JPH10308639A - 高周波増幅回路、送信回路及び受信回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 携帯電話機などが備える高周波増幅器におい
て、増幅率が変えられる構成とした場合に、簡単な構成
で良好な特性が得られるようにする。 【解決手段】 高周波信号路を複数並列に配置し、それ
ぞれの高周波信号路に、トランジスタよりなる増幅素子
Ｑ１１，Ｑ１２を設け、各高周波路の増幅素子に独立に
バイアス信号を与えると共に、少なくとも１つの高周波
信号路に、上記増幅素子と直列に接続されたスイッチ手
段Ｓ１１を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば携帯電話機
などの無線通信機が備える増幅器に適用して好適な高周
波増幅器や、この高周波増幅器を有する送信回路や受信
回路に関する。

【０００２】

【従来の技術】携帯電話機などの無線通信機において
は、送信する信号を高い効率で増幅して良好な送信がで
きるようにする必要があると共に、受信した信号を低消
費電力で増幅して受信感度を良好にする必要がある。こ
こで、携帯電話機などの無線通信機においては、相手の
局との通信状態が一定ではないため、送信回路や受信回
路の増幅器の増幅率を、そのときの通信状態に応じて変
化させる必要がある。

【０００３】このような増幅率が制御される従来の高周
波増幅器の一例を図１３に示す。この回路は増幅素子と
して、第１の増幅素子Ｑ１と第２の増幅素子Ｑ２とが並
列に接続されて、両増幅素子Ｑ１，Ｑ２で入力信号（例
えば送信信号又は受信信号）の増幅を行うようにしたも
ので、増幅率を大きくするとき、両増幅素子Ｑ１，Ｑ２
で増幅を行い、増幅率を小さくするとき、第１の増幅素
子Ｑ１だけで増幅を行うようにした回路である。

【０００４】以下、この回路について説明すると、入力
端子１に得られる高周波信号を入力整合回路２に供給
し、この入力整合回路２の出力を、コンデンサＣ１を介
して第１の増幅素子である電界効果トランジスタＱ１の
ゲートに接続すると共に、コンデンサＣ２を介して第２
の増幅素子である電界効果トランジスタＱ２のゲートに
接続する。

【０００５】トランジスタＱ１のゲートには、端子３か
ら抵抗器Ｒ１を介して常時トランジスタＱ１をオンさせ
るゲートバイアス電圧Ｖg,onを供給する。トランジスタ
Ｑ２のゲートには、スイッチＳ１により選択されたバイ
アス電圧を、抵抗器Ｒ２を介して供給する。このスイッ
チＳ１の一方の固定接点Ｔoff は、抵抗器Ｒ３，Ｒ４の
直列回路を介して接地してあり、両抵抗器Ｒ３，Ｒ４で
設定されたトランジスタＱ２をオフさせるゲートバイア
ス電圧Ｖg,off が、スイッチＳ１の一方の固定接点Ｔof
f に得られる。また、スイッチＳ１の他方の固定接点Ｔ
onは、抵抗器Ｒ３，Ｒ４の接続中点に接続してあり、抵
抗器Ｒ４で設定されたトランジスタＱ２をオンさせるゲ
ートバイアス電圧Ｖg,onが、スイッチＳ１の他方の固定
接点Ｔonに得られる。従って、スイッチＳ１の可動接点
が一方の固定接点Ｔoff と接続状態のとき、トランジス
タＱ２はオフ状態となり、他方の固定接点Ｔonと接続状
態のとき、トランジスタＱ２はオン状態となる。このス
イッチＳ１の切換制御は、送信電力制御部（又は受信電
力制御部）７からの送信（受信）電力制御情報により制
御される。即ち、送信（受信）電力を高くする場合に、
スイッチＳ１が他方の固定接点Ｔonと接続状態となり、
送信（受信）電力を低くする場合に、スイッチＳ１が一
方の固定接点Ｔoff と接続状態となる。

【０００６】各トランジスタＱ１，Ｑ２のソースは接地
させてあり、ドレインは共通に接続されて、出力整合回
路５に接続してあり、各トランジスタＱ１，Ｑ２で増幅
された信号が出力整合回路５に供給され、この出力整合
回路５で整合された増幅出力が出力端子６に得られる。
ここで、各トランジスタＱ１，Ｑ２のドレインには、端
子４からドレインバイアス電圧Ｖd をコイルＬ１を介し
て供給するようにしてある。

【０００７】この図１３に示す回路では、増幅動作が制
御されるトランジスタＱ２のゲートバイアスを切換え
て、トランジスタＱ２の制御を行う構成としてあり、ト
ランジスタＱ２がオフ状態のときには、定消費電力化を
図ることができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図１３に示
す回路構成で高周波増幅器を構成した場合、バイアス電
圧の切換えにより、電力利得の不連続性が生じる問題が
あった。図１４は、図１３に示す構成の高周波増幅器
で、トランジスタＱ２のオン・オフを切換えた場合の利
得を示す図で、横軸を出力電力、縦軸を利得とした特性
図である。この例では、トランジスタＱ２のゲートバイ
アスの切換えにより、利得が約１．３ｄＢ変化してい
る。

【０００９】このような利得の不連続性は、例えば無線
通信装置のような利得の安定性や出力電力の安定性が要
求される装置においては、大きな問題となる。この問題
を解決するために、本出願人は先に、図１３に示す高周
波増幅器の前段に、利得可変回路を設けて、利得変動分
を補償するものを提案した。

【００１０】しかしながら、利得可変回路を高周波増幅
器の前段に設けると、それだけ送信回路や受信回路の構
成が複雑になると共に、その利得可変回路で利得を制御
するための制御回路が必要で、例えば携帯型の無線通信
装置に組み込む場合には、その回路サイズが大きくなっ
て、装置の小型化を阻む要因になってしまう。また、利
得の制御を行う必要があるため、増幅電力を変化させる
ための制御構成についても複雑化してしまう問題があっ
た。

【００１１】本発明はかかる点に鑑み、この種の高周波
増幅器において、増幅率が変えられる構成とした場合
に、簡単な構成で良好な特性が得られるようにすること
を目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに本発明は、高周波信号路を複数並列に配置し、それ
ぞれの高周波信号路に、トランジスタよりなる増幅素子
を設け、各高周波路の増幅素子に独立にバイアス信号を
与えると共に、少なくとも１つの高周波信号路に、上記
増幅素子と直列に接続されたスイッチ手段を設けたもの
である。

【００１３】かかる構成とすることで、増幅素子と直列
に接続されたスイッチ手段の制御で、その増幅素子のオ
ン・オフを制御することができる。この場合、増幅素子
をオフ状態としたときには、このオフ状態の増幅素子が
ある高周波信号路が、増幅回路からカットされることに
なり、オフ状態の増幅素子の信号路による帰還回路の影
響で、利得が変化することがなくなる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施例を、
図１及び図２を参照して説明する。

【００１５】本例においては、無線電話システム用の通
信端末（携帯電話機）の送信回路及び受信回路に適用さ
れる高周波増幅器に適用したものである。まず図２を参
照して、本例の高周波増幅器が適用される通信端末の全
体構成について説明する。受信系の構成としては、アン
テナ１０１で受信した信号を分波器１０２を介して受信
回路部１１０に供給する。この受信回路部１１０は、入
力信号を増幅する受信増幅器１１１と、この増幅器１１
１の出力を中間周波信号に変換するミキサ１１２と、ミ
キサ１１２で変換された中間周波信号を増幅する中間周
波利得可変増幅器１１３と、この増幅器１１３の出力を
復調する復調器１１４とで構成され、復調器１１４で復
調された受信データを、ベースバンド信号処理部１０４
に供給する。

【００１６】なお、ミキサ１１２には、受信周波数に対
応した周波数信号が、ローカル発振器１０３から供給さ
れ、一定周波数の中間周波信号に変換される。中間周波
利得可変増幅器１１３での増幅利得は、この増幅器１１
３の出力を受信電力測定回路１０５で測定した結果に基
づいて制御される。

【００１７】送信系の構成としては、ベースバンド信号
処理部１０４で生成された送信データを、送信回路部１
２０にて送信処理した後、分波器１０２を介してアンテ
ナ１０１に供給し、無線送信させる。送信回路部１２０
の構成としては、ベースバンド信号処理部１０４から供
給される送信データを変調する変調器１２１と、変調器
１２１で送信用に変調された信号を増幅する利得可変増
幅器１２２と、増幅器１２２で増幅された信号を送信周
波数に周波数変換するミキサ１２３と、ミキサ１２３の
出力を増幅する無線周波可変利得増幅器１２４と、増幅
器１２４の出力をさらに増幅する送信電力増幅器１２５
とで構成され、送信電力増幅器１２５の出力を分波器１
０２を介してアンテナ１０１に供給する。

【００１８】この送信回路１２０の利得可変増幅器１２
２及び１２４での利得は、送信電力制御回路１０７の制
御に基づいて設定される。この送信電力制御回路１０７
での制御状態は、受信電力測定回路１０５で測定した受
信電力や、この端末の通信動作を制御する中央制御装置
（ＣＰＵ）１０６などからの指令に基づいて設定され
る。

【００１９】このように構成される通信端末の送信回路
部や受信回路部が備える各増幅器として、図１に示す高
周波増幅器が適用される。この増幅器は増幅素子として
第１の増幅素子（トランジスタＱ１１）と第２の増幅素
子（トランジスタＱ１２）とを備えて、第１の増幅素子
は常時増幅動作を行い、第２の増幅素子は選択的に増幅
動作を行い、この第２の増幅素子の選択で増幅信号の電
力制御を行うように構成した増幅器である。

【００２０】以下、その構成について説明すると、入力
端子１１に得られる高周波信号を入力整合回路１２に供
給し、この入力整合回路１２の出力部を、コンデンサＣ
１１を介して第１の増幅素子である電界効果トランジス
タＱ１１のゲートに接続すると共に、スイッチＳ１１と
コンデンサＣ１２を介して第２の増幅素子である電界効
果トランジスタＱ１２のゲートに接続する。スイッチＳ
１１は、電力制御情報生成部１０から供給される電力制
御情報により、開閉が制御される高周波スイッチで、後
述するスイッチＳ１２の切換えに連動して開閉が制御さ
れる。この電力制御情報生成部１０は、送信回路部の増
幅器の場合には送信電力制御回路１０７に相当し、受信
回路部の増幅器の場合には受信電力測定回路１０５に相
当する。

【００２１】各トランジスタＱ１１，Ｑ１２のソースは
接地してあり、ドレインは共通に接続されて、所定電圧
Ｖｄが得られる端子１５が、ドレインバイアス回路１６
を介して各ドレインに接続してあり、ドレイン電流Ｉdm
axが各ドレインに供給される。トランジスタＱ１１のゲ
ートには、端子１７から抵抗器Ｒ１１を介して常時トラ
ンジスタＱ１１をオンさせるゲートバイアス電圧Ｖg,on
を供給する。トランジスタＱ１２のゲートには、スイッ
チＳ１２により選択されたバイアス電圧を、抵抗器Ｒ１
２を介して供給する。

【００２２】スイッチＳ１２の一方の固定接点Ｔoff
は、抵抗器Ｒ１３，Ｒ１４の直列回路を介して接地して
あり、両抵抗器Ｒ１３，Ｒ１４で設定されたトランジス
タＱ１２をオフさせるゲートバイアス電圧Ｖg,off が、
スイッチＳ１２の一方の固定接点Ｔoff に得られる。ま
た、スイッチＳ１２の他方の固定接点Ｔonは、抵抗器Ｒ
１３，Ｒ１４の接続中点に接続してあり、抵抗器Ｒ１４
で設定されたトランジスタＱ１２をオンさせるゲートバ
イアス電圧Ｖg,onが、スイッチＳ１２の他方の固定接点
Ｔonに得られる。なお、トランジスタＱ１２をオフさせ
るゲートバイアス電圧Ｖg,off は、トランジスタＱ１２
のピンチオフ電圧Ｖpf以下の値とする。

【００２３】従って、スイッチＳ１２の可動接点が一方
の固定接点Ｔoff と接続状態のとき、トランジスタＱ１
２はオフ状態となり、他方の固定接点Ｔonと接続状態の
とき、トランジスタＱ１２はオン状態となる。このスイ
ッチＳ１２の切換制御は、電力制御情報生成部１０から
の電力制御情報により制御される。即ち、送信（受信）
電力を高くする場合に、スイッチＳ１２が他方の固定接
点Ｔonと接続状態となり、送信（受信）電力を低くする
場合に、スイッチＳ１２が一方の固定接点Ｔoff と接続
状態となる。

【００２４】また、電力制御情報生成部１０からの電力
制御情報によりスイッチＳ１２を他方の固定接点Ｔonと
接続させたとき、スイッチＳ１１がオン状態（接続状
態）になり、スイッチＳ１２を一方の固定接点Ｔoff と
接続させたとき、スイッチＳ１１がオフ状態（非接続状
態）になる。

【００２５】各トランジスタＱ１１，Ｑ１２の共通に接
続されたドレインは、出力整合回路１３に接続してあ
り、各トランジスタＱ１１，Ｑ１２で増幅された信号が
出力整合回路１３に供給され、この出力整合回路１３で
整合された増幅出力が出力端子１４に得られる。

【００２６】この図１に示す構成の増幅器とすること
で、例えばこの高周波増幅器の出力電力を高くすると
き、スイッチＳ１１をオン状態とすると共に、スイッチ
Ｓ１２を他方の固定接点Ｔonと接続させることで、増幅
素子であるトランジスタＱ１２で増幅動作が行われ、ト
ランジスタＱ１１での増幅動作と合わせることで、高い
電力増幅が行われる。そして、この高周波増幅器の出力
電力を低くするとき、スイッチＳ１１をオフ状態とする
と共に、スイッチＳ１２を一方の固定接点Ｔoff と接続
させることで、トランジスタＱ１２では増幅動作が行わ
れず、トランジスタＱ１１だけで増幅動作が行われるこ
とになる。

【００２７】このようにトランジスタＱ１２のゲートバ
イアス電圧で、このトランジスタＱ１２のオン・オフを
制御して、出力電力の制御を行っているので、トランジ
スタＱ１２がオフ状態のときには、定消費電力化を図る
ことができる。そして本例においては、トランジスタＱ
２がオフ状態のときには、高周波スイッチＳ１１がオフ
状態になって、トランジスタＱ１２の回路が増幅器から
切り離されることなり、このオフ状態のトランジスタＱ
１２による帰還回路が発生せず、オフ状態のトランジス
タＱ１２の影響による利得の変化が発生しない。従っ
て、本例の増幅器の場合には、従来例で図１４で説明し
たような増幅素子の切換時の利得変化は発生せず、増幅
素子の切換があっても電力利得の連続性が保たれる。

【００２８】次に、本発明の第２の実施例を、図３を参
照して説明する。この第２の実施例に対応した図３にお
いて、第１の実施例の図１に対応する部分には同一符号
を付し、その詳細説明は省略する。また、この第２の実
施例以降の各実施例では、増幅器の回路構成についての
み説明するが、それぞれの実施例の増幅器が適用される
装置については、第１の実施例で説明したものと同じで
ある。即ち、例えば図２に示す通信端末の送信回路や受
信回路に、各実施例の増幅器を適用することができるも
のである。

【００２９】以下、図３を参照して第２の実施例の回路
について説明すると、この例の場合には、入力整合回路
１２の出力部を、コンデンサＣ２１を介して第１の増幅
素子である電界効果トランジスタＱ２１のゲートに接続
すると共に、スイッチＳ２１とコンデンサＣ２２を介し
て第２の増幅素子である電界効果トランジスタＱ２２の
ゲートに接続する。スイッチＳ２１は、電力制御情報生
成部１０から供給される電力制御情報により、開閉が制
御される高周波スイッチで、後述するスイッチＳ２２の
切換えに連動して開閉が制御される。

【００３０】トランジスタＱ２１のゲートには、端子２
１から抵抗器Ｒ２１を介してトランジスタＱ２１をオン
させるゲートバイアス電圧Ｖg,onを供給する。トランジ
スタＱ２１のソースは接地してあり、ドレインはコンデ
ンサＣ２３を介して出力整合回路１３に接続してある。
また、所定電圧Ｖｄが得られる端子２２が、ドレインバ
イアス回路２３を介してトランジスタＱ２１のドレイン
に接続してあり、ドレイン電流ＩdmaxがトランジスタＱ
２１のドレインに供給される。

【００３１】トランジスタＱ２２のゲートには、端子２
４から抵抗器Ｒ２２を介してトランジスタＱ２２をオン
させるゲートバイアス電圧Ｖg,onを供給する。トランジ
スタＱ２２のソースは接地してあり、ドレインはコンデ
ンサＣ２４を介して出力整合回路１３に接続してある。
また、所定電圧Ｖｄが得られる端子２５が、スイッチＳ
２２とドレインバイアス回路２６を介してトランジスタ
Ｑ２２のドレインに接続してあり、スイッチＳ２２がオ
ン状態のときに、ドレイン電流ＩdmaxがトランジスタＱ
２２のドレインに供給される。

【００３２】スイッチＳ２１のオン・オフと、スイッチ
Ｓ２２のオン・オフは、電力制御情報生成部１０の制御
で連動して切換わる。即ち、電力制御情報生成部１０か
らの電力制御情報により出力電力を大きくするとき、ス
イッチＳ２１及びＳ２２をオン状態（接続状態）とし、
出力電力を小さくするとき、スイッチＳ２１及びＳ２２
をオフ状態（非接続状態）にする。

【００３３】このように構成した本例の増幅器による
と、第２の増幅素子としてのトランジスタＱ２２のオン
・オフが、スイッチＳ２２によるドレインバイアス電圧
の制御で設定され、トランジスタＱ２２のオフ時の定消
費電力化を図ることができると共に、このトランジスタ
Ｑ２２のオフ時には、スイッチＳ２２に連動したスイッ
チＳ２１のオフ状態により、このオフ状態のトランジス
タＱ２２による帰還回路が増幅器に接続されない状態と
なり、オフ状態のトランジスタＱ２２の影響による利得
の変化が発生せず、増幅素子の切換があっても電力利得
の連続性が保たれる。

【００３４】次に、本発明の第３の実施例を、図４を参
照して説明する。この第３の実施例に対応した図４にお
いて、第１の実施例の図１に対応する部分には同一符号
を付し、その詳細説明は省略する。

【００３５】本例においては、入力整合回路１２の出力
部を、コンデンサＣ３１を介して第１の増幅素子である
電界効果トランジスタＱ３１のゲートに接続すると共
に、コンデンサＣ３２を介して第２の増幅素子である電
界効果トランジスタＱ３２のゲートに接続する。

【００３６】各トランジスタＱ３１，Ｑ３２のソースは
接地してあり、トランジスタＱ３１のドレインは出力整
合回路１３の入力部に直接接続してあり、トランジスタ
Ｑ３２のドレインは高周波スイッチＳ３１を介して出力
整合回路１３の入力部に接続してある。この出力整合１
３の入力部には、所定電圧Ｖｄが得られる端子３２が、
ドレインバイアス回路３３を介して接続してあり、ドレ
イン電流Ｉdmaxが各ドレインに供給される。スイッチＳ
３１は、電力制御情報生成部１０から供給される電力制
御情報により、開閉が制御される高周波スイッチで、後
述するスイッチＳ３２の切換えに連動して開閉が制御さ
れる。

【００３７】トランジスタＱ３１のゲートには、端子３
１から抵抗器Ｒ３１を介してトランジスタＱ３１をオン
させるゲートバイアス電圧Ｖg,onを供給する。トランジ
スタＱ３２のゲートには、スイッチＳ３２により選択さ
れたバイアス電圧を、抵抗器Ｒ３２を介して供給する。

【００３８】スイッチＳ３２の一方の固定接点Ｔoff
は、抵抗器Ｒ３３，Ｒ３４の直列回路を介して接地して
あり、両抵抗器Ｒ３３，Ｒ３４で設定されたトランジス
タＱ３２をオフさせるゲートバイアス電圧Ｖg,off が、
スイッチＳ３２の一方の固定接点Ｔoff に得られる。ま
た、スイッチＳ３２の他方の固定接点Ｔonは、抵抗器Ｒ
３３，Ｒ３４の接続中点に接続してあり、抵抗器Ｒ３４
で設定されたトランジスタＱ３２をオンさせるゲートバ
イアス電圧Ｖg,onが、スイッチＳ３２の他方の固定接点
Ｔonに得られる。なお、トランジスタＱ３２をオフさせ
るゲートバイアス電圧Ｖg,off は、トランジスタＱ３２
のピンチオフ電圧Ｖpf以下の値とする。

【００３９】従って、スイッチＳ３２の可動接点が一方
の固定接点Ｔoff と接続状態のとき、トランジスタＱ３
２はオフ状態となり、他方の固定接点Ｔonと接続状態の
とき、トランジスタＱ３２はオン状態となる。このスイ
ッチＳ３２の切換制御は、電力制御情報生成部１０から
の電力制御情報により制御される。即ち、送信（受信）
電力を高くする場合に、スイッチＳ３２が他方の固定接
点Ｔonと接続状態となり、送信（受信）電力を低くする
場合に、スイッチＳ３２が一方の固定接点Ｔoff と接続
状態となる。

【００４０】また、電力制御情報生成部１０からの電力
制御情報によりスイッチＳ３２を他方の固定接点Ｔonと
接続させたとき、増幅素子の後段に接続されたスイッチ
Ｓ３１がオン状態（接続状態）になり、スイッチＳ３２
を一方の固定接点Ｔoff と接続させたとき、スイッチＳ
３１がオフ状態（非接続状態）になる。

【００４１】この図４に示す構成の増幅器によると、第
２の増幅素子としてのトランジスタＱ３２のオン・オフ
が、スイッチＳ３２によるゲートバイアス電圧の制御で
設定され、定消費電力化を図ることができると共に、ス
イッチＳ２２に連動したスイッチＳ２１のオフ状態によ
り、このオフ状態のトランジスタＱ２２による帰還回路
が増幅器に接続されない状態となり、オフ状態のトラン
ジスタＱ２２の影響による利得の変化が発生せず、増幅
素子の切換があっても電力利得の連続性が保たれる。

【００４２】次に、本発明の第４の実施例を、図５を参
照して説明する。この第４の実施例に対応した図５にお
いて、第１の実施例の図１に対応する部分には同一符号
を付し、その詳細説明は省略する。

【００４３】本例においては、入力整合回路１２の出力
部を、コンデンサＣ４１を介して第１の増幅素子である
電界効果トランジスタＱ４１のゲートに接続すると共
に、コンデンサＣ４２を介して第２の増幅素子である電
界効果トランジスタＱ４２のゲートに接続する。

【００４４】トランジスタＱ４１のゲートには、端子４
１から抵抗器Ｒ４１を介してトランジスタＱ４１をオン
させるゲートバイアス電圧Ｖg,onを供給する。トランジ
スタＱ４２のゲートには、端子４２から抵抗器Ｒ４２を
介してトランジスタＱ４２をオンさせるゲートバイアス
電圧Ｖg,onを供給する。

【００４５】各トランジスタＱ４１，Ｑ４２のソースは
接地してあり、トランジスタＱ４１のドレインは出力整
合回路１３の入力部に直接接続してあり、トランジスタ
Ｑ４２のドレインは高周波スイッチＳ４１を介して出力
整合回路１３の入力部に接続してある。この出力整合１
３の入力部には、所定電圧Ｖｄが得られる端子４３が、
ドレインバイアス回路４４を介して接続してあり、ドレ
イン電流Ｉdmaxが各ドレインに供給される。スイッチＳ
４１は、電力制御情報生成部１０から供給される電力制
御情報により、開閉が制御される高周波スイッチであ
る。即ち、送信（受信）電力を高くする場合に、スイッ
チＳ４１がオン状態になり、送信（受信）電力を低くす
る場合に、スイッチＳ４１がオフ状態になる。

【００４６】この図５に示す構成の増幅器によると、第
２の増幅素子としてのトランジスタＱ４２のオン・オフ
が、スイッチＳ４１によるドレインバイアス電圧の制御
で設定され、定消費電力化を図ることができると共に、
このスイッチＳ４１をオフ状態とすることにより、この
オフ状態のトランジスタＱ４２による帰還回路が増幅器
に接続されない状態となり、オフ状態のトランジスタＱ
４２の影響による利得の変化が発生せず、増幅素子の切
換があっても電力利得の連続性が保たれる。

【００４７】次に、本発明の第５の実施例を、図６を参
照して説明する。この第５の実施例に対応した図６にお
いて、第１の実施例の図１に対応する部分には同一符号
を付し、その詳細説明は省略する。

【００４８】本例においては、入力整合回路１２の出力
部を、コンデンサＣ５１を介して第１の増幅素子である
電界効果トランジスタＱ５１のゲートに接続すると共
に、高周波スイッチＳ５１とコンデンサＣ５２を介して
第２の増幅素子である電界効果トランジスタＱ５２のゲ
ートに接続する。

【００４９】トランジスタＱ５１のゲートには、端子５
１から抵抗器Ｒ５１を介してトランジスタＱ５１をオン
させるゲートバイアス電圧Ｖg,onを供給する。トランジ
スタＱ５２のゲートには、スイッチＳ５３により選択さ
れたバイアス電圧を、抵抗器Ｒ５２を介して供給する。

【００５０】スイッチＳ５３の一方の固定接点Ｔoff
は、抵抗器Ｒ５３，Ｒ５４の直列回路を介して接地して
あり、両抵抗器Ｒ５３，Ｒ５４で設定されたトランジス
タＱ５２をオフさせるゲートバイアス電圧Ｖg,off が、
スイッチＳ５３の一方の固定接点Ｔoff に得られる。ま
た、スイッチＳ５３の他方の固定接点Ｔonは、抵抗器Ｒ
５３，Ｒ５４の接続中点に接続してあり、抵抗器Ｒ５４
で設定されたトランジスタＱ５２をオンさせるゲートバ
イアス電圧Ｖg,onが、スイッチＳ５３の他方の固定接点
Ｔonに得られる。なお、トランジスタＱ５２をオフさせ
るゲートバイアス電圧Ｖg,off は、トランジスタＱ５２
のピンチオフ電圧Ｖpf以下の値とする。

【００５１】各トランジスタＱ５１，Ｑ５２のソースは
接地してあり、トランジスタＱ５１のドレインは出力整
合回路１３の入力部に直接接続してあり、トランジスタ
Ｑ５２のドレインは高周波スイッチＳ５２を介して出力
整合回路１３の入力部に接続してある。この出力整合１
３の入力部には、所定電圧Ｖｄが得られる端子５２が、
ドレインバイアス回路５３を介して接続してあり、ドレ
イン電流Ｉdmaxが各ドレインに供給される。

【００５２】スイッチＳ５１，Ｓ５２は、電力制御情報
生成部１０から供給される電力制御情報により、開閉が
制御される高周波スイッチである。即ち、送信（受信）
電力を高くする場合に、スイッチＳ５１，Ｓ５２がオン
状態になり、送信（受信）電力を低くする場合に、スイ
ッチＳ５１，Ｓ５２がオフ状態になる。スイッチＳ５３
は、電力制御情報生成部１０から供給される電力制御情
報により、切換が制御されるスイッチで、送信（受信）
電力を高くする場合に、スイッチＳ５３の可動接点が他
方の固定接点Ｔonと接続され、送信（受信）電力を低く
する場合に、スイッチＳ５３の可動接点が一方の固定接
点Ｔoff と接続される構成としてある。

【００５３】従って、送信（受信）電力を低くする場合
には、スイッチＳ５３の可動接点が一方の固定接点Ｔof
f と接続状態になり、トランジスタＱ５２をオフさせる
ゲートバイアス電圧が供給され、トランジスタＱ５２が
オフ状態になると共に、スイッチＳ５１，Ｓ５２がオフ
状態となって、トランジスタＱ５１のゲート及びドレイ
ンが増幅器から切り離された状態になり、トランジスタ
Ｑ５１だけで増幅が行われることになる。また、送信
（受信）電力を高くする場合には、スイッチＳ５３の可
動接点が他方の固定接点Ｔonと接続状態になり、トラン
ジスタＱ５２をオンさせるゲートバイアス電圧が供給さ
れ、トランジスタＱ５２がオン状態になると共に、スイ
ッチＳ５１，Ｓ５２がオン状態となって、入力整合回路
１２と出力整合回路１３との間に、トランジスタＱ５２
による高周波信号路が接続された状態になり、トランジ
スタＱ５１，Ｑ５２による増幅が行われる。

【００５４】この図６に示す構成の増幅器によると、第
２の増幅素子としてのトランジスタＱ５２の入力段と出
力段の双方にスイッチが接続されることになり、このト
ランジスタＱ５２を作動させない場合には、このトラン
ジスタＱ５２による高周波信号路を完全に増幅器から切
り離すことができ、オフ状態のトランジスタＱ５２の影
響による利得の変化などをより完全に防ぐことができ
る。

【００５５】次に、本発明の第６の実施例を、図７を参
照して説明する。この第６の実施例に対応した図７にお
いて、第１の実施例の図１に対応する部分には同一符号
を付し、その詳細説明は省略する。

【００５６】本例においては、第１の実施例として説明
した図１の回路の高周波スイッチを、具体的なスイッチ
ング素子で構成したもので、入力端子１１に得られる高
周波信号を入力整合回路１２に供給し、この入力整合回
路１２の出力部を、スイッチ手段としての電界効果トラ
ンジスタＱ６１のドレイン・ソース間とコンデンサＣ６
１を介して、第１の増幅素子である電界効果トランジス
タＱ６２のゲートに接続する。また、入力整合回路１２
の出力部を、スイッチ手段としての電界効果トランジス
タＱ６３のドレイン・ソース間とコンデンサＣ６２を介
して、第２の増幅素子である電界効果トランジスタＱ６
４のゲートに接続する。そして、入力整合回路１２の出
力部には、トランジスタＱ６１，Ｑ６３用のバイアス電
圧を供給するためのコイルＬ６１が接続してある。

【００５７】ここで、トランジスタＱ６２に接続された
トランジスタＱ６１は、所定電圧Ｖｄが得られる端子６
１が、抵抗器Ｒ６１を介してゲートに接続してあり、常
時オン状態とされる。このトランジスタＱ６１は、トラ
ンジスタＱ６３との対称性を維持するために接続したも
のである。増幅素子であるトランジスタＱ６２のゲート
には、端子６２から抵抗器Ｒ６２を介して常時トランジ
スタＱ６２をオンさせるゲートバイアス電圧Ｖg,onを供
給する。

【００５８】トランジスタＱ６３は、第１の実施例での
スイッチＳ１１に相当するもので、電力制御情報生成部
１０からの制御情報に基づいて、制御回路１０ａで作成
された制御信号が、端子６３から抵抗器Ｒ６３を介して
ゲートに供給され、制御信号に基づいてオン・オフが制
御される。増幅素子であるトランジスタＱ６４のゲート
には、スイッチＳ６１により選択されたバイアス電圧
を、抵抗器Ｒ６４を介して供給する。

【００５９】スイッチＳ６１の一方の固定接点Ｔoff
は、抵抗器Ｒ６５，Ｒ６６の直列回路を介して接地して
あり、両抵抗器Ｒ６５，Ｒ６６で設定されたトランジス
タＱ６４をオフさせるゲートバイアス電圧Ｖg,off が、
スイッチＳ６１の一方の固定接点Ｔoff に得られる。ま
た、スイッチＳ６１の他方の固定接点Ｔonは、抵抗器Ｒ
６５，Ｒ６６の接続中点に接続してあり、抵抗器Ｒ６６
で設定されたトランジスタＱ６４をオンさせるゲートバ
イアス電圧Ｖg,onが、スイッチＳ６１の他方の固定接点
Ｔonに得られる。なお、トランジスタＱ６４をオフさせ
るゲートバイアス電圧Ｖg,off は、トランジスタＱ６４
のピンチオフ電圧Ｖpf以下の値とする。スイッチＳ６１
の可動接点の切換えは、制御回路１０ａで作成された制
御信号により実行される。

【００６０】増幅素子であるトランジスタＱ６２，Ｑ６
４のソースは接地してあり、ドレインは共通に接続され
て、出力整合回路１３の入力部に接続してあると共に、
所定電圧Ｖｄが得られる端子６４が、ドレインバイアス
回路６５を介して各ドレインに接続してあり、ドレイン
電流Ｉdmaxが各トランジスタＱ６２，Ｑ６４のドレイン
に供給される。

【００６１】そして、制御回路１０ａによるトランジス
タＱ６３のオン・オフ制御と、スイッチＳ６１の切換え
制御とを、第１の実施例の場合と同様に行うことで、第
１の増幅素子であるトランジスタＱ６２では常時増幅動
作が行われ、送信（受信）電力を高くする場合に、トラ
ンジスタＱ６４で増幅動作が行われる状態が設定され、
送信（受信）電力を低くする場合に、トランジスタＱ６
４がオフ状態になり、トランジスタＱ６２だけで増幅動
作が行われる状態になると共に、トランジスタＱ６３が
オフ状態になって、オフ状態のトランジスタＱ６４によ
る帰還回路が形成されない。従って、トランジスタＱ６
４がオフ時の定消費電力化を図ることができると共に、
オフ状態のトランジスタＱ６４の影響による利得の変化
が発生せず、出力利得の連続性が保たれる。

【００６２】次に、本発明の第７の実施例を、図８を参
照して説明する。この第７の実施例に対応した図８にお
いて、第６の実施例の図７に対応する部分には同一符号
を付し、その詳細説明は省略する。

【００６３】本例においては、第６の実施例として説明
した図７の回路のトランジスタＱ６３のドレイン電圧の
供給構成を変えたものである。この例では、第３の増幅
素子を設けたもので、この第３の増幅素子である電界効
果トランジスタＱ６５を、入力整合回路１２の直後に接
続して、このトランジスタＱ６５で増幅した信号を、第
１の増幅素子（トランジスタＱ６２）側と第２の増幅素
子（トランジスタＱ６４）側に供給する構成としてあ
る。

【００６４】即ち、入力整合回路１２の出力部を、コン
デンサＣ６３を介してトランジスタＱ６５のゲートに接
続し、端子６６に得られる所定電圧を抵抗器Ｒ６７を介
してゲートに供給する。そして、このトランジスタＱ６
５のソースを接地し、端子６７に得られる所定電圧をバ
イアス回路６８を介してドレインに供給する。このよう
にバイアス電圧が供給されるトランジスタＱ６５は、常
時オン状態となって増幅動作を行う。

【００６５】そして、このトランジスタＱ６５のドレイ
ンに得られる増幅信号を、整合回路６９を介して、トラ
ンジスタＱ６１及びＱ６３側に供給する。この場合、図
７の回路で設けたバイアス供給手段としてのコイルＬ６
１は設けない。その他の部分は、第６の実施例として説
明した図７の回路と同様に構成する。

【００６６】図８の構成の回路とすることで、スイッチ
手段としてのトランジスタＱ６３及び対称性を保持する
ためのトランジスタＱ６１のドレインバイアス電圧が、
第３の増幅素子としてのトランジスタＱ６５用のバイア
ス電圧供給手段であるバイアス回路６８から供給され
る。従って、それだけバイアス電圧を供給するための構
成を簡単にすることができる。

【００６７】次に、本発明の第８の実施例を、図９を参
照して説明する。この第８の実施例に対応した図９にお
いて、第１の実施例の図１に対応する部分には同一符号
を付し、その詳細説明は省略する。

【００６８】本例においては、入力端子１１に得られる
高周波信号を入力整合回路１２に供給し、この入力整合
回路１２の出力部を、スイッチ手段としての電界効果ト
ランジスタＱ７１のドレイン・ソース間とコンデンサＣ
７１を介して、第１の増幅素子である電界効果トランジ
スタＱ７２のゲートに接続する。また、入力整合回路１
２の出力部を、スイッチ手段としての電界効果トランジ
スタＱ７３のドレイン・ソース間とコンデンサＣ７３を
介して、第２の増幅素子である電界効果トランジスタＱ
７４のゲートに接続する。そして、入力整合回路１２の
出力部には、トランジスタＱ７１，Ｑ７３用のドレイン
バイアス電圧を供給するためのコイルＬ７１が接続して
ある。

【００６９】ここで、トランジスタＱ７２に接続された
トランジスタＱ７１は、所定電圧Ｖｄが得られる端子７
１が、抵抗器Ｒ７１を介してゲートに接続してあり、常
時オン状態とされる。このトランジスタＱ７１は、トラ
ンジスタＱ７３との対称性を維持するために接続したも
のである。増幅素子であるトランジスタＱ７２のゲート
には、端子７２から抵抗器Ｒ７２を介してトランジスタ
Ｑ７２をオンさせるゲートバイアス電圧Ｖg,onを供給す
る。トランジスタＱ７２のドレインには、所定電圧Ｖｄ
が得られる端子７３がバイアス回路７４を介して接続し
てあり、ドレインバイアス電圧が供給される。

【００７０】トランジスタＱ７３は、電力制御情報生成
部１０からの制御情報に基づいて、制御回路１０ａで作
成された制御信号が、端子７５から抵抗器Ｒ７３を介し
てゲートに供給され、制御信号に基づいてオン・オフが
制御される。増幅素子であるトランジスタＱ７４のゲー
トには、端子７６から抵抗器Ｒ７４を介してトランジス
タＱ７４をオンさせるゲートバイアス電圧Ｖg,onを供給
する。トランジスタＱ７４のドレインには、所定電圧Ｖ
ｄが得られる端子７７が、スイッチＳ７１とバイアス回
路７８を介して接続してあり、スイッチＳ７１がオン状
態のとき、ドレインバイアス電圧が供給される。このス
イッチＳ７１は、制御回路１０ａで作成された制御信号
に基づいてオン・オフが制御される。

【００７１】増幅素子である各トランジスタＱ７２，Ｑ
７４のドレインは、コンデンサＣ７２，Ｃ７４を介して
共通に接続されて、出力整合回路１３の入力部に接続さ
れる。制御回路１０ａによるトランジスタＱ７３のオン
・オフ制御と、スイッチＳ７１のオン・オフ制御は、ト
ランジスタＱ７４での増幅動作を行うとき、それぞれを
オン状態とし、トランジスタＱ７４での増幅動作を行わ
ないとき、それぞれをオフ状態とする。このオフ状態と
なることで、トランジスタＱ７４にはバイアス電圧が供
給されなくなり、トランジスタＱ７４がオフ状態にな
る。

【００７２】このように制御されることで、増幅素子の
選択で電力制御を行うことができると共に、トランジス
タＱ７４がオフ時には、このトランジスタＱ７４による
高周波信号路がスイッチ手段であるトランジスタＱ７３
で増幅器から切り離され、トランジスタＱ７４により帰
還回路が発生せず、オフ状態のトランジスタＱ７４の影
響による利得の変化が発生せず、出力利得の連続性が保
たれる。

【００７３】次に、本発明の第９の実施例を、図１０を
参照して説明する。この第９の実施例に対応した図１０
において、第１の実施例の図１に対応する部分には同一
符号を付し、その詳細説明は省略する。

【００７４】本例においては、入力端子１１に得られる
高周波信号を入力整合回路１２に供給し、この入力整合
回路１２の出力部を、コンデンサＣ８１を介して、第１
の増幅素子である電界効果トランジスタＱ８１のゲート
に接続する。また、入力整合回路１２の出力部を、コン
デンサＣ８２を介して、第２の増幅素子である電界効果
トランジスタＱ８３のゲートに接続する。

【００７５】トランジスタＱ８１は、所定電圧Ｖｄが得
られる端子８１が、抵抗器Ｒ８１を介してゲートに接続
してあり、常時オン状態とされる。このトランジスタＱ
８１のソースは接地してあり、トランジスタＱ８１のド
レインはスイッチ手段としての電界効果トランジスタＱ
８２のソース・ドレイン間を介して出力整合回路１３の
入力部に接続してある。トランジスタＱ８２は、後述す
るトランジスタＱ８４との対称性を保つために接続され
たもので、ゲートには所定電圧Ｖｄが得られる端子８２
が、抵抗器Ｒ８２を介して接続してあり、常時オン状態
とされる。

【００７６】第２の増幅素子である電界効果トランジス
タＱ８３のゲートには、スイッチＳ８１により選択され
たバイアス電圧を、抵抗器Ｒ８３を介して供給する。こ
のスイッチＳ８１の一方の固定接点Ｔoff は、抵抗器Ｒ
８４，Ｒ８５の直列回路を介して接地してあり、両抵抗
器Ｒ８４，Ｒ８５で設定されたトランジスタＱ８３をオ
フさせるゲートバイアス電圧Ｖg,off が、スイッチＳ８
１の一方の固定接点Ｔoff に得られる。また、スイッチ
Ｓ８１の他方の固定接点Ｔonは、抵抗器Ｒ８４，Ｒ８５
の接続中点に接続してあり、抵抗器Ｒ８５で設定された
トランジスタＱ８３をオンさせるゲートバイアス電圧Ｖ
g,onが、スイッチＳ８１の他方の固定接点Ｔonに得られ
る。なお、トランジスタＱ８３をオフさせるゲートバイ
アス電圧Ｖg,off は、トランジスタＱ８３のピンチオフ
電圧Ｖpf以下の値とする。スイッチＳ８１の可動接点の
切換えは、制御回路１０ａで作成された制御信号により
実行される。

【００７７】トランジスタＱ８３のソースは接地してあ
り、トランジスタＱ８３のドレインはスイッチ手段とし
ての電界効果トランジスタＱ８４のソース・ドレイン間
を介して出力整合回路１３の入力部に接続してある。ト
ランジスタＱ８４のゲートには、制御回路１０ａで作成
された制御信号が得られる端子８３が、抵抗器Ｒ８６を
介して接続してあり、制御信号によりオン・オフが制御
される。

【００７８】トランジスタＱ８２，Ｑ８４と出力整合回
路１３との間には、所定電圧Ｖｄが得られる端子８４が
バイアス回路８５を介して接続してあり、直接的に接続
された各トランジスタＱ８２，Ｑ８４にドレインバイア
ス電圧が供給されると共に、これらのトランジスタＱ８
２，Ｑ８４を介して、増幅素子であるトランジスタＱ８
１，Ｑ８３にもドレインバイアス電圧が供給される。

【００７９】制御回路１０ａによるトランジスタＱ８４
のオン・オフ制御と、スイッチＳ８１の切換制御は、ト
ランジスタＱ８３での増幅動作を行うとき、トランジス
タＱ８４をオン状態とすると共にスイッチＳ８１を他方
の固定接点Ｔonと接続させ、トランジスタＱ８３での増
幅動作を行わないとき、トランジスタＱ８４をオフ状態
とすると共にスイッチＳ８１を一方の固定接点Ｔoff と
接続させる。

【００８０】このように制御されることで、増幅素子の
選択で電力制御を行うことができると共に、トランジス
タＱ８３がオフ時には、このトランジスタＱ８３による
高周波信号路がスイッチ手段であるトランジスタＱ８４
で増幅器から切り離され、トランジスタＱ８３により帰
還回路が発生せず、オフ状態のトランジスタＱ８３の影
響による利得の変化が発生せず、出力利得の連続性が保
たれる。

【００８１】次に、本発明の第１０の実施例を、図１１
を参照して説明する。この第１０の実施例に対応した図
１１において、第９の実施例の図１０に対応する部分に
は同一符号を付し、その詳細説明は省略する。

【００８２】本例においては、第９の実施例として説明
した図１０の回路の第２の増幅素子であるトランジスタ
Ｑ８３のゲートに、常時オン状態とするゲートバイアス
電圧Ｖg,onを供給するようにして、このトランジスタＱ
８３の制御を、ドレイン電圧により行うようにしたもの
である。即ち、トランジスタＱ８３のゲートに、端子８
６に得られるゲートバイアス電圧Ｖg,onを、抵抗器Ｒ８
３を介して供給する構成とし、制御回路１０ａではトラ
ンジスタＱ８４の制御だけを行う。

【００８３】その他の部分は、第９の実施例として説明
した図１０の回路と同様に構成する。

【００８４】この図１１に示す回路の場合には、トラン
ジスタＱ８４をオン状態に制御したときには、増幅素子
であるトランジスタＱ８３のドレインに、バイアス回路
８６からドレインバイアス電圧が供給され、トランジス
タＱ８３がオン状態になって、増幅動作が行われる。そ
して、トランジスタＱ８４をオフ状態に制御したときに
は、トランジスタＱ８３とバイアス回路８６とが接続さ
れない状態になり、トランジスタＱ８３のドレインにバ
イアス信号が供給されなくなり、このトランジスタＱ８
３がオフ状態になる。従って、第９の実施例で説明した
図１０の回路と同様の動作制御が行われることになり、
増幅素子の選択で電力制御を行うことができると共に、
トランジスタＱ８３がオフ時には、このトランジスタＱ
８３による高周波信号路がスイッチ手段であるトランジ
スタＱ８４で増幅器から切り離され、トランジスタＱ８
３により帰還回路が発生せず、オフ状態のトランジスタ
Ｑ８３の影響による利得の変化が発生せず、出力利得の
連続性が保たれる。

【００８５】次に、本発明の第１１の実施例を、図１２
を参照して説明する。この第１１の実施例に対応した図
１２において、第１の実施例の図１に対応する部分には
同一符号を付し、その詳細説明は省略する。

【００８６】本例においては、入力端子１１に得られる
高周波信号を入力整合回路１２に供給し、この入力整合
回路１２の出力部を、スイッチ手段としての電界効果ト
ランジスタＱ９１のドレイン・ソース間とコンデンサＣ
９１を介して、第１の増幅素子である電界効果トランジ
スタＱ９２のゲートに接続する。また、入力整合回路１
２の出力部を、スイッチ手段としての電界効果トランジ
スタＱ９４のドレイン・ソース間とコンデンサＣ９２を
介して、第２の増幅素子である電界効果トランジスタＱ
９５のゲートに接続する。

【００８７】トランジスタＱ９１は、所定電圧Ｖｄが得
られる端子９１が、抵抗器Ｒ９１を介してゲートに接続
してあり、常時オン状態とされる。このトランジスタＱ
９１は、トランジスタＱ９４との対称性を維持するため
に接続したものである。増幅素子であるトランジスタＱ
９２のゲートには、端子９２から抵抗器Ｒ９２を介して
トランジスタＱ９２をオンさせるゲートバイアス電圧Ｖ
g,onを供給する。トランジスタＱ９２のドレインには、
スイッチ手段としての電界効果トランジスタＱ９３のソ
ース・ドレイン間を介して、出力整合回路１３の入力部
に接続してある。トランジスタＱ９３は、後述するトラ
ンジスタＱ９６との対称性を保つために接続されたもの
で、ゲートには所定電圧Ｖｄが得られる端子９３が、抵
抗器Ｒ９３を介して接続してあり、常時オン状態とされ
る。

【００８８】トランジスタＱ９４は、電力制御情報生成
部１０からの制御情報に基づいて、制御回路１０ａで作
成された制御信号Ｖctl1が、端子９４から抵抗器Ｒ９４
を介してゲートに供給され、制御信号に基づいてオン・
オフが制御される。増幅素子であるトランジスタＱ９５
のゲートには、スイッチＳ９１により選択されたバイア
ス電圧を、抵抗器Ｒ９５を介して供給する。このスイッ
チＳ９１の一方の固定接点Ｔoff は、抵抗器Ｒ９６，Ｒ
９７の直列回路を介して接地してあり、両抵抗器Ｒ９
６，Ｒ９７で設定されたトランジスタＱ９５をオフさせ
るゲートバイアス電圧Ｖg,off が、スイッチＳ９１の一
方の固定接点Ｔoff に得られる。また、スイッチＳ９１
の他方の固定接点Ｔonは、抵抗器Ｒ９６，Ｒ９７の接続
中点に接続してあり、抵抗器Ｒ９７で設定されたトラン
ジスタＱ９５をオンさせるゲートバイアス電圧Ｖg,on
が、スイッチＳ９１の他方の固定接点Ｔonに得られる。
なお、トランジスタＱ９５をオフさせるゲートバイアス
電圧Ｖg,off は、トランジスタＱ９５のピンチオフ電圧
Ｖpf以下の値とする。スイッチＳ９１の可動接点の切換
えは、制御回路１０ａで作成された制御信号Ｖctl2によ
り実行される。

【００８９】トランジスタＱ９５のドレインには、スイ
ッチ手段としての電界効果トランジスタＱ９６のソース
・ドレイン間を介して、出力整合回路１３の入力部に接
続してある。トランジスタＱ９６のゲートには、制御回
路１０ａで作成された制御信号Ｖctl1が得られる端子９
５が、抵抗器Ｒ９８を介して接続してあり、制御信号に
よりオン・オフが制御される。

【００９０】トランジスタＱ９３，Ｑ９６と出力整合回
路１３との間には、所定電圧Ｖｄが得られる端子９６が
バイアス回路９７を介して接続してあり、直接的に接続
された各トランジスタＱ９３，Ｑ９６にドレインバイア
ス電圧が供給されると共に、これらのトランジスタＱ９
３，Ｑ９６を介して、増幅素子であるトランジスタＱ９
２，Ｑ９５にもドレインバイアス電圧が供給される。

【００９１】制御回路１０ａによるトランジスタＱ９
４，Ｑ９６のオン・オフ制御と、スイッチＳ９１の切換
制御は、トランジスタＱ９５での増幅動作を行うとき、
トランジスタＱ９４，Ｑ９６をオン状態とすると共にス
イッチＳ９１を他方の固定接点Ｔonと接続させ、トラン
ジスタＱ９５での増幅動作を行わないとき、トランジス
タＱ９４，Ｑ９６をオフ状態とすると共にスイッチＳ９
１を一方の固定接点Ｔoff と接続させる。

【００９２】このように制御されることで、増幅素子の
選択で電力制御を行うことができると共に、トランジス
タＱ９５がオフ時には、このトランジスタＱ９５による
高周波信号路がスイッチ手段であるトランジスタＱ９
４，Ｑ９６で増幅器から切り離され、トランジスタＱ９
５により帰還回路が発生せず、オフ状態のトランジスタ
Ｑ８３の影響による利得の変化が発生せず、出力利得の
連続性が保たれる。

【００９３】なお、上述した各実施例では、増幅器の構
成として、常時増幅動作を行う第１の増幅素子が接続さ
れた高周波信号路と、選択的に増幅動作を行う第２の増
幅素子が接続された高周波信号路とを並列接続した構成
としたが、選択的に増幅動作を行う第２の増幅素子が接
続された高周波信号路を複数並列に接続して、電力利得
の可変範囲がより大きくなるように構成しても良い。

【００９４】また、上述した各実施例では、増幅素子と
して電界効果トランジスタを使用したが、バイポーラト
ランジスタなどの他の増幅素子を使用した増幅器にも適
用できることは勿論である。

【００９５】

【発明の効果】本発明の高周波増幅器によると、増幅素
子をスイッチ手段によりオフ状態としたときには、この
オフ状態の増幅素子がある高周波信号路が、増幅回路か
らカットされることになり、オフ状態の増幅素子の信号
路による帰還回路の影響で、利得が変化することがなく
なり、高周波信号路の選択により増幅利得を変化させた
場合に利得が不連続になることを阻止することができ
る。

【００９６】また本発明の送信回路によると、送信信号
を増幅するいずれかの高周波信号路の増幅素子をスイッ
チ手段によりオフ状態としたときには、このオフ状態の
増幅素子がある高周波信号路が、増幅回路からカットさ
れることになり、オフ状態の増幅素子の信号路による帰
還回路の影響で、送信信号の利得が変化することがなく
なり、高周波信号路の選択により増幅利得を変化させた
場合に、送信信号の利得が不連続になることを阻止する
ことができ、送信信号の利得を良好に設定することが可
能になる。

【００９７】また本発明の受信回路によると、受信信号
を増幅するいずれかの高周波信号路の増幅素子をスイッ
チ手段によりオフ状態としたときには、このオフ状態の
増幅素子がある高周波信号路が、増幅回路からカットさ
れることになり、オフ状態の増幅素子の信号路による帰
還回路の影響で、受信信号の利得が変化することがなく
なり、高周波信号路の選択により増幅利得を変化させた
場合に、受信信号の利得が不連続になることを阻止する
ことができ、受信信号の利得を良好に設定することが可
能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の構成を示す回路図であ
る。

【図２】本発明の回路が適用される端末装置の例を示す
ブロック図である。

【図３】本発明の第２の実施例の構成を示す回路図であ
る。

【図４】本発明の第３の実施例の構成を示す回路図であ
る。

【図５】本発明の第４の実施例の構成を示す回路図であ
る。

【図６】本発明の第５の実施例の構成を示す回路図であ
る。

【図７】本発明の第６の実施例の構成を示す回路図であ
る。

【図８】本発明の第７の実施例の構成を示す回路図であ
る。

【図９】本発明の第８の実施例の構成を示す回路図であ
る。

【図１０】本発明の第９の実施例の構成を示す回路図で
ある。

【図１１】本発明の第１０の実施例の構成を示す回路図
である。

【図１２】本発明の第１１の実施例の構成を示す回路図
である。

【図１３】従来の高周波増幅器の一例を示す回路図であ
る。

【図１４】従来の高周波増幅器の特性図である。

【符号の説明】

１０ 電力制御情報生成部、１１ 入力端子、１２ 入
力整合回路、１３ 出力整合回路、１４ 出力端子、１
６，２３，２６，３３，４４，５３，６５，７４，７
８，８５ ドレインバイアス回路、１０７ 電力制御回
路、Ｑ１１，Ｑ１２，Ｑ２１，Ｑ２２，Ｑ３１，Ｑ３
２，Ｑ４１，Ｑ４２，Ｑ５１，Ｑ５２，Ｑ６２，Ｑ６
４，Ｑ７２，Ｑ７４，Ｑ８１，Ｑ８３，Ｑ９２，Ｑ９５
高周波増幅用電界効果トランジスタ、Ｓ１１，Ｓ１
２，Ｓ２１，Ｓ２２，Ｓ３１，Ｓ３２，Ｓ４１，Ｓ５
１，Ｓ５２，Ｓ５３，Ｓ６１，Ｓ７１，Ｓ８１ スイッ
チ

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 高周波信号路を複数並列に配置し、 それぞれの高周波信号路に、トランジスタよりなる増幅
   素子を設け、 上記各高周波路の増幅素子に独立にバイアス信号を与え
   ると共に、 少なくとも１つの高周波信号路に、上記増幅素子と直列
   に接続されたスイッチ手段を設けた高周波増幅器。
2. 【請求項２】 請求項１記載の高周波増幅器において、 上記増幅素子の高周波入力部に、上記スイッチ手段を接
   続するようにした高周波増幅器。
3. 【請求項３】 請求項１記載の高周波増幅器において、 上記増幅素子の高周波出力部に、上記スイッチ手段を接
   続するようにした高周波増幅器。
4. 【請求項４】 請求項１記載の高周波増幅器において、 上記増幅素子の高周波入力部と高周波出力部のそれぞれ
   に、上記スイッチ手段を接続するようにした高周波増幅
   器。
5. 【請求項５】 請求項１記載の高周波増幅器において、 上記単極単投スイッチのオン・オフに連動して、このス
   イッチ手段が接続された高周波路へのバイアス信号の供
   給を切換えるようにした高周波増幅器。
6. 【請求項６】 送信信号を増幅する高周波信号路を複数
   並列に配置し、 それぞれの高周波信号路に、トランジスタよりなる増幅
   素子を設け、 上記各高周波路の増幅素子に独立にバイアス信号を与え
   ると共に、 少なくとも１つの高周波信号路に、上記増幅素子と直列
   に接続されたスイッチ手段を設けた送信回路。
7. 【請求項７】 請求項６記載の送信回路において、 上記増幅素子の高周波入力部に、上記スイッチ手段を接
   続するようにした送信回路。
8. 【請求項８】 請求項６記載の送信回路において、 上記増幅素子の高周波出力部に、上記スイッチ手段を接
   続するようにした送信回路。
9. 【請求項９】 請求項６記載の送信回路において、 上記増幅素子の高周波入力部と高周波出力部のそれぞれ
   に、上記スイッチ手段を接続するようにした送信回路。
10. 【請求項１０】 請求項６記載の送信回路において、 上記スイッチ手段のオン・オフに連動して、このスイッ
    チが接続された高周波路へのバイアス信号の供給を切換
    えるようにした送信回路。
11. 【請求項１１】 受信信号を増幅する高周波信号路を複
    数並列に配置し、 それぞれの高周波信号路に、トランジスタよりなる増幅
    素子を設け、 上記各高周波路の増幅素子に独立にバイアス信号を与え
    ると共に、 少なくとも１つの高周波信号路に、上記増幅素子と直列
    に接続されたスイッチ手段を設けた受信回路。
12. 【請求項１２】 請求項１１記載の受信回路において、 上記増幅素子の高周波入力部に、上記スイッチ手段を接
    続するようにした受信回路。
13. 【請求項１３】 請求項１１記載の受信回路において、 上記増幅素子の高周波出力部に、上記スイッチ手段を接
    続するようにした受信回路。
14. 【請求項１４】 請求項１１記載の受信回路において、 上記増幅素子の高周波入力部と高周波出力部のそれぞれ
    に、上記スイッチ手段を接続するようにした受信回路。
15. 【請求項１５】 請求項１１記載の受信回路において、 上記スイッチ手段のオン・オフに連動して、このスイッ
    チが接続された高周波路へのバイアス信号の供給を切換
    えるようにした受信回路。