JPH10313014A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH10313014A JPH10313014A JP9123746A JP12374697A JPH10313014A JP H10313014 A JPH10313014 A JP H10313014A JP 9123746 A JP9123746 A JP 9123746A JP 12374697 A JP12374697 A JP 12374697A JP H10313014 A JPH10313014 A JP H10313014A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solvent
- insulating
- resin
- adhesive layer
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/011—Apparatus therefor
- H10W72/0113—Apparatus for manufacturing die-attach connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大型チップの反り変形や、接着層でのボイド
やチップクラックが発生することがなく、接着強度の安
定した信頼性の高い半導体装置を製造できる方法を提供
する。 【解決手段】 熱可融性樹脂、絶縁性粉末および溶剤を
必須成分とする絶縁性接着剤をディスペンス法によって
リードフレーム上の所定位置に塗布した後、加熱等によ
って乾燥させて溶剤を除去することによって、従来より
溶剤残存率の少ない、また、組成の自由度の高い絶縁性
接着層が形成される。これにより、大型チップの反り変
形や、接着層でのボイドやチップクラックが発生するこ
とがなくなり、接着強度の安定した信頼性の高い半導体
装置を製造することができる。
やチップクラックが発生することがなく、接着強度の安
定した信頼性の高い半導体装置を製造できる方法を提供
する。 【解決手段】 熱可融性樹脂、絶縁性粉末および溶剤を
必須成分とする絶縁性接着剤をディスペンス法によって
リードフレーム上の所定位置に塗布した後、加熱等によ
って乾燥させて溶剤を除去することによって、従来より
溶剤残存率の少ない、また、組成の自由度の高い絶縁性
接着層が形成される。これにより、大型チップの反り変
形や、接着層でのボイドやチップクラックが発生するこ
とがなくなり、接着強度の安定した信頼性の高い半導体
装置を製造することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の
半導体装置の製造方法に係り、特に、リードフレーム上
に半導体チップを接着固定する方法に関するものであ
る。
半導体装置の製造方法に係り、特に、リードフレーム上
に半導体チップを接着固定する方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】リードフレーム上の所定部分にＩＣ、Ｌ
ＳＩ等の半導体チップを接続する工程は、素子の長期信
頼性に影響を与える重要な工程の一つである。従来から
この接続方法としては、半導体チップのシリコン面をリ
ードフレーム上の金メッキ面に加熱圧着するＡｕ−Ｓｉ
共晶法が主流であった。
ＳＩ等の半導体チップを接続する工程は、素子の長期信
頼性に影響を与える重要な工程の一つである。従来から
この接続方法としては、半導体チップのシリコン面をリ
ードフレーム上の金メッキ面に加熱圧着するＡｕ−Ｓｉ
共晶法が主流であった。
【０００３】しかし、樹脂封止型の半導体装置では、近
年の貴金属、特に金の高騰を契機として、Ａｕ−Ｓｉ共
晶法から、半田を使用する方法や、ペースト状の接着剤
を用いた方法に急速に移行してきている。
年の貴金属、特に金の高騰を契機として、Ａｕ−Ｓｉ共
晶法から、半田を使用する方法や、ペースト状の接着剤
を用いた方法に急速に移行してきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、半田を使用す
る方法は、半田や半田ボールが飛散して電極等に付着
し、腐食断線の原因となることが問題として指摘されて
いる。一方、ペースト状の接着剤を用いた方法では、近
年のＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップの大形化に伴う反り
の問題に対応するため、樹脂中にゴム成分やその他の熱
可塑性樹脂を導入して接着剤層の低応力化を図ってい
る。しかし、ゴム成分がペースト中に存在するとディス
ペンサー等による滴下塗布において、作業性が著しく悪
化するという問題があった。また、その他の熱可塑性樹
脂を導入する方法では、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂
と熱可塑性樹脂とは相溶性が悪く、接着剤をペースト状
に維持するために溶剤や反応性液状物で希釈している。
特に、熱可塑性樹脂は希釈効率が一般的に悪く、大量の
希釈溶剤を必要とする。そのため、硬化時に接着剤層に
ボイドが発生し、さらにチップクラックや接着力の低下
を引き起こし、素子の信頼性の低下を招く恐れがあっ
た。
る方法は、半田や半田ボールが飛散して電極等に付着
し、腐食断線の原因となることが問題として指摘されて
いる。一方、ペースト状の接着剤を用いた方法では、近
年のＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップの大形化に伴う反り
の問題に対応するため、樹脂中にゴム成分やその他の熱
可塑性樹脂を導入して接着剤層の低応力化を図ってい
る。しかし、ゴム成分がペースト中に存在するとディス
ペンサー等による滴下塗布において、作業性が著しく悪
化するという問題があった。また、その他の熱可塑性樹
脂を導入する方法では、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂
と熱可塑性樹脂とは相溶性が悪く、接着剤をペースト状
に維持するために溶剤や反応性液状物で希釈している。
特に、熱可塑性樹脂は希釈効率が一般的に悪く、大量の
希釈溶剤を必要とする。そのため、硬化時に接着剤層に
ボイドが発生し、さらにチップクラックや接着力の低下
を引き起こし、素子の信頼性の低下を招く恐れがあっ
た。
【０００５】本発明はこのような課題を解決するための
もので、大型チップの反り変形や、接着層でのボイドや
チップクラックが発生することがなく、接着強度の安定
した信頼性の高い半導体装置を製造できる方法を提供し
ようとするものである。
もので、大型チップの反り変形や、接着層でのボイドや
チップクラックが発生することがなく、接着強度の安定
した信頼性の高い半導体装置を製造できる方法を提供し
ようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、後述する組成の
絶縁性接着剤をスタンピング法により塗布、乾燥させ、
乾燥した接着剤層を加熱しながら半導体チップをマウン
トすることによって、上記の目的を達成できることを見
いだし、本発明を完成したものである。
を達成しようと鋭意研究を重ねた結果、後述する組成の
絶縁性接着剤をスタンピング法により塗布、乾燥させ、
乾燥した接着剤層を加熱しながら半導体チップをマウン
トすることによって、上記の目的を達成できることを見
いだし、本発明を完成したものである。
【０００７】すなわち、本発明の半導体装置の製造方法
の特徴は、熱可融性樹脂、絶縁性粉末および溶剤を必須
成分とする絶縁性接着剤を、リードフレーム上のベッド
またはリード部分にディスペンス法により塗布乾燥した
後、加熱しながら半導体チップを接着固定する点にあ
る。
の特徴は、熱可融性樹脂、絶縁性粉末および溶剤を必須
成分とする絶縁性接着剤を、リードフレーム上のベッド
またはリード部分にディスペンス法により塗布乾燥した
後、加熱しながら半導体チップを接着固定する点にあ
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施する場合の形
態について説明する。
態について説明する。
【０００９】本発明を実施する場合に用いる熱可融性樹
脂としては、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂のなかか
ら選ばれ、ユリア樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹
脂、レゾルシノール樹脂、エポキシ樹脂、酢酸ビニル樹
脂、ポリビニルアルコール樹脂、アクリル樹脂、ポリア
クリロニトリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹
脂、ビニルウレタン樹脂、シリコーン樹脂、α−オレフ
ィン無水マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド
樹脂等が挙げられる。これらの熱可融性樹脂は、分子量
等に制限されるものではなく、広く使用することができ
る。これらの熱可融性樹脂はそれぞれ単独又は２種以上
混合して使用することができる。
脂としては、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂のなかか
ら選ばれ、ユリア樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹
脂、レゾルシノール樹脂、エポキシ樹脂、酢酸ビニル樹
脂、ポリビニルアルコール樹脂、アクリル樹脂、ポリア
クリロニトリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹
脂、ビニルウレタン樹脂、シリコーン樹脂、α−オレフ
ィン無水マレイン酸樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド
樹脂等が挙げられる。これらの熱可融性樹脂は、分子量
等に制限されるものではなく、広く使用することができ
る。これらの熱可融性樹脂はそれぞれ単独又は２種以上
混合して使用することができる。
【００１０】本発明を実施する場合に用いる絶縁性粉末
としては、アルカリ金属イオン、ハロゲンイオン等の不
純物の含有がごく少量であることが望ましく、そのた
め、必要であればイオン交換水或いはイオン交換樹脂で
洗浄し、不純物を取り除いたものであることが好まし
い。具体的な絶縁性粉末としては、結晶性シリカ、溶融
性シリカ、タルク、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウ
ム、ベントナイト等の絶縁性粉末が挙げられ、これらは
それぞれ単独又は２種以上混合して使用することができ
る。また、バインダーとなる熱可融性樹脂と絶縁性粉末
との配合割合は、重量比で80：20〜20：80の範囲である
ことが望ましい。絶縁性粉末が20重量部未満では十分な
接着強度が得られず、80重量部を越えると作業性や密着
性が低下し好ましくない。
としては、アルカリ金属イオン、ハロゲンイオン等の不
純物の含有がごく少量であることが望ましく、そのた
め、必要であればイオン交換水或いはイオン交換樹脂で
洗浄し、不純物を取り除いたものであることが好まし
い。具体的な絶縁性粉末としては、結晶性シリカ、溶融
性シリカ、タルク、水酸化アルミニウム、炭酸カルシウ
ム、ベントナイト等の絶縁性粉末が挙げられ、これらは
それぞれ単独又は２種以上混合して使用することができ
る。また、バインダーとなる熱可融性樹脂と絶縁性粉末
との配合割合は、重量比で80：20〜20：80の範囲である
ことが望ましい。絶縁性粉末が20重量部未満では十分な
接着強度が得られず、80重量部を越えると作業性や密着
性が低下し好ましくない。
【００１１】本発明を実施する場合に用いる溶剤として
は、ジオキサン、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、ソル
ベントナフサ、工業用ガソリン、酢酸セロソルブ、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルセロソルブア
セテート、ブチルカルビトールアセテート、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリ
ドン等が挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して
使用することができる。 本発明に用いる絶縁性接着剤
は、上述した熱可融性樹脂、絶縁性粉末および溶剤を必
須成分とするが、本発明の目的に反しない限り、また、
必要に応じて他の成分、例えば、消泡剤、カップリング
剤、その他の添加剤を配合することができる。
は、ジオキサン、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、ソル
ベントナフサ、工業用ガソリン、酢酸セロソルブ、エチ
ルセロソルブ、ブチルセロソルブ、ブチルセロソルブア
セテート、ブチルカルビトールアセテート、ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリ
ドン等が挙げられ、これらは単独又は２種以上混合して
使用することができる。 本発明に用いる絶縁性接着剤
は、上述した熱可融性樹脂、絶縁性粉末および溶剤を必
須成分とするが、本発明の目的に反しない限り、また、
必要に応じて他の成分、例えば、消泡剤、カップリング
剤、その他の添加剤を配合することができる。
【００１２】本発明に用いる絶縁性接着剤は、常法に従
い上述した各成分を十分混合した後、更に例えば三本ロ
ール等により均一に混練処埋を行い、その後、減圧脱泡
して製造することができる。
い上述した各成分を十分混合した後、更に例えば三本ロ
ール等により均一に混練処埋を行い、その後、減圧脱泡
して製造することができる。
【００１３】こうして製造した絶縁性接着剤を、リード
フレーム上のベッドあるいはリード部分にディスペンス
法により塗布した後、加熱等の方法で溶剤を除去して、
厚さ5〜 100μｍ程度の絶縁性接着剤層を形成させる。
この絶縁性接着剤層の形成において、該接着剤層に含ま
れる溶剤残量は 1重量％以下であることが望ましい。溶
剤残量が 1重量％を超えると残留溶剤の影響により、マ
ウント工程においてボイドが発生し好ましくない。
フレーム上のベッドあるいはリード部分にディスペンス
法により塗布した後、加熱等の方法で溶剤を除去して、
厚さ5〜 100μｍ程度の絶縁性接着剤層を形成させる。
この絶縁性接着剤層の形成において、該接着剤層に含ま
れる溶剤残量は 1重量％以下であることが望ましい。溶
剤残量が 1重量％を超えると残留溶剤の影響により、マ
ウント工程においてボイドが発生し好ましくない。
【００１４】接着剤層を形成したリードフレーム上に、
通常のアッセンブリー工程同様、各ダイシング済半導体
チップをマウントし、 120〜 300℃の温度で数十秒から
数分間ヒートブロック上で加熱硬化させる。また、オー
ブンで 150〜 200℃の温度で数分間から数時間硬化させ
てもよい。その後、ワイヤボンディングを行い、樹脂封
止材で封止して半導体装置を完成させる。
通常のアッセンブリー工程同様、各ダイシング済半導体
チップをマウントし、 120〜 300℃の温度で数十秒から
数分間ヒートブロック上で加熱硬化させる。また、オー
ブンで 150〜 200℃の温度で数分間から数時間硬化させ
てもよい。その後、ワイヤボンディングを行い、樹脂封
止材で封止して半導体装置を完成させる。
【００１５】本発明の半導体装置の製造方法によれば、
熱可融性樹脂、絶縁性粉末および溶剤を必須成分とする
絶縁性接着剤を、特に、溶剤残留が 1重量％以下となる
ようにスタンピング法によって塗布した後、加熱等によ
って乾燥させて溶剤を除去することによって、従来より
も溶剤残存率の少ない、また、組成の自由度の高い絶縁
性接着層が形成される。可融性の導電性接着剤層の組成
は熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂のなかから比較的自由に
その種類・配合量が選択できるので、大型チップの反り
変形や、接着層でのボイドやチップクラックが発生する
ことがなくなり、接着強度の安定した信頼性の高い半導
体装置を製造することができる。また、熱可融性樹脂、
絶縁性粉末および溶剤を必須成分とするペースト状の絶
縁性接着剤は、ゴム成分を含む接着剤に比べ、ディスペ
ンサーによる滴下塗布の作業性において優れ、作業効率
の向上をも図ることが可能となる。
熱可融性樹脂、絶縁性粉末および溶剤を必須成分とする
絶縁性接着剤を、特に、溶剤残留が 1重量％以下となる
ようにスタンピング法によって塗布した後、加熱等によ
って乾燥させて溶剤を除去することによって、従来より
も溶剤残存率の少ない、また、組成の自由度の高い絶縁
性接着層が形成される。可融性の導電性接着剤層の組成
は熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂のなかから比較的自由に
その種類・配合量が選択できるので、大型チップの反り
変形や、接着層でのボイドやチップクラックが発生する
ことがなくなり、接着強度の安定した信頼性の高い半導
体装置を製造することができる。また、熱可融性樹脂、
絶縁性粉末および溶剤を必須成分とするペースト状の絶
縁性接着剤は、ゴム成分を含む接着剤に比べ、ディスペ
ンサーによる滴下塗布の作業性において優れ、作業効率
の向上をも図ることが可能となる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００１７】なお、以下の実施例の説明において「部」
は「重量部」を意昧する。
は「重量部」を意昧する。
【００１８】ディスペンス法としては、図１に示すよう
に、ディスペンサー１にペースト状の導電性接着剤２を
詰め、該ディスペンサー１に圧搾空気を導入して先端ノ
ズル３から適量の導電性接着剤２を吐出させ、リードフ
レーム４上のベッドあるいはリード部分に滴下する方式
を採用した。
に、ディスペンサー１にペースト状の導電性接着剤２を
詰め、該ディスペンサー１に圧搾空気を導入して先端ノ
ズル３から適量の導電性接着剤２を吐出させ、リードフ
レーム４上のベッドあるいはリード部分に滴下する方式
を採用した。
【００１９】（実施例１）熱可塑性樹脂のアクリル樹脂
Ａ−１９５（大日本インキ化学工業社製、商品名30部、
シリカ粉末50部、溶剤20部を混合し、さらにディスパー
スにより混練して絶縁性接着剤（Ａ）を製造し、この絶
縁性接着剤（Ａ）をリードフレーム上に、上述したディ
スペンス法により塗布し、加熱、乾燥した。 150℃に加
熱しながら半導体チップを 5秒間加圧して接着固定し
た。
Ａ−１９５（大日本インキ化学工業社製、商品名30部、
シリカ粉末50部、溶剤20部を混合し、さらにディスパー
スにより混練して絶縁性接着剤（Ａ）を製造し、この絶
縁性接着剤（Ａ）をリードフレーム上に、上述したディ
スペンス法により塗布し、加熱、乾燥した。 150℃に加
熱しながら半導体チップを 5秒間加圧して接着固定し
た。
【００２０】（実施例２）熱硬化性樹脂のエポキシ樹脂
エピコート１００４（油化シェルエポキシ社製、商品
名）25部をブチルセロソルブアセテート25部に溶解し、
これにシリカ粉末50部を混合し、さらにディスパースに
より混練して絶縁性接着剤（Ｂ）を製造し、この絶縁性
接着剤（Ｂ）をリードフレーム上に、上述したディスペ
ンス法により塗布し、加熱、乾燥した。その後、 150℃
に加熱しながら半導体チップを 5秒間加圧して接着固定
した。
エピコート１００４（油化シェルエポキシ社製、商品
名）25部をブチルセロソルブアセテート25部に溶解し、
これにシリカ粉末50部を混合し、さらにディスパースに
より混練して絶縁性接着剤（Ｂ）を製造し、この絶縁性
接着剤（Ｂ）をリードフレーム上に、上述したディスペ
ンス法により塗布し、加熱、乾燥した。その後、 150℃
に加熱しながら半導体チップを 5秒間加圧して接着固定
した。
【００２１】（比較例）市販のエポキシ樹脂ベースの溶
剤型半導体用絶縁性接着剤を入手し、これを絶縁性接着
剤（Ｃ）としてディスペンサーを用いてリードフレーム
上に吐出し、半導体チップをマウントした後、加熱硬化
して接着固定した。
剤型半導体用絶縁性接着剤を入手し、これを絶縁性接着
剤（Ｃ）としてディスペンサーを用いてリードフレーム
上に吐出し、半導体チップをマウントした後、加熱硬化
して接着固定した。
【００２２】これらの半導体装置について、接着強度、
接着剤層のボイドの有無、半導体チップの反りの試験を
行った。これらの結果を表１に示す。この表から明らか
なように、いずれも本発明が優れており、本発明の顕著
な効果が認められた。
接着剤層のボイドの有無、半導体チップの反りの試験を
行った。これらの結果を表１に示す。この表から明らか
なように、いずれも本発明が優れており、本発明の顕著
な効果が認められた。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【発明の効果】以上の説明および表１から明らかなよう
に、本発明の半導体装置の製造方法によれば、熱可融性
樹脂、絶縁性粉末および溶剤を必須成分とする絶縁性接
着剤をディスペンス法によって塗布した後、加熱等によ
って乾燥させて溶剤を除去することによって、従来より
溶剤残存率の少ない、また、組成の自由度の高い絶縁性
接着層が形成される。これにより、大型チップの反り変
形や、接着層でのボイドやチップクラックが発生するこ
とがなくなり、接着強度の安定した信頼性の高い半導体
装置を製造することができる。
に、本発明の半導体装置の製造方法によれば、熱可融性
樹脂、絶縁性粉末および溶剤を必須成分とする絶縁性接
着剤をディスペンス法によって塗布した後、加熱等によ
って乾燥させて溶剤を除去することによって、従来より
溶剤残存率の少ない、また、組成の自由度の高い絶縁性
接着層が形成される。これにより、大型チップの反り変
形や、接着層でのボイドやチップクラックが発生するこ
とがなくなり、接着強度の安定した信頼性の高い半導体
装置を製造することができる。
【図１】本発明に係る実施例で採用したペースト状絶縁
性接着剤のフレームへのディスペンス法について説明す
るための図
性接着剤のフレームへのディスペンス法について説明す
るための図
１………ディスペンサー ２………ペースト状の導電性接着剤 ４………リードフレーム
Claims (1)
- 【請求項１】 熱可融性樹脂、絶縁性粉末および溶剤を
必須成分とする絶縁性接着剤を、リードフレーム上のベ
ッドまたはリード部分にディスペンス法により塗布、乾
燥した後、加熱しながら半導体チップを接着固定するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9123746A JPH10313014A (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9123746A JPH10313014A (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10313014A true JPH10313014A (ja) | 1998-11-24 |
Family
ID=14868307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9123746A Withdrawn JPH10313014A (ja) | 1997-05-14 | 1997-05-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10313014A (ja) |
-
1997
- 1997-05-14 JP JP9123746A patent/JPH10313014A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5611884A (en) | Flip chip silicone pressure sensitive conductive adhesive | |
| JP4537555B2 (ja) | 半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ | |
| JP5191627B2 (ja) | フィルム状接着剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| EP0860023A1 (en) | A flip-chip assembly | |
| JP2002118209A (ja) | 半導体装置の実装方法及び実装構造体 | |
| US20030109080A1 (en) | Flip chip underfill process | |
| JP4206631B2 (ja) | 熱硬化性液状封止樹脂組成物、半導体素子の組立方法及び半導体装置 | |
| JP2005264109A (ja) | フィルム状接着剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2002507837A (ja) | 環境にやさしい溶剤を用いた、フリップチップ技術のための融剤クリーニング | |
| JP5712884B2 (ja) | フィルム状接着剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| Vincent et al. | Enhancement of underfill adhesion to die and substrate by use of silane additives | |
| JP2003128874A (ja) | 液状樹脂組成物、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| JPH10313014A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP5912611B2 (ja) | フィルム状接着剤 | |
| JPH10313083A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH10150060A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| Vincent et al. | Enhancement of underfill performance for flip-chip applications by use of silane additives | |
| Fan et al. | Adhesion study on underfill encapsulant affected by flip chip assembly variables | |
| JPH0945725A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP5925460B2 (ja) | フィルム状接着剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPH09260408A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH09289218A (ja) | 半導体装置 | |
| Johnson et al. | Reflow-curable polymer fluxes for flip chip encapsulation | |
| JPH10144726A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11219982A (ja) | 導電粒子及びそれを用いた異方性導電接着剤 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040803 |