JPH103092A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 横電界方式のアクティブマトリックス型液晶
表示装置で、製造歩留りが良行で、残像が少ない、広視
野角・高表示品質の画像を実現する。 【構成】 ガラス基板上に形成された走査信号線と映像
信号配線、画素電極、共通電極及びアクティブ素子から
なり、ガラス基板面にほぼ平行な方向の電界によって液
晶分子を駆動することによって画像表示を行う横電界駆
動方式の液晶表示装置において、走査信号線、映像信号
配線、画素電極、共通電極のそれぞれを絶縁膜によって
分離異層化した。また走査信号線と画素電極の一部にお
いて絶縁膜を介して重ねあわせ、付加容量を形成した。
同じように共通電極と画素電極の一部において絶縁膜を
介し重ねあわせて、付加容量を形成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、広視野角・高画質の大
画面アクティブマトリックス型液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のアクティブマトリックス型液晶表
示装置の一方の基板上に形成した櫛歯状電極対を用いて
液晶組成物層に電界を印加する方式が、例えば、特開平
７−３６０５８号や特開平７−１５９７８６号公報によ
り提案されている。以下液晶組成物層に印加する主たる
電界方向が、基板界面にほぼ平行な方向である表示方式
を横電界方式と称する。図１と図２が従来の横電界方式
の例である。共通電極と走査信号配線は、同じ層に
形成されている。さらに映像信号配線と液晶駆動電極
も同じ層に形成されている。共通電極と液晶駆動電
極とは、異なる層に分離形成されているが、直線状で
平行櫛歯状に配置されている。走査信号配線と映像信
号配線も同様に直線状平行配置で形成されている。共
通電極と映像信号配線とは、重ならないように配置
されている。付加容量は、共通電極と、液晶駆動電極
とを、絶縁膜を介して互いに重畳させることで形成し
ている。画素面積の半分ちかくをしめる共通電極と液
晶駆動電極の表面に関しては、使用している金属材料
そのままか、ショートをふせぐための自己酸化膜か、自
己窒化膜で被覆している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記の従来技術で横電
界方式の液晶表示装置を作る場合、走査信号配線と共
通電極が同じ層に形成されているために、ショートす
る確率が高い。同様に映像信号配線と液晶駆動電極
も同じ層に形成されているのでショートする確率が高
い。前者の場合には水平ライン欠陥となり、後者は点欠
陥となって画像品位をいちじるしく低下させる。このた
めに従来の構造では歩留りが低く生産コストが高くなる
問題があった。

【０００４】横電界方式では、付加容量を形成しない
と、液晶駆動電極の容量が非常に小さくなるためにＴＦ
Ｔのリーク電流の画面全体の不均一性がムラとなって見
えやすい。そのために従来技術では共通電極と液晶駆
動電極とを異なる層に絶縁膜を介して分離形成し、互
いに重畳させることで形成しているが、大きな付加容量
を形成しようとした場合有効画面を縮少して重畳部分の
面積を拡大する方法しかなく、光の透過率が悪い原因と
なっていた。

【０００５】図２にあるように共通電極と液晶駆動電
極が直線状で平行櫛歯状に配置されている従来型の横
電界方式では、図２４にあるように配向膜と液晶の
プレチルト角が視野角に大きな影響を与えることが知ら
れている。このため従来のＴＮ液晶を用いたＴＦＴで使
用されていたプレチルト角３°〜８°の液晶と配向膜は
使用することができず、ひとつの製造ラインでＴＮ方式
と横電界方式を生産する場合、配向膜と液晶を交換しな
ければならず、生産効率がいちじるしく低下する問題が
あった。

【０００６】横電界方式では、開口率が低くく、うまく
設計しても高々５０％程度である。有効画面の半分ちか
くが共通電極と液晶駆動電極とでしめられており、
従来の技術では、これらの電極の表面に反射防止の膜を
形成していないため、外部からカラーフィルターを通過
して液晶層に浸入してきた光は、共通電極と液晶駆動
電極で反射され再度カラーフィルターを通過して外部
に出ていく。このため黒レベルが灰色側にうきあがるた
めに、画面全体の黒レベルが従来のＴＮ液晶方式よりも
悪るいという問題があった。

【０００７】本発明は、上記の問題を解決するものであ
り、その目的は、より製造歩留りが高く、かつ開口率を
大きくでき、コントラストの高い大画面高精細アクティ
ブマトリックス型液晶表示装置をコスト安く提供するこ
とにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明では、上記の課題
を解決するために以下のような手段を採用します。

【０００９】基板上に走査信号配線と映像信号配線と前
記走査信号配線と映像信号配線との各交差部に形成され
た薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスタに接続
された液晶駆動電極と、少なくとも一部が、前記液晶駆
動電極と対向して形成された共通電極とを有するアクテ
ィブマトリックス基板と前記対向期板に挟持された液晶
層とからなる液晶表示装置において、 〔手段１〕前記走査信号配線と前記映像信号配線と、前
記共通電極と、前記液晶駆動電極とが、それぞれ絶縁膜
を介して互いに異なった層に形成分離した。

【００１０】〔手段２〕手段１において、前記映像信号
配線と前記共通電極の少なくとも一部、または、前記走
査信号配線と前記共通電極の少なくとも一部を絶縁膜を
介して互いに重畳させた。

【００１１】〔手段３〕手段１において、前記液晶駆動
電極と前記走査信号配線ならびに前記共通電極の少なく
とも一部を絶縁膜を介して互いに重畳させ、その重畳部
をもって付加容量を形成した。

【００１２】〔手段４〕手段１において、正の誘導率異
方性液晶（Ｐ型ＬＣ）を用いる場合、前記映像信号配線
と画素電極（液晶駆動電極と液晶駆動電極に対向してい
る共通電極の一部）とが液晶配向方向に対し、±１度〜
±４５度の範囲で屈曲している構造配置にした。

【００１３】〔手段５〕手段１において、正の誘導率異
方性液晶（Ｐ型ＬＣ）を用いる場合、前記走査信号配線
と画素電極とが、液晶配向方向に対して、±１度〜±４
５度の範囲で屈曲している構造配置にした。

【００１４】〔手段６〕手段１において、負の誘導率異
方性液晶（Ｎ型ＬＣ）を用いる場合、前記映像信号配線
と、画素電極とが液晶配向方向に対して、９０度をのぞ
く４５度〜１３５度の範囲で屈曲している構造配置にし
た。

【００１５】〔手段７〕手段１において、負の誘導率異
方性液晶（Ｎ型ＬＣ）を用いる場合、前記走査信号配線
と画素電極とが、液晶配向方向に対して、９０度をのぞ
く４５度〜１３５度の範囲で屈曲している構造配置にし
た。

【００１６】〔手段８〕前記液晶駆動電極と、共通電極
の両方、または、すくなくとも一方の電極表面に光の反
射防止膜層を形成した。

【００１７】

【作用】上記手段１の如く、走査信号配線と映像信号配
線と、共通電極と、液晶駆動電極とが、それぞれ絶縁膜
を介して互いに異なった層に存在するために、走査信号
配線と共通電極の短絡発生確率が小さくなり水平ライン
欠陥を低減可能となる。映像信号配線と液晶駆動電極の
短絡も発生確率が小さくなり点欠陥が低減する。

【００１８】上記手段２と上記手段３により、共通電極
の一部と映像信号配線、ならびに走査信号配線とが絶縁
膜を介して互いに重畳させることができるので、画素開
口率を大きく出来る。また液晶駆動電極と走査信号配線
ならびに共通電極の少なくとも一部を絶縁膜を介して互
いに重畳させて形成した付加量を大きくできるので、Ｔ
ＦＴのオフ抵抗の低下による画質の低下を防止できる。
またこの大きな付加量が走査信号線による液晶駆動電圧
の変動を低減する効果があるので、残像の発生を防止で
きる。

【００１９】上記手段４〜上記手段７により図１７，図
１８にあるように、画素電極（液晶駆動電極と共通電
極）内で、横電界が印加された場合、液晶分子は、画素
電極内部で、左回転と右回転の２通りの回転運動が発生
する。図２３にあるように一方向の回転運動だけでは、
プレチルト角が大きい場合図２４のように、視野角の特
性に片よりが発生する。ひとつの画素電極内部で左回転
と右回転の２通りの液晶分子の回転運動が発生する場合
には、プレチルト角が大きくても視野角の特性の片より
が発生しない。このことから、本発明の構造を用いた液
晶表示装置では、プレチルト角の制限をうけずに、配向
膜と、液晶の選択の自由度が大きくなる。残像や応答速
度の改善がやりやすくなり、従来の配向膜や液晶を使用
することも可能となるので、生産効率を上げることが可
能となる。偏光板の有効利用率もあがるので、コストｄ
ｏｗｎができる。

【００２０】上記手段８により、外部からカラーフィル
ターを通過して液晶層に侵入してきた光は、図２２にあ
るように、共通電極や液晶駆動電極の上層に形成さ
れた反射防止膜によって反射されなくなるので黒レベル
が改善されコントラストが高くなる。見やすい高品質の
画像が得られる。

【００２１】上記手段１，２，３より、有効画素以外か
らのバックライト光の光もれがすくなくなるので、カラ
ーフィルターのＢＭ（ブラックマスク）領域を小さくす
ることが可能となる。さらに図３７，３８，３９，４
０，４１，４２、にあるように、共通電極の１部、また
は液晶駆動電極の１部によってＴＦＴの部分を完全にお
おうことで、ＴＦＴの半導体活性層に直接外部からの光
があたらなくなる。これによりＴＦＴのオフ時のホトリ
ーク電流が激減する。従来どうしても必要とされたカラ
ーフィルターのＢＭ（ブラックマスク）が必要なくな
り、カラーフィルターの製造プロセスを短縮化でき、歩
留りをあげられるのでコストをさげることができる。

【００２２】

【実施例】

〔実施例１〕図３，図４，図５，図３１，図３５，図３
６，図３７，図３８は、本発明の第１部類の実施例の、
単位画素の断面及び平面図である。ガラス基板▲１０▼
上に、共通電極（コモン電極）を形成し、これを覆う
ように窒化シリコン（ＳｉＮ）膜や酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ_２）膜などからなる下地絶縁膜▲１４▼を形成した。
次に走査信号配線（ゲート電極）を形成した。走査信
号配線は、Ａｌなどの陽極酸化処理可能な金属が良い
が、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗ，Ｔａなどの純金属や合金で
も良い。電気抵抗値の低い金属を用い、二層、三層にか
さね合せた複合金属でも良い。走査信号配線の上にゲ
ート絶縁膜を形成してから非晶質シリコン（ａ−Ｓ
ｉ）膜▲Ｔ▼を形成し、トランジスタの能動層とする。
非晶質シリコンの一部に重畳するように映像信号配線
とドレイン電極▲Ｄ▼を形成する。これらすべてを被覆
するようにＳｉＮ膜よりなる保護絶縁膜を形成する。
次にドレイン電極▲Ｄ▼の上のＳｉＮにスルーホール▲
１５▼を形成する。液晶駆動電極を形成し、スルーホ
ール▲１５▼を介して、ドレイン電極▲Ｄ▼と電気的に
連結される。以上よりなる単位画素をマトリックス状に
配置したアクティブマトリックス基板の表面にポリイミ
ドよりなる配向膜を形成し、表面にラビング処理を施
した。同じく表面にラビング処理を施した配向膜を表
面に形成した対向基板▲１１▼と前記アクティブマトリ
ックス基板の間に棒状の液晶分子を含む液晶組成物を
封入し、二枚の基板の外表面に偏光板▲１２▼，▲１３
▼を配置した。

【００２３】配向膜，は、ラビング処理の必要な
い、光重合型耐熱性高分子を直線偏光光線を用いて光重
合反応をおこさせて液晶配向性をもたせた膜でもよい。
光重合型耐熱性高分子配向膜による配向では、プレチル
ト角が発生しにくいが、横電界方式の液晶表示モードで
はプレチルト角が小さい方が視角特性が良いので、横電
界方式表示モードでは光重合耐熱性高分子配向膜も使用
できる。液晶分子は、無電界時には図２３にあるよう
に、ストライプ状の液晶駆動電極および共通電極の
長手方向に対して若干の角度（１度〜４５度）を持つよ
うに配向されている。尚、上下基板との界面での液晶分
子の配向は、互いに平行とした。また液晶分子の誘電率
異方性は、正である。負の誘電率異方性の液晶分子を用
いる場合には液晶の配向方向の軸▲Ｐ▼と画素電極，
の交差角を４５度〜８９度の範囲で設定すれば良い。

【００２４】さらに本実施例では、図３にあるように共
通電極と液晶駆動電極を絶縁膜▲１４▼，，を
介して絶縁分離してあるので、図４のように重畳させる
ことが可能であり、この重畳部は付加容量として作用さ
せることができる。さらに図５にあるように、液晶駆動
電極を共通電極だけでなく走査信号配線に重畳させる
ことが可能である。これにより、付加容量を開口率を低
下させることなく大きくすることができる。さらに図３
７，図３８にあるように、ＴＦＴの非晶質能動層▲Ｔ▼
を全面おおうように液晶駆動電極を形成することもでき
る。図３１，図３５，図３６にあるように、共通電極
の一部を走査信号配線や映像信号配線と重畳させる
ことで有効画素以外からの光のもれを激減させることが
できる。

【００２５】〔実施例２〕図６，図７，図８，図９，図
１０は、本発明の第２部類の実施例の単位画素の断面及
び平面図である。ガラス基板▲１０▼の上に、走査信号
配線（ゲート電極）を形成し、陽極酸化処理をする。
陽極酸化可能な金属はＡｌ，Ｔａ，Ｎｂなどである。こ
れらの金属の合金でもよいし、積層構造のゲート電極も
よい。次に共通電極（コモン電極）を形成し、これを
覆うゲート絶縁膜を形成する。これ以後は実施例１と
同じである。本発明では、走査信号配線（ゲート電極）
の陽極酸化膜が走査信号配線と共通電極との完全絶
縁分離作用を持つ。これにより走査信号配線と共通電
極のシートが完全に防止できる。実施例１にあるよう
に共通電極の一部と映像信号配線を重畳させることも
可能である。さらに、液晶駆動電極の一部を用いて、Ｔ
ＦＴの能動層を完全におおうことも可能である。

【００２６】〔実施例３〕図１１，図１２，図１３は、
本発明の第３部類の実施例の単位画素の断面及び平面図
である。ガラス基板▲１０▼の上に走査信号配線と共
通電極中央線▲１８▼を同時に、同一層に形成する。次
に共通電極中央線▲１８▼と画素電極▲２０▼とがコン
タクトスルーホール部分▲１９▼で電気的に結合できる
ように、処理した後、走査信号配線と共通電極中央線
▲１８▼を陽極酸化処理する。陽極酸化可能な金属は、
Ａｌ，Ｔａ，Ｎｂなどである。これらの金属の合金でも
よいし、積層構造のゲート電極でもよい。次に画素電極
２０を形成し、これらを覆うゲート絶縁膜を形成す
る。これ以後は実施例１と同じである。本発明では、走
査信号配線（ゲート電極）の陽極酸化膜が、走査信号配
線と、共通電極の一部である画素電極▲２０▼との完
全絶縁分離作用を持つ。走査信号配線と共通電極中央
線▲１８▼との距離は、一般的に非常に大きく、同じ層
に形成してもほとんどショートすることはない。実施例
１にあるように、共通電極画素電極▲２０▼の一部と、
映像信号配線を重畳させることも、可能である。さらに
液晶駆動電極の一部を用いて、ＴＦＴの能動層を完全
におおうことも可能である。

【００２７】〔実施例４〕図１４，図１５，図１６，図
３２，図３３，図３４，図３９，図４０，図４１，図４
２，図４３，図４４は、本発明の第４部類の実施例の単
位画素の断面及び平面図である。ガラス基板▲１０▼上
に、走査信号配線（ゲート電極）を形成し、これを覆
うようにゲート絶縁膜を形成してから、非晶質シリコ
ン（ａ−Ｓｉ）膜▲Ｔ▼を形成し、トランジスタの能動
層とする。次に、映像信号配線とドレイン電極▲Ｄ▼
を形成する。これらすべてを被覆するようにＳｉＮ膜や
ＳｉＯ_２膜よりなる保護絶縁膜を形成する。次にドレ
イン電極▲Ｄ▼の上にスルーホール▲１５▼を形成す
る。液晶駆動電極を形成し、スルーホール▲１５▼を
介してドレイン電極▲Ｄ▼と電気的に連結される。次に
上層絶縁膜を形成してからその上に共通電極を形成す
る。以上よりなる単位画素をマトリックス状に配置した
アクティブマトリックス基板の表面に配向膜を形成
し、表面にラビング処理を施した。本実施例では、図１
４にあるように、共通電極と液晶駆動電極を絶縁膜
▲２１▼を介して絶縁分離してあるので、図１５のよう
に重畳させることが可能であり、この重畳部は、付加容
量として作用させることができる。さらに図１６にある
ように液晶駆動電極を共通電極だけでなく、走査信号配
線に重畳させることが可能である。これにより付加容
量を開口率を低下させることなく大きくすることができ
る。次に、図３９，図４０，図４１，図４２にあるよう
にＴＦＴの非晶質能動層▲Ｔ▼を全面おおうように、液
晶駆動電極や、共通電極を形成することもできる。図３
２，図３３，図３４，にあるように、共通電極の一部
を走査信号配線や映像信号配線と重畳させること
で、有効画素以外からの光のもれを激減させることがで
きる。これによりブラックマスク（ＢＭ）の必要ないカ
ラーフィルターを用いることができる。

【００２８】さらに本実施例では、図４３，図４４にあ
るように有効画素内の液晶駆動電極の上に形成された
上層絶縁膜をとりのぞいて、オープンウィンドウ▲Ｗ▼
を形成することができる。これにより、液晶駆動電極
と、共通電極の表面に直接配向膜を形成できる。液晶
は交流駆動が基本であり、直流成分のバイアス電圧が印
加された場合、配向膜が分極したり、配向膜と絶縁膜の
界面にチャージがトラップされたりして残像現象が発生
する。本実施例のように、両方の電極が、配向膜と直接
接している場合、チャージのトラップが少なく、残像は
発生しにくくなる。実施例１，２，３においても、図４
３，図４４において形成されたオープンウィンドウ▲Ｗ
▼を形成することは可能である。

【００２９】〔実施例５〕図１７，図１９，図２０，図
２１，図２５，図２６，図２７，図２８，図２９，図３
０は、第５部類の動作原理と、実施例の平面図である。
液晶分子の誘電率異方性は、正である。画素内部の共通
電極と液晶駆動電極は、液晶分子の配向軸（光学
軸）▲Ｐ▼に対して±１度〜±４５度の範囲で屈曲して
いる。このような構造になっている場合、図１７にある
ように共通電極と液晶駆動電極に電圧が印加され電
極間に電界が発生した時に、液晶分子は、屈曲部を境に
して左回転と右回転の２通りの回転運動をする。単位画
素内部で２通りの回転運動が可能になる点が視角特性の
改善に非常な効果をもたらすのである。図１９，図２
０，図２１は、単位画素の平面図である。画素電極の屈
曲にあわせて、映像信号配線や走査信号配線が屈曲
しているのが特徴である。図２５，図２６，図２７図２
８は、カラーフィルターの色の混色を良くするためにデ
ルタ配置に画素を配列した場合の共通電極と液晶駆動
電極と走査信号配線と映像信号配線の配列位置に
関する平面図である。このデルタ配列はおもにＡＶ用に
使用されるものである。図２９，図３０は、ストライプ
配列に画素を配置した場合の共通電極と液晶駆動電極
と、走査信号配線と映像信号配線の配列関係の平
面図である。このストライプ配列は、おもに、ＯＡ用に
使用されるものである。

【００３０】〔実施例６〕図１８，図１９，図２０，図
２１，図２５，図２６，図２７，図２８，図２９，図３
０は、第６部類の動作原理と実施例の平面図である。液
晶分子の誘電率異方性は負である。画素内部の共通電極
と液晶駆動電極は、液晶分子の配向軸（光学軸）▲
Ｐ▼に対して９０度をのぞく４５度〜１３５度の範囲で
屈曲している。図１８にあるように、共通電極と液晶
駆動電極に電圧が印加され電極間に電界が発生した時
に、液晶分子は、屈曲部を境にして左回転と右回転の２
通りの回転運動をする。単位画素内部で２通りの回転運
動が可能になる点が視角特性の改善に効果があるという
点では、実施例５とまったく同じである。単位画素の平
面図構造や画素配列に関する平面図構造は実施例５と、
まったく同じである。画素電極の屈曲にあわせて映像信
号配線や走査信号配線が屈曲しているのが特徴であ
る。実施例５，実施例６ともに上下基板との界面での液
晶分子の配向は互いに平行になるようにラビング処理し
てある。偏光板の偏光軸（光学軸）は上下ともに直交配
置にしてあり、無電界時には、画素から光が通過しない
ノーマリーブラックモードである。

【００３１】〔実施例７〕図２２は、第７部類の実施例
の断面図である。画素電極（共通電極と液晶駆動電極）
の表面に外部からの光が液晶層に侵入してきた時に、こ
の光が画素電極により反射され再度外部に出ていくのを
防止する反射防止層が形成されている。代表的例として
は、Ｃｒ金属の場合にはＣｒ＼ＣｒＮ＼ＣｒＯやＣｒ＼
ＣｒＯなどの窒化膜と酸化膜の二層構造か、酸化膜だけ
の一層構造がある。Ｍｏ金属の場合にも同様にＭｏ＼Ｍ
ｏＮ＼ＭｏＯやＭｏ＼ＭｏＯの構造が用いられる。その
ほかに画素電極の表面にａ−Ｓｉ層をコートしたり、カ
ーボンをコートしたり、することでかなりの反射防止効
果が得られる。Ｃｒ＼ＣｒＳｉｘやＭｏ＼ＭｏＳｉｘ，
Ｔｉ＼ＴｉＳｉｘ，Ｗ＼ＷＳｉｘ Ｔａ＼ＴａＳｉｘ，
Ｎｂ＼ＮｂＳｉｘなどのメタルシリサイドも光反射防止
効果があるので用いることができる。

【００３２】さらに図４５にあるように画素電極の上の
絶縁膜上に反射防止膜層を形成しても同様に効果があ
る。この場合には絶縁膜の反射防止膜が適している。ａ
−Ｓｉ層や、カラーフィルターで用いられているブルー
の顔料系レジストやブラックの顔料系レジストなどが使
用できる。

【００３３】対向基板▲１１▼の方にブラックマスクが
ないようなカラーフィルターの場合には、走査信号電極
や映像信号電極の表面に図２２のように、反射防止膜層
を形成することで、コントラストの非常に良い横電界方
式の液晶表示装置を作ることができる。

【００３４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、走査信号
配線と映像信号配線と共通電極と液晶駆動電極とを絶縁
膜によってそれぞれ別々に異層化したことにより、ショ
ートの発生がなく、開口率が高く、コントラストの高い
残像の少ない液晶パネルを作れる。さらに画素電極を液
晶配向方向に対して屈曲させることで単位画素内で２つ
の液晶分子の回転方向を作り出すことができ、視野角を
拡大することが可能となる。従来使用していた配向材料
を使用できるのでコストも低くできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 従来の横電界方式の単位画素の断面図

【図２】 従来の横電界方式の単位画素の平面図

【図３】 本発明の横電界方式単位画素の断面図（実施
例１）

【図４】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実施
例１）

【図５】 本発明の横電界方式単位画素の断面図（実施
例１）

【図６】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実施
例２）

【図７】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実施
例２）

【図８】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実施
例２）

【図９】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実施
例２）

【図１０】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例２）

【図１１】 本発明の横電界方式単位画素の断面図（実
施例３）

【図１２】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例３）

【図１３】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例３）

【図１４】 本発明の横電界方式単位画素の断面図（実
施例４）

【図１５】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例４）

【図１６】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例４）

【図１７】 本発明の横電界方式屈曲画素電極内の正の
誘電率異方性液晶の配向方向図（実施例５）

【図１８】 本発明の横電界方式屈曲画素電極内の負の
誘電率異方性液晶の配向方向図（実施例６）

【図１９】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例５，実施例６）

【図２０】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例５，実施例６）

【図２１】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例５，実施例６）

【図２２】 本発明の横電界方式反射防止膜付画素電極
の断面図（実施例７）

【図２３】 横電界方式画素電極内の正の液晶率異方性
液晶の配向方向図（実施例１，実施例２，実施例３，実
施例４）

【図２４】 横電界方式液晶表示装置の液晶分子のプレ
チルト角と視角特性

【図２５】 本発明の横電界方式画素配列の平面図（実
施例５，実施例６）

【図２６】 本発明の横電界方式画素配列の平面図（実
施例５，実施例６）

【図２７】 本発明の横電界方式画素配列の平面図（実
施例５，実施例６）

【図２８】 本発明の横電界方式画素配列の平面図（実
施例５，実施例６）

【図２９】 本発明の横電界方式画素配列の平面図（実
施例５，実施例６）

【図３０】 本発明の横電界方式画素配列の平面図（実
施例５，実施例６）

【図３１】 本発明の共通電極と映像信号配線の重畳部
断面図（実施例１）

【図３２】 本発明の共通電極と映像信号配線の重畳部
断面図（実施例４）

【図３３】 本発明の共通電極と液晶駆動電極と走査信
号配線の重畳部の断面図（実施例４）

【図３４】 本発明の共通電極と液晶駆動電極と走査信
号配線の重畳部の断面図（実施例４）

【図３５】 本発明の共通電極と液晶駆動電極と走査信
号配線の重畳部の断面図（実施例１）

【図３６】 本発明の共通電極と液晶駆動電極と走査信
号配線の重畳部の断面図（実施例１）

【図３７】 本発明の走査信号配線と液晶駆動電極によ
るトランジスタ部の能動層を、はさみこんだ断面図（実
施例１）

【図３８】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例１）

【図３９】 本発明の走査信号配線と液晶駆動電極によ
るトランジスタ部の能動層を、はさみこんだ断面図（実
施例４）

【図４０】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例４）

【図４１】 本発明の走査信号配線と液晶駆動電極によ
るトランジスタ部の能動層を、はさみこんだ断面図（実
施例４）

【図４２】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例４）

【図４３】 本発明の横電界方式単位画素の断面図（実
施例４）

【図４４】 本発明の横電界方式単位画素の平面図（実
施例４）

【図４５】 本発明の横電界方式反射防止膜付画素電極
の断面図（実施例７）

【符号の説明】

１――走査信号配線 ２――映像信号配線 ３――共通電極 ４――液晶駆動電極 ５――ゲート絶縁膜 ６――保護絶縁膜 ７――ＴＦＴ基板側配向膜 ８――対向基板側配向膜 ９――液晶分子（正の誘電率異方性液晶） １０――ＴＦＴ側ガラス基板 １１――対向ガラス基板 １２――ＴＦＴ側偏光板 １３――対向基板側偏光板 １４――下地絶縁膜 １５――ドレインスルーホール １６――保持容量形成領域 １７――陽極酸化膜 １８――走査信号配線と同じ材料で同時に形成された共
通電極（中央線） １９――共通電極スルーホール ２０――共通電極スルーホールで共通電極（中央線）と
コンタクトしている画素電極 ２１――上層絶縁膜 ２２――可視光反射防止膜 ２３――液晶分子（負の誘電率異方性液晶） ３−Ｆ―共通電極と同じ材料で同時に形成された光シー
ルド膜 Ａ――Ｐ型液晶分子の配向方向と画素電極（共通電極と
液晶駆動電極）の交差する角度 Ｂ――Ｎ型液晶分子の配向方向と画素電極（共通電極と
液晶駆動電極）の交差する角度 Ｐ――液晶分子の配向方向と偏光板の偏光軸方向（光学
軸） Ｑ――偏光板の偏光軸方向（光学軸） Ｄ――映像信号配線と同時に形成されたトランジスタド
レイン電極 Ｔ――半導体層 Ｗ――液晶駆動電極オープンウィンドウ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に走査信号配線と映像信号配線
   と、前記走査信号配線と映像信号配線との各交差部に形
   成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに
   接続された液晶駆動電極と、少なくとも一部が前記液晶
   駆動電極と対向して形成された共通電極とを有するアク
   ティブマトリックス基板と、前記アクティブマトリック
   ス基板に対向する対向基板と、前記アクティブマトリッ
   クス基板と前記対向基板に挟持された液晶層とからなる
   液晶表示装置において、前記走査信号配線と、前記映像
   信号配線と、前記共通電極と前記液晶駆動電極とがそれ
   ぞれ絶縁膜を介して互いに異なった層に形成分離されて
   いることを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 特許請求の範囲第１項において、前記映
   像信号配線と前記共通電極の少なくとも一部または、前
   記走査信号配線と前記共通電極の少なくとも一部を絶縁
   膜を介して互いに重畳させたことを特徴とする液晶表示
   装置。
3. 【請求項３】 特許請求の範囲第１項において、前記液
   晶駆動電極と前記走査信号配線ならびに前記共通電極の
   少なくとも一部を絶縁膜を介して互いに重畳させ、その
   重畳部をもって付加容量を形成することを特徴とする液
   晶表示装置。
4. 【請求項４】 特許請求の範囲第１項において、前記映
   像信号配線と画素電極（液晶駆動電極と液晶駆動電極に
   対向している共通電極の一部）が、液晶配向方向に対
   し、±１度〜±４５度の角度の範囲で、屈曲している構
   造配置を特徴とする液晶表示装置。
5. 【請求項５】 特許請求の範囲第１項において、前記走
   査信号配線と画素電極が液晶配向方向に対し、±１度〜
   ±４５度の角度の範囲で、屈曲している構造配置を特徴
   とする液晶表示装置。
6. 【請求項６】 特許請求の範囲第１項において、前記映
   像信号配線と画素電極が、液晶配向方向に対し、９０度
   をのぞく４５度〜１３５度の範囲で屈曲している構造配
   置を特徴とする液晶表示装置。
7. 【請求項７】 特許請求の範囲第１項において、前記走
   査信号配線と画素電極が、液晶配向方向に対し、９０度
   をのぞく４５度〜１３５度の範囲で屈曲している構造配
   置を特徴とする液晶表示装置。
8. 【請求項８】 基板上に走査信号配線と、映像信号配線
   と、前記走査信号配線と、映像信号配線との各交差部に
   形成された薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ
   に接続された液晶駆動電極と、少なくとも一部が前記液
   晶駆動電極と対向して形成された共通電極とを有するア
   クティブマトリックス基板と、前記アクティブマトリッ
   クス基板に対向する対向基板と、前記アクティブマトリ
   ックス基板と前記対向基板に挟持された液晶層とからな
   る液晶表示装置において、前記共通電極と液晶駆動電極
   の両方、またはすくなくとも一方の電極表面に光の反射
   防止膜層を形成してあることを特徴とする液晶表示装
   置。