JPH10312943A - 温度制御装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】熱交換効率のよい温度制御によってウェハなど
の被温度制御対象物を速やかに所望の温度に制御する。 【解決手段】温度制御対象物を支持する支持プレート
２，３と、この支持プレート２，３の下部にその上部壁
面５が当接するように設けられた温度制御室４と、この
温度制御室４の上部内壁面に対して流体を噴出する複数
の流体噴出孔６と、これら流体噴出孔６に対し所定の温
度に調整された流体を供給する流体供給手段９，１０，
１１と、前記複数の流体噴出孔６から噴出された流体を
前記温度制御室から排出する流体排出手段１３，１４
と、 前記温度制御室４の上部内壁面５を光エネルギー
を用いて加熱する光加熱方式のヒータ手段２０とを備え
るようにしたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ウェハなどの温
度制御対象物を温度制御する温度制御装置に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】半導体
製造工程には、ウェハに塗布したレジスト膜に残存する
溶剤を取り除くための加熱工程（プリベーキング）や、
エッチング前にレジストと基板との密着を容易にするた
めの加熱工程（ポストベーキング）や、加熱したウェハ
を室温レベルに冷却するクーリング工程などが含まれて
おり、これらの工程の際にウェハをより効率よくかつ高
精度に温度制御することがスループットを上げる上で重
要であり、従来より各種の温度制御が採用されている。

【０００３】この種の従来技術として、特開昭６２−４
５１２１号公報がある。この従来技術は、ウェハを所定
のパターンにマスクするフォトレジストを除去するフォ
トレジスト除去装置に採用されるもので、ウェハを載置
するサセプタの下にヒータを装着してウェハを加熱可能
にすると共に、これらウェハの上方に紫外線ランプが配
設する。さらに、紫外線ランプの上方に、多数の酸素ガ
ス噴出孔が形成された回転可能なディスパージョンヘッ
ドを設け、酸素ガスをウェハの上方からシャワー状に供
給する。

【０００４】すなわち、この従来技術では、シャワー状
に供給した酸素ガスを紫外線ランプによって励起してオ
ゾンを発生させ、このオゾンガスによってウェハ表面の
フォトレジストをウェハの表面から離脱させ、排気ノズ
ルを通じて外部に排気するようにしている。

【０００５】しかし、この従来技術では、ウェハの温度
制御はウェハ載置台（サセプタ）に設けたヒータのみに
よってしか行っていないために、ウェハ温度を冷却する
際には、自然放熱に頼るしかなく、ウェハを所定の温度
に制御するためには、精度及び速度的に問題がある。

【０００６】また、他の従来技術として、特開昭６２−
１６９３３０号公報に示されるものがある。この従来技
術は、半導体露光装置において、ウェハ上にフォトマス
クパターンを転写するに当たってのウェハまたはマスク
の温度制御に関するもので、ウェハ支持台（ウェハチャ
ック）の下部に画成した室にヒータおよび温度検出のた
めの白金温度抵抗体を設けるとともに、上記ウェハ支持
台の下部に画成した室に冷却用エアを循環させるように
している。この従来構成によれば、加熱はヒータによっ
て行い、冷却は冷却エアを流す事によって行うようにし
ており、余熱をもつヒータ及びウェハ支持台の両方を冷
却エアによって冷却する事ができる。

【０００７】しかし、この従来技術では、冷却処理をウ
ェハ支持台の下部に画成した室に冷却用エアを循環させ
ることによって行い、加熱処理はヒータによって行うよ
うにしているので、加熱冷却共に熱交換効率が悪く、ウ
ェハを所定の温度に達するまでに時間がかかるという問
題がある。

【０００８】また、他の従来技術として、特開平５−２
１３０８号公報に示されたものがある。この従来技術は
Ｘ線露光装置におけるウェハ温度制御装置に関するもの
で、ウェハ支持台（吸着ブロック）の下に複数のペルチ
ェ素子、ヒートパイプ、冷却ブロックを順次積層し、ヒ
ートパイプによって熱の拡散を速やかに行いつつペルチ
ェ素子によって温度制御を行うようにしている。

【０００９】しかしこの従来技術では、基本的にはペル
チェ素子による温度制御であるため、制御可能な温度範
囲に限りがあり、また熱交換効率や耐久性も悪いため、
制御する温度範囲が広い場合に、ウェハを所望の温度に
達するまでに時間がかかり、またペルチェ素子の寿命が
短いという問題がある。

【００１０】この発明はこのような実情に鑑みてなされ
たもので、熱交換効率のよい温度制御によってウェハな
どの被温度制御対象物を速やかにかつ正確に所望の温度
に制御する温度制御装置を提供することを目的とする。

【００１１】また、この発明は、広い温度範囲の中で複
数の異なる温度制御の目標値があってこれら複数の異な
る目標値間を周期的に移動させるような温度制御におい
て、被温度制御対象物を速やかに且つ正確に前記複数の
目標値に制御することができる温度制御装置を提供する
ことを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段及び作用効果】この発明で
は、温度制御対象物を支持する支持プレートと、この支
持プレートの下部にその上部壁面が当接するように設け
られた温度制御室と、この温度制御室の上部内壁面に対
して流体を噴出する複数の流体噴出孔と、これら流体噴
出孔に対し所定の温度に調整された流体を供給する流体
供給手段と、前記複数の流体噴出孔から噴出された流体
を前記温度制御室から排出する流体排出手段と、前記温
度制御室の上部内壁面を光エネルギーを用いて加熱する
光加熱方式のヒータ手段とを備えるようにしたことを特
徴とする。

【００１３】係る発明によれば、温度制御対象物を支持
する支持プレートの下部に配した流体噴出室の上部内壁
面に対して所定の温度に調整された流体を噴出するよう
にして、温度制御対象物を温度制御するとともに、近赤
外光域または可視光域の光エネルギーを用いた光加熱方
式のヒータ手段によって前記流体噴出室の上部内壁面を
非接触で加熱するようにする。すなわち、前記支持プレ
ートを介して温度制御対象物と前記流体噴出室の上部壁
面との間で熱交換を行うことで、温度制御対象物を温度
制御するようにしている。

【００１４】したがってこの発明によれば、従来に比べ
熱交換効率を上げる事ができ、温度制御対象物を速やか
に所望の温度に制御することができるようになる。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下この発明の実施例を添付図面
に従って詳細に説明する。

【００１６】半導体製造工程において、レジスト膜は、
通常次のようなプロセスを経て成膜される。

【００１７】(1)ウェハ洗浄 (2)レジストコーティング (3)プリベーク＋クーリング (4)露光 (5)現像 (6)リンス (7)ポストベーク＋クーリング (8)エッチング ここで、上記プリベーク工程では、ベーキング温度は９
０゜Ｃ〜２００゜Ｃに設定され（プロセスによって異な
る）、またこのプリベーク工程の次に行われるクーリン
グ工程ではその目標温度は例えば２０゜Ｃ程度の室温温
度に設定される。

【００１８】また、上記ポストベーク工程では、ベーキ
ング温度は１００゜Ｃ〜２５０゜Ｃに設定され（プロセ
スによって異なる）、またこのポストベーク工程の次に
行われるクーリング工程ではその目標温度は例えば２０
゜Ｃ程度の室温温度に設定される。

【００１９】上記プリベーク工程の次工程は露光であ
り、また上記ポストベーク工程の次工程はエッチングで
あるので、これらの工程にすぐに移行できるようにする
ためには、ウァハの温度分布にかなり厳しい条件が要求
される。

【００２０】以下に示す実施例の温度制御装置は、上記
プリベーク＋クーリング工程またはポストベーク＋クー
リング工程に用いられるもので、最初にウェハを高温に
加熱し（ベーキング工程）、その後このウェハを室温程
度まで冷却する（クーリング工程）というサイクルをウ
ァハ単位に数１０秒間隔で繰り返す。すなわち、この場
合は、加熱の際の目標温度と冷却の際の目標温度という
２つの目標温度をもっており、加熱冷却が交互に繰り返
されることになる。

【００２１】図１〜図３にこの発明の実施例を示す。

【００２２】図１において、ウェハ１は、放吸熱プレー
ト２によって支持されている。放吸熱プレート２は熱伝
導率の高い材質（アルミニウムや銅）で構成されてお
り、ウェハ１との熱交換がウェハ１の全面に亘って均一
に行われるために設けられている。放吸熱プレート２の
下にはヒートパネル３が設けられている。このヒートパ
ネル３は、内部に熱伝導率の良い作動液を封じ込めた複
数の連通した空間が形成されたもので、温度制御室４の
天井面５とウェハ１との熱伝達を向上させると放吸熱プ
レート２およびウェハ１の温度分布を均一にする為に設
けられている。

【００２３】温度制御室４の天井を構成する上部壁面５
のヒートパネル３が載置されている領域５ａは、熱伝導
率の高い材質（アルミニウムや銅）で構成されている
が、それ以外の領域５ｂは熱伝達率の悪い材料で構成す
るようにしており、これにより上部壁面５とヒートパネ
ル３との間で熱が効率よく伝達される様にしている。

【００２４】温度制御室４内には複数の流体噴出ノズル
６が設けられ、これら複数の流体噴出ノズル６に供給管
７を介して低温液体８が供給されるようになっている。
流体噴出ノズル６には１〜複数の小さな噴出孔が形成さ
れており、シャワー状の高速低温液体８を温度制御室４
の天井を構成する上部内壁面５に対して噴出する。

【００２５】供給管７は，バルブ９、液体供給路１０、
ポンプ１１、チラー１２、流体排出路１３および温度制
御室４の排出口１４に接続されている。

【００２６】すなわち、チラー１２で所定の低温温度に
調整された低温液体８は、ポンプ１１１、バルブ９、供
給管７を介して流体噴出ノズル６に供給されて、温度制
御室４の上部内壁面５に衝突される。この後、低温液体
８は、排出口１４を介して流体排出路１３に排出された
後、チラー１２に供給されて再冷却が行われる。チラー
１２で再冷却された低温液体８は、ポンプ１１によって
バルブ９に再循環される。

【００２７】ここで、流体噴出ノズル６から噴出される
低温流体８としては、この場合、光透過性および絶縁性
を有する液体、例えばフロリナート（登録商標）を用い
るようにしている。なお、この低温流体８として、温度
レベルによっては、水やエチレングリコールを用いるよ
うにしてもよい。

【００２８】また、温度制御室４は、開孔部（図示せ
ず）を設けて開放するようにしてもよいし、密閉するよ
うにしてもよい。温度制御室４を密閉するようにした場
合は、流体が充満された温度制御室４に対して噴出ノズ
ル６からジェット流が噴出することによって温度制御室
４に、流体噴出ノズル６→温度制御室４の上部壁面５→
排出口１４と経由する強制対流を発生させ、該強制対流
によって温度制御室４の上部壁面５を冷却するようにし
ている。

【００２９】また、温度制御室４を開放した場合は、低
温流体は空間を通って上部内壁面５に衝突されることに
なるので、噴出流の流速が増すと共に、温度制御室の天
井には常に新しい流体のみが衝突することになり、熱交
換が速やかに行われることになる。

【００３０】次に、温度制御室４には、ウェハ１を（直
接的には温度制御室４の上部壁面５を）加熱するための
光加熱式のヒータ２０が複数個設けられている。これら
光加熱式のヒータ２０は例えばハロゲンヒータであり、
ハロゲンランプ２３が放射する光（殆どが近赤外光）を
熱として利用している。この光加熱式のヒータ２０とし
ては、主に、光熱変換率のよい近赤外光域または可視光
域の光エネルギーを発生するランプを用いたものが採用
される。

【００３１】この光加熱式ヒータ２０は、図２に示すよ
うに、ベースホルダ２１、反射板ミラー２２、円管状の
ハロゲンランプ２３、水冷用管２４、および光透過性材
料で構成される蓋体カバー２５を有して構成されてお
り、これら光加熱式ヒータ２０は、図３にその平面図を
示すように、流体噴出ノズル６の列と列の間に配置され
ている。

【００３２】この場合、光加熱式ヒータ２０は水などの
低温液体が流されている水冷用管２４を有し、ランプ点
灯中に冷却が行われているので、ヒータユニット自体の
温度上昇を抑えることができ、また反射板ミラー２２の
劣化を防ぐことができる。

【００３３】なお、この場合は、光加熱式ヒータ２０
は、ベースホルダ２１を介して低温流体が通過する供給
管７に取り付けられているので、上記水冷用管２４と同
様の作用効果を得ることができる。したがって、ヒータ
ユニットに設けられている水冷用管２４を省略するよう
にしてもよい。また、ヒータ２０の運転状況によって
は、ヒータ２０を供給管７に取り付けない場合でも、水
冷用管２４を省略するようにしてもよい。

【００３４】また、この場合、低温流体８として絶縁性
の液体を用いるようにしているが、安全性を考慮して、
光加熱式ヒータ２０の内部を蓋体カバー２５によって外
部と隔絶するようにしている。勿論、安全が確保される
場合は、蓋体カバー２５を省略するようにしてもよい。

【００３５】かかる構成において、ウェハの温度を１５
０゜Ｃと２０゜Ｃに数１０秒間隔で交互に温度制御する
場合の動作について説明する。すなわち、ウェハの温度
を１５０゜Ｃにして行うベーキング工程と、ウェハの温
度を２０゜Ｃに冷却するクーリング工程とを交互に実行
する。

【００３６】まず、レジストが塗布されたウェハ１が搬
入されて放吸熱プレート２上にごく微小な間隔をおいて
載置され、各ヒータ２０のランプ２３が点灯される。各
ヒータ２０から放射された熱は温度制御室４の上部壁面
５、ヒートパネル３、放吸熱プレート２を経由してウェ
ハ１に伝達される。

【００３７】なお、温度制御室４の上部壁面５、ヒート
パネル３、放吸熱プレート２などの温度が図示しないセ
ンサによって検出されており、該検出温度に基づいてウ
ェハ１の温度を目標温度１５０゜Ｃに制御するようにし
ている。

【００３８】このようにして、ウェハ温度を１２５゜Ｃ
まで加熱して行われるベーキング工程が終了すると、今
度はウェハ温度を２０゜Ｃまで冷却するクーリング工程
を実行する。

【００３９】まず、バルブ９を開にし、チラー１２から
２０゜Ｃ近傍の温度の低温流体を供給管７に供給する。
供給管７に供給された低温流体は、流体噴出ノズル６を
介してジェット状になって噴出される。該噴出された低
温流体は、温度制御室４の上部内壁面５に衝突される。
この流体の衝突によって上部内壁面５の熱伝達係数が上
がることになり、ヒートパネル３に接する上部壁面５の
上面を高速に低温流体の温度に近づけることができる。

【００４０】すなわち、この場合は、ウェハ１の熱が放
吸熱プレート２、ヒートパネル３、温度制御室の上部壁
面５を介して放熱されることにより、ウェハ１が冷却さ
れる。この冷却の際にも、温度制御室４の上部壁面５、
ヒートパネル３、放吸熱プレート２などの温度が図示し
ないセンサによって検出されており、該検出温度に基づ
いてウェハ１の温度を目標温度２０゜Ｃに制御するよう
にしている。

【００４１】以上のようにして、ウェハ１のクーリング
工程が終了すると、ウェハ１は装置の外に搬出され、代
わりにレジストが塗布された新たなウェハ１が搬入さ
れ、前記同様に加熱、冷却される。

【００４２】上記実施例によれば、温度制御室４の上部
壁面５に対する加熱は光加熱式のヒータ２０による温度
制御室４内からの非接触加熱によって行い、同冷却は温
度制御室４から上記上部内壁面５への低温液体の噴出に
よって行うようにしているので、加熱から冷却へあるい
は冷却から加熱への切替え時に速やかに熱応答すること
ができ、ウェハ１を高速に所望の温度に温度制御するこ
とができる。

【００４３】また、低温流体８としてフロリナートなど
の光透過率の良い液体を用いる場合には、密閉状態の温
度制御室４が低温流体８で充満された状態やあるいは光
加熱式ヒータ２０の蓋体カバー２５上に低温流体８が残
留した場合であっても、光加熱式ヒータ２０のランプ２
３の光を遮ることなく温度制御室４の上部壁面５に照射
することができる。

【００４４】また、低温流体としてフロリナートなどの
絶縁性液体を用いる場合には、光加熱式ヒータ２０を蓋
体カバー２５などによって外部と隔絶することなく低温
流体８が流下する温度制御室４内に配置することが可能
になる。

【００４５】さらに、上記実施例によれば、低温流体８
が流れる供給管７に光加熱式のヒータユニットを取る付
けるようにしているので、ヒータユニット自体の温度上
昇を抑えることができ、また反射板ミラー２２の劣化を
防ぐことができる。

【００４６】なお、上記実施例においては、温度制御室
４の上部壁面５と放吸熱プレート２との間で熱エネルギ
ーの運搬を行う熱エネルギー運搬手段として、ヒートパ
ネル３を用いるようにしたが、ヒートパネル３の代わり
にペルチェ素子を用いるようにしてもよい。また、熱エ
ネルギー運搬手段としてヒートパネルおよびペルチェ素
子の両方を用いるようにしてもよい。この際、ヒートパ
ネルとペルチェ素子の上下関係は任意である。また、放
吸熱プレート２とヒートパネル３の何れか一方を省略す
るようにしてもよい。さらに、放吸熱プレート２および
ヒートパネル３を省略し、温度制御室４の上部壁面５で
ウェハ１を直接支持するようにしてもよい。

【００４７】また、上記実施例では、流体噴出ノズル６
の列と列の間に光加熱式ヒータ２０を配置するようにし
たが、図４に示すように、流体噴出ノズル６に対して低
温流体を供給する供給管７の下方に光加熱式ヒータ２０
を配置するようにしてもよい。この場合、流体噴出ノズ
ル６および供給管７などを光透過性の透明材料で構成す
る必要がある。また、光加熱式ヒータ２０を流体噴出ノ
ズル６および供給管７の下方に配置する場合は、図５に
示すような、渦巻型の低温流体供給配管３０を構成する
こともできる。この場合は、渦巻型の低温流体供給配管
３０に対して多数の流体噴出孔３１を分散配置する。

【００４８】また、図６に示すように、低温流体噴出ノ
ズル６を、温度制御室４内に竜巻型の旋回流を発生させ
るように配置するようにしてもよい。かかる旋回流ノズ
ルによれば、上方方向への速度成分の他に旋回方向の速
度成分を持っているために、殆ど上方への速度成分しか
持たない図１の実施例のノズルに比べ、温度制御室６の
側面および天井部に長時間接することになり、熱交換効
率をより上昇させることができる。

【００４９】また、図７(a)に示すように、低温流体噴
出ノズル６の配置角度を１個ずつ交互に逆斜め方向に向
くように配置するようにしてもよく、また図７(b)に示
すように、各光加熱式ヒータ２０の間に複数列の低温流
体噴出ノズル６を配置するようにしてもよく、さらには
図７(c)に示すように、２列に配した低温流体噴出ノズ
ル６の配置角度を１個ずつ交互に逆斜め方向に向くよう
に配置するようにしてもよい。

【００５０】また、図８(a)に示すように、光加熱式ヒ
ータ２０の反射板ミラー２２の壁面と低温流体噴出ノズ
ル６の管壁面を共用するようにしてもよい。この場合、
接触面積が増えるので、低温流体噴出ノズル６を通過す
る低温流体による光加熱式ヒータ２０の冷却効果が向上
する。

【００５１】また、図８(b)に示すように、プラスチッ
クやアルミニウムなどの材料を用いて光加熱式ヒータ２
０の反射板ミラー２２の形状に対応するように曲面成形
した流体噴出ノズルユニット４０の凹部に対し、光加熱
式ヒータ２０を落とし込むことにより、光加熱式ヒータ
２０および流体噴出ノズル６を配置するようにしてもよ
い。この場合、上記図８(a)と同様、光加熱式ヒータ２
０の冷却効果が向上するとともに、光加熱式ヒータ２０
の位置決めが容易になる。また、流体噴出ノズル部６を
曲面成形しているので、低温流体の流れの圧損が少なく
なり、低めのポンプ水圧でも高速のジェット流を噴出す
ることができる。

【００５２】また、上記図８(b)において、光加熱式ヒ
ータ２０の蓋体カバー２５も流体噴出ノズルユニット４
０に一体成形するようにしてもよい。この場合、流体噴
出ノズルユニット４０は、プラスチック、アクリル、ポ
リカーボネイト等の透明材料を使用する必要がある。

【００５３】ところで、上記実施例では、光加熱式ヒー
タ２０に円管状のランプ２３を用いるようにしたが、球
状形状を有するランプを複数個マトリックス状に配置す
るようにしてもよい。また、流体噴出ノズルの材質とし
ては、アルミニウム、ステンレス、銅等の金属やプラス
チック材料などが用いられる。さらに、流体噴出ノズル
６における流体噴出孔の形状としては、円形、スリット
状、矩形など任意の形状を採用すればよい、また、上記
実施例の流体噴出ノズル６をミストノズルとして霧状流
体を発生するようにして、乱流効果を得て伝熱能力を向
上させるようにしてもよい。さらに、温度制御室４のミ
ストノズルの上方に光透過性のある材料で構成された多
孔板を設け、乱流効果をさらに向上させるようにしても
よい。さらに、温度制御室４の上部内壁面５に凹凸等を
設ける、突起設ける、削るなどして該内壁面５の表面を
荒らすことによって乱流効果をさらに高めるようにして
もよい。

【００５４】また、流体噴出ノズル６の間隔を近接させ
るようにすれば、１つのノズルから噴出される末広がり
のジェット流とこれに隣接したノズルから噴出されるジ
ェット流が重なるようになり、温度制御室４の上部壁面
５の温度均一性を向上させる上で更に有利である。すな
わち、ノズル６から噴出された流体は、山型の流速空間
分布をもつために、山のすそ部を重複させることで、そ
の流速分布を温度制御室４の上部壁面５の全面に亘って
均一にするのである。

【００５５】ところで、上記実施例では、流体噴出ノズ
ル６を介して低温流体を供給するようにしてウェハ１を
冷却するようにしたが、温度制御対象物に対して加熱の
みが必要な場合は、流体噴出ノズル６に加熱用の高温流
体を供給するようにしてもよい。この場合、高温流体の
噴出による加熱と、光加熱式ヒータ２０による加熱との
相乗効果によって、より高速に温度制御対象物を加熱す
ることができる。

【００５６】さらに、この発明は、半導体ウェハ以外の
温度制御対象物に対しても適用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例を示す図。

【図２】光加熱式ヒータの具体構成例を示す側面図。

【図３】光加熱式ヒータおよび流体噴出ノズルの配列を
示す平面図。

【図４】実施例の変形例を示す図。

【図５】実施例の変形例を示す図。

【図６】実施例の変形例を示す図。

【図７】実施例の変形例を示す図。

【図８】実施例の変形例を示す図。

【符号の説明】

１…ウェハ ２…放吸熱プレート ３…ヒートパネ
ル ４…温度制御室 ５…上部壁面 ６…流体噴出ノ
ズル ７…流体供給管 ８…低温流体 ９…バルブ １０…流体供給路 １１…ポンプ １２…チラー １３…流体排出路 １４…排出口 ２０…光加熱式
ヒータ ２１…ベースユニット ２２…反射板ミラー ２３…
ランプ ２４…冷却用管 ２５…蓋体カバー

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】温度制御対象物を支持する支持プレート
   と、 この支持プレートの下部にその上部壁面が当接するよう
   に設けられた温度制御室と、 この温度制御室の上部内壁面に対して流体を噴出する複
   数の流体噴出孔と、 これら流体噴出孔に対し所定の温度に調整された流体を
   供給する流体供給手段と、 前記複数の流体噴出孔から噴出された流体を前記温度制
   御室から排出する流体排出手段と、 前記温度制御室の上部内壁面を光エネルギーを用いて加
   熱する光加熱方式のヒータ手段と、 を備えるようにしたことを特徴とする温度制御装置。
2. 【請求項２】前記流体は、光透過性および絶縁性を有す
   る液体であることを特徴とする請求項１記載の温度制御
   装置。
3. 【請求項３】前記ヒータ手段は、近赤外光域または可視
   光域の光エネルギーを発生する請求項１記載の温度制御
   装置。
4. 【請求項４】前記流体供給手段は、前記温度制御対象物
   を冷却する低温流体を前記複数の流体噴出孔に供給する
   請求項１記載の温度制御装置。
5. 【請求項５】前記流体供給手段は、前記流体噴出孔に対
   し低温流体を供給する低温流体供給管を前記温度制御室
   内に有し、この低温流体供給管に前記光加熱方式のヒー
   タ手段が取り付けられている請求項４記載の温度制御装
   置。
6. 【請求項６】前記流体供給手段は、前記流体噴出孔に対
   し低温流体を供給する低温流体供給管を前記温度制御室
   内に有し、この低温流体供給管を光透過性材料で構成す
   るようにしたことを特徴とする請求項４記載の温度制御
   装置。