JPH10308623A - ビーム形成回路 - Google Patents
ビーム形成回路Info
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- JPH10308623A JPH10308623A JP9115603A JP11560397A JPH10308623A JP H10308623 A JPH10308623 A JP H10308623A JP 9115603 A JP9115603 A JP 9115603A JP 11560397 A JP11560397 A JP 11560397A JP H10308623 A JPH10308623 A JP H10308623A
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- Japan
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- forming circuit
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- line
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
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- H05K1/0298—Multilayer circuits
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- Waveguides (AREA)
- Variable-Direction Aerials And Aerial Arrays (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ビーム形成回路の小型化とＭＭＩＣ移相器等
を一体形成する高密度実装化、および接続コネクタまた
は接続ケーブル用いないビーム形成回路を実現する。 【解決手段】 分配回路と合成回路をそれぞれに地導体
層をもつマイクロストリップ線路にて構成され、上記地
導体層間にＭＭＩＣ移相器またはＭＭＩＣ減衰器等の制
御信号線路を配置するための任意の厚さの基板層が設け
られ、分配信号端子と合成信号端子とをＶＩＡホールに
て構成することで、電力合成器と電力分配器とを接続す
るための接続コネクタを不要にし、構成が簡単で、また
部品点数が少ないビーム形成回路を一体化多層基板で実
現することを可能とした。
を一体形成する高密度実装化、および接続コネクタまた
は接続ケーブル用いないビーム形成回路を実現する。 【解決手段】 分配回路と合成回路をそれぞれに地導体
層をもつマイクロストリップ線路にて構成され、上記地
導体層間にＭＭＩＣ移相器またはＭＭＩＣ減衰器等の制
御信号線路を配置するための任意の厚さの基板層が設け
られ、分配信号端子と合成信号端子とをＶＩＡホールに
て構成することで、電力合成器と電力分配器とを接続す
るための接続コネクタを不要にし、構成が簡単で、また
部品点数が少ないビーム形成回路を一体化多層基板で実
現することを可能とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は複数チャンネルの
信号に対して複数サービスエリアに対する電波を受信ま
たは送信するマルチビームアンテナを実現するために、
アンテナを所望の励振振幅、位相で給電するためのビー
ム形成回路に関するものである。
信号に対して複数サービスエリアに対する電波を受信ま
たは送信するマルチビームアンテナを実現するために、
アンテナを所望の励振振幅、位相で給電するためのビー
ム形成回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来例として例えばＥｌｉ Ｂｒ
ｏｏｋｎｅｒ”ＰｒａｃｔｉｃａｌＰｈａｓｅｄ−Ａｒ
ｒａｙ Ａｎｔｅｎｎａ Ｓｙｓｔｅｍｓ”，Ａｒｔｅ
ｃｈＨｏｕｓｅ，１９９１，ｐ１−７図１−１３に示す
１ビーム形成用のビーム形成回路を複数ビーム用に変更
した図であり、図において１は誘電体基板、２はマイク
ロストリップ線路、４は電力分配器、５は電力合成器、
６は地導体、１２はコネクタまたはケーブルを示す。
ｏｏｋｎｅｒ”ＰｒａｃｔｉｃａｌＰｈａｓｅｄ−Ａｒ
ｒａｙ Ａｎｔｅｎｎａ Ｓｙｓｔｅｍｓ”，Ａｒｔｅ
ｃｈＨｏｕｓｅ，１９９１，ｐ１−７図１−１３に示す
１ビーム形成用のビーム形成回路を複数ビーム用に変更
した図であり、図において１は誘電体基板、２はマイク
ロストリップ線路、４は電力分配器、５は電力合成器、
６は地導体、１２はコネクタまたはケーブルを示す。
【０００３】次に動作について説明する。一個のアンテ
ナで複数サービスエリアに対して電波を受信または送信
する方式として、複数の放射素子を有するアレーアンテ
ナを用いたマルチビームアンテナがある。アレーアンテ
ナは各放射素子を励振する振幅、位相を所望の値に設定
することにより、任意の方向にビームを形成することが
可能である。更に、各素子に対して複数の励振振幅、位
相を有する信号を合成して励振することにより複数のビ
ームを形成することが可能である。従って、マルチビー
ムアンテナを実現するために各素子を励振するための給
電回路であるビーム形成回路は複数個のビームに対する
入力信号に対してそれぞれ異なる電力分配器４を設け
て、所望の励振振幅、位相に分配した後、各素子に対す
る出力信号をそれぞれ合成する電力合成器５を設けて合
成した後、電力合成回路５の出力により各素子を励振す
る。従来のビーム形成回路は上記電力分配器４および電
力合成器５をそれぞれ設けて、各出力端子をコネクタま
たはケーブル１２により接続する必要がある。
ナで複数サービスエリアに対して電波を受信または送信
する方式として、複数の放射素子を有するアレーアンテ
ナを用いたマルチビームアンテナがある。アレーアンテ
ナは各放射素子を励振する振幅、位相を所望の値に設定
することにより、任意の方向にビームを形成することが
可能である。更に、各素子に対して複数の励振振幅、位
相を有する信号を合成して励振することにより複数のビ
ームを形成することが可能である。従って、マルチビー
ムアンテナを実現するために各素子を励振するための給
電回路であるビーム形成回路は複数個のビームに対する
入力信号に対してそれぞれ異なる電力分配器４を設け
て、所望の励振振幅、位相に分配した後、各素子に対す
る出力信号をそれぞれ合成する電力合成器５を設けて合
成した後、電力合成回路５の出力により各素子を励振す
る。従来のビーム形成回路は上記電力分配器４および電
力合成器５をそれぞれ設けて、各出力端子をコネクタま
たはケーブル１２により接続する必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のビーム形成回路
は上記のように構成されているので、電力合成器と電力
分配器とを接続するための、接続コネクタまたは接続ケ
ーブルが必要となり、構成が複雑となり、また部品点数
が非常に多くなる問題点があった。
は上記のように構成されているので、電力合成器と電力
分配器とを接続するための、接続コネクタまたは接続ケ
ーブルが必要となり、構成が複雑となり、また部品点数
が非常に多くなる問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、電力合成器と電力分配器とを接
続するための接続コネクタを不要にし、構成が簡単で、
また部品点数が少ないビーム形成回路を得ることを目的
としている。
ためになされたもので、電力合成器と電力分配器とを接
続するための接続コネクタを不要にし、構成が簡単で、
また部品点数が少ないビーム形成回路を得ることを目的
としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明によるビーム
形成回路は、複数の誘電体層からなる一体化された誘電
体基板と、上記基板の一方の平面上に設けられ、入力端
子の入力信号をＭ（Ｍは２以上の整数）個の分配信号端
子に分配するＮ（Ｎは２以上の整数）個の分配回路を形
成するマイクロストリップ線路と、上記基板のもう一方
の平面上に設けられ、上記のＮ個の合成信号端子を合成
するＭ個の合成回路を形成するマイクロストリップ線路
と、上記各々のマイクロストリップ線路の地導体間に設
けられ、ＤＣ線路をプリントした複数層からなる誘電体
基板とで構成され、上記分配信号端子と合成信号端子を
層が構成される基板平面に対して垂直方向に上記各々の
地導体およびＤＣ線路と接触しないようにＶＩＡホール
またはスルーホールを誘電体基板内部に具備したことを
特徴とするビーム形成回路である。
形成回路は、複数の誘電体層からなる一体化された誘電
体基板と、上記基板の一方の平面上に設けられ、入力端
子の入力信号をＭ（Ｍは２以上の整数）個の分配信号端
子に分配するＮ（Ｎは２以上の整数）個の分配回路を形
成するマイクロストリップ線路と、上記基板のもう一方
の平面上に設けられ、上記のＮ個の合成信号端子を合成
するＭ個の合成回路を形成するマイクロストリップ線路
と、上記各々のマイクロストリップ線路の地導体間に設
けられ、ＤＣ線路をプリントした複数層からなる誘電体
基板とで構成され、上記分配信号端子と合成信号端子を
層が構成される基板平面に対して垂直方向に上記各々の
地導体およびＤＣ線路と接触しないようにＶＩＡホール
またはスルーホールを誘電体基板内部に具備したことを
特徴とするビーム形成回路である。
【０００７】第２の発明によるビーム形成回路は、第１
の発明において、上記マイクロストリップ線路が形成さ
れる基板面が薄膜基板にて構成されることを特徴とする
ビーム形成回路である。
の発明において、上記マイクロストリップ線路が形成さ
れる基板面が薄膜基板にて構成されることを特徴とする
ビーム形成回路である。
【０００８】第３の発明によるビーム形成回路は、第１
または２の発明において、分配信号端子と合成信号端子
とを接続するＶＩＡホールを中心とする同心円上にマイ
クロストリップ線路の地導体と同電位となるＶＩＡホー
ルを複数本（２本以上）形成したことを特徴とするビー
ム形成回路である。
または２の発明において、分配信号端子と合成信号端子
とを接続するＶＩＡホールを中心とする同心円上にマイ
クロストリップ線路の地導体と同電位となるＶＩＡホー
ルを複数本（２本以上）形成したことを特徴とするビー
ム形成回路である。
【０００９】第４の発明によるビーム形成回路は、第
１，２または３の発明において、移相器または減衰器を
配置するための空孔と、上記移相器または減衰器を制御
する信号線路をＤＣ線路を構成する誘電体層に設けたこ
とを特徴とするビーム形成回路である。
１，２または３の発明において、移相器または減衰器を
配置するための空孔と、上記移相器または減衰器を制御
する信号線路をＤＣ線路を構成する誘電体層に設けたこ
とを特徴とするビーム形成回路である。
【００１０】
実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１を示すビ
ーム形成回路の構成図であり、図１において１は誘電体
基板、２はマイクロストリップ線路、３はＶＩＡホー
ル、４は分配器、５は合成器、６は地導体を示す。
ーム形成回路の構成図であり、図１において１は誘電体
基板、２はマイクロストリップ線路、３はＶＩＡホー
ル、４は分配器、５は合成器、６は地導体を示す。
【００１１】この発明によるビーム形成回路は、複数の
誘電体層からなる一体化された誘電体基板１と、上記基
板１の一方の平面上に設けられ、入力端子の入力信号を
Ｍ（Ｍは２以上の整数）個の分配信号端子に分配するＮ
（Ｎは２以上の整数）個の分配回路４を形成するマイク
ロストリップ線路２と、上記基板１のもう一方の平面上
に設けられ、上記のＮ個の合成信号端子を合成するＭ個
の合成回路５を形成するマイクロストリップ線路２と、
上記各々のマイクロストリップ線路２の地導体６間に設
けられ、ＤＣ線路８をプリントした複数層からなる誘電
体基板１とで構成され、上記分配信号端子と合成信号端
子を層が構成される基板平面に対して垂直方向に上記各
々の地導体６およびＤＣ線路８と接触しないようにＶＩ
Ａホール３またはスルーホールを誘電体基板内部に具備
したことを特徴とするビーム形成回路である。
誘電体層からなる一体化された誘電体基板１と、上記基
板１の一方の平面上に設けられ、入力端子の入力信号を
Ｍ（Ｍは２以上の整数）個の分配信号端子に分配するＮ
（Ｎは２以上の整数）個の分配回路４を形成するマイク
ロストリップ線路２と、上記基板１のもう一方の平面上
に設けられ、上記のＮ個の合成信号端子を合成するＭ個
の合成回路５を形成するマイクロストリップ線路２と、
上記各々のマイクロストリップ線路２の地導体６間に設
けられ、ＤＣ線路８をプリントした複数層からなる誘電
体基板１とで構成され、上記分配信号端子と合成信号端
子を層が構成される基板平面に対して垂直方向に上記各
々の地導体６およびＤＣ線路８と接触しないようにＶＩ
Ａホール３またはスルーホールを誘電体基板内部に具備
したことを特徴とするビーム形成回路である。
【００１２】この実施の形態１を実現するために、ビー
ム形成回路は複数層の基板で一体化構成され、分配回路
と合成回路はそれぞれに地導体層をもつマイクロストリ
ップ線路２にて構成され、ＲＦの信号を流す役割をし、
上記地導体６層間の複数層からなる誘電体基板層にはＤ
Ｃ線路８がプリントされており、本ビーム形成回路が接
続される機器への電源やバイアス線路としての役割をす
る。
ム形成回路は複数層の基板で一体化構成され、分配回路
と合成回路はそれぞれに地導体層をもつマイクロストリ
ップ線路２にて構成され、ＲＦの信号を流す役割をし、
上記地導体６層間の複数層からなる誘電体基板層にはＤ
Ｃ線路８がプリントされており、本ビーム形成回路が接
続される機器への電源やバイアス線路としての役割をす
る。
【００１３】実施の形態２．図２はこの発明の実施の形
態２を示すビーム形成回路の構成図であり、図２におい
て１は誘電体基板、２はマイクロストリップ線路、３は
ＶＩＡホール、４は分配器、５は合成器、６は地導体、
７は薄膜を示す。
態２を示すビーム形成回路の構成図であり、図２におい
て１は誘電体基板、２はマイクロストリップ線路、３は
ＶＩＡホール、４は分配器、５は合成器、６は地導体、
７は薄膜を示す。
【００１４】この実施の形態２のビーム形成回路は、実
施の形態１で使用する複数層からなる基板のそれぞれの
露出面について表面粗さが細かい薄膜７処理を施し、マ
イクロストリップ線路２をその表面上に形成し、これに
より、高周波数で用いる場合、マイクロストリップの導
体損失が少なくなり、ＲＦ特性の改善が実現できる。
施の形態１で使用する複数層からなる基板のそれぞれの
露出面について表面粗さが細かい薄膜７処理を施し、マ
イクロストリップ線路２をその表面上に形成し、これに
より、高周波数で用いる場合、マイクロストリップの導
体損失が少なくなり、ＲＦ特性の改善が実現できる。
【００１５】実施の形態３．図３はこの発明の実施の形
態３を示すビーム形成回路のＶＩＡホール部分の断面構
成図であり、ビーム形成回路の構成は図２と同様であ
る。図３において１は誘電体基板、２はマイクロストリ
ップ線路、３はＶＩＡホール、６は地導体を示す。
態３を示すビーム形成回路のＶＩＡホール部分の断面構
成図であり、ビーム形成回路の構成は図２と同様であ
る。図３において１は誘電体基板、２はマイクロストリ
ップ線路、３はＶＩＡホール、６は地導体を示す。
【００１６】この実施の形態３は、実施の形態１または
２で示したマイクロストリップ線路の分配信号端子と合
成信号端子とを接続するＶＩＡホール３を中心とし、同
心円上にマイクロストリップ線路２の地導体６と同電位
となるＶＩＡホール３を複数本（２本以上）形成し、こ
れにより、ＲＦ信号のＶＩＡホール３で構成される垂直
変換部での反射、損失を抑えることができる。
２で示したマイクロストリップ線路の分配信号端子と合
成信号端子とを接続するＶＩＡホール３を中心とし、同
心円上にマイクロストリップ線路２の地導体６と同電位
となるＶＩＡホール３を複数本（２本以上）形成し、こ
れにより、ＲＦ信号のＶＩＡホール３で構成される垂直
変換部での反射、損失を抑えることができる。
【００１７】実施の形態４．図４はこの発明の実施の形
態４を示すビーム形成回路の構成図である。図４におい
て１は誘電体基板、２はマイクロストリップ線路、３は
ＶＩＡホール、４は分配器、５は合成器、６は地導体、
７は薄膜、９はＭＭＩＣ移相器またはＭＭＩＣ減衰器用
の空孔を示す。
態４を示すビーム形成回路の構成図である。図４におい
て１は誘電体基板、２はマイクロストリップ線路、３は
ＶＩＡホール、４は分配器、５は合成器、６は地導体、
７は薄膜、９はＭＭＩＣ移相器またはＭＭＩＣ減衰器用
の空孔を示す。
【００１８】図５はこの発明の実施の形態４を示すＭＭ
ＩＣ移相器またはＭＭＩＣ減衰器の制御信号線路を示す
断面構成図であり、ビーム形成回路の構成は図２と同様
である。図５において１は誘電体基板、２はマイクロス
トリップ線路、３はＶＩＡホール、６は地導体、８はＭ
ＭＩＣ移相器またはＭＭＩＣ減衰器の制御信号線路、９
はＭＭＩＣ移相器またはＭＭＩＣ減衰器用の空孔、１０
はＭＭＩＣ移相器またはＭＭＩＣ減衰器、１１はリボン
またはワイヤを示す。
ＩＣ移相器またはＭＭＩＣ減衰器の制御信号線路を示す
断面構成図であり、ビーム形成回路の構成は図２と同様
である。図５において１は誘電体基板、２はマイクロス
トリップ線路、３はＶＩＡホール、６は地導体、８はＭ
ＭＩＣ移相器またはＭＭＩＣ減衰器の制御信号線路、９
はＭＭＩＣ移相器またはＭＭＩＣ減衰器用の空孔、１０
はＭＭＩＣ移相器またはＭＭＩＣ減衰器、１１はリボン
またはワイヤを示す。
【００１９】この実施の形態４は、移相器または減衰器
を配置するための空孔９と、上記移相器または減衰器を
制御する信号線路８をＤＣ線路を構成する誘電体層に設
け、ＭＭＩＣ化された移相器または減衰器を装荷し、こ
れらを動作させるバイアス線路をＤＣ線路の層に設ける
ことで、能動素子が一体化されたビーム形成回路の小型
化が可能となる。
を配置するための空孔９と、上記移相器または減衰器を
制御する信号線路８をＤＣ線路を構成する誘電体層に設
け、ＭＭＩＣ化された移相器または減衰器を装荷し、こ
れらを動作させるバイアス線路をＤＣ線路の層に設ける
ことで、能動素子が一体化されたビーム形成回路の小型
化が可能となる。
【００２０】
【発明の効果】第１の発明によれば、任意の方向にビー
ムを形成し、更に、各素子に対して複数の励振振幅、位
相を有する信号を合成して励振することにより複数のビ
ームを形成することが可能なマルチビームアンテナの給
電回路であるビーム形成回路として、多層基板で構成さ
れる基板の表面及び裏面に形成されたＲＦ信号を伝送す
る分配回路と合成回路をＶＩＡホールまたはスルーホー
ルで接続することにより、コネクタまたはケーブルによ
る接続をしないで部品点数の削減を図り、複数のビーム
の形成を行い、小型化及び高密度実装を実現できるビー
ム形成回路を構成することを可能にした。
ムを形成し、更に、各素子に対して複数の励振振幅、位
相を有する信号を合成して励振することにより複数のビ
ームを形成することが可能なマルチビームアンテナの給
電回路であるビーム形成回路として、多層基板で構成さ
れる基板の表面及び裏面に形成されたＲＦ信号を伝送す
る分配回路と合成回路をＶＩＡホールまたはスルーホー
ルで接続することにより、コネクタまたはケーブルによ
る接続をしないで部品点数の削減を図り、複数のビーム
の形成を行い、小型化及び高密度実装を実現できるビー
ム形成回路を構成することを可能にした。
【００２１】第２の発明によれば、形態１のビーム形成
回路と構成は同じであり、マイクロストリップ線路のパ
ターンが形成される基板表面を薄膜構成とすることによ
り、特に、周波数がＫａ帯からミリ波帯で使用するビー
ム形成回路としては伝送損失の低減が実現できるビーム
形成回路を構成することを可能にした。
回路と構成は同じであり、マイクロストリップ線路のパ
ターンが形成される基板表面を薄膜構成とすることによ
り、特に、周波数がＫａ帯からミリ波帯で使用するビー
ム形成回路としては伝送損失の低減が実現できるビーム
形成回路を構成することを可能にした。
【００２２】第３の発明によれば、形態１または２のビ
ーム形成回路の分配信号端子と合成信号端子を接続する
ＶＩＡホールの同心円上に地導体と同電位のＶＩＡホー
ルを複数本設けることで同軸線路を模擬することがで
き、特に、基板の厚さが波長に比較して無視できないよ
うなＫａ帯からミリ波帯で使用するビーム形成回路とし
て用いる場合に、マイクロストリップ線路との整合を図
り、マイクロストリップ線路の地導体間の複数層で構成
される基板間への電波の洩れ込みを抑制でき、伝送損失
の低減するビーム形成回路を構成することを可能にし
た。
ーム形成回路の分配信号端子と合成信号端子を接続する
ＶＩＡホールの同心円上に地導体と同電位のＶＩＡホー
ルを複数本設けることで同軸線路を模擬することがで
き、特に、基板の厚さが波長に比較して無視できないよ
うなＫａ帯からミリ波帯で使用するビーム形成回路とし
て用いる場合に、マイクロストリップ線路との整合を図
り、マイクロストリップ線路の地導体間の複数層で構成
される基板間への電波の洩れ込みを抑制でき、伝送損失
の低減するビーム形成回路を構成することを可能にし
た。
【００２３】第４の発明によれば、形態１，２または３
に記載のビーム形成回路において、合成信号端子と分配
回路との間で、マイクロストリップ線路を分断してマイ
クロストリップ線路の基板厚さと同じ深さの空孔を基板
上に設け、移相器または減衰器を上記空孔の中に配置す
ることで同一基板上に複数の移相器または減衰器等の素
子を実装し、これらを制御する制御線路も同基板内に一
体構成し、高密度実装することを可能にした。
に記載のビーム形成回路において、合成信号端子と分配
回路との間で、マイクロストリップ線路を分断してマイ
クロストリップ線路の基板厚さと同じ深さの空孔を基板
上に設け、移相器または減衰器を上記空孔の中に配置す
ることで同一基板上に複数の移相器または減衰器等の素
子を実装し、これらを制御する制御線路も同基板内に一
体構成し、高密度実装することを可能にした。
【図１】 この発明によるビーム形成回路の実施の形態
１を示す図である。
１を示す図である。
【図２】 この発明によるビーム形成回路の実施の形態
２を示す図である。
２を示す図である。
【図３】 この発明によるビーム形成回路の実施の形態
３を示す図である。
３を示す図である。
【図４】 この発明によるビーム形成回路の実施の形態
４を示す図である。
４を示す図である。
【図５】 この発明によるビーム形成回路の実施の形態
４を示す図である。
４を示す図である。
【図６】 従来のビーム形成回路の構成図である。
１ 誘電体基板、２ マイクロストリップ線路、３ Ｖ
ＩＡホール、４ 分配器、５ 合成器、６ 地導体、７
薄膜、８ 移相器または減衰器の制御信号線路、９
移相器または減衰器用の空孔、１０ 移相器または減衰
器、１１ リボンまたはワイヤ、１２ コネクタまたは
ケーブル。
ＩＡホール、４ 分配器、５ 合成器、６ 地導体、７
薄膜、８ 移相器または減衰器の制御信号線路、９
移相器または減衰器用の空孔、１０ 移相器または減衰
器、１１ リボンまたはワイヤ、１２ コネクタまたは
ケーブル。
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の誘電体層からなる一体化された誘
電体基板と、上記基板の一方の平面上に設けられ、入力
端子の入力信号をＭ（Ｍは２以上の整数）個の分配信号
端子に分配するＮ（Ｎは２以上の整数）個の分配回路を
形成するマイクロストリップ線路と、上記基板のもう一
方の平面上に設けられ、上記のＮ個の合成信号端子を合
成するＭ個の合成回路を形成するマイクロストリップ線
路と、上記各々のマイクロストリップ線路の地導体間に
設けられ、ＤＣ線路をプリントした複数層からなる誘電
体基板とで構成され、上記分配信号端子と合成信号端子
を層が構成される基板平面に対して垂直方向に上記各々
の地導体およびＤＣ線路と接触しないようにＶＩＡホー
ルまたはスルーホールを誘電体基板内部に具備したこと
を特徴とするビーム形成回路。 - 【請求項２】 上記マイクロストリップ線路が形成され
る基板面が薄膜基板にて構成されることを特徴とする請
求項１記載のビーム形成回路。 - 【請求項３】 分配信号端子と合成信号端子とを接続す
るＶＩＡホールを中心とする同心円上にマイクロストリ
ップ線路の地導体と同電位となるＶＩＡホールを複数本
（２本以上）形成したことを特徴とする請求項１または
２記載のビーム形成回路。 - 【請求項４】 移相器または減衰器を配置するための空
孔と、上記移相器または減衰器を制御する信号線路とを
ＤＣ線路を構成する誘電体層に設けたことを特徴とする
請求項１，２または３記載のビーム形成回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9115603A JPH10308623A (ja) | 1997-05-06 | 1997-05-06 | ビーム形成回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9115603A JPH10308623A (ja) | 1997-05-06 | 1997-05-06 | ビーム形成回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10308623A true JPH10308623A (ja) | 1998-11-17 |
Family
ID=14666726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9115603A Pending JPH10308623A (ja) | 1997-05-06 | 1997-05-06 | ビーム形成回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10308623A (ja) |
-
1997
- 1997-05-06 JP JP9115603A patent/JPH10308623A/ja active Pending
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