JPH10321516A - 基板処理方法および装置 - Google Patents
基板処理方法および装置Info
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- JPH10321516A JPH10321516A JP9143507A JP14350797A JPH10321516A JP H10321516 A JPH10321516 A JP H10321516A JP 9143507 A JP9143507 A JP 9143507A JP 14350797 A JP14350797 A JP 14350797A JP H10321516 A JPH10321516 A JP H10321516A
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面にレジスト膜が形成された基板を露光処
理直後に加熱処理し現像処理する場合に、基板表面に形
成されたレジスト膜の厚さが変動しても、現像処理後の
基板表面に形成されたレジスト膜のパターンの線幅が複
数の基板間でばらつくことを無くする装置を提供する。 【解決手段】 塗布処理部ＳＣにより基板の表面に形成
されたレジスト膜の厚さを測定する膜厚測定部ＴＭを設
け、複数の基板間でのレジスト膜の厚さの変動にかかわ
らず現像処理部ＳＤ１、ＳＤ２で所定の現像処理結果が
得られるように、露光処理部ＳＴで露光処理した後に基
板を加熱処理するベーク部ＰＥＢでの加熱処理の時間ま
たは温度を測定された膜厚に応じて制御する。
理直後に加熱処理し現像処理する場合に、基板表面に形
成されたレジスト膜の厚さが変動しても、現像処理後の
基板表面に形成されたレジスト膜のパターンの線幅が複
数の基板間でばらつくことを無くする装置を提供する。 【解決手段】 塗布処理部ＳＣにより基板の表面に形成
されたレジスト膜の厚さを測定する膜厚測定部ＴＭを設
け、複数の基板間でのレジスト膜の厚さの変動にかかわ
らず現像処理部ＳＤ１、ＳＤ２で所定の現像処理結果が
得られるように、露光処理部ＳＴで露光処理した後に基
板を加熱処理するベーク部ＰＥＢでの加熱処理の時間ま
たは温度を測定された膜厚に応じて制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、表面に感光性樹
脂被膜が形成された基板を露光処理後、現像処理前に加
熱処理する基板処理方法、および、その方法の実施に使
用される基板処理装置に関する。
脂被膜が形成された基板を露光処理後、現像処理前に加
熱処理する基板処理方法、および、その方法の実施に使
用される基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化に伴っ
て回路パターンを高精細化する技術が求められており、
この要求に応えるために、半導体デバイスの製造工程で
化学増幅型レジストを使用することが行われている。こ
の化学増幅型レジストは、それが塗布された基板を所望
のパターンに露光処理することによりレジスト中に含ま
れた光酸発生剤が酸を発生させ、その後、基板を加熱処
理することにより触媒作用をもつ酸が活性化して、レジ
ストの露光部分における架橋反応（ネガ型の場合）また
は分解反応（ポジ型の場合）が促進される、といったも
のである。そして、加熱処理後に基板を冷却処理してレ
ジストの反応を停止させ、その後に基板を現像処理する
ことによりレジストの未反応部分（ネガ型の場合）また
は反応部分（ポジ型の場合）が現像液で溶解除去され、
所望のレジスト膜が得られる。
て回路パターンを高精細化する技術が求められており、
この要求に応えるために、半導体デバイスの製造工程で
化学増幅型レジストを使用することが行われている。こ
の化学増幅型レジストは、それが塗布された基板を所望
のパターンに露光処理することによりレジスト中に含ま
れた光酸発生剤が酸を発生させ、その後、基板を加熱処
理することにより触媒作用をもつ酸が活性化して、レジ
ストの露光部分における架橋反応（ネガ型の場合）また
は分解反応（ポジ型の場合）が促進される、といったも
のである。そして、加熱処理後に基板を冷却処理してレ
ジストの反応を停止させ、その後に基板を現像処理する
ことによりレジストの未反応部分（ネガ型の場合）また
は反応部分（ポジ型の場合）が現像液で溶解除去され、
所望のレジスト膜が得られる。
【０００３】図３に、化学増幅型レジストを使用して基
板の処理を行う従来装置の概略構成例を示す。この例で
は、基板処理装置１と露光装置ＳＴとから装置全体が構
成されている。基板処理装置１は、複数枚の基板を収納
可能であるカセット（図示せず）が載置され、処理しよ
うとする基板をカセットから１枚ずつ取り出して搬出す
るとともに、すべての処理を終えた基板を１枚ずつ受け
取って再びカセットに収納するインデクサ部（カセット
ステージ）ＩＤ、基板移載用のアームを備えた自走式基
板搬送ロボット（図示せず）が配設された搬送ユニット
ＴＲ、基板に対し所定の処理をそれぞれ施す複数の基板
処理部を有する基板処理エリア２、ならびに、露光装置
ＳＴとの間で基板の受渡しを行うインタフェース部ＩＦ
から構成されている。基板処理エリア２の複数の基板処
理部は、この例では、スピンコータ（図示せず）を備え
たコーティング処理部ＳＣ、基板の表面とレジストとの
密着性を良くするためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラ
ザン）の雰囲気下で基板を加熱処理するアドヒージョン
部ＡＨ、それぞれホットプレート（図示せず）を備えた
４つの加熱処理部ＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３、ＨＰ４、ホ
ットプレート（図示せず）を備え露光処理された後の基
板を加熱処理（ポストエクスポージャベーク）する加熱
処理部（以下、「ベーク部」という）ＰＥＢ、それぞれ
クールプレート（図示せず）を備えた４つの冷却処理部
ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３、ＣＰ４、および、それぞれス
ピンデベロッパ（図示せず）を備えた２つの現像処理部
ＳＤ１、ＳＤ２である。また、露光装置ＳＴは、基板を
露光処理するステッパを備えた露光処理部（図示せず）
を有している。なお、図３では、複数の基板処理部が平
面的に配置されているように描かれているが、アドヒー
ジョン部ＡＨ、熱処理部ＨＰ１〜ＨＰ４およびベーク部
ＰＥＢならびに冷却処理部ＣＰ１〜ＣＰ４は、適宜の
数、上下方向に配置されている（図１においても同
じ）。
板の処理を行う従来装置の概略構成例を示す。この例で
は、基板処理装置１と露光装置ＳＴとから装置全体が構
成されている。基板処理装置１は、複数枚の基板を収納
可能であるカセット（図示せず）が載置され、処理しよ
うとする基板をカセットから１枚ずつ取り出して搬出す
るとともに、すべての処理を終えた基板を１枚ずつ受け
取って再びカセットに収納するインデクサ部（カセット
ステージ）ＩＤ、基板移載用のアームを備えた自走式基
板搬送ロボット（図示せず）が配設された搬送ユニット
ＴＲ、基板に対し所定の処理をそれぞれ施す複数の基板
処理部を有する基板処理エリア２、ならびに、露光装置
ＳＴとの間で基板の受渡しを行うインタフェース部ＩＦ
から構成されている。基板処理エリア２の複数の基板処
理部は、この例では、スピンコータ（図示せず）を備え
たコーティング処理部ＳＣ、基板の表面とレジストとの
密着性を良くするためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラ
ザン）の雰囲気下で基板を加熱処理するアドヒージョン
部ＡＨ、それぞれホットプレート（図示せず）を備えた
４つの加熱処理部ＨＰ１、ＨＰ２、ＨＰ３、ＨＰ４、ホ
ットプレート（図示せず）を備え露光処理された後の基
板を加熱処理（ポストエクスポージャベーク）する加熱
処理部（以下、「ベーク部」という）ＰＥＢ、それぞれ
クールプレート（図示せず）を備えた４つの冷却処理部
ＣＰ１、ＣＰ２、ＣＰ３、ＣＰ４、および、それぞれス
ピンデベロッパ（図示せず）を備えた２つの現像処理部
ＳＤ１、ＳＤ２である。また、露光装置ＳＴは、基板を
露光処理するステッパを備えた露光処理部（図示せず）
を有している。なお、図３では、複数の基板処理部が平
面的に配置されているように描かれているが、アドヒー
ジョン部ＡＨ、熱処理部ＨＰ１〜ＨＰ４およびベーク部
ＰＥＢならびに冷却処理部ＣＰ１〜ＣＰ４は、適宜の
数、上下方向に配置されている（図１においても同
じ）。
【０００４】図３に示した基板処理装置１および露光装
置ＳＴにおける基板の処理フローの１例を図４に示す。
この図３に基づいて基板の処理手順を簡単に説明する
と、まず、インデクサ部ＩＤからカセットに収納された
処理前の基板が１枚ずつ搬送ユニットＴＲへ供給され、
基板搬送ロボットが、アドヒージョン部ＡＨ、冷却処理
部ＣＰ１、コーティング処理部ＳＣ、加熱処理部ＨＰ
１、ＨＰ２および冷却処理部ＣＰ２へと順番に移動しな
がら、それぞれの基板処理部において、先に入っていた
基板を取り出すとともに処理しようとする基板を投入
し、それぞれの基板処理部により基板に対し所要の処理
が施される。これにより、基板の表面にレジスト膜が塗
布形成される。次に、表面にレジスト膜が形成された基
板は、搬送ユニットＴＲからインタフェース部ＩＦへ渡
され、インタフェース部ＩＦを通して露光装置ＳＴへ搬
入される。そして、露光装置ＳＴの露光処理部において
基板が露光処理され、露光処理が終了した基板は、露光
装置ＳＴからインタフェース部ＩＦへ戻され、インタフ
ェース部ＩＦを通して搬送ユニットＴＲへ受け渡され
る。
置ＳＴにおける基板の処理フローの１例を図４に示す。
この図３に基づいて基板の処理手順を簡単に説明する
と、まず、インデクサ部ＩＤからカセットに収納された
処理前の基板が１枚ずつ搬送ユニットＴＲへ供給され、
基板搬送ロボットが、アドヒージョン部ＡＨ、冷却処理
部ＣＰ１、コーティング処理部ＳＣ、加熱処理部ＨＰ
１、ＨＰ２および冷却処理部ＣＰ２へと順番に移動しな
がら、それぞれの基板処理部において、先に入っていた
基板を取り出すとともに処理しようとする基板を投入
し、それぞれの基板処理部により基板に対し所要の処理
が施される。これにより、基板の表面にレジスト膜が塗
布形成される。次に、表面にレジスト膜が形成された基
板は、搬送ユニットＴＲからインタフェース部ＩＦへ渡
され、インタフェース部ＩＦを通して露光装置ＳＴへ搬
入される。そして、露光装置ＳＴの露光処理部において
基板が露光処理され、露光処理が終了した基板は、露光
装置ＳＴからインタフェース部ＩＦへ戻され、インタフ
ェース部ＩＦを通して搬送ユニットＴＲへ受け渡され
る。
【０００５】搬送ユニットＴＲに戻された露光処理後の
基板は、基板搬送ロボットによってベーク部ＰＥＢへ搬
送され、ベーク部ＰＥＢにより加熱処理される。この加
熱処理により、上記したように化学増幅型レジストの露
光部分における化学反応が促進される。そして、基板搬
送ロボットによって基板がベーク部ＰＥＢから冷却処理
部ＣＰ３へ搬送され、冷却処理部ＣＰ３で基板が冷却処
理される。この冷却処理により、化学増幅型レジストの
露光部分における反応が停止する。この後に、基板搬送
ロボットが、冷却処理部ＣＰ３から現像処理部ＳＤ１、
ＳＤ２、熱処理部ＨＰ３、ＨＰ４および冷却処理部ＣＰ
４へと順番に移動しながら、それぞれの基板処理部にお
いて、先に入っていた基板を取り出すとともにこれから
処理しようとする基板を投入し、それぞれの基板処理部
により基板に対し所要の処理が施される。これにより、
基板の表面に所望のパターンのレジスト膜が形成され
る。そして、表面に所望パターンのレジスト膜が形成さ
れた基板は、搬送ユニットＴＲからインデクサ部ＩＤへ
渡され、インデクサ部ＩＤ上のカセット内へ収納されて
いく。
基板は、基板搬送ロボットによってベーク部ＰＥＢへ搬
送され、ベーク部ＰＥＢにより加熱処理される。この加
熱処理により、上記したように化学増幅型レジストの露
光部分における化学反応が促進される。そして、基板搬
送ロボットによって基板がベーク部ＰＥＢから冷却処理
部ＣＰ３へ搬送され、冷却処理部ＣＰ３で基板が冷却処
理される。この冷却処理により、化学増幅型レジストの
露光部分における反応が停止する。この後に、基板搬送
ロボットが、冷却処理部ＣＰ３から現像処理部ＳＤ１、
ＳＤ２、熱処理部ＨＰ３、ＨＰ４および冷却処理部ＣＰ
４へと順番に移動しながら、それぞれの基板処理部にお
いて、先に入っていた基板を取り出すとともにこれから
処理しようとする基板を投入し、それぞれの基板処理部
により基板に対し所要の処理が施される。これにより、
基板の表面に所望のパターンのレジスト膜が形成され
る。そして、表面に所望パターンのレジスト膜が形成さ
れた基板は、搬送ユニットＴＲからインデクサ部ＩＤへ
渡され、インデクサ部ＩＤ上のカセット内へ収納されて
いく。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記したような従来の
基板処理装置では、基板の表面へのレジスト膜の塗布形
成から、基板の露光処理を経て、基板を現像処理する、
といった一連の処理工程は、そのすべての操作があらか
じめ定められたレシピに従って行われていた。このた
め、最初の工程であるレジスト塗布工程において、被処
理基板の表面に形成されたレジスト膜の厚さに各基板間
でばらつきを生じると、その膜厚変動による影響が、後
工程に次々と持ち越されることになる。この結果、最後
の工程である現像工程において現像処理された後のレジ
ストパターンの線幅が、各基板間でばらつくこととな
る。そして、最終的に得られる製品の歩留りの低下につ
ながる。
基板処理装置では、基板の表面へのレジスト膜の塗布形
成から、基板の露光処理を経て、基板を現像処理する、
といった一連の処理工程は、そのすべての操作があらか
じめ定められたレシピに従って行われていた。このた
め、最初の工程であるレジスト塗布工程において、被処
理基板の表面に形成されたレジスト膜の厚さに各基板間
でばらつきを生じると、その膜厚変動による影響が、後
工程に次々と持ち越されることになる。この結果、最後
の工程である現像工程において現像処理された後のレジ
ストパターンの線幅が、各基板間でばらつくこととな
る。そして、最終的に得られる製品の歩留りの低下につ
ながる。
【０００７】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、表面に感光性樹脂被膜が形成された
基板を露光処理後に加熱処理し現像処理する場合におい
て、塗布処理部により基板の表面に形成された感光性樹
脂被膜の厚さが変動しても、現像処理後の基板の表面に
形成された感光性樹脂被膜のパターンの線幅が複数の基
板間でばらつくことを無くし、製品の歩溜りを向上させ
ることができる基板処理方法を提供すること、ならび
に、その方法を好適に実施することができる基板処理装
置を提供することを目的とする。
されたものであり、表面に感光性樹脂被膜が形成された
基板を露光処理後に加熱処理し現像処理する場合におい
て、塗布処理部により基板の表面に形成された感光性樹
脂被膜の厚さが変動しても、現像処理後の基板の表面に
形成された感光性樹脂被膜のパターンの線幅が複数の基
板間でばらつくことを無くし、製品の歩溜りを向上させ
ることができる基板処理方法を提供すること、ならび
に、その方法を好適に実施することができる基板処理装
置を提供することを目的とする。
【０００８】請求項１に係る発明は、表面に感光性樹脂
被膜が形成された基板を露光処理後、現像処理前に加熱
処理する基板処理方法において、基板の表面に形成され
た前記感光性樹脂被膜の厚さを測定し、複数の基板間で
の感光性樹脂被膜の厚さの変動にかかわらず所定の現像
処理結果が得られるように、膜厚の測定結果に応じて露
光処理後、現像処理前の加熱処理の時間および／または
温度を制御することを特徴とする。
被膜が形成された基板を露光処理後、現像処理前に加熱
処理する基板処理方法において、基板の表面に形成され
た前記感光性樹脂被膜の厚さを測定し、複数の基板間で
の感光性樹脂被膜の厚さの変動にかかわらず所定の現像
処理結果が得られるように、膜厚の測定結果に応じて露
光処理後、現像処理前の加熱処理の時間および／または
温度を制御することを特徴とする。
【０００９】請求項２に係る発明は、表面に感光性樹脂
被膜が形成された基板を露光処理後、現像処理前に加熱
処理する熱処理部を備えた基板処理装置において、基板
の表面に形成された前記感光性樹脂被膜の厚さを測定す
る膜厚測定部と、この膜厚測定部により測定された前記
感光性樹脂被膜の厚さに応じて、複数の基板間での感光
性樹脂被膜の厚さの変動にかかわらず所定の現像処理結
果が得られるように、前記熱処理部での加熱処理の時間
および／または温度を制御する加熱処理制御手段とを有
したことを特徴とする。
被膜が形成された基板を露光処理後、現像処理前に加熱
処理する熱処理部を備えた基板処理装置において、基板
の表面に形成された前記感光性樹脂被膜の厚さを測定す
る膜厚測定部と、この膜厚測定部により測定された前記
感光性樹脂被膜の厚さに応じて、複数の基板間での感光
性樹脂被膜の厚さの変動にかかわらず所定の現像処理結
果が得られるように、前記熱処理部での加熱処理の時間
および／または温度を制御する加熱処理制御手段とを有
したことを特徴とする。
【００１０】請求項３に係る発明は、請求項２記載の基
板処理装置において、熱処理部を、基板を加熱処理する
加熱処理部とし、その加熱処理部により加熱処理された
基板を冷却する冷却処理部を設け、その冷却処理部によ
り冷却処理された基板を現像処理する現像処理部をさら
に備えたことを特徴とする。
板処理装置において、熱処理部を、基板を加熱処理する
加熱処理部とし、その加熱処理部により加熱処理された
基板を冷却する冷却処理部を設け、その冷却処理部によ
り冷却処理された基板を現像処理する現像処理部をさら
に備えたことを特徴とする。
【００１１】請求項４に係る発明は、請求項２または請
求項３記載の基板処理装置において、基板の表面に感光
性樹脂液を塗布して感光性樹脂被膜を形成する塗布処理
部をさらに備えたことを特徴とする。
求項３記載の基板処理装置において、基板の表面に感光
性樹脂液を塗布して感光性樹脂被膜を形成する塗布処理
部をさらに備えたことを特徴とする。
【００１２】請求項１に係る発明の基板処理方法による
と、塗布処理部によって基板の表面に形成された感光性
樹脂被膜の厚さが変動しても、その膜厚の変動による影
響を無くすように、測定された感光性樹脂被膜の厚さに
応じて、露光処理後、現像処理前に基板を加熱処理する
ときの処理時間または処理温度あるいはその両方が制御
される。このため、加熱処理後に基板を現像処理したと
きに、感光性樹脂被膜の厚さのばらつきにかかわらず、
複数の基板間で現像処理後のパターンの線幅にばらつき
を生じたりすることなく、常に所定の現像処理結果が得
られることとなる。
と、塗布処理部によって基板の表面に形成された感光性
樹脂被膜の厚さが変動しても、その膜厚の変動による影
響を無くすように、測定された感光性樹脂被膜の厚さに
応じて、露光処理後、現像処理前に基板を加熱処理する
ときの処理時間または処理温度あるいはその両方が制御
される。このため、加熱処理後に基板を現像処理したと
きに、感光性樹脂被膜の厚さのばらつきにかかわらず、
複数の基板間で現像処理後のパターンの線幅にばらつき
を生じたりすることなく、常に所定の現像処理結果が得
られることとなる。
【００１３】請求項２に係る発明の基板処理装置を使用
すると、塗布処理部によって基板の表面に形成された感
光性樹脂被膜の厚さが膜厚測定部により測定され、感光
性樹脂被膜の厚さが変動してもその膜厚の変動による影
響を無くすように、加熱処理制御手段により、測定され
た膜厚に応じて露光処理後、現像処理前に基板を加熱処
理するときの処理時間または処理温度あるいはその両方
が制御される。このため、加熱処理後に基板を現像処理
したときに、感光性樹脂被膜の厚さのばらつきにかかわ
らず、複数の基板間で現像処理後のパターンの線幅にば
らつきを生じたりすることなく、常に所定の現像処理結
果が得られることとなる。
すると、塗布処理部によって基板の表面に形成された感
光性樹脂被膜の厚さが膜厚測定部により測定され、感光
性樹脂被膜の厚さが変動してもその膜厚の変動による影
響を無くすように、加熱処理制御手段により、測定され
た膜厚に応じて露光処理後、現像処理前に基板を加熱処
理するときの処理時間または処理温度あるいはその両方
が制御される。このため、加熱処理後に基板を現像処理
したときに、感光性樹脂被膜の厚さのばらつきにかかわ
らず、複数の基板間で現像処理後のパターンの線幅にば
らつきを生じたりすることなく、常に所定の現像処理結
果が得られることとなる。
【００１４】請求項３に係る発明の基板処理装置では、
露光処理後、現像処理前の基板は、加熱処理部である熱
処理部によって加熱処理され、冷却処理部により冷却さ
れた後、現像処理部により現像処理される。
露光処理後、現像処理前の基板は、加熱処理部である熱
処理部によって加熱処理され、冷却処理部により冷却さ
れた後、現像処理部により現像処理される。
【００１５】請求項４に係る発明の基板処理装置では、
塗布処理部により基板の表面に感光性樹脂被膜が形成さ
れ、その後に、基板表面の感光性樹脂被膜の厚さが膜厚
測定部により測定される。
塗布処理部により基板の表面に感光性樹脂被膜が形成さ
れ、その後に、基板表面の感光性樹脂被膜の厚さが膜厚
測定部により測定される。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図１および図２を参照しながら説明する。
について図１および図２を参照しながら説明する。
【００１７】図１は、この発明に係る基板処理方法を実
施するのに使用される基板処理装置に露光装置を連設し
た装置全体の概略構成図である。この基板処理装置１０
は、図３に示した基板処理装置１と同様、インデクサ部
ＩＤ、搬送ユニットＴＲ、複数の基板処理部を有する基
板処理エリア１２、およびインタフェース部ＩＦとを備
えて構成されている。基板処理エリア１２には、図３に
示した基板処理装置１と同様に、コーティング処理部Ｓ
Ｃ、アドヒージョン部ＡＨ、４つの加熱処理部ＨＰ１〜
ＨＰ４、ベーク部ＰＥＢ、４つの冷却処理部ＣＰ１〜Ｃ
Ｐ４、および２つの現像処理部ＳＤ１、ＳＤ２が配置さ
れており、この基板処理エリア１２にはさらに、基板の
表面に形成されたレジスト膜の厚さを測定する膜厚計を
備えた膜厚測定部ＴＭが配置されている。なお、図示例
のようにベーク部ＰＥＢと冷却処理部ＣＰ３とを別々に
設けずに、ペルチェ素子を用いるなどしてホットプレー
トとクールプレートとの両機能を持つプレートを備えた
熱処理部を設けるようにしてもよい。
施するのに使用される基板処理装置に露光装置を連設し
た装置全体の概略構成図である。この基板処理装置１０
は、図３に示した基板処理装置１と同様、インデクサ部
ＩＤ、搬送ユニットＴＲ、複数の基板処理部を有する基
板処理エリア１２、およびインタフェース部ＩＦとを備
えて構成されている。基板処理エリア１２には、図３に
示した基板処理装置１と同様に、コーティング処理部Ｓ
Ｃ、アドヒージョン部ＡＨ、４つの加熱処理部ＨＰ１〜
ＨＰ４、ベーク部ＰＥＢ、４つの冷却処理部ＣＰ１〜Ｃ
Ｐ４、および２つの現像処理部ＳＤ１、ＳＤ２が配置さ
れており、この基板処理エリア１２にはさらに、基板の
表面に形成されたレジスト膜の厚さを測定する膜厚計を
備えた膜厚測定部ＴＭが配置されている。なお、図示例
のようにベーク部ＰＥＢと冷却処理部ＣＰ３とを別々に
設けずに、ペルチェ素子を用いるなどしてホットプレー
トとクールプレートとの両機能を持つプレートを備えた
熱処理部を設けるようにしてもよい。
【００１８】膜厚測定部ＴＭにより、基板の表面に形成
されたレジスト膜の厚さが測定されると、その測定結果
は制御部ＣＯ（図１には図示せず）へ送られる。制御部
ＣＯでは、レジスト膜の厚さの測定値に応じて、膜厚測
定された基板をベーク部ＰＥＢにより加熱処理するとき
の最適処理時間（処理温度を一定にしたとき）または最
適処理温度（処理時間を一定にしたとき）あるいは最適
処理時間および温度を、あらかじめ求めておいたデータ
を用いて演算する。そして、あらかじめ設定入力された
処理レシピのベーク部ＰＥＢ処理時間または処理温度あ
るいはその両方を補正し、この補正された処理時間ある
いは処理温度でベーク部ＰＥＢによる基板の加熱処理が
行われるように、制御部ＣＯからベーク部ＰＥＢへ制御
信号が送られる。このように補正された処理レシピに従
ってベーク部ＰＥＢによる基板の加熱処理が行われるこ
とにより、レジスト膜の厚さが変動しても、その膜厚変
動による影響が相殺されて、基板を現像処理したときの
現像処理結果に基板間でのばらつきを生じなくなる。
されたレジスト膜の厚さが測定されると、その測定結果
は制御部ＣＯ（図１には図示せず）へ送られる。制御部
ＣＯでは、レジスト膜の厚さの測定値に応じて、膜厚測
定された基板をベーク部ＰＥＢにより加熱処理するとき
の最適処理時間（処理温度を一定にしたとき）または最
適処理温度（処理時間を一定にしたとき）あるいは最適
処理時間および温度を、あらかじめ求めておいたデータ
を用いて演算する。そして、あらかじめ設定入力された
処理レシピのベーク部ＰＥＢ処理時間または処理温度あ
るいはその両方を補正し、この補正された処理時間ある
いは処理温度でベーク部ＰＥＢによる基板の加熱処理が
行われるように、制御部ＣＯからベーク部ＰＥＢへ制御
信号が送られる。このように補正された処理レシピに従
ってベーク部ＰＥＢによる基板の加熱処理が行われるこ
とにより、レジスト膜の厚さが変動しても、その膜厚変
動による影響が相殺されて、基板を現像処理したときの
現像処理結果に基板間でのばらつきを生じなくなる。
【００１９】図１に示した基板処理装置１０および露光
装置ＳＴにおける基板の処理フローを図２に示す。この
図２に基づいて基板の処理手順を説明すると、まず、イ
ンデクサ部ＩＤからカセットに収納された処理前の基板
が１枚ずつ搬送ユニットＴＲへ供給される。搬送ユニッ
トＴＲへ供給された基板は、アドヒージョン部ＡＨ、冷
却処理部ＣＰ２、コーティング処理部ＳＣ、加熱処理部
ＨＰ１、ＨＰ２および冷却処理部ＣＰ２へと順番に搬送
されながら、それぞれの基板処理部により所要の処理が
施される。これにより、基板の表面にレジスト膜が塗布
形成される。次に、表面にレジスト膜が形成された基板
は、膜厚測定部ＴＭへ搬送され、この膜厚測定部ＴＭで
膜厚計により基板表面のレジスト膜の厚さが測定され
る。膜厚測定部ＴＭで測定された膜厚の測定結果は制御
部ＣＯへ送られ、制御部ＣＯにおいて上記した演算処理
が行われる。一方、膜厚測定を終えた基板は、膜厚測定
部ＴＭから搬送ユニットＴＲへ渡され、搬送ユニットＴ
Ｒからインタフェース部ＩＦを通して露光装置ＳＴへ搬
入される。そして、露光装置ＳＴの露光処理部において
基板が露光処理され、露光処理が終了した基板は、露光
装置ＳＴから再びインタフェース部ＩＦを通して搬送ユ
ニットＴＲへ渡され、ベーク部ＰＥＢへ搬送される。ベ
ーク部ＰＥＢでは、制御部ＣＯからの制御信号を受け
て、補正された処理レシピにより基板が加熱処理され
る。ベーク部ＰＥＢで加熱処理された基板は、冷却処理
部ＣＰ３で冷却処理された後、現像処理部ＳＤ１、ＳＤ
２、熱処理部ＨＰ３、ＨＰ４および冷却処理部ＣＰ４へ
と順番に搬送されながら、それぞれの基板処理部により
所要の処理が施される。これにより、基板の表面に所望
のパターンのレジスト膜が形成され、表面に所望パター
ンのレジスト膜が形成された基板は、搬送ユニットＴＲ
からインデクサ部ＩＤへ渡され、インデクサ部ＩＤ上の
カセット内へ収納されていく。
装置ＳＴにおける基板の処理フローを図２に示す。この
図２に基づいて基板の処理手順を説明すると、まず、イ
ンデクサ部ＩＤからカセットに収納された処理前の基板
が１枚ずつ搬送ユニットＴＲへ供給される。搬送ユニッ
トＴＲへ供給された基板は、アドヒージョン部ＡＨ、冷
却処理部ＣＰ２、コーティング処理部ＳＣ、加熱処理部
ＨＰ１、ＨＰ２および冷却処理部ＣＰ２へと順番に搬送
されながら、それぞれの基板処理部により所要の処理が
施される。これにより、基板の表面にレジスト膜が塗布
形成される。次に、表面にレジスト膜が形成された基板
は、膜厚測定部ＴＭへ搬送され、この膜厚測定部ＴＭで
膜厚計により基板表面のレジスト膜の厚さが測定され
る。膜厚測定部ＴＭで測定された膜厚の測定結果は制御
部ＣＯへ送られ、制御部ＣＯにおいて上記した演算処理
が行われる。一方、膜厚測定を終えた基板は、膜厚測定
部ＴＭから搬送ユニットＴＲへ渡され、搬送ユニットＴ
Ｒからインタフェース部ＩＦを通して露光装置ＳＴへ搬
入される。そして、露光装置ＳＴの露光処理部において
基板が露光処理され、露光処理が終了した基板は、露光
装置ＳＴから再びインタフェース部ＩＦを通して搬送ユ
ニットＴＲへ渡され、ベーク部ＰＥＢへ搬送される。ベ
ーク部ＰＥＢでは、制御部ＣＯからの制御信号を受け
て、補正された処理レシピにより基板が加熱処理され
る。ベーク部ＰＥＢで加熱処理された基板は、冷却処理
部ＣＰ３で冷却処理された後、現像処理部ＳＤ１、ＳＤ
２、熱処理部ＨＰ３、ＨＰ４および冷却処理部ＣＰ４へ
と順番に搬送されながら、それぞれの基板処理部により
所要の処理が施される。これにより、基板の表面に所望
のパターンのレジスト膜が形成され、表面に所望パター
ンのレジスト膜が形成された基板は、搬送ユニットＴＲ
からインデクサ部ＩＤへ渡され、インデクサ部ＩＤ上の
カセット内へ収納されていく。
【００２０】なお、この発明は、化学増幅型レジストを
用いた基板処理に限らず、露光処理後、現像処理前に基
板を加熱処理する場合にその処理条件を調節することに
よりレジスト膜の膜厚変動の影響を無くすることができ
るような基板処理に適用可能である。
用いた基板処理に限らず、露光処理後、現像処理前に基
板を加熱処理する場合にその処理条件を調節することに
よりレジスト膜の膜厚変動の影響を無くすることができ
るような基板処理に適用可能である。
【００２１】
【発明の効果】請求項１に係る発明の基板処理方法によ
ると、表面に感光性樹脂被膜が形成された基板を露光処
理後に加熱処理し現像処理する場合において、塗布処理
部により基板の表面に形成された感光性樹脂被膜の厚さ
が変動しても、現像処理後の感光性樹脂被膜のパターン
の線幅に複数の基板間でばらつきを生じることがなく、
常に所定の現像処理結果が得られ、製品の歩溜りを向上
させることができる。
ると、表面に感光性樹脂被膜が形成された基板を露光処
理後に加熱処理し現像処理する場合において、塗布処理
部により基板の表面に形成された感光性樹脂被膜の厚さ
が変動しても、現像処理後の感光性樹脂被膜のパターン
の線幅に複数の基板間でばらつきを生じることがなく、
常に所定の現像処理結果が得られ、製品の歩溜りを向上
させることができる。
【００２２】請求項２に係る発明の基板処理装置を使用
すると、請求項１に係る発明の基板処理方法に好適に実
施することができ、塗布処理部により基板の表面に形成
された感光性樹脂被膜の厚さが変動しても、現像処理後
の感光性樹脂被膜のパターンの線幅に複数の基板間でば
らつきを生じることがなく、常に所定の現像処理結果が
得られ、製品の歩溜りを向上させることができる。
すると、請求項１に係る発明の基板処理方法に好適に実
施することができ、塗布処理部により基板の表面に形成
された感光性樹脂被膜の厚さが変動しても、現像処理後
の感光性樹脂被膜のパターンの線幅に複数の基板間でば
らつきを生じることがなく、常に所定の現像処理結果が
得られ、製品の歩溜りを向上させることができる。
【００２３】請求項３に係る発明の基板処理装置では、
露光処理後、現像処理前の基板は加熱処理部により加熱
処理され、その加熱処理の時間または温度が、膜厚測定
部での膜厚の測定結果に応じて制御され、請求項２に係
る発明の上記効果が奏される。
露光処理後、現像処理前の基板は加熱処理部により加熱
処理され、その加熱処理の時間または温度が、膜厚測定
部での膜厚の測定結果に応じて制御され、請求項２に係
る発明の上記効果が奏される。
【００１５】請求項４に係る発明の基板処理装置では、
装置に備わった塗布処理部により基板の表面に形成され
た感光性樹脂被膜の厚さが膜厚測定部により測定され
る。
装置に備わった塗布処理部により基板の表面に形成され
た感光性樹脂被膜の厚さが膜厚測定部により測定され
る。
【図１】この発明に係る基板処理方法を実施するのに使
用される基板処理装置に露光装置を連設した装置全体の
概略構成図である。
用される基板処理装置に露光装置を連設した装置全体の
概略構成図である。
【図２】図１に示した基板処理装置および露光装置にお
ける基板の処理フローを示す図である。
ける基板の処理フローを示す図である。
【図３】従来の基板処理装置の構成の１例を示し、露光
装置を連設した装置全体の概略構成図である。
装置を連設した装置全体の概略構成図である。
【図４】図３に示した基板処理装置および露光装置にお
ける基板の処理フローを示す図である。
ける基板の処理フローを示す図である。
１０ 基板処理装置 １２ 基板処理エリア ＩＤ インデクサ部 ＴＲ 搬送ユニット ＩＦ インタフェース部 ＳＣ コーティング処理部 ＡＨ アドヒージョン部 ＨＰ１〜ＨＰ４ 加熱処理部 ＣＰ１〜ＣＰ４ 冷却処理部 ＰＥＢ 露光処理後の基板を加熱する加熱処理部（ベー
ク部） ＳＤ１、ＳＤ２ 現像処理部 ＳＴ 露光装置 ＴＭ 膜厚測定部 ＣＯ 制御部
ク部） ＳＤ１、ＳＤ２ 現像処理部 ＳＴ 露光装置 ＴＭ 膜厚測定部 ＣＯ 制御部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｈ (72)発明者 今西 保夫 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 岩見 優樹 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 西村 譲一 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 森田 彰彦 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 川本 隆範 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内
Claims (4)
- 【請求項１】 表面に感光性樹脂被膜が形成された基板
を露光処理後、現像処理前に加熱処理する基板処理方法
において、 基板の表面に形成された前記感光性樹脂被膜の厚さを測
定し、その測定結果に応じて露光処理後、現像処理前の
加熱処理の時間および／または温度を制御して、複数の
基板間での感光性樹脂被膜の厚さの変動にかかわらず所
定の現像処理結果が得られるようにすることを特徴とす
る基板処理方法。 - 【請求項２】 表面に感光性樹脂被膜が形成された基板
を露光処理後、現像処理前に加熱処理する熱処理部を備
えた基板処理装置において、 基板の表面に形成された前記感光性樹脂被膜の厚さを測
定する膜厚測定部と、 この膜厚測定部により測定された前記感光性樹脂被膜の
厚さに応じて、複数の基板間での感光性樹脂被膜の厚さ
の変動にかかわらず所定の現像処理結果が得られるよう
に、前記熱処理部での加熱処理の時間および／または温
度を制御する加熱処理制御手段と、を有したことを特徴
とする基板処理装置。 - 【請求項３】 熱処理部が、基板を加熱処理する加熱処
理部であり、その加熱処理部により加熱処理された基板
を冷却する冷却処理部と、この冷却処理部により冷却処
理された基板を現像処理する現像処理部とを備えた請求
項２記載の基板処理装置。 - 【請求項４】 基板の表面に感光性樹脂液を塗布して感
光性樹脂被膜を形成する塗布処理部をさらに備えた請求
項２または請求項３記載の基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14350797A JP3695677B2 (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 基板処理方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14350797A JP3695677B2 (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 基板処理方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321516A true JPH10321516A (ja) | 1998-12-04 |
| JP3695677B2 JP3695677B2 (ja) | 2005-09-14 |
Family
ID=15340345
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14350797A Expired - Fee Related JP3695677B2 (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 基板処理方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3695677B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008078366A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | ネガ型現像装置とポジ型現像装置を並列した現像装置 |
| JP2008098635A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、リソグラフィ装置とプロセシングモジュールとの組合せ、及び、デバイス製造方法 |
| JP2009224374A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Oki Semiconductor Co Ltd | Ｐｅｂ装置及びその制御方法 |
| JP2017028086A (ja) * | 2015-07-22 | 2017-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
-
1997
- 1997-05-15 JP JP14350797A patent/JP3695677B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008078366A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | ネガ型現像装置とポジ型現像装置を並列した現像装置 |
| JP2008098635A (ja) * | 2006-10-12 | 2008-04-24 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、リソグラフィ装置とプロセシングモジュールとの組合せ、及び、デバイス製造方法 |
| JP2009224374A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Oki Semiconductor Co Ltd | Ｐｅｂ装置及びその制御方法 |
| JP2017028086A (ja) * | 2015-07-22 | 2017-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3695677B2 (ja) | 2005-09-14 |
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