JPH10311679A - 石英坩堝乾燥装置 - Google Patents

石英坩堝乾燥装置

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JPH10311679A
JPH10311679A JP13607597A JP13607597A JPH10311679A JP H10311679 A JPH10311679 A JP H10311679A JP 13607597 A JP13607597 A JP 13607597A JP 13607597 A JP13607597 A JP 13607597A JP H10311679 A JPH10311679 A JP H10311679A
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忠博 池田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明はシリコン単結晶製造におけるシリコ
ン多結晶溶融用の石英坩堝(るつぼ)を洗浄後に乾燥さ
せる石英坩堝乾燥装置に関し、坩堝の外周面と内周面を
同時に効率良く乾燥させ、短時間に乾燥を完了させられ
る石英坩堝乾燥装置を提供する。 【解決手段】 坩堝の上側吹出口33に加えて下側吹出
口34も配設し、坩堝に対し上下の吹出口より乾燥用気
体を吹出して乾燥用気体を坩堝内外に接触させられるこ
とにより、坩堝の外周面のみでなく内周面においても乾
燥が急速に進むこととなり、短時間で乾燥が完了する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はシリコン単結晶製造
におけるシリコン多結晶溶融用の石英坩堝(るつぼ)を
洗浄後に乾燥させる石英坩堝乾燥装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイス製造に使用されるシリコ
ンウェーハの素材としては、チョクラルスキー法(CZ
法)によって育成されたシリコン単結晶が一般的に用い
られている。このCZ法によるシリコン単結晶製造にお
ける原料のシリコン多結晶を装入し溶融するための容器
として、従来から石英坩堝が広く利用されている。この
石英坩堝の内周面の清浄度は、シリコン単結晶の品質、
歩留まり等に大きく影響を及ぼすため、使用前に坩堝内
壁を洗浄し、且つ清浄な状態で乾燥させる等の処理が施
される。
【0003】このうち、洗浄後の坩堝を乾燥する従来装
置の一例として図5(A)に示すものがある。前記図5
(A)において従来の石英坩堝乾燥装置100は、坩堝
2が複数個載置される収納空間を有する装置枠101
と、この装置枠101の坩堝2の上方に対応する位置に
下向きに配設される温風吹出口101aを備える構成で
ある。
【0004】坩堝2はその形状のため、開口部を上にし
て乾燥することは安全上困難であり、通常は開口部を下
に向けて乾燥される。この坩堝2に対し、上方にのみ設
置された温風吹出口101aからダウンフロー方式にて
上方から下方へ温風が流れ、坩堝2を乾燥させる仕組み
である。
【0005】上記した以外に、従来の他の石英坩堝乾燥
装置の例として、特開平5−148075号公報におい
て示されるものがあり、これを図5(B)に示す。前記
図5(B)において従来の他の石英坩堝乾燥装置200
は、内壁面に熱反射体201aを付設する乾燥室201
内に赤外線ヒータ202を配設すると共に、この赤外線
ヒータ202の下側に半円弧状に熱反射体201bを配
設し、乾燥室201が空気取入口203からフィルタ2
04と遮光ルーバー205を介して空気を取入れ、排気
口206へ排出することで換気を行う構成である。前記
した構成の石英坩堝乾燥装置200では、開口部を下に
して設置された坩堝2に対し、赤外線ヒータ202によ
る熱で乾燥を行う仕組みである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の石英坩堝乾燥装
置は以上のように構成されていたことから、前者におい
ては、上方から下方へ温風が流れて直接の温風は坩堝2
外周面にしか接触せず、坩堝2内周側には温風が達しに
くいために、坩堝2内周面まで乾燥させるのにかなりの
時間を要するという課題を有した。
【0007】また、後者においては、乾燥室201内に
おける空気の流れが横方向であるため、坩堝2内周側に
おいて空気の流通が十分ではなく、流通空気との接触に
よる乾燥効果が小さく、赤外線ヒータ202による加熱
乾燥のみで乾燥に時間がかかると共に、赤外線の到達を
阻害しないよう赤外線を透過する材質による坩堝支持構
造としなければならず、コスト高となってしまうという
課題を有した。
【0008】本発明は前記課題を解消するためになされ
たもので、坩堝の外周面と内周面を同時に効率良く乾燥
させ、短時間に乾燥を完了させられる石英坩堝乾燥装置
を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明に係る乾燥装置
は、半導体用シリコン溶融に使用される石英坩堝を洗浄
後に乾燥するための石英坩堝乾燥装置において、前記坩
堝を開口部が下向きになる状態で一又は複数個載置可能
な所定の収納領域を形成されてなる架台と、前記架台に
おける坩堝載置位置上方及び坩堝載置位置直下に各々設
けられる乾燥用気体の吹出口とを備えるものである。こ
のように本発明によれば、坩堝の上側の吹出口に加えて
下側にも吹出口を配設し、坩堝に対し上下の吹出口より
乾燥用気体を吹出して乾燥用気体を坩堝内外に接触させ
られることにより、坩堝の外周面のみでなく内周面にお
いても乾燥が急速に進むこととなり、短時間で乾燥が完
了する。
【0010】また、本発明に係る乾燥装置は必要に応じ
て、前記架台上の坩堝載置位置に一又は複数配設され、
前記坩堝の開口端を一部支える支持部を所定間隔に複数
形成され、複数の内径寸法の異なる坩堝を前記支持部に
それぞれ載置して坩堝を等間隔に重なり合う状態で保持
する支持治具を備えるものである。このように本発明に
よれば、架台に坩堝を互いに接触させずに重ねて配置で
きることにより、坩堝の載置が効率的に行えて載置スペ
ースの点で有利になると共に、重ねて配置した坩堝を支
持治具で等間隔に保持することにより、重なり合った坩
堝間に入る乾燥用気体の量を一様にすることができ、坩
堝のどの表面においてもむらなく均等に乾燥させられ
る。
【0011】また、本発明に係る乾燥装置は必要に応じ
て、前記坩堝設置位置直下の吹出口が、載置した一又は
複数の坩堝の開口部に対し所定の大きさで部分的に開口
させて形成されるものである。このように本発明によれ
ば、下側の吹出口を坩堝の開口部に対し一部のみ開口さ
せることにより、いったん坩堝内に入った乾燥用気体が
開口部の吹出口に面した部分以外からスムーズに坩堝外
に出ることができ、重ねた坩堝間において乾燥用気体に
所定の流れを生じさせることが可能となり、坩堝間で乾
燥用気体の干渉がなくなると共に、気流との接触で効果
的に乾燥が行えることとなり、乾燥効率が大幅に向上す
る。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
1〜図5に基づいて説明する。この図1は本実施の形態
に係る石英坩堝乾燥装置の概略構成正面図、図2は本実
施の形態に係る石英坩堝乾燥装置の要部平面図、図3は
本実施の形態に係る石英坩堝乾燥装置の概略構成側面
図、図4は本実施の形態に係る石英坩堝乾燥装置の架台
引出し状態概略説明図、図5は本実施の形態に係る石英
坩堝乾燥装置の要部の構成説明図を示す。
【0013】前記各図において本実施形態に係る石英坩
堝乾燥装置1は、所定の収納空間を形成されてなる装置
枠3と、前記収納空間内に前後方向移動自在に配設さ
れ、複数の坩堝2が開口部を下向きにして載置される架
台31と、前記架台31上に配設され、前記複数の内径
寸法の異なる坩堝2を等間隔で重なるよう位置決めする
支持治具4とを備える構成である。
【0014】前記装置枠3において、前記架台31は固
定レール31a及びスライドレール31bを介して収納
空間に対し前方に引出せるように配設されており、坩堝
2の収納及び取出しがスムーズに行える仕組みである。
また、装置枠3の収納空間前面には上下に開閉自在なシ
ャッター32が配設され、このシャッター32は、坩堝
2の出し入れを行う際には上方にスライドして開放状態
となり、坩堝2を収納する場合には下方にスライドして
収納空間を形成すると共に、下端の隙間からなる排出口
32aを形成する構成である。この収納空間の坩堝2上
方位置には、ファン33aからフィルタ33b及びヒー
タ33cを介して供給される清浄且つ乾燥した温風を吹
出させる上側吹出口33が形成され、また、坩堝2の開
口部下方位置の一部には、前記同様ファン34aからフ
ィルタ34b及びヒータ34cを通過して供給される清
浄且つ乾燥した温風を吹出す下側吹出口34が形成され
る構成である。
【0015】前記支持治具4は、坩堝2の開口端を支え
る支持部として階段状の支持面4aを形成されるテフロ
ン製の部材であり、架台31の所定位置に四つ放射状に
配設される。前記支持面4aに径の異なる坩堝2を径の
小さいものから順に載置することで、坩堝2が水平各方
向で均一な隙間を有して重なった状態に保持される仕組
みである。
【0016】次に、前記構成に基づく石英坩堝乾燥装置
における乾燥動作について説明する。まず、装置枠3の
前面のシャッター32を上方にスライドさせ、収納空間
を開口させてから架台31を前方に引出す。引出した架
台31上の支持治具4の支持面4aに坩堝2を径の小さ
いものから順に載置して、架台31上の所定位置で水平
各方向に均一な隙間を有する状態で重ねて保持させる。
坩堝2を各々設置した後、再び架台31を坩堝2ごと収
納空間内に戻し、シャッター32を閉じる。この状態で
ファン33a、34a及びヒータ33c、34cを作動
させ、上下両方の吹出口33、34より各フィルタ33
b、34bで浄化され、且つヒータ33c、34cで加
熱された温風を吹出して坩堝2に接触させる。下側吹出
口34を、坩堝2の下向きの開口部に対し一部にだけ対
応して小さく開口させたことにより、温風が開口部の下
側吹出口34に面した一側部分からのみ坩堝2内に入
り、この一側部分以外の他の部分からは坩堝2内周に達
した温風をスムーズに排出することができ、坩堝2内及
び重ねた坩堝2相互間に効果的に温風を通すことができ
る。さらに、坩堝2を等間隔で重ねているため、下側吹
出口34から吹出した温風が坩堝2相互間を一様に流れ
ることができ、重なる坩堝2の内周面及び外周面をむら
なく乾燥させられることとなる。この上側及び下側の各
吹出口33、34により吹出された温風は各坩堝の表面
に接触しつつシャッター32の下方に形成される排出口
32aから装置枠3外へ排出される。
【0017】このように、本実施の形態に係る石英坩堝
乾燥装置は従来通りの上方の吹出口に加えて下方にも吹
出口を設け、同時に両方の吹出口より温風吹出を可能に
し、さらに下側吹出口34を小さく開口させることによ
り、上側吹出口33から出た温風は最外側の坩堝2の外
周面を乾燥させ、下側吹出口34から出た温風は最内側
の坩堝2の内周と支持治具4を利用して重ねた各坩堝2
の間の隙間をそれぞれ均一に循環して各坩堝2の内、外
周面を同時に乾燥することが可能である。
【0018】
【実施例】本発明の一実施の形態に係る石英坩堝乾燥装
置により石英坩堝の洗浄後の乾燥を行う場合と、従来方
法により乾燥させた場合とを乾燥時間について比較した
評価結果を説明する。
【0019】本発明の一実施の形態に係る石英坩堝乾燥
装置を用いて内径16”(インチ)、18”、22”の
異なった寸法の石英坩堝3個をテフロン材の支持治具を
利用して各坩堝間を均一に保った状態で重ねて載置し、
温風温度を35℃、温風流量を上下吹出部で37m3/
minに設定して乾燥させ、乾燥完了時間を測定した。
乾燥完了は目視で判断した。
【0020】また、比較例として、従来の石英坩堝乾燥
装置において、上記同様異なった寸法の石英坩堝3個を
重ねず、開口部を下に向けて載置し、温風温度は上記同
条件、温風流量を20m3/minに設定して乾燥さ
せ、乾燥完了時間を測定した。なお、それぞれの消費熱
量は本発明装置が4.4kW、従来装置が2.2kWで
ある。
【0021】本発明の一実施の形態に係る石英坩堝乾燥
装置を用いた場合、全ての坩堝が乾燥してしまうまでに
要した時間は60分であった。一方、従来の装置の場合
では、全ての坩堝が乾燥してしまうまでに要した時間は
210分であった。本発明による時間短縮の効果は大き
く、従来と比較すると約30%にまで短縮され、温風流
量、消費熱量の差を考慮しても大幅な時間短縮が実現し
ている。また、石英坩堝を重ねて乾燥することにより、
坩堝一個当りに必要な乾燥スペースを小さくでき、従来
と略同一の乾燥スペースで石英坩堝を大量に且つ短時間
で乾燥することが可能になっている。
【0022】
【発明の効果】以上のように本発明においては、坩堝の
上側の吹出口に加えて下側にも吹出口を配設し、坩堝に
対し上下の吹出口より乾燥用気体を吹出して乾燥用気体
を坩堝内外に接触させられることにより、坩堝の外周面
のみでなく内周面においても乾燥が急速に進むこととな
り、短時間で乾燥が完了するという効果を奏する。ま
た、本発明においては、架台に坩堝を互いに接触させず
に重ねて配置できることにより、坩堝の載置が効率的に
行えて載置スペースの点で有利になると共に、重ねて配
置した坩堝を支持治具で等間隔に保持することにより、
重なり合った坩堝間に入る乾燥用気体の量を一様にする
ことができ、坩堝のどの表面においてもむらなく均等に
乾燥させられるという効果を有する。また、本発明にお
いては、下側の吹出口を坩堝の開口部に対し一部のみ開
口させることにより、いったん坩堝内に入った乾燥用気
体が開口部の吹出口に面した部分以外からスムーズに坩
堝外に出ることができ、重ねた坩堝間において乾燥用気
体に所定の流れを生じさせることが可能となり、坩堝間
で乾燥用気体の干渉がなくなると共に、気流との接触で
効果的に乾燥が行えることとなり、乾燥効率が大幅に向
上するという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態に係る石英坩堝乾燥装置
の概略構成正面図である。
【図2】本発明の一実施の形態に係る石英坩堝乾燥装置
の要部平面図である。
【図3】本発明の一実施の形態に係る石英坩堝乾燥装置
の概略構成側面図である。
【図4】本発明の一実施の形態に係る石英坩堝乾燥装置
の架台引出し状態概略説明図及び支持治具の構成説明図
である。
【図5】(A)は 従来の石英坩堝乾燥装置の概略構成
説明図である。(B)は従来の他の石英坩堝乾燥装置の
概略構成説明図である。
【符号の説明】
1、100、200 石英坩堝乾燥装置 2 坩堝 3、101 装置枠 31 架台 31a 固定レール 31b スライドレール 32 シャッター 32a 排出口 33 上側吹出口 33a、34a ファン 33b、34b、204 フィルタ 33c、34c ヒータ 34 下側吹出口 4 支持治具 4a 支持面 101a 温風吹出口 201 乾燥室 201a、201b 熱反射体 202 赤外線ヒータ 203 空気取入口 205 遮光ルーバー 206 排気口

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体用シリコン溶融に使用される石英
    坩堝を洗浄後に乾燥するための石英坩堝乾燥装置におい
    て、 前記坩堝を開口部が下向きになる状態で一又は複数個載
    置可能な所定の収納領域を形成されてなる架台と、 前記架台における坩堝載置位置上方及び坩堝載置位置直
    下に各々設けられる乾燥用気体の吹出口とを備えること
    を特徴とする石英坩堝乾燥装置。
  2. 【請求項2】 前記請求項1に記載の石英坩堝乾燥装置
    において、 前記架台上の坩堝載置位置に一又は複数配設され、前記
    坩堝の開口端を一部支える支持部を所定間隔に複数形成
    され、複数の内径寸法の異なる坩堝を前記支持部にそれ
    ぞれ載置して坩堝を等間隔に重なり合う状態で保持する
    支持治具を備えることを特徴とする石英坩堝乾燥装置。
  3. 【請求項3】 前記請求項1又は2に記載の石英坩堝乾
    燥装置において、 前記坩堝設置位置直下の吹出口が、載置した一又は複数
    の坩堝の開口部に対し所定の大きさで部分的に開口させ
    て形成されることを特徴とする石英坩堝乾燥装置。
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