JPH10325818A - Tmbガス検知器 - Google Patents

Tmbガス検知器

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JPH10325818A
JPH10325818A JP13512997A JP13512997A JPH10325818A JP H10325818 A JPH10325818 A JP H10325818A JP 13512997 A JP13512997 A JP 13512997A JP 13512997 A JP13512997 A JP 13512997A JP H10325818 A JPH10325818 A JP H10325818A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
detector
tmb
output
alcohol
Prior art date
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Pending
Application number
JP13512997A
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English (en)
Inventor
Shinya Hashimoto
真也 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Yamagata Ltd
Original Assignee
NEC Yamagata Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】アルコール蒸気が存在する場合でも、アルコー
ルによる誤動作を防止しTMBガスと感応するTMBガ
ス検知器を提供する。 【解決手段】水晶振動子検知器(第1ガス検知器1)か
ら出力されるガス検知出力1A及び金属酸化膜半導体検
知器(第2ガス検知器2)から出力されるガス検知出力
2Bは、減算器3において偏差出力3Cを得る。出力3
Cは(1A−2B)によって得られ、アルコールの干渉
を自動的に補正する。さらに、出力3Cは増幅器4によ
り増幅出力4Dを得、所定濃度に達した時点で警報機5
が警報を発する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造工程で
使用するトリメチルボレート(以下TMBと略称する)
ガスの、大気中への漏洩を検知するTMBガス検知器に
関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体素子形成に使用されるTM
Bガスは、B(OCH3)3の構造を有している。この
ガスは、許容濃度の設定基準はないが、毒性が強いため
大気中の濃度を2ppm以下に設定している。一方、半
導体製造用クリーンルーム内では、設備や床清掃用ある
いは治工具の洗浄用に、オゾン層破壊物質であるフロン
や引火点の低いメチルエチルケトンに代わって、エチル
アルコール、イソプロピルアルコール等のアルコール類
を使用している。
【0003】この従来の定電位電解式によるTMBガス
検知器は、金属酸化膜半導体を使用し、TMBガスの加
水分解生成物であるアルコール蒸気を検出する方式であ
るため、同じOH基を持つエチルアルコール蒸気が存在
すると干渉を生じ、正確なTMBガス濃度を検知でき
ず、漏洩検知ができなかった。
【0004】さらに、2ppm濃度のTMBガスに感応
する金属酸化膜半導体を用いた検知素子が得られていな
いこと、また、TMBガスを800℃以上で熱分解し、
B2O3を微粒子化させて煙感知器にて検知するセンサ
ーもあるが、感度が悪くTMBガスの許容濃度である2
ppmを検知できないこと、等の理由により正確な漏洩
検知ができなかった。
【0005】これに対し、2種類のセンサーを用いたガ
ス漏れ警報装置が提案されている。例えば、特開昭57
−52850号公報に示すように、加熱された状態で可
燃性ガスが接触することで抵抗値が変化する金属酸化膜
半導体よりなるガス検知素子を使用し、この検知素子の
抵抗値があらかじめ設定された値になってガス検知出力
が得られたとき、警報手段を動作させるようになってい
る。
【0006】すなわち、図3の回路図に示すように、ガ
ス検知特性の異なる主ガス検知素子1aと副ガス検知素
子1bを同一の場所に配置し、メタン、ブタンのような
可燃性ガスに感応する主ガス検知素子1aの抵抗変化に
基づく電圧を入力する第1の比較回路であるガス検知回
路3aから検知出力が得られ、かつアルコールに感応す
る副ガス検知素子1bの抵抗変化に基づく電圧を入力す
る第2の比較回路であるガス検知回路3bから検知出力
が得られていないときのみ、警報手段10を動作させる
ゲート回路6を設けたガス漏れ警報装置がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のTMB
ガス検知器は、TMBガスの大気中濃度2ppmに感応
する金属酸化膜半導体のガス検知素子が得られていない
ため、大気中のアルコールに感応して誤動作を生ずる。
その理由は、TMBガスが水分の存在の元に、B(OC
H3)3→3CH3OH+H3BO4なる加水分解反応
によりメチルアルコールを生成し、金属酸化膜半導体の
ガス検知素子と感応して干渉を生じ、TMBガスの許容
濃度である2ppmの検知ができないからである。
【0008】本発明の目的は、アルコール蒸気が存在す
る場合でもアルコールによる誤動作を防止し、TMBガ
スと感応するTMBガス検知器を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、検出対象ガス
であるTMBガスに対して高感度な匂いセンサーを第1
のガス検出部とし、前記TMBガスに対しては低感度で
かつアルコールに対しては高感度の金属酸化膜半導体を
第2のガス検出部とし、前記第1の検出部からのガス検
知出力から、前記第2の検出部からのガス検知出力を減
算することにより、TMBガスの漏洩を検知することを
特徴とするTMBガス検知器である。
【0010】
【発明の実施の形態】本発明は、従来から用いられてい
る定電位電解式検知器と本発明にかかる匂いセンサーと
が、それぞれ検知するガスの種類に応じたガス種固有の
電気信号を発生することに着目し、アルコール蒸気の検
知を定電位電解式検知器で行い、TMBガスの検知を匂
いセンサーで行うようにしたもので、二つの検知器から
得られる電気信号の差を自動的に演算し、アルコールの
干渉を除去する機能を具備した指示警報部を有してい
る。特に、TMBガスのような毒性の高いガスは特有の
強い臭気があり、匂いセンサーでの検知が可能である。
【0011】次に、本発明の実施の形態について、図面
を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の実施の形
態を示すブロック図である。図1を参照すると、本発明
のTMBガス検知器は、大気中のTMBガスに対し高感
度な第1ガス検知器1(水晶振動子検知器)と、アルコ
ール蒸気に対し高感度な第2ガス検知器2(金属酸化膜
半導体検知器)と、減算器3と、増幅器4と、警報機5
とで構成されている。
【0012】水晶振動子検知器1は、検出対象ガスであ
るTMBガスに対し高感度で匂い(有機系成分のガス)
に感応するガス感応膜を被覆したセンサーであり、ガス
の吸収量(濃度)に応じて変化する周波数を検知する構
造である。なお、匂いセンサーの感応膜である脂質膜が
アルコール蒸気により溶解するのを防ぐために、検知部
前段に活性炭フィルターを設置しても良い。
【0013】次に、本発明の実施の形態の動作について
説明する。図1において、第1ガス検知器1(水晶振動
子検知器)から出力されるガス検知出力1A、及び第2
ガス検知器2(金属酸化膜半導体検知器)から出力され
るガス検知出力2Bは、減算器3において出力3Cの偏
差値を得る。出力3Cは(1A−2B)によって自動的
に得られ、アルコールの干渉を自動的に補正する。さら
に、出力3Cは増幅器4により増幅されて出力4Dとな
り、所定濃度以上に達した時点で警報手段5が発せられ
る。
【0014】図2は、匂いセンサーからの出力値AとT
MBガス濃度との関係、及び金属酸化膜半導体素子から
の出力値BとTMBガス濃度との関係を示す図である。
図からわかるように、本発明のTMBガス検知器は、T
MBガスに対しては高感度で、かつアルコール蒸気に対
しては低感度な匂いセンサーと、TMBガスに対しては
感度が低いがアルコールに対しては高感度な金属酸化膜
半導体素子とを有している。
【0015】本発明によれば、アルコール蒸気及びTM
Bガスの濃度に比例した電気信号の差からTMBガス濃
度を検知するので、アルコール蒸気とTMBガスとをそ
れぞれ区分して検知でき、従って、TMBガスの許容濃
度である2ppmを検知できる。
【0016】
【発明の効果】本発明は、アルコール蒸気が存在してい
てもTMBガスを検知できる。これにより、アルコール
蒸気の存在による誤動作を防止できる。その理由は、ア
ルコールによる出力信号を減算しており、さらに水晶振
動子検知器は、金属酸化膜半導体検知器よりTMBガス
に対して高感度であるからである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のTMBガス検知器の一実施の形態を示
すブロック図である。
【図2】本発明に用いる匂いセンサー及び金属酸化膜半
導体素子の出力値と、TMBガス濃度との関係を示す図
である。
【図3】従来のガス漏れ警報装置の一例を示すブロック
回路図である。
【符号の説明】
1 第1ガス検知器(水晶振動子検知器) 2 第2ガス検知器(金属酸化膜半導体検知器) 3 減算器 4 増幅器 5 警報機 1A 第1ガス検知器からの出力 2B 第2ガス検知器からの出力 3C 減算器からの出力 4D 増幅器からの出力 1a 主ガス検知素子 1b 副ガス検知素子 2a、2b 定電流回路 3a、3b、3c ガス検出回路 4a、4b、4c 基準電圧発生回路 6 ゲート回路 7 インバーター回路 8 アンド回路 9 オア回路 10 警報手段

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 検出対象ガスであるTMBガスに対して
    高感度な匂いセンサーを第1のガス検出部とし、前記T
    MBガスに対しては低感度でかつアルコールに対しては
    高感度のガス検知部を第2のガス検出部とし、前記第1
    の検出部からのガス検知出力から、前記第2の検出部か
    らのガス検知出力を減算することにより、TMBガスの
    漏洩を検知することを特徴とするTMBガス検知器。
  2. 【請求項2】 前記第1のガス検出部が、有機系成分ガ
    スに感応するガス感応膜を被覆した水晶振動子発振回路
    を有する匂いセンサーであることを特徴とする請求項1
    記載のTMBガス検知器。
  3. 【請求項3】 前記第2のガス検出部が、金属酸化膜半
    導体の抵抗変化に基づく電圧を出力するガス検知素子で
    あることを特徴とする請求項1記載のTMBガス検知
    器。
JP13512997A 1997-05-26 1997-05-26 Tmbガス検知器 Pending JPH10325818A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003004617A (ja) * 2001-06-19 2003-01-08 Mitsubishi Electric Corp 臭気管理装置および臭気管理方法
JP2003065926A (ja) * 2001-08-27 2003-03-05 Mitsubishi Electric Corp 検知装置および検知方法
KR101355371B1 (ko) * 2012-05-29 2014-01-27 포항공과대학교 산학협력단 전기적 특성과 질량변화를 동시에 측정하는 수정 진동자 미세 저울 센서
JP2020154415A (ja) * 2019-03-18 2020-09-24 株式会社東芝 火災報知システム

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KR101355371B1 (ko) * 2012-05-29 2014-01-27 포항공과대학교 산학협력단 전기적 특성과 질량변화를 동시에 측정하는 수정 진동자 미세 저울 센서
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Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19990323