JPH1032190A

JPH1032190A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH1032190A
Application number: JP20318196A
Authority: JP
Inventors: Kazuya Kimino; 和也君野
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1996-07-13
Filing date: 1996-07-13
Publication date: 1998-02-03

Abstract

(57)【要約】【課題】微細パターンの形成において、エッチング・
マスクのエッチング耐性を高め、かつ寸法変換差を抑制
する。【解決手段】配線膜３上のポジ型フォトレジスト膜に
対し、その膜厚方向の半分程度を感光させるアンダー露
光を行ってこれを現像し、溝部５を形成する。次に、Ｓ
ＯＧ膜の全面塗布とエッチバックにより上記溝部５にＳ
ＯＧ埋込み膜６ｂを形成し、この膜６ｂをマスクとする
ポジ型フォトレジスト膜４のＲＩＥ（反応性イオン・エ
ッチング）を行ってレジスト・パターン４ｐを形成す
る。これらＳＯＧ埋込み膜６ｂとレジスト・パターン４
ｐとを共同的なエッチング・マスク７として配線膜のＲ
ＩＥを行い、配線パターン３ｐを形成する。配線パター
ン３ｐの幅は溝部５の開口端の幅でほぼ決定され、また
エッチング・マスク７のエッチング耐性はＳＯＧ埋込み
膜６ｂのおかげで向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
プロセスにおいて微細パターンを精度良く形成する方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造プロセスでは、配線，
接続孔，トレンチ等の微細パターンの形成にフォトリソ
グラフィとドライエッチングが広く用いられている。中
でも被加工層のエッチング・マスクとなるレジスト・パ
ターンを形成するためのフォトリソグラフィは、微細パ
ターンの寸法限界を実質的に決定するプロセスであり、
装置面，材料面，方法面からあらゆる検討や工夫がなさ
れている。

【０００３】上記レジスト・パターンを形成するための
フォトレジスト材料には、大別してネガ型とポジ型の２
種類がある。ネガ型とは、露光で生ずる分子鎖の架橋反
応により露光部が高分子化し、現像液に対する溶解性が
低下するタイプのフォトレジスト材料であり、一方のポ
ジ型とは、露光で生ずる高分子鎖の分解反応により露光
部が低分子化し、現像液に対する溶解性が向上するタイ
プのものである。

【０００４】ただし、ネガ型は現像時に露光部が現像液
を吸収して膨潤するため、一般に解像度が低い。また、
ベース材料に環化イソプレン等のゴム系材料を用いるも
のでは、露光時のＯ₂の存在により架橋が妨げられた
り、ドライエッチング耐性が低いという欠点を有する。
これに対し、ポジ型は化学的安定性にはやや劣るもの
の、現像液による膨潤を起こさないために高い解像度が
得られること、また、露光部と未露光部との溶解度の差
が大きいので高いコントラストが得られること等の利点
を有する。このため、近年のようにデザイン・ルールが
高度に縮小された半導体プロセスでは、ポジ型が使用さ
れる場合が多い。

【０００５】ところで、フォトレジスト膜を露光する際
には、露光部において該フォトレジスト膜の厚さ方向の
全体にわたってレジスト反応が起こるような光量、すな
わち下地膜との界面近傍でも露光閾値を十分に超えるよ
うな光量で露光が行われるのが普通である。しかし近
年、半導体装置のデザイン・ルールの縮小に伴って短波
長の単色光が用いられるようになるにしたがい、下地膜
とフォトレジスト膜との界面における露光光の散乱、下
地膜の段差部からの反射光がフォトレジスト膜の特定の
領域に集中することにより起こるハレーション、定在波
効果によるレジスト・パターンの形状劣化等の問題が生
じ易くなってきた。これらの問題は、たとえポジ型フォ
トレジスト材料を用いたとしても、避け難い。

【０００６】そこで、この問題を回避するためのひとつ
の手段として、たとえば特開昭５８−９８９２４号公報
には、露光をフォトレジスト膜の厚さ方向の全体ではな
く膜厚方向の一部のみがレジスト反応を起こすような条
件（アンダー露光条件）で行い、このフォトレジスト膜
を一旦現像して不完全なレジスト・パターンを形成した
後、ドライエッチングを行ってレジスト・パターンを完
成させる方法が提案されている。この方法をコンタクト
ホール加工に適用したプロセス例について、図８ないし
図１２を参照しながら説明する。

【０００７】図８は、Ｓｉ基板２１にＳｉＯｘからなる
層間絶縁膜２２が形成され、さらにこの膜の上にポジ型
フォトレジスト膜２３が形成された基体（ウェハ）に対
し、フォトマスク３０を介して選択露光を行っている状
態を示したものである。なお、この露光を通常のステッ
パ（縮小投影露光装置）を用いて行う場合、フォトマス
ク３０上のパターンはウェハ上では５分の１に縮小され
るが、ここでは説明を簡単とするために両者を等倍で示
す。

【０００８】上記フォトマスク３０は、露光光に対して
透明なレチクル基板３１上に所定パターンを有するＣｒ
膜からなる遮光膜パターン３２が形成されたものであ
り、この遮光膜パターン３２の開口部を透過した露光光
ｈνがポジ型フォトレジスト膜２３を照射する。ただ
し、この露光は、ポジ型フォトレジスト２３の表面から
膜厚方向の１／３〜１／２程度の深さまでが感光するよ
うな条件で行われる。つまり、図中点線で示されるよう
な露光部２３ｅが、上記の選択露光で低分子化される領
域となる。

【０００９】選択露光を終えたウェハを現像すると、露
光部２３ｅが溶解除去される。この結果、ポジ型フォト
レジスト膜２３には図９に示されるような開口部２４が
形成される。次に、ＲＩＥ（反応性イオン・エッチン
グ）を行い、上記ポジ型フォトレジスト膜２３を開口部
２４の底面に層間絶縁膜２２が露出するまで異方的にエ
ッチバックし、図１０に示されるようなレジスト・パタ
ーン２３ｐを形成する。さらに、上記レジスト・パター
ン２３ｐをマスクとして層間絶縁膜２２を異方性エッチ
ングすると、図１１に示されるようなコンタクトホール
２５が形成される。最後にアッシングを行い、図１２に
示されるようにレジスト・パターン２３ｐを除去する。

【００１０】このような方法によれば、ポジ型フォトレ
ジスト膜２３の感光領域を表面層に限定するため、光の
散乱，回折，反射が防止され、光像の忠実度やコントラ
ストが向上するとされている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アンダ
ー露光条件を採用した上述の方法には、次のような欠点
がある。第一に、選択露光後のポジ型フォトレジスト膜
２３を全面的にエッチバックしてレジスト・パターン２
３ｐを形成しているため、エッチングのマスクとして機
能する正味のレジスト膜厚が減少してしまう。このこと
は、上述のコンタクトホール・エッチングのように高い
入射イオン・エネルギーを要するエッチングにおいて、
レジスト膜減りを早め、コンタクトホール２５の断面形
状の劣化や寸法変換差を生ずる原因となる。また、レジ
スト・パターン２３ｐの下地膜がＡｌ系配線膜のごとく
レジストとの選択比が元来低い材料である場合には、レ
ジスト・パターン２３ｐがエッチング・マスクとしての
機能を十分に発揮することができなくなる。

【００１２】第二に、ポジ型フォトレジスト膜２３に形
成される開口部２４の断面形状は、選択露光時のレジス
ト感度を反映して開口端よりも底面が狭いテーパー形状
となる。この断面形状は、異方性エッチバックによりレ
ジスト・パターン２３ｐにそのまま転写され、これをマ
スクとする異方性エッチングで開口されるコンタクトホ
ール２５の直径は、開口部２４の底面の直径を反映した
ものとなる。つまり、フォトマスク３０上のパターン寸
法（設計寸法）とウェハ上でのパターン寸法との間に変
換差が生じていることになる。このことは、フォトリソ
グラフィの解像度を上回る微細なコンタクトホールを形
成できる可能性を示唆するものの、選択露光時の露光量
や現像時間に依存して寸法が変動する可能性が大きく、
この変動を再現性良く制御することは極めて困難であ
る。

【００１３】そこで本発明は、エッチング耐性を十分に
高め、また寸法変換差を抑えながら微細パターンを形成
することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法では、まず被加工層の上に形成されたポジ型フォ
トレジスト膜に対してアンダー露光を行い、現像処理を
行って選択露光部に対応する凹部を形成し、次にこのポ
ジ型フォトレジスト膜をそのままエッチバックするので
はなく、この凹部に耐エッチング材料膜を埋め込んでか
らこれをマスクとして異方性エッチングを行い、さらに
続いて被加工層の異方性エッチングを行うことにより、
上述の目的を達成するものである。この異方性エッチン
グにより形成されるポジ型フォトレジスト膜のパターン
は、最後にレジスト剥離剤を用いて除去する。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明では、アンダー露光と現像
処理を経て凹部を形成したポジ型フォトレジスト膜を、
従来のようにそのままエッチバックするのではなく、こ
の凹部を埋め込むごとく自己整合的に形成された耐エッ
チング材料膜をマスクとして異方的にエッチングする。
したがって、被加工層のエッチング・マスクとして機能
する部分は、この耐エッチング材料膜とその直下に形成
されるポジ型フォトレジスト膜のパターンが組み合わせ
られたものとなる。このため、エッチング・マスクの膜
厚は最初に形成されるポジ型フォトレジスト膜の膜厚と
何ら変わらない。したがって、エッチング・マスクの膜
減りに起因して従来生じていた寸法変換差の発生や、被
加工層のパターンの形状劣化が抑制される。

【００１６】なお、アンダー露光の程度は、ポジ型フォ
トレジスト膜の膜厚方向のおおよそ１／３〜１／２が感
光される程度とすることが好適である。感光領域が浅過
ぎると、凹部に埋め込むべき耐エッチング材料膜が薄く
なってエッチング・マスクのエッチング耐性が低下す
る。また、感光領域が深過ぎると、耐エッチング材料膜
による凹部の埋込みが困難となったり、露光光の反射や
回折の影響で凹部の形状が不均一化する等の不都合が生
ずる。アンダー露光を行う際の露光量は、露光光源の照
射エネルギーが可変であればそのエネルギー制御、パル
ス光源であればショット数制御により調整することがで
きる。

【００１７】また、上記の異方性エッチングは通常、基
板バイアス印加や低ガス圧放電により入射イオンの直進
性を高めたプラズマ・エッチング条件で行われるので、
ポジ型フォトレジスト膜の被エッチング範囲は耐エッチ
ング材料膜の上端側の幅、すなわち凹部の開口端の幅で
ほぼ規定されることになる。この凹部の開口端の幅は、
フォトマスク上のパターン幅を反映したものであるか
ら、本発明によればフォトマスク上のパターン寸法とウ
ェハ上でのパターン寸法との間にも寸法変換差はほとん
ど発生しないことになる。

【００１８】被加工層の異方性エッチングが終了した後
のエッチング・マスクの除去については、ポジ型フォト
レジスト膜のパターンと耐エッチング材料膜の双方の効
率的な除去を考慮する必要がある。基本的には、ポジ型
フォトレジスト膜を先に除去し、この結果、付着の足場
を失って浮遊する耐エッチング材料膜も除去するという
方法をとる。ポジ型フォトレジスト膜の除去は、最初か
ら通常のＯ₂プラズマ・アッシングで行っても不可能で
はない。しかし、耐エッチング材料膜の基板面付着を防
止するには、ポジ型フォトレジスト膜の除去と同時に耐
エッチング材料膜も洗い流すことができるウェット処
理、すなわちレジスト剥離剤を用いた処理の方が好適で
ある。ただし、このレジスト剥離剤を用いた処理を行っ
た後に、Ｏ₂プラズマ・アッシングを行うことは、一向
に構わない。

【００１９】本発明では、上記の第４工程における凹部
への耐エッチング材料膜の埋め込みを、耐エッチング材
料膜の全面堆積による平坦化と、ポジ型フォトレジスト
膜の表面を露出させるための膜厚減少処理により行う。
この膜厚減少処理としては、異方性プラズマ・エッチン
グによるエッチバックが工程数やスループットの観点か
ら有利であるが、このエッチバックにレジスト平坦化を
併用したいわゆるレジスト・エッチバック法、あるいは
化学機械研磨法（ＣＭＰ）を適用しても良い。

【００２０】本発明の第５工程では、前記ポジ型フォト
レジスト膜と前記被加工層の異方性エッチングを各膜に
ついてそれぞれ最適化された条件で行うことが特に有効
である。これは、ポジ型フォトレジスト膜の異方性エッ
チングは通常Ｏ₂ガスを用いたプラズマ・エッチングで
行われるが、その下層側にあって通常の半導体プロセス
で加工の対象となるような被加工層は、その最適なエッ
チング・ガスがＯ₂以外のガスである場合が多いからで
ある。たとえば、被加工層がＡｌ系配線膜であればＢＣ
ｌ₃／Ｃｌ₂混合ガス、Ｗ−ポリサイド系配線膜であれ
ばＣｌ₂／Ｏ₂混合ガス、ＳｉＯｘ系絶縁膜であればフ
ルオロカーボン系ガスがそれぞれエッチング・ガスとし
て用いられる。もちろん、エッチング条件の最適化には
エッチング・ガスの選択のみならず、ガス圧，プラズマ
放電形式，放電パワー，ウェハ温度，基板バイアス等の
条件設定が含まれる。

【００２１】本発明では、耐エッチング材料膜と被加工
層の組合せも重要である。特に、被加工層がＡｌ系，ポ
リシリコン系，ポリサイド系あるいは高融点金属系の配
線膜である場合、配線膜のエッチングはその下地の層間
絶縁膜やゲート酸化膜に対して高い選択比を確保しなが
ら行う必要があるので、耐エッチング材料膜も同じ系統
の絶縁膜とすれば良い。この絶縁膜としてスピン・オン
・グラス（ＳＯＧ）膜を使用すれば、エッチング選択比
が確保できることはもちろん、耐エッチング材料膜の形
成も簡便である。なぜなら、ＳＯＧ膜はスピンコート法
により、凹凸のあるウェハの表面へもほぼ平坦に形成す
ることができるからである。なお、ＳＯＧ膜はこの他、
Ｓｉトレンチ・エッチングのエッチング・マスクとして
も使用できる。ただし、ＳｉＯｘ系の層間絶縁膜のエッ
チング・マスクとしては、全く不可能ではないが使いに
くい。これは、エッチング・マスクと被加工層とが同種
の材料となり、エッチング選択被を原理的に確保できな
い上に、パーティクル汚染も増大するからである。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の好ましい実施例として、配線
パターンの形成プロセス例について、図１ないし図７を
参照しながら説明する。図１は、Ｓｉ基板１の上に層間
絶縁膜２および配線膜３が順次積層され、さらにこの上
にポジ型フォトレジスト膜４が形成された基体（ウェ
ハ）に対し、フォトマスク１０を介して選択露光を行っ
ている状態を示したものである。なお、この露光を通常
のステッパ（縮小投影露光装置）を用いて行う場合、フ
ォトマスク１０上のパターンはウェハ上では５分の１に
縮小されるが、ここでは説明を簡単とするために両者を
等倍で示す。

【００２３】上記層間絶縁膜２は、たとえばＯ₃／ＴＥ
ＯＳ（テトラエトキシシラン）／ＴＭＢ（テトラメチル
ホウ酸）／ＴＭＯＰ（テトラメトキシリン酸）混合ガス
を原料とする常圧ＣＶＤ法により堆積させた。また、上
記配線膜３は、たとえばスパッタリング法によりＡｌ−
１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ膜を約０．５μｍの厚さに堆積
させて形成した。

【００２４】上記ポジ型フォトレジスト膜４は、たとえ
ばノボラック系ポジ型フォトレジスト材料を上記配線膜
３上にスピンコートし、ホットプレート上で９０℃，６
０秒間のプリベークを行うことにより、最終的に約１．
５μｍの膜厚に形成した。なお、本発明ではポジ型フォ
トレジスト膜の膜厚方向の全体を露光しないので、露光
のスループットが高い。したがって、近年ではスループ
ットの低下が懸念されているような光吸収の大きいポジ
型フォトレジスト材料、たとえば紫外波長域で光吸収の
大きいベンゼン環を多く含むような材料も使用すること
ができる。

【００２５】上記フォトマスク１０は、露光光に対して
透明なレチクル基板１１上に所定パターンを有するＣｒ
膜からなる遮光膜パターン１２が形成されたものであ
り、この遮光膜パターン１２の非形成部を透過した露光
光ｈνがポジ型フォトレジスト膜４を照射する。この露
光は、ポジ型フォトレジスト４の表面から膜厚方向の約
１／２の深さまでが感光するような条件で行い、これに
より、図中点線で示される露光部４ｅを選択露光により
低分子化される領域とした。ここでは、露光光源として
ｉ線（３６５ｎｍ）を使用し、露光部４ｅの幅を約０．
４μｍとした。

【００２６】選択露光を終了した後、ホットプレート上
でポジ型フォトレジスト膜に波長２２０〜３２０ｎｍの
紫外光を照射しながら２００℃，６０秒間のポストベー
クを行った。このポストベークは、ポジ型フォトレジス
ト膜の耐熱性を向上させるための処理である。この後、
通常のアルカリ現像液を用いて現像処理を行い、露光部
４ｅを溶解除去した。この結果、図２に示されるよう
に、ポジ型フォトレジスト膜４には開口端の幅が約０．
４μｍ，深さが約０．７μｍの溝部５が形成された。本
発明では露光がポジ型フォトレジスト膜４の膜厚方向の
全体にわたって行われないので、下地段差からの反射光
や散乱による解像度やコントラストの劣化が防止され、
これらの溝部５の寸法や形状がウェハ面内にわたって均
一となった。

【００２７】次に、図３に示されるように、上記溝部５
を埋め込み、かつ基体の表面を平坦化するに十分な量の
ＳＯＧ（スピン・オン・グラス）をスピンコートし、３
００℃，１０分間のベーキングを行ってＳＯＧ膜６を形
成した。次に、フルオロカーボン系ガスを用い、ＲＩＥ
（反応性イオン・エッチング）によるＳＯＧ膜６のエッ
チバックを行った。このエッチバックは、ポジ型フォト
レジスト膜４の上表面が露出するまで行った。この結
果、図４に示されるように、上記溝部５を平坦に埋め込
むＳＯＧ埋込み膜６ｂが形成された。

【００２８】次に、上記ＳＯＧ埋込み膜６ｂをエッチン
グ・マスクとし、Ｏ₂プラズマを用いてポジ型フォトレ
ジスト膜４のＲＩＥを行い、図５に示されるようにレジ
スト・パターン４ｐを形成した。このＲＩＥは、異方性
加工を行うに十分な基板バイアスを印加しながら行うこ
とが重要である。それは、バイアス印加によりプラズマ
中のイオンの入射を基板面に対してほぼ垂直に揃える
と、形成されるレジスト・パターン４ｐの幅をＳＯＧ埋
込み膜６ｂの上端の幅とほぼ等しくすることができるか
らである。これ以降は、上記ＳＯＧ埋込み膜６ｂとその
直下の垂直壁を有するレジスト・パターン４ｐとが、共
同でエッチング・マスク７として機能することになる。

【００２９】次に、上記エッチング・マスク７を介し、
たとえばＢＣｌ₃／Ｃｌ₂混合ガスを用いたＲＩＥによ
り上記配線膜３を異方的に加工し、図６に示されるよう
な配線パターン３ｐを形成した。従来、Ａｌ配線加工の
ためのエッチングではレジスト・マスクに対する選択比
の低下が問題となっていたが、本発明によればエッチン
グ・マスク７のイオン入射面がＳＯＧ埋込み膜６ｂで構
成されているため、エッチング選択比は十分に大きく、
よってエッチング・マスク７と配線パターン３ｐとの間
の寸法変換差はほとんど発生しなかった。

【００３０】最後に、レジスト剥離液を用いた洗浄処理
と純水洗浄を行い、図７に示されるように、エッチング
・マスク７を除去した。純水洗浄は、レジスト・パター
ン４ｐから分離して浮遊する埋込みＳＯＧ膜６ｂを除去
するために、十分に行った。この処理によりエッチング
・マスク７はほとんど除去することができるが、たとえ
ばレジスト・パターン４ｐの線幅が太く、レジスト剥離
液のみでは十分にこれを除去することができない場合に
は、Ｏ₂プラズマ・アッシングを併用してレジスト除去
の完全を期するようにしても良い。

【００３１】以上、本発明の具体的な実施例について説
明したが、本発明はこの実施例に何ら限定されるもので
はなく、ウェハの構成、ウェハ上の各部材の寸法や形成
方法や構成材料、露光やベーク等のプロセス条件の細部
については、適宜変更や選択が可能である。

【００３２】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、ポジ型フォトレジスト膜の感光特性を巧み
に利用しながら自己整合的な耐エッチング材料膜を形成
することにより高いエッチング耐性を有するエッチング
・マスクを形成することができ、これによって寸法変換
差や形状劣化を抑えた高精度な微細パターン形成が可能
となる。したがって本発明は、半導体装置の微細化，高
集積化，高信頼化に大きく貢献するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用して配線パターンを形成するプロ
セス例において、ウェハ上のポジ型フォトレジスト膜に
対してフォトマスクを介した選択的なアンダー露光を行
っている状態を示す模式的断面図である。

【図２】図１のポジ型フォトレジスト膜を現像して溝部
を形成した状態を示す模式的断面図である。

【図３】図２の溝部を埋め込み、かつ基体の表面を平坦
化するごとくＳＯＧ膜を成膜した状態を示す模式的断面
図である。

【図４】図３のＳＯＧ膜をポジ型フォトレジスト膜の上
表面が露出するまでエッチバックし、ＳＯＧ埋込み膜を
形成した状態を示す模式的断面図である。

【図５】図４のＳＯＧ埋込み膜をマスクとしてポジ型フ
ォトレジスト膜のＲＩＥを行い、エッチング・マスクを
形成した状態を示す模式的断面図である。

【図６】図５のエッチング・マスクを介して配線膜のＲ
ＩＥを行った状態を示す模式的断面図である。

【図７】図６のエッチング・マスクを除去した状態を示
す模式的断面図である。

【図８】従来の配線パターン形成のプロセス例におい
て、ウェハ上のポジ型フォトレジスト膜に対してフォト
マスクを介した選択的なアンダー露光を行っている状態
を示す模式的断面図である。

【図９】図８のポジ型フォトレジスト膜を現像して開口
部を形成した状態を示す模式的断面図である。

【図１０】図９のポジ型フォトレジスト膜をエッチバッ
クしてレジスト・パターンを形成した状態を示す模式的
断面図である。

【図１１】図１０のレジスト・パターンを介して層間絶
縁膜のＲＩＥを行い、コンタクトホールを形成した状態
を示す模式的断面図である。

【図１２】図１１のレジスト・パターンを除去した状態
を示す模式的断面図である。

【符号の説明】

１基板２層間絶縁膜３配線膜３ｐ配線パターン４ポジ型フォトレジスト膜４ｅ露光部４ｐレジスト・パターン５溝部６ＳＯＧ膜６ｂＳＯＧ埋込み膜７エッチング・マスク１０フォトマスク１１レチクル基板１２遮光膜パターン

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被加工層の上にポジ型フォトレジスト膜
を形成する第１工程と、前記ポジ型フォトレジスト膜に対し、その表層部から膜
厚方向の一部の深さまでがレジスト反応を起こし得る条
件でフォトマスクを介した選択露光を行う第２工程と、現像を行って前記ポジ型フォトレジスト膜に選択露光部
に対応する凹部を形成する第３工程と、前記凹部に耐エッチング材料膜を埋め込む第４工程と、少なくとも前記耐エッチング材料膜をマスクとして前記
ポジ型フォトレジスト膜と前記被加工層の異方性エッチ
ングを行うことにより、前記凹部の開口端の幅に略等し
い幅を有する該ポジ型フォトレジスト膜のパターンと該
被加工層のパターンとを形成する第５工程と、前記ポジ型フォトレジスト膜のパターンをレジスト剥離
剤を用いて除去する第６工程と、を有する半導体装置の
製造方法。
【請求項２】前記第４工程における凹部への耐エッチ
ング材料膜の埋め込みは、前記ポジ型フォトレジスト膜
の全面を被覆するごとく平坦に形成された該耐エッチン
グ材料膜を、該ポジ型フォトレジスト膜の表面が露出す
るまで除去することにより行われる請求項１記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項３】前記耐エッチング材料膜の除去をエッチ
バックにより行う請求項２記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項４】前記第５工程では、前記ポジ型フォトレ
ジスト膜の異方性エッチングと前記被加工層の異方性エ
ッチングとを、各々の最適条件にしたがって行う請求項
１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記被加工層が配線膜であり、前記耐エ
ッチング材料膜がスピン・オン・グラス膜である請求項
１記載の半導体装置の製造方法。