JPH10325807A - Calibration standard sample for optical inspection device, method of manufacturing the same, and sensitivity calibration method in optical inspection device - Google Patents
Calibration standard sample for optical inspection device, method of manufacturing the same, and sensitivity calibration method in optical inspection deviceInfo
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- JPH10325807A JPH10325807A JP5544098A JP5544098A JPH10325807A JP H10325807 A JPH10325807 A JP H10325807A JP 5544098 A JP5544098 A JP 5544098A JP 5544098 A JP5544098 A JP 5544098A JP H10325807 A JPH10325807 A JP H10325807A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光学検査装置の較正において、適用可能な光学
検査装置が限定されることなく高精度で長期間安定に絶
対感度較正を行うことのできる較正用標準試料およびそ
の製造方法を提供する。また感度較正の作業効率を向上
するような光学検査装置およびそれにおける感度較正方
法を提供する。
【解決手段】ビーム加工等の加工によって、試料の表面
の所定の位置に所定の個数で、高さおよび深さ方向を含
む複数の寸法を規定して形成した、単独の構造体で欠陥
を模擬する模擬欠陥を有し、その模擬欠陥の検出出力は
実測あるいはシミュレーションによりあらかじめ保証さ
れるように構成する。また感度較正の作業効率の向上が
可能なように、光学検査装置は前記標準試料で初期状態
の感度保証がされており、装置に感度較正の結果の記
憶、表示、基準較正結果との比較、比較に基づく調整必
要部分の判定が出来るように較正する。
(57) Abstract: In a calibration of an optical inspection apparatus, a calibration standard sample capable of performing absolute sensitivity calibration stably with high accuracy for a long period of time without limitation of applicable optical inspection apparatus, and production thereof. Provide a way. Further, an optical inspection apparatus and a sensitivity calibration method in the optical inspection apparatus which improve the operation efficiency of the sensitivity calibration are provided. A defect is simulated by a single structure formed by defining a plurality of dimensions including a height and a depth direction in a predetermined number at a predetermined position on a surface of a sample by processing such as beam processing. And the detection output of the simulated defect is guaranteed in advance by actual measurement or simulation. In addition, in order to improve the efficiency of sensitivity calibration work, the optical inspection apparatus is provided with an initial state sensitivity assurance using the standard sample, and the apparatus stores and displays sensitivity calibration results, compares the results with the reference calibration results, Calibration is performed so that the adjustment necessary portion can be determined based on the comparison.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハおよ
びホトマスク、レチクル、液晶基板等の電子部品を被検
査対象物とし、この被検査対象物上の異物等の欠陥を光
学的に検出して検査する光学検査装置に対する較正用標
準試料および光学検査装置における感度較正方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic component such as a semiconductor wafer and a photomask, a reticle, a liquid crystal substrate, etc., as an object to be inspected. The present invention relates to a calibration standard sample for an optical inspection apparatus and a sensitivity calibration method for the optical inspection apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体装置等の製造工程では製品の表面
に存在する異物等の欠陥の検査が行われる。この検査を
行う光学検査装置では、例えば製品に光を照射し、製品
の表面に存在する異物等の欠陥から発生する散乱光を検
出することによって検出を行うようにしている。光学検
査装置は、被検査対象物によって検出感度を変えて用い
るために感度較正が必要である。また、光学検査装置の
経時変化の有無を判断するためにも感度較正は必要であ
る。この感度較正のための標準試料には、試料の表面に
模擬欠陥としてポリスチレンラテックスの標準粒子を付
着させたものが基準として用いられることが一般的であ
る。ポリスチレンラテックスを使用することにより、大
きさが正確な模擬欠陥を試料表面に形成でき、検出した
い欠陥の大きさと検出出力との関係を得る絶対感度較正
が可能となる。しかし、この方法により作成した標準試
料は、長期にわたる使用のうちに大気中の塵埃の付着等
によって表面の状態が変化し、たとえ較正される装置の
感度が同一であったとしても、異なる検出結果を得るこ
とになり、感度較正は不可能になる。また、あとから付
着した塵埃の除去のため洗浄を行おうとしても、この時
模擬欠陥である標準粒子も除去され表面状態が変化する
ため、やはり感度較正は不可能になるという課題を有し
ている。2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a semiconductor device or the like, a defect such as a foreign substance present on the surface of a product is inspected. In an optical inspection apparatus for performing this inspection, for example, the product is irradiated with light, and the detection is performed by detecting scattered light generated from a defect such as a foreign substance present on the surface of the product. The optical inspection apparatus requires sensitivity calibration because the detection sensitivity is changed depending on the inspection object. Sensitivity calibration is also required to determine whether the optical inspection device has changed over time. As a standard sample for the sensitivity calibration, a sample obtained by adhering standard particles of polystyrene latex as a simulated defect to the surface of the sample is generally used as a standard. By using polystyrene latex, a simulated defect having an accurate size can be formed on a sample surface, and absolute sensitivity calibration for obtaining a relationship between the size of a defect to be detected and a detection output can be performed. However, the standard sample created by this method changes the surface condition due to the adhesion of dust in the air, etc., over a long period of use. And sensitivity calibration becomes impossible. In addition, even if cleaning is performed to remove dust adhered later, since the standard particles that are simulated defects are also removed and the surface state changes, there is still a problem that sensitivity calibration becomes impossible. I have.
【0003】このため、標準粒子を付着させた標準試料
を長期にわたって安定して使用するための発明がいくつ
かなされている。例えば、特開平3−218044号公
報で開示された例は、標準粒子を付着させた試料表面
に、透明膜が形成された表面保護具を設け、表面に大気
中の塵埃が付着しないようにしたものである。また特開
平5−160224号公報で開示された例は、試料上に
付着させた微粒子が固定膜により被覆され、表面に固着
されるように構成し、洗浄による微粒子の脱落を無く
し、後から表面に付着した塵埃のみを選択的に除去でき
るようにすることにより、長期にわたる使用を可能にし
たものである。For this reason, several inventions have been made for stably using a standard sample to which standard particles are adhered for a long period of time. For example, in the example disclosed in JP-A-3-218044, a surface protector having a transparent film is provided on the surface of a sample to which standard particles are adhered, so that dust in the atmosphere is prevented from adhering to the surface. Things. Further, the example disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-160224 discloses a configuration in which fine particles adhered onto a sample are covered with a fixed film and fixed on the surface, so that the fine particles do not fall off due to washing, and the surface is removed later. By allowing only the dust adhering to the surface to be selectively removed, long-term use is made possible.
【0004】また、特開平4−50976号公報で開示
された例は、標準粒子に代えて、試料面上にリソグラフ
ィにより、洗浄に対して耐性のある材料で模擬欠陥を形
成したものである。また特開平2−1772251号公
報で開示された例は、標準粒子に代えて、試料面に光C
VD加工で凸状の擬似異物を、またはイオンビーム加工
で凹状の擬似異物を複数形成したものである。また、表
面検査装置の感度較正の方法として、特開平3−214
641号公報では、ウエハに多分散な粒度分布を有する
金属粒子を付着させて複数の表面検査装置間の相関を求
める方法が開示されている。また、特公平5−1125
7号公報では、装置に設置された基準パターンを走査し
て、検出された散乱光の時間幅情報からビーム幅に関す
る情報を検出記憶し、基準情報との比較を行うことで、
感度変化を検出する異物検査装置の例が開示されてい
る。In the example disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-50976, a simulated defect is formed on a sample surface by lithography instead of standard particles, using a material resistant to cleaning. In the example disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-177251, a light C is applied to the sample surface instead of the standard particles.
A plurality of convex pseudo foreign substances are formed by VD processing, or a plurality of concave pseudo foreign substances are formed by ion beam processing. As a method of calibrating the sensitivity of a surface inspection apparatus, Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-214
Japanese Patent No. 641 discloses a method in which metal particles having a polydispersed particle size distribution are attached to a wafer to obtain a correlation between a plurality of surface inspection devices. In addition, 5-1125
In Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-107, by scanning a reference pattern installed in the apparatus, detecting and storing information on a beam width from time width information of the detected scattered light, and comparing with the reference information,
An example of a foreign substance inspection device that detects a change in sensitivity is disclosed.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、試料の表面
に標準粒子を付着させた標準試料(特開平3−2180
44号公報、特開平5−160224号公報、特開平5
−340884号公報)は、模擬欠陥としての標準粒子
は表面に散布され、付着位置、および付着個数の制御が
困難であるため、作成された標準試料が本来どのような
性状のものであるかの判別が困難であり、また付着位
置、および付着個数が同一の標準試料を複数作成するこ
とが不可能であるという課題を有していた。加工により
模擬欠陥を形成した標準試料では、模擬欠陥の位置、個
数の制御および同一試料の複数作成などの問題は解決さ
れるが、特開平4−50976号公報で開示された例
は、試料面上で同一の高さ(深さ)を持つ単位パターンを
形成し、表面検査装置の照明スポットでその全体が照明
されるような単位パターン群で欠陥を模擬し、欠陥の大
きさを単位パターンの密度で模擬するものであるため、
適用可能な検査装置が限定されるという課題を有してい
た。By the way, a standard sample having standard particles adhered to the surface of the sample (JP-A-3-2180)
44, JP-A-5-160224, JP-A-5-160224
Japanese Patent No. 340884) discloses that the standard particles as simulated defects are scattered on the surface, and it is difficult to control the attachment position and the number of attached particles. There is a problem that it is difficult to discriminate, and it is impossible to prepare a plurality of standard samples having the same attachment position and the same number of attachments. In a standard sample in which a simulated defect is formed by processing, problems such as control of the position and the number of the simulated defect and creation of a plurality of the same sample can be solved. Form a unit pattern with the same height (depth) on the top, simulate a defect with a unit pattern group that the whole is illuminated by the illumination spot of the surface inspection device, and determine the size of the defect Because it simulates with density,
There has been a problem that applicable inspection devices are limited.
【0006】また、特開平2−1772251号公報で
開示された例では、作成した模擬欠陥の検出出力と実際
に検出すべき欠陥の検出出力との相関について考慮され
ていないため、検出したい欠陥の大きさと検出出力との
関係を得る絶対感度較正を行うためには不適当であっ
た。また、特開平3−214641号公報で開示された
表面検査装置の感度較正の例は、多分散の粒度分布をも
つ金属粒子を付着させたウエハを標準試料とし、付着個
数を代えた複数のウエハの検出個数のみによって、検査
装置間の相関を求めるものであり、装置から得られる検
出出力が、検出したい欠陥のサイズに対して妥当である
かを確認するような絶対感度較正を行うことは不可能で
ある。また、特公平5−11257号公報で開示された
例では、作成した模擬パターンの検出出力と実際に検出
すべき欠陥の検出出力との相関について考慮されていな
いため、検出したい欠陥の大きさと検出出力との関係を
得る絶対感度較正を行うことは不可能であった。Further, in the example disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-177251, since the correlation between the detection output of the created simulated defect and the detection output of the defect to be actually detected is not considered, the defect to be detected is not considered. It was unsuitable for performing absolute sensitivity calibration to obtain the relationship between magnitude and detection output. Further, an example of sensitivity calibration of a surface inspection apparatus disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-214641 discloses a method in which a wafer to which metal particles having a polydispersed particle size distribution are adhered is used as a standard sample, and a plurality of wafers in which the number of adhered particles is changed. The correlation between the inspection devices is determined only by the number of detected devices, and it is not possible to perform absolute sensitivity calibration to confirm whether the detection output obtained from the devices is appropriate for the size of the defect to be detected. It is possible. Further, in the example disclosed in Japanese Patent Publication No. 11257/1993, since the correlation between the detection output of the created simulation pattern and the detection output of the defect to be actually detected is not considered, the size of the defect to be detected and the detection It was not possible to perform an absolute sensitivity calibration to obtain a relationship with the output.
【0007】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
適用可能な検査装置が限定されずに、保証された絶対感
度較正を行うことができるようにした光学検査装置用の
較正用標準試料を提供することにある。また、本発明の
他の目的は、保証された絶対感度較正を行って被検査対
象物上に存在する様々なサイズを有する欠陥を見逃しす
ることなく高信頼で検査できるようにした光学検査装置
における感度較正方法を提供することにある。[0007] An object of the present invention is to solve the above problems.
An object of the present invention is to provide a calibration standard sample for an optical inspection apparatus capable of performing a guaranteed absolute sensitivity calibration without limiting an applicable inspection apparatus. Another object of the present invention is to provide an optical inspection apparatus that performs a guaranteed absolute sensitivity calibration so that a defect having various sizes existing on an inspection object can be inspected with high reliability without overlooking the defect. It is to provide a sensitivity calibration method.
【0008】また、本発明の他の目的は、製造途中にお
ける半導体ウエハ等のような被検査対象物の表面に形成
された光に対して透明な層間絶縁膜の下若しくは内の欠
陥を感度よく検査できるようにした光学検査装置用の較
正用標準試料および光学検査装置における感度較正方法
を提供することにある。また、本発明の他の目的は、製
造途中における半導体ウエハ等のような被検査対象物の
表面に形成された光に対して透明な層間絶縁膜の上の欠
陥を感度よく検査できるようにした光学検査装置用の較
正用標準試料および光学検査装置における感度較正方法
を提供することにある。Another object of the present invention is to provide a method for detecting defects under or in a transparent interlayer insulating film with high sensitivity to light formed on the surface of an object to be inspected such as a semiconductor wafer during manufacturing. It is an object of the present invention to provide a calibration standard sample for an optical inspection apparatus and a sensitivity calibration method in the optical inspection apparatus, which can be inspected. Another object of the present invention is to enable high-sensitivity inspection of defects on an interlayer insulating film that is transparent to light formed on the surface of an object to be inspected such as a semiconductor wafer during manufacturing. It is an object of the present invention to provide a calibration standard sample for an optical inspection device and a sensitivity calibration method in an optical inspection device.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、被検査対象物に対して照明光を照射する
照明光学系と、該被検査対象物から得られる光学像を検
出する検出光学系と、該検出光学系で検出される光学像
を受光して画像信号に変換する検出器と、該検出器で検
出して変換された画像信号に基づいて前記被検査対象物
に存在する欠陥を検査する欠陥検査手段とを備えた光学
検査装置の較正に使用される較正用標準試料の製造方法
において、標準粒子の粒子径に対応する模擬欠陥の立体
形状設計データと実測される模擬欠陥の立体形状測定デ
ータとの関係がほぼ一致し、更に前記模擬欠陥の立体形
状設計データに基づいてシュミレーションされた模擬欠
陥についての感度の予測データと前記模擬欠陥の立体形
状測定データに基づいてシュミレーションされた模擬欠
陥についての感度の予測データとの関係がほぼ一致する
ように設定された加工パラメータにより3次元寸法を規
定した立体形状の模擬欠陥を、所定の個数で、試料の表
面に配設して形成する加工工程と、該加工工程で形成さ
れた模擬欠陥について標準の光学検査装置によって検査
して模擬欠陥の感度を実測する感度データ実測工程と、
該感度データ実測工程で実測された模擬欠陥の感度デー
タと前記加工工程から得られる模擬欠陥の立体形状設計
データまたは模擬欠陥の立体形状測定データとから、標
準粒子の粒子径に対応する模擬欠陥の立体形状データに
対する保証された感度データを取得する保証データ取得
工程とを有することを特徴とする光学検査装置用の較正
用標準試料の製造方法である。また、本発明は、被検査
対象物に対して照明光を照射する照明光学系と、該被検
査対象物から得られる光学像を検出する検出光学系と、
該検出光学系で検出される光学像を受光して画像信号に
変換する検出器と、該検出器で検出して変換された画像
信号に基づいて前記被検査対象物に存在する欠陥を検査
する欠陥検査手段とを備えた光学検査装置の較正に使用
される較正用標準試料の製造方法において、標準粒子の
粒子径に対応する模擬欠陥の立体形状設計データと実測
される模擬欠陥の立体形状測定データとの関係がほぼ一
致し、更に前記模擬欠陥の立体形状設計データに基づい
てシュミレーションされた模擬欠陥についての感度の予
測データと前記模擬欠陥の立体形状測定データに基づい
てシュミレーションされた模擬欠陥についての感度の予
測データとの関係がほぼ一致するように設定された加工
パラメータにより3次元寸法を規定した立体形状の模擬
欠陥を、所定の個数で、試料の表面に配設して形成する
加工工程と、該加工工程でシュミレーションされた模擬
欠陥の感度の予測データと前記加工工程から得られる模
擬欠陥の立体形状設計データまたは模擬欠陥の立体形状
測定データとから、標準粒子の粒子径に対応する模擬欠
陥の立体形状データに対する保証された感度データを取
得する保証データ取得工程とを有することを特徴とする
光学検査装置用の較正用標準試料の製造方法である。In order to achieve the above object, the present invention provides an illumination optical system for irradiating illumination light to an object to be inspected, and an optical system for detecting an optical image obtained from the object to be inspected. A detection optical system, a detector that receives an optical image detected by the detection optical system and converts the optical image into an image signal, and detects the object under inspection based on the image signal detected and converted by the detector. In a method of manufacturing a calibration standard sample used for calibrating an optical inspection apparatus having a defect inspection unit for inspecting an existing defect, a three-dimensional shape design data of a simulated defect corresponding to a particle diameter of a standard particle is actually measured. The relationship between the three-dimensional shape measurement data of the simulated defect and the three-dimensional shape measurement data of the simulated defect are substantially the same, and the sensitivity prediction data for the simulated defect simulated based on the three-dimensional shape design data of the simulated defect and the three-dimensional shape measurement data of the simulated defect are used. Then, a predetermined number of three-dimensional simulated defects having three-dimensional dimensions defined by processing parameters set so that the relationship between the simulated simulated defects and the predicted data of the sensitivity of the simulated defects substantially coincide with each other are arranged on the surface of the sample. A processing step of setting and forming, and a sensitivity data measurement step of actually measuring the sensitivity of the simulated defect by inspecting the simulated defect formed in the processing step by a standard optical inspection device,
From the sensitivity data of the simulated defect actually measured in the sensitivity data actual measurement step and the three-dimensional shape design data of the simulated defect obtained from the processing step or the three-dimensional shape measurement data of the simulated defect, the simulated defect corresponding to the particle diameter of the standard particle is obtained. A guaranteed data acquisition step of acquiring guaranteed sensitivity data with respect to the three-dimensional shape data. Further, the present invention is an illumination optical system that irradiates the inspection object with illumination light, a detection optical system that detects an optical image obtained from the inspection object,
A detector that receives the optical image detected by the detection optical system and converts the optical image into an image signal; and inspects a defect existing in the inspection object based on the image signal detected and converted by the detector. In a method of manufacturing a calibration standard sample used for calibrating an optical inspection apparatus having a defect inspection unit, a three-dimensional shape design data of a simulated defect corresponding to a particle diameter of a standard particle and a three-dimensional shape measurement of the simulated defect actually measured The relationship between the simulation data and the simulation defect based on the predicted data of the sensitivity of the simulation defect simulated based on the three-dimensional shape design data of the simulation defect and the simulation defect based on the three-dimensional shape measurement data of the simulation defect is substantially the same. A simulated defect having a three-dimensional shape whose three-dimensional dimension is defined by a processing parameter set so that the relationship with the prediction data of the sensitivity A processing step of arranging and forming on the surface of the sample, prediction data of the sensitivity of the simulated defect simulated in the processing step, and three-dimensional shape design data of the simulated defect obtained from the processing step or the three-dimensional shape of the simulated defect From the measurement data, a guaranteed data acquisition step of acquiring guaranteed sensitivity data for the three-dimensional shape data of the simulated defect corresponding to the particle diameter of the standard particles, and a calibration standard sample for an optical inspection device, It is a manufacturing method.
【0010】また、本発明は、被検査対象物に対して照
明光を照射する照明光学系と、該被検査対象物から得ら
れる光学像を検出する検出光学系と、該検出光学系で検
出される光学像を受光して画像信号に変換する検出器
と、該検出器で検出して変換された画像信号に基づいて
前記被検査対象物に存在する欠陥を検査する欠陥検査手
段とを備えた光学検査装置の較正に使用される較正用標
準試料として、、例えば楕円体、楕円柱、直方体などの
立体形状の種類にさほど関係なく投影面積と全散乱光量
若しくは検出散乱光量とがほぼ比例関係にあることから
して投影面積に対応させて3次元寸法を規定した単独構
造体である立体形状(凸状若しくは凹状)の模擬欠陥
を、所定の個数で、試料の表面に配設して形成したこと
を特徴とする光学検査装置用の較正用標準試料である。
また、本発明は、前記光学検査装置の較正に使用される
較正用標準試料として、被検査対象物に存在する様々な
欠陥サイズを標準粒子の異なる粒子径(例えば投影面
積)に対応させて模擬できるように3次元寸法を異なら
しめた複数種類の単独構造体である立体形状(凸状若し
くは凹状)の模擬欠陥を、所定の個数で、試料の表面に
配設して形成したことを特徴とする光学検査装置用の較
正用標準試料である。また、本発明は、表面に、所望の
膜厚で光に対して透明な膜を有する被検査対象物に対し
て照明光を照射する照明光学系と、該被検査対象物から
得られる光学像を検出する検出光学系と、該検出光学系
で検出される光学像を受光して画像信号に変換する検出
器と、該検出器で検出して変換された画像信号に基づい
て前記被検査対象物に存在する欠陥を検査する欠陥検査
手段とを備えた光学検査装置の較正に使用される較正用
標準試料として、被検査対象物に存在する欠陥を模擬で
きるように3次元寸法を規定した立体形状の模擬欠陥
を、所望の膜厚を有し、且つ光に対して透明な膜上に、
所定の個数で、配設して形成することを特徴とする光学
検査装置用の較正用標準試料である。Further, the present invention provides an illumination optical system for irradiating an inspection object with illumination light, a detection optical system for detecting an optical image obtained from the inspection object, and a detection optical system for detecting the optical image. A detector for receiving the optical image to be converted into an image signal, and a defect inspection unit for inspecting a defect existing in the inspection object based on the image signal detected and converted by the detector. As a calibration standard sample used for calibration of optical inspection equipment, the projected area and the total scattered light amount or the detected scattered light amount are almost proportional regardless of the type of three-dimensional shape such as an ellipsoid, an elliptic cylinder, and a rectangular parallelepiped. Therefore, a predetermined number of simulated defects of a three-dimensional shape (convex or concave), which are single structures having three-dimensional dimensions corresponding to the projection area, are formed on the surface of the sample. Optical inspection characterized by It is a calibration standard sample of 置用.
Further, the present invention provides a simulation standard sample used for calibrating the optical inspection apparatus, which simulates various defect sizes present in the inspection object in correspondence with different particle diameters (for example, projection areas) of standard particles. It is characterized in that a predetermined number of three-dimensional (convex or concave) simulated defects, which are plural types of single structures having different three-dimensional dimensions, are arranged on the surface of the sample. This is a calibration standard sample for an optical inspection apparatus to be used. Further, the present invention provides an illumination optical system for irradiating illumination light to an inspection object having a film having a desired thickness on its surface and transparent to light, and an optical image obtained from the inspection object. Detection optical system, a detector that receives an optical image detected by the detection optical system and converts the optical image into an image signal, and the inspection object based on the image signal detected and converted by the detector. A three-dimensional object having a three-dimensional dimension defined so as to simulate a defect present in the inspection object as a calibration standard sample used for calibrating an optical inspection apparatus having a defect inspection means for inspecting a defect existing in the object. Simulated defects of the shape, on a film having a desired film thickness and transparent to light,
A calibration standard sample for an optical inspection device, wherein the calibration standard sample is arranged and formed in a predetermined number.
【0011】また、本発明は、表面に、所望の膜厚で光
に対して透明な膜を有する被検査対象物に対する前記光
学検査装置の較正に使用される較正用標準試料として、
被検査対象物に存在する欠陥を模擬できるように3次元
寸法を規定した立体形状の模擬欠陥を、所定の個数で、
試料の表面に配設して形成し、該模擬欠陥を、所望の膜
厚を有し、且つ光に対して透明な膜で被覆することを特
徴とする光学検査装置用の較正用標準試料である。ま
た、本発明は、表面に、所望の膜厚で光に対して透明な
膜を有する被検査対象物に対する前記光学検査装置の較
正に使用される較正用標準試料において、前記模擬欠陥
を、3次元寸法を異ならしめた複数種類で形成すること
を特徴とする。また、本発明は、表面に、所望の膜厚で
光に対して透明な膜を有する被検査対象物に対する前記
光学検査装置の較正に使用される較正用標準試料におい
て、前記模擬欠陥が配設される領域毎に、前記透明な膜
の膜厚を変えることを特徴とする。また、本発明は、前
記光学検査装置用の較正用標準試料において、被検査対
象物と同じような回路パターンを形成することを特徴と
する。Further, the present invention provides a calibration standard sample used for calibrating the optical inspection apparatus for an object to be inspected having a film having a desired thickness and transparent to light on the surface.
A predetermined number of three-dimensional simulated defects with three-dimensional dimensions defined so as to simulate defects existing in the inspection object,
A calibration standard sample for an optical inspection device, which is formed by being arranged on the surface of a sample, and wherein the simulated defect has a desired film thickness and is coated with a film transparent to light. is there. Further, the present invention provides a calibration standard sample used for calibrating the optical inspection apparatus with respect to an object to be inspected having a film having a desired film thickness and being transparent to light on the surface, wherein the simulated defect is 3 It is characterized by being formed of a plurality of types having different dimensional dimensions. Further, the present invention provides a calibration standard sample used for calibrating the optical inspection apparatus for an object to be inspected having a film having a desired film thickness and being transparent to light on the surface, wherein the simulated defect is provided. It is characterized in that the thickness of the transparent film is changed for each region to be formed. Further, the present invention is characterized in that a circuit pattern similar to the object to be inspected is formed in the calibration standard sample for the optical inspection apparatus.
【0012】また、本発明は、前記光学検査装置用の較
正用標準試料において、前記模擬欠陥を、エネルギービ
ーム除去加工、またはガスアシスト荷電粒子ビームエッ
チング加工、またはエネルギービームCVD加工、また
は微量液体供給−レーザ固化加工により形成したことを
特徴とする。また、本発明は、前記光学検査装置用の較
正用標準試料において、前記模擬欠陥を、走査型プロー
ブ顕微鏡を用いて形成したことを特徴とする。また、本
発明は、前記光学検査装置用の較正用標準試料におい
て、標準粒子の粒子径に対応する模擬欠陥の保証された
立体形状データと該模擬欠陥の保証された感度データと
を付属させることを特徴とする。また、本発明は、被検
査対象物に対して照明光を照射する照明光学系と、該被
検査対象物から得られる光学像を検出する検出光学系
と、該検出光学系で検出される光学像を受光して画像信
号に変換する検出器と、該検出器で検出して変換された
画像信号に基づいて前記被検査対象物に存在する欠陥を
検査する欠陥検査手段とを備えた光学検査装置におい
て、被検査対象物に存在する欠陥を模擬できるように3
次元寸法を規定した単独立体形状の模擬欠陥を、所定の
個数で、試料の表面に配設して形成した較正用標準試料
を用いて、前記被検査対象物に存在する欠陥を検査する
感度を較正することを特徴とする光学検査装置における
感度較正方法である。Further, in the present invention, in the calibration standard sample for the optical inspection apparatus, the simulated defect is processed by energy beam removal processing, gas-assisted charged particle beam etching processing, energy beam CVD processing, or trace liquid supply. -It is characterized by being formed by laser solidification. Further, the present invention is characterized in that in the calibration standard sample for the optical inspection device, the simulated defect is formed using a scanning probe microscope. Further, in the present invention, in the calibration standard sample for the optical inspection apparatus, the guaranteed three-dimensional shape data of the simulated defect corresponding to the particle diameter of the standard particle and the guaranteed sensitivity data of the simulated defect are attached. It is characterized by. Further, the present invention provides an illumination optical system that irradiates illumination light to an inspection object, a detection optical system that detects an optical image obtained from the inspection object, and an optical element that is detected by the detection optical system. An optical inspection system comprising: a detector that receives an image and converts the image signal into an image signal; and a defect inspection unit that inspects a defect existing in the inspection object based on the image signal detected and converted by the detector. In the device, 3 so that the defect existing in the inspection object can be simulated
Using a calibration standard sample formed by arranging a predetermined number of simulated defects of a single three-dimensional shape having a prescribed dimensional dimension on the surface of the sample, the sensitivity of inspecting the defect existing in the inspection object is improved. This is a sensitivity calibration method for an optical inspection device, characterized by performing calibration.
【0013】また、本発明は、被検査対象物に対して照
明光を照射する照明光学系と、該被検査対象物から得ら
れる光学像を検出する検出光学系と、該検出光学系で検
出される光学像を受光して画像信号に変換する検出器
と、該検出器で検出して変換された画像信号に基づいて
前記被検査対象物に存在する欠陥を検査する欠陥検査手
段とを備えた光学検査装置において、被検査対象物に存
在する欠陥を標準粒子の異なる粒子径に対応させて模擬
できるように3次元寸法を異ならしめた複数種類の単独
立体形状の模擬欠陥を、所定の個数で、試料の表面に配
設して形成した較正用標準試料を用いて、前記被検査対
象物に存在する欠陥を検査する感度を較正することを特
徴とする光学検査装置における感度較正方法である。ま
た、本発明は、表面に、所望の膜厚で光に対して透明な
膜を有する被検査対象物に対して照明光を照射する照明
光学系と、該被検査対象物から得られる光学像を検出す
る検出光学系と、該検出光学系で検出される光学像を受
光して画像信号に変換する検出器と、該検出器で検出し
て変換された画像信号に基づいて前記被検査対象物の表
面に存在する欠陥を検査する欠陥検査手段とを備えた光
学検査装置において、被検査対象物の表面に存在する欠
陥を模擬できるように3次元寸法を規定した立体形状の
模擬欠陥を、所望の膜厚を有し、且つ光に対して透明な
膜上に、所定の個数で、配設して形成した較正用標準試
料を用いて、被検査対象物の表面膜の上または内に存在
する欠陥を検査する感度を較正することを特徴とする光
学検査装置における感度較正方法である。Further, the present invention provides an illumination optical system for irradiating an inspection object with illumination light, a detection optical system for detecting an optical image obtained from the inspection object, and a detection optical system for detecting the optical image. A detector that receives the optical image to be converted into an image signal, and a defect inspection unit that inspects a defect present in the inspection object based on the image signal detected and converted by the detector. In the optical inspection device, a predetermined number of simulated defects of a plurality of types of single three-dimensional shapes having different three-dimensional dimensions so that defects existing in the inspection object can be simulated corresponding to different particle diameters of standard particles are provided. A sensitivity calibration method for an optical inspection device, comprising: calibrating a sensitivity for inspecting a defect existing in the inspection object by using a calibration standard sample arranged and formed on a surface of the sample. . Further, the present invention provides an illumination optical system that irradiates illumination light to an object to be inspected having a film having a desired thickness on its surface and transparent to light, and an optical image obtained from the object to be inspected. Detection optical system, a detector that receives an optical image detected by the detection optical system and converts the optical image into an image signal, and the inspection object based on the image signal detected and converted by the detector. An optical inspection apparatus having defect inspection means for inspecting a defect present on the surface of the object, wherein a three-dimensional simulated defect having a three-dimensional dimension defined so as to simulate a defect existing on the surface of the object to be inspected, On a film having a desired film thickness and transparent to light, a predetermined number of calibration standard samples arranged and formed are used, on or in the surface film of the inspection object. An optical inspection apparatus characterized by calibrating the sensitivity for inspecting existing defects. Is that sensitivity calibration method.
【0014】また、本発明は、表面に、所望の膜厚で光
に対して透明な膜を有する被検査対象物に対して照明光
を照射する照明光学系と、該被検査対象物から得られる
光学像を検出する検出光学系と、該検出光学系で検出さ
れる光学像を受光して画像信号に変換する検出器と、該
検出器で検出して変換された画像信号に基づいて前記被
検査対象物に存在する欠陥を検査する欠陥検査手段とを
備えた光学検査装置において、被検査対象物に存在する
欠陥を模擬できるように3次元寸法を規定した立体形状
の模擬欠陥を、所定の個数で、試料の表面に配設して形
成し、該模擬欠陥を、所望の膜厚を有し、且つ光に対し
て透明な膜で被覆した較正用標準試料を用いて、被検査
対象物の表面膜の下または内に存在する欠陥を検査する
感度を較正することを特徴とする光学検査装置における
感度較正方法である。また、本発明は、前記光学検査装
置における感度較正方法において、感度を較正した結果
を表示手段に表示することを特徴とする。また、本発明
は、前記光学検査装置における感度較正方法において、
感度を較正した結果とその基準となる感度データとを併
せて表示手段に表示することを特徴とする。また、本発
明は、前記光学検査装置における感度較正方法におい
て、感度を較正した結果とその基準となる感度データと
を併せて表示手段に表示することを特徴とする。The present invention also provides an illumination optical system for irradiating illumination light to an object to be inspected which has a transparent film having a desired thickness on its surface, and an illumination optical system obtained from the object to be inspected. A detection optical system for detecting an optical image to be detected, a detector for receiving an optical image detected by the detection optical system and converting the optical image into an image signal, and detecting the optical image based on the image signal detected and converted by the detector. An optical inspection apparatus having a defect inspection means for inspecting a defect existing in an inspection object, a simulated defect having a three-dimensional shape having a three-dimensional dimension defined so that the defect existing in the inspection object can be simulated. The dummy defect is formed by arranging on the surface of the sample, and forming the simulated defect using a calibration standard sample having a desired film thickness and covered with a film transparent to light. Calibrate the sensitivity to inspect for defects present under or within the surface film of the object. The sensitivity calibration method in an optical inspection apparatus according to claim. Further, according to the present invention, in the sensitivity calibration method for the optical inspection device, a result of calibrating the sensitivity is displayed on a display unit. Further, the present invention provides a sensitivity calibration method in the optical inspection device,
It is characterized in that a result of calibrating the sensitivity and sensitivity data serving as a reference thereof are displayed together on the display means. Further, the present invention is characterized in that, in the sensitivity calibrating method in the optical inspection apparatus, a result of calibrating the sensitivity and sensitivity data serving as a reference thereof are displayed on a display means.
【0015】また、本発明は、較正用標準試料を搭載し
て感度較正を行った結果と基準較正結果とを比較する手
段と、その比較の結果から装置の調整を行うべき部分を
判定する判定手段と、その判定結果を出力する出力手段
とを備えた光学検査装置(外観検査装置)である。ま
た、本発明は、前記光学検査装置において、装置の調整
が必要であると判定された場合にはアラームを発生する
アラーム発生手段を備えたことを特徴とする。Further, according to the present invention, there is provided means for comparing a result obtained by carrying out a sensitivity calibration with a calibration standard sample mounted thereon and a reference calibration result, and judging a portion to be adjusted of the apparatus from the result of the comparison. An optical inspection apparatus (appearance inspection apparatus) including means and output means for outputting the determination result. Further, the present invention is characterized in that the optical inspection device includes an alarm generation unit that generates an alarm when it is determined that adjustment of the device is necessary.
【0016】以上説明したように、前記構成によれば、
適用可能な検査装置が限定されずに、保証された絶対感
度較正を行うことができるようにした光学検査装置用の
較正用標準試料を実現することができる。As described above, according to the above configuration,
An applicable inspection device is not limited, and a calibration standard sample for an optical inspection device that can perform guaranteed absolute sensitivity calibration can be realized.
【0017】また、前記構成によれば、保証された絶対
感度較正を行って被検査対象物上に存在する様々なサイ
ズを有する欠陥を見逃しすることなく高信頼で検査でき
るようにした光学検査装置における感度較正方法を実現
することができる。また、前記構成によれば、製造途中
における半導体ウエハ等のような被検査対象物の表面に
形成された光に対して透明な層間絶縁膜の下若しくは内
の欠陥を感度よく検査することができる。また、前記構
成によれば、製造途中における半導体ウエハ等のような
被検査対象物の表面に形成された光に対して透明な層間
絶縁膜の上の欠陥を感度よく検査することができる。Further, according to the above configuration, an optical inspection apparatus capable of performing a guaranteed absolute sensitivity calibration and performing an inspection with high reliability without overlooking defects having various sizes existing on the inspection object. Can be realized. Further, according to the configuration, it is possible to inspect a defect under or in a transparent interlayer insulating film with respect to light formed on a surface of an inspection object such as a semiconductor wafer during manufacturing with high sensitivity. . Further, according to the configuration, it is possible to inspect a defect on the interlayer insulating film which is transparent to light formed on the surface of the inspection object such as a semiconductor wafer during manufacturing with high sensitivity.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態に関し
て、図1〜図24を用いて説明する。はじめに本発明に
係る被検査対象物上の異物等の欠陥を検査する光学検査
装置について、その概略を図16に示す。図中162は
照明光学系である。1621はレーザ光源、1622は
集光レンズで、レーザ光源1621より射出された光束
を集光して試料1の表面を照明する。1623は照明光
学系162によって試料面上に形成された照明スポット
である。164は検出光学系で、試料1上の検査視野、
(試料1の表面のうち、そこから反射、散乱によって射
出された光が検出光学系に入射できるような範囲)が検
出器165上に結像される。検出器165は、結像され
た光を光電変換するものであり、試料1上の表面から発
生する散乱光を検出し、電気信号として検出出力を得る
ものである。検出器165は、受光した光が大きいほど
出力する電気信号も大きくなるように構成する。なお、
図中には検出器165には一次元固体撮像素子を用いた
例について示した。試料1はx−y−zステージ161
0に載置され、検出光学系164の焦点位置にz方向の
位置を保持しながらx−y走査され、試料全面の検査が
行われる。なお、座標X、Y、Zは、図16に矢印にて
示す方向である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to FIGS. First, an optical inspection apparatus for inspecting a defect such as a foreign substance on an inspection object according to the present invention is schematically shown in FIG. In the figure, reference numeral 162 denotes an illumination optical system. Reference numeral 1621 denotes a laser light source, and reference numeral 1622 denotes a condenser lens, which collects a light beam emitted from the laser light source 1621 and illuminates the surface of the sample 1. Reference numeral 1623 denotes an illumination spot formed on the sample surface by the illumination optical system 162. Reference numeral 164 denotes a detection optical system, an inspection field of view on the sample 1,
(A range of the surface of the sample 1 where light emitted by reflection and scattering from the surface can enter the detection optical system) is imaged on the detector 165. The detector 165 photoelectrically converts the imaged light, detects scattered light generated from the surface on the sample 1, and obtains a detection output as an electric signal. The detector 165 is configured so that the larger the received light, the larger the output electric signal. In addition,
The figure shows an example in which a one-dimensional solid-state imaging device is used for the detector 165. Sample 1 is an xyz stage 161
0, and xy scanning is performed while maintaining the position in the z direction at the focal position of the detection optical system 164, thereby inspecting the entire surface of the sample. The coordinates X, Y, and Z are directions indicated by arrows in FIG.
【0019】次に、物体(異物等の欠陥)から発生する
散乱光について説明する。図7は物体から発生する全散
乱光を説明する図である。70は散乱光を発生する物体
(異物等の欠陥、あるいは模擬欠陥)。71は物体から
発生した全散乱光。72は物体を照明する照明光。73
は照明光の照明角度である。71に示す様に、物体から
の散乱光はあらゆる方向に向かって放射される。図8は
物体から発生する全散乱光のうち検出光学系で検出され
る検出散乱光を表す説明図である。70は散乱光を発生
する物体(異物等の欠陥、あるいは模擬欠陥)。71は
物体から発生した全散乱光。72は物体を照明する照明
光。73は照明光の照明角度である。また、10は試料
の表面を想定した面。81は検出光学系。82は検出光
学系の開口。83は物体から発生した全散乱光71のう
ち、直接検出光学系に入射する成分。また84は物体か
ら発生した全散乱光71のうち、試料表面で反射して検
出光学系に入射する成分である。図8に示す様に物体か
ら発生した散乱光のうち、検出光学系に入射する成分8
3、84が光学検査装置の検出出力に寄与する成分であ
る、以降この成分の大きさを検出散乱光量と称する。Next, scattered light generated from an object (defect such as a foreign substance) will be described. FIG. 7 is a diagram illustrating total scattered light generated from an object. Reference numeral 70 denotes an object that generates scattered light (a defect such as a foreign substance, or a simulated defect). 71 is the total scattered light generated from the object. An illumination light 72 illuminates an object. 73
Is the illumination angle of the illumination light. As shown at 71, the scattered light from the object is emitted in all directions. FIG. 8 is an explanatory diagram showing the detected scattered light detected by the detection optical system among the total scattered light generated from the object. Reference numeral 70 denotes an object that generates scattered light (a defect such as a foreign substance, or a simulated defect). 71 is the total scattered light generated from the object. An illumination light 72 illuminates an object. 73 is the illumination angle of the illumination light. 10 is a surface assuming the surface of the sample. 81 is a detection optical system. 82 is an opening of the detection optical system. 83 is a component of the total scattered light 71 generated from the object that directly enters the detection optical system. Reference numeral 84 denotes a component of the total scattered light 71 generated from the object, which is reflected on the sample surface and enters the detection optical system. As shown in FIG. 8, of the scattered light generated from the object, a component 8 entering the detection optical system
Reference numerals 3 and 84 denote components that contribute to the detection output of the optical inspection apparatus. The magnitude of this component is hereinafter referred to as a detected scattered light amount.
【0020】次に、物体から発生する散乱光量が物体の
どのパラメータに依存するかについて検討を行った結果
について説明する。図9は、物体のパラメータの一例と
しての物体の投影面積を説明する図である。図中、70
は物体、72は物体を照明する照明光、73は照明光の
照明角度である。また91は照明光の光軸に垂直な平面
であり、92は平面91に投影された物体70の影であ
る。92の面積を物体の投影面積と定義する。図に示す
ように、物体の投影面積は、物体が幾何学的にどれだけ
の量の光を遮るかに関係する量である。図10、および
図11には、物体からの散乱光量の計算結果と物体の投
影面積との関係を示した。図10は物体の投影面積と、
物体から発生する全散乱光との関係を示す説明図。また
図11は物体の投影面積と物体からの検出散乱光量の関
係を示す説明図である。計算は、照明光の波長:800
nm、照明角度:5°、物体の形状は基本的な形状とし
て楕円体、楕円柱、立方体の3種類、物体の投影面積:
0.1μm2〜1μm2の範囲(直径が0.36μm〜1.
1μm程度の標準粒子に相当)、また検出光学系の開口
数(NA):0.5、(開口角(図8中の82):30°)
の条件について行った。この計算の範囲では図10、図
11に示す様に、全散乱光量、検出散乱光量ともに物体
の投影面積に対しほぼ比例関係があるという結果が得ら
れた。以上の結果により光学検査装置では、物体(異物
等の欠陥)からの検出散乱光量(検出光学系に入射する
光量)は、その形状によらず、先に定義した投影面積に
比例すると考えられる。Next, a description will be given of the result of a study on which parameter of the object depends on the amount of scattered light generated from the object. FIG. 9 is a diagram illustrating the projected area of the object as an example of the parameter of the object. In the figure, 70
Is an object, 72 is illumination light for illuminating the object, and 73 is an illumination angle of the illumination light. Reference numeral 91 denotes a plane perpendicular to the optical axis of the illumination light, and reference numeral 92 denotes a shadow of the object 70 projected on the plane 91. The area of 92 is defined as the projected area of the object. As shown in the figure, the projected area of the object is a quantity related to how much light the object geometrically blocks. 10 and 11 show the relationship between the calculation result of the amount of scattered light from the object and the projected area of the object. FIG. 10 shows the projected area of the object,
FIG. 3 is an explanatory diagram showing a relationship with total scattered light generated from an object. FIG. 11 is an explanatory diagram showing the relationship between the projected area of the object and the amount of scattered light detected from the object. The calculation is based on the wavelength of the illumination light: 800
nm, illumination angle: 5 °, the object has three basic shapes: elliptical, elliptical cylinder, and cubic, and the projected area of the object:
Range of 0.1μm 2 ~1μm 2 (diameter 0.36Myuemu~1.
(Corresponding to standard particles of about 1 μm), the numerical aperture (NA) of the detection optical system: 0.5, (the aperture angle (82 in FIG. 8): 30 °).
The conditions were followed. As shown in FIGS. 10 and 11, in the range of this calculation, a result was obtained in which both the total scattered light amount and the detected scattered light amount were substantially proportional to the projection area of the object. From the above results, in the optical inspection apparatus, it is considered that the amount of scattered light detected from an object (defect such as a foreign substance) (the amount of light incident on the detection optical system) is proportional to the projection area defined above, regardless of its shape.
【0021】以上まで、照明光学系162によってレー
ザスポット(照明スポット)を試料1に対して斜め方向
から照射し、物体(異物等の欠陥)から発生した散乱光
が図16に示す光学検査装置の検出光学系164に入射
するまでについての検討を行った。図16に示すよう
に、光学検査装置は、この後の段階として、検出光学系
164によって試料表面の像が検出器165上に結像さ
れ、検出器165によって光電変換されて、電気信号と
して検出出力を得るが、以下はこれについて検討を行
う。図17には、図16に示す光学検査装置の検出視
野、照明スポット、検出器と、検出器上に結像される異
物の像の関係を表す。171は検出視野、172は照明
スポット、173は試料上に置換した場合の検出器(例
として1次元固体撮像素子を示した)、174、175
は検出器165(試料上に置換すると173)上に結像
された異物を示す。ここで174、175は図18に示
すような異物184、185の散乱光の像である場合を
考える。図18中で1は試料、181は照明光、18
4、185はそれぞれ図17中で検出器165(試料上
に置換すると173)上の像174、175として結像
される異物である。ここで、異物184、185は平面
(x−y面)的に見た場合は、185の方が184より大
きく、高さ(z方向)は184の方が185よりも大き
いという関係を持つものを考える。先に説明した「物体
(異物)から発生し光学検査装置の検出光学系に入射す
る散乱光の量は、その物体(異物)の照明光に対する投
影面積に比例する」という結果を考え合わせると、18
4と185の投影面積が同じになる場合がありうる。す
なわち、平面的に見た寸法は異なっても、それぞれの異
物から検出光学系164に入射する光量は同じになる場
合がある。しかし、光学検査装置によって得られる検出
出力は、検出器165で光電変換された結果としての電
気的出力であり、たとえ、検出光学系164に入射する
光量が同じであったとしても、図17に示すように、検
出器165(試料上に置換すると173)上に結像した
両者の像の大きさ(平面的に見たときの異物の大きさ)
が異なり、検出器165の1画素(試料上換算で(0.
3μm×0.3μm)〜(0.5μm×0.5μm))
よりも小さく結像された場合(174)と、検出器16
5の1画素より大きく結像された場合(175)とでは
電気的な検出出力は異なることになる。As described above, the sample 1 is irradiated with a laser spot (illumination spot) from an oblique direction by the illumination optical system 162, and scattered light generated from an object (defect such as a foreign substance) is generated by the optical inspection apparatus shown in FIG. A study until the light enters the detection optical system 164 was examined. As shown in FIG. 16, in the optical inspection apparatus, an image of the sample surface is formed on the detector 165 by the detection optical system 164, photoelectrically converted by the detector 165, and detected as an electric signal. We will get the output, which we will discuss below. FIG. 17 shows the relationship between the detection field of view, the illumination spot, and the detector of the optical inspection apparatus shown in FIG. 16 and the image of the foreign substance formed on the detector. Reference numeral 171 denotes a detection field of view, 172 denotes an illumination spot, 173 denotes a detector when a sample is replaced on a sample (for example, a one-dimensional solid-state imaging device is shown), 174, 175
Indicates a foreign substance imaged on the detector 165 (173 when replaced on the sample). Here, it is assumed that 174 and 175 are images of scattered light of foreign substances 184 and 185 as shown in FIG. In FIG. 18, 1 is a sample, 181 is illumination light, 18
Reference numerals 4 and 185 denote foreign substances formed as images 174 and 175 on the detector 165 (173 when replaced on the sample) in FIG. Here, the foreign substances 184 and 185 are flat
When viewed from the (xy plane), it is assumed that 185 is larger than 184 and height (z direction) is larger than 185 than 185. Considering the result described above that the amount of scattered light generated from an object (foreign matter) and incident on the detection optical system of the optical inspection device is proportional to the projected area of the object (foreign matter) with respect to the illumination light. 18
4 and 185 may have the same projected area. That is, even if the dimensions in plan view are different, the amount of light incident on the detection optical system 164 from each foreign substance may be the same. However, the detection output obtained by the optical inspection device is an electrical output as a result of photoelectric conversion by the detector 165, and even if the amount of light incident on the detection optical system 164 is the same, FIG. As shown, the size of both images formed on the detector 165 (173 when replaced on the sample) (size of foreign matter when viewed in a plan view)
Are different from one pixel of the detector 165 ((0.
3 μm × 0.3 μm) to (0.5 μm × 0.5 μm))
When the image is formed smaller than (174), the detector 16
In the case where an image is formed larger than one pixel of No. 5 (175), the electrical detection output is different.
【0022】以上を前提に、本発明に係る光学検査装置
の較正用標準試料に形成される立体形状の模擬欠陥(投
影面積が0.1μm2〜1μm2程度)をどのような寸法
に形成すべきかについて、以下に述べる。図19には標
準試料に一般的に用いられている標準粒子と、加工によ
って形成された模擬欠陥の例を示す。191、192、
193はそれぞれ大きさの異なる標準粒子、1911、
1912、1913は、平面的な寸法(xおよびy)、お
よび高さ方向(z)の寸法をそれぞれ規定し、かつ標準
粒子191、192、193と同じ投影面積を持ち、同
じ量の散乱光を光学検査装置の検出光学系に入射させる
様に形成された模擬欠陥、1921、1922、192
3は高さ方向(z)の寸法はすべて同じで、平面的な寸
法(xおよびy)だけを変化させて標準粒子191、1
92、193と同じ投影面積(0.1μm2〜1μm2程
度)を持ち、同じ量の散乱光を光学検査装置の検出光学
系164に入射させるように形成した模擬欠陥である。
1921、1922、1923に示すような、厚さは同
じで平面的な寸法だけを規定した模擬欠陥を形成するこ
とは、加工としては、リソグラフィによりすべての模擬
欠陥を一度に効率よく形成することができる。一方、1
911、1912、1913の様に一つ一つ高さ(z方
向の寸法)を変えて模擬欠陥を形成するには、個別に模
擬欠陥を形成する必要があり、リソグラフィと比較する
と効率は悪い。しかし、図17、18で説明したよう
に、たとえ、投影面積が同じで、光学検査装置の検出光
学系に入射する散乱光が同じであっても、平面的な寸法
(x、y)が異なれば、検出器165で検出される出力
が異なる場合があるため、例えば標準粒子193、模擬
欠陥1913、模擬欠陥1923を比較した場合、最終
的に検出器165から出力される検出出力は、平面方向
と高さ方向の寸法を加工により規定した模擬欠陥191
3であれば標準粒子193と同じものを得ることができ
るが、平面方向の寸法のみを規定した模擬欠陥1923
では標準粒子193と異なるものとなり、標準粒子(粒
子径が0.36μm〜1.1μm程度)を散布した標準試
料との関係をとることが不可能になる。[0022] assumption above, any size to form all the simulated defects of the three-dimensional shape formed calibration standard sample (about projected area of 0.1μm 2 ~1μm 2) of the optical inspection device according to the present invention I will describe below. FIG. 19 shows an example of standard particles generally used for a standard sample and a simulated defect formed by processing. 191, 192,
193 denotes standard particles having different sizes, 1911,
1912 and 1913 respectively define a planar dimension (x and y) and a dimension in the height direction (z), and have the same projected area as the standard particles 191, 192 and 193, and emit the same amount of scattered light. Simulated defects 1921, 1922, 192 formed so as to be incident on the detection optical system of the optical inspection device.
No. 3 has the same dimensions in the height direction (z), and changes only the planar dimensions (x and y) to obtain standard particles 191 and 1.
Have the same projected area as 92,193 (0.1μm 2 ~1μm 2 about), it is formed with simulated defects to be incident the same amount of scattered light detecting optical system 164 of the optical testing apparatus.
Forming simulated defects having the same thickness and defining only planar dimensions as shown in 1921, 1922, and 1923 requires efficient formation of all simulated defects at once by lithography. it can. Meanwhile, 1
In order to form the simulated defects by changing the height (dimension in the z direction) one by one as in 911, 1912, and 1913, it is necessary to form the simulated defects individually, which is inefficient compared to lithography. However, as described with reference to FIGS. 17 and 18, even if the projection area is the same and the scattered light incident on the detection optical system of the optical inspection apparatus is the same, the planar dimensions (x, y) are different. For example, since the output detected by the detector 165 may be different, for example, when the standard particle 193, the simulated defect 1913, and the simulated defect 1923 are compared, the detection output finally output from the detector 165 is in the planar direction. Defect 191 in which the size in the height direction is defined by processing
3, the same as the standard particle 193 can be obtained, but the simulated defect 1923 defining only the size in the plane direction.
In this case, the standard particles are different from the standard particles 193, and it is impossible to establish a relationship with a standard sample in which standard particles (particle diameter is about 0.36 μm to 1.1 μm) are scattered.
【0023】ここまでは模擬欠陥を図2中の2に示すよ
うな凸欠陥であるとして、z方向の寸法を「高さ」とし
てきたが、加工によって形成する模擬欠陥は図2中の3
に示すように凹形状にすることも可能である。この場合
z方向の寸法は「深さ」である。(図2中、1は試料) 以上より、本発明に係る光学検査装置の較正のための標
準試料において、加工によって形成された模擬欠陥によ
り、一般に利用されている標準粒子(粒子径が0.36
μm〜1.1μm程度)191〜193を散布した標準
試料との検出出力の相互関係を得るためには、形成され
る模擬欠陥の寸法は高さあるいは深さ方向を含む、複数
の寸法(3次元の立体的な寸法)を規定される必要があ
る。例えば、平面的(図18のx−y平面内)で見たと
きに模擬欠陥の大きさは標準粒子(粒子径が0.36μ
m〜1.1μm程度)と同じであるように規定し、高さ
をその標準粒子が発生する散乱光と同等の散乱光を発生
できるような(標準粒子と投影面積が同じになるよう
な)高さ(0.3μm〜1μm程度)に規定する。通
常、欠陥の大きさは顕微鏡等により観察された結果とし
て平面的な寸法で定義されることが多いため、前記のよ
うに模擬欠陥の3次元の立体的な寸法を規定することに
より、欠陥の大きさと、検出出力の対応は標準粒子
(0.36μm〜1.1μm程度)と同様に扱えるように
なり、検査装置を問わず使用可能な較正用標準試料を得
ることが出来る。これにより、例えば異なる検出方式を
もつ光学検査装置(例えば散乱光検出型の光学検査装置
(異物検査装置)と、明視野照明/比較検査型の光学検
査装置(欠陥検査装置))間の検出感度の相関をとるこ
とが可能となる。Until now, the simulated defect is assumed to be a convex defect as shown by 2 in FIG. 2 and the dimension in the z direction is set to “height”. However, the simulated defect formed by processing is 3 in FIG.
It is also possible to form a concave shape as shown in FIG. In this case, the dimension in the z direction is “depth”. (In FIG. 2, 1 is a sample.) As described above, in the standard sample for calibration of the optical inspection apparatus according to the present invention, the standard particles generally used (the particle diameter is 0.1 mm) are formed due to the simulated defects formed by the processing. 36
In order to obtain the correlation between the detection output and the standard sample on which 191 to 193 are scattered, the size of the simulated defect to be formed must be a plurality of sizes (3 or more including the height or depth direction). Dimensional dimensions) need to be defined. For example, when viewed in a plane (within the xy plane in FIG. 18), the size of the simulated defect is a standard particle (particle diameter 0.36 μm).
m to about 1.1 μm), and the height is such that scattered light equivalent to the scattered light generated by the standard particle can be generated (the projected area is the same as the standard particle). The height is specified (about 0.3 μm to 1 μm). Usually, the size of a defect is often defined as a planar dimension as a result of observation with a microscope or the like. Therefore, by defining the three-dimensional three-dimensional dimensions of the simulated defect as described above, The correspondence between the size and the detection output can be handled in the same manner as the standard particles (about 0.36 μm to 1.1 μm), and a calibration standard sample usable regardless of the inspection apparatus can be obtained. Thereby, for example, the detection sensitivity between optical inspection devices having different detection methods (for example, a scattered light detection type optical inspection device (foreign matter inspection device) and a bright field illumination / comparative inspection type optical inspection device (defect inspection device)) Can be correlated.
【0024】以上説明したように、本発明に係る光学検
査装置の較正用標準試料として形成される模擬欠陥は、
試料上に形成位置、および形成個数が規定でき、しかも
適用可能な検査装置が限定されないように規定された3
次元的(立体的)に様々な寸法を有し、更に同一の標準
試料を複数製作でき、且つ洗浄可能で長期にわたって安
定な特性を維持するものが必要となる。特に模擬欠陥と
して、適用可能な検査装置が限定されないようにするた
めには、平面的な寸法を変えただけではだめで、様々な
粒子径の標準粒子に対応するように様々に3次元的(立
体的)に寸法を変えたものが必要となる。As described above, the simulated defect formed as the calibration standard sample of the optical inspection apparatus according to the present invention is:
The position and number of formations on the sample can be specified, and the applicable inspection device is specified so as not to be limited.
What is needed is one that has various dimensions in a three-dimensional (three-dimensional) manner, is capable of producing a plurality of identical standard samples, is washable, and maintains stable characteristics for a long period of time. In particular, as a simulated defect, in order not to limit the applicable inspection apparatus, it is not sufficient to simply change the planar dimensions, but variously three-dimensionally to correspond to standard particles of various particle diameters ( It is necessary to change the dimensions three-dimensionally.
【0025】次に、本発明に係る高さあるいは深さ方向
を含む複数の3次元的(立体的)な寸法を規定した模擬
欠陥の製作方法について説明する。まず、本発明に係る
高さあるいは深さ方向を含む複数の寸法(3次元の立体
的な寸法)を規定した模擬欠陥(立体的な1辺の寸法が
0.3μm〜1μm程度)を、FIB(Focused Ion Bea
m:集束イオンビーム)あるいはEB(Elctron Beam:
電子ビーム)等荷電粒子ビームを用いて製作する方法に
ついて図3を用いて説明する。図中、1は表面に模擬欠
陥が加工される試料である。30はガス供給系であり、
31はガスの供給源である。32、34はバルブ、33
はガス流量制御手段である。35はガスを試料1の表面
に供給するノズルである。36は供給されるガスであ
る。301は真空チャンバ、302は真空チャンバ30
1を真空にするための真空排気ポート、303は荷電粒
子ビーム源、304は荷電粒子ビームを集束させる静電
レンズ、305は試料を載置してX−Y方向に移動可能
なステージ、そして306は荷電粒子ビームである。Next, a method of manufacturing a simulated defect defining a plurality of three-dimensional (three-dimensional) dimensions including the height or depth direction according to the present invention will be described. First, a simulated defect (three-dimensional dimension of about 0.3 μm to 1 μm) defining a plurality of dimensions (three-dimensional dimension) including the height or depth direction according to the present invention is defined by FIB. (Focused Ion Bea
m: Focused ion beam or EB (Elctron Beam:
A method of manufacturing using a charged particle beam such as an electron beam will be described with reference to FIG. In the drawing, reference numeral 1 denotes a sample on which a simulated defect is formed on the surface. 30 is a gas supply system,
31 is a gas supply source. 32 and 34 are valves, 33
Is a gas flow control means. Reference numeral 35 denotes a nozzle for supplying gas to the surface of the sample 1. 36 is a supplied gas. 301 is a vacuum chamber, 302 is a vacuum chamber 30
Reference numeral 303 denotes a charged particle beam source, reference numeral 304 denotes an electrostatic lens for converging the charged particle beam, reference numeral 305 denotes a stage on which a sample can be placed and movable in the X and Y directions, and reference numeral 306. Is a charged particle beam.
【0026】荷電粒子ビームを用いた加工にはいくつか
の種類がある。第1の加工方法は、荷電粒子ビーム30
6によるスパッタ加工である。この場合はスパッタによ
り表面材料を除去することで加工を行い、凹形状の模擬
欠陥、あるいは一部を残して周りを除去することにより
凸形状の模擬欠陥を形成する。なお、この場合ガス供給
系30は不要である。凹形状の模擬欠陥も凸形状の模擬
欠陥も立体的に、1辺の寸法が0.3μm〜1μm程度
であるため、1辺の寸法が0.3μm程度の場合には、
荷電粒子ビームを0.1μm以下に集束させて2次元に
走査させながら加工することによって精度良く加工がで
きる。凹形状の模擬欠陥も凸形状の模擬欠陥も高さまた
は深さ方法については、ドーズ量と照射時間によって
0.3μm程度を得ることができる。また、立体的に、
1辺の寸法が1μm程度の場合には、荷電粒子ビームを
0.3μm以下に集束させて2次元に走査させながら加
工することによって精度良く加工ができる。高さまたは
深さ方法については、ドーズ量と照射時間によって1μ
m程度を得ることができる。第2の加工方法は、荷電粒
子ビーム306によるガスアシストエッチングである。
この場合は供給するガスに塩素ガス(Cl2)、2弗化キ
セノン(XeF2)、沃素ガス(I2)、臭素ガス(Br2)、
あるいは水蒸気(H2O)等をアシストガスとして用い、
ガスアシストエッチングにより、表面の材料を除去する
ことで加工を行い、凹形状の模擬欠陥、あるいは一部を
残して周りを除去することにより凸形状の模擬欠陥を形
成する。この場合も、立体的に、1辺の寸法が0.3μ
m〜1μm程度であるため、荷電粒子ビーム306を
0.1μm以下〜0.3μm以下に集束して加工するこ
とによって、加工精度の向上が図れる。There are several types of processing using a charged particle beam. The first processing method uses the charged particle beam 30
6 is a sputtering process. In this case, the processing is performed by removing the surface material by sputtering, and a simulated defect having a concave shape or a simulated defect having a convex shape is formed by removing a part of the simulated defect. In this case, the gas supply system 30 is unnecessary. Both the simulated defect having a concave shape and the simulated defect having a convex shape are three-dimensionally, and the dimension of one side is about 0.3 μm to 1 μm. Therefore, when the dimension of one side is about 0.3 μm,
Processing can be performed with high accuracy by focusing the charged particle beam to 0.1 μm or less and performing processing while scanning it two-dimensionally. Regarding the concave or convex simulated defect, a height or depth of about 0.3 μm can be obtained depending on the dose and the irradiation time. Also, three-dimensionally,
When the size of one side is about 1 μm, the processing can be performed with high accuracy by focusing the charged particle beam to 0.3 μm or less and processing while scanning two-dimensionally. Regarding the height or depth method, 1μ depends on the dose and irradiation time.
m can be obtained. The second processing method is gas-assisted etching using the charged particle beam 306.
In this case, the gas to be supplied is chlorine gas (Cl 2 ), xenon difluoride (XeF 2 ), iodine gas (I 2 ), bromine gas (Br 2 ),
Alternatively, steam (H 2 O) or the like is used as an assist gas,
Processing is performed by removing the material on the surface by gas-assisted etching, and a simulated defect having a concave shape or a simulated defect having a convex shape is formed by removing the periphery while leaving a part thereof. Also in this case, the dimension of one side is three-dimensionally 0.3 μm.
Since the diameter is about m to 1 μm, processing accuracy can be improved by focusing and processing the charged particle beam 306 to 0.1 μm or less to 0.3 μm or less.
【0027】第3の加工方法は、荷電粒子ビーム306
を用いたCVDである。この場合は供給するガスに、ピ
レンガス、W(CO)6、あるいはTEOS+O2の混合ガ
ス、またはTEOS+O3の混合ガス等を、材料ガスと
して用い、荷電粒子ビームを照射した位置でCVDを行
い、ピレン、W等の金属やSiO2等の材料を堆積する
ことで、凸形状の模擬欠陥を形成する。この場合も、立
体的に、1辺の寸法が0.3μm〜1μm程度であるた
め、荷電粒子ビーム306を0.1μm以下〜0.3μ
m以下に集束して成膜加工することによって、加工精度
の向上が図れる。ただし、所望の3次元的な寸法を有す
る凸形状より余分に堆積してしまった場合には、荷電粒
子によるスパッタ加工若しくはエッチング加工により取
り除くことにより、所望の3次元的な寸法を有する凸形
状の模擬欠陥を形成することができる。その理由は、除
去加工の方が、荷電粒子ビーム径を集束できる0.1μ
m以下の0.01〜0.02μm程度までの精度で加工
でき、堆積成膜に比べて著しく微細な加工精度が得られ
るからである。何れの加工方法においても、模擬欠陥を
形成する位置を規定することは、試料1上に形成された
基準マークを顕微鏡により観察し、この観察された基準
マークを基準にしてステージ305の位置を制御するこ
とで可能となる。また、模擬欠陥の個数を規定すること
については、ステージ305の位置を制御し、上記加工
を繰り返すことによって実現することができる。また、
ここの模擬欠陥の3次元的な(立体的な)寸法(大き
さ)については、平面的には0.1μm以下〜0.3μ
m以下に集束した荷電粒子ビーム306の照射範囲を制
御し、高さ若しくは深さについては荷電粒子ビーム30
6を照射するドーズ量も含めて加工時間を制御すること
で可能となる。なお、平面的に荷電粒子ビーム306の
照射範囲を制御する際、荷電粒子ビーム306の偏向量
(走査範囲)を制御しても良いし、また荷電粒子ビーム
306に対してステージ305の移動量を制御してもよ
い。また、高さ若しくは深さについて荷電粒子ビーム3
06による加工時間を制御する際、CVDの場合には、
ガス流量を制御しても良い。このように、形成位置、お
よび形成個数が規定でき、しかも適用可能な検査装置が
限定されないように規定された3次元的(立体的)に様
々な寸法(標準粒子の粒子径が0.36μm〜1.1μm
程度相当の投影面積が0.1μm2〜1μm2程度である
1辺の寸法が0.3μm〜1μm程度の立体形状。)を
有する模擬欠陥が製作された較正用標準試料を実現する
ことができる。The third processing method uses a charged particle beam 306.
Is a CVD method using the above method. In this case, a pyrene gas, W (CO) 6 , a mixed gas of TEOS + O 2, a mixed gas of TEOS + O 3 , or the like is used as a material gas, and CVD is performed at a position irradiated with the charged particle beam. , W or the like, or a material such as SiO 2 is deposited to form a simulated defect having a convex shape. Also in this case, since the dimension of one side is three-dimensionally about 0.3 μm to 1 μm, the charged particle beam 306 is not more than 0.1 μm to 0.3 μm
By converging the film to m or less and forming the film, the processing accuracy can be improved. However, in the case where the protrusions having a desired three-dimensional dimension are excessively deposited, the protrusions having the desired three-dimensional dimension are removed by sputtering or etching using charged particles. Simulated defects can be formed. The reason is that the removal processing can focus the charged particle beam diameter by 0.1 μm.
This is because processing can be performed with an accuracy of about 0.01 to 0.02 μm or less, and extremely fine processing accuracy can be obtained as compared with deposition film formation. In any processing method, defining the position at which the simulated defect is formed is performed by observing the reference mark formed on the sample 1 with a microscope and controlling the position of the stage 305 based on the observed reference mark. It becomes possible by doing. Further, the definition of the number of the simulated defects can be realized by controlling the position of the stage 305 and repeating the above processing. Also,
The three-dimensional (three-dimensional) dimension (size) of the simulated defect here is 0.1 μm or less to 0.3 μm in plan view.
m or less, and controls the irradiation range of the charged particle beam 306 focused below 30 m.
It becomes possible by controlling the processing time including the dose for irradiating No. 6. When controlling the irradiation range of the charged particle beam 306 in a plane, the deflection amount (scanning range) of the charged particle beam 306 may be controlled, or the movement amount of the stage 305 with respect to the charged particle beam 306 may be controlled. It may be controlled. In addition, the charged particle beam 3
When controlling the processing time by 06, in the case of CVD,
The gas flow rate may be controlled. In this way, the formation position and the number of formations can be specified, and three-dimensionally (three-dimensionally) various dimensions (the particle diameter of the standard particles is 0.36 μm to 1.1 μm
The extent corresponding three-dimensional geometry of one side is about 0.3μm~1μm projected area is 0.1μm 2 ~1μm 2 about. ) Can be realized.
【0028】次に、本発明に係る高さあるいは深さ方向
を含む複数の寸法(3次元の立体的な寸法)を規定した
模擬欠陥を、レーザビームを用いて製作する方法につい
て図4を用いて説明する。図中、1は表面に模擬欠陥を
加工される試料である。40はガス供給系であり、41
はガスの供給源である。42、44はバルブ、43はガ
ス流量制御部、45はガスを試料表面に供給するノズ
ル、46は供給されるガスである。401は真空チャン
バ、402は真空チャンバ401を真空にするための真
空排気ポート、403はレーザ源、404はレーザビー
ムを集光させるレンズ、405は試料を載置してX−Y
方向に移動可能なステージである。406はレーザビー
ムである。また、407はレーザビームの方向を変える
ためのミラー、そして408はチャンバ内にレーザビー
ムを導入するための窓である。Next, a method of manufacturing a simulated defect defining a plurality of dimensions (three-dimensional dimensions) including a height or depth direction using a laser beam according to the present invention will be described with reference to FIG. Will be explained. In the figure, reference numeral 1 denotes a sample on which a simulated defect is processed on the surface. 40 is a gas supply system;
Is the gas source. 42 and 44 are valves, 43 is a gas flow controller, 45 is a nozzle for supplying gas to the sample surface, and 46 is a supplied gas. Reference numeral 401 denotes a vacuum chamber; 402, a vacuum exhaust port for evacuating the vacuum chamber 401; 403, a laser source; 404, a lens for condensing a laser beam;
It is a stage that can be moved in any direction. 406 is a laser beam. 407 is a mirror for changing the direction of the laser beam, and 408 is a window for introducing the laser beam into the chamber.
【0029】レーザ加工もいくつかの種類がある。第1
の加工方法は、レーザビーム406による除去加工であ
る。レーザビーム406を照射した位置の材料が除去す
ることで加工が行い、凹形状の模擬欠陥、あるいは一部
を残して周りを除去することにより凸形状の模擬欠陥を
形成する。しかしながら、レーザ光としてエキシマレー
ザ光のように波長を短くした紫外光を用いたとしても、
荷電粒子ビームよりも細く集束させることが難しく、し
かもレーザビームによる除去加工は、基本的に熱加工で
あるため、荷電粒子ビームによる除去加工よりも模擬欠
陥の寸法精度は大幅に劣ることになる。この場合はガス
供給系40は不要となる。第2の加工方法は、レーザC
VD加工である。この場合、供給するガスはMo(CO)
6、W(CO)6、あるいはPt(CO)6、Au(CO)6、T
EOS等を、材料ガスとして用い、レーザビームを照射
した位置でCVDを行い、金属やSiO2等を堆積する
ことで、凸形状の模擬欠陥を形成する。この場合は、荷
電粒子ビームCVDによる場合よりも堆積成膜速度より
速いが精度的には劣ることになる。そこで、レーザCV
Dで成膜したものに対して、余分なものを荷電粒子によ
るスパッタ加工若しくはエッチング加工により取り除い
て仕上げ加工を施すことにより、高精度な所望の3次元
的な寸法を有する凸形状の模擬欠陥を形成することがで
きる。There are several types of laser processing. First
Is a removing process using a laser beam 406. Processing is performed by removing the material at the position irradiated with the laser beam 406, and a concave-shaped simulated defect or a convex-shaped simulated defect is formed by removing a part of the simulated defect. However, even if ultraviolet light with a shorter wavelength is used as laser light, such as excimer laser light,
Since it is difficult to focus the light beam more finely than the charged particle beam, and the removal processing by the laser beam is basically a thermal processing, the dimensional accuracy of the simulated defect is significantly inferior to the removal processing by the charged particle beam. In this case, the gas supply system 40 becomes unnecessary. The second processing method uses laser C
VD processing. In this case, the supplied gas is Mo (CO)
6 , W (CO) 6 , or Pt (CO) 6 , Au (CO) 6 , T
Using EOS or the like as a material gas, CVD is performed at a position irradiated with a laser beam, and a metal or SiO 2 is deposited to form a simulated defect having a convex shape. In this case, the deposition film forming speed is faster than that by the charged particle beam CVD, but the accuracy is inferior. Therefore, laser CV
Excessive ones are removed by sputtering or etching with charged particles from the film formed in D, and finishing is performed, thereby forming a high-precision simulated defect having a desired three-dimensional dimension with high accuracy. Can be formed.
【0030】何れの加工方法でも、模擬欠陥を形成する
位置を規定することは、試料1上に形成された基準マー
クを顕微鏡により観察し、この観察された基準マークを
基準にしてステージ405の位置を制御することで可能
となる。また、模擬欠陥の個数を規定することについて
は、ステージ405の位置を制御し、上記加工を繰り返
すことによって実現することができる。また、ここの模
擬欠陥の3次元的な(立体的な)寸法(大きさ)につい
ては、平面的にはレーザビーム406の照射範囲を制御
し、高さ若しくは深さについてはレーザビーム406を
照射するドーズ量も含めて加工時間を制御することで可
能となる。なお、平面的にレーザビーム406の照射範
囲を制御する際、例えば照射光路内に設けられた矩形開
口の絞りを調整しても良いし、またレーザビーム406
に対してステージ405の移動量を制御してもよい。ま
た、高さ若しくは深さについてレーザビーム406によ
る加工時間を制御する際、CVDの場合には、ガス流量
を制御しても良い。このように、形成位置、および形成
個数が規定でき、しかも適用可能な検査装置が限定され
ないように規定された3次元的(立体的)に様々な寸法
(標準粒子の粒子径が0.36μm〜1.1μm程度相当
の投影面積が0.1μm2〜1μm2程度である1辺の寸
法が0.3μm〜1μm程度の立体形状。)を有する模
擬欠陥が製作された較正用標準試料を実現することがで
きる。In any of the processing methods, defining the position at which the simulated defect is formed is performed by observing the reference mark formed on the sample 1 with a microscope, and using the observed reference mark as a reference, the position of the stage 405 is determined. Can be controlled by controlling. Further, the definition of the number of the simulated defects can be realized by controlling the position of the stage 405 and repeating the above processing. The three-dimensional (three-dimensional) dimension (size) of the simulation defect is controlled by controlling the irradiation range of the laser beam 406 in a planar manner, and the laser beam 406 is irradiated in the height or depth. It becomes possible by controlling the processing time including the dose amount to be processed. When the irradiation range of the laser beam 406 is controlled in a plane, for example, the aperture of a rectangular aperture provided in the irradiation optical path may be adjusted, or the laser beam 406 may be adjusted.
The movement amount of the stage 405 may be controlled. When controlling the processing time by the laser beam 406 for the height or the depth, in the case of CVD, the gas flow rate may be controlled. In this way, the formation position and the number of formations can be specified, and three-dimensionally (three-dimensionally) various dimensions (the particle diameter of the standard particles is 0.36 μm to projected area of considerable 1.1μm is 0.1μm size of 2 ~1μm 2 about a is one side to realize a calibration standard sample simulated defect is fabricated having a three-dimensional shape.) of about 0.3μm~1μm be able to.
【0031】次に、本発明に係る高さあるいは深さ方向
を含む複数の3次元の立体的な寸法を規定した模擬欠陥
を、液体微量供給−レーザ加工法によって製作する方法
について図5を用いて説明する、図中、1は試料であ
り、この表面にマイクロピペット501で例えば有機金
属錯体を溶媒で液状にした液体材料502を微量供給し
て(供給された液体材料が52)、レーザビーム503
を照射することにより液体材料の例えば有機物質を蒸発
させて金属を固化させて凸形状の模擬欠陥2とする製作
方法である。図中504はレーザビームを集光するため
のレンズである。この場合、模擬欠陥を形成する位置を
規定することは、試料1上に形成された基準マークを顕
微鏡により観察し、この観察された基準マークを基準に
してステージの位置またはマイクロピペット502の位
置を制御することで可能となる。また、模擬欠陥の個数
を規定することについては、ステージの位置を制御し、
上記マイクロピペット501による液体材料502の微
量供給を繰り返すことによって実現することができる。
また、ここの模擬欠陥の3次元的な(立体的な)寸法
(大きさ)については、マイクロピペット502によっ
て一度に供給する液体材料502の量を制御することに
よって実現することが可能である。特に、液体材料50
2の粘度を制御することによって、高さと平面的な拡が
りとの比を制御することが可能である。この場合も、立
体形状の精度が大分落ちるので、余分なものを荷電粒子
によるスパッタ加工若しくはエッチング加工により取り
除いて仕上げ加工を施すことにより、高精度な所望の3
次元的な寸法を有する凸形状の模擬欠陥を形成すること
ができる。Next, a method for manufacturing a simulated defect defining a plurality of three-dimensional three-dimensional dimensions including the height or depth direction according to the present invention by a liquid trace supply-laser processing method will be described with reference to FIG. In the figure, reference numeral 1 denotes a sample, and a micropipette 501 supplies a small amount of a liquid material 502 in which, for example, an organometallic complex is made into a liquid state with a solvent (the supplied liquid material is 52), and a laser beam 503
Irradiation is performed to evaporate, for example, an organic substance of the liquid material to solidify the metal, thereby forming a convex-shaped simulated defect 2. In the figure, reference numeral 504 denotes a lens for condensing a laser beam. In this case, defining the position at which the simulated defect is formed is performed by observing a reference mark formed on the sample 1 with a microscope, and by using the observed reference mark as a reference, the position of the stage or the position of the micropipette 502 is determined. It becomes possible by controlling. As for defining the number of simulated defects, the position of the stage is controlled,
This can be realized by repeatedly supplying the micropipette 501 with a small amount of the liquid material 502.
The three-dimensional (three-dimensional) dimension (size) of the simulation defect can be realized by controlling the amount of the liquid material 502 supplied at a time by the micropipette 502. In particular, the liquid material 50
By controlling the viscosity of 2, it is possible to control the ratio between the height and the planar spread. In this case, too, the accuracy of the three-dimensional shape is greatly reduced. Therefore, by removing the excess by sputtering or etching with charged particles and performing finishing, a high-precision desired 3D shape can be obtained.
A simulated defect having a dimensional dimension and a convex shape can be formed.
【0032】次に、本発明に係る高さあるいは深さ方向
を含む複数の3次元の立体的な寸法を規定した模擬欠陥
を、SPM(Scanning Probe Microscope:走査型プロ
ーブ顕微鏡)によって製作する方法について図6を用い
て説明する。SPMにより原子レベルの除去、加工ある
いは堆積加工を行うことで、模擬欠陥を製作する。図
中、1は試料、601はSPMのプローブ、602は堆
積する材料である。SPMのプローブにより、除去、あ
るいは堆積加工を原子または分子レベルで行うことによ
り、微細な模擬欠陥を形成することが可能となる。この
場合も、模擬欠陥を形成する位置を規定することは、試
料1上に形成された基準マークを顕微鏡により観察し、
この観察された基準マークを基準にしてステージの位置
またはSPMのプローブ601の位置を制御することで
可能となる。また、模擬欠陥の個数を規定することにつ
いては、ステージの位置を制御し、上記SPMのプロー
ブ601による原子レベルでの材料602の堆積を繰り
返すことによって実現することができる。また、ここの
模擬欠陥の3次元的な(立体的な)寸法(大きさ)につ
いては、同じ個所へのSPMのプローブ601による原
子または分子レベルでの材料602の堆積を繰り返すこ
とによって実現することが可能である。Next, according to the present invention, a method of manufacturing a simulated defect defining a plurality of three-dimensional three-dimensional dimensions including a height or depth direction by a scanning probe microscope (SPM). This will be described with reference to FIG. Simulated defects are manufactured by performing removal, processing, or deposition processing at the atomic level by SPM. In the figure, 1 is a sample, 601 is an SPM probe, and 602 is a material to be deposited. By performing removal or deposition processing at the atomic or molecular level using an SPM probe, it is possible to form a fine simulated defect. Also in this case, defining the position where the simulated defect is formed is performed by observing the reference mark formed on the sample 1 with a microscope,
It becomes possible by controlling the position of the stage or the position of the probe 601 of the SPM with reference to the observed reference mark. Further, the definition of the number of the simulated defects can be realized by controlling the position of the stage and repeating the deposition of the material 602 at the atomic level by the SPM probe 601. The three-dimensional (three-dimensional) dimension (size) of the simulated defect is realized by repeating the deposition of the material 602 at the atomic or molecular level by the SPM probe 601 at the same location. Is possible.
【0033】次に、本発明に係る高さあるいは深さ方向
を含む複数の3次元の立体的な寸法を規定した模擬欠陥
を製作した較正用標準試料について、更に適用範囲を拡
大した実施の形態について図12〜図15を用いて説明
する。図12は、前記の如く、試料表面に製作した模擬
欠陥に対して、更に半導体装置の製造方法を用いて形成
する膜と同一、あるいは光学的物性が同一の膜で被覆し
た較正用標準試料の断面を示す説明図である。図中、1
は試料である。2は前記の如く製作された模擬欠陥であ
る。3は前記の如く製作された凹形状の模擬欠陥であ
る。これら模擬欠陥2、3は、適用される光学検査装置
が限定されないことから、3次元的な寸法を異ならしめ
た複数の種類のものを配列したものが望ましい。121
は模擬欠陥をプラズマCVD等で被覆する光に対して透
明な例えばSiO2等の絶縁膜からなる膜である。12
2は膜121の膜厚である。前記したように、製作され
たの模擬欠陥2、3を被覆する膜121は、半導体装置
を製造する際、形成するSiO2等の絶縁膜と同一のも
のであっても、あるいは光学的物性(屈折率等)が上記
絶縁膜と同一の他の物質であっても良い。このように構
成した較正用標準試料を用いることで、半導体ウエハ等
の如く、表面に光に対して透明な膜が形成された被検査
対象物に対して欠陥の検査を行う場合、光に対して透明
な膜中または透明な膜の下に存在する欠陥を模擬するこ
とが可能になる。即ち、被検査対象物として、光に対し
て透明な絶縁層の中あるいは絶縁層の下にある欠陥につ
いて模擬することが可能となる。また、模擬欠陥を被覆
する膜121の膜厚122を変化させた較正用標準試料
を用いることで、製造プロセスでの光に対して透明な膜
厚のばらつきに対して模擬欠陥2または3の検出出力の
変化を模擬することも可能となる。Next, an embodiment in which the applicable range of the calibration standard sample according to the present invention, in which a plurality of three-dimensional simulated defects including a height or depth direction are defined, is manufactured. Will be described with reference to FIGS. FIG. 12 shows a calibration standard sample coated with a film having the same optical properties as the film formed by using the method for manufacturing a semiconductor device, with respect to the simulated defect manufactured on the sample surface as described above. It is explanatory drawing which shows a cross section. In the figure, 1
Is a sample. Reference numeral 2 denotes a simulated defect manufactured as described above. Reference numeral 3 denotes a concave dummy defect manufactured as described above. Since the simulated defects 2 and 3 are not limited to an optical inspection apparatus to be applied, it is desirable that a plurality of types having different three-dimensional dimensions are arranged. 121
Is a film made of an insulating film made of, for example, SiO 2 which is transparent to light for covering the simulated defect by plasma CVD or the like. 12
2 is the thickness of the film 121. As described above, the manufactured film 121 covering the simulated defects 2 and 3 may be the same as an insulating film such as SiO 2 formed at the time of manufacturing a semiconductor device, or may have optical properties ( Another material having the same refractive index as that of the insulating film may be used. By using the calibration standard sample configured as described above, when performing a defect inspection on an object to be inspected having a light-transparent film formed on a surface thereof, such as a semiconductor wafer, the inspection is performed with respect to the light. To simulate defects present in or below the transparent film. That is, it is possible to simulate a defect existing in or under an insulating layer that is transparent to light as an object to be inspected. Further, by using a calibration standard sample in which the film thickness 122 of the film 121 covering the simulated defect is changed, the simulated defect 2 or 3 can be detected with respect to the variation in the film thickness transparent to light in the manufacturing process. It is also possible to simulate a change in output.
【0034】図13は、被検査対象物としての表面に形
成された膜と同一あるいは光学的物性が同一の膜で被覆
し、その上に前記したように模擬欠陥を製作した較正用
標準試料の断面を示す説明図。図中、1は試料である。
2は前記の如く製作される凸形状の模擬欠陥である。3
は前記の如く製作される凹形状の模擬欠陥である。これ
ら模擬欠陥2、3は、適用される光学検査装置が限定さ
れないことから、3次元的な寸法を異ならしめた複数の
種類のものを配列したものが望ましい。131は試料表
面をプラズマCVD等で被覆し、その上に模擬欠陥が形
成される光に対して透明な例えばSiO2等の絶縁膜か
らなる膜である。132は膜131の膜厚である。試料
表面を被覆し、その上に模擬欠陥が形成される膜131
は、半導体ウエハ等のように、光に対して透明なSiO
2等の絶縁膜と同一のものであっても、光学的物性(屈折
率等)が絶縁膜と同一の他の物質であっても良い。この
ように構成した較正用標準試料を用いることで、半導体
ウエハ等の如く、表面に光に対して透明な膜が形成され
た被検査対象物に対して欠陥の検査を行う場合、光に対
して透明な膜(絶縁層)上に存在する欠陥を模擬するこ
とが可能になる。また、試料表面を被覆し、その上に模
擬欠陥が形成される膜131の膜厚132を変化させた
較正用標準試料を用いることで、製造プロセスでの膜厚
のばらつきに対して膜131上に存在する模擬欠陥2ま
たは3の検出出力の変化を模擬することも可能となる。FIG. 13 shows a calibration standard sample coated with a film having the same or the same optical properties as the film formed on the surface as the object to be inspected, and on which a simulated defect was manufactured as described above. Explanatory drawing which shows a cross section. In the figure, 1 is a sample.
Reference numeral 2 denotes a convex shaped simulated defect manufactured as described above. 3
Is a simulated concave defect manufactured as described above. Since the simulated defects 2 and 3 are not limited to an optical inspection apparatus to be applied, it is desirable that a plurality of types having different three-dimensional dimensions are arranged. 131 The sample surface was coated with a plasma CVD or the like, a film made of an insulating film of a transparent example, SiO 2 or the like to light the simulated defect is formed thereon. 132 is the thickness of the film 131. A film 131 that covers the surface of the sample and on which a simulated defect is formed
Is a light-transmissive SiO such as a semiconductor wafer.
The insulating film may be the same as the insulating film such as 2 or another material having the same optical physical properties (refractive index, etc.) as the insulating film. By using the calibration standard sample configured as described above, when performing a defect inspection for an inspection target such as a semiconductor wafer having a light-transparent film formed on its surface, it is difficult to detect a defect with respect to light. It is possible to simulate a defect existing on a transparent film (insulating layer). Further, by using a calibration standard sample in which the film surface is changed and the film thickness 132 of the film 131 on which the simulated defect is formed is formed, the film 131 is coated on the film 131 with respect to the film thickness variation in the manufacturing process. It is also possible to simulate a change in the detection output of the simulated defect 2 or 3 existing in the above.
【0035】図12および図13に示す場合、被検査対
象物1として絶縁層の如く光に対して透明な膜が形成さ
れているため、該膜の表面からの反射光と該膜の裏面か
らの反射光とが発生し、これらの光の干渉等の影響を受
けた状態で検出器165で受光して画像信号を検出する
ことになる。また、絶縁層の膜厚の変動により、光の干
渉状態も変化することになる。そこで、絶縁層の如く光
に対して透明な膜が形成された被検査対象物1に対して
欠陥を検査する場合、前記較正用標準試料を用いること
で、上記光に対して透明な膜の影響をできるだけ低減し
た状態に感度を較正することが可能となる。図14は、
試料表面に形成された模擬欠陥を、半導体製造プロセス
において形成する膜(絶縁膜)と同一あるいは光学的物
性が同一の膜で被覆した標準試料、または試料表面を、
半導体製造プロセスにおいて形成する膜(絶縁膜)と同
一あるいは光学的物性が同一の膜で被覆し、その上に模
擬欠陥を形成した標準試料において、同一の試料表面内
で、被覆された膜の膜厚が場所によって異なるように形
成した較正用標準試料を説明するための図である。図
中、23は試料表面あるいは膜上に前記の如く製作され
る模擬欠陥である。この模擬欠陥23は、適用可能な光
学検査装置が限定されないことから、3次元的に寸法を
異ならしめた複数の種類のものを配列したものであるこ
とが望ましい。また141、142、143、144は
模擬欠陥23を被覆した膜、あるいは試料表面を被覆し
その上に模擬欠陥23が形成された膜である。膜14
1、142、143、144は半導体製造プロセスにお
いて形成する膜と同一のものであっても、光学的物性
(屈折率等)が半導体の製造工程において形成する膜と
同一の他の物質であっても良い。膜141、142、1
43、144は平面的(図中のx−y平面内)に同一の
幾何的形状を持ち(図14中の例ではXc×Ycの長方
形形状)、一定の間隔(図14中の例ではピッチXc)
で配列される。これは半導体製造工程においてウエハに
形成されるチップを模擬するものである。模擬欠陥23
は膜141、142、143、144内の領域の同一の
位置に配置される。なお、上記膜141、142、14
3、144を、プラズマCVD等によってSiO2等の
絶縁膜で形成する場合、最も薄い膜厚まで全面に亘って
形成し、順次薄い膜厚の領域をマスキングすることによ
って、例えばチップ単位で膜厚をZ1〜Znと異ならし
める。また、上記膜141、142、143、144
を、プラズマCVD等によってSiO2等の絶縁膜で形
成する場合、最も厚い膜厚まで全面に亘って形成し、そ
の後CMP(Chemical Mechanical Polishing)をもち
いて局部的に研磨量を変えることによって、例えばチッ
プ単位で膜厚をZ1〜Znと異ならしめる。In the case shown in FIGS. 12 and 13, since a film transparent to light, such as an insulating layer, is formed as the object 1 to be inspected, the light reflected from the surface of the film and the light reflected from the back surface of the film And the reflected light is received by the detector 165 under the influence of the interference of these lights and the like, and the image signal is detected. In addition, a change in the thickness of the insulating layer changes the state of light interference. Therefore, when inspecting the inspection object 1 having a light-transparent film such as an insulating layer for defects, the calibration standard sample is used to obtain the light-transparent film. The sensitivity can be calibrated to a state where the influence is reduced as much as possible. FIG.
A standard sample or a sample surface in which the simulated defect formed on the sample surface is coated with a film having the same or the same optical properties as a film (insulating film) formed in a semiconductor manufacturing process,
In a standard sample with the same or the same optical properties as the film (insulating film) formed in the semiconductor manufacturing process, and a simulated defect formed on it, the film of the film coated on the same sample surface It is a figure for explaining a calibration standard sample formed so that a thickness differs with places. In the figure, reference numeral 23 denotes a simulated defect manufactured as described above on the sample surface or film. Since the simulated defect 23 is not limited to an applicable optical inspection apparatus, it is preferable that a plurality of types of three-dimensionally different sizes are arranged. Reference numerals 141, 142, 143, and 144 are films covering the simulated defects 23 or films covering the surface of the sample and having the simulated defects 23 formed thereon. Membrane 14
1, 142, 143, and 144 are other materials having the same optical properties (refractive index, etc.) as the film formed in the semiconductor manufacturing process, even if they are the same as the film formed in the semiconductor manufacturing process. Is also good. Membranes 141, 142, 1
43 and 144 have the same geometric shape in a plane (within the xy plane in the figure) (a rectangular shape of Xc × Yc in the example of FIG. 14), and have a constant interval (the pitch in the example of FIG. 14). Xc)
It is arranged by. This simulates a chip formed on a wafer in a semiconductor manufacturing process. Simulated defect 23
Are located at the same position in the regions within the films 141, 142, 143, 144. The films 141, 142, 14
When the insulating films 3 and 144 are formed of an insulating film such as SiO 2 by plasma CVD or the like, the thin films are formed over the entire surface, and regions having a small thickness are sequentially masked, so that, for example, the film thickness is set in a chip unit. Is different from Z1 to Zn. The films 141, 142, 143, 144
A case of forming an insulating film such as SiO 2 by plasma CVD or the like, is formed over the entire surface to the most large thickness, by varying locally polishing amount thereafter using a CMP (Chemical Mechanical Polishing), for example, The film thickness is made different from Z1 to Zn for each chip.
【0036】このように構成した較正用標準試料を用い
ることで、光に対して透明な膜の膜厚に変化がある被検
査対象物に対して感度を較正することができる。また、
例えばチップ比較により表面検査を行う形式の検査にお
いて、光に対して透明な膜の膜厚に変化が生じても比較
検査の検出特性を較正することが可能となる。図15
は、試料表面に形成された模擬欠陥に隣接して設けた、
半導体装置等の回路パターンを模擬する構造を有する較
正用標準試料についての説明図である。図中、1は試料
である。72は光学検査装置における試料の照明を行う
照明である。23は前記した如く製作される凸または凹
の模擬欠陥(図15中には凸の模擬欠陥を示す)であ
る。この模擬欠陥23は、適用可能な光学検査装置が限
定されないことから、3次元的に寸法を異ならしめた複
数の種類のものを配列したものであることが望ましい。
150は半導体装置の回路パターンを模擬する構造であ
る。151は模擬欠陥23と半導体装置の回路パターン
を模擬する構造150との距離、152は半導体装置の
回路パターンを模擬する構造150の高さ、153は半
導体装置の回路パターンを模擬する構造150と照明7
2とのなす角である。なお、回路パターン150は、通
常の半導体の製造プロセス(スパッタリング成膜、露
光、およびエッチング)を用いて形成する。このように
構成した較正用標準試料を用いることで、半導体装置の
回路パターンの影にある異物等の欠陥を模擬することが
可能となる。この場合、模擬欠陥の検出出力は、半導体
装置の回路パターンを模擬する構造150との距離15
1、半導体装置の回路パターンを模擬する構造150の
高さ152。半導体装置の回路パターンを模擬する構造
150と照明72とのなす角153によって変化するた
め、上記151〜153が半導体装置の回路パターンの
影にある異物等の欠陥を模擬する際のパラメータとな
る。By using the calibration standard sample thus configured, the sensitivity can be calibrated for an object to be inspected in which the thickness of the film transparent to light changes. Also,
For example, in an inspection of a type in which a surface inspection is performed by chip comparison, it is possible to calibrate the detection characteristics of the comparative inspection even if a change occurs in the thickness of a film transparent to light. FIG.
Was provided adjacent to the simulated defect formed on the sample surface,
It is explanatory drawing about the calibration standard sample which has a structure which simulates a circuit pattern of a semiconductor device etc. In the figure, 1 is a sample. Reference numeral 72 denotes illumination for illuminating the sample in the optical inspection device. Reference numeral 23 denotes a convex or concave simulated defect manufactured as described above (a convex simulated defect is shown in FIG. 15). Since the simulated defect 23 is not limited to an applicable optical inspection apparatus, it is preferable that a plurality of types of three-dimensionally different sizes are arranged.
Reference numeral 150 denotes a structure that simulates a circuit pattern of a semiconductor device. 151 is the distance between the simulated defect 23 and the structure 150 simulating the circuit pattern of the semiconductor device, 152 is the height of the structure 150 simulating the circuit pattern of the semiconductor device, 153 is the structure 150 simulating the circuit pattern of the semiconductor device and the illumination. 7
It is the angle between the two. The circuit pattern 150 is formed by using a normal semiconductor manufacturing process (sputtering film formation, exposure, and etching). By using the calibration standard sample configured as described above, it is possible to simulate a defect such as a foreign matter in a shadow of a circuit pattern of a semiconductor device. In this case, the detection output of the simulated defect is a distance 15 from the structure 150 simulating the circuit pattern of the semiconductor device.
1. The height 152 of the structure 150 simulating the circuit pattern of the semiconductor device. Since it changes depending on the angle 153 between the structure 150 simulating the circuit pattern of the semiconductor device and the illumination 72, the above-mentioned 151 to 153 are parameters when simulating a defect such as a foreign matter in the shadow of the circuit pattern of the semiconductor device.
【0037】図1は、本発明に係る3次元的な寸法を異
ならしめた複数の種類の模擬欠陥を多数配列した較正用
標準試料を製作する手順を実施するための装置の一実施
例をを表す概略構成図である。100は標準粒子の物性
値およびその粒子径に対応させた模擬欠陥の設計データ
であり、その内容は模擬欠陥の物性値データ101およ
び模擬欠陥の形状設計データ102とからなる。模擬欠
陥物性値データ101は、標準粒子の物性値および粒子
径のデータとして与えられる。特に模擬欠陥の形状設計
データ102は、標準粒子の物性値および粒子径のデー
タを基に設計されて作成される。欠陥検出シミュレータ
110は、標準の光学検査装置の照明光の波長、照明角
度、検出光学系164のNA(開口)、検出器165の
画素の大きさ(被検査対象物上での換算値)等の構成デ
ータ103を基に、模擬欠陥の形状設計データ102に
基づく検出出力(感度)の予測を行い、シミュレーショ
ン結果106を得る。欠陥検出シミュレータ110は、
フーリエ変換を用いた光学シミュレータを用いるもので
も、Maxwell方程式を直接解くことで、物体から
の検出出力を求めるものでも、あるいはその両方の組み
合わせによるものでもよい。一方、模擬欠陥加工手段1
11は、模擬欠陥の形状設計データ102を基に設定さ
れる加工パラメータ104に基づいて、形状設計データ
102に適合するような立体形状をした模擬欠陥105
を試料1の表面に加工して形成する。模擬欠陥加工手段
111は、ビーム除去加工、あるいはCVD局所成膜加
工等、様々な加工方法を適用することができるが、これ
については先の図3〜図6の説明において詳述したとお
りである。しかしながら、模擬欠陥の立体形状の寸法と
しては、標準粒子の粒子径で、0.36μm〜1.1μ
m程度に相当する必要があるため、上記FIB除去加工
またはFIBCVD成膜加工が最も適している。このよ
うに模擬欠陥加工手段111において、模擬欠陥の立体
形状の寸法を、標準粒子の粒子径で0.36μm〜1.
1μm程度に相当させることが必要であるため、1回の
加工パラメータの設定では、形状設計データの通りに加
工することができないことが生ずる。従って、加工され
た模擬欠陥105を、形状測定手段112で形状測定を
行い、この形状測定手段112で測定された模擬欠陥の
形状実測データ108は、模擬欠陥の形状設計データ1
02と比較手段(1001)で比較され、寸法差が許容範
囲内であればOK、許容範囲を超えていればNGと判断
する。NGの場合は、上記設定された加工パラメータ1
04を修正し、再度模擬欠陥加工手段111により試料
上に模擬欠陥105の加工を行う。このようにすること
によって、設計形状データに102対して許容範囲内の
立体形状の寸法をもった模擬欠陥105を試料上に形成
することができる。なお、形状測定手段112は、電子
顕微鏡を用いても、表面粗さ計を用いても、SPM(Sc
anning Probe Microscope:走査型プローブ顕微鏡)を
用いても、あるいは位相差顕微鏡、微分干渉顕微鏡など
の光学的測定法を用いても、0.36μm〜1.1μm
程度に相当する寸法をもった模擬欠陥の立体形状寸法が
測定することができれば良い。FIG. 1 shows an embodiment of an apparatus according to the present invention for performing a procedure for manufacturing a calibration standard sample in which a plurality of types of simulated defects having different three-dimensional dimensions are arranged. It is a schematic structure diagram showing. Numeral 100 denotes design data of the simulated defect corresponding to the physical property value of the standard particle and the particle diameter thereof, and the contents thereof include the simulated defect physical property value data 101 and the simulated defect shape design data 102. The simulated defect physical property value data 101 is provided as physical property data and particle diameter data of standard particles. In particular, the shape design data 102 of the simulated defect is designed and created based on the data of the physical property values and the particle diameters of the standard particles. The defect detection simulator 110 uses the wavelength of the illumination light of a standard optical inspection device, the illumination angle, the NA (opening) of the detection optical system 164, the size of the pixel of the detector 165 (converted value on the inspection object), and the like. Based on the configuration data 103, the detection output (sensitivity) is predicted on the basis of the shape design data 102 of the simulated defect, and a simulation result 106 is obtained. The defect detection simulator 110
An optical simulator using a Fourier transform may be used, a detection output from an object may be obtained by directly solving the Maxwell equation, or a combination of both may be used. On the other hand, the simulated defect processing means 1
Reference numeral 11 denotes a simulated defect 105 having a three-dimensional shape conforming to the shape design data 102 based on a processing parameter 104 set based on the simulated defect shape design data 102.
Is formed on the surface of the sample 1 by processing. As the simulated defect processing means 111, various processing methods such as beam removal processing or CVD local film formation processing can be applied, as described in detail in the above description of FIGS. . However, the size of the three-dimensional shape of the simulated defect is 0.36 μm to 1.1 μm in the particle diameter of the standard particle.
Therefore, the FIB removal processing or the FIBCVD film formation processing is most suitable. In this way, in the simulated defect processing means 111, the size of the three-dimensional shape of the simulated defect is set to 0.36 μm to 1.
Since it is necessary to correspond to about 1 μm, it may not be possible to perform processing according to shape design data by setting processing parameters once. Accordingly, the shape of the processed simulated defect 105 is measured by the shape measuring means 112, and the measured shape data 108 of the simulated defect measured by the shape measuring means 112 is the shape design data 1 of the simulated defect.
02 is compared with the comparing means (1001), and if the dimensional difference is within the allowable range, it is determined to be OK, and if it exceeds the allowable range, it is determined to be NG. In the case of NG, the processing parameter 1 set above
04 is corrected, and the simulated defect 105 is processed on the sample again by the simulated defect processing means 111. In this way, it is possible to form a simulated defect 105 having a three-dimensional shape within an allowable range for the design shape data 102 on the sample. It should be noted that the shape measuring means 112 can use an SPM (Sc
anning Probe Microscope (scanning probe microscope) or an optical measurement method such as a phase contrast microscope and a differential interference microscope, 0.36 μm to 1.1 μm
It suffices if the three-dimensional shape size of the simulated defect having a size corresponding to the degree can be measured.
【0038】また、欠陥検出シミュレータ110は、標
準の光学検査装置の照明光の波長、照明角度、検出光学
系164のNA(開口)、検出器165の画素の大きさ
(被検査対象物上での換算値)等の構成データ103を
基に、形状測定手段112で測定された模擬欠陥の形状
実測データ106を基づく検出出力(感度)の予測を行
い、シミュレーション結果107を得る。このシミュレ
ーション結果である形状実測データに基づく予測検出出
力(予測感度)107と、先にシミュレーション結果と
して得られた模擬欠陥の形状設計データ102に基づく
予測検出出力(予測感度)106とを比較手段(100
2)で比較し、両者の差が許容範囲内であればOK、許
容範囲を超えていればNGと判断する。NGの場合は再
度加工パラメータ104を修正して、再度模擬欠陥加工
手段111により試料上に模擬欠陥105の加工を行
う。このように最終的に、模擬欠陥の形状設計データ1
02に基づく予測検出出力(予測感度)106が、形状
実測データに基づく予測検出出力(予測感度)107に
一致する加工パラメータを求めることにある。上記比較
手段1001は、立体形状から必要とする加工パラメー
タに追い込んでゆくためのものである。なお、欠陥検出
シミュレータ110におけるシュミレーションのプログ
ラム条件は、予め、後述する検出出力測定手段113に
おいて実測される検出出力(感度)にほぼ一致するよう
に決定しておくものとする。しかし、後述する検出出力
測定手段113によって実測された検出出力(感度)を
参照して欠陥検出シミュレータ110におけるシュミレ
ーションのプログラム条件を決めることによって、シュ
ミレーションによる検出出力(感度)106、107と
実測による検出出力(感度)109とを容易に一致させ
ることができる。以上により、3次元的な寸法(1辺が
0.3μm〜1.0μm程度)を異ならしめた複数の種
類の模擬欠陥を多数配列した較正用標準試料を製作する
ための模擬欠陥の形状設計データ102または模擬欠陥
の形状実測データ106(例えば標準粒子の粒子径で与
えられる模擬欠陥の保証された立体形状データ)に対す
る模擬欠陥加工手段(例えばFIB除去加工装置または
FIBCVD加工装置)111による最適な加工パラメ
ータが求まることになる。Further, the defect detection simulator 110 uses the wavelength of the illumination light of the standard optical inspection apparatus, the illumination angle, the NA (opening) of the detection optical system 164, and the size of the pixel of the detector 165 (on the inspection object). The detection output (sensitivity) is estimated based on the actual measured data 106 of the simulated defect measured by the shape measuring means 112 based on the configuration data 103 such as (converted value of), and the simulation result 107 is obtained. A means for comparing a predicted detection output (prediction sensitivity) 107 based on the shape measurement data, which is the simulation result, with a prediction detection output (prediction sensitivity) 106 based on the shape design data 102 of the simulated defect obtained as a simulation result earlier ( 100
If the difference between the two is within the allowable range, it is determined to be OK, and if the difference is outside the allowable range, it is determined to be NG. In the case of NG, the processing parameters 104 are corrected again, and the simulated defect 105 is processed on the sample again by the simulated defect processing means 111. Thus, finally, the shape design data 1 of the simulated defect
02 is to find a processing parameter that matches a predicted detection output (prediction sensitivity) 107 based on shape measurement data. The comparing means 1001 is for driving the required processing parameters from the three-dimensional shape. Note that the simulation program conditions in the defect detection simulator 110 are determined in advance so as to substantially match the detection output (sensitivity) actually measured by the detection output measuring means 113 described later. However, by determining the simulation program conditions in the defect detection simulator 110 with reference to the detection output (sensitivity) actually measured by the detection output measuring means 113 described later, the detection outputs (sensitivity) 106 and 107 by the simulation and the detection by the actual measurement are determined. The output (sensitivity) 109 can be easily matched. As described above, the shape design data of a simulated defect for manufacturing a calibration standard sample in which a large number of a plurality of types of simulated defects having different three-dimensional dimensions (each side is about 0.3 μm to 1.0 μm) is arranged. Optimum processing by the simulated defect processing means (for example, the FIB removal processing apparatus or the FIBCVD processing apparatus) 111 for the actual measurement data 102 or the simulated defect shape measurement data 106 (for example, the three-dimensional shape data of the simulated defect given by the particle diameter of the standard particle). The parameters will be determined.
【0039】次に、この求まった最適な加工パラメータ
に基づいて、模擬欠陥加工手段(例えばFIB除去加工
装置またはFIBCVD加工装置)111によって、試
料上において、所定の領域に同じ3次元的な寸法の模擬
欠陥を多数個2次元的に所定の間隔で配列した模擬欠陥
の群を、さらに、順次3次元的な寸法を異ならしめて異
なる領域に配置するように加工して、1枚の較正用標準
試料を作成する。即ち、1つの試料上に、適用可能な光
学検査装置が限定されないように、3次元的な寸法を異
ならしめた複数種類の模擬欠陥群(一つの模擬欠陥群
は、同じ種類の模擬欠陥を多数個2次元的に配列したも
のである。)を、所定の領域毎に2次元的に配列され
る。更に同じ最適な加工パラメータに基づいて、模擬欠
陥加工手段(例えばFIB除去加工装置またはFIBC
VD加工装置)111によって、必要とする枚数の較正
用標準試料を繰り返して作成する。以上により、本発明
に係る光学検査装置用の較正用標準試料が所定の枚数製
作される。Next, based on the obtained optimum processing parameters, a simulated defect processing means (for example, an FIB removal processing apparatus or a FIBCVD processing apparatus) 111 places the same three-dimensional dimensions on a predetermined region on the sample. A group of simulated defects in which a large number of simulated defects are two-dimensionally arranged at predetermined intervals is further processed so as to be sequentially arranged in different regions with different three-dimensional dimensions, and one calibration standard sample is prepared. Create That is, a plurality of types of simulated defects having different three-dimensional dimensions (one simulated defect group includes a large number of simulated defects of the same type) on one sample so that applicable optical inspection apparatuses are not limited. Are two-dimensionally arranged in a predetermined area. Further, based on the same optimum processing parameters, the simulated defect processing means (for example, FIB removal processing apparatus or FIBC
The required number of calibration standard samples are repeatedly created by the VD processing device 111. As described above, a predetermined number of calibration standard samples for the optical inspection device according to the present invention are manufactured.
【0040】最後に、それぞれ製作された較正用標準試
料上の模擬欠陥に対して、標準の光学検査装置からなる
検出出力測定手段113によって検出出力(感度)を測
定し、模擬欠陥の検出出力(感度)実測データ109を
得る。このとき使用する検出出力測定手段113は、実
際欠陥検査に用いられる光学検査装置そのものを用いて
も、あるいは実際欠陥検査に用いられる光学検査装置と
等価な結果を得られるような同等の装置構成を持つよう
な標準の光学検査装置を用いれば良い。即ち、この標準
の光学検査装置は、欠陥検出シミュレータ110におい
てシュミレーションするための、照明光の波長、照明角
度、検出光学系164のNA(開口)、検出器165の
画素の大きさ(被検査対象物上での換算値)等の構成デ
ータ103を有する装置構成のものを用いれば良い。こ
のように標準の光学検査装置を用いて模擬欠陥の検出出
力(感度)の実測を行うのは、ショミレーションよりは
保証された模擬欠陥の検出出力(感度)が得られるから
である。以上の手順により、模擬欠陥の形状設計データ
102または模擬欠陥の形状実測データ106からは、
例えば標準粒子の粒子径で与えられる模擬欠陥の保証さ
れた立体形状データが得られ、検出出力測定手段113
からは該立体形状データを有する模擬欠陥の保証された
検出出力(感度)データが得られ、これらのデータを記
録した記録媒体等を各較正用標準試料に付属させること
によって、保証された精度の高い光学検査装置用の較正
用標準試料を得ることができる。Finally, the detection output (sensitivity) of the simulated defect on each of the manufactured calibration standard samples is measured by the detection output measuring means 113 comprising a standard optical inspection apparatus, and the simulated defect detection output (sensitivity) is measured. Sensitivity) Obtain actual measurement data 109. The detection output measuring means 113 used at this time may use an optical inspection apparatus itself used for actual defect inspection or an equivalent apparatus configuration capable of obtaining a result equivalent to the optical inspection apparatus used for actual defect inspection. What is necessary is just to use the standard optical inspection apparatus which has. That is, this standard optical inspection apparatus uses the wavelength of the illumination light, the illumination angle, the NA (aperture) of the detection optical system 164, and the size of the pixel of the detector 165 (the object to be inspected) for simulation in the defect detection simulator 110. A device configuration having configuration data 103 such as a conversion value on an object may be used. The reason why the detection output (sensitivity) of the simulated defect is actually measured using the standard optical inspection apparatus is that the guaranteed detection output (sensitivity) of the simulated defect is obtained by simulation. By the above procedure, from the shape design data 102 of the simulated defect or the measured shape data 106 of the simulated defect,
For example, three-dimensional shape data in which a simulated defect given by the particle diameter of the standard particle is guaranteed can be obtained.
Can obtain the guaranteed detection output (sensitivity) data of the simulated defect having the three-dimensional shape data, and by attaching a recording medium or the like on which these data are recorded to each calibration standard sample, it is possible to obtain the guaranteed accuracy. A calibration standard sample for a high optical inspection apparatus can be obtained.
【0041】なお、シミュレーション110では、光学
検査装置の、照明光の波長、照明角度、検出光学系の開
口、検出器の画素の大きさ等の構成データに関し、較正
の対象とする光学検査装置に限らず、想定できるあらゆ
る構成データ値において模擬欠陥の検出出力(感度)を
予測可能であるから、幅の広い範囲にわたっての検出出
力の保証が可能であり、例えば、異なる光学検査装置、
あるいは現在は存在しない将来の光学検査装置にわたっ
ての標準試料の検出出力の保証が可能になる。この場
合、模擬欠陥の保証された検出出力(感度)データとし
て、シュミレーションによる検出出力(感度)データ1
07を用いることが可能であるが、検出出力(感度)デ
ータ109を用いる方が望ましい。ところで、前記説明
においては、シミュレーションと、実測の両方によって
模擬欠陥の検出出力を保証する方法について述べたが、
場合によってはシミュレーションのみ、あるいは実測の
みによって保証することも可能であることは言うまでも
ない。In the simulation 110, regarding the configuration data such as the wavelength of illumination light, the illumination angle, the aperture of the detection optical system, the size of the pixel of the detector, etc., the optical inspection apparatus to be calibrated is used in the simulation 110. The detection output (sensitivity) of the simulated defect can be predicted at any conceivable configuration data value, so that the detection output can be guaranteed over a wide range. For example, different optical inspection devices,
Alternatively, it is possible to guarantee the detection output of the standard sample over future optical inspection devices that do not currently exist. In this case, the detection output (sensitivity) data 1 by simulation is used as the guaranteed detection output (sensitivity) data of the simulated defect.
07 can be used, but it is preferable to use the detection output (sensitivity) data 109. By the way, in the above description, the method of guaranteeing the detection output of the simulated defect by both the simulation and the actual measurement has been described.
In some cases, it is needless to say that it is possible to guarantee only by simulation or only by actual measurement.
【0042】ここまでに説明した模擬欠陥は、パターン
を有する半導体ウエハ等の電子部品の製品上に直接設け
ても良い。実製品上に模擬欠陥を設けることで、生産ラ
インで使用中の光学検査装置の感度の状態をリアルタイ
ムで把握でき、装置の調整を迅速に行うこと、あるいは
模擬欠陥の検出出力の結果を基準に検査結果の補正を行
うことが可能となる。この場合、形成した模擬欠陥が製
品に悪影響を与えないように、模擬欠陥は製品の回路パ
ターンの領域以外の領域に設けることとなる。The simulated defects described above may be provided directly on a product of an electronic component such as a semiconductor wafer having a pattern. By providing a simulated defect on the actual product, the sensitivity status of the optical inspection device in use on the production line can be grasped in real time, and the device can be adjusted quickly or based on the result of the simulated defect detection output. Inspection results can be corrected. In this case, the simulated defect is provided in a region other than the circuit pattern region of the product so that the formed simulated defect does not adversely affect the product.
【0043】図20に、本発明に係る光学検査装置用の
較正用標準試料として、半導体ウエハを例にとって模擬
欠陥を設ける位置について説明する。図中230は半導
体ウエハ、231は製品となる半導体チップである。2
32、233、234は模擬欠陥を設ける領域であり、
232は一つのチップ領域全体を模擬欠陥を設ける領域
としたもので、233はチップとチップの間の領域を模
擬欠陥を設ける領域としたものであり、また234は製
品チップ内の回路パターンが形成されていない領域を模
擬欠陥を設ける領域としたものである。FIG. 20 illustrates a position where a simulated defect is provided using a semiconductor wafer as an example of a calibration standard sample for an optical inspection apparatus according to the present invention. In the figure, 230 is a semiconductor wafer, and 231 is a semiconductor chip to be a product. 2
32, 233, and 234 are areas where the simulated defects are provided;
Numeral 232 designates the entire area of one chip as an area where a simulated defect is provided, 233 designates an area between chips as an area where a simulated defect is provided, and 234 designates a circuit pattern in a product chip. The area not provided is the area where the simulated defect is provided.
【0044】また、回路パターンを有する半導体ウエハ
等の電子部品の製品のパターンを形成した領域上に模擬
欠陥を設け、これを光学検査装置用の較正用試料とする
ことも可能である。この場合は特に比較検査を行う光学
検査装置の較正に有効である。半導体ウエハの光学検査
装置を例にとって説明を行うと、半導体ウエハには複数
のチップが形成されているので、相異なるチップ内の同
一の箇所での表面状態の比較を行い、一致しなかった場
合その部分を欠陥として検出する検査方法(チップ比
較)、あるいはチップ内の回路パターンの繰り返し部分
(例えばメモリ製品のメモリセル部分)の内部の相異な
る場所同士での表面状態の比較を行い、一致しなかった
場合その部分を欠陥として検出する検査方法(セル比
較)等がある。Further, it is also possible to provide a simulated defect on a region where a pattern of a product of an electronic component such as a semiconductor wafer having a circuit pattern is formed, and use the simulated defect as a calibration sample for an optical inspection apparatus. This case is particularly effective for calibrating an optical inspection apparatus that performs a comparative inspection. To explain using an optical inspection apparatus for a semiconductor wafer as an example, since a plurality of chips are formed on a semiconductor wafer, a comparison is made between the surface conditions at the same location in different chips, and when they do not match. An inspection method (chip comparison) for detecting the portion as a defect, or a comparison of surface states between different locations inside a repeated portion of a circuit pattern in a chip (eg, a memory cell portion of a memory product) is performed. If not, there is an inspection method (cell comparison) for detecting that part as a defect.
【0045】図21、および図22には、それら検査方
法を用いる表面状態光学検査装置の較正に適した較正用
試料の実施例について説明する。図21中に、230は
半導体ウエハ、231は回路パターンを持つ半導体チッ
プ、241は半導体チップ上に形成した模擬欠陥であ
る。比較検査によって検出できるよう、模擬欠陥241
はチップ内での位置が各々のチップで異なるように配置
させることが望ましい。また、図では一つのチップに一
つの模擬欠陥を形成するような図として示したが、比較
検査が出来れば良いのであるから、一つのチップに複数
模擬欠陥を形成しても、また模擬欠陥を形成しないチッ
プがあってもよい。また、図22には模擬欠陥の半導体
チップ内での配置について説明するものである。251
は半導体チップ、252はチップ内で繰り返し性を持つ
回路パターンの領域(例えばメモリ製品のメモリセル領
域)、また253は繰り返し性を持たない回路パターン
の領域(例えばメモリ製品の周辺回路部分)である。2
41はチップ上に形成した模擬欠陥である。模擬欠陥2
41はチップ内で繰り返し性を持つ回路パターンの領域
252および繰り返し性を持たない回路パターンの領域
253のそれぞれに配置される。このように模擬欠陥を
配置することで、領域ごとの検出感度の定量化を行うこ
とが可能になる。FIGS. 21 and 22 show an embodiment of a calibration sample suitable for calibrating a surface condition optical inspection apparatus using these inspection methods. In FIG. 21, 230 is a semiconductor wafer, 231 is a semiconductor chip having a circuit pattern, and 241 is a simulated defect formed on the semiconductor chip. Simulated defects 241 so that they can be detected by the comparative inspection
It is preferable to arrange the chips so that the positions in the chips are different for each chip. Also, although the figure shows a case in which one simulated defect is formed on one chip, it is sufficient if a comparative inspection can be performed. Some chips may not be formed. FIG. 22 illustrates the arrangement of the simulated defects in the semiconductor chip. 251
Is a semiconductor chip, 252 is a region of a circuit pattern having repeatability in the chip (for example, a memory cell region of a memory product), and 253 is a region of a circuit pattern having no repeatability (for example, a peripheral circuit portion of a memory product). . 2
41 is a dummy defect formed on the chip. Simulated defect 2
Reference numeral 41 denotes a circuit pattern region 252 having repeatability and a circuit pattern region 253 having no repeatability within the chip. By arranging the simulated defects in this way, it is possible to quantify the detection sensitivity for each region.
【0046】次に、上記で説明した較正用標準試料を用
いて感度較正を行う際に、較正およびその結果に基づく
装置調整の作業効率を向上できるような光学検査装置の
構成の実施例について図23〜図26を用いて説明す
る。図23は検査装置の感度較正が行われる状況、およ
びその際の作業内容について説明する図である。図中2
11は装置メーカー側で行われる感度較正であり、21
11は装置メーカー側で行われる装置の初期状態を確認
し感度を保証するために行う感度較正である。この時点
での較正結果は、装置の初期感度を保証するデータであ
り、後に行われる較正の基準となる基準較正結果として
も用いられる。この基準較正結果は装置の感度を保証す
るデータとして、装置に添付されることが望ましい。添
付の形態は印刷物であっても、電子ファイルとしてフロ
ッピディスク等に保存された状態でも、のちの説明中で
述べるように装置中の記憶装置の中に保管された状態で
も、あるいは装置が接続されるネットワーク上のサーバ
に保管するようにしても良い。212は装置ユーザー側
で行う感度較正で、2121は装置の適用開始前に行わ
れ、装置が初期状態の感度を確保出来ているかの確認の
ために行う感度較正である。また2113は装置を継続
的に使用している途中に行われる感度較正であり、装置
が経時変化により初期状態から変化を来たしていないか
を確認するための感度較正である。Next, an embodiment of the configuration of the optical inspection apparatus which can improve the work efficiency of the calibration and the adjustment of the apparatus based on the result when performing the sensitivity calibration using the calibration standard sample described above. This will be described with reference to FIGS. FIG. 23 is a diagram for explaining a situation in which the sensitivity calibration of the inspection apparatus is performed and the contents of the work at that time. 2 in the figure
Reference numeral 11 denotes a sensitivity calibration performed by the device manufacturer, and 21
Reference numeral 11 denotes sensitivity calibration performed by the device manufacturer to confirm the initial state of the device and to guarantee the sensitivity. The calibration result at this point is data that guarantees the initial sensitivity of the device, and is also used as a reference calibration result that is a reference for calibration performed later. This reference calibration result is desirably attached to the device as data that guarantees the sensitivity of the device. The attached form may be printed matter, stored in a floppy disk or the like as an electronic file, stored in a storage device in the device as described later, or connected to the device. May be stored in a server on a network. Reference numeral 212 denotes a sensitivity calibration performed on the user side of the apparatus. Reference numeral 2121 denotes a sensitivity calibration performed before the start of application of the apparatus and performed to confirm whether the apparatus can secure the sensitivity in an initial state. Reference numeral 2113 denotes a sensitivity calibration performed during continuous use of the apparatus, and is a sensitivity calibration for confirming whether or not the apparatus has changed from an initial state due to aging.
【0047】2111、2121、2123の各々で行
われる感度較正の内容は、2101から2103に示す
通りであり、次の3段階からなる。まず較正用標準試料
を対象に検査を実施して検出結果を得る(2101)。
次に、得られた検出結果と予め定められた仕様、あるい
は基準較正結果と比較し、装置の検出能力に問題がない
かを判断する(2103)。問題があった場合には装置
の調整を行い、これは装置の検出能力に問題無しと判断
されるまで繰り返される。問題が無い場合には装置の出
荷(2112)、あるいは装置の使用開始(212
2)、あるいは装置の使用継続(2124)が行われ
る。これら一連の感度較正の作業において、これまでに
説明した較正用標準試料を用いれば、模擬欠陥の大きさ
とその検出出力が保証されているため装置の絶対感度較
正が可能であり、また、洗浄が可能であるため、長期間
安定して装置の感度較正を行うことが可能であり、ま
た、加工により同じ品質の標準試料を複数作成可能であ
るため、多数の装置の検出感度が同じくなるように感度
較正を行うことが可能となるという利点を得ることが出
来る。The contents of the sensitivity calibration performed in each of 2111, 2121, and 2123 are as shown in 2101 to 2103, and include the following three steps. First, an inspection is performed on a calibration standard sample to obtain a detection result (2101).
Next, the obtained detection result is compared with a predetermined specification or a reference calibration result to determine whether there is any problem in the detection capability of the device (2103). If there is a problem, the device is adjusted, and this is repeated until it is determined that there is no problem in the detection capability of the device. If there is no problem, shipment of the device (2112) or start of use of the device (212)
2) Alternatively, the use of the device is continued (2124). In this series of sensitivity calibration work, if the calibration standard sample described above is used, the absolute sensitivity of the apparatus can be calibrated because the size of the simulated defect and its detection output are guaranteed, and cleaning is also required. Because it is possible, it is possible to stably calibrate the sensitivity of the device for a long period of time, and since multiple standard samples of the same quality can be created by processing, the detection sensitivity of many devices will be the same. The advantage that sensitivity calibration can be performed can be obtained.
【0048】また、光学検査装置に、感度較正の作業に
適した機能を備えることで、感度較正作業の効率の向上
を図ることも可能である。以下にその例について説明す
る。図24において、191は検出器165で得られた
信号を処理し、欠陥信号の検出を行う信号処理部であ
り、192は装置の制御部である。194は表示装置で
あり、検査の結果等を表示する。また、193は記憶装
置であり、検査の結果等を記憶するものである。ここで
195は基準較正結果のデータであり、記憶装置193
に記憶される。196は表示装置194に表示された基
準較正結果のデータ195である。また197は較正結
果のデータであり、198は表示装置194に表示され
た較正結果のデータ197である。このように、記憶装
置193上に基準較正結果のデータと、任意の時期での
較正結果をもち、表示装置194上に並べて表示するこ
とで、装置の問題点を一目で確認することができ、感度
較正の作業能率が向上する。Further, by providing the optical inspection apparatus with a function suitable for sensitivity calibration work, it is possible to improve the efficiency of sensitivity calibration work. An example will be described below. In FIG. 24, reference numeral 191 denotes a signal processing unit that processes a signal obtained by the detector 165 to detect a defect signal, and 192 denotes a control unit of the apparatus. Reference numeral 194 denotes a display device for displaying the result of the inspection and the like. Reference numeral 193 denotes a storage device for storing the results of inspection and the like. Here, reference numeral 195 denotes data of the reference calibration result, which is stored in the storage device 193.
Is stored. Reference numeral 196 denotes data 195 of the reference calibration result displayed on the display device 194. Reference numeral 197 denotes calibration result data, and reference numeral 198 denotes calibration result data 197 displayed on the display device 194. As described above, the data of the reference calibration result and the calibration result at an arbitrary time are stored in the storage device 193 and displayed side by side on the display device 194, so that the problem of the device can be confirmed at a glance. The work efficiency of sensitivity calibration is improved.
【0049】また、図25において、201は感度較正
を行った結果と、基準較正結果あるいは他の任意の時期
に行われた較正結果との比較を行う部分であり、202
はその比較の結果から装置の調整を行う部分について判
定を行う部分である。比較の結果、予め設定された許容
範囲を越えた場合、装置に調整が必要であると判断す
る。例えば、同じ模擬欠陥の検出出力が比較対象となる
較正結果と比較して予め設定された許容範囲を越えて小
さくなった場合には、光源の出力低下、検出器の感度低
下等が起きており、その部分に調整が必要と判断され
る。また、模擬欠陥の検出位置が対象となる較正結果と
比較して予め設定された許容範囲を越えてずれていた場
合には、ステージに問題が起きており、その部分に調整
が必要と判断される。判定の結果205は表示装置19
4に、較正結果198、基準較正結果196と並べて表
示するように構成する。こうすることにより、判定の基
準と判定の結果を一目で確認することが出来、感度較正
の作業能率が向上する。また、装置に調整が必要である
と判断された場合には制御部192によりアラームを発
生するように装置を構成する。アラームの形態は表示装
置194に表示させるものでも、表示灯203等によっ
て光で示すものでも、またスピーカーあるいはブザー等
の音響発生装置204によるものでも、あるいはそれら
の組み合わせによるものでもよい。図26には較正結果
の比較手段201および判定手段202で装置の調整要
と判断された場合に装置制御手段192から照明光学系
の調整手段(例えば照明強度や集光スポットの状態等も
含む。)211およびステージ調整手段212および検
出光学系の調整手段(検出器165から得られる画像信
号に対する増幅率、シエーディング補正、背景(暗)補
正、2値化信号に変換する場合の閾値、合焦点制御にお
ける許容値等を含む。)213により自動的に装置の調
整を行う光学検査装置の構成を示す。このように自動で
調整が出来るように構成することにより、較正の結果に
基づいて光学検査装置の調整を行う際の作業効率を向上
することが出来る。In FIG. 25, reference numeral 201 denotes a portion for comparing the result of the sensitivity calibration with the reference calibration result or the calibration result performed at any other time.
Is a part for making a judgment on a part for adjusting the apparatus from the result of the comparison. As a result of the comparison, if the value exceeds a preset allowable range, it is determined that the device needs to be adjusted. For example, if the detection output of the same simulated defect becomes smaller than a preset allowable range as compared with the calibration result to be compared, the output of the light source decreases, the sensitivity of the detector decreases, and the like. It is determined that adjustment is necessary for that part. If the detection position of the simulated defect is out of the predetermined allowable range as compared with the target calibration result, a problem has occurred in the stage, and it is determined that adjustment is necessary for that portion. You. The determination result 205 is the display device 19
4, the calibration result 198 and the reference calibration result 196 are displayed side by side. By doing so, the criterion for determination and the result of the determination can be confirmed at a glance, and the work efficiency of sensitivity calibration is improved. In addition, the device is configured to generate an alarm by the control unit 192 when it is determined that adjustment is necessary for the device. The form of the alarm may be displayed on the display device 194, may be indicated by light using the indicator lamp 203 or the like, may be generated by the sound generating device 204 such as a speaker or a buzzer, or may be obtained by a combination thereof. In FIG. 26, when it is determined by the comparison means 201 and the determination means 202 of the calibration result that adjustment of the apparatus is necessary, the apparatus control means 192 adjusts the illumination optical system (including, for example, the illumination intensity and the state of the condensed spot). ) 211, stage adjustment means 212 and detection optical system adjustment means (amplification ratio for image signal obtained from detector 165, shading correction, background (dark) correction, threshold value when converting into binary signal, focus control) The configuration of the optical inspection apparatus that automatically adjusts the apparatus is shown by 213. With such a configuration that the adjustment can be performed automatically, it is possible to improve the work efficiency when adjusting the optical inspection apparatus based on the result of the calibration.
【0050】[0050]
【発明の効果】本発明によれば、適用可能な検査装置が
限定されずに、保証された絶対感度較正を行うことがで
きるようにした光学検査装置用の較正用標準試料を実現
することができる効果を奏する。また、本発明によれ
ば、保証された絶対感度較正を行って被検査対象物上に
存在する様々なサイズを有する欠陥を見逃しすることな
く高信頼で検査できるようにした光学検査装置における
感度較正方法を実現することができる効果を奏する。According to the present invention, it is possible to realize a calibration standard sample for an optical inspection apparatus capable of performing guaranteed absolute sensitivity calibration without limiting the applicable inspection apparatus. The effect that can be performed. Further, according to the present invention, a sensitivity calibration in an optical inspection device that performs a guaranteed absolute sensitivity calibration so that a defect having various sizes existing on an inspection object can be inspected with high reliability without overlooking it. There is an effect that the method can be realized.
【0051】また、本発明によれば、製造途中における
半導体ウエハ等のような被検査対象物の表面に形成され
た光に対して透明な層間絶縁膜の下若しくは内の欠陥を
感度よく検査することができる効果を奏する。また、本
発明によれば、製造途中における半導体ウエハ等のよう
な被検査対象物の表面に形成された光に対して透明な層
間絶縁膜の上の欠陥を感度よく検査することができる効
果を奏する。Further, according to the present invention, a defect under or in a transparent interlayer insulating film is inspected with high sensitivity to light formed on the surface of an object to be inspected, such as a semiconductor wafer during manufacturing. The effect that can be achieved. Further, according to the present invention, there is provided an effect that a defect on an interlayer insulating film which is transparent to light formed on a surface of an inspection object such as a semiconductor wafer during manufacturing can be inspected with high sensitivity. Play.
【0052】また、本発明によれば、試料の表面にビー
ム加工等の加工によって、単独の構造体で欠陥を模擬可
能な模擬欠陥を形成することで、形成された模擬欠陥の
位置および個数の制御が可能で、同一の標準試料を複数
作成することが可能となると共に、洗浄も可能であり、
長期間安定した性質を保つ較正用標準試料を得ることが
できる効果を奏する。また、本発明によれば、較正用標
準試料により得られた較正結果により初期感度を保証
し、また任意の時点での較正結果を初期感度と比較、判
断する手段を備えた光学検査装置を提供することによ
り、感度の較正および調整の作業効率を向上させること
ができる効果を奏する。Further, according to the present invention, by forming a simulated defect capable of simulating a defect with a single structure by processing such as beam processing on the surface of the sample, the position and the number of the formed simulated defect can be reduced. It is possible to control, it is possible to prepare a plurality of the same standard sample, it is possible to wash,
This has the effect of obtaining a calibration standard sample that maintains stable properties for a long time. Further, according to the present invention, there is provided an optical inspection apparatus provided with means for guaranteeing initial sensitivity by a calibration result obtained from a calibration standard sample, and comparing and judging a calibration result at any time with the initial sensitivity. By doing so, there is an effect that the working efficiency of sensitivity calibration and adjustment can be improved.
【図1】本発明に係る光学検査装置用の較正用標準試料
を製作するための模擬欠陥の形成手順の一実施例を表す
概略構成図。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of a procedure for forming a simulated defect for producing a calibration standard sample for an optical inspection apparatus according to the present invention.
【図2】模擬欠陥の断面構造を表した説明図。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a cross-sectional structure of a simulated defect.
【図3】FIB(Focused Ion Beam:集束イオンビー
ム)あるいはEB(Elctron Beam:電子ビーム)等荷電
粒子ビームを用いた加工方法を説明する図。FIG. 3 is a diagram illustrating a processing method using a charged particle beam such as a focused ion beam (FIB) or an electron beam (EB).
【図4】レーザ加工による模擬欠陥の加工方法を表す説
明図。FIG. 4 is an explanatory view showing a method of processing a simulated defect by laser processing.
【図5】液体微量供給−レーザ固化加工法による模擬欠
陥の加工方法を表す説明図。FIG. 5 is an explanatory view showing a method of processing a simulated defect by a liquid trace supply-laser solidification processing method.
【図6】SPM(Scanning Probe Microscope:走査型
プローブ顕微鏡)による模擬欠陥の加工方法を表す説明
図。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a method of processing a simulated defect by using a scanning probe microscope (SPM).
【図7】物体から発生する全散乱光を表す説明図。FIG. 7 is an explanatory diagram showing total scattered light generated from an object.
【図8】物体から発生する全散乱光のうち検出光学系で
検出される検出散乱光を表す説明図。FIG. 8 is an explanatory diagram showing detected scattered light detected by a detection optical system out of all scattered light generated from an object.
【図9】物体(模擬欠陥)の投影面積を表す説明図。FIG. 9 is an explanatory diagram showing a projected area of an object (simulated defect).
【図10】物体(模擬欠陥)の投影面積と物体(模擬欠
陥)から発生する全散乱光との関係を示す説明図。FIG. 10 is an explanatory diagram showing a relationship between a projected area of an object (simulated defect) and total scattered light generated from the object (simulated defect).
【図11】物体(模擬欠陥)の投影面積と物体(模擬欠
陥)からの検出散乱光との関係を示す説明図。FIG. 11 is an explanatory diagram showing a relationship between a projected area of an object (simulated defect) and scattered light detected from the object (simulated defect).
【図12】試料表面に形成された模擬欠陥を、半導体装
置の製造工程において形成する膜と同一あるいは光学的
物性が同一の膜で被覆した標準試料の断面を示す説明
図。FIG. 12 is an explanatory view showing a cross section of a standard sample in which a simulated defect formed on the surface of a sample is covered with a film having the same or the same optical properties as a film formed in a semiconductor device manufacturing process.
【図13】試料表面を半導体装置の製造工程において形
成する膜と同一あるいは光学的物性が同一の膜で被覆
し、その上に模擬欠陥を形成した標準試料の断面を示す
説明図。FIG. 13 is an explanatory view showing a cross section of a standard sample in which a sample surface is coated with a film having the same or the same optical physical properties as a film formed in a semiconductor device manufacturing process, and a simulated defect is formed thereon.
【図14】図12および図13で説明した標準試料にお
いて、膜厚が場所によって異なることを特徴とする標準
試料の説明図。FIG. 14 is an explanatory diagram of the standard sample described in FIGS. 12 and 13, wherein the thickness of the standard sample differs depending on the location.
【図15】試料表面に形成された模擬欠陥に隣接して設
けた、半導体装置の回路パターンを模擬する構造を表す
説明図。FIG. 15 is an explanatory diagram showing a structure for simulating a circuit pattern of a semiconductor device provided adjacent to a simulated defect formed on a sample surface.
【図16】光学検査装置の概略構成図。FIG. 16 is a schematic configuration diagram of an optical inspection device.
【図17】光学検査装置の検出視野、照明スポット、検
出器と、検出上に結像される異物等の欠陥の像の関係を
表す説明図。FIG. 17 is an explanatory diagram showing a relationship between a detection field of view, an illumination spot, and a detector of the optical inspection apparatus, and an image of a defect such as a foreign substance formed on detection.
【図18】試料上に平面的に寸法を異ならしめた異物を
置いた状態を示す正面断面図。FIG. 18 is a front sectional view showing a state in which a foreign substance having different dimensions in a plane is placed on a sample.
【図19】標準粒子、個別に高さ方向の寸法を規定して
作成した模擬欠陥、高さ方向の寸法一定で作成した模擬
欠陥との関係を表す説明図。FIG. 19 is an explanatory diagram showing the relationship between a standard particle, a simulated defect created by individually defining a dimension in the height direction, and a simulated defect created with a constant dimension in the height direction.
【図20】本発明に係る較正用標準試料としての半導体
ウエハの回路パターンのない領域に模擬欠陥を形成する
際の位置について説明するための図。FIG. 20 is a view for explaining a position when a simulated defect is formed in a region of a semiconductor wafer as a calibration standard sample according to the present invention where no circuit pattern exists;
【図21】本発明に係る較正用標準試料としての半導体
ウエハのチップ内、回路パターン上に模擬欠陥を形成す
る際の形成位置について説明するための図。FIG. 21 is a view for explaining a formation position when a simulated defect is formed on a circuit pattern in a chip of a semiconductor wafer as a calibration standard sample according to the present invention.
【図22】本発明に係る較正用標準試料としての模擬欠
陥を形成する半導体チップ内の位置を説明する図。FIG. 22 is a diagram illustrating a position in a semiconductor chip where a simulated defect as a calibration standard sample according to the present invention is formed.
【図23】本発明に係る光学検査装置の感度較正が行わ
れる状況、および作業内容の説明図。FIG. 23 is an explanatory diagram of a situation in which sensitivity calibration of the optical inspection device according to the present invention is performed, and an operation content.
【図24】感度較正結果と基準感度較正結果とを比較す
る手段と、装置の調整すべき部分を判断する手段とをも
ち、判断結果を較正結果と並べて表示することが出来る
本発明に係る光学検査装置の構成を表す説明図。FIG. 24 shows an optical system according to the present invention which has means for comparing a sensitivity calibration result with a reference sensitivity calibration result, and means for judging a portion to be adjusted of the apparatus, and which can display the judgment result side by side with the calibration result. Explanatory drawing showing the structure of an inspection device.
【図25】感度較正結果と基準感度較正結果とを比較す
る手段と、装置の調整すべき部分を判断する手段とをも
ち、判断結果を較正結果と並べて表示し、調整が必要と
された場合にはアラームを発生することが出来る本発明
に係る光学検査装置の構成を表す説明図。FIG. 25 includes means for comparing a sensitivity calibration result with a reference sensitivity calibration result, and means for judging a portion to be adjusted of the apparatus, wherein the judgment result is displayed side by side with the calibration result, and adjustment is required. FIG. 1 is an explanatory diagram showing a configuration of an optical inspection device according to the present invention that can generate an alarm.
【図26】感度較正結果と基準感度較正結果とを比較す
る手段と、装置の調整すべき部分を判断する手段とをも
ち、判断の結果から自動的に装置の各構成要素を調整す
ることが出来る本発明に係る光学検査装置の構成を表す
説明図。FIG. 26 shows means for comparing a sensitivity calibration result with a reference sensitivity calibration result, and means for judging a portion of the apparatus to be adjusted, and automatically adjusts each component of the apparatus based on the judgment result. FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating a configuration of an optical inspection apparatus according to the present invention.
100…模擬欠陥の設計データ、101…模擬欠陥の物
性値データ、102…模擬欠陥の形状設計データ、10
3…標準光学検査装置の構成データ、104…加工パラ
メータ、110…欠陥検出シミュレータ、111…模擬
欠陥加工手段、105…形成された模擬欠陥、112…
形状測定手段、113…検出出力測定手段(標準の光学
検査装置)、1…試料、2、3、23…模擬欠陥、30
…ガス供給系、31…ガスの供給源。32、34…バル
ブ、33…ガス流量制御手段、35…ノズル、36…供
給されるガス、301…真空チャンバ、302…真空排
気ポート、303…荷電粒子ビーム源、304…静電レ
ンズ、305…ステージ、306…荷電粒子ビーム、4
03…レーザ源、404…レンズ、406…レーザビー
ム、501…マイクロピペット、502…液体材料50
2、601…SPMプローブ、70…散乱光を発生する
物体、71…物体から発生した全散乱光、72…照明
光、73…照明角度、81…検出光学系、82…検出光
学系開口、83…物体から発生した全散乱光のうち直接
検出光学系に入射する成分、84…物体から発生した全
散乱光のうち、試料表面で反射して検出光学系に入射す
る成分、91…照明光の光軸に垂直な平面、121…模
擬欠陥を被覆する膜、131…試料表面を被覆し、その
上に模擬欠陥が形成される膜、150…半導体装置の回
路パターンを模擬する構造、162…照明光学系、16
4…検出光学系、165…検出器(リニアイメージセン
サ)、171…検出視野、173…試料上におけるリニ
アイメージセンサの画素、192…装置の制御部、19
3…記憶装置(検査結果、較正結果の記憶部)、194
…表示装置(表示部)、166…光学的処理を行うため
の素子、201…比較部分、202…判定部分、203
…表示灯、204…音響発生装置、211…照明光学系
の調整手段、212…ステージ調整手段、213…検出
光学系の調整手段100: Design data of a simulated defect, 101: Physical property value data of a simulated defect, 102: Shape design data of a simulated defect, 10
3 ... Configuration data of the standard optical inspection apparatus, 104 ... Processing parameters, 110 ... Defect detection simulator, 111 ... Simulated defect processing means, 105 ... Simulated defects formed, 112 ...
Shape measuring means, 113 ... Detection output measuring means (standard optical inspection device), 1 ... Sample, 2, 3, 23 ... Simulated defect, 30
... gas supply system, 31 ... gas supply source. 32, 34: valve, 33: gas flow control means, 35: nozzle, 36: supplied gas, 301: vacuum chamber, 302: vacuum exhaust port, 303: charged particle beam source, 304: electrostatic lens, 305: Stage, 306 ... charged particle beam, 4
03 laser source, 404 lens, 406 laser beam, 501 micropipette, 502 liquid material 50
2, 601: SPM probe, 70: object generating scattered light, 71: total scattered light generated from the object, 72: illumination light, 73: illumination angle, 81: detection optical system, 82: detection optical system aperture, 83 ... A component of the total scattered light generated from the object which directly enters the detection optical system, 84 a component of the total scattered light generated from the object which is reflected on the sample surface and enters the detection optical system, 91. A plane perpendicular to the optical axis, 121: a film covering the simulated defect, 131: a film covering the surface of the sample and a simulated defect is formed thereon, 150: a structure simulating a circuit pattern of a semiconductor device, 162: illumination Optical system, 16
4 detection optical system, 165 detector (linear image sensor), 171 detection field of view, 173 pixels of the linear image sensor on the sample, 192 control unit of the device, 19
3. Storage device (storage unit for inspection results and calibration results), 194
... display device (display unit), 166 ... elements for performing optical processing, 201 ... comparison part, 202 ... determination part, 203
... Indicator light, 204... Sound generator, 211... Illumination optical system adjustment means, 212... Stage adjustment means, 213.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 嶋瀬 朗 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 東 淳三 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Akira Shimase 292, Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Inside the Hitachi, Ltd. Production Technology Research Laboratory (72) Inventor Junzo Higashi 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture Address Co., Ltd.Hitachi Manufacturing Technology Laboratory
Claims (18)
明光学系と、該被検査対象物から得られる光学像を検出
する検出光学系と、該検出光学系で検出される光学像を
受光して画像信号に変換する検出器と、該検出器で検出
して変換された画像信号に基づいて前記被検査対象物に
存在する欠陥を検査する欠陥検査手段とを備えた光学検
査装置の較正に使用される較正用標準試料の製造方法に
おいて、 標準粒子の粒子径に対応する模擬欠陥の立体形状設計デ
ータと実測される模擬欠陥の立体形状測定データとの関
係がほぼ一致し、更に前記模擬欠陥の立体形状設計デー
タに基づいてシュミレーションされた模擬欠陥について
の感度の予測データと前記模擬欠陥の立体形状測定デー
タに基づいてシュミレーションされた模擬欠陥について
の感度の予測データとの関係がほぼ一致するように設定
された加工パラメータにより3次元寸法を規定した立体
形状の模擬欠陥を、所定の個数で、試料の表面に配設し
て形成する加工工程と、 該加工工程で形成された模擬欠陥について標準の光学検
査装置によって検査して模擬欠陥の感度を実測する感度
データ実測工程と、 該感度データ実測工程で実測された模擬欠陥の感度デー
タと前記加工工程から得られる模擬欠陥の立体形状設計
データまたは模擬欠陥の立体形状測定データとから、標
準粒子の粒子径に対応する模擬欠陥の立体形状データに
対する保証された感度データを取得する保証データ取得
工程とを有することを特徴とする光学検査装置用の較正
用標準試料の製造方法。An illumination optical system for irradiating illumination light to an inspection object, a detection optical system for detecting an optical image obtained from the inspection object, and an optical image detected by the detection optical system An optical inspection apparatus comprising: a detector that receives light and converts it into an image signal; and a defect inspection unit that inspects a defect present in the inspection object based on the image signal detected and converted by the detector. In the method of manufacturing a calibration standard sample used for calibration, the relationship between the three-dimensional shape design data of the simulated defect corresponding to the particle diameter of the standard particle and the three-dimensional shape measurement data of the actually measured simulated defect substantially matches, The predicted data of the sensitivity of the simulated defect simulated based on the three-dimensional shape design data of the simulated defect and the sensitivity of the simulated defect simulated based on the three-dimensional shape measurement data of the simulated defect. A processing step of arranging a predetermined number of simulated defects in a three-dimensional shape having three-dimensional dimensions defined by processing parameters set so that the relationship with the prediction data is substantially the same as the processing parameters, and forming the simulated defects on the surface of the sample; A sensitivity data measurement step of inspecting the simulated defect formed in the processing step with a standard optical inspection device and actually measuring the sensitivity of the simulated defect; and From the obtained three-dimensional shape design data of the simulated defect or the three-dimensional shape measurement data of the simulated defect, a guaranteed data acquisition step of acquiring guaranteed sensitivity data for the three-dimensional shape data of the simulated defect corresponding to the particle diameter of the standard particle. A method for producing a calibration standard sample for an optical inspection device.
明光学系と、該被検査対象物から得られる光学像を検出
する検出光学系と、該検出光学系で検出される光学像を
受光して画像信号に変換する検出器と、該検出器で検出
して変換された画像信号に基づいて前記被検査対象物に
存在する欠陥を検査する欠陥検査手段とを備えた光学検
査装置の較正に使用される較正用標準試料の製造方法に
おいて、 標準粒子の粒子径に対応する模擬欠陥の立体形状設計デ
ータと実測される模擬欠陥の立体形状測定データとの関
係がほぼ一致し、更に前記模擬欠陥の立体形状設計デー
タに基づいてシュミレーションされた模擬欠陥について
の感度の予測データと前記模擬欠陥の立体形状測定デー
タに基づいてシュミレーションされた模擬欠陥について
の感度の予測データとの関係がほぼ一致するように設定
された加工パラメータにより3次元寸法を規定した立体
形状の模擬欠陥を、所定の個数で、試料の表面に配設し
て形成する加工工程と、 該加工工程でシュミレーションされた模擬欠陥の感度の
予測データと前記加工工程から得られる模擬欠陥の立体
形状設計データまたは模擬欠陥の立体形状測定データと
から、標準粒子の粒子径に対応する模擬欠陥の立体形状
データに対する保証された感度データを取得する保証デ
ータ取得工程とを有することを特徴とする光学検査装置
用の較正用標準試料の製造方法。2. An illumination optical system for irradiating an inspection object with illumination light, a detection optical system for detecting an optical image obtained from the inspection object, and an optical image detected by the detection optical system. An optical inspection apparatus comprising: a detector that receives light and converts it into an image signal; and a defect inspection unit that inspects a defect present in the inspection object based on the image signal detected and converted by the detector. In the method of manufacturing a calibration standard sample used for calibration, the relationship between the three-dimensional shape design data of the simulated defect corresponding to the particle diameter of the standard particle and the three-dimensional shape measurement data of the actually measured simulated defect substantially matches, The predicted data of the sensitivity of the simulated defect simulated based on the three-dimensional shape design data of the simulated defect and the sensitivity of the simulated defect simulated based on the three-dimensional shape measurement data of the simulated defect. A processing step of arranging a predetermined number of simulated defects in a three-dimensional shape having three-dimensional dimensions defined by processing parameters set so that the relationship with the prediction data is substantially the same as the processing parameters, and forming the simulated defects on the surface of the sample; From the predicted data of the sensitivity of the simulated defect simulated in the processing step and the three-dimensional shape design data of the simulated defect obtained from the processing step or the three-dimensional shape measurement data of the simulated defect, the three-dimensional shape of the simulated defect corresponding to the particle diameter of the standard particle A guaranteed data acquisition step of acquiring guaranteed sensitivity data for the shape data. A method of manufacturing a calibration standard sample for an optical inspection apparatus.
明光学系と、該被検査対象物から得られる光学像を検出
する検出光学系と、該検出光学系で検出される光学像を
受光して画像信号に変換する検出器と、該検出器で検出
して変換された画像信号に基づいて前記被検査対象物に
存在する欠陥を検査する欠陥検査手段とを備えた光学検
査装置の較正に使用される較正用標準試料として、被検
査対象物に存在する欠陥を模擬できるように3次元寸法
を規定した立体形状の模擬欠陥を、所定の個数で、試料
の表面に配設して形成したことを特徴とする光学検査装
置用の較正用標準試料。3. An illumination optical system for irradiating illumination light to the inspection object, a detection optical system for detecting an optical image obtained from the inspection object, and an optical image detected by the detection optical system. An optical inspection apparatus comprising: a detector that receives light and converts it into an image signal; and a defect inspection unit that inspects a defect present in the inspection object based on the image signal detected and converted by the detector. As a calibration standard sample used for the calibration of the above, a predetermined number of three-dimensional simulated defects having three-dimensional dimensions so as to simulate a defect existing in the inspection object are arranged on the surface of the sample. A calibration standard sample for an optical inspection device, characterized by being formed by:
明光学系と、該被検査対象物から得られる光学像を検出
する検出光学系と、該検出光学系で検出される光学像を
受光して画像信号に変換する検出器と、該検出器で検出
して変換された画像信号に基づいて前記被検査対象物に
存在する欠陥を検査する欠陥検査手段とを備えた光学検
査装置の較正に使用される較正用標準試料として、被検
査対象物に存在する欠陥を標準粒子の異なる粒子径に対
応させて模擬できるように3次元寸法を異ならしめた複
数種類の立体形状の模擬欠陥を、所定の個数で、試料の
表面に配設して形成したことを特徴とする光学検査装置
用の較正用標準試料。4. An illumination optical system for irradiating an inspection object with illumination light, a detection optical system for detecting an optical image obtained from the inspection object, and an optical image detected by the detection optical system. An optical inspection apparatus comprising: a detector that receives light and converts it into an image signal; and a defect inspection unit that inspects a defect present in the inspection object based on the image signal detected and converted by the detector. As a calibration standard sample used for the calibration of a plurality of types of three-dimensional simulated defects with different three-dimensional dimensions so that defects existing in the inspection object can be simulated corresponding to different particle diameters of the standard particles. A calibration standard sample for an optical inspection apparatus, wherein a predetermined number of the standard samples are arranged on the surface of the sample.
を有する被検査対象物に対して照明光を照射する照明光
学系と、該被検査対象物から得られる光学像を検出する
検出光学系と、該検出光学系で検出される光学像を受光
して画像信号に変換する検出器と、該検出器で検出して
変換された画像信号に基づいて前記被検査対象物に存在
する欠陥を検査する欠陥検査手段とを備えた光学検査装
置の較正に使用される較正用標準試料として、被検査対
象物に存在する欠陥を模擬できるように3次元寸法を規
定した立体形状の模擬欠陥を、所望の膜厚を有し、且つ
光に対して透明な膜上に、所定の個数で、配設して形成
することを特徴とする光学検査装置用の較正用標準試
料。5. An illumination optical system for irradiating illumination light on an object to be inspected having a light-transmissive film having a desired film thickness on a surface, and an optical image obtained from the object to be inspected. A detection optical system for detecting, a detector for receiving an optical image detected by the detection optical system and converting the optical image into an image signal, and the inspection object based on the image signal detected and converted by the detector. A three-dimensional shape having three-dimensional dimensions defined as a calibration standard sample used for calibrating an optical inspection apparatus having a defect inspection means for inspecting a defect existing in an object to be inspected. A calibration standard sample for an optical inspection device, wherein a predetermined number of the simulated defects are arranged and formed on a film having a desired film thickness and transparent to light.
を有する被検査対象物に対して照明光を照射する照明光
学系と、該被検査対象物から得られる光学像を検出する
検出光学系と、該検出光学系で検出される光学像を受光
して画像信号に変換する検出器と、該検出器で検出して
変換された画像信号に基づいて前記被検査対象物に存在
する欠陥を検査する欠陥検査手段とを備えた光学検査装
置の較正に使用される較正用標準試料として、被検査対
象物に存在する欠陥を模擬できるように3次元寸法を規
定した立体形状の模擬欠陥を、所定の個数で、試料の表
面に配設して形成し、該模擬欠陥を、所望の膜厚を有
し、且つ光に対して透明な膜で被覆することを特徴とす
る光学検査装置用の較正用標準試料。6. An illumination optical system for irradiating illumination light to an object to be inspected having a film having a desired thickness and transparent to light, and an optical image obtained from the object to be inspected. A detection optical system for detecting, a detector for receiving an optical image detected by the detection optical system and converting the optical image into an image signal, and the inspection object based on the image signal detected and converted by the detector. A three-dimensional shape having three-dimensional dimensions defined as a calibration standard sample used for calibrating an optical inspection apparatus having a defect inspection means for inspecting a defect existing in an object to be inspected. A predetermined number of simulated defects are arranged on the surface of the sample and formed, and the simulated defects are coated with a film having a desired film thickness and being transparent to light. Calibration standard for optical inspection equipment.
た複数種類で形成することを特徴とする請求項5または
6記載の光学検査装置用の較正用標準試料。7. The calibration standard sample for an optical inspection apparatus according to claim 5, wherein the dummy defects are formed by a plurality of types having different three-dimensional dimensions.
透明な膜の膜厚を変えることを特徴とする請求項5また
は6記載の光学検査装置用の較正用標準試料。8. The calibration standard sample for an optical inspection apparatus according to claim 5, wherein the thickness of the transparent film is changed for each region where the dummy defect is provided.
光学検査装置の較正用標準試料において、被検査対象物
と同じような回路パターンを形成することを特徴とする
光学検査装置用の較正用標準試料。9. A calibration for an optical inspection apparatus according to claim 3, wherein the calibration standard sample for the optical inspection apparatus forms a circuit pattern similar to that of an object to be inspected. Standard sample.
加工、またはガスアシスト荷電粒子ビームエッチング加
工、またはエネルギービームCVD加工、または微量液
体供給−レーザ固化加工により形成したことを特徴とす
る請求項3または4または5または6記載の光学検査装
置用の較正用標準試料。10. The simulated defect is formed by energy beam removal processing, gas-assisted charged particle beam etching processing, energy beam CVD processing, or microfluid supply-laser solidification processing. 7. A calibration standard sample for an optical inspection device according to 4 or 5 or 6.
を用いて形成したことを特徴とする請求項3または4ま
たは5または6記載の光学検査装置用の較正用標準試
料。11. The calibration standard sample for an optical inspection apparatus according to claim 3, wherein the simulated defect is formed by using a scanning probe microscope.
の光学検査装置用の較正用標準試料において、標準粒子
の粒子径に対応する模擬欠陥の保証された立体形状デー
タと該模擬欠陥の保証された感度データとを付属させる
ことを特徴とする光学検査装置用の較正用標準試料。12. The three-dimensional shape data of the simulated defect corresponding to the particle diameter of the standard particle and the proof of the simulated defect in the calibration standard sample for an optical inspection apparatus according to claim 3 or 4 or 5 or 6. A calibration standard sample for an optical inspection device, wherein the calibration standard sample is attached with the obtained sensitivity data.
照明光学系と、該被検査対象物から得られる光学像を検
出する検出光学系と、該検出光学系で検出される光学像
を受光して画像信号に変換する検出器と、該検出器で検
出して変換された画像信号に基づいて前記被検査対象物
に存在する欠陥を検査する欠陥検査手段とを備えた光学
検査装置において、被検査対象物に存在する欠陥を模擬
できるように3次元寸法を規定した単独立体形状の模擬
欠陥を、所定の個数で、試料の表面に配設して形成した
較正用標準試料を用いて、前記被検査対象物に存在する
欠陥を検査する感度を較正することを特徴とする光学検
査装置における感度較正方法。13. An illumination optical system for irradiating illumination light to an inspection object, a detection optical system for detecting an optical image obtained from the inspection object, and an optical image detected by the detection optical system. An optical inspection apparatus comprising: a detector that receives light and converts it into an image signal; and a defect inspection unit that inspects a defect present in the inspection object based on the image signal detected and converted by the detector. In the method, a predetermined number of simulated defects having a single three-dimensional shape having three-dimensional dimensions so as to simulate a defect existing in the inspection object is provided on a surface of the sample using a calibration standard sample. A sensitivity calibration method for inspecting a defect existing in the inspection target object.
照明光学系と、該被検査対象物から得られる光学像を検
出する検出光学系と、該検出光学系で検出される光学像
を受光して画像信号に変換する検出器と、該検出器で検
出して変換された画像信号に基づいて前記被検査対象物
に存在する欠陥を検査する欠陥検査手段とを備えた光学
検査装置において、被検査対象物に存在する欠陥を標準
粒子の異なる粒子径に対応させて模擬できるように3次
元寸法を異ならしめた複数種類の単独立体形状の模擬欠
陥を、所定の個数で、試料の表面に配設して形成した較
正用標準試料を用いて、前記被検査対象物に存在する欠
陥を検査する感度を較正することを特徴とする光学検査
装置における感度較正方法。14. An illumination optical system for irradiating an inspection object with illumination light, a detection optical system for detecting an optical image obtained from the inspection object, and an optical image detected by the detection optical system. An optical inspection apparatus comprising: a detector that receives light and converts it into an image signal; and a defect inspection unit that inspects a defect existing in the inspection object based on the image signal detected and converted by the detector. In, a predetermined number of simulated defects of a plurality of types of single solid shapes having different three-dimensional dimensions so that defects existing in the inspection object can be simulated corresponding to different particle diameters of standard particles, and A sensitivity calibration method for an optical inspection apparatus, comprising: calibrating a sensitivity for inspecting a defect existing in an inspection object using a calibration standard sample formed on a surface.
膜を有する被検査対象物に対して照明光を照射する照明
光学系と、該被検査対象物から得られる光学像を検出す
る検出光学系と、該検出光学系で検出される光学像を受
光して画像信号に変換する検出器と、該検出器で検出し
て変換された画像信号に基づいて前記被検査対象物の表
面に存在する欠陥を検査する欠陥検査手段とを備えた光
学検査装置において、被検査対象物の表面に存在する欠
陥を模擬できるように3次元寸法を規定した立体形状の
模擬欠陥を、所望の膜厚を有し、且つ光に対して透明な
膜上に、所定の個数で、配設して形成した較正用標準試
料を用いて、被検査対象物の表面膜の上または内に存在
する欠陥を検査する感度を較正することを特徴とする光
学検査装置における感度較正方法。15. An illumination optical system for irradiating illumination light to an object to be inspected having a film having a desired thickness and transparent to light, and an optical image obtained from the object to be inspected. A detection optical system for detecting, a detector for receiving an optical image detected by the detection optical system and converting the optical image into an image signal, and the inspection object based on the image signal detected and converted by the detector. A defect inspection means for inspecting a defect existing on the surface of the object, wherein a three-dimensional simulated defect having a three-dimensional dimension defined so as to simulate the defect existing on the surface of the inspection object is desired. A predetermined number of calibration standard samples arranged and formed on a film that is transparent to light with a film thickness of and exists on or in the surface film of the inspection object. Optical inspection equipment characterized by calibrating the sensitivity of inspecting defective defects Sensitivity calibration method.
膜を有する被検査対象物に対して照明光を照射する照明
光学系と、該被検査対象物から得られる光学像を検出す
る検出光学系と、該検出光学系で検出される光学像を受
光して画像信号に変換する検出器と、該検出器で検出し
て変換された画像信号に基づいて前記被検査対象物に存
在する欠陥を検査する欠陥検査手段とを備えた光学検査
装置において、被検査対象物に存在する欠陥を模擬でき
るように3次元寸法を規定した立体形状の模擬欠陥を、
所定の個数で、試料の表面に配設して形成し、該模擬欠
陥を、所望の膜厚を有し、且つ光に対して透明な膜で被
覆した較正用標準試料を用いて、被検査対象物の表面膜
の下または内に存在する欠陥を検査する感度を較正する
ことを特徴とする光学検査装置における感度較正方法。16. An illumination optical system for irradiating illumination light to an object to be inspected having a film having a desired thickness and transparent to light, and an optical image obtained from the object to be inspected. A detection optical system for detecting, a detector for receiving an optical image detected by the detection optical system and converting the optical image into an image signal, and the inspection object based on the image signal detected and converted by the detector. And a defect inspection means for inspecting a defect existing in the optical inspection device, a simulated defect having a three-dimensional shape in which three-dimensional dimensions are defined so as to simulate a defect existing in the inspection object,
A predetermined number of test samples are formed on the surface of the sample, and the simulated defects are inspected using a calibration standard sample having a desired film thickness and covered with a film transparent to light. A sensitivity calibration method for an optical inspection apparatus, comprising: calibrating a sensitivity for inspecting a defect existing under or in a surface film of an object.
16記載の光学検査装置における感度較正方法におい
て、感度を較正した結果を表示手段に表示することを特
徴とする光学検査装置における感度較正方法。17. A sensitivity calibration method in an optical inspection apparatus according to claim 13, wherein the result of the sensitivity calibration is displayed on a display means.
16記載の光学検査装置における感度較正方法におい
て、感度を較正した結果とその基準となる感度データと
を併せて表示手段に表示することを特徴とする光学検査
装置における感度較正方法。18. A sensitivity calibration method for an optical inspection device according to claim 13, wherein the result of the sensitivity calibration and sensitivity data serving as a reference are displayed on a display means. Sensitivity calibration method in an optical inspection device to perform.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05544098A JP4150440B2 (en) | 1997-03-24 | 1998-03-06 | Calibration standard sample for optical inspection apparatus and sensitivity calibration method of optical inspection apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6936097 | 1997-03-24 | ||
| JP9-69360 | 1997-03-24 | ||
| JP05544098A JP4150440B2 (en) | 1997-03-24 | 1998-03-06 | Calibration standard sample for optical inspection apparatus and sensitivity calibration method of optical inspection apparatus using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10325807A true JPH10325807A (en) | 1998-12-08 |
| JP4150440B2 JP4150440B2 (en) | 2008-09-17 |
Family
ID=26396328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05544098A Expired - Fee Related JP4150440B2 (en) | 1997-03-24 | 1998-03-06 | Calibration standard sample for optical inspection apparatus and sensitivity calibration method of optical inspection apparatus using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4150440B2 (en) |
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| JP4150440B2 (en) | 2008-09-17 |
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Legal Events
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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