JPH10312595A

JPH10312595A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH10312595A
Application number: JP13785897A
Authority: JP
Inventors: Jiro Yoshinari; 次郎吉成; Shinji Miyazaki; 真司宮崎; Hiroyasu Inoue; 弘康井上
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1997-05-12
Filing date: 1997-05-12
Publication date: 1998-11-24

Abstract

(57)【要約】【課題】光強度変調によるダイレクト・オーバーライ
トが可能で、オーバーライトのための初期化磁石が不要
な光磁気記録媒体において、記録パワーマージン、特に
低パワー記録時の記録パワーマージンを広げる。【解決手段】基体表面側に、メモリ層Ｍ₁、記録層
Ｗ₂、スイッチング層Ｓ₃および初期化層Ｉ₄の４層の磁
性層を含む磁性積層体を有し、Ｍ₁、Ｗ₂、Ｓ₃、Ｉ₄のキ
ュリー温度をそれぞれＴｃ_M1、Ｔｃ_W2、Ｔｃ_S3、Ｔｃ_I4
としたとき、Ｔｃ_I4＞Ｔｃ_W2＞Ｔｃ_M1かつＴｃ_I4＞Ｔｃ
_W2＞Ｔｃ_S3であり、磁性積層体の裏面側に第１誘電体層
を有し、磁性積層体の表面側に第２誘電体層と放熱層と
をこの順で有し、放熱層が金属から構成されており、第
２誘電体層の厚さが１３〜３０nmであり、放熱層の厚さ
が３０〜６０nmである光磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光強度変調ダイレ
クト・オーバーライトが可能な光磁気記録媒体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】光磁気記録媒体（ＭＯ）は、磁性薄膜を
レーザー光等により局所的に昇温させ、外部磁界によっ
てこの部分の磁化方向を反転させることによって記録を
行い、これらの磁化方向の異なる記録ドメインをカー効
果、ファラデー効果によって読み出す記録媒体である。

【０００３】光磁気記録媒体は、記録密度を高くでき、
また、大容量磁気記録媒体であるハードディスクと異な
り、媒体交換が容易であるという特長がある。しかし、
通常の光磁気記録媒体では、一般に書き換えの際にオー
バーライトを利用することができず、記録情報を消去し
た後に新しい情報を記録する必要があるため、書き換え
が遅いという欠点があった。

【０００４】これに対し、光強度変調によるダイレクト
・オーバーライト（以下、光変調オーバーライトともい
う）が可能な光磁気記録媒体が、たとえば特開昭６２−
１７５９４８号公報、特公平８−１６９９３号公報、同
８−１６９９６号公報などに記載されている。これらの
光磁気記録媒体は、駆動装置に初期化磁石を設けること
が必要である。一方、初期化磁石を必要とせずに光変調
オーバーライトが可能な光磁気記録媒体が、ＷＯ９０／
０２４００、特許第２５０３７０８、特開平６−１２７
１１号公報などに記載されている。

【０００５】光変調オーバーライトが可能な光磁気記録
媒体は、後述するようにオーバーライトの際に２レベル
の記録パワーを用いるため、一般に記録パワーマージン
が狭く、特に低パワー記録時のパワーマージンが狭いと
いう問題がある。記録パワーマージンとは、十分なＣ／
Ｎが得られる記録パワー範囲（幅）のことである。例え
ば、低パワー記録の際にレーザーパワーが小さすぎる
と、記録マークが実質的に形成されず、消し残りが発生
するため、Ｃ／Ｎが著しく低くなり、エラーも増大して
しまう。一方、低パワー記録の際にレーザーパワーが大
きすぎると、高パワー記録時と同様な現象が生じてしま
うため、低パワー記録に対応する記録マークが正常に形
成されず、やはりＣ／Ｎの著しい低下とエラー増大を招
く。

【０００６】光磁気記録媒体駆動装置では、光ピックア
ップに用いられる半導体レーザーの個体間のばらつき、
半導体レーザーの経時変化、光ピックアップの光学系の
汚れなどにより、媒体に照射されるレーザーパワーが変
動する。このため、記録パワーマージンが狭いまま媒体
が規格化されると、駆動装置に許容されるレーザーパワ
ー変動の幅が狭くなって駆動装置の低価格化が困難にな
る。

【０００７】また、光変調オーバーライトが可能な光磁
気記録媒体では、低パワー記録時の記録パワーマージン
を広くすると共に、高パワー記録の際に必要な記録パワ
ーの上昇を防ぐ必要がある。

【０００８】光変調オーバーライトが可能な光磁気記録
媒体において記録パワーマージンを広げるための提案
は、特開平４−１０６７４４号公報および特開平５−２
３４１５８号公報に記載されている。

【０００９】特開平４−１０６７４４号公報では、２層
の磁性薄膜に接して、あるいは誘電体からなる保護層を
介して、熱伝導率の高い金属材料からなる熱拡散層を設
けることが提案されている。同公報では、誘電体からな
る保護層の厚さは５０nm以下、熱拡散層の厚さは２〜５
０nmとなっており、実施例では、ＳｉＮからなる厚さ１
０nmの保護層と、Ｃｕからなる厚さ２０nmの熱拡散層と
を形成している。

【００１０】また、特開平５−２３４１５８号公報に
は、上記特開平４−１０６７４４号公報と同様に熱拡散
層を有する光磁気記録媒体において、熱拡散層と磁性薄
膜との間に、誘電体からなる断熱層を設ける提案がなさ
れている。同公報では、磁性薄膜は２〜４層積層され
る。同公報において、断熱層の厚さは熱拡散層の厚さの
２〜１０倍となっている。同公報の実施例では、２層の
磁性薄膜上に、ＳｉＯ₂からなる厚さ８０nmの断熱層
と、Ａｌからなる厚さ４０nmの熱拡散層とを形成してい
る。

【００１１】しかし、本発明者らの研究によれば、上記
特開平４−１０６７４４号公報および特開平５−２３４
１５８号公報にしたがって誘電体層（保護層または断熱
層）および熱拡散層を設けても、記録パワーマージンを
拡大し、かつ高パワー記録時の記録パワーの上昇を避け
ることは不可能であることがわかった。

【００１２】ところで、初期化磁石が不要で光変調オー
バーライトが可能な従来の光磁気記録媒体、例えば上記
特開平６−１２７１１号公報に記載されている光磁気記
録媒体では、オーバーライトしたときに十分なＣ／Ｎが
得られず、また、オーバーライトの繰り返しによってＣ
／Ｎが劣化するという問題がある。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、光強度変調によるダイレクト・オーバーライトが可
能で、オーバーライトのための初期化磁石が不要な光磁
気記録媒体において、記録パワーマージン、特に低パワ
ー記録時の記録パワーマージンを広げることである。ま
た、本発明の第２の目的は、Ｃ／Ｎを向上させ、かつ繰
り返しオーバーライトによるＣ／Ｎ劣化を抑えることで
ある。本発明の第３の目的は、保存信頼性を向上させる
ことである。本発明の第４の目的は、出力の向上を実現
することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的は、下記（１）
〜（１４）のいずれかの構成により達成される。（１）基体表面側に磁性積層体を有し、この磁性積層
体が、基体側から、メモリ層Ｍ₁、記録層Ｗ₂、スイッチ
ング層Ｓ₃および初期化層Ｉ₄の４層の磁性層をこの順で
含み、各磁性層がそれぞれ希土類元素と遷移元素とを含
有し、かつ、室温において垂直磁気異方性を有するもの
であり、隣接する磁性層が互いに交換力で結合されてお
り、メモリ層Ｍ₁のキュリー温度をＴｃ_M1、記録層Ｗ₂の
キュリー温度をＴｃ_W2、スイッチング層Ｓ₃のキュリー
温度をＴｃ_S3、初期化層Ｉ₄のキュリー温度をＴｃ_I4と
したとき、Ｔｃ_I4＞Ｔｃ_W2＞Ｔｃ_M1かつＴｃ_I4＞Ｔｃ_W2＞Ｔｃ_S3 であり、磁性積層体の裏面側に第１誘電体層を有し、磁
性積層体の表面側に第２誘電体層と放熱層とをこの順で
有し、放熱層が金属から構成されており、第２誘電体層
の厚さが１３〜３０nmであり、放熱層の厚さが３０〜６
０nmであり、光強度変調方式によるダイレクト・オーバ
ーライトが可能である光磁気記録媒体。（２）記録層Ｗ₂が、Ｄｙ、ＦｅおよびＣｏを主成分
とし、希土類元素を２９〜３５原子％含有し、原子比
［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］が０．４０〜０．５８である
上記（１）の光磁気記録媒体。（３）メモリ層Ｍ₁が、Ｔｂ、ＦｅおよびＣｏを主成
分とし、Ｔｂを２１〜２５原子％含有し、原子比［Ｆｅ
／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］が０．８５〜０．９５であり、スイ
ッチング層Ｓ₃が、ＴｂおよびＦｅを主成分とし、Ｔｂ
を２３〜２９原子％含有し、初期化層Ｉ₄が、Ｔｂおよ
びＣｏを主成分とし、Ｔｂを２１〜２８原子％含有する
上記（１）または（２）の光磁気記録媒体。（４）メモリ層Ｍ₁の厚さが１０〜４０nmであり、記
録層Ｗ₂の厚さが１５〜４０nmであり、スイッチング層
Ｓ₃の厚さが５〜１５nmであり、初期化層Ｉ₄の厚さが１
５〜５０nmである上記（１）〜（３）のいずれかの光磁
気記録媒体。（５）メモリ層Ｍ₁と記録層Ｗ₂との間に、交換力制御
層Ｃ₁₂を有する上記（１）〜（４）のいずれかの光磁気
記録媒体。（６）交換力制御層Ｃ₁₂が、希土類元素と遷移元素と
を含有する非晶質合金から構成される磁性層である上記
（５）の光磁気記録媒体。（７）室温において交換力制御層Ｃ₁₂の磁化容易軸が
面内方向を向いており、１００℃以上かつ交換力制御層
Ｃ₁₂のキュリー温度までの範囲に、交換力制御層Ｃ₁₂の
磁化容易軸が垂直に向く温度が存在する上記（６）の光
磁気記録媒体。（８）交換力制御層Ｃ₁₂が、Ｇｄ、ＦｅおよびＣｏを
主成分とし、Ｇｄを２３〜３２原子％含有し、原子比
［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］が０．４０〜０．８０である
上記（６）または（７）の光磁気記録媒体。（９）交換力制御層Ｃ₁₂の厚さが５〜３０nmである上
記（５）〜（８）のいずれかの光磁気記録媒体。（１０）基体とメモリ層Ｍ₁との間に、磁性層である読
み出し層Ｒ₀₁を有し、この読み出し層Ｒ₀₁が、Ｇｄ、Ｆ
ｅおよびＣｏを主成分とする非晶質合金から構成され、
メモリ層Ｍ₁と交換力で結合されているものである上記
（１）〜（９）のいずれかの光磁気記録媒体。（１１）読み出し層Ｒ₀₁が、Ｇｄを２３〜２７原子％含
有し、原子比［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］が０．６５〜
０．７５である上記（１０）の光磁気記録媒体。（１２）読み出し層Ｒ₀₁の厚さが５〜２０nmである上記
（１０）または（１１）の光磁気記録媒体。（１３）メモリ層Ｍ₁が非磁性元素を含有する上記
（１）〜（１２）のいずれかの光磁気記録媒体。（１４）メモリ層Ｍ₁が含有する非磁性元素がＣｒ、Ｔ
ｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｚｒ、ＮｂおよびＡｌの少な
くとも１種である上記（１３）の光磁気記録媒体。

【００１５】

【作用および効果】光変調オーバーライトが可能な光磁
気記録媒体では、高パワー記録に必要な記録パワーをで
きるだけ低くするために記録感度を向上させることと、
低パワー記録時のパワーマージンを広げることとの両者
を満足させることが要求される。

【００１６】本発明では、４層の磁性層を含む磁性積層
体を基体の表面側に有する光変調オーバーライトが可能
な光磁気記録媒体において、磁性積層体の表面側に、特
定の厚さの第２誘電体層と特定の厚さの放熱層とを設け
る。これにより、低パワー記録時の記録パワーマージン
を十分に拡大することが可能となり、しかも、高パワー
記録に必要とされる記録パワーを低くすることができる
ので、上記第１の目的を達成できる。

【００１７】これに対し上記特開平４−１０６７４４号
公報の実施例に記載された光磁気記録媒体では、誘電体
からなる保護層が本発明における第２誘電体層よりも薄
いため、記録時に磁性層の放熱がよくなりすぎて、記録
感度が低くなり、また、低パワー記録時の記録パワーマ
ージンが狭くなってしまう。また、上記特開平５−２３
４１５８号公報に記載された光磁気記録媒体では、断熱
層が本発明における第２誘電体層よりも厚いため、磁性
層の放熱が不十分となって低パワー記録時の記録パワー
マージンが狭くなってしまう。

【００１８】また、本発明では、磁性層の構成、特に記
録層Ｗ₂の組成を最適化することにより、Ｃ／Ｎの向
上、繰り返しオーバーライトによるＣ／Ｎ劣化の抑制、
保存信頼性向上、出力の向上などの効果が実現する。す
なわち、上記第２、第３、第４の目的を達成できる。

【００１９】本発明の記録層Ｗ₂に相当する磁性層の組
成を限定することにより特性向上を図った例としては、
上記特開平６−１２７１１号公報に記載された発明が挙
げられる。同公報記載の発明では、本発明における記録
層Ｗ₂に相当する第２磁性層について、希土類元素含有
率を２７原子％以下に限定している。同公報において第
２磁性層の希土類元素含有率を２７原子％以下に限定す
る理由は、補償温度を転写温度よりも低く設定し、転写
時に第１磁性層と第２磁性層との磁化方向を揃え、外部
磁界の影響を受けないようにするためである。

【００２０】しかし、希土類元素含有率が２７原子％以
下であると、補償温度から室温にかけて保磁力の減少が
小さくなるため、オーバーライト時に第２磁性層が第４
磁性層（本発明における初期化層Ｉ₄に相当）から受け
る交換力によって初期化されることが困難となって、オ
ーバーライトを行ったときにＣ／Ｎが著しく低くなって
しまうという問題が生じる。

【００２１】希土類−遷移元素合金の補償温度は、希土
類元素と遷移元素との比率に応じて決まるとされている
が、遷移元素としてＦｅおよびＣｏが含まれる場合、補
償温度およびその有無は原子比Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）に
も依存することがわかった。そこで本発明では、記録層
Ｗ₂について、希土類元素含有率を２９原子％以上胃限
定すると共に、Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）を所定の範囲に限
定した。これにより、希土類元素の含有率を２９原子％
以上としても補償温度を転写温度よりも低くできる。そ
して、この組成域では補償温度から室温にかけて保磁力
を大きく減少させることができるため、記録層Ｗ₂を初
期化層Ｉ₄によって容易に初期化することができ、高Ｃ
／Ｎを得ることができる。上記特開平６−１２７１１号
公報には、第２磁性層のＦｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）が本発明
範囲にあるものは記載されていない。

【００２２】なお、上記ＷＯ９０／０２４００には、本
発明の記録層Ｗ₂に相当する磁性層が希土類元素として
ＧｄおよびＤｙを含有し、これらの合計含有率が３０原
子％である光磁気記録担体が記載されている。しかし、
この磁性層では、Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）が本発明範囲を
上回っているため、本発明の効果は実現しない。

【００２３】

【発明の実施の形態】本発明の光磁気記録媒体の構成例
を図１〜図４にそれぞれ示す。

【００２４】図１の構成図１の光磁気記録媒体は、基体表面側に磁性積層体が設
けられている。この磁性積層体は、基体側から、メモリ
層Ｍ₁、記録層Ｗ₂、スイッチング層Ｓ₃および初期化層
Ｉ₄の４層の磁性層をこの順で含む。磁性積層体の裏面
側、すなわち、基体と磁性積層体との間には第１誘電体
層が設けられ、磁性積層体の表面側には第２誘電体層が
設けられ、第２誘電体層の表面側には放熱層が設けられ
ている。

【００２５】図１に示す磁性積層体を構成する各磁性層
は、希土類元素と遷移元素とを含有する非晶質合金から
構成され、室温において垂直磁気異方性を有し、隣接す
る磁性層は、互いに交換力で結合されている。

【００２６】次に説明する光変調オーバーライトを行う
ためには、メモリ層Ｍ₁のキュリー温度をＴｃ_M1、記録
層Ｗ₂のキュリー温度をＴｃ_W2、スイッチング層Ｓ₃のキ
ュリー温度をＴｃ_S3、初期化層Ｉ₄のキュリー温度をＴ
ｃ_I4としたとき、Ｔｃ_I4＞Ｔｃ_W2＞Ｔｃ_M1かつＴｃ_I4＞Ｔｃ_W2＞Ｔｃ_S3 であることが必要であり、さらに、Ｔｃ_I4＞Ｔｃ_W2＞Ｔｃ_M1＞Ｔｃ_S3 であることが好ましい。

【００２７】光変調オーバーライト図１の構成を有する光磁気記録媒体を用いた光変調オー
バーライトについて、図５〜図６を用いて説明する。な
お、両図では、Ｔｃ_I4＞Ｔｃ_W2＞Ｔｃ_M1＞Ｔｃ_S3 となっている。

【００２８】各図において、記録層Ｍ₁に上向きの磁化
をもつ磁区が記録されている状態を記録状態［０］と
し、下向きの磁化をもつ磁区が記録されている状態を記
録状態［１］とする。

【００２９】オーバーライトを行う媒体は、記録状態
［０］または記録状態［１］となっている。これにオー
バーライトを行って、当初の記録状態によらず記録状態
［１］とする場合の説明図が図５であり、当初の記録状
態によらず記録状態［０］とする場合の説明図が図６で
ある。

【００３０】なお、各図において、白抜き矢印は磁性層
全体の磁化の向きを表し、黒矢印は磁性層中の遷移元素
副格子の磁化の向きを表す。本発明では、記録層Ｗ₂は
室温より高い補償温度を有するため、記録状態［０］お
よび記録状態［１］のときには全体磁化の向きと遷移元
素副格子の磁化の向きとが逆になっている。一方、他の
磁性層は、図示例では補償温度をもたないか、補償温度
が室温未満であるものとしているので、両矢印の向きが
一致している。

【００３１】図５では、まず、レーザービームを照射
し、照射領域の磁性積層体の温度をＴｃ_W2以上Ｔｃ_I4未
満まで上昇させて、初期化層Ｉ₄以外の磁性層の磁化を
消滅させる。レーザービームが移動するにしたがって磁
性積層体の温度は低下し、温度がＴｃ_W2未満かつ記録層
Ｗ₂の補償温度より高い状態となると、図中下向きに印
加されているバイアス磁界Ｈｂによって記録層Ｗ₂が下
向きに磁化され、記録層Ｗ₂の遷移元素副格子の磁化は
下向きとなる。なお、バイアス磁界Ｈｂは、オーバーラ
イトの際には常に印加されているが、これはバイアス磁
界Ｈｂのオン・オフを避けるためである。さらに温度が
低下してＴｃ_M1未満かつ記録層Ｗ₂の補償温度より高い
状態となると、メモリ層Ｍ₁の遷移元素副格子の磁化の
向きは、記録層Ｗ₂との間の交換結合力によって下向き
となり、記録状態［１］となる。さらに温度が低下して
Ｔｃ_S3未満かつ記録層Ｗ₂の補償温度未満となると、ス
イッチング層Ｓ₃に磁化が生じ、初期化層Ｉ₄との間の交
換結合力によりスイッチング層Ｓ₃の遷移元素副格子の
磁化は上向きとなり、さらに、記録層Ｗ₂の遷移元素副
格子の磁化は、スイッチング層Ｓ₃との間の交換結合力
により反転して上向きとなる。このときメモリ層Ｍ₁の
磁化が反転しないように、この温度域ではメモリ層Ｍ₁
の保磁力が記録層Ｗ₂との間の交換結合力よりも支配的
となるように、各磁性層の特性を設定しておく。また、
このとき、スイッチング層Ｓ₃において交換結合力がバ
イアス磁界の影響を上回るように、各磁性層の特性を設
定しておく。

【００３２】図６では、図５よりも低パワーのレーザー
ビームを照射し、磁性積層体の温度をＴｃ_M1以上Ｔｃ_W2
未満まで上昇させて、メモリ層Ｍ₁の磁化とスイッチン
グ層Ｓ₃の磁化とを消滅させる。次いで、磁性積層体の
温度がＴｃ_M1未満となると、メモリ層Ｍ₁の遷移元素副
格子の磁化は記録層Ｗ₂との間の交換力によって上向き
となり、記録状態［０］となる。さらに温度が低下して
Ｔｃ_S3未満となると、スイッチング層Ｓ₃に磁化が生
じ、初期化層Ｉ₄との間の交換結合力および記録層Ｗ₂と
の間の交換結合力により、スイッチング層Ｓ₃には遷移
元素副格子の上向きの磁化が生じる。図６においても図
５と同様にバイアス磁界Ｈｂが常に印加されているが、
図６のオーバーライト過程ではバイアス磁界Ｈｂは影響
しない。

【００３３】図５の高パワー記録の場合でも、図６の低
パワー記録の場合でも、記録層Ｗ₂、スイッチング層Ｓ₃
および初期化層Ｉ₄それぞれの遷移元素副格子の磁化は
いずれも上向きとなり、オーバーライト前の状態に復帰
することになる。すなわち、記録状態を決定するメモリ
層Ｍ₁を除く記録層Ｗ₂、スイッチング層Ｓ₃および初期
化層Ｉ₄の磁化の向きは、履歴（オーバーライト）に左
右されないことになる。したがって、低パワーまたは高
パワーのレーザービームを照射することにより、繰り返
しオーバーライトが可能となる。すなわち、光変調オー
バーライトが可能となる。

【００３４】図５および図６からわかるように、各磁性
層の役割は次のようになる。メモリ層Ｍ₁は、カー効果
を利用して再生される情報を保持する磁性層である。記
録層Ｗ₂は、交換結合力によりメモリ層Ｍ₁を磁化する役
割をもち、メモリ層Ｍ₁の磁化方向を決定する磁性層で
ある。スイッチング層Ｓ₃は、高パワー記録時に、記録
層Ｗ₂と初期化層Ｉ₄との間の磁気的結合を遮断するため
に設けられる磁性層である。スイッチング層Ｓ₃が高パ
ワー記録時に非磁性化することにより、記録層Ｗ₂が初
期化層Ｉ₄の影響を受けずにバイアス磁界方向に磁化さ
れることになる。初期化層Ｉ₄は、常に一方向の磁化を
もち、記録層Ｗ₂を初期化するための磁性層である。

【００３５】なお、説明を簡単にするために、図５では
Ｔｃ_W2以上Ｔｃ_I4未満まで磁性積層体を昇温させるとし
たが、実際には、記録層Ｗ₂がバイアス磁界の方向に揃
うことが可能であれば、到達温度はＴｃ_W2未満であって
よい。また、図６ではＴｃ_M1以上Ｔｃ_W2未満まで磁性積
層体を昇温させるとしたが、実際には、記録層Ｗ₂の磁
化がメモリ層Ｍ₁に転写できれば、到達温度はＴｃ_M1未
満であってよい。

【００３６】また、図５および図６では、Ｔｃ_I4＞Ｔｃ_W2＞Ｔｃ_M1＞Ｔｃ_S3 としてあるが、上述したようにＴｃ_M1とＴｃ_S3との高低
は限定されない。すなわち、図５および図６と異なりＴｃ_S3＞Ｔｃ_M1 であってもよい。この場合、記録層Ｗ₂の磁化がメモリ
層Ｍ₁に転写されるまでの間、スイッチング層Ｓ₃と記録
層Ｗ₂との間の交換力が小さければ、スイッチング層Ｓ₃
に磁化が生じていても記録層Ｗ₂の磁化は反転しないの
で問題は生じない。そして、スイッチング層Ｓ₃が室温
付近に補償温度をもつ組成（補償温度組成）であれば、
さらに温度が下がったときにスイッチング層Ｓ₃の交換
エネルギーが増大するので、スイッチング層Ｓ₃との間
の交換力により記録層Ｗ₂の磁化が反転し（初期化さ
れ）、図５および図６と同様に履歴に左右されないオー
バーライトが可能となる。

【００３７】磁性積層体本発明では、上述した過程による光変調オーバーライト
が可能な光磁気記録媒体において、磁性積層体を以下の
ように構成する。

【００３８】メモリ層Ｍ₁ メモリ層Ｍ₁は、Ｔｂ、ＦｅおよびＣｏを主成分とす
る。メモリ層Ｍ₁のＴｂ含有率は、好ましくは２１〜２
５原子％、より好ましくは２１〜２３原子％である。Ｔ
ｂ含有率が低すぎても高すぎても、保磁力およびキュリ
ー温度が低くなりすぎる。メモリ層Ｍ₁における原子比
［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］は、好ましくは０．８５〜
０．９５、より好ましくは０．８８〜０．９２である。
この原子比が小さすぎるとキュリー温度が高くなりす
ぎ、この原子比が大きすぎるとキュリー温度が低くなり
すぎる。

【００３９】メモリ層Ｍ₁の厚さは、好ましくは１０〜
４０nm、より好ましくは１５〜３０nmである。メモリ層
Ｍ₁が薄すぎると、カー回転角に対する寄与が小さくな
りＣ／Ｎが低くなってしまう。また、記録層Ｗ₂との間
の交換力が大きくなりすぎてオーバーライトが困難にな
る。メモリ層Ｍ₁が厚すぎると、記録層Ｗ₂との間の交換
力が小さくなりすぎてオーバーライトが困難になる。

【００４０】メモリ層Ｍ₁は、非磁性元素を含有するこ
とが好ましい。非磁性元素の添加により出力が向上する
ので、Ｃ／Ｎを向上させることができる。非磁性元素の
種類は特に限定されず、例えば、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｖ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ａｌ等から選択される少なく
とも１種が好ましいが、耐食性向上とコストの点から、
少なくともＣｒを含むことが好ましく、Ｃｒだけを用い
ることがより好ましい。

【００４１】記録層Ｗ₂ 記録層Ｗ₂は、Ｄｙ、ＦｅおよびＣｏを主成分とする。
記録層Ｗ₂の希土類元素の含有率は、２９〜３５原子
％、好ましくは３０〜３３原子％である。希土類元素の
含有率が低すぎると、高パワー記録の際に記録層Ｗ₂の
初期化が困難になるため、オーバーライトによりＣ／Ｎ
が著しく低くなってしまう。一方、希土類元素の含有率
が高すぎると、記録層Ｗ₂が補償温度をもたなくなるた
め、Ｃ／Ｎが著しく低くなり、オーバーライトによりさ
らにＣ／Ｎが低下する。

【００４２】記録層Ｗ₂における原子比［Ｆｅ／（Ｆｅ
＋Ｃｏ）］は、０．４０〜０．５８、好ましくは０．４
５〜０．５５である。この原子比が小さすぎると、Ｃ／
Ｎが低くなり、この原子比が大きすぎると、オーバーラ
イトによりＣ／Ｎが著しく低下してしまう。

【００４３】記録層Ｗ₂は、室温より高く、メモリ層Ｍ₁
へ磁化が転写される温度より低い温度域に補償温度をも
つ。記録層Ｗ₂の補償温度は、好ましくは１００〜１６
０℃である。

【００４４】記録層Ｗ₂の厚さは、好ましくは１５〜４
０nm、より好ましくは２０〜３５nmである。記録層Ｗ₂
が薄すぎると、メモリ層Ｍ₁との間の交換力が大きくな
りすぎてオーバーライトが困難になる。記録層Ｗ₂が厚
すぎると、初期化層Ｉ₄との間の交換力が小さくなりす
ぎて、記録層Ｗ₂の初期化が困難になる。

【００４５】スイッチング層Ｓ₃ スイッチング層Ｓ₃は、ＴｂおよびＦｅを主成分とす
る。スイッチング層Ｓ₃のＴｂの含有率は、好ましくは
２３〜２９原子％、より好ましくは２４〜２７原子％で
ある。Ｔｂ含有率が低すぎても高すぎても、キュリー温
度の低下と飽和磁化の上昇とにより交換結合が弱くなっ
てしまう。

【００４６】スイッチング層Ｓ₃の厚さは、好ましくは
５〜１５nm、より好ましくは８〜１２nmである。スイッ
チング層Ｓ₃が薄すぎると、記録層Ｗ₂と初期化層Ｉ₄と
の間の交換力の遮断が不十分になる。スイッチング層Ｓ
₃が厚すぎると、記録層Ｗ₂との間の交換力および初期化
層Ｉ₄との間の交換力が小さくなりすぎて、記録層Ｗ₂の
初期化が困難になる。

【００４７】初期化層Ｉ₄ 初期化層Ｉ₄は、ＴｂおよびＣｏを主成分とする。初期
化層Ｉ₄のＴｂ含有率は、好ましくは２１〜２８原子
％、より好ましくは２３〜２７原子％である。

【００４８】初期化層Ｉ₄の厚さは、好ましくは１５〜
５０nm、より好ましくは１８〜４５nmである。初期化層
Ｉ₄が薄すぎると、記録層Ｗ₂との間の交換力が大きくな
りすぎてスピンが反転しやすくなり、初期化層Ｉ₄の磁
化を一方向に保つことが難しくなる。初期化層Ｉ₄が厚
くても特に問題はないが、成膜コストが高くなるため、
５０nmを超える厚さとする必要はない。

【００４９】図２の構成図２に、本発明の光磁気記録媒体の他の構成例を示す。
図２の光磁気記録媒体は、メモリ層Ｍ₁と記録層Ｗ₂との
間に、両磁性層に接して交換力制御層Ｃ₁₂を有するほか
は、図１の光磁気記録媒体と同様な構成である。

【００５０】交換力制御層Ｃ₁₂ 交換力制御層Ｃ₁₂は、希土類元素と遷移元素とを含有す
る非晶質合金から構成される。

【００５１】交換力制御層Ｃ₁₂は、メモリ層Ｍ₁と記録
層Ｗ₂との間の交換力を制御するために設けられ、この
効果をもつものであれば構成は特に限定されないが、例
えば次に挙げるものが好ましい。

【００５２】（１）希土類元素と遷移元素とを含み、室
温において磁化容易軸が面内方向を向いており、１００
℃以上かつ交換力制御層Ｃ₁₂のキュリー温度までの範囲
に、磁化容易軸が垂直を向く温度が存在するもの、
（２）誘電体、例えば窒化ケイ素や窒化アルミニウム等
の各種窒化物、酸化ケイ素等の各種酸化物など、（３）
希土類元素と遷移元素とを含み、酸素や窒素等の反応性
ガスを用いた反応性スパッタにより形成したもの、
（４）非磁性金属から構成されるもの、（５）磁化容易
軸が面内方向を向いているもの

【００５３】これらのうちでは、特に（１）が好まし
い。（１）の交換力制御層Ｃ₁₂は、その補償温度付近に
おいて磁化容易軸の向きが変わる。図５および図６にお
いて記録層Ｗ₂からメモリ層Ｍ₁に交換力によって磁化が
転写される際には、交換力制御層Ｃ₁₂の磁化容易軸は垂
直方向を向いているため、磁化の転写が容易に行われ
る。次いで、スイッチング層Ｓ₃を介して初期化層Ｉ₄に
より記録層Ｗ₂の磁化を反転させる（初期化する）際に
は、交換力制御層Ｃ₁₂の磁化容易軸は面内方向を向いて
いるため、メモリ層Ｍ₁と記録層Ｗ₂との間の交換力を遮
断することができ、メモリ層Ｍ₁の磁化状態の変化を防
ぐことができる。

【００５４】また、上記（１）以外の交換力制御層Ｃ₁₂
は、基本的に記録層Ｗ₂とメモリ層Ｍ₁との間の交換力を
減少させる効果をもつ。したがって、このような交換力
制御層Ｃ₁₂を設けることにより、記録層Ｗ₂の磁化を反
転させる（初期化する）際にメモリ層Ｍ₁への影響を防
ぐことができる。

【００５５】交換力制御層Ｃ₁₂が希土類元素および遷移
元素から構成される場合、特に上記（１）の場合には、
Ｇｄ、ＦｅおよびＣｏを主成分とすることが好ましく、
Ｇｄ含有率が、２３〜３２原子％、特に２４〜３０原子
％であることが好ましい。Ｇｄ含有率が低すぎると、磁
化容易軸が垂直を向いたときに他の磁性層との間の交換
力が強くなりすぎてオーバーライトが困難になる。Ｇｄ
含有率が高すぎると、磁化容易軸が垂直を向いたときに
他の磁性層との間の交換力が弱くなりすぎて好ましくな
い。また、（１）の場合の原子比［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃ
ｏ）］は、好ましくは０．４０〜０．８０、より好まし
くは０．５０〜０．６０である。この原子比が小さすぎ
ると、磁化容易軸が垂直を向いたときの交換力が低くな
りすぎ、この原子比が大きすぎると、キュリー温度が低
くなりすぎる。

【００５６】交換力制御層Ｃ₁₂の厚さは、好ましくは５
〜３０nm、より好ましくは８〜２０nmである。交換力制
御層Ｃ₁₂が薄すぎると、上述した作用による交換力の制
御が難しくなり、厚すぎると、他の磁性層との間の交換
力が弱くなりすぎる。

【００５７】図３の構成図３に、本発明の光磁気記録媒体の他の構成例を示す。
図３に示す光磁気記録媒体は、基体とメモリ層Ｍ₁との
間に、メモリ層Ｍ₁に接して読み出し層Ｒ₀₁を有するほ
かは、図１に示す光磁気記録媒体と同様な構成である。

【００５８】読み出し層Ｒ₀₁ 読み出し層Ｒ₀₁は、メモリ層Ｍ₁と交換力で結合されて
おり、Ｃ／Ｎを向上するために設けられる。

【００５９】読み出し層Ｒ₀₁は、Ｇｄ、ＦｅおよびＣｏ
を主成分とする非晶質合金から構成されることが好まし
い。読み出し層Ｒ₀₁のＧｄ含有率は、好ましくは２３〜
２７原子％、より好ましくは２４〜２６原子％である。
Ｇｄ含有率が低すぎても高すぎても、キュリー温度低下
によりＣ／Ｎが低くなってしまう。読み出し層Ｒ₀₁にお
ける原子比［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］は、好ましくは
０．６５〜０．７５、より好ましくは０．６８〜０．７
３である。この原子比が小さすぎると、カー効果の減少
によりＣ／Ｎが低くなってしまい、この原子比が大きす
ぎると、キュリー温度低下によりＣ／Ｎが低くなってし
まう。

【００６０】読み出し層Ｒ₀₁の厚さは、好ましくは５〜
２０nm、より好ましくは１０〜１５nmである。読み出し
層Ｒ₀₁が薄すぎるとＣ／Ｎ向上が不十分となり、厚すぎ
るとメモリ層Ｍ₁の保磁力が低下してオーバーライト特
性が不安定になってしまう。

【００６１】図４の構成図４に示す光磁気記録媒体は、上記した交換力制御層Ｃ
₁₂と読み出し層Ｒ₀₁とを有するほかは、図１に示す光磁
気記録媒体と同様な構成である。このように交換力制御
層Ｃ₁₂と読み出し層Ｒ₀₁との両方を設けた場合には、こ
れら各磁性層を設けることによる効果が共に実現する。

【００６２】上記各磁性層は、主成分として挙げたもの
以外の希土類元素を含んでいてもよい。なお、本明細書
において希土類元素とは、Ｙ、Ｓｃおよびランタニド元
素である。また、上記各磁性層は、主成分として挙げた
もの以外の遷移元素を含んでいてもよい。

【００６３】なお、上記した各構成において、磁性積層
体の厚さは１５０nmを超えないことが好ましい。磁性積
層体の厚さが１５０nmを超えると、高い記録感度を得る
ことが難しくなる。

【００６４】基体光磁気記録媒体に対し記録および再生を行うときには、
基体の裏面側（メモリ層Ｍ₁側）からレーザー光が照射
される。このため、基体はレーザー光（波長４００〜９
００nm程度）に対し透明性を有することが好ましい。具
体的には、ポリカーボネート、アクリル樹脂、非晶質ポ
リオレフィン、スチレン系樹脂等の透明樹脂や、ガラス
などを用いればよい。

【００６５】第１、第２誘電体層第１および第２誘電体層は、Ｃ／Ｎの向上および磁性層
の腐食の防止を目的として設けられる。また、放熱層を
設ける場合には、第２誘電体層は、記録時に生じる記録
層の熱を蓄えると共に放熱層に伝達する役割をもつ。

【００６６】第２誘電体層の厚さは特に限定されず、通
常、５〜１００nmとすればよいが、前記した第１の目的
を達成するためには、１３〜３０nmとする。第２誘電体
層が薄すぎると、磁性積層体から放熱層へ熱が伝達され
やすくなるため、記録感度が低くなってしまう。このた
め、高パワー記録に要する記録パワーが高くなりすぎ、
また、低パワー記録に要する記録パワーも上昇するので
低パワー記録時の記録パワーマージンが狭くなってしま
う。一方、第２誘電体層が厚すぎると、磁性積層体から
放熱層へ熱が伝達されにくくなるため、低パワー記録時
の記録パワーマージンが狭くなってしまう。

【００６７】第１誘電体層の厚さは特に限定されない
が、通常、３０〜１００nmとすることが好ましい。

【００６８】各誘電体層は、酸化物や窒化物、これらの
混合物など、例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒化ア
ルミニウム、ＳｉＡｌＯＮ等から構成すればよいが、第
２誘電体層を窒化ケイ素、具体的にはＳｉ_xＮ_1-x（ｘ＝
０．３５〜０．５５）から構成したときに、上記した第
２誘電体層の厚さ限定は特に有効である。

【００６９】放熱層放熱層は、記録時に磁性積層体からの熱を放散する作用
をもち、必要に応じて設けられるが、前記した第１の目
的を達成するためには必須である。放熱層の厚さは特に
限定されず、通常、２０〜８０nmとすればよいが、前記
した第１の目的を達成するためには、３０〜６０nm、好
ましくは３０〜５０nmとする。放熱層が薄すぎると、熱
の放散が不十分となって記録層に熱がたまってしまい、
低パワー記録時の記録パワーマージンが狭くなってしま
う。一方、放熱層が厚すぎると、熱が放散しすぎるため
記録感度が低くなってしまう。このため、高パワー記録
に要する記録パワーが高くなりすぎ、また、低パワー記
録に要する記録パワーも上昇するので低パワー記録時の
記録パワーマージンが狭くなってしまう。

【００７０】放熱層は、金属（合金を含む）から構成さ
れる。放熱層構成材料は、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕや、
これらの少なくとも１種を含有する合金、あるいはこれ
らにＮｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｃｏなどの添加元素を適
量加えた材料で構成することが好ましい。特にＡｌ−Ｎ
ｉ合金（Ｎｉ含有量３〜１０重量％）から構成したとき
に、上記した厚さ限定は特に有効である。

【００７１】保護層放熱層表面には、紫外線硬化型樹脂等の樹脂から構成さ
れる保護層を設けることが好ましい。保護層の厚さは、
好ましくは１〜３０μmである。なお、基体の裏面側に
も同様な保護層を設けてもよい。

【００７２】

【実施例】実施例１基体として、外径１２０mm、厚さ１．２mmのディスク状
ポリカーボネート（トラックピッチ１．１μm）を用
い、第２誘電体層および放熱層の厚さを表２に示すもの
として、以下の手順で図１の構成の光磁気記録ディスク
サンプルを作製した。

【００７３】第１誘電体層Ａｒ＋Ｎ₂雰囲気中において、Ｓｉをターゲットとして
スパッタ法により窒化ケイ素（Ｓｉ₃Ｎ₄）膜を形成し、
第１誘電体層とした。厚さは６０nmとした。

【００７４】磁性積層体の各磁性層Ａｒ雰囲気中において、スパッタ法により形成した。

【００７５】第２誘電体層第１誘電体層と同様にして形成した。

【００７６】放熱層Ａｒ雰囲気中において、Ａｌ−Ｎｉ合金（Ｎｉ含有量６
重量％）をターゲットとしてスパッタ法により形成し
た。

【００７７】保護層紫外線硬化型樹脂をスピンコート法により塗布し、紫外
線照射により硬化して形成した。厚さは約５μmとし
た。

【００７８】各磁性層の組成、厚さおよびキュリー温度
（Ｔｃ）を、表１に示す。また、補償温度を有するもの
については補償温度（Ｔcomp）を表１に示す。なお、磁
性層の組成は、後述する特性評価後にオージェ分析装置
により測定した。また、磁性層の厚さは、スパッタレー
トとスパッタ時間とから算出した。スパッタレートは、
実際の成膜の際の条件と同じ条件で長時間スパッタを行
って厚い膜を形成し、実測により求めた膜厚とスパッタ
時間とから算出した。

【００７９】

【表１】

【００８０】特性評価各サンプルについて、光ディスク評価装置を用いて記録
パワーマージンを測定した。測定条件は以下のとおりと
した。

【００８１】レーザー波長：６８０nm、開口率ＮＡ：０．５５、再生パワー：１．５mW、バイアス磁界：３００Oe、相対線速度：７．４m/s、記録パターン：パルス分割法［２０ns（オン）、１５２
ns（オフ）］

【００８２】記録パワーマージンは、４５dB以上のＣ／
Ｎが得られた範囲とした。低パワー記録時に４５dB以上
のＣ／Ｎが得られた記録パワーＰ_Lの範囲および高パワ
ー記録時に４５dB以上のＣ／Ｎが得られた記録パワーＰ
_Hの範囲を、表２に示す。

【００８３】

【表２】

【００８４】表２から、本発明の効果が明らかである。
すなわち、第２誘電体層の厚さおよび放熱層の厚さが本
発明範囲内であるものは、低パワー記録時の記録パワー
マージンが広く、しかも、高パワー記録時に比較的低い
パワーでの記録が可能となっている。これに対し、第２
誘電体層が薄すぎるサンプルNo.１０３および放熱層の
厚さが本発明範囲を上回るサンプルNo.１０６では、低
パワー記録時の記録パワーマージンが狭く、高パワー記
録に必要な記録パワーも大きくなってしまっている。ま
た、第２誘電体層の厚さが本発明範囲を上回るサンプル
No.１０４では、低パワー記録時の記録パワーマージン
が狭い。また、放熱層の厚さが本発明範囲を下回るサン
プルNo.１０５では、４５dB以上のＣ／Ｎが得られてい
ない。

【００８５】なお、表２に示すサンプルのうち本発明範
囲内のものは、オーバーライト１万回後も４５dB以上の
Ｃ／Ｎが得られた。

【００８６】実施例２次に、記録層Ｗ₂のＤｙ含有率および原子比［Ｆｅ／
（Ｆｅ＋Ｃｏ）］を表３に示すものとしたほかはサンプ
ルNo.１０１と同様にして、光磁気記録ディスクサンプ
ルを作製した。各サンプルの記録層Ｗ₂のキュリー温度
（Ｔｃ_W2）および補償温度（Ｔcomp_W2）を、表３に示
す。各サンプルの記録層Ｗ₂の組成は、オージェ分析に
より測定した。なお、記録層Ｗ₂の組成は、ターゲット
上にＤｙ、Ｆｅ、Ｃｏのチップを貼ることにより調整し
た。

【００８７】特性評価各サンプルについて、光ディスク評価装置を用いて特性
評価を行った。測定条件は以下のとおりとした。

【００８８】レーザー波長：６８０nm、開口率ＮＡ：０．５５、記録パワー：高パワー記録時１３mW、低パワー記録時４
mW、再生パワー：１．５mW、バイアス磁界：３００Oe、相対線速度：７．４m/s、記録パターン：パルス分割法［２０ns（オン）、１５２
ns（オフ）］

【００８９】この測定により得られた初期Ｃ／Ｎと、オ
ーバーライト１万回後のＣ／Ｎとを、表３に示す。

【００９０】

【表３】

【００９１】表３から、本発明の効果が明らかである。
すなわち、表３の各サンプルは、記録層Ｗ₂のＤｙ含有
率および原子比［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］が前記した限
定範囲内にあるので、初期Ｃ／Ｎおよびオーバーライト
後のＣ／Ｎが共に良好である。なお、Ｄｙ含有率および
原子比［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］が前記した限定範囲を
外れるサンプルを作製して同様な測定を行ったところ、
初期Ｃ／Ｎの低下や繰り返しオーバーライトによるＣ／
Ｎの低下が認められた。

【００９２】実施例３図４に示す構成の光磁気記録ディスクサンプルNo.３０
１を作製した。

【００９３】各磁性層の組成、厚さおよびキュリー温度
（Ｔｃ）を、表４に示す。また、補償温度を有するもの
については、補償温度(Ｔcomp)を表４に示す。なお、交
換力制御層Ｃ₁₂は、その補償温度付近より低温側では磁
化容易軸が面内方向であり、高温側では磁化容易軸が垂
直を向くものである。

【００９４】

【表４】

【００９５】比較のために、メモリ層Ｍ₁の組成（原子
比）をＴｂ₂₃Ｆｅ₆₉Ｃｏ₈として、すなわちメモリ層Ｍ₁
にＣｒを添加せず、そのほかはサンプルNo.３０１と同
様にしてサンプルNo.３０２を作製した。

【００９６】これらのサンプルについて、Ｃ／Ｎを測定
した。結果を表５に示す。また、表５に、各サンプルの
メモリ層Ｍ₁の飽和磁化Ｍｓを示す。なお、Ｍｓは、メ
モリ層Ｍ₁だけを形成した測定用サンプルを作製し、こ
れをＶＳＭにより測定することにより求めた。

【００９７】

【表５】

【００９８】表５から、メモリ層Ｍ₁にＣｒを添加する
ことにより、Ｃ／Ｎが向上することがわかる。このＣ／
Ｎ向上は、出力の向上に起因するものである。

【００９９】以上の各実施例の結果から、本発明の効果
が明らかである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光磁気記録媒体の構成例を示す模式図
である。

【図２】本発明の光磁気記録媒体の構成例を示す模式図
である。

【図３】本発明の光磁気記録媒体の構成例を示す模式図
である。

【図４】本発明の光磁気記録媒体の構成例を示す模式図
である。

【図５】本発明の光磁気記録媒体にオーバーライトを行
うときの説明図である。

【図６】本発明の光磁気記録媒体にオーバーライトを行
うときの説明図である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体表面側に磁性積層体を有し、この磁
性積層体が、基体側から、メモリ層Ｍ₁、記録層Ｗ₂、ス
イッチング層Ｓ₃および初期化層Ｉ₄の４層の磁性層をこ
の順で含み、各磁性層がそれぞれ希土類元素と遷移元素
とを含有し、かつ、室温において垂直磁気異方性を有す
るものであり、隣接する磁性層が互いに交換力で結合さ
れており、メモリ層Ｍ₁のキュリー温度をＴｃ_M1、記録層Ｗ₂のキュ
リー温度をＴｃ_W2、スイッチング層Ｓ₃のキュリー温度
をＴｃ_S3、初期化層Ｉ₄のキュリー温度をＴｃ_I4とした
とき、Ｔｃ_I4＞Ｔｃ_W2＞Ｔｃ_M1かつＴｃ_I4＞Ｔｃ_W2＞Ｔｃ_S3 であり、磁性積層体の裏面側に第１誘電体層を有し、磁性積層体
の表面側に第２誘電体層と放熱層とをこの順で有し、放
熱層が金属から構成されており、第２誘電体層の厚さが
１３〜３０nmであり、放熱層の厚さが３０〜６０nmであ
り、光強度変調方式によるダイレクト・オーバーライトが可
能である光磁気記録媒体。
【請求項２】記録層Ｗ₂が、Ｄｙ、ＦｅおよびＣｏを
主成分とし、希土類元素を２９〜３５原子％含有し、原
子比［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］が０．４０〜０．５８で
ある請求項１の光磁気記録媒体。
【請求項３】メモリ層Ｍ₁が、Ｔｂ、ＦｅおよびＣｏ
を主成分とし、Ｔｂを２１〜２５原子％含有し、原子比
［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］が０．８５〜０．９５であ
り、スイッチング層Ｓ₃が、ＴｂおよびＦｅを主成分とし、
Ｔｂを２３〜２９原子％含有し、初期化層Ｉ₄が、ＴｂおよびＣｏを主成分とし、Ｔｂを
２１〜２８原子％含有する請求項１または２の光磁気記
録媒体。
【請求項４】メモリ層Ｍ₁の厚さが１０〜４０nmであ
り、記録層Ｗ₂の厚さが１５〜４０nmであり、スイッチ
ング層Ｓ₃の厚さが５〜１５nmであり、初期化層Ｉ₄の厚
さが１５〜５０nmである請求項１〜３のいずれかの光磁
気記録媒体。
【請求項５】メモリ層Ｍ₁と記録層Ｗ₂との間に、交換
力制御層Ｃ₁₂を有する請求項１〜４のいずれかの光磁気
記録媒体。
【請求項６】交換力制御層Ｃ₁₂が、希土類元素と遷移
元素とを含有する非晶質合金から構成される磁性層であ
る請求項５の光磁気記録媒体。
【請求項７】室温において交換力制御層Ｃ₁₂の磁化容
易軸が面内方向を向いており、１００℃以上かつ交換力
制御層Ｃ₁₂のキュリー温度までの範囲に、交換力制御層
Ｃ₁₂の磁化容易軸が垂直に向く温度が存在する請求項６
の光磁気記録媒体。
【請求項８】交換力制御層Ｃ₁₂が、Ｇｄ、Ｆｅおよび
Ｃｏを主成分とし、Ｇｄを２３〜３２原子％含有し、原
子比［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］が０．４０〜０．８０で
ある請求項６または７の光磁気記録媒体。
【請求項９】交換力制御層Ｃ₁₂の厚さが５〜３０nmで
ある請求項５〜８のいずれかの光磁気記録媒体。
【請求項１０】基体とメモリ層Ｍ₁との間に、磁性層
である読み出し層Ｒ₀ ₁を有し、この読み出し層Ｒ₀₁が、
Ｇｄ、ＦｅおよびＣｏを主成分とする非晶質合金から構
成され、メモリ層Ｍ₁と交換力で結合されているもので
ある請求項１〜９のいずれかの光磁気記録媒体。
【請求項１１】読み出し層Ｒ₀₁が、Ｇｄを２３〜２７
原子％含有し、原子比［Ｆｅ／（Ｆｅ＋Ｃｏ）］が０．
６５〜０．７５である請求項１０の光磁気記録媒体。
【請求項１２】読み出し層Ｒ₀₁の厚さが５〜２０nmで
ある請求項１０または１１の光磁気記録媒体。
【請求項１３】メモリ層Ｍ₁が非磁性元素を含有する
請求項１〜１２のいずれかの光磁気記録媒体。
【請求項１４】メモリ層Ｍ₁が含有する非磁性元素が
Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｚｒ、ＮｂおよびＡ
ｌの少なくとも１種である請求項１３の光磁気記録媒
体。