JPH10313148A - 半導体レーザ素子の製造方法 - Google Patents

半導体レーザ素子の製造方法

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JPH10313148A JP9343400A JP34340097A JPH10313148A JP H10313148 A JPH10313148 A JP H10313148A JP 9343400 A JP9343400 A JP 9343400A JP 34340097 A JP34340097 A JP 34340097A JP H10313148 A JPH10313148 A JP H10313148A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光部内の発光層が素子の厚み方向の略中央
部に配置される半導体レーザ素子の製造方法として、気
相成長法は成長速度が小さく長時間を要し、又、液相成
長法では成長時の温度が高いため、発光領域周辺のドー
パント不純物が拡散し、特性悪化を引き起こす場合があ
った。 【解決手段】 半導体基板上に少なくとも発光部、キャ
ップ層、電極が順次形成され、発光部内の発光層が素子
の厚み方向の略中央部に配置される半導体レーザ素子の
製造方法において、素子の成長を気相成長法によって行
い、且つ、キャップ層１０、１１の成長速度を発光部
２、３、４、５の成長速度よりも大きくすることを特徴
とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光学ディスクの読
み取り光源として用いられる半導体レーザ素子の製造方
法に関するものであって、特に戻り光によるトラッキン
グエラーを低減するため気相成長法によりキャップ層を
厚くした半導体レーザ素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＤ（コンパクトディスク）やＭＤ（ミ
ニディスク）等の光ディスクは、旧来のアナログレコー
ドと比較してノイズのない高音質とディスクの摩耗劣化
がないことが評価され、近年急速に普及している。
【０００３】アナログレコードは、ピックアップ（針
先）がレコード溝をトレースしていくが、光ディスクの
場合、ピックアップとディスクが非接触であるため信号
ビットの位置を検出し、光ピックアップを信号ビットに
沿って移動させなければならない。
【０００４】この方式として現在広く用いられているの
が、光源を主ビームと１次回析光に分離する３ビーム方
式のトラッキングサーボである。
【０００５】ところが、この３ビーム方式の場合、以下
のような問題があった。即ち、図５に示すように、レー
ザチップ１００から出射され、回析格子１０１を通過し
たレーザ光１０２は、ハーフミラー１０３で反射されて
対物レンズ１０４を通過し、光ディスク１０５に照射さ
れる。１０６はステムである。
【０００６】そして、この反射光は同じ光経路を戻り、
ハーフミラー１０３を通過して図示しない受光部に入射
されるのであるが、それだけでなく、さらに回析格子１
０１まで戻ってレーザチップ１００の出射単面にまで戻
る光がある。この光はこのレーザチップ１００の端面で
再度反射されて（図面のＡ部、Ａ’部）、信号検出に悪
影響を及ぼすという問題がある。図５ではＡ部がレーザ
チップ端面で再反射されている。
【０００７】この反射してきた１次回析光がチップ端面
に当たる位置は、光学系にもよるが出射領域から上下に
約６０μｍ程離れた位置である。
【０００８】従来、この問題に対しては、図６（ａ）に
示すように、１次回析光がチップ出射端面から外れるよ
うに半導体レーザチップ１００の発光領域（発光層）を
配置していた。即ち、発光領域を半導体レーザチップの
略中央部に配置するようにしていた。
【０００９】具体的な層厚としては、図６（ｂ）に示す
ように、Ｌｅ≦６０μｍ、Ｌｓ≦６０μｍである。ここ
で、Ｌｅは発光領域より上側のエピタキシャル層１０１
ａの厚み、Ｌｓは発光領域より下側のエピタキシャル層
及び基板の厚みである。ここで、ウェハー厚みが７０μ
ｍより薄いとウェハーの割れや欠けが発生し易く、工程
作業上において支障が生じる。そこで、さらにＬｅ＋Ｌ
ｓ≧７０μｍの条件をつけている。
【００１０】従って、発光領域より上側のエピタキシャ
ル層の厚みＬｅについては、１０μｍ≦Ｌｅ≦６０μｍ
となる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記図６
（ａ）及び（ｂ）の従来構造において、上記のような層
厚を得るためには液相成長法（ＬＰＥ）法が用いられて
いた。これは、気相成長法は成長速度が小さく長時間を
要するため、これに比して成長速度の大きい液相成長法
を用いた方が短時間で成長でき、生産効率がよかったた
めである。
【００１２】しかしながら、一方、液相成長法では、成
長時の温度が高いため（〜８００℃）、発光領域周辺の
ドーパント不純物が拡散し、これが特性悪化の要因とな
っていた。
【００１３】また、数ｎｍ〜十数ｎｍの薄膜を積層した
量子井戸構造は、上記のような高温にさらされると、不
純物拡散とともに母材原子の移動が起こり、量子井戸構
造が崩れてしまう場合がある。従って、このような高温
成長は量子井戸構造を利用した高性能の半導体レーザ素
子作製の妨げとなる。
【００１４】そこで、本発明の目的は、ディスクから戻
ってきた１次回析光が再入射しない構造の半導体レーザ
素子を効率よく、しかもその性能に悪影響を及ぼすこと
なく製造することができる半導体レーザ素子の製造方法
を提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による半導体レーザ素子の製造方法は、半導
体基板上に少なくとも発光部、キャップ層及び電極が順
次形成され、該発光部内の発光層が素子の厚み方向の略
中央部に配置される半導体レーザ素子の製造方法におい
て、該発光部及び該キャップ層の成長を気相成長法によ
って行い、且つ該キャップ層の成長速度を該発光部の成
長速度よりも大きくすることを特徴とする。
【００１６】前記キャップ層が２層からなり、少なくと
も前記発光部から遠い層の成長速度を、該発光部の成長
速度よりも大きくしてもよい。
【００１７】ここで、前記キャップ層の成長の際に流す
成長ガスの流量を、前記発光部の成長の際に流す成長ガ
スの流量よりも大きくしてもよい。
【００１８】また、前記キャップ層の成長の際に供給さ
れるV族元素／III族元素比を、前記発光部の成長の際に
供給されるV族元素／III族元素比よりも小さくしてもよ
い。
【００１９】また、少なくとも前記発光部から遠い層の
成長の際に供給されるV族元素／III族元素比を、前記発
光部の成長の際に供給されるV族元素／III族元素比より
も小さくしてもよい。
【００２０】さらに、前記キャップ層の前記電極に接す
る部分のキャリア濃度が１×１０19／ｃｍ3以上となる
ように、該キャップ層の成長温度を５５０℃乃至７００
℃としてもよい。
【００２１】以下、本発明の作用について説明する。
【００２２】本発明にあっては、発光部の上部に位置
し、結晶品位がそれほど重要とされないキャップ層の気
相成長の速度を発光部の成長速度よりも大きく（速く）
する。例えば、後述の実施形態２に示すように約６倍に
大きくする。これによって、製造時間全体の短縮化を図
れる。
【００２３】キャップ層を２層とした場合には、少なく
とも発光部から遠い層の成長速度を発光部の成長速度よ
りも大きくすればよい。この場合、発光部から近い層の
成長速度も大きくしてもよいが、発光部と同じ程度にし
てもよい。特に、発光部に近いキャップ層の成長速度を
発光部と同じにすることにより、発光部の結晶性に与え
る影響を小さくすることができる。
【００２４】具体的には、気相成長の際に流す成長ガス
の流量を大きくすれば、成長速度を大きくすることが可
能である。
【００２５】また、一般に成長速度はIII族元素の供給
量に比例するので、気相成長の際に供給されるV族元素
／III族元素比を小さくすれば、成長速度を大きくする
ことが可能である。例えば、III族元素の供給量を大き
くし、V族元素を従来と同様にすれば、成長速度の低減
と共に材料費の低減も図ることができる。また、キャッ
プ層を２層とした場合には、少なくとも発光部から遠い
層の成長の際に供給されるV族元素／III族元素比を発光
部の成長の際に供給されるV族元素／III族元素比よりも
大きくすればよい。
【００２６】さらに、キャップ層の成長温度を液相成長
法（〜８００℃）に比較して１００℃乃至２５０℃低い
温度である５５０℃乃至７００℃に設定することによっ
て、発光領域付近での不純物拡散を抑制できると共に、
キャリア濃度を１×１０19／ｃｍ3以上と高く設定で
き、電極とキャップ層とのコンタクト性を向上できる。
【００２７】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）本発明の一実施形態について、図１
（ａ）乃至（ｄ）を参照して説明する。本実施形態１の
特徴は、気相成長法を用い、しかも、気相成長法のデメ
リットである成長に長時間かかる点を解消したことにあ
る。
【００２８】まず、図１（ａ）に示すように、Ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板１の上に有機金属気相成長法を用いて、Ｎ−Ｇ
ａＡｓバッファ層２（層厚０．５μｍ）、Ｎ−Ａｌ0.5
Ｇａ0.5Ａｓクラッド層３（層厚１．０μｍ）、Ａｌ
0.14Ｇａ0.86Ａｓ活性層４（層厚０．０８μｍ）、Ｐ−
Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層５（層厚０．３５μｍ）
及びＮ−ＧａＡｓ電流狭窄層６（層厚０．６μｍ）を順
次成長させる。
【００２９】以上の成長層の成長条件は、成長温度＝７
００℃、成長速度＝０．０５μｍ／ｍｉｎ、V族元素／I
II族元素比（モル比）＝６０である。
【００３０】次に、有機金属気相成長装置から上記積層
体を取り出し、図１（ｂ）に示すように、上記積層体表
面にフォトレジスト７を塗布した後、フォトリソグラフ
ィーを行う。
【００３１】次に、エッチャントを用いてＮ−ＧａＡｓ
電流狭窄層６をエッチングする。エッチャントとして
は、ＮＨ4ＯＨ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝１：３０：５０のよう
に、ＧａＡｓに比べてＡｌＧａＡｓへのエッチング速度
が極めて小さいものを用いる。このエッチャントを用い
た場合のエッチング条件の一例としては、２０℃で３０
秒である。このエッチングにより、図１（ｃ）に示すよ
うに、Ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層６を分断するようにＰ−
Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層５の直上に達する溝８が
形成される。
【００３２】その後、アセトン→メタノール→水洗等の
公知のレジスト除去方法によりレジストを除去する。
【００３３】次に、有機金属気相成長装置に上記積層体
をセットし、図１（ｄ）に示すように、有機金属気相成
長法を用いて、Ｐ−Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ａｓクラッド層９
（層厚１．０μｍ、成長条件は、成長温度＝６５０℃、
成長速度＝０．０５μｍ／ｍｉｎ、V族元素／III族元素
比＝６０である）、第１のＰ−ＧａＡｓキャップ層１０
（層厚２μｍ、成長条件は、成長温度＝６５０℃、成長
速度＝０．０５μｍ／ｍｉｎ、V族元素／III族元素比＝
６０である）及び第２のＰ−ＧａＡｓキャップ層１１
（層厚５０μｍ、成長条件は、成長温度＝６００℃、成
長速度＝０．３μｍ／ｍｉｎ、V族元素／III族元素比＝
１０である）を順次成長させる。
【００３４】この第２のＰ−ＧａＡｓキャップ層１１を
成長させる際、III族有機金属原料を大流量で流し、成
長速度を大きくする。ここで、ＴＭＧ流量と成長速度と
の関係は図２に示すとおりである。この実施形態１で
は、３００ｃｃ／ｍｉｎのＴＭＧ流量を流すことによっ
て、上記の通り０．３μｍ／ｍｉｎの成長速度を得た。
【００３５】また、ＧａＡｓに対するＰ型ドーパントで
あるＺｎは、成長速度が低い程、ＧａＡｓ結晶中に取り
込まれ易く、上記第２のＰ−ＧａＡｓキャップ層１１の
成長条件では、５×１０19／ｃｍ3であった。なお、成
長温度とＰキャリア濃度との関係は図３に示すとおりで
ある。
【００３６】次に、上記積層体を有機金属気相成長装置
から取り出し、全体の厚みが１００μｍとなるようにＮ
−ＧａＡｓ基板１を研磨した後、Ｎ−ＧａＡｓ基板１及
び第２のＰ−ＧａＡｓキャップ層１１の表面のそれぞれ
に電極１２及び１３を形成する。電極形成後、所定の共
振器の長さに劈開し、劈開面に所定の反射率を有する絶
縁膜を形成した後、所定のチップサイズに分割する。そ
して上記チップをレーザステムにボンディングし、チッ
プ上面にＡｕ線をボンディングする。
【００３７】上記工程によって作製されたチップは、発
光領域より上側のエピタキシャル層の厚みがほぼ５０μ
ｍ、発光領域より下側の基板及びエピタキシャル層の厚
みもほぼ５０μｍとなる。
【００３８】従って、トラッキングサーボ用の１次回析
光がディスクに反射して戻ってきてもチップ出射端面か
ら外れトラッキングエラーは回避される。
【００３９】以上のように、本実施形態１の気相成長法
を用いた半導体レーザ素子の製造方法においては、若干
の結晶品位の低下があったとしてもレーザ発振特性に直
接影響しないキャップ層１１のみの成長速度を、従来の
気相成長法よりも大きくしているので、製造工程全体の
時間を短縮でき、生産性の向上を図れる。
【００４０】一般に、レーザ素子において結晶品位が問
題となるのは、活性層・クラッド層等の発光領域である
が、本実施形態１において成長速度を大きくしているの
は、電極金属とのコンタクトをとるキャップ層１１であ
るので、電極１３との間の抵抗が十分低ければ良く、こ
のキャップ層１１においてはそれほど結晶品位は問題と
ならない。
【００４１】ところで、キャップ層１１と電極１３との
間の抵抗を低くするには、キャップ層１１のキャリア濃
度を高く保つ必要がある（１×１０19／ｃｍ3以上）。
気相成長の場合には、ｐ型キャリア濃度は成長温度が低
い程、高濃度となる。
【００４２】この点、本発明ではキャップ層１０、１１
を、前述のように低い温度（液相成長法の１００℃〜２
５０℃程度低い５５０℃〜７００℃、上記実施形態１で
は６００℃〜６５０℃）で成長するので、ｐ型キャリア
濃度を高くすることができ、優れたコンタクト性が得ら
れ、高性能の半導体レーザ素子が得られる。
【００４３】なお、第１のキャップ層１０についても、
第２のキャップ層１１と同様に成長温度、V族元素／III
族元素比を下げることは可能である。
【００４４】（実施形態２）実施形態２の半導体レーザ
素子の製造方法について、図４（ａ）乃至（ｆ）を参照
して説明する。本実施形態２によっても、気相成長法の
デメリットである成長に長時間かかる点を解消すること
ができる。
【００４５】まず、図４（ａ）に示すように、Ｎ−Ｇａ
Ａｓ基板２０の上に有機金属気相成長法を用いて、Ｎ−
ＡｌyＧａ1-yＡｓクラッド層２１（層厚１．０μｍ）、
ＡｌxＧａ1-xＡｓ活性層２２（層厚０．０８μｍ、ｙ＞
ｘ）、Ｐ−ＡｌyＧａ1-yＡｓクラッド層２３（層厚１μ
ｍ）及びＰ−ＧａＡｓ保護層２４（層厚０．６μｍ）を
順次成長させる。
【００４６】以上の成長層の成長条件は、成長温度＝７
００℃、成長速度＝０．０５μｍ／ｍｉｎ、V族元素／I
II族元素比＝６０である。
【００４７】次に、有機金属気相成長装置から上記積層
体を取り出し、図４（ｂ）に示すように、上記積層体表
面にフォトレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ
ー技術を用いてストライプ状のエッチングマスク２５を
形成する。そして、線Ａを目標としてエッチング加工を
施す。このときのエッチング法としては、通常、硫酸・
過酸化水素混合液によるウェットエッチング法を用い
る。
【００４８】次に、図４（ｃ）に示すように、フッ酸溶
液により線Ｂまでエッチングする。フッ酸溶液ではＰ−
ＧａＡｓ保護層２４はエッチングされないため、図に示
すようにリッジ下部の側面が同時にエッチングされる。
この際、Ｐ−ＡｌyＧａ1-yＡｓクラッド層２３の残厚ｄ
が０．２μｍ、リッジ底部の幅ｗが２μｍとなるように
加工する。
【００４９】続いて、有機金属気相成長装置に上記積層
体をセットし、図４（ｅ）に示すように、有機金属気相
成長法を用いて、Ｎ−ＧａＡｓ又はＮ−ＡｌzＧａ1-zＡ
ｓ電流ブロック層２６（層厚０．８μｍ）及びＮ−Ｇａ
Ａｓ平坦化層２７（層厚０．６μｍ）を積層する。ここ
で、気相成長における成長の選択性を利用すれば、エッ
チングマスク２５上の成長を防止することが可能であ
る。
【００５０】このときの成長層の成長条件も、成長温度
＝７００℃、成長速度＝０．０５μｍ／ｍｉｎ、V族元
素／III族元素比＝６０である。
【００５１】なお、電流ブロック層２７をＮ−ＧａＡｓ
又はｚ＜ｘとしたＮ−ＡｌzＧａ1-zＡｓで構成する場合
には電流ブロック層２７での光吸収による損失導波構造
となり、ｚ＞ｙとしたＮ−ＡｌzＧａ1-zＡｓで構成する
場合には実屈折導波構造となる。
【００５２】次に、エッチングマスク２５を除去した
後、図４（ｆ）に示すように、気相成長法により全面に
第１のＰ−ＧａＡｓキャップ層２８（層厚０．５μｍ
厚、成長条件は、成長温度＝６５０℃、成長速度＝０．
０５μｍ／ｍｉｎ、V族元素／III族元素比＝６０であ
る）、第２のＰ−ＧａＡｓキャップ層２９（層厚４５μ
ｍ、成長条件は、成長温度＝６００℃、成長速度＝０．
３μｍ／ｍｉｎ、V族元素／III族元素比＝１０である）
を積層する。
【００５３】この第２のＰ−ＧａＡｓキャップ層２９を
成長させる際、V族元素の供給量は他の層の成長時と同
じにし、III族元素の供給量を他の層の６倍にしてい
る。一般に、成長速度はIII族元素の供給量に比例する
ため、第２のＰ−ＧａＡｓキャップ層２９の成長速度は
他の層の約６倍となった。
【００５４】また、成長温度を６００℃と低くすること
は、Ｐ型不純物であるＺｎの結晶中への取り込まれ率を
増やす効果があり、この実施形態２では第２のＰ−Ｇａ
Ａｓキャップ層２９のキャリア濃度は５×１０19／ｃｍ
3であった。
【００５５】次に、上記積層体を有機金属気相成長装置
から取り出し、Ｎ−ＧａＡｓ基板２０側からエッチング
又は研磨を施すことにより、ウェハ全体の厚みを１００
μｍ程度とした後、Ｎ−ＧａＡｓ基板２０及び第２のＰ
−ＧａＡｓキャップ層２９の表面のそれぞれに電極３０
及び３１を形成することにより、図４（ｆ）に示すよう
な半導体レーザ素子構造が完成する。
【００５６】上記工程によって作製された半導体レーザ
素子は、発光領域より上側のエピタキシャル層厚がほぼ
５０μｍ、発光領域より下側の基板及びエピタキシャル
層の厚みもほぼ５０μｍとなる。
【００５７】従って、トラッキングサーボ用の１次回析
光がディスクに反射して戻ってきても半導体レーザ素子
端面に入射することはなく、トラッキングエラーは回避
される。
【００５８】以上のように、本実施形態２の気相成長法
を用いた半導体レーザ素子の製造方法においては、４５
μｍと最も厚い第２のキャップ層２９の成長速度を従来
の気相成長法の約６倍に大きくしているため、製造工程
全体の時間短縮を図ることができる。
【００５９】また、V族元素の供給量は従来の気相成長
法と同じにしているため、材料費の低減が可能となる。
【００６０】一般に、成長温度が高い程、又、V族元素
／III族元素比が高い程、結晶品位が良好であるとされ
ている。そこで、本実施形態２においては、活性層・ク
ラッド層等の発光領域は高品位結晶が得られる成長条件
である、成長温度７００℃、V族元素／III族元素比６０
の条件で成長することにより、従来の半導体レーザ素子
と遜色の無いレーザ特性が得られた。
【００６１】一方、第２のキャップ層２９の成長条件
は、成長温度６００℃、V族／III族比１０であるため、
結晶品位としてはやや劣ったものとなる。しかし、第２
のキャップ層２９の役割は、層厚を厚くすること、及び
Ｐ側電極３１とのオーミックコンタクトを取ることにあ
るので、高品位の結晶である必要はない。また、気相成
長の場合には、成長温度が低い程、Ｐ型キャリア濃度が
高濃度となるため、成長温度が６００℃と低いことによ
り第２のキャップ層２９とＰ側電極３１との間の抵抗を
低くするという効果をもたらす。本実施形態２において
は、半導体レーザ素子の直列抵抗が３Ω〜５Ωと低く、
液相成長法による半導体レーザ素子と同程度にすること
ができた。
【００６２】この第２のキャップ層２９の成長条件とし
て、成長温度は５５０℃まで、V族元素／III族元素比は
５まで減じても半導体レーザ素子特性に悪影響を及ぼす
ことは無かった。また、第１のキャップ層２８について
も、第２のキャップ層２９の成長条件と同じ程度まで、
成長温度及びV族元素／III族元素比を下げることが可能
である。
【００６３】なお、上記実施形態１及び実施形態２にお
いては、ＡｌＧａＡｓ系の半導体レーザ素子の製造につ
いて示したが、他の材料を用いた場合でも本発明の適用
は可能である。また、活性層に量子井戸構造を用いた素
子の場合、液相成長のような高温では量子井戸構造が崩
れてしまうので、本発明のように低温でキャップ層を成
長する方法は特に有用である。
【００６４】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
トラッキングサーボ用の１次回析光がディスクに反射し
て戻ってきてもチップ出射端面から外れトラッキングエ
ラーを回避できる高性能の半導体レーザ素子を、従来よ
り短時間で効率よく生産でき、生産性の向上を図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１に係る半導体レーザ素子の製造工程
を示す工程図である。
【図２】成長ガス流量と成長速度との関係を示す特性図
である。
【図３】キャリア濃度の温度依存性を示す図である。
【図４】実施形態２に係る半導体レーザ素子の製造工程
を示す工程図である。
【図５】従来例による半導体レーザ素子を用いた光ピッ
クアップ方法を示す概略図である。
【図６】図５の問題点を解決する他の従来例による半導
体レーザ素子を用いた光ピックアップ方法を示す図であ
り、（ａ）はその概略図、（ｂ）はその半導体レーザ素
子の部分拡大図である。
【符号の説明】
１、２０ 半導体基板 ２ バッファ層 ３、５、２１、２３ クラッド層 ４、２２ 活性層 １０、２８ 第１のキャップ層 １１、２９ 第２のキャップ層 １２、３０ Ｎ側電極 １３、３１ Ｐ側電極

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板上に少なくとも発光部、キャ
    ップ層及び電極が順次形成され、該発光部内の発光層が
    素子の厚み方向の略中央部に配置される半導体レーザ素
    子の製造方法において、 該発光部及び該キャップ層の成長を気相成長法によって
    行い、且つ該キャップ層の成長速度を該発光部の成長速
    度よりも大きくすることを特徴とする半導体レーザ素子
    の製造方法。
  2. 【請求項２】 前記キャップ層が２層からなり、少なく
    とも前記発光部から遠い層の成長速度を、該発光部の成
    長速度よりも大きくすることを特徴とする請求項１に記
    載の半導体レーザ素子の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記キャップ層の成長の際に流す成長ガ
    スの流量を、前記発光部の成長の際に流す成長ガスの流
    量よりも大きくすることを特徴とする請求項１に記載の
    半導体レーザ素子の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記キャップ層の成長の際に供給される
    V族元素／III族元素比を、前記発光部の成長の際に供給
    されるV族元素／III族元素比よりも小さくすることを特
    徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子の製造方
    法。
  5. 【請求項５】 少なくとも前記発光部から遠い層の成長
    の際に供給されるV族元素／III族元素比を、前記発光部
    の成長の際に供給されるV族元素／III族元素比よりも小
    さくすることを特徴とする請求項２に記載の半導体レー
    ザ素子の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記キャップ層の前記電極に接する部分
    のキャリア濃度が１×１０19／ｃｍ3以上となるよう
    に、該キャップ層の成長温度を５５０℃乃至７００℃と
    することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素
    子の製造方法。
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