JPH10321943A - 単一色発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー表示装置 - Google Patents
単一色発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー表示装置Info
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- JPH10321943A JPH10321943A JP12524397A JP12524397A JPH10321943A JP H10321943 A JPH10321943 A JP H10321943A JP 12524397 A JP12524397 A JP 12524397A JP 12524397 A JP12524397 A JP 12524397A JP H10321943 A JPH10321943 A JP H10321943A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 素子を微小間隔で平面状に一括して製作する
ことができ、高精細かつ高解像度の平面型カラー表示装
置を提供する。 【解決手段】 基板１上に、行列配置された、紫外領域
の単一発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光レー
ザ素子２〜５等を形成し、これら垂直共振器型面発光レ
ーザ素子２〜５等の出射端面に対向する基板６上に、行
列配置された発光体７〜２２を形成する。
ことができ、高精細かつ高解像度の平面型カラー表示装
置を提供する。 【解決手段】 基板１上に、行列配置された、紫外領域
の単一発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光レー
ザ素子２〜５等を形成し、これら垂直共振器型面発光レ
ーザ素子２〜５等の出射端面に対向する基板６上に、行
列配置された発光体７〜２２を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単一色発光スペク
トルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄
型カラー表示装置に関するものである。
トルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄
型カラー表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、供給される電気信号に応じて画像
情報をカラー表示するカラー表示装置が多数提案されて
いる。かかるカラー表示装置としては、最も普及してお
り、電子線によって励起された蛍光体が可視光を発生さ
せる陰極線管（ＣＲＴ）、薄型の液晶表示装置（ＬＣ
Ｄ）、自発光型の平面薄型表示装置として、プラズマに
より励起された蛍光体が可視光を発光させるプラズマ表
示管（ＰＤＰ）、ＣＲＴと同様に、電子線によって励起
された発光体の発光を、多数製作した電子線放出素子に
よって行うことによってＣＲＴと同等な特性を薄型で実
現できる平面放出型平面表示素子（ＦＥＤ）、発光効率
や色純度に優れ、固体素子の発光ダイオード（ＬＥＤ）
を多数配置した装置等がある。
情報をカラー表示するカラー表示装置が多数提案されて
いる。かかるカラー表示装置としては、最も普及してお
り、電子線によって励起された蛍光体が可視光を発生さ
せる陰極線管（ＣＲＴ）、薄型の液晶表示装置（ＬＣ
Ｄ）、自発光型の平面薄型表示装置として、プラズマに
より励起された蛍光体が可視光を発光させるプラズマ表
示管（ＰＤＰ）、ＣＲＴと同様に、電子線によって励起
された発光体の発光を、多数製作した電子線放出素子に
よって行うことによってＣＲＴと同等な特性を薄型で実
現できる平面放出型平面表示素子（ＦＥＤ）、発光効率
や色純度に優れ、固体素子の発光ダイオード（ＬＥＤ）
を多数配置した装置等がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＣＲＴ
の場合、装置が大型になりやすく、薄型にするのが困難
であり、電子ビームを放出するために表示管内を真空に
する必要があり、電子ビームを加速する際に高電圧にす
る必要があり、消費電力が大きくなるという不都合を有
する。また、ＬＣＤの場合、ＬＣＤが自発光型素子でな
いために照明装置を必要とし、反応速度が比較的遅く、
動作可能温度範囲が狭く、照明装置の光から必要な光を
取り出すことによって色表示を行うために、エネルギー
効率が悪くなるという不都合がある。ＰＤＰの場合、プ
ラズマ発光時に素子内部が損傷しやすいために長寿命化
が困難であり、プラズマ発生時に高電圧を必要とし、プ
ラズマを発生させるために表示管内を真空にする必要が
あるという不都合を有する。また、ＦＥＤの場合、電子
線を放出するために表示管内を真空にする必要があり、
電子ビームを加速する際に高電圧にする必要があるとい
う不都合を有する。また、ＬＥＤを多数配置した装置を
用いる場合、多色表示するために個別に製作したＬＥＤ
を配置するが、各素子を微小間隔で配列することが困難
であり、相違する色を発光する素子を平面状に一括して
製作することも、各材料に最適化された製作技術を必要
とする半導体においては困難であるので、高精細かつ高
解像度の平面型カラー表示素子を実現するのは困難とな
る。
の場合、装置が大型になりやすく、薄型にするのが困難
であり、電子ビームを放出するために表示管内を真空に
する必要があり、電子ビームを加速する際に高電圧にす
る必要があり、消費電力が大きくなるという不都合を有
する。また、ＬＣＤの場合、ＬＣＤが自発光型素子でな
いために照明装置を必要とし、反応速度が比較的遅く、
動作可能温度範囲が狭く、照明装置の光から必要な光を
取り出すことによって色表示を行うために、エネルギー
効率が悪くなるという不都合がある。ＰＤＰの場合、プ
ラズマ発光時に素子内部が損傷しやすいために長寿命化
が困難であり、プラズマ発生時に高電圧を必要とし、プ
ラズマを発生させるために表示管内を真空にする必要が
あるという不都合を有する。また、ＦＥＤの場合、電子
線を放出するために表示管内を真空にする必要があり、
電子ビームを加速する際に高電圧にする必要があるとい
う不都合を有する。また、ＬＥＤを多数配置した装置を
用いる場合、多色表示するために個別に製作したＬＥＤ
を配置するが、各素子を微小間隔で配列することが困難
であり、相違する色を発光する素子を平面状に一括して
製作することも、各材料に最適化された製作技術を必要
とする半導体においては困難であるので、高精細かつ高
解像度の平面型カラー表示素子を実現するのは困難とな
る。
【０００４】本発明の目的は、上記不都合を有しない平
面型カラー表示装置を提供すること、すなわち、装置の
薄型が容易であり、装置内を真空にする必要がなく、高
電圧を必要とせず、消費電力が小さく、照明装置を必要
とせず、反応速度が比較的早く、動作可能温度範囲が広
く、長寿命で、素子を微小間隔で平面状に一括して製作
することができ、高精細かつ高解像度の平面型カラー表
示装置を提供することである。
面型カラー表示装置を提供すること、すなわち、装置の
薄型が容易であり、装置内を真空にする必要がなく、高
電圧を必要とせず、消費電力が小さく、照明装置を必要
とせず、反応速度が比較的早く、動作可能温度範囲が広
く、長寿命で、素子を微小間隔で平面状に一括して製作
することができ、高精細かつ高解像度の平面型カラー表
示装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のうち請求項１記
載の単一色発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光
レーザ素子を用いた薄型カラー表示装置は、複数の、単
一色発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ
素子を、平面状に配置し、これら垂直共振器型面発光レ
ーザ素子を個別に制御して発光させることによりカラー
表示を行うようにしたことを特徴とするものである。
載の単一色発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光
レーザ素子を用いた薄型カラー表示装置は、複数の、単
一色発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ
素子を、平面状に配置し、これら垂直共振器型面発光レ
ーザ素子を個別に制御して発光させることによりカラー
表示を行うようにしたことを特徴とするものである。
【０００６】請求項１記載の単一色発光スペクトルを有
する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー
表示装置によれば、複数の、単一色発光スペクトルを有
する垂直共振器型面発光レーザ素子を、平面状に配置
し、これら垂直共振器型面発光レーザ素子を個別に制御
して発光させることによりカラー表示を行う。このよう
に、垂直共振器型面発光レーザ素子を平面状に配置する
ので、装置の薄型が容易となる。また、垂直共振器型面
発光レーザ素子のような固体素子を用いるために、真空
を維持する必要がなくなる。また、必要な駆動電圧を、
垂直共振器型面発光レーザ素子の発光エネルギー程度ま
で低減することができるので、高電圧を必要とせず、消
費電力が小さくなる。また、垂直共振器型面発光レーザ
素子のような自発光型素子を用いるので、照明装置を必
要としなくなる。また、垂直共振器型面発光レーザ素子
を用いてカラー表示装置を構成するので、反応速度が比
較的早く、動作可能温度範囲が広くなる。また、駆動中
に素子が損傷されるおそれが少ないので、長寿命化を図
ることができる。さらに、単一色発光スペクトルを有す
る垂直共振器型面発光レーザ素子のみを配置するので、
素子を微小間隔で平面状に一括して製作することがで
き、高精細かつ高解像度の平面型カラー表示装置を実現
することができる。
する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー
表示装置によれば、複数の、単一色発光スペクトルを有
する垂直共振器型面発光レーザ素子を、平面状に配置
し、これら垂直共振器型面発光レーザ素子を個別に制御
して発光させることによりカラー表示を行う。このよう
に、垂直共振器型面発光レーザ素子を平面状に配置する
ので、装置の薄型が容易となる。また、垂直共振器型面
発光レーザ素子のような固体素子を用いるために、真空
を維持する必要がなくなる。また、必要な駆動電圧を、
垂直共振器型面発光レーザ素子の発光エネルギー程度ま
で低減することができるので、高電圧を必要とせず、消
費電力が小さくなる。また、垂直共振器型面発光レーザ
素子のような自発光型素子を用いるので、照明装置を必
要としなくなる。また、垂直共振器型面発光レーザ素子
を用いてカラー表示装置を構成するので、反応速度が比
較的早く、動作可能温度範囲が広くなる。また、駆動中
に素子が損傷されるおそれが少ないので、長寿命化を図
ることができる。さらに、単一色発光スペクトルを有す
る垂直共振器型面発光レーザ素子のみを配置するので、
素子を微小間隔で平面状に一括して製作することがで
き、高精細かつ高解像度の平面型カラー表示装置を実現
することができる。
【０００７】本発明のうち請求項２記載の単一色発光ス
ペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用い
た薄型カラー表示装置は、前記単一色発光スペクトルを
紫外領域とし、前記垂直共振器型面発光レーザ素子の各
々に対する任意の色の蛍光体を設け、各垂直共振器型面
発光レーザ素子から出射される紫外光によってそれに対
応する蛍光体を励起させて、可視光を発生させるように
したことを特徴とするものである。
ペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用い
た薄型カラー表示装置は、前記単一色発光スペクトルを
紫外領域とし、前記垂直共振器型面発光レーザ素子の各
々に対する任意の色の蛍光体を設け、各垂直共振器型面
発光レーザ素子から出射される紫外光によってそれに対
応する蛍光体を励起させて、可視光を発生させるように
したことを特徴とするものである。
【０００８】請求項２記載の単一色発光スペクトルを有
する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー
表示装置によれば、単一色発光スペクトルを紫外領域と
し、垂直共振器型面発光レーザ素子の各々に対する任意
の色の蛍光体を設け、各垂直共振器型面発光レーザ素子
から出射される紫外光によってそれに対応する蛍光体を
励起させて、可視光を発生させる。紫外領域の垂直共振
器型面発光レーザ素子の場合、必要な駆動電力を１０Ｖ
以下にすることができる。したがって、ＰＤＰのような
従来のカラー表示装置に比べて低電圧駆動が可能とな
り、消費電力を小さくすることができる。
する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー
表示装置によれば、単一色発光スペクトルを紫外領域と
し、垂直共振器型面発光レーザ素子の各々に対する任意
の色の蛍光体を設け、各垂直共振器型面発光レーザ素子
から出射される紫外光によってそれに対応する蛍光体を
励起させて、可視光を発生させる。紫外領域の垂直共振
器型面発光レーザ素子の場合、必要な駆動電力を１０Ｖ
以下にすることができる。したがって、ＰＤＰのような
従来のカラー表示装置に比べて低電圧駆動が可能とな
り、消費電力を小さくすることができる。
【０００９】本発明のうち請求項３記載の単一色発光ス
ペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用い
た薄型カラー表示装置は、前記単一色発光スペクトルを
青色領域とし、少なくとも一部の前記垂直共振器型面発
光レーザ素子から出射される青色光を可視光として表示
に用い、青色光を発生させるのに用いた前記垂直共振器
型面発光レーザ素子以外の前記垂直共振器型面発光レー
ザ素子の各々に対する任意の色の蛍光体を設け、各垂直
共振器型面発光レーザ素子から出射される青色光によっ
てそれに対応する蛍光体を励起させて、青色光以外の可
視光を発生させるようにしたことを特徴とするものであ
る。
ペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用い
た薄型カラー表示装置は、前記単一色発光スペクトルを
青色領域とし、少なくとも一部の前記垂直共振器型面発
光レーザ素子から出射される青色光を可視光として表示
に用い、青色光を発生させるのに用いた前記垂直共振器
型面発光レーザ素子以外の前記垂直共振器型面発光レー
ザ素子の各々に対する任意の色の蛍光体を設け、各垂直
共振器型面発光レーザ素子から出射される青色光によっ
てそれに対応する蛍光体を励起させて、青色光以外の可
視光を発生させるようにしたことを特徴とするものであ
る。
【００１０】請求項３記載の単一色発光スペクトルを有
する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー
表示装置によれば、単一色発光スペクトルを青色領域と
し、少なくとも一部の垂直共振器型面発光レーザ素子か
ら出射される青色光を可視光として表示に用い、青色光
を発生させるのに用いた垂直共振器型面発光レーザ素子
以外の前記垂直共振器型面発光レーザ素子の各々に対す
る任意の色の蛍光体を設け、各垂直共振器型面発光レー
ザ素子から出射される青色光によってそれに対応する蛍
光体を励起させて、青色光以外の可視光を発生させる。
紫外領域の垂直共振器型面発光レーザ素子の場合も、必
要な駆動電力を１０Ｖ以下にすることができる。したが
って、ＰＤＰのような従来のカラー表示装置に比べて低
電圧駆動が可能となり、消費電力を小さくすることがで
きる。また、全ての垂直共振器型面発光レーザ素子に対
して蛍光体を用いる必要がないので、単一色発光スペク
トルを紫外領域とする場合に比べて装置を廉価に製造す
ることができる。
する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー
表示装置によれば、単一色発光スペクトルを青色領域と
し、少なくとも一部の垂直共振器型面発光レーザ素子か
ら出射される青色光を可視光として表示に用い、青色光
を発生させるのに用いた垂直共振器型面発光レーザ素子
以外の前記垂直共振器型面発光レーザ素子の各々に対す
る任意の色の蛍光体を設け、各垂直共振器型面発光レー
ザ素子から出射される青色光によってそれに対応する蛍
光体を励起させて、青色光以外の可視光を発生させる。
紫外領域の垂直共振器型面発光レーザ素子の場合も、必
要な駆動電力を１０Ｖ以下にすることができる。したが
って、ＰＤＰのような従来のカラー表示装置に比べて低
電圧駆動が可能となり、消費電力を小さくすることがで
きる。また、全ての垂直共振器型面発光レーザ素子に対
して蛍光体を用いる必要がないので、単一色発光スペク
トルを紫外領域とする場合に比べて装置を廉価に製造す
ることができる。
【００１１】本発明のうち請求項４記載の単一色発光ス
ペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用い
た薄型カラー表示装置は、前記垂直共振器型面発光レー
ザ素子は、半導体多層膜反射鏡を含むことを特徴とする
ものである。
ペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用い
た薄型カラー表示装置は、前記垂直共振器型面発光レー
ザ素子は、半導体多層膜反射鏡を含むことを特徴とする
ものである。
【００１２】請求項４記載の単一色発光スペクトルを有
する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー
表示装置によれば、垂直共振器型面発光レーザ素子に含
まれる半導体多層膜反射鏡によって垂直共振器型面発光
レーザ素子の製作が容易になるとともに発光効率を高め
ることが可能となり、消費電力が一層小さくなる。
する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー
表示装置によれば、垂直共振器型面発光レーザ素子に含
まれる半導体多層膜反射鏡によって垂直共振器型面発光
レーザ素子の製作が容易になるとともに発光効率を高め
ることが可能となり、消費電力が一層小さくなる。
【００１３】本発明のうち請求項５記載の単一色発光ス
ペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用い
た薄型カラー表示装置は、前記垂直共振器型面発光レー
ザ素子の出射端面に対向する基板を設け、この基板の、
前記垂直共振器型面発光レーザ素子の出射端面に対向す
る表面上に、前記蛍光体を設けたことを特徴とするもの
である。
ペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用い
た薄型カラー表示装置は、前記垂直共振器型面発光レー
ザ素子の出射端面に対向する基板を設け、この基板の、
前記垂直共振器型面発光レーザ素子の出射端面に対向す
る表面上に、前記蛍光体を設けたことを特徴とするもの
である。
【００１４】請求項５記載の単一色発光スペクトルを有
する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー
表示装置によれば、垂直共振器型面発光レーザ素子の出
射端面に対向する基板を設け、この基板の、垂直共振器
型面発光レーザ素子の出射端面に対向する表面上に、蛍
光体を設ける。このような構成により、装置の薄型を更
に容易に実現することができる。
する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー
表示装置によれば、垂直共振器型面発光レーザ素子の出
射端面に対向する基板を設け、この基板の、垂直共振器
型面発光レーザ素子の出射端面に対向する表面上に、蛍
光体を設ける。このような構成により、装置の薄型を更
に容易に実現することができる。
【００１５】本発明のうち請求項６記載の単一色発光ス
ペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用い
た薄型カラー表示装置は、前記蛍光体の各々を、それに
対応する前記垂直共振器型面発光レーザ素子の出射端面
上にそれぞれ設けたことを特徴とするものである。
ペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用い
た薄型カラー表示装置は、前記蛍光体の各々を、それに
対応する前記垂直共振器型面発光レーザ素子の出射端面
上にそれぞれ設けたことを特徴とするものである。
【００１６】請求項６記載の単一色発光スペクトルを有
する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー
表示装置によれば、蛍光体の各々を、それに対応する垂
直共振器型面発光レーザ素子の出射端面上にそれぞれ設
ける。このような構成により、装置の薄型を一層容易に
実現することができる。
する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー
表示装置によれば、蛍光体の各々を、それに対応する垂
直共振器型面発光レーザ素子の出射端面上にそれぞれ設
ける。このような構成により、装置の薄型を一層容易に
実現することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明による単一色発光スペクト
ルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型
カラー表示装置を、図面を参照して詳細に説明する。な
お、図面中、同一部材には同一番号を付すものとする。
図１は、本発明による単一色発光スペクトルを有する垂
直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー表示装
置の第１の実施の形態の構成の概念図である。図１にお
いて、基板１上に、行列配置された、紫外領域の単一色
発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子
２〜５等を形成し、これら垂直共振器型面発光レーザ素
子２〜５等の出射端面に対向する基板６上に、これら垂
直共振器型面発光レーザ素子２〜５等に対応して行列配
置された発光体７〜２２を形成する。これら垂直共振器
型面発光レーザ素子２〜５等の行方向及び列方向の間隔
並びに発光体７〜２２の行方向及び列方向の間隔をそれ
ぞれ、装置の大きさ及び解像度に応じて数μｍから数百
μｍ程度に選択する。
ルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型
カラー表示装置を、図面を参照して詳細に説明する。な
お、図面中、同一部材には同一番号を付すものとする。
図１は、本発明による単一色発光スペクトルを有する垂
直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー表示装
置の第１の実施の形態の構成の概念図である。図１にお
いて、基板１上に、行列配置された、紫外領域の単一色
発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子
２〜５等を形成し、これら垂直共振器型面発光レーザ素
子２〜５等の出射端面に対向する基板６上に、これら垂
直共振器型面発光レーザ素子２〜５等に対応して行列配
置された発光体７〜２２を形成する。これら垂直共振器
型面発光レーザ素子２〜５等の行方向及び列方向の間隔
並びに発光体７〜２２の行方向及び列方向の間隔をそれ
ぞれ、装置の大きさ及び解像度に応じて数μｍから数百
μｍ程度に選択する。
【００１８】本実施の形態の場合、蛍光体７，１０，１
３，１６，１９及び２２を赤色の蛍光体とし、蛍光体
８，１１，１４，１７及び２０を緑色の蛍光体とし、蛍
光体９，１２，１５，１８及び２１を青色の蛍光体とす
る。これら蛍光体７〜２２はそれぞれ、対応する垂直共
振器型面発光レーザ素子２〜５等から出射される紫外光
によって励起されて、赤色、緑色及び青色の可視光を発
生させる。このように赤色、緑色又は青色の蛍光体７〜
２２を行方向及び列方向に微小間隔で配置することによ
り、光の三原色を微小間隔で発生させることが可能にな
り、カラー表示が可能となる。
３，１６，１９及び２２を赤色の蛍光体とし、蛍光体
８，１１，１４，１７及び２０を緑色の蛍光体とし、蛍
光体９，１２，１５，１８及び２１を青色の蛍光体とす
る。これら蛍光体７〜２２はそれぞれ、対応する垂直共
振器型面発光レーザ素子２〜５等から出射される紫外光
によって励起されて、赤色、緑色及び青色の可視光を発
生させる。このように赤色、緑色又は青色の蛍光体７〜
２２を行方向及び列方向に微小間隔で配置することによ
り、光の三原色を微小間隔で発生させることが可能にな
り、カラー表示が可能となる。
【００１９】ここで用いる紫外光の垂直共振器型発光レ
ーザ素子２〜５等、すなわち発光素子の材料としては、
アルミニウム窒素・インジウム窒素・ガリウム窒素の化
合物半導体及びそれらの混晶を用いることができ、実際
には、高輝度な面発光ダイオードが用いられ、これは青
色半導体レーザとしても実現できることが報告されてい
る。
ーザ素子２〜５等、すなわち発光素子の材料としては、
アルミニウム窒素・インジウム窒素・ガリウム窒素の化
合物半導体及びそれらの混晶を用いることができ、実際
には、高輝度な面発光ダイオードが用いられ、これは青
色半導体レーザとしても実現できることが報告されてい
る。
【００２０】本発明に用いられるレーザ光源としての垂
直共振器型発光レーザ素子としては、単色のものを製作
すればよい。単色の垂直共振器型発光レーザ素子を多数
配置することは、通常の半導体製造プロセスによって実
現可能であり、２次元アレイ状の垂直共振器型面発光半
導体レーザとして既に実現されている。また、既に開発
されているフルカラー装置のＣＲＴ，ＰＤＰ，ＦＥＤ等
では蛍光体を用いて各素子の色を相違させており、ＬＣ
Ｄでは色フィルタを用いて各素子の色を相違させている
が、これらは、印刷技術を応用して容易に相違する色を
微小間隔で隣接させる技術が実用化されている。本実施
の形態で用いる蛍光体７〜２２もこれと同様な方式で製
作する。
直共振器型発光レーザ素子としては、単色のものを製作
すればよい。単色の垂直共振器型発光レーザ素子を多数
配置することは、通常の半導体製造プロセスによって実
現可能であり、２次元アレイ状の垂直共振器型面発光半
導体レーザとして既に実現されている。また、既に開発
されているフルカラー装置のＣＲＴ，ＰＤＰ，ＦＥＤ等
では蛍光体を用いて各素子の色を相違させており、ＬＣ
Ｄでは色フィルタを用いて各素子の色を相違させている
が、これらは、印刷技術を応用して容易に相違する色を
微小間隔で隣接させる技術が実用化されている。本実施
の形態で用いる蛍光体７〜２２もこれと同様な方式で製
作する。
【００２１】図２は、本発明による単一色発光スペクト
ルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型
カラー表示装置の第１の実施の形態の一部の側面図であ
る。図２において、垂直共振器型レーザ素子２３は、図
１の垂直共振器型レーザ素子２〜５等のうちの一つに相
当し、蛍光体２４は、この垂直共振器型レーザ素子２３
に対応する、図１の赤色、緑色又は青色の蛍光体７〜２
２のうちの一つに相当する。
ルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型
カラー表示装置の第１の実施の形態の一部の側面図であ
る。図２において、垂直共振器型レーザ素子２３は、図
１の垂直共振器型レーザ素子２〜５等のうちの一つに相
当し、蛍光体２４は、この垂直共振器型レーザ素子２３
に対応する、図１の赤色、緑色又は青色の蛍光体７〜２
２のうちの一つに相当する。
【００２２】垂直共振器型レーザ素子２３は、２種類の
異なる屈折率を有する半導体材料を目的の発光波長の１
／４の膜厚で交互に積層したクラッド層２５ａ，２５ｂ
と、これらクラッド層２５ａ，２５ｂに挟まれた活性層
２６とから構成され、これらクラッド層２５ａ，２５ｂ
にそれぞれ電極２７，２８を接続する。これらクラッド
層２５ａ，２５ｂは、交互に積層した半導体材料の干渉
作用によって光を強く反射する半導体層膜反射鏡として
作用する。また、本実施の形態では、クラッド層２５ａ
をｐ形半導体材料で形成し、クラッド層２５ｂをｎ形半
導体材料で形成することにより、垂直共振器型レーザ素
子２３を半導体レーザダイオード構造にする。
異なる屈折率を有する半導体材料を目的の発光波長の１
／４の膜厚で交互に積層したクラッド層２５ａ，２５ｂ
と、これらクラッド層２５ａ，２５ｂに挟まれた活性層
２６とから構成され、これらクラッド層２５ａ，２５ｂ
にそれぞれ電極２７，２８を接続する。これらクラッド
層２５ａ，２５ｂは、交互に積層した半導体材料の干渉
作用によって光を強く反射する半導体層膜反射鏡として
作用する。また、本実施の形態では、クラッド層２５ａ
をｐ形半導体材料で形成し、クラッド層２５ｂをｎ形半
導体材料で形成することにより、垂直共振器型レーザ素
子２３を半導体レーザダイオード構造にする。
【００２３】また、垂直共振器型レーザ素子２３が紫外
光を出射するに際し、電極２７，２８のオンオフを制御
することによって、垂直共振器型レーザ素子２３が紫外
光を出射するか否かを制御するとともに、その光出力
は、垂直共振器型レーザ素子２３に注入される電流を制
御することによって制御される。
光を出射するに際し、電極２７，２８のオンオフを制御
することによって、垂直共振器型レーザ素子２３が紫外
光を出射するか否かを制御するとともに、その光出力
は、垂直共振器型レーザ素子２３に注入される電流を制
御することによって制御される。
【００２４】本実施の形態の動作を説明する。垂直共振
器型レーザ素子２３の出射端面から紫外光を出力させる
場合、クラッド層２５ａからクラッド層２５ｂに電流が
流れるように垂直共振器型レーザ素子２３に電圧を印加
することにより、活性層２６内で発生した自然放出光が
活性層内で増幅され、この自然光がクラッド層２５ａ，
２５ｂの反射鏡構造によって帰還されることによりレー
ザ光が得られる。この発光波長が紫外光となるために
は、活性層２６を、紫外光に相当する禁制帯幅を有する
半導体材料とする必要がある。反射鏡構造のクラッド層
２５ａ，２５ｂは、基板１に垂直な方向に活性層２６を
挟むので、紫外光は基板１に対して垂直に出射される。
器型レーザ素子２３の出射端面から紫外光を出力させる
場合、クラッド層２５ａからクラッド層２５ｂに電流が
流れるように垂直共振器型レーザ素子２３に電圧を印加
することにより、活性層２６内で発生した自然放出光が
活性層内で増幅され、この自然光がクラッド層２５ａ，
２５ｂの反射鏡構造によって帰還されることによりレー
ザ光が得られる。この発光波長が紫外光となるために
は、活性層２６を、紫外光に相当する禁制帯幅を有する
半導体材料とする必要がある。反射鏡構造のクラッド層
２５ａ，２５ｂは、基板１に垂直な方向に活性層２６を
挟むので、紫外光は基板１に対して垂直に出射される。
【００２５】レーザ発振した紫外光は、垂直共振器型レ
ーザ素子２３に対応する蛍光体２４に入射し吸収され
る。紫外光の励起光エネルギーは蛍光体固有の発光エネ
ルギーよりも大きいので、紫外光を吸収した蛍光体２４
は、その蛍光体特有の可視光（本実施の形態では、赤
色、緑色又は青色）で発光する。
ーザ素子２３に対応する蛍光体２４に入射し吸収され
る。紫外光の励起光エネルギーは蛍光体固有の発光エネ
ルギーよりも大きいので、紫外光を吸収した蛍光体２４
は、その蛍光体特有の可視光（本実施の形態では、赤
色、緑色又は青色）で発光する。
【００２６】基板１上の半導体レーザ素子としての垂直
共振器型レーザ素子２３の各々を、平面状で独立に制御
して発光させることにより、対応する蛍光体２４から独
立して蛍光体２４固有の色の可視光（すなわち、赤色、
緑色又は青色）が放出される。ある蛍光体に隣接する又
は近接する蛍光体の発光色を、その蛍光体の発光色とは
別の色の発光色の蛍光体とすることにより、様々な色を
持つ情報を表示することができる。
共振器型レーザ素子２３の各々を、平面状で独立に制御
して発光させることにより、対応する蛍光体２４から独
立して蛍光体２４固有の色の可視光（すなわち、赤色、
緑色又は青色）が放出される。ある蛍光体に隣接する又
は近接する蛍光体の発光色を、その蛍光体の発光色とは
別の色の発光色の蛍光体とすることにより、様々な色を
持つ情報を表示することができる。
【００２７】本実施の形態によれば、複数の、紫外領域
の単一色発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光レ
ーザ素子を、平面状に配置し、これら垂直共振器型面発
光レーザ素子を個別に制御して発光させることによりカ
ラー表示を行うことにより、垂直共振器型面発光レーザ
素子を平面状に配置するので、装置の薄型が容易とな
る。また、垂直共振器型面発光レーザ素子のような固体
素子を用いるために、真空を維持する必要がなくなる。
また、必要な駆動電圧を、垂直共振器型面発光レーザ素
子の発光エネルギー程度（１０Ｖ以下）まで低減するこ
とができるので、高電圧を必要とせず、消費電力が小さ
くなる。また、垂直共振器型面発光レーザ素子のような
自発光型素子を用いるので、照明装置を必要としなくな
る。また、垂直共振器型面発光レーザ素子を用いてカラ
ー表示装置を構成するので、反応速度が比較的早く、動
作可能温度範囲が広くなる。また、駆動中に素子が損傷
されるおそれが少ないので、長寿命化を図ることができ
る。単一色発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光
レーザ素子のみを配置するので、素子を微小間隔で平面
状に一括して製作することができ、高精細かつ高解像度
の平面型カラー表示装置を実現することができる。
の単一色発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光レ
ーザ素子を、平面状に配置し、これら垂直共振器型面発
光レーザ素子を個別に制御して発光させることによりカ
ラー表示を行うことにより、垂直共振器型面発光レーザ
素子を平面状に配置するので、装置の薄型が容易とな
る。また、垂直共振器型面発光レーザ素子のような固体
素子を用いるために、真空を維持する必要がなくなる。
また、必要な駆動電圧を、垂直共振器型面発光レーザ素
子の発光エネルギー程度（１０Ｖ以下）まで低減するこ
とができるので、高電圧を必要とせず、消費電力が小さ
くなる。また、垂直共振器型面発光レーザ素子のような
自発光型素子を用いるので、照明装置を必要としなくな
る。また、垂直共振器型面発光レーザ素子を用いてカラ
ー表示装置を構成するので、反応速度が比較的早く、動
作可能温度範囲が広くなる。また、駆動中に素子が損傷
されるおそれが少ないので、長寿命化を図ることができ
る。単一色発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光
レーザ素子のみを配置するので、素子を微小間隔で平面
状に一括して製作することができ、高精細かつ高解像度
の平面型カラー表示装置を実現することができる。
【００２８】また、垂直共振器型面発光レーザ素子に含
まれる半導体多層膜反射鏡によって垂直共振器型面発光
レーザ素子の光出力が増強されて、必要な駆動電圧が更
に低減され、消費電力が一層小さくなる。さらに、垂直
共振器型面発光レーザ素子の出射端面に対向する基板を
設け、この基板の、垂直共振器型面発光レーザ素子の出
射端面に対向する表面上に、蛍光体を設けることによ
り、装置の薄型を更に容易に実現することができる。
まれる半導体多層膜反射鏡によって垂直共振器型面発光
レーザ素子の光出力が増強されて、必要な駆動電圧が更
に低減され、消費電力が一層小さくなる。さらに、垂直
共振器型面発光レーザ素子の出射端面に対向する基板を
設け、この基板の、垂直共振器型面発光レーザ素子の出
射端面に対向する表面上に、蛍光体を設けることによ
り、装置の薄型を更に容易に実現することができる。
【００２９】さらに、同一又は近い発光波長で発進する
垂直発振器型面発光レーザ素子を平面状に形成するだけ
でよいので、別々の特性である、相違する発光色を発光
する半導体素子を一括製作するのが困難であるので、有
利なものとなる。現在、青色発光半導体レーザは既に開
発されており、その活性層材料を僅かに変更することに
よって紫外光半導体レーザも実現可能であると考えられ
ている。また、これを面発光レーザとしての実現も理論
的に可能であることも示されている。
垂直発振器型面発光レーザ素子を平面状に形成するだけ
でよいので、別々の特性である、相違する発光色を発光
する半導体素子を一括製作するのが困難であるので、有
利なものとなる。現在、青色発光半導体レーザは既に開
発されており、その活性層材料を僅かに変更することに
よって紫外光半導体レーザも実現可能であると考えられ
ている。また、これを面発光レーザとしての実現も理論
的に可能であることも示されている。
【００３０】ある発光体に隣接し又は近接する発光体の
発光する色をある発光体の発光する色とは相違させる技
術として、これまでに開発されたカラー表示装置と同一
の形成方法を適用することができ、新たな技術を必要と
しないので、有効である。
発光する色をある発光体の発光する色とは相違させる技
術として、これまでに開発されたカラー表示装置と同一
の形成方法を適用することができ、新たな技術を必要と
しないので、有効である。
【００３１】このような紫外光を発生させる垂直共振器
型面発光レーザ素子では、必要な駆動電圧を発光エネル
ギー程度まで低減することができると考えられ、既に報
告されている青色半導体レーザでも１０Ｖ以下の駆動電
圧が達成されているため、このような垂直共振器型面発
光レーザ素子では、プラズマ素子などに比べて低電圧駆
動が可能である。また、このような垂直共振器型面発光
レーザ素子は固体発光素子であるので、発光素子中に真
空領域を挟んだり、液晶のように液状の膜を挟むことも
ないので、カラー表示装置のシステムが高い信頼性で容
易に構成できる。
型面発光レーザ素子では、必要な駆動電圧を発光エネル
ギー程度まで低減することができると考えられ、既に報
告されている青色半導体レーザでも１０Ｖ以下の駆動電
圧が達成されているため、このような垂直共振器型面発
光レーザ素子では、プラズマ素子などに比べて低電圧駆
動が可能である。また、このような垂直共振器型面発光
レーザ素子は固体発光素子であるので、発光素子中に真
空領域を挟んだり、液晶のように液状の膜を挟むことも
ないので、カラー表示装置のシステムが高い信頼性で容
易に構成できる。
【００３２】このような垂直共振器型面発光レーザ素子
を光源として用いることの利点は、これまで実用されて
いる半導体発光素子であるＬＥＤや半導体レーザの特性
に見られるように、全固体素子であり、高速応答、高効
率発光、低電圧駆動、長寿命の自発光素子の薄型カラー
表示装置を可能とすることである。
を光源として用いることの利点は、これまで実用されて
いる半導体発光素子であるＬＥＤや半導体レーザの特性
に見られるように、全固体素子であり、高速応答、高効
率発光、低電圧駆動、長寿命の自発光素子の薄型カラー
表示装置を可能とすることである。
【００３３】さらに、本発明では、非常に低いしきい値
電流、極微細化、及び２次元アレイを一括製作可能な半
導体レーザである垂直共振器型面発光レーザ素子を光源
とすることにより、各垂直共振器型面発光レーザ素子か
ら出射されるレーザ光の出射角が狭いので、各レーザ光
がそれに隣接するレーザ光と重なり合うことによって生
じるいわゆる発光のにじみを除去する。また、単一色発
光スペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を
用いるので、相違する発光スペクトルが原因で生じるい
わゆるスペクトル上のにじみを除去する。さらに、発光
スペクトルの発光波長と蛍光体の吸収特性を整合させる
ことにより、一層高い発光効率を実現することができ
る。このように、本発明による単一色発光スペクトルを
有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラ
ー表示装置は、カラー表示装置に求められる多くの特性
を満足する。
電流、極微細化、及び２次元アレイを一括製作可能な半
導体レーザである垂直共振器型面発光レーザ素子を光源
とすることにより、各垂直共振器型面発光レーザ素子か
ら出射されるレーザ光の出射角が狭いので、各レーザ光
がそれに隣接するレーザ光と重なり合うことによって生
じるいわゆる発光のにじみを除去する。また、単一色発
光スペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を
用いるので、相違する発光スペクトルが原因で生じるい
わゆるスペクトル上のにじみを除去する。さらに、発光
スペクトルの発光波長と蛍光体の吸収特性を整合させる
ことにより、一層高い発光効率を実現することができ
る。このように、本発明による単一色発光スペクトルを
有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラ
ー表示装置は、カラー表示装置に求められる多くの特性
を満足する。
【００３４】本発明は、上記実施の形態に限定されるも
のではなく、幾多の変更及び変形が可能である。例え
ば、垂直共振器型面発光レーザ素子２〜５等の単一色発
光スペクトルを青色領域とし、蛍光体７〜２２の全てを
配置せず、蛍光体を配置しない箇所からはレーザ光をそ
のまま透過させ又は吸収のないように必要な拡散を行う
構造として青色光を外部に取り出し、蛍光体７〜２２を
配置した箇所からは赤色や緑色を発光させるように構成
することにより、フルカラー表示を可能にする。
のではなく、幾多の変更及び変形が可能である。例え
ば、垂直共振器型面発光レーザ素子２〜５等の単一色発
光スペクトルを青色領域とし、蛍光体７〜２２の全てを
配置せず、蛍光体を配置しない箇所からはレーザ光をそ
のまま透過させ又は吸収のないように必要な拡散を行う
構造として青色光を外部に取り出し、蛍光体７〜２２を
配置した箇所からは赤色や緑色を発光させるように構成
することにより、フルカラー表示を可能にする。
【００３５】また、図２及び３において、クラッド層２
５ａをｐ形半導体材料で形成し、クラッド層２５ｂをｎ
形半導体材料で形成したが、クラッド層２５ａをｎ形半
導体材料で形成し、クラッド層２５ｂをｐ形半導体材料
で形成することもできる。また、クラッド層２５ａ，２
５ｂは、交互に積層した半導体材料の干渉作用によって
光を強く反射する半導体層膜反射鏡として作用するよう
にしたが、クラッド層の外側に反射鏡を形成することも
できる。
５ａをｐ形半導体材料で形成し、クラッド層２５ｂをｎ
形半導体材料で形成したが、クラッド層２５ａをｎ形半
導体材料で形成し、クラッド層２５ｂをｐ形半導体材料
で形成することもできる。また、クラッド層２５ａ，２
５ｂは、交互に積層した半導体材料の干渉作用によって
光を強く反射する半導体層膜反射鏡として作用するよう
にしたが、クラッド層の外側に反射鏡を形成することも
できる。
【００３６】また、上記実施の形態では、フルカラー表
示を行う場合について説明したが、本発明を、単一色
（例えば、赤色、緑色、青色等）の表示を行うカラー表
示装置に適用することもできる。この場合、蛍光体を用
いずに、レーザ光をそのまま透過させ又は吸収のないよ
うに必要な拡散を行う構造として光を外部に取り出すよ
うにしてカラー表示を行うこともできる。
示を行う場合について説明したが、本発明を、単一色
（例えば、赤色、緑色、青色等）の表示を行うカラー表
示装置に適用することもできる。この場合、蛍光体を用
いずに、レーザ光をそのまま透過させ又は吸収のないよ
うに必要な拡散を行う構造として光を外部に取り出すよ
うにしてカラー表示を行うこともできる。
【図１】本発明による単一色発光スペクトルを有する垂
直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー表示装
置の第１の実施の形態の構成の概念図である。
直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー表示装
置の第１の実施の形態の構成の概念図である。
【図２】本発明による単一色発光スペクトルを有する垂
直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー表示装
置の第１の実施の形態の一部の側面図である。
直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー表示装
置の第１の実施の形態の一部の側面図である。
【図３】本発明による単一色発光スペクトルを有する垂
直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー表示装
置の第２の実施の形態の一部の側面図である。
直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー表示装
置の第２の実施の形態の一部の側面図である。
１，６ 基板 ２，３，４，５，２３ 垂直共振器型面発光レーザ素子 ７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４，１５，１
６，１７，１８，１９，２０，２１，２２，２４，２９
発光体 ２５ａ，２５ｂ クラッド層 ２６ 活性層 ２７，２８ 電極
６，１７，１８，１９，２０，２１，２２，２４，２９
発光体 ２５ａ，２５ｂ クラッド層 ２６ 活性層 ２７，２８ 電極
Claims (6)
- 【請求項１】 複数の、単一色発光スペクトルを有する
垂直共振器型面発光レーザ素子を、平面状に配置し、こ
れら垂直共振器型面発光レーザ素子を個別に制御して発
光させることによりカラー表示を行うようにしたことを
特徴とする単一色発光スペクトルを有する垂直共振器型
面発光レーザ素子を用いた薄型カラー表示装置。 - 【請求項２】 前記単一色発光スペクトルを紫外領域と
し、前記垂直共振器型面発光レーザ素子の各々に対する
任意の色の蛍光体を設け、各垂直共振器型面発光レーザ
素子から出射される紫外光によってそれに対応する蛍光
体を励起させて、可視光を発生させるようにしたことを
特徴とする請求項１記載の単一色発光スペクトルを有す
る垂直共振型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー表示
装置。 - 【請求項３】 前記単一色発光スペクトルを青色領域と
し、少なくとも一部の前記垂直共振器型面発光レーザ素
子から出射される青色光を可視光として表示に用い、青
色光を発生させるのに用いた前記垂直共振器型面発光レ
ーザ素子以外の前記垂直共振器型面発光レーザ素子の各
々に対する任意の色の蛍光体を設け、各垂直共振器型面
発光レーザ素子から出射される青色光によってそれに対
応する蛍光体を励起させて、青色光以外の可視光を発生
させるようにしたことを特徴とする請求項１記載の単一
色発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素
子を用いた薄型カラー表示装置。 - 【請求項４】 前記垂直共振器型面発光レーザ素子は、
半導体多層膜反射鏡を含むことを特徴とする請求項１か
ら３のうちのいずれかに記載の単一色発光スペクトルを
有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラ
ー表示装置。 - 【請求項５】 前記垂直共振器型面発光レーザ素子の出
射端面に対向する基板を設け、この基板の、前記垂直共
振器型面発光レーザ素子の出射端面に対向する表面上
に、前記蛍光体を設けたことを特徴とする請求項２から
４のうちのいずれかに記載の単一色発光スペクトルを有
する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー
表示装置。 - 【請求項６】 前記蛍光体の各々を、それに対応する前
記垂直共振器型面発光レーザ素子の出射端面上にそれぞ
れ設けたことを特徴とする請求項２から４のうちのいず
れかに記載の単一色発光スペクトルを有する垂直共振器
型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12524397A JPH10321943A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 単一色発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12524397A JPH10321943A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 単一色発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10321943A true JPH10321943A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=14905330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12524397A Pending JPH10321943A (ja) | 1997-05-15 | 1997-05-15 | 単一色発光スペクトルを有する垂直共振器型面発光レーザ素子を用いた薄型カラー表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10321943A (ja) |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002003480A1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Motorola, Inc. | Hybrid ic with accommodating layer |
| WO2003069686A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-08-21 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light emitting device and illuminating device using it |
| JP2004056045A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-02-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置及びそれを用いた照明装置 |
| US6855992B2 (en) | 2001-07-24 | 2005-02-15 | Motorola Inc. | Structure and method for fabricating configurable transistor devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same |
| US6885065B2 (en) | 2002-11-20 | 2005-04-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Ferromagnetic semiconductor structure and method for forming the same |
| US6916717B2 (en) | 2002-05-03 | 2005-07-12 | Motorola, Inc. | Method for growing a monocrystalline oxide layer and for fabricating a semiconductor device on a monocrystalline substrate |
| US6965128B2 (en) | 2003-02-03 | 2005-11-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor microresonator devices |
| US6992321B2 (en) | 2001-07-13 | 2006-01-31 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing piezoelectric materials |
| US7005717B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-02-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device and method |
| US7019332B2 (en) | 2001-07-20 | 2006-03-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Fabrication of a wavelength locker within a semiconductor structure |
| US7020374B2 (en) | 2003-02-03 | 2006-03-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Optical waveguide structure and method for fabricating the same |
| US7045815B2 (en) | 2001-04-02 | 2006-05-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor structure exhibiting reduced leakage current and method of fabricating same |
| US7067856B2 (en) | 2000-02-10 | 2006-06-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor structure, semiconductor device, communicating device, integrated circuit, and process for fabricating the same |
| US7105866B2 (en) | 2000-07-24 | 2006-09-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Heterojunction tunneling diodes and process for fabricating same |
| US7161227B2 (en) | 2001-08-14 | 2007-01-09 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices for detecting an object |
| US7169619B2 (en) | 2002-11-19 | 2007-01-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for fabricating semiconductor structures on vicinal substrates using a low temperature, low pressure, alkaline earth metal-rich process |
| US7211852B2 (en) | 2001-01-19 | 2007-05-01 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure and method for fabricating GaN devices utilizing the formation of a compliant substrate |
| US7342276B2 (en) | 2001-10-17 | 2008-03-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus utilizing monocrystalline insulator |
| JP2015191903A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | ウシオ電機株式会社 | 蛍光光源装置 |
-
1997
- 1997-05-15 JP JP12524397A patent/JPH10321943A/ja active Pending
Cited By (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7067856B2 (en) | 2000-02-10 | 2006-06-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor structure, semiconductor device, communicating device, integrated circuit, and process for fabricating the same |
| US7005717B2 (en) | 2000-05-31 | 2006-02-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device and method |
| US6410941B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-06-25 | Motorola, Inc. | Reconfigurable systems using hybrid integrated circuits with optical ports |
| WO2002003480A1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-01-10 | Motorola, Inc. | Hybrid ic with accommodating layer |
| US7105866B2 (en) | 2000-07-24 | 2006-09-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Heterojunction tunneling diodes and process for fabricating same |
| US7211852B2 (en) | 2001-01-19 | 2007-05-01 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure and method for fabricating GaN devices utilizing the formation of a compliant substrate |
| US7045815B2 (en) | 2001-04-02 | 2006-05-16 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor structure exhibiting reduced leakage current and method of fabricating same |
| US6992321B2 (en) | 2001-07-13 | 2006-01-31 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices utilizing piezoelectric materials |
| US7019332B2 (en) | 2001-07-20 | 2006-03-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Fabrication of a wavelength locker within a semiconductor structure |
| US6855992B2 (en) | 2001-07-24 | 2005-02-15 | Motorola Inc. | Structure and method for fabricating configurable transistor devices utilizing the formation of a compliant substrate for materials used to form the same |
| US7161227B2 (en) | 2001-08-14 | 2007-01-09 | Motorola, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor structures and devices for detecting an object |
| US7342276B2 (en) | 2001-10-17 | 2008-03-11 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method and apparatus utilizing monocrystalline insulator |
| WO2003069686A1 (en) * | 2002-02-15 | 2003-08-21 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light emitting device and illuminating device using it |
| US7357882B2 (en) | 2002-02-15 | 2008-04-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light emitting device and illuminator using the same |
| EP1942531A3 (en) * | 2002-02-15 | 2008-08-20 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light emitting device and illuminator using the same |
| EP2204859A3 (en) * | 2002-02-15 | 2010-10-27 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light emitting device and illuminator using the same |
| EP2204858A3 (en) * | 2002-02-15 | 2010-10-27 | Mitsubishi Chemical Corporation | Light emitting device and illuminator using the same |
| US6916717B2 (en) | 2002-05-03 | 2005-07-12 | Motorola, Inc. | Method for growing a monocrystalline oxide layer and for fabricating a semiconductor device on a monocrystalline substrate |
| JP2004056045A (ja) * | 2002-07-24 | 2004-02-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | 発光装置及びそれを用いた照明装置 |
| US7169619B2 (en) | 2002-11-19 | 2007-01-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for fabricating semiconductor structures on vicinal substrates using a low temperature, low pressure, alkaline earth metal-rich process |
| US6885065B2 (en) | 2002-11-20 | 2005-04-26 | Freescale Semiconductor, Inc. | Ferromagnetic semiconductor structure and method for forming the same |
| US7020374B2 (en) | 2003-02-03 | 2006-03-28 | Freescale Semiconductor, Inc. | Optical waveguide structure and method for fabricating the same |
| US6965128B2 (en) | 2003-02-03 | 2005-11-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Structure and method for fabricating semiconductor microresonator devices |
| JP2015191903A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | ウシオ電機株式会社 | 蛍光光源装置 |
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