JPH10310873A - 無電解メッキ方法 - Google Patents
無電解メッキ方法Info
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- JPH10310873A JPH10310873A JP11718897A JP11718897A JPH10310873A JP H10310873 A JPH10310873 A JP H10310873A JP 11718897 A JP11718897 A JP 11718897A JP 11718897 A JP11718897 A JP 11718897A JP H10310873 A JPH10310873 A JP H10310873A
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- Japan
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- ultraviolet rays
- far ultraviolet
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- irradiation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡便な手法により広範な樹脂材料に対して確
実に密着力を向上させることができる無電解メッキ方法
を提供する 【解決手段】 樹脂材料からなる被メッキ素地表面に対
して波長３５０ｎｍ以下の遠紫外線を照射した後、無電
解メッキを施す。遠紫外線の照射により、フォトレジス
ト等、撥水性の樹脂材料の表面が親水性に改質される。
さらに、遠紫外線の照射による表面改質に加えて、界面
活性剤、例えばアミノ系官能基を有するシランカップリ
ング剤を吸着させることにより、例えばスズ−パラジウ
ム系触媒の付与が促進され、より密着力の強い無電解メ
ッキが析出形成される。
実に密着力を向上させることができる無電解メッキ方法
を提供する 【解決手段】 樹脂材料からなる被メッキ素地表面に対
して波長３５０ｎｍ以下の遠紫外線を照射した後、無電
解メッキを施す。遠紫外線の照射により、フォトレジス
ト等、撥水性の樹脂材料の表面が親水性に改質される。
さらに、遠紫外線の照射による表面改質に加えて、界面
活性剤、例えばアミノ系官能基を有するシランカップリ
ング剤を吸着させることにより、例えばスズ−パラジウ
ム系触媒の付与が促進され、より密着力の強い無電解メ
ッキが析出形成される。
Description
【０００１】本発明は、無電解メッキ方法に関するもの
であり、特に、樹脂材料からなる被メッキ素地表面の前
処理方法の改良に関するものである。
であり、特に、樹脂材料からなる被メッキ素地表面の前
処理方法の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、プラスチック等の樹脂材料への無
電解ニッケルメッキは、次のような工程で行われてい
る。
電解ニッケルメッキは、次のような工程で行われてい
る。
【０００３】すなわち、先ず、樹脂材料からなる被メッ
キ素地表面を界面活性剤により洗浄・脱脂した後、クロ
ム酸等を用いてエッチングし、濃塩酸を用いて中和す
る。
キ素地表面を界面活性剤により洗浄・脱脂した後、クロ
ム酸等を用いてエッチングし、濃塩酸を用いて中和す
る。
【０００４】次に、スズ−パラジウム系触媒を付与し、
硫酸によりスズを除去することによりパラジウムをメタ
ル化する。
硫酸によりスズを除去することによりパラジウムをメタ
ル化する。
【０００５】しかる後、パラジウム触媒上へニッケルメ
ッキを析出させる。
ッキを析出させる。
【０００６】しかしながら、このような工程を経た場
合、エッチング工程の影響が大きく、樹脂材料に適切な
エッチング方法を選択しなければメッキが析出しなかっ
たり、析出したとしてもむらが生じるという問題があ
る。例えば、ポリカーボネート樹脂のエッチングに用い
られている硫酸−クロム酸混液をポリイミド樹脂へ用い
ると、ポリイミド樹脂のアミド基とクロム酸が反応して
無電解メッキが析出し難くなる傾向にある。また、エッ
チング溶液の濃度、温度、時間といった管理すべきパラ
メーターが多く、再現性を得るのが難しい。
合、エッチング工程の影響が大きく、樹脂材料に適切な
エッチング方法を選択しなければメッキが析出しなかっ
たり、析出したとしてもむらが生じるという問題があ
る。例えば、ポリカーボネート樹脂のエッチングに用い
られている硫酸−クロム酸混液をポリイミド樹脂へ用い
ると、ポリイミド樹脂のアミド基とクロム酸が反応して
無電解メッキが析出し難くなる傾向にある。また、エッ
チング溶液の濃度、温度、時間といった管理すべきパラ
メーターが多く、再現性を得るのが難しい。
【０００７】さらに、エッチングは基本的に表面を荒ら
す工程であるので、例えば所定の凹凸が形成された樹脂
の表面を無電解メッキで導体化し、複製することには不
向きである。
す工程であるので、例えば所定の凹凸が形成された樹脂
の表面を無電解メッキで導体化し、複製することには不
向きである。
【０００８】光ディスクのスタンパー作製においては、
予め凹凸が形成されたフォトレジストを導体化するため
に無電解メッキを析出させ、さらに電鋳メッキを施し複
製をとる。しかしながら、光ディスクのピット及びグル
ーブと呼ばれる凹凸では、その形状の微細な差異により
光ディスクから得られる読み取り信号が大きく影響され
る。このため、エッチングにより表面が荒れると読み取
り信号が劣化するという問題が発生する。
予め凹凸が形成されたフォトレジストを導体化するため
に無電解メッキを析出させ、さらに電鋳メッキを施し複
製をとる。しかしながら、光ディスクのピット及びグル
ーブと呼ばれる凹凸では、その形状の微細な差異により
光ディスクから得られる読み取り信号が大きく影響され
る。このため、エッチングにより表面が荒れると読み取
り信号が劣化するという問題が発生する。
【０００９】この問題を解決するために、カチオン系の
界面活性剤を被メッキ素地表面に吸着させることによ
り、エッチング工程を要することなく触媒付与を促進さ
せ、無電解メッキを付着させることができるとする報告
もある。
界面活性剤を被メッキ素地表面に吸着させることによ
り、エッチング工程を要することなく触媒付与を促進さ
せ、無電解メッキを付着させることができるとする報告
もある。
【００１０】しかしながら、例えばフォトレジストの種
類によって適切な界面活性剤を各々選定しなくてはなら
ず、濃度の管理も煩雑であり、プロセスが複雑となる。
また、界面活性剤の吸着は、素地表面、例えばフォトレ
ジストとの静電引力によっているため、その力が弱く、
各工程毎に行われる水洗等によりせっかく付着した界面
活性剤が失われるという問題も存在する。
類によって適切な界面活性剤を各々選定しなくてはなら
ず、濃度の管理も煩雑であり、プロセスが複雑となる。
また、界面活性剤の吸着は、素地表面、例えばフォトレ
ジストとの静電引力によっているため、その力が弱く、
各工程毎に行われる水洗等によりせっかく付着した界面
活性剤が失われるという問題も存在する。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、エッチ
ングにより前処理する方法、カチオン系界面活性剤によ
り前処理する方法のいずれにおいても問題を抱えてお
り、無電解メッキ前処理工程を簡単に制御することが可
能であるとともに、再現性良く密着力を向上させ、広い
範囲の樹脂に対し適用できる前処理方法が求められてい
る。
ングにより前処理する方法、カチオン系界面活性剤によ
り前処理する方法のいずれにおいても問題を抱えてお
り、無電解メッキ前処理工程を簡単に制御することが可
能であるとともに、再現性良く密着力を向上させ、広い
範囲の樹脂に対し適用できる前処理方法が求められてい
る。
【００１２】本発明は、このような実情に鑑みて提案さ
れたものであって、簡便な手法により確実に密着力を向
上させることができ、広範な樹脂材料に対して適用する
ことのできる前処理方法を提供し、これにより密着力が
高く表面性に優れたメッキ膜を形成することが可能な無
電解メッキ方法を提供することを目的とする。
れたものであって、簡便な手法により確実に密着力を向
上させることができ、広範な樹脂材料に対して適用する
ことのできる前処理方法を提供し、これにより密着力が
高く表面性に優れたメッキ膜を形成することが可能な無
電解メッキ方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明者は、種々の検討
を重ねた結果、撥水性の樹脂材料の表面に遠紫外線を照
射することで親水性に変えることができ、密着力の強い
無電解メッキの析出が可能であることを見出すに至っ
た。
を重ねた結果、撥水性の樹脂材料の表面に遠紫外線を照
射することで親水性に変えることができ、密着力の強い
無電解メッキの析出が可能であることを見出すに至っ
た。
【００１４】本発明は、このような知見に基づいて完成
されたものであり、樹脂材料からなる被メッキ素地表面
に対して波長３５０ｎｍ以下の遠紫外線を照射した後、
無電解メッキを施すことを特徴とするものである。
されたものであり、樹脂材料からなる被メッキ素地表面
に対して波長３５０ｎｍ以下の遠紫外線を照射した後、
無電解メッキを施すことを特徴とするものである。
【００１５】遠紫外線の照射により、フォトレジスト
等、撥水性の樹脂材料の表面は親水性に改質される。こ
の遠紫外線照射による表面改質は、樹脂材料の種類によ
らず、広範な樹脂材料に適用可能である。
等、撥水性の樹脂材料の表面は親水性に改質される。こ
の遠紫外線照射による表面改質は、樹脂材料の種類によ
らず、広範な樹脂材料に適用可能である。
【００１６】また、遠紫外線の照射による表面改質で
は、エッチングの場合ような表面の荒れが発生すること
はない。
は、エッチングの場合ような表面の荒れが発生すること
はない。
【００１７】なお、上記遠紫外線の照射による表面改質
に加えて、界面活性剤、例えばアミノ系官能基を有する
シランカップリング剤を吸着させることにより、スズ−
パラジウム系触媒の付与が促進され、より密着力の強い
無電解メッキが析出形成される。
に加えて、界面活性剤、例えばアミノ系官能基を有する
シランカップリング剤を吸着させることにより、スズ−
パラジウム系触媒の付与が促進され、より密着力の強い
無電解メッキが析出形成される。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１９】本発明は、プラスチック樹脂やフォトレジ
スト上へ無電解メッキが比較的付きにくいという問題
と、エッチングにより素地表面を荒らすという問題、そ
して各々の素地に対して触媒付与を促進させる界面活性
剤を選定しなければならないという問題を解決するため
に案出されたものであり、エッチングする工程や触媒付
与を促進させる界面活性剤を吸着させる工程の代わりに
遠紫外線を照射し、さらに必要に応じてアミノ系有機官
能基を有するシランカップリング剤を吸着することによ
り、素地を選ばず強力な密着力を有する無電解ニッケル
メッキを析出可能とするものである。
スト上へ無電解メッキが比較的付きにくいという問題
と、エッチングにより素地表面を荒らすという問題、そ
して各々の素地に対して触媒付与を促進させる界面活性
剤を選定しなければならないという問題を解決するため
に案出されたものであり、エッチングする工程や触媒付
与を促進させる界面活性剤を吸着させる工程の代わりに
遠紫外線を照射し、さらに必要に応じてアミノ系有機官
能基を有するシランカップリング剤を吸着することによ
り、素地を選ばず強力な密着力を有する無電解ニッケル
メッキを析出可能とするものである。
【００２０】比較的疎水性表面を有するプラスチック樹
脂やフォトレジストに波長３５０ｎｍ以下の遠紫外線を
照射すると、有機物の代表的な化学結合を切断すること
ができる。
脂やフォトレジストに波長３５０ｎｍ以下の遠紫外線を
照射すると、有機物の代表的な化学結合を切断すること
ができる。
【００２１】例えば、低圧水銀ランプの２５４ｎｍ、１
８５ｎｍの輝線エネルギーは、それぞれ４７１ｋＪ／ｍ
ｏｌ、６４７ｋＪ／ｍｏｌである。
８５ｎｍの輝線エネルギーは、それぞれ４７１ｋＪ／ｍ
ｏｌ、６４７ｋＪ／ｍｏｌである。
【００２２】一方、有機物の代表的な化学結合エネルギ
ーは、Ｃ−Ｃ：３４８ｋＪ／ｍｏｌ、Ｃ＝Ｃ：６０８ｋ
Ｊ／ｍｏｌ、Ｃ−Ｈ：４１５ｋＪ／ｍｏｌ、Ｃ＝Ｏ：７
２５ｋＪ／ｍｏｌであり、これらの結合を切断するのに
遠紫外線は非常に有効であることがわかる。
ーは、Ｃ−Ｃ：３４８ｋＪ／ｍｏｌ、Ｃ＝Ｃ：６０８ｋ
Ｊ／ｍｏｌ、Ｃ−Ｈ：４１５ｋＪ／ｍｏｌ、Ｃ＝Ｏ：７
２５ｋＪ／ｍｏｌであり、これらの結合を切断するのに
遠紫外線は非常に有効であることがわかる。
【００２３】切断された炭素等は水酸基と結合し、−Ｃ
−ＯＨといった構造が素地最表面に増加する。これによ
って疎水性が強かった表面が親水性に変化し、水溶液と
の濡れ性が向上する。
−ＯＨといった構造が素地最表面に増加する。これによ
って疎水性が強かった表面が親水性に変化し、水溶液と
の濡れ性が向上する。
【００２４】図１に、フォトレジスト上に遠紫外線を照
射した時の水の接触角の変化の様子を示す。縦軸は水と
フォトレジストとの接触角を示し、横軸は遠紫外線（波
長２５４ｎｍ）の照射量を示す。
射した時の水の接触角の変化の様子を示す。縦軸は水と
フォトレジストとの接触角を示し、横軸は遠紫外線（波
長２５４ｎｍ）の照射量を示す。
【００２５】遠紫外線の照射量に比例して濡れ性も向上
することがわかる。遠紫外線の光源としては、波長３０
８ｎｍ、２２２ｎｍ、１７２ｎｍのエキシマランプでも
同様な効果が見られ、短波長になればなるほど結合エネ
ルギーの大きい化学結合を切断することができる。な
お、遠紫外線の発生源としては、光源ランプであっても
レーザーであってもかまわない。
することがわかる。遠紫外線の光源としては、波長３０
８ｎｍ、２２２ｎｍ、１７２ｎｍのエキシマランプでも
同様な効果が見られ、短波長になればなるほど結合エネ
ルギーの大きい化学結合を切断することができる。な
お、遠紫外線の発生源としては、光源ランプであっても
レーザーであってもかまわない。
【００２６】図２は、無電解メッキプロセスを示すもの
で、無電解メッキを施すには、図２（Ａ）に示すよう
に、例えば樹脂材料よりなる基材１を洗浄し、表面に付
着する指紋、油等の汚れｄを除去する。
で、無電解メッキを施すには、図２（Ａ）に示すよう
に、例えば樹脂材料よりなる基材１を洗浄し、表面に付
着する指紋、油等の汚れｄを除去する。
【００２７】次に、図２（Ｂ）に示すように、基材１の
表面に遠紫外線を照射し、疎水性表面を親水性に改質す
る。
表面に遠紫外線を照射し、疎水性表面を親水性に改質す
る。
【００２８】次いで、図２（Ｃ）に示すように触媒化処
理を施し、基材１表面にＰｄ−Ｓｎ化合物を付着させ
る。
理を施し、基材１表面にＰｄ−Ｓｎ化合物を付着させ
る。
【００２９】さらに、図２（Ｄ）に示すようにこれを中
和する。これにより、図２（Ｅ）に示すようにメタル化
したＰｄがアクセレータ（触媒）として形成される。
和する。これにより、図２（Ｅ）に示すようにメタル化
したＰｄがアクセレータ（触媒）として形成される。
【００３０】最後に無電解メッキ工程を行うことで、図
２（Ｆ）に示すように、基材１上にメッキ層（例えばニ
ッケル層）２が形成される。
２（Ｆ）に示すように、基材１上にメッキ層（例えばニ
ッケル層）２が形成される。
【００３１】上記プロセスにおいて、遠紫外線照射後、
必要に応じてシランカップリング剤を吸着させ、スズ−
パラジウム系の触媒付与を促進させるようにしてもよ
い。
必要に応じてシランカップリング剤を吸着させ、スズ−
パラジウム系の触媒付与を促進させるようにしてもよ
い。
【００３２】ここで、シランカップリング剤は、触媒保
持力増加はもちろん、素地表面と無電解メッキとの密着
を強固にする役割を有する。これは、シランカップリン
グ剤のシラノール基（−Ｓｉ−ＯＨ）と素地表面に増加
した水酸基（Ｃ−ＯＨ）とがシラノール縮合もしくは水
素結合といった化学結合によって強固に結合し、素地表
面にシランカップリング剤が吸着するからである。そし
て、シランカップリング剤のアミノ系有機官能基は、キ
レート（金属錯体）を構成し、触媒であるパラジウムを
取り込む。このことは、ＸＰＳやＦＴ−ＩＲ等におい
て、パラジウムの結合エネルギーのシフトやアミノ系有
機官能基の窒素原子とパラジウムの配位結合が確認され
たことからも裏付けられる。
持力増加はもちろん、素地表面と無電解メッキとの密着
を強固にする役割を有する。これは、シランカップリン
グ剤のシラノール基（−Ｓｉ−ＯＨ）と素地表面に増加
した水酸基（Ｃ−ＯＨ）とがシラノール縮合もしくは水
素結合といった化学結合によって強固に結合し、素地表
面にシランカップリング剤が吸着するからである。そし
て、シランカップリング剤のアミノ系有機官能基は、キ
レート（金属錯体）を構成し、触媒であるパラジウムを
取り込む。このことは、ＸＰＳやＦＴ−ＩＲ等におい
て、パラジウムの結合エネルギーのシフトやアミノ系有
機官能基の窒素原子とパラジウムの配位結合が確認され
たことからも裏付けられる。
【００３３】このように、シランカップリング剤を併用
することにより、パラジウム触媒は素地表面に対して物
理吸着ではなく化学結合により強固に吸着することにな
り、触媒保持力が増加する。
することにより、パラジウム触媒は素地表面に対して物
理吸着ではなく化学結合により強固に吸着することにな
り、触媒保持力が増加する。
【００３４】使用可能なシランカップリング剤として
は、アミノ系有機官能基をもつγ−アミノプロピルエト
キシシラン、Ｎ−フェニエル−γ−アミノプロピルトリ
メトキシシラン、また有機官能基として二つのアミノ基
を有するＮ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメ
チルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチ
ル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げら
れる。
は、アミノ系有機官能基をもつγ−アミノプロピルエト
キシシラン、Ｎ−フェニエル−γ−アミノプロピルトリ
メトキシシラン、また有機官能基として二つのアミノ基
を有するＮ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメ
チルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−ア
ミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチ
ル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げら
れる。
【００３５】また、第４級アンモニウム系カチオン界面
活性剤も、同様の触媒付与促進効果が見られる。第４級
アンモニウム系カチオン界面活性剤としては、具体的に
はラウリルトリメチルアンモニウムクロライド等が挙げ
られる。
活性剤も、同様の触媒付与促進効果が見られる。第４級
アンモニウム系カチオン界面活性剤としては、具体的に
はラウリルトリメチルアンモニウムクロライド等が挙げ
られる。
【００３６】上述のプロセスは、フォトレジスト表面の
凹凸を精密に複製する必要のある光ディスク原盤の作成
に応用して好適である。
凹凸を精密に複製する必要のある光ディスク原盤の作成
に応用して好適である。
【００３７】一般的な光ディスク用スタンパーの元とな
る光ディスク原盤の作製工程においては、先ず、研磨し
た厚さ数ｍｍのガラス原盤上にフォトレジスト（化学増
幅タイプレジストを含む。）を０．１〜０．２μｍの厚
さに均一にスピンコートし、このガラス原盤を回転させ
ながらレーザーからの光を対物レンズで集光させ、フォ
トレジストを選択的にスポット露光し、その後の現像に
より所定のパターン、すなわちピットやグルーブ状の微
細凹凸を形成する。さらに導体化処理、電鋳メッキを経
てニッケルスタンパーを作製している。
る光ディスク原盤の作製工程においては、先ず、研磨し
た厚さ数ｍｍのガラス原盤上にフォトレジスト（化学増
幅タイプレジストを含む。）を０．１〜０．２μｍの厚
さに均一にスピンコートし、このガラス原盤を回転させ
ながらレーザーからの光を対物レンズで集光させ、フォ
トレジストを選択的にスポット露光し、その後の現像に
より所定のパターン、すなわちピットやグルーブ状の微
細凹凸を形成する。さらに導体化処理、電鋳メッキを経
てニッケルスタンパーを作製している。
【００３８】この導体化処理の際に無電解ニッケルメッ
キ法が用いられているが、前処理として遠紫外線照射、
さらに必要に応じてシランカップリング剤の付着を行
う。
キ法が用いられているが、前処理として遠紫外線照射、
さらに必要に応じてシランカップリング剤の付着を行
う。
【００３９】この無電解ニッケルメッキにより非導体性
であるフォトレジスト層の表面に約３００〜４００Åの
金属被膜を形成し、これにより導体化し電鋳メッキを可
能としている。
であるフォトレジスト層の表面に約３００〜４００Åの
金属被膜を形成し、これにより導体化し電鋳メッキを可
能としている。
【００４０】電鋳メッキにより厚さ約３００μｍのスタ
ンパーが原盤のレプリカとして作製され、最後にガラス
原盤からこのニッケルスタンパーを剥離し、裏面研磨、
端面処理することによりスタンパーが作製される。
ンパーが原盤のレプリカとして作製され、最後にガラス
原盤からこのニッケルスタンパーを剥離し、裏面研磨、
端面処理することによりスタンパーが作製される。
【００４１】具体例を挙げると、ガラス原盤１１に化学
増幅タイプのレジストを厚さ０．１μｍ塗布してレジス
ト層１２を形成し、上記のようにスポット露光、ベー
ク、現像を行い所定の微細凹凸を形成し、その後、図３
に示すように、低圧水銀ランプ１３を用いて遠紫外線を
約１ｍＪ／ｃｍ2 照射した。低圧水銀ランプの主たる波
長は２５４ｎｍ、１８５ｎｍである。
増幅タイプのレジストを厚さ０．１μｍ塗布してレジス
ト層１２を形成し、上記のようにスポット露光、ベー
ク、現像を行い所定の微細凹凸を形成し、その後、図３
に示すように、低圧水銀ランプ１３を用いて遠紫外線を
約１ｍＪ／ｃｍ2 照射した。低圧水銀ランプの主たる波
長は２５４ｎｍ、１８５ｎｍである。
【００４２】さらに、図４に示すように、濃度０．５重
量％に調製したγ−アミノプロピルトリメトキシシラン
溶液（ＫＢＭ−９０３：信越化学）１４をスピンコート
によりガラス原盤１１に吹きかけ、水洗いした。
量％に調製したγ−アミノプロピルトリメトキシシラン
溶液（ＫＢＭ−９０３：信越化学）１４をスピンコート
によりガラス原盤１１に吹きかけ、水洗いした。
【００４３】この後、通常の無電解メッキ工程に従い、
スズ−パラジウム系触媒を付与し、硫酸によりスズを除
去しパラジウム触媒をメタル化し活性させ、ニッケルイ
オンを効率よくニッケルに還元しレジスト層１２表面に
金属ニッケルを析出させた。これまで適切な界面活性剤
がなくニッケルを析出させることができなかったが、こ
の前処理を施すことにより導体化することが可能となっ
た。
スズ−パラジウム系触媒を付与し、硫酸によりスズを除
去しパラジウム触媒をメタル化し活性させ、ニッケルイ
オンを効率よくニッケルに還元しレジスト層１２表面に
金属ニッケルを析出させた。これまで適切な界面活性剤
がなくニッケルを析出させることができなかったが、こ
の前処理を施すことにより導体化することが可能となっ
た。
【００４４】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、広範な樹脂材料に対して表面改質すること
ができ、密着力の高い無電解メッキが可能である。
明によれば、広範な樹脂材料に対して表面改質すること
ができ、密着力の高い無電解メッキが可能である。
【００４５】また、本発明によれば、環境に左右されず
高い再現性で無電解メッキすることが可能であり、また
工程を簡略化するという点でも有利である。
高い再現性で無電解メッキすることが可能であり、また
工程を簡略化するという点でも有利である。
【００４６】本発明によれば、素地を荒らすことなく無
電解メッキを析出させることが可能であり、光ディスク
用のスタンパ作成プロセスに適用することで、情報信号
に応じた凹凸ピットやグルーブを精密に複製することが
できる。
電解メッキを析出させることが可能であり、光ディスク
用のスタンパ作成プロセスに適用することで、情報信号
に応じた凹凸ピットやグルーブを精密に複製することが
できる。
【図１】フォトレジストに遠紫外線を照射したときの照
射量による水の接触角の変化を示す特性図である。
射量による水の接触角の変化を示す特性図である。
【図２】無電解メッキプロセスの一例を示す模式図であ
る。
る。
【図３】ガラス原盤に対する遠紫外線照射工程の一例を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図４】シランカップリング剤のスピンコート工程の一
例を示す概略斜視図である。
例を示す概略斜視図である。
１ 基材、１１ ガラス原盤、１２ レジスト層、１３
低圧水銀ランプ、１４シランカップリング剤
低圧水銀ランプ、１４シランカップリング剤
Claims (5)
- 【請求項１】 樹脂材料からなる被メッキ素地表面に対
して波長３５０ｎｍ以下の遠紫外線を照射した後、無電
解メッキを施すことを特徴とする無電解メッキ方法。 - 【請求項２】 上記遠紫外線を照射した後、被メッキ素
地表面にアミノ系官能基を有するシランカップリング剤
を吸着させることを特徴とする請求項１記載の無電解メ
ッキ方法。 - 【請求項３】 上記被メッキ素地が所定の凹凸が形成さ
れたフォトレジストであることを特徴とする請求項１記
載の無電解メッキ方法。 - 【請求項４】 上記フォトレジストが光ディスク用スタ
ンパを作成する際に用いられるフォトレジストであるこ
とを特徴とする請求項３記載の無電解メッキ方法。 - 【請求項５】 上記無電解メッキが無電解ニッケルメッ
キであることを特徴とする請求項１記載の無電解メッキ
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11718897A JPH10310873A (ja) | 1997-05-07 | 1997-05-07 | 無電解メッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11718897A JPH10310873A (ja) | 1997-05-07 | 1997-05-07 | 無電解メッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10310873A true JPH10310873A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=14705592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11718897A Abandoned JPH10310873A (ja) | 1997-05-07 | 1997-05-07 | 無電解メッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10310873A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1997
- 1997-05-07 JP JP11718897A patent/JPH10310873A/ja not_active Abandoned
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