JPH10321355A - 面状加熱装置 - Google Patents

面状加熱装置

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JPH10321355A
JPH10321355A JP14847497A JP14847497A JPH10321355A JP H10321355 A JPH10321355 A JP H10321355A JP 14847497 A JP14847497 A JP 14847497A JP 14847497 A JP14847497 A JP 14847497A JP H10321355 A JPH10321355 A JP H10321355A
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JP
Japan
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heating
heat
resistor
base
base material
Prior art date
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Application number
JP14847497A
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English (en)
Inventor
Atsushi Murase
淳 村瀬
Hiroto Sato
弘人 佐藤
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Ushio Denki KK
Ushio Inc
Original Assignee
Ushio Denki KK
Ushio Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 発熱抵抗体で発生した熱が瞬時に加熱基材に
伝わり、加熱基材が短時間で所定の温度に到達して昇温
スピードを早めることができ、なおかつ、設定温度を迅
速に変更することができ、非加熱物を均一に加熱するこ
とができる面状加熱装置を提供することにある。 【解決手段】 一方の表面に無機粉体として少なくとも
アルミナを含む樹脂を硬化してなる絶縁膜22が形成さ
れ、その絶縁膜22上に発熱抵抗体4が焼成された伝熱
基材3と、少なくとも発熱抵抗体4と対向する表面が絶
縁性をもった基体1と、伝熱基材3の発熱抵抗体4が形
成されていない他方の表面に配置される加熱基材5、よ
りなる3部材を重ね合わせて固定したことを特徴とする
面状加熱装置。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハや液晶基盤の加熱に用いられる面状加熱装置に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】通常、半導体ウエハや液晶基盤の製造工
程では、ウエハや液晶基盤にパターンを焼き付け、洗浄
処理を行い、その後、このウエハや液晶基盤を所定の温
度に加熱して次工程に進むようになっている。この時に
使用される従来の加熱装置は、ウエハや液晶基盤のよう
に板状のものを加熱装置の加熱板の上に載置し、その裏
面から加熱するので、面状加熱装置と呼ばれることがあ
る。
【0003】従来の面状加熱装置について図5を用いて
説明する。アルミニウムよりなる基体6の上面にはマイ
カヒータ7が形成され、このマイカヒータ7を挟むよう
にその上面に加熱板であるアルミニウム製の加熱基材8
が配置されている。そして、ウエハや液晶基盤等の非加
熱物が1枚ずつ加熱基材8上に載置されて、マイカヒー
タ7から発生する熱によって所定の温度に加熱される。
【0004】マイカヒータについて図6を用いて詳細に
説明する。マイカヒータは、マイカ板71の一方の面に
エッチングによって凹部が形成され、その凹部内にSU
S製の薄い金属箔でできた発熱抵抗体hが配置され、こ
の発熱抵抗体hを挟むように、その上から同一材質の別
のマイカ板72が配置されている。そして、発熱抵抗体
hから発生した熱が、上方のマイカ板72に伝わり、こ
の熱が更に上方の加熱基材8に伝わり、非加熱物を加熱
するものである。
【0005】一方、図7に示すように、面状加熱装置の
熱源として、マイカヒータに代えて、導電性発熱ペース
トを加熱板の非処理物が載置される側とは反対側の面に
直接焼成して発熱抵抗体を形成し、この発熱抵抗体を熱
源としたものがある。このような技術は、特開平8−2
27245号に示されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
マイカヒータを熱源とする面状加熱装置の場合、以下の
ような問題があった。発熱抵抗体hを覆う板71,72
は高い絶縁性が要求されるので、マイカが使用されてい
るが、マイカは熱伝導率が極めて低く、具体的には0.
55〜0.79〔k×(W・m-1・K-1)-1〕程度であ
るので、発熱抵抗体hに電流を流しても、直ぐにはマイ
カヒータ7の温度が上がらず、短時間では発熱抵抗体h
の熱が加熱基材8に伝わらない、という問題があった。
【0007】また、加熱基材8は、複数の非加熱物を連
続して加熱する場合、大量の熱が奪われるので、加熱基
材8の厚みを厚くして熱容量を大きくし、大量の熱が奪
われても、加熱基材8の温度が極端に下がらないような
構造をとっていた。このような構造では、マイカヒータ
7の昇温スピードが遅い上に、さらに、加熱基材8の熱
容量が大きいので、発熱抵抗体hに電流を流しても、直
ぐには加熱基材8が所定の温度に到達しなかった。具体
的には、加熱基材8の表面積が450cm2 、発熱抵抗
体hが2.5(W/cm2 )の面状発熱装置では、加熱
基材8の温度が30℃から150℃に上昇するのに、約
30分かかっていた。
【0008】また、ウエハや液晶基盤等の非加熱物は、
加熱工程において種々の設定温度で加熱されるものであ
り、このような面状加熱装置では、マイカヒータ7の昇
温スピードが遅く、また、加熱基材8の熱容量が大きい
ので、ある一定温度から更に高い温度に設定しようとす
ると、迅速に加熱基材8の温度を上げることができなか
った。反対に、ある一定温度から低い温度に設定しよう
とすると、加熱基材8の熱容量が大きいので、加熱基材
8の放熱に時間がかかり、この場合においても、迅速に
加熱基材8の温度を下げることができなかった。つま
り、マイカヒータを熱源とした従来の面状加熱装置で
は、設定温度が異なる加熱工程に迅速に対応することが
できなった。
【0009】さらには、前述したようにマイカ板71,
72は熱伝導率が極めて低く、加熱基材8の熱容量が大
きいので、加熱基材8の非加熱物を載置する面の温度を
均一にすることは容易ではなかった。
【0010】また、図7の導電性発熱ペーストを焼成し
て発熱抵抗体を形成し、これを熱源とする従来の面状加
熱装置の場合、以下のような問題があった。導電性発熱
ペーストは約450℃という高温で焼成されて発熱抵抗
体となるが、この焼成工程において、加熱板が高熱にな
り歪みが発生し、非加熱物を載置する面が湾曲し、非加
熱物をこの加熱板に載置した場合、非加熱物が加熱板に
接触する部分と接触しない部分ができてしまい、結果的
に、非加熱物を均一な温度に加熱することができなくな
る、という問題があった。
【0011】本発明は、以上のような事情に基づいてな
されたものであって、その目的は、発熱抵抗体で発生し
た熱が瞬時に加熱板に伝わり、加熱板が短時間で所定の
温度に到達して昇温スピードを早めることができ、なお
かつ、設定温度を迅速に変更することができ、非加熱物
を均一に加熱することができる面状加熱装置を提供する
ことにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項1に記載の面状加熱装置は、一方の表面に無
機粉体として少なくともアルミナを含む樹脂を硬化して
なる絶縁膜が形成され、その絶縁膜上に発熱抵抗体が焼
成された伝熱基材と、少なくとも前記発熱抵抗体と対向
する表面が絶縁性をもった基体と、前記伝熱基材の発熱
抵抗体が形成されていない他方の表面に配置される加熱
基材と、よりなる3部材を重ね合わせて固定したことを
特徴とする。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面に基
づいて説明する。図1は、本発明の面状加熱装置の斜視
図であり、図2は図1におけるX−X方向の断面図であ
る。本発明の面状加熱装置は、一方の表面に無機粉体と
して少なくともアルミナを含む樹脂を硬化してなる絶縁
膜22が形成され、その絶縁膜22上に発熱抵抗体4が
焼成された伝熱基材3と、この発熱抵抗体4と対向する
表面に絶縁膜21が形成された基体1と、伝熱基材3の
発熱抵抗体4が形成されていない他方の表面に配置され
る加熱基材5と、よりなる3部材を重ね合わせて固定し
た構造である。そして、加熱板である加熱基材5の表面
に、ウエハあるいは液晶基盤等の非加熱物を載置して、
加熱するものである。
【0014】基体1は、面状加熱装置の基体となるもの
であり、本実施例では、厚さ1mmのSUS板であり、
発熱抵抗体4と接触する一方の表面に絶縁膜21が形成
されている。この絶縁膜21は発熱抵抗体4と基体1と
の絶縁性を確保するものであればよく、具体的には、厚
さ150μmの無機粉体としてアルミナを含むオルガノ
ポリシロキサン樹脂を硬化してなる膜である。なお、本
実施例では、基体1は金属製のSUS板を用いたが、少
なくとも発熱抵抗体4と接触する表面が絶縁物であれば
よく、基体1全体が絶縁性のセラミック板であっても良
い。
【0015】伝熱基材3は、一方の表面に絶縁膜22が
形成されており、この絶縁膜22の表面に発熱抵抗体4
が形成されている。この絶縁膜22は発熱抵抗体4と伝
熱基材3との絶縁性を確保するとともに、発熱抵抗体4
で発生した熱を良好に伝熱基材3に伝えるものであり、
具体的には、熱伝導率が21〔k×(W・m-1・K-1)
-1〕の厚さ150μmの無機粉体としてアルミナを含む
オルガノポリシロキサン樹脂を硬化してなる膜である。
すなわち、絶縁膜22に分散されたアルミナがマイカと
比較して著しく熱伝導率が高いので、発熱抵抗体4で発
生した熱を良好に伝熱基材3に伝えるものである。ま
た、伝熱基材3は、発熱抵抗体4で発生した熱を良好に
上方の加熱基材5に伝えるものであり、具体的には、厚
さ0.5mmのSUS板である。
【0016】この伝熱基材3の絶縁膜22上には、熱源
となる発熱抵抗体4が形成されている。発熱抵抗体4
は、発熱抵抗物質である銀−パラジウム合金を含む導電
性発熱ペーストを絶縁膜22上に焼成し、図3に示すよ
うに、任意の幅で螺旋状に形成されている。この発熱抵
抗体4は、温度に対する抵抗値の変化がほとんどなく、
通電開始時直後から所定の発熱が始まるものである。具
体的には、単位面積当たりの発熱量(W/cm2 )が
0.5〜5.0であり、本実施例では、単位面積当たり
の発熱量(W/cm2 )が2.2の発熱抵抗体である。
そして、図3に示すように、外縁部側の発熱抵抗体4a
は内部側の発熱抵抗体4bに比べ幅を広くしている。こ
れは、面状加熱装置の外縁部からの放熱を考慮して、こ
の部分の熱量を増やすためである。なお、外縁部側の発
熱抵抗体4aの発熱量を増やす方法は、幅を広くする以
外に、発熱率の異なる発熱抵抗体を用いても良い。
【0017】なお、伝熱基材3は、伝熱基材3上に導電
性発熱ペーストを約450℃という高温で焼成して発熱
抵抗体4を形成しても歪みや湾曲が発生しにくいものが
望ましく、具体的には、SUS板やセラミック板であ
る。
【0018】加熱板である加熱基材5は、熱伝導率が高
く、非加熱物が載置される表面の平面度が高いものであ
り、具体的には、熱伝導率236〔k×(W・m-1・K
-1)-1〕の厚さ2mmのアルミニウム板である。
【0019】そして、図4に示すように、基体1と伝熱
基材3が、基体1に形成された絶縁膜21と伝熱基材3
に形成された発熱抵抗体4が向き合うように配置され、
また、伝熱基材3の上方に加熱基材5が配置され、それ
ぞれを不図示の熱伝導率が高い接着剤あるいはネジ等で
固定して面状加熱装置となる。
【0020】本発明の面状加熱装置によれば、伝熱基材
3に形成された絶縁膜22は、絶縁膜22中にアルミナ
が分散しているので、従来のマイカヒータのマイカ板と
比較して熱伝導率が40倍も高く、発熱抵抗体4で発生
した熱が瞬時に伝熱基材3に伝わり、加熱基材5が伝熱
基材3と直接或いは熱伝導率の高い接着剤によって固定
されて配置されているので、伝熱基材3に伝わった熱が
瞬時に加熱基材5に伝わり、よって、発熱抵抗体4に電
流を流すと瞬時に加熱基材5に熱を伝えることができ
る。
【0021】また、発熱抵抗体4から発生する熱が瞬時
に加熱基材5に伝わり加熱することができるので、複数
の非加熱物を連続して加熱しても加熱基材5の温度低下
がなく、従来のように熱容量の大きな加熱基材を用いる
必要がなく、よって、短時間で加熱基材5が所定の温度
に到達し、昇温スピードを早めることができる。
【0022】具体的には、加熱基材5の表面積が450
cm2 、発熱抵抗体4の単位面積当たりの発熱量(W/
cm2 )が2.2の本実施例の面状発熱装置では、加熱
基材の温度が30℃から150℃に上昇するのに、約5
分となり、マイカヒータを熱源とする従来の面状加熱装
置と比べ、昇温スピードを25分も短縮することができ
た。
【0023】さらに、ウエハや液晶基盤等の非加熱物を
種々の設定温度で加熱する場合でも、上述したように、
発熱抵抗体4から発生する熱が瞬時に加熱基材5に伝わ
り昇温スピードが早く、また、加熱基材5の熱容量が小
さいので、ある一定温度から任意の設定温度に、迅速に
加熱基材3の温度を変更することがことができる。
【0024】また、伝熱基材3は発熱抵抗体4で発生し
た熱を拡散して上方の加熱基材5に伝える作用を有する
ものであり、加熱基材5の温度を均一にすることができ
る。
【0025】また、発熱抵抗体4は加熱板である加熱基
材5に直接形成されておらず、伝熱基材3に焼成によっ
て形成され、その後、加熱基材5と伝熱基材3を重ね合
わせて面状加熱装置としているので、焼成時に加熱基材
5に歪みや湾曲が発生することがなく、さらに、発熱抵
抗体を形成するために導電性発熱ペーストを焼成すると
いう高温状況下では歪みや湾曲が発生してしまい従来で
は用いることのできなかった銅や真鍮を加熱基材5とし
て使用できるようになり、加熱基材5が熱伝導率の高い
ものとなり、発熱抵抗体4で発生した熱をさらに効率良
く非加熱物の加熱に利用できるようになった。
【0026】
【発明の効果】本発明の面状加熱装置によれば、伝熱基
材上に形成された無機粉体としてアルミナを含む樹脂を
硬化してなる絶縁膜上に発熱抵抗体が形成されているの
で、発熱抵抗体で発生した熱が瞬時に伝熱基材に伝わ
り、また、加熱基材が伝熱基材上に配置されているので
伝熱基材に伝わった熱が瞬時に加熱基材に伝わる。さら
に、従来のように熱容量の大きな加熱基材を用いる必要
がないので、短時間で加熱基材が所定の温度に到達し、
昇温スピードを早めることができる。そして、非加熱部
材を種々の設定温度で加熱する場合でも、発熱抵抗体で
発生した熱が瞬時に加熱基材に伝わり、また、加熱基材
の熱容量が小さいので、ある一定温度から任意の設定温
度に迅速に加熱基材の温度を変更することができる。
【0027】また、伝熱基材は発熱抵抗体で発生した熱
を拡散する効果があり、この結果、金属基材の温度を均
一にすることができる。
【0028】さらに、発熱抵抗体が直接加熱基材に形成
されないので、加熱基材に歪み湾曲が発生せず、また、
加熱基材として、銅や真鍮などの熱伝導率の高い物質を
選択することができ効率良く非加熱物を加熱することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の面状加熱装置の斜視図である。
【図2】図1におけるX−X方向の断面図である。
【図3】本発明の面状加熱装置の発熱抵抗体の説明図で
ある。
【図4】本発明の面状加熱装置の基体と伝熱基材と加熱
基材との関係を示す説明図である。
【図5】従来の面状加熱装置の断面図である。
【図6】従来の面状加熱装置のマイカヒータの説明図で
ある。
【図7】熱源として発熱抵抗体を用いた従来の面状加熱
装置の説明図である。
【符号の説明】
1 基体 21 絶縁膜 22 絶縁膜 3 伝熱基材 4 発熱抵抗体 5 加熱基材

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一方の表面に無機粉体として少なくとも
    アルミナを含む樹脂を硬化してなる絶縁膜が形成され、
    その絶縁膜上に発熱抵抗体が焼成された伝熱基材と、 少なくとも前記発熱抵抗体と対向する表面が絶縁性をも
    った基体と、 前記伝熱基材の発熱抵抗体が形成されていない他方の表
    面に配置される加熱基材と、 よりなる3部材を重ね合わせて固定したことを特徴とす
    る面状加熱装置。
JP14847497A 1997-05-23 1997-05-23 面状加熱装置 Pending JPH10321355A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007250313A (ja) * 2006-03-15 2007-09-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体、フラットディスプレイパネル製造検査用ヒータユニット及びそれを備えた装置
JP2011187257A (ja) * 2010-03-08 2011-09-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 加熱ヒータおよびそれを搭載した装置
JP2011222257A (ja) * 2010-04-08 2011-11-04 Sumitomo Electric Ind Ltd ウェハ加熱用ヒータユニットおよびそれを搭載した半導体製造装置
JP2011222256A (ja) * 2010-04-08 2011-11-04 Sumitomo Electric Ind Ltd ウェハ加熱用ヒータユニットおよびそれを搭載した半導体製造装置
CN116966942A (zh) * 2023-07-11 2023-10-31 安图实验仪器(郑州)有限公司 一种数字微流控芯片的加热控制方法

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