JPH103168A - 感光性樹脂組成物と該組成物を用いたパターン形成方法 - Google Patents
感光性樹脂組成物と該組成物を用いたパターン形成方法Info
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- JPH103168A JPH103168A JP8153918A JP15391896A JPH103168A JP H103168 A JPH103168 A JP H103168A JP 8153918 A JP8153918 A JP 8153918A JP 15391896 A JP15391896 A JP 15391896A JP H103168 A JPH103168 A JP H103168A
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- photosensitive resin
- resin composition
- carbon atoms
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】光反応により極性が変化する添加剤を用いた高
感度、高解像度、高強度で耐熱性の優れたアルカリ溶剤
現像可能なポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】下式〔1〕(式中、R1はオルトキノンジ
アジドスルホニル基、R2は炭素数2〜30の有機基、
R3は炭素数1〜8のアルキル基または水素、nは0〜
5、mは1〜6)で表される化合物を全樹脂量100重
量部に対して1〜100重量部と、下式〔2〕(式中、
R4は炭素数2〜20の有機基、R5は炭素数1〜20の
有機基、水素原子、ハロゲン原子のいずれかである)で
表される構造単位を有する分子量10,000〜1,00
0,000のカルボン酸重合体を全樹脂量に対して20
重量%以上含む感光性樹脂組成物。 【化9】
感度、高解像度、高強度で耐熱性の優れたアルカリ溶剤
現像可能なポジ型感光性樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】下式〔1〕(式中、R1はオルトキノンジ
アジドスルホニル基、R2は炭素数2〜30の有機基、
R3は炭素数1〜8のアルキル基または水素、nは0〜
5、mは1〜6)で表される化合物を全樹脂量100重
量部に対して1〜100重量部と、下式〔2〕(式中、
R4は炭素数2〜20の有機基、R5は炭素数1〜20の
有機基、水素原子、ハロゲン原子のいずれかである)で
表される構造単位を有する分子量10,000〜1,00
0,000のカルボン酸重合体を全樹脂量に対して20
重量%以上含む感光性樹脂組成物。 【化9】
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は新規な感光性樹脂組
成物およびそれを用いたパターン形成方法に関する。
成物およびそれを用いたパターン形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】感光性樹脂材料は、電機電子産業の分野
で、配線形成工程を大幅に簡素化できる材料として広く
用いられている。
で、配線形成工程を大幅に簡素化できる材料として広く
用いられている。
【0003】これらの感光性樹脂材料は、露光部分が主
にエッチングされるポジ型と、非露光部分が主にエッチ
ングされるネガ型に分類される。ネガ型感光性樹脂材料
は、その現像液により露光部に膨潤が起こるために、高
解像度の微細加工を行なう上で不利となる。
にエッチングされるポジ型と、非露光部分が主にエッチ
ングされるネガ型に分類される。ネガ型感光性樹脂材料
は、その現像液により露光部に膨潤が起こるために、高
解像度の微細加工を行なう上で不利となる。
【0004】また、プロセス上からポジ型の感光性樹脂
材料は耐熱性が要求される場合もあり、ポジ型の耐熱感
光性樹脂材料が望まれていた。また、環境汚染防止の観
点や作業環境改善の観点から、従来の塩素系溶剤や有機
溶剤を中心とする現像液を用いる感光性樹脂材料に代わ
る、水系溶剤で現像できる感光性樹脂材料が望まれてい
た。
材料は耐熱性が要求される場合もあり、ポジ型の耐熱感
光性樹脂材料が望まれていた。また、環境汚染防止の観
点や作業環境改善の観点から、従来の塩素系溶剤や有機
溶剤を中心とする現像液を用いる感光性樹脂材料に代わ
る、水系溶剤で現像できる感光性樹脂材料が望まれてい
た。
【0005】特に、半導体工業において、固体素子の絶
縁膜やパッシベーション膜として、例えば、酸化珪素な
どの無機材料が広く使用されている。
縁膜やパッシベーション膜として、例えば、酸化珪素な
どの無機材料が広く使用されている。
【0006】一方、有機材料は無機材料に比較して低応
力性、平滑性に優れ、高純度であるなどの性質を有する
ことから、近年、こうした有機材料が絶縁層やパッシベ
ーション層に使用できる技術が開発され、一部の半導体
素子に実用化されている。
力性、平滑性に優れ、高純度であるなどの性質を有する
ことから、近年、こうした有機材料が絶縁層やパッシベ
ーション層に使用できる技術が開発され、一部の半導体
素子に実用化されている。
【0007】前記感光性材料として有機材料を使用する
場合、ダイボンディングなどの作業工程を経るため、そ
の材料には熱安定性が要求される。そのため、通常、耐
熱性に優れたポリイミド系が広く検討されている。
場合、ダイボンディングなどの作業工程を経るため、そ
の材料には熱安定性が要求される。そのため、通常、耐
熱性に優れたポリイミド系が広く検討されている。
【0008】例えば、ポリイミド前駆体であるポリアミ
ド酸を基板にコーティングし、熱処理を行ってポリイミ
ドに変換した後、そのポリイミド膜上にフォトレジスト
のレリーフパターンを形成し、ヒドラジン系エッチング
剤によりポリイミドを選択的にエッチングしてレリーフ
パターンをポリイミドに転写させている。
ド酸を基板にコーティングし、熱処理を行ってポリイミ
ドに変換した後、そのポリイミド膜上にフォトレジスト
のレリーフパターンを形成し、ヒドラジン系エッチング
剤によりポリイミドを選択的にエッチングしてレリーフ
パターンをポリイミドに転写させている。
【0009】しかし、上記工程におけるポリイミドのパ
ターン化には、フォトレジストの塗布や剥離などの工程
が含まれるため、プロセスが非常に煩雑となる。また、
レリーフパターンをレジストを介して転写することによ
る寸法精度の低下が起こる。従って、微細加工工程の簡
略化や高精度化を図るため、直接光で微細加工可能な耐
熱感光性材料の開発が望まれていた。
ターン化には、フォトレジストの塗布や剥離などの工程
が含まれるため、プロセスが非常に煩雑となる。また、
レリーフパターンをレジストを介して転写することによ
る寸法精度の低下が起こる。従って、微細加工工程の簡
略化や高精度化を図るため、直接光で微細加工可能な耐
熱感光性材料の開発が望まれていた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】前記目的のための材料
として、ネガ型については既に種々の材料が知られてい
るが、プロセス上、ポジ型の感光性耐熱材料が必要な場
合があることを既述した。
として、ネガ型については既に種々の材料が知られてい
るが、プロセス上、ポジ型の感光性耐熱材料が必要な場
合があることを既述した。
【0011】ポジ型材料は、ポリアミド酸に感光性基を
導入したものと、感光剤を添加した系とに大別される。
導入したものと、感光剤を添加した系とに大別される。
【0012】前者には、感光性ポリアミド酸ニトロベン
ジルエステル(特公平1−59571号公報)が、後者
には、ポリアミド酸とオルトキノンジアジドのスルホン
酸エステル誘導体(特開平4−168441号公報、特
開平4−204738号公報)、ポリアミド酸とジヒド
ロピリジン誘導体(特開平6−43648号公報)、ポ
リアミド酸とジアジゾナフトキノンスルホンイミド誘導
体(特開平6−258836号公報)等がある。
ジルエステル(特公平1−59571号公報)が、後者
には、ポリアミド酸とオルトキノンジアジドのスルホン
酸エステル誘導体(特開平4−168441号公報、特
開平4−204738号公報)、ポリアミド酸とジヒド
ロピリジン誘導体(特開平6−43648号公報)、ポ
リアミド酸とジアジゾナフトキノンスルホンイミド誘導
体(特開平6−258836号公報)等がある。
【0013】適用できるポリアミド酸の種類、感光性樹
脂の調製の容易さなどの観点からは、感光剤を添加した
系が有利と考えられている。
脂の調製の容易さなどの観点からは、感光剤を添加した
系が有利と考えられている。
【0014】しかし、オルトキノンジアジドのスルホン
酸エステル誘導体は、従来ノボラック系レジスト用の感
光剤である。従って、ポリアミド酸の感光剤としては、
未露光部での溶解阻害効果、露光部の溶解促進効果とも
小さく、解像度、感度、アスペクト比等で問題があり、
十分なレリーフパターンは得られていない。
酸エステル誘導体は、従来ノボラック系レジスト用の感
光剤である。従って、ポリアミド酸の感光剤としては、
未露光部での溶解阻害効果、露光部の溶解促進効果とも
小さく、解像度、感度、アスペクト比等で問題があり、
十分なレリーフパターンは得られていない。
【0015】本発明の目的は、前記課題を解決したアル
カリ現像可能なポジ型の感光性樹脂組成物、並びの該樹
脂組成物を用いたパターン形成方法を提供することにあ
る。
カリ現像可能なポジ型の感光性樹脂組成物、並びの該樹
脂組成物を用いたパターン形成方法を提供することにあ
る。
【0016】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成する本
発明の要旨は次のとおりである。
発明の要旨は次のとおりである。
【0017】(1) 式〔1〕
【0018】
【化5】
【0019】(式中、R1はオルトキノンジアジドスル
ホニル基、R2は炭素数2〜30のアルキル基,アリー
ル基,アルキルアリール基,複素環基、R3は炭素数1
〜8のアルキル基または水素、nは0〜5、mは1〜6
を示す。)で表される化合物を全樹脂量100重量部に
対して1〜100重量部と、式〔2〕
ホニル基、R2は炭素数2〜30のアルキル基,アリー
ル基,アルキルアリール基,複素環基、R3は炭素数1
〜8のアルキル基または水素、nは0〜5、mは1〜6
を示す。)で表される化合物を全樹脂量100重量部に
対して1〜100重量部と、式〔2〕
【0020】
【化6】
【0021】(式中、R4は炭素数2〜20のアルキル
基,アリール基,アルキルアリール基,複素環基、R5
は炭素数1〜20のアルキル基,水素原子,ハロゲン原
子を示す。)で表される構造単位を有し、分子量10,
000〜1,000,000のカルボン酸重合体を全樹脂
量100重量部に対して20重量部以上含むことを特徴
とする感光性樹脂組成物にある。
基,アリール基,アルキルアリール基,複素環基、R5
は炭素数1〜20のアルキル基,水素原子,ハロゲン原
子を示す。)で表される構造単位を有し、分子量10,
000〜1,000,000のカルボン酸重合体を全樹脂
量100重量部に対して20重量部以上含むことを特徴
とする感光性樹脂組成物にある。
【0022】(2) 前記カルボン酸重合体が式〔3〕
【0023】
【化7】
【0024】(式中、R6は炭素数2〜20の4価のア
ルキル基,アリール基,アルキルアリール基,複素環
基、R7は炭素数2〜20の2価のアルキル基,アリー
ル基,アルキルアリール基,複素環基、R8は炭素数1
〜10のアルキル基,水素原子、繰り返し単位の構成比
を表すXは5〜100モル%である)で表される上記
(1)に記載の感光性樹脂組成物にある。
ルキル基,アリール基,アルキルアリール基,複素環
基、R7は炭素数2〜20の2価のアルキル基,アリー
ル基,アルキルアリール基,複素環基、R8は炭素数1
〜10のアルキル基,水素原子、繰り返し単位の構成比
を表すXは5〜100モル%である)で表される上記
(1)に記載の感光性樹脂組成物にある。
【0025】(3) 前記カルボン酸重合体が式〔4〕
【0026】
【化8】
【0027】(式中、R9はフェノール性水酸基,カル
ボキシル基,アミド基,スルホンアミド基を有する炭素
数2〜20の2価のアルキル基,アリール基,アルキル
アリール基,複素環基、繰り返し単位の構成比を表すY
は5〜100モル%)である上記(1)に記載の感光性
樹脂組成物。
ボキシル基,アミド基,スルホンアミド基を有する炭素
数2〜20の2価のアルキル基,アリール基,アルキル
アリール基,複素環基、繰り返し単位の構成比を表すY
は5〜100モル%)である上記(1)に記載の感光性
樹脂組成物。
【0028】(4) 前記式〔4〕において、R9が3,
5−ジアミノ安息香酸残基である上記(3)に記載の感
光性樹脂組成物。
5−ジアミノ安息香酸残基である上記(3)に記載の感
光性樹脂組成物。
【0029】
【発明の実施の形態】本発明において、オルトキノンジ
アジドスルホンアミド化合物は、ポリアミド酸の光溶解
制御剤として作用している。従来、用いられてきたオル
トキノンジアジドスルホン酸エステル誘導体は、ノボラ
ック系レジスト用の感光剤である。従って、ポリアミド
酸の感光剤としては、未露光部での溶解阻害効果、露光
部の溶解促進効果とも小さく、感度、解像度、アスペク
ト比は不十分である。
アジドスルホンアミド化合物は、ポリアミド酸の光溶解
制御剤として作用している。従来、用いられてきたオル
トキノンジアジドスルホン酸エステル誘導体は、ノボラ
ック系レジスト用の感光剤である。従って、ポリアミド
酸の感光剤としては、未露光部での溶解阻害効果、露光
部の溶解促進効果とも小さく、感度、解像度、アスペク
ト比は不十分である。
【0030】ところが、オルトキノンジアジドスルホン
アミド化合物では、そのスルホンアミド部位がアルカリ
溶液に対する溶解性を促進するため、特に、露光部の溶
解促進効果を向上することができる。
アミド化合物では、そのスルホンアミド部位がアルカリ
溶液に対する溶解性を促進するため、特に、露光部の溶
解促進効果を向上することができる。
【0031】さらに、スルホン酸エステルとスルホンア
ミドの両方を有する化合物(式〔1〕でnは1〜5)を
用いると、未露光部での溶解阻害効果、露光部の溶解促
進効果とも大きく、かつ、高感度なポジ型感光性樹脂組
成物が実現でき、高解像度、高膜厚なレリーフパターン
を有するフィルムが得られる。
ミドの両方を有する化合物(式〔1〕でnは1〜5)を
用いると、未露光部での溶解阻害効果、露光部の溶解促
進効果とも大きく、かつ、高感度なポジ型感光性樹脂組
成物が実現でき、高解像度、高膜厚なレリーフパターン
を有するフィルムが得られる。
【0032】また、オルトキノンジアジドの置換基数、
スルホンアミドとスルホン酸エステルの比率を変化させ
ることで、露光部、未露光部の溶解速度を調節すること
ができる。
スルホンアミドとスルホン酸エステルの比率を変化させ
ることで、露光部、未露光部の溶解速度を調節すること
ができる。
【0033】前記式〔1〕中、R1のオルトキノンジア
ジド基としては、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド
−4−スルホニル基、1,2−ナフトキノン−2−ジア
ジド−5−スルホニル基が好ましい。R2はアミ化合
物、アミノアルコール残基を表す。
ジド基としては、1,2−ナフトキノン−2−ジアジド
−4−スルホニル基、1,2−ナフトキノン−2−ジア
ジド−5−スルホニル基が好ましい。R2はアミ化合
物、アミノアルコール残基を表す。
【0034】アミノ基を有する構造としては、アニリ
ン、ベンジルアミン、1−ナフチルアミン、2−ナフチ
ルアミン、へキシルアミン、オクチルアミン、ドデシル
アミン、オクタデシルアミン、1,3−ジアミノベンゼ
ン、1,4−ジアミノベンゼン、4,4'−ジアミノビフ
ェニル、4,4'−ジアミノジフェニルメタン、4,4'−
ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ジアミノジフェ
ニルケトン、4,4'−ジアミノジフェニルスルフォンが
ある。
ン、ベンジルアミン、1−ナフチルアミン、2−ナフチ
ルアミン、へキシルアミン、オクチルアミン、ドデシル
アミン、オクタデシルアミン、1,3−ジアミノベンゼ
ン、1,4−ジアミノベンゼン、4,4'−ジアミノビフ
ェニル、4,4'−ジアミノジフェニルメタン、4,4'−
ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ジアミノジフェ
ニルケトン、4,4'−ジアミノジフェニルスルフォンが
ある。
【0035】また、2,2−ビス(4−アミノフェニル)
プロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)−1,1,
1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、ビス(3−アミ
ノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,2,4−ト
リアミノベンゼン、1,3,5−トリアミノベンゼン、
3,4,4'−トリアミノジフェニルエーテル、3,3',
4,4'−ジアミノビフェニル、3,3',4,4'−テトラ
アミノジフェニルエーテル、3,3',4,4'−テトラア
ミノジフェニルスルフォン、1,2−ジアミノエチレ
ン、N,N'−ジメチル−1,2−ジアミノエチレン、1,
3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、N,
N'−ジメチル−1,4−ジアミノブタン、1,6−ジア
ミノヘキサン、1,8−ジアミノオクタン、1,10−ジ
アミノデカン、1,12−ジアミノドデカン、2−ブチ
ル−2−エチル−1,5−ペンタンジアミン、4−アミ
ノメチル−1,8−ジアミノオクタン、ジエチレントリ
アミン、ビス(ヘキサメチレン)トリアミン、トリエチレ
ンテトラミン、テトラエチレンペンタミンなどが挙げら
れる。
プロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)−1,1,
1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、ビス(3−アミ
ノプロピル)テトラメチルジシロキサン、1,2,4−ト
リアミノベンゼン、1,3,5−トリアミノベンゼン、
3,4,4'−トリアミノジフェニルエーテル、3,3',
4,4'−ジアミノビフェニル、3,3',4,4'−テトラ
アミノジフェニルエーテル、3,3',4,4'−テトラア
ミノジフェニルスルフォン、1,2−ジアミノエチレ
ン、N,N'−ジメチル−1,2−ジアミノエチレン、1,
3−ジアミノプロパン、1,4−ジアミノブタン、N,
N'−ジメチル−1,4−ジアミノブタン、1,6−ジア
ミノヘキサン、1,8−ジアミノオクタン、1,10−ジ
アミノデカン、1,12−ジアミノドデカン、2−ブチ
ル−2−エチル−1,5−ペンタンジアミン、4−アミ
ノメチル−1,8−ジアミノオクタン、ジエチレントリ
アミン、ビス(ヘキサメチレン)トリアミン、トリエチレ
ンテトラミン、テトラエチレンペンタミンなどが挙げら
れる。
【0036】水酸基とアミノ基を有する構造としては、
2−アミノフェノール、3−アミノフェノール、4−ア
ミノフェノール、2,3−ジアミノフェノール、2,4−
ジアミノフェノール、4−アミノレゾルシノール、4,
4'−ジアミノ−3,3'−ジヒドロキシビフェニル、3,
3'−ジアミノ−4,4'−ジヒドロキシビフェニル、2
−アミノエタノール、N−メチル−2−アミノエタノー
ル、3−アミノプロパノール、2−アミノブタノール、
2−アミノ−3−メチルブタノール、4−アミノブタノ
ール、5−アミノペンタノール、6−アミノヘキサノー
ル、4−アミノシクロヘキサノール、2−アミノヘプタ
ノール、6−アミノ−2−メチル−2−ヘプタノール、
8−アミノオクタノール、10−アミノデカノール、1
2−アミノドデカノール、1−アミノ−2,3−プロパ
ンジオール、2−アミノ−1,3−プロパンジオール、
2−アミノ−2−エチル−1,3−プロパンジオール、
ビスーホモトリス、トリス(ヒドロキシメチル)アミノメ
タンなどが挙げられる。
2−アミノフェノール、3−アミノフェノール、4−ア
ミノフェノール、2,3−ジアミノフェノール、2,4−
ジアミノフェノール、4−アミノレゾルシノール、4,
4'−ジアミノ−3,3'−ジヒドロキシビフェニル、3,
3'−ジアミノ−4,4'−ジヒドロキシビフェニル、2
−アミノエタノール、N−メチル−2−アミノエタノー
ル、3−アミノプロパノール、2−アミノブタノール、
2−アミノ−3−メチルブタノール、4−アミノブタノ
ール、5−アミノペンタノール、6−アミノヘキサノー
ル、4−アミノシクロヘキサノール、2−アミノヘプタ
ノール、6−アミノ−2−メチル−2−ヘプタノール、
8−アミノオクタノール、10−アミノデカノール、1
2−アミノドデカノール、1−アミノ−2,3−プロパ
ンジオール、2−アミノ−1,3−プロパンジオール、
2−アミノ−2−エチル−1,3−プロパンジオール、
ビスーホモトリス、トリス(ヒドロキシメチル)アミノメ
タンなどが挙げられる。
【0037】R3で表される基はレリーフパタン形成時
の膜べりの点から、炭素数8以下、望ましくは炭素数1
〜3のアルキル基または水素である。
の膜べりの点から、炭素数8以下、望ましくは炭素数1
〜3のアルキル基または水素である。
【0038】本発明で用いられるオルトキノンジアジド
スルホンアミドは、オルトキノンジアジドスルホンクロ
リドと、アミン化合物あるいはアミノアルコール化合物
との反応によって得られる。
スルホンアミドは、オルトキノンジアジドスルホンクロ
リドと、アミン化合物あるいはアミノアルコール化合物
との反応によって得られる。
【0039】上記オルトキノンジアジドスルホンアミド
は、樹脂成分に対して1〜100重量%、望ましくは5
〜30重量%がよい。
は、樹脂成分に対して1〜100重量%、望ましくは5
〜30重量%がよい。
【0040】本発明において、前記式〔2〕のアルカリ
溶液に対する溶解性は、添加する上記スルホンアミドに
よって調節することができる。従って、構造中にカルボ
キシル基を有する高分子であれば適用可能である。
溶液に対する溶解性は、添加する上記スルホンアミドに
よって調節することができる。従って、構造中にカルボ
キシル基を有する高分子であれば適用可能である。
【0041】カルボキシル基を有する高分子の分子量と
しては、現像液への溶解性、レリーフパターンの機械特
性を考慮した場合、10,000以上であることが望ま
しい。分子量の上限については特に制限はないが、溶剤
への溶解性、感光剤ワニスの取り扱い易さ、現像液への
溶解性を考えた場合は1,000,000以下であること
が望ましい。
しては、現像液への溶解性、レリーフパターンの機械特
性を考慮した場合、10,000以上であることが望ま
しい。分子量の上限については特に制限はないが、溶剤
への溶解性、感光剤ワニスの取り扱い易さ、現像液への
溶解性を考えた場合は1,000,000以下であること
が望ましい。
【0042】連鎖重合によってカルボキシル基を有する
高分子構造を与える繰り返し単位としては、高分子デー
タハンドブック基礎編(高分子学会編、培風館、198
6)表9.1の記載のポリアクリル酸およびポリアクリ
ル酸アルキル誘導体、表14.1記載のマレイン酸およ
びその誘導体、マレイン酸フルオロアルキルおよび酢酸
ビニルなどが挙げられる。
高分子構造を与える繰り返し単位としては、高分子デー
タハンドブック基礎編(高分子学会編、培風館、198
6)表9.1の記載のポリアクリル酸およびポリアクリ
ル酸アルキル誘導体、表14.1記載のマレイン酸およ
びその誘導体、マレイン酸フルオロアルキルおよび酢酸
ビニルなどが挙げられる。
【0043】これらの具体例としては、アクリル酸、ク
ロトン酸、イソクロトン酸、アンジェリカ酸、チグリン
酸、3−プロピルアクリル酸、3−イソプロピルアクリ
ル酸、α−アセトキシアクリル酸、α−トリフルオロメ
チルアクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、メチルマ
レイン酸、フルオロマレイン酸、マレイン酸フルオロア
ルキル、酢酸ビニルなどが挙げられる。
ロトン酸、イソクロトン酸、アンジェリカ酸、チグリン
酸、3−プロピルアクリル酸、3−イソプロピルアクリ
ル酸、α−アセトキシアクリル酸、α−トリフルオロメ
チルアクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、メチルマ
レイン酸、フルオロマレイン酸、マレイン酸フルオロア
ルキル、酢酸ビニルなどが挙げられる。
【0044】また、重合時のモノマーにカルボキシル基
を含まない高分子であっても、化学修飾によりカルボキ
シル基を導入することによって適用可能になる。
を含まない高分子であっても、化学修飾によりカルボキ
シル基を導入することによって適用可能になる。
【0045】前記式〔1〕の構造が、前記式〔3〕また
は式〔4〕である場合に、本発明の効果がより高く発揮
される。例えば、縮重合型の高分子であるポリアミド酸
またはポリアミド酸エステルを適用した場合は、レリー
フ像を形成した後に、加熱または化学的にイミド化して
ポリイミドに変換することにより耐熱性、耐薬品性に優
れたレリーフ像を得ることができ、LSIの保護膜、配
線基板の絶縁膜等として優れた性能を発揮する。
は式〔4〕である場合に、本発明の効果がより高く発揮
される。例えば、縮重合型の高分子であるポリアミド酸
またはポリアミド酸エステルを適用した場合は、レリー
フ像を形成した後に、加熱または化学的にイミド化して
ポリイミドに変換することにより耐熱性、耐薬品性に優
れたレリーフ像を得ることができ、LSIの保護膜、配
線基板の絶縁膜等として優れた性能を発揮する。
【0046】前記式〔3〕、式〔4〕中のR6は、脂肪
族テトラカルボニルまたは芳香族テトラカルボニル構造
を表す。該テトラカルボニル構造としては、ピロメリッ
ト、3,3',4,4'−テトラカルボニルビフェニル、3,
3',4,4'−テトラカルボニルビスフェニルケトン、
3,3',4,4'−テトラカルボニルビスフェニルエーテ
ル、3,3',4,4'−テトラカルボニルビスフェニルス
ルホン、2−(3,3',4,4'−テトラカルボニルビスフ
ェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン
などが挙げられる。
族テトラカルボニルまたは芳香族テトラカルボニル構造
を表す。該テトラカルボニル構造としては、ピロメリッ
ト、3,3',4,4'−テトラカルボニルビフェニル、3,
3',4,4'−テトラカルボニルビスフェニルケトン、
3,3',4,4'−テトラカルボニルビスフェニルエーテ
ル、3,3',4,4'−テトラカルボニルビスフェニルス
ルホン、2−(3,3',4,4'−テトラカルボニルビスフ
ェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン
などが挙げられる。
【0047】またR7は、脂肪族ジアミンまたは芳香族
ジアミン構造を表す。該ジアミンとしては、1,4−ジ
アミノベンゼン、1,3−ジアミノベンゼン、4,4'−
ジアミノビフェニル、4,4'−ジアミノジフェニルメタ
ン、4,4'−ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ジ
アミノジフェニルケトン、4,4'−ジアミノジフェニル
スルフォン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)−1,1,1,3,
3,3−ヘキサフルオロプロパン、ビス(3−アミノプロ
ピル)テトラメチルジシロキサンなどが挙げられる。
ジアミン構造を表す。該ジアミンとしては、1,4−ジ
アミノベンゼン、1,3−ジアミノベンゼン、4,4'−
ジアミノビフェニル、4,4'−ジアミノジフェニルメタ
ン、4,4'−ジアミノジフェニルエーテル、4,4'−ジ
アミノジフェニルケトン、4,4'−ジアミノジフェニル
スルフォン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)−1,1,1,3,
3,3−ヘキサフルオロプロパン、ビス(3−アミノプロ
ピル)テトラメチルジシロキサンなどが挙げられる。
【0048】また、R8は、フェノール性水酸基、カル
ボキシル基、アミド基、スルホンアミド基を有するジア
ミン構造を表す。該ジアミンとしては、3,5−ジアミ
ノフェノール、3,3'−ジアミノ−4,4'−ジヒドロキ
シビフェニル、4,4'−ジアミノ−3,3'−ジヒドロキ
シビフェニル、3,3'−ジアミノ−4,4'−ジヒドロキ
シジフェニルエーテル、3,5−ジアミノ安息香酸、3,
5−ジアミノスルホンアミド、3,5−ジアミノベンズ
アミド、3,5−ジアミノスルホンアミドなどが挙げら
れる。
ボキシル基、アミド基、スルホンアミド基を有するジア
ミン構造を表す。該ジアミンとしては、3,5−ジアミ
ノフェノール、3,3'−ジアミノ−4,4'−ジヒドロキ
シビフェニル、4,4'−ジアミノ−3,3'−ジヒドロキ
シビフェニル、3,3'−ジアミノ−4,4'−ジヒドロキ
シジフェニルエーテル、3,5−ジアミノ安息香酸、3,
5−ジアミノスルホンアミド、3,5−ジアミノベンズ
アミド、3,5−ジアミノスルホンアミドなどが挙げら
れる。
【0049】本発明で用いられるポリアミド酸はジアミ
ンあるいはジイソシアネート、テトラカルボン酸二無水
物との反応によって、また、ポリアミド酸エステルはジ
アミンあるいはジイソシアネート、テトラカルボン酸ジ
エステルとの反応によってそれぞれ得られる。
ンあるいはジイソシアネート、テトラカルボン酸二無水
物との反応によって、また、ポリアミド酸エステルはジ
アミンあるいはジイソシアネート、テトラカルボン酸ジ
エステルとの反応によってそれぞれ得られる。
【0050】本発明の感光性樹脂組成物は、前記によっ
て合成されたカルボン酸重合体、または、カルボン酸エ
ステル重合体と、オルトキノンジアジドスルホンアミド
を混合することによって容易に得られる。
て合成されたカルボン酸重合体、または、カルボン酸エ
ステル重合体と、オルトキノンジアジドスルホンアミド
を混合することによって容易に得られる。
【0051】なお、本発明の感光性樹脂組成物は、三重
項増感剤との併用、各種アミン化合物からなる密着向上
剤、界面活性剤等との併用が可能であることは云うまで
もない。
項増感剤との併用、各種アミン化合物からなる密着向上
剤、界面活性剤等との併用が可能であることは云うまで
もない。
【0052】電磁波の照射により、オルトキノンジアジ
ドスルホンアミドは極性の高いカルボキシル基を生成
し、カルボン酸重合体の溶解性を変化させる。即ち、極
性の高いカルボキシル基が生成するためアルカリ溶液に
対する溶解性が向上して、ポジ像が得ることができる。
オルトキノンジアジドのスルホンアミドはイミド化過程
で容易に樹脂中から揮散し、強靭で平坦性に優れたレリ
ーフパターンを与える。
ドスルホンアミドは極性の高いカルボキシル基を生成
し、カルボン酸重合体の溶解性を変化させる。即ち、極
性の高いカルボキシル基が生成するためアルカリ溶液に
対する溶解性が向上して、ポジ像が得ることができる。
オルトキノンジアジドのスルホンアミドはイミド化過程
で容易に樹脂中から揮散し、強靭で平坦性に優れたレリ
ーフパターンを与える。
【0053】前記レリーフパターンは、極性の高いカル
ボキシル基の生成に基づくため、樹脂組成物中のカルボ
キシル基、水酸基と塩基発生剤の量が重要となる。これ
らの配合量について検討した結果、カルボキシル基を含
む高分子が全樹脂成分に対して20重量%以上の場合に
良好なレリーフパターンが得られることが分かった。
ボキシル基の生成に基づくため、樹脂組成物中のカルボ
キシル基、水酸基と塩基発生剤の量が重要となる。これ
らの配合量について検討した結果、カルボキシル基を含
む高分子が全樹脂成分に対して20重量%以上の場合に
良好なレリーフパターンが得られることが分かった。
【0054】
〔実施例1〕1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5
−スルホニルクロリド10.8g(40mmol)、4,
4'−ジアミノジフェニルエーテル4.0g(20.0m
mol)のジオキサン溶液(50ml)に、10℃でト
リエチルアミン6.7ml(120mmol)を滴下
し、室温で3時間攪拌する。
−スルホニルクロリド10.8g(40mmol)、4,
4'−ジアミノジフェニルエーテル4.0g(20.0m
mol)のジオキサン溶液(50ml)に、10℃でト
リエチルアミン6.7ml(120mmol)を滴下
し、室温で3時間攪拌する。
【0055】濾過後、濾液を1N塩酸水溶液(2l)に
滴下することにより4,4'−ビス(1,2−ナフトキノン
−2−ジアジド−5−スルホニルアミノ)ジフェニルエ
ーテル12.5g(94%)を得た。
滴下することにより4,4'−ビス(1,2−ナフトキノン
−2−ジアジド−5−スルホニルアミノ)ジフェニルエ
ーテル12.5g(94%)を得た。
【0056】ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物
(BTDA)12.3g(38.3mmol)とブタノー
ル12.0g(162mmol)の混合溶液を還流下1
時間撹拌後、過剰量のブタノールを減圧留去する。
(BTDA)12.3g(38.3mmol)とブタノー
ル12.0g(162mmol)の混合溶液を還流下1
時間撹拌後、過剰量のブタノールを減圧留去する。
【0057】ベンゼン50mlを添加後、塩化チオニル
11.0g(46.0mmol)を室温で滴下する。反応
液を還流下1時間撹拌し、過剰量の塩化チオニルを減圧
留去することにより、対応するベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸ジブチルジクロリド(BTDBuCl)の固体
を得た。
11.0g(46.0mmol)を室温で滴下する。反応
液を還流下1時間撹拌し、過剰量の塩化チオニルを減圧
留去することにより、対応するベンゾフェノンテトラカ
ルボン酸ジブチルジクロリド(BTDBuCl)の固体
を得た。
【0058】得られたBTDBuClのN−メチル−2
−ピロリドン(NMP)溶液(50ml)に、ジアミノ
ジフェニルエーテル(DDE)3.06g(15.3mm
ol)、3,5−ジアミノ安息香酸3.5g(23.0m
mol)のNMP溶液(40ml)を、反応溶液を5℃
以下に保ちながら滴下し、室温で30分撹拌する。
−ピロリドン(NMP)溶液(50ml)に、ジアミノ
ジフェニルエーテル(DDE)3.06g(15.3mm
ol)、3,5−ジアミノ安息香酸3.5g(23.0m
mol)のNMP溶液(40ml)を、反応溶液を5℃
以下に保ちながら滴下し、室温で30分撹拌する。
【0059】濾過後、濾液を水(3l)に滴下すること
によりベンゾフェノンテトラカルボン酸ジブチル骨格を
有するポリアミド酸エステルの固体を得た。固形分含量
12重量%のポリアミド酸エステルのNMP溶液を調製
し、固形分に対して25重量%の4,4'−ビス(1,2−
ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニルアミノ)
ジフェニルエーテルを加え、本発明の感光性樹脂組成物
を得た。
によりベンゾフェノンテトラカルボン酸ジブチル骨格を
有するポリアミド酸エステルの固体を得た。固形分含量
12重量%のポリアミド酸エステルのNMP溶液を調製
し、固形分に対して25重量%の4,4'−ビス(1,2−
ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニルアミノ)
ジフェニルエーテルを加え、本発明の感光性樹脂組成物
を得た。
【0060】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってガラス基板上に塗布後、80℃で3分間乾燥して
膜厚6μmのフィルムを調製した。これに高圧水銀灯の
光を遮光性マスクを介して500mJ/cm2照射し
た。
よってガラス基板上に塗布後、80℃で3分間乾燥して
膜厚6μmのフィルムを調製した。これに高圧水銀灯の
光を遮光性マスクを介して500mJ/cm2照射し
た。
【0061】アルカリ現像剤(東京応化製:NMD3)
中で80秒現像したところ、未露後部の残膜率85%で
ポジ型の10μm□のホールパターンを得ることができ
た。
中で80秒現像したところ、未露後部の残膜率85%で
ポジ型の10μm□のホールパターンを得ることができ
た。
【0062】さらに300℃で1時間熱処理し、熱分解
温度が450℃以上、引張り強度が15kg/mm2以
上のレリーフパターンを得ることができた。
温度が450℃以上、引張り強度が15kg/mm2以
上のレリーフパターンを得ることができた。
【0063】〔実施例2〕1,2−ナフトキノン−2−
ジアジド−5−スルホニルクロリド21.9g(81.0
mmol)のピリジン溶液(100ml)に、4−アミ
ノフェノール6.35g(58.2mmol)のピリジン
溶液(200ml)を、反応溶液を5℃以下に保ちなが
ら滴下し、30分間撹拌する。
ジアジド−5−スルホニルクロリド21.9g(81.0
mmol)のピリジン溶液(100ml)に、4−アミ
ノフェノール6.35g(58.2mmol)のピリジン
溶液(200ml)を、反応溶液を5℃以下に保ちなが
ら滴下し、30分間撹拌する。
【0064】1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5
−スルホニルクロリド15.6g(58.0mmol)の
ピリジン溶液(100ml)とトリエチルアミン15m
l(120mmol)を、反応溶液を15℃以下に保ち
ながら滴下し、室温で3時間攪拌する。
−スルホニルクロリド15.6g(58.0mmol)の
ピリジン溶液(100ml)とトリエチルアミン15m
l(120mmol)を、反応溶液を15℃以下に保ち
ながら滴下し、室温で3時間攪拌する。
【0065】濾過後、濾液を1N塩酸水溶液(5l)に
滴下することにより、4−(1,2−ナフトキノン−2−
ジアジド−5−スルホニルアミノ)−1−(1,2−ナフ
トキノン−2−ジアジド−5−スルホニルオキシ)ベン
ゼンの固体24.3g(73%)を得た。
滴下することにより、4−(1,2−ナフトキノン−2−
ジアジド−5−スルホニルアミノ)−1−(1,2−ナフ
トキノン−2−ジアジド−5−スルホニルオキシ)ベン
ゼンの固体24.3g(73%)を得た。
【0066】実施例1で調製したポリアミド酸エステル
のNMP溶液に、固形分に対して25重量%の4−(1,
2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニルアミ
ノ)−1−(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−
スルホニルオキシ)ベンゼンを加え感光性樹脂組成物を
得た。
のNMP溶液に、固形分に対して25重量%の4−(1,
2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニルアミ
ノ)−1−(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−
スルホニルオキシ)ベンゼンを加え感光性樹脂組成物を
得た。
【0067】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってガラス基板上に塗布後、80℃で3分間乾燥する
ことにより膜厚6μmのフィルムを調製した。高圧水銀
灯の光を用い遮光性マスクを介して300mJ/cm2
照射した。NMD3中で80秒現像したところ、未露後
部の残膜率85%のポジ型の10μm□のホールパター
ンを得ることができた。
よってガラス基板上に塗布後、80℃で3分間乾燥する
ことにより膜厚6μmのフィルムを調製した。高圧水銀
灯の光を用い遮光性マスクを介して300mJ/cm2
照射した。NMD3中で80秒現像したところ、未露後
部の残膜率85%のポジ型の10μm□のホールパター
ンを得ることができた。
【0068】さらに300℃で1時間熱処理し、熱分解
温度が450℃以上、引張り強度が15kg/mm2以
上のレリーフパターンを得ることができた。
温度が450℃以上、引張り強度が15kg/mm2以
上のレリーフパターンを得ることができた。
【0069】〔実施例3〕1,2−ナフトキノン−2−
ジアジド−5−スルホニルクロリド5.52g(20.0
mmol)のジオキサン溶液(22ml)に、N−メチ
ルエチレンジアミン0.644g(8.58mmol)の
ジオキサン溶液(50ml)を−20℃で滴下し、30
分間攪拌する。反応溶液を室温に戻し、トリエチルアミ
ン1.3ml(11.0mmol)を滴下し、1時間攪拌
する。
ジアジド−5−スルホニルクロリド5.52g(20.0
mmol)のジオキサン溶液(22ml)に、N−メチ
ルエチレンジアミン0.644g(8.58mmol)の
ジオキサン溶液(50ml)を−20℃で滴下し、30
分間攪拌する。反応溶液を室温に戻し、トリエチルアミ
ン1.3ml(11.0mmol)を滴下し、1時間攪拌
する。
【0070】濾過後、濾液を1N塩酸水溶液(1l)に
滴下することによりN−メチル−1,2−ビス(1,2−
ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニルアミノ)
エタンの固体2.10g(80%)を得た。
滴下することによりN−メチル−1,2−ビス(1,2−
ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニルアミノ)
エタンの固体2.10g(80%)を得た。
【0071】実施例1で調製したポリアミド酸エステル
のNMP溶液に、固形分に対して25重量%のN−メチ
ル−1,2−ビス(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド
−5−スルホニルアミノ)エタンを加え感光性樹脂組成
物を得た。この感光性樹脂組成物をスピンコート法によ
ってガラス基板上に塗布後、80℃で3分間乾燥するこ
とにより膜厚6μmのフィルムを調製した。
のNMP溶液に、固形分に対して25重量%のN−メチ
ル−1,2−ビス(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド
−5−スルホニルアミノ)エタンを加え感光性樹脂組成
物を得た。この感光性樹脂組成物をスピンコート法によ
ってガラス基板上に塗布後、80℃で3分間乾燥するこ
とにより膜厚6μmのフィルムを調製した。
【0072】高圧水銀灯の光を用い遮光性マスクを介し
て300mJ/cm2照射した。NMD3中で80秒現
像したところ、未露後部の残膜率96%で、ポジ型の1
0μm□のホールパターンを得ることができた。
て300mJ/cm2照射した。NMD3中で80秒現
像したところ、未露後部の残膜率96%で、ポジ型の1
0μm□のホールパターンを得ることができた。
【0073】さらに300℃で1時間熱処理し、熱分解
温度が450℃以上、引張り強度が15kg/mm2以
上のレリーフパターンを得ることができた。
温度が450℃以上、引張り強度が15kg/mm2以
上のレリーフパターンを得ることができた。
【0074】〔実施例4〕1,2−ナフトキノン−2−
ジアジド−5−スルホニルクロリド6.62g(24.0
mmol)のピリジン溶液(15ml)に、−25℃で
2−アミノエタノール0.648g(10.6mmol)
のピリジン溶液(5ml)を滴下する。30分間攪拌
後、反応溶液を室温に戻す。トリエチルアミン6.7m
l(120mmol)を滴下し、3時間攪拌する。
ジアジド−5−スルホニルクロリド6.62g(24.0
mmol)のピリジン溶液(15ml)に、−25℃で
2−アミノエタノール0.648g(10.6mmol)
のピリジン溶液(5ml)を滴下する。30分間攪拌
後、反応溶液を室温に戻す。トリエチルアミン6.7m
l(120mmol)を滴下し、3時間攪拌する。
【0075】濾過後、濾液を1N塩酸水溶液(1l)に
滴下することにより2−(1,2−ナフトキノン−2−ジ
アジド−5−スルホニルアミノ)−1−(1,2−ナフト
キノン−2−ジアジド−5−スルホニルオキシ)エタン
の固体2.55g(86%)を得た。
滴下することにより2−(1,2−ナフトキノン−2−ジ
アジド−5−スルホニルアミノ)−1−(1,2−ナフト
キノン−2−ジアジド−5−スルホニルオキシ)エタン
の固体2.55g(86%)を得た。
【0076】実施例1で調製したポリアミド酸エステル
のNMP溶液に、固形分に対して25重量%の2−(1,
2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニルアミ
ノ)−1−(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−
スルホニルオキシ)エタンを加え感光性樹脂組成物を得
た。
のNMP溶液に、固形分に対して25重量%の2−(1,
2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニルアミ
ノ)−1−(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−
スルホニルオキシ)エタンを加え感光性樹脂組成物を得
た。
【0077】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってガラス基板上に塗布後、80℃で3分間乾燥する
ことにより膜厚6μmのフィルムを調製した。高圧水銀
灯の光を用い遮光性マスクを介して200mJ/cm2
照射した。NMD3中で80秒現像したところ、未露後
部の残膜率98%で、ポジ型の10μm□のホールパタ
ーンを得ることができた。
よってガラス基板上に塗布後、80℃で3分間乾燥する
ことにより膜厚6μmのフィルムを調製した。高圧水銀
灯の光を用い遮光性マスクを介して200mJ/cm2
照射した。NMD3中で80秒現像したところ、未露後
部の残膜率98%で、ポジ型の10μm□のホールパタ
ーンを得ることができた。
【0078】さらに300℃で1時間熱処理し、熱分解
温度が450度以上、引張り強度が15kg/mm2以
上のレリーフパターンを得ることができた。
温度が450度以上、引張り強度が15kg/mm2以
上のレリーフパターンを得ることができた。
【0079】〔実施例5〕実施例1の方法で、ベンゾフ
ェノンテトラカルボン酸二無水物の代わりにオキシジフ
タル酸二無水物(ODPA)を用い、オキシジフタル酸
ジブチル骨格を有するポリアミド酸エステルの固体を得
た。
ェノンテトラカルボン酸二無水物の代わりにオキシジフ
タル酸二無水物(ODPA)を用い、オキシジフタル酸
ジブチル骨格を有するポリアミド酸エステルの固体を得
た。
【0080】固形分含量12重量%のポリアミド酸エス
テルのNMP溶液を調製後、固形分に対して25重量%
の2−(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スル
ホニルアミノ)−1−(1,2−ナフトキノン−2−ジア
ジド−5−スルホニルオキシ)エタンを加え感光性樹脂
組成物を得た。
テルのNMP溶液を調製後、固形分に対して25重量%
の2−(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スル
ホニルアミノ)−1−(1,2−ナフトキノン−2−ジア
ジド−5−スルホニルオキシ)エタンを加え感光性樹脂
組成物を得た。
【0081】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってガラス基板上に塗布後、80℃で3分間乾燥する
ことによりフィルムを調製した。高圧水銀灯の光を用い
遮光性マスクを介して200mJ/cm2照射した。N
MD3中で90秒現像したところ、未露後部をほとんど
侵触することなくポジ型の10μm□のホールパターン
を得ることができた。
よってガラス基板上に塗布後、80℃で3分間乾燥する
ことによりフィルムを調製した。高圧水銀灯の光を用い
遮光性マスクを介して200mJ/cm2照射した。N
MD3中で90秒現像したところ、未露後部をほとんど
侵触することなくポジ型の10μm□のホールパターン
を得ることができた。
【0082】さらに300℃で1時間熱処理し、熱分解
温度が450度以上、引張り強度が15kg/mm2以
上のレリーフパターンを得ることができた。
温度が450度以上、引張り強度が15kg/mm2以
上のレリーフパターンを得ることができた。
【0083】〔実施例6〕BTDA12.3g(38.3
mmol)とメタノール5.18g(162mmol)
の混合溶液を還流下1時間撹拌する。過剰量のメタノー
ルを減圧留去する。ベンゼン50mlを添加後、塩化チ
オニル11.0g(46.0mmol)を室温で滴下す
る。反応液を還流下1時間撹拌し、過剰量の塩化チオニ
ルを減圧留去することにより、対応するベンゾフェノン
テトラカルボン酸ジメチルジクロリド(BTDMeC
l)の固体を得た。
mmol)とメタノール5.18g(162mmol)
の混合溶液を還流下1時間撹拌する。過剰量のメタノー
ルを減圧留去する。ベンゼン50mlを添加後、塩化チ
オニル11.0g(46.0mmol)を室温で滴下す
る。反応液を還流下1時間撹拌し、過剰量の塩化チオニ
ルを減圧留去することにより、対応するベンゾフェノン
テトラカルボン酸ジメチルジクロリド(BTDMeC
l)の固体を得た。
【0084】BTDA12.3g(38.3mmol)と
DDE15.3g(76.6mmol)のNMP溶液(1
00ml)を、室温で1時間撹拌する。上記BTDMe
ClのNMP溶液(50ml)を反応溶液を5℃以下に
保ちながら滴下し、室温で30分間撹拌する。
DDE15.3g(76.6mmol)のNMP溶液(1
00ml)を、室温で1時間撹拌する。上記BTDMe
ClのNMP溶液(50ml)を反応溶液を5℃以下に
保ちながら滴下し、室温で30分間撹拌する。
【0085】濾過後、濾液を水(3l)に滴下すること
によりベンゾフェノンテトラカルボン酸ジメチル骨格を
有するポリアミド酸エステル固体を得た。固形分含量1
2重量%のポリアミド酸エステルのNMP溶液を調製
し、固形分に対して25重量%の2−(1,2−ナフトキ
ノン−2−ジアジド−5−スルホニルアミノ)−1−
(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニル
オキシ)エタンを加え感光性樹脂組成物を得た。
によりベンゾフェノンテトラカルボン酸ジメチル骨格を
有するポリアミド酸エステル固体を得た。固形分含量1
2重量%のポリアミド酸エステルのNMP溶液を調製
し、固形分に対して25重量%の2−(1,2−ナフトキ
ノン−2−ジアジド−5−スルホニルアミノ)−1−
(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニル
オキシ)エタンを加え感光性樹脂組成物を得た。
【0086】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってガラス基板上に塗布後、80℃で3分間乾燥する
ことにより膜厚6μmのフィルムを調製した。高圧水銀
灯の光を用い遮光性マスクを介して200mJ/cm2
照射した。NMD3中で80秒現像したところ、未露後
部をほとんど侵触することなくポジ型の10μm□のホ
ールパターンを得ることができた。
よってガラス基板上に塗布後、80℃で3分間乾燥する
ことにより膜厚6μmのフィルムを調製した。高圧水銀
灯の光を用い遮光性マスクを介して200mJ/cm2
照射した。NMD3中で80秒現像したところ、未露後
部をほとんど侵触することなくポジ型の10μm□のホ
ールパターンを得ることができた。
【0087】さらに300℃で1時間熱処理し、熱分解
温度が450度以上、引張り強度が15kg/mm2以
上のレリーフパターンを得ることができた。
温度が450度以上、引張り強度が15kg/mm2以
上のレリーフパターンを得ることができた。
【0088】〔実施例7〕現像液をNMPに替えて実施
例1と同様の実験を行った結果、露後部をほとんど侵触
することなくポジ型の10μm□のホールパターンを得
ることができた。
例1と同様の実験を行った結果、露後部をほとんど侵触
することなくポジ型の10μm□のホールパターンを得
ることができた。
【0089】さらに300℃で1時間熱処理し、熱分解
温度が450度以上、引張り強度が15kg/mm2以
上のレリーフパターンを得ることができた。
温度が450度以上、引張り強度が15kg/mm2以
上のレリーフパターンを得ることができた。
【0090】〔比較例〕実施例1における4,4'−ビス
(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニル
アミノ)ジフェニルエーテルの代わりに2,3,4,4'−
テトラヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノ
ン−2−ジアジド−5−スルホン酸の3置換エステル化
合物を用いた以外は、実施例1と同様の方法で感光性樹
脂組成物を調製した。
(1,2−ナフトキノン−2−ジアジド−5−スルホニル
アミノ)ジフェニルエーテルの代わりに2,3,4,4'−
テトラヒドロキシベンゾフェノンの1,2−ナフトキノ
ン−2−ジアジド−5−スルホン酸の3置換エステル化
合物を用いた以外は、実施例1と同様の方法で感光性樹
脂組成物を調製した。
【0091】この感光性樹脂組成物をスピンコート法に
よってガラス基板上に塗布後、80℃で3分間乾燥する
ことにより膜厚6μmのフィルムを調製した。高圧水銀
灯の光を用い遮光性マスクを介して500mJ/cm2
照射した。NMD3中で最長5分間現像したが、ポジ型
の10μm□〜100μm□のホールパターンを得るこ
とができなかった。
よってガラス基板上に塗布後、80℃で3分間乾燥する
ことにより膜厚6μmのフィルムを調製した。高圧水銀
灯の光を用い遮光性マスクを介して500mJ/cm2
照射した。NMD3中で最長5分間現像したが、ポジ型
の10μm□〜100μm□のホールパターンを得るこ
とができなかった。
【0092】
【発明の効果】本発明によれば、アルカリ溶剤で現像可
能な高感度ポジ型感光性樹脂組成物を得ることができ、
これを用いて高解像度、高強度で耐熱性の優れたレリー
フパターンを得ることができる。
能な高感度ポジ型感光性樹脂組成物を得ることができ、
これを用いて高解像度、高強度で耐熱性の優れたレリー
フパターンを得ることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石田 美奈 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 岡部 義昭 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 三輪 崇夫 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 上野 巧 茨城県日立市大みか町七丁目1番1号 株 式会社日立製作所日立研究所内
Claims (5)
- 【請求項1】 式〔1〕 【化1】 (式中、R1はオルトキノンジアジドスルホニル基、R2
は炭素数2〜30のアルキル基,アリール基,アルキル
アリール基,複素環基、R3は炭素数1〜8のアルキル
基または水素、nは0〜5、mは1〜6を示す。)で表
される化合物を全樹脂量100重量部に対して1〜10
0重量部と、式〔2〕 【化2】 (式中、R4は炭素数2〜20のアルキル基,アリール
基,アルキルアリール基,複素環基、R5は炭素数1〜
20のアルキル基,水素原子,ハロゲン原子を示す。)
で表される構造単位を有し、分子量10,000〜1,0
00,000のカルボン酸重合体を全樹脂量100重量
部に対して20重量部以上含むことを特徴とする感光性
樹脂組成物。 - 【請求項2】 前記カルボン酸重合体が式〔3〕 【化3】 (式中、R6は炭素数2〜20の4価のアルキル基,ア
リール基,アルキルアリール基,複素環基、R7は炭素
数2〜20の2価のアルキル基,アリール基,アルキル
アリール基,複素環基、R8は炭素数1〜10のアルキ
ル基,水素原子,繰り返し単位の構成比を表すXは5〜
100モル%)で表される請求項1に記載の感光性樹脂
組成物。 - 【請求項3】 前記カルボン酸重合体が式〔4〕 【化4】 (式中、R9はフェノール性水酸基,カルボキシル基,
アミド基,スルホンアミド基を有する炭素数2〜20の
2価のアルキル基,アリール基,アルキルアリール基,
複素環基、繰り返し単位の構成比を表すYは5〜100
モル%)である請求項1に記載の感光性樹脂組成物。 - 【請求項4】 前記式〔4〕において、R9が3,5−ジ
アミノ安息香酸残基である請求項3に記載の感光性樹脂
組成物。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の感光性
樹脂組成物を、基板上に塗布して乾燥する工程、遮光性
マスクを介して電磁波を照射する工程、現像する工程を
含むことを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8153918A JPH103168A (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 感光性樹脂組成物と該組成物を用いたパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8153918A JPH103168A (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 感光性樹脂組成物と該組成物を用いたパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH103168A true JPH103168A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15572949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8153918A Pending JPH103168A (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | 感光性樹脂組成物と該組成物を用いたパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH103168A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6836305B1 (en) | 1998-07-15 | 2004-12-28 | Hitachi, Ltd. | Reflection-type, liquid crystal display device and process for producing the same |
| JP2015162587A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 重合膜の耐薬品性改善方法、重合膜の成膜方法、成膜装置、および電子製品の製造方法 |
-
1996
- 1996-06-14 JP JP8153918A patent/JPH103168A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6836305B1 (en) | 1998-07-15 | 2004-12-28 | Hitachi, Ltd. | Reflection-type, liquid crystal display device and process for producing the same |
| JP2015162587A (ja) * | 2014-02-27 | 2015-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 重合膜の耐薬品性改善方法、重合膜の成膜方法、成膜装置、および電子製品の製造方法 |
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