JPH10310770A - 発光体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ナノ構造結晶を有し、付活剤が良好にドープ
されてなるＩＩ−ＶＩ族半導体からなる発光体を製造す
る、全く新規な発光体の製造方法を提供する。 【解決手段】本発明に係る発光体の製造方法は、共沈を
利用した液相反応にて付活剤がドープされたＩＩ−ＶＩ
族半導体を形成し、この液相反応中に有機酸を添加す
る。又は、本発明に係る発光体の製造方法は、共沈を利
用した液相反応にて付活剤が添加されたＩＩ−ＶＩ族半
導体を形成し、この液相反応終了後、高分子有機酸又は
ポリスチレンを添加する。
されてなるＩＩ−ＶＩ族半導体からなる発光体を製造す
る、全く新規な発光体の製造方法を提供する。 【解決手段】本発明に係る発光体の製造方法は、共沈を
利用した液相反応にて付活剤がドープされたＩＩ−ＶＩ
族半導体を形成し、この液相反応中に有機酸を添加す
る。又は、本発明に係る発光体の製造方法は、共沈を利
用した液相反応にて付活剤が添加されたＩＩ−ＶＩ族半
導体を形成し、この液相反応終了後、高分子有機酸又は
ポリスチレンを添加する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光体の製造方法
に関し、詳しくは、低電圧で励起可能な発光体を製造す
る発光体の製造方法に関する。
に関し、詳しくは、低電圧で励起可能な発光体を製造す
る発光体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＳｉやＧｅ等に代表される超微粒
子、ポーラスシリコン等のＩＩ−ＶＩ族半導体におい
て、そのナノ構造結晶が特異的な光学的特性を示すこと
が注目されている。ここで、ナノ構造結晶とは、数ｎｍ
程度の粒径を有する結晶粒のことを言い、一般的にナノ
クリスタルと呼ばれることもある。
子、ポーラスシリコン等のＩＩ−ＶＩ族半導体におい
て、そのナノ構造結晶が特異的な光学的特性を示すこと
が注目されている。ここで、ナノ構造結晶とは、数ｎｍ
程度の粒径を有する結晶粒のことを言い、一般的にナノ
クリスタルと呼ばれることもある。
【０００３】ＩＩ−ＶＩ族半導体において、上述したよ
うなナノ構造結晶を有する場合とバルク状の構造結晶を
有する場合とを比較すると、ナノ構造結晶を有する場合
には、良好な光吸収特性及び発光特性を示すことにな
る。これは、ナノ構造結晶を有するＩＩ−ＶＩ族半導体
では、量子サイズ効果が発現するため、バルク状の結晶
構造の場合よりも大きなバンドギャップを有するためと
考えられる。すなわち、ナノ構造結晶を有するＩＩ−Ｖ
Ｉ族半導体においては、量子サイズ効果によりバンドギ
ャップが広げられるのではないかと考えられている。
うなナノ構造結晶を有する場合とバルク状の構造結晶を
有する場合とを比較すると、ナノ構造結晶を有する場合
には、良好な光吸収特性及び発光特性を示すことにな
る。これは、ナノ構造結晶を有するＩＩ−ＶＩ族半導体
では、量子サイズ効果が発現するため、バルク状の結晶
構造の場合よりも大きなバンドギャップを有するためと
考えられる。すなわち、ナノ構造結晶を有するＩＩ−Ｖ
Ｉ族半導体においては、量子サイズ効果によりバンドギ
ャップが広げられるのではないかと考えられている。
【０００４】ところで、テレビジョン等のディスプレイ
には、様々な蛍光体が用いられている。現在、テレビジ
ョン等のディスプレイに用いられている蛍光体は、原料
を高温で焼成することにより合成されている。そして、
合成された蛍光体の粒径は、数μｍ程度（３〜１０μ
ｍ）となっている 一方、近年、テレビジョン等の分野
において、ディスプレイの薄型化が望まれており、軽量
なフラットディスプレイであるプラズマディスプレイ
（以下、ＰＤＰと称する。）やフィールド・エミッショ
ン・ディスプレイ（以下、ＦＥＤと称する。）、エレク
トロ・ルミネッセンス・ディスプレイ（以下、ＥＬＤと
称する。）が注目されている。
には、様々な蛍光体が用いられている。現在、テレビジ
ョン等のディスプレイに用いられている蛍光体は、原料
を高温で焼成することにより合成されている。そして、
合成された蛍光体の粒径は、数μｍ程度（３〜１０μ
ｍ）となっている 一方、近年、テレビジョン等の分野
において、ディスプレイの薄型化が望まれており、軽量
なフラットディスプレイであるプラズマディスプレイ
（以下、ＰＤＰと称する。）やフィールド・エミッショ
ン・ディスプレイ（以下、ＦＥＤと称する。）、エレク
トロ・ルミネッセンス・ディスプレイ（以下、ＥＬＤと
称する。）が注目されている。
【０００５】特に注目されている上記ＦＥＤでは、薄型
化されると電子ビームの電圧を低下させる必要がある。
しかしながら、薄型化されたディスプレイにおいて、上
述したような粒径が数μｍ程度の蛍光体を用いると、電
子ビームの電圧が低いために十分に発光しない。すなわ
ち、このような薄型化されたディスプレイでは、従来の
蛍光体を十分に励起させることができなかった。
化されると電子ビームの電圧を低下させる必要がある。
しかしながら、薄型化されたディスプレイにおいて、上
述したような粒径が数μｍ程度の蛍光体を用いると、電
子ビームの電圧が低いために十分に発光しない。すなわ
ち、このような薄型化されたディスプレイでは、従来の
蛍光体を十分に励起させることができなかった。
【０００６】これは、従来の蛍光体の構造結晶が大きい
ため、照射された電子ビームが発光体の発光する部分に
まで到達することができないためと考えられる。つま
り、粒径が数μｍ程度の従来の蛍光体は、薄型化された
ディスプレイに用いられた場合、十分に発光することが
なかった。
ため、照射された電子ビームが発光体の発光する部分に
まで到達することができないためと考えられる。つま
り、粒径が数μｍ程度の従来の蛍光体は、薄型化された
ディスプレイに用いられた場合、十分に発光することが
なかった。
【０００７】したがって、蛍光体としては、低電圧で励
起可能なものが薄型化されたディスプレイ、特にＦＥＤ
に適したものと言える。そこで、このような条件を満た
す蛍光体として、上述したようなナノ構造結晶を有する
ＩＩ−ＶＩ族半導体を挙げることができる。
起可能なものが薄型化されたディスプレイ、特にＦＥＤ
に適したものと言える。そこで、このような条件を満た
す蛍光体として、上述したようなナノ構造結晶を有する
ＩＩ−ＶＩ族半導体を挙げることができる。
【０００８】一方、現在、低電圧で発光する蛍光体とし
ては、緑青色発光をする酸化亜鉛（以下、ＺｎＯ：Ｚｎ
と表記する。）を挙げることができる。具体的には、こ
のＺｎＯ：Ｚｎは、ＦＥＤにおいて用いられており、数
百Ｖ〜数ｋＶ程度の低電圧で励起することができる。こ
のＺｎＯ：Ｚｎは、ミクロンサイズの結晶構造を有し、
導電性を有しており、低電圧でもチャージアップするこ
となく発光する。
ては、緑青色発光をする酸化亜鉛（以下、ＺｎＯ：Ｚｎ
と表記する。）を挙げることができる。具体的には、こ
のＺｎＯ：Ｚｎは、ＦＥＤにおいて用いられており、数
百Ｖ〜数ｋＶ程度の低電圧で励起することができる。こ
のＺｎＯ：Ｚｎは、ミクロンサイズの結晶構造を有し、
導電性を有しており、低電圧でもチャージアップするこ
となく発光する。
【０００９】これに対して、ナノ構造結晶を有する発光
体では、低電圧で照射された電子ビームでも発光体の発
光する部分に到達することができる。これにより、ナノ
構造結晶を有する発光体は、上述したような薄型化され
たディスプレイに用いられて好適である。
体では、低電圧で照射された電子ビームでも発光体の発
光する部分に到達することができる。これにより、ナノ
構造結晶を有する発光体は、上述したような薄型化され
たディスプレイに用いられて好適である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、低電圧
で励起可能な発光体として実用化されているものは、上
述したようなＺｎＯ：Ｚｎぐらいしかないのが現状であ
る。これに対して、ナノ結晶構造を有するＩＩ−ＶＩ族
半導体の製造方法は、十分に検討されておらず、所望の
発光体を製造することはできない。このため、薄型化さ
れたディスプレイに用いて好適な発光体を製造する製造
方法が待ち望まれている。
で励起可能な発光体として実用化されているものは、上
述したようなＺｎＯ：Ｚｎぐらいしかないのが現状であ
る。これに対して、ナノ結晶構造を有するＩＩ−ＶＩ族
半導体の製造方法は、十分に検討されておらず、所望の
発光体を製造することはできない。このため、薄型化さ
れたディスプレイに用いて好適な発光体を製造する製造
方法が待ち望まれている。
【００１１】また、上述のＺｎＯ：Ｚｎは緑青色発色す
るものであり、他の色で発色するナノ結晶構造を有する
ＩＩ−ＶＩ族半導体が発光体として要求されている。さ
らには、前述のＦＥＤに用いて好適なものだけでなく、
ＥＬＤに対応可能で紫外線により様々な色で発光する発
光体としてナノ結晶構造を有するＩＩ−ＶＩ族半導体も
要求されている。そして、これらの発光体を製造する製
造方法も待ち望まれている。
るものであり、他の色で発色するナノ結晶構造を有する
ＩＩ−ＶＩ族半導体が発光体として要求されている。さ
らには、前述のＦＥＤに用いて好適なものだけでなく、
ＥＬＤに対応可能で紫外線により様々な色で発光する発
光体としてナノ結晶構造を有するＩＩ−ＶＩ族半導体も
要求されている。そして、これらの発光体を製造する製
造方法も待ち望まれている。
【００１２】そこで、本発明は、ナノ構造結晶を有し、
付活剤が良好にドープされてなるＩＩ−ＶＩ族半導体か
らなる発光体を製造する、全く新規な発光体の製造方法
を提供することを目的とする。
付活剤が良好にドープされてなるＩＩ−ＶＩ族半導体か
らなる発光体を製造する、全く新規な発光体の製造方法
を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者は、上
述した目的を達成するために鋭意検討し、液相反応で付
活剤がＩＩ−ＶＩ族半導体にドープされる際、付活剤が
良好に分布するような条件を検討した結果、液相反応中
に有機酸を添加することにより付活剤の分布をより均一
にすることができるといった知見を得るに至った。ま
た、液相反応中に有機酸を添加する他に、液相反応終了
後に高分子有機酸を滴下することによって、光励起発光
（フォトルミネッセンス）強度（以下、ＰＬ強度と称す
る。）を増大させるといった知見を得るに至った。
述した目的を達成するために鋭意検討し、液相反応で付
活剤がＩＩ−ＶＩ族半導体にドープされる際、付活剤が
良好に分布するような条件を検討した結果、液相反応中
に有機酸を添加することにより付活剤の分布をより均一
にすることができるといった知見を得るに至った。ま
た、液相反応中に有機酸を添加する他に、液相反応終了
後に高分子有機酸を滴下することによって、光励起発光
（フォトルミネッセンス）強度（以下、ＰＬ強度と称す
る。）を増大させるといった知見を得るに至った。
【００１４】そこで、本発明に係る発光体の製造方法
は、共沈を利用した液相反応にて付活剤がドープされた
ＩＩ−ＶＩ族半導体を形成し、この液相反応中に有機酸
を添加する。
は、共沈を利用した液相反応にて付活剤がドープされた
ＩＩ−ＶＩ族半導体を形成し、この液相反応中に有機酸
を添加する。
【００１５】また、本発明に係る発光体の製造方法は、
共沈を利用した液相反応にて付活剤が添加されたＩＩ−
ＶＩ族半導体を形成し、この液相反応終了後、高分子有
機酸又はポリスチレンを添加する。
共沈を利用した液相反応にて付活剤が添加されたＩＩ−
ＶＩ族半導体を形成し、この液相反応終了後、高分子有
機酸又はポリスチレンを添加する。
【００１６】以上のように構成された本発明に係る発光
体の製造方法においては、有機酸が溶液析出を通して付
活剤とＩＩ−ＶＩ族半導体との間のイオン交換を促進す
る。そして、この手法では、イオン交換が行われること
により、付活剤がＩＩ−ＶＩ族半導体にドープされる。
このとき、この手法では、有機酸が添加されることによ
って、付活剤が均一に分散されることとなる。このた
め、付活剤は、ＩＩ−ＶＩ族半導体中に独立し、且つ、
均一に分散してドープする。このため、この手法では、
発光特性が向上した発光体を製造することができる。
体の製造方法においては、有機酸が溶液析出を通して付
活剤とＩＩ−ＶＩ族半導体との間のイオン交換を促進す
る。そして、この手法では、イオン交換が行われること
により、付活剤がＩＩ−ＶＩ族半導体にドープされる。
このとき、この手法では、有機酸が添加されることによ
って、付活剤が均一に分散されることとなる。このた
め、付活剤は、ＩＩ−ＶＩ族半導体中に独立し、且つ、
均一に分散してドープする。このため、この手法では、
発光特性が向上した発光体を製造することができる。
【００１７】また、本発明に係る発光体の製造方法によ
れば、添加された有機酸、高分子有機酸又はポリスチレ
ンがＩＩ−ＶＩ族半導体と化学的相互作用をもって結合
している。これにより、添加された有機酸、高分子有機
酸又はポリスチレンは、付活剤がドープされたＩＩ−Ｖ
Ｉ族半導体に対してエネルギーを供給することができ
る。すなわち、この手法により製造された発光体におい
て、有機酸、高分子有機酸又はポリスチレンは、発光に
必要なエネルギーの一部を供給している。
れば、添加された有機酸、高分子有機酸又はポリスチレ
ンがＩＩ−ＶＩ族半導体と化学的相互作用をもって結合
している。これにより、添加された有機酸、高分子有機
酸又はポリスチレンは、付活剤がドープされたＩＩ−Ｖ
Ｉ族半導体に対してエネルギーを供給することができ
る。すなわち、この手法により製造された発光体におい
て、有機酸、高分子有機酸又はポリスチレンは、発光に
必要なエネルギーの一部を供給している。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る発光体の製造
方法を詳細に説明する。
方法を詳細に説明する。
【００１９】本発明に係る発光体の製造方法は、共沈を
利用した液相反応にて付活剤がドープされたＩＩ−ＶＩ
族半導体を形成し、この液相反応中に有機酸を添加す
る。又は、本発明に係る発光体の製造方法は、共沈を利
用した液相反応にて付活剤がドープされたＩＩ−ＶＩ族
半導体を形成し、この液相反応終了後、高分子有機酸又
はポリスチレンを添加する。
利用した液相反応にて付活剤がドープされたＩＩ−ＶＩ
族半導体を形成し、この液相反応中に有機酸を添加す
る。又は、本発明に係る発光体の製造方法は、共沈を利
用した液相反応にて付活剤がドープされたＩＩ−ＶＩ族
半導体を形成し、この液相反応終了後、高分子有機酸又
はポリスチレンを添加する。
【００２０】上述した本発明に係る手法において、ＩＩ
−ＶＩ族半導体としては、例えば、硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）及びセレン化亜鉛（Ｚ
ｎＳｅ）等を挙げることができる。
−ＶＩ族半導体としては、例えば、硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）及びセレン化亜鉛（Ｚ
ｎＳｅ）等を挙げることができる。
【００２１】また、付活剤としては、例えば、マンガン
（Ｍｎ）を挙げることができる。この付活剤は、ＩＩ−
ＶＩ族半導体の中でもＺｎＳにドープされると、ＩＩ−
ＶＩ族半導体に固有の発光性をもたせることができる。
具体的には、Ｍｎはオレンジ色の発光及び残光を示す。
また、この付活剤は、ＺｎＳの代わりにＣｄＳにドープ
されると、長波長側にずれた発光及び残光を示す。な
お、以下の記述においては、ＭｎがドープされたＺｎＳ
半導体を「ＺｎＳ：Ｍｎ」と表記する。
（Ｍｎ）を挙げることができる。この付活剤は、ＩＩ−
ＶＩ族半導体の中でもＺｎＳにドープされると、ＩＩ−
ＶＩ族半導体に固有の発光性をもたせることができる。
具体的には、Ｍｎはオレンジ色の発光及び残光を示す。
また、この付活剤は、ＺｎＳの代わりにＣｄＳにドープ
されると、長波長側にずれた発光及び残光を示す。な
お、以下の記述においては、ＭｎがドープされたＺｎＳ
半導体を「ＺｎＳ：Ｍｎ」と表記する。
【００２２】さらに、上記ＺｎＳに、付活剤として銅
（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）及び塩素
（Ｃｌ）を組み合わせてドープしてもそれぞれ固有の発
光性をもたせることが可能である。具体的には、Ｃｕ及
びＡｌは緑色の発光及び残光を示し、Ｃｕ及びＣｌも緑
色の発光及び残光を示し、Ａｇ及びＡｌは青色の発光及
び残光を示し、Ａｇ及びＣｌも青色の発光及び残光を示
す。なお、以下の記述においては、例えば、Ｃｕ及びＡ
ｌがドープされたＺｎＳ半導体を「ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａ
ｌ」と表記する。
（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）及び塩素
（Ｃｌ）を組み合わせてドープしてもそれぞれ固有の発
光性をもたせることが可能である。具体的には、Ｃｕ及
びＡｌは緑色の発光及び残光を示し、Ｃｕ及びＣｌも緑
色の発光及び残光を示し、Ａｇ及びＡｌは青色の発光及
び残光を示し、Ａｇ及びＣｌも青色の発光及び残光を示
す。なお、以下の記述においては、例えば、Ｃｕ及びＡ
ｌがドープされたＺｎＳ半導体を「ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａ
ｌ」と表記する。
【００２３】さらには、上記ＺｎＳに、付活剤としてテ
ルビウム（Ｔｂ）、ツリウム（Ｔｍ）、ユーロピウム
（Ｅｕ）、フッ素（Ｆ）を単体或いは化合物としてドー
プしてもそれぞれ固有の発光性をもたせることが可能で
ある。具体的には、Ｔｂ或いはＴｂＦ3 は緑色の発光及
び残光を示し、Ｔｍ或いはＴｍＦ3 は青色の発光及び残
光を示し、Ｅｕ或いはＥｕＦ3 は赤色の発光及び残光を
示す。なお、以下の記述においては、例えば、Ｔｂがド
ープされたＺｎＳ半導体を「ＺｎＳ：Ｔｂ」と表記す
る。
ルビウム（Ｔｂ）、ツリウム（Ｔｍ）、ユーロピウム
（Ｅｕ）、フッ素（Ｆ）を単体或いは化合物としてドー
プしてもそれぞれ固有の発光性をもたせることが可能で
ある。具体的には、Ｔｂ或いはＴｂＦ3 は緑色の発光及
び残光を示し、Ｔｍ或いはＴｍＦ3 は青色の発光及び残
光を示し、Ｅｕ或いはＥｕＦ3 は赤色の発光及び残光を
示す。なお、以下の記述においては、例えば、Ｔｂがド
ープされたＺｎＳ半導体を「ＺｎＳ：Ｔｂ」と表記す
る。
【００２４】この手法では、上述した付活剤をＩＩ−Ｖ
Ｉ族半導体にドープする際に共沈を利用した液相反応が
用いられる。この共沈を利用した液相反応とは、所定の
溶媒中でＩＩ−ＶＩ族半導体を合成するに際して、付活
剤となる原子を有する塩を反応系に共存させる反応であ
る。なお、このとき、ドープされる付活剤としては、１
種類の原子である必要はなく、上述のように複数種類の
原子からなるものであってもよい。
Ｉ族半導体にドープする際に共沈を利用した液相反応が
用いられる。この共沈を利用した液相反応とは、所定の
溶媒中でＩＩ−ＶＩ族半導体を合成するに際して、付活
剤となる原子を有する塩を反応系に共存させる反応であ
る。なお、このとき、ドープされる付活剤としては、１
種類の原子である必要はなく、上述のように複数種類の
原子からなるものであってもよい。
【００２５】具体的には、付活剤としてＭｎを使用した
ＺｎＳ：Ｍｎを製造する際には、下記の化１のような液
相反応となる。
ＺｎＳ：Ｍｎを製造する際には、下記の化１のような液
相反応となる。
【００２６】
【化１】
【００２７】また、複数種類の付活剤がドープされたＩ
Ｉ−ＶＩ族半導体の例として、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌを製
造する際には、下記の化２のような液相反応となる。
Ｉ−ＶＩ族半導体の例として、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌを製
造する際には、下記の化２のような液相反応となる。
【００２８】
【化２】
【００２９】さらに、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌを製造する際
には、下記の化３のような液相反応となる。
には、下記の化３のような液相反応となる。
【００３０】
【化３】
【００３１】さらには、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌを製造する
際には、下記の化４のような液相反応となる。
際には、下記の化４のような液相反応となる。
【００３２】
【化４】
【００３３】さらにまた、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌを製造す
る際には、下記の化５のような液相反応となる。
る際には、下記の化５のような液相反応となる。
【００３４】
【化５】
【００３５】また、上記ＺｎＳに、付活剤としてテルビ
ウム（Ｔｂ）、ツリウム（Ｔｍ）、ユーロピウム（Ｅ
ｕ）、フッ素（Ｆ）を単体或いは化合物としてドープす
る際の液相反応は以下に示す通りである。
ウム（Ｔｂ）、ツリウム（Ｔｍ）、ユーロピウム（Ｅ
ｕ）、フッ素（Ｆ）を単体或いは化合物としてドープす
る際の液相反応は以下に示す通りである。
【００３６】具体的には、ＺｎＳ：Ｔｂを製造する際に
は、下記の化６のような液相反応となる。
は、下記の化６のような液相反応となる。
【００３７】
【化６】
【００３８】また、ＺｎＳ：ＴｂＦ3 を製造する際に
は、下記の化７のような液相反応となる。
は、下記の化７のような液相反応となる。
【００３９】
【化７】
【００４０】さらに、ＺｎＳ：Ｔｍを製造する際には、
下記の化８のような液相反応となる。
下記の化８のような液相反応となる。
【００４１】
【化８】
【００４２】また、ＺｎＳ：ＴｍＦ3 を製造する際に
は、下記の化９のような液相反応となる。
は、下記の化９のような液相反応となる。
【００４３】
【化９】
【００４４】さらには、ＺｎＳ：Ｅｕを製造する際に
は、下記の化１０のような液相反応となる。
は、下記の化１０のような液相反応となる。
【００４５】
【化１０】
【００４６】また、ＺｎＳ：ＥｕＦ3 を製造する際に
は、下記の化１１のような液相反応となる。
は、下記の化１１のような液相反応となる。
【００４７】
【化１１】
【００４８】本手法において、付活剤は、上述したよう
に、塩として液相反応中に添加される。このとき、付活
剤となる原子を有する塩としては、その原子の種類に応
じて酢酸塩、硝酸塩等を挙げることができる。
に、塩として液相反応中に添加される。このとき、付活
剤となる原子を有する塩としては、その原子の種類に応
じて酢酸塩、硝酸塩等を挙げることができる。
【００４９】具体的に、付活剤となる原子がＭｎ，Ａ
ｇ，Ｃｕである場合には、酢酸塩として液相反応に添加
されることが好ましい。また、付活剤となる原子がＡ
ｌ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｅｕである場合には、硝酸塩として液
相反応に添加されることが好ましい。さらに、付活剤と
してＣｌを使用する場合には、ＣｕＣｌ，ＡｇＣｌとい
った化合物として液相反応に添加されることが好まし
い。さらにまた、付活剤としてＦを使用する場合には、
ＮａＦといった化合物として液相反応に添加されること
が好ましい。
ｇ，Ｃｕである場合には、酢酸塩として液相反応に添加
されることが好ましい。また、付活剤となる原子がＡ
ｌ，Ｔｂ，Ｔｍ，Ｅｕである場合には、硝酸塩として液
相反応に添加されることが好ましい。さらに、付活剤と
してＣｌを使用する場合には、ＣｕＣｌ，ＡｇＣｌとい
った化合物として液相反応に添加されることが好まし
い。さらにまた、付活剤としてＦを使用する場合には、
ＮａＦといった化合物として液相反応に添加されること
が好ましい。
【００５０】本発明に係る発光体の製造方法は、このよ
うな共沈を利用した液相反応を用いることによって、粒
径が数ｎｍ程度であるような付活剤をドープしたＩＩ−
ＶＩ族半導体を製造することができる。このように、本
手法では、付活剤がドープされたＩＩ−ＶＩ族半導体の
粒径を数ｎｍ程度とすることができるため、バルク状の
結晶では発光特性を示さないＩＩ−ＶＩ族半導体を発光
特性を示すように製造することになる。このため、付活
剤がドープされたＩＩ−ＶＩ族半導体は、励起子、電子
・正孔対を数ｎｍの範囲に閉じ込めることができるとい
った量子サイズ効果を発生させる結果、広いバンドギャ
ップを有するものとなる。したがって、本手法によれ
ば、光吸収及び発光特性の向上が達成された発光体を製
造することができる。
うな共沈を利用した液相反応を用いることによって、粒
径が数ｎｍ程度であるような付活剤をドープしたＩＩ−
ＶＩ族半導体を製造することができる。このように、本
手法では、付活剤がドープされたＩＩ−ＶＩ族半導体の
粒径を数ｎｍ程度とすることができるため、バルク状の
結晶では発光特性を示さないＩＩ−ＶＩ族半導体を発光
特性を示すように製造することになる。このため、付活
剤がドープされたＩＩ−ＶＩ族半導体は、励起子、電子
・正孔対を数ｎｍの範囲に閉じ込めることができるとい
った量子サイズ効果を発生させる結果、広いバンドギャ
ップを有するものとなる。したがって、本手法によれ
ば、光吸収及び発光特性の向上が達成された発光体を製
造することができる。
【００５１】さらに、本発明に係る手法では、上述した
ような、共沈を利用した液相反応の際に有機酸を添加す
る。この有機酸としては、アクリル酸及びメタクリル酸
等が挙げられる。そして、この液相反応中に添加された
有機酸は、重合して高分子有機酸となり、発光体内のＩ
Ｉ−ＶＩ族半導体と結合している。すなわち、上述の例
においては、有機酸は重合して高分子有機酸となって硫
化亜鉛と結合することとなる。
ような、共沈を利用した液相反応の際に有機酸を添加す
る。この有機酸としては、アクリル酸及びメタクリル酸
等が挙げられる。そして、この液相反応中に添加された
有機酸は、重合して高分子有機酸となり、発光体内のＩ
Ｉ−ＶＩ族半導体と結合している。すなわち、上述の例
においては、有機酸は重合して高分子有機酸となって硫
化亜鉛と結合することとなる。
【００５２】この手法では、上述したような液相反応の
際に有機酸を添加することによって、付活剤をＩＩ−Ｖ
Ｉ族半導体に均一に分散させることができる。すなわ
ち、この手法では、液相反応中に有機酸を添加すること
によって、ＩＩ−ＶＩ族半導体にドープされた付活剤の
分子が互いに独立し、且つ、均一に分散しているように
発光体を製造することができる。すなわち、上述の例に
おいては、硫化亜鉛にドープされた付活剤の分子が互い
に独立し、且つ、均一に分散しているように発光体を製
造することができる。
際に有機酸を添加することによって、付活剤をＩＩ−Ｖ
Ｉ族半導体に均一に分散させることができる。すなわ
ち、この手法では、液相反応中に有機酸を添加すること
によって、ＩＩ−ＶＩ族半導体にドープされた付活剤の
分子が互いに独立し、且つ、均一に分散しているように
発光体を製造することができる。すなわち、上述の例に
おいては、硫化亜鉛にドープされた付活剤の分子が互い
に独立し、且つ、均一に分散しているように発光体を製
造することができる。
【００５３】これにより、製造された発光体では、励起
された付活剤からのエネルギーが良好に作用するために
発光強度が向上したものとなる。すなわち、本発明に係
る手法により製造された発光体では、粒径が数ｎｍ程度
であるとともに、発光強度が向上したものとなる。した
がって、本発明によれば、低電圧でも強い発光を示す発
光体を製造することができる。
された付活剤からのエネルギーが良好に作用するために
発光強度が向上したものとなる。すなわち、本発明に係
る手法により製造された発光体では、粒径が数ｎｍ程度
であるとともに、発光強度が向上したものとなる。した
がって、本発明によれば、低電圧でも強い発光を示す発
光体を製造することができる。
【００５４】また、本発明に係る手法では、添加される
有機酸は、重合して高分子となり、ＩＩ−ＶＩ族半導体
と化学的に結合している。このため、製造された発光体
では、発光に必要なエネルギーの一部が、高分子となっ
た有機酸から供給されている。したがって、本発明に係
る手法によれば、液相反応中に有機酸を添加することに
より発光強度が向上した発光体を製造することができ
る。また、添加される有機酸は、添加量が多くなると発
光強度を更に上昇させることができる。
有機酸は、重合して高分子となり、ＩＩ−ＶＩ族半導体
と化学的に結合している。このため、製造された発光体
では、発光に必要なエネルギーの一部が、高分子となっ
た有機酸から供給されている。したがって、本発明に係
る手法によれば、液相反応中に有機酸を添加することに
より発光強度が向上した発光体を製造することができ
る。また、添加される有機酸は、添加量が多くなると発
光強度を更に上昇させることができる。
【００５５】さらに、有機酸は、液相反応中に添加され
て高分子となると、それ自体に発光特性を有するものと
なる。したがって、製造された発光体は、付活剤に起因
する発光に加えて、高分子となった有機酸に起因する発
光を合わせもつことになる。したがって、本発明に係る
手法によれば、更に向上した発光強度を有する発光体を
製造することができる。
て高分子となると、それ自体に発光特性を有するものと
なる。したがって、製造された発光体は、付活剤に起因
する発光に加えて、高分子となった有機酸に起因する発
光を合わせもつことになる。したがって、本発明に係る
手法によれば、更に向上した発光強度を有する発光体を
製造することができる。
【００５６】一方、本発明に係る発光体の製造方法で
は、共沈を利用した液相反応の際に有機酸を添加するの
ではなく、上述したような共沈を利用した液相反応が終
了した後に、高分子有機酸又はポリスチレンを添加する
ものであってもよい。この場合、高分子有機酸として
は、ポリアクリル酸及びポリメタクリル酸等が挙げられ
る。また、このような手法において、高分子有機酸又は
ポリスチレンを添加する方法としては、上述した液相反
応により得られた反応物を乾燥した後に成形し、その成
形体の上に滴下する方法が挙げられる。
は、共沈を利用した液相反応の際に有機酸を添加するの
ではなく、上述したような共沈を利用した液相反応が終
了した後に、高分子有機酸又はポリスチレンを添加する
ものであってもよい。この場合、高分子有機酸として
は、ポリアクリル酸及びポリメタクリル酸等が挙げられ
る。また、このような手法において、高分子有機酸又は
ポリスチレンを添加する方法としては、上述した液相反
応により得られた反応物を乾燥した後に成形し、その成
形体の上に滴下する方法が挙げられる。
【００５７】このように、液相反応の終了後に高分子有
機酸又はポリスチレンを添加することによって、付活剤
がドープされたＩＩ−ＶＩ族半導体の粒子表面を高分子
有機酸又はポリスチレンが被覆する。これにより、高分
子有機酸又はポリスチレンは、粒子表面の欠陥を減らす
こととなり、無輻射緩和を減少させることができる。し
たがって、この場合も、本手法によれば、発光特性が向
上した発光体を製造することができる。
機酸又はポリスチレンを添加することによって、付活剤
がドープされたＩＩ−ＶＩ族半導体の粒子表面を高分子
有機酸又はポリスチレンが被覆する。これにより、高分
子有機酸又はポリスチレンは、粒子表面の欠陥を減らす
こととなり、無輻射緩和を減少させることができる。し
たがって、この場合も、本手法によれば、発光特性が向
上した発光体を製造することができる。
【００５８】添加される高分子有機酸又はポリスチレン
は、ＩＩ−ＶＩ族半導体と化学的に結合している。この
ため、製造された発光体では、発光に必要なエネルギー
の一部が、高分子有機酸又はポリスチレンから供給され
ている。したがって、本発明に係る手法によれば、液相
反応終了後に高分子有機酸又はポリスチレンを添加する
ことにより発光強度が向上した発光体を製造することが
できる。また、添加される高分子有機酸又はポリスチレ
ンは、添加量が多くなると発光強度を更に上昇させるこ
とができる。
は、ＩＩ−ＶＩ族半導体と化学的に結合している。この
ため、製造された発光体では、発光に必要なエネルギー
の一部が、高分子有機酸又はポリスチレンから供給され
ている。したがって、本発明に係る手法によれば、液相
反応終了後に高分子有機酸又はポリスチレンを添加する
ことにより発光強度が向上した発光体を製造することが
できる。また、添加される高分子有機酸又はポリスチレ
ンは、添加量が多くなると発光強度を更に上昇させるこ
とができる。
【００５９】さらに、高分子有機酸は、それ自体に発光
特性を有するものである。したがって、製造された発光
体は、付活剤に起因する発光に加えて、高分子有機酸に
起因する発光を合わせもつことになる。したがって、本
発明に係る手法によれば、更に向上した発光強度を有す
る発光体を製造することができる。
特性を有するものである。したがって、製造された発光
体は、付活剤に起因する発光に加えて、高分子有機酸に
起因する発光を合わせもつことになる。したがって、本
発明に係る手法によれば、更に向上した発光強度を有す
る発光体を製造することができる。
【００６０】
【実施例】本発明に係る発光体の製造方法を用いて、発
光体を作製した。本実施例では、ＩＩ−ＶＩ族半導体と
して硫化亜鉛（ＺｎＳ）を用い、付活剤としてマンガン
（Ｍｎ）を用いた。この場合、マンガンは、２価の陽イ
オンとして硫化亜鉛にドープされることになる。以下に
ＺｎＳ：Ｍｎの製造工程を示す。
光体を作製した。本実施例では、ＩＩ−ＶＩ族半導体と
して硫化亜鉛（ＺｎＳ）を用い、付活剤としてマンガン
（Ｍｎ）を用いた。この場合、マンガンは、２価の陽イ
オンとして硫化亜鉛にドープされることになる。以下に
ＺｎＳ：Ｍｎの製造工程を示す。
【００６１】先ず、酢酸亜鉛のメタノール溶液（０．１
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと酢酸マンガンのメタノー
ル溶液（０．００８ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌとを混合して
マグネティックスターラーを用いて１０分間攪拌し、混
合溶液を得る。
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと酢酸マンガンのメタノー
ル溶液（０．００８ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌとを混合して
マグネティックスターラーを用いて１０分間攪拌し、混
合溶液を得る。
【００６２】次に、マグネティックスターラーを用いて
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく１５分間攪拌する。
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく１５分間攪拌する。
【００６３】次に、この混合溶液にアクリル酸又はメタ
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。
【００６４】次に、遠心分離機を用いて、４０００ｒｐ
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：Ｍｎを製造
した。
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：Ｍｎを製造
した。
【００６５】このように製造されたＺｎＳ：Ｍｎにおけ
る発光特性を測定するため、その光励起発光（Photolum
inescence）強度（以下、ＰＬ強度と呼ぶ。）を測定し
た。比較のために、有機酸を添加しないサンプルと有機
酸の代わりにメタクリル酸メチルを添加したサンプルと
を製造した。これら各サンプルのＰＬ強度は、図１に示
すような測定結果となった。なお、図１中縦軸はＰＬ強
度を示し、横軸は波長を示す。
る発光特性を測定するため、その光励起発光（Photolum
inescence）強度（以下、ＰＬ強度と呼ぶ。）を測定し
た。比較のために、有機酸を添加しないサンプルと有機
酸の代わりにメタクリル酸メチルを添加したサンプルと
を製造した。これら各サンプルのＰＬ強度は、図１に示
すような測定結果となった。なお、図１中縦軸はＰＬ強
度を示し、横軸は波長を示す。
【００６６】この図１から明らかなように、アクリル酸
又はメタクリル酸を添加した場合には、無添加の場合と
比較して約５８０ｎｍに大きなピークが観測される。こ
れに対して、メタクリル酸メチルを添加した場合には、
約５８０ｎｍ付近にピークがほとんど観測されない。こ
の約５８０ｎｍのピークは、Ｍｎイオンに起因する発光
を示している。このように、本発明に係る発光体の製造
方法では、液相反応中に有機酸を添加することによっ
て、Ｍｎイオンに起因する発光の発光強度を向上させる
ことができる。
又はメタクリル酸を添加した場合には、無添加の場合と
比較して約５８０ｎｍに大きなピークが観測される。こ
れに対して、メタクリル酸メチルを添加した場合には、
約５８０ｎｍ付近にピークがほとんど観測されない。こ
の約５８０ｎｍのピークは、Ｍｎイオンに起因する発光
を示している。このように、本発明に係る発光体の製造
方法では、液相反応中に有機酸を添加することによっ
て、Ｍｎイオンに起因する発光の発光強度を向上させる
ことができる。
【００６７】ところで、図１中には示さないが、本発明
に係る手法により製造された発光体では、約４３０ｎｍ
付近にピークが観測されている。このことは、図１中に
示す４５０ｎｍ付近に観測されるＰＬ強度の増大からも
明らかである。この約４３０ｎｍのピークは、アクリル
酸に起因する発光であると考えられる。詳しくは、添加
されたアクリル酸が重合してポリアクリル酸を形成し、
このポリアクリル酸により約４３０ｎｍの発光が観察さ
れると考えられる。なお、更なる研究の結果、ポリアク
リル酸を始めとする有機酸は、それ自体のみでも約４３
０ｎｍの発光特性を示すことが明らかになった。このこ
とから、ポリアクリル酸等の有機酸は、発光体の全体の
発光強度を増加させることができる。
に係る手法により製造された発光体では、約４３０ｎｍ
付近にピークが観測されている。このことは、図１中に
示す４５０ｎｍ付近に観測されるＰＬ強度の増大からも
明らかである。この約４３０ｎｍのピークは、アクリル
酸に起因する発光であると考えられる。詳しくは、添加
されたアクリル酸が重合してポリアクリル酸を形成し、
このポリアクリル酸により約４３０ｎｍの発光が観察さ
れると考えられる。なお、更なる研究の結果、ポリアク
リル酸を始めとする有機酸は、それ自体のみでも約４３
０ｎｍの発光特性を示すことが明らかになった。このこ
とから、ポリアクリル酸等の有機酸は、発光体の全体の
発光強度を増加させることができる。
【００６８】このように、上述のように製造された発光
体は、約５８０ｎｍの発光特性とともに約４３０ｎｍの
発光特性を示すことになる。したがって、この発光体
は、全体としての発光強度が大きなものとなる。なお、
この約４３０ｎｍの発光特性は、有機酸としてアクリル
酸を使用した場合に限定されるものではなく、メタクリ
ル酸等の他の有機酸を用いた場合でも観察される。メタ
クリル酸を用いた場合、ポリメタクリル酸を形成し、こ
のポリメタクリル酸により約４３０ｎｍ付近の発光が観
察される。
体は、約５８０ｎｍの発光特性とともに約４３０ｎｍの
発光特性を示すことになる。したがって、この発光体
は、全体としての発光強度が大きなものとなる。なお、
この約４３０ｎｍの発光特性は、有機酸としてアクリル
酸を使用した場合に限定されるものではなく、メタクリ
ル酸等の他の有機酸を用いた場合でも観察される。メタ
クリル酸を用いた場合、ポリメタクリル酸を形成し、こ
のポリメタクリル酸により約４３０ｎｍ付近の発光が観
察される。
【００６９】また、本発明に係る手法により製造された
発光体は、図２に示すように、有機酸の添加量に応じ
て、Ｍｎイオンに起因する約５８０ｎｍの発光強度が変
化することが明らかになった。なお、図２中縦軸はＰＬ
強度を示し、横軸は波長を示す。この図２において、ア
クリル酸の添加量は、加えられたＭｎイオンの濃度が
１．０ｍｏｌ％のときの値として示した。このように、
１．０ｍｏｌ％のＭｎイオンが加えられたときに、アク
リル酸の添加量が約０．７ｍｏｌ程度とされると、Ｍｎ
イオンに起因する約５８０ｎｍの発光強度がアクリル酸
無添加の場合と比較して約１０倍大きなものとなる。
発光体は、図２に示すように、有機酸の添加量に応じ
て、Ｍｎイオンに起因する約５８０ｎｍの発光強度が変
化することが明らかになった。なお、図２中縦軸はＰＬ
強度を示し、横軸は波長を示す。この図２において、ア
クリル酸の添加量は、加えられたＭｎイオンの濃度が
１．０ｍｏｌ％のときの値として示した。このように、
１．０ｍｏｌ％のＭｎイオンが加えられたときに、アク
リル酸の添加量が約０．７ｍｏｌ程度とされると、Ｍｎ
イオンに起因する約５８０ｎｍの発光強度がアクリル酸
無添加の場合と比較して約１０倍大きなものとなる。
【００７０】この図２中には示さないが、有機酸の添加
量に応じて、有機酸に起因する約４３０ｎｍの発光強度
も変化している。このことは、図２中に示す４５０ｎｍ
付近に観測される発光強度の増大の差違からも明らかで
ある。この場合、アクリル酸の添加量が０．７ｍｏｌで
あるときに、約４３０ｎｍの発光強度が大きくなってい
る。このことからも、１．０ｍｏｌ％のＭｎイオンが加
えられたときに、アクリル酸の添加量が約０．７ｍｏｌ
程度とされると、発光体全体としての発光強度が大きな
ものとなり好ましい。
量に応じて、有機酸に起因する約４３０ｎｍの発光強度
も変化している。このことは、図２中に示す４５０ｎｍ
付近に観測される発光強度の増大の差違からも明らかで
ある。この場合、アクリル酸の添加量が０．７ｍｏｌで
あるときに、約４３０ｎｍの発光強度が大きくなってい
る。このことからも、１．０ｍｏｌ％のＭｎイオンが加
えられたときに、アクリル酸の添加量が約０．７ｍｏｌ
程度とされると、発光体全体としての発光強度が大きな
ものとなり好ましい。
【００７１】また、本発明に係る手法により製造された
発光体は、図３に示すように、Ｍｎイオンの濃度に応じ
て、発光強度が変化している。なお、この図３中縦軸は
ＰＬ強度を示し、横軸は波長を示し、図３中に示した各
サンプルにおいて、有機酸として、アクリル酸０．７ｍ
ｏｌが添加された。この図３から明らかなように、この
発光体においては、Ｍｎイオンに起因する約５８０ｎｍ
の発光強度は、Ｍｎイオンの濃度を大とするのに伴い増
加する。これに対して、この発光体において、有機酸に
起因する約４３０ｎｍの発光強度は、Ｍｎイオンの濃度
を大とするのに伴って減少している。
発光体は、図３に示すように、Ｍｎイオンの濃度に応じ
て、発光強度が変化している。なお、この図３中縦軸は
ＰＬ強度を示し、横軸は波長を示し、図３中に示した各
サンプルにおいて、有機酸として、アクリル酸０．７ｍ
ｏｌが添加された。この図３から明らかなように、この
発光体においては、Ｍｎイオンに起因する約５８０ｎｍ
の発光強度は、Ｍｎイオンの濃度を大とするのに伴い増
加する。これに対して、この発光体において、有機酸に
起因する約４３０ｎｍの発光強度は、Ｍｎイオンの濃度
を大とするのに伴って減少している。
【００７２】この図３から明らかなように、発光体中に
ドープされるＭｎイオンの量が増加すると、発光体全体
の発光強度に対する約５８０ｎｍの発光強度が増加す
る。換言すれば、Ｍｎイオンのドープ量が増加すると、
相対的な約５８０ｎｍの発光強度が増加する。このこと
から、この発光体において、有機酸からＭｎイオンに対
して発光のためのエネルギーが移動していることが示唆
される。
ドープされるＭｎイオンの量が増加すると、発光体全体
の発光強度に対する約５８０ｎｍの発光強度が増加す
る。換言すれば、Ｍｎイオンのドープ量が増加すると、
相対的な約５８０ｎｍの発光強度が増加する。このこと
から、この発光体において、有機酸からＭｎイオンに対
して発光のためのエネルギーが移動していることが示唆
される。
【００７３】つまり、Ｍｎイオンのドープ量が増加する
と、有機酸は、その増加分のＭｎイオンを発光させるた
めのエネルギーをＭｎイオンに供給することとなる。こ
のために、有機酸は、それ自身が発光するために使用で
きるエネルギー量が減少してしまい、約４３０ｎｍの発
光を減少させてしまう。したがって、有機酸に起因する
約４３０ｎｍの発光強度は、Ｍｎイオンのドープ量の増
加に伴って減少することとなる。
と、有機酸は、その増加分のＭｎイオンを発光させるた
めのエネルギーをＭｎイオンに供給することとなる。こ
のために、有機酸は、それ自身が発光するために使用で
きるエネルギー量が減少してしまい、約４３０ｎｍの発
光を減少させてしまう。したがって、有機酸に起因する
約４３０ｎｍの発光強度は、Ｍｎイオンのドープ量の増
加に伴って減少することとなる。
【００７４】また、上述した発光体を赤外線吸収スペク
トルにて測定したところ、有機酸による振動のピークや
Ｓ−Ｏ結合に起因するピークが観察された。このことか
ら、本発明に係る手法により製造された発光体におい
て、添加された有機酸は、Ｓ−Ｏ結合を介してＺｎＳ：
Ｍｎに結合していることが示唆された。したがって、こ
のことからも、有機酸がＭｎイオンの発光のためのエネ
ルギーを供給していることが示唆された。
トルにて測定したところ、有機酸による振動のピークや
Ｓ−Ｏ結合に起因するピークが観察された。このことか
ら、本発明に係る手法により製造された発光体におい
て、添加された有機酸は、Ｓ−Ｏ結合を介してＺｎＳ：
Ｍｎに結合していることが示唆された。したがって、こ
のことからも、有機酸がＭｎイオンの発光のためのエネ
ルギーを供給していることが示唆された。
【００７５】一方、上述のように製造されたＺｎＳ：Ｍ
ｎにおいて、Ｍｎイオンの分布状態を電子スピン共鳴法
を用いて測定した。その測定結果を図４に示す。なお、
図４中縦軸は強度を示し、横軸は磁場を示す。そして、
ここでは、比較のために、アクリル酸又はメタクリル酸
を添加する代わりに、有機酸である酢酸の添加、メタク
リル酸メチルの添加又は無添加とするサンプルを作製し
た。
ｎにおいて、Ｍｎイオンの分布状態を電子スピン共鳴法
を用いて測定した。その測定結果を図４に示す。なお、
図４中縦軸は強度を示し、横軸は磁場を示す。そして、
ここでは、比較のために、アクリル酸又はメタクリル酸
を添加する代わりに、有機酸である酢酸の添加、メタク
リル酸メチルの添加又は無添加とするサンプルを作製し
た。
【００７６】この図４から明らかなように、アクリル酸
又はメタクリル酸を添加した場合には、６本のシャープ
なピークが観察される。また、酢酸を添加した場合に
は、ややシャープなピークが観察される。これに対し
て、メタクリル酸メチルの添加又は無添加の場合には、
シャープなピークを観察することができず、幅広なピー
クとなってしまう。
又はメタクリル酸を添加した場合には、６本のシャープ
なピークが観察される。また、酢酸を添加した場合に
は、ややシャープなピークが観察される。これに対し
て、メタクリル酸メチルの添加又は無添加の場合には、
シャープなピークを観察することができず、幅広なピー
クとなってしまう。
【００７７】この電子スピン共鳴法を用いた測定結果に
おいて、メタクリル酸メチルの添加又は無添加の場合の
ように、幅広なピークが観察されるのは、Ｍｎイオンが
均一に分散してドープされていないためにスピン交換相
互作用が発現することによるものと考えられる。これに
対して、６本のシャープなピークが観察されるのは、Ｍ
ｎイオンがＺｎＳに均一にドープされる、すなわち、Ｍ
ｎイオンが均一に分散してＺｎイオンと交換されるため
にスピン交換相互作用が発現しないためと考えられる。
おいて、メタクリル酸メチルの添加又は無添加の場合の
ように、幅広なピークが観察されるのは、Ｍｎイオンが
均一に分散してドープされていないためにスピン交換相
互作用が発現することによるものと考えられる。これに
対して、６本のシャープなピークが観察されるのは、Ｍ
ｎイオンがＺｎＳに均一にドープされる、すなわち、Ｍ
ｎイオンが均一に分散してＺｎイオンと交換されるため
にスピン交換相互作用が発現しないためと考えられる。
【００７８】このように、本発明に係る発光体の製造方
法では、有機酸を液相反応中に添加することによって、
Ｍｎイオンが均一に分散した状態でドープされることが
明らかになった。また、この有機酸がアクリル酸又はメ
タクリル酸である場合には、６本のピークがよりシャー
プになることから、Ｍｎイオンがより均一に分散してド
ープされることが分かる。
法では、有機酸を液相反応中に添加することによって、
Ｍｎイオンが均一に分散した状態でドープされることが
明らかになった。また、この有機酸がアクリル酸又はメ
タクリル酸である場合には、６本のピークがよりシャー
プになることから、Ｍｎイオンがより均一に分散してド
ープされることが分かる。
【００７９】このＺｎＳ：Ｍｎにおいて、Ｍｎイオンが
ＺｎＳ中に均一に分散してドープされると、励起された
Ｍｎイオンのエネルギーが効率よく発光に用いられるこ
とになる。これに対して、ＺｎＳ：Ｍｎにおいて、Ｍｎ
イオンが均一に分散せずに近接してドープされるような
部分があると、発光強度が低下する。これは、励起され
たＭｎイオンのエネルギーが近接するＭｎイオンの励起
に用いられてしまい、その結果、発光に用いられるエネ
ルギーが減少してしまうためである。
ＺｎＳ中に均一に分散してドープされると、励起された
Ｍｎイオンのエネルギーが効率よく発光に用いられるこ
とになる。これに対して、ＺｎＳ：Ｍｎにおいて、Ｍｎ
イオンが均一に分散せずに近接してドープされるような
部分があると、発光強度が低下する。これは、励起され
たＭｎイオンのエネルギーが近接するＭｎイオンの励起
に用いられてしまい、その結果、発光に用いられるエネ
ルギーが減少してしまうためである。
【００８０】本発明に係る手法により製造されたＺｎ
Ｓ：Ｍｎは、Ｍｎイオンが均一に分散するようにドープ
させることができるため、励起されたＭｎイオンのエネ
ルギーが損失することなく効率よく発光に使用すること
ができる。
Ｓ：Ｍｎは、Ｍｎイオンが均一に分散するようにドープ
させることができるため、励起されたＭｎイオンのエネ
ルギーが損失することなく効率よく発光に使用すること
ができる。
【００８１】また、このように製造されたＺｎＳ：Ｍｎ
において、この結晶粒の大きさを、電子顕微鏡及びＸ線
回折ピークの広がりに基づいて分析したところ２〜３ｎ
ｍ程度であることが明らかになった。この手法におい
て、アクリル酸又はメタクリル酸の添加量を変化させる
と、結晶粒の大きさを調節することができる。具体的に
は、メタクリル酸を添加する場合、メタクリル酸の添加
量を１０ｍｌとしたとき、結晶粒の大きさは約２．７ｎ
ｍとなり、添加量を３０ｍｌとしたとき、結晶粒の大き
さは約２．５ｎｍとなり、添加量を５０ｍｌとしたと
き、結晶粒の大きさは約２．３ｎｍとなった。
において、この結晶粒の大きさを、電子顕微鏡及びＸ線
回折ピークの広がりに基づいて分析したところ２〜３ｎ
ｍ程度であることが明らかになった。この手法におい
て、アクリル酸又はメタクリル酸の添加量を変化させる
と、結晶粒の大きさを調節することができる。具体的に
は、メタクリル酸を添加する場合、メタクリル酸の添加
量を１０ｍｌとしたとき、結晶粒の大きさは約２．７ｎ
ｍとなり、添加量を３０ｍｌとしたとき、結晶粒の大き
さは約２．５ｎｍとなり、添加量を５０ｍｌとしたと
き、結晶粒の大きさは約２．３ｎｍとなった。
【００８２】このように、本発明を適用して、実際にＺ
ｎＳ：Ｍｎを製造したところ、ＺｎＳ：Ｍｎは、その粒
径が数ｎｍ程度であり、且つ、発光強度が向上したもの
となっている。このことから、本発明に係る手法により
製造された発光体は、従来よりも低電圧で励起発光をす
ることができる。したがって、この発光体は、低電圧の
電子ビームが用いられる薄型のフラットディスプレイに
用いられて好適である。
ｎＳ：Ｍｎを製造したところ、ＺｎＳ：Ｍｎは、その粒
径が数ｎｍ程度であり、且つ、発光強度が向上したもの
となっている。このことから、本発明に係る手法により
製造された発光体は、従来よりも低電圧で励起発光をす
ることができる。したがって、この発光体は、低電圧の
電子ビームが用いられる薄型のフラットディスプレイに
用いられて好適である。
【００８３】本発明によれば、従来において不可能であ
ったナノ結晶構造を有するＩＩ−ＶＩ族半導体を効率よ
く安定的に製造することができる。また、本発明は、上
述したようなＺｎＳ：Ｍｎを製造する際にのみ適用され
るものではない。本発明を適用すれば、薄型化ディスプ
レイ等に用いる発光体として十分な種類の発光体を提供
することができる。
ったナノ結晶構造を有するＩＩ−ＶＩ族半導体を効率よ
く安定的に製造することができる。また、本発明は、上
述したようなＺｎＳ：Ｍｎを製造する際にのみ適用され
るものではない。本発明を適用すれば、薄型化ディスプ
レイ等に用いる発光体として十分な種類の発光体を提供
することができる。
【００８４】そこで、以下に付活剤としてＭｎ以外のも
のを使用した例について述べる。
のを使用した例について述べる。
【００８５】先ずＩＩ−ＶＩ族半導体として硫化亜鉛を
用い、付活剤としてＣｕ，Ａｌを用い、ＺｎＳ：Ｃｕ，
Ａｌを製造した例について述べる。
用い、付活剤としてＣｕ，Ａｌを用い、ＺｎＳ：Ｃｕ，
Ａｌを製造した例について述べる。
【００８６】先ず、酢酸亜鉛のメタノール溶液（０．１
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと酢酸銅のメタノール溶液
（０．００８ｍｏｌ／ｌ）０．５ｍｌと硝酸アルミニウ
ムのメタノール溶液（０．００８ｍｏｌ／ｌ）１．０ｍ
ｌとを混合してマグネティックスターラーを用いて１０
分間攪拌し、混合溶液を得る。
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと酢酸銅のメタノール溶液
（０．００８ｍｏｌ／ｌ）０．５ｍｌと硝酸アルミニウ
ムのメタノール溶液（０．００８ｍｏｌ／ｌ）１．０ｍ
ｌとを混合してマグネティックスターラーを用いて１０
分間攪拌し、混合溶液を得る。
【００８７】次に、マグネティックスターラーを用いて
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
【００８８】次に、この混合溶液にアクリル酸又はメタ
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化１２に示すような反応が生
じている。ただし、下記化１２においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化１２に示すような反応が生
じている。ただし、下記化１２においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
【００８９】
【化１２】
【００９０】次に、遠心分離機を用いて、４０００ｒｐ
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ
を製造した。
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ
を製造した。
【００９１】ここでは、上述のような割合で溶液を混合
してＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌを製造する例について述べた
が、酢酸銅のメタノール溶液は、０．２５〜５ｍｌの範
囲で添加されれば良く、硝酸アルミニウムのメタノール
溶液は０．５〜１０ｍｌの範囲で添加されることが好ま
しい。つまり、、ＣｕはＺｎの１ｍｏｌに対して０．０
１ｍｏｌ％〜０．２ｍｏｌ％の割合で添加されることが
好ましく、ＡｌはＺｎの１ｍｏｌに対して０．０２ｍｏ
ｌ％〜０．４ｍｏｌ％の割合で添加されることが好まし
い。
してＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌを製造する例について述べた
が、酢酸銅のメタノール溶液は、０．２５〜５ｍｌの範
囲で添加されれば良く、硝酸アルミニウムのメタノール
溶液は０．５〜１０ｍｌの範囲で添加されることが好ま
しい。つまり、、ＣｕはＺｎの１ｍｏｌに対して０．０
１ｍｏｌ％〜０．２ｍｏｌ％の割合で添加されることが
好ましく、ＡｌはＺｎの１ｍｏｌに対して０．０２ｍｏ
ｌ％〜０．４ｍｏｌ％の割合で添加されることが好まし
い。
【００９２】次に、ＩＩ−ＶＩ族半導体として硫化亜鉛
を用い、付活剤としてＣｕ，Ｃｌを用い、ＺｎＳ：Ｃ
ｕ，Ｃｌを製造した例について述べる。この反応は全て
窒素雰囲気下で行う。
を用い、付活剤としてＣｕ，Ｃｌを用い、ＺｎＳ：Ｃ
ｕ，Ｃｌを製造した例について述べる。この反応は全て
窒素雰囲気下で行う。
【００９３】先ず、酢酸亜鉛のメタノール溶液（０．１
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと塩化第１銅の水溶液
（０．００８ｍｏｌ／ｌ）０．５ｍｌとを混合してマグ
ネティックスターラーを用いて１０分間攪拌し、混合溶
液を得る。
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと塩化第１銅の水溶液
（０．００８ｍｏｌ／ｌ）０．５ｍｌとを混合してマグ
ネティックスターラーを用いて１０分間攪拌し、混合溶
液を得る。
【００９４】次に、マグネティックスターラーを用いて
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
【００９５】次に、この混合溶液にアクリル酸又はメタ
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化１３に示すような反応が生
じている。ただし、下記化１３においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化１３に示すような反応が生
じている。ただし、下記化１３においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
【００９６】
【化１３】
【００９７】次に、遠心分離機を用いて、４０００ｒｐ
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ
を製造した。
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ
を製造した。
【００９８】ここでは、上述のような割合で溶液を混合
してＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌを製造する例について述べた
が、塩化第１銅の水溶液は、０．２５〜５ｍｌの範囲で
添加されることが好ましい。つまり、Ｃｕ，ＣｌはＺｎ
の１ｍｏｌに対して０．０１ｍｏｌ％〜０．２ｍｏｌ％
の割合で添加されることが好ましい。
してＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌを製造する例について述べた
が、塩化第１銅の水溶液は、０．２５〜５ｍｌの範囲で
添加されることが好ましい。つまり、Ｃｕ，ＣｌはＺｎ
の１ｍｏｌに対して０．０１ｍｏｌ％〜０．２ｍｏｌ％
の割合で添加されることが好ましい。
【００９９】続いて、ＩＩ−ＶＩ族半導体として硫化亜
鉛を用い、付活剤としてＡｇ，Ａｌを用い、ＺｎＳ：Ａ
ｇ，Ａｌを製造した例について述べる。
鉛を用い、付活剤としてＡｇ，Ａｌを用い、ＺｎＳ：Ａ
ｇ，Ａｌを製造した例について述べる。
【０１００】先ず、酢酸亜鉛のメタノール溶液（０．１
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと酢酸銀の水溶液（０．０
０８ｍｏｌ／ｌ）０．５ｍｌと硝酸アルミニウムのメタ
ノール溶液（０．００８ｍｏｌ／ｌ）１．０ｍｌとを混
合してマグネティックスターラーを用いて１０分間攪拌
し、混合溶液を得る。
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと酢酸銀の水溶液（０．０
０８ｍｏｌ／ｌ）０．５ｍｌと硝酸アルミニウムのメタ
ノール溶液（０．００８ｍｏｌ／ｌ）１．０ｍｌとを混
合してマグネティックスターラーを用いて１０分間攪拌
し、混合溶液を得る。
【０１０１】次に、マグネティックスターラーを用いて
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
【０１０２】次に、この混合溶液にアクリル酸又はメタ
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化１４に示すような反応が生
じている。ただし、下記化１４においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化１４に示すような反応が生
じている。ただし、下記化１４においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
【０１０３】
【化１４】
【０１０４】次に、遠心分離機を用いて、４０００ｒｐ
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ
を製造した。
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ
を製造した。
【０１０５】ここでは、上述のような割合で溶液を混合
してＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌを製造する例について述べた
が、酢酸銀の水溶液は、０．２５〜５ｍｌの範囲で添加
されれば良く、硝酸アルミニウムのメタノール溶液は
０．５〜１０ｍｌの範囲で添加されることが好ましい。
つまり、ＡｇはＺｎの１ｍｏｌに対して０．０１ｍｏｌ
％〜０．２ｍｏｌ％の割合で添加されることが好まし
く、ＡｌはＺｎの１ｍｏｌに対して０．０２ｍｏｌ％〜
０．４ｍｏｌ％の割合で添加されることが好ましい。
してＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌを製造する例について述べた
が、酢酸銀の水溶液は、０．２５〜５ｍｌの範囲で添加
されれば良く、硝酸アルミニウムのメタノール溶液は
０．５〜１０ｍｌの範囲で添加されることが好ましい。
つまり、ＡｇはＺｎの１ｍｏｌに対して０．０１ｍｏｌ
％〜０．２ｍｏｌ％の割合で添加されることが好まし
く、ＡｌはＺｎの１ｍｏｌに対して０．０２ｍｏｌ％〜
０．４ｍｏｌ％の割合で添加されることが好ましい。
【０１０６】さらに、ＩＩ−ＶＩ族半導体として硫化亜
鉛を用い、付活剤としてＡｇ，Ｃｌを用い、ＺｎＳ：Ａ
ｇ，Ｃｌを製造した例について述べる。
鉛を用い、付活剤としてＡｇ，Ｃｌを用い、ＺｎＳ：Ａ
ｇ，Ｃｌを製造した例について述べる。
【０１０７】先ず、酢酸亜鉛のメタノール溶液（０．１
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと塩化銀の水溶液（０．０
０８ｍｏｌ／ｌ）０．５ｍｌとを混合してマグネティッ
クスターラーを用いて１０分間攪拌し、混合溶液を得
る。
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと塩化銀の水溶液（０．０
０８ｍｏｌ／ｌ）０．５ｍｌとを混合してマグネティッ
クスターラーを用いて１０分間攪拌し、混合溶液を得
る。
【０１０８】次に、マグネティックスターラーを用いて
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
【０１０９】次に、この混合溶液にアクリル酸又はメタ
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化１５に示すような反応が生
じている。ただし、下記化１５においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化１５に示すような反応が生
じている。ただし、下記化１５においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
【０１１０】
【化１５】
【０１１１】次に、遠心分離機を用いて、４０００ｒｐ
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ
を製造した。
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ
を製造した。
【０１１２】ここでは、上述のような割合で溶液を混合
してＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌを製造する例について述べた
が、塩化銀の水溶液は、０．２５〜５ｍｌの範囲で添加
されることが好ましい。つまり、Ａｇ，ＣｌはＺｎの１
ｍｏｌに対して０．０１ｍｏｌ％〜０．２ｍｏｌ％の割
合で添加されることが好ましい。
してＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌを製造する例について述べた
が、塩化銀の水溶液は、０．２５〜５ｍｌの範囲で添加
されることが好ましい。つまり、Ａｇ，ＣｌはＺｎの１
ｍｏｌに対して０．０１ｍｏｌ％〜０．２ｍｏｌ％の割
合で添加されることが好ましい。
【０１１３】上述のようにして製造されたＺｎＳ：Ｃ
ｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌを透過型電子顕微鏡及びＸ線回折ピ
ークの広がりに基づいて分析したところ、いずれにおい
ても粒径は３ｎｍ程度であった。
ｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌを透過型電子顕微鏡及びＸ線回折ピ
ークの広がりに基づいて分析したところ、いずれにおい
ても粒径は３ｎｍ程度であった。
【０１１４】また、上述のＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌの光励起
発光（Photoluminescence）強度を（以下、ＰＬ強度と
呼ぶ。）を測定した。比較のために、有機酸を添加しな
いサンプルを製造し、これについてもＰＬ強度を測定し
た。これら各サンプルのＰＬ強度は、図５に示すような
測定結果となった。なお、図５中縦軸はＰＬ強度を示
し、横軸は波長を示す。
発光（Photoluminescence）強度を（以下、ＰＬ強度と
呼ぶ。）を測定した。比較のために、有機酸を添加しな
いサンプルを製造し、これについてもＰＬ強度を測定し
た。これら各サンプルのＰＬ強度は、図５に示すような
測定結果となった。なお、図５中縦軸はＰＬ強度を示
し、横軸は波長を示す。
【０１１５】図５を見て明らかなように、ナノクリスタ
ルＺｎ：Ａｇ，Ａｌの場合、液相反応中にアクリル酸を
添加したサンプルは液相反応中に有機酸を添加しないサ
ンプルよりも１０倍明るいことが確認された。このこと
は、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ、Ｚｎ
Ｓ：Ａｇ，Ｃｌにおいても同様であった。
ルＺｎ：Ａｇ，Ａｌの場合、液相反応中にアクリル酸を
添加したサンプルは液相反応中に有機酸を添加しないサ
ンプルよりも１０倍明るいことが確認された。このこと
は、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ、Ｚｎ
Ｓ：Ａｇ，Ｃｌにおいても同様であった。
【０１１６】このように、本発明を適用して、実際にＺ
ｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａ
ｇ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌを製造したところ、その
粒径が数ｎｍ程度であり、且つ、発光強度が向上したも
のとなっている。このことから、本発明に係る手法によ
り製造された発光体は、従来よりも低電圧で励起発光を
することができる。したがって、この発光体は、低電圧
の電子ビームが用いられる薄型のフラットディスプレ
イ、特にＦＥＤに用いられて好適である。なお、高精細
度の陰極線管（以下、ＣＲＴと称する。）、ＥＬＤに使
用されても良いことは言うまでもない。
ｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ｃｌ、ＺｎＳ：Ａ
ｇ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌを製造したところ、その
粒径が数ｎｍ程度であり、且つ、発光強度が向上したも
のとなっている。このことから、本発明に係る手法によ
り製造された発光体は、従来よりも低電圧で励起発光を
することができる。したがって、この発光体は、低電圧
の電子ビームが用いられる薄型のフラットディスプレ
イ、特にＦＥＤに用いられて好適である。なお、高精細
度の陰極線管（以下、ＣＲＴと称する。）、ＥＬＤに使
用されても良いことは言うまでもない。
【０１１７】さらに、ＩＩ−ＶＩ族半導体として硫化亜
鉛を用い、付活剤としてＴｂを用い、ＺｎＳ：Ｔｂを製
造した例について述べる。
鉛を用い、付活剤としてＴｂを用い、ＺｎＳ：Ｔｂを製
造した例について述べる。
【０１１８】先ず、酢酸亜鉛のメタノール溶液（０．１
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと硝酸テルビウムのメタノ
ール溶液（０．００８ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌとを混合し
てマグネティックスターラーを用いて１０分間攪拌し、
混合溶液を得る。
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと硝酸テルビウムのメタノ
ール溶液（０．００８ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌとを混合し
てマグネティックスターラーを用いて１０分間攪拌し、
混合溶液を得る。
【０１１９】次に、マグネティックスターラーを用いて
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
【０１２０】次に、この混合溶液にアクリル酸又はメタ
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化１６に示すような反応が生
じている。ただし、下記化１６においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化１６に示すような反応が生
じている。ただし、下記化１６においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
【０１２１】
【化１６】
【０１２２】次に、遠心分離機を用いて、４０００ｒｐ
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：Ｔｂを製造
した。
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：Ｔｂを製造
した。
【０１２３】次に、ＩＩ−ＶＩ族半導体として硫化亜鉛
を用い、付活剤としてＴｂ，Ｆを用い、ＺｎＳ：ＴｂＦ
3 を製造した例について述べる。
を用い、付活剤としてＴｂ，Ｆを用い、ＺｎＳ：ＴｂＦ
3 を製造した例について述べる。
【０１２４】先ず、酢酸亜鉛のメタノール溶液（０．１
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと硝酸テルビウムのメタノ
ール溶液（０．００８ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌとフッ化ナ
トリウムの水溶液（０．０２４ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌと
を混合してマグネティックスターラーを用いて１０分間
攪拌し、混合溶液を得る。
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと硝酸テルビウムのメタノ
ール溶液（０．００８ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌとフッ化ナ
トリウムの水溶液（０．０２４ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌと
を混合してマグネティックスターラーを用いて１０分間
攪拌し、混合溶液を得る。
【０１２５】次に、マグネティックスターラーを用いて
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
【０１２６】次に、この混合溶液にアクリル酸又はメタ
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化１７に示すような反応が生
じている。ただし、下記化１７においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化１７に示すような反応が生
じている。ただし、下記化１７においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
【０１２７】
【化１７】
【０１２８】次に、遠心分離機を用いて、４０００ｒｐ
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：ＴｂＦ3 を
製造した。
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：ＴｂＦ3 を
製造した。
【０１２９】続いて、ＩＩ−ＶＩ族半導体として硫化亜
鉛を用い、付活剤としてＴｍを用い、ＺｎＳ：Ｔｍを製
造した例について述べる。
鉛を用い、付活剤としてＴｍを用い、ＺｎＳ：Ｔｍを製
造した例について述べる。
【０１３０】先ず、酢酸亜鉛のメタノール溶液（０．１
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと硝酸ツリウムのメタノー
ル溶液（０．００８ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌとを混合して
マグネティックスターラーを用いて１０分間攪拌し、混
合溶液を得る。
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと硝酸ツリウムのメタノー
ル溶液（０．００８ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌとを混合して
マグネティックスターラーを用いて１０分間攪拌し、混
合溶液を得る。
【０１３１】次に、マグネティックスターラーを用いて
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
【０１３２】次に、この混合溶液にアクリル酸又はメタ
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化１８に示すような反応が生
じている。ただし、下記化１８においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化１８に示すような反応が生
じている。ただし、下記化１８においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
【０１３３】
【化１８】
【０１３４】次に、遠心分離機を用いて、４０００ｒｐ
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：Ｔｍを製造
した。
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：Ｔｍを製造
した。
【０１３５】次に、ＩＩ−ＶＩ族半導体として硫化亜鉛
を用い、付活剤としてＴｍ，Ｆを用い、ＺｎＳ：ＴｍＦ
3 を製造した例について述べる。
を用い、付活剤としてＴｍ，Ｆを用い、ＺｎＳ：ＴｍＦ
3 を製造した例について述べる。
【０１３６】先ず、酢酸亜鉛のメタノール溶液（０．１
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと硝酸ツリウムのメタノー
ル溶液（０．００８ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌとフッ化ナト
リウムの水溶液（０．０２４ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌとを
混合してマグネティックスターラーを用いて１０分間攪
拌し、混合溶液を得る。
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと硝酸ツリウムのメタノー
ル溶液（０．００８ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌとフッ化ナト
リウムの水溶液（０．０２４ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌとを
混合してマグネティックスターラーを用いて１０分間攪
拌し、混合溶液を得る。
【０１３７】次に、マグネティックスターラーを用いて
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
【０１３８】次に、この混合溶液にアクリル酸又はメタ
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化１９に示すような反応が生
じている。ただし、下記化１９においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化１９に示すような反応が生
じている。ただし、下記化１９においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
【０１３９】
【化１９】
【０１４０】次に、遠心分離機を用いて、４０００ｒｐ
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：ＴｍＦ3 を
製造した。
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：ＴｍＦ3 を
製造した。
【０１４１】続いて、ＩＩ−ＶＩ族半導体として硫化亜
鉛を用い、付活剤としてＥｕを用い、ＺｎＳ：Ｅｕを製
造した例について述べる。
鉛を用い、付活剤としてＥｕを用い、ＺｎＳ：Ｅｕを製
造した例について述べる。
【０１４２】先ず、酢酸亜鉛のメタノール溶液（０．１
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと硝酸ユーロピウムのメタ
ノール溶液（０．００８ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌとを混合
してマグネティックスターラーを用いて１０分間攪拌
し、混合溶液を得る。
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと硝酸ユーロピウムのメタ
ノール溶液（０．００８ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌとを混合
してマグネティックスターラーを用いて１０分間攪拌
し、混合溶液を得る。
【０１４３】次に、マグネティックスターラーを用いて
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
【０１４４】次に、この混合溶液にアクリル酸又はメタ
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化２０に示すような反応が生
じている。ただし、下記化２０においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化２０に示すような反応が生
じている。ただし、下記化２０においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
【０１４５】
【化２０】
【０１４６】次に、遠心分離機を用いて、４０００ｒｐ
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：Ｅｕを製造
した。
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：Ｅｕを製造
した。
【０１４７】次に、ＩＩ−ＶＩ族半導体として硫化亜鉛
を用い、付活剤としてＥｕ，Ｆを用い、ＺｎＳ：ＥｕＦ
3 を製造した例について述べる。
を用い、付活剤としてＥｕ，Ｆを用い、ＺｎＳ：ＥｕＦ
3 を製造した例について述べる。
【０１４８】先ず、酢酸亜鉛のメタノール溶液（０．１
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと硝酸ユーロピウムのメタ
ノール溶液（０．００８ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌとフッ化
ナトリウムの水溶液（０．０２４ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌ
とを混合してマグネティックスターラーを用いて１０分
間攪拌し、混合溶液を得る。
３３ｍｏｌ／ｌ）１５０ｍｌと硝酸ユーロピウムのメタ
ノール溶液（０．００８ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌとフッ化
ナトリウムの水溶液（０．０２４ｍｏｌ／ｌ）２５ｍｌ
とを混合してマグネティックスターラーを用いて１０分
間攪拌し、混合溶液を得る。
【０１４９】次に、マグネティックスターラーを用いて
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
攪拌した状態の硫化ナトリウムの水溶液（０．４ｍｏｌ
／ｌ）６０ｍｌに上述した混合溶液を加える。そして、
さらに激しく２０分間攪拌する。
【０１５０】次に、この混合溶液にアクリル酸又はメタ
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化２１に示すような反応が生
じている。ただし、下記化２１においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
クリル酸を５０ｍｌ添加する。そして、１５分間激しく
攪拌する。このとき、下記化２１に示すような反応が生
じている。ただし、下記化２１においては、アクリル酸
を使用した例を示す。
【０１５１】
【化２１】
【０１５２】次に、遠心分離機を用いて、４０００ｒｐ
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：ＥｕＦ3 を
製造した。
ｍで２０分間遠心分離を行う。その後、遠心分離した沈
澱物を５０℃で２４時間送風乾燥する。そして、送風乾
燥した固体物を粉砕することによりＺｎＳ：ＥｕＦ3 を
製造した。
【０１５３】上述のようにして製造されたＺｎＳ：Ｔ
ｂ、ＺｎＳ：ＴｂＦ3 、ＺｎＳ：Ｔｍ、ＺｎＳ：ＴｍＦ
3 、ＺｎＳ：Ｅｕ、ＺｎＳ：ＥｕＦ3 を透過型電子顕微
鏡及びＸ線回折ピークの広がりに基づいて分析したとこ
ろ、いずれにおいても粒径は３ｎｍ程度であった。
ｂ、ＺｎＳ：ＴｂＦ3 、ＺｎＳ：Ｔｍ、ＺｎＳ：ＴｍＦ
3 、ＺｎＳ：Ｅｕ、ＺｎＳ：ＥｕＦ3 を透過型電子顕微
鏡及びＸ線回折ピークの広がりに基づいて分析したとこ
ろ、いずれにおいても粒径は３ｎｍ程度であった。
【０１５４】このように、本発明を適用して、実際にＺ
ｎＳ：Ｔｂ、ＺｎＳ：ＴｂＦ3 、ＺｎＳ：Ｔｍ、Ｚｎ
Ｓ：ＴｍＦ3 、ＺｎＳ：Ｅｕ、ＺｎＳ：ＥｕＦ3 を製造
したところ、その粒径が数ｎｍ程度となっている。この
ことから、本発明に係る手法により製造された発光体
は、従来よりも低電圧で励起発光をすることができる。
したがって、この発光体は、低電圧の電子ビームが用い
られる薄型のフラットディスプレイ、特にＦＥＤに用い
られて好適である。なお、高精細度ＣＲＴやＥＬＤに使
用されても良いことは言うまでもない。
ｎＳ：Ｔｂ、ＺｎＳ：ＴｂＦ3 、ＺｎＳ：Ｔｍ、Ｚｎ
Ｓ：ＴｍＦ3 、ＺｎＳ：Ｅｕ、ＺｎＳ：ＥｕＦ3 を製造
したところ、その粒径が数ｎｍ程度となっている。この
ことから、本発明に係る手法により製造された発光体
は、従来よりも低電圧で励起発光をすることができる。
したがって、この発光体は、低電圧の電子ビームが用い
られる薄型のフラットディスプレイ、特にＦＥＤに用い
られて好適である。なお、高精細度ＣＲＴやＥＬＤに使
用されても良いことは言うまでもない。
【０１５５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る発光体の製造方法では、共沈を利用した液相反応
中に有機酸を添加することにより、発光強度が著しく向
上した発光体を製造することができる。
に係る発光体の製造方法では、共沈を利用した液相反応
中に有機酸を添加することにより、発光強度が著しく向
上した発光体を製造することができる。
【０１５６】また、本発明に係る発光体の製造方法で
は、共沈を利用した液相反応終了後に高分子有機酸又は
ポリスチレンを添加することにより、発光強度が著しく
向上した発光体を製造することができる。
は、共沈を利用した液相反応終了後に高分子有機酸又は
ポリスチレンを添加することにより、発光強度が著しく
向上した発光体を製造することができる。
【０１５７】このように、本発明によれば、低電圧でも
励起発光することが可能な発光体を製造することが可能
となる。
励起発光することが可能な発光体を製造することが可能
となる。
【図１】アクリル酸又はメタクリル酸を添加したときの
発光特性を示すための特性図である。
発光特性を示すための特性図である。
【図２】有機酸の添加量と発光強度との関係を示す特性
図である。
図である。
【図３】付活剤の添加量と発光特性との関係を示す特性
図である。
図である。
【図４】有機酸の添加したときの付活剤の分布状態を示
すための特性図である。
すための特性図である。
【図５】アクリル酸を添加したときの発光特性を示すた
めの特性図である。
めの特性図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 磯部 徹彦 神奈川県横浜市港北区日吉３丁目14番１号 慶応義塾大学理工学部応用化学科内 (72)発明者 五十嵐 崇裕 神奈川県横浜市港北区日吉３丁目14番１号 慶応義塾大学理工学部応用化学科内
Claims (28)
- 【請求項１】 共沈を利用した液相反応にて付活剤がド
ープされたＩＩ−ＶＩ族半導体を形成し、 この液相反応中に有機酸を添加することを特徴とする発
光体の製造方法。 - 【請求項２】 上記有機酸は、アクリル酸、メタクリル
酸から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする
請求項１記載の発光体の製造方法。 - 【請求項３】 上記付活剤はマンガンからなり、上記Ｉ
Ｉ−ＶＩ族半導体は硫化亜鉛からなることを特徴とする
請求項１記載の発光体の製造方法。 - 【請求項４】 上記液相反応では、溶媒中で酢酸マンガ
ンと酢酸亜鉛とを硫化ナトリウムとともに反応させるこ
とによりマンガンがドープされた硫化亜鉛を形成するこ
とを特徴とする請求項３記載の発光体の製造方法。 - 【請求項５】 上記付活剤は銅及びアルミニウムからな
り、上記ＩＩ−ＶＩ族半導体は硫化亜鉛からなることを
特徴とする請求項１記載の発光体の製造方法。 - 【請求項６】 上記液相反応では、溶媒中で酢酸銅と硝
酸アルミニウムと酢酸亜鉛とを硫化ナトリウムとともに
反応させることにより銅及びアルミニウムがドープされ
た硫化亜鉛を形成することを特徴とする請求項５記載の
発光体の製造方法。 - 【請求項７】 上記付活剤は銅及び塩素からなり、上記
ＩＩ−ＶＩ族半導体は硫化亜鉛からなることを特徴とす
る請求項１記載の発光体の製造方法。 - 【請求項８】 上記液相反応では、窒素雰囲気下におい
て溶媒中で塩化第１銅と酢酸亜鉛とを硫化ナトリウムと
ともに反応させることにより銅及び塩素がドープされた
硫化亜鉛を形成することを特徴とする請求項７記載の発
光体の製造方法。 - 【請求項９】 上記付活剤は銀及びアルミニウムからな
り、上記ＩＩ−ＶＩ族半導体は硫化亜鉛からなることを
特徴とする請求項１記載の発光体の製造方法。 - 【請求項１０】 上記液相反応では、溶媒中で酢酸銀と
硝酸アルミニウムと酢酸亜鉛とを硫化ナトリウムととも
に反応させることにより銀及びアルミニウムがドープさ
れた硫化亜鉛を形成することを特徴とする請求項９記載
の発光体の製造方法。 - 【請求項１１】 上記付活剤は銀及び塩素からなり、上
記ＩＩ−ＶＩ族半導体は硫化亜鉛からなることを特徴と
する請求項１記載の発光体の製造方法。 - 【請求項１２】 上記液相反応では、溶媒中で塩化銀と
酢酸亜鉛とを硫化ナトリウムとともに反応させることに
より銀及び塩素がドープされた硫化亜鉛を形成すること
を特徴とする請求項１１記載の発光体の製造方法。 - 【請求項１３】 上記付活剤はテルビウムからなり、上
記ＩＩ−ＶＩ族半導体は硫化亜鉛からなることを特徴と
する請求項１記載の発光体の製造方法。 - 【請求項１４】 上記液相反応では、溶媒中で硝酸テル
ビウムと酢酸亜鉛とを硫化ナトリウムとともに反応させ
ることによりテルビウムがドープされた硫化亜鉛を形成
することを特徴とする請求項１３記載の発光体の製造方
法。 - 【請求項１５】 上記付活剤はテルビウム及びフッ素か
らなり、上記ＩＩ−ＶＩ族半導体は硫化亜鉛からなるこ
とを特徴とする請求項１記載の発光体の製造方法。 - 【請求項１６】 上記液相反応では、溶媒中で硝酸テル
ビウムとフッ化ナトリウムと酢酸亜鉛とを硫化ナトリウ
ムとともに反応させることによりテルビウム及びフッ素
がドープされた硫化亜鉛を形成することを特徴とする請
求項１５記載の発光体の製造方法。 - 【請求項１７】 上記付活剤はツリウムからなり、上記
ＩＩ−ＶＩ族半導体は硫化亜鉛からなることを特徴とす
る請求項１記載の発光体の製造方法。 - 【請求項１８】 上記液相反応では、溶媒中で硝酸ツリ
ウムと酢酸亜鉛とを硫化ナトリウムとともに反応させる
ことによりツリウムがドープされた硫化亜鉛を形成する
ことを特徴とする請求項１７記載の発光体の製造方法。 - 【請求項１９】 上記付活剤はツリウム及びフッ素から
なり、上記ＩＩ−ＶＩ族半導体は硫化亜鉛からなること
を特徴とする請求項１記載の発光体の製造方法。 - 【請求項２０】 上記液相反応では、溶媒中で硝酸ツリ
ウムとフッ化ナトリウムと酢酸亜鉛とを硫化ナトリウム
とともに反応させることによりツリウム及びフッ素がド
ープされた硫化亜鉛を形成することを特徴とする請求項
１９記載の発光体の製造方法。 - 【請求項２１】 上記付活剤はユーロピウムからなり、
上記ＩＩ−ＶＩ族半導体は硫化亜鉛からなることを特徴
とする請求項１記載の発光体の製造方法。 - 【請求項２２】 上記液相反応では、溶媒中で硝酸ユー
ロピウムと酢酸亜鉛とを硫化ナトリウムとともに反応さ
せることによりユーロピウムがドープされた硫化亜鉛を
形成することを特徴とする請求項２１記載の発光体の製
造方法。 - 【請求項２３】 上記付活剤はユーロピウム及びフッ素
からなり、上記ＩＩ−ＶＩ族半導体は硫化亜鉛からなる
ことを特徴とする請求項１記載の発光体の製造方法。 - 【請求項２４】 上記液相反応では、溶媒中で硝酸ユー
ロピウムとフッ化ナトリウムと酢酸亜鉛とを硫化ナトリ
ウムとともに反応させることによりユーロピウム及びフ
ッ素がドープされた硫化亜鉛を形成することを特徴とす
る請求項２３記載の発光体の製造方法。 - 【請求項２５】 共沈を利用した液相反応にて付活剤が
ドープされたＩＩ−ＶＩ族半導体を形成し、 この液相反応終了後、高分子有機酸又はポリスチレンを
添加することを特徴とする発光体の製造方法。 - 【請求項２６】 上記付活剤はマンガンからなり、上記
ＩＩ−ＶＩ族半導体は硫化亜鉛からなることを特徴とす
る請求項２５記載の発光体の製造方法。 - 【請求項２７】 上記液相反応では、溶媒中で酢酸マン
ガンと酢酸亜鉛とを硫化ナトリウムとともに反応させる
ことによりマンガンがドープされた硫化亜鉛を形成する
ことを特徴とする請求項２６記載の発光体の製造方法。 - 【請求項２８】 上記高分子有機酸は、ポリアクリル
酸、ポリメタクリル酸から選ばれる少なくとも１種であ
ることを特徴とする請求項２５記載の発光体の製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9212171A JPH10310770A (ja) | 1997-03-10 | 1997-08-06 | 発光体の製造方法 |
| US09/037,685 US6117363A (en) | 1997-03-10 | 1998-03-10 | Method for producing light-emitting material |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5510497 | 1997-03-10 | ||
| JP9-55104 | 1997-03-10 | ||
| JP9212171A JPH10310770A (ja) | 1997-03-10 | 1997-08-06 | 発光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10310770A true JPH10310770A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=26395960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9212171A Withdrawn JPH10310770A (ja) | 1997-03-10 | 1997-08-06 | 発光体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6117363A (ja) |
| JP (1) | JPH10310770A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2007032179A1 (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-22 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | カルコゲナイト化合物のナノ粒子蛍光体及びその製造方法 |
| JP2007144304A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Tokyo Univ Of Science | 硫黄化合物を含む水溶液から太陽光照射下で水素生成に高活性を示すＺｎＳ−ＣｕＸ固溶体光触媒 |
| WO2007102394A1 (ja) | 2006-03-09 | 2007-09-13 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | ナノ蛍光体及びナノ蛍光体コンポジット |
| WO2008032534A1 (en) | 2006-09-14 | 2008-03-20 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Fluorescent semiconductor microparticle assembly, fluorescent labeling agent assembly for biological substance, and bioimaging method and biological substance analysis method using the assemblies |
| WO2008032535A1 (en) | 2006-09-15 | 2008-03-20 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Fluorescent semiconductor microparticle, method for production of the microparticle, fluorescent labeling agent for biological substance using the microparticle, and bioimaging method using the microparticle |
| WO2008032599A1 (en) | 2006-09-14 | 2008-03-20 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Semiconductor nanoparticle aggregate, process for producing the semiconductor nanoparticle aggregate, and biological substance labeling agent using the semiconductor nanoparticle aggregate |
| WO2008032619A1 (en) | 2006-09-15 | 2008-03-20 | Konica Minolta Medical & Graphic, Inc. | Semiconductor nanoparticle and method for producing the same |
| WO2012026150A1 (ja) | 2010-08-27 | 2012-03-01 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 半導体ナノ粒子集積体及び半導体ナノ粒子集積体の製造方法 |
| WO2012026149A1 (ja) | 2010-08-27 | 2012-03-01 | コニカミノルタエムジー株式会社 | 半導体ナノ粒子集積体 |
| US9082982B2 (en) | 2011-10-21 | 2015-07-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor nanocrystal-polymer composite, method of preparing the same, and composite film and optoelectronic device including the same |
| EP3070143A1 (en) | 2015-03-17 | 2016-09-21 | Konica Minolta, Inc. | Coated semiconductor nanoparticle and method for manufacturing the same |
| JP2023551143A (ja) * | 2020-11-26 | 2023-12-07 | フラウンホーファー－ゲゼルシャフト ツール フエルデルング デア アンゲヴァンテン フォルシュング エー．ファオ． | 時間次元を有する光学的セキュリティ特徴を用いて製品をマーキングする方法 |
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