JPH10312735A5 - - Google Patents

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP4750920B2 (ja) * 2000-03-24 2011-08-17 住友電気工業株式会社 電子放出素子
US6607673B2 (en) 2000-05-17 2003-08-19 The University Of Tokyo Method for manufacturing a diamond cylinder array having dents therein
JP3385364B2 (ja) * 2000-05-17 2003-03-10 東京大学長 凹部を有するダイヤモンドシリンダ配列体の製造方法
JP4792625B2 (ja) 2000-08-31 2011-10-12 住友電気工業株式会社 電子放出素子の製造方法及び電子デバイス
JP2002226290A (ja) * 2000-11-29 2002-08-14 Japan Fine Ceramics Center ダイヤモンド加工体の製造方法、及び、ダイヤモンド加工体
JP4792639B2 (ja) * 2001-02-14 2011-10-12 住友電気工業株式会社 窓材、光学用窓、および窓材の製造方法
JP4374823B2 (ja) * 2002-03-22 2009-12-02 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド単結晶の製造方法およびダイヤモンド単結晶基板の製造方法
TW200414309A (en) 2002-06-18 2004-08-01 Sumitomo Electric Industries N-type semiconductor diamond producing method and semiconductor diamond
JP4646484B2 (ja) * 2002-07-31 2011-03-09 株式会社神戸製鋼所 ダイヤモンドの製造方法
US7323812B2 (en) 2003-09-30 2008-01-29 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Process for producing diamond electron emission element and electron emission element
JP5082186B2 (ja) * 2004-03-29 2012-11-28 住友電気工業株式会社 炭素系材料突起の形成方法及び炭素系材料突起
JP4596451B2 (ja) * 2004-04-19 2010-12-08 住友電気工業株式会社 突起構造の形成方法、突起構造、および電子放出素子
EP1892740B1 (de) 2005-06-17 2011-10-05 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Diamantenelektronen-emissionskathode, elektronenemissionsquelle, elektronenmikroskop und elektronenstrahlbelichtungsvorrichtung
JP2008021535A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Sumitomo Electric Ind Ltd 電子放射源
JP4375495B2 (ja) * 2009-02-13 2009-12-02 住友電気工業株式会社 ダイヤモンド単結晶基板およびダイヤモンド単結晶の製造方法
JP2018008831A (ja) * 2016-07-11 2018-01-18 並木精密宝石株式会社 ダイヤモンド単結晶体及び文字、図形、記号

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