JPH10317128A - 膜厚均一化装置ならびに真空蒸着方法および真空蒸着装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 蒸着材料の残量に係わらず、周辺部に配置さ
れた基板でも目的の膜厚を得る。 【解決手段】 シャッタ１１８を開放するとルツボ１１
６内の蒸発材料からの蒸気が上昇し、基板ホルダ１０８
上の各水晶振動子３２、３４、３６、３８に付着して薄
膜を形成する。ここで、各水晶振動子に形成される薄膜
の厚さに差がある場合には、各水晶振動子の振動数が異
なったものとなる。制御手段４４は、この振動数の差に
もとづいて、各調整板１６、１８、２０を移動させ、膜
厚補正手段４の幅を、基板ホルダ１０８の半径方向にお
ける各位置で調整して、基板ホルダ１０８上のどの位置
に配置されたガラス基板１５４でも同じ膜厚の薄膜が形
成されるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、真空蒸着によって
基体に薄膜を形成する真空蒸着装置で用いる膜厚均一化
装置に関し、また、その膜厚均一化装置を用いた真空蒸
着方法および真空蒸着装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来より、真空雰囲気中で、蒸着材料で
ある蒸発源を蒸発させ蒸着対象物の表面に蒸気を付着さ
せて薄膜を形成する真空蒸着装置が知られている。例え
ば光学部品を製造する分野などでは、この真空蒸着装置
により、例えばガラス基板に、反射防止膜や、反射増加
膜、あるいは光学フィルタ膜などが形成される。これら
の膜は一般に多層膜であり、蒸発源を切り換えて薄膜形
成を繰り返すことで必要な層数に形成される。

【０００３】図８は従来の真空蒸着装置の一例を示す断
面側面図である。この真空蒸着装置１０２は、図８に示
すように、真空チェンバ１０４、第１の蒸発手段１０
６、基板ホルダ１０８、膜厚モニタ用のモニタ基体の支
持手段１１０、光学特性測定手段１１２などにより構成
されている。真空チェンバ１０４の底部近傍の側壁には
排気口１１４が形成されており、真空チェンバ１０４の
内部は、この排気口１１４を通じて不図示の真空ポンプ
により排気が行われることで必要な真空状態が確保され
る。真空チェンバ１０４の底面の略中央には第１の蒸発
手段１０６が配設されている。第１の蒸発手段１０６
は、ルツボ１１６、そのシャッタ１１８、電子銃１２０
などを含んで構成されている。ルツボ１１６には、蒸発
源である第１の蒸着材料が充填され、シャッタ１１８は
その上部に近接して配置されている。

【０００４】シャッタ１１８はルツボ１１６の上部を被
う大きさを有し、回転柱１１９により回転可能に支持さ
れている。そして、回転柱１１９がモータ１２２により
回転駆動されることでシャッタ１１８の回転位置が変化
し、シャッタ１１８の開閉が行われる。すなわち、シャ
ッタ１１８を開放状態とするときは、シャッタ１１８の
位置はルツボ１１６の上部から外れた位置とされ、シャ
ッタ１１８を閉鎖状態とするときは、シャッタ１１８の
位置がルツボ１１６の上部の位置（図８の位置）とされ
る。

【０００５】ルツボ１１６の側部には電子銃１２０が配
設されており、この電子銃１２０から放出された電子が
点線Ａにより示すようにルツボ１１６内の蒸着材料に入
射することで蒸着材料が蒸発する。なお、底面上には、
この第１の蒸発手段１０６と同一構成の不図示の第２の
蒸発手段が上記第１の蒸発手段１０６と近接して配置さ
れており、そのルツボ内には第２の蒸着材料が充填され
ている。

【０００６】基板ホルダ１０８は円盤状に形成され、多
数の開口１２４が形成されている。基板ホルダ１０８の
上面中央には回転軸１２６が固着され、この回転軸１２
６により支持されて、真空チェンバ１０４内の上部に、
下面を第１の蒸発手段１０６に向けて配置されている。
回転軸１２６は真空チェンバ１０４の天井部に回転可能
に支持され、基板ホルダ１０８と反対側の端部は真空チ
ェンバ１０４の上部に配設されたモータ１２８の出力軸
に連結されている。

【０００７】膜厚モニタ用のモニタ基体の支持手段１１
０は、支持板１３０、モニタ基体１３２の回転駆動手段
１３４を含んで構成され、真空チェンバ１０４内の基板
ホルダ１０８と第１の蒸発手段１０６との間の基板ホル
ダ１０８寄りの箇所に配置されている。支持板１３０
は、一端部が真空チェンバ１０４の側壁に固着され、略
水平に支持されている。そして、基板ホルダ１０８の略
中央に相当する箇所には開口１３６が形成されている。
モニタ基体１３２は円盤状に形成されたガラス基板から
成り、支持板１３０上の開口１３６近傍に、中心を開口
１３６からずらして載置される。

【０００８】回転駆動手段１３４は回転駆動軸１３８を
含み、回転駆動軸１３８は、支持板１３０の上方に、支
持板１３０に近接し、かつ支持板１３０にほぼ平行に開
口１３６に向けて延設されている。その先端部は直角に
屈曲し、先端１４０が、上述のように配置されたモニタ
基体１３２の略中心に係合する構成となっている。回転
駆動軸１３８の、先端１４０と反対側の端部は真空チェ
ンバ１０４の側壁を貫通して外部に延出され、不図示の
モータに連結されている。

【０００９】支持手段１１０の下方には、支持板１３０
に近接し、支持板１３０と略平行に膜厚補正板１４２が
配置されている。

【００１０】光学特性測定手段１１２は、光源１４４、
光検出器１４６、分光器１４８などにより構成されてい
る。真空チェンバ１０４の底壁１５０の略中央には窓１
５２が形成されており、上記光源１４４、光検出器１４
６、分光器１４８はこの窓１５２の外側に、窓１５２に
近接して配置されている。さらに詳しくは、光源１４４
は、その光出射面が、窓１５２を通じて支持板１３０の
開口１３６を臨むように配置されている。また、分光器
１４８は、その光入射面が、窓１５２を通じて支持板１
３０の開口１３６を臨むように配置されている。そし
て、光検出器１４６は、その光入射面が、窓１５２およ
び分光器１４８を通じて支持板１３０の開口１３６を臨
むように配置されている。

【００１１】このように構成された真空蒸着装置１０２
で、例えば光学部品を成すガラス基板の表面に多層膜を
形成する場合には、蒸着対象のガラス基板１５４を、中
心を開口１２４の中心にほぼ一致させた状態で基板ホル
ダ１０８上に載置し、そして、モータ１２８に給電して
基板ホルダ１０８を回転させる。次に、モータ１２２に
給電してシャッタ１１８を一定の角度だけ回転させ開放
状態に設定する。その結果、ルツボ１１６内の第１の蒸
着材料の蒸気はルツボ１１６から放出され、基板ホルダ
１０８により支持されたガラス基板１５４の表面に、開
口１２４を通じて付着する。

【００１２】これによりガラス基板１５４の表面に第１
の蒸着材料の薄膜が形成されるが、その膜厚は、シャッ
タ１１８の開放時間、すなわち蒸着時間を制御すること
により、目標とする膜厚が得られるよう図る。この蒸着
時間の制御は、モニタ基体１３２からの反射光をモニタ
することで行う。上述のようにシャッタ１１８を開放す
ることで、ガラス基板１５４に対する蒸着が行われる
が、同時に、第１の蒸着材料の蒸気は、支持板１３０の
開口１３６を通じてモニタ基体１３２の表面にも付着し
て薄膜を形成する。そして、時間の経過と共にこの薄膜
もしだいに厚くなり、その結果薄膜の干渉によって、光
源１４４からモニタ基体１３２に入射した光の反射率は
しだいに変化する。したがって、予めガラス基板１５４
に目標とする厚さの薄膜が形成されたときの、モニタ基
体１３２における反射率を実験などにより求めておけ
ば、その反射率となったときシャッタ１１８を閉じて蒸
着を停止すれば、ガラス基板１５４に目標とする厚さの
薄膜が形成されることになる。

【００１３】このような制御を行うため、光源１４４か
らは少なくともシャッタ１１８が開放されている間、光
を窓１５２および開口１３６を通じモニタ基体１３２に
向けて放射させ、その反射光は、開口１３６および窓１
５２を通じて分光器１４８に入射する。そして、必要な
波長成分の光のみが分光器１４８を通過して光検出器１
４６に入射し、電気信号に変換される。この電気信号の
レベルが反射率に対応しているため、光検出器１４６が
出力する信号のレベルが所定値に達したときシャッタ１
１８を閉じ、蒸気の放出を阻止する。これにより、ガラ
ス基板１５４には目標とする厚さの薄膜が形成される。

【００１４】第１の蒸発材料による薄膜がこのようにし
て形成されると、次に、回転駆動軸１３８によってモニ
タ基体１３２を支持板１３０上で一定の角度だけ回転さ
せ、モニタ基体１３２の非蒸着領域が開口１３６を通じ
て露出するように設定する。そして、シャッタ１１８に
代って、上述した第２の蒸発手段の不図示のシャッタを
開放し、第２の蒸着材料の蒸気を放出させる。これによ
り、各ガラス基板１５４では、第１の蒸発材料による薄
膜の上に、第２の蒸発材料が付着し、その薄膜が形成さ
れる。また、モニタ基体表面の開口１３６を通じた露出
領域にも、上述の場合と同様に第２の蒸発材料が付着し
てその薄膜が形成される。そして、光検出器１４６の出
力信号が所定レベルに到達したとき、シャッタを閉じる
ことで、各ガラス基板１５４に形成された第１の蒸着材
料による薄膜の上に、目標とする厚さの第２の蒸着材料
による薄膜が形成される。以降、第１の蒸発手段１０６
および第２の蒸発手段のシャッタを交互に切り換えて開
放することで、ガラス基板１５４には第１および第２の
蒸着材料が交互に積層した多層膜が形成される。

【００１５】ところで、２つの蒸発手段は真空チェンバ
１０４の底面のほぼ中央に配置されているので、ルツボ
から放出された蒸気の濃度は、真空チェンバ１０４内で
均一ではなく、真空チェンバ１０４の中心部では高く、
周辺に近づくほど低くなっている。膜厚補正板１４２は
このような濃度の不均一を補正するために設けられてお
り、基板ホルダ１０８が回転している結果、基板ホルダ
１０８上に配列されたガラス基板１５４は、中央部のも
のほど長い時間、蒸気が遮られることになる。その結
果、周辺部で蒸気濃度が低いことが補正され、中央部に
配置されたガラス基板１５４と、周辺部に配置されたガ
ラス基板１５４とにおける膜厚の差が緩和される。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、蒸気濃度の不
均一さは、ルツボ１１６内に充填された蒸発源の量によ
って変化し、ルツボ内の蒸発源の量が少なくなると、周
辺部での蒸気濃度の低下は、ルツボ内に十分な量の蒸発
源が充填されている場合に比べ、大きくなる。そのた
め、蒸着作業を継続して蒸発源がしだいに消費され、そ
の量が少なくなってくると、膜厚補正板１４２だけでは
十分に補正できず、基板ホルダ１０８の周辺部に配置さ
れたガラス基板１５４では、形成される薄膜の厚さはし
だいに薄いものとなる。

【００１７】その結果、基板ホルダ１０８の周辺部に配
置したガラス基板１５４では、目標とする厚さの多層膜
を形成できず、必要な光学的特性を確保することが困難
となる。図９は従来の真空蒸着装置によりガラス基板に
２３層の多層膜を形成して、ガラス基板の透過率を測定
した結果を示すグラフである。図中、横軸は波長を表
し、縦軸は透過率を表している。そして、曲線Ｂは、基
板ホルダ上で最も外側に配置して多層膜を形成したガラ
ス基板の透過率を示し、曲線Ｅは最も中央寄りに配置し
たガラス基板の透過率を示している。また、曲線Ｃ、Ｄ
はこれらのガラス基板の中間に配置したガラス基板の透
過率を示している。図９から分るように、５３０ｎｍ付
近のリップル部で、周辺部に配置されたガラス基板（曲
線Ｂ）では十分な透過率が得られていない。このよう
に、基板ホルダ１０８の周辺部に配置したガラス基板１
５４で、目標とする厚さの多層膜を形成できず、必要な
光学的特性を確保できないと、一度に多数のガラス基板
１５４を基板ホルダ１０８上に配置して蒸着作業を行う
ことができず、製造効率を高めることが難しくなる。

【００１８】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、その目的は、蒸着材料の残量に係わら
ず、真空チェンバ内の周辺部に配置した基体においても
必要な厚さを備えた薄膜を形成できるようにする膜厚均
一化装置ならびに真空蒸着方法および真空蒸着装置を提
供することにある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、真空チェンバ内に複数の基体を基体ホルダで
支持し、前記基体ホルダを回転させつつ蒸着により前記
基体上に薄膜を形成する真空蒸着装置において用いる膜
厚均一化装置であって、前記基体ホルダと蒸発源との間
の前記基体ホルダ寄りの箇所に配置されて、前記蒸発源
からの蒸気を遮る膜厚補正手段を含み、前記膜厚補正手
段は、前記基体ホルダの回転の中心から遠ざかる方向に
延設され、前記蒸発源から見て、前記膜厚補正手段の延
在方向に直交する方向における前記膜厚補正手段の幅
が、前記膜厚補正手段の延在方向での異なる位置ごとに
可変であることを特徴とする。

【００２０】本発明はまた、前記膜厚補正手段が、板面
を前記蒸発源に向け、前記基体ホルダの回転の中心から
遠ざかる方向に延設された膜厚補正板と、一部が前記膜
厚補正板に重ねて配設され、前記膜厚補正板の延在方向
で互いに異なる位置に配列された複数の調整板と、を含
み、前記調整板は、前記膜厚補正手段の前記幅の方向に
移動可能に支持され、前記膜厚補正手段の前記幅は、前
記調整板の、前記膜厚補正板の側辺部からの突出距離を
変えることで変化することを特徴とする。本発明はま
た、前記調整板を前記幅方向に移動させる駆動手段を備
えたことを特徴とする。

【００２１】本発明はまた、請求項１ないし３のいずれ
かに記載の膜厚均一化装置を用いた真空蒸着方法であっ
て、前記基体ホルダの回転の中心から遠ざかる方向にお
ける、基体ホルダ上での異なる複数の箇所にそれぞれ膜
厚センサを配置して、真空蒸着により形成される膜厚を
測定する膜厚測定ステップと、前記膜厚測定ステップで
測定した前記膜厚にもとづいて、膜厚補正手段の前記幅
を、前記膜厚補正手段の延在方向での異なる位置ごとに
制御する膜厚制御ステップとを含むことを特徴とする。
本発明はまた、前記膜厚センサが水晶振動子から成り、
前記膜厚制御ステップでは、各水晶振動子の振動数の差
にもとづいて、前記膜厚補正手段の前記幅を、前記膜厚
補正手段の延在方向での異なる位置ごとに制御すること
を特徴とする。本発明はまた、請求項２記載の膜厚均一
化装置を用い、前記膜厚制御ステップでは、前記調整板
を移動させることで、前記膜厚補正手段の前記幅を、前
記膜厚補正手段の延在方向での異なる位置ごとに制御す
ることを特徴とする。本発明はまた、請求項３記載の膜
厚均一化装置を用い、前記膜厚制御ステップでは、前記
駆動手段を通じて前記調整板を移動させることで、前記
膜厚補正手段の前記幅を、前記膜厚補正手段の延在方向
での異なる位置ごとに制御することを特徴とする。

【００２２】本発明はまた、請求項１ないし３のいずれ
かに記載の膜厚均一化装置を備えた真空蒸着装置であっ
て、前記基体ホルダの回転の中心から遠ざかる方向にお
ける、基体ホルダ上での異なる複数の箇所にそれぞれ配
置され、真空蒸着により形成される膜厚を測定する膜厚
センサと、前記膜厚センサにより測定した前記膜厚にも
とづいて、前記膜厚補正手段の前記幅を、前記膜厚補正
手段の延在方向での異なる位置ごとに制御する膜厚制御
手段とを含むことを特徴とする。本発明はまた、前記膜
厚センサが水晶振動子から成り、前記膜厚制御手段は、
各水晶振動子の振動数の差にもとづいて、前記膜厚補正
手段の前記幅を、前記膜厚補正手段の延在方向での異な
る位置ごとに制御することを特徴とする。本発明はま
た、請求項２記載の膜厚均一化装置を備え、前記膜厚制
御手段が、前記調整板を移動させることで、前記膜厚補
正手段の前記幅を、前記膜厚補正手段の延在方向での異
なる位置ごとに制御することを特徴とする。本発明はま
た、請求項３記載の膜厚均一化装置を備え、前記膜厚制
御手段が、前記駆動手段を通じて前記調整板を移動させ
ることで、前記膜厚補正手段の前記幅を、前記膜厚補正
手段の延在方向での異なる位置ごとに制御することを特
徴とする。本発明はまた、前記真空チャンバの天井を貫
通する回転軸を備え、前記基体ホルダが前記回転軸に固
着されて回転し、膜厚センサのリード線は、前記回転軸
の内側を通じて真空チャンバの外部に導かれていること
を特徴とする。本発明はまた、真空チェンバ内で基体を
移動させつつ蒸着により前記基体上に薄膜を形成する真
空蒸着装置において用いる膜厚均一化装置であって、前
記基体と蒸発源との間に配置された膜厚補正手段を含
み、前記膜厚補正手段は幅が、異なる箇所ごとに可変で
あることを特徴とする。

【００２３】

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を実施例
にもとづき図面を参照して説明する。図１は本発明によ
る膜厚均一化装置の一例を示す平面図、図２は図１の膜
厚均一化装置を備えた本発明の真空蒸着装置の一例を示
す断面側面図である。図２中、図８に示した真空蒸着装
置と同一の要素には同一の符号を付し、それらに関する
詳しい説明はここでは省略する。以下ではこれらの膜厚
均一化装置および真空蒸着装置について説明し、同時に
本発明の真空蒸着方法の一実施例について説明する。

【００２４】本実施例の真空蒸着装置３は、膜厚均一化
装置２を備え、膜厚均一化装置２は、膜厚補正手段４、
ギアボックス６、モータ８、１０、１２を含んで構成さ
れ、膜厚補正手段４は、膜厚補正板１４、調整板１６、
１８、２０により構成されている。膜厚補正板１４は、
真空チャンバ１０４内で、基板ホルダ１０８と蒸発手段
１０６との間の基板ホルダ１０８寄りの箇所に配置され
ている。膜厚補正板１４は、基板ホルダ１０８の中心か
ら遠ざかる方向、すなわち本実施例では半径方向に延設
され、膜厚補正板１４の基端部は真空チャンバ１０４の
内壁に固着され、板面は基板ホルダ１０８と略平行であ
り、先端は基板ホルダ１０８の略中央に至っている。

【００２５】３枚の調整板１６、１８、２０は、この膜
厚補正板１４の下に、それぞれの一部が膜厚補正板１４
に重なる状態で、板面を膜厚補正板１４に略平行にして
配置されている。各調整板１６、１８、２０はそれぞ
れ、主要な部分を成す翼部２２と、その支持部２４とか
ら成り、各調整板１６、１８、２０は、それぞれの翼部
２２が互いに重ならないように、膜厚補正板１４の延在
方向（すなわち、基板ホルダ１０８の半径方向）で互い
に異なる位置に配置されており、真空チャンバ１０４の
中央側から調整板１６、１８、２０の各翼部２２がこの
順番で相互に隣接して配置されている。また、調整板１
６の翼部２２は、基板ホルダ１０８に形成された最も内
側から２番目の開口１２４のほぼ直下に配置され（図
２）、調整板１８の翼部２２はその外側に隣接する開口
１２４のほぼ直下に、調整板２０の翼部２２はさらに外
側に隣接する開口１２４のほぼ直下にそれぞれ配置され
ている。各調整板１６、１８、２０の支持部２４は、膜
厚補正板１４の延在方向と平行に延在し、真空チャンバ
１０４の側壁内面に取り付けられたギアボックス６内
で、相互に独立して、膜厚補正板１４の延在方向に直交
する方向（幅方向）に移動可能に支持されている。各調
整板１６、１８、２０は上記移動が円滑に行えるよう、
上下方向で互いに若干の隙間を形成して配置されてお
り、また、最も上に配置されている調整板１６と膜厚補
正板１４との間にも、同じ理由で若干の隙間が形成され
ている。

【００２６】モータ８、１０、１２は、真空チャンバ１
０４の側壁を挟んでギアボックス６の外側に取り付けら
れ、それぞれの出力軸は側壁を貫通してギアボックス６
内に侵入している。ギアボックス６はラック・ピニオン
機構などを含み、各モータ８、１０、１２の出力軸の回
転を水平方向の運動に変換して、対応する調整板１６、
１８、２０を膜厚補正板１４の幅方向に移動させる構造
となっている。

【００２７】真空チャンバ１０４の天井のほぼ中央に
は、管状の回転軸２６が略垂直に天井を貫通して回転可
能に支持され、基板ホルダ１０８はこの回転軸２６の下
端に、基板ホルダ１０８の中央において固着されてい
る。真空チャンバ１０４の外側に突出している回転軸２
６の上端には歯車２８が装着され、この歯車２８には、
モータ１２８の出力軸に装着された歯車３０が係合して
いる。

【００２８】基板ホルダ１０８上には本実施例では膜厚
センサである４つの水晶振動子３２、３４、３６、３８
が配置されている。各水晶振動子は、開口１２４より大
きく、その中央を開口１２４の中央に一致させて基板ホ
ルダ１０８上に配置されている。そして、各水晶振動子
３２、３４、３６、３８は、基板ホルダ１０８の回転の
中心から遠ざかる方向に、すなわち半径方向に、隣接す
る４つの開口１２４上に一列に配列されている。

【００２９】管状の回転軸２６の上端部の内側には、導
電性材料から成る複数の不図示のリングが、回転軸２６
と同心に配設されており、各水晶振動子からのリード線
４０は、回転軸２６の側部に形成された孔を通じて回転
軸２６内に導かれ、内部で上記リングにそれぞれ接続さ
れている。上記リングに対しては導電性材料からなる不
図示のブラシが摺動可能に設けられており、リード線４
２はこれらのブラシにそれぞれ接続されている。

【００３０】本実施例の真空蒸着装置３を構成する制御
手段４４は例えばパーソナルコンピュータから成り、光
学特性測定手段１１２により測定されたモニタ基体１３
２の光学特性値、具体的には反射率にもとづいて、蒸着
によりガラス基板１５４に薄膜を形成する際の蒸着時間
を制御し、また、水晶振動子からの信号にもとづいて膜
厚補正手段４の幅を制御する。

【００３１】この機能を実現するため、図３のブロック
図に示すように、制御手段４４には、シャッタ１１８を
駆動するモータ１２２、上記第２の蒸発手段のシャッタ
４６（図２には示さず）を駆動するモータ４９、電子銃
１２０、上記第２の蒸発手段の電子銃５０（図２には示
さず）が接続されている。制御手段４４にはまた、調整
板１６、１８、２０を駆動するためのモータ８、１０、
１２、モニタ基体１３２を回転駆動するモータ４８、基
板ホルダ１０８を回転させるモータ１２８が接続されて
いる。また、制御手段４４には、周波数測定回路６１、
６２、６３、６４（図２には示さず）が接続され、各周
波数測定回路には、リード線４２を介して各水晶振動子
３２、３４、３６、３８がそれぞれ接続されている。

【００３２】制御手段４４にはまた、光源１４４と分光
器１４８が接続され、そして光検出器１４６の出力信号
がＡ／Ｄ変換器５４を通じて入力されている。さらに制
御手段４４には、真空チェンバ１０４の制御に関連して
真空ポンプ５６、真空メータ５８、排気バルブ６０（い
ずれも図２では省略）が接続されている。なお、図２で
は制御手段４４と各部との接続は、図面が必要以上に複
雑になることを避けるため省略されている。

【００３３】次に、このように構成された真空蒸着装置
２によりいかに真空蒸着を行って薄膜を形成するかを説
明する。図４ないし図６は、ガラス基板１５４に対して
真空蒸着を行って表面に多層膜を形成する手順を示すフ
ローチャートであり、以下では適宜このフローチャート
を参照する。本実施例では、具体例としてロングパスフ
ィルタとするガラス基板１５４（本発明に係わる基体）
に２３層の多層膜を形成し、そして、酸化チタン（Ｔｉ
Ｏ₂）と酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）の層を交互に形成す
るものとする。そのため、第１の蒸発手段１０６のルツ
ボ１１６には蒸発源として酸化チタンが充填され、一
方、第２の蒸発手段のルツボ（図示せず）には蒸発源と
して酸化シリコンが充填されている。

【００３４】制御手段４４には、上記２３層の各層の厚
さのデータを予め入力し、制御手段４４内部のメモリに
記憶させておく。また、基板ホルダ１０８に支持された
ガラス基板１５４とモニタ基体１３２とは、真空チェン
バ１０４内での高さが異なるため、蒸着時間が同じでも
形成される膜厚は異なったものとなる。そのため、同じ
蒸着時間で形成される膜厚の比Ｓを予め求め、その値も
制御手段４４に入力して上記メモリに記憶させておく。
膜厚の比Ｓは具体的には、ガラス基板１５４に形成され
る膜厚をＱａ、モニタ基体１３２に形成される膜厚をＱ
ｂとしたとき、Ｓ＝Ｑｂ／Ｑａである。蒸着対象のガラ
ス基板１５４は、従来と同様に、中心を基板ホルダ１０
８（本発明に係わる基体ホルダ）の開口１２４の中心に
ほぼ一致させた状態で基板ホルダ１０８上に載置してお
く。

【００３５】制御手段４４はまず真空ポンプ５６を起動
し、排気口１１４を通じて真空チェンバ１０４内の空気
を排出する（ステップＳ１）。そして、真空メータ５８
（図３）からの信号により真空チェンバ１０４内の真空
度をチェックし（ステップＳ２）、真空度が８×１０^-4
Ｐａとなったところで次のステップに進む。制御手段４
４は、ステップＳ３で、内部のカウンタ手段のカウント
値Ｌを１に設定し、そして、モータ１２８に給電する。
上記カウント値Ｌはガラス基板１５４に形成する層の番
号に対応しており、Ｌが１のとき、第１層を形成するこ
とになる。モータ１２８に給電したことで、モータ１２
８が回転し、したがって基板ホルダ１０８も回転する。

【００３６】制御手段４４は次に、ガラス基板１５４に
形成する第Ｌ層（この場合には第１層）の膜厚Ｑ（Ｌ）
を上記メモリから読み出し（ステップＳ４）、同じく上
記メモリから読み出した膜厚の比Ｓを用いて、第１のモ
ニタ基体４の目標の反射率Ｒ（Ｌ）を計算する（ステッ
プＳ５）。この反射率Ｒ（Ｌ）は次の（１）式にもとづ
いて算出する。

【００３７】

【数１】

【００３８】ただし、（１）式中、Ｎｍは第１のモニタ
基体４の屈折率、Ｌｍは分光器１４８を通過する単色光
の波長、Ｎｅは蒸着材料（酸化チタンまたは酸化シリコ
ン）の屈折率である。また、Ｑｄは第１のモニタ基体４
に形成すべき薄膜の厚さであり、Ｄｄは位相膜厚であ
る。

【００３９】つづいて制御手段４４は、モータ４８に給
電し、モニタ基体１３２をそれぞれ一定の角度だけ回転
させる（ステップＳ６）。これにより、開口１３６を通
じて露出するモニタ基体１３２上の領域が更新され、蒸
着による薄膜がまだ形成されていない領域が開口１３６
より露出する。ただし、この段階ではＬ＝１であり、蒸
着は一切行われていないので、回転前に露出していた領
域にも膜は形成されていない。

【００４０】次に制御手段４４は、分光器１４８を制御
して通過させる単色光の波長を、モニタ基体１３２（開
口１３６を通じた露出箇所）での反射率の変化が大きく
なるような波長に設定し、さらに、光検出器１４６の感
度を調整して、光検出器１４６のこのときの出力信号が
表す反射率が、薄膜が形成されていないモニタ基体１３
２の反射率に一致するように設定する（ステップＳ
７）。その後、制御手段４４はカウント値Ｌが奇数か否
かを判定し（ステップＳ８）、この場合にはＬは奇数で
あるため、ステップＳ９に進む。ステップＳ９で、制御
手段４４は電子銃１２０を動作させて電子ビームをルツ
ボ１１６に入射させ、ルツボ１１６内の酸化チタンを溶
解させる。つづいて制御手段４４は、不図示の酸素ボン
ベと真空チェンバ１０４とを連結する不図示の弁を開放
し、真空メータ５８をチェックすることで真空チェンバ
１０４内の真空度を８×１０^-3Ｐａに設定する（ステッ
プＳ１０）。制御手段４４はさらに、モータ１２２に給
電してシャッタ１１８を所定の角度だけ回転させ、シャ
ッタ１１８を開放状態にして、ルツボ１１６の上方を開
放する（ステップＳ１１）。これにより、蒸発源からの
蒸気は真空チェンバ１０４内を上昇し、基板ホルダ１０
８に保持された各ガラス基板１５４および水晶振動子３
２、３４、３６、３８、ならびにモニタ基体１３２の表
面に、それぞれ開口１２４、１３６を通じて付着し、薄
膜を形成する。

【００４１】次に制御手段４４は、ステップＳ１２にお
いてモニタ基体１３２の反射率を測定する。光源１４４
を出た光は窓１５２を通過して上方に向い、開口１３６
を通じてモニタ基体１３２に入射し、そしてモニタ基体
１３２で反射して窓１５２を通じて分光器１４８に入射
する。この反射光は分光器１４８を通過して単色光とな
り光検出器１４６に入射する。その結果、光検出器１４
６はモニタ基体１３２の反射率を表す電気信号を出力す
る。この信号はＡ／Ｄ変換器５４（図３）によりデジタ
ル信号に変換され、制御手段４４に入力される。制御手
段４４は入力された信号が表すモニタ基体１３２の反射
率Ｒｄを一旦、メモリに格納する。

【００４２】次に、制御手段４４は、ステップＳ１３に
進んで膜厚を補正するための処理を行う。図６のフロー
チャートはこの処理内容を詳しく示している。制御手段
４４はまず、水晶振動子３２、３４の振動数ｆ１、ｆ２
をそれぞれ周波数測定回路６１、６２より読み込む（ス
テップＳ１０１、Ｓ１０２）。各周波数測定回路には、
リード線４０、上記リングおよびブラシ、ならびにリー
ド線４２を通じて対応する水晶振動子がそれぞれ接続さ
れており、周波数測定回路内には、水晶振動子を含む不
図示の発振回路が形成されている。各周波数測定回路
は、単位時間内で、上記発振回路の出力信号の周期を計
数することで各水晶振動子の振動数を測定し、結果をデ
ジタル信号で制御手段４４に出力している。

【００４３】制御手段４４は周波数測定回路６１、６２
より読み込んだ水晶振動子３２、３４の振動数ｆ１、ｆ
２を比較し、ｆ２の方が大きいか否かを判定する（ステ
ップＳ１０３）。判定結果がイエスの場合は、制御手段
４４はモータ８を制御し、ギアボックス６を介して調整
板１６を駆動し、１ｍｍだけ膜厚補正板１４の内側の方
向、すなわち、膜厚補正板１４と重なる部分が大きくな
る方向に移動させる（ステップＳ１０４）。

【００４４】水晶振動子３４の振動数が水晶振動子３２
の振動数より高いということは、水晶振動子３４の方が
重量が小さく、したがって、水晶振動子３４に形成され
た薄膜の厚さの方が、水晶振動子３２に形成された薄膜
の厚さより薄いことを表している。そのため、上述のよ
うに調整板１６を移動させることで、水晶振動子３４の
位置では、基板ホルダ１０８の回転方向における膜厚補
正手段４の幅が狭くなり、膜厚補正手段４により遮られ
る時間が短くなって、より厚い薄膜が形成されるように
なる。

【００４５】一方、判定結果がノーの場合は、同様に制
御手段４４はモータ８を制御し、ギアボックス６を介し
て調整板１６を駆動し、１ｍｍだけ膜厚補正板１４の外
側の方向、すなわち、膜厚補正板１４との重なりが小さ
くなる方向に移動させる（ステップＳ１０５）。この場
合には、上述の場合とは逆に、水晶振動子３４の方が厚
い薄膜が形成されているので、調整板１６を外側に移動
させることで、水晶振動子３４の位置で基板ホルダ１０
８の回転方向における膜厚補正手段４の幅が広くなり、
膜厚補正手段４により遮られる時間が長くなって、より
薄い薄膜が形成されるようになる。

【００４６】次に、制御手段４４は、水晶振動子３６の
振動数ｆ３を周波数測定回路６３より読み込み（ステッ
プＳ１０６）、周波数測定回路６１、６３より読み込ん
だ水晶振動子３２、３６の振動数ｆ１、ｆ３を比較し、
ｆ３の方が大きいか否かを判定する（ステップＳ１０
７）。判定結果がイエスの場合は、制御手段４４はモー
タ１０を制御し、ギアボックス６を介して調整板１８を
駆動し、１ｍｍだけ膜厚補正板１４の内側の方向に移動
させる（ステップＳ１０８）。これにより、水晶振動子
３６の位置では、蒸気が遮られる時間が短くなり、より
厚い薄膜が形成されるようになる。

【００４７】一方、判定結果がノーの場合は、同様に制
御手段４４はモータ１０を制御し、ギアボックス６を介
して調整板１８を駆動し、１ｍｍだけ膜厚補正板１４の
外側の方向に移動させる（ステップＳ１０９）。これに
より、水晶振動子３６の位置では、蒸気が遮られる時間
が長くなり、より薄い薄膜が形成されるようになる。

【００４８】つづいて、制御手段４４は、水晶振動子３
８の振動数ｆ４を周波数測定回路６４より読み込み（ス
テップＳ１１０）、周波数測定回路６１、６４より読み
込んだ水晶振動子３２、３８の振動数ｆ１、ｆ４を比較
し、ｆ４の方が大きいか否かを判定する（ステップＳ１
１１）。判定結果がイエスの場合は、制御手段４４はモ
ータ１２を制御し、ギアボックス６を介して調整板２０
を駆動し、１ｍｍだけ膜厚補正板１４の内側の方向に移
動させる（ステップＳ１１２）。これにより、水晶振動
子３８の位置では、蒸気が遮られる時間が短くなり、よ
り厚い薄膜が形成されるようになる。

【００４９】一方、判定結果がノーの場合は、同様に制
御手段４４はモータ１２を制御し、ギアボックス６を介
して調整板２０を駆動し、１ｍｍだけ膜厚補正板１４の
外側の方向に移動させる（ステップＳ１１３）。これに
より、水晶振動子３８の位置では、蒸気が遮られる時間
が長くなり、より薄い薄膜が形成されるようになる。

【００５０】以上により制御手段４４はステップＳ１３
の処理を終り、ステップＳ１４（図５）に進む。なお、
ステップＳ１３が本発明に係わる膜厚制御ステップであ
り、ここで制御手段４４は本発明に係わる膜厚制御手段
として機能している。制御手段４４は、ステップＳ１４
において、メモリから第１のモニタ基体４の上記反射率
Ｒｄを読み出し、上記目標とする反射率Ｒ（Ｌ）に等し
いか否かを判定する。そして、判定結果がイエスとなる
まで、ステップＳ１２〜Ｓ１４を繰り返す。ステップＳ
１４での判定結果がイエスとなると、制御手段４４は、
モータ１２２を制御してシャッタ１１８を閉じ（ステッ
プＳ１５）、蒸発源から蒸気が上方に飛ぶことを阻止
し、さらに、上述した酸素ボンベと真空チェンバ１０４
とを連結する弁を閉鎖して、真空チェンバ１０４への酸
素の導入を停止する（ステップＳ１６）。つづいて制御
手段４４は電子銃１２０をオフにして電子ビームの蒸発
源（酸化チタン）への入射を停止させる（ステップＳ１
７）。

【００５１】その後、制御手段４４は、上記カウンタ手
段のカウント値Ｌを１だけインクリメントした後（ステ
ップＳ１９）、カウント値Ｌが２４に等しいか否かを判
定する（ステップＳ２０）。この場合Ｌ＝２であるか
ら、この判定結果はノーとなり、制御手段４４は、次の
層をガラス基板１５４に形成すべくステップＳ４に戻
り、最初の層を形成したときと同様に、膜厚Ｑ（Ｌ）を
メモリから読み出し（ステップＳ４）、その膜厚を用い
て目標の反射率Ｒ（Ｌ）を算出する（ステップＳ５）。

【００５２】次に、制御手段４４は、モータ４８に給電
し、モニタ基体１３２を一定の角度だけ回転させる。こ
れにより、開口１３６を通じて露出するモニタ基体１３
２上の領域が更新され、蒸着による薄膜がまだ形成され
ていない領域が開口１３６より露出する（ステップＳ
６）。次に制御手段４４は、分光器１４８を制御して通
過させる単色光の波長を、モニタ基体１３２（開口１３
６を通じた露出箇所）での反射率の変化が大きくなるよ
うな波長に設定し、さらに、光検出器１４６の感度を調
整して、光検出器１４６のこのときの出力信号が表す反
射率が、薄膜が形成されていないモニタ基体１３２の反
射率に一致するように設定する（ステップＳ７）。その
後、制御手段４４はＬが奇数か否かを判定し（ステップ
Ｓ８）、この場合にはＬは偶数（Ｌ＝２）であるため、
ステップＳ２１に進む。ステップＳ２１で、制御手段４
４は電子銃５０を動作させて電子ビームを第２の蒸発手
段のルツボに入射させ、ルツボ内の酸化シリコンを溶解
させる。制御手段４４はさらに、モータ４９に給電して
シャッタ４６（図３）を所定の角度だけ回転させ、シャ
ッタ４６を開放状態にして、第２の蒸発手段のルツボの
上方を開放する（ステップＳ２２）。これにより、蒸発
源からの蒸気は真空チェンバ１０４内を上昇し、基板ホ
ルダ１０８に保持された各ガラス基板１５４および水晶
振動子３２、３４、３６、３８、ならびにモニタ基体１
３２の表面に、それぞれ開口１２４、１３６を通じて付
着し、薄膜を形成する。

【００５３】次に、制御手段４４は、モニタ基体１３２
の反射率を測定する（ステップＳ２３）。第１層の場合
と同様、光源１４４を出た光は上述のように窓１５２を
通過して上方に向い、開口１３６を通じてモニタ基体１
３２に入射しており、この光はモニタ基体１３２で反射
して窓１５２を通じて分光器１４８に入射し、分光器１
４８を通過して単色光となって光検出器１４６に受光さ
れ、光検出器１４６はモニタ基体１３２の反射率を表す
電気信号を出力する。この信号はＡ／Ｄ変換器５４（図
３）によりデジタル信号に変換され、制御手段４４に入
力される。制御手段４４は入力された信号が表すモニタ
基体１３２の反射率Ｒｄを一旦、メモリに格納する。

【００５４】次に、制御手段４４は、ステップＳ２４に
進んで膜厚を補正するための処理を行う。この処理内容
は図６を参照して説明したステップＳ１３の処理内容と
同じであるため、ここでは説明を省略する。なお、ステ
ップＳ２４は本発明に係わる膜厚制御ステップであり、
ここで制御手段４４は本発明に係わる膜厚制御手段とし
て機能している。

【００５５】その後、制御手段４４は、メモリからモニ
タ基体１３２の上記反射率Ｒｄを読み出し、上記目標と
する反射率Ｒ（Ｌ）に等しいか否かを判定する（ステッ
プＳ２５）。そして、判定結果がイエスとなるまで、ス
テップＳ２３〜Ｓ２５を繰り返す。ステップＳ２５での
判定結果がイエスとなると、制御手段４４は、モータ４
９を制御してシャッタ４６を閉じ（ステップＳ２６）、
蒸発源（酸化シリコン）から蒸気が上方に飛ぶことを阻
止し、つづいて制御手段４４は電子銃５０をオフにして
電子ビームの蒸発源（酸化シリコン）への入射を停止さ
せる（ステップＳ２７）。つづいて、制御手段４４は、
上記カウンタ手段のカウント値Ｌを１だけインクリメン
トした後（ステップＳ１９）、カウント値Ｌが２４に等
しいか否かを判定する（ステップＳ２０）。この場合Ｌ
＝３であるから、この判定結果はノーとなり、制御手段
４４はステップＳ４に戻る。

【００５６】制御手段４４は、以降、カウント値Ｌが２
４になるまでこのような処理を繰り返した後、Ｌ＝２４
になったところでステップＳ２０からステップＳ２８に
進み、モータ１２８への給電を停止して基板ホルダ１０
８の回転を止め、さらに真空ポンプ５６を停止させる。
また、不図示の大気導入弁を開放して、真空チェンバ１
０４内に大気を導入し（ステップＳ２９）、ガラス基板
１５４に対する多層膜の形成を終了する。

【００５７】図７は実施例の真空蒸着装置３によりガラ
ス基板１５４に２３層の多層膜を形成して、ガラス基板
１５４の透過率を測定した結果を示すグラフである。図
中、横軸は波長を表し、縦軸は透過率を表している。図
７には、基板ホルダ１０８の半径方向で隣接する４つの
開口１２４の箇所に配置して多層膜を形成した４枚のガ
ラス基板１５４の透過率がそれぞれ曲線で示されてい
る。図７から分るように、これらの４本の曲線はほとん
ど重なっており、どの位置に配置したガラス基板１５４
でも必要とする光学特性（透過率）が得られている。

【００５８】このように、本実施例では、蒸発源が消耗
し、真空チェンバ１０４内の周辺部で蒸気濃度が低下し
た状態でも、基板ホルダ１０８上の位置によらずほぼ目
標どうりの厚さで薄膜を形成でき、必要とする光学特性
を確保することができる。したがって、面積の広い基板
ホルダ１０８上に一度に多数のガラス基板１５４を配置
して真空蒸着を行うことができ、製造効率の向上を実現
できる。また、ガラス基板１５４に形成する多層膜の層
数が多くなるほど、膜厚のずれが光学特性に与える影響
は大きくなるので、層数の多い多層膜を形成する場合ほ
ど上記効果は顕著となる。

【００５９】以上、本発明の実施例について説明した
が、これはあくまでも一例であり、本発明はこの例に限
定されず種々の形態で実施することができる。例えば、
本実施例では、調整板１６、１８、２０は膜厚補正板１
４の幅方向に移動する構成としたが、各調整板の翼部２
２を、膜厚補正板１４の延在方向に平行な仮想軸のまわ
りに揺動可能な構造としても、揺動角を変化させること
で、蒸発源から見た膜厚補正手段４の幅を調整できるの
で、同様の機能を実現できる。また、調整板の数は実施
例のように３とする以外にも、さらに数を多くしてより
精密な膜厚補正が行えるように図ることも可能である。
そして、薄膜を形成する基体の材料や、多層膜の層数、
あるいは蒸着材料などは、上記以外のものであっても本
発明は無論有効である。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように本発明の膜厚均一化
装置は、真空チェンバ内に複数の基体を基体ホルダで支
持し、前記基体ホルダを回転させつつ蒸着により前記基
体上に薄膜を形成する真空蒸着装置において用いる膜厚
均一化装置であって、前記基体ホルダと蒸発源との間の
前記基体ホルダ寄りの箇所に配置されて、前記蒸発源か
らの蒸気を遮る膜厚補正手段を含み、前記膜厚補正手段
は、前記基体ホルダの回転の中心から遠ざかる方向に延
設され、前記蒸発源から見て、前記膜厚補正手段の延在
方向に直交する方向における前記膜厚補正手段の幅が、
前記膜厚補正手段の延在方向での異なる位置ごとに可変
である構成とした。したがって、膜厚補正手段の幅を、
膜厚補正手段の延在方向で異なる位置ごとに調整するこ
とで、基体ホルダの回転の中心から遠ざかる方向に配列
された複数の基体間で、形成される膜厚のバラツキを無
くし、均一化を図ることができる。

【００６１】また、本発明の真空蒸着方法では、膜厚測
定ステップにおいて、基体ホルダの回転の中心から遠ざ
かる方向における、基体ホルダ上での異なる複数の箇所
にそれぞれ膜厚センサを配置して、真空蒸着により形成
される膜厚を測定し、膜厚制御ステップでは、膜厚測定
ステップで測定した前記膜厚にもとづいて、膜厚補正手
段の前記幅を、膜厚補正手段の延在方向での異なる位置
ごとに制御する。したがって、基体基板ホルダの回転の
中心から遠ざかる方向に配列された複数の基体間で、形
成される膜厚のバラツキを無くし、均一化を図ることが
できる。

【００６２】そして、本発明の真空蒸着装置では、基体
ホルダの回転の中心から遠ざかる方向における、基体ホ
ルダ上での異なる複数の箇所にそれぞれ配置された膜厚
センサが、真空蒸着により形成される膜厚を測定し、膜
厚制御手段は、膜厚センサにより測定した前記膜厚にも
とづいて、膜厚補正手段の幅を、膜厚補正手段の延在方
向での異なる位置ごとに制御する。したがって、基体基
板ホルダの回転の中心から遠ざかる方向に配列された複
数の基体間で、形成される膜厚のバラツキを無くし、均
一化を図ることができる。

【００６３】その結果、本発明により、基体ホルダによ
って一度に多数のガラス基板を支持して真空蒸着を行う
ことが可能となり、製造効率の向上を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による膜厚均一化装置の一例を示す平面
図である。

【図２】図１の膜厚均一化装置を備えた本発明の真空蒸
着装置の一例を示す断面側面図である。

【図３】図１の真空蒸着装置を構成する制御手段および
その関連要素を示すブロック図である。

【図４】ガラス基板に対して真空蒸着を行って表面に多
層膜を形成する手順を示すフローチャートである。

【図５】ガラス基板に対して真空蒸着を行って表面に多
層膜を形成する手順を示すフローチャートである。

【図６】ガラス基板に対して真空蒸着を行って表面に多
層膜を形成する手順を示すフローチャートである。

【図７】実施例の真空蒸着装置によりガラス基板に２３
層の多層膜を形成して、ガラス基板の透過率を測定した
結果を示すグラフである。

【図８】従来の真空蒸着装置の一例を示す断面側面図で
ある。

【図９】従来の真空蒸着装置によりガラス基板に２３層
の多層膜を形成して、ガラス基板の透過率を測定した結
果を示すグラフである。

【符号の説明】

２ 膜厚均一化装置 ３ 真空蒸着装置 ４ 膜厚補正手段 ６ ギアボックス ８、１０、１２、４８、４９、１２２、１２８ モータ １４ 膜厚補正板 １６、１８、２０ 調整板 ２６ 回転軸 ３２、３４、３６、３８ 水晶振動子 ４４ 制御手段 ４６、１１８ シャッタ ６１、６２、６３、６４ 周波数測定回路 １０４ 真空チェンバ １０６ 第１の蒸発手段 １０８ 基板ホルダ １１２ 光学特性測定手段 １３２ モニタ基体

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空チェンバ内に複数の基体を基体ホル
   ダで支持し、前記基体ホルダを回転させつつ蒸着により
   前記基体上に薄膜を形成する真空蒸着装置において用い
   る膜厚均一化装置であって、 前記基体ホルダと蒸発源との間の前記基体ホルダ寄りの
   箇所に配置されて、前記蒸発源からの蒸気を遮る膜厚補
   正手段を含み、 前記膜厚補正手段は、 前記基体ホルダの回転の中心から遠ざかる方向に延設さ
   れ、 前記蒸発源から見て、前記膜厚補正手段の延在方向に直
   交する方向における前記膜厚補正手段の幅が、前記膜厚
   補正手段の延在方向での異なる位置ごとに可変である、 ことを特徴とする膜厚均一化装置。
2. 【請求項２】 前記膜厚補正手段は、板面を前記蒸発源
   に向け、前記基体ホルダの回転の中心から遠ざかる方向
   に延設された膜厚補正板と、一部が前記膜厚補正板に重
   ねて配設され、前記膜厚補正板の延在方向で互いに異な
   る位置に配列された複数の調整板とを含み、前記調整板
   は、前記膜厚補正手段の前記幅の方向に移動可能に支持
   され、前記膜厚補正手段の前記幅は、前記調整板の、前
   記膜厚補正板の側辺部からの突出距離を変えることで変
   化する請求項１記載の膜厚均一化装置。
3. 【請求項３】 前記調整板を前記幅方向に移動させる駆
   動手段を備えた請求項２記載の膜厚均一化装置。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の膜
   厚均一化装置を用いた真空蒸着方法であって、 前記基体ホルダの回転の中心から遠ざかる方向におけ
   る、基体ホルダ上での異なる複数の箇所にそれぞれ膜厚
   センサを配置して、真空蒸着により形成される膜厚を測
   定する膜厚測定ステップと、 前記膜厚測定ステップで測定した前記膜厚にもとづい
   て、膜厚補正手段の前記幅を、前記膜厚補正手段の延在
   方向での異なる位置ごとに制御する膜厚制御ステップ
   と、 を含むことを特徴とする真空蒸着方法。
5. 【請求項５】 前記膜厚センサは水晶振動子から成り、
   前記膜厚制御ステップでは、各水晶振動子の振動数の差
   にもとづいて、前記膜厚補正手段の前記幅を、前記膜厚
   補正手段の延在方向での異なる位置ごとに制御する請求
   項４記載の真空蒸着方法。
6. 【請求項６】 請求項２記載の膜厚均一化装置を用い、
   前記膜厚制御ステップでは、前記調整板を移動させるこ
   とで、前記膜厚補正手段の前記幅を、前記膜厚補正手段
   の延在方向での異なる位置ごとに制御する請求項４記載
   の真空蒸着方法。
7. 【請求項７】 請求項３記載の膜厚均一化装置を用い、
   前記膜厚制御ステップでは、前記駆動手段を通じて前記
   調整板を移動させることで、前記膜厚補正手段の前記幅
   を、前記膜厚補正手段の延在方向での異なる位置ごとに
   制御する請求項４記載の真空蒸着方法。
8. 【請求項８】 請求項１ないし３のいずれかに記載の膜
   厚均一化装置を備えた真空蒸着装置であって、 前記基体ホルダの回転の中心から遠ざかる方向におけ
   る、基体ホルダ上での異なる複数の箇所にそれぞれ配置
   され、真空蒸着により形成される膜厚を測定する膜厚セ
   ンサと、 前記膜厚センサにより測定した前記膜厚にもとづいて、
   前記膜厚補正手段の前記幅を、前記膜厚補正手段の延在
   方向での異なる位置ごとに制御する膜厚制御手段と、 を含むことを特徴とする真空蒸着装置。
9. 【請求項９】 前記膜厚センサは水晶振動子から成り、
   前記膜厚制御手段は、各水晶振動子の振動数の差にもと
   づいて、前記膜厚補正手段の前記幅を、前記膜厚補正手
   段の延在方向での異なる位置ごとに制御する請求項８記
   載の真空蒸着装置。
10. 【請求項１０】 請求項２記載の膜厚均一化装置を備
    え、前記膜厚制御手段は、前記調整板を移動させること
    で、前記膜厚補正手段の前記幅を、前記膜厚補正手段の
    延在方向での異なる位置ごとに制御する請求項８記載の
    真空蒸着装置。
11. 【請求項１１】 請求項３記載の膜厚均一化装置を備
    え、前記膜厚制御手段は、前記駆動手段を通じて前記調
    整板を移動させることで、前記膜厚補正手段の前記幅
    を、前記膜厚補正手段の延在方向での異なる位置ごとに
    制御する請求項８記載の真空蒸着装置。
12. 【請求項１２】 前記真空チャンバの天井を貫通する回
    転軸を備え、前記基体ホルダは前記回転軸に固着されて
    回転し、膜厚センサのリード線は、前記回転軸の内側を
    通じて真空チャンバの外部に導かれている請求項８記載
    の真空蒸着装置。
13. 【請求項１３】 真空チェンバ内で基体を移動させつつ
    蒸着により前記基体上に薄膜を形成する真空蒸着装置に
    おいて用いる膜厚均一化装置であって、 前記基体と蒸発源との間に配置された膜厚補正手段を含
    み、 前記膜厚補正手段は幅が、異なる箇所ごとに可変であ
    る、 ことを特徴とする膜厚均一化装置。