JPH10309032A - 過熱保護装置及びこれを用いた半導体スイッチ装置並びにインテリジェントパワーモジュール - Google Patents
過熱保護装置及びこれを用いた半導体スイッチ装置並びにインテリジェントパワーモジュールInfo
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- JPH10309032A JPH10309032A JP9111233A JP11123397A JPH10309032A JP H10309032 A JPH10309032 A JP H10309032A JP 9111233 A JP9111233 A JP 9111233A JP 11123397 A JP11123397 A JP 11123397A JP H10309032 A JPH10309032 A JP H10309032A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 駆動回路（パワーＭＯＳＦＥＴ）の過熱状態
が解消された場合には、遮断制御状態の即時解除又は電
力制限制御状態の即時解除を実行できる過熱保護装置１
０及びこれを用いた半導体スイッチ装置４０並びにイン
テリジェントパワーモジュール３０を提供することを課
題とする。 【解決手段】 負荷３２を駆動する駆動回路の活性状態
を監視し活性状態時において駆動回路の過熱状態を検出
した際に活性状態を解除して負荷３２の駆動を制限又は
遮断すると共に電力制限制御状態又は遮断状態を保持
し、所定周期を有するタイミング信号１０２ｂに同期し
て過熱状態を監視し監視時において過熱状態の解消を検
出した際に電力制限制御状態又は遮断状態を解消するた
めのゲート制御信号１０８ａを生成するように構成され
ている。
が解消された場合には、遮断制御状態の即時解除又は電
力制限制御状態の即時解除を実行できる過熱保護装置１
０及びこれを用いた半導体スイッチ装置４０並びにイン
テリジェントパワーモジュール３０を提供することを課
題とする。 【解決手段】 負荷３２を駆動する駆動回路の活性状態
を監視し活性状態時において駆動回路の過熱状態を検出
した際に活性状態を解除して負荷３２の駆動を制限又は
遮断すると共に電力制限制御状態又は遮断状態を保持
し、所定周期を有するタイミング信号１０２ｂに同期し
て過熱状態を監視し監視時において過熱状態の解消を検
出した際に電力制限制御状態又は遮断状態を解消するた
めのゲート制御信号１０８ａを生成するように構成され
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に関
し、特に、過熱保護装置及びこれを用いた半導体スイッ
チ装置並びにインテリジェントパワーモジュールに関す
る。
し、特に、過熱保護装置及びこれを用いた半導体スイッ
チ装置並びにインテリジェントパワーモジュールに関す
る。
【０００２】具体的には、入力端子を介して入力される
負荷駆動命令に応じて負荷を駆動すると共に、ゲート制
御信号に応じて負荷駆動電力を制限又は遮断する駆動回
路と、駆動回路の過熱状態を検出した際に過熱検出信号
を生成する過熱検出回路を有する半導体スイッチ装置に
関する。
負荷駆動命令に応じて負荷を駆動すると共に、ゲート制
御信号に応じて負荷駆動電力を制限又は遮断する駆動回
路と、駆動回路の過熱状態を検出した際に過熱検出信号
を生成する過熱検出回路を有する半導体スイッチ装置に
関する。
【０００３】又、入力端子を介して入力される負荷駆動
命令に応じて負荷を駆動すると共に、ゲート制御信号に
応じて負荷駆動電力を制限する駆動回路としてのパワー
ＭＯＳＦＥＴと、パワーＭＯＳＦＥＴの過熱状態を検出
するためにパワーＭＯＳＦＥＴの近傍に設けられた温度
検出用ダイオードと、過熱状態を検出した際に過熱検出
信号を生成するコンパレータを具備した過熱検出回路を
有するインテリジェントパワーモジュールに関する。
命令に応じて負荷を駆動すると共に、ゲート制御信号に
応じて負荷駆動電力を制限する駆動回路としてのパワー
ＭＯＳＦＥＴと、パワーＭＯＳＦＥＴの過熱状態を検出
するためにパワーＭＯＳＦＥＴの近傍に設けられた温度
検出用ダイオードと、過熱状態を検出した際に過熱検出
信号を生成するコンパレータを具備した過熱検出回路を
有するインテリジェントパワーモジュールに関する。
【０００４】
【従来の技術】図５は、過熱保護機能を有する従来のイ
ンテリジェントパワーモジュールを説明するための回路
図である。
ンテリジェントパワーモジュールを説明するための回路
図である。
【０００５】従来この種のインテリジェントパワースイ
ッチ回路は、図５に示すように、入力端子（図中端子
Ｇ）を介して入力される負荷駆動命令に応じて自動車等
の車両に搭載されるラジオや車両コンピュータ等の負荷
に、バッテリ（図示せず）に接続されたドレイン（図中
端子Ｄ、なお、ソースＳは接地電位に接続されている）
から電力を供給するパワーＭＯＳＦＥＴ５、パワーＭＯ
ＳＦＥＴ５における過熱状態を検知した際に過熱検出信
号を生成する温度検出回路１、過熱検出信号に応じてパ
ワーＭＯＳＦＥＴ５を不活性化させて保護する制御を実
行するためのゲート制御信号を生成する自己保持回路
２、ゲート制御信号に応じてパワーＭＯＳＦＥＴ５のゲ
ートに入力されている負荷駆動命令を遮断してパワーＭ
ＯＳＦＥＴ５の不活性化を実行するゲート遮断回路３を
有していた。
ッチ回路は、図５に示すように、入力端子（図中端子
Ｇ）を介して入力される負荷駆動命令に応じて自動車等
の車両に搭載されるラジオや車両コンピュータ等の負荷
に、バッテリ（図示せず）に接続されたドレイン（図中
端子Ｄ、なお、ソースＳは接地電位に接続されている）
から電力を供給するパワーＭＯＳＦＥＴ５、パワーＭＯ
ＳＦＥＴ５における過熱状態を検知した際に過熱検出信
号を生成する温度検出回路１、過熱検出信号に応じてパ
ワーＭＯＳＦＥＴ５を不活性化させて保護する制御を実
行するためのゲート制御信号を生成する自己保持回路
２、ゲート制御信号に応じてパワーＭＯＳＦＥＴ５のゲ
ートに入力されている負荷駆動命令を遮断してパワーＭ
ＯＳＦＥＴ５の不活性化を実行するゲート遮断回路３を
有していた。
【０００６】図６は、図５のインテリジェントパワーモ
ジュールにおける過熱保護装置の動作を説明するための
タイミングチャートである。
ジュールにおける過熱保護装置の動作を説明するための
タイミングチャートである。
【０００７】このような構成を有するインテリジェント
パワースイッチ回路においては、パワーＭＯＳＦＥＴ５
が負荷駆動命令に応じて負荷に電力（図６中、Ｖout_1
又はＶout_2参照）を供給している際に（則ち、負荷駆
動命令（図６中のＩＮ信号）がＯＮ状態を維持している
間に）、温度検出回路１がパワーＭＯＳＦＥＴ５におけ
る過熱状態を検知した場合（則ち、図６中の過熱検出信
号がＯＦＦ状態からＯＮ状態に遷移した場合）、自己保
持回路２が過熱検出信号に応じてゲート制御信号を生成
し、ゲート遮断回路３が内蔵抵抗４を介してゲート制御
信号に応じてパワーＭＯＳＦＥＴ５のゲートに入力され
ている負荷駆動命令を遮断してパワーＭＯＳＦＥＴ５の
不活性化を実行していた。
パワースイッチ回路においては、パワーＭＯＳＦＥＴ５
が負荷駆動命令に応じて負荷に電力（図６中、Ｖout_1
又はＶout_2参照）を供給している際に（則ち、負荷駆
動命令（図６中のＩＮ信号）がＯＮ状態を維持している
間に）、温度検出回路１がパワーＭＯＳＦＥＴ５におけ
る過熱状態を検知した場合（則ち、図６中の過熱検出信
号がＯＦＦ状態からＯＮ状態に遷移した場合）、自己保
持回路２が過熱検出信号に応じてゲート制御信号を生成
し、ゲート遮断回路３が内蔵抵抗４を介してゲート制御
信号に応じてパワーＭＯＳＦＥＴ５のゲートに入力され
ている負荷駆動命令を遮断してパワーＭＯＳＦＥＴ５の
不活性化を実行していた。
【０００８】具体的には、図６のＶout_1に示すよう
に、過熱検出信号の生成（則ち、ＯＦＦ状態からＯＮ状
態への遷移）に応じて、パワーＭＯＳＦＥＴ５から供給
されていた電力（図中、Ｖout_1）をＯＦＦ状態に遮断
する電力制御（則ち、スイッチング制御）が実行されて
いた。
に、過熱検出信号の生成（則ち、ＯＦＦ状態からＯＮ状
態への遷移）に応じて、パワーＭＯＳＦＥＴ５から供給
されていた電力（図中、Ｖout_1）をＯＦＦ状態に遮断
する電力制御（則ち、スイッチング制御）が実行されて
いた。
【０００９】この様なスイッチング制御の場合、電力Ｖ
out_1の遮断制御状態の解除は、負荷駆動命令（ＩＮ信
号）がＯＦＦ状態から再びＯＮ状態に遷移した際に自己
保持回路２がリセットされることに依り実行されてい
た。
out_1の遮断制御状態の解除は、負荷駆動命令（ＩＮ信
号）がＯＦＦ状態から再びＯＮ状態に遷移した際に自己
保持回路２がリセットされることに依り実行されてい
た。
【００１０】又従来のインテリジェントパワースイッチ
回路においては、図６のＶout_2に示すように、過熱検
出信号の発生（則ち、ＯＦＦ状態からＯＮ状態への遷
移）に応じて、所定の過熱温度を閾値として、パワーＭ
ＯＳＦＥＴ５から供給されていた電力（図中、Ｖout_
2）をＯＮ／ＯＦＦして電力（図中、Ｖout_2）を制限す
る電力制御（則ち、電力制限制御）が実行されていた。
回路においては、図６のＶout_2に示すように、過熱検
出信号の発生（則ち、ＯＦＦ状態からＯＮ状態への遷
移）に応じて、所定の過熱温度を閾値として、パワーＭ
ＯＳＦＥＴ５から供給されていた電力（図中、Ｖout_
2）をＯＮ／ＯＦＦして電力（図中、Ｖout_2）を制限す
る電力制御（則ち、電力制限制御）が実行されていた。
【００１１】この様な電力制限制御の場合、過熱検出信
号の解除（則ち、ＯＮ状態からＯＦＦ状態への遷移）に
応じて自己保持回路２がリセットされることに依り電力
Ｖout_2の制限制御状態の解除が実行されていた。
号の解除（則ち、ＯＮ状態からＯＦＦ状態への遷移）に
応じて自己保持回路２がリセットされることに依り電力
Ｖout_2の制限制御状態の解除が実行されていた。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来のインテリジェントパワーモジュールのスイッ
チング制御においては、負荷駆動命令（ＩＮ信号）がＯ
ＦＦ状態からＯＮ状態への遷移を待って自己保持回路２
がリセットされることに依り電力Ｖout_1の遮断制御状
態の解除が実行されていたため、負荷駆動命令（ＩＮ信
号）のＯＮ状態中に過熱状態が解消された場合には遮断
制御状態の解除を即時に実行することが難しいという技
術的課題があった。
うな従来のインテリジェントパワーモジュールのスイッ
チング制御においては、負荷駆動命令（ＩＮ信号）がＯ
ＦＦ状態からＯＮ状態への遷移を待って自己保持回路２
がリセットされることに依り電力Ｖout_1の遮断制御状
態の解除が実行されていたため、負荷駆動命令（ＩＮ信
号）のＯＮ状態中に過熱状態が解消された場合には遮断
制御状態の解除を即時に実行することが難しいという技
術的課題があった。
【００１３】特に、負荷駆動命令（ＩＮ信号）のＯＮ状
態が長時間維持される場合、このＯＮ状態中に過熱状態
が解消された場合であっても遮断制御状態が維持される
結果、遮断制御状態の即時解除を実行することが難しい
という技術的課題があった。
態が長時間維持される場合、このＯＮ状態中に過熱状態
が解消された場合であっても遮断制御状態が維持される
結果、遮断制御状態の即時解除を実行することが難しい
という技術的課題があった。
【００１４】又、従来のインテリジェントパワーモジュ
ールの電力制限制御においては、過熱検出信号の解除
（則ち、ＯＮ状態からＯＦＦ状態への遷移）に応じて自
己保持回路２がリセットされるまでは、所定の過熱温度
を閾値として、パワーＭＯＳＦＥＴ５から供給されてい
た電力Ｖout_2をＯＮ／ＯＦＦして電力Ｖout_2を制限す
る電力制限制御が実行されていたため、過熱検出信号の
発生から解除までの時間（則ち、ＯＦＦ状態→ＯＮ状態
→ＯＦＦ状態と遷移するまでの時間）電力Ｖout_2のＯ
Ｎ／ＯＦＦに起因してパワーＭＯＳＦＥＴ５内部に熱ス
トレスが発生してしまうという技術的課題もあった。
ールの電力制限制御においては、過熱検出信号の解除
（則ち、ＯＮ状態からＯＦＦ状態への遷移）に応じて自
己保持回路２がリセットされるまでは、所定の過熱温度
を閾値として、パワーＭＯＳＦＥＴ５から供給されてい
た電力Ｖout_2をＯＮ／ＯＦＦして電力Ｖout_2を制限す
る電力制限制御が実行されていたため、過熱検出信号の
発生から解除までの時間（則ち、ＯＦＦ状態→ＯＮ状態
→ＯＦＦ状態と遷移するまでの時間）電力Ｖout_2のＯ
Ｎ／ＯＦＦに起因してパワーＭＯＳＦＥＴ５内部に熱ス
トレスが発生してしまうという技術的課題もあった。
【００１５】このため、過熱検出信号の解消（則ち、Ｏ
Ｎ状態からＯＦＦ状態への遷移）に応じて電力制限制御
状態の即時解除を実行することが難しいという技術的課
題があった。
Ｎ状態からＯＦＦ状態への遷移）に応じて電力制限制御
状態の即時解除を実行することが難しいという技術的課
題があった。
【００１６】本発明は、このような従来の問題点を解決
することを課題としており、特に、負荷を駆動する駆動
回路の活性状態を監視し活性状態時において駆動回路の
過熱状態を検出した際に活性状態を解除して負荷への電
力供給を制限又は遮断すると共に電力制限制御状態又は
遮断状態を保持し、所定周期を有するタイミング信号に
同期して過熱状態を監視し監視時において過熱状態の解
消を検出した際に電力制限制御状態又は遮断状態を解消
するためのゲート制御信号を生成するように構成されて
いる過熱保護装置及びこれを用いた半導体スイッチ装置
並びにインテリジェントパワーモジュールを設けること
によって、負荷駆動命令のＯＮ状態中であっても、半導
体スイッチ装置やインテリジェントパワーモジュールに
設けられている駆動回路（パワーＭＯＳＦＥＴ）の過熱
状態が解消された場合には、遮断制御状態の即時解除又
は電力制限制御状態の即時解除を実行することを課題と
している。
することを課題としており、特に、負荷を駆動する駆動
回路の活性状態を監視し活性状態時において駆動回路の
過熱状態を検出した際に活性状態を解除して負荷への電
力供給を制限又は遮断すると共に電力制限制御状態又は
遮断状態を保持し、所定周期を有するタイミング信号に
同期して過熱状態を監視し監視時において過熱状態の解
消を検出した際に電力制限制御状態又は遮断状態を解消
するためのゲート制御信号を生成するように構成されて
いる過熱保護装置及びこれを用いた半導体スイッチ装置
並びにインテリジェントパワーモジュールを設けること
によって、負荷駆動命令のＯＮ状態中であっても、半導
体スイッチ装置やインテリジェントパワーモジュールに
設けられている駆動回路（パワーＭＯＳＦＥＴ）の過熱
状態が解消された場合には、遮断制御状態の即時解除又
は電力制限制御状態の即時解除を実行することを課題と
している。
【００１７】更に、遮断制御状態の即時解除を実行でき
るようになる結果、負荷駆動命令の状態遷移（具体的に
は、ＯＦＦ状態からＯＮ状態への遷移）を待つことな
く、半導体スイッチ装置やインテリジェントパワーモジ
ュールをリセット状態に制御することを課題としてい
る。
るようになる結果、負荷駆動命令の状態遷移（具体的に
は、ＯＦＦ状態からＯＮ状態への遷移）を待つことな
く、半導体スイッチ装置やインテリジェントパワーモジ
ュールをリセット状態に制御することを課題としてい
る。
【００１８】また、電力制限制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、電力制限制御に起因して駆動回
路（パワーＭＯＳＦＥＴ）内部に過剰な熱ストレスが発
生することを回避することを課題としている。
できるようになる結果、電力制限制御に起因して駆動回
路（パワーＭＯＳＦＥＴ）内部に過剰な熱ストレスが発
生することを回避することを課題としている。
【００１９】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、駆動回路（パワーＭＯＳＦＥＴ）の高
信頼化を図ることを課題としている。
回避できる結果、駆動回路（パワーＭＯＳＦＥＴ）の高
信頼化を図ることを課題としている。
【００２０】更に、電力制限制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、負荷駆動命令の状態遷移（具体
的には、ＯＮ状態からＯＦＦ状態への遷移）を待つこと
なく、半導体スイッチ装置やインテリジェントパワーモ
ジュールをリセット状態に制御することを課題としてい
る。
できるようになる結果、負荷駆動命令の状態遷移（具体
的には、ＯＮ状態からＯＦＦ状態への遷移）を待つこと
なく、半導体スイッチ装置やインテリジェントパワーモ
ジュールをリセット状態に制御することを課題としてい
る。
【００２１】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、負荷３２を駆動する駆動回路の活性状態を監視し当
該活性状態時において当該駆動回路の過熱状態を検出し
た際に当該活性状態を解除して負荷３２への電力供給を
制限すると共に当該電力制限制御状態を保持し、所定周
期を有するタイミング信号１０２ｂに同期して当該過熱
状態を監視し当該監視時において当該過熱状態の解消を
検出した際に当該電力制限制御状態を解消するためのゲ
ート制御信号１０８ａを生成するように構成されてい
る、ことを特徴とする過熱保護装置１０である。
は、負荷３２を駆動する駆動回路の活性状態を監視し当
該活性状態時において当該駆動回路の過熱状態を検出し
た際に当該活性状態を解除して負荷３２への電力供給を
制限すると共に当該電力制限制御状態を保持し、所定周
期を有するタイミング信号１０２ｂに同期して当該過熱
状態を監視し当該監視時において当該過熱状態の解消を
検出した際に当該電力制限制御状態を解消するためのゲ
ート制御信号１０８ａを生成するように構成されてい
る、ことを特徴とする過熱保護装置１０である。
【００２２】請求項１に記載の発明に依れば、駆動回路
の過熱状態が解消された場合には、電力制限制御状態の
即時解除を実行できるようになるといった効果を奏す
る。
の過熱状態が解消された場合には、電力制限制御状態の
即時解除を実行できるようになるといった効果を奏す
る。
【００２３】また、電力制限制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、電力制限制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、電力制限制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
【００２４】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
【００２５】更に、電力制限制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、駆動回路をリセット状態に制御でき
るようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、駆動回路をリセット状態に制御でき
るようになるといった効果を奏する。
【００２６】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の過熱保護装置１０において、前記タイミング信号１０
２ｂを生成する制御手段１０２と、前記タイミング信号
１０２ｂに同期して当該過熱状態を監視し当該監視時に
おいて当該過熱状態の解消を検出した際に当該電力制限
制御状態を解消するためのリセット信号１１０ａを生成
するトリガ生成回路１１０，１１２と、前記駆動回路の
活性状態を監視し当該活性状態時において当該駆動回路
の過熱状態を検出した際に当該活性状態を解除して負荷
３２への電力供給を制限する前記ゲート制御信号１０８
ａを生成すると共に、前記リセット信号１１０ａに応じ
て前記負荷３２の駆動における電力制限制御状態を解消
する前記ゲート制御信号１０８ａを生成するゲート信号
生成回路１０８を有する、ことを特徴とする過熱保護装
置１０である。
の過熱保護装置１０において、前記タイミング信号１０
２ｂを生成する制御手段１０２と、前記タイミング信号
１０２ｂに同期して当該過熱状態を監視し当該監視時に
おいて当該過熱状態の解消を検出した際に当該電力制限
制御状態を解消するためのリセット信号１１０ａを生成
するトリガ生成回路１１０，１１２と、前記駆動回路の
活性状態を監視し当該活性状態時において当該駆動回路
の過熱状態を検出した際に当該活性状態を解除して負荷
３２への電力供給を制限する前記ゲート制御信号１０８
ａを生成すると共に、前記リセット信号１１０ａに応じ
て前記負荷３２の駆動における電力制限制御状態を解消
する前記ゲート制御信号１０８ａを生成するゲート信号
生成回路１０８を有する、ことを特徴とする過熱保護装
置１０である。
【００２７】請求項２に記載の発明に依れば、請求項１
に記載の効果に加えて、駆動回路の過熱状態が解消され
た場合には、リセット信号１１０ａに同期したゲート制
御信号１０８ａを用いて電力制限制御状態の即時解除を
実行できるようになるといった効果を奏する。
に記載の効果に加えて、駆動回路の過熱状態が解消され
た場合には、リセット信号１１０ａに同期したゲート制
御信号１０８ａを用いて電力制限制御状態の即時解除を
実行できるようになるといった効果を奏する。
【００２８】また、リセット信号１１０ａに同期して電
力制限制御状態の即時解除を実行できるようになる結
果、電力制限制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱ス
トレスが発生することを回避できるようになるといった
効果を奏する。
力制限制御状態の即時解除を実行できるようになる結
果、電力制限制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱ス
トレスが発生することを回避できるようになるといった
効果を奏する。
【００２９】請求項３に記載の発明は、負荷３２を駆動
する駆動回路を活性化して負荷３２の駆動を命ずるため
の負荷駆動命令１０２ａを生成し、又当該駆動回路の活
性状態を監視し当該活性状態時において当該駆動回路の
過熱状態を検出した際に当該活性状態を解除して負荷へ
の電力供給を制限と共に当該電力制限制御状態を保持
し、所定周期を有するタイミング信号１０２ｂに同期し
て当該過熱状態を監視し当該監視時において当該過熱状
態の解消を検出した際に当該電力制限制御状態を解消す
るためのゲート制御信号１０８ａを生成するように構成
されている、ことを特徴とする過熱保護装置１０であ
る。
する駆動回路を活性化して負荷３２の駆動を命ずるため
の負荷駆動命令１０２ａを生成し、又当該駆動回路の活
性状態を監視し当該活性状態時において当該駆動回路の
過熱状態を検出した際に当該活性状態を解除して負荷へ
の電力供給を制限と共に当該電力制限制御状態を保持
し、所定周期を有するタイミング信号１０２ｂに同期し
て当該過熱状態を監視し当該監視時において当該過熱状
態の解消を検出した際に当該電力制限制御状態を解消す
るためのゲート制御信号１０８ａを生成するように構成
されている、ことを特徴とする過熱保護装置１０であ
る。
【００３０】請求項３に記載の発明に依れば、負荷３２
の駆動が可能と成ると共に、駆動回路の過熱状態が解消
された場合には、電力制限制御状態の保持及び即時解除
を実行できるようになるといった効果を奏する。
の駆動が可能と成ると共に、駆動回路の過熱状態が解消
された場合には、電力制限制御状態の保持及び即時解除
を実行できるようになるといった効果を奏する。
【００３１】また、電力制限制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、電力制限制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、電力制限制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
【００３２】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
【００３３】更に、電力制限制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、タイミング信号１０２ｂに同期した
ゲート制御信号１０８ａを用いて駆動回路をリセット状
態に制御できるようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、タイミング信号１０２ｂに同期した
ゲート制御信号１０８ａを用いて駆動回路をリセット状
態に制御できるようになるといった効果を奏する。
【００３４】請求項４に記載の発明は、請求項３に記載
の過熱保護装置１０において、前記負荷駆動命令１０２
ａ及び前記タイミング信号１０２ｂを生成する制御手段
１０２と、前記タイミング信号１０２ｂに同期して当該
過熱状態を監視し当該監視時において当該過熱状態の解
消を検出した際に当該電力制限制御状態を解消するため
のリセット信号１１０ａを生成するトリガ生成回路１１
０，１１２と、前記駆動回路の活性状態を監視し当該活
性状態時において当該駆動回路の過熱状態を検出した際
に当該活性状態を解除して負荷３２への電力供給を制限
する前記ゲート制御信号１０８ａを生成すると共に、前
記リセット信号１１０ａに応じて前記負荷３２の駆動に
おける電力制限制御状態を解消する前記ゲート制御信号
１０８ａを生成するゲート信号生成回路１０８を有す
る、ことを特徴とする過熱保護装置１０である。
の過熱保護装置１０において、前記負荷駆動命令１０２
ａ及び前記タイミング信号１０２ｂを生成する制御手段
１０２と、前記タイミング信号１０２ｂに同期して当該
過熱状態を監視し当該監視時において当該過熱状態の解
消を検出した際に当該電力制限制御状態を解消するため
のリセット信号１１０ａを生成するトリガ生成回路１１
０，１１２と、前記駆動回路の活性状態を監視し当該活
性状態時において当該駆動回路の過熱状態を検出した際
に当該活性状態を解除して負荷３２への電力供給を制限
する前記ゲート制御信号１０８ａを生成すると共に、前
記リセット信号１１０ａに応じて前記負荷３２の駆動に
おける電力制限制御状態を解消する前記ゲート制御信号
１０８ａを生成するゲート信号生成回路１０８を有す
る、ことを特徴とする過熱保護装置１０である。
【００３５】請求項４に記載の発明に依れば、請求項３
に記載の効果に加えて、駆動回路の過熱状態が解消され
た場合には、リセット信号１１０ａに同期したゲート制
御信号１０８ａを用いて電力制限制御状態の即時解除を
実行できるようになるといった効果を奏する。
に記載の効果に加えて、駆動回路の過熱状態が解消され
た場合には、リセット信号１１０ａに同期したゲート制
御信号１０８ａを用いて電力制限制御状態の即時解除を
実行できるようになるといった効果を奏する。
【００３６】また、リセット信号１１０ａに同期して電
力制限制御状態の即時解除を実行できるようになる結
果、電力制限制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱ス
トレスが発生することを回避できるようになるといった
効果を奏する。
力制限制御状態の即時解除を実行できるようになる結
果、電力制限制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱ス
トレスが発生することを回避できるようになるといった
効果を奏する。
【００３７】請求項５に記載の発明は、負荷３２を駆動
する駆動回路の活性状態を監視し当該活性状態時におい
て当該駆動回路の過熱状態を検出した際に当該駆動回路
を不活性化して負荷３２への電力供給を遮断すると共に
当該電力遮断制御状態を保持し、所定周期を有するタイ
ミング信号１０２ｂに同期して当該過熱状態を監視し当
該監視時において当該過熱状態の解消を検出した際に当
該電力遮断制御状態を解消するためのゲート制御信号１
０８ａを生成するように構成されている、ことを特徴と
する過熱保護装置１０である。
する駆動回路の活性状態を監視し当該活性状態時におい
て当該駆動回路の過熱状態を検出した際に当該駆動回路
を不活性化して負荷３２への電力供給を遮断すると共に
当該電力遮断制御状態を保持し、所定周期を有するタイ
ミング信号１０２ｂに同期して当該過熱状態を監視し当
該監視時において当該過熱状態の解消を検出した際に当
該電力遮断制御状態を解消するためのゲート制御信号１
０８ａを生成するように構成されている、ことを特徴と
する過熱保護装置１０である。
【００３８】請求項５に記載の発明に依れば、駆動回路
の過熱状態が解消された場合には、電力遮断制御状態の
即時解除を実行できるようになるといった効果を奏す
る。
の過熱状態が解消された場合には、電力遮断制御状態の
即時解除を実行できるようになるといった効果を奏す
る。
【００３９】また、電力遮断制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、電力制限制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、電力制限制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
【００４０】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
【００４１】更に、電力遮断制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、駆動回路をリセット状態に制御でき
るようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、駆動回路をリセット状態に制御でき
るようになるといった効果を奏する。
【００４２】請求項６に記載の発明は、請求項５に記載
の過熱保護装置１０において、前記タイミング信号１０
２ｂを生成する制御手段１０２と、前記タイミング信号
１０２ｂに同期して当該過熱状態を監視し当該監視時に
おいて当該過熱状態の解消を検出した際に当該電力遮断
制御状態を解消するためのリセット信号１１０ａを生成
するトリガ生成回路１１０，１１２と、前記駆動回路の
活性状態を監視し当該活性状態時において当該駆動回路
の過熱状態を検出した際に前記駆動回路を不活性化して
負荷３２への電力供給を遮断する前記ゲート制御信号１
０８ａを生成すると共に、前記リセット信号１１０ａに
応じて前記負荷３２の駆動における電力遮断制御状態を
解消する前記ゲート制御信号１０８ａを生成するゲート
信号生成回路１０８を有する、ことを特徴とする過熱保
護装置１０である。
の過熱保護装置１０において、前記タイミング信号１０
２ｂを生成する制御手段１０２と、前記タイミング信号
１０２ｂに同期して当該過熱状態を監視し当該監視時に
おいて当該過熱状態の解消を検出した際に当該電力遮断
制御状態を解消するためのリセット信号１１０ａを生成
するトリガ生成回路１１０，１１２と、前記駆動回路の
活性状態を監視し当該活性状態時において当該駆動回路
の過熱状態を検出した際に前記駆動回路を不活性化して
負荷３２への電力供給を遮断する前記ゲート制御信号１
０８ａを生成すると共に、前記リセット信号１１０ａに
応じて前記負荷３２の駆動における電力遮断制御状態を
解消する前記ゲート制御信号１０８ａを生成するゲート
信号生成回路１０８を有する、ことを特徴とする過熱保
護装置１０である。
【００４３】請求項６に記載の発明に依れば、請求項５
に記載の効果に加えて、駆動回路の過熱状態が解消され
た場合には、リセット信号１１０ａに同期したゲート制
御信号１０８ａを用いて電力遮断制御状態の即時解除を
実行できるようになるといった効果を奏する。
に記載の効果に加えて、駆動回路の過熱状態が解消され
た場合には、リセット信号１１０ａに同期したゲート制
御信号１０８ａを用いて電力遮断制御状態の即時解除を
実行できるようになるといった効果を奏する。
【００４４】また、リセット信号１１０ａに同期して電
力遮断制御状態の即時解除を実行できるようになる結
果、電力遮断制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱ス
トレスが発生することを回避できるようになるといった
効果を奏する。
力遮断制御状態の即時解除を実行できるようになる結
果、電力遮断制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱ス
トレスが発生することを回避できるようになるといった
効果を奏する。
【００４５】請求項７に記載の発明は、負荷３２を駆動
する駆動回路を活性化して負荷３２の駆動を命ずるため
の負荷駆動命令１０２ａを生成し、又当該駆動回路の活
性状態を監視し当該活性状態時において当該駆動回路の
過熱状態を検出した際に当該駆動回路を不活性化して負
荷３２への電力供給を遮断すると共に当該電力遮断制御
状態を保持し、所定周期を有するタイミング信号１０２
ｂに同期して当該過熱状態を監視し当該監視時において
当該過熱状態の解消を検出した際に当該電力遮断制御状
態を解消するためのゲート制御信号１０８ａを生成する
ように構成されている、ことを特徴とする過熱保護装置
１０である。
する駆動回路を活性化して負荷３２の駆動を命ずるため
の負荷駆動命令１０２ａを生成し、又当該駆動回路の活
性状態を監視し当該活性状態時において当該駆動回路の
過熱状態を検出した際に当該駆動回路を不活性化して負
荷３２への電力供給を遮断すると共に当該電力遮断制御
状態を保持し、所定周期を有するタイミング信号１０２
ｂに同期して当該過熱状態を監視し当該監視時において
当該過熱状態の解消を検出した際に当該電力遮断制御状
態を解消するためのゲート制御信号１０８ａを生成する
ように構成されている、ことを特徴とする過熱保護装置
１０である。
【００４６】請求項７に記載の発明に依れば、負荷３２
の駆動が可能と成ると共に、駆動回路の過熱状態が解消
された場合には、電力遮断制御状態の保持及び即時解除
を実行できるようになるといった効果を奏する。
の駆動が可能と成ると共に、駆動回路の過熱状態が解消
された場合には、電力遮断制御状態の保持及び即時解除
を実行できるようになるといった効果を奏する。
【００４７】また、電力遮断制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、電力遮断制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、電力遮断制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
【００４８】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
【００４９】更に、電力遮断制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、タイミング信号１０２ｂに同期した
ゲート制御信号１０８ａを用いて駆動回路をリセット状
態に制御できるようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、タイミング信号１０２ｂに同期した
ゲート制御信号１０８ａを用いて駆動回路をリセット状
態に制御できるようになるといった効果を奏する。
【００５０】請求項８に記載の発明は、請求項７に記載
の過熱保護装置１０において、前記負荷駆動命令１０２
ａ及び前記タイミング信号１０２ｂを生成する制御手段
１０２と、前記タイミング信号１０２ｂに同期して当該
過熱状態を監視し当該監視時において当該過熱状態の解
消を検出した際に当該電力遮断制御状態を解消するため
のリセット信号１１０ａを生成するトリガ生成回路１１
０，１１２と、前記駆動回路の活性状態を監視し当該活
性状態時において当該駆動回路の過熱状態を検出した際
に前記駆動回路を不活性化して負荷３２への電力供給を
遮断する前記ゲート制御信号１０８ａを生成すると共
に、前記リセット信号１１０ａに応じて前記負荷３２の
駆動における電力遮断制御状態を解消する前記ゲート制
御信号１０８ａを生成するゲート信号生成回路１０８を
有する、ことを特徴とする過熱保護装置１０である。
の過熱保護装置１０において、前記負荷駆動命令１０２
ａ及び前記タイミング信号１０２ｂを生成する制御手段
１０２と、前記タイミング信号１０２ｂに同期して当該
過熱状態を監視し当該監視時において当該過熱状態の解
消を検出した際に当該電力遮断制御状態を解消するため
のリセット信号１１０ａを生成するトリガ生成回路１１
０，１１２と、前記駆動回路の活性状態を監視し当該活
性状態時において当該駆動回路の過熱状態を検出した際
に前記駆動回路を不活性化して負荷３２への電力供給を
遮断する前記ゲート制御信号１０８ａを生成すると共
に、前記リセット信号１１０ａに応じて前記負荷３２の
駆動における電力遮断制御状態を解消する前記ゲート制
御信号１０８ａを生成するゲート信号生成回路１０８を
有する、ことを特徴とする過熱保護装置１０である。
【００５１】請求項８に記載の発明に依れば、請求項７
に記載の効果に加えて、駆動回路の過熱状態が解消され
た場合には、リセット信号１１０ａに同期したゲート制
御信号１０８ａを用いて電力遮断制御状態の即時解除を
実行できるようになるといった効果を奏する。
に記載の効果に加えて、駆動回路の過熱状態が解消され
た場合には、リセット信号１１０ａに同期したゲート制
御信号１０８ａを用いて電力遮断制御状態の即時解除を
実行できるようになるといった効果を奏する。
【００５２】また、リセット信号１１０ａに同期して電
力遮断制御状態の即時解除を実行できるようになる結
果、電力遮断制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱ス
トレスが発生することを回避できるようになるといった
効果を奏する。
力遮断制御状態の即時解除を実行できるようになる結
果、電力遮断制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱ス
トレスが発生することを回避できるようになるといった
効果を奏する。
【００５３】請求項９に記載の発明は、入力端子を介し
て入力される前記負荷駆動命令１０２ａに応じて負荷３
２を駆動すると共に、前記ゲート制御信号１０８ａに応
じて負荷駆動電力を制御する前記駆動回路と、前記駆動
回路の過熱状態を検出した際に過熱検出信号１２ａを生
成する過熱検出回路１２を有する半導体スイッチ装置４
０において、前記過熱保護装置１０が前記入力端子を介
して外付けされている、ことを特徴とする半導体スイッ
チ装置４０である。
て入力される前記負荷駆動命令１０２ａに応じて負荷３
２を駆動すると共に、前記ゲート制御信号１０８ａに応
じて負荷駆動電力を制御する前記駆動回路と、前記駆動
回路の過熱状態を検出した際に過熱検出信号１２ａを生
成する過熱検出回路１２を有する半導体スイッチ装置４
０において、前記過熱保護装置１０が前記入力端子を介
して外付けされている、ことを特徴とする半導体スイッ
チ装置４０である。
【００５４】請求項９に記載の発明に依れば、請求項１
乃至８のいずれか一項に記載の効果に加えて、過熱保護
装置１０を入力端子を介して半導体スイッチ装置４０に
外付けできる結果、半導体スイッチ装置４０内部の駆動
回路において、駆動回路の過熱状態が解消された場合
に、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除
を実行する機能を半導体スイッチ装置４０側の変更を何
等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実質的に付加
できるようになるといった効果を奏する。
乃至８のいずれか一項に記載の効果に加えて、過熱保護
装置１０を入力端子を介して半導体スイッチ装置４０に
外付けできる結果、半導体スイッチ装置４０内部の駆動
回路において、駆動回路の過熱状態が解消された場合
に、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除
を実行する機能を半導体スイッチ装置４０側の変更を何
等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実質的に付加
できるようになるといった効果を奏する。
【００５５】また、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行する機能が半導体スイッチ装置４
０に付加される結果、電力制限制御又は電力遮断制御に
起因して駆動回路内部に過剰な熱ストレスが発生するこ
とを回避する機能を半導体スイッチ装置４０側の変更を
何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実質的に付
加できるようになるといった効果を奏する。
状態の即時解除を実行する機能が半導体スイッチ装置４
０に付加される結果、電力制限制御又は電力遮断制御に
起因して駆動回路内部に過剰な熱ストレスが発生するこ
とを回避する機能を半導体スイッチ装置４０側の変更を
何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実質的に付
加できるようになるといった効果を奏する。
【００５６】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、半導体スイッチ装置４０における駆動
回路の高信頼化を図ることができるようになるといった
効果を半導体スイッチ装置４０側の変更を何等伴うこと
なく実現できるようになるといった効果を奏する。
回避できる結果、半導体スイッチ装置４０における駆動
回路の高信頼化を図ることができるようになるといった
効果を半導体スイッチ装置４０側の変更を何等伴うこと
なく実現できるようになるといった効果を奏する。
【００５７】更に、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行できるようになる結果、負荷駆動
命令１０２ａの状態遷移を待つことなく、駆動回路をリ
セット状態に制御する機能を半導体スイッチ装置４０側
の変更を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実
質的に付加できるようになるといった効果を奏する。
状態の即時解除を実行できるようになる結果、負荷駆動
命令１０２ａの状態遷移を待つことなく、駆動回路をリ
セット状態に制御する機能を半導体スイッチ装置４０側
の変更を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実
質的に付加できるようになるといった効果を奏する。
【００５８】請求項１０に記載の発明は、請求項１乃至
８のいずれか一項に記載の過熱保護装置１０を用いた半
導体スイッチ装置４０において、負荷３２を駆動するた
めの半導体スイッチ装置４０において、前記過熱保護装
置１０と、前記負荷駆動命令１０２ａに応じて負荷３２
を駆動すると共に、前記ゲート制御信号１０８ａに応じ
て負荷駆動電力を制限する前記駆動回路と、前記駆動回
路の過熱状態を検出した際に過熱検出信号１２ａを生成
する過熱検出回路１２を有する、ことを特徴とする半導
体スイッチ装置４０である。
８のいずれか一項に記載の過熱保護装置１０を用いた半
導体スイッチ装置４０において、負荷３２を駆動するた
めの半導体スイッチ装置４０において、前記過熱保護装
置１０と、前記負荷駆動命令１０２ａに応じて負荷３２
を駆動すると共に、前記ゲート制御信号１０８ａに応じ
て負荷駆動電力を制限する前記駆動回路と、前記駆動回
路の過熱状態を検出した際に過熱検出信号１２ａを生成
する過熱検出回路１２を有する、ことを特徴とする半導
体スイッチ装置４０である。
【００５９】請求項１０に記載の発明に依れば、請求項
１乃至８のいずれか一項に記載の効果に加えて、過熱保
護装置１０を半導体スイッチ装置４０内部に混載（集積
化）できる結果、半導体スイッチ装置４０内部の駆動回
路において、駆動回路の過熱状態が解消された場合に、
電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除を実
行する機能を半導体スイッチ装置４０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。
１乃至８のいずれか一項に記載の効果に加えて、過熱保
護装置１０を半導体スイッチ装置４０内部に混載（集積
化）できる結果、半導体スイッチ装置４０内部の駆動回
路において、駆動回路の過熱状態が解消された場合に、
電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除を実
行する機能を半導体スイッチ装置４０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。
【００６０】また、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行する機能が半導体スイッチ装置４
０に内部に混載（集積化）される結果、電力制限制御又
は電力遮断制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱スト
レスが発生することを回避する機能を半導体スイッチ装
置４０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うことなく実
質的に付加できるようになるといった効果を奏する。
状態の即時解除を実行する機能が半導体スイッチ装置４
０に内部に混載（集積化）される結果、電力制限制御又
は電力遮断制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱スト
レスが発生することを回避する機能を半導体スイッチ装
置４０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うことなく実
質的に付加できるようになるといった効果を奏する。
【００６１】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる機能を半導体スイッチ装置４０内部に混載
（集積化）できる結果、半導体スイッチ装置４０におけ
る駆動回路の高信頼化を図ることができるようになると
いった効果を半導体スイッチ装置４０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。
回避できる機能を半導体スイッチ装置４０内部に混載
（集積化）できる結果、半導体スイッチ装置４０におけ
る駆動回路の高信頼化を図ることができるようになると
いった効果を半導体スイッチ装置４０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。
【００６２】更に、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行できる機能を半導体スイッチ装置
４０内部に混載（集積化）できる結果、負荷駆動命令１
０２ａの状態遷移を待つことなく、駆動回路をリセット
状態に制御する機能を半導体スイッチ装置４０側の変更
を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実質的に
付加できるようになるといった効果を奏する。
状態の即時解除を実行できる機能を半導体スイッチ装置
４０内部に混載（集積化）できる結果、負荷駆動命令１
０２ａの状態遷移を待つことなく、駆動回路をリセット
状態に制御する機能を半導体スイッチ装置４０側の変更
を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実質的に
付加できるようになるといった効果を奏する。
【００６３】請求項１１に記載の発明は、請求項９又は
１０に記載の半導体スイッチ装置４０において、前記パ
ワーＭＯＳＦＥＴ１８のゲート−接地電位間にドレイン
−ソースが接続されると共に前記ゲート制御信号１０８
ａがゲートに接続され、当該ゲート制御信号１０８ａに
応じて前記負荷駆動命令１０２ａの当該パワーＭＯＳＦ
ＥＴ１８への伝達を制限又は遮断して当該パワーＭＯＳ
ＦＥＴ１８の負荷駆動電力を制限又は遮断するＭＯＳト
ランジスタ２０を有する、ことを特徴とする半導体スイ
ッチ装置４０である。
１０に記載の半導体スイッチ装置４０において、前記パ
ワーＭＯＳＦＥＴ１８のゲート−接地電位間にドレイン
−ソースが接続されると共に前記ゲート制御信号１０８
ａがゲートに接続され、当該ゲート制御信号１０８ａに
応じて前記負荷駆動命令１０２ａの当該パワーＭＯＳＦ
ＥＴ１８への伝達を制限又は遮断して当該パワーＭＯＳ
ＦＥＴ１８の負荷駆動電力を制限又は遮断するＭＯＳト
ランジスタ２０を有する、ことを特徴とする半導体スイ
ッチ装置４０である。
【００６４】請求項１１に記載の発明に依れば、請求項
９又は１０に記載の効果に加えて、過熱保護装置１０を
入力端子を介して半導体スイッチ装置４０に外付けした
場合、半導体スイッチ装置４０内部のパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１８において、パワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が
解消された場合に、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行する機能を半導体スイッチ装置４
０側の変更を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０
に実質的に付加できるようになるといった効果を奏す
る。
９又は１０に記載の効果に加えて、過熱保護装置１０を
入力端子を介して半導体スイッチ装置４０に外付けした
場合、半導体スイッチ装置４０内部のパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１８において、パワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が
解消された場合に、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行する機能を半導体スイッチ装置４
０側の変更を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０
に実質的に付加できるようになるといった効果を奏す
る。
【００６５】また、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行する機能が半導体スイッチ装置４
０に付加される結果、電力制限制御又は電力遮断制御に
起因してパワーＭＯＳＦＥＴ１８内部に過剰な熱ストレ
スが発生することを回避する機能を半導体スイッチ装置
４０側の変更を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４
０に実質的に付加できるようになるといった効果を奏す
る。
状態の即時解除を実行する機能が半導体スイッチ装置４
０に付加される結果、電力制限制御又は電力遮断制御に
起因してパワーＭＯＳＦＥＴ１８内部に過剰な熱ストレ
スが発生することを回避する機能を半導体スイッチ装置
４０側の変更を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４
０に実質的に付加できるようになるといった効果を奏す
る。
【００６６】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、半導体スイッチ装置４０におけるパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図ることができるよう
になるといった効果を半導体スイッチ装置４０側の変更
を何等伴うことなく実現できるようになるといった効果
を奏する。
回避できる結果、半導体スイッチ装置４０におけるパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図ることができるよう
になるといった効果を半導体スイッチ装置４０側の変更
を何等伴うことなく実現できるようになるといった効果
を奏する。
【００６７】更に、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行できるようになる結果、負荷駆動
命令１０２ａの状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳ
ＦＥＴ１８をリセット状態に制御する機能を半導体スイ
ッチ装置４０側の変更を何等伴うことなく半導体スイッ
チ装置４０に実質的に付加できるようになるといった効
果を奏する。
状態の即時解除を実行できるようになる結果、負荷駆動
命令１０２ａの状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳ
ＦＥＴ１８をリセット状態に制御する機能を半導体スイ
ッチ装置４０側の変更を何等伴うことなく半導体スイッ
チ装置４０に実質的に付加できるようになるといった効
果を奏する。
【００６８】一方、過熱保護装置１０を半導体スイッチ
装置４０内部に混載（集積化）した場合、半導体スイッ
チ装置４０内部のパワーＭＯＳＦＥＴ１８において、パ
ワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が解消された場合に、
電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除を実
行する機能を半導体スイッチ装置４０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。また、電力制限制御状態又
は電力遮断制御状態の即時解除を実行する機能が半導体
スイッチ装置４０に内部に混載（集積化）される結果、
電力制限制御又は電力遮断制御に起因してパワーＭＯＳ
ＦＥＴ１８内部に過剰な熱ストレスが発生することを回
避する機能を半導体スイッチ装置４０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。則ち、過剰な熱ストレスが
発生することを回避できる機能を半導体スイッチ装置４
０内部に混載（集積化）できる結果、半導体スイッチ装
置４０におけるパワーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図
ることができるようになるといった効果を半導体スイッ
チ装置４０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うことな
く実質的に付加できるようになるといった効果を奏す
る。更に、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即
時解除を実行できる機能を半導体スイッチ装置４０内部
に混載（集積化）できる結果、負荷駆動命令１０２ａの
状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳＦＥＴ１８をリ
セット状態に制御する機能を半導体スイッチ装置４０側
の変更を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実
質的に付加できるようになるといった効果を奏する。
装置４０内部に混載（集積化）した場合、半導体スイッ
チ装置４０内部のパワーＭＯＳＦＥＴ１８において、パ
ワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が解消された場合に、
電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除を実
行する機能を半導体スイッチ装置４０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。また、電力制限制御状態又
は電力遮断制御状態の即時解除を実行する機能が半導体
スイッチ装置４０に内部に混載（集積化）される結果、
電力制限制御又は電力遮断制御に起因してパワーＭＯＳ
ＦＥＴ１８内部に過剰な熱ストレスが発生することを回
避する機能を半導体スイッチ装置４０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。則ち、過剰な熱ストレスが
発生することを回避できる機能を半導体スイッチ装置４
０内部に混載（集積化）できる結果、半導体スイッチ装
置４０におけるパワーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図
ることができるようになるといった効果を半導体スイッ
チ装置４０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うことな
く実質的に付加できるようになるといった効果を奏す
る。更に、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即
時解除を実行できる機能を半導体スイッチ装置４０内部
に混載（集積化）できる結果、負荷駆動命令１０２ａの
状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳＦＥＴ１８をリ
セット状態に制御する機能を半導体スイッチ装置４０側
の変更を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実
質的に付加できるようになるといった効果を奏する。
【００６９】請求項１２に記載の発明は、入力端子を介
して入力される前記負荷駆動命令１０２ａに応じて負荷
３２を駆動すると共に、前記ゲート制御信号１０８ａに
応じて負荷駆動電力を制限又は遮断する前記駆動回路と
してのパワーＭＯＳＦＥＴ１８と、前記パワーＭＯＳＦ
ＥＴ１８の過熱状態を検出するために当該パワーＭＯＳ
ＦＥＴ１８の近傍に設けられた温度検出用ダイオード１
２４と、当該過熱状態を検出した際に過熱検出信号１２
ａを生成するコンパレータ１２２を具備した過熱検出回
路１２を有するインテリジェントパワーモジュール３０
において、前記過熱保護装置１０が前記入力端子を介し
て外付けされている、ことを特徴とするインテリジェン
トパワーモジュール３０である。
して入力される前記負荷駆動命令１０２ａに応じて負荷
３２を駆動すると共に、前記ゲート制御信号１０８ａに
応じて負荷駆動電力を制限又は遮断する前記駆動回路と
してのパワーＭＯＳＦＥＴ１８と、前記パワーＭＯＳＦ
ＥＴ１８の過熱状態を検出するために当該パワーＭＯＳ
ＦＥＴ１８の近傍に設けられた温度検出用ダイオード１
２４と、当該過熱状態を検出した際に過熱検出信号１２
ａを生成するコンパレータ１２２を具備した過熱検出回
路１２を有するインテリジェントパワーモジュール３０
において、前記過熱保護装置１０が前記入力端子を介し
て外付けされている、ことを特徴とするインテリジェン
トパワーモジュール３０である。
【００７０】請求項１２に記載の発明に依れば、請求項
１乃至８のいずれか一項に記載の効果に加えて、過熱保
護装置１０を入力端子を介してインテリジェントパワー
モジュール３０に外付けした場合、インテリジェントパ
ワーモジュール３０内部のパワーＭＯＳＦＥＴ１８にお
いて、パワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が解消された
場合に、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時
解除を実行する機能をインテリジェントパワーモジュー
ル３０側の変更を何等伴うことなくインテリジェントパ
ワーモジュール３０に実質的に付加できるようになると
いった効果を奏する。
１乃至８のいずれか一項に記載の効果に加えて、過熱保
護装置１０を入力端子を介してインテリジェントパワー
モジュール３０に外付けした場合、インテリジェントパ
ワーモジュール３０内部のパワーＭＯＳＦＥＴ１８にお
いて、パワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が解消された
場合に、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時
解除を実行する機能をインテリジェントパワーモジュー
ル３０側の変更を何等伴うことなくインテリジェントパ
ワーモジュール３０に実質的に付加できるようになると
いった効果を奏する。
【００７１】また、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行する機能がインテリジェントパワ
ーモジュール３０に付加される結果、電力制限制御又は
電力遮断制御に起因してパワーＭＯＳＦＥＴ１８内部に
過剰な熱ストレスが発生することを回避する機能をイン
テリジェントパワーモジュール３０側の変更を何等伴う
ことなくインテリジェントパワーモジュール３０に実質
的に付加できるようになるといった効果を奏する。
状態の即時解除を実行する機能がインテリジェントパワ
ーモジュール３０に付加される結果、電力制限制御又は
電力遮断制御に起因してパワーＭＯＳＦＥＴ１８内部に
過剰な熱ストレスが発生することを回避する機能をイン
テリジェントパワーモジュール３０側の変更を何等伴う
ことなくインテリジェントパワーモジュール３０に実質
的に付加できるようになるといった効果を奏する。
【００７２】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、インテリジェントパワーモジュール３
０におけるパワーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図るこ
とができるようになるといった効果をインテリジェント
パワーモジュール３０側の変更を何等伴うことなく実現
できるようになるといった効果を奏する。
回避できる結果、インテリジェントパワーモジュール３
０におけるパワーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図るこ
とができるようになるといった効果をインテリジェント
パワーモジュール３０側の変更を何等伴うことなく実現
できるようになるといった効果を奏する。
【００７３】更に、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行できるようになる結果、負荷駆動
命令１０２ａの状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳ
ＦＥＴ１８をリセット状態に制御する機能をインテリジ
ェントパワーモジュール３０側の変更を何等伴うことな
くインテリジェントパワーモジュール３０に実質的に付
加できるようになるといった効果を奏する。
状態の即時解除を実行できるようになる結果、負荷駆動
命令１０２ａの状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳ
ＦＥＴ１８をリセット状態に制御する機能をインテリジ
ェントパワーモジュール３０側の変更を何等伴うことな
くインテリジェントパワーモジュール３０に実質的に付
加できるようになるといった効果を奏する。
【００７４】請求項１３に記載の発明は、請求項１乃至
８のいずれか一項に記載の過熱保護装置１０を用いたイ
ンテリジェントパワーモジュール３０において、負荷３
２を駆動するためのインテリジェントパワーモジュール
３０において、前記過熱保護装置１０と、前記負荷駆動
命令１０２ａに応じて負荷３２を駆動すると共に、前記
ゲート制御信号１０８ａに応じて負荷駆動電力を制限又
は遮断する前記駆動回路としてのパワーＭＯＳＦＥＴ１
８と、前記パワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態を検出す
るために当該パワーＭＯＳＦＥＴ１８の近傍に設けられ
た温度検出用ダイオード１２４と、当該過熱状態を検出
した際に過熱検出信号１２ａを生成するコンパレータ１
２２を具備した過熱検出回路１２を有する、ことを特徴
とするインテリジェントパワーモジュール３０である。
８のいずれか一項に記載の過熱保護装置１０を用いたイ
ンテリジェントパワーモジュール３０において、負荷３
２を駆動するためのインテリジェントパワーモジュール
３０において、前記過熱保護装置１０と、前記負荷駆動
命令１０２ａに応じて負荷３２を駆動すると共に、前記
ゲート制御信号１０８ａに応じて負荷駆動電力を制限又
は遮断する前記駆動回路としてのパワーＭＯＳＦＥＴ１
８と、前記パワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態を検出す
るために当該パワーＭＯＳＦＥＴ１８の近傍に設けられ
た温度検出用ダイオード１２４と、当該過熱状態を検出
した際に過熱検出信号１２ａを生成するコンパレータ１
２２を具備した過熱検出回路１２を有する、ことを特徴
とするインテリジェントパワーモジュール３０である。
【００７５】請求項１３に記載の発明に依れば、請求項
１乃至８のいずれか一項に記載の効果に加えて、過熱保
護装置１０をインテリジェントパワーモジュール３０内
部に混載（集積化）できる結果、インテリジェントパワ
ーモジュール３０内部のパワーＭＯＳＦＥＴ１８におい
て、パワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が解消された場
合に、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解
除を実行する機能をインテリジェントパワーモジュール
３０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うことなく実質
的に付加できるようになるといった効果を奏する。ま
た、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除
を実行する機能がインテリジェントパワーモジュール３
０に内部に混載（集積化）される結果、電力制限制御又
は電力遮断制御に起因してパワーＭＯＳＦＥＴ１８内部
に過剰な熱ストレスが発生することを回避する機能をイ
ンテリジェントパワーモジュール３０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。則ち、過剰な熱ストレスが
発生することを回避できる機能をインテリジェントパワ
ーモジュール３０内部に混載（集積化）できる結果、イ
ンテリジェントパワーモジュール３０におけるパワーＭ
ＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図ることができるようにな
るといった効果をインテリジェントパワーモジュール３
０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うことなく実質的
に付加できるようになるといった効果を奏する。更に、
電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除を実
行できる機能をインテリジェントパワーモジュール３０
内部に混載（集積化）できる結果、負荷駆動命令１０２
ａの状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳＦＥＴ１８
をリセット状態に制御する機能をインテリジェントパワ
ーモジュール３０側の変更を何等伴うことなくインテリ
ジェントパワーモジュール３０に実質的に付加できるよ
うになるといった効果を奏する。
１乃至８のいずれか一項に記載の効果に加えて、過熱保
護装置１０をインテリジェントパワーモジュール３０内
部に混載（集積化）できる結果、インテリジェントパワ
ーモジュール３０内部のパワーＭＯＳＦＥＴ１８におい
て、パワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が解消された場
合に、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解
除を実行する機能をインテリジェントパワーモジュール
３０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うことなく実質
的に付加できるようになるといった効果を奏する。ま
た、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除
を実行する機能がインテリジェントパワーモジュール３
０に内部に混載（集積化）される結果、電力制限制御又
は電力遮断制御に起因してパワーＭＯＳＦＥＴ１８内部
に過剰な熱ストレスが発生することを回避する機能をイ
ンテリジェントパワーモジュール３０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。則ち、過剰な熱ストレスが
発生することを回避できる機能をインテリジェントパワ
ーモジュール３０内部に混載（集積化）できる結果、イ
ンテリジェントパワーモジュール３０におけるパワーＭ
ＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図ることができるようにな
るといった効果をインテリジェントパワーモジュール３
０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うことなく実質的
に付加できるようになるといった効果を奏する。更に、
電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除を実
行できる機能をインテリジェントパワーモジュール３０
内部に混載（集積化）できる結果、負荷駆動命令１０２
ａの状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳＦＥＴ１８
をリセット状態に制御する機能をインテリジェントパワ
ーモジュール３０側の変更を何等伴うことなくインテリ
ジェントパワーモジュール３０に実質的に付加できるよ
うになるといった効果を奏する。
【００７６】請求項１４に記載の発明は、請求項１２又
は１３に記載のインテリジェントパワーモジュール３０
において、前記パワーＭＯＳＦＥＴ１８のゲート−接地
電位間にドレイン−ソースが接続されると共に前記ゲー
ト制御信号１０８ａがゲートに接続され、当該ゲート制
御信号１０８ａに応じて前記負荷駆動命令１０２ａの当
該パワーＭＯＳＦＥＴ１８への伝達を制限又は遮断して
当該パワーＭＯＳＦＥＴ１８の負荷駆動電力を制限又は
遮断するＭＯＳトランジスタ２０を有する、ことを特徴
とするインテリジェントパワーモジュール３０である。
は１３に記載のインテリジェントパワーモジュール３０
において、前記パワーＭＯＳＦＥＴ１８のゲート−接地
電位間にドレイン−ソースが接続されると共に前記ゲー
ト制御信号１０８ａがゲートに接続され、当該ゲート制
御信号１０８ａに応じて前記負荷駆動命令１０２ａの当
該パワーＭＯＳＦＥＴ１８への伝達を制限又は遮断して
当該パワーＭＯＳＦＥＴ１８の負荷駆動電力を制限又は
遮断するＭＯＳトランジスタ２０を有する、ことを特徴
とするインテリジェントパワーモジュール３０である。
【００７７】請求項１４に記載の発明に依れば、請求項
１２又は１３に記載の効果に加えて、過熱保護装置１０
を入力端子を介してインテリジェントパワーモジュール
３０に外付けした場合、インテリジェントパワーモジュ
ール３０内部のパワーＭＯＳＦＥＴ１８において、パワ
ーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が解消された場合に、電
力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除をＭＯ
Ｓトランジスタ２０のゲート制御に依り高速に且つ再現
性良く実行する機能をインテリジェントパワーモジュー
ル３０側の変更を何等伴うことなくインテリジェントパ
ワーモジュール３０に実質的に付加できるようになると
いった効果を奏する。
１２又は１３に記載の効果に加えて、過熱保護装置１０
を入力端子を介してインテリジェントパワーモジュール
３０に外付けした場合、インテリジェントパワーモジュ
ール３０内部のパワーＭＯＳＦＥＴ１８において、パワ
ーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が解消された場合に、電
力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除をＭＯ
Ｓトランジスタ２０のゲート制御に依り高速に且つ再現
性良く実行する機能をインテリジェントパワーモジュー
ル３０側の変更を何等伴うことなくインテリジェントパ
ワーモジュール３０に実質的に付加できるようになると
いった効果を奏する。
【００７８】また、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除をＭＯＳトランジスタ２０のゲート制御
に依り高速に且つ再現性良く実行する機能がインテリジ
ェントパワーモジュール３０に付加される結果、電力制
限制御又は電力遮断制御に起因してパワーＭＯＳＦＥＴ
１８内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避する
機能をインテリジェントパワーモジュール３０側の変更
を何等伴うことなくインテリジェントパワーモジュール
３０に実質的に付加できるようになるといった効果を奏
する。
状態の即時解除をＭＯＳトランジスタ２０のゲート制御
に依り高速に且つ再現性良く実行する機能がインテリジ
ェントパワーモジュール３０に付加される結果、電力制
限制御又は電力遮断制御に起因してパワーＭＯＳＦＥＴ
１８内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避する
機能をインテリジェントパワーモジュール３０側の変更
を何等伴うことなくインテリジェントパワーモジュール
３０に実質的に付加できるようになるといった効果を奏
する。
【００７９】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、インテリジェントパワーモジュール３
０におけるパワーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図るこ
とができるようになるといった効果をインテリジェント
パワーモジュール３０側の変更を何等伴うことなく実現
できるようになるといった効果を奏する。
回避できる結果、インテリジェントパワーモジュール３
０におけるパワーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図るこ
とができるようになるといった効果をインテリジェント
パワーモジュール３０側の変更を何等伴うことなく実現
できるようになるといった効果を奏する。
【００８０】更に、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除をＭＯＳトランジスタ２０のゲート制御
に依り高速に且つ再現性良く実行できるようになる結
果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷移を待つことなく、
パワーＭＯＳＦＥＴ１８をリセット状態に制御する機能
をインテリジェントパワーモジュール３０側の変更を何
等伴うことなくインテリジェントパワーモジュール３０
に実質的に付加できるようになるといった効果を奏す
る。
状態の即時解除をＭＯＳトランジスタ２０のゲート制御
に依り高速に且つ再現性良く実行できるようになる結
果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷移を待つことなく、
パワーＭＯＳＦＥＴ１８をリセット状態に制御する機能
をインテリジェントパワーモジュール３０側の変更を何
等伴うことなくインテリジェントパワーモジュール３０
に実質的に付加できるようになるといった効果を奏す
る。
【００８１】一方、過熱保護装置１０をインテリジェン
トパワーモジュール３０内部に混載（集積化）した場
合、インテリジェントパワーモジュール３０内部のパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１８において、パワーＭＯＳＦＥＴ１８
の過熱状態が解消された場合に、電力制限制御状態又は
電力遮断制御状態の即時解除をＭＯＳトランジスタ２０
のゲート制御に依り高速に且つ再現性良く実行する機能
をインテリジェントパワーモジュール３０に装置規模
（回路規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できる
ようになるといった効果を奏する。また、電力制限制御
状態又は電力遮断制御状態の即時解除をＭＯＳトランジ
スタ２０のゲート制御に依り高速に且つ再現性良く実行
する機能がインテリジェントパワーモジュール３０に内
部に混載（集積化）される結果、電力制限制御又は電力
遮断制御に起因してパワーＭＯＳＦＥＴ１８内部に過剰
な熱ストレスが発生することを回避する機能をインテリ
ジェントパワーモジュール３０に装置規模（回路規模）
の拡大を伴うことなく実質的に付加できるようになると
いった効果を奏する。則ち、過剰な熱ストレスが発生す
ることを回避できる機能をインテリジェントパワーモジ
ュール３０内部に混載（集積化）できる結果、インテリ
ジェントパワーモジュール３０におけるパワーＭＯＳＦ
ＥＴ１８の高信頼化を図ることができるようになるとい
った効果をインテリジェントパワーモジュール３０に装
置規模（回路規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加
できるようになるといった効果を奏する。更に、電力制
限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除をＭＯＳト
ランジスタ２０のゲート制御に依り高速に且つ再現性良
く実行できる機能をインテリジェントパワーモジュール
３０内部に混載（集積化）できる結果、負荷駆動命令１
０２ａの状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳＦＥＴ
１８をリセット状態に制御する機能をインテリジェント
パワーモジュール３０側の変更を何等伴うことなくイン
テリジェントパワーモジュール３０に実質的に付加でき
るようになるといった効果を奏する。
トパワーモジュール３０内部に混載（集積化）した場
合、インテリジェントパワーモジュール３０内部のパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１８において、パワーＭＯＳＦＥＴ１８
の過熱状態が解消された場合に、電力制限制御状態又は
電力遮断制御状態の即時解除をＭＯＳトランジスタ２０
のゲート制御に依り高速に且つ再現性良く実行する機能
をインテリジェントパワーモジュール３０に装置規模
（回路規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できる
ようになるといった効果を奏する。また、電力制限制御
状態又は電力遮断制御状態の即時解除をＭＯＳトランジ
スタ２０のゲート制御に依り高速に且つ再現性良く実行
する機能がインテリジェントパワーモジュール３０に内
部に混載（集積化）される結果、電力制限制御又は電力
遮断制御に起因してパワーＭＯＳＦＥＴ１８内部に過剰
な熱ストレスが発生することを回避する機能をインテリ
ジェントパワーモジュール３０に装置規模（回路規模）
の拡大を伴うことなく実質的に付加できるようになると
いった効果を奏する。則ち、過剰な熱ストレスが発生す
ることを回避できる機能をインテリジェントパワーモジ
ュール３０内部に混載（集積化）できる結果、インテリ
ジェントパワーモジュール３０におけるパワーＭＯＳＦ
ＥＴ１８の高信頼化を図ることができるようになるとい
った効果をインテリジェントパワーモジュール３０に装
置規模（回路規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加
できるようになるといった効果を奏する。更に、電力制
限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除をＭＯＳト
ランジスタ２０のゲート制御に依り高速に且つ再現性良
く実行できる機能をインテリジェントパワーモジュール
３０内部に混載（集積化）できる結果、負荷駆動命令１
０２ａの状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳＦＥＴ
１８をリセット状態に制御する機能をインテリジェント
パワーモジュール３０側の変更を何等伴うことなくイン
テリジェントパワーモジュール３０に実質的に付加でき
るようになるといった効果を奏する。
【００８２】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき本発明の実施
形態を説明する。
形態を説明する。
【００８３】初めに、図面に基づき、過熱保護装置１０
の実施形態を説明する。
の実施形態を説明する。
【００８４】図１は、本発明の過熱保護装置１０の一実
施形態を説明するための回路図である。
施形態を説明するための回路図である。
【００８５】過熱保護装置１０は、負荷３２を駆動する
駆動回路を活性化して負荷３２の駆動を命ずるための負
荷駆動命令１０２ａを生成し、又駆動回路の活性状態を
監視し活性状態時において駆動回路の過熱状態を検出し
た際に活性状態を解除して負荷への電力供給を制限と共
に電力制限制御状態を保持し、所定周期を有するタイミ
ング信号１０２ｂに同期して過熱状態を監視し監視時に
おいて過熱状態の解消を検出した際に電力制限制御状態
を解消するためのゲート制御信号１０８ａを生成する機
能を有している。
駆動回路を活性化して負荷３２の駆動を命ずるための負
荷駆動命令１０２ａを生成し、又駆動回路の活性状態を
監視し活性状態時において駆動回路の過熱状態を検出し
た際に活性状態を解除して負荷への電力供給を制限と共
に電力制限制御状態を保持し、所定周期を有するタイミ
ング信号１０２ｂに同期して過熱状態を監視し監視時に
おいて過熱状態の解消を検出した際に電力制限制御状態
を解消するためのゲート制御信号１０８ａを生成する機
能を有している。
【００８６】また、過熱保護装置１０は、負荷３２を駆
動する駆動回路を活性化して負荷３２の駆動を命ずるた
めの負荷駆動命令１０２ａを生成し、又駆動回路の活性
状態を監視し活性状態時において駆動回路の過熱状態を
検出した際に駆動回路を不活性化して負荷３２への電力
供給を遮断すると共に電力遮断制御状態を保持し、所定
周期を有するタイミング信号１０２ｂに同期して過熱状
態を監視し監視時において過熱状態の解消を検出した際
に電力遮断制御状態を解消するためのゲート制御信号１
０８ａを生成する機能を有している。
動する駆動回路を活性化して負荷３２の駆動を命ずるた
めの負荷駆動命令１０２ａを生成し、又駆動回路の活性
状態を監視し活性状態時において駆動回路の過熱状態を
検出した際に駆動回路を不活性化して負荷３２への電力
供給を遮断すると共に電力遮断制御状態を保持し、所定
周期を有するタイミング信号１０２ｂに同期して過熱状
態を監視し監視時において過熱状態の解消を検出した際
に電力遮断制御状態を解消するためのゲート制御信号１
０８ａを生成する機能を有している。
【００８７】この様な機能を実現するために、過熱保護
装置１０は、図１に示すように、制御手段１０２とゲー
ト信号生成回路１０８を有している。
装置１０は、図１に示すように、制御手段１０２とゲー
ト信号生成回路１０８を有している。
【００８８】制御手段１０２は、負荷駆動命令１０２ａ
及びタイミング信号１０２ｂを生成する機能を有してい
る。
及びタイミング信号１０２ｂを生成する機能を有してい
る。
【００８９】また制御手段１０２は、後述する過電流検
出回路１４が負荷３２に流れる過電流を検出して生成す
る過電流検出信号１４ａを受信した際に、駆動回路の活
性状態を解除して負荷への電力供給を制限と共に電力制
限制御状態を保持し、所定周期を有するタイミング信号
１０２ｂに同期して過電流検出信号１４ａを用いて負荷
３２の過熱状態を監視し監視時において過熱状態の解消
を検出した際に電力制限制御状態を解消するためのゲー
ト制御信号１０８ａを生成する機能を有している。
出回路１４が負荷３２に流れる過電流を検出して生成す
る過電流検出信号１４ａを受信した際に、駆動回路の活
性状態を解除して負荷への電力供給を制限と共に電力制
限制御状態を保持し、所定周期を有するタイミング信号
１０２ｂに同期して過電流検出信号１４ａを用いて負荷
３２の過熱状態を監視し監視時において過熱状態の解消
を検出した際に電力制限制御状態を解消するためのゲー
ト制御信号１０８ａを生成する機能を有している。
【００９０】同様に制御手段１０２は、過電流検出信号
１４ａを受信した際に、駆動回路を不活性化して負荷３
２への電力供給を遮断すると共に電力遮断制御状態を保
持し、所定周期を有するタイミング信号１０２ｂに同期
して過電流検出信号１４ａを用いて負荷３２の過熱状態
を監視し監視時において過熱状態の解消を検出した際に
電力遮断制御状態を解消するためのゲート制御信号１０
８ａを生成する機能を有している。
１４ａを受信した際に、駆動回路を不活性化して負荷３
２への電力供給を遮断すると共に電力遮断制御状態を保
持し、所定周期を有するタイミング信号１０２ｂに同期
して過電流検出信号１４ａを用いて負荷３２の過熱状態
を監視し監視時において過熱状態の解消を検出した際に
電力遮断制御状態を解消するためのゲート制御信号１０
８ａを生成する機能を有している。
【００９１】このような機能を有する制御手段１０２
は、ＣＰＵを用いて実現することが望ましい。
は、ＣＰＵを用いて実現することが望ましい。
【００９２】トリガ生成回路１１０，１１２は、タイミ
ング信号１０２ｂに同期して過熱状態を監視し監視時に
おいて過熱状態の解消を検出した際に電力制限制御状態
を解消するためのリセット信号１１０ａを生成する機能
を有している。
ング信号１０２ｂに同期して過熱状態を監視し監視時に
おいて過熱状態の解消を検出した際に電力制限制御状態
を解消するためのリセット信号１１０ａを生成する機能
を有している。
【００９３】またトリガ生成回路１１０，１１２は、タ
イミング信号１０２ｂに同期して過熱状態を監視し監視
時において過熱状態の解消を検出した際に電力遮断制御
状態を解消するためのリセット信号１１０ａを生成する
機能を有している。
イミング信号１０２ｂに同期して過熱状態を監視し監視
時において過熱状態の解消を検出した際に電力遮断制御
状態を解消するためのリセット信号１１０ａを生成する
機能を有している。
【００９４】このような機能を有するトリガ生成回路１
１０，１１２は、エミッタが共通に接地されコレクタが
共通にゲート信号生成回路１０８のリセット端子（後述
するＲＳ端子）に接続された差動回路を形成するｎｐｎ
トランジスタ１１０，１１２に依って実現することが望
ましい。
１０，１１２は、エミッタが共通に接地されコレクタが
共通にゲート信号生成回路１０８のリセット端子（後述
するＲＳ端子）に接続された差動回路を形成するｎｐｎ
トランジスタ１１０，１１２に依って実現することが望
ましい。
【００９５】タイミング信号１０２ｂとの同期処理は、
図１に示すように、タイミング信号１０２ｂと過熱検出
信号１２ａとを論理素子（ＮＡＮＤゲート）１０４を用
いてＮＡＮＤ論理演算し、その演算結果をワンショット
トリガ回路１０６の入力端子Ａに入力し、抵抗素子１１
４とコンデンサー１１６とで決定されるパルス幅を有す
るトリガパルスを出力端子Ｑから出力し、このトリガパ
ルスをトリガ生成回路のｎｐｎトランジスタ１１０のベ
ースに入力することに依り実行される。
図１に示すように、タイミング信号１０２ｂと過熱検出
信号１２ａとを論理素子（ＮＡＮＤゲート）１０４を用
いてＮＡＮＤ論理演算し、その演算結果をワンショット
トリガ回路１０６の入力端子Ａに入力し、抵抗素子１１
４とコンデンサー１１６とで決定されるパルス幅を有す
るトリガパルスを出力端子Ｑから出力し、このトリガパ
ルスをトリガ生成回路のｎｐｎトランジスタ１１０のベ
ースに入力することに依り実行される。
【００９６】また、ｎｐｎトランジスタ１１２のベース
には、制御手段１０２からの負荷駆動命令１０２ａが入
力可能になっている。
には、制御手段１０２からの負荷駆動命令１０２ａが入
力可能になっている。
【００９７】ゲート信号生成回路１０８は、駆動回路の
活性状態を監視し活性状態時において駆動回路の過熱状
態を検出した際に活性状態を解除して負荷３２への電力
供給を制限するゲート制御信号１０８ａを生成すると共
に、リセット信号１１０ａに応じて負荷３２の駆動にお
ける電力制限制御状態を解消するゲート制御信号１０８
ａを生成する機能を有している。
活性状態を監視し活性状態時において駆動回路の過熱状
態を検出した際に活性状態を解除して負荷３２への電力
供給を制限するゲート制御信号１０８ａを生成すると共
に、リセット信号１１０ａに応じて負荷３２の駆動にお
ける電力制限制御状態を解消するゲート制御信号１０８
ａを生成する機能を有している。
【００９８】またゲート信号生成回路１０８は、駆動回
路の活性状態を監視し活性状態時において駆動回路の過
熱状態を検出した際に活性状態を解除して負荷３２への
電力供給を遮断するゲート制御信号１０８ａを生成する
と共に、リセット信号１１０ａに応じて負荷３２の駆動
における電力遮断制御状態を解消するゲート制御信号１
０８ａを生成する機能を有している。
路の活性状態を監視し活性状態時において駆動回路の過
熱状態を検出した際に活性状態を解除して負荷３２への
電力供給を遮断するゲート制御信号１０８ａを生成する
と共に、リセット信号１１０ａに応じて負荷３２の駆動
における電力遮断制御状態を解消するゲート制御信号１
０８ａを生成する機能を有している。
【００９９】このような機能を有するゲート信号生成回
路１０８は、図１に示すように、リセット機能を有する
ＤフリップフロップやＪ−Ｋフリップフロップを用いて
実現することが望ましい。
路１０８は、図１に示すように、リセット機能を有する
ＤフリップフロップやＪ−Ｋフリップフロップを用いて
実現することが望ましい。
【０１００】この場合、図１に示すように、ゲート信号
生成回路１０８の入力端子Ａには過熱検出回路１２から
の過熱検出信号１２ａが入力され、リセット入力端子Ｒ
Ｓにはトリガ生成回路１１０，１１２からのリセット信
号１１０ａが入力され、又出力端子Ｑからは電力制限制
御又は電力遮断制御に用いるゲート制御信号１０８ａが
出力される。
生成回路１０８の入力端子Ａには過熱検出回路１２から
の過熱検出信号１２ａが入力され、リセット入力端子Ｒ
Ｓにはトリガ生成回路１１０，１１２からのリセット信
号１１０ａが入力され、又出力端子Ｑからは電力制限制
御又は電力遮断制御に用いるゲート制御信号１０８ａが
出力される。
【０１０１】このような機能を有する制御手段１０２と
ゲート信号生成回路１０８を設けることに依り、駆動回
路の過熱状態が解消された場合には、リセット信号１１
０ａに同期したゲート制御信号１０８ａを用いて電力制
限制御状態の即時解除を実行できるようになるといった
効果を奏する。
ゲート信号生成回路１０８を設けることに依り、駆動回
路の過熱状態が解消された場合には、リセット信号１１
０ａに同期したゲート制御信号１０８ａを用いて電力制
限制御状態の即時解除を実行できるようになるといった
効果を奏する。
【０１０２】また、リセット信号１１０ａに同期して電
力制限制御状態の即時解除を実行できるようになる結
果、電力制限制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱ス
トレスが発生することを回避できるようになるといった
効果を奏する。
力制限制御状態の即時解除を実行できるようになる結
果、電力制限制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱ス
トレスが発生することを回避できるようになるといった
効果を奏する。
【０１０３】以上説明したように、過熱保護装置１０に
依れば、電力制限制御機能においては、負荷３２の駆動
が可能と成ると共に、駆動回路の過熱状態が解消された
場合、電力制限制御状態の保持及び即時解除を実行でき
るようになるといった効果を奏する。
依れば、電力制限制御機能においては、負荷３２の駆動
が可能と成ると共に、駆動回路の過熱状態が解消された
場合、電力制限制御状態の保持及び即時解除を実行でき
るようになるといった効果を奏する。
【０１０４】また、電力制限制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、電力制限制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、電力制限制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
【０１０５】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
【０１０６】更に、電力制限制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、タイミング信号１０２ｂに同期した
ゲート制御信号１０８ａを用いて駆動回路をリセット状
態に制御できるようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、タイミング信号１０２ｂに同期した
ゲート制御信号１０８ａを用いて駆動回路をリセット状
態に制御できるようになるといった効果を奏する。
【０１０７】また、電力遮断制御機能においては、駆動
回路の過熱状態が解消された場合、電力遮断制御状態の
即時解除を実行できるようになるといった効果を奏す
る。
回路の過熱状態が解消された場合、電力遮断制御状態の
即時解除を実行できるようになるといった効果を奏す
る。
【０１０８】また、電力遮断制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、電力制限制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、電力制限制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
【０１０９】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
【０１１０】更に、電力遮断制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、駆動回路をリセット状態に制御でき
るようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、駆動回路をリセット状態に制御でき
るようになるといった効果を奏する。
【０１１１】次に、図面に基づき、過熱保護装置１０を
用いたインテリジェントパワーモジュール３０の実施形
態を説明する。
用いたインテリジェントパワーモジュール３０の実施形
態を説明する。
【０１１２】図２は、図１の過熱保護装置１０を用いた
半導体スイッチ装置４０の１つであるインテリジェント
パワーモジュール３０の一実施形態を説明するための回
路図である。
半導体スイッチ装置４０の１つであるインテリジェント
パワーモジュール３０の一実施形態を説明するための回
路図である。
【０１１３】本インテリジェントパワーモジュール３０
は、入力端子を介して入力される負荷駆動命令１０２ａ
に応じて負荷３２を駆動すると共に、ゲート制御信号１
０８ａに応じて負荷駆動電力を制限又は遮断する駆動回
路としてのパワーＭＯＳＦＥＴ１８と、パワーＭＯＳＦ
ＥＴ１８の過熱状態を検出するためにパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１８の近傍に設けられた温度検出用ダイオード１２４
と、過熱状態を検出した際に過熱検出信号１２ａを生成
するコンパレータ１２２を具備した過熱検出回路１２を
有し、更に前述の過熱保護装置１０が入力端子を介して
外付けされている点に特徴を有している。
は、入力端子を介して入力される負荷駆動命令１０２ａ
に応じて負荷３２を駆動すると共に、ゲート制御信号１
０８ａに応じて負荷駆動電力を制限又は遮断する駆動回
路としてのパワーＭＯＳＦＥＴ１８と、パワーＭＯＳＦ
ＥＴ１８の過熱状態を検出するためにパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１８の近傍に設けられた温度検出用ダイオード１２４
と、過熱状態を検出した際に過熱検出信号１２ａを生成
するコンパレータ１２２を具備した過熱検出回路１２を
有し、更に前述の過熱保護装置１０が入力端子を介して
外付けされている点に特徴を有している。
【０１１４】本インテリジェントパワーモジュール３０
は、特に、自動車等の車両に搭載されるラジオや車両コ
ンピュータ等の負荷３２に、バッテリに接続された電源
ラインを介して供給する電力を車両コンピュータからの
命令に応じて電力遮断制御するものである。
は、特に、自動車等の車両に搭載されるラジオや車両コ
ンピュータ等の負荷３２に、バッテリに接続された電源
ラインを介して供給する電力を車両コンピュータからの
命令に応じて電力遮断制御するものである。
【０１１５】なお、車両コンピュータとは、車両に搭載
されているエアコンコンピュータ、クルーズコントロー
ルコンピュータ、トラクションコントロール（ＴＲＣ）
コンピュータ、アンチロックブレーキ（ＡＢＳ）コンピ
ュータ、ナビゲーションコンピュータ、エンジンコント
ロールコンピュータ等を意味する。
されているエアコンコンピュータ、クルーズコントロー
ルコンピュータ、トラクションコントロール（ＴＲＣ）
コンピュータ、アンチロックブレーキ（ＡＢＳ）コンピ
ュータ、ナビゲーションコンピュータ、エンジンコント
ロールコンピュータ等を意味する。
【０１１６】このような機能を有するインテリジェント
パワーモジュール３０は、図２に示すように、過熱保護
装置１０とパワーＭＯＳＦＥＴ１８と過熱検出回路１２
と過電流検出回路１４とチャージポンプ回路１５とレベ
ルシフタ１６とＭＯＳトランジスタ２０を有している。
パワーモジュール３０は、図２に示すように、過熱保護
装置１０とパワーＭＯＳＦＥＴ１８と過熱検出回路１２
と過電流検出回路１４とチャージポンプ回路１５とレベ
ルシフタ１６とＭＯＳトランジスタ２０を有している。
【０１１７】これに依り、過熱保護装置１０をインテリ
ジェントパワーモジュール３０内部に混載（集積化）で
きる結果、インテリジェントパワーモジュール３０内部
のパワーＭＯＳＦＥＴ１８において、パワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１８の過熱状態が解消された場合に、電力遮断制御状
態の即時解除を実行する機能をインテリジェントパワー
モジュール３０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うこ
となく実質的に付加できるようになるといった効果を奏
する。また、電力遮断制御状態の即時解除を実行する機
能がインテリジェントパワーモジュール３０に内部に混
載（集積化）される結果、電力遮断制御に起因してパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１８内部に過剰な熱ストレスが発生する
ことを回避する機能をインテリジェントパワーモジュー
ル３０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うことなく実
質的に付加できるようになるといった効果を奏する。則
ち、過剰な熱ストレスが発生することを回避できる機能
をインテリジェントパワーモジュール３０内部に混載
（集積化）できる結果、インテリジェントパワーモジュ
ール３０におけるパワーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を
図ることができるようになるといった効果をインテリジ
ェントパワーモジュール３０に装置規模（回路規模）の
拡大を伴うことなく実質的に付加できるようになるとい
った効果を奏する。更に、電力遮断制御状態の即時解除
を実行できる機能をインテリジェントパワーモジュール
３０内部に混載（集積化）できる結果、負荷駆動命令１
０２ａの状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳＦＥＴ
１８をリセット状態に制御する機能をインテリジェント
パワーモジュール３０側の変更を何等伴うことなくイン
テリジェントパワーモジュール３０に実質的に付加でき
るようになるといった効果を奏する。
ジェントパワーモジュール３０内部に混載（集積化）で
きる結果、インテリジェントパワーモジュール３０内部
のパワーＭＯＳＦＥＴ１８において、パワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１８の過熱状態が解消された場合に、電力遮断制御状
態の即時解除を実行する機能をインテリジェントパワー
モジュール３０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うこ
となく実質的に付加できるようになるといった効果を奏
する。また、電力遮断制御状態の即時解除を実行する機
能がインテリジェントパワーモジュール３０に内部に混
載（集積化）される結果、電力遮断制御に起因してパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１８内部に過剰な熱ストレスが発生する
ことを回避する機能をインテリジェントパワーモジュー
ル３０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うことなく実
質的に付加できるようになるといった効果を奏する。則
ち、過剰な熱ストレスが発生することを回避できる機能
をインテリジェントパワーモジュール３０内部に混載
（集積化）できる結果、インテリジェントパワーモジュ
ール３０におけるパワーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を
図ることができるようになるといった効果をインテリジ
ェントパワーモジュール３０に装置規模（回路規模）の
拡大を伴うことなく実質的に付加できるようになるとい
った効果を奏する。更に、電力遮断制御状態の即時解除
を実行できる機能をインテリジェントパワーモジュール
３０内部に混載（集積化）できる結果、負荷駆動命令１
０２ａの状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳＦＥＴ
１８をリセット状態に制御する機能をインテリジェント
パワーモジュール３０側の変更を何等伴うことなくイン
テリジェントパワーモジュール３０に実質的に付加でき
るようになるといった効果を奏する。
【０１１８】更に詳しく、インテリジェントパワーモジ
ュール３０の構成を説明する。
ュール３０の構成を説明する。
【０１１９】パワーＭＯＳＦＥＴ１８は、負荷駆動命令
１０２ａに応じて負荷３２を駆動すると共に、ゲート制
御信号１０８ａに応じて負荷駆動電力を制限又は遮断す
る駆動回路として機能する。本実施形態では、図２に示
すように、ｎチャネルパワーＭＯＳＦＥＴを用いること
が望ましい。
１０２ａに応じて負荷３２を駆動すると共に、ゲート制
御信号１０８ａに応じて負荷駆動電力を制限又は遮断す
る駆動回路として機能する。本実施形態では、図２に示
すように、ｎチャネルパワーＭＯＳＦＥＴを用いること
が望ましい。
【０１２０】過熱検出回路１２は、パワーＭＯＳＦＥＴ
１８の過熱状態を検出するためにパワーＭＯＳＦＥＴ１
８の近傍に設けられた温度検出用ダイオード１２４と、
過熱状態を検出した際に過熱検出信号１２ａを生成する
コンパレータ１２２を具備している。
１８の過熱状態を検出するためにパワーＭＯＳＦＥＴ１
８の近傍に設けられた温度検出用ダイオード１２４と、
過熱状態を検出した際に過熱検出信号１２ａを生成する
コンパレータ１２２を具備している。
【０１２１】過電流検出回路１４は、負荷３２の過電流
状態を検出するためにパワーＭＯＳＦＥＴ１８のドレイ
ン−負荷３２間に直列に接続された抵抗素子１４５、抵
抗素子１４５に生じる電圧を抵抗素子１４３，１４４を
介して検出して過負荷状態と判断したときに過電流検出
信号１４ａを生成するコンパレータ１４２を具備してい
る。
状態を検出するためにパワーＭＯＳＦＥＴ１８のドレイ
ン−負荷３２間に直列に接続された抵抗素子１４５、抵
抗素子１４５に生じる電圧を抵抗素子１４３，１４４を
介して検出して過負荷状態と判断したときに過電流検出
信号１４ａを生成するコンパレータ１４２を具備してい
る。
【０１２２】また、タイミング信号１０２ｂの周期は、
過電流検出回路１４の過電流状態を検出のサンプリング
周期に基づいて決定することが望ましい。具体的には、
過電流検出回路１４の過電流状態を検出のサンプリング
周期を５ｍｓとした場合、タイミング信号１０２ｂの周
期は過電流検出回路１４のサンプリング周期以上に設定
することが望ましく、例えば、過電流検出回路１４のサ
ンプリング周期５ｍｓとした場合、タイミング信号１０
２ｂの周期を２０ｍｓに設定することが望ましい。
過電流検出回路１４の過電流状態を検出のサンプリング
周期に基づいて決定することが望ましい。具体的には、
過電流検出回路１４の過電流状態を検出のサンプリング
周期を５ｍｓとした場合、タイミング信号１０２ｂの周
期は過電流検出回路１４のサンプリング周期以上に設定
することが望ましく、例えば、過電流検出回路１４のサ
ンプリング周期５ｍｓとした場合、タイミング信号１０
２ｂの周期を２０ｍｓに設定することが望ましい。
【０１２３】ＭＯＳトランジスタ２０は、パワーＭＯＳ
ＦＥＴ１８のゲートＧ−接地電位間にＭＯＳトランジス
タ２０のドレイン−ソースが接続されると共に、ゲート
制御信号１０８ａがＭＯＳトランジスタ２０のゲートに
接続され、ゲート制御信号１０８ａに応じて負荷駆動命
令１０２ａのパワーＭＯＳＦＥＴ１８への伝達を制限又
は遮断してパワーＭＯＳＦＥＴ１８の負荷駆動電力を制
限又は遮断する機能を有している。
ＦＥＴ１８のゲートＧ−接地電位間にＭＯＳトランジス
タ２０のドレイン−ソースが接続されると共に、ゲート
制御信号１０８ａがＭＯＳトランジスタ２０のゲートに
接続され、ゲート制御信号１０８ａに応じて負荷駆動命
令１０２ａのパワーＭＯＳＦＥＴ１８への伝達を制限又
は遮断してパワーＭＯＳＦＥＴ１８の負荷駆動電力を制
限又は遮断する機能を有している。
【０１２４】このような機能を有するＭＯＳトランジス
タ２０に依れば、過熱保護装置１０をインテリジェント
パワーモジュール３０内部に混載（集積化）した場合、
インテリジェントパワーモジュール３０内部のパワーＭ
ＯＳＦＥＴ１８において、パワーＭＯＳＦＥＴ１８の過
熱状態が解消された場合に、電力遮断制御状態の即時解
除をＭＯＳトランジスタ２０のゲート制御に依り高速に
且つ再現性良く実行する機能をインテリジェントパワー
モジュール３０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うこ
となく実質的に付加できるようになるといった効果を奏
する。
タ２０に依れば、過熱保護装置１０をインテリジェント
パワーモジュール３０内部に混載（集積化）した場合、
インテリジェントパワーモジュール３０内部のパワーＭ
ＯＳＦＥＴ１８において、パワーＭＯＳＦＥＴ１８の過
熱状態が解消された場合に、電力遮断制御状態の即時解
除をＭＯＳトランジスタ２０のゲート制御に依り高速に
且つ再現性良く実行する機能をインテリジェントパワー
モジュール３０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うこ
となく実質的に付加できるようになるといった効果を奏
する。
【０１２５】チャージポンプ回路１５で昇圧された電源
電圧ＶB（具体的には、バッテリの電源電圧（通常、１
２［Ｖdc］））は、負荷駆動命令１０２ａとレベルシフ
タ１６を介して所定の信号レベルに変換された後、抵抗
素子１７を介してＭＯＳトランジスタ２０のゲートに入
力される。
電圧ＶB（具体的には、バッテリの電源電圧（通常、１
２［Ｖdc］））は、負荷駆動命令１０２ａとレベルシフ
タ１６を介して所定の信号レベルに変換された後、抵抗
素子１７を介してＭＯＳトランジスタ２０のゲートに入
力される。
【０１２６】チャージポンプ回路１５は、具体的には、
バッテリの電源電圧（１２［Ｖdc］）を昇圧して、例え
ば、２５［Ｖdc］程度の昇圧電圧を発生させる。
バッテリの電源電圧（１２［Ｖdc］）を昇圧して、例え
ば、２５［Ｖdc］程度の昇圧電圧を発生させる。
【０１２７】次に、図面に基づき、過熱保護装置１０及
びインテリジェントパワーモジュール３０の動作を説明
する。
びインテリジェントパワーモジュール３０の動作を説明
する。
【０１２８】図３は、図２のインテリジェントパワーモ
ジュール３０における過熱状態が短い場合の動作を説明
するためのタイミングチャートである。また図４は、図
２のインテリジェントパワーモジュール３０における過
熱状態が長い場合の動作を説明するためのタイミングチ
ャートである。
ジュール３０における過熱状態が短い場合の動作を説明
するためのタイミングチャートである。また図４は、図
２のインテリジェントパワーモジュール３０における過
熱状態が長い場合の動作を説明するためのタイミングチ
ャートである。
【０１２９】過熱保護装置１０は、パワーＭＯＳＦＥＴ
１８の活性状態を監視し活性状態時においてパワーＭＯ
ＳＦＥＴ１８の過熱状態を検出した際に、図３及び図４
に示すように、パワーＭＯＳＦＥＴ１８を不活性状態に
遷移させて、負荷３２への電力供給を遮断する制御を実
行する。過熱状態の解消を検出した際に電力遮断制御状
態を解消するためのゲート制御信号１０８ａを生成す
る。
１８の活性状態を監視し活性状態時においてパワーＭＯ
ＳＦＥＴ１８の過熱状態を検出した際に、図３及び図４
に示すように、パワーＭＯＳＦＥＴ１８を不活性状態に
遷移させて、負荷３２への電力供給を遮断する制御を実
行する。過熱状態の解消を検出した際に電力遮断制御状
態を解消するためのゲート制御信号１０８ａを生成す
る。
【０１３０】特に、図３に示すように、過熱状態が短い
場合には、パワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態の解消を
検出した直後のタイミング信号１０２ｂに同期してリセ
ット信号１１０ａが生成され、このリセット信号１１０
ａに同期して電力遮断制御状態が解除される。
場合には、パワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態の解消を
検出した直後のタイミング信号１０２ｂに同期してリセ
ット信号１１０ａが生成され、このリセット信号１１０
ａに同期して電力遮断制御状態が解除される。
【０１３１】また、図４に示すように、過熱状態が長い
場合には、負荷駆動命令１０２ａのＯＦＦ状態への状態
遷移に同期して過熱検出状態が解除される、則ち、過熱
検出信号１２ａがＯＮ状態からＯＦＦ状態へ遷移する。
過熱検出信号１２ａの状態遷移の直後のタイミング信号
１０２ｂに同期してリセット信号１１０ａが生成され、
このリセット信号１１０ａに同期して電力遮断制御状態
が解除される。
場合には、負荷駆動命令１０２ａのＯＦＦ状態への状態
遷移に同期して過熱検出状態が解除される、則ち、過熱
検出信号１２ａがＯＮ状態からＯＦＦ状態へ遷移する。
過熱検出信号１２ａの状態遷移の直後のタイミング信号
１０２ｂに同期してリセット信号１１０ａが生成され、
このリセット信号１１０ａに同期して電力遮断制御状態
が解除される。
【０１３２】以上説明したように、本インテリジェント
パワーモジュール３０に依れば、過熱保護装置１０を入
力端子を介してインテリジェントパワーモジュール３０
に外付けした場合、インテリジェントパワーモジュール
３０内部のパワーＭＯＳＦＥＴ１８において、パワーＭ
ＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が解消された場合に、電力遮
断制御状態の即時解除を実行する機能をインテリジェン
トパワーモジュール３０側の変更を何等伴うことなくイ
ンテリジェントパワーモジュール３０に実質的に付加で
きるようになるといった効果を奏する。
パワーモジュール３０に依れば、過熱保護装置１０を入
力端子を介してインテリジェントパワーモジュール３０
に外付けした場合、インテリジェントパワーモジュール
３０内部のパワーＭＯＳＦＥＴ１８において、パワーＭ
ＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が解消された場合に、電力遮
断制御状態の即時解除を実行する機能をインテリジェン
トパワーモジュール３０側の変更を何等伴うことなくイ
ンテリジェントパワーモジュール３０に実質的に付加で
きるようになるといった効果を奏する。
【０１３３】また、電力遮断制御状態の即時解除を実行
する機能がインテリジェントパワーモジュール３０に付
加される結果、電力遮断制御に起因してパワーＭＯＳＦ
ＥＴ１８内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避
する機能をインテリジェントパワーモジュール３０側の
変更を何等伴うことなくインテリジェントパワーモジュ
ール３０に実質的に付加できるようになるといった効果
を奏する。
する機能がインテリジェントパワーモジュール３０に付
加される結果、電力遮断制御に起因してパワーＭＯＳＦ
ＥＴ１８内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避
する機能をインテリジェントパワーモジュール３０側の
変更を何等伴うことなくインテリジェントパワーモジュ
ール３０に実質的に付加できるようになるといった効果
を奏する。
【０１３４】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、インテリジェントパワーモジュール３
０におけるパワーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図るこ
とができるようになるといった効果をインテリジェント
パワーモジュール３０側の変更を何等伴うことなく実現
できるようになるといった効果を奏する。
回避できる結果、インテリジェントパワーモジュール３
０におけるパワーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図るこ
とができるようになるといった効果をインテリジェント
パワーモジュール３０側の変更を何等伴うことなく実現
できるようになるといった効果を奏する。
【０１３５】更に、電力遮断制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、パワーＭＯＳＦＥＴ１８をリセット
状態に制御する機能をインテリジェントパワーモジュー
ル３０側の変更を何等伴うことなくインテリジェントパ
ワーモジュール３０に実質的に付加できるようになると
いった効果を奏する。
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、パワーＭＯＳＦＥＴ１８をリセット
状態に制御する機能をインテリジェントパワーモジュー
ル３０側の変更を何等伴うことなくインテリジェントパ
ワーモジュール３０に実質的に付加できるようになると
いった効果を奏する。
【０１３６】
【発明の効果】請求項１に記載の発明に依れば、駆動回
路の過熱状態が解消された場合には、電力制限制御状態
の即時解除を実行できるようになるといった効果を奏す
る。
路の過熱状態が解消された場合には、電力制限制御状態
の即時解除を実行できるようになるといった効果を奏す
る。
【０１３７】また、電力制限制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、電力制限制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、電力制限制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
【０１３８】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
【０１３９】更に、電力制限制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、駆動回路をリセット状態に制御でき
るようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、駆動回路をリセット状態に制御でき
るようになるといった効果を奏する。
【０１４０】請求項２に記載の発明に依れば、請求項１
に記載の効果に加えて、駆動回路の過熱状態が解消され
た場合には、リセット信号１１０ａに同期したゲート制
御信号１０８ａを用いて電力制限制御状態の即時解除を
実行できるようになるといった効果を奏する。
に記載の効果に加えて、駆動回路の過熱状態が解消され
た場合には、リセット信号１１０ａに同期したゲート制
御信号１０８ａを用いて電力制限制御状態の即時解除を
実行できるようになるといった効果を奏する。
【０１４１】また、リセット信号１１０ａに同期して電
力制限制御状態の即時解除を実行できるようになる結
果、電力制限制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱ス
トレスが発生することを回避できるようになるといった
効果を奏する。
力制限制御状態の即時解除を実行できるようになる結
果、電力制限制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱ス
トレスが発生することを回避できるようになるといった
効果を奏する。
【０１４２】請求項３に記載の発明に依れば、負荷３２
の駆動が可能と成ると共に、駆動回路の過熱状態が解消
された場合には、電力制限制御状態の保持及び即時解除
を実行できるようになるといった効果を奏する。
の駆動が可能と成ると共に、駆動回路の過熱状態が解消
された場合には、電力制限制御状態の保持及び即時解除
を実行できるようになるといった効果を奏する。
【０１４３】また、電力制限制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、電力制限制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、電力制限制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
【０１４４】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
【０１４５】更に、電力制限制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、タイミング信号１０２ｂに同期した
ゲート制御信号１０８ａを用いて駆動回路をリセット状
態に制御できるようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、タイミング信号１０２ｂに同期した
ゲート制御信号１０８ａを用いて駆動回路をリセット状
態に制御できるようになるといった効果を奏する。
【０１４６】請求項４に記載の発明に依れば、請求項３
に記載の効果に加えて、駆動回路の過熱状態が解消され
た場合には、リセット信号１１０ａに同期したゲート制
御信号１０８ａを用いて電力制限制御状態の即時解除を
実行できるようになるといった効果を奏する。
に記載の効果に加えて、駆動回路の過熱状態が解消され
た場合には、リセット信号１１０ａに同期したゲート制
御信号１０８ａを用いて電力制限制御状態の即時解除を
実行できるようになるといった効果を奏する。
【０１４７】また、リセット信号１１０ａに同期して電
力制限制御状態の即時解除を実行できるようになる結
果、電力制限制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱ス
トレスが発生することを回避できるようになるといった
効果を奏する。
力制限制御状態の即時解除を実行できるようになる結
果、電力制限制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱ス
トレスが発生することを回避できるようになるといった
効果を奏する。
【０１４８】請求項５に記載の発明に依れば、駆動回路
の過熱状態が解消された場合には、電力遮断制御状態の
即時解除を実行できるようになるといった効果を奏す
る。
の過熱状態が解消された場合には、電力遮断制御状態の
即時解除を実行できるようになるといった効果を奏す
る。
【０１４９】また、電力遮断制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、電力制限制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、電力制限制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
【０１５０】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
【０１５１】更に、電力遮断制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、駆動回路をリセット状態に制御でき
るようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、駆動回路をリセット状態に制御でき
るようになるといった効果を奏する。
【０１５２】請求項６に記載の発明に依れば、請求項５
に記載の効果に加えて、駆動回路の過熱状態が解消され
た場合には、リセット信号１１０ａに同期したゲート制
御信号１０８ａを用いて電力遮断制御状態の即時解除を
実行できるようになるといった効果を奏する。
に記載の効果に加えて、駆動回路の過熱状態が解消され
た場合には、リセット信号１１０ａに同期したゲート制
御信号１０８ａを用いて電力遮断制御状態の即時解除を
実行できるようになるといった効果を奏する。
【０１５３】また、リセット信号１１０ａに同期して電
力遮断制御状態の即時解除を実行できるようになる結
果、電力制限制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱ス
トレスが発生することを回避できるようになるといった
効果を奏する。
力遮断制御状態の即時解除を実行できるようになる結
果、電力制限制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱ス
トレスが発生することを回避できるようになるといった
効果を奏する。
【０１５４】請求項７に記載の発明に依れば、負荷３２
の駆動が可能と成ると共に、駆動回路の過熱状態が解消
された場合には、電力遮断制御状態の保持及び即時解除
を実行できるようになるといった効果を奏する。
の駆動が可能と成ると共に、駆動回路の過熱状態が解消
された場合には、電力遮断制御状態の保持及び即時解除
を実行できるようになるといった効果を奏する。
【０１５５】また、電力遮断制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、電力遮断制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、電力遮断制御に起因して駆動回
路内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避できる
ようになるといった効果を奏する。
【０１５６】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
回避できる結果、駆動回路の高信頼化を図ることができ
るようになるといった効果を奏する。
【０１５７】更に、電力遮断制御状態の即時解除を実行
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、タイミング信号１０２ｂに同期した
ゲート制御信号１０８ａを用いて駆動回路をリセット状
態に制御できるようになるといった効果を奏する。
できるようになる結果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷
移を待つことなく、タイミング信号１０２ｂに同期した
ゲート制御信号１０８ａを用いて駆動回路をリセット状
態に制御できるようになるといった効果を奏する。
【０１５８】請求項８に記載の発明に依れば、請求項７
に記載の効果に加えて、駆動回路の過熱状態が解消され
た場合には、リセット信号１１０ａに同期したゲート制
御信号１０８ａを用いて電力遮断制御状態の即時解除を
実行できるようになるといった効果を奏する。
に記載の効果に加えて、駆動回路の過熱状態が解消され
た場合には、リセット信号１１０ａに同期したゲート制
御信号１０８ａを用いて電力遮断制御状態の即時解除を
実行できるようになるといった効果を奏する。
【０１５９】また、リセット信号１１０ａに同期して電
力遮断制御状態の即時解除を実行できるようになる結
果、電力遮断制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱ス
トレスが発生することを回避できるようになるといった
効果を奏する。
力遮断制御状態の即時解除を実行できるようになる結
果、電力遮断制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱ス
トレスが発生することを回避できるようになるといった
効果を奏する。
【０１６０】請求項９に記載の発明に依れば、請求項１
乃至８のいずれか一項に記載の効果に加えて、過熱保護
装置１０を入力端子を介して半導体スイッチ装置４０に
外付けできる結果、半導体スイッチ装置４０内部の駆動
回路において、駆動回路の過熱状態が解消された場合
に、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除
を実行する機能を半導体スイッチ装置４０側の変更を何
等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実質的に付加
できるようになるといった効果を奏する。
乃至８のいずれか一項に記載の効果に加えて、過熱保護
装置１０を入力端子を介して半導体スイッチ装置４０に
外付けできる結果、半導体スイッチ装置４０内部の駆動
回路において、駆動回路の過熱状態が解消された場合
に、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除
を実行する機能を半導体スイッチ装置４０側の変更を何
等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実質的に付加
できるようになるといった効果を奏する。
【０１６１】また、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行する機能が半導体スイッチ装置４
０に付加される結果、電力制限制御又は電力遮断制御に
起因して駆動回路内部に過剰な熱ストレスが発生するこ
とを回避する機能を半導体スイッチ装置４０側の変更を
何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実質的に付
加できるようになるといった効果を奏する。
状態の即時解除を実行する機能が半導体スイッチ装置４
０に付加される結果、電力制限制御又は電力遮断制御に
起因して駆動回路内部に過剰な熱ストレスが発生するこ
とを回避する機能を半導体スイッチ装置４０側の変更を
何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実質的に付
加できるようになるといった効果を奏する。
【０１６２】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、半導体スイッチ装置４０における駆動
回路の高信頼化を図ることができるようになるといった
効果を半導体スイッチ装置４０側の変更を何等伴うこと
なく実現できるようになるといった効果を奏する。
回避できる結果、半導体スイッチ装置４０における駆動
回路の高信頼化を図ることができるようになるといった
効果を半導体スイッチ装置４０側の変更を何等伴うこと
なく実現できるようになるといった効果を奏する。
【０１６３】更に、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行できるようになる結果、負荷駆動
命令１０２ａの状態遷移を待つことなく、駆動回路をリ
セット状態に制御する機能を半導体スイッチ装置４０側
の変更を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実
質的に付加できるようになるといった効果を奏する。
状態の即時解除を実行できるようになる結果、負荷駆動
命令１０２ａの状態遷移を待つことなく、駆動回路をリ
セット状態に制御する機能を半導体スイッチ装置４０側
の変更を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実
質的に付加できるようになるといった効果を奏する。
【０１６４】請求項１０に記載の発明に依れば、請求項
１乃至８のいずれか一項に記載の効果に加えて、過熱保
護装置１０を半導体スイッチ装置４０内部に混載（集積
化）できる結果、半導体スイッチ装置４０内部の駆動回
路において、駆動回路の過熱状態が解消された場合に、
電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除を実
行する機能を半導体スイッチ装置４０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。
１乃至８のいずれか一項に記載の効果に加えて、過熱保
護装置１０を半導体スイッチ装置４０内部に混載（集積
化）できる結果、半導体スイッチ装置４０内部の駆動回
路において、駆動回路の過熱状態が解消された場合に、
電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除を実
行する機能を半導体スイッチ装置４０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。
【０１６５】また、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行する機能が半導体スイッチ装置４
０に内部に混載（集積化）される結果、電力制限制御又
は電力遮断制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱スト
レスが発生することを回避する機能を半導体スイッチ装
置４０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うことなく実
質的に付加できるようになるといった効果を奏する。
状態の即時解除を実行する機能が半導体スイッチ装置４
０に内部に混載（集積化）される結果、電力制限制御又
は電力遮断制御に起因して駆動回路内部に過剰な熱スト
レスが発生することを回避する機能を半導体スイッチ装
置４０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うことなく実
質的に付加できるようになるといった効果を奏する。
【０１６６】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる機能を半導体スイッチ装置４０内部に混載
（集積化）できる結果、半導体スイッチ装置４０におけ
る駆動回路の高信頼化を図ることができるようになると
いった効果を半導体スイッチ装置４０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。
回避できる機能を半導体スイッチ装置４０内部に混載
（集積化）できる結果、半導体スイッチ装置４０におけ
る駆動回路の高信頼化を図ることができるようになると
いった効果を半導体スイッチ装置４０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。
【０１６７】更に、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行できる機能を半導体スイッチ装置
４０内部に混載（集積化）できる結果、負荷駆動命令１
０２ａの状態遷移を待つことなく、駆動回路をリセット
状態に制御する機能を半導体スイッチ装置４０側の変更
を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実質的に
付加できるようになるといった効果を奏する。
状態の即時解除を実行できる機能を半導体スイッチ装置
４０内部に混載（集積化）できる結果、負荷駆動命令１
０２ａの状態遷移を待つことなく、駆動回路をリセット
状態に制御する機能を半導体スイッチ装置４０側の変更
を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実質的に
付加できるようになるといった効果を奏する。
【０１６８】請求項１１に記載の発明に依れば、請求項
９又は１０に記載の効果に加えて、過熱保護装置１０を
入力端子を介して半導体スイッチ装置４０に外付けした
場合、半導体スイッチ装置４０内部のパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１８において、パワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が
解消された場合に、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行する機能を半導体スイッチ装置４
０側の変更を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０
に実質的に付加できるようになるといった効果を奏す
る。
９又は１０に記載の効果に加えて、過熱保護装置１０を
入力端子を介して半導体スイッチ装置４０に外付けした
場合、半導体スイッチ装置４０内部のパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１８において、パワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が
解消された場合に、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行する機能を半導体スイッチ装置４
０側の変更を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０
に実質的に付加できるようになるといった効果を奏す
る。
【０１６９】また、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行する機能が半導体スイッチ装置４
０に付加される結果、電力制限制御又は電力遮断制御に
起因してパワーＭＯＳＦＥＴ１８内部に過剰な熱ストレ
スが発生することを回避する機能を半導体スイッチ装置
４０側の変更を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４
０に実質的に付加できるようになるといった効果を奏す
る。
状態の即時解除を実行する機能が半導体スイッチ装置４
０に付加される結果、電力制限制御又は電力遮断制御に
起因してパワーＭＯＳＦＥＴ１８内部に過剰な熱ストレ
スが発生することを回避する機能を半導体スイッチ装置
４０側の変更を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４
０に実質的に付加できるようになるといった効果を奏す
る。
【０１７０】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、半導体スイッチ装置４０におけるパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図ることができるよう
になるといった効果を半導体スイッチ装置４０側の変更
を何等伴うことなく実現できるようになるといった効果
を奏する。
回避できる結果、半導体スイッチ装置４０におけるパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図ることができるよう
になるといった効果を半導体スイッチ装置４０側の変更
を何等伴うことなく実現できるようになるといった効果
を奏する。
【０１７１】更に、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行できるようになる結果、負荷駆動
命令１０２ａの状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳ
ＦＥＴ１８をリセット状態に制御する機能を半導体スイ
ッチ装置４０側の変更を何等伴うことなく半導体スイッ
チ装置４０に実質的に付加できるようになるといった効
果を奏する。
状態の即時解除を実行できるようになる結果、負荷駆動
命令１０２ａの状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳ
ＦＥＴ１８をリセット状態に制御する機能を半導体スイ
ッチ装置４０側の変更を何等伴うことなく半導体スイッ
チ装置４０に実質的に付加できるようになるといった効
果を奏する。
【０１７２】一方、過熱保護装置１０を半導体スイッチ
装置４０内部に混載（集積化）した場合、半導体スイッ
チ装置４０内部のパワーＭＯＳＦＥＴ１８において、パ
ワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が解消された場合に、
電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除を実
行する機能を半導体スイッチ装置４０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。また、電力制限制御状態又
は電力遮断制御状態の即時解除を実行する機能が半導体
スイッチ装置４０に内部に混載（集積化）される結果、
電力制限制御又は電力遮断制御に起因してパワーＭＯＳ
ＦＥＴ１８内部に過剰な熱ストレスが発生することを回
避する機能を半導体スイッチ装置４０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。則ち、過剰な熱ストレスが
発生することを回避できる機能を半導体スイッチ装置４
０内部に混載（集積化）できる結果、半導体スイッチ装
置４０におけるパワーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図
ることができるようになるといった効果を半導体スイッ
チ装置４０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うことな
く実質的に付加できるようになるといった効果を奏す
る。更に、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即
時解除を実行できる機能を半導体スイッチ装置４０内部
に混載（集積化）できる結果、負荷駆動命令１０２ａの
状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳＦＥＴ１８をリ
セット状態に制御する機能を半導体スイッチ装置４０側
の変更を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実
質的に付加できるようになるといった効果を奏する。
装置４０内部に混載（集積化）した場合、半導体スイッ
チ装置４０内部のパワーＭＯＳＦＥＴ１８において、パ
ワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が解消された場合に、
電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除を実
行する機能を半導体スイッチ装置４０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。また、電力制限制御状態又
は電力遮断制御状態の即時解除を実行する機能が半導体
スイッチ装置４０に内部に混載（集積化）される結果、
電力制限制御又は電力遮断制御に起因してパワーＭＯＳ
ＦＥＴ１８内部に過剰な熱ストレスが発生することを回
避する機能を半導体スイッチ装置４０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。則ち、過剰な熱ストレスが
発生することを回避できる機能を半導体スイッチ装置４
０内部に混載（集積化）できる結果、半導体スイッチ装
置４０におけるパワーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図
ることができるようになるといった効果を半導体スイッ
チ装置４０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うことな
く実質的に付加できるようになるといった効果を奏す
る。更に、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即
時解除を実行できる機能を半導体スイッチ装置４０内部
に混載（集積化）できる結果、負荷駆動命令１０２ａの
状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳＦＥＴ１８をリ
セット状態に制御する機能を半導体スイッチ装置４０側
の変更を何等伴うことなく半導体スイッチ装置４０に実
質的に付加できるようになるといった効果を奏する。
【０１７３】請求項１２に記載の発明に依れば、請求項
１乃至８のいずれか一項に記載の効果に加えて、過熱保
護装置１０を入力端子を介してインテリジェントパワー
モジュール３０に外付けした場合、インテリジェントパ
ワーモジュール３０内部のパワーＭＯＳＦＥＴ１８にお
いて、パワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が解消された
場合に、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時
解除を実行する機能をインテリジェントパワーモジュー
ル３０側の変更を何等伴うことなくインテリジェントパ
ワーモジュール３０に実質的に付加できるようになると
いった効果を奏する。
１乃至８のいずれか一項に記載の効果に加えて、過熱保
護装置１０を入力端子を介してインテリジェントパワー
モジュール３０に外付けした場合、インテリジェントパ
ワーモジュール３０内部のパワーＭＯＳＦＥＴ１８にお
いて、パワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が解消された
場合に、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時
解除を実行する機能をインテリジェントパワーモジュー
ル３０側の変更を何等伴うことなくインテリジェントパ
ワーモジュール３０に実質的に付加できるようになると
いった効果を奏する。
【０１７４】また、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行する機能がインテリジェントパワ
ーモジュール３０に付加される結果、電力制限制御又は
電力遮断制御に起因してパワーＭＯＳＦＥＴ１８内部に
過剰な熱ストレスが発生することを回避する機能をイン
テリジェントパワーモジュール３０側の変更を何等伴う
ことなくインテリジェントパワーモジュール３０に実質
的に付加できるようになるといった効果を奏する。
状態の即時解除を実行する機能がインテリジェントパワ
ーモジュール３０に付加される結果、電力制限制御又は
電力遮断制御に起因してパワーＭＯＳＦＥＴ１８内部に
過剰な熱ストレスが発生することを回避する機能をイン
テリジェントパワーモジュール３０側の変更を何等伴う
ことなくインテリジェントパワーモジュール３０に実質
的に付加できるようになるといった効果を奏する。
【０１７５】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、インテリジェントパワーモジュール３
０におけるパワーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図るこ
とができるようになるといった効果をインテリジェント
パワーモジュール３０側の変更を何等伴うことなく実現
できるようになるといった効果を奏する。
回避できる結果、インテリジェントパワーモジュール３
０におけるパワーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図るこ
とができるようになるといった効果をインテリジェント
パワーモジュール３０側の変更を何等伴うことなく実現
できるようになるといった効果を奏する。
【０１７６】更に、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除を実行できるようになる結果、負荷駆動
命令１０２ａの状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳ
ＦＥＴ１８をリセット状態に制御する機能をインテリジ
ェントパワーモジュール３０側の変更を何等伴うことな
くインテリジェントパワーモジュール３０に実質的に付
加できるようになるといった効果を奏する。
状態の即時解除を実行できるようになる結果、負荷駆動
命令１０２ａの状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳ
ＦＥＴ１８をリセット状態に制御する機能をインテリジ
ェントパワーモジュール３０側の変更を何等伴うことな
くインテリジェントパワーモジュール３０に実質的に付
加できるようになるといった効果を奏する。
【０１７７】請求項１３に記載の発明に依れば、請求項
１乃至８のいずれか一項に記載の効果に加えて、過熱保
護装置１０をインテリジェントパワーモジュール３０内
部に混載（集積化）できる結果、インテリジェントパワ
ーモジュール３０内部のパワーＭＯＳＦＥＴ１８におい
て、パワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が解消された場
合に、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解
除を実行する機能をインテリジェントパワーモジュール
３０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うことなく実質
的に付加できるようになるといった効果を奏する。ま
た、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除
を実行する機能がインテリジェントパワーモジュール３
０に内部に混載（集積化）される結果、電力制限制御又
は電力遮断制御に起因してパワーＭＯＳＦＥＴ１８内部
に過剰な熱ストレスが発生することを回避する機能をイ
ンテリジェントパワーモジュール３０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。則ち、過剰な熱ストレスが
発生することを回避できる機能をインテリジェントパワ
ーモジュール３０内部に混載（集積化）できる結果、イ
ンテリジェントパワーモジュール３０におけるパワーＭ
ＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図ることができるようにな
るといった効果をインテリジェントパワーモジュール３
０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うことなく実質的
に付加できるようになるといった効果を奏する。更に、
電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除を実
行できる機能をインテリジェントパワーモジュール３０
内部に混載（集積化）できる結果、負荷駆動命令１０２
ａの状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳＦＥＴ１８
をリセット状態に制御する機能をインテリジェントパワ
ーモジュール３０側の変更を何等伴うことなくインテリ
ジェントパワーモジュール３０に実質的に付加できるよ
うになるといった効果を奏する。
１乃至８のいずれか一項に記載の効果に加えて、過熱保
護装置１０をインテリジェントパワーモジュール３０内
部に混載（集積化）できる結果、インテリジェントパワ
ーモジュール３０内部のパワーＭＯＳＦＥＴ１８におい
て、パワーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が解消された場
合に、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解
除を実行する機能をインテリジェントパワーモジュール
３０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うことなく実質
的に付加できるようになるといった効果を奏する。ま
た、電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除
を実行する機能がインテリジェントパワーモジュール３
０に内部に混載（集積化）される結果、電力制限制御又
は電力遮断制御に起因してパワーＭＯＳＦＥＴ１８内部
に過剰な熱ストレスが発生することを回避する機能をイ
ンテリジェントパワーモジュール３０に装置規模（回路
規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できるように
なるといった効果を奏する。則ち、過剰な熱ストレスが
発生することを回避できる機能をインテリジェントパワ
ーモジュール３０内部に混載（集積化）できる結果、イ
ンテリジェントパワーモジュール３０におけるパワーＭ
ＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図ることができるようにな
るといった効果をインテリジェントパワーモジュール３
０に装置規模（回路規模）の拡大を伴うことなく実質的
に付加できるようになるといった効果を奏する。更に、
電力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除を実
行できる機能をインテリジェントパワーモジュール３０
内部に混載（集積化）できる結果、負荷駆動命令１０２
ａの状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳＦＥＴ１８
をリセット状態に制御する機能をインテリジェントパワ
ーモジュール３０側の変更を何等伴うことなくインテリ
ジェントパワーモジュール３０に実質的に付加できるよ
うになるといった効果を奏する。
【０１７８】請求項１４に記載の発明に依れば、請求項
１２又は１３に記載の効果に加えて、過熱保護装置１０
を入力端子を介してインテリジェントパワーモジュール
３０に外付けした場合、インテリジェントパワーモジュ
ール３０内部のパワーＭＯＳＦＥＴ１８において、パワ
ーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が解消された場合に、電
力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除をＭＯ
Ｓトランジスタ２０のゲート制御に依り高速に且つ再現
性良く実行する機能をインテリジェントパワーモジュー
ル３０側の変更を何等伴うことなくインテリジェントパ
ワーモジュール３０に実質的に付加できるようになると
いった効果を奏する。
１２又は１３に記載の効果に加えて、過熱保護装置１０
を入力端子を介してインテリジェントパワーモジュール
３０に外付けした場合、インテリジェントパワーモジュ
ール３０内部のパワーＭＯＳＦＥＴ１８において、パワ
ーＭＯＳＦＥＴ１８の過熱状態が解消された場合に、電
力制限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除をＭＯ
Ｓトランジスタ２０のゲート制御に依り高速に且つ再現
性良く実行する機能をインテリジェントパワーモジュー
ル３０側の変更を何等伴うことなくインテリジェントパ
ワーモジュール３０に実質的に付加できるようになると
いった効果を奏する。
【０１７９】また、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除をＭＯＳトランジスタ２０のゲート制御
に依り高速に且つ再現性良く実行する機能がインテリジ
ェントパワーモジュール３０に付加される結果、電力制
限制御又は電力遮断制御に起因してパワーＭＯＳＦＥＴ
１８内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避する
機能をインテリジェントパワーモジュール３０側の変更
を何等伴うことなくインテリジェントパワーモジュール
３０に実質的に付加できるようになるといった効果を奏
する。
状態の即時解除をＭＯＳトランジスタ２０のゲート制御
に依り高速に且つ再現性良く実行する機能がインテリジ
ェントパワーモジュール３０に付加される結果、電力制
限制御又は電力遮断制御に起因してパワーＭＯＳＦＥＴ
１８内部に過剰な熱ストレスが発生することを回避する
機能をインテリジェントパワーモジュール３０側の変更
を何等伴うことなくインテリジェントパワーモジュール
３０に実質的に付加できるようになるといった効果を奏
する。
【０１８０】則ち、過剰な熱ストレスが発生することを
回避できる結果、インテリジェントパワーモジュール３
０におけるパワーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図るこ
とができるようになるといった効果をインテリジェント
パワーモジュール３０側の変更を何等伴うことなく実現
できるようになるといった効果を奏する。
回避できる結果、インテリジェントパワーモジュール３
０におけるパワーＭＯＳＦＥＴ１８の高信頼化を図るこ
とができるようになるといった効果をインテリジェント
パワーモジュール３０側の変更を何等伴うことなく実現
できるようになるといった効果を奏する。
【０１８１】更に、電力制限制御状態又は電力遮断制御
状態の即時解除をＭＯＳトランジスタ２０のゲート制御
に依り高速に且つ再現性良く実行できるようになる結
果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷移を待つことなく、
パワーＭＯＳＦＥＴ１８をリセット状態に制御する機能
をインテリジェントパワーモジュール３０側の変更を何
等伴うことなくインテリジェントパワーモジュール３０
に実質的に付加できるようになるといった効果を奏す
る。
状態の即時解除をＭＯＳトランジスタ２０のゲート制御
に依り高速に且つ再現性良く実行できるようになる結
果、負荷駆動命令１０２ａの状態遷移を待つことなく、
パワーＭＯＳＦＥＴ１８をリセット状態に制御する機能
をインテリジェントパワーモジュール３０側の変更を何
等伴うことなくインテリジェントパワーモジュール３０
に実質的に付加できるようになるといった効果を奏す
る。
【０１８２】一方、過熱保護装置１０をインテリジェン
トパワーモジュール３０内部に混載（集積化）した場
合、インテリジェントパワーモジュール３０内部のパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１８において、パワーＭＯＳＦＥＴ１８
の過熱状態が解消された場合に、電力制限制御状態又は
電力遮断制御状態の即時解除をＭＯＳトランジスタ２０
のゲート制御に依り高速に且つ再現性良く実行する機能
をインテリジェントパワーモジュール３０に装置規模
（回路規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できる
ようになるといった効果を奏する。また、電力制限制御
状態又は電力遮断制御状態の即時解除をＭＯＳトランジ
スタ２０のゲート制御に依り高速に且つ再現性良く実行
する機能がインテリジェントパワーモジュール３０に内
部に混載（集積化）される結果、電力制限制御又は電力
遮断制御に起因してパワーＭＯＳＦＥＴ１８内部に過剰
な熱ストレスが発生することを回避する機能をインテリ
ジェントパワーモジュール３０に装置規模（回路規模）
の拡大を伴うことなく実質的に付加できるようになると
いった効果を奏する。則ち、過剰な熱ストレスが発生す
ることを回避できる機能をインテリジェントパワーモジ
ュール３０内部に混載（集積化）できる結果、インテリ
ジェントパワーモジュール３０におけるパワーＭＯＳＦ
ＥＴ１８の高信頼化を図ることができるようになるとい
った効果をインテリジェントパワーモジュール３０に装
置規模（回路規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加
できるようになるといった効果を奏する。更に、電力制
限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除をＭＯＳト
ランジスタ２０のゲート制御に依り高速に且つ再現性良
く実行できる機能をインテリジェントパワーモジュール
３０内部に混載（集積化）できる結果、負荷駆動命令１
０２ａの状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳＦＥＴ
１８をリセット状態に制御する機能をインテリジェント
パワーモジュール３０側の変更を何等伴うことなくイン
テリジェントパワーモジュール３０に実質的に付加でき
るようになるといった効果を奏する。
トパワーモジュール３０内部に混載（集積化）した場
合、インテリジェントパワーモジュール３０内部のパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１８において、パワーＭＯＳＦＥＴ１８
の過熱状態が解消された場合に、電力制限制御状態又は
電力遮断制御状態の即時解除をＭＯＳトランジスタ２０
のゲート制御に依り高速に且つ再現性良く実行する機能
をインテリジェントパワーモジュール３０に装置規模
（回路規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加できる
ようになるといった効果を奏する。また、電力制限制御
状態又は電力遮断制御状態の即時解除をＭＯＳトランジ
スタ２０のゲート制御に依り高速に且つ再現性良く実行
する機能がインテリジェントパワーモジュール３０に内
部に混載（集積化）される結果、電力制限制御又は電力
遮断制御に起因してパワーＭＯＳＦＥＴ１８内部に過剰
な熱ストレスが発生することを回避する機能をインテリ
ジェントパワーモジュール３０に装置規模（回路規模）
の拡大を伴うことなく実質的に付加できるようになると
いった効果を奏する。則ち、過剰な熱ストレスが発生す
ることを回避できる機能をインテリジェントパワーモジ
ュール３０内部に混載（集積化）できる結果、インテリ
ジェントパワーモジュール３０におけるパワーＭＯＳＦ
ＥＴ１８の高信頼化を図ることができるようになるとい
った効果をインテリジェントパワーモジュール３０に装
置規模（回路規模）の拡大を伴うことなく実質的に付加
できるようになるといった効果を奏する。更に、電力制
限制御状態又は電力遮断制御状態の即時解除をＭＯＳト
ランジスタ２０のゲート制御に依り高速に且つ再現性良
く実行できる機能をインテリジェントパワーモジュール
３０内部に混載（集積化）できる結果、負荷駆動命令１
０２ａの状態遷移を待つことなく、パワーＭＯＳＦＥＴ
１８をリセット状態に制御する機能をインテリジェント
パワーモジュール３０側の変更を何等伴うことなくイン
テリジェントパワーモジュール３０に実質的に付加でき
るようになるといった効果を奏する。
【図１】本発明の過熱保護装置の一実施形態を説明する
ための回路図である。
ための回路図である。
【図２】図１の過熱保護装置を用いたインテリジェント
パワーモジュールの一実施形態を説明するための回路図
である。
パワーモジュールの一実施形態を説明するための回路図
である。
【図３】図２のインテリジェントパワーモジュールにお
ける過熱状態が短い場合の動作を説明するためのタイミ
ングチャートである。
ける過熱状態が短い場合の動作を説明するためのタイミ
ングチャートである。
【図４】図２のインテリジェントパワーモジュールにお
ける過熱状態が長い場合の動作を説明するためのタイミ
ングチャートである。
ける過熱状態が長い場合の動作を説明するためのタイミ
ングチャートである。
【図５】従来の過熱保護装置及びこれを用いたインテリ
ジェントパワーモジュールを説明するための回路図であ
る。
ジェントパワーモジュールを説明するための回路図であ
る。
【図６】図５のインテリジェントパワーモジュールにお
ける過熱保護装置の動作を説明するためのタイミングチ
ャートである。
ける過熱保護装置の動作を説明するためのタイミングチ
ャートである。
１０ 過熱保護装置 １０２ 制御手段 １０２ａ 負荷駆動命令 １０２ｂ タイミング信号 １０４ 論理素子（ＮＡＮＤゲート） １０６ トリガ発生回路 １０８ ゲート信号生成回路 １０８ａ ゲート制御信号 １１０，１１２ トリガ生成回路 １１０ａ リセット信号 １１４ 抵抗素子 １１６ コンデンサー １１８ａ 抵抗素子 １２ 過熱検出回路 １２ａ 過熱検出信号 １２２ コンパレータ １２４ 温度検出用ダイオード １４ 過電流検出回路 １４２ コンパレータ １４３，１４４，１４５ 抵抗素子 １５ チャージポンプ回路 １６ レベルシフタ １７ 抵抗素子 １８ ｎチャネルパワーＭＯＳＦＥＴ ２０ ＭＯＳトランジスタ ３０ インテリジェントパワーモジュール ３２ 負荷 ４０ 半導体スイッチ装置 ＶB 電源電圧
Claims (14)
- 【請求項１】 負荷を駆動する駆動回路の活性状態を監
視し当該活性状態時において当該駆動回路の過熱状態を
検出した際に当該活性状態を解除して負荷への電力供給
を制限すると共に当該電力制限制御状態を保持し、所定
周期を有するタイミング信号に同期して当該過熱状態を
監視し当該監視時において当該過熱状態の解消を検出し
た際に当該電力制限制御状態を解消するためのゲート制
御信号を生成するように構成されている、 ことを特徴とする過熱保護装置。 - 【請求項２】 前記タイミング信号を生成する制御手段
と、 前記タイミング信号に同期して当該過熱状態を監視し当
該監視時において当該過熱状態の解消を検出した際に当
該電力制限制御状態を解消するためのリセット信号を生
成するトリガ生成回路と、 前記駆動回路の活性状態を監視し当該活性状態時におい
て当該駆動回路の過熱状態を検出した際に当該活性状態
を解除して負荷への電力供給を制限する前記ゲート制御
信号を生成すると共に、前記リセット信号に応じて前記
負荷の駆動における電力制限制御状態を解消する前記ゲ
ート制御信号を生成するゲート信号生成回路を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の過熱保護装置。 - 【請求項３】 負荷を駆動する駆動回路を活性化して負
荷の駆動を命ずるための負荷駆動命令を生成し、又当該
駆動回路の活性状態を監視し当該活性状態時において当
該駆動回路の過熱状態を検出した際に当該活性状態を解
除して負荷への電力供給を制限すると共に当該電力制限
制御状態を保持し、所定周期を有するタイミング信号に
同期して当該過熱状態を監視し当該監視時において当該
過熱状態の解消を検出した際に当該電力制限制御状態を
解消するためのゲート制御信号を生成するように構成さ
れている、 ことを特徴とする過熱保護装置。 - 【請求項４】 前記負荷駆動命令及び前記タイミング信
号を生成する制御手段と、 前記タイミング信号に同期して当該過熱状態を監視し当
該監視時において当該過熱状態の解消を検出した際に当
該電力制限制御状態を解消するためのリセット信号を生
成するトリガ生成回路と、 前記駆動回路の活性状態を監視し当該活性状態時におい
て当該駆動回路の過熱状態を検出した際に当該活性状態
を解除して負荷への電力供給を制限する前記ゲート制御
信号を生成すると共に、前記リセット信号に応じて前記
負荷の駆動における電力制限制御状態を解消する前記ゲ
ート制御信号を生成するゲート信号生成回路を有する、 ことを特徴とする請求項３に記載の過熱保護装置。 - 【請求項５】 負荷を駆動する駆動回路の活性状態を監
視し当該活性状態時において当該駆動回路の過熱状態を
検出した際に当該駆動回路を不活性化して負荷への電力
供給を遮断すると共に当該電力遮断制御状態を保持し、
所定周期を有するタイミング信号に同期して当該過熱状
態を監視し当該監視時において当該過熱状態の解消を検
出した際に当該電力遮断制御状態を解消するためのゲー
ト制御信号を生成するように構成されている、 ことを特徴とする過熱保護装置。 - 【請求項６】 前記タイミング信号を生成する制御手段
と、 前記タイミング信号に同期して当該過熱状態を監視し当
該監視時において当該過熱状態の解消を検出した際に当
該電力遮断制御状態を解消するためのリセット信号を生
成するトリガ生成回路と、 前記駆動回路の活性状態を監視し当該活性状態時におい
て当該駆動回路の過熱状態を検出した際に前記駆動回路
を不活性化して負荷への電力供給を遮断する前記ゲート
制御信号を生成すると共に、前記リセット信号に応じて
前記負荷の駆動における電力遮断制御状態を解消する前
記ゲート制御信号を生成するゲート信号生成回路を有す
る、 ことを特徴とする請求項５に記載の過熱保護装置。 - 【請求項７】 負荷を駆動する駆動回路を活性化して負
荷の駆動を命ずるための負荷駆動命令を生成し、又当該
駆動回路の活性状態を監視し当該活性状態時において当
該駆動回路の過熱状態を検出した際に当該駆動回路を不
活性化して負荷への電力供給を遮断すると共に当該電力
遮断制御状態を保持し、所定周期を有するタイミング信
号に同期して当該過熱状態を監視し当該監視時において
当該過熱状態の解消を検出した際に当該電力遮断制御状
態を解消するためのゲート制御信号を生成するように構
成されている、 ことを特徴とする過熱保護装置。 - 【請求項８】 前記負荷駆動命令及び前記タイミング信
号を生成する制御手段と、 前記タイミング信号に同期して当該過熱状態を監視し当
該監視時において当該過熱状態の解消を検出した際に当
該電力遮断制御状態を解消するためのリセット信号を生
成するトリガ生成回路と、 前記駆動回路の活性状態を監視し当該活性状態時におい
て当該駆動回路の過熱状態を検出した際に前記駆動回路
を不活性化して負荷への電力供給を遮断する前記ゲート
制御信号を生成すると共に、前記リセット信号に応じて
前記負荷の駆動における電力遮断制御状態を解消する前
記ゲート制御信号を生成するゲート信号生成回路を有す
る、 ことを特徴とする請求項７に記載の過熱保護装置。 - 【請求項９】 入力端子を介して入力される前記負荷駆
動命令に応じて負荷を駆動すると共に、前記ゲート制御
信号に応じて負荷駆動電力を制御する前記駆動回路と、
前記駆動回路の過熱状態を検出した際に過熱検出信号を
生成する過熱検出回路を有する半導体スイッチ装置にお
いて、 前記過熱保護装置が前記入力端子を介して外付けされて
いる、 ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載
の過熱保護装置を用いた半導体スイッチ装置。 - 【請求項１０】 負荷を駆動するための半導体スイッチ
装置において、 前記過熱保護装置と、 前記負荷駆動命令に応じて負荷を駆動すると共に、前記
ゲート制御信号に応じて負荷駆動電力を制限する前記駆
動回路と、 前記駆動回路の過熱状態を検出した際に過熱検出信号を
生成する過熱検出回路を有する、 ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載
の半導体スイッチ装置。 - 【請求項１１】 前記パワーＭＯＳＦＥＴのゲート−接
地電位間にドレイン−ソースが接続されると共に前記ゲ
ート制御信号がゲートに接続され、当該ゲート制御信号
に応じて前記負荷駆動命令の当該パワーＭＯＳＦＥＴへ
の伝達を制限又は遮断して当該パワーＭＯＳＦＥＴの負
荷駆動電力を制限又は遮断するＭＯＳトランジスタを有
する、 ことを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体スイ
ッチ装置。 - 【請求項１２】 入力端子を介して入力される前記負荷
駆動命令に応じて負荷を駆動すると共に、前記ゲート制
御信号に応じて負荷駆動電力を制限又は遮断する前記駆
動回路としてのパワーＭＯＳＦＥＴと、前記パワーＭＯ
ＳＦＥＴの過熱状態を検出するために当該パワーＭＯＳ
ＦＥＴの近傍に設けられた温度検出用ダイオードと、当
該過熱状態を検出した際に過熱検出信号を生成するコン
パレータを具備した過熱検出回路を有するインテリジェ
ントパワーモジュールにおいて、 前記過熱保護装置が前記入力端子を介して外付けされて
いる、 ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載
の過熱保護装置を用いたインテリジェントパワーモジュ
ール。 - 【請求項１３】 負荷を駆動するためのインテリジェン
トパワーモジュールにおいて、 前記過熱保護装置と、 前記負荷駆動命令に応じて負荷を駆動すると共に、前記
ゲート制御信号に応じて負荷駆動電力を制限又は遮断す
る前記駆動回路としてのパワーＭＯＳＦＥＴと、 前記パワーＭＯＳＦＥＴの過熱状態を検出するために当
該パワーＭＯＳＦＥＴの近傍に設けられた温度検出用ダ
イオードと、当該過熱状態を検出した際に過熱検出信号
を生成するコンパレータを具備した過熱検出回路を有す
る、 ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載
の過熱保護装置を用いたインテリジェントパワーモジュ
ール。 - 【請求項１４】 前記パワーＭＯＳＦＥＴのゲート−接
地電位間にドレイン−ソースが接続されると共に前記ゲ
ート制御信号がゲートに接続され、当該ゲート制御信号
に応じて前記負荷駆動命令の当該パワーＭＯＳＦＥＴへ
の伝達を制限又は遮断して当該パワーＭＯＳＦＥＴの負
荷駆動電力を制限又は遮断するＭＯＳトランジスタを有
する、 ことを特徴とする請求項１２又は１３に記載のインテリ
ジェントパワーモジュール。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9111233A JPH10309032A (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | 過熱保護装置及びこれを用いた半導体スイッチ装置並びにインテリジェントパワーモジュール |
| US09/066,529 US6005761A (en) | 1997-04-28 | 1998-04-27 | Overheat protection device, semiconductor switch apparatus using the same, and intelligent power module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9111233A JPH10309032A (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | 過熱保護装置及びこれを用いた半導体スイッチ装置並びにインテリジェントパワーモジュール |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10309032A true JPH10309032A (ja) | 1998-11-17 |
Family
ID=14555947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9111233A Withdrawn JPH10309032A (ja) | 1997-04-28 | 1997-04-28 | 過熱保護装置及びこれを用いた半導体スイッチ装置並びにインテリジェントパワーモジュール |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6005761A (ja) |
| JP (1) | JPH10309032A (ja) |
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