JPH10311676A - 真空乾燥処理装置 - Google Patents

真空乾燥処理装置

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JPH10311676A
JPH10311676A JP12414797A JP12414797A JPH10311676A JP H10311676 A JPH10311676 A JP H10311676A JP 12414797 A JP12414797 A JP 12414797A JP 12414797 A JP12414797 A JP 12414797A JP H10311676 A JPH10311676 A JP H10311676A
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heat
vacuum drying
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Akira Miura
亮 三浦
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Abstract

(57)【要約】 【課題】基板を均一に加熱することができるとともに、
乾燥ムラが生じるのを抑制し、更に基板を効率よく加熱
しえることを課題とする。 【解決手段】基板14に塗布した溶媒を真空中で乾燥させ
る真空乾燥処理装置において、上部が開口された箱状下
部チャンバ1と、この箱状下部チャンバ1に冠着されて
下部が開口された箱状上部チャンバ2とからなる筐体3
を具備している。又、前記筐体3内に配置されて、上部
に前記基板14を支持する支持ピン18を立設した均熱板9
と、この均熱板9の下部に配置されたヒータ8とを具備
している。そして、前記均熱板9及びヒータ8と筐体3
内壁間に通路15を形成して真空排気を行なうことを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は真空乾燥処理装置に
関し、特に液晶基板の製造工程のカラーフィルタ製造に
伴う乾燥工程に用いられる真空乾燥処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、例えば半導体製品の製造工程にお
いて前工程で所定の加工が行なわれた試料(ウェハ又は
ホトマスクなど)を受け入れて真空中で乾燥処理する真
空乾燥処理装置としては、図3に示すものが知られてい
る。
【0003】図中の付番31はステージである。このステ
ージ31の上面の適宜な箇所には、試料32を支持する受け
部33が設けられている。前記ステージ31の上面周囲に
は、シール材34を介して真空チャンバ35が設けられてい
る。この真空チャンバ35は、前記ステージの周囲にて試
料32の全体を覆い内部を真空状態に保つもので、適宜の
箱状に形成されるとともに上下方向に開閉可能になって
いる。前記真空チャンバ35の一側壁には透孔が穿設され
ており、この透孔にパイプ36を介して真空ポンプ37が連
結されている。ここで、真空ポンプ37を運転して真空チ
ャンバ35内の空気を吸引することにより、真空チャンバ
35内を真空状態とすることができる。前記試料32の真上
に対応する真空チャンバ35の内壁には、発熱ランプ38が
設けられている。なお、付番39は、試料32に塗布された
溶媒を示す。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
真空乾燥処理装置においては、試料32を上方の発熱ラン
プ38により加熱しているため、発熱ランプ38が試料32に
転写され、基板を均一に加熱できないという問題があっ
た。また、真空チャンバ35の一側壁から該真空チャンバ
35内の空気を吸引するため、試料32に塗布した溶媒が吸
引側で速く乾燥しその反対側で乾燥しにくく、塗布した
溶媒に乾燥ムラが生じるという問題があった。
【0005】また、図示しないが、液晶基板の製造工程
のカラーフィルタ製造に伴う乾燥工程に用いられる真空
乾燥処理装置においては、加熱プレート上に基板を置
き、順次異温度の加熱プレートへ送り、基板を所定の温
度に加熱し、乾燥させることが行なわれていた。しか
し、こうした装置においても、基板の加熱不均一性や乾
燥ムラといった問題があるとともに、加熱面の反対側の
断熱が十分でなく、安全性や装置保護の点で問題があっ
た。
【0006】本発明はこうした事情を考慮してなされた
もので、基板に対する加熱手段、筐体内の排気手段に改
良を施すことにより、基板を均一に加熱できるととも
に、乾燥ムラが生じるのを抑制し、更に基板を効率よく
加熱しえる真空乾燥処理装置を提供することを目的とす
る。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板に塗布し
た溶媒を真空中で乾燥させる真空乾燥処理装置におい
て、上部が開口された箱状下部チャンバと、この箱状下
部チャンバに冠着されて該箱状下部チャンバととともに
筐体の少なくとも一部を構成する、下部が開口された箱
状上部チャンバと、上部に前記基板を支持する支持ピン
を立設した均熱板と、この均熱板の下部に配置されたヒ
ータとを具備し、前記均熱板及びヒータと筐体内壁間に
通路を形成して真空排気を行なうことを特徴とする真空
乾燥処理装置である。
【0008】本発明においては、前記(第1の)ヒータ
の下部に該ヒータからの熱が下方に伝わるのを抑制する
断熱材を設けることが好ましい。これにより、ヒータか
らの熱が下方に分散するのを抑制され、多くの熱が均熱
板,支持ピンを介して基板に伝達するようになる。ま
た、本装置を作業者が取り扱う上で安全であり、装置保
護の点でも好ましい。
【0009】本発明においては、箱状上部チャンバの上
部に断熱材で覆われた第2のヒータを設けることが好ま
しい。これにより、第1のヒータとともに上下から効率
良く基板を加熱することができ、また第2のヒータの上
部の断熱材により第2のヒータの熱が上方に分散するの
を抑制できる。
【0010】本発明においては、前記筐体の下部側に前
記通路に連通した排気口を設けることが好ましい。これ
により、基板の乾燥ムラを抑制できるとともに、本装置
の取り扱いが容易となる。なお、排気口を筐体の上部側
に設ける事も可能であるが、排気口と排気ポンプを通常
蛇腹状の連結部材で接続するので、本装置の取り扱いの
点で好ましくない。
【0011】本発明において、前記支持ピンの径は約1
mm程度で、先端は針状になっていることが好ましい。
また、支持ピンは、大きさや数が異なる基板をロットご
とに対応できるように取り外しができるようになってい
ることが好ましい。更に、支持ピンは、ヒータからの熱
が製品となる基板に直接影響しないような位置に立設さ
れていることが好ましい。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図1及
び図2を参照して説明する。ここで、図1は本発明の一
実施例に係る真空乾燥処理装置の断面図であり、図2は
図1の真空乾燥処理装置の概略的な展開図である。
【0013】図中の付番1は、上部が開口された箱状下
部チャンバである。この箱状下部チャンバ1には、後述
する均熱板9の一部を介して下部が開口された箱状上部
チャンバ2が冠着されている。この箱状上部チャンバ2
の側壁には、後述する上下機構部材を係止するための突
起2aが設けられている。前記箱状下部チャンバ1、均
熱板9の一部及び箱状上部チャンバ2により筐体3が構
成されている。前記箱状下部チャンバ1と均熱板9間、
均熱板9と箱状上部チャンバ2間は、それぞれ耐熱性の
Oリング4a,4bによりシール性を保持される。
【0014】前記筐体3の一部を構成する箱状下部チャ
ンバ1の底部には、上部が開口した収納部材5を支持す
る支柱6が立設している。前記収納部材5には、テフロ
ンからなる断熱材7を介してフィルム状の第1のヒータ
8が設けられている。前記収納部材5及びヒータ8上に
は、均熱板9が載置されている。ここで、前記均熱板9
と接する前記収納部材5の表面には、耐熱性のOリング
10が埋設されている。前記均熱板9の表面の外周縁部に
は排気口12が設けられている。前記均熱板9上には、略
均等の間隔で配置された多数の支持ピン(プロキシピ
ン)13を介して基板14が支持されている。前記支持ピン
13は交換可能で、径が約1mm,先端が針状となってい
る。
【0015】前記収納部材5、断熱材7、ヒータ8及び
均熱板9が夫々積層され、これらと筐体3の内壁面間に
は、通路(マニホルド)15が構成されている。この通路
15は前記均熱板9の排気口12と連通している。また、通
路15は、蛇腹状の配管16を介して排気ポンプに連結され
ている。前記箱状上部チャンバ2の上部には第2のヒー
タ17が設けられ、このヒータ17はテフロンからなる断熱
材18により覆われている。なお、図中の付番19は、前記
箱状上部チャンバ2の突起2aと係止する切り欠け部19
aを有した上下機構部材である。
【0016】こうした構成の真空乾燥処理装置において
は、真空乾燥処理の前に、まず箱状上部チャンバ2を開
け、溶剤を塗布した基板14を支持ピン13の上に置く。更
に、箱状上部チャンバ2を閉じてから、蛇腹状の配管16
を介して図示しない排気ポンプいより筐体3内を排気す
る。
【0017】上記構成の真空乾燥処理装置によれば、以
下に述べる効果を有する。 (1) 第1のヒータ8からの熱を均熱板9、均等な間隔で
配置された多数の支持ピン13を介して基板14に伝達する
構成となっているため、従来のような基板14への転写が
なく、基板14を均一に加熱することができる。
【0018】(2) 均熱板9の表面の外周縁部に複数の排
気口12を設けるとともに、収納部材5、断熱材7、ヒー
タ8及び均熱板9が夫々積層され、これらと筐体3の内
壁面間に通路15を設け、しかもこの通路15を前記排気口
12と連通させた構成となっているため、基板14周辺の排
気を基板全面にわたって平均的に行なうことができ、も
って基板の乾燥ムラを抑制することができる。
【0019】(3) 基板14を加熱するための第1のヒータ
8の裏面に断熱材7を設けて、ヒータ8からの熱が下方
に伝達されるのを抑制するとともに、基板14を加熱する
ための他方の第2のヒータ17の上部を断熱材18で覆い、
ヒータ17からの熱が上方に伝達されるのを抑制するた
め、基板14を効率よく加熱できる。また、同様な理由に
より、本装置を取り扱う作業者の安全性を確保できると
ともに、本装置の保護の点でも好ましい。
【0020】(4) 筐体3の下部側に排気口を設け、この
排気口に蛇腹状の配管16を介して排気ポンプにより排気
を行なう構成となっているため、作業性がよい。なお、
上記実施例では、断熱材にテフロンを用いた場合につい
て述べたが、これに限らず、断熱性を有し発電の少ない
材料であれば何でもよい。また、上記実施例では、筐体
の排気口を下部に設けた場合について述べたが、筐体の
上部に設けることも可能である。
【0021】また、上記実施例では、均熱板の一部を筐
体の一部として用いた場合について述べたが、筐体が箱
状下部チャンバと箱状上部チャンバから構成され、均熱
板が筐体内に完全に収納された状態でもよい。
【0022】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明によれば、基板
に対する加熱手段、筐体内の排気手段に改良を施すこと
により、基板の平滑性を損なうことがないとともに、乾
燥ムラが生じるのを抑制し、更に基板を効率よく加熱し
える真空乾燥処理装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係る真空乾燥処理装置の断
面図。
【図2】図1の真空乾燥処理装置の概略的な展開図。
【図3】従来の真空処理装置の断面図。
【符号の説明】
1…箱状下部チャンバ、 2…箱状上部チャンバ、 3…筐体、 4…Oリング、 5…収納部材、 7,18…断熱材、 8,17…ヒータ、 9…均熱板、 12…排気口、 14…基板、 15…通路、 16…配管。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板に塗布した溶媒を真空中で乾燥させ
    る真空乾燥処理装置において、上部が開口された箱状下
    部チャンバと、この箱状下部チャンバに冠着されて該箱
    状下部チャンバととともに筐体の少なくとも一部を構成
    する、下部が開口された箱状上部チャンバと、上部に前
    記基板を支持する支持ピンを立設した均熱板と、この均
    熱板の下部に配置されたヒータとを具備し、前記均熱板
    及びヒータと筐体内壁間に通路を形成して真空排気を行
    なうことを特徴とする真空乾燥処理装置。
  2. 【請求項2】 前記ヒータの下部に該ヒータからの熱が
    下方に伝わるのを抑制する断熱材が設けられていること
    を特徴とする請求項1記載の真空乾燥処理装置。
  3. 【請求項3】 前記箱状上部チャンバの上部に断熱材で
    覆われたヒータが設けられていることを特徴とする請求
    項1記載の真空乾燥処理装置。
  4. 【請求項4】 前記筐体の下部側に前記通路に連通した
    排気口が設けられていることを特徴とする請求項1又は
    2記載の真空乾燥処理装置。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008202930A (ja) * 2007-01-26 2008-09-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 減圧乾燥装置
JP2010207739A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Toray Eng Co Ltd 減圧乾燥装置
KR100999090B1 (ko) 2003-08-22 2010-12-07 삼성전자주식회사 반도체 제조용 감압건조장치
KR101201326B1 (ko) 2005-12-30 2012-11-14 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 제조용 진공 건조장치
WO2013042959A3 (ko) * 2011-09-22 2013-05-30 주식회사 테라세미콘 진공 건조 장치
KR101317286B1 (ko) * 2011-10-28 2013-10-14 주식회사 테라세미콘 진공 건조 장치
KR101334163B1 (ko) * 2011-09-22 2013-11-28 주식회사 테라세미콘 진공 건조 장치
KR101355214B1 (ko) * 2012-06-29 2014-01-28 주식회사 테라세미콘 진공 건조 장치
CN106802065A (zh) * 2016-12-28 2017-06-06 芜湖顺景自动化设备有限公司 一种自动化高效双锥回转真空干燥机
CN110391132A (zh) * 2018-04-16 2019-10-29 芝浦机械电子株式会社 有机膜形成装置
CN111098610A (zh) * 2018-10-29 2020-05-05 广东聚华印刷显示技术有限公司 真空干燥装置和真空干燥条件的确定方法
CN111207569A (zh) * 2019-12-19 2020-05-29 东莞市德瑞精密设备有限公司 锂电池真空加热干燥装置
CN115722425A (zh) * 2021-08-26 2023-03-03 芝浦机械电子装置株式会社 加热处理装置

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100999090B1 (ko) 2003-08-22 2010-12-07 삼성전자주식회사 반도체 제조용 감압건조장치
KR101201326B1 (ko) 2005-12-30 2012-11-14 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 제조용 진공 건조장치
JP2008202930A (ja) * 2007-01-26 2008-09-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 減圧乾燥装置
TWI509209B (zh) * 2009-03-11 2015-11-21 Toray Eng Co Ltd Decompression drying device
JP2010207739A (ja) * 2009-03-11 2010-09-24 Toray Eng Co Ltd 減圧乾燥装置
WO2013042959A3 (ko) * 2011-09-22 2013-05-30 주식회사 테라세미콘 진공 건조 장치
KR101334163B1 (ko) * 2011-09-22 2013-11-28 주식회사 테라세미콘 진공 건조 장치
KR101317286B1 (ko) * 2011-10-28 2013-10-14 주식회사 테라세미콘 진공 건조 장치
KR101355214B1 (ko) * 2012-06-29 2014-01-28 주식회사 테라세미콘 진공 건조 장치
CN106802065A (zh) * 2016-12-28 2017-06-06 芜湖顺景自动化设备有限公司 一种自动化高效双锥回转真空干燥机
CN110391132A (zh) * 2018-04-16 2019-10-29 芝浦机械电子株式会社 有机膜形成装置
CN110391132B (zh) * 2018-04-16 2023-05-16 芝浦机械电子株式会社 有机膜形成装置
CN111098610A (zh) * 2018-10-29 2020-05-05 广东聚华印刷显示技术有限公司 真空干燥装置和真空干燥条件的确定方法
CN111098610B (zh) * 2018-10-29 2021-10-12 广东聚华印刷显示技术有限公司 真空干燥装置和真空干燥条件的确定方法
CN111207569A (zh) * 2019-12-19 2020-05-29 东莞市德瑞精密设备有限公司 锂电池真空加热干燥装置
CN115722425A (zh) * 2021-08-26 2023-03-03 芝浦机械电子装置株式会社 加热处理装置
CN115722425B (zh) * 2021-08-26 2024-01-23 芝浦机械电子装置株式会社 加热处理装置

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