JPH1032111A - 分子混合磁性材料 - Google Patents
分子混合磁性材料Info
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- JPH1032111A JPH1032111A JP8185228A JP18522896A JPH1032111A JP H1032111 A JPH1032111 A JP H1032111A JP 8185228 A JP8185228 A JP 8185228A JP 18522896 A JP18522896 A JP 18522896A JP H1032111 A JPH1032111 A JP H1032111A
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
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- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 分子磁性材料の磁気特性を制御する。
【解決手段】 フェロ磁性を示す分子磁性材料の磁性イ
オン単位とフェリ磁性を示す分子磁性材料の磁性イオン
単位とを各々少くとも１種以上有する分子磁性材料であ
って、光照射により磁気特性が可変な分子混合磁性材料
を提供する。
オン単位とフェリ磁性を示す分子磁性材料の磁性イオン
単位とを各々少くとも１種以上有する分子磁性材料であ
って、光照射により磁気特性が可変な分子混合磁性材料
を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は分子混合磁性材料
に関するものである。さらに詳しくは、多様な磁性特性
を制御、設計することが可能で、磁気デバイス、磁気シ
ールド、センサー、さらにはモーター等々の各種の機能
材料として有用な新規な分子磁性材料に関するものであ
る。
に関するものである。さらに詳しくは、多様な磁性特性
を制御、設計することが可能で、磁気デバイス、磁気シ
ールド、センサー、さらにはモーター等々の各種の機能
材料として有用な新規な分子磁性材料に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術とその課題】従来より、鉄等の金属または
フェライト等の金属酸化物に代表される磁性材料が各種
の分野において用いられており、近年では、これらの磁
性材料に代わって、より高度な機能を発現する可能性の
あるものとして、分子レベルから設計可能な、いわゆる
分子磁性材料が注目されている。
フェライト等の金属酸化物に代表される磁性材料が各種
の分野において用いられており、近年では、これらの磁
性材料に代わって、より高度な機能を発現する可能性の
あるものとして、分子レベルから設計可能な、いわゆる
分子磁性材料が注目されている。
【０００３】このことは、分子材料においては、多様な
構造の設計が可能であって、電子機能、あるいは光機能
への着目ともあいまって、分子磁性材料の期待が大きな
ものであることを示している。しかしながら、これまで
の検討では、この分子磁性材料についてまさに端初につ
いたばかりの状況であり、これら材料の特性、構造につ
いてはほとんど未知のままである。
構造の設計が可能であって、電子機能、あるいは光機能
への着目ともあいまって、分子磁性材料の期待が大きな
ものであることを示している。しかしながら、これまで
の検討では、この分子磁性材料についてまさに端初につ
いたばかりの状況であり、これら材料の特性、構造につ
いてはほとんど未知のままである。
【０００４】そこで、この発明は、以上のようなこれま
での技術的限界を克服し、分子磁性材料への大きな期待
に沿ってなされたものであって、優れた磁気特性ととも
に、新しい機能を持つ分子磁性材料を提供することを目
的としている。
での技術的限界を克服し、分子磁性材料への大きな期待
に沿ってなされたものであって、優れた磁気特性ととも
に、新しい機能を持つ分子磁性材料を提供することを目
的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記のとお
りの課題を解決するものとして、フェロ磁性を示す分子
磁性材料の磁性イオン単位とフェリ磁性を示す分子磁性
材料の磁性イオン単位とを各々少くとも１種以上有する
分子磁性材料であって、光照射により磁気特性が可変な
ことを特徴とする分子混合磁性材料を提供する。
りの課題を解決するものとして、フェロ磁性を示す分子
磁性材料の磁性イオン単位とフェリ磁性を示す分子磁性
材料の磁性イオン単位とを各々少くとも１種以上有する
分子磁性材料であって、光照射により磁気特性が可変な
ことを特徴とする分子混合磁性材料を提供する。
【０００６】また、この発明は、強磁性体と反強磁性体
とに可変な分子混合磁性材料をはじめ、飽和磁化、保磁
力、残留磁化、磁気的相転移点等の磁気特性が可変な分
子混合磁性材料や、磁性イオン単位が遷移金属である分
子混合磁性材料、そして、少くとも磁性イオンとして、 Ｍ1 −Ｂ−Ｍ2 （Ｍ1 ，Ｍ2 およびＢは磁性イオンで、Ｍ1 およびＭ2
は、各々、Ｂとの間の交換相互作用（Ｊ）が、Ｂに対し
てＪ＞０並びにＪ＜０である）を有し、磁性イオンＭ1
およびＭ2 の存在比が制御される分子混合磁性材料や、
温度によって磁気特性は可変で、磁極が反転する分子混
合磁性材料等のその一つの態様として提供する。
とに可変な分子混合磁性材料をはじめ、飽和磁化、保磁
力、残留磁化、磁気的相転移点等の磁気特性が可変な分
子混合磁性材料や、磁性イオン単位が遷移金属である分
子混合磁性材料、そして、少くとも磁性イオンとして、 Ｍ1 −Ｂ−Ｍ2 （Ｍ1 ，Ｍ2 およびＢは磁性イオンで、Ｍ1 およびＭ2
は、各々、Ｂとの間の交換相互作用（Ｊ）が、Ｂに対し
てＪ＞０並びにＪ＜０である）を有し、磁性イオンＭ1
およびＭ2 の存在比が制御される分子混合磁性材料や、
温度によって磁気特性は可変で、磁極が反転する分子混
合磁性材料等のその一つの態様として提供する。
【０００７】
【発明の実施の形態】この発明は、以上のとおり、これ
まで全く知られていない分子混合磁性材料を提供するも
のである。さらに詳しく説明すると、通常の磁性体の場
合、キューリー点（Ｔｃ）以下の磁化は温度の下降とと
もに単調に増加する。これに対して、ネールによって、
フェリ磁性体の理論の中で、ある特定の温度（補償点）
で磁化の符号が逆になるような磁性体があることを予言
され、これまでにもＮｉＦｅ2-x Ｖx Ｏ4 など負の磁化
を示す磁性材料などが見出されている。
まで全く知られていない分子混合磁性材料を提供するも
のである。さらに詳しく説明すると、通常の磁性体の場
合、キューリー点（Ｔｃ）以下の磁化は温度の下降とと
もに単調に増加する。これに対して、ネールによって、
フェリ磁性体の理論の中で、ある特定の温度（補償点）
で磁化の符号が逆になるような磁性体があることを予言
され、これまでにもＮｉＦｅ2-x Ｖx Ｏ4 など負の磁化
を示す磁性材料などが見出されている。
【０００８】その後、この発明の発明者らは、金属間の
超交換相互作用が正のものと負のものを組み合わせると
いう新しい方法論、つまり、強磁性的相互作用（Ｊ＞
０）と反磁性的相互作用（Ｊ＜０）を混合することによ
って、自発磁化、キューリー温度、ワイス温度、保磁力
などの制御が可能な分子磁性材料を見出し、新たな技術
展開を可能としている。
超交換相互作用が正のものと負のものを組み合わせると
いう新しい方法論、つまり、強磁性的相互作用（Ｊ＞
０）と反磁性的相互作用（Ｊ＜０）を混合することによ
って、自発磁化、キューリー温度、ワイス温度、保磁力
などの制御が可能な分子磁性材料を見出し、新たな技術
展開を可能としている。
【０００９】たとえば、（Ｎｉx Ｍｎ1-x ）1.5 Ｃｒ
（ＣＮ）6 の系ではいろいろな磁化の温度依存性を得る
ことができ、分子磁場理論によりそれを設計できること
や、特に、（Ｎｉ0.38Ｍｎ0.62）1.5 Ｃｒ（ＣＮ）
6 は、３９Ｋ以下では磁極が反転して磁化すること等を
見いだしている。そしてこのようなことは、ＭｎII副格
子の負の磁化とＮｉIIとＣｒIII 副格子の正の磁化の温
度依存性が異なることによるものであることも確認され
ている。
（ＣＮ）6 の系ではいろいろな磁化の温度依存性を得る
ことができ、分子磁場理論によりそれを設計できること
や、特に、（Ｎｉ0.38Ｍｎ0.62）1.5 Ｃｒ（ＣＮ）
6 は、３９Ｋ以下では磁極が反転して磁化すること等を
見いだしている。そしてこのようなことは、ＭｎII副格
子の負の磁化とＮｉIIとＣｒIII 副格子の正の磁化の温
度依存性が異なることによるものであることも確認され
ている。
【００１０】つまり、その本質的な特徴は、正および負
のスピン間の交換相互作用が混在し、磁気特性が可変と
されていることである。そこで、この発明では、以上の
とおりの知見を踏まえ、この正および負のスピン間の交
換相互作用について注目している。すなわち、光照射に
よって電子移動かスピンクロスオーバーがフェローフェ
リ混合磁性単結晶のフェロ部分がフェリ部分のどちらか
で起これば、副格子磁化のバランスが崩れて磁気特性が
変化すると考えられる。たとえば（Ａ１x Ａ２1-x ）
1.5 Ｂ（ＣＮ）6 のフェロ部分のＡ１サイトあるいはフ
ェリ部分のＡ２において可視光でスピンクロスオーバー
が起こり、Ａ１，Ａ２，Ｂのスピン量子数は１，２，
１．５とすると、Ａ１においてＡ１（Ｓ＝１）からＡ１
（Ｓ＝０）へスピンクロスーバーする場合、全磁化（Ｍ
total ）はＡ１の正の磁化が減少することにより、負の
値へシフトする。一方、Ａ２（Ｓ＝２）からＡ２（Ｓ＝
０）へスピンクロスオーバーする場合、全磁化（Ｍ
total ）はＡ２の負の磁化が減少することにより、正の
値へシフトすることになる。
のスピン間の交換相互作用が混在し、磁気特性が可変と
されていることである。そこで、この発明では、以上の
とおりの知見を踏まえ、この正および負のスピン間の交
換相互作用について注目している。すなわち、光照射に
よって電子移動かスピンクロスオーバーがフェローフェ
リ混合磁性単結晶のフェロ部分がフェリ部分のどちらか
で起これば、副格子磁化のバランスが崩れて磁気特性が
変化すると考えられる。たとえば（Ａ１x Ａ２1-x ）
1.5 Ｂ（ＣＮ）6 のフェロ部分のＡ１サイトあるいはフ
ェリ部分のＡ２において可視光でスピンクロスオーバー
が起こり、Ａ１，Ａ２，Ｂのスピン量子数は１，２，
１．５とすると、Ａ１においてＡ１（Ｓ＝１）からＡ１
（Ｓ＝０）へスピンクロスーバーする場合、全磁化（Ｍ
total ）はＡ１の正の磁化が減少することにより、負の
値へシフトする。一方、Ａ２（Ｓ＝２）からＡ２（Ｓ＝
０）へスピンクロスオーバーする場合、全磁化（Ｍ
total ）はＡ２の負の磁化が減少することにより、正の
値へシフトすることになる。
【００１１】添付した図面の図１は、このような（Ａ１
x Ａ２1-x ）1.5 Ｂ（ＣＮ）のモデルの光照射前後の磁
化温度曲線を示したものである。この発明においては、
以上のように、磁気特性が光照射によって可変とされて
いるのである。なお「スピン」の語句について補足する
と、この発明において、前記のとおり「磁性イオン単
位」という語句を用いている理由は、フェロ磁性とはス
ピンが平行である（Ｊ＞０）ために強磁性をもたらし、
フェリ磁性とはスピンが反平行である（Ｊ＜０）である
が、その大きさが違うために差し引きで磁化が残ること
によって強磁性体をもたらすものであって、２種類のス
ピンがないと存在しない概念であることから、磁性イオ
ンの組合せとしての「磁性イオン単位」とすることにあ
る。
x Ａ２1-x ）1.5 Ｂ（ＣＮ）のモデルの光照射前後の磁
化温度曲線を示したものである。この発明においては、
以上のように、磁気特性が光照射によって可変とされて
いるのである。なお「スピン」の語句について補足する
と、この発明において、前記のとおり「磁性イオン単
位」という語句を用いている理由は、フェロ磁性とはス
ピンが平行である（Ｊ＞０）ために強磁性をもたらし、
フェリ磁性とはスピンが反平行である（Ｊ＜０）である
が、その大きさが違うために差し引きで磁化が残ること
によって強磁性体をもたらすものであって、２種類のス
ピンがないと存在しない概念であることから、磁性イオ
ンの組合せとしての「磁性イオン単位」とすることにあ
る。
【００１２】また、この発明においての「反強磁性体」
という語句は、通常の意味での「反強磁性」、すなわ
ち、同種あるいはおなじ大きさのスピンが反平行的に並
んでいる状態、つまり磁石にならないということを意味
してはいない。この発明のフェロ・フェリ混合磁性材料
では、大きさの異なる上向きスピンと下向きスピンとが
相互にキャンセルして全体としてみると磁石にならない
という意味で「反強磁性体」と表記している。
という語句は、通常の意味での「反強磁性」、すなわ
ち、同種あるいはおなじ大きさのスピンが反平行的に並
んでいる状態、つまり磁石にならないということを意味
してはいない。この発明のフェロ・フェリ混合磁性材料
では、大きさの異なる上向きスピンと下向きスピンとが
相互にキャンセルして全体としてみると磁石にならない
という意味で「反強磁性体」と表記している。
【００１３】この発明の光照射により磁気特性が可変な
分子混合磁性材料は、特にその構成元素や分子種に限定
はないことは言うまでもない。光照射に相応して磁気特
性可変な組成としてこの発明の分子混合磁性材料が構成
されることになる。分子磁性の理論としてもその構成は
設計されることになる。たとえば、その組成が
分子混合磁性材料は、特にその構成元素や分子種に限定
はないことは言うまでもない。光照射に相応して磁気特
性可変な組成としてこの発明の分子混合磁性材料が構成
されることになる。分子磁性の理論としてもその構成は
設計されることになる。たとえば、その組成が
【００１４】
【化１】
【００１５】で示されるもの等が例示される。また、こ
の発明の分子混合磁性材料の製造方法も適宜に考慮され
る。以下、実施例を示し、この例に沿って、この発明の
実施の形態についてさらに詳しく説明する。
の発明の分子混合磁性材料の製造方法も適宜に考慮され
る。以下、実施例を示し、この例に沿って、この発明の
実施の形態についてさらに詳しく説明する。
【００１６】
【実施例】まず光誘起で磁化が減少を示すＣＮ架橋金属
錯体としてのＦｅ1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 について説明す
る。試料のＦｅ1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 は、ＦｅＣｌ2 とＫ
3 Ｃｒ（ＣＮ）6 の水溶液を混合して得た。元素分析の
結果から、組成式はＦｅ1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 ・７．５Ｈ
2 Ｏであることが確認された。Ｘ線粉末回折の結果か
ら、構造は面心立方格子で格子定数は１０，６１６Ａで
ある。また、磁気測定はＳＱＵＩＤを用いて行なった。
磁化ｖｓ温度曲線から、Ｔｃは２１Ｋ、ワイス温度は２
７Ｋで、この錯体は強磁性体であることを示している。
５Ｔ（テスラー）における磁化は式量当たり、６．６μ
Ｂであった。この錯体は可視領域（λmax ＝４５４ｎ
ｍ）に金属（ＦｅII）−金属（ＣｒIII ）間電子移動吸
収帯を示した。
錯体としてのＦｅ1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 について説明す
る。試料のＦｅ1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 は、ＦｅＣｌ2 とＫ
3 Ｃｒ（ＣＮ）6 の水溶液を混合して得た。元素分析の
結果から、組成式はＦｅ1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 ・７．５Ｈ
2 Ｏであることが確認された。Ｘ線粉末回折の結果か
ら、構造は面心立方格子で格子定数は１０，６１６Ａで
ある。また、磁気測定はＳＱＵＩＤを用いて行なった。
磁化ｖｓ温度曲線から、Ｔｃは２１Ｋ、ワイス温度は２
７Ｋで、この錯体は強磁性体であることを示している。
５Ｔ（テスラー）における磁化は式量当たり、６．６μ
Ｂであった。この錯体は可視領域（λmax ＝４５４ｎ
ｍ）に金属（ＦｅII）−金属（ＣｒIII ）間電子移動吸
収帯を示した。
【００１７】外部磁場を１０Ｇにして５Ｋで数時間光照
射を行ったところ、Ｆｅ1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 ・７．５Ｈ
2 Ｏの磁化は減少した。この効果は５Ｋで数日間保持さ
れた。この場合、高圧水銀灯を光磁気効果を調べる光源
として使用した。光は光ファイバーを通してＳＱＵＩＤ
の中に取り込み、試料に照射した。粉末の試料は市販の
セロハンテープに挾み、光ファイバーの先につけた。
射を行ったところ、Ｆｅ1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 ・７．５Ｈ
2 Ｏの磁化は減少した。この効果は５Ｋで数日間保持さ
れた。この場合、高圧水銀灯を光磁気効果を調べる光源
として使用した。光は光ファイバーを通してＳＱＵＩＤ
の中に取り込み、試料に照射した。粉末の試料は市販の
セロハンテープに挾み、光ファイバーの先につけた。
【００１８】添付した図面の図２は、光照射前後のＦｅ
1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 ・７．５Ｈ2 Ｏの温度と飽和磁化の
関係を示したものである。試料を７０Ｋまでアニーリン
グしたところ、磁化は照射前の値に戻った。これは、光
によって減少した磁化が熱的に照射前の磁化に復元した
ことを示している。
1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 ・７．５Ｈ2 Ｏの温度と飽和磁化の
関係を示したものである。試料を７０Ｋまでアニーリン
グしたところ、磁化は照射前の値に戻った。これは、光
によって減少した磁化が熱的に照射前の磁化に復元した
ことを示している。
【００１９】次に、この系を用いたＣＮ架橋金属錯体に
おいて磁極反転を起こさせることを試みた。ここで、Ｆ
ｅ1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 はフェロ磁性体なので、Ｍｎ1.5
Ｃｒ（ＣＮ）6 ・７．５Ｈ2 Ｏ（Ｔｃ＝６７Ｋ）をフェ
ローフェリ混合磁性体のフェリ部分に選んだ。Ｍｎ1.5
Ｃｒ（ＣＮ）6 ・７．５Ｈ2 Ｏは可視領域に吸収がな
く、光によりその磁化は変化しない。理論的にはフェロ
ーフェリ混合磁性体（Ｆｅx Ｍｎ1-x ）1.5 Ｃｒ（Ｃ
Ｎ）6 では、ＣｒIII とＦｅII あるいはＭｎIIIが一
つ置きにつながっているため、平行スピン（ＣｒIII ，
ＦｅII）と反平行スピン（ＭｎII）が混合比で相殺し
て、飽和磁化はｘ＝１／３で消滅し、さらに、ｘ＝１／
３付近の錯体では負の磁化を示すことが期待される。
おいて磁極反転を起こさせることを試みた。ここで、Ｆ
ｅ1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 はフェロ磁性体なので、Ｍｎ1.5
Ｃｒ（ＣＮ）6 ・７．５Ｈ2 Ｏ（Ｔｃ＝６７Ｋ）をフェ
ローフェリ混合磁性体のフェリ部分に選んだ。Ｍｎ1.5
Ｃｒ（ＣＮ）6 ・７．５Ｈ2 Ｏは可視領域に吸収がな
く、光によりその磁化は変化しない。理論的にはフェロ
ーフェリ混合磁性体（Ｆｅx Ｍｎ1-x ）1.5 Ｃｒ（Ｃ
Ｎ）6 では、ＣｒIII とＦｅII あるいはＭｎIIIが一
つ置きにつながっているため、平行スピン（ＣｒIII ，
ＦｅII）と反平行スピン（ＭｎII）が混合比で相殺し
て、飽和磁化はｘ＝１／３で消滅し、さらに、ｘ＝１／
３付近の錯体では負の磁化を示すことが期待される。
【００２０】この予測に基いて、（Ｆｅx Ｍｎ1-x ）
1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 の合成を行った。Ｔｃはｘの増加に
ともない６７Ｋから２１Ｋへと上昇する。５Ｋにおける
飽和磁化もｘにより系統的に変化する。ｘ＝０からｘ＝
０．３８の間では磁化が減少し、ｘ＝０．３８より大き
い時には増加する。ｘ＝０．３８付近が極小点で、ほぼ
ゼロとなる。
1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 の合成を行った。Ｔｃはｘの増加に
ともない６７Ｋから２１Ｋへと上昇する。５Ｋにおける
飽和磁化もｘにより系統的に変化する。ｘ＝０からｘ＝
０．３８の間では磁化が減少し、ｘ＝０．３８より大き
い時には増加する。ｘ＝０．３８付近が極小点で、ほぼ
ゼロとなる。
【００２１】図３は、（Ｆｅ0.4 Ｍｎ0.6 ）1.5 Ｃｒ
（ＣＮ）6 の温度と飽和磁化の関係を示したものであ
る。この図３に示したように、ｘ＝０．４０の材料は低
温で、負の磁化を示した。この錯体に１５Ｋで水銀灯を
数時間照射したところ、１５Ｋで負であった磁化が正に
反転した。
（ＣＮ）6 の温度と飽和磁化の関係を示したものであ
る。この図３に示したように、ｘ＝０．４０の材料は低
温で、負の磁化を示した。この錯体に１５Ｋで水銀灯を
数時間照射したところ、１５Ｋで負であった磁化が正に
反転した。
【００２２】図４は、光照射前後の（Ｆｅ0.4 Ｍ
ｎ0.6 ）1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 の温度と飽和磁化の関係を
示したものである。この磁極反転はフェロ部分の（Ｆｅ
・Ｃｒサイト）の磁化が減少したため、フェロ部分とフ
ェリ部分の比が変化することにより生じた。さらに、こ
の材料の磁化は８０Ｋまで温度を上げることにより回復
した。
ｎ0.6 ）1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 の温度と飽和磁化の関係を
示したものである。この磁極反転はフェロ部分の（Ｆｅ
・Ｃｒサイト）の磁化が減少したため、フェロ部分とフ
ェリ部分の比が変化することにより生じた。さらに、こ
の材料の磁化は８０Ｋまで温度を上げることにより回復
した。
【００２３】光により反転した磁極は熱的に戻り、その
繰り返しも可能であることが確認された。図５は、（Ｆ
ｅ0.4 Ｍｎ0.6 ）1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 の磁極反転の繰り
返しの様子を示したものである。
繰り返しも可能であることが確認された。図５は、（Ｆ
ｅ0.4 Ｍｎ0.6 ）1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 の磁極反転の繰り
返しの様子を示したものである。
【００２４】
【発明の効果】この発明により、以上詳しく説明したと
おり、優れた磁気特性とともに、光可逆磁気反転特定等
の制御された磁気特性を有する分子混合磁性材料を提供
することができる。さらに、この発明により、その一つ
の態様としての磁極反転材料により、マイクロマシー
ン、医療用材料、新規太陽光発電等に応用される光分子
モーターを提供することも可能となる。
おり、優れた磁気特性とともに、光可逆磁気反転特定等
の制御された磁気特性を有する分子混合磁性材料を提供
することができる。さらに、この発明により、その一つ
の態様としての磁極反転材料により、マイクロマシー
ン、医療用材料、新規太陽光発電等に応用される光分子
モーターを提供することも可能となる。
【図１】（Ａ１x Ａ２1-x ）1.6 Ｂ（ＣＮ）6 のモデル
の光照射前後の磁化温度曲線を示した図である。
の光照射前後の磁化温度曲線を示した図である。
【図２】光照射前後のＦｅ1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 ・７．５
Ｈ2 Ｏの温度と外部磁場が１０Ｇでの磁化の関係を示し
た図である。
Ｈ2 Ｏの温度と外部磁場が１０Ｇでの磁化の関係を示し
た図である。
【図３】（Ｆｅ0.4 Ｍｎ0.6 ）1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 の温
度と外部磁場が１０Ｇでの磁化の関係を示した図であ
る。
度と外部磁場が１０Ｇでの磁化の関係を示した図であ
る。
【図４】光照射前後の（Ｆｅ0.4 Ｍｎ0.6 ）1.5 Ｃｒ
（ＣＮ）6 の温度と外部磁場が１０Ｇでの磁化の関係を
示した図である。
（ＣＮ）6 の温度と外部磁場が１０Ｇでの磁化の関係を
示した図である。
【図５】（Ｆｅ0.4 Ｍｎ0.6 ）1.5 Ｃｒ（ＣＮ）6 の磁
極反転の繰り返しの様子を示した図である。
極反転の繰り返しの様子を示した図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 彌田 智一 神奈川県厚木市森の里３丁目12番地 ベル ブリーズ森の里２号棟301号
Claims (7)
- 【請求項１】 フェロ磁性を示す分子磁性材料の磁性イ
オン単位とフェリ磁性を示す分子磁性材料の磁性イオン
単位を各々少くとも１種以上有する分子磁性材料であっ
て、光照射により磁気特性が可変なことを特徴とする分
子混合磁性材料。 - 【請求項２】 強磁性体と反強磁性体とに可変な請求項
１の分子混合磁性材料。 - 【請求項３】 飽和磁化、保磁力、残留磁化、磁気的相
転移点等の磁気特性が可変な請求項１の分子混合磁性材
料。 - 【請求項４】 磁性イオン単位が遷移金属である多元系
金属錯体からなる請求項１ないし３のいずれかの分子混
合磁性材料。 - 【請求項５】 少くとも磁性イオンとして、 Ｍ1 −Ｂ−Ｍ2 （Ｍ1 ，Ｍ2 およびＢは磁性イオンで、Ｍ1 およびＭ2
は、各々、Ｂとの間の交換相互作用（Ｊ）が、Ｂに対し
てＪ＞０並びにＪ＜０である）を有し、磁性イオンＭ1
およびＭ2 の存在比が制御されている請求項４の分子混
合磁性材料。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかの磁性材料
であって、温度により磁気特性が可変な分子混合磁性材
料。 - 【請求項７】 請求項１ないし６のいずれかの磁性材料
であって、磁極が反転可能とされている分子混合磁性材
料。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8185228A JPH1032111A (ja) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | 分子混合磁性材料 |
| PCT/JP1996/002925 WO1997036824A1 (fr) | 1996-04-03 | 1996-10-08 | Melange moleculaire magnetique |
| DE69626317T DE69626317D1 (de) | 1996-04-03 | 1996-10-08 | Magnetische molukulare mischung |
| EP96932846A EP0891949B1 (en) | 1996-04-03 | 1996-10-08 | Magnetic molecular mixture |
| US10/091,480 US20020125457A1 (en) | 1996-04-03 | 2002-03-07 | Molecule mixed magnetic material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8185228A JPH1032111A (ja) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | 分子混合磁性材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1032111A true JPH1032111A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=16167125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8185228A Pending JPH1032111A (ja) | 1996-04-03 | 1996-07-15 | 分子混合磁性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1032111A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6355820B1 (en) | 2000-02-21 | 2002-03-12 | Okazaki National Research Institutes | Chiral molecular magnet and manufacturing method of the same |
-
1996
- 1996-07-15 JP JP8185228A patent/JPH1032111A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6355820B1 (en) | 2000-02-21 | 2002-03-12 | Okazaki National Research Institutes | Chiral molecular magnet and manufacturing method of the same |
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