JPH1031229A - アクティブマトリクス型液晶表示装置およびその駆動方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】耐用時間が長く残像現象が発生せず、かつ、縦
スメア表示不良が発生しない高開口率、高画質のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の提供。 【解決手段】液晶に印加される電界を、同一の信号電極
線に接続された隣接する二つのスイッチングトランジス
タ素子に接続された二つの画素電極間の電位差によって
形成する。各画素電極の電位は前段の走査電極線との間
に形成した蓄積容量素子に保持し、各画素電極への電圧
印加は、ゲート電圧のオフレベルの電位に対して一定の
正のバイアス電位を基準にして、信号電極線方向に隣接
する画素電極間で正負が反転する交流電圧とする。ま
た、信号電極線方向に隣接する画素電極は同一形状とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、視野角が広く、か
つ、低消費電力のアクティブマトリクス型液晶表示装置
とその駆動方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶に印加する電界の方向を基板界面に
ほぼ平行な方向とする表示方式（横電界方式と云う）
は、広視野角，低負荷容量等の特長を有し、アクティブ
マトリクス型液晶表示装置として有望な技術である。

【０００３】こうした横電界方式に関しては、特公昭６
３−２１９０７号公報中で、次段の行電極に基準電極を
兼用させた例がある。この構成は、寄生容量を低減で
き、低負荷，低消費電力のアクティブマトリクス型液晶
表示装置を得ることができ、かつ、配置電極数が少なく
画素領域の開口率を向上できる。

【０００４】しかし、通常のトランジスタ素子の特性で
は、液晶に印加する電圧が常に片極（基準電極電位に対
して表示用電極電位が常に正）性である直流駆動しか行
うことができない。しかし、液晶は直流駆動すると劣化
が激しく、耐用時間が著しく低下する。更に、残留電荷
が蓄積され残像現象が生じて画質が劣化すると云う問題
がある。

【０００５】このため、特公昭６３−２１９０７号公報
の基本的な構成は、基準電極線を設け、これに接続され
る電極に対して正負の交流駆動を行うものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】横電界方式の基本的な
問題は、電界の方向が基板界面にほぼ垂直な方向とする
縦電界方式に比べて、電極間の間隔が広い点にある。

【０００７】横電界方式で、液晶の配向方向を変化させ
るに十分な電界を得るためには、信号電圧振幅を大きく
し、かつ、電極間間隔を比較的狭く設定せざるを得な
い。このため、特公昭６３−２１９０７号公報のよう
に、基準電極に対向する画素電極に信号電位を入力する
構成では、画素に占める電極配線の割合が大きく、開口
率が低くなると云う問題がある。

【０００８】また、信号線方向の他の画素の表示信号の
飛込みによる画素電極電位の変動が、液晶に印加される
電界に直結しており、縦スメアと呼ばれる表示不良が発
生し易いと云う問題がある。

【０００９】本発明の目的は、耐用時間が長く残像現象
が発生せず、かつ、縦スメア表示不良が発生しない高開
口率、高画質のアクティブマトリクス型液晶表示装置の
提供にある。

【００１０】本発明の他の目的は、上記液晶表示装置の
駆動方法の提供にある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明の要旨は次のとおりである。

【００１２】（１） 第一と第二の基板間に液晶が挿入
され、前記第一の基板には、マトリクス状に配置された
複数の走査電極線と信号電極線により複数の画素部が構
成されており、前記画素部に設けたスイッチング素子と
前記電極の入力信号により、前記液晶の配向状態の変調
と偏向手段により入射光の透過率または反射率を変調す
るアクティブマトリクス型液晶表示装置において、前記
スイッチング素子には画素電極が接続され、前記画素電
極と、同一の信号電極線に接続された隣接する他のスイ
ッチング素子に接続された画素電極とが、基板面にほぼ
平行な電界を印加するように配置され、前記両画素電極
による電界により液晶分子の長軸方向を基板面とほぼ平
行に動作させるよう構成されていることを特徴とするア
クティブマトリクス型液晶表示装置。

【００１３】（２） 前記スイッチング素子に接続され
た画素電極は、該当するスイッチング素子の走査電極線
に隣接する走査電極線に絶縁層を介して重なることによ
り蓄積容量を形成すると共に、前記隣接する走査電極線
を乗り越えて隣接する画素に延長され、前記隣接する画
素の一方の画素電極を構成している前記アクティブマト
リクス型液晶表示装置。

【００１４】（３） 前記画素電極は信号電極線方向に
隣接する画素電極と同一のパターンを構成している前記
アクティブマトリクス型液晶表示装置。

【００１５】（４） 前記画素電極に印加される信号電
圧は、走査電極線に印加される電圧のオフレベルの電位
に対して一定の正のバイアス電位を基準にし、信号電極
線方向に隣接する画素電極間の電位の正負が反転し、か
つ、フレーム表示周期でも前記電位の正負が反転して、
前記液晶の配向状態を変調し、偏向手段により入射光の
透過率または反射率を変調することを特徴とするアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の駆動方法。

【００１６】

【発明の実施の形態】アクティブマトリクス型液晶表示
装置の駆動は、液晶に印加する電圧をアクティブ素子を
スイッチとし、表示用電極（以下、画素電極と云う）に
電圧を充電，保持することによって駆動する。

【００１７】従来の、アクティブマトリクス型液晶表示
装置の横電界方式の構成では、液晶を交流駆動するため
に、画素電極に充電される電位は、基準電極に対してフ
レーム表示周波数で交流波形となるよう、スイッチング
トランジスタ素子のドレイン電極から映像信号を充電す
る。従って、液晶に印加される電界は画素電極電位と基
準電極電位の差によって形成される。

【００１８】本発明においては、図１に例示するよう
に、液晶に印加する電界を、同一の信号電極線（４）に
接続された隣接する二つのスイッチングトランジスタ素
子（１１'，１１''）に接続された、二つの画素電極
（５，６）間の電位差によって形成する。

【００１９】この電圧印加は、同一の信号電極線（４）
に接続された隣接する二つのスイッチングトランジスタ
素子（１１'，１１''）から、それぞれの画素電極に入
力する電圧信号を、走査電極線に印加されるゲート電圧
のオフレベルの電位に対して一定の正のバイアス電位を
基準にし、信号電極線方向に隣接する画素電極（５，
６）間で正負が反転する交流電圧とすることによって実
現される。

【００２０】この場合、画素電極（５，６''）間距離
が、従来構成の画素電極−基準電極間距離に等しい場合
は、同一の映像信号振幅に対し液晶に印加される電界は
従来構成の二倍となるので、上記画素電極間距離を従来
の二倍にすることができる。これにより、画素（イ）に
占める電極配線の割合が低減でき、開口率を増大するこ
とが可能となる。

【００２１】各画素電極（５，６）は、信号電極線
（４）の方向に隣接する二つの画素（イ、ロ）のそれぞ
れ一方の画素電極を構成するが、接続されるスイッチン
グトランジスタ素子の走査電極線に隣接するオフ状態の
走査電極線（１）を、絶縁膜（１１'）を介して重なり
乗り越える画素電極線（６'）部分が蓄積容量（１３）
となるので、この容量部を利用して、各画素電極に映像
信号電位を１フレーム時間保持することができる。

【００２２】各画素電極は、信号電極線方向に隣接する
画素（イ，ロ）間で同一の形状（６−６'−６''で示さ
れる）とする。こうすることにより信号線方向の他の画
素の表示信号の飛込みによる画素電極電位の変動の影響
は、隣接する画素電極間で同一となる。

【００２３】即ち、液晶に印加される電界を、同一の信
号電極線に接続された隣接する二つのスイッチングトラ
ンジスタ素子（１１'，１１''）に接続された二つの画
素電極（５，６''）間の電位差によって形成するので、
前記の信号線方向の他の画素の表示信号の飛込みによる
画素電極電位の変動はキャンセルされ、液晶に印加され
る電界にはその影響が現われない。従って縦スメアと呼
ばれる表示不良が発生しにくい。

【００２４】前記ように、各画素電極に印加される信号
電圧は、走査電極線（１，２，３）に印加されるゲート
電圧のオフレベルの電位に対して一定の正のバイアス電
位を基準にして、信号電極線方向に隣接する画素電極
（５，６）間で、正負が反転する交流電圧とするが、同
一画素に印加される信号電圧は、走査電極線に印加され
るゲート電圧のオフレベルの電位に対して、一定の正の
バイアス電位を基準にし、１フレーム時間毎に正負が反
転する交流電圧とすることで、液晶を交流駆動すること
ができる。

【００２５】これによって、耐用時間が長く、残像現象
が発生せず、かつ、縦スメア表示不良が発生しない高開
口率、高画質の横電界方式のアクティブマトリクス型液
晶表示装置を得ることができる。

【００２６】

【実施例】本発明を実施例により更に具体的に説明す
る。

【００２７】厚さ１.１ｍｍの表面を研磨した透明なガ
ラス基板を二枚用意する。一方の基板上に薄膜トランジ
スタ（以下、ＴＦＴと云う）を形成し、さらにその上の
最表面に液晶配向膜を形成する。本実施例では、ポリイ
ミド配向膜を用い、その表面にラビング処理を施した。
他方の基板面にも同様にポリイミド配向膜を形成し、そ
の表面にラビング処理を施した。

【００２８】上下基板の配向膜面を対向し、それぞれの
ラビング方向が互いにほぼ平行に、かつ、印加電界方向
との角度を８５度に構成して、その基板間に誘電率異方
性（Δε）が正でその値が１４.８（１ｋＨｚ）、屈折
率異方性Δｎが０.０８６５（５８９ｎｍ，２０℃）の
ネマチック液晶組成物を封入，挾持した液晶パネルを作
製した。

【００２９】なお、基板間ギャップ（ｄ）は球状ポリマ
ビーズを分散，挾持し、液晶封入状態で３.６μｍとし
た。これによってΔｎ・ｄは０.３１１μｍとなった。

【００３０】上記液晶パネルを二枚の偏光板で挾み、一
方の偏光板の偏光透過軸方向を前記配向膜のラビング方
向から５°小さい角度に設定し、もう一方の偏光板をこ
れに直交配置した。

【００３１】これにより、液晶層に電界を印加し、光強
度を変調する電極間ギャップを１２μｍとしたとき、電
極間電位差が０Ｖで暗状態、５.２Ｖで明状態となるノ
ーマリクローズ特性が得られた。

【００３２】次に、ＴＦＴおよび各種電極の基本構成を
図１に示す。図１（ａ）は基板面に垂直な方向から見た
正面図、図１（ｂ）はＡ−Ａ’、図１（ｃ）はＢ−Ｂ’
の側断面図を示す。

【００３３】ＴＦＴ１１は走査（ゲート）電極１の上に
ゲート絶縁膜９を介して形成されるアモルファスシリコ
ン８、信号（ドレイン）電極４、および画素（ソース）
電極５で構成される。このＴＦＴ１１は逆スタガ構造で
あり、走査電極線１を最下層に形成し、ゲート絶縁膜９
を介して、上層に信号電極線４および画素電極線５を同
一の金属層をパターン化して構成している。

【００３４】図１において、２は前段の走査電極線，３
は後段の走査電極線であり、５は前段の画素（イ）の画
素電極線、６は後段の画素（ロ）の画素電極線，７はさ
らに後段の画素における画素電極線である。

【００３５】画素電極線５はゲート絶縁膜９を介して前
段の走査電極線２に乗り越えて重なり、蓄積容量素子１
２を形成し、ＴＦＴ１１からの信号電位を保持する。

【００３６】同様に、後段のＴＦＴ１１'からの信号電
位は蓄積容量素子１３に、さらに後段のＴＦＴ１１''か
らの信号電位は蓄積容量素子１４に保持される。後段の
画素電極線６は、画素電極線６'において走査電極線１
を乗り越え、画素電極線５と対向するよう画素電極線
６''として画素（イ）が構成される。

【００３７】各蓄積容量素子１２，１３，１４，…に、
蓄積する信号電位がＶ_b＋Ｖ_i，Ｖ_b−Ｖ_i+1，Ｖ_b＋
Ｖ_i+2，…となるように、基準電位Ｖ_bに対して正負が反
転する表示信号を入力すると、画素電極線５と画素電極
線６''との間には｜Ｖ_i＋Ｖ_i+1｜の電位差による電界Ｅ
が、また、画素電極線６と画素電極線７との間には｜Ｖ
_{i+ 1}＋Ｖ_i+2｜の電位差による電界Ｅ'が印加され、液晶
層の液晶分子の配向が制御される。

【００３８】この電極間電位差は、正負の電界印加によ
り従来構成の二倍となるから、電極間間隔を従来構成の
二倍としても液晶層に加わる電界強度は同等となる。

【００３９】各電極間の液晶層に入射された光は変調さ
れ、電極間間隔を広げることは高開口率化につながる。

【００４０】なお、前記の信号入力方式では、各画素の
表示信号は２画素信号の平均となるが、画素配置を交互
に信号線の方向に画素ピッチの１／２ずらした表示装置
と比較すると大きな遜色はない。

【００４１】但し、信号線方向の画素ピッチを１／２に
して、信号線方向に連続する各蓄積容量素子に蓄積する
信号電位が、Ｖ_b＋Ｖ_i，Ｖ_b−Ｖ_i，Ｖ_b＋Ｖ_i+1，Ｖ_b−
Ｖ_i+1，Ｖ_b＋Ｖ_i+2，Ｖ_b−Ｖ_i+2，…となるように表示
信号を入力すれば、各電極間の電位差は｜２・Ｖ_i｜，
｜Ｖ_i＋Ｖ_i+1｜，｜２・Ｖ_i+1｜，｜Ｖ_i+1＋Ｖ_i+2｜，
｜２・Ｖ_i+2｜，…になり、より高品位の表示を行うこ
とも可能である。

【００４２】この場合、走査電極線が増加する分だけ開
口率が低下するが、カラー表示装置の場合の画素は、走
査電極線方向の画素幅が信号線方向の画素幅の１／３で
あるので、従来構成と比較すればより高開口率となる。

【００４３】また、同一画素電極線に印加される信号電
圧を、走査電極線に印加されるゲート電圧のオフレベル
の電位に対して一定の正のバイアス電位（Ｖ_b）を基準
にして交流電圧とすると、液晶を交流駆動することがで
きる。

【００４４】図２に本発明の駆動波形を示す。ｉ−１，
ｉ，ｉ＋１番目の走査電極電圧を図（ａ），（ｂ），
（ｃ）に、ｉ，ｉ＋１番目の走査電極線に接続されるＴ
ＦＴへの信号電極電圧を（ｄ），（ｅ）に、ｉ，ｉ＋１
番目の走査電極線に接続されるＴＦＴからの画素電極電
圧（ソース電圧）を（ｆ），（ｇ）に、ｉ，ｉ＋１番目
の走査電極線に接続されるＴＦＴからの画素電極電圧に
よって、液晶層に印加される電圧を（ｈ）に示す。

【００４５】走査電極電圧Ｖ_Gは、パルス幅３４.５μｓ
で繰返し周期は１６.６ｍｓの矩形波で、パルスのオン
電圧（ハイレベル）はＶ_GH，オフ電圧（ローレベル）は
Ｖ_GLに設定する。

【００４６】信号電極電圧Ｖ_Dは、ゲート電圧のオフレ
ベルの電位Ｖ_GLに対し一定の正のバイアス電位Ｖ_bを中
心電圧Ｖ_D-Cとして、表示階調に従い１フレーム時間毎
に、正負が反転する信号電圧Ｖ_off〜Ｖ_onを入力する。
この信号電圧は走査電極電圧Ｖ_Gがオン電圧（ハイレベ
ル）の時に画素電極に入力され、走査電極電圧Ｖ_Gがオ
フ電圧（ローレベル）の時に保持されるが、バイアス電
位Ｖ_bを信号電極電圧Ｖ_Dの最低電位Ｖ_DLがＶ_GLよりも高
くなるように設定すれば、ゲート電圧がオフレベルのと
きはＴＦＴのゲート電圧は常に負となり、ＴＦＴは非導
通となって、画素電極電圧Ｖ_Sの最低電位Ｖ_SLも保持さ
れる。

【００４７】本発明の構成では液晶層に印加される電圧
Ｖ_LCはｉ，ｉ＋１番目の走査電極線に接続されるＴＦＴ
からの画素電極電圧によって液晶層に印加される電圧Ｖ
_S（ｉ）とＶ_S（ｉ＋１）との差となるので、液晶層には
信号電圧Ｖ_off〜Ｖ_onの二倍の電圧が印加される。この
電圧は従来構成の二倍であるから、電極間間隔を従来構
成の二倍としても液晶層に加わる電界強度は同等とな
る。

【００４８】なお、画素電極電圧Ｖ_Sには、図２
（ｆ），（ｇ）に示すように、前段走査電極からのオン
電圧パルスＶ_GHの飛込みがあるが、液晶層に印加される
電圧Ｖ_LCでは、このオン電圧パルスＶ_GHの飛込みは、次
段のオン電圧パルスＶ_GHの飛込みによって相殺されるの
で大きな問題にはならない。

【００４９】図１（ａ）の構成で、各画素電極線５，
６，７，…の形状は信号線方向と同じである。各画素電
極線５，６，７，…には信号電極線４および後段の信号
電極線１０からの他の表示信号の飛込みがある。

【００５０】しかし、各画素電極線５，６，７，…の方
向は信号線方向と同じであるから、他の表示信号の飛込
みによる画素電極電位の変動は、隣接する画素電極間で
同じになる。これらの画素電極電位の変動は、前記した
信号入力方式を用いれば、液晶層にかかる電界Ｅに対し
てはキャンセルされ、縦スメア表示不良が発生しない。

【００５１】図１に示した基本的構成は、電気回路とし
ては図３に示す構成となる。図３で、１はｉ段目の走査
電極線、２は（ｉ−１）段目の走査電極線、３は（ｉ＋
１）段目の走査電極線、４はｊ段目の信号電極線、１０
は（ｊ＋１）段目の信号電極線を示す。

【００５２】各ＴＦＴ１１のゲート電極は、各走査電極
線１，２，３に接続され、各ＴＦＴ１１のドレイン電極
は各信号電極線４，１０に接続されている。各ＴＦＴ１
１のソース電極は各表示電極線５，６，７に接続され、
各表示電極線は前段の走査電極線との間に各蓄積容量素
子１２，１３，…を形成している。

【００５３】液晶層に対する電界の印加は、表示電極線
５，６間、表示電極線６，７間等で行う。

【００５４】本発明の基本的構成は、図３に示す電気回
路構成を満足すればよいので、より実際的な構成として
は図４に示すような構成が採用される。

【００５５】図４では表示電極線５，６，７の形状が図
１と異なる以外は図１と同じであり、表示電極線間距離
は図１の場合の約１／２に構成されている。

【００５６】複数画素から構成されるパネルの部分の電
気回路を図５に示す。コントローラ１５、垂直走査回路
１６、映像信号駆動回路１７を有し、液晶表示パネル１
８を構成している。

【００５７】画素ピッチは水平方向（信号電極線間）は
１１０μｍ，垂直方向（走査電極線間）は３３０μｍと
した。電極線幅は、走査電極線，信号電極線をそれぞれ
１０μｍ，９μｍとした。表示電極線幅は８μｍとし、
表示電極線と信号電極線の間隔は６μｍとした。

【００５８】図４の構成は画素を２分割しているが、３
分割あるいは４分割することも可能である。特に、奇数
分割が可能であるのは本発明の特長である。

【００５９】コントラストを向上するために、表示電極
線間以外の間隙部に絶縁性のブラックマトリクスを形成
した。画素数は６４０×３本の信号電極線と、４８０本
の走査電極線とにより６４０×３×４８０個とし、Ｒ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の三色のカラーフィルタを
ＴＦＴ素子群を有する基板と対向する基板上に、縦スト
ライプ状に形成しカラー表示を可能とした。

【００６０】カラーフィルタの上には表面を平坦化する
透明樹脂からなる平坦化層を形成してある。映像信号駆
動回路１７から信号電極線４への映像信号の入力は、通
常のライン反転駆動方式またはドット反転駆動方式が利
用できる。

【００６１】なお、本実施例では垂直方向の画素ピッチ
は水平方向の３倍としたが、この比を下げて、より高周
波のライン反転駆動またはドット反転駆動を行えば、よ
り高品位の表示が可能となる。

【００６２】

【発明の効果】本発明のアクティブマトリクス型液晶表
示装置によれば、画素電極間距離が、従来構成の画素電
極−基準電極間距離と同じ場合は、同一の映像信号振幅
に対して、液晶に印加される電界は従来の二倍となるの
で、画素電極間距離を従来の画素電極−基準電極間距離
の二倍とすることができる。従って、画素に占める電極
配線の割合が低減できるので、開口率を増大することが
できる。

【００６３】また、信号電極線から画素電極への飛込み
電圧は、液晶に印加される電界ではキャンセルされるた
め、縦スメアが発生しない。

【００６４】更にまた、低負荷であり耐用時間が長く、
残像現象や縦スメア表示が発生しない高画質の交流駆動
方式の表示装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の画素部の基本的構成を示す説明図。

【図２】本発明の駆動波形を示す説明図。

【図３】本発明の画素部の基本的電気回路構成を示す説
明図。

【図４】本発明の実施例の画素部の構成を示す説明図。

【図５】本発明の複数画素から構成されるパネルの部分
の電気回路図。

【符号の説明】

１，２，３…走査電極線、４，１０…信号電極線、５，
６，７…画素電極線、８…アモルファスシリコン、９…
ゲート絶縁膜、１１…ＴＦＴ、１２，１３，１４…蓄積
容量素子、１５…コントローラ、１６…垂直走査回路、
１７…映像信号駆動回路、１８…液晶表示パネル。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 峯村 哲郎 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第一と第二の基板間に液晶が挿入され、
   前記第一の基板には、マトリクス状に配置された複数の
   走査電極線と信号電極線により複数の画素部が構成され
   ており、前記画素部に設けたスイッチング素子と前記電
   極の入力信号により、前記液晶の配向状態の変調と偏向
   手段により入射光の透過率または反射率を変調するアク
   ティブマトリクス型液晶表示装置において、 前記スイッチング素子には画素電極が接続され、前記画
   素電極と、同一の信号電極線に接続された隣接する他の
   スイッチング素子に接続された画素電極とが、基板面に
   ほぼ平行な電界を印加するように配置され、前記両画素
   電極による電界により液晶分子の長軸方向を基板面とほ
   ぼ平行に動作させるよう構成されていることを特徴とす
   るアクティブマトリクス型液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記スイッチング素子に接続された画素
   電極は、該当するスイッチング素子の走査電極線に隣接
   する走査電極線に絶縁層を介して重なることにより蓄積
   容量を形成すると共に、前記隣接する走査電極線を乗り
   越えて隣接する画素に延長され、前記隣接する画素の一
   方の画素電極を構成している請求項１に記載のアクティ
   ブマトリクス型液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記画素電極は信号電極線方向に隣接す
   る画素電極と同一のパターンを構成している請求項１ま
   たは２に記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記画素にカラーフィルタを備えた請求
   項１，２または３に記載のアクティブマトリクス型液晶
   表示装置。
5. 【請求項５】 第一と第二の基板間に液晶が挿入され、
   前記第一の基板には、マトリクス状に配置された複数の
   走査電極線と信号電極線により複数の画素部が構成され
   ており、 前記スイッチング素子には画素電極が接続され、前記画
   素電極と、同一の信号電極線に接続された隣接する他の
   スイッチング素子に接続された画素電極とが、基板面に
   ほぼ平行な電界を印加するように配置され、前記両画素
   電極による電界により液晶分子の長軸方向を基板面とほ
   ぼ平行に動作させるよう構成されており、 前記画素電
   極に印加される信号電圧は、走査電極線に印加される電
   圧のオフレベルの電位に対して一定の正のバイアス電位
   を基準にし、信号電極線方向に隣接する画素電極間の電
   位の正負が反転し、かつ、フレーム表示周期でも前記電
   位の正負が反転して、前記液晶の配向状態を変調し、偏
   向手段により入射光の透過率または反射率を変調するこ
   とを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置の
   駆動方法。
6. 【請求項６】 前記画素電極間に印加する電位が交流で
   ある請求項５に記載のアクティブマトリクス型液晶表示
   装置の駆動方法。