JPH1032182A - 半導体ウェーハ湿式処理装置 - Google Patents
半導体ウェーハ湿式処理装置Info
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- JPH1032182A JPH1032182A JP9055056A JP5505697A JPH1032182A JP H1032182 A JPH1032182 A JP H1032182A JP 9055056 A JP9055056 A JP 9055056A JP 5505697 A JP5505697 A JP 5505697A JP H1032182 A JPH1032182 A JP H1032182A
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- processing
- peripheral wall
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0406—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H10P72/0411—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H10P72/0416—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 湿式処理装置の処理槽内に汚染物質が残存す
ることを防止することによりウェーハの汚染を減少させ
る。 【解決手段】 複数のウェーハ４０を収納したウェーハ
運搬桶４５を挿入し湿式処理を行う処理槽４１におい
て、槽内の周壁に形成されるコーナの隅および周壁と底
部とが接する隅に曲面を設け、この処理槽４１の外周を
包囲する外壁４４−１を備え、この外壁と処理槽４１と
の間に排出溝４４が形成され、この排出溝４４内の周壁
コーナの隅および周壁と底部とが接する隅に曲面を設け
るとともに、処理液の供給ライン４２を処理槽４１底面
に、排出ライン４３を排出溝４４底面に各々設け、この
ライン４２、４３の屈曲部にも曲面を設け汚染物質の発
生または残存を防止する。
ることを防止することによりウェーハの汚染を減少させ
る。 【解決手段】 複数のウェーハ４０を収納したウェーハ
運搬桶４５を挿入し湿式処理を行う処理槽４１におい
て、槽内の周壁に形成されるコーナの隅および周壁と底
部とが接する隅に曲面を設け、この処理槽４１の外周を
包囲する外壁４４−１を備え、この外壁と処理槽４１と
の間に排出溝４４が形成され、この排出溝４４内の周壁
コーナの隅および周壁と底部とが接する隅に曲面を設け
るとともに、処理液の供給ライン４２を処理槽４１底面
に、排出ライン４３を排出溝４４底面に各々設け、この
ライン４２、４３の屈曲部にも曲面を設け汚染物質の発
生または残存を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウェーハ湿
式処理装置に係り、より詳しくは半導体装置（Ｄｅｖｉ
ｃｅ）の製造工程中にウェーハの洗浄および湿式処理に
使用される半導体ウェーハ湿式処理装置に関する。
式処理装置に係り、より詳しくは半導体装置（Ｄｅｖｉ
ｃｅ）の製造工程中にウェーハの洗浄および湿式処理に
使用される半導体ウェーハ湿式処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置（Ｄｅｖｉｃｅ）の製
造工程では、半導体ウェーハの洗浄技術の重要性が重視
されており、各製造工程では半導体ウェーハの洗浄が遂
行されている。従来の一般的な半導体ウェーハの湿式処
理装置は、下部に洗浄水等のような処理液を流入させ、
この槽内に半導体ウェーハを挿入し処理液の水流により
洗浄等の湿式処理を行うオーバーフローイング（Ｏｖｅ
ｒ Ｆｌｏｗｉｎｇ）方式がよく知られている。このよ
うな従来の湿式処理装置としては、特開平５−２９１２
２６号公報などに記載がある。さらに、このような従来
の装置としては、例えば２４ＴＨ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ
ＯＮ ＵＬＳＩ ＵＬＴＲＡ ＣＬＥＡＮ ＴＥＣＨ
ＮＯＬＯＧＹ，ＪＡＰＡＮ、および、米国特許（Ｕ．
Ｓ．ＰＡＴＥＮＴ Ｎｏ．５，３７０，１４２／１９９
４．１１．６）とに記載されている。
造工程では、半導体ウェーハの洗浄技術の重要性が重視
されており、各製造工程では半導体ウェーハの洗浄が遂
行されている。従来の一般的な半導体ウェーハの湿式処
理装置は、下部に洗浄水等のような処理液を流入させ、
この槽内に半導体ウェーハを挿入し処理液の水流により
洗浄等の湿式処理を行うオーバーフローイング（Ｏｖｅ
ｒ Ｆｌｏｗｉｎｇ）方式がよく知られている。このよ
うな従来の湿式処理装置としては、特開平５−２９１２
２６号公報などに記載がある。さらに、このような従来
の装置としては、例えば２４ＴＨ ＳＹＭＰＯＳＩＵＭ
ＯＮ ＵＬＳＩ ＵＬＴＲＡ ＣＬＥＡＮ ＴＥＣＨ
ＮＯＬＯＧＹ，ＪＡＰＡＮ、および、米国特許（Ｕ．
Ｓ．ＰＡＴＥＮＴ Ｎｏ．５，３７０，１４２／１９９
４．１１．６）とに記載されている。
【０００３】図４は、従来の半導体ウェーハ湿式処理装
置の斜視図であり、図５は図４に示す従来の装置を正面
から見たＡ−Ａ’部の断面図であり、図６は図４に示す
従来の湿式処理を側面から見たＢ−Ｂ’部の断面図を示
している。図４に示すように従来の装置は、周囲を包囲
する矩形状の周壁を有し有底の処理槽１１を設け、この
処理槽１１の外側を包囲するように外壁１４−１とによ
り設けられている。また処理槽１１内には、ウェーハ１
０を複数収納したウェーハ運搬桶１５が挿入され洗浄等
の湿式処理が実行される。
置の斜視図であり、図５は図４に示す従来の装置を正面
から見たＡ−Ａ’部の断面図であり、図６は図４に示す
従来の湿式処理を側面から見たＢ−Ｂ’部の断面図を示
している。図４に示すように従来の装置は、周囲を包囲
する矩形状の周壁を有し有底の処理槽１１を設け、この
処理槽１１の外側を包囲するように外壁１４−１とによ
り設けられている。また処理槽１１内には、ウェーハ１
０を複数収納したウェーハ運搬桶１５が挿入され洗浄等
の湿式処理が実行される。
【０００４】図５および図６に示すように、処理槽１１
は、周壁１１−２とこの周壁１１−１の底面に設けた底
１１−１により設けられている。底１１−１には、略中
央部に処理液の供給ライン１２を連結している。この処
理液の供給ライン１２は、処理槽１１の内部に洗浄水ま
たは洗浄液等の処理液を供給するように設けてある。ま
た処理液は周壁１１−２の上端まで貯留し溢れ処理槽１
１の外部に流出される。底１１−１と処理液の供給ライ
ン１２とが接する内側には略直角に突出した突出部１９
ａが形成されている。また、処理槽１１の外側には、周
壁１１−２の周囲を覆い上面が開口した外壁１４−１が
設けられている。周壁１１−２と外壁１４−１との間に
は排出溝１４が設けられており、この排出溝１４の底面
には排出ライン１３が設けられている。この際、排出溝
１４の底面と排出ライン１３とが接する内側には略直角
に突出した突出部１９ｂが形成されている。
は、周壁１１−２とこの周壁１１−１の底面に設けた底
１１−１により設けられている。底１１−１には、略中
央部に処理液の供給ライン１２を連結している。この処
理液の供給ライン１２は、処理槽１１の内部に洗浄水ま
たは洗浄液等の処理液を供給するように設けてある。ま
た処理液は周壁１１−２の上端まで貯留し溢れ処理槽１
１の外部に流出される。底１１−１と処理液の供給ライ
ン１２とが接する内側には略直角に突出した突出部１９
ａが形成されている。また、処理槽１１の外側には、周
壁１１−２の周囲を覆い上面が開口した外壁１４−１が
設けられている。周壁１１−２と外壁１４−１との間に
は排出溝１４が設けられており、この排出溝１４の底面
には排出ライン１３が設けられている。この際、排出溝
１４の底面と排出ライン１３とが接する内側には略直角
に突出した突出部１９ｂが形成されている。
【０００５】このように、周壁１１−２の上端から溢れ
流出した処理液は、排出溝１４に流出し排出ライン１３
により流出するように設けてある。また排出ライン１３
は、ポンプ１６とフィルター１７を設け供給ライン１２
と連結されている。これにより排出された処理液がフィ
ルター１７を介して浄化され、再循環（Ｒｅｃｉｒｃｕ
ｌａｔｉｏｎ）される。処理槽１１は、ウェーハ運搬桶
（Ｗａｆｅｒ Ｃａｒｒｉｅｒ）１５内に複数枚のウェ
ーハ１０を収納し、このウェーハ運搬桶１５を処理槽１
１内に挿入し湿式処理が実行される。従来の装置には、
排出ラインと供給ラインとが連結されず、排出ラインに
排出された処理液は浄化されずに廃棄させる構造の装置
もある。これは処理槽内部を通過した処理液の汚染が酷
い場合に限り使用されている。
流出した処理液は、排出溝１４に流出し排出ライン１３
により流出するように設けてある。また排出ライン１３
は、ポンプ１６とフィルター１７を設け供給ライン１２
と連結されている。これにより排出された処理液がフィ
ルター１７を介して浄化され、再循環（Ｒｅｃｉｒｃｕ
ｌａｔｉｏｎ）される。処理槽１１は、ウェーハ運搬桶
（Ｗａｆｅｒ Ｃａｒｒｉｅｒ）１５内に複数枚のウェ
ーハ１０を収納し、このウェーハ運搬桶１５を処理槽１
１内に挿入し湿式処理が実行される。従来の装置には、
排出ラインと供給ラインとが連結されず、排出ラインに
排出された処理液は浄化されずに廃棄させる構造の装置
もある。これは処理槽内部を通過した処理液の汚染が酷
い場合に限り使用されている。
【０００６】処理槽１１の底１１−１上部には、均一に
開口されたホールを形成し、処理槽１１の内部全体に処
理液が流入するように流れ調節板１８が設けてある。こ
のよな構成からなる半導体ウェーハ湿式処理装置を使用
する場合、処理槽１１内に、複数のの半導体ウェーハ１
０が収納されたウェーハ運搬桶１５を挿入する。ウェー
ハ運搬桶１５が挿入されると、処理槽供給ライン１２を
介して洗浄水等のような処理液が、処理槽１１内に供給
される。この供給された処理液は処理槽１１内を下から
上に流入する。この流入する処理液の水流によりウェー
ハ１０の洗浄または湿式処理が行われる。さらに、処理
槽１１に貯留する処理液は、周壁１１−２の上端まで貯
留し溢れ排出溝１４に流入される。この排出溝１４に流
入された処理液は、排出ライン１３に流出し、ポンプ１
６によってフィルター１７を介し再循環される。
開口されたホールを形成し、処理槽１１の内部全体に処
理液が流入するように流れ調節板１８が設けてある。こ
のよな構成からなる半導体ウェーハ湿式処理装置を使用
する場合、処理槽１１内に、複数のの半導体ウェーハ１
０が収納されたウェーハ運搬桶１５を挿入する。ウェー
ハ運搬桶１５が挿入されると、処理槽供給ライン１２を
介して洗浄水等のような処理液が、処理槽１１内に供給
される。この供給された処理液は処理槽１１内を下から
上に流入する。この流入する処理液の水流によりウェー
ハ１０の洗浄または湿式処理が行われる。さらに、処理
槽１１に貯留する処理液は、周壁１１−２の上端まで貯
留し溢れ排出溝１４に流入される。この排出溝１４に流
入された処理液は、排出ライン１３に流出し、ポンプ１
６によってフィルター１７を介し再循環される。
【０００７】このように、従来の半導体ウェーハ湿式処
理装置は、処理槽の底部に処理液の供給ラインを設け、
この供給ラインから処理液を注入しオーバーフロさせこ
の水流により半導体ウェーハの洗浄なたは湿式処理を実
行するとともに、処理液はフィルターを介し供給ライン
に再び供給することにより処理液の再循環を行ってい
た。
理装置は、処理槽の底部に処理液の供給ラインを設け、
この供給ラインから処理液を注入しオーバーフロさせこ
の水流により半導体ウェーハの洗浄なたは湿式処理を実
行するとともに、処理液はフィルターを介し供給ライン
に再び供給することにより処理液の再循環を行ってい
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の装
置では、処理液が流れる槽内の周壁に形成されるコーナ
隅または周壁と底部とが接する隅に、パーティクル（Ｐ
ａｒｔｉｃｌｅ）および洗浄かす（Ｒｅｓｉｄｕｅ）な
どの汚染物質が付着し残存してしまい処理液および半導
体ウェーハが汚染され生産効率が低下してしまう不具合
があった。また従来の装置では、供給ラインと排出ライ
ンとが合接する開口部の周辺縁には、ほぼ直角の突出部
（図３に示す突出部１９ａ、１９ｂ）が形成されてお
り、この突出部が流れる処理液により磨耗することで、
処理槽内の汚染物質の発生を増加させてしまうという不
具合があった。さらに、処理槽内のフィルターで処理液
を浄化して再循環する場合、汚染物質が増加した処理液
を浄化することによりフィルターの寿命を低下させてし
まう不具合があった。本発明は、前述した従来の問題点
を解決し、湿式処理装置の処理槽内に汚染物質が残存す
ることを防止することによりウェーハの汚染を減少させ
ることができる半導体ウェーハ湿式処理装置を提供する
ことを目的とする。
置では、処理液が流れる槽内の周壁に形成されるコーナ
隅または周壁と底部とが接する隅に、パーティクル（Ｐ
ａｒｔｉｃｌｅ）および洗浄かす（Ｒｅｓｉｄｕｅ）な
どの汚染物質が付着し残存してしまい処理液および半導
体ウェーハが汚染され生産効率が低下してしまう不具合
があった。また従来の装置では、供給ラインと排出ライ
ンとが合接する開口部の周辺縁には、ほぼ直角の突出部
（図３に示す突出部１９ａ、１９ｂ）が形成されてお
り、この突出部が流れる処理液により磨耗することで、
処理槽内の汚染物質の発生を増加させてしまうという不
具合があった。さらに、処理槽内のフィルターで処理液
を浄化して再循環する場合、汚染物質が増加した処理液
を浄化することによりフィルターの寿命を低下させてし
まう不具合があった。本発明は、前述した従来の問題点
を解決し、湿式処理装置の処理槽内に汚染物質が残存す
ることを防止することによりウェーハの汚染を減少させ
ることができる半導体ウェーハ湿式処理装置を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】複数の半導体ウェーハを
挿入し湿式処理を行う周壁を有し上面が開口した有底の
処理槽を設け、この槽内の周壁に形成されたコーナの隅
および周壁と底部とが接する隅とを曲面に設けた半導体
ウェーハ湿式処理装置であって、処理液を供給する供給
ラインを備え、処理槽内の周壁に形成されたコーナ隅お
よび周壁と底部とが接する隅とを曲面に設け、底面に供
給ラインが連結しこの供給ラインから処理液が供給され
周壁上端から溢れ流れるように処理槽を設け、この処理
槽の外周を包囲する有底の外壁を設けこの外壁と周壁と
の間に排出溝が形成され、処理槽から溢れた処理液を排
出溝の底面から排出または循環させる排出ラインとを備
えた半導体ウェーハ湿式処理装置を設ける。ここで、供
給ラインは処理槽の底面に開口部を設け連結しこの連結
した開口部の周辺縁を曲面に設け、排出溝を少なくとも
排出溝の外壁と底部とが接する隅を外側にふくらんだ曲
面に設けるかまたは排出溝の外壁と底部とが接する隅と
ともに排出溝の内側の外壁に形成されるコーナの隅とを
曲面に設け、排出ラインを排出溝内の底面に開口部を設
け連結しこの開口部の周辺縁を曲面に設け、供給ライン
と排出ラインには、屈曲して配管された内部部位で処理
液の方向または流速が変化することを防止するため少な
くとも内面を曲面に形成した半導体ウェーハ湿式処理装
置を設ける。
挿入し湿式処理を行う周壁を有し上面が開口した有底の
処理槽を設け、この槽内の周壁に形成されたコーナの隅
および周壁と底部とが接する隅とを曲面に設けた半導体
ウェーハ湿式処理装置であって、処理液を供給する供給
ラインを備え、処理槽内の周壁に形成されたコーナ隅お
よび周壁と底部とが接する隅とを曲面に設け、底面に供
給ラインが連結しこの供給ラインから処理液が供給され
周壁上端から溢れ流れるように処理槽を設け、この処理
槽の外周を包囲する有底の外壁を設けこの外壁と周壁と
の間に排出溝が形成され、処理槽から溢れた処理液を排
出溝の底面から排出または循環させる排出ラインとを備
えた半導体ウェーハ湿式処理装置を設ける。ここで、供
給ラインは処理槽の底面に開口部を設け連結しこの連結
した開口部の周辺縁を曲面に設け、排出溝を少なくとも
排出溝の外壁と底部とが接する隅を外側にふくらんだ曲
面に設けるかまたは排出溝の外壁と底部とが接する隅と
ともに排出溝の内側の外壁に形成されるコーナの隅とを
曲面に設け、排出ラインを排出溝内の底面に開口部を設
け連結しこの開口部の周辺縁を曲面に設け、供給ライン
と排出ラインには、屈曲して配管された内部部位で処理
液の方向または流速が変化することを防止するため少な
くとも内面を曲面に形成した半導体ウェーハ湿式処理装
置を設ける。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
による半導体ウェーハ湿式処理装置の実施の形態を詳細
に説明する。図１は、本発明による半導体ウェーハ湿式
処理装置の実施形態を示す斜視図であり、図２は図１に
示す装置を正面から見たＣ−Ｃ’部の断面図であり、図
３は図１に示す装置を側面から見たＤ−Ｄ’部の断面図
である。図１に示すように本発明による半導体ウェーハ
湿式処理装置は、周囲を包囲する矩形状の周壁を有し有
底の処理槽４１を設け、この処理槽４１の外側を包囲す
るように外壁４４−１とにより設けられている。また処
理槽１１内には、ウェーハ１０を複数収納したウェーハ
運搬桶１５が挿入され洗浄等の湿式処理が実行される。
また処理槽４１および外壁４４−１との周壁は、コーナ
の四隅を曲面に形成してある。
による半導体ウェーハ湿式処理装置の実施の形態を詳細
に説明する。図１は、本発明による半導体ウェーハ湿式
処理装置の実施形態を示す斜視図であり、図２は図１に
示す装置を正面から見たＣ−Ｃ’部の断面図であり、図
３は図１に示す装置を側面から見たＤ−Ｄ’部の断面図
である。図１に示すように本発明による半導体ウェーハ
湿式処理装置は、周囲を包囲する矩形状の周壁を有し有
底の処理槽４１を設け、この処理槽４１の外側を包囲す
るように外壁４４−１とにより設けられている。また処
理槽１１内には、ウェーハ１０を複数収納したウェーハ
運搬桶１５が挿入され洗浄等の湿式処理が実行される。
また処理槽４１および外壁４４−１との周壁は、コーナ
の四隅を曲面に形成してある。
【００１１】図２および図３に示すように、処理槽４１
は、周壁４１−２とこの周壁４１−２の底面に設けた底
４１−１により設けられている。周壁４１−２の内側下
端と底４１−１とが接する周辺隅のコーナには曲面が形
成されている。処理槽４１の上面は開口されており、底
面の底４１−１の略中央部には、処理液供給ライン４２
を連結している。この処理液供給ライン４２から処理槽
４１の内部に洗浄水または洗浄液等の処理液が供給さ
れ、周壁４１−２の上端まで貯留し溢れ処理槽１１の外
部に流出するよう設けてある。この際、図３に示すよう
に処理槽４１の底４１−１と処理液供給ライン４２とが
接合された内側の部位は曲面になるように設けてある。
処理槽４１と連結する処理液供給ライン４２は、内面が
曲面を有する漏斗形状の部材を設け、この部材を処理槽
４１の底４１−１に連結させるか、または処理槽４１の
底４１−１を漏斗形状の曲面を有するように設け、この
底４１−１に筒状の処理液供給ライン４２を装着するな
どの方法により設けられている。このように、処理槽４
１の底４１−１と、処理液供給ライン４２とを連結し内
側部位の内面を曲面に設けることにより、処理液が流れ
る水流により処理槽の内側部位が磨耗することを防止で
きる。
は、周壁４１−２とこの周壁４１−２の底面に設けた底
４１−１により設けられている。周壁４１−２の内側下
端と底４１−１とが接する周辺隅のコーナには曲面が形
成されている。処理槽４１の上面は開口されており、底
面の底４１−１の略中央部には、処理液供給ライン４２
を連結している。この処理液供給ライン４２から処理槽
４１の内部に洗浄水または洗浄液等の処理液が供給さ
れ、周壁４１−２の上端まで貯留し溢れ処理槽１１の外
部に流出するよう設けてある。この際、図３に示すよう
に処理槽４１の底４１−１と処理液供給ライン４２とが
接合された内側の部位は曲面になるように設けてある。
処理槽４１と連結する処理液供給ライン４２は、内面が
曲面を有する漏斗形状の部材を設け、この部材を処理槽
４１の底４１−１に連結させるか、または処理槽４１の
底４１−１を漏斗形状の曲面を有するように設け、この
底４１−１に筒状の処理液供給ライン４２を装着するな
どの方法により設けられている。このように、処理槽４
１の底４１−１と、処理液供給ライン４２とを連結し内
側部位の内面を曲面に設けることにより、処理液が流れ
る水流により処理槽の内側部位が磨耗することを防止で
きる。
【００１２】処理槽４１外側の周囲には、周壁４１−２
を覆い上面が開口するように設けた外壁４４−１が設け
てある。この外壁４４−１は、処理槽４１の周囲を包囲
するように略矩形状に設けてある（図１参照）。また処
理槽４１と外壁４４−１との間に排出溝４４が形成さ
れ、この排出溝４４の下部には排出ライン４３が連結さ
れる。排出ライン４３には、ポンプ４６とフィルター４
７とが設けられており、排出された処理液を浄化し循環
させている。また、処理槽４１の底４１−１上部には、
均一に開口されたホールが形成され、処理槽４１内部の
全体に処理液が流入するように流れ調節板４８が設けて
ある。従って、処理液は流れ調節板４８を介し処理槽４
１に貯留し、この処理液が周壁４１−２の上端から溢れ
排出溝４４に流出され排出ライン４３に流出する。また
排出ライン４３は、ポンプ４６とフィルター４７を介し
て供給ライン４２に連結されているため、これにより排
出された処理液がフィルター４７を介して浄化され、再
循環（Ｒｅｃｉｒｃｕｌａｔｉｏｎ）される。
を覆い上面が開口するように設けた外壁４４−１が設け
てある。この外壁４４−１は、処理槽４１の周囲を包囲
するように略矩形状に設けてある（図１参照）。また処
理槽４１と外壁４４−１との間に排出溝４４が形成さ
れ、この排出溝４４の下部には排出ライン４３が連結さ
れる。排出ライン４３には、ポンプ４６とフィルター４
７とが設けられており、排出された処理液を浄化し循環
させている。また、処理槽４１の底４１−１上部には、
均一に開口されたホールが形成され、処理槽４１内部の
全体に処理液が流入するように流れ調節板４８が設けて
ある。従って、処理液は流れ調節板４８を介し処理槽４
１に貯留し、この処理液が周壁４１−２の上端から溢れ
排出溝４４に流出され排出ライン４３に流出する。また
排出ライン４３は、ポンプ４６とフィルター４７を介し
て供給ライン４２に連結されているため、これにより排
出された処理液がフィルター４７を介して浄化され、再
循環（Ｒｅｃｉｒｃｕｌａｔｉｏｎ）される。
【００１３】排出溝４４は、処理槽４１と同様に、処理
槽４１の外側を覆う外壁４４−１内側に形成されるコー
ナ四隅および底面の周辺が接する隅が曲面を有するよう
に設けられている。また、図３に示すように、排出溝４
４の底面と排出ライン４３とが接合された開口部の周辺
縁は曲面を有するように設けてある。この際、外壁４４
−１の周壁と底部とが接する隅は、外側にふくらんだ曲
面に設けることが望ましい。また排出溝４４底部の排出
ライン４３は、排出ライン４３を漏斗形状の部材に形成
し装着するか、または排出溝４４の底面を漏斗形状に設
け略筒形状の排出ライン４３を装着するなどの方式によ
り連結されている。また、供給ライン４２と排出ライン
４３とは屈曲し配管されているため処理液の流れ方向な
どを変えてしまう部位である屈曲部４２ａ、４３ａ（図
６参照）が形成されている。この屈曲部４２ａ、４３ａ
は、好ましくは曲面に形成し、屈曲部の磨耗を防止する
ことが好ましい。
槽４１の外側を覆う外壁４４−１内側に形成されるコー
ナ四隅および底面の周辺が接する隅が曲面を有するよう
に設けられている。また、図３に示すように、排出溝４
４の底面と排出ライン４３とが接合された開口部の周辺
縁は曲面を有するように設けてある。この際、外壁４４
−１の周壁と底部とが接する隅は、外側にふくらんだ曲
面に設けることが望ましい。また排出溝４４底部の排出
ライン４３は、排出ライン４３を漏斗形状の部材に形成
し装着するか、または排出溝４４の底面を漏斗形状に設
け略筒形状の排出ライン４３を装着するなどの方式によ
り連結されている。また、供給ライン４２と排出ライン
４３とは屈曲し配管されているため処理液の流れ方向な
どを変えてしまう部位である屈曲部４２ａ、４３ａ（図
６参照）が形成されている。この屈曲部４２ａ、４３ａ
は、好ましくは曲面に形成し、屈曲部の磨耗を防止する
ことが好ましい。
【００１４】このような構成からなる本発明の半導体ウ
ェーハ湿式処理装置を使用する場合、複数のウェーハ４
０が収納されたウェーハ運搬桶（Ｗａｆｅｒ Ｃａｒｒ
ｉｅｒ）４５を処理槽４１内に挿入する。処理槽４１内
にウェーハ運搬桶４５が挿入されると、処理槽供給ライ
ン４２から洗浄水などの処理液が供給される。この処理
液は、処理槽４１内を流れ、ウェーハ４０の洗浄などの
湿式処理が実行される。さらに処理槽４１内に供給した
処理液は周壁４１−２の上端まで貯留し溢れ排出溝４４
に流出される。排出溝４４へ流入した処理液は、排出ラ
イン４３を通じて流出され、ポンプ４６によりフィルタ
ー４７に送られる。このフィルター４７に送られた処理
液はフィルター４７を介し再循環される。
ェーハ湿式処理装置を使用する場合、複数のウェーハ４
０が収納されたウェーハ運搬桶（Ｗａｆｅｒ Ｃａｒｒ
ｉｅｒ）４５を処理槽４１内に挿入する。処理槽４１内
にウェーハ運搬桶４５が挿入されると、処理槽供給ライ
ン４２から洗浄水などの処理液が供給される。この処理
液は、処理槽４１内を流れ、ウェーハ４０の洗浄などの
湿式処理が実行される。さらに処理槽４１内に供給した
処理液は周壁４１−２の上端まで貯留し溢れ排出溝４４
に流出される。排出溝４４へ流入した処理液は、排出ラ
イン４３を通じて流出され、ポンプ４６によりフィルタ
ー４７に送られる。このフィルター４７に送られた処理
液はフィルター４７を介し再循環される。
【００１５】
【発明の効果】このように本発明の半導体ウェーハ湿式
処理装置によれば、槽内の周壁に形成されるコーナ隅、
または周壁と底部とが接する隅に曲面を設けることによ
り、汚染物質が残留し処理液および半導体ウェーハの汚
染を減少でき、半導体ウェーハの洗浄および湿式処理の
生産効率を向上することができる。また、処理槽の処理
液供給ラインと排出ラインとが槽内の底部に連結され形
成される突出した屈曲部を曲面に設けたことで、この突
出部が処理液の水流により磨耗し処理液内に汚染物質が
発生することを減少でき、半導体ウェーハの洗浄および
湿式処理の効率を向上することができる。さらに、槽内
の隅または突出部を曲面させ設けているため、処理槽内
の処理液が汚染物質により汚染することが減少し排出ラ
インに設けたフィルターの寿命が向上し安定した生産が
可能となる。
処理装置によれば、槽内の周壁に形成されるコーナ隅、
または周壁と底部とが接する隅に曲面を設けることによ
り、汚染物質が残留し処理液および半導体ウェーハの汚
染を減少でき、半導体ウェーハの洗浄および湿式処理の
生産効率を向上することができる。また、処理槽の処理
液供給ラインと排出ラインとが槽内の底部に連結され形
成される突出した屈曲部を曲面に設けたことで、この突
出部が処理液の水流により磨耗し処理液内に汚染物質が
発生することを減少でき、半導体ウェーハの洗浄および
湿式処理の効率を向上することができる。さらに、槽内
の隅または突出部を曲面させ設けているため、処理槽内
の処理液が汚染物質により汚染することが減少し排出ラ
インに設けたフィルターの寿命が向上し安定した生産が
可能となる。
【図１】本発明による半導体ウェーハ湿式処理装置の実
施形態を示す斜視図。
施形態を示す斜視図。
【図２】図１に示す装置を正面から見たＣ−Ｃ’部の断
面図。
面図。
【図３】図１に示す装置を側面から見たＤ−Ｄ’部の断
面図。
面図。
【図４】従来の半導体ウェーハ湿式処理装置の斜視図。
【図５】図４に示す従来の湿式処理を正面から見たＡ−
Ａ’部の断面図。
Ａ’部の断面図。
【図６】図４に示す従来の湿式処理を側面から見たＢ−
Ｂ’部の断面図。
Ｂ’部の断面図。
４０ 半導体ウェーハ ４１ 処理槽 ４１−１ 底 ４１−２ 周壁 ４２ 供給ライン ４３ 排出ライン ４４ 排出溝 ４４−１ 外壁 ４５ ウェーハ運搬桶 ４６ ポンプ ４７ フィルター ４８ 流れ調節板
Claims (6)
- 【請求項１】 複数の半導体ウェーハを挿入し湿式処理
を行う処理槽を有する半導体ウェーハの湿式処理装置に
おいて、 前記処理層内の周壁に形成されたコーナの隅および周壁
と底部とが接する隅を曲面に設けたことを特徴とする半
導体ウェーハ湿式処理装置。 - 【請求項２】半導体ウェーハを挿入し湿式処理を行う半
導体ウェーハの湿式処理装置において、 処理液を供給する供給ラインと、 周壁を有し上面が開口した有底の本体を設け、この本体
内の周壁に形成されたコーナ隅および周壁と底部とが接
する隅とを曲面に設けるとともに、この本体の底面に前
記供給ラインが連結され、この供給ラインから処理液が
供給され周壁上端から溢れ流れるように設けた処理槽
と、 前記処理槽の外周を包囲する有底の外壁を設けこの外壁
と前記周壁との間に形成された排出溝と、 前記処理槽から溢れた処理液を前記排出溝の底面から排
出または循環させる排出ラインとからなることを特徴と
する半導体ウェーハ湿式処理装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載の半導体ウェーハ湿式処
理装置において、 前記供給ラインは、前記処理槽の底面に開口部を設け連
結するとともに、この連結した開口部の周辺縁を曲面に
設けたことを特徴とする半導体ウェーハ湿式処理装置。 - 【請求項４】 請求項２に記載の半導体ウェーハ湿式処
理装置において、 前記排出溝は、少なくとも前記排出溝の外壁と底部とが
接する隅を外側にふくらんだ曲面に設けるか、または前
記排出溝の外壁と底部とが接する隅とともに前記排出溝
の内側の外壁に形成されるコーナの隅とを曲面に設けた
ことを特徴とする半導体ウェーハ湿式処理装置。 - 【請求項５】 請求項２に記載の半導体ウェーハ湿式処
理装置において、 前記排出ラインは、前記排出溝内の底面に開口部を設け
連結しこの開口部の周辺縁を曲面に設けたことを特徴と
する半導体ウェーハ湿式処理装置。 - 【請求項６】 請求項２に記載の半導体ウェーハ湿式処
理装置において、 前記供給ラインと排出ラインには、屈曲して配管された
内部部位で処理液の方向または流速が変化うことを防止
するため少なくとも内面を曲面に形成したことを特徴と
する半導体ウェーハ湿式処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1996P-6619 | 1996-03-13 | ||
| KR1019960006619A KR100196998B1 (ko) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | 반도체 웨이퍼 습식 처리 장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1032182A true JPH1032182A (ja) | 1998-02-03 |
Family
ID=19452951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9055056A Pending JPH1032182A (ja) | 1996-03-13 | 1997-03-10 | 半導体ウェーハ湿式処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5873381A (ja) |
| JP (1) | JPH1032182A (ja) |
| KR (1) | KR100196998B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6358325B1 (en) | 1997-08-22 | 2002-03-19 | Micron Technology, Inc. | Polysilicon-silicon dioxide cleaning process performed in an integrated cleaner with scrubber |
| JP3075350B2 (ja) * | 1997-12-03 | 2000-08-14 | 日本電気株式会社 | 薬液処理方法および薬液処理装置 |
| US6004401A (en) | 1998-03-02 | 1999-12-21 | Micron Technology Inc | Method for cleaning a semiconductor structure |
| TWI240763B (en) * | 2001-05-16 | 2005-10-01 | Ind Tech Res Inst | Liquid phase deposition production method and device |
| US6551412B1 (en) * | 2001-07-16 | 2003-04-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Non-tubular type recycle system of wet bench tank |
| JP7417636B2 (ja) * | 2020-01-17 | 2024-01-18 | ダイキンファインテック株式会社 | 薬液処理装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3937236A (en) * | 1974-10-07 | 1976-02-10 | Mdt Chemical Company | Ultrasonic cleaning device |
| US3950184A (en) * | 1974-11-18 | 1976-04-13 | Texas Instruments Incorporated | Multichannel drainage system |
| JPS5861632A (ja) * | 1981-10-07 | 1983-04-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 洗浄槽 |
| JPH084063B2 (ja) * | 1986-12-17 | 1996-01-17 | 富士通株式会社 | 半導体基板の保存方法 |
| US4955402A (en) * | 1989-03-13 | 1990-09-11 | P.C.T. Systems, Inc. | Constant bath system with weir |
| JP3194209B2 (ja) * | 1992-11-10 | 2001-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理装置 |
-
1996
- 1996-03-13 KR KR1019960006619A patent/KR100196998B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-10 JP JP9055056A patent/JPH1032182A/ja active Pending
- 1997-03-11 US US08/814,236 patent/US5873381A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970067684A (ko) | 1997-10-13 |
| US5873381A (en) | 1999-02-23 |
| KR100196998B1 (ko) | 1999-06-15 |
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