JPH10319606A - フォトレジスト用現像液 - Google Patents
フォトレジスト用現像液Info
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- JPH10319606A JPH10319606A JP9127331A JP12733197A JPH10319606A JP H10319606 A JPH10319606 A JP H10319606A JP 9127331 A JP9127331 A JP 9127331A JP 12733197 A JP12733197 A JP 12733197A JP H10319606 A JPH10319606 A JP H10319606A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
不良の解消に有効なフォトレジスト用現像液の提供。 【解決手段】 ポリプロピレンオキシド基とポリエチレ
ンオキシド基とからなるABA型ブロック共重合体を含
有するフォトレジスト用現像液。
Description
濡れ性が良好である、現像不良の解消に有効なフォトレ
ジスト用現像液に関する。
度化が求められている。そのために高い解像力を有する
フォトレジストが使用されているが、そのひとつとし
て、例えばクレゾールノボラック樹脂と光分解剤のナフ
トキノンジアジド化合物とを組み合わせたフォトレジス
トのような、アルカリ可溶性フォトレジストが使用され
ている。
いた場合の現像液としては、アルカリ水溶液が用いられ
ているが、一般的にアルカリ水溶液は微細パターンの基
部まで十分に浸すことができないので、基部の裾切れ等
が悪くなり寸法精度が低下するという欠点を有してい
る。そのため、ある種のアルカリ水溶液に各種の界面活
性剤を添加し、フォトレジストに対する濡れ性を向上さ
せることが提案されている。しかし、このような界面活
性剤を使用すると、泡立ち易く、生じた泡がいつまでも
消えず現像不良を引き起こす場合があった。
よびB2 はポリエチレンオキシド基である)で示され
る、平均分子量が900〜4,000であり、平均分子
量を基準としてポリエチレンオキシド基が5〜55重量
%含まれる化合物、または式(II): HO−A1 −B−A2 −H (II) (式中、A1 およびA2 はポリプロピレンオキシド基で
あり、また、Bはポリエチレンオキシド基である)で示
される、平均分子量が1,000〜4,000であり、
平均分子量を基準としてポリエチレンオキシド基が5〜
55重量%含まれる化合物を含有するフォトレジスト用
現像液である。
の程よく、超純水が特に好ましい。
れない。例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、リン酸ナト
リウム、リン酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸
水素ナトリウム等の無機アルカリ;アンモニア;n−プ
ロピルアミン、ジ−n−プロピルアミン、ジ−n−ブチ
ルアミン、メチルジエチルアミン、コリジン、ピペリジ
ン、ピペラジン、トリエチレンジアミン、ピロール、
2,5−ジメチルピロール等のアミン;ジメチルエタノ
ールアミン、トリエタノールアミン、ジエチルヒドロキ
シルアミン等のアルコールアミン;テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロ
キシド、2−ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウム
ヒドロキシド等の第四級アンモニウムが挙げられる。こ
の中で、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドが好ま
しい。
に対して、好ましくは0.1〜5重量部、より好ましく
は0.2〜4重量部、更に好ましくは0.5〜3重量部
である。
性のポリプロピレンオキシド基A〔−CH(CH3)CH
2 O−を構成単位とするポリマー基〕を、親水性のポリ
エチレンオキシド基B1 およびB2 〔−CH2 CH2 O
−を構成単位とするポリマー基〕でサンドしたブロック
共重合体であり、非イオン性界面活性剤である。
は、900〜4,000であり、この化合物中のポリエ
チレンオキシド基(B1 およびB2)の含有量は、前記平
均分子量を基準として5〜55重量%である。好ましく
は、式(I)の化合物の平均分子量は、900〜2,2
00であり、この化合物中のポリエチレンオキシド基の
含有量は、前記平均分子量を基準として5〜35重量%
である。より好ましくは、式(I)の化合物の平均分子
量は、900〜2,200であり、この化合物中のポリ
エチレンオキシド基の含有量は、前記平均分子量を基準
として5〜15重量%である。最も好ましくは、式
(I)の化合物の平均分子量は、900〜1,200で
あり、この化合物中のポリエチレンオキシド基の含有量
は、前記平均分子量を基準として5〜15重量%であ
る。なお、B1 およびB2 の合計の含有量が上記の範囲
内であればよく、B1 やB2 の各々がどのような平均分
子量を有していてもよい。
ては、例えばPLURONIC(登録商標)シリーズの
L31、L35、L42、L43、L44、L61、L
62、L63、L64、L72、L81、L92、L1
01、L121、L122、P65、P75、P84、
P85、P103、P104、P105、P123(以
上、BASF社製)などが挙げられる。これらの平均分
子量並びに平均分子量を基準としたポリエチレンオキシ
ド基の含有量(重量%)を表1に示す。
は、親水性のポリエチレンオキシド基B〔−CH2 CH
2 O−を構成単位とするポリマー基〕を、疎水性のポリ
プロピレンオキシド基A1 およびA2 〔−CH(CH3)
CH2 O−を構成単位とするポリマー基〕でサンドした
ブロック共重合体であり、非イオン性界面活性剤であ
る。
は、1,000〜4,000であり、この化合物中のポ
リエチレンオキシド基(B)の含有量は、前記平均分子
量を基準として5〜55重量%である。好ましくは、式
(II)の化合物の平均分子量は、1,000〜4,00
0であり、この化合物中のポリエチレンオキシド基の含
有量は、前記平均分子量を基準として15〜45重量%
である。また、好ましくは、式(II)の化合物の平均分
子量は、1,000〜2,900であり、この化合物中
のポリエチレンオキシド基の含有量は、前記平均分子量
を基準として5〜55重量%である。より好ましくは、
式(II)の化合物の平均分子量は、2,000〜2,9
00であり、この化合物中のポリエチレンオキシド基の
含有量は、前記平均分子量を基準として15〜45重量
%である。なお、A1 およびA2 の合計の含有量が上記
の範囲内であればよく、A1 やA2 の各々がどのような
平均分子量を有していてもよい。
ては、例えばPLURONIC(登録商標)Rシリーズ
の10R5、12R3、17R1、17R2、17R
4、22R4、25R1、25R2、25R4、25R
5、31R1、31R2、31R4(以上、BASF社
製)などが挙げられる。これらの平均分子量並びに平均
分子量を基準としたポリエチレンオキシド基の含有量
(重量%)を表2に示す。
アルカリ物質の重量を基準として、上記(I)または
(II)の化合物を好ましくは50〜5,000ppm 含有
し、より好ましくは50〜1,000ppm 、更に好まし
くは50〜500ppm 含有する。
は、下記の手順に従い測定された水酸基価に基づき算出
されたものをいう(フタル化法)。
無水フタル酸42gを完全に溶解させ、70℃で2時間
または室温で1夜熟成させる。なお、この試薬は着色瓶
中に保存し、8日以内で更新し、着色したものは使用し
ない。 ピリジン 0.5N水酸化ナトリウム溶液 フェノールフタレインのピリジン溶液(1w/v %)
る〔S(g)〕。なお、採取量が1g未満の場合は10
-1mgオーダーで、採取量が1g以上の場合にはmgオーダ
ーで計量する。 無水フタル酸のピリジン溶液25mlをホールピペッ
トで正確に加え、共せんをピリジンでシールしたうえで
沸騰したウォーターバス上で2時間加熱する(15分お
きに振り動かす)。 加熱後、ウォーターバスから取り出し常温まで冷却
する。 共せんをピリジンで洗い流し(洗浄液はフラスコ内
に落とす)、0.5N水酸化ナトリウム溶液を50mlホ
ールピペットで正確に加える。 指示薬(フェノールフタレインのピリジン溶液)を
10滴加える。 0.5N水酸化ナトリウム溶液で滴定する〔A(m
l)〕。少なくとも15秒間紅色を保つ点を終点とす
る。 この試験は、同一条件で空試験を行う〔B(m
l)〕。
に要した0.5N水酸化ナトリウム溶液量(ml)、Aは
試料の滴定に要した0.5N水酸化ナトリウム溶液量
(ml)、fは0.5N水酸化ナトリウム溶液のファクタ
ー、Sは試料量(g)を示す。なお、試料が遊離酸を含
む場合は次式で補正する。 補正値=水酸基価+酸価 平均分子量の算出 平均分子量=(56.1×2×1000)/OHV 式中、56.1はKOHの式量、2は官能基(OH基)
の数である。
100重量部に、式(II)の化合物に相当するBASF
社製のPLURONIC−10R5を0.005重量部
溶解し、前記化合物を50ppm 含むフォトレジスト用現
像液を製造した。
R6809(シプレイファーイースト社製)を膜厚0.
9μmになるように塗布し、クリーンオーブン中105
℃で45秒間プレベークした。上記現像液をこのウエハ
に滴下し、濡れの程度を把握するために接触角計で現像
液の接触角を測定した。その結果、55.2°という値
が得られた。
ラス製50mlメスシリンダーに50cmの高さから滴下し
た。そして、滴下終了直後の泡の高さと5分後の泡の高
さを測定した。なお、上記試験は、25℃で行った。そ
の結果、滴下終了直後の泡の高さは3mmであったが、5
分後には完全に消泡した。
は、実施例1と同様の手順で濡れ性試験と消泡性試験を
行った。その結果を表1に示す。表1からわかるよう
に、本発明に係る現像液は、従来の現像液よりも接触角
が小さく、しかもすべての実施例では5分後に消泡し
た。したがって、本発明に係る現像液は、従来の現像液
よりも濡れ性および消泡性に優れたものである。
Claims (1)
- 【請求項1】 1)水; 2)アルカリ物質;および 3)式(I): HO−B1 −A−B2 −H (I) (式中、Aはポリプロピレンオキシド基であり、B1 お
よびB2 はポリエチレンオキシド基である)で示され
る、平均分子量が900〜4,000であり、平均分子
量を基準としてポリエチレンオキシド基が5〜55重量
%含まれる化合物、または式(II): HO−A1 −B−A2 −H (II) (式中、A1 およびA2 はポリプロピレンオキシド基で
あり、また、Bはポリエチレンオキシド基である)で示
される、平均分子量が1,000〜4,000であり、
平均分子量を基準としてポリエチレンオキシド基が5〜
55重量%含まれる化合物を含有することを特徴とする
フォトレジスト用現像液
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12733197A JP3880018B2 (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | フォトレジスト用現像液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12733197A JP3880018B2 (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | フォトレジスト用現像液 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10319606A true JPH10319606A (ja) | 1998-12-04 |
| JP3880018B2 JP3880018B2 (ja) | 2007-02-14 |
Family
ID=14957287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12733197A Expired - Fee Related JP3880018B2 (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | フォトレジスト用現像液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3880018B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1115035A1 (en) | 2000-01-04 | 2001-07-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and their use in photoresist developers |
| US6455234B1 (en) | 1999-05-04 | 2002-09-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and their use in photoresist developers |
| US6730239B1 (en) | 1999-10-06 | 2004-05-04 | Renesas Technology Corp. | Cleaning agent for semiconductor device & method of fabricating semiconductor device |
| US7192910B2 (en) | 2003-10-28 | 2007-03-20 | Sachem, Inc. | Cleaning solutions and etchants and methods for using same |
-
1997
- 1997-05-16 JP JP12733197A patent/JP3880018B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6455234B1 (en) | 1999-05-04 | 2002-09-24 | Air Products And Chemicals, Inc. | Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and their use in photoresist developers |
| US6730239B1 (en) | 1999-10-06 | 2004-05-04 | Renesas Technology Corp. | Cleaning agent for semiconductor device & method of fabricating semiconductor device |
| EP1115035A1 (en) | 2000-01-04 | 2001-07-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and their use in photoresist developers |
| EP2441744A1 (en) | 2000-01-04 | 2012-04-18 | Air Products and Chemicals, Inc. | Acetylenic diol ethylene oxide/propylene oxide adducts and their use |
| US7192910B2 (en) | 2003-10-28 | 2007-03-20 | Sachem, Inc. | Cleaning solutions and etchants and methods for using same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3880018B2 (ja) | 2007-02-14 |
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