JPH10321168A - 薄型ディスプレイ・スクリーン用アノード - Google Patents
薄型ディスプレイ・スクリーン用アノードInfo
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- JPH10321168A JPH10321168A JP10134295A JP13429598A JPH10321168A JP H10321168 A JPH10321168 A JP H10321168A JP 10134295 A JP10134295 A JP 10134295A JP 13429598 A JP13429598 A JP 13429598A JP H10321168 A JPH10321168 A JP H10321168A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/08—Electrodes intimately associated with a screen on or from which an image or pattern is formed, picked-up, converted or stored, e.g. backing-plates for storage tubes or collecting secondary electrons
- H01J29/085—Anode plates, e.g. for screens of flat panel displays
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 スクリーン寿命およびカラー・ドリフトとい
った問題を解決し、知られている解決法の欠点を克服す
る新規の方法を提供すること。 【解決手段】 本発明は、蛍光要素で被覆され、絶縁ス
トリップにより互いに分離されたアノード導体の少なく
とも2組の平行な交互のストリップおよび絶縁ストリッ
プと実質的に中心を合わせて整合している収束導電スト
リップを含み、前記収束導電ストリップの幅が絶縁スト
リップの幅より狭い型の薄型ディスプレイ・スクリーン
に関する。
った問題を解決し、知られている解決法の欠点を克服す
る新規の方法を提供すること。 【解決手段】 本発明は、蛍光要素で被覆され、絶縁ス
トリップにより互いに分離されたアノード導体の少なく
とも2組の平行な交互のストリップおよび絶縁ストリッ
プと実質的に中心を合わせて整合している収束導電スト
リップを含み、前記収束導電ストリップの幅が絶縁スト
リップの幅より狭い型の薄型ディスプレイ・スクリーン
に関する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄型ディスプレイ
・スクリーンに関し、さらに詳細には、アノードが、絶
縁領域により相互に分離されており、電子衝撃で付勢さ
れやすい蛍光要素を支持している、いわゆるカソードル
ミネセンス・スクリーンに関する。この電子衝撃は蛍光
要素のバイアスを必要とし、マイクロチップ、低抽出電
位層、熱イオン化源由来のものであってよい。
・スクリーンに関し、さらに詳細には、アノードが、絶
縁領域により相互に分離されており、電子衝撃で付勢さ
れやすい蛍光要素を支持している、いわゆるカソードル
ミネセンス・スクリーンに関する。この電子衝撃は蛍光
要素のバイアスを必要とし、マイクロチップ、低抽出電
位層、熱イオン化源由来のものであってよい。
【0002】本発明の説明を簡単にするために、本明細
書以下では、カラー・マイクロチップ・スクリーンのみ
を考えることとするが、本発明は一般に上記種々の型の
スクリーン等に関するものであることに留意されたい。
書以下では、カラー・マイクロチップ・スクリーンのみ
を考えることとするが、本発明は一般に上記種々の型の
スクリーン等に関するものであることに留意されたい。
【0003】
【従来の技術】図1は従来の薄型カラー・マイクロチッ
プ・スクリーンの構造を示している。
プ・スクリーンの構造を示している。
【0004】このようなマイクロチップ・スクリーンは
本質的に、マイクロチップ2を有するカソード1と、マ
イクロチップ2の位置に対応する穴4を有するグリッド
3とで形成されている。カソード1は、カソードルミネ
センス・アノード5と対面するよう置かれており、アノ
ード5のガラス基板6はスクリーンの表面を形成してい
る。
本質的に、マイクロチップ2を有するカソード1と、マ
イクロチップ2の位置に対応する穴4を有するグリッド
3とで形成されている。カソード1は、カソードルミネ
センス・アノード5と対面するよう置かれており、アノ
ード5のガラス基板6はスクリーンの表面を形成してい
る。
【0005】マイクロチップ・スクリーンの動作原理お
よび実施形態の具体例は、特にCommissariat a l'Energ
ie Atomique の米国特許第4940916号に記載され
ている。
よび実施形態の具体例は、特にCommissariat a l'Energ
ie Atomique の米国特許第4940916号に記載され
ている。
【0006】カソード1は一般に列で構成され、ガラス
基板10上に、導電層からメッシュとして構成されたカ
ソード導体で形成される。マイクロチップ2は、カソー
ド導体上に付着させた抵抗層11上に形成され、カソー
ド導体で画定されたメッシュ内に配置される。図1はメ
ッシュの内部を部分的に示しているが、カソード導体は
図示されていない。カソード1は行で構成されたグリッ
ド3と関連している。グリッド3の行とカソード1の列
との交点がピクセルを画定する。
基板10上に、導電層からメッシュとして構成されたカ
ソード導体で形成される。マイクロチップ2は、カソー
ド導体上に付着させた抵抗層11上に形成され、カソー
ド導体で画定されたメッシュ内に配置される。図1はメ
ッシュの内部を部分的に示しているが、カソード導体は
図示されていない。カソード1は行で構成されたグリッ
ド3と関連している。グリッド3の行とカソード1の列
との交点がピクセルを画定する。
【0007】このデバイスはカソード1とグリッド3と
の間に生成される電場を使用してマイクロチップ2から
電子を抽出する。次いで、蛍光要素5が適切にバイアス
されると、これらの電子はアノード5の蛍光要素7に引
きつけられる。カラー・スクリーンの場合、アノード5
には各色(赤、緑、青)にそれぞれ対応する蛍光要素7
r、7g、7bの交互のストリップが設けられている。
このストリップはカソードの列に平行で、通常、酸化珪
素(SiO2 )の絶縁体8により互いに分離されてい
る。蛍光要素7は電極9上に付着されており、電極9は
対応するインジウムおよび酸化スズ(ITO)のような
透明な導電層のストリップで形成されている。この例で
は、赤と緑と青のストリップの組を、カソード1に対し
て交互にバイアスし、その結果、カソード/グリッドの
ピクセルのマイクロチップ2から抽出された電子が交互
に、各色に対面する蛍光要素7に向かう。
の間に生成される電場を使用してマイクロチップ2から
電子を抽出する。次いで、蛍光要素5が適切にバイアス
されると、これらの電子はアノード5の蛍光要素7に引
きつけられる。カラー・スクリーンの場合、アノード5
には各色(赤、緑、青)にそれぞれ対応する蛍光要素7
r、7g、7bの交互のストリップが設けられている。
このストリップはカソードの列に平行で、通常、酸化珪
素(SiO2 )の絶縁体8により互いに分離されてい
る。蛍光要素7は電極9上に付着されており、電極9は
対応するインジウムおよび酸化スズ(ITO)のような
透明な導電層のストリップで形成されている。この例で
は、赤と緑と青のストリップの組を、カソード1に対し
て交互にバイアスし、その結果、カソード/グリッドの
ピクセルのマイクロチップ2から抽出された電子が交互
に、各色に対面する蛍光要素7に向かう。
【0008】一般に、グリッド3の行は順次、80ボル
ト程度の電位までバイアスされ、一方、付勢すべき蛍光
要素のストリップ(例えば、図1の7g)は、これらの
蛍光要素がその上に付着したITOストリップを介し
て、約400ボルトの電圧でバイアスされる。別の蛍光
要素のストリップ(例えば、図1の7rおよび7b)を
支持しているITOストリップの電位は低いかゼロであ
る。カソード1の列はそれぞれ、最大放出電位とゼロ放
出電位の間(例えば、それぞれ0ボルトおよび30ボル
ト)の電位とする。一列中の各ピクセルの色成分の輝度
はこのようにして決定される。
ト程度の電位までバイアスされ、一方、付勢すべき蛍光
要素のストリップ(例えば、図1の7g)は、これらの
蛍光要素がその上に付着したITOストリップを介し
て、約400ボルトの電圧でバイアスされる。別の蛍光
要素のストリップ(例えば、図1の7rおよび7b)を
支持しているITOストリップの電位は低いかゼロであ
る。カソード1の列はそれぞれ、最大放出電位とゼロ放
出電位の間(例えば、それぞれ0ボルトおよび30ボル
ト)の電位とする。一列中の各ピクセルの色成分の輝度
はこのようにして決定される。
【0009】バイアス電位の値の選択は、蛍光要素7お
よびマイクロチップ2の特性と関連する。従来は、カソ
ードとグリッドとの間の電位差が50ボルト以下の場合
には、電子の放出は起こらず、使用する最大放出は80
ボルトの電位差に相当する。
よびマイクロチップ2の特性と関連する。従来は、カソ
ードとグリッドとの間の電位差が50ボルト以下の場合
には、電子の放出は起こらず、使用する最大放出は80
ボルトの電位差に相当する。
【0010】従来のスクリーンの欠点は、寿命が短いこ
と、すなわち、比較的短い(100時間程度の)動作時
間後に、スクリーンの輝度がかなり低下し、スクリーン
のカソードとアノードとの間でのアーク形成による破壊
的現象も時々発生する。
と、すなわち、比較的短い(100時間程度の)動作時
間後に、スクリーンの輝度がかなり低下し、スクリーン
のカソードとアノードとの間でのアーク形成による破壊
的現象も時々発生する。
【0011】さらに、一定の動作時間後、色が変化する
ように思われ、スクリーン・コントロールの命令と一致
しなくなる。この現象を、本明細書以下では「カラー・
ドリフト」とする。実際には、これは、バイアスされた
ストリップに隣接する蛍光材料のストリップの少なくと
も1つがルミネセンスを呈し始めたことを意味する。
ように思われ、スクリーン・コントロールの命令と一致
しなくなる。この現象を、本明細書以下では「カラー・
ドリフト」とする。実際には、これは、バイアスされた
ストリップに隣接する蛍光材料のストリップの少なくと
も1つがルミネセンスを呈し始めたことを意味する。
【0012】この寄生ルミネセンス現象を回避する第一
の公知の手法は、2つの連続したカラー・サブフレーム
間のアノード・ストリップへのバイアスかけを短時間の
間隔で分離し、バイアスしたばかりのストリップに、マ
イナスの電圧パルスをかけてから、次の付勢すべきアノ
ード・ストリップにプラスのバイアスをかけることから
なる。
の公知の手法は、2つの連続したカラー・サブフレーム
間のアノード・ストリップへのバイアスかけを短時間の
間隔で分離し、バイアスしたばかりのストリップに、マ
イナスの電圧パルスをかけてから、次の付勢すべきアノ
ード・ストリップにプラスのバイアスをかけることから
なる。
【0013】しかし、この手法は、数百ボルトの高いア
ノード供給電圧を提供する回路が複雑になること、スク
リーン輝度に不利となることという欠点を有している。
ノード供給電圧を提供する回路が複雑になること、スク
リーン輝度に不利となることという欠点を有している。
【0014】第二の公知の手法は、蛍光ストリップを分
離させている絶縁ストリップ上に、マイナスまたはゼロ
電位までバイアスをかけた導電層を付着させることから
なる。このような手法は、例えば、特許EP−A−06
35865に記載されている。この場合、導電層は、S
iO2 絶縁層による二次電子の放出を防止し、蛍光要素
の2つのストリップの間にプラスに荷電された領域を形
成する機能を持つ。
離させている絶縁ストリップ上に、マイナスまたはゼロ
電位までバイアスをかけた導電層を付着させることから
なる。このような手法は、例えば、特許EP−A−06
35865に記載されている。この場合、導電層は、S
iO2 絶縁層による二次電子の放出を防止し、蛍光要素
の2つのストリップの間にプラスに荷電された領域を形
成する機能を持つ。
【0015】しかし、この手法の欠点は、アノード・ス
トリップ間の絶縁に不利にならないようにするために、
絶縁ストリップは厚くなければならず(50μm程
度)、これらのストリップの間に置かれた蛍光要素(厚
さ約10μm以上)は導電層に埋もれることである。も
う1つの欠点は、この手法を実行すると、製造に時間が
かかることである。実際に、正確を期すためには、Si
O2 層をプラズマでエッチングする必要があり、このよ
うな厚さを得るには非常に長時間かかる。
トリップ間の絶縁に不利にならないようにするために、
絶縁ストリップは厚くなければならず(50μm程
度)、これらのストリップの間に置かれた蛍光要素(厚
さ約10μm以上)は導電層に埋もれることである。も
う1つの欠点は、この手法を実行すると、製造に時間が
かかることである。実際に、正確を期すためには、Si
O2 層をプラズマでエッチングする必要があり、このよ
うな厚さを得るには非常に長時間かかる。
【0016】別の欠点は、絶縁ストリップの厚さを蛍光
要素の抵抗性によって選択する必要があり、この抵抗性
は個々の色によって異なる可能性があることである。
要素の抵抗性によって選択する必要があり、この抵抗性
は個々の色によって異なる可能性があることである。
【0017】また、蛍光要素は一般にセリグラフィで付
着させる。ここで、セリグラフィ・マスクとエッチング
・パターンの整合性は実際には不完全であり、蛍光要素
がSiO2 層の穴をわずかに越えて延びていることが多
い。この場合、このような過剰な伸張が導電層まで広が
るため、絶縁が妨げられる。
着させる。ここで、セリグラフィ・マスクとエッチング
・パターンの整合性は実際には不完全であり、蛍光要素
がSiO2 層の穴をわずかに越えて延びていることが多
い。この場合、このような過剰な伸張が導電層まで広が
るため、絶縁が妨げられる。
【0018】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、スクリーン
寿命およびカラー・ドリフトといった上記問題を解決
し、公知の解決法の欠点を克服する新規の方法を提供す
ることである。
寿命およびカラー・ドリフトといった上記問題を解決
し、公知の解決法の欠点を克服する新規の方法を提供す
ることである。
【0019】本発明の目的は、特に、アノード・ストリ
ップの切替えに関連する寄生ルミネセンスの問題に対す
る新しい解決方法を提供することである。
ップの切替えに関連する寄生ルミネセンスの問題に対す
る新しい解決方法を提供することである。
【0020】本発明の目的はまた、従来のスクリーン製
造法に適合し、アノード製造法に追加ステップを必要と
しない解決方法を提供することである。
造法に適合し、アノード製造法に追加ステップを必要と
しない解決方法を提供することである。
【0021】
【課題を解決するための手段】これらの目的を達成する
ために、本発明は、蛍光要素で被覆され、絶縁ストリッ
プにより互いに分離され、付勢すべき蛍光要素に応じて
異なる電位にバイアスされやすいアノード導体の少なく
とも2組の平行な交互のストリップを含み、絶縁ストリ
ップと実質的に中心を合わせて整合している収束導電ス
トリップを含み、前記収束導電ストリップの幅が絶縁ス
トリップの幅より狭い型の薄型ディスプレイ・スクリー
ンを提供する。
ために、本発明は、蛍光要素で被覆され、絶縁ストリッ
プにより互いに分離され、付勢すべき蛍光要素に応じて
異なる電位にバイアスされやすいアノード導体の少なく
とも2組の平行な交互のストリップを含み、絶縁ストリ
ップと実質的に中心を合わせて整合している収束導電ス
トリップを含み、前記収束導電ストリップの幅が絶縁ス
トリップの幅より狭い型の薄型ディスプレイ・スクリー
ンを提供する。
【0022】本発明の実施形態によれば、収束ストリッ
プはマイナスまたはゼロ電位までバイアスされる。
プはマイナスまたはゼロ電位までバイアスされる。
【0023】本発明の実施形態によれば、絶縁ストリッ
プの厚さは1μmから5μmに含まれる。
プの厚さは1μmから5μmに含まれる。
【0024】本発明の実施形態によれば、収束ストリッ
プを絶縁ストリップ上に付着させる。
プを絶縁ストリップ上に付着させる。
【0025】本発明の実施形態によれば、収束導電層の
幅は絶縁ストリップの幅の20%から60%である。
幅は絶縁ストリップの幅の20%から60%である。
【0026】本発明の実施形態によれば、収束ストリッ
プは絶縁ストリップに埋め込まれている。
プは絶縁ストリップに埋め込まれている。
【0027】本発明の実施形態によれば、収束ストリッ
プと隣接のアノード導体ストリップとの間の距離は2つ
の隣接したストリップの間の決められた電位差に耐えう
るよう選択し、導電ストリップの幅は好ましくは、2つ
の隣接するアノード導体ストリップ間の距離の20%か
ら90%である。
プと隣接のアノード導体ストリップとの間の距離は2つ
の隣接したストリップの間の決められた電位差に耐えう
るよう選択し、導電ストリップの幅は好ましくは、2つ
の隣接するアノード導体ストリップ間の距離の20%か
ら90%である。
【0028】本発明の実施形態によれば、収束ストリッ
プはアノード導電ストリップと同じ材料で形成されてい
る。
プはアノード導電ストリップと同じ材料で形成されてい
る。
【0029】本発明はまた、アノード導体ストリップの
画定マスクが収束導体ストリップのパターンも画定す
る、薄型ディスプレイ・スクリーン・アノードの実行方
法にも関係する。
画定マスクが収束導体ストリップのパターンも画定す
る、薄型ディスプレイ・スクリーン・アノードの実行方
法にも関係する。
【0030】本発明はまた、マイクロチップを有するカ
ソードと、蛍光要素の少なくとも2組の交互のストリッ
プとで形成されたアノードと、収束ストリップを具備し
た薄型ディスプレイ・スクリーンに関する。
ソードと、蛍光要素の少なくとも2組の交互のストリッ
プとで形成されたアノードと、収束ストリップを具備し
た薄型ディスプレイ・スクリーンに関する。
【0031】上記の本発明の目的、特徴および利点は、
図面に関連して作成した具体的な実施形態の下記の非限
定的説明に詳細に述べている。
図面に関連して作成した具体的な実施形態の下記の非限
定的説明に詳細に述べている。
【0032】
【発明の実施の形態】同じ要素は別の図でも同じ参照番
号で示した。明確にするために、図面は一定の縮尺で示
したものではなく、本発明を理解するために必要な要素
だけ示しており、下記に説明する。
号で示した。明確にするために、図面は一定の縮尺で示
したものではなく、本発明を理解するために必要な要素
だけ示しており、下記に説明する。
【0033】図2は、本発明の第一の実施形態によるア
ノードを断面図で部分的に示している。
ノードを断面図で部分的に示している。
【0034】前記の通り、アノード5’は例えばガラス
製の基板6上に形成されており、色(赤、緑、青)にそ
れぞれ対応する蛍光要素7r、7g、7bの交互のスト
リップが設けられている。このストリップは、通常酸化
珪素(SiO2 )である絶縁体8により互いに分離され
ている。蛍光要素7は、対応するインジウムおよび酸化
スズ(ITO)などの透明な導電層のストリップで形成
された電極9r、9g、9b上に付着している。
製の基板6上に形成されており、色(赤、緑、青)にそ
れぞれ対応する蛍光要素7r、7g、7bの交互のスト
リップが設けられている。このストリップは、通常酸化
珪素(SiO2 )である絶縁体8により互いに分離され
ている。蛍光要素7は、対応するインジウムおよび酸化
スズ(ITO)などの透明な導電層のストリップで形成
された電極9r、9g、9b上に付着している。
【0035】本発明の第一の実施形態によると、追加の
導電ストリップ19が、2つの隣接する蛍光要素のスト
リップを分離している絶縁ストリップ8上に付着されて
いる。本発明によると、追加ストリップ19の幅は、2
つの隣接した蛍光要素ストリップ間の距離より小さく、
そのため、絶縁ストリップ8を完全には覆っていない。
ストリップ19は絶縁ストリップ8の実質的に中央に位
置し、その幅は、例えばストリップ8の幅の20%から
60%である。
導電ストリップ19が、2つの隣接する蛍光要素のスト
リップを分離している絶縁ストリップ8上に付着されて
いる。本発明によると、追加ストリップ19の幅は、2
つの隣接した蛍光要素ストリップ間の距離より小さく、
そのため、絶縁ストリップ8を完全には覆っていない。
ストリップ19は絶縁ストリップ8の実質的に中央に位
置し、その幅は、例えばストリップ8の幅の20%から
60%である。
【0036】本発明によると、ストリップ19は、マイ
クロチップ(図示せず)により放出された電子を戻す電
場を形成するために、高くてもカソードの最小バイアス
電位までバイアスされる。ここで、ストリップ19は、
カソードにより、蛍光要素を支持するストリップ9に向
かって放出された電子に対し、収束作用を有する。従っ
て、ストリップ19と蛍光要素7の間に残っている絶縁
層8に衝突しやすい電子の割合、すなわち、この層8の
表面でのマイナス電荷の蓄積は非常に少なくなる。さら
に、わずかな電子がストリップ19のどちらかの側の層
8のアクセス可能な部分18に到達できたとしても、こ
れらの電子のエネルギーは非常に小さく(0エレクトロ
ンボルトに近い)、これらの電子は二次電子の放出を起
こすことはできない。
クロチップ(図示せず)により放出された電子を戻す電
場を形成するために、高くてもカソードの最小バイアス
電位までバイアスされる。ここで、ストリップ19は、
カソードにより、蛍光要素を支持するストリップ9に向
かって放出された電子に対し、収束作用を有する。従っ
て、ストリップ19と蛍光要素7の間に残っている絶縁
層8に衝突しやすい電子の割合、すなわち、この層8の
表面でのマイナス電荷の蓄積は非常に少なくなる。さら
に、わずかな電子がストリップ19のどちらかの側の層
8のアクセス可能な部分18に到達できたとしても、こ
れらの電子のエネルギーは非常に小さく(0エレクトロ
ンボルトに近い)、これらの電子は二次電子の放出を起
こすことはできない。
【0037】この実施形態の利点は、絶縁ストリップ8
を厚くする必要なく、各ストリップ19のどちらかの側
に残る絶縁体の一部18により、これら追加導電層と蛍
光要素ストリップとの間を確実に絶縁できることであ
る。従って、本発明によれば、絶縁ストリップ8の厚さ
は、薄型スクリーン用アノードを実行する従来の方法に
適合する厚さ、例えば、1μmから5μmの間である。
を厚くする必要なく、各ストリップ19のどちらかの側
に残る絶縁体の一部18により、これら追加導電層と蛍
光要素ストリップとの間を確実に絶縁できることであ
る。従って、本発明によれば、絶縁ストリップ8の厚さ
は、薄型スクリーン用アノードを実行する従来の方法に
適合する厚さ、例えば、1μmから5μmの間である。
【0038】特許EP−A−0635865に記載の公
知技術に対する別の利点は、層8のエッチング・パター
ンに対する蛍光要素のセリグラフィによる付着のマスク
の配列が問題にならないことである。実際に、本発明で
は、蛍光要素が絶縁部分18を越えて付着する可能性が
ある。蛍光要素ストリップの厚さは一般に10μm程度
である。
知技術に対する別の利点は、層8のエッチング・パター
ンに対する蛍光要素のセリグラフィによる付着のマスク
の配列が問題にならないことである。実際に、本発明で
は、蛍光要素が絶縁部分18を越えて付着する可能性が
ある。蛍光要素ストリップの厚さは一般に10μm程度
である。
【0039】図3および図4はそれぞれ、本発明の薄型
カラー・ディスプレイ・スクリーンの第二の実施形態の
断面図および平面図である。図4では、すべての蛍光要
素は示していない。
カラー・ディスプレイ・スクリーンの第二の実施形態の
断面図および平面図である。図4では、すべての蛍光要
素は示していない。
【0040】この実施形態の特徴は、蛍光要素を支持す
る2つの隣接する導電層9の間に、ストリップ9を互い
に分離している絶縁層8で被覆された追加の導電層29
を設けたことである。
る2つの隣接する導電層9の間に、ストリップ9を互い
に分離している絶縁層8で被覆された追加の導電層29
を設けたことである。
【0041】第一の実施形態と同様に、これらのストリ
ップ29はマイクロチップにより放出された電子を戻す
電場を形成するために、高くてもカソードの最小バイア
ス電位までバイアスされる。
ップ29はマイクロチップにより放出された電子を戻す
電場を形成するために、高くてもカソードの最小バイア
ス電位までバイアスされる。
【0042】ストリップ29は2つの隣接するストリッ
プ9の実質的に中心にあり、好ましくは、隣接するスト
リップ間の距離の20%から90%の幅を有する。収束
ストリップ29の幅は第一の実施形態より広くてもよ
い。ストリップ29とストリップ9の間の距離は実際に
はストリップ間の絶縁の必要性にのみ関連し、蛍光要素
が大きすぎる場合に絶縁を保証する必要はない。収束ス
トリップの幅が広くなるほど、所与の電位に対する収束
作用は大きくなる。
プ9の実質的に中心にあり、好ましくは、隣接するスト
リップ間の距離の20%から90%の幅を有する。収束
ストリップ29の幅は第一の実施形態より広くてもよ
い。ストリップ29とストリップ9の間の距離は実際に
はストリップ間の絶縁の必要性にのみ関連し、蛍光要素
が大きすぎる場合に絶縁を保証する必要はない。収束ス
トリップの幅が広くなるほど、所与の電位に対する収束
作用は大きくなる。
【0043】実施の具体例として、アノード導体ストリ
ップ9の幅は約80μmであり、2つの隣接するアノー
ド導体ストリップ間の距離は約40μmである。
ップ9の幅は約80μmであり、2つの隣接するアノー
ド導体ストリップ間の距離は約40μmである。
【0044】好ましくは、ストリップ29は蛍光要素を
支持するストリップ9と同じ材料(例えば、ITO)で
形成する。このような実施形態の利点は、本発明のアノ
ードの実行に、薄型スクリーン用アノードを製造する従
来の方法と比較して追加のステップが必要ないことであ
る。
支持するストリップ9と同じ材料(例えば、ITO)で
形成する。このような実施形態の利点は、本発明のアノ
ードの実行に、薄型スクリーン用アノードを製造する従
来の方法と比較して追加のステップが必要ないことであ
る。
【0045】実際、収束導電ストリップ29が絶縁層8
に埋もれているため、アノード導体ストリップ9の画定
マスクを変更し、同時に収束ストリップ29を形成すれ
ば十分である。
に埋もれているため、アノード導体ストリップ9の画定
マスクを変更し、同時に収束ストリップ29を形成すれ
ば十分である。
【0046】同様に、同じ色のストリップを組にしてス
トリップ9を相互接続させると同様に、ストリップ29
を相互接続して、同時にバイアスすることができる。
トリップ9を相互接続させると同様に、ストリップ29
を相互接続して、同時にバイアスすることができる。
【0047】例えば、特許FR−A−2735254に
記載されている製法を使用でき、この特許の内容を参照
により本明細書に援用する。
記載されている製法を使用でき、この特許の内容を参照
により本明細書に援用する。
【0048】アノードの2組の導電ストリップを第一レ
ベルで相互接続し、3組目を第二レベルで相互接続する
この方法を使用すると、第二レベルでストリップ29を
相互接続する。
ベルで相互接続し、3組目を第二レベルで相互接続する
この方法を使用すると、第二レベルでストリップ29を
相互接続する。
【0049】図5Aおよび図5Bは、図4を線A−Aお
よび線B−Bで切断した断面図で、ストリップ9および
ストリップ29のその端部の相互接続を示している。
よび線B−Bで切断した断面図で、ストリップ9および
ストリップ29のその端部の相互接続を示している。
【0050】ストリップ9rとストリップ9bの相互接
続の2つのトラック11および12、ストリップ9gの
第一端の最初のシリーズのパッド13(図4)およびス
トリップ29の第二端の第二シリーズのパッド14は、
ストリップ9およびストリップ29と同様に同時に形成
できる。
続の2つのトラック11および12、ストリップ9gの
第一端の最初のシリーズのパッド13(図4)およびス
トリップ29の第二端の第二シリーズのパッド14は、
ストリップ9およびストリップ29と同様に同時に形成
できる。
【0051】次いで、絶縁層8を付着させ、スクリーン
の活性領域のストリップ9上の蛍光要素のストリップ7
の付着パターンおよびパッド13および14のパターン
に従ってエッチングする。層8を開放して、トラック1
1と12の接続に2つのパッド15および16(図5A
および図5B)も形成する。
の活性領域のストリップ9上の蛍光要素のストリップ7
の付着パターンおよびパッド13および14のパターン
に従ってエッチングする。層8を開放して、トラック1
1と12の接続に2つのパッド15および16(図5A
および図5B)も形成する。
【0052】パッド13、14および15、16上に形
成した開口部には導電材料を充填し、接触面を層8の上
に移す。
成した開口部には導電材料を充填し、接触面を層8の上
に移す。
【0053】次に導電層を付着させ、パッド13および
パッド14の相互接続の2つのトラック20および21
のパターンならびにパッド15およびパッド16のパタ
ーンに従ってエッチングして、トラック11および12
の接続のパッド21および22を形成する。
パッド14の相互接続の2つのトラック20および21
のパターンならびにパッド15およびパッド16のパタ
ーンに従ってエッチングして、トラック11および12
の接続のパッド21および22を形成する。
【0054】本発明の利点は、提供された構造が薄型ス
クリーン用アノードの従来の製法のステップに完全に適
合することである。
クリーン用アノードの従来の製法のステップに完全に適
合することである。
【0055】薄型カラー・マイクロチップ・スクリーン
では、そのグリッドを約80ボルトの電位にバイアス
し、マイクロチップを0ボルト(最大放出)から30ボ
ルト(放出なし)の範囲でバイアスし、ストリップ19
または29を例えば0ボルトから−200ボルトの範囲
の電位にバイアスする。
では、そのグリッドを約80ボルトの電位にバイアス
し、マイクロチップを0ボルト(最大放出)から30ボ
ルト(放出なし)の範囲でバイアスし、ストリップ19
または29を例えば0ボルトから−200ボルトの範囲
の電位にバイアスする。
【0056】収束ストリップのバイアス電位がカソード
の最小バイアス電位より小さくなるにつれ、収束作用は
より顕著になる。従って、十分にマイナスの電位を選択
することにより、すべての電子が蛍光要素の2つのスト
リップの分離する部分から確実に戻される。
の最小バイアス電位より小さくなるにつれ、収束作用は
より顕著になる。従って、十分にマイナスの電位を選択
することにより、すべての電子が蛍光要素の2つのスト
リップの分離する部分から確実に戻される。
【0057】本発明の利点は、従来のスクリーンで認め
られたカラー・ドリフト現象を抑制することである。
られたカラー・ドリフト現象を抑制することである。
【0058】本発明の別の利点は、蛍光要素の2つのバ
ンドの間でアークが形成される危険性を低下させること
により、スクリーン寿命を非常に改善することである。
ンドの間でアークが形成される危険性を低下させること
により、スクリーン寿命を非常に改善することである。
【0059】本発明は、アノードの蛍光要素が、同じ色
の蛍光要素の2組の交互のストリップで構成されたアノ
ード電極で支持されているモノクロ・スクリーンにも適
用できることに留意すべきである。この場合、本発明
は、同色の蛍光要素の平面のアノードが形成されている
スクリーンと比べ既に改善されているスクリーン解像度
をさらに改善する。
の蛍光要素の2組の交互のストリップで構成されたアノ
ード電極で支持されているモノクロ・スクリーンにも適
用できることに留意すべきである。この場合、本発明
は、同色の蛍光要素の平面のアノードが形成されている
スクリーンと比べ既に改善されているスクリーン解像度
をさらに改善する。
【0060】もちろん、本発明には、当業者には容易な
種々の変更、修飾、改良があるであろう。特に、収束ス
トリップのバイアス電位および幅はスクリーンの種類お
よびコンポーネントのバイアス電位に応じて変更でき
る。
種々の変更、修飾、改良があるであろう。特に、収束ス
トリップのバイアス電位および幅はスクリーンの種類お
よびコンポーネントのバイアス電位に応じて変更でき
る。
【0061】このような変更、修飾、改良は本開示の一
部であり、本発明の精神および範囲に含まれるものと意
図される。従って、上記の説明は例示のためだけのもの
であり、限定を意図したものではない。本発明は、上記
特許請求の範囲およびその均等物の規定によってのみ限
定される。
部であり、本発明の精神および範囲に含まれるものと意
図される。従って、上記の説明は例示のためだけのもの
であり、限定を意図したものではない。本発明は、上記
特許請求の範囲およびその均等物の規定によってのみ限
定される。
【図1】当業界の状況および解決すべき問題を示す図で
ある。
ある。
【図2】本発明の第一の実施形態による薄型ディスプレ
イ・スクリーン・アノードの部分断面図である。
イ・スクリーン・アノードの部分断面図である。
【図3】本発明の第二の実施形態による薄型ディスプレ
イ・スクリーン・アノードの部分断面図である。
イ・スクリーン・アノードの部分断面図である。
【図4】図3に示すような薄型スクリーン・アノードの
底面図である。
底面図である。
【図5】図4を線A−Aおよび線B−Bで切断した部分
断面図である。
断面図である。
1 カソード 2 マイクロチップ 3 グリッド 4 穴 5 アノード 6 電極 7 蛍光要素 8 絶縁ストリップ 9 導電ストリップ 10 ガラス基板 11 抵抗層 13 パッド 14 パッド 15 パッド 16 パッド 19 収束ストリップ 21 パッド 22 パッド 29 収束ストリップ
Claims (10)
- 【請求項1】 蛍光要素(7)で被覆され、絶縁ストリ
ップ(8)により互いに分離され、付勢すべき蛍光要素
に応じて異なる電位にバイアスされやすいアノード導体
の少なくとも2組の平行な交互のストリップ(9)を含
み、絶縁ストリップと実質的に中心を合わせて整合して
いる収束導電ストリップ(19、29)を含み、前記収
束導電ストリップの幅が絶縁ストリップの幅より狭い型
の薄型ディスプレイ・スクリーン(5’)。 - 【請求項2】 収束ストリップ(19、29)がマイナ
スまたはゼロ電位にバイアスされることを特徴とする請
求項1に記載のアノード。 - 【請求項3】 絶縁ストリップ(8)の厚さが1μmか
ら5μmに含まれることを特徴とする請求項1に記載の
アノード。 - 【請求項4】 収束ストリップ(19)が絶縁ストリッ
プ(8)上に付着されていることを特徴とする請求項1
に記載のアノード。 - 【請求項5】 収束導電層(19)の幅が前記絶縁スト
リップ(8)の幅の20%から60%であることを特徴
とする請求項4に記載のアノード。 - 【請求項6】 収束ストリップ(29)が絶縁ストリッ
プ(8)に埋設されていることを特徴とする請求項1に
記載のアノード。 - 【請求項7】 収束ストリップ(29)と隣接のアノー
ド導体ストリップ(9)の間の距離を、2つの隣接する
ストリップの間の所定の電位差に耐えうるように選択
し、導電ストリップの幅が好ましくは2つの隣接するア
ノード導体ストリップ(9)間の距離の20%から90
%であることを特徴とする請求項6に記載のアノード。 - 【請求項8】 収束ストリップ(29)がアノード導電
ストリップ(9)と同じ材料で形成されていることを特
徴とする請求項6に記載のアノード。 - 【請求項9】 アノード導体ストリップ(9)の画定マ
スクが収束導体ストリップ(29)のパターンも画定す
ることを特徴とする請求項8に記載の薄型ディスプレイ
・スクリーン・アノードの実行方法。 - 【請求項10】 マイクロチップ(2)を有するカソー
ド(1)と少なくとも2組の蛍光要素(7)の交互スト
リップで形成されたアノード(5’)とを含み、前記ア
ノードが請求項1の収束ストリップ(19、29)を含
むことを特徴とする薄型ディスプレイ・スクリーン。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9705601 | 1997-04-30 | ||
| FR9705601A FR2762927A1 (fr) | 1997-04-30 | 1997-04-30 | Anode d'ecran plat de visualisation |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321168A true JPH10321168A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=9506645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10134295A Withdrawn JPH10321168A (ja) | 1997-04-30 | 1998-04-30 | 薄型ディスプレイ・スクリーン用アノード |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6107733A (ja) |
| EP (1) | EP0877407A1 (ja) |
| JP (1) | JPH10321168A (ja) |
| FR (1) | FR2762927A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001250495A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-14 | Samsung Sdi Co Ltd | カーボンナノチューブを用いた3電極電界放出表示素子 |
| KR100542317B1 (ko) * | 1999-12-24 | 2006-01-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 전계 방출 표시 소자 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2156554C1 (ru) * | 1999-05-12 | 2000-09-20 | Кокин Сергей Михайлович | Электролюминесцентное устройство |
| FR2800512B1 (fr) * | 1999-10-28 | 2002-03-01 | Pixtech Sa | Ecran plat de visualisation a grille de protection |
| US6509696B2 (en) | 2001-03-22 | 2003-01-21 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method and system for driving a capacitively coupled fluorescent lamp |
| WO2007005014A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Thomson Licensing | Segmented conductive coating for a luminescent display device |
| RU2295844C1 (ru) * | 2005-07-06 | 2007-03-20 | Открытое акционерное общество "Чепецкий механический завод" (ОАО ЧМЗ) | Гибкое нагревательное устройство |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6188432A (ja) * | 1984-10-08 | 1986-05-06 | Nec Corp | ドツトマトリクス螢光表示管 |
| EP0527240A4 (en) * | 1991-03-01 | 1993-09-22 | Seiko Epson Corporation | Light projecting device |
| JP3252545B2 (ja) * | 1993-07-21 | 2002-02-04 | ソニー株式会社 | 電界放出型カソードを用いたフラットディスプレイ |
| US5541478A (en) * | 1994-03-04 | 1996-07-30 | General Motors Corporation | Active matrix vacuum fluorescent display using pixel isolation |
| US5568012A (en) * | 1994-08-22 | 1996-10-22 | Noritake Co., Limited | Fluorescent display tube wherein grid electrodes are formed on ribs contacting fluorescent segments, and process of manufacturing the display tube |
| US5508584A (en) * | 1994-12-27 | 1996-04-16 | Industrial Technology Research Institute | Flat panel display with focus mesh |
| US5773927A (en) * | 1995-08-30 | 1998-06-30 | Micron Display Technology, Inc. | Field emission display device with focusing electrodes at the anode and method for constructing same |
| US5606225A (en) * | 1995-08-30 | 1997-02-25 | Texas Instruments Incorporated | Tetrode arrangement for color field emission flat panel display with barrier electrodes on the anode plate |
-
1997
- 1997-04-30 FR FR9705601A patent/FR2762927A1/fr not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-04-29 US US09/069,465 patent/US6107733A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-29 EP EP98410045A patent/EP0877407A1/fr active Pending
- 1998-04-30 JP JP10134295A patent/JPH10321168A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100542317B1 (ko) * | 1999-12-24 | 2006-01-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 전계 방출 표시 소자 |
| JP2001250495A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-14 | Samsung Sdi Co Ltd | カーボンナノチューブを用いた3電極電界放出表示素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6107733A (en) | 2000-08-22 |
| FR2762927A1 (fr) | 1998-11-06 |
| EP0877407A1 (fr) | 1998-11-11 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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