JPH10325384A - 内燃機関用点火装置 - Google Patents
内燃機関用点火装置Info
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- JPH10325384A JPH10325384A JP9134904A JP13490497A JPH10325384A JP H10325384 A JPH10325384 A JP H10325384A JP 9134904 A JP9134904 A JP 9134904A JP 13490497 A JP13490497 A JP 13490497A JP H10325384 A JPH10325384 A JP H10325384A
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- F02—COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
- F02P—IGNITION, OTHER THAN COMPRESSION IGNITION, FOR INTERNAL-COMBUSTION ENGINES; TESTING OF IGNITION TIMING IN COMPRESSION-IGNITION ENGINES
- F02P3/00—Other installations
- F02P3/02—Other installations having inductive energy storage, e.g. arrangements of induction coils
- F02P3/04—Layout of circuits
- F02P3/055—Layout of circuits with protective means to prevent damage to the circuit, e.g. semiconductor devices or the ignition coil
- F02P3/0552—Opening or closing the primary coil circuit with semiconductor devices
- F02P3/0554—Opening or closing the primary coil circuit with semiconductor devices using digital techniques
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Ignition Installations For Internal Combustion Engines (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 点火装置の保護機能として電流制限機能を持
ち、電流制限時の一次電流およびコレクタ電圧の跳ね上
がり現象を効果的に抑制した安全性の高い内燃機関用点
火装置を提供する。 【解決手段】 点火コイル２０を制御するスイッチング
素子をＩＧＢＴ２１で構成し、ＩＧＢＴ２１の電流制限
値の設定を制御用トランジスタ３３のベースに印加する
バイアス電圧で設定し、制御用トランジスタ３３のエミ
ッタを電流検出回路に接続してエミッタフォロワとする
ことによりエミッタの電圧上昇で次段トランジスタ３６
をオン／オフさせて電流制限をかける構成とし、前記バ
イアス電圧はダイオード３２を通しかつチャージ用のコ
ンデンサ３８を介して制御用トランジスタ３３のベース
に印加し、次段トランジスタ３６のベース電圧からフィ
ードバック抵抗３７を介してバイアス電圧にフィードバ
ックすることで電流制限のかかり始めに発生するＩＧＢ
Ｔのコレクタ電圧の跳ね上がりを抑制する。
ち、電流制限時の一次電流およびコレクタ電圧の跳ね上
がり現象を効果的に抑制した安全性の高い内燃機関用点
火装置を提供する。 【解決手段】 点火コイル２０を制御するスイッチング
素子をＩＧＢＴ２１で構成し、ＩＧＢＴ２１の電流制限
値の設定を制御用トランジスタ３３のベースに印加する
バイアス電圧で設定し、制御用トランジスタ３３のエミ
ッタを電流検出回路に接続してエミッタフォロワとする
ことによりエミッタの電圧上昇で次段トランジスタ３６
をオン／オフさせて電流制限をかける構成とし、前記バ
イアス電圧はダイオード３２を通しかつチャージ用のコ
ンデンサ３８を介して制御用トランジスタ３３のベース
に印加し、次段トランジスタ３６のベース電圧からフィ
ードバック抵抗３７を介してバイアス電圧にフィードバ
ックすることで電流制限のかかり始めに発生するＩＧＢ
Ｔのコレクタ電圧の跳ね上がりを抑制する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、内燃機関用点火装
置に関し、特に、絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ
（以下ＩＧＢＴと称す）をスイッチング素子として使用
した内燃機関用点火装置に関するものである。
置に関し、特に、絶縁ゲート形バイポーラトランジスタ
（以下ＩＧＢＴと称す）をスイッチング素子として使用
した内燃機関用点火装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図７に、ＩＧＢＴをスイッチイング素子
として用いた従来の一般的な内燃機関用点火装置を示し
ている。電子制御装置（以下ＥＣＵと称す）１の出力段
は、ＰＮＰトランジスタ９、ＮＰＮトランジスタ１０、
抵抗１１より構成され、ＣＰＵ８により算出された適正
な点火タイミングでトランジスタ９、１０をオンオフ
し、点火装置２にロー／ハイのパルスを出力するように
なっている。
として用いた従来の一般的な内燃機関用点火装置を示し
ている。電子制御装置（以下ＥＣＵと称す）１の出力段
は、ＰＮＰトランジスタ９、ＮＰＮトランジスタ１０、
抵抗１１より構成され、ＣＰＵ８により算出された適正
な点火タイミングでトランジスタ９、１０をオンオフ
し、点火装置２にロー／ハイのパルスを出力するように
なっている。
【０００３】点火装置２は、ＩＧＢＴ２１とハイブリッ
ドＩＣ１９とで構成されている。ハイブリッドＩＣ１９
は、一次電流を検知する電流検出用負荷１６、ゲート電
圧を制御して一次電流を設定値に制限する電流制御用ト
ランジスタ１７、および入力抵抗１８を実装したもので
ある。ＩＧＢＴ２１は、点火コイル２０の１次コイルに
流れる一次電流を通電、遮断する主回路を構成してい
る。なお、ＶS はバッテリ端子、１４は１次電流の流れ
はじめに発生する逆電圧を防止する高圧ダイオードであ
る。
ドＩＣ１９とで構成されている。ハイブリッドＩＣ１９
は、一次電流を検知する電流検出用負荷１６、ゲート電
圧を制御して一次電流を設定値に制限する電流制御用ト
ランジスタ１７、および入力抵抗１８を実装したもので
ある。ＩＧＢＴ２１は、点火コイル２０の１次コイルに
流れる一次電流を通電、遮断する主回路を構成してい
る。なお、ＶS はバッテリ端子、１４は１次電流の流れ
はじめに発生する逆電圧を防止する高圧ダイオードであ
る。
【０００４】図８に、図７の回路装置での動作波形を示
している。該図８において、ＡはＩＧＢＴ２１のゲート
に印加される点火入力信号、Ｂは点火コイル２０に流れ
る一次電流、ＣはＩＧＢＴ２１のコレクタ電圧、Ｄは点
火コイル２０の二次電圧を示す。
している。該図８において、ＡはＩＧＢＴ２１のゲート
に印加される点火入力信号、Ｂは点火コイル２０に流れ
る一次電流、ＣはＩＧＢＴ２１のコレクタ電圧、Ｄは点
火コイル２０の二次電圧を示す。
【０００５】ＩＧＢＴ２１のゲートにＥＣＵ１より点火
入力信号Ａが印加されて一次電流Ｂが流れ、電流検出用
負荷１６の電圧がそれに応じて上昇する。電流検出用負
荷１６の電圧が電流制御用トランジスタ１７の動作電圧
になると、この電流制御用トランジスタ１７はオンし、
ゲート電圧は減少する。これにより、ＩＧＢＴ２１が能
動状態となり、コレクタ電圧Ｃが上昇して電流は一定に
保持される。
入力信号Ａが印加されて一次電流Ｂが流れ、電流検出用
負荷１６の電圧がそれに応じて上昇する。電流検出用負
荷１６の電圧が電流制御用トランジスタ１７の動作電圧
になると、この電流制御用トランジスタ１７はオンし、
ゲート電圧は減少する。これにより、ＩＧＢＴ２１が能
動状態となり、コレクタ電圧Ｃが上昇して電流は一定に
保持される。
【０００６】ＩＧＢＴを用いた別の従来の技術として、
特開平６−５３７９５のような半導体装置も開示されて
いる。この装置は、スイッチング素子であるＩＧＢＴの
センス用エミッタの下流にセンス用抵抗を接続し、この
センス用抵抗の降下電圧で駆動されるＭＯＳ−ＦＥＴに
よりバイパス制御されるゲート電圧を、ＩＧＢＴのゲー
ト電極の直前の挿入された緩和抵抗を介してＩＧＢＴに
印加する。そして、ＩＧＢＴの応答速度を低下させるこ
とにより、センス用抵抗における電圧の急増を防止し、
安定的に電流を制限するようにしている。
特開平６−５３７９５のような半導体装置も開示されて
いる。この装置は、スイッチング素子であるＩＧＢＴの
センス用エミッタの下流にセンス用抵抗を接続し、この
センス用抵抗の降下電圧で駆動されるＭＯＳ−ＦＥＴに
よりバイパス制御されるゲート電圧を、ＩＧＢＴのゲー
ト電極の直前の挿入された緩和抵抗を介してＩＧＢＴに
印加する。そして、ＩＧＢＴの応答速度を低下させるこ
とにより、センス用抵抗における電圧の急増を防止し、
安定的に電流を制限するようにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図７に示す
従来技術は、図８の動作波形に示されているように、電
流制限のかかり始めにおいて、ゲート制御の位相遅れと
ＩＧＢＴ２１のゲインの関係により、コレクタ−エミッ
タ間電圧が跳ね上がり、この影響により点火コイル２０
に流れる一次電流Ｂが跳ね上がる現象（Ｂ1 部分）が発
生する。組み合わせ点火コイルによっては、高温等によ
りＩＧＢＴ１５のゲインが上昇した場合、コレクタ−エ
ミッタ間電圧は激しく発振（Ｃ1 部分）することもあ
る。
従来技術は、図８の動作波形に示されているように、電
流制限のかかり始めにおいて、ゲート制御の位相遅れと
ＩＧＢＴ２１のゲインの関係により、コレクタ−エミッ
タ間電圧が跳ね上がり、この影響により点火コイル２０
に流れる一次電流Ｂが跳ね上がる現象（Ｂ1 部分）が発
生する。組み合わせ点火コイルによっては、高温等によ
りＩＧＢＴ１５のゲインが上昇した場合、コレクタ−エ
ミッタ間電圧は激しく発振（Ｃ1 部分）することもあ
る。
【０００８】一次電流の変化に応じて点火コイル２０に
二次電圧Ｄが誘発されるため、一次電流Ｂの跳ね上がり
で不要な二次電圧（Ｄ1 部分）が発生し、その後点火信
号の遮断により正規の二次電圧（Ｄ2 部分）が発生す
る。前記不要な二次電圧がスパークプラグ電極間ギャッ
プの絶縁を破壊するに十分な電圧になると、この時点で
スパークプラグに放電がおこるため適切な点火タイミン
グとは異なる点火が起こるという問題がある。
二次電圧Ｄが誘発されるため、一次電流Ｂの跳ね上がり
で不要な二次電圧（Ｄ1 部分）が発生し、その後点火信
号の遮断により正規の二次電圧（Ｄ2 部分）が発生す
る。前記不要な二次電圧がスパークプラグ電極間ギャッ
プの絶縁を破壊するに十分な電圧になると、この時点で
スパークプラグに放電がおこるため適切な点火タイミン
グとは異なる点火が起こるという問題がある。
【０００９】また、特開平６−５３７９５に示すような
従来技術は、電流制限のかかり始めに発生するＩＧＢＴ
のコレクタ電圧の跳ね上がりを抑制するために、ＩＧＢ
Ｔの応答速度を低下させることで対応しているが、この
技術を自動車の内燃機関用点火装置に用いた場合、点火
コイルのようなインダクタンスをローサイドでドライブ
する場合においては、充分に発振を抑制できず、また、
応答速度を低下させているため、高速スイッチングには
不向きであり、ＩＧＢＴのゲート容量により、電流遮断
速度が低下し、発生２次電圧が充分に得られないという
問題がある。
従来技術は、電流制限のかかり始めに発生するＩＧＢＴ
のコレクタ電圧の跳ね上がりを抑制するために、ＩＧＢ
Ｔの応答速度を低下させることで対応しているが、この
技術を自動車の内燃機関用点火装置に用いた場合、点火
コイルのようなインダクタンスをローサイドでドライブ
する場合においては、充分に発振を抑制できず、また、
応答速度を低下させているため、高速スイッチングには
不向きであり、ＩＧＢＴのゲート容量により、電流遮断
速度が低下し、発生２次電圧が充分に得られないという
問題がある。
【００１０】さらにまた、高温等によりＩＧＢＴのゲイ
ンが高くなった場合、コレクタ電圧の発振がさらに増長
され電流が発振し、これにより点火コイルに高電圧が誘
発されるという問題もある。本発明は、このような問題
に鑑みてなされたものであって、その目的とするところ
は、特に、点火装置の保護機能として電流制限機能を持
ち、電流制限時の一次電流およびコレクタ電圧の跳ね上
がり現象を効果的に抑制した安全性の高い内燃機関用点
火装置をを提供することである。
ンが高くなった場合、コレクタ電圧の発振がさらに増長
され電流が発振し、これにより点火コイルに高電圧が誘
発されるという問題もある。本発明は、このような問題
に鑑みてなされたものであって、その目的とするところ
は、特に、点火装置の保護機能として電流制限機能を持
ち、電流制限時の一次電流およびコレクタ電圧の跳ね上
がり現象を効果的に抑制した安全性の高い内燃機関用点
火装置をを提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成すべく、
本発明は、電子制御装置から出力される点火制御信号に
応じて点火コイルに流れる一次電流を通電、遮断制御し
てその二次側に高電圧を発生させるスイッチング素子を
ＩＧＢＴで構成し、該ＩＧＢＴの過電流保護としての電
流制限回路を有する内燃機関用点火装置において、前記
電流制限回路は、前記ＩＧＢＴの制御回路と、電流制限
値を設定する制御基準電圧回路とを備え、前記制御回路
の電源を前記電子制御装置からの点火制御信号から取
り、前記制御基準電圧回路に基準電圧を緩やかに変化さ
せるためのコンデンサを接続し、電流制限を緩やかにか
けることにより電流制限のかかり始めに発生する前記Ｉ
ＧＢＴのコレクタ電圧の跳ね上がりを抑制したことを特
徴としている。
本発明は、電子制御装置から出力される点火制御信号に
応じて点火コイルに流れる一次電流を通電、遮断制御し
てその二次側に高電圧を発生させるスイッチング素子を
ＩＧＢＴで構成し、該ＩＧＢＴの過電流保護としての電
流制限回路を有する内燃機関用点火装置において、前記
電流制限回路は、前記ＩＧＢＴの制御回路と、電流制限
値を設定する制御基準電圧回路とを備え、前記制御回路
の電源を前記電子制御装置からの点火制御信号から取
り、前記制御基準電圧回路に基準電圧を緩やかに変化さ
せるためのコンデンサを接続し、電流制限を緩やかにか
けることにより電流制限のかかり始めに発生する前記Ｉ
ＧＢＴのコレクタ電圧の跳ね上がりを抑制したことを特
徴としている。
【００１２】また、本発明は、電子制御装置から出力さ
れる点火制御信号に応じて点火コイルに流れる一次電流
を通電、遮断制御してその二次側に高電圧を発生させる
スイッチング素子をＩＧＢＴで構成し、該ＩＧＢＴの過
電流保護としての電流制限回路を有する内燃機関用点火
装置において、前記電流制限回路は、前記ＩＧＢＴの制
御回路と、電流制限値を設定する制御基準電圧回路とを
備え、前記制御回路の電源を前記点火コイルのバッテリ
端子から抵抗およびツェナーダイオードを介して取り、
前記制御基準電圧回路に基準電圧を緩やかに変化させる
ためのコンデンサを接続し、電流制限を緩やかにかける
ことにより電流制限のかかり始めに発生する前記ＩＧＢ
Ｔのコレクタ電圧の跳ね上がりを抑制したことを特徴と
している。
れる点火制御信号に応じて点火コイルに流れる一次電流
を通電、遮断制御してその二次側に高電圧を発生させる
スイッチング素子をＩＧＢＴで構成し、該ＩＧＢＴの過
電流保護としての電流制限回路を有する内燃機関用点火
装置において、前記電流制限回路は、前記ＩＧＢＴの制
御回路と、電流制限値を設定する制御基準電圧回路とを
備え、前記制御回路の電源を前記点火コイルのバッテリ
端子から抵抗およびツェナーダイオードを介して取り、
前記制御基準電圧回路に基準電圧を緩やかに変化させる
ためのコンデンサを接続し、電流制限を緩やかにかける
ことにより電流制限のかかり始めに発生する前記ＩＧＢ
Ｔのコレクタ電圧の跳ね上がりを抑制したことを特徴と
している。
【００１３】そして、内燃機関用点火装置の具体的な態
様としては、電流制限値の設定を制御用トランジスタの
ベースに印加するバイアス電圧で設定し、該制御用トラ
ンジスタのエミッタを電流検出回路に接続してエミッタ
フォロワとすることによりエミッタの電圧上昇で次段ト
ランジスタをオン／オフさせて電流制限をかける構成と
し、前記印加するバイアス電圧はダイオードを通しかつ
チャージ用のコンデンサ介して前記制御用トランジスタ
のベースに印加され、さらに次段トランジスタのベース
電圧から前記バイアス電圧にフィードバックすることで
電流制限のかかり始めに発生する前記ＩＧＢＴのコレク
タ電圧の跳ね上がりを抑制したことを特徴としている。
様としては、電流制限値の設定を制御用トランジスタの
ベースに印加するバイアス電圧で設定し、該制御用トラ
ンジスタのエミッタを電流検出回路に接続してエミッタ
フォロワとすることによりエミッタの電圧上昇で次段ト
ランジスタをオン／オフさせて電流制限をかける構成と
し、前記印加するバイアス電圧はダイオードを通しかつ
チャージ用のコンデンサ介して前記制御用トランジスタ
のベースに印加され、さらに次段トランジスタのベース
電圧から前記バイアス電圧にフィードバックすることで
電流制限のかかり始めに発生する前記ＩＧＢＴのコレク
タ電圧の跳ね上がりを抑制したことを特徴としている。
【００１４】また、前記制御用トランジスタと１段目の
トランジスタとをダーリントン構成とし、前記１段目の
トランジスタのエミッタと前記制御用トランジスタのベ
ース間を前記コンデンサを介してＧＮＤに落とした構成
とし、かつ前記次段トランジスタのベース電圧から基準
電圧設定用バイアス電圧にフィードバックすることで電
流制限のかかり始めに発生するＩＧＢＴのコレクタ電圧
の跳ね上がりを抑制したことを特徴としている。
トランジスタとをダーリントン構成とし、前記１段目の
トランジスタのエミッタと前記制御用トランジスタのベ
ース間を前記コンデンサを介してＧＮＤに落とした構成
とし、かつ前記次段トランジスタのベース電圧から基準
電圧設定用バイアス電圧にフィードバックすることで電
流制限のかかり始めに発生するＩＧＢＴのコレクタ電圧
の跳ね上がりを抑制したことを特徴としている。
【００１５】さらにまた、前記制御用トランジスタのベ
ースに印加するバイアス電圧を、前記電子制御装置の可
変電圧源またはイグナイタ内の異常検出回路からの信号
で制御するように構成し、前記ＩＧＢＴのコレクタ電流
を任意のタイミングで０アンペア〜飽和電流制限間に可
変し、かつ前記コンデンサの充／放電時定数効果により
前記点火コイルの二次側に高電圧を誘起させることのな
いように前記ＩＧＢＴのコレクタ電流制限を暫時緩慢に
増減するようにしたことを特徴としている。
ースに印加するバイアス電圧を、前記電子制御装置の可
変電圧源またはイグナイタ内の異常検出回路からの信号
で制御するように構成し、前記ＩＧＢＴのコレクタ電流
を任意のタイミングで０アンペア〜飽和電流制限間に可
変し、かつ前記コンデンサの充／放電時定数効果により
前記点火コイルの二次側に高電圧を誘起させることのな
いように前記ＩＧＢＴのコレクタ電流制限を暫時緩慢に
増減するようにしたことを特徴としている。
【００１６】前述の如く構成された本発明に係る内燃機
関用点火装置においては、制御回路のバイアス電源にコ
ンデンサを接続して制御応答性を緩やかにし、制御用ト
ランジスタを緩やかに動作させて電流制限を緩やかにか
けることにより、ＩＧＢＴのコレクタ電圧の発振を抑制
する。このため、ＩＧＢＴをスイッチング素子とし、過
電流保護としての電流制限機能を持たせた内燃機関用点
火装置において、電流制限のかかり始めに発生する一次
電流及びコレクタ電圧の跳ね上がり現象が抑制でき、安
全で信頼性の高い点火装置が得られる。
関用点火装置においては、制御回路のバイアス電源にコ
ンデンサを接続して制御応答性を緩やかにし、制御用ト
ランジスタを緩やかに動作させて電流制限を緩やかにか
けることにより、ＩＧＢＴのコレクタ電圧の発振を抑制
する。このため、ＩＧＢＴをスイッチング素子とし、過
電流保護としての電流制限機能を持たせた内燃機関用点
火装置において、電流制限のかかり始めに発生する一次
電流及びコレクタ電圧の跳ね上がり現象が抑制でき、安
全で信頼性の高い点火装置が得られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。なお、図７と同一部材または同一
機能のものは同一符号で示している。図１は、本発明の
第１実施の形態に係る内燃機関用点火装置を示してい
る。
に基づいて説明する。なお、図７と同一部材または同一
機能のものは同一符号で示している。図１は、本発明の
第１実施の形態に係る内燃機関用点火装置を示してい
る。
【００１８】点火コイル２０の一次コイルの一端はバッ
テリ端子ＶB に接続され、他端は点火コイル２０に流れ
る一次電流を通電、遮断する主回路を構成するＩＧＢＴ
２１のコレクタに接続されている。このＩＧＢＴ２１の
ゲートは、ハイブリッドＩＣ４０に接続されている。ハ
イブリッドＩＣ４０は、一次電流を検知する電流検出用
負荷２２、この電流検出用負荷２２により発生した電圧
を分圧するための抵抗２３、２４、入力抵抗２５、コン
デンサ３８、及び、電流制限回路３９を実装した構成で
ある。
テリ端子ＶB に接続され、他端は点火コイル２０に流れ
る一次電流を通電、遮断する主回路を構成するＩＧＢＴ
２１のコレクタに接続されている。このＩＧＢＴ２１の
ゲートは、ハイブリッドＩＣ４０に接続されている。ハ
イブリッドＩＣ４０は、一次電流を検知する電流検出用
負荷２２、この電流検出用負荷２２により発生した電圧
を分圧するための抵抗２３、２４、入力抵抗２５、コン
デンサ３８、及び、電流制限回路３９を実装した構成で
ある。
【００１９】前記電流制限回路３９はＩＣとして集積さ
れており、制御基準電圧回路は外部信号と回路の内部電
源を分離するための抵抗２６、回路の内部電源を作るツ
ェナーダイオード２７を備え、前記ＥＣＵ１からの点火
制御信号の電圧を利用した定電圧回路で構成されてい
る。抵抗２８およびダイオード２９、３０は回路の内部
電源から抵抗３１に電流を流す回路を構成し、抵抗２８
と３１の分圧、ダイオード２９、３０の順方向電圧によ
って電流制限回路３９の基準電圧を決定する。
れており、制御基準電圧回路は外部信号と回路の内部電
源を分離するための抵抗２６、回路の内部電源を作るツ
ェナーダイオード２７を備え、前記ＥＣＵ１からの点火
制御信号の電圧を利用した定電圧回路で構成されてい
る。抵抗２８およびダイオード２９、３０は回路の内部
電源から抵抗３１に電流を流す回路を構成し、抵抗２８
と３１の分圧、ダイオード２９、３０の順方向電圧によ
って電流制限回路３９の基準電圧を決定する。
【００２０】抵抗３１に発生する電圧とダイオード２
９、３０の順方向電圧の和はダイオード３２を介してＩ
ＧＢＴの制御回路を構成するＮＰＮトランジスタ３３
（以下制御用トランジスタと称す）のベースに印加され
る。すなわち、制御用トランジスタ３３は抵抗３４によ
りプルアップされ、ダイオード２９と３０の順方向電圧
と抵抗３１に発生する電圧によってダイオード３２を介
してバイアスがかけられている状態となる。ダイオード
３２と制御用トランジスタ３３のベースの間には充／放
電用のコンデンサ３８の片側が接続され、コンデンサ３
８のもう一方はＧＮＤに接続される。
９、３０の順方向電圧の和はダイオード３２を介してＩ
ＧＢＴの制御回路を構成するＮＰＮトランジスタ３３
（以下制御用トランジスタと称す）のベースに印加され
る。すなわち、制御用トランジスタ３３は抵抗３４によ
りプルアップされ、ダイオード２９と３０の順方向電圧
と抵抗３１に発生する電圧によってダイオード３２を介
してバイアスがかけられている状態となる。ダイオード
３２と制御用トランジスタ３３のベースの間には充／放
電用のコンデンサ３８の片側が接続され、コンデンサ３
８のもう一方はＧＮＤに接続される。
【００２１】制御用トランジスタ３３のエミッタは、電
流検出回路の分圧用の抵抗２３、２４を介して電流検出
用負荷２２に接続され、抵抗２４の電圧降下が制御用ト
ランジスタ３３のベース電圧以上になると、制御用トラ
ンジスタ３３はエミッタ側から遮断され、電流は抵抗３
５を介してＩＧＢＴの制御回路を構成する次段トランジ
スタ３６のベースに流れ、この次段トランジスタ３６は
オンする。トランジスタ３６のベースと抵抗３１の間に
はフィードバック抵抗３７が挿入され、トランジスタ３
６のベース電位が上がるにつれて抵抗３１の電圧降下を
上昇させる。
流検出回路の分圧用の抵抗２３、２４を介して電流検出
用負荷２２に接続され、抵抗２４の電圧降下が制御用ト
ランジスタ３３のベース電圧以上になると、制御用トラ
ンジスタ３３はエミッタ側から遮断され、電流は抵抗３
５を介してＩＧＢＴの制御回路を構成する次段トランジ
スタ３６のベースに流れ、この次段トランジスタ３６は
オンする。トランジスタ３６のベースと抵抗３１の間に
はフィードバック抵抗３７が挿入され、トランジスタ３
６のベース電位が上がるにつれて抵抗３１の電圧降下を
上昇させる。
【００２２】このフィードバック電流による抵抗３１の
電圧上昇は制御用トランジスタ３３のバイアス電圧の上
昇になるが、制御用トランジスタ３３のバイアス電圧は
コンデンサ３８を充電しながら緩やかに上昇するためト
ランジスタ３６を緩やかにオンさせて急激な変化を防止
している。これによりＩＧＢＴ２１を流れる一次電流の
電流制限は緩やかにかかり、ＩＧＢＴ２１のコレクタ電
圧は極端に跳ね上がることが防止される。
電圧上昇は制御用トランジスタ３３のバイアス電圧の上
昇になるが、制御用トランジスタ３３のバイアス電圧は
コンデンサ３８を充電しながら緩やかに上昇するためト
ランジスタ３６を緩やかにオンさせて急激な変化を防止
している。これによりＩＧＢＴ２１を流れる一次電流の
電流制限は緩やかにかかり、ＩＧＢＴ２１のコレクタ電
圧は極端に跳ね上がることが防止される。
【００２３】図２に、各ポイントの電圧および電流波形
を示している。該図２において、ＡはＩＧＢＴ２１のゲ
ート電圧、Ｂは点火コイル２０の一次電流、ＣはＩＧＢ
Ｔ２１のコレクタ電圧、Ｄは電流検出用負荷２２の発生
電圧、Ｅは制御用トランジスタ３３のベース電圧であ
る。
を示している。該図２において、ＡはＩＧＢＴ２１のゲ
ート電圧、Ｂは点火コイル２０の一次電流、ＣはＩＧＢ
Ｔ２１のコレクタ電圧、Ｄは電流検出用負荷２２の発生
電圧、Ｅは制御用トランジスタ３３のベース電圧であ
る。
【００２４】ポイントＴ1 においてＩＧＢＴ２１のゲー
ト電圧ＡがＩＧＢＴ２１のスレッシュホールド電圧以上
となり、ＩＧＢＴ２１がＯＮする。ポイントＴ1 〜Ｔ2
において一次電流Ｂが流れ、これによってＩＧＢＴ２１
のコレクタ−エミッタ間電圧Ｃは通常約２Ｖ程度上昇
し、電流検出負荷２２の発生電圧Ｄが上昇し、制御用ト
ランジスタ３３のベース電圧Ｅは電流検出負荷２２の発
生電圧分持ち上げられる。
ト電圧ＡがＩＧＢＴ２１のスレッシュホールド電圧以上
となり、ＩＧＢＴ２１がＯＮする。ポイントＴ1 〜Ｔ2
において一次電流Ｂが流れ、これによってＩＧＢＴ２１
のコレクタ−エミッタ間電圧Ｃは通常約２Ｖ程度上昇
し、電流検出負荷２２の発生電圧Ｄが上昇し、制御用ト
ランジスタ３３のベース電圧Ｅは電流検出負荷２２の発
生電圧分持ち上げられる。
【００２５】ポイントＴ2 〜Ｔ3 において制御用トラン
ジスタ３３が遮断され、フィードバック抵抗３７により
制御用トランジスタ３３のベース電圧Ｅはフィードバッ
ク分上昇するが、コンデンサ３８の影響により緩やかに
安定する（ポイントＴ3 〜Ｔ4 ）。この状態でＩＧＢＴ
２１は能動状態となり、ＩＧＢＴ２１のコレクタ電圧Ｃ
は制御用トランジスタ３３のベース電圧Ｅと同じ軌道を
描いて安定することにより、電流制限を緩やかにかける
ことができ、電流制限のかかり始めに起こる一次電流の
跳ね上がりを抑制することができる。
ジスタ３３が遮断され、フィードバック抵抗３７により
制御用トランジスタ３３のベース電圧Ｅはフィードバッ
ク分上昇するが、コンデンサ３８の影響により緩やかに
安定する（ポイントＴ3 〜Ｔ4 ）。この状態でＩＧＢＴ
２１は能動状態となり、ＩＧＢＴ２１のコレクタ電圧Ｃ
は制御用トランジスタ３３のベース電圧Ｅと同じ軌道を
描いて安定することにより、電流制限を緩やかにかける
ことができ、電流制限のかかり始めに起こる一次電流の
跳ね上がりを抑制することができる。
【００２６】図３は、本発明の第２実施の形態を示すも
ので、図１におけるダイオード３２と制御用トランジス
タ３３の組み合わせに代えて、ダイオード３２をトラン
ジスタ４１に置き換えてダーリントン接続した構成のも
のである。この場合コンデンサ３８は初段のトランジス
タ４１のエミッタと制御用トランジスタ３３のベース間
に挿入すれば第１実施の形態と同様の効果が得られる。
ので、図１におけるダイオード３２と制御用トランジス
タ３３の組み合わせに代えて、ダイオード３２をトラン
ジスタ４１に置き換えてダーリントン接続した構成のも
のである。この場合コンデンサ３８は初段のトランジス
タ４１のエミッタと制御用トランジスタ３３のベース間
に挿入すれば第１実施の形態と同様の効果が得られる。
【００２７】図４は、本発明の第３実施の形態を示して
いる。本実施の形態では、制御回路の電源をバッテリ端
子ＶB からとる方式としており、抵抗４２とツェナーダ
イオード４３により回路に供給する電源を構成してい
る。本実施の形態では安定した電源電圧を供給すること
ができるため、精度のよい制御が可能となる。また、基
準バイアス電源であるツェナーダイオード２７を精度お
よび温度特性のよいバンドギャップリファレンス電源に
置き換えることにより、さらに精度および温度特性のよ
い制御が可能となる。
いる。本実施の形態では、制御回路の電源をバッテリ端
子ＶB からとる方式としており、抵抗４２とツェナーダ
イオード４３により回路に供給する電源を構成してい
る。本実施の形態では安定した電源電圧を供給すること
ができるため、精度のよい制御が可能となる。また、基
準バイアス電源であるツェナーダイオード２７を精度お
よび温度特性のよいバンドギャップリファレンス電源に
置き換えることにより、さらに精度および温度特性のよ
い制御が可能となる。
【００２８】図５に本発明の第４実施の形態を示してい
る。本実施の形態は、ＩＧＢＴ２１のコレクタ電流を緩
やかに制御する効果を利用して、制御用トランジスタ３
３のベースに印加する電圧を制御することにより、ＩＧ
ＢＴ２１のコレクタ電流（電流制限）を任意のタイミン
グで０アンペア〜飽和電流間で可変させるようにしたも
のである。
る。本実施の形態は、ＩＧＢＴ２１のコレクタ電流を緩
やかに制御する効果を利用して、制御用トランジスタ３
３のベースに印加する電圧を制御することにより、ＩＧ
ＢＴ２１のコレクタ電流（電流制限）を任意のタイミン
グで０アンペア〜飽和電流間で可変させるようにしたも
のである。
【００２９】すなわち、この第４実施の形態の回路は、
前記バイアス電源をＥＣＵ１の可変電圧源５１からＰＮ
Ｐトランジスタ５２のベースに供給し、そのエミッタを
定電流源５３によりベース−エミッタ間電圧（ＶBE）１
個分電位を上げて次段ＮＰＮトランジスタ５４のベース
に接続し、抵抗２８、３１、ダイオード２９、３０のエ
ミッタフォロワで構成し、ダイオード２９のアノード部
電位をダイオード３２を介して制御用トランジスタ３３
のベースに印加している。このため、制御用トランジス
タ３３のベースは抵抗３１の電位差分を加えてバイアス
される構成となっており、さらに制御用トランジスタ３
３のベースとＧＮＤ間に、コンデンサ３８と放電用の抵
抗６２の並列回路を挿入して制御中のＩＧＢＴ２１のコ
レクタ電流の変化を緩やかにしている。
前記バイアス電源をＥＣＵ１の可変電圧源５１からＰＮ
Ｐトランジスタ５２のベースに供給し、そのエミッタを
定電流源５３によりベース−エミッタ間電圧（ＶBE）１
個分電位を上げて次段ＮＰＮトランジスタ５４のベース
に接続し、抵抗２８、３１、ダイオード２９、３０のエ
ミッタフォロワで構成し、ダイオード２９のアノード部
電位をダイオード３２を介して制御用トランジスタ３３
のベースに印加している。このため、制御用トランジス
タ３３のベースは抵抗３１の電位差分を加えてバイアス
される構成となっており、さらに制御用トランジスタ３
３のベースとＧＮＤ間に、コンデンサ３８と放電用の抵
抗６２の並列回路を挿入して制御中のＩＧＢＴ２１のコ
レクタ電流の変化を緩やかにしている。
【００３０】本実施の形態の回路では、ＥＣＵ１側でバ
イアス電圧を制御することによりＩＧＢＴ２１のコレク
タ電流制限値を任意にかつ緩やかに可変できるため、エ
ンジンのコンディションにより電流制限値を変化させて
点火コイルに流す電流を増減させる場合、あるいは、異
常時に電流を遮断する場合にもコンデンサ３８と放電抵
抗６２の時定数効果でＩＧＢＴ２１のコレクタ電流は暫
時緩慢に減少するため点火コイルの二次側には高電圧が
誘起されることがない。これにより、エンジンコンディ
ションに応じて任意のタイミングで安全にＩＧＢＴ２１
のコレクタ電流を変化させることが可能となる。
イアス電圧を制御することによりＩＧＢＴ２１のコレク
タ電流制限値を任意にかつ緩やかに可変できるため、エ
ンジンのコンディションにより電流制限値を変化させて
点火コイルに流す電流を増減させる場合、あるいは、異
常時に電流を遮断する場合にもコンデンサ３８と放電抵
抗６２の時定数効果でＩＧＢＴ２１のコレクタ電流は暫
時緩慢に減少するため点火コイルの二次側には高電圧が
誘起されることがない。これにより、エンジンコンディ
ションに応じて任意のタイミングで安全にＩＧＢＴ２１
のコレクタ電流を変化させることが可能となる。
【００３１】図６は、本発明の第５実施の形態を示して
いる。本実施の形態は、イグナイタ内に異常発熱あるい
は点火信号の異常等を検出する異常検出回路６０を設
け、異常発生時にＩＧＢＴ２１のコレクタ電流制限値を
ゆっくり降下させて点火コイルの二次側には高電圧が誘
起されないようにコレクタ電流を０アンペアにする回路
を構成している。
いる。本実施の形態は、イグナイタ内に異常発熱あるい
は点火信号の異常等を検出する異常検出回路６０を設
け、異常発生時にＩＧＢＴ２１のコレクタ電流制限値を
ゆっくり降下させて点火コイルの二次側には高電圧が誘
起されないようにコレクタ電流を０アンペアにする回路
を構成している。
【００３２】本実施の形態の回路では、ＰＮＰトランジ
スタ５２のベースは基準電圧７２でバイアスされ、その
エミッタを定電流源５３によりベース−エミッタ間電圧
（ＶBE）分電位を上げて次段ＮＰＮトランジスタ５４の
ベースに接続し、抵抗２８、３１、ダイオード２９、３
０のエミッタフォロワで構成し、ダイオード２９のアノ
ード部電位をダイオード３２を介して制御用トランジス
タ３３のベースに印加しているため、制御用トランジス
タ３３のベースは抵抗３１の電位差分を加えてバイアス
される構成となっている。
スタ５２のベースは基準電圧７２でバイアスされ、その
エミッタを定電流源５３によりベース−エミッタ間電圧
（ＶBE）分電位を上げて次段ＮＰＮトランジスタ５４の
ベースに接続し、抵抗２８、３１、ダイオード２９、３
０のエミッタフォロワで構成し、ダイオード２９のアノ
ード部電位をダイオード３２を介して制御用トランジス
タ３３のベースに印加しているため、制御用トランジス
タ３３のベースは抵抗３１の電位差分を加えてバイアス
される構成となっている。
【００３３】異常検出回路６０の出力によりトランジス
タ６１がＯＮし制御用トランジスタ３３のベースに印加
しているバイアス電圧を降下させてＩＧＢＴ２１のコレ
クタ電流制限値を降下させる。これにより、制御用トラ
ンジスタ３３のベースとＧＮＤ間のコンデンサ３８と放
電用の抵抗６２の時定数効果でベース電位は緩慢に減少
し、これに対応してＩＧＢＴ２１のコレクタ電流も緩慢
に変化するため、点火コイルの二次側には高電圧が誘起
されることがなくなる。
タ６１がＯＮし制御用トランジスタ３３のベースに印加
しているバイアス電圧を降下させてＩＧＢＴ２１のコレ
クタ電流制限値を降下させる。これにより、制御用トラ
ンジスタ３３のベースとＧＮＤ間のコンデンサ３８と放
電用の抵抗６２の時定数効果でベース電位は緩慢に減少
し、これに対応してＩＧＢＴ２１のコレクタ電流も緩慢
に変化するため、点火コイルの二次側には高電圧が誘起
されることがなくなる。
【００３４】以上、本発明の一実施の形態について詳述
したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるもので
はなく、設計において、特許請求の範囲に記載された本
発明の精神を逸脱することなしに種々の変更を行うこと
ができる。
したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるもので
はなく、設計において、特許請求の範囲に記載された本
発明の精神を逸脱することなしに種々の変更を行うこと
ができる。
【００３５】
【発明の効果】以上の説明から理解できるように、本発
明の内燃機関用点火装置は、制御回路のバイアス電源に
コンデンサを接続して制御応答性を緩やかにし、制御用
トランジスタを緩やかに動作させて電流制限を緩やかに
かけることにより、ＩＧＢＴのコレクタ電圧の発振を抑
制するようにしたので、ＩＧＢＴをスイッチングそしと
し、過電流保護としての電流制限機能を持たせた内燃機
関用点火装置において、電流制限のかかり始めに発生す
る一次電流及びコレクタ電圧の跳ね上がりや発振現象が
抑制でき、安全で信頼性の高い点火装置が得られる。
明の内燃機関用点火装置は、制御回路のバイアス電源に
コンデンサを接続して制御応答性を緩やかにし、制御用
トランジスタを緩やかに動作させて電流制限を緩やかに
かけることにより、ＩＧＢＴのコレクタ電圧の発振を抑
制するようにしたので、ＩＧＢＴをスイッチングそしと
し、過電流保護としての電流制限機能を持たせた内燃機
関用点火装置において、電流制限のかかり始めに発生す
る一次電流及びコレクタ電圧の跳ね上がりや発振現象が
抑制でき、安全で信頼性の高い点火装置が得られる。
【図１】本発明に係る内燃機関用点火装置の第１実施の
形態を示す回路図である。
形態を示す回路図である。
【図２】第１実施の形態の回路の動作波形図である。
【図３】本発明の第２実施の形態を示す回路図である。
【図４】本発の第３実施の形態を示す回路図である。
【図５】本発明の第４実施の形態を示す回路図である。
【図６】本発明の第５実施の形態を示す回路図である。
【図７】従来の内燃機関用点火装置の回路図である。
【図８】図７の回路の動作波形図である。
１…電子制御装置（ＥＣＵ）、２０…点火コイル、２１
…ＩＧＢＴ、２２…電流検出用負荷（電流検出回路）、
２３、２４…抵抗（電流検出回路）、２６、２８、３１
…抵抗（制御基準電圧回路）、２７…ツェナーダイオー
ド（制御基準電圧回路）、２９、３０、３２…ダイオー
ド（制御基準電圧回路）、３３…制御用トランジスタ
（制御回路）、３６…次段トランジスタ（制御回路）、
３７…フィードバック抵抗、３９…電流制限回路、３８
…コンデンサ、４１…１段目のトランジスタ、４２…抵
抗、４３…ツェナーダイオード、５１…可変電圧源、６
０…異常検出回路、６３…基準電圧、ＶB …バッテリ端
子
…ＩＧＢＴ、２２…電流検出用負荷（電流検出回路）、
２３、２４…抵抗（電流検出回路）、２６、２８、３１
…抵抗（制御基準電圧回路）、２７…ツェナーダイオー
ド（制御基準電圧回路）、２９、３０、３２…ダイオー
ド（制御基準電圧回路）、３３…制御用トランジスタ
（制御回路）、３６…次段トランジスタ（制御回路）、
３７…フィードバック抵抗、３９…電流制限回路、３８
…コンデンサ、４１…１段目のトランジスタ、４２…抵
抗、４３…ツェナーダイオード、５１…可変電圧源、６
０…異常検出回路、６３…基準電圧、ＶB …バッテリ端
子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 深津 克明 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器事業部内 (72)発明者 小林 良一 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器事業部内 (72)発明者 杉浦 登 茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株 式会社日立製作所自動車機器事業部内
Claims (5)
- 【請求項１】 電子制御装置から出力される点火制御信
号に応じて点火コイルに流れる一次電流を通電、遮断制
御してその二次側に高電圧を発生させるスイッチング素
子をＩＧＢＴで構成し、該ＩＧＢＴの過電流保護として
の電流制限回路を有する内燃機関用点火装置において、 前記電流制限回路は、前記ＩＧＢＴの制御回路と、電流
制限値を設定する制御基準電圧回路とを備え、前記制御
回路の電源を前記電子制御装置からの点火制御信号から
取り、前記制御基準電圧回路に基準電圧を緩やかに変化
させるためのコンデンサを接続し、電流制限を緩やかに
かけることにより電流制限のかかり始めに発生する前記
ＩＧＢＴのコレクタ電圧の跳ね上がりを抑制したことを
特徴とする内燃機関用点火装置。 - 【請求項２】 電子制御装置から出力される点火制御信
号に応じて点火コイルに流れる一次電流を通電、遮断制
御してその二次側に高電圧を発生させるスイッチング素
子をＩＧＢＴで構成し、該ＩＧＢＴの過電流保護として
の電流制限回路を有する内燃機関用点火装置において、 前記電流制限回路は、前記ＩＧＢＴの制御回路と、電流
制限値を設定する制御基準電圧回路とを備え、前記制御
回路の電源を前記点火コイルの主電源を抵抗およびツェ
ナーダイオードで分圧して取り、前記制御基準電圧回路
に基準電圧を緩やかに変化させるためのコンデンサを接
続し、電流制限を緩やかにかけることにより電流制限の
かかり始めに発生する前記ＩＧＢＴのコレクタ電圧の跳
ね上がりを抑制したことを特徴とする内燃機関用点火装
置。 - 【請求項３】 前記制御基準電圧回路は、電流制限値の
設定を制御用トランジスタのベースバイアス回路で設定
し、該制御用トランジスタのエミッタを電流検出回路に
接続してエミッタフォロワとすることによりエミッタの
電圧上昇で次段トランジスタをオン／オフさせて電流制
限をかける構成とし、前記制御用トランジスタのバイア
ス電圧はダイオードを通しかつコンデンサでバイパスし
てベースに印加され、さらに前記次段トランジスタのベ
ース電圧から前記バイアス回路にフィードバックするこ
とで電流制限のかかり始めに発生する前記ＩＧＢＴのコ
レクタ電圧の跳ね上がりを抑制したことを特徴とする請
求項１または２記載の内燃機関用点火装置。 - 【請求項４】 前記制御用トランジスタと１段目のトラ
ンジスタとをダーリントン構成とし、前記１段目のトラ
ンジスタのエミッタと前記制御用トランジスタのベース
間を前記コンデンサを介してＧＮＤに落とした構成と
し、かつ前記次段トランジスタのベース電圧から基準電
圧設定用バイアス回路にフィードバックすることで電流
制限のかかり始めに発生する前記ＩＧＢＴのコレクタ電
圧の跳ね上がりを抑制したことを特徴とする請求項１ま
たは２記載の内燃機関用点火装置。 - 【請求項５】 前記制御用トランジスタのベースに印加
するバイアス電圧を、前記電子制御装置の可変電圧源ま
たはイグナイタ内の異常検出回路からの信号で制御する
ように構成し、前記ＩＧＢＴのコレクタ電流を任意のタ
イミングで０アンペア〜飽和電流制限間に可変し、かつ
前記コンデンサの充／放電時定数効果により前記点火コ
イルの二次側に高電圧を誘起させることのないように前
記ＩＧＢＴのコレクタ電流制限を暫時緩慢に増減するよ
うにしたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１
項記載の内燃機関用点火装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13490497A JP3530714B2 (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 内燃機関用点火装置 |
| US09/083,139 US5967128A (en) | 1997-05-26 | 1998-05-22 | Ignition apparatus for an internal combustion engine |
| DE19823459A DE19823459C2 (de) | 1997-05-26 | 1998-05-26 | Zündvorrichtung für eine Brennkraftmaschine |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13490497A JP3530714B2 (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 内燃機関用点火装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10325384A true JPH10325384A (ja) | 1998-12-08 |
| JP3530714B2 JP3530714B2 (ja) | 2004-05-24 |
Family
ID=15139254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13490497A Expired - Lifetime JP3530714B2 (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 内燃機関用点火装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5967128A (ja) |
| JP (1) | JP3530714B2 (ja) |
| DE (1) | DE19823459C2 (ja) |
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| KR100401611B1 (ko) * | 2000-10-17 | 2003-10-11 | 기아자동차주식회사 | 차량의 이그나이터 과열 방지 제어장치 및 방법 |
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| JP3607902B2 (ja) * | 2002-07-22 | 2005-01-05 | 三菱電機株式会社 | 内燃機関用点火装置 |
| US6651637B1 (en) * | 2002-10-29 | 2003-11-25 | Transpo Electronics, Inc. | Vehicle ignition system using ignition module with reduced heat generation |
| US6987655B2 (en) * | 2002-11-04 | 2006-01-17 | Delphi Technologies, Inc. | Thermal overload protection circuit for an automotive ignition system |
| JP3968711B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2007-08-29 | 株式会社デンソー | 内燃機関用点火装置およびそのイグナイタ |
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| JP4411535B2 (ja) * | 2004-05-11 | 2010-02-10 | 株式会社デンソー | 内燃機関用点火装置 |
| JP5201321B2 (ja) * | 2007-12-04 | 2013-06-05 | 富士電機株式会社 | イグナイタシステム |
| WO2011097469A2 (en) | 2010-02-04 | 2011-08-11 | Aragon Surgical, Inc. | Laparoscopic radiofrequency surgical device |
| DE102010038623A1 (de) * | 2010-07-29 | 2012-02-02 | Robert Bosch Gmbh | Schaltungsanordnung und Verfahren zur Begrenzung von Stromstärke und/oder Flankensteilheit elektrischer Signale |
| CN102889160B (zh) * | 2012-10-30 | 2016-01-20 | 天津市新阳汽车电子有限公司 | 点火线圈的点火控制器电路 |
| CN108039878B (zh) * | 2017-09-28 | 2021-08-31 | 长春理工大学 | 基于igbt低频噪声检测的低噪声偏置电路 |
| TWI647906B (zh) * | 2018-06-22 | 2019-01-11 | 國家中山科學研究院 | High voltage pulse wave bias circuit |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5500619A (en) * | 1992-03-18 | 1996-03-19 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP3067448B2 (ja) * | 1992-03-18 | 2000-07-17 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| US5397978A (en) * | 1992-08-03 | 1995-03-14 | Silicon Systems, Inc. | Current limit circuit for IGBT spark drive applications |
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