置は、パルス
レーザ光源から発振されるレーザ光の波長が４００ｎｍ
以下であることが好ましく、また、パルスレーザ光源が
エキシマレーザであることも好ましい。

【００１１】そして、本発明のパルスレーザ光照射方法
は、半導体材料にパルスレーザ光を照射するパルスレー
ザ光照射方法において、パルスレーザ光の１照射範囲は
照射されるべき半導体材料の大きさよりも小さく、半導
体材料全面もしくは任意の領域へのレーザ照射は、数パ
ルス照射と照射領域の移動とを順次繰り返し、かつ、パ
ルスレーザ光源は移動にあわせて一定の周期で発振期間
と停止期間を繰り返し、かつｎ番目の発振期間の一部期
間に発振されたレーザ光がｎ番目の照射領域に照射され
ることを特徴としている。

【００１２】なお、半導体材料は、シリコンまたはレー
ザ光を透過する誘電体とシリコンとの積層物であること
が好ましい。

【００１３】これらの手段により、第１の発明の装置
は、発振期間が断続的に繰り返される際に発生する、発
振初期の強度の不安定なレーザパルスの基板への照射を
防ぐことが可能になる。また、発振を連続的に行う場合
に比べ、ビームあるいは基板の移動期間の一部の間レー
ザの発振を停止するため、無駄な発振を抑制できレーザ
光源、あるいは励起ガスの寿命を延ばすことが可能にな
る。

【００１４】第２の発明の装置は、強度の安定したレー
ザビームを全て多結晶シリコンの製造あるいは各種半導
体材料の改質に用いることが可能になる。

【００１５】また、発振されるレーザの波長が４００ｎ
ｍ以下であることにより、シリコンその他半導体材料等
に対する吸収係数が大きくなるため、効率よく材料の改
質を行うことが可能になり、パルスレーザ光源がエキシ
マレーザであることにより、レーザ光源の寿命に起因し
た製造、運転コストの上昇防止の効果が高まる。

【００１６】また、本発明の方法により、照射による改
質コストの上昇を最小限に抑制することが可能になる。
したがって、例えば、表示装置として大面積素子群を要
求される液晶ディスプレイ等の生産コスト低減を可能に
する。

【００１７】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態例につ
いて図面を参照して説明する。

【００１８】図１は、本発明のパルスレーザ光照射装置
の一実施形態例の概略構成図、図２は、図１における、
レーザの発振から基板へのレーザの照射までの制御タイ
ミングチャートの一実施例、図３は、同じく制御タイミ
ングチャートの第２の実施例、図４は、図３の制御タイ
ミングチャートに対応する光遮蔽装置の光進行に直角方
向の模式断面図である。

【００１９】図１に示すパルスレーザ光照射装置は、パ
ルスレーザ光源１１、複数（図示場合３個）のミラー１
２、ビームホモジナイザ１４からなり、レーザ光路上に
光遮蔽装置１３を有する。レーザの発振期間、ガラス基
板１５のステージ１８の移動期間を図２に示すような関
係を持って制御し、光遮蔽装置１３による光路の遮蔽期
間が図２に示すうに制御されることによって、図２に示
すように基板１５へのレーザ照射期間が決定される。す
なわち、ｎ番目のレーザ発振開始時期を基準にすると、
このときステージ１８は停止しており、光路は遮蔽され
ている。レーザ光源固有の発振の不安定期間が過ぎたと
ころで、光路遮蔽状態を解き基板へのレーザ照射を開始
する。基板に所望のパルス数を照射した後、レーザ発振
を停止し、ステージを移動させる。ステージの停止と同
時に再び光路を遮蔽しｎ＋１番目のレーザの発振開始を
待つ。

【００２０】このとき、ステージの移動すなわち基板の
移動に代わり光学素子を移動させることにより基板上の
照射位置を変更することも可能であり、また、ｘ軸方向
をステージ、もう一方のｙ軸方向を光学素子の移動とい
う方法を採ることも可能である。ステージあるいは光学
素子の移動には、所望の照射位置に正しく停止させるた
めのアライメント動作を含む場合もある。

【００２１】また、図２においては、基板に所望のパル
ス数を照射した後、レーザ発振を停止し、ステージを移
動させ、ステージの停止と同時に再び光路を遮蔽しｎ＋
１番目のレーザの発振開始を待っているが、図３に示す
ようにステージ移動期間の後半に、光路を遮蔽しレーザ
の発振を開始することも可能である。また図１におい
て、レーザ光の遮蔽装置１３は光路１７の中程に位置し
ているが、ミラー、レンズ等の光学素子の寿命を延ばす
ために、なるべく光源１１の近くに設置するのが望まし
い。

【００２２】図３に示す制御チャートに対応する光遮蔽
装置の実施の形態を図４を用いて説明する。本遮蔽装置
１３はその中心を軸に、駆動用のモータなどにより一定
速度で回転する。ビーム光路２２は、遮蔽部２３によっ
て遮られ、透過部２４がビーム光路にさしかかると透過
することができる。材質は紫外パルスレーザ、ＹＡＧレ
ーザ等の光源の波長によって、選ぶことが可能である
が、レーザ加熱等に耐え得る黒色に塗装された金属が望
ましい。本実施の形態では、アルミニウムを主成分とす
る合金に黒色塗料を塗装して用いた。透過部２４は空洞
とした。また、基準マーク２１を透過部２４と同様に空
孔で形成し、透過型の光センサを利用して、レーザ発振
開始時期と同期させることが可能である。一定速度で回
転する本光遮蔽装置１３はレーザの発振開始からＴ₁ 時
間後光路の遮蔽を解き光を透過する。その後Ｔ₂ 時間、
光を透過し、基板への照射を可能にした後Ｔ₃ 時間待
ち、光路を遮蔽する。光路の遮蔽からＴ₄ 時間経過した
ところで、基準マーク２１が透過型光センサ位置に到達
し、再度レーザが発振を開始する。なお、このときステ
ージ１８はＴ₁ 時間の間で停止し、Ｔ₃ 時間の間で動作
を開始する。

【００２３】次に、請求項２に該当する第２の実施の形
態について説明する。

【００２４】図５は、第２の実施形態例の、ビーム分配
手段を備えたパルスレーザ光照射装置の概略構成図、図
６は、図５における、レーザの発振から基板へのレーザ
の照射までの制御タイミングチャートの一実施例、図７
（Ａ）は、図５の一実施例の概略上面図、（Ｂ）は、
（Ａ）の光路側面図である。

【００２５】図５に示すパルスレーザ光照射装置は、パ
ルスレーザ光源３１、複数のミラー３２₁ ，３２₂ ，３
２ａ，３２ｂ、ビームホモジナイザ３４からなり、レー
ザ光路３７上にビームの分配手段３９を有する。ビーム
の分配手段３９は、ガラス基板３５ｂヘのレーザ供給を
行うミラー３２ｂを上下させることにより行い、ガラス
基板１５ａへの供給とを交互に選択することができる。
レーザの発振開始期間は図６によれば光路３７ａへのレ
ーザ供給を行っているが、発振強度が安定するまでは、
所望の基板への照射を避ける。発振強度が安定した後、
ビームの分配手段を用いてビームを光路３７ｂに変更す
る。このとき、ステージ３８ｂ上に配置されたガラス基
板３５ｂおよびその表面に堆積されているシリコン薄膜
３６ｂの所望の領域がレーザ光を照射される。このとき
ステージ３８ａはガラス基板３５ａ及びその表面に堆積
されているシリコン薄膜３６ａのレーザ照射されるべき
領域に移動する。所望のパルス数をガラス基板３５ｂ照
射した後、ビームの分配手段３９を用いてビームを光路
３７ａに変更する。この動作を繰り返すことにより、強
度の安定したビームをガラス基板１５ａおよびガラス基
板１５ｂを交互に照射することが可能になる。もちろん
パルスレーザの発振周期内の一停止時間内にビームの分
配手段３９が動作することが必要である。

【００２６】本実施の形態例を図７（Ａ）の概略上面図
を用いて説明する。図７（Ａ）は、パルスレーザとして
エキシマライザを用いて、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）
薄膜を結晶化するためのパルスレーザ光照射装置の一例
を示す。この装置は、真空排気可能な基板のロード／ア
ンロード室４７ａ，４７ｂ、基板搬送室４９、基板加熱
室４２ａ，４２ｂレーザ照射室４４ａ，４４ｂからな
る。

【００２７】図左側の機構を使って、基板の動きを示
す。シリコン薄膜３６ａを堆積したガラス基板３５ａは
ロード／アンロード室４７ａに投入され、基板搬送室４
９を介してロボットにより基板加熱室４２ａへ搬送され
る。ここでガラス基板３５ａは２００℃〜４００℃程度
に加熱された後、レーザ照射室４４ａに配置される。基
板３５ａを加熱する必要がなければ、基板加熱室４２ａ
を経由する必要はない。また、基板加熱室４２ａに非晶
質シリコン（ａ−Ｓｉ）の形成機構を付加すれば、ガラ
ス基板３５ａを投入したのち基板加熱室４２ａでａ−Ｓ
ｉ薄膜３６ａの形成、レーザ照射室４４ａでのレーザ結
晶化を大気にさらすことなく連続して行うことも可能で
ある。

【００２８】なお、図右側においても同様の機能を有す
る。以上のような真空装置に、エキシマレーザの供給経
路４１、回転式ビーム分配装置４６、ビーム導入窓４５
ａおよび４５ｂが配置されることによりエキシマレーザ
によるシリコン結晶化装置が構成される。エキシマレー
ザの供給経路４１から供給されるレーザは回転式ビーム
分配装置４６（すなわちミラーをある一定周期で回転さ
せること）によって光路４３および光路４３ｂへ周期的
に分配が可能となる。それぞれの光路に分配されたビー
ムはミラー３２ａあるいは３２ｂおよびビーム導入窓４
５ａあるいは４５ｂを介し、真空容器中に配置されたガ
ラス基板３６ａ，３６ｂ（シリコン薄膜が堆積されたも
の）に到達する。

【００２９】以上のように構成されたエキシマレーザに
よるシリコン結晶化装置を図６に示すタイミングチャー
トに沿って制御することにより、スループットの高いシ
リコン結晶化を実現できる。また本方法によれば、パル
スレーザの発振周期内の一停止時間内にビームの分配手
段３９が動作することが望ましいが、光路の構成上、分
配手段３９の動作が完了しない限り落射ミラーへのビー
ムの供給がなされないので、誤動作による照射ミスを防
ぐことが可能になる。

【００３０】

【実施例】図３の構成を用いて、レーザｏｆｆ動作とス
テージ動作開始タイミングおよびレーザ発振開始タイミ
ングとステージ停止タイミングをそれぞれ一致させた場
合のパルスレーザ光照射の実施例、並びに図６の構成の
実施例をそれぞれ従来技術と比較して、以下に示す。

【００３１】前提条件として、 照射領域数 １５００ （＝５０ｘ３０） 箇所／基板 レーザ発振周波数 １０ Ｈｚ 照射パルス数 １０ パルス／箇所 断続時の初期不安定パルス ５ パルス ステージの移動時間 １ 秒／１移動距離 とする。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、パルスレ
ーザ光の発振遮蔽等を制御する、あるいは光路の分配等
を制御する構造とすることにより、レーザビーム強度の
安定した照射を可能にすると共に、多結晶シリコン薄膜
形成に寄与することのない無駄なレーザ発振が減少し、
レーザ光源や励起ガスの寿命に対する多結晶シリコン薄
膜の生産性およびレーザ発振に要する電力等に対する多
結晶シリコン薄膜の生産効率が高くなり、その結果、レ
ーザ照射による改質コストの上昇を防ぐことが可能なパ
ルスレーザ光照射装置およびパルスレーザ光照射方法を
提供できる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のパルスレーザ光照射装置の一実施形態
例の概略構成図である。

【図２】図１における、レーザの発振から基板へのレー
ザの照射までの制御タイミングチャートの一実施例であ
る。

【図３】同じく制御タイミングチャートの第２の実施例
である。

【図４】図３の制御タイミングチャートに対応する光遮
蔽装置の光進行に直角方向の模式断面図である。

【図５】第２の実施形態例の、ビーム分配手段を備えた
パルスレーザ光照射装置の概略構成図である。

【図６】図５における、レーザの発振から基板へのレー
ザの照射までの制御タイミングチャートの一実施例であ
る。

【図７】（Ａ）は、図５の一実施例の概略上面図、
（Ｂ）は、（Ａ）の光路側面図である。

【図８】（Ａ）は、従来例の一制御タイミングチャー
ト、（Ｂ）は、従来例の第２の制御タイミングチャー
ト、（Ｃ）は、従来例の第３の制御タイミングチャート
である。

【符号の説明】

１１，３１ パルスレーザ光源 １２，３２₁ ，３２₂ ，３２ａ，３２ｂ ミラー １３ 光遮蔽装置 １４，３４ ビームホモジナイザ １５，３５ａ，３５ｂ ガラス基板 １６，３６ａ，３６ｂ シリコン薄膜 １７，３７ａ，３７ｂ，４３ａ，４３ｂ 光路 １８，３８ａ，３８ｂ ステ−ジ ２１ 基準マーク ２２ ビーム光路 ２３ 遮蔽部 ２４ 透過部 ３９ ビ−ムの分配手段 ４１ ビ−ム供給経路 ４２ａ，４２ｂ 加熱室／ａ−Ｓｉ形成室 ４４ａ，４４ｂ 照射室 ４５ａ，４５ｂ ビーム導入窓 ４６ 回転式ビーム分配装置 ４７ａ，４７ｂ ロード／アンロード室 ４９ 基板搬送室

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも一つのパルスレーザ光源と、
   前記パルスレーザ光源から発振されたレーザ光を前記レ
   ーザ光の１回の照射範囲よりも大きな基板に照射するた
   めの前記レーザ光または前記基板の移動走査機構とを有
   し、さらに前記パルスレーザ光源から基板上の照射箇所
   までの間に少なくとも一つのレーザ光の遮蔽装置を有す
   るパルスレーザ光照射装置において、 前記基板上のｎ−１番目の照射範囲からｎ番目の照射範
   囲への移行期間にパルスレーザの発振を停止する期間を
   置き、かつ、ｎ番目の照射のために再発振されたパルス
   レーザの初期パルス部が前記遮蔽装置により遮蔽される
   ように制御されることを特徴とするパルスレーザ光照射
   装置。
2. 【請求項２】 少なくとも一つのパルスレーザ光源と、
   前記パルスレーザ光源から発振されたレーザ光を前記レ
   ーザ光の１照射範囲よりも大きな基板に照射するための
   前記レーザ光または前記基板の移動走査機構とを有する
   パルスレーザ光照射装置において、 前記パルスレーザ光源から発振されたレーザ光を所定の
   時間に応じて複数の光路に分解するための分配手段を有
   し、前記分配された光路の延長上に前記移動機構を有
   し、 前記分配手段はレーザ光を第１の光路及び第２の光路へ
   と順次供給し、それぞれの光路の延長上にある基板上の
   照射領域は、任意のレーザ照射光を受けた後次の照射光
   を供給されるまでの間に、所望の位置に移動することを
   特徴とするパルスレーザ光照射装置。
3. 【請求項３】 パルスレーザ光源から発振されるレーザ
   光の波長が４００ｎｍ以下である、請求項１または２記
   載のパルスレーザ光照射装置。
4. 【請求項４】 パルスレーザ光源がエキシマレーザであ
   る、請求項１または２記載のパルスレーザ光照射装置。
5. 【請求項５】 半導体材料にパルスレーザ光を照射する
   パルスレーザ光照射方法において、 前記パルスレーザ光の１照射範囲は照射されるべき前記
   半導体材料の大きさよりも小さく、前記半導体材料全面
   もしくは任意の領域へのレーザ照射は、数パルス照射と
   照射領域の移動とを順次繰り返し、かつ、前記パルスレ
   ーザ光源は前記移動にあわせて一定の周期で発振期間と
   停止期間を繰り返し、かつ前記ｎ番目の発振期間の一部
   期間に発振されたレーザ光が前記ｎ番目の照射領域に照
   射されることを特徴とするパルスレーザ光照射方法。
6. 【請求項６】 前記半導体材料は、シリコンまたは前記
   レーザ光を透過する誘電体とシリコンとの積層物であ
   る、請求項５記載のパルスレーザ光照射方法。