JPH1032380A - Substrate heating method and substrate heating furnace - Google Patents

Substrate heating method and substrate heating furnace

Info

Publication number
JPH1032380A
JPH1032380A JP18642896A JP18642896A JPH1032380A JP H1032380 A JPH1032380 A JP H1032380A JP 18642896 A JP18642896 A JP 18642896A JP 18642896 A JP18642896 A JP 18642896A JP H1032380 A JPH1032380 A JP H1032380A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
heating
adsorption
plate
hot plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP18642896A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3096965B2 (en
Inventor
Kiyoshi Imaizumi
潔 今泉
Haruo Sankai
春夫 三階
Masayuki Saito
正行 齊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Techno Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Techno Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi Techno Engineering Co Ltd
Priority to JP08186428A priority Critical patent/JP3096965B2/en
Publication of JPH1032380A publication Critical patent/JPH1032380A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3096965B2 publication Critical patent/JP3096965B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3494Heating processes for reflow soldering

Landscapes

  • Tunnel Furnaces (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板面表面に塗布したペーストを均一に加熱
硬化でき、高品質な基板を製造することができるように
する。 【解決手段】 シール剤が塗布された基板12を炉内に
搬入して昇降ピン15に搭載し(図5(a))、ホット
プレート16の近くまで基板12を降下させ、加熱した
ホットプレート16で第1の予熱を行ない(図5
(b))、しかる後、第2の予熱で、基板12をホット
プレート16に真空吸着させて加熱する吸着(図5
(c))と、この真空吸着を停止する吸着解除(図5
(d))とを所定回数繰り返す。これにより、加熱によ
って生ずる熱ストレスによる基板12の反りがなくな
り、熱ストレスなしに、図5(c)に示すような基板1
2の全面がホットプレートに密着した状態が得られる。
そこで、基板12を吸着した状態で本加熱が行なわれ、
しかる後、冷却されて外部に搬出される。
(57) [Problem] To uniformly heat and cure a paste applied to a substrate surface, and to manufacture a high-quality substrate. SOLUTION: A substrate 12 coated with a sealant is carried into a furnace, mounted on elevating pins 15 (FIG. 5 (a)), the substrate 12 is lowered to a position near a hot plate 16, and the heated hot plate 16 is heated. Performs the first preheating in FIG.
(B)) Then, the substrate 12 is vacuum-adsorbed to the hot plate 16 and heated by the second preheating (FIG. 5).
(C)) and suction release for stopping the vacuum suction (FIG. 5).
(D)) is repeated a predetermined number of times. As a result, the warpage of the substrate 12 due to the thermal stress caused by the heating is eliminated, and the substrate 1 as shown in FIG.
A state is obtained in which the entire surface of 2 is in close contact with the hot plate.
Therefore, the main heating is performed in a state where the substrate 12 is adsorbed,
Thereafter, it is cooled and carried out.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、主に液晶ディスプ
レイ装置やプラズマディスプレイ装置などのディスプレ
イパネル用基板やプリント基板などの製造工程における
基板の加熱方法及び加熱炉に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for heating a substrate in a process of manufacturing a substrate for a display panel such as a liquid crystal display device or a plasma display device, or a printed circuit board.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近、液晶パネルは、軽量,薄形でかつ
低消費電力である特長を持つために、ディスプレイ用と
して広く使用されるようになってきた。かかる液晶パネ
ルの製造工程では、液晶パネル用のガラス基板上に塗布
されたシ−ル剤を加熱硬化させる手段として、従来、ガ
ラス基板をホットプレート上に載置して、所望の温度で
シ−ル剤の加熱を行なうホットプレ−ト式の加熱炉を使
用している。
2. Description of the Related Art Recently, liquid crystal panels have been widely used for displays because of their features of being lightweight, thin, and having low power consumption. In a process of manufacturing such a liquid crystal panel, as a means for heating and curing a sealant applied on a glass substrate for a liquid crystal panel, a glass substrate is conventionally placed on a hot plate and sealed at a desired temperature. A hot plate type heating furnace for heating the heating agent is used.

【0003】図8は特開平2−83230号公報に記載
されているかかる従来の基板加熱炉の一例の概略構造を
示す縦断面図、図9は図8の分断線E−Eに沿う断面図
であって、40は加熱炉の搬入部、41は炉体、42は
加熱炉の搬出部、43は基板搬送機構、44は炉体ケ−
ス、45はモ−タ、46はボ−ルネジ、47はナット、
48はリニアガイド、49は横移動機構、50はモ−
タ、51はボ−ルネジ、52はナット、53はリニアガ
イド、54はカム、55はガイド、56は縦移動機構、
57は基板移動板、58は架台フレーム、59は基板、
60a〜60cはホットプレ−ト(以下、特定のホット
プレートを表わすときには、符号の末尾に英小文字を付
けて60a,60b,60cといい、総称するときに
は、ホットプレート60という)、61は柱、62は排
気管である。
FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing a schematic structure of an example of such a conventional substrate heating furnace described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-83230, and FIG. 9 is a sectional view taken along the line EE in FIG. Numeral 40 is a loading section of the heating furnace, 41 is a furnace body, 42 is a loading section of the heating furnace, 43 is a substrate transfer mechanism, and 44 is a furnace body casing.
45, a motor, 46 a ball screw, 47 a nut,
48 is a linear guide, 49 is a lateral moving mechanism, and 50 is a motor.
51, a ball screw, 52, a nut, 53, a linear guide, 54, a cam, 55, a guide, 56, a vertical movement mechanism,
57 is a substrate moving plate, 58 is a gantry frame, 59 is a substrate,
Numerals 60a to 60c denote a hot plate (hereinafter, when a specific hot plate is represented, the characters are referred to as 60a, 60b, 60c with a lowercase letter added to the end of the code, and when collectively referred to as a hot plate 60), 61 is a pillar, 62 Is an exhaust pipe.

【0004】図8において、前工程でシール剤が塗布さ
れた基板59は、基板加熱炉内に搬入する前に、搬入部
40で保持される。炉体41の内部には、基板59を搭
載して加熱するためのホットプレ−ト60a〜60cが
設けられている。シール剤の加熱硬化処理が終了した基
板59は基板加熱炉の搬出部42に搬送され、ここから
次工程の装置に搬出される。
In FIG. 8, a substrate 59 to which a sealant has been applied in a previous step is held by a carry-in section 40 before being carried into a substrate heating furnace. Inside the furnace body 41, hot plates 60a to 60c for mounting and heating the substrate 59 are provided. The substrate 59 having undergone the heat curing treatment of the sealant is transported to the unloading section 42 of the substrate heating furnace, where it is unloaded to the next device.

【0005】炉体41内には、また、搬入部40から搬
出部42へ向って基板59を搬送する基板搬送機構43
がホットプレート60の下方に設けられており、これら
ホットプレート60と基板搬送機構43とが炉体ケ−ス
44で覆われている。この炉体ケ−ス44の天井部に
は、炉体ケ−ス44の内部で発生するガスを排出する排
気管62が設けられている。
In the furnace body 41, a substrate transport mechanism 43 for transporting a substrate 59 from the loading section 40 to the unloading section 42 is provided.
Are provided below the hot plate 60, and the hot plate 60 and the substrate transfer mechanism 43 are covered with a furnace case 44. An exhaust pipe 62 for exhausting gas generated inside the furnace case 44 is provided at the ceiling of the furnace case 44.

【0006】ホットプレート60は柱61で支えられて
おり、炉体ケ−ス44と柱61は装置下部の架台フレー
ム58に固定されている。基板搬送機構43は、モ−タ
45やボ−ルネジ46,ナット47,リニアガイド48
などからなる横移動機構49と、モ−タ50やボ−ルネ
ジ51,ナット52,リニアガイド53,カム54,ガ
イド55などからなる縦移動機構56と、炉体ケ−ス4
4を貫通して搬入部40から搬出部42にかけて延在す
る基板移動板57とで構成されている。
The hot plate 60 is supported by a column 61, and the furnace case 44 and the column 61 are fixed to a gantry frame 58 at the lower part of the apparatus. The substrate transport mechanism 43 includes a motor 45, a ball screw 46, a nut 47, and a linear guide 48.
A horizontal moving mechanism 49 comprising a motor 50, a ball screw 51, a nut 52, a linear guide 53, a cam 54, a guide 55, etc .;
4 and a substrate moving plate 57 extending from the carry-in portion 40 to the carry-out portion 42.

【0007】基板移動板57を駆動する横移動機構49
は、モ−タ45の回転をボ−ルネジ46とナット47に
より直線移動に変換し、リニアガイド48上で基板移動
板57を図8での左右方向に駆動する。この横移動機構
49が基板移動板57を駆動する距離は、ホットプレ−
ト60a〜60cの中心間距離に等しい。
A horizontal moving mechanism 49 for driving the substrate moving plate 57
Converts the rotation of the motor 45 into a linear movement by means of the ball screw 46 and the nut 47, and drives the substrate moving plate 57 on the linear guide 48 in the horizontal direction in FIG. The distance that the lateral moving mechanism 49 drives the substrate moving plate 57 is determined by the hot play.
G is equal to the center-to-center distance of the points 60a to 60c.

【0008】また、縦移動機構56は、モ−タ50の回
転をボ−ルネジ51とナット52により直線移動に変換
し、カム54をリニアガイド53上で駆動することによ
り、カム54上にあるガイド55を上下に駆動し、これ
によって基板移動板57を図8での上下方向に駆動す
る。
The vertical movement mechanism 56 converts the rotation of the motor 50 into a linear movement by means of the ball screw 51 and the nut 52, and drives the cam 54 on the linear guide 53, so that it is on the cam 54. The guide 55 is driven up and down, whereby the substrate moving plate 57 is driven up and down in FIG.

【0009】これらモータ45,50は夫々エンコーダ
を内蔵し、さらに、図示しない制御器と接続されてお
り、一定方向に一定量回転すると、信号をこの制御器に
送る。制御器は、この信号に応じて、モータ45,50
の停止,正転及び逆転などを制御する。
The motors 45 and 50 each have a built-in encoder and are connected to a controller (not shown). When the motors 45 and 50 rotate in a predetermined direction by a predetermined amount, a signal is sent to the controller. The controller responds to this signal to control the motors 45, 50.
Stop, forward rotation, reverse rotation, etc.

【0010】基板59に塗布されたシール剤は、硬化が
急速に進行して物性が変化する特有の臨界温度を有して
おり、この臨界温度を越えると、急速に硬化する。従っ
て、臨界温度を越えて加熱するときの温度と時間が基板
59全面で一様でないと、シール剤の硬化にむらが生
じ、硬さや接着性などの特性が不均一となって基板59
の品質が低下する。
The sealant applied to the substrate 59 has a specific critical temperature at which the curing progresses rapidly and the physical properties change. When the critical temperature is exceeded, the sealant rapidly cures. Therefore, if the temperature and time for heating beyond the critical temperature are not uniform over the entire surface of the substrate 59, the curing of the sealant will be uneven, and properties such as hardness and adhesiveness will be non-uniform, and the substrate 59 will not be uniform.
The quality will be reduced.

【0011】さらに、基板59を急激に加熱すると、基
板59の温度が上昇して安定化するまで基板59面上の
温度差が大きくなり、これがシール剤の特性むらの原因
となるし、さらに熱応力が大きくなって破損することも
ある。このため、一旦シール剤が硬化しにくい臨界温度
以下の温度で基板59を予熱している。そこで、一般
に、ホットプレート60の温度は、この予熱ができるよ
うにするため、搬入部40側からホットプレート60の
配列順に段階的に高くするようにすることが行なわれて
いる。
Further, when the substrate 59 is rapidly heated, the temperature difference on the surface of the substrate 59 increases until the temperature of the substrate 59 rises and stabilizes, which causes unevenness in the properties of the sealant. In some cases, the stress may be increased to cause breakage. Therefore, the substrate 59 is once preheated at a temperature lower than the critical temperature at which the sealant is hardly cured. Therefore, in general, the temperature of the hot plate 60 is increased step by step in the arrangement order of the hot plates 60 from the loading unit 40 side in order to enable the preheating.

【0012】従来、必要な加熱を行なうための温度や時
間などを確保し、製造ラインの要求する間隔で基板59
を供給するために、ホットプレート60の温度と数量
を、予熱を行なう部分については、搬入側から順に段階
的に高くする温度と基板59を搬送する間隔によって定
まる保持時間などの条件でもって、また、臨界温度以上
の所望する温度で加熱する部分については、保持する温
度と基板59を搬送する間隔により定まる保持時間など
の条件に応じて定めている。
Conventionally, the temperature, time, and the like for performing necessary heating are secured, and the substrate 59 is provided at intervals required by the production line.
In order to supply the hot plate 60, the temperature and quantity of the hot plate 60 are preliminarily increased in a stepwise manner from the loading side, under conditions such as a temperature and a holding time determined by an interval for transporting the substrate 59. The portion to be heated at a desired temperature equal to or higher than the critical temperature is determined according to conditions such as a holding time determined by a holding temperature and an interval at which the substrate 59 is transported.

【0013】図8及び図9に示す従来の基板加熱炉で
は、ホットプレート60a,60bが予熱を行なう部分
であって、温度は臨界温度より低い。また、ホットプレ
ート60cが臨界点以上の所望する温度で加熱(本加
熱)する部分であって、温度は臨界温度以上の所望する
同一温度に保持している。
In the conventional substrate heating furnace shown in FIGS. 8 and 9, the hot plates 60a and 60b are portions for performing preheating, and the temperature is lower than the critical temperature. Further, the hot plate 60c is a portion for heating (main heating) at a desired temperature above the critical point, and the temperature is maintained at the same desired temperature above the critical temperature.

【0014】次に、かかる構造の基板加熱炉の、基板5
9に塗布されたシール剤を加熱硬化するための動作を説
明する。
Next, the substrate 5 of the substrate heating furnace having such a structure is used.
The operation for heating and curing the sealant applied to 9 will be described.

【0015】まず、搬入部40に基板59が載置される
と、モータ50が回転してカム54を搬入部40側へ移
動させ、これとともにガイド55が上方に移動して基板
移動板57を持ち上げる。この過程で基板移動板57が
搬入部40に搭載されている基板59を乗せて上昇さ
せ、これにより、基板59は搬入部40から離れる。基
板移動板57が所定の高さまで持ち上がると、モータ5
0が停止してその高さに保持される。
First, when the substrate 59 is placed on the carry-in portion 40, the motor 50 rotates to move the cam 54 toward the carry-in portion 40, and at the same time, the guide 55 moves upward to move the substrate moving plate 57. lift. In this process, the substrate moving plate 57 puts the substrate 59 mounted on the loading unit 40 and raises the substrate 59, thereby separating the substrate 59 from the loading unit 40. When the substrate moving plate 57 is lifted to a predetermined height, the motor 5
0 stops and is held at that height.

【0016】次に、モータ45が回転して基板移動板5
7を搬出部42側に移動させる。そして、基板移動板5
7に載置されている基板59がホットプレート60aの
上方まで搬送されると、モータ45が停止する。かかる
状態で、モータ50が上記とは逆方向に回転し、カム5
4を搬出部42側へ移動させて基板移動板57をホット
プレート60の面より下げて停止する。これにより、基
板59はホットプレート60a上に搭載される。
Next, the motor 45 rotates and the substrate moving plate 5
7 is moved to the unloading section 42 side. Then, the substrate moving plate 5
When the substrate 59 placed on 7 is transported above the hot plate 60a, the motor 45 stops. In this state, the motor 50 rotates in the opposite direction to the above,
4 is moved to the unloading section 42 side, and the substrate moving plate 57 is lowered from the surface of the hot plate 60 and stopped. Thus, the substrate 59 is mounted on the hot plate 60a.

【0017】しかる後、モータ45が上記とは逆の方向
に回転し、これとともに、基板移動板57が搬入部40
側に移動する。そして、基板移動板57が元の位置に戻
ると、モータ45が停止して、1回の動作を終了する。
Thereafter, the motor 45 rotates in the direction opposite to the above, and at the same time, the substrate moving plate 57 is
Move to the side. Then, when the substrate moving plate 57 returns to the original position, the motor 45 stops, and one operation ends.

【0018】この1回目の動作が終了すると、予熱が行
なわれる所定時間経過後、再び基板移動板57が上記の
動作を繰り返し、基板59をホットプレート60aから
ホットプレート60bに移す2回目の動作が行なわれ、
次いで、3回目の動作で基板59がホットプレート60
bからホットプレート60cに移され、加熱処理終了後
の4回目の動作でホットプレート60cから搬出部42
に搬出される。
When the first operation is completed, after a lapse of a predetermined time during which preheating is performed, the substrate moving plate 57 repeats the above operation again, and the second operation of moving the substrate 59 from the hot plate 60a to the hot plate 60b is performed. Done
Next, in the third operation, the substrate 59 is placed on the hot plate 60.
b from the hot plate 60c to the hot plate 60c.
To be carried out.

【0019】[0019]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
加熱炉においては、以下のような問題がある。
However, the conventional heating furnace has the following problems.

【0020】基板59はその上面にシール剤が塗布され
ているので、搬送するときには、基板移動板57によっ
て下面が支えられる。このため、ホットプレート60
は、図9に示すように、基板59の基板移動板57で支
えられる部分以外の部分を搭載するように設けられてい
る。
Since the upper surface of the substrate 59 is coated with a sealant, the lower surface is supported by the substrate moving plate 57 during transport. Therefore, the hot plate 60
As shown in FIG. 9, is provided to mount a portion of the substrate 59 other than the portion supported by the substrate moving plate 57.

【0021】また、寸法の異なる基板59に対応させる
ために、基板59の送り方向の両側に基板59を支える
基板移動板57が移動可能に設けられており、このた
め、ホットプレート60は基板59の送り方向とは直角
な水平方向での幅寸法が制限され、基板59が大きくな
れば、基板59のホットプレート60上からはみ出す部
分の面積が大きくなる。しかるに、基板59のこのはみ
出した周縁端部の温度は上昇しにくく、さらに、基板5
9の移動中には、基板59を支える基板移動板57との
接触により基板移動板57に熱が奪われ、ホットプレー
ト60面から離れることで温度が低下する。炉体ケース
44は加熱温度が異なる複数のホットプレート60と基
板移動板57やその稼働部を収容しているため、その容
積及び全高は大きく、炉体ケース44内における大きな
温度差で炉体ケース44内全体で対流が生じる。この対
流は基板移動板57の上下左右の動きで乱れを生じ易
く、それによってホットプレート60間を移動する基板
59の表面温度が一定せず、シール剤の硬化が不均一と
なる。
In order to accommodate substrates 59 having different dimensions, substrate moving plates 57 supporting the substrates 59 are provided movably on both sides of the substrate 59 in the feed direction. The width of the substrate 59 in the horizontal direction perpendicular to the feed direction is limited, and as the size of the substrate 59 increases, the area of the portion of the substrate 59 protruding from above the hot plate 60 increases. However, the temperature of the protruding peripheral edge of the substrate 59 is unlikely to rise, and
During the movement of 9, heat is taken by substrate moving plate 57 due to contact with substrate moving plate 57 supporting substrate 59, and the temperature is lowered by moving away from hot plate 60 surface. Since the furnace body case 44 accommodates a plurality of hot plates 60, substrate moving plates 57, and operating parts thereof having different heating temperatures, the furnace body case 44 has a large volume and a large height. Convection occurs throughout 44. The convection is likely to be disturbed by the vertical and horizontal movements of the substrate moving plate 57, whereby the surface temperature of the substrate 59 moving between the hot plates 60 is not constant, and the curing of the sealant becomes uneven.

【0022】さらに、基板59がホットプレート60間
の移動を繰り返すことにより、基板59と基板移動板5
7及びホットプレート60との接触回数が多くなるた
め、発塵量が多くなる。そして、ホットプレート60間
の移動時間を、基板59の温度低下を防止するため、短
時間とすることが望ましいが、このために基板59をホ
ットプレート60間で高速度で移動させるようにする
と、炉体41内部の気流が大きく乱れて塵埃が舞い上が
り、一層清浄度が低下する。また、基板移動板57の駆
動部がホットプレート60と同じ炉体ケース44の内部
にあり、さらに対流により外気が進入するので、清浄度
が低下する。以上のことからして、基板59に塵埃が付
着することにより、その品質が低下する。
Further, by repeatedly moving the substrate 59 between the hot plates 60, the substrate 59 and the substrate moving plate 5 are moved.
Since the number of times of contact with the hot plate 7 and the hot plate 60 increases, the amount of dust generated increases. It is desirable that the moving time between the hot plates 60 be short in order to prevent the temperature of the substrate 59 from lowering. However, when the substrate 59 is moved between the hot plates 60 at a high speed, The air flow inside the furnace body 41 is greatly disturbed, and the dust rises, further reducing the cleanliness. In addition, since the driving unit of the substrate moving plate 57 is located inside the furnace case 44, which is the same as the hot plate 60, and the outside air enters by convection, the cleanliness is reduced. From the above, the quality of the substrate 59 is reduced due to the adhesion of the dust to the substrate 59.

【0023】さらに、所望の加熱時間を与えてシール剤
を加熱硬化した後の基板59を基板加熱炉に接続される
下流の装置に供給する量を確保するためには、炉体41
が長くなって大きな据付け面積が必要となり、特に、基
板59の製造装置はクリ−ンル−ムに設置することが多
いので、設置面積が問題となる。
Further, in order to ensure the supply of the substrate 59 after the sealing agent is heated and cured by giving a desired heating time to a downstream device connected to the substrate heating furnace, the furnace body 41 is required.
Becomes large, and a large installation area is required. In particular, since the manufacturing apparatus for the substrate 59 is often installed on a clean room, the installation area becomes a problem.

【0024】特に、基板移動板57でホットプレート6
0に基板59を搭載したとき、基板59は下面が加熱さ
れるため、この下面と上面との温度差によって基板59
に反りが生ずることがある。下面から上面への伝熱速度
が遅かったり、これら2つの面の間での温度差が大き
く、この温度差が縮まらなかったりすると、基板59は
反ったままとなり、加熱される部分と加熱されない部分
とが生じ、均一な加熱ができなくなる。そのまま次のよ
り高温なホットプレート60に移されると、不均一な加
熱は一層拡大し、所望の加熱がなされないまま基板59
が搬出されかねない。
In particular, the hot plate 6 is
When the substrate 59 is mounted on the substrate 59, the lower surface of the substrate 59 is heated.
May be warped. If the heat transfer rate from the lower surface to the upper surface is slow, or if the temperature difference between these two surfaces is large and this temperature difference does not shrink, the substrate 59 remains warped, and the heated and unheated portions And uniform heating cannot be performed. When transferred to the next hotter hot plate 60 as it is, the non-uniform heating is further magnified and the substrate 59 is left without the desired heating.
Could be carried out.

【0025】同様な問題は、他のディスプレイパネル用
基板やプリント基板における導電ペーストなどの焼成で
も見受けられる。
A similar problem can be found in firing of a conductive paste or the like on another display panel substrate or printed circuit board.

【0026】本発明の目的は、かかる問題を解消し、基
板を均一に加熱することができて、高品質な基板を製造
することができるようにした基板加熱方法を提供するこ
とにある。
An object of the present invention is to provide a substrate heating method capable of solving such a problem, uniformly heating the substrate, and manufacturing a high quality substrate.

【0027】本発明の他の目的は、基板を均一に加熱す
ることができて、高品質な基板を製造することができる
ようにした設置面積の小さな基板加熱炉を提供すること
にある。
It is another object of the present invention to provide a substrate heating furnace having a small installation area, which can uniformly heat the substrate and can produce a high-quality substrate.

【0028】[0028]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明による基板加熱方法は、加熱板上に基板を搭
載し、該加熱板への該基板の吸着と吸着解除とを繰り返
しながら基板の加熱を行なう。そして、かかる基板の吸
着と吸着解除との繰返しは、基板を継続して該加熱板に
吸着して本加熱を行なう前の予熱段階に行なうものであ
る。
In order to achieve the above object, a method of heating a substrate according to the present invention comprises mounting a substrate on a heating plate and repeating adsorption and release of the substrate to and from the heating plate. The substrate is heated. The repetition of the suction of the substrate and the release of the suction are performed in a preheating stage before the substrate is continuously suctioned to the heating plate and the main heating is performed.

【0029】かかる基板加熱方法によると、加熱板への
基板の吸着と吸着解除との繰返しを行なって加熱する
と、吸着中に基板内部に熱ストレスが生じ、吸着の解除
で基板が反ることになる。しかし、沿って加熱板から離
れた部分は、その吸着解除中、加熱板からの熱の供給が
減少して、熱伝導により上下面での温度差がなくなり、
その反りも次第に消えていく。そして、再び基板が加熱
板に吸着されると、基板内部にストレスが生ずるが、先
の熱伝導で上面側の温度が高くなっているので、再び吸
着解除したときの基板の反りは前回の吸着解除時の反り
の度合いよりも小さくなっている。
According to this substrate heating method, when the substrate is heated by repeating the adsorption of the substrate to the heating plate and the release of the adsorption, thermal stress is generated inside the substrate during the adsorption, and the substrate is warped by the release of the adsorption. Become. However, along the part away from the heating plate, the supply of heat from the heating plate decreases during the adsorption release, and the temperature difference between the upper and lower surfaces disappears due to heat conduction,
The warpage gradually disappears. When the substrate is again attracted to the heating plate, stress is generated inside the substrate. However, since the temperature on the upper surface side has increased due to the previous heat conduction, the warpage of the substrate when the adsorption is released again is the same as the previous adsorption. It is smaller than the degree of warpage at the time of release.

【0030】従って、基板の加熱板への吸着と吸着解除
とを繰り返すことにより、次第に基板の反りは小さくな
っていって、遂には、ほとんど基板の反りがなくなる。
このため、本加熱の段階では、加熱板への吸着を継続し
て加熱しても、熱ストレスがほとんど生じないで基板を
加熱させることができ、均一に加熱された反りのない基
板が得られることになる。
Therefore, by repeating the adsorption of the substrate to the heating plate and the release of the adsorption, the warpage of the substrate is gradually reduced, and finally, the warpage of the substrate is almost eliminated.
For this reason, in the main heating stage, even if the adsorption to the heating plate is continued, the substrate can be heated with almost no thermal stress, and a uniformly heated, warped substrate can be obtained. Will be.

【0031】また、本発明による基板加熱炉は、加熱板
を貫通する複数の小孔と、該小孔を貫通する複数の小径
の棒形状で該加熱板より上方に突出可能に設けた基板保
持手段と、該基板保持手段を昇降させる昇降手段と、該
基板を該加熱板に吸着させる吸着手段と、該加熱板より
上方に突出する該基板保持手段の高さを制御して予熱,
本加熱,冷却の各温度に温度制御する手段と、該加熱板
と該基板保持手段を包含して外気と遮り基板の出し入れ
を行なうための開口部を有する容器と、該基板保持手段
の高さ制御で加熱板上に搭載された基板に対し該加熱板
への吸着と吸着解除とを繰り返してから吸着を継続させ
て本加熱を行なわせる手段とを備える。
Further, the substrate heating furnace according to the present invention has a plurality of small holes penetrating the heating plate, and a plurality of small-diameter rods penetrating the small holes, and a substrate holding member provided so as to protrude above the heating plate. Means, elevating means for elevating and lowering the substrate holding means, adsorbing means for adsorbing the substrate to the heating plate, and controlling the height of the substrate holding means protruding above the heating plate to control preheating,
Means for controlling the temperature to each of the main heating and cooling temperatures, a container including the heating plate and the substrate holding means and having an opening for taking in and out of the shielding substrate and the outside, and a height of the substrate holding means Means for controlling the substrate mounted on the heating plate under control to repeat the adsorption to the heating plate and release the adsorption, and then continue the adsorption to perform the main heating.

【0032】かかる基板加熱炉によると、基板保持手段
を複数の小径の棒形状として加熱板内を貫通して設けて
いるので、加熱板の面積を広くすることができ、基板面
を全て加熱面に密着させることができて、熱伝導によ
り、基板の上下面を全て均等に加熱することができる。
According to such a substrate heating furnace, the substrate holding means is provided as a plurality of small-diameter rods penetrating through the inside of the heating plate, so that the area of the heating plate can be increased, and the entire substrate surface can be heated. And the upper and lower surfaces of the substrate can be uniformly heated by heat conduction.

【0033】そして、1個の加熱板での基板の上下だけ
で、予熱,本加熱,冷却を行なうことができるので、容
器の容積や容器内の全高さを押えることができ、装置の
小型化を図ることができるし、容器内の温度は均一化し
て温度差がなくなり、対流の発生は少なく加熱温度は安
定する。
Since preheating, main heating and cooling can be performed only by raising and lowering the substrate with one heating plate, the volume of the container and the total height in the container can be suppressed, and the apparatus can be downsized. In addition, the temperature in the container is made uniform, the temperature difference is eliminated, and convection is less generated, and the heating temperature is stabilized.

【0034】基板保持手段は基板との接触面積がわずか
であるので、摩擦による発塵は少なく、加熱板への基板
の搭載は、加熱板に近付けた予熱位置から搭載すること
により、搭載時の加熱板周囲の気流の乱れは少なくで
き、また、容器内の対流を抑えているので、塵埃を舞い
上げることがなく、清浄度の低下を防止できる。
Since the substrate holding means has a small contact area with the substrate, the generation of dust due to friction is small, and the mounting of the substrate on the heating plate is performed by mounting the substrate from a preheating position close to the heating plate. The turbulence of the airflow around the heating plate can be reduced, and the convection inside the container is suppressed, so that the dust is not sowed up and a decrease in cleanliness can be prevented.

【0035】さらに、加熱板に基板を搭載する際、加熱
板での基板の吸着と吸着解除とを繰り返するので、これ
によって基板の反りを解消することができ、基板を、破
損することなく、均一に加熱することができる。
Further, when the substrate is mounted on the heating plate, the substrate is repeatedly adsorbed and released from the heating plate, whereby the warpage of the substrate can be eliminated, and the substrate is not damaged. It can be heated uniformly.

【0036】[0036]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
より説明する。図1は本発明による基板加熱炉の一実施
形態の外観を示す正面図であって、1は架台フレーム、
2は炉体、3は制御部、4は仕切ベース板、5は支柱、
6は枠組、8は隔壁、9は開口部である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a front view showing an appearance of an embodiment of a substrate heating furnace according to the present invention, where 1 is a gantry frame,
2 is a furnace body, 3 is a control unit, 4 is a partition base plate, 5 is a support,
6 is a frame, 8 is a partition, and 9 is an opening.

【0037】図2は図1の分断線A−Aに沿う断面図で
あって、10は扉(点検扉)、11は昇降手段、12は
基板、13は排気管、14は搬送ロボットであり、図1
に対応する部分には同一符号を付けている。
FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA in FIG. 1, wherein 10 is a door (inspection door), 11 is a lifting means, 12 is a substrate, 13 is an exhaust pipe, and 14 is a transfer robot. , FIG.
Are assigned the same reference numerals.

【0038】図3は図1の分断線B−Bに沿う要部断面
図であって、15は昇降ピン、16はホットプレ−ト、
17は支柱、18は放熱防止カバー、19は位置ずれ防
止ピン、20は真空吸着孔、21は真空配管、22は加
熱用ヒ−タ、23は給気管、24は縦駆動板、25は横
枠であり、前出図面に対応する部分には同一符号を付け
ている。
FIG. 3 is a sectional view of a main part taken along the line BB of FIG. 1, wherein 15 is a lifting pin, 16 is a hot plate,
17 is a column, 18 is a heat dissipation prevention cover, 19 is a displacement prevention pin, 20 is a vacuum suction hole, 21 is a vacuum pipe, 22 is a heating heater, 23 is an air supply pipe, 24 is a vertical drive plate, and 25 is a horizontal drive plate. It is a frame, and portions corresponding to the above-mentioned drawings are denoted by the same reference numerals.

【0039】図4は図2の分断線C−Cに沿う要部断面
図であって、前出図面に対応する部分には同一符号を付
けている。
FIG. 4 is a cross-sectional view of a main part taken along the line CC of FIG. 2, and portions corresponding to the above-mentioned drawings are denoted by the same reference numerals.

【0040】図1及び図2において、この実施形態の基
板加熱炉は、脚部を有する架台フレーム1により床面に
設置されている。架台フレーム1は加熱を行なう炉体2
を収納する空間部分Iと、後述する基板12の保持手段
の昇降制御や加熱板(ホットプレート)への基板吸着制
御,温度制御などの加熱炉全体の制御手段となる制御部
3を収容する空間部分IIとの上下2段に分割されてい
る。
In FIGS. 1 and 2, the substrate heating furnace of this embodiment is installed on the floor by a gantry frame 1 having legs. The gantry frame 1 is a furnace body 2 for heating.
And a space for accommodating a controller 3 serving as control means for the entire heating furnace, such as raising and lowering control of holding means for the substrate 12, control of adsorption of the substrate to a heating plate (hot plate), and temperature control. It is divided into two upper and lower parts with the part II.

【0041】架台フレーム1の上部空間部分Iには、横
向きに配置される仕切ベース板4とこれを支えて縦向き
に配置される支柱5との組合せからなる枠組6が2組左
右方向に配置して設けられ、これらが横方向に配置され
ている。1つの枠組6では、この上部空間部分Iの天井
側の仕切ベース板4と底面側の仕切ベース板4とこれら
の間の仕切ベース板4とが互いに水平に配置され、これ
らが左右両側2ヵ所ずつで支柱5により支えられてい
る。この1つの枠組6で上下2つずつ空間ができて、夫
々に炉体2が設置される。従って、架台フレーム1の上
部空間部分Iには、上側に2台,下側に2台の計4台の
炉体2が設置される。
In the upper space portion I of the gantry frame 1, two frame sets 6 each composed of a combination of a partition base plate 4 arranged in a horizontal direction and a support 5 arranged vertically to support the partition base plate 4 are arranged in a horizontal direction. And these are arranged in the horizontal direction. In one frame 6, the partition base plate 4 on the ceiling side, the partition base plate 4 on the bottom side, and the partition base plate 4 between them in the upper space portion I are horizontally arranged with each other, and they are located at two locations on both the left and right sides. Each is supported by a support 5. In this one frame 6, two upper and lower spaces are formed, and the furnace body 2 is installed in each of them. Accordingly, in the upper space portion I of the gantry frame 1, two furnace bodies 2 are provided, two on the upper side and two on the lower side.

【0042】炉体2の加熱を行なう部分は容器状の隔壁
8で覆われ、この隔壁8の底部が仕切ベース板4に固定
されている。この隔壁8には、図2に示すように、基板
12の搬入搬出を行なうための開口部9が設けている。
また、隔壁8による容器の両側には、図2に示すよう
に、取り外し可能に点検扉10が設けられている。そし
て、隔壁8の片側の点検扉10は加熱炉の外面側となる
ので、点検扉10を外して炉体2の保守を行なうことが
できる。
The portion of the furnace body 2 to be heated is covered with a partition wall 8 in the shape of a container, and the bottom of the partition wall 8 is fixed to the partition base plate 4. As shown in FIG. 2, the partition 8 is provided with an opening 9 for carrying the substrate 12 in and out.
In addition, as shown in FIG. 2, detachable inspection doors 10 are provided on both sides of the container by the partition wall 8. Since the inspection door 10 on one side of the partition 8 is on the outer surface side of the heating furnace, the inspection door 10 can be removed and the furnace body 2 can be maintained.

【0043】なお、ここでは、基板12は液晶ディスプ
レイパネル用の基板であって、例えば、基板に別工程で
シール剤が塗布されているものである。
Here, the substrate 12 is a substrate for a liquid crystal display panel, for example, the substrate is coated with a sealant in a separate process.

【0044】各炉体2毎に昇降手段11が設けられて、
夫々仕切ベース板4に固定されている。昇降手段11は
内部に図示しない駆動モータ、ボールネジなどよりなる
往復運動機構を有しており、その動作は制御部3で制御
される。図3に示すように、昇降手段11には、この往
復運動機構によって上下方向に駆動される縦駆動板24
が接続され、この縦駆動板24は炉体2内に伸延してい
る。
An elevating means 11 is provided for each furnace body 2,
Each is fixed to the partition base plate 4. The elevating means 11 has a reciprocating mechanism including a drive motor, a ball screw, and the like (not shown), and its operation is controlled by the control unit 3. As shown in FIG. 3, a vertical drive plate 24 driven vertically by the reciprocating mechanism
The vertical drive plate 24 extends into the furnace body 2.

【0045】炉体2内では、図3及び図4に示すよう
に、縦駆動板24に複数の横枠25が接続されており、
横枠25の上面に昇降ピン15が接続されている。昇降
ピン15は小径の棒形状のものであり、基板12の保持
手段である。
In the furnace body 2, as shown in FIGS. 3 and 4, a plurality of horizontal frames 25 are connected to a vertical drive plate 24.
The lifting pins 15 are connected to the upper surface of the horizontal frame 25. The elevating pins 15 are rod-shaped with a small diameter, and are holding means for the substrate 12.

【0046】また、炉体2内には、基板12と接触して
これを加熱する加熱板としてのホットプレ−ト16が配
置され、このホットプレ−ト16は支柱17を介して仕
切ベース板4に固定されている。
Further, a hot plate 16 as a heating plate for contacting and heating the substrate 12 is disposed in the furnace body 2, and the hot plate 16 is connected to the partition base plate 4 via the support pillar 17. Fixed.

【0047】ホットプレ−ト16の外側には、放熱防止
カバー18が設けられている。放熱防止カバー18はス
テンレス鋼などの金属板からなり、ホットプレート16
から僅かに離れてそれを覆うようにしている。これによ
り、ホットプレート16と放熱防止カバー18との間に
空気層が形成され、この空気層によりホットプレート1
6の放熱量が抑えられて、ホットプレート16の温度の
安定化を図っている。ホットプレ−ト16と放熱防止カ
バー18には、これらを垂直方向に貫通する小孔が設け
られている。
Outside the hot plate 16, a heat radiation preventing cover 18 is provided. The heat radiation prevention cover 18 is made of a metal plate such as stainless steel.
Slightly away from it to cover it. As a result, an air layer is formed between the hot plate 16 and the heat dissipation prevention cover 18, and the air layer forms the hot plate 1.
6, the amount of heat radiation is suppressed, and the temperature of the hot plate 16 is stabilized. The hot plate 16 and the heat radiation preventing cover 18 are provided with small holes penetrating them vertically.

【0048】基板12は、ホットプレート16の上方で
複数個配設された昇降ピン15上に搭載される。昇降ピ
ン15は対象となる全ての基板12の形状に対応するよ
うに適宜な配置で設けられており、そのホットプレート
16面より突き出る夫々の長さが互いに等しくなるよう
にしている。また、隔壁8に設けた開口部9と昇降ピン
15の位置関係は、図2に示す搬送ロボット14によっ
て基板12が開口部9から水平に移動して炉体2内に搬
入されたとき、この基板12がそのまま昇降ピン15上
に搭載できるように設定されている。
The substrate 12 is mounted on a plurality of elevating pins 15 arranged above the hot plate 16. The elevating pins 15 are provided in an appropriate arrangement so as to correspond to the shapes of all the target substrates 12, and their lengths protruding from the hot plate 16 surface are made equal to each other. The positional relationship between the opening 9 provided in the partition 8 and the elevating pins 15 is such that when the substrate 12 is horizontally moved from the opening 9 and carried into the furnace body 2 by the transfer robot 14 shown in FIG. The board 12 is set so that it can be mounted on the elevating pins 15 as it is.

【0049】炉体2内の稼働部分は昇降手段11によっ
て昇降する縦駆動板24や昇降ピン15であり、昇降手
段11は炉体2の外側に配置され、開口部9から水平方
向に基板12が搬入されるので、炉体2内は縦駆動板2
4や昇降ピン15の駆動範囲と基板12の搬入に必要な
空間があればよく、これらによって隔壁8は全高が抑え
られている。
The operating parts in the furnace body 2 are a vertical drive plate 24 and a lifting pin 15 which are raised and lowered by the lifting means 11. The lifting means 11 is arranged outside the furnace body 2, and the substrate 12 extends horizontally from the opening 9. Is carried into the furnace body 2 so that the vertical drive plate 2
It is sufficient if there is a space required for driving the substrate 4 and the driving range of the lifting pins 15 and the space required for carrying in the substrate 12.

【0050】ホットプレート16の上面には、基板12
の位置ずれ防止ピン19と一定間隔で配置された複数個
の真空吸着孔20とが配置されている。位置ずれ防止ピ
ン19は、基板12の形状に応じてその固定位置を変更
できるように、ねじ止めなどで脱着可能にホットプレー
ト16に固定された棒状のものであって、基板12が搭
載される部分を周りから囲むように設けられたものであ
り、例えば、長方形の基板12に対してその四辺方向に
位置する。
On the upper surface of the hot plate 16, the substrate 12
And a plurality of vacuum suction holes 20 arranged at regular intervals. The displacement prevention pin 19 is a rod-shaped member that is detachably fixed to the hot plate 16 by screwing or the like so that the fixing position can be changed according to the shape of the substrate 12, and the substrate 12 is mounted thereon. The portion is provided so as to surround the portion from the periphery, and is positioned, for example, on the four sides of the rectangular substrate 12.

【0051】ホットプレ−ト16の内部には、加熱用の
ヒ−タ22と真空吸着孔20に連結された真空配管21
とが設けられており、さらに、真空配管21には、制御
部3によって駆動制御される図示しない真空ポンプが接
続されている。
Inside the hot plate 16, a heating heater 22 and a vacuum pipe 21 connected to the vacuum suction hole 20 are provided.
And a vacuum pump (not shown) that is driven and controlled by the control unit 3 is connected to the vacuum pipe 21.

【0052】また、炉体2の内側上部の開口部9側に
は、給気手段としての給気管23が設けられている。給
気管23は多数のノズルを開口部9と反対側の略水平方
向に向けて設けられたパイプ状のものであって、気体
(例えば、窒素ガス)をその内部に通してこれらノズル
から炉体2内に給気する。
An air supply pipe 23 as an air supply means is provided on the upper side of the opening 9 on the inner side of the furnace body 2. The air supply pipe 23 is a pipe-shaped pipe provided with a number of nozzles directed substantially in the horizontal direction on the side opposite to the opening 9, and allows gas (for example, nitrogen gas) to pass therethrough and pass through the furnace body from these nozzles. Air is supplied into 2.

【0053】また、隔壁8の開口部9に対向する側の面
には、炉体2内で発生する塵埃やシール剤の硬化処理に
より発生するガスを排気するための排気管13が設けら
れている。炉体2内の内圧を上げるために、給気管23
による窒素ガスの給気量より排気管13による排気量を
少なくしている。
An exhaust pipe 13 for exhausting dust generated in the furnace body 2 and gas generated by the curing treatment of the sealant is provided on the surface of the partition wall 8 facing the opening 9. I have. In order to increase the internal pressure in the furnace body 2, the air supply pipe 23
The amount of exhaust gas from the exhaust pipe 13 is smaller than the amount of nitrogen gas supplied by the exhaust gas.

【0054】外部から炉体2内への基板12の搬入及び
搬出には、図2に示すように、図示する形状の搬送ヘッ
ドを持ち、制御部3の制御によって炉体2内の昇降ピン
15と連動して動作する搬送ロボット14などが使用さ
れる。
As shown in FIG. 2, a transfer head having a shape shown in the figure is provided for loading and unloading the substrate 12 into and out of the furnace body 2 from outside. A transfer robot 14 or the like that operates in conjunction with the above is used.

【0055】次に、以上のような構成のこの実施形態の
動作を図5により説明する。なお、図5は、図4と同様
に、図2の分断線C−Cから開口部9側をみた図であ
る。
Next, the operation of this embodiment having the above configuration will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a view of the opening 9 side from the dividing line CC of FIG. 2 as in FIG.

【0056】始めに、図5(a)に示すように、基板1
2が、搬入ロボット14(図2)により、開口部9から
水平方向に炉体2内に搬入され、上昇している昇降ピン
15上に搭載される。このとき、ホットプレ−ト16
は、基板12に塗布されたシール剤が急速に硬化する臨
界温度を越える所望の温度に保持されている。ホットプ
レート16は隔壁8によって外気と遮断されているか
ら、その温度は安定しており、また、炉体2内は、ホッ
トプレート16の熱により、外気温よりも高温に保たれ
ている。
First, as shown in FIG.
2 is carried into the furnace body 2 from the opening 9 in the horizontal direction by the carrying-in robot 14 (FIG. 2), and is mounted on the ascending / descending elevating pins 15. At this time, hot plate 16
Is maintained at a desired temperature above the critical temperature at which the sealant applied to the substrate 12 rapidly cures. Since the hot plate 16 is isolated from the outside air by the partition wall 8, its temperature is stable, and the inside of the furnace body 2 is kept at a higher temperature than the outside air temperature by the heat of the hot plate 16.

【0057】給気管23は、常に、そのノズルから常温
の窒素ガスを開口部9とは反対側の方向に向けて略水平
に吹き出している。給気管23のノズルから供給する窒
素ガスは高清浄度のものであって、この窒素ガスの供給
により、炉体2内は高清浄度が維持されている。また、
排気管13(図2)は、常に、炉体2内の空気を排出
し、炉体2内で発生するわずかな塵埃やシール剤の加熱
によって発生するガスを排気している。
The air supply pipe 23 always blows out a nitrogen gas at room temperature substantially horizontally from its nozzle in a direction opposite to the opening 9. The nitrogen gas supplied from the nozzle of the air supply pipe 23 has a high degree of cleanliness, and the supply of this nitrogen gas maintains the inside of the furnace body 2 with a high degree of cleanliness. Also,
The exhaust pipe 13 (FIG. 2) constantly exhausts the air in the furnace body 2 and exhausts a small amount of dust generated in the furnace body 2 and a gas generated by heating the sealant.

【0058】基板12を炉体2内に搬入すると、この基
板12は、ホットプレ−ト16からの輻射や隔壁8の内
面の気温により、その表面温度が上昇する。このときの
基板12とホットプレート16との間隔は、ホットプレ
ート16の温度やシール剤などの条件に応じて異なる。
When the substrate 12 is carried into the furnace body 2, the surface temperature of the substrate 12 rises due to the radiation from the hot plate 16 and the temperature of the inner surface of the partition wall 8. At this time, the interval between the substrate 12 and the hot plate 16 differs depending on conditions such as the temperature of the hot plate 16 and a sealant.

【0059】次に、図5(b)に示すように、昇降手段
11(図3)によって昇降ピン15が下げられ、基板1
2をホットプレ−ト16に近づけて保持する。このとき
の基板12とホットプレート16との間隔は、所望する
予熱温度に応じて異なる。この状態で基板12をホット
プレ−ト16の輻射により加熱する。基板12の温度は
さらに上昇するが、この基板12はホットプレ−ト16
から離れているため、ホットプレ−ト16の表面温度ま
では上昇しない。従って、基板12とホットプレート1
6との距離を調整することにより、基板12の上下面を
所望温度に予熱することができる。
Next, as shown in FIG. 5B, the lifting pins 15 are lowered by the lifting means 11 (FIG. 3), and
2 is held close to the hot plate 16. At this time, the interval between the substrate 12 and the hot plate 16 differs depending on a desired preheating temperature. In this state, the substrate 12 is heated by the radiation of the hot plate 16. Although the temperature of the substrate 12 further rises, the substrate 12 has a hot plate 16
Therefore, the temperature does not rise to the surface temperature of the hot plate 16. Therefore, the substrate 12 and the hot plate 1
By adjusting the distance from the substrate 6, the upper and lower surfaces of the substrate 12 can be preheated to a desired temperature.

【0060】かかる状態での基板12の温度の立上りの
一例を示すと、図6での区間Iに示すようになる。
An example of the rise of the temperature of the substrate 12 in such a state is as shown in a section I in FIG.

【0061】基板12が所望の温度に達すると、昇降ピ
ン15をさらに降下させ、また、真空配管21に接続し
ている前述した真空ポンプを作動させ、真空吸着孔20
から吸気させる。
When the temperature of the substrate 12 reaches a desired temperature, the elevating pins 15 are further lowered, and the above-described vacuum pump connected to the vacuum pipe 21 is operated to operate the vacuum suction holes 20.
Inhale from.

【0062】そして、昇降ピン15をさらに降下させる
ことにより、図5(c)のように、基板12は位置ずれ
防止ピン19に囲まれて降下し、遂に、ホットプレ−ト
16上に載置される。すると、基板12は、真空吸着孔
20が作動していることにより、隙間が生じたり、加熱
中に位置ずれが生じないようにするために、ホットプレ
ート16に真空吸着して密着固定する。この場合、基板
12が持っている反りやホットプレート16,昇降ピン
15の工作精度などにより、基板12の全面がホットプ
レート16に同時に接触することはほとんどない。この
ために、基板12は先にホットプレート16に接触した
部分から真空吸着口20に引き寄せられて、正規の位置
からずれようとするが、この基板12配置ずれ防止ピン
19によって周りが囲まれているので、機械的にこの位
置からのずれが防止される。
Then, by further lowering the elevating pins 15, the substrate 12 is lowered by being surrounded by the displacement prevention pins 19 as shown in FIG. 5C, and is finally placed on the hot plate 16. You. Then, the substrate 12 is vacuum-adsorbed to the hot plate 16 and tightly fixed in order to prevent a gap or a positional shift from occurring during heating due to the operation of the vacuum suction hole 20. In this case, the entire surface of the substrate 12 hardly contacts the hot plate 16 at the same time due to the warpage of the substrate 12 and the working accuracy of the hot plate 16 and the elevating pins 15. For this reason, the substrate 12 is drawn to the vacuum suction port 20 from the portion that first comes in contact with the hot plate 16 and tends to shift from its normal position. Therefore, mechanical deviation from this position is prevented.

【0063】ホットプレート16に吸着された基板12
は、その下面が急激に加熱されることになるので、上下
面の温度差が大きく、内部に熱ストレスが生じて反ろう
とする。このため、吸着を継続すると、基板12に破損
が生じかねないので、一旦基板12の吸着を解除する。
これにより、基板12は開放されるので、図5(d)に
示すように、基板12は反ってしまう。しかし、この吸
着解除中では、ホットプレート16から直接熱が加わっ
ていないから、基板12の下面に受けた熱が上面に伝達
し、上下面の温度差が縮まって基板12の反りの度合い
が減少する。
The substrate 12 adsorbed on the hot plate 16
Since the lower surface thereof is rapidly heated, the temperature difference between the upper and lower surfaces is large, and thermal stress is generated inside and tends to warp. Therefore, if the suction is continued, the substrate 12 may be damaged, so the suction of the substrate 12 is temporarily released.
As a result, the substrate 12 is released, so that the substrate 12 warps as shown in FIG. However, since heat is not directly applied from the hot plate 16 during the release of the adsorption, the heat received on the lower surface of the substrate 12 is transmitted to the upper surface, and the temperature difference between the upper and lower surfaces is reduced, and the degree of warpage of the substrate 12 is reduced. I do.

【0064】このようにして基板12の反りの度合いが
充分小さくなってから、再び真空ポンプを作動させて基
板12の真空吸着を行なう。このとき、基板12は、反
りが充分小さくなっているので、ホットプレート16に
全面で吸着され、図5(c)に示す状態となる。この場
合、基板12の上下面の温度差は小さくなっているの
で、基板12内に発生する熱ストレスは先の場合よりも
小さく、再び吸着解除しても、先の場合よりも基板12
の反りの度合いが小さい。
After the degree of warpage of the substrate 12 has become sufficiently small in this way, the vacuum pump is again operated to perform vacuum suction on the substrate 12. At this time, the warpage of the substrate 12 is sufficiently small, so that the entire surface of the substrate 12 is adsorbed to the hot plate 16 and a state shown in FIG. In this case, since the temperature difference between the upper and lower surfaces of the substrate 12 is smaller, the thermal stress generated in the substrate 12 is smaller than in the previous case.
The degree of warpage is small.

【0065】以下、吸着と吸着解除とを繰り返すが、図
7に示すように、かかる吸着(ON)と吸着解除(OF
F)とを適宜回数繰り返すことにより、基板12の反り
の度合いを充分なくすことができる。
Hereinafter, the suction and the release of the suction are repeated. As shown in FIG. 7, the suction (ON) and the release of the suction (OF) are performed.
By repeating step F) as appropriate, the degree of warpage of the substrate 12 can be sufficiently reduced.

【0066】また、かかる繰返し期間が図6での区間 I
Iであり、反りが充分低減したところで、吸着を継続す
る期間、即ち、図6での区間 IIIに移行する。ここで、
図6における区間Iは第1の予熱期間、区間 IIは第2
の予熱期間、区間 IIIは本加熱期間である。
The repetition period corresponds to the interval I in FIG.
When the warpage is sufficiently reduced, the process proceeds to a period in which the suction is continued, that is, a section III in FIG. here,
In FIG. 6, section I is the first preheating period, and section II is the second preheating period.
Section III is the main heating period.

【0067】基板12の全面は、ホットプレート16に
密着することにより、熱伝導による加熱で一様な温度と
なる。これにより、基板12に塗布されたシール剤が均
質に加熱硬化される。
The entire surface of the substrate 12 is brought into close contact with the hot plate 16, so that a uniform temperature is obtained by heating by heat conduction. Thereby, the sealant applied to the substrate 12 is uniformly heated and cured.

【0068】基板12をホットプレ−ト16上で所望時
間保持した後、真空吸着孔20による吸着を停止し、昇
降ピン15を上昇させ、図5(a)に示すように、再び
基板12を昇降ピン15に搭載した位置まで戻して保持
する。このとき、基板12はホットプレート16から離
れ、次第に温度が低下する。
After holding the substrate 12 on the hot plate 16 for a desired time, the suction by the vacuum suction holes 20 is stopped, the lifting pins 15 are raised, and the substrate 12 is raised and lowered again as shown in FIG. Return to the position mounted on the pin 15 and hold it. At this time, the substrate 12 separates from the hot plate 16 and the temperature gradually decreases.

【0069】さらに、基板12がホットプレート16か
ら離れると、給気管23のノズルから吹き出す窒素ガス
が基板12の表面に吹き付けられ、これにより、基板1
2の冷却が促進する。窒素ガスによる冷却でもって、基
板12の予熱によるシール剤の硬化の進行を防止でき
る。この基板12の冷却期間が図6の区間 IV である。
Further, when the substrate 12 separates from the hot plate 16, nitrogen gas blown from the nozzle of the air supply pipe 23 is blown onto the surface of the substrate 12.
2 promotes cooling. The cooling by the nitrogen gas can prevent the hardening of the sealant due to the preheating of the substrate 12. The cooling period of the substrate 12 is a section IV in FIG.

【0070】基板12の温度が所望の値になって冷却が
完了すると、搬送ロボット14(図2)により、基板1
2は炉体2外に搬出され、基板12のシール剤の加熱硬
化処理が終了する。
When the temperature of the substrate 12 reaches a desired value and the cooling is completed, the transfer robot 14 (FIG. 2)
2 is carried out of the furnace body 2, and the heat curing of the sealant on the substrate 12 is completed.

【0071】図6において、区間 IIである第2の予熱
期間での基板12の吸着時間と吸着解除期間,吸着と吸
着解除の繰返し回数は、基板12の厚さ,強度,加熱温
度,熱伝導率,熱膨張率などに応じて任意に設定され
る。これらに対するデータは、図示しない入力装置から
制御部3に、図6に示すような所望の加熱プロフィール
となるように、事前に格納しておくことにより、自動制
御で以上の処理がなされる。
In FIG. 6, the adsorption time and adsorption release period of the substrate 12 and the number of repetitions of adsorption and adsorption release in the second preheating period, which is the section II, are based on the thickness, strength, heating temperature, and heat conduction of the substrate 12. It is set arbitrarily according to the rate, the coefficient of thermal expansion and the like. The data for these are stored in advance in the control unit 3 from an input device (not shown) so that a desired heating profile as shown in FIG. 6 is obtained, whereby the above processing is performed by automatic control.

【0072】以上のように、基板12をホットプレート
16から離れた位置で予熱すること及び基板12のホッ
トプレート16との吸着,吸着解除を繰り返すにより、
基板12を破損することなく、臨界温度以下の温度で予
熱し、反りを低減した上で基板12の本加熱を行ない、
基板12をホットプレート16に密着する時間を調整
し、加熱後にホットプレート16から離して臨界温度以
下の温度に冷却することにより、所望とするシール剤の
特性を得ることができる。
As described above, by preheating the substrate 12 at a position distant from the hot plate 16 and repeating adsorption and release of the substrate 12 to and from the hot plate 16,
Without damaging the substrate 12, preheating is performed at a temperature equal to or lower than the critical temperature, and after the warpage is reduced, the main heating of the substrate 12 is performed.
By adjusting the time for bringing the substrate 12 into close contact with the hot plate 16 and separating the substrate 12 from the hot plate 16 after heating and cooling the substrate 12 to a temperature equal to or lower than the critical temperature, desired characteristics of the sealant can be obtained.

【0073】また、基板12の表面温度が安定化して基
板12を一様な温度で加熱できるので、基板12に塗布
したシール剤を均一に加熱硬化することができ、高品質
の基板12を得ることができる。
Further, since the surface temperature of the substrate 12 is stabilized and the substrate 12 can be heated at a uniform temperature, the sealant applied to the substrate 12 can be uniformly heated and cured, and a high quality substrate 12 can be obtained. be able to.

【0074】炉体2の駆動部は昇降ピン15を昇降させ
る昇降手段11のみであるので、構造が簡素化し、炉体
2の駆動部の制御は昇降ピン15を上下移動させるだけ
のことであるので、制御が単純化する。搬送ロボット1
4は隔壁8の前面部に設けられた開口部9から基板12
を搬入し、昇降ピン15上に搭載し、加熱終了後に同じ
位置で昇降ピン15上にある基板12を搬出するので、
制御が容易である。
Since the driving unit of the furnace body 2 is only the elevating means 11 for raising and lowering the elevating pins 15, the structure is simplified, and the control of the driving unit of the furnace body 2 is only to move the elevating pins 15 up and down. So the control is simplified. Transfer robot 1
Reference numeral 4 denotes a substrate 12 through an opening 9 provided on the front surface of the partition 8.
Is loaded, mounted on the elevating pins 15, and the substrate 12 on the elevating pins 15 is unloaded at the same position after the heating is completed.
Easy to control.

【0075】炉体2内では、その下部にある縦駆動板2
4の昇降範囲に隔壁8を切り欠いた部分から低温の外気
が侵入し、ホットプレート16上に沿って移動し、開口
部9より流出する気流が発生するが、給気管23のノズ
ルを開口部9とは反対側の略水平方向に向けて設けたこ
とにより、開口部9へ向かう気流が打ち消される。
In the furnace body 2, a vertical drive plate 2
The low-temperature outside air enters from the part where the partition wall 8 is notched into the ascending / descending area of 4, and moves along the hot plate 16 to generate an airflow flowing out of the opening 9. However, the nozzle of the air supply pipe 23 is opened. By being provided in a substantially horizontal direction on the opposite side to 9, the airflow toward the opening 9 is canceled.

【0076】また、給気管23から供給される窒素ガス
によって炉体2内の内圧は僅かに上昇するので、隔壁8
外から侵入しようとする気流が打ち消される。隔壁8で
囲まれた容積を抑えることができるので、ホットプレー
ト16の周囲の空間は僅かであり、ホットプレートの1
6の熱で炉体2内の温度は均一化し易く、炉体2内の上
部と下部の温度差が小さくなり、対流の発生量を抑える
ことができる。対流は基板12の動きで乱されないの
で、ホットプレート16の加熱温度が均一化し、基板1
2に塗布したシール剤を均一に加熱硬化することができ
る。
Since the internal pressure in the furnace body 2 is slightly increased by the nitrogen gas supplied from the air supply pipe 23,
The airflow that tries to enter from outside is canceled out. Since the volume surrounded by the partition 8 can be suppressed, the space around the hot plate 16 is small,
With the heat of 6, the temperature inside the furnace body 2 is easily made uniform, the temperature difference between the upper part and the lower part inside the furnace body 2 becomes small, and the amount of convection generated can be suppressed. Since the convection is not disturbed by the movement of the substrate 12, the heating temperature of the hot plate 16 is made uniform,
The sealant applied to 2 can be uniformly heated and cured.

【0077】給気管23から給気する気体を不活性ガス
である窒素ガスとし、外気の侵入を抑えているので、炉
体2内の窒素ガスの濃度は高くなり、シール剤の酸化を
防止できる。
The gas supplied from the air supply pipe 23 is nitrogen gas, which is an inert gas, and the invasion of outside air is suppressed. Therefore, the concentration of nitrogen gas in the furnace body 2 increases, and oxidation of the sealant can be prevented. .

【0078】給気管23のノズル方向を開口部9と反対
側の略水平方向に向けて設けたが、給気管23のノズル
方向や給気量は、隔壁8の開口部9の位置やホットプレ
ート16の位置や温度などにより生ずる対流の方向や流
量などにより、その最適な給気管23のノズル方向や給
気量などは変更できる。一例として、隔壁8の全高が低
くて内部での対流を抑えてあるものについては、隔壁8
の開口部9に沿って流れる気流を発生させてエアーカー
テンを形成し、外気の侵入を抑えるようにしてもよい。
Although the nozzle direction of the air supply pipe 23 is provided substantially in the horizontal direction on the opposite side to the opening 9, the nozzle direction and the amount of air supply of the air supply pipe 23 depend on the position of the opening 9 of the partition wall 8 and the hot plate. The optimal nozzle direction and air supply amount of the air supply pipe 23 can be changed by the direction and flow rate of convection generated by the position and temperature of the nozzle 16. As an example, when the total height of the partition walls 8 is low and convection inside is suppressed,
It is also possible to form an air curtain by generating an airflow flowing along the opening 9 of the above to suppress the invasion of outside air.

【0079】なお、この実施形態では、炉体2の個数を
4個としている。炉体2の適正な個数は、炉体2内に基
板12がある時間と、基板12を炉体2へ搬入及び搬出
する時間との合計時間を所望する基板12の供給時間で
除した値となる。各炉体2に一定間隔で順番に基板12
を搬入し、シール剤の加熱硬化処理を終了した基板12
を順番に取り出すことにより、シール剤の加熱硬化工程
を終了した基板12を一定の間隔で次段の装置へ供給で
きる。従って、複数個の炉体2を備えることにより、基
板12を次段の装置などへ供給する間隔を確保できる。
In this embodiment, the number of the furnace bodies 2 is four. The appropriate number of the furnace bodies 2 is a value obtained by dividing the total time of the time when the substrates 12 are present in the furnace body 2 and the time for loading and unloading the substrates 12 into and from the furnace body 2 by the desired substrate 12 supply time. Become. Substrates 12 are sequentially placed in each furnace body 2 at regular intervals.
And the substrate 12 which has been subjected to the heat curing treatment of the sealant.
Are sequentially taken out, the substrate 12 having completed the heat curing step of the sealant can be supplied to the next-stage apparatus at a constant interval. Therefore, by providing the plurality of furnace bodies 2, an interval for supplying the substrate 12 to the next-stage apparatus or the like can be secured.

【0080】また、複数台の炉体2のうちの1台が故障
しても、各炉体2を個別に温度管理することにより、故
障した炉体2を除いて運転することができ、製造ライン
を停止せずに保守できる。
Further, even if one of the plurality of furnaces 2 fails, the temperature of each furnace 2 can be individually controlled, so that the furnace 2 can be operated without the failed furnace 2 and the manufacturing can be performed. Maintenance can be performed without stopping the line.

【0081】保守や点検を行なう点検扉10(図2及び
図4)は、基板12の搬入される面とは直角方向の側面
に設けているので、片側の点検扉10を開けて保守や点
検を行なっても、保守や点検を行なっている以外の炉体
2への基板12の搬入を妨げることがなく、加熱炉全体
を停止させることはない。
Since the inspection door 10 (FIGS. 2 and 4) for performing maintenance and inspection is provided on a side surface perpendicular to the surface into which the substrate 12 is carried, the inspection door 10 on one side is opened for maintenance and inspection. Does not hinder the loading of the substrate 12 into the furnace body 2 except for maintenance and inspection, and does not stop the entire heating furnace.

【0082】また、この実施形態では、炉体2は上下に
2段、左右に2列の配置としたが、炉体2の配置は基板
12を搬送する搬送ロボット14などとの組み合わせに
より変更してもよい。炉体2は垂直方向のみに配置して
もよく、水平方向のみに配置してもよい。炉体2の配置
は、設置される室内の床面積や室内高さ,炉体数,搬送
ロボット14の移送範囲などの条件により、適正なもの
に選定できる。炉体2の全高は低いから、炉体2を垂直
方向に複数段重ねても、全体的にさほど高くならずに据
付け面積を小さくすることができる。
Further, in this embodiment, the furnace body 2 is arranged in two stages vertically and two rows horizontally, but the arrangement of the furnace body 2 is changed by a combination with a transfer robot 14 for transferring the substrate 12 and the like. You may. The furnace body 2 may be arranged only in the vertical direction, or may be arranged only in the horizontal direction. The arrangement of the furnace body 2 can be appropriately selected depending on conditions such as the floor area and the height of the room in which the furnace body is installed, the number of furnace bodies, the transfer range of the transfer robot 14, and the like. Since the total height of the furnace body 2 is low, even if the furnace bodies 2 are stacked in a plurality of stages in the vertical direction, the installation area can be reduced without increasing the overall size.

【0083】さらに、この実施形態では、対流の抑制に
より炉体2内への外気の進入を抑え、清浄度を高くして
塵埃の基板12への付着を防止している。また、基板1
2をホットプレート16に極く近い予熱位置から搭載す
るので、ホットプレート16の周囲の気流の乱れは少な
く、塵埃を舞い上げることは少なくて清浄度を維持でき
る。
Further, in this embodiment, the invasion of outside air into the furnace body 2 is suppressed by suppressing the convection, the cleanliness is increased, and the adhesion of dust to the substrate 12 is prevented. Also, substrate 1
2 is mounted from a preheating position very close to the hot plate 16, the turbulence of the air flow around the hot plate 16 is small, the dust is not sowed up, and the cleanliness can be maintained.

【0084】さらに、基板12と昇降ピン15との接触
面積は僅かであるので、基板12と昇降ピン15の摩擦
による塵埃の発生を抑えている。炉体2内は対流を抑え
ているので、発生した塵埃は上方へ移動しにくく、基板
12の清浄度を保つことができる。また、駆動部分であ
る昇降手段11は隔壁8外にあるため、内部の発塵量は
少なく、さらに、発生した塵埃を排気管13が排気する
ので、内部の清浄度を良好に保つことができて、塵埃の
付着の少ない高品質な基板12を得ることができる。
Further, since the contact area between the substrate 12 and the lifting pins 15 is small, the generation of dust due to the friction between the substrate 12 and the lifting pins 15 is suppressed. Since the convection inside the furnace body 2 is suppressed, the generated dust hardly moves upward, and the cleanliness of the substrate 12 can be maintained. Further, since the lifting / lowering means 11, which is a driving portion, is outside the partition 8, the amount of dust generated inside is small, and furthermore, the generated dust is exhausted by the exhaust pipe 13, so that the internal cleanliness can be kept good. As a result, it is possible to obtain a high-quality substrate 12 with less dust.

【0085】さらに、この実施形態では、真空ポンプの
オン,オフによって基板12のホットプレート16での
吸着,吸着解除を行なったが、真空源を設け、この真空
源と真空配管21との間に電磁弁を配設し、この電磁弁
のオン,オフにより、基板12の吸着,吸着解除を行な
うようにしてもよい。
Further, in this embodiment, suction and release of the substrate 12 on the hot plate 16 are performed by turning on and off the vacuum pump. However, a vacuum source is provided, and a vacuum source is provided between the vacuum source and the vacuum pipe 21. An electromagnetic valve may be provided, and suction and release of the substrate 12 may be performed by turning on and off the electromagnetic valve.

【0086】また、真空度を制御できる圧力調整弁をこ
れら真空源と真空配管21との間に設け、この圧力調整
弁が基板12を吸着できる真空度に制御した状態と、吸
着力が基板12の反り力よりも小さくて、反った部分が
ホットプレート16から離れることができるような真空
度に制御した状態とを切り換えることにより、基板12
の吸着と吸着解除とを行なわせるようにすることもでき
る。
Further, a pressure regulating valve capable of controlling the degree of vacuum is provided between these vacuum sources and the vacuum pipe 21, and a state in which the pressure regulating valve is controlled to a degree of vacuum capable of adsorbing the substrate 12, By switching between a state in which the degree of vacuum is smaller than the warping force of the hot plate 16 and a state where the degree of vacuum is controlled so that the warped portion can be separated from the hot plate 16,
Can be made to be adsorbed and released.

【0087】さらに、かかる圧力調整弁の真空度を一定
に維持して、この真空度を、基板12の反り力よりもわ
ずかに小さい吸着力が得られる真空度にしてもよい。こ
の場合には、基板12に反りが生じなければ、基板12
はホットプレート16に全面吸着されるが、加熱によっ
て反りが生ずると、この吸着力に勝る反り部分がホット
プレート16から離れ、吸着解除と同等の状態となる。
そして、このホットプレート16から離れた部分で、熱
伝導により、上面と下面との温度差が小さくなって反り
がほとんどなくなると、再び全面がホットプレート16
に密着するようになり、吸着状態となる。かかる吸着と
吸着解除とが繰り返され、しかる後、吸着が継続した状
態となって本加熱を行なうことにより、全体が均一に加
熱された基板12が得られる。この方法は、基板12の
製作精度が高く、バラツキが少ない場合に有効であり、
圧力調整弁の制御がより簡単となって制御部3の負担が
大幅に軽減される。
Further, the degree of vacuum of the pressure regulating valve may be maintained constant, and the degree of vacuum may be set to a degree of vacuum at which an attraction force slightly smaller than the warping force of the substrate 12 is obtained. In this case, if the substrate 12 is not warped, the substrate 12
Although the entire surface is adsorbed to the hot plate 16, if a warp occurs due to heating, a warped portion that exceeds the adsorbing force is separated from the hot plate 16, and a state equivalent to the release of the adsorption is obtained.
Then, when the temperature difference between the upper surface and the lower surface is reduced due to heat conduction at a portion distant from the hot plate 16 and the warp is almost eliminated, the entire surface of the hot plate 16 is again formed.
, And becomes in an adsorption state. The adsorption and the release of the adsorption are repeated, and thereafter, the main heating is performed in a state where the adsorption is continued, so that the substrate 12 which is entirely uniformly heated is obtained. This method is effective when the manufacturing accuracy of the substrate 12 is high and the variation is small.
The control of the pressure regulating valve becomes simpler, and the load on the control unit 3 is greatly reduced.

【0088】なお、以上の実施形態では、液晶ディスプ
レイパネル用の基板を例に説明したが、本発明は、これ
のみに限るものではなく、プラズマディスプレイパネル
用の基板やプリント基板などの塗布された導電ペースト
の焼成などにも適用可能であることはいうまでもない。
In the above embodiments, a substrate for a liquid crystal display panel was described as an example. However, the present invention is not limited to this, and a substrate such as a substrate for a plasma display panel or a printed substrate may be used. Needless to say, the present invention can be applied to firing of a conductive paste.

【0089】[0089]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板を、破損することなく、均一に加熱することができ
て、高品質な基板を製造することができるし、また、装
置の設置面積も小さくすることができる。
As described above, according to the present invention,
The substrate can be uniformly heated without being damaged, a high-quality substrate can be manufactured, and the installation area of the apparatus can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による基板加熱炉の一実施形態を示す外
観正面図である。
FIG. 1 is an external front view showing an embodiment of a substrate heating furnace according to the present invention.

【図2】図1の分断線A−Aに沿う断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA in FIG. 1;

【図3】図1の分断線B−Bに沿う断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along the line BB of FIG. 1;

【図4】図2の分断線C−Cに沿う断面図である。FIG. 4 is a sectional view taken along the section line CC of FIG. 2;

【図5】図1に示した基板加熱炉による基板加熱方法の
説明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a substrate heating method using the substrate heating furnace shown in FIG.

【図6】図5に示した基板加熱方法での基板の温度変化
を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a temperature change of a substrate in the substrate heating method shown in FIG.

【図7】図5に示した基板加熱方法での基板吸着,吸着
解除の繰返しによる基板の反り状態の変化を示す図であ
る。
FIG. 7 is a diagram showing a change in a warped state of the substrate due to repetition of substrate suction and release of the substrate in the substrate heating method shown in FIG. 5;

【図8】従来の加熱炉の一例を示す縦断面図である。FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing an example of a conventional heating furnace.

【図9】図8の分断線E−Eに沿う断面図である。FIG. 9 is a sectional view taken along the line EE in FIG. 8;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 架台フレーム 2 炉体 3 制御部 4 ベ−ス板 5 支柱 6 枠組 8 隔壁 9 開口部 10 点検扉 11 昇降手段 12 基板 13 排気管 14 搬送ロボット 15 昇降ピン 16 ホットプレ−ト 17 支柱 18 放熱防止カバー 19 位置ずれ防止ピン 20 真空吸着孔 21 真空配管 22 加熱用ヒータ 23 給気管 24 縦駆動板 25 横枠 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Stand frame 2 Furnace body 3 Control part 4 Base plate 5 Support 6 Frame 8 Partition wall 9 Opening 10 Inspection door 11 Elevating means 12 Substrate 13 Exhaust pipe 14 Transport robot 15 Elevating pin 16 Hot plate 17 Support 18 Heat dissipation prevention cover DESCRIPTION OF SYMBOLS 19 Position prevention pin 20 Vacuum suction hole 21 Vacuum pipe 22 Heater 23 Air supply pipe 24 Vertical drive plate 25 Horizontal frame

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 齊藤 正行 茨城県竜ケ崎市向陽台5丁目2番 日立テ クノエンジニアリング株式会社開発研究所 内 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (72) Inventor Masayuki Saito 5-2-2 Koyodai, Ryugasaki, Ibaraki Pref. Hitachi Technology Engineering Co., Ltd.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 加熱板状に基板を搭載して加熱する基板
加熱方法において、 該加熱板に基板を搭載し、該加熱板への吸着と該吸着の
解除とを繰り返してから、該基板の加熱を行なうことを
特徴とする基板加熱方法。
1. A substrate heating method of mounting a substrate on a heating plate and heating the substrate, wherein the substrate is mounted on the heating plate, and adsorption and release of the adsorption to the heating plate are repeated. A method for heating a substrate, comprising heating.
【請求項2】 請求項1記載の基板加熱方法において、 前記基板の吸着と吸着解除との繰返しは、前記加熱板へ
の基板吸着を継続する前記基板の本加熱段階前に行なう
予熱段階で行なうことを特徴とする基板加熱方法。
2. The substrate heating method according to claim 1, wherein the repetition of the attraction of the substrate and the release of the attraction are performed in a preheating step performed before a main heating step of the substrate, which continues to attract the substrate to the heating plate. A method for heating a substrate, comprising:
【請求項3】 加熱板上に基板を搭載して加熱する基板
加熱炉において、 該加熱板を貫通する複数の小孔と、 該小孔を貫通する複数の小径の棒形状で該加熱板より上
方に突出可能に設けた基板保持手段と、 該基板保持手段を昇降させる昇降手段と、 該基板を該加熱板に吸着させる吸着板と、 該加熱板より上方に突出する該基板保持手段の高さを制
御し、予熱,本加熱及び冷却の各温度に温度制御する手
段と、 該加熱板と該基板保持手段とを包含して外気と遮り、該
基板の出し入れを行なう開口部を有する容器と、 該基板保持手段の高さを制御することにより、該加熱板
に搭載された該基板の該加熱板への吸着と吸着解除とを
繰り返してから吸着を継続し、該基板の本加熱を行なわ
せる手段とを備えたことを特徴とする基板加熱炉。
3. A substrate heating furnace for mounting and heating a substrate on a heating plate, comprising: a plurality of small holes penetrating the heating plate; and a plurality of small diameter rods penetrating the small hole. Substrate holding means provided so as to be able to protrude upward; elevating means for elevating the substrate holding means; an adsorption plate for adsorbing the substrate to the heating plate; and a height of the substrate holding means protruding above the heating plate. Means for controlling the temperature and controlling the temperature to each of preheating, main heating and cooling; and a container including the heating plate and the substrate holding means and having an opening for shielding the outside air and for taking in and out the substrate. By controlling the height of the substrate holding means, the adsorption of the substrate mounted on the heating plate to the heating plate and the adsorption release are repeated, and then the adsorption is continued, and the main heating of the substrate is performed. Means for causing the substrate to be heated.
【請求項4】 請求項3記載の基板加熱炉において、 前記基板の前記加熱板への吸着と吸着解除との繰返しを
行なう手段が、前記吸着手段に接続された真空ポンプを
オン,オフ制御する手段であることを特徴とする基板加
熱炉。
4. The substrate heating furnace according to claim 3, wherein the means for repeating the adsorption of the substrate to the heating plate and the release of the adsorption controls on / off of a vacuum pump connected to the adsorption means. Substrate heating furnace characterized by the above means.
【請求項5】 請求項3記載の基板加熱炉において、 前記基板の前記加熱板への吸着と吸着解除との繰返しを
行なう手段が、前記吸着手段と真空源との間に設置され
た電磁弁をオン,オフ制御する手段であることを特徴と
する基板加熱炉。
5. The substrate heating furnace according to claim 3, wherein the means for repeating the adsorption of the substrate to the heating plate and the release of the adsorption are provided between the adsorption means and a vacuum source. A substrate heating furnace, which is a means for controlling ON and OFF of the substrate.
【請求項6】 請求項3記載の基板加熱炉において、 前記基板の前記加熱板への吸着と吸着解除との繰返しを
行なう手段が前記吸着手段と真空源との間に設置された
圧力調整弁であって、 該圧力調整弁は、前記基板の加熱による反り力よりもわ
ずかに小さい基板吸引力を前記吸着手段に生じさせるよ
うに、真空度が設定されていることを特徴とする基板加
熱炉。
6. A pressure regulating valve according to claim 3, wherein the means for repeating the adsorption of the substrate to the heating plate and the release of the adsorption is provided between the adsorption means and a vacuum source. Wherein the pressure regulating valve is set to a degree of vacuum such that the suction means generates a substrate suction force slightly smaller than a warp force caused by heating the substrate. .
JP08186428A 1996-07-16 1996-07-16 Substrate heating method and substrate heating furnace Expired - Fee Related JP3096965B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08186428A JP3096965B2 (en) 1996-07-16 1996-07-16 Substrate heating method and substrate heating furnace

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08186428A JP3096965B2 (en) 1996-07-16 1996-07-16 Substrate heating method and substrate heating furnace

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH1032380A true JPH1032380A (en) 1998-02-03
JP3096965B2 JP3096965B2 (en) 2000-10-10

Family

ID=16188265

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP08186428A Expired - Fee Related JP3096965B2 (en) 1996-07-16 1996-07-16 Substrate heating method and substrate heating furnace

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3096965B2 (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000045431A1 (en) * 1999-01-27 2000-08-03 Citizen Watch Co., Ltd. Method of packaging semiconductor device using anisotropic conductive adhesive
KR100686893B1 (en) * 2002-05-29 2007-02-27 에스펙 가부시키가이샤 Heater
JP2012134189A (en) * 2010-12-01 2012-07-12 Athlete Fa Kk Heating apparatus and heating method
TWI465166B (en) * 2013-01-05 2014-12-11 Shanghai Zhuo Kai Electronic Technology Co Ltd Method and apparatus for reducing stress of printed circuit board
CN112885756A (en) * 2021-03-16 2021-06-01 吾拾微电子(苏州)有限公司 Wafer bonding equipment that separates
CN112951746A (en) * 2021-03-16 2021-06-11 吾拾微电子(苏州)有限公司 Wafer warpage correction mechanism and correction method
CN117226423A (en) * 2023-08-18 2023-12-15 重庆市凯钢机械制造有限公司 A kind of pressure ring gear thermal insulation equipment and method

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000045431A1 (en) * 1999-01-27 2000-08-03 Citizen Watch Co., Ltd. Method of packaging semiconductor device using anisotropic conductive adhesive
EP1067598A4 (en) * 1999-01-27 2001-10-24 Citizen Watch Co Ltd METHOD OF ENCAPSULATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE USING AN ANISOTROPIC CONDUCTIVE ADHESIVE
US6498051B1 (en) 1999-01-27 2002-12-24 Citizen Watch Co., Ltd. Method of packaging semiconductor device using anisotropic conductive adhesive
KR100686893B1 (en) * 2002-05-29 2007-02-27 에스펙 가부시키가이샤 Heater
JP2012134189A (en) * 2010-12-01 2012-07-12 Athlete Fa Kk Heating apparatus and heating method
TWI465166B (en) * 2013-01-05 2014-12-11 Shanghai Zhuo Kai Electronic Technology Co Ltd Method and apparatus for reducing stress of printed circuit board
CN112885756A (en) * 2021-03-16 2021-06-01 吾拾微电子(苏州)有限公司 Wafer bonding equipment that separates
CN112951746A (en) * 2021-03-16 2021-06-11 吾拾微电子(苏州)有限公司 Wafer warpage correction mechanism and correction method
CN117226423A (en) * 2023-08-18 2023-12-15 重庆市凯钢机械制造有限公司 A kind of pressure ring gear thermal insulation equipment and method

Also Published As

Publication number Publication date
JP3096965B2 (en) 2000-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5716207A (en) Heating furnace
KR101227809B1 (en) Method for reducing temperature of substrate placing table, computer-readable storage medium, and substrate processing system
CN1841652A (en) Load fixing device, processing system and method
CN1749430A (en) Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition Pedestal Support Equipment
WO2008029943A1 (en) Lift pin mechanism
JP2011035199A (en) Substrate mounting mechanism and substrate processing apparatus using the same
JP3096965B2 (en) Substrate heating method and substrate heating furnace
JP4628964B2 (en) Substrate processing equipment
KR101255480B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3208047B2 (en) heating furnace
JP2001241855A (en) Continuous heating oven
JP3299882B2 (en) heating furnace
CN111519169A (en) Jacking device and material processing equipment
JP3274089B2 (en) Hybrid type heat treatment equipment
KR100831906B1 (en) Temperature control room and vacuum processing apparatus using the same
KR100473316B1 (en) Substrate heat treating apparatus and a plat pannel device manufacturing method
JP3451166B2 (en) Substrate heat treatment equipment
TWI844492B (en) Maintenance method of heat treatment equipment
JP6535828B1 (en) Substrate processing equipment
JP2002274873A (en) Heat treatment apparatus of multistage heating plate system
JP2011058656A (en) Reduced-pressure drying device and reduced-pressure drying method
JP6660246B2 (en) Drying device and coating system
KR102389972B1 (en) Substrate processing apparatus
JP3662893B2 (en) Heat treatment equipment
JP2000026972A (en) Semiconductor manufacturing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080811

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080811

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 9

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090811

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 10

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100811

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 11

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110811

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees