JPH10326408A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 常温〜高温の広い温度範囲にわたって安定し
た潤滑性を有し、製造コストが安価な潤滑膜及び該潤滑
膜を有する薄膜型磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 少なくともカーボンを含む保護膜を設け
た薄膜型磁気記録媒体において、その保護膜上に汎用性
溶媒に可溶で分子末端に少なくともアミノ基[-NH₂]或い
はN,N-ジメチルアミノ基[-N(CH₃)₂]を有するアルキルア
ミン系潤滑剤と、汎用性溶媒に可溶であり常温で液体で
ある潤滑剤から成る２成分の潤滑剤を設ける事によりコ
ストダウンを図ると同時に広い温度範囲で潤滑性を高め
る事が可能である

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は広い温度範囲にわた
って優れた耐久性を示す薄膜型磁気記録媒体及びその製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータ用の外部記憶装置としてハ
ードディスクが一般に広く使用されている。最近のハー
ドディスクはその記憶容量がますます増大し、ギガレベ
ルのものも実用化されている。

【０００３】従来のハードディスクはガラス又はＮｉＰ
／Ａｌなどの硬質非磁性基体に磁性層を設けたタイプの
ものであった。しかし、ガラスやＮｉＰ／Ａｌなどの硬
質非磁性基体は比較的高価であり、ディスクコストの約
４割がこの硬質非磁性基体で占められてきた。

【０００４】また、ノート型などの携帯用パソコンの普
及につれて、従来の硬質非磁性基体を用いたハードディ
スクでは、パソコン本体内に収容しきれないとか、収容
できたとしても記憶容量が低すぎて実用にならないなど
の問題点が指摘されている。このため、ノート型パソコ
ンの価格競争の点からも、内蔵型ハードディスクの記憶
容量の増大とコスト低減が強く求められている。

【０００５】このような要求を満たすために、最近、従
来の硬質非磁性基体の代わりに、プラスチック製非磁性
基体（例えば、アモルファスポリオレフィン，ＡＰＯ）
に使用が試みられている。プラスチック製非磁性基体を
使用するとディスクコストを大幅に低下させることがで
きるばかりか、記憶容量も飛躍的に増大させることがで
きる。例えば、３．５インチサイズで両面記憶にする
と、約３〜５ギガ程度の記憶容量を達成することができ
る。

【０００６】プラスチック製非磁性基体を用いた記録媒
体において、ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＰ
ｔＴａ，ＣｏＣｒＮｉＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ_x，
ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＣ_xなどのCoを主成分とした面内薄
膜型磁気記録媒体材料は高記録密度記録特性に優れ、今
後のハードディスク用媒体として極めて重要な材料であ
る。

【０００７】近年の薄膜型磁気記録媒体ではさらなる高
記録密度を実現するために記録再生時のヘッド浮上高さ
は５０ｎｍ前後に設計されており、媒体と磁気ヘッドス
ライダ間のトライボロジ的役割は極めて重要となってい
る。

【０００８】面内薄膜型磁気記録媒体では磁気記録を担
う磁性層が金属薄膜であるため耐久性が劣っている。従
ってヘッド浮上高さ５０ｎｍ前後で充分にその信頼性を
高める保護潤滑膜の設計は磁性材料の研究開発と同様以
上に重要な課題である。さらに現在多量に使用されてい
る携帯用ノート型パソコンでは使用温湿度環境が従来の
固定型デスクトップパソコンに比べて広くなっている。
従って今後のハードディスクには広範な温湿度範囲で安
定した耐久性を有する新たな保護潤滑膜の設計が必要と
なってきている。

【０００９】従来のＣｏ系磁性層の上面には膜厚が５０
〜８００Å、好ましくは１００〜４００Åの範囲内のカ
ーボン保護膜が設けられていた。カーボン保護膜は例え
ば、スパッタカーボン、プラズマCVDカーボン、ダイヤ
モンドライクカーボン、水素含有カーボン、窒素含有カ
ーボン又はシリコン含有カーボン等から形成されてい
る。カーボン保護膜はＣｏ系磁性層を保護すると共に、
磁気ヘッドの摺動性を高める効果がある。しかし、カー
ボン保護膜だけでは実用耐久性に劣ることが知られてい
る。このため、カーボン保護膜の上面に液体潤滑剤を塗
布してカーボン保護膜の耐久性を改善することが試みら
れている。

【００１０】これまでカーボン保護膜を有する薄膜型磁
気記録媒体の耐久性を改善するために検討された液体潤
滑剤としてはモンテカチーニ社製のFomblin-Z-AM2001
（両末端：ピペロニル基）、同-DOL（両末端：水酸
基）、同-DEAL（両末端官能基：エステル基）、同-DIAC
（両末端：カルボキシル基）、或いはダイキン工業製の
Demnum-SA（片末端：水酸基）、同-SH（片末端：カルボ
キシル基）、同-SP、同-SY、或いはデュポン社製のKryt
ox等のパーフルオロポリエーテル系潤滑剤や脂肪族炭化
水素系、フッ素置換アルキル系、燐酸エステル系潤滑剤
等が知られている。

【００１１】潤滑剤の重要な役割は保護膜表面に強固に
吸着して磁気ヘッドスライダが保護膜と直接接触するの
を防止する事、さらに媒体上を摺動する磁気ヘッドスラ
イダの接線力を著しく低減させる事である。これらの役
割を実現する為には先ず潤滑剤分子がカーボン保護膜表
面に化学吸着する事が必要であり、さらに潤滑剤分子そ
のものが潤滑膜として接線力を充分に低減できる構造を
有している必要がある。

【００１２】保護膜として用いられているカーボン膜表
面にはアルコール、カルボニル基、エーテル、エステル
及びカルボキシル基等の官能基が僅かに存在している事
が知られている。従って吸着に関してはパーフルオロポ
リエーテル系潤滑剤分子は上記した分子端部の官能基が
カーボン保護膜表面に存在する官能基と相互作用してそ
の表面に吸着する事が可能である。その吸着状態につい
ては殆ど知られていないのが現状であるが、恐らく水素
結合を介した弱い吸着であり、その吸着力は物理吸着と
化学吸着との中間的な大きさであると思われる。従っ
て、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤はカーボン保護
膜表面上に吸着はできるが、その吸着は強固な化学吸着
ではない。

【００１３】またパーフルオロポリエーテル系潤滑剤に
は溶媒として極めて高価なパーフルオロアルキルが必要
であり媒体コストを上昇させる大きな要因になってい
る。

【００１４】さらにパーフルオロポリエーテル系潤滑剤
は常温で液体である。そのため高記録密度記録達成のた
めますます平滑化が進んでいる媒体表面上にその平均表
面粗さ以上の厚さのパーフルオロポリエーテル系液体潤
滑剤が存在するとコンタクト／スタート／ストップ時に
ヘッド／媒体界面でスティクション（貼付き）を起こす
問題がある。

【００１５】しかし潤滑剤分子としては分子中に多くの
フッ素原子を有しているため表面エネルギーを大きく低
下させ、磁気ヘッドの摺同時にその接線力を減少させる
作用がある。

【００１６】前述したようにパーフルオロポリエーテル
系潤滑剤は使用時の希釈溶媒に極めて高価な溶媒が必要
であるため製造コストを上昇させる一因になっている。
またカーボン保護膜表面への吸着力は前述した様に大き
いものではない。

【００１７】一方、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤
に対し、安価な汎用性溶媒が使用できる脂肪族炭化水素
系、フッ素置換アルキル系、燐酸エステル系潤滑剤等は
コストダウンに対して大きな魅力がある。潤滑剤に望ま
れる性質は先に述べた様に保護膜表面に強固に吸着して
磁気ヘッドスライダが保護膜表面と直接接触するのを防
止する事、さらに媒体上を摺動する磁気ヘッドスライダ
の接線力を著しく減少させる事である。これらの非パー
フルオロポリエーテル系潤滑剤では分子端部の官能基の
選択余地が広く、例えば脂肪族アミン（末端官能基：ア
ミノ基）はカーボン保護膜表面に存在するカルボキシル
基との酸塩基反応によってカーボン保護膜表面に強固に
化学吸着する事ができる（パーフルオロポリエーテル系
液体潤滑剤の分子端部にアミノ基を導入する事は極めて
困難であり、かつその精製ができない）。脂肪族アミン
はそのアルキル鎖をほぼカーボン保護膜表面に対して垂
直配向させて化学吸着している。従って例えばステアリ
ルアミンは単分子膜に近い状態でカーボン保護膜表面に
存在しており、垂直配向した炭化水素鎖上を摺動する磁
気ヘッドスライダの接線力を著しく減少させる事でき
る。

【００１８】しかし良く知られている様に炭化水素系潤
滑剤分子はその融点近傍で潤滑作用を失う問題がある。
これは炭化水素鎖の横方向の凝集力が境界潤滑膜として
極めて重要な事を示している。温度が上昇して融点近傍
で融解が起こると炭化水素鎖膜の破断が生じ、磁気ヘッ
ドスライダが潤滑膜を貫いて保護膜と直接接触を生じて
ヘッドクラッシュが生じる。

【００１９】ハードディスクドライブユニットでは稼動
時に温度が５０℃前後に高まる。従って炭化水素系潤滑
剤は融点未満の温度（常温付近）では境界潤滑特性を発
揮し、さらに安価な溶媒が使用できるメリットが有る
が、高温で安定した潤滑性を有する潤滑膜の設計に際し
て問題がある。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、高温でも安定した潤滑性を有する潤滑膜及び該潤滑
膜を有する薄膜型磁気記録媒体を提供することである。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記した様にパーフルオ
ロポリエーテル系潤滑剤は磁気ヘッド摺動時の接線力を
低下させる事ができるものの、カーボン保護膜上に強固
に吸着する事ができず、溶媒に高価なパーフルオロアル
キルが必要なためコストの上昇を招く問題がある。一
方、安価な汎用性溶媒が使用できる脂肪族炭化水素系潤
滑剤等はコストダウンに対して大きな魅力があり保護膜
表面にも強固に化学吸着する事ができるが、高温で安定
した潤滑性を有する潤滑膜の設計に際して問題がある。

【００２２】我々は上記の問題に対し、少なくともカー
ボンを含む保護膜を設けた薄膜型磁気記録媒体におい
て、その保護膜上に汎用性溶媒に可溶で分子末端に少な
くともアミノ基[-NH₂]或いはN,N-ジメチルアミノ基[-N
(CH₃)₂]を有するアルキルアミン系潤滑剤と、汎用性溶
媒に可溶であり常温で液体である潤滑剤から成る2成分
の潤滑剤を設ける事をによりコストダウンを図ると同時
に広い温度範囲で潤滑性を高める事が可能である事を見
い出した。

【００２３】

【発明の実施の形態】分子末端に少なくともアミノ基[-
NH₂]或いはN,N-ジメチルアミノ基[-N(CH₃)₂]を有するア
ルキルアミン系潤滑剤はカーボン系保護膜上に存在する
カルボキシル基との酸塩基反応により強固に保護膜表面
に化学結合する事ができるため良好な境界潤滑膜として
働く（下式参照）。 R-NH₂（アルキルアミン系潤滑剤分子） + HOOC-R'（カ
ーボン表面カルボキシル基）→R-N⁺H₃O^-OC-R'（塩形
成、R：アルキル鎖、R'：カーボン保護膜）

【００２４】図１（Ａ）は常温状態におけるこの化学結
合を示す模式図である。プラスチック製非磁性基体１の
上面にＣｏ系磁性層３が成膜され、この磁性層上にカー
ボン保護膜５が設けられている。カーボン保護膜表面に
はカルボキシル基−ＣＯＯＨが存在する。ここにアルキ
ルアミン系固体潤滑剤７が塗布されると、カーボン系保
護膜表面のカルボキシル基−ＣＯＯＨとアルキルアミン
系潤滑剤のアミノ基−ＮＨ₂との間で塩が形成され、ア
ルキルアミン系潤滑剤７はカーボン系保護膜５の表面に
強固に化学結合される。本発明では、この固体アルキル
アミン系潤滑剤７の上に更に常温で液体の潤滑剤９が塗
布されている。常温雰囲気では、アルキルアミン系潤滑
剤７はファンデルワールス力により横方向の相互作用が
強いためにアルキルアミン分子が直立した状態を維持で
きる。従ってアルキルアミン系潤滑剤７の炭化水素鎖は
その融点まで良好な境界潤滑膜として機能し、磁気ヘッ
ド１１がカーボン系保護膜５の表面に直接接触するのを
防止する事ができる。

【００２５】一方、図１（Ｂ）に示されるように、融点
以上ではそのアミノ基[-NH₂]或いはN,N-ジメチルアミノ
基[-N(CH₃)₂]自身はカーボン保護膜表面に存在するカル
ボキシル基と化学吸着しているが、アルキルアミン系固
体潤滑剤７のアルキルアミン炭化水素鎖の横方向の相互
作用が減少して膜破断が生じ境界潤滑膜としての特性を
失う。

【００２６】しかし、本発明で使用する潤滑膜は、固体
のアルキルアミン系潤滑剤７と共に、常温で液体である
潤滑剤９を併用した２成分潤滑膜である。従って、固体
のアルキルアミン系潤滑剤７がその融点以上で境界潤滑
膜としての性質を失った際に同時に存在する液体潤滑剤
９が境界流体潤滑膜として作用し、広い温度範囲で安定
した潤滑特性を発揮させる事ができる。本発明におけ
る、“常温”という用語は、“室温”、“周囲温度”又
は“環境温度”などの用語と同様な意味で使用され、一
般的に、−２０℃〜＋６０℃の範囲内の温度を示す。

【００２７】液体潤滑剤９単体では境界潤滑膜としての
作用は乏しい（常温で液体であると言う事は潤滑剤分子
自身の立体障害が大きく分子間の相互作用が小さい事を
意味する。従って、液体潤滑剤自体は、常温付近で炭化
水素系潤滑剤のような疑似的単分子膜をカーボン保護膜
表面上で形成する事はできない）。しかし、先に述べた
様にアルキルアミン系潤滑剤の末端に存在するアミノ基
[-NH₂]或いはN,N-ジメチルアミノ基[-N(CH₃)₂]自身は融
点以上の温度に於いてもカーボン保護膜表面に存在する
カルボキシル基と化学吸着している。従って融点以上の
高温ではアルキルアミン系潤滑剤の末端に存在するアミ
ノ基[-NH₂]或いはN,N-ジメチルアミノ基[-N(CH₃)₂]がア
ンカー吸着点となる。そして破断した炭化水素鎖上に高
温で磁気ヘッドの摺動時の接線力を低下させる性質を持
つ液体潤滑剤が存在するため広い温度範囲で優れた潤滑
作用を発揮する事ができる。

【００２８】本発明によるアルキルアミン系潤滑剤は分
子末端に少なくともアミノ基[-NH₂]或いはN,N-ジメチル
アミノ基[-N(CH₃)₂]を有するアルキルアミン系潤滑剤
で、その炭素数は１０以上で常温で固体である事が望ま
しい。炭素数が１０未満では炭素鎖間の横方向の相互作
用が弱く、従って常温からその融点まで安定した境界潤
滑膜として作用する事ができない。炭素数の上限は特に
限定されないが炭素数が３６を越えると横方向の相互作
用が飽和する。常温で固体である事は、室温付近の熱エ
ネルギーに於いてもアルキル鎖間の相互作用が強く膜破
断をしない事を示し、本発明によるアルキルアミン系潤
滑剤に求められる重要な必要条件である。

【００２９】本発明によるアルキルアミン系潤滑剤は下
式、 C_aH_2a+1NH₂ 又はC_aH_2a+1N(CH₃)₂ （式中、ａは１０以上の整数である）の飽和アルキルア
ミンである事を特徴とする。アルキル鎖が二重或いは三
重結合を含んだ不飽和アルキルではその不飽和結合の立
体障害によってアルキル鎖間の横方向の相互作用が著し
く低下して常温付近で液体化するため、境界潤滑剤とし
て作用する事ができない。

【００３０】本発明によるアルキルアミン系潤滑剤は下
式、 F(CF₂)_b(CH₂)_cNH₂ 又はF(CF₂)_b(CH₂)_cN(CH₃)₂ （式中、ｂとｃはｂ≧１、ｃ≧１であり、かつｂ＋ｃ≧
１０を満足する整数である）で示した様に、部分フッ素
化飽和アルキルアミンであっても良い。部分フッ素化し
たアルキル鎖間の横方向の相互作用はフッ素の無いアル
キル鎖間の相互作用に比べて若干低下する。しかし、分
子内にフッ素原子を有しているために表面エネルギーを
大きく下げ、磁気ヘッドが摺動する際の接線力をフッ素
の無いアルキルアミンに比べて低下させる事ができる。
上式に於いてｂ＋ｃ、即ち全炭素数は１０以上で常温で
固体である事が望ましい。炭素数が１０未満では炭素鎖
間の横方向の相互作用が弱く、従って常温からその融点
まで安定した境界潤滑膜として作用する事ができない。
炭素数の上限は特に限定されないが炭素数が36を越える
と横方向の相互作用が飽和する。常温で固体である事
は、室温付近の熱エネルギーに於いてもアルキル鎖間の
相互作用が強く膜破断をしない事を示し、本発明による
アルキルアミン系潤滑剤に求められる重要な必要条件で
ある。フッ素を含みさらに分子端部にフッ素鎖を有する
事からｂは１以上でなければならない。アミノ基の結合
した炭素は電子吸引作用を小さくしてアミノ基の孤立電
子対がカルボキシル基のプロトンを受け入れしやすくす
るため-CF₂-鎖よりも-CH₂-鎖である事が好ましいため、
ｃは１以上である事が好ましい。

【００３１】本発明による磁気記録媒体で使用される固
体／液体２成分系潤滑層において、常温で液体である潤
滑剤にはパーフルオロポリエーテルの片末端或いは両末
端にエーテル結合或いはアミド結合或いはエステル結合
を介して炭素数４以上の飽和もしくは不飽和炭化水素
鎖、炭素数４以上の飽和もしくは不飽和含酸素炭化水素
鎖、炭素数４以上の分岐状炭化水素を結合させた変性パ
ーフルオロポリエーテルを使用する事ができる。

【００３２】パーフルオロポリエーテルの片末端或いは
両末端にエーテル結合或いはアミド結合或いはエステル
結合を介して炭素数４以上の飽和もしくは不飽和炭化水
素鎖、炭素数４以上の飽和もしくは不飽和含酸素炭化水
素鎖、炭素数４以上の分岐状炭化水素鎖を結合させてい
るのは、これらの炭化水素によりパーフルオロポリエー
テル系潤滑剤がエタノール、プロパノール、イソプロピ
ルアルコール等のアルコール類或いはアセトン、メチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサ
ノン等のケトン類或いはヘキサン、ペンタン、ヘプタン
等の飽和アルキル類等の安価な汎用性溶媒に可溶となる
ため、潤滑剤溶液製造時のコストを大幅に低減する効果
がある。

【００３３】また特に、炭素数４以上の不飽和炭化水素
鎖、飽和含酸素炭化水素鎖及び分岐状炭化水素鎖でパー
フルオロポリエーテル系潤滑剤の両末端或いは片末端を
変性した場合にはそれらの立体障害により潤滑剤分子間
の相互作用が弱められ、常温付近の潤滑剤全体の粘性が
さらに低下する。従って、磁気ヘッド摺動時のスティク
ション（貼付き）を緩和させ、摩擦係数を低下させる作
用がある。

【００３４】常温付近で変性パーフルオロポリエーテル
系液体潤滑剤の粘度が低下する事は、高温時はその熱エ
ネルギーによって変性パーフルオロポリエーテル系液体
潤滑剤の粘度がいっそう低下する事を示すものである。
従って高温時には膜が破断し潤滑作用を失ったアルキル
アミン上に、高温で粘度が低下し磁気ヘッドの摺動時の
接線力を低下させる性質を持つ変性パーフルオロポリエ
ーテル系液体潤滑剤が存在するため、常温から高温の広
い温度範囲（１０〜６０℃）で優れた潤滑作用を発揮す
る事ができる。

【００３５】本発明で使用される変性パーフルオロポリ
エーテル系潤滑剤の粘度自体は本発明の必須要件ではな
いが、一般的に、低温時において１０〜１００ｃｓｔの
範囲内であり、高温時において５〜５０ｃｓｔの範囲内
であることが好ましい。低温時における変性パーフルオ
ロポリエーテル系潤滑剤の粘度が１００ｃｓｔ超である
場合、流体潤滑時の剪断力が増加し磁気ディスクドライ
ブ内のモータートルクを上昇させるなどの不都合が生じ
る。

【００３６】先に既に述べたが、アルキルアミン潤滑剤
は高温状態で膜破断する。しかし、アルキルアミン系潤
滑剤の末端に存在するアミノ基[-NH₂]或いはN,N-ジメチ
ルアミノ基[-N(CH₃)₂]とカーボン保護膜表面のカルボキ
シル基[-COOH]との酸塩基反応による化学結合は破壊さ
れない。この化学結合がアンカー点となり、その上に存
在する低粘度な液体潤滑剤との協働作用により高温に於
いても良好な境界潤滑性を実現させる事ができる。

【００３７】融点以上の温度状態でもこの化学結合が破
壊されていない証拠を、ステアリルアミンを用いて説明
する。ステアリルアミンの融点は５６℃であり室温では
カーボン保護膜表面上で極めて優れた境界潤滑性を示
す。温度が５６℃よりも上昇するとステアリルアミンは
境界潤滑作用を失うが、再び温度を室温に戻すと良好な
境界潤滑性を回復する事を確認した。この実験事実は融
点以上の温度に於いても、ステアリルアミン末端のアミ
ノ基とカーボン保護膜表面のカルボキシル基との酸塩基
反応による化学結合は破壊されておらず、単にステアリ
ルアミン中のアルキル鎖間の横方向の相互作用が、その
融点以上の温度の熱エネルギーにより弱められ、潤滑膜
が破断している事を示している。もし融点以上の温度で
酸塩基反応による化学結合が切断されていれば温度を下
げステアリルアミンが凝固した際に、再びそのアミノ基
をカーボン保護膜表面に垂直方向に配向させ疑似的な単
分子膜として再配向する事はできない。従って温度を融
点から室温付近に戻してもステアリルアミンは境界潤滑
膜として作用する事はできないはずである。従ってアル
キルアミンの融点以上の温度でも膜破断したアルキルア
ミン上に低粘度な液体潤滑剤が存在しているため、高温
に於いても良好な潤滑性が発揮されるのである。

【００３８】上記の変性パーフルオロポリエーテル液体
潤滑剤に於いて、変性パーフルオロポリエーテルの主鎖
には、-(CF₂CF₂CF₂O)_d-或いは-(CF₂O)_e-(CF₂CF₂O)_f-若
しくは-(C(CF₃)FCF₂O)_g-で構成されている化合物を使用
する事ができる。パーフルオロポリエーテルの主鎖の
数、即ちｄ、ｇ及びｅ＋ｆはそれぞれ１０以上の整数で
ある事が好ましい。１０未満であると分子量が２０００
未満となり高温で潤滑剤分子が蒸発し、液体として安定
的に存在する事ができない。

【００３９】本発明による磁気記録媒体に於いて、常温
で液体である潤滑剤として、(1) 炭素数１０以上の不
飽和炭化水素の片末端もしくは両末端に炭素数６以上の
部分フッ素化飽和アルキルをエーテル結合或いはエステ
ル結合或いはアミド結合で連結した化合物、(2) 炭素
数１０以上の部分フッ素化飽和アルキルの両末端に炭素
数１０以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエス
テル結合或いはアミド結合で連結した化合物、(3) 炭
素数１０以上の部分フッ素化飽和アルキルの両末端もし
くは片末端に炭素数１０以上の分岐状炭化水素をエーテ
ル結合或いはエステル結合或いはアミド結合で連結した
化合物、(4) 炭素数１０以上の飽和炭化水素の片末端
もしくは両末端に炭素数１０以上の不飽和炭化水素をエ
ーテル結合或いはエステル結合或いはアミド結合で連結
した化合物、(5) 炭素数１０以上の不飽和炭化水素の
両末端もしくは片末端に炭素数１０以上の不飽和炭化水
素をエーテル結合或いはエステル結合或いはアミド結合
で連結した化合物、(6) 炭素数１０以上の不飽和炭化
水素の両末端に炭素数１０以上の飽和炭化水素をエーテ
ル結合或いはエステル結合或いはアミド結合で連結した
化合物、(7) 炭素数１０以上の飽和炭化水素の両末端
或いは片末端に炭素数４以上の分岐状炭化水素をエーテ
ル結合或いはエステル結合或いはアミド結合で連結した
化合物、(8) 炭素数１０以上の不飽和炭化水素の両末
端或いは片末端に炭素数４以上の分岐状炭化水素をエー
テル結合或いはエステル結合或いはアミド結合で連結し
た化合物、又は(9) 炭素数１０以上の部分フッ素化飽
和アルキルの両末端或いは片末端に総炭素数４以上のポ
リエーテルをエーテル結合或いはエステル結合或いはア
ミド結合で連結した化合物、などを用いる事ができる。

【００４０】これらの化合物は基本的に分子内に二重結
合又は三重結合あるいは分岐状炭化水素あるいはエーテ
ル結合を少なくとも１個以上有しているため分子間の相
互作用がその立体障害によって弱められているために常
温付近の温度で液体として存在する事ができる。また二
つの同種或いは異種の分子をエステル結合、エーテル結
合或いはアミド結合で連結させているため分子量が大き
くなり高温に於いても蒸発する事を抑制している。また
特に一方の分子内にフッ素が含まれている場合はフッ素
原子により表面エネルギーを低下させる事ができ、流体
潤滑剤としての特性を向上させる事ができる。

【００４１】炭素数６以上の部分フッ素化飽和アルキル
は下式、 -(CH₂)_p(CF₂)_qF （式中、ｐ及びｑは１以上の整数であり、ｐ＋ｑ≧６を
満たす）で示されるものである事が好ましい。また、炭
素数１０以上の部分フッ素化飽和アルキルは下式、 -(CH₂)_p(CF₂)_q(CH₂)_p- （式中、ｐ及びｑは１以上の整数であり、2ｐ＋ｑ≧10
を満たす）で示されるものである事が好ましい。フッ素
を含みさらに分子端部にフッ素鎖を有する事からｑは１
以上でなければならない。上式の部分フッ素化アルキル
に於いてエステル結合、エーテル結合或いはアミド結合
に結合した炭素はそのエステル結合、エーテル結合或い
はアミド結合力に悪影響に及ぼさない事が必要である。
従って電子吸引作用を減少させる為-CF₂-鎖よりも-CH₂-
鎖である事が好ましい。このことからｐは１以上である
事が好ましい。エステル結合、エーテル結合或いはアミ
ド結合により連結された上記部分フッ素化アルキルの炭
素数、すなわちｐ＋ｑは６以上の整数である事が好まし
い。６未満では分子量が小さく高温で安定に存在する事
ができず、また潤滑作用を充分に発揮する事ができな
い。

【００４２】本発明による磁気記録媒体に於いて、常温
で液体である潤滑剤としては、ジメチルポリシロキサン
［-(Si(CH₃)₂O)_h-］或いはジメチルポリシロキサン中の
メチル基の水素を部分的にフッ素もしくは部分フッ素化
アルキルで置換したフッ素化ジメチルポリシロキサン
［-(Si(CF₃)₂O)_h-, -(Si(CF₃)(CH₃)O)_h-, -(Si(C₂H₄C₆F
₁₃)₂O)_h-］又は次式、CH₃(Si(CH₃)₂0)_n-Si(NH₂)₃，F(CF
₂)_nCH₂-Si(NH₂)₃又はF(CF₂)_nCH₂CH₂-Si(NH₂)₃（式中、
ｎは６以上の整数である）で示される、末端にアミノ基
を有する変性ジメチルポリシロキサンも用いる事ができ
る。前記式中に於いてｈは高温（例えば、５６℃超の温
度）で蒸発しないため６以上である事が好ましい。

【００４３】本発明による磁気記録媒体に於いて、常温
で液体である潤滑剤として、下式、 [FC₆H₄O]_m-(P₃N₃)-[OC₆H₄CF₃]_6-m （式中、ｍは０〜６の整数である）で示される化合物、
又は、 (CF₃)₂CF(CF₂)_jCH₂CHOCORCH₂OCOR （式中、ｊは２〜１６の整数であり、Ｒは−ＣＲ₁Ｒ₂Ｒ
₃で示され、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃はそれぞれＣ_sＨ_2s+1，Ｃ_tＨ
_2t+1及びＣ_uＨ_2u+1で示され、ｓ，ｔ及びｕはそれぞれ
ｓ≧１，ｔ≧１及びｕ≧１であり、かつ、ｓ＋ｔ＋ｕ≧
８を満足する整数である）で示される化合物、又は、 F(CF₂)_jCH₂CHOCORCH₂OCOR （式中、ｊは２〜１６の整数であり、Ｒは−ＣＲ₁Ｒ₂Ｒ
₃で示され、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃はそれぞれＣ_sＨ_2s+1，Ｃ_tＨ
_2t+1及びＣ_uＨ_2u+1で示され、ｓ，ｔ及びｕはそれぞれ
ｓ≧１，ｔ≧１及びｕ≧１であり、かつ、ｓ＋ｔ＋ｕ≧
８を満足する整数である）で示される化合物を用いるこ
ともできる。

【００４４】式、[FC₆H₄O]_m-(P₃N₃)-[OC₆H₄CF₃]_6-m で示される化合物は、３個の窒素と３個の燐原子からな
る６員環に合計６個の部分フッ素化ベンゼン、或いはフ
ッ素化アルキルベンゼンが結合した常温で液体である潤
滑剤である。６個のベンゼン環を有しているため、汎用
性溶剤に溶解することができる。また、３個の窒素と３
個の燐原子からなる６員環、或いは、その６員環に結合
したベンゼン環によりカーボン系保護膜上に吸着するこ
ともでき、潤滑性を高める作用がある。更に、ベンゼン
環に結合したフッ素あるいはフッ素化アルキルは表面エ
ネルギーを低下させ、摩擦力を減少させる効果を有す
る。分子式中のｍは３個の窒素と３個の燐原子からなる
６員環は６個の結合手を有するため、０〜６の範囲内の
何れの整数であってもよい。

【００４５】本発明による磁気記録媒体に於いて、常温
で液体である潤滑剤として、(CF₃)₂CF(CF₂)_jCH₂CHOCORC
H₂OCOR、又は、 F(CF₂)_jCH₂CHOCORCH₂OCOR （前記各式中、ｊは２〜１６の整数であり、Ｒは−ＣＲ
₁Ｒ₂Ｒ₃で示され、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃はそれぞれＣ
_sＨ_2s+1，Ｃ_tＨ_2t+1及びＣ_uＨ_2u+1で示され、ｓ，ｔ及
びｕはそれぞれｓ≧１，ｔ≧１及びｕ≧１であり、か
つ、ｓ＋ｔ＋ｕ≧８を満足する整数である）で示される
化合物を使用することができる。この分子は、部分フッ
素化アルキル部分と分岐状飽和炭化水素部分とからなる
ジエステルであり、分岐状飽和炭化水素の高い立体障害
により常温で液体化する。この分子は部分フッ素化アル
キル部分を有しており、表面エネルギーを低下させて流
体潤滑剤としての特性を向上させることができる。部分
フッ素化アルキル鎖中のｊは２〜１６の範囲内の整数で
あることが好ましい。ｊが２未満では表面エネルギーを
低下させる効果が不十分であり、また、分子量が低すぎ
るので潤滑剤が揮発しやすくなる。一方、ｊが１６より
も大きいと、汎用性溶剤に溶解することが困難となり、
コスト低減の観点から好ましくない。また、−ＣＲ₁Ｒ₂
Ｒ₃（式中、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃はそれぞれＣ_sＨ_2s+1，Ｃ_tＨ
_2t+1及びＣ_uＨ_2u+1である）で示される分岐状飽和炭化
水素基において、ｓ，ｔ及びｕはそれぞれｓ≧１，ｔ≧
１及びｕ≧１であり、かつ、ｓ＋ｔ＋ｕ≧８を満足する
整数であることが好ましい。ｓ≧１，ｔ≧１及びｕ≧１
であれば、分岐状飽和炭化水素基の立体障害が増大し
て、常温で液体化すると同時に、エステル結合をその立
体障害で保護することが可能となり、分子の化学的安定
性が高まる。

【００４６】本発明の磁気記録媒体においては、磁性層
を保護するため高抵抗のカーボン保護膜を使用してい
る。このカーボン保護膜は例えば、スパッタカーボン、
プラズマＣＶＤカーボン、ダイヤモンドライクカーボ
ン、水素含有カーボン、窒素含有カーボン又はシリコン
含有カーボン等のカーボン系保護膜である。このカーボ
ン保護膜表面に上記したアルキルアミン系潤滑剤を強固
に吸着させるため、カーボン保護膜表面上のカルボキシ
ル基数を高める必要がある。このためは上記アルキルア
ミン系潤滑剤をスピンコート或いはディップコート法に
よりカーボン保護膜表面に塗布する前にカーボン系保護
膜表面を、少なくとも酸素が存在する雰囲気で１８４．
９ｎｍの波長を含む紫外光で照射処理するか、又は少な
くとも酸素が存在する雰囲気中でプラズマ処理する事が
有効である。

【００４７】少なくとも酸素が存在する雰囲気でカーボ
ン保護膜表面を上記の方法で処理すると以下の反応によ
り先ずオゾンが発生する。次に、このオゾンが下式に従
って活性酸素を生じる。 ３Ｏ₂＋ｈν → ２Ｏ₃ ； ２Ｏ₃＋ｈν’ →
２Ｏ₂＋２Ｏ この活性酸素（Ｏ）によりカーボン保護膜表面でカーボ
ンの酸化反応が進み酸素雰囲気中に含まれる水の分解で
発生した水素と共に下式、 Ｃ＋Ｈ＋Ｏ → Ｃ−ＯＨ （アルコール） Ｃ−ＯＨ＋Ｏ → ＣＯ（Ｈ）（アルデヒド） ＣＯ（Ｈ）＋Ｏ → ＣＯＯＨ（カルボキシル
基） の順序に従いカーボン保護膜表面にカルボキシル基が生
成される。

【００４８】上式で生成したカルボキシル基は本発明に
よるアルキル系アミン中のアミノ基と下式に従い酸塩基
反応に塩を形成して強固に化学結合する事ができる。 R-NH₂（アルキルアミン系潤滑剤分子） + HOOC-C（カー
ボン表面カルボキシル基）→R-N⁺H₃O^-OC-C（塩形成、但
し式中のＲはアルキル鎖であり、Ｃはカーボン保護膜で
ある）

【００４９】上記した様にカーボン保護膜表面を紫外線
或いは酸素プラズマで表面処理する事によりカーボン保
護膜表面に多数のカルボキシル基を生成させる事ができ
るが、その表面濃度はカーボン保護膜表面上の酸素と炭
素の組成比（Ｏ／Ｃ）を用いて０．１以上である事が望
ましい。

【００５０】この組成比は本発明による磁気記録媒体上
に物理的に存在する潤滑剤層をアセトンで３０秒間超音
波洗浄した後、カーボン保護膜表面の酸素と炭素の組成
比（Ｏ／Ｃ）をＸ線光電子分光分析(XPS)を用い検出角
度４５度で測定し、その組成比（Ｏ／Ｃ）が０．１以上
である事を意味する。組成比が０．１未満ではカーボン
保護膜表面上のカルボキシル基濃度が充分でない為（す
なわち、カーボン保護膜表面の酸化が充分でない為）、
本発明によるアルキルアミン系潤滑剤を充分に化学結合
をさせる事ができない（すなわち、カーボン保護膜表面
でアルキルアミン系潤滑剤分子の疑似的単分子膜を形成
させる事ができない）。

【００５１】波長１８４．９ｎｍの紫外光で処理する場
合、酸素濃度は１００ｐｐｍ以上の範囲内であることが
好ましい。０．１以上のＯ／Ｃ比を得るのに必要な照射
時間は特に限定されないが、一般的に、１０秒〜５分間
の範囲内であることが好ましい。波長１８４．９ｎｍの
紫外光は低圧水銀ランプにより得ることができる。その
他の紫外光発生源も使用できる。低圧水銀ランプは波長
１８４．９ｎｍと波長２５３．７ｎｍの紫外光を同時に
発生する。オゾンの生成は波長１８４．９ｎｍの紫外光
により行われ、活性酸素の生成は波長２５３．７ｎｍの
紫外光により行われる。紫外光発生源の出力は特に限定
されないが、例えば、４５Ｗ以上の低圧水銀ランプを使
用することが好ましい。

【００５２】プラズマ処理する場合、常用の平行平板型
プラズマＣＶＤ装置などを用いて実施できる。プラズマ
ＣＶＤ装置のチャンバ内圧力は特に限定されないが、一
般的に、０．１ｍTorr〜１０ｍTorrの範囲内であること
が好ましい。プラズマＣＶＤ装置の上部電極に１３．５
６ＭＨｚの高周波電源又は商用交流を印加してプラズマ
を発生させる。チャンバ内に導入される酸素分圧は特に
限定されない。一般的に、１ｍTorr−５ｍTorrの範囲内
であることが好ましい。０．１以上のＯ／Ｃ比を得るの
に必要な処理時間はプラズマＣＶＤ装置の出力など様々
な要因に応じて変化するが、最適な処理時間は実験を繰
り返すことにより容易に決定することができる。

【００５３】本発明による磁気記録媒体で使用される固
体／液体２成分系潤滑層における、アルキルアミン系固
体潤滑剤及び変性パーフルオロポリエーテル液体潤滑剤
の各々は汎用性溶媒であるエタノール、プロパノール、
イソプロピルアルコール等のアルコール類或いはアセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサノン等のケトン類或いはヘキサン、ペンタ
ン、ヘプタン等の飽和アルキル類に可溶である。従って
潤滑剤塗布時に使用する溶媒が従来のパーフルオロアル
キル系潤滑剤に比べて１／１０以下になり、本発明の媒
体の製造コストを大幅に低減させる事ができる。例え
ば、パーフルオロポリエーテル系潤滑剤の溶媒であるＦ
Ｃ７７は￥１５，０００／リットルであるが、汎用性溶
媒であるメチルイソブチルケトンは￥１，０００／リッ
トルである。

【００５４】本発明によるアルキルアミン系固体潤滑剤
と、常温で液体である潤滑剤の２成分系から成る潤滑剤
層をスプレーコート或いはディップコート或いはスピン
コート法でカーボン保護膜表面に塗布する際、各々の潤
滑剤の濃度を０．００５wt％〜０．５０wt％の範囲内に
調整する事が望ましい。０．００５wt％未満では充分な
境界潤滑特性が得られない。一方、０．５０wt％を越え
ると常温で液体である潤滑剤の場合、磁気ヘッドへの貼
付き（スティクション）を生じることがある。

【００５５】アルキルアミン系固体潤滑剤の場合、所望
のアルキルアミン化合物を一旦、適当な汎用溶媒に溶解
させて溶液とし、この溶液をカーボン保護膜表面に塗布
し、その後乾燥させることにより固体潤滑剤層を形成さ
せる。その後、この固体潤滑剤層の表面に常温で液体で
ある潤滑剤溶液を塗布することにより本発明の固体／液
体２成分系潤滑層を形成することができる。また、上記
２種類の潤滑剤を同一溶媒に一緒に溶解し、単一の潤滑
剤溶液として塗布しても良い。

【００５６】アルキルアミン系固体潤滑剤の塗布量は特
に限定されないが、一般的に、１．０ｍｇ／ｍ²〜５．
４ｍｇ／ｍ²の範囲内であることが好ましい。この範囲
内の塗布量によれば、カーボン保護膜上に１４Å〜７５
Åの範囲内の膜厚を有するアルキルアミン系固体潤滑剤
層を形成させることができる。アルキルアミン系固体潤
滑剤の塗布量が少なすぎると、カーボン保護膜上のカル
ボキシル基との結合量が不足し、充分な境界潤滑特性が
得られない。従って、基本的には、カーボン保護膜上に
存在するカルボキシル基の量よりも過剰量のアルキルア
ミン系固体潤滑剤を使用すべきである。

【００５７】同様に、常温で液体である潤滑剤の塗布量
も特に限定されない。一般的に、１ｍｇ／ｍ²〜１０ｍ
ｇ／ｍ²の範囲内であることが好ましい。常温で液体で
ある潤滑剤の塗布量が少なすぎると、高温時における摺
動特性の改善効果が得られない恐れがあるので好ましく
ない。

【００５８】本発明による、アルキルアミン系固体潤滑
剤と常温で液体である潤滑剤からなる固体／液体２成分
系潤滑層の全体的膜厚は特に限定されないが、一般的
に、１５Å〜１００Åの範囲内であることが好ましい。
膜厚が１５Å未満では常温時及び高温時の何れにおいて
も、充分な境界潤滑特性が得られない。一方、膜厚が１
００Å超になると特に液体潤滑剤成分が厚くなると貼り
付き現象が起きるなどの不都合が生じる。

【００５９】本発明による磁気記録媒体は、非磁性基体
にガラスやＮｉＰをメッキしたＡｌ合金を用いた従来の
ハードディスクは勿論、非磁性基体にＰＥＴ，ＰＥＮ，
アラミドなどを用い、これらの基体上にＣｏなどの磁性
金属を酸素雰囲気中で斜め蒸着したＣｏ−ＣｏＯ蒸着テ
ープ、さらには非磁性基体にポリカーボネイト、アモル
ファスポリオレフィン、ポリエーテルイミド、ポリエー
テルスルフォン或いはフェーノール樹脂等の高分子プラ
スチックを用い、これらの高分子プラスチック上に案内
溝とピット、もしくは案内溝又はピットの何れかが形成
されているハードディスクにも適用できる。

【００６０】また本発明による磁気記録媒体に於いて非
磁性基体にポリカーボネイト、アモルファスポリオレフ
ィン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルフォン或
いはフェーノール樹脂等の高分子プラスチックを使用
し、これらの高分子プラスチック上に案内溝とピット、
もしくは案内溝又はピットの一方が形成されたハードデ
ィスクでは非磁性基体表面の機械強度を高めて媒体の耐
久性を高め、また基体からの水や酸素の侵入を防止して
媒体の耐食性を高めるために上記プラスチック基体上に
酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化タ
ンタル、酸化ジルコニウム等の酸化物、或いは窒化シリ
コン、窒化ホウ素、窒化チタン等の窒化物、或いは炭化
珪素、炭化チタン、炭化タングステン、炭化タンタル等
の炭化物からなるバッファ層或いはシリコン、炭素、ホ
ウ素チタン等の単体バッファ層を設けても良い。これら
の無機バッファ層は当業者に公知の方法（例えば、スパ
ッタリング，反応性スパッタリング，プラズマＣＶＤ，
イオンビーム蒸着））により形成することができる。

【００６１】これらの酸化物、窒化物、炭化物は非晶質
で緻密であり高硬度であるため基体に非磁性プラスチッ
ク基体を使用したハードディスクの耐久性と耐食性を高
める作用がある。またこれらの酸化物、窒化物、炭化物
バッファ層の厚さは２５Å〜５０００Åの範囲にする事
が好ましい。バッファ層の厚さが２５Å未満では非磁性
プラスチック基体を充分に被覆する事ができず、また５
０００Åを越えるとバッファ層の応力が増大し非磁性プ
ラスチック基体のそりとうねりが大きくなる。

【００６２】また本発明による磁気記録媒体に於いて非
磁性基体にポリカーボネイト、アモルファスポリオレフ
ィン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルフォン或
いはフェーノール樹脂等の高分子プラスチックを使用
し、これらの高分子プラスチック上に案内溝とピット、
もしくは案内溝又はピットの何れかが形成されたハード
ディスクでは、磁性層にＣｏ系磁性体を使用する場合、
磁性層の下部にクロム又はクロム合金層を設けることが
好ましい。磁性層の下部にクロム又はクロム合金（例え
ば、クロム、クロム・チタン、クロム・モリブデン、ク
ロム・バナジウム、クロム・アルミ、クロム・ジルコニ
ウム）下地層を設けるのは、Ｃｏ系磁性層のＣ軸を面内
に配向させ、高記録密度を実現するためである。クロム
合金下地層は当業者に公知の方法（例えば、スパッタリ
ング）により非磁性基体上に形成することができる。ク
ロム合金下地層の膜厚自体は本発明の必須要件ではない
が、一般的に、１０Å〜２０００Åの範囲内であること
が好ましい。クロム合金下地層の膜厚が１０Å未満の場
合、Ｃｏ系磁性層のＣ軸を面内配向させることができな
くなる。一方、クロム合金下地層の膜厚が２０００Å超
の場合、膜応力の増大によるクラック発生などの不都合
が生じる。

【００６３】クロム合金下地層及び／又は前記酸化物、
窒化物、炭化物バッファ層とプラスティック基板との密
着性を高めるため、クロム合金下地層及び／又は前記酸
化物、窒化物、炭化物バッファ層をプラスチック基板上
に形成する前にプラスチック基板表面を、最終的に、少
なくとも酸素が存在する雰囲気で１８４．９ｎｍの波長
を含む紫外光で照射処理するか、又は少なくとも酸素が
存在する雰囲気中でプラズマ処理する事が有効である。
この処理により、基板表面の自然酸化物、油脂類などの
不純物を分解除去すると同時にプラスチック基板表面に
酸素及び水素をふくむ官能基が形成され濡れ性が高まっ
て下地層と基板との密着性が向上される。

【００６４】本発明の磁気記録媒体における薄膜磁性層
を構成する強磁性金属は特に限定されないが、一般的
に、Ｃｏを５０ａｔ％よりも多く含むＣｏ系磁性体であ
ることが好ましい。このようなＣｏ系磁性体は当業者に
周知であり、これ以上説明する必要はないであろう。ま
た、磁性層の蒸着方法も特に限定されない。真空蒸着、
スパッタリングなど常用のベーパデポジション法ならば
原則的に全て使用することができる。このようなＣｏ系
磁性層の膜厚も特に限定されない。本発明の磁気記録媒
体では一般的に、１００Å〜５００Åの範囲内の膜厚の
Ｃｏ系磁性層を使用することが好ましい。膜厚が１００
Å未満では十分な再生出力が得られないなどの不都合が
あり、一方、膜厚が５００Å超では媒体ノイズが増大す
るなどの不都合がある。

【００６５】本発明で使用されるカーボン保護膜の膜厚
は特に限定されないが、一般的に、１００Å〜５００Å
の範囲内であることが好ましい。カーボン保護膜の膜厚
が１００Å未満の場合、十分な磁性層保護効果が得られ
ない可能性がある。一方、カーボン保護膜の膜厚が５０
０Å超の場合、スペーシングロスが大きくなるなどの不
都合が生じる。本発明で使用されるカーボン保護膜の形
成方法自体は当業者に周知または公知であり、特に説明
を要しないであろう。

【００６６】図２はバッファ層及びクロム合金下地層を
有する薄膜型磁気記録媒体の模式的断面図である。非磁
性基体１の上面にバッファ層１３が設けられ、このバッ
ファ層の上面にクロム合金下地層１５が設けられてい
る。クロム合金下地層１５の上面には、図１（Ａ）と同
様な磁性層３、カーボン保護膜５、アルキルアミン系固
体潤滑剤７及び液体潤滑剤９が設けられている。

【００６７】図３は、非磁性基体１の両面にバッファ層
１３、クロム合金下地層１５、磁性層３、カーボン保護
膜５、アルキルアミン系固体潤滑剤７及び液体潤滑剤９
がそれぞれ設けらた薄膜型磁気記録媒体の模式的断面図
である。

【００６８】本発明による磁気記録媒体では磁気ヘッド
摺動時の摩擦摩耗をさらに低減させるため、使用する磁
気ディスクドライブシステムに於いて、ドライブ内で記
録再生を行う磁気ヘッドスライダ上に保護膜として高抵
抗のスパッタカーボン、プラズマＣＶＤカーボン、ダイ
ヤモンドライクカーボン、水素含有カーボン、窒素含有
カーボン又はシリコン含有カーボン等のカーボン系保護
膜が設けられている事が好ましい。このカーボン系保護
膜の形成方法は当業者に周知なので特に説明しない。磁
気ヘッドの摺動面に設けられるカーボン保護膜の膜厚は
特に限定されないが一般的に、５０Å〜３００Åの範囲
内であることが好ましい。カーボン保護膜の膜厚が５０
Å未満の場合は十分にスライダー表面を被覆する事がで
きないなどの不都合が生じる。一方、カーボン保護膜の
膜厚が３００Å超の場合はスペーシングロスが増大する
などの不都合が生じる。

【００６９】この磁気ヘッド摺動面のカーボン保護膜を
磁気記録媒体の時と同様に、酸素存在下で１８４．９ｎ
ｍの波長の紫外線を照射するか又は酸素存在下でプラズ
マ処理し、カーボン保護膜表面に少なくとも−ＣＯＯＨ
基を生成させる。その後、このカルボキシル基含有カー
ボン保護膜表面に、磁気記録媒体において使用されたも
のと同一か若しくは異なるアルキルアミン系固体潤滑剤
を塗布する。この状態で図１（Ａ）に示されるような本
発明の薄膜型磁気記録媒体に使用すると、磁気記録媒体
における液体潤滑剤が界面となる。従って摺動は炭化水
素と炭化水素間で行われる事になり摺動中の摩擦摩耗を
著しく抑制する事ができ、磁気ヘッドの走行性が更に一
層改善される。所望により、磁気ヘッドのアルキルアミ
ン系固体潤滑剤の表面に液体潤滑剤を塗布することもで
きる。図４は磁気ヘッド１１の摺動面にカーボン保護膜
５が設けられ、このカーボン保護膜５にアルキルアミン
系固体潤滑剤７が塗布されたドライブシステムの模式的
構成図である。

【００７０】非磁性基体としてアモルファスポリオレフ
ィン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリエ
ーテルスルフォン或いはフェノール樹脂を射出成型した
ものを使用すると、従来のＡｌ／Ｎｉ−Ｐ基板やガラス
基板に比べて、基板にかかるコストを大幅に削減できる
メリットがある。従来のＡｌ／Ｎｉ−Ｐ基板やガラス基
板では、ＣＳＳ(Contact Start and Stop)時の摩擦力を
低減させるため、基板上にメカニカルテクスチャあるい
はレーザテクスチャを設けている。上記のプラスチック
基板を使用する場合は、基板にメカニカルテクスチャ或
いはレーザテクスチャを設けることは出来ない。しか
し、射出成型時に使用するスタンパ或いは金型の内周部
に深さ１５〜４０ｎｍ、見かけの面積割合０．１〜５．
０％のドット状テクスチャゾーンを設けてプラスチック
基板を射出成型することにより、プラスチック基板内周
部に高さ１５〜４０ｎｍ、見かけの面積割合０．１〜
５．０％のドット状テクスチャゾーンを設けることがで
きる。このドット状テクスチャの導入により、磁気ヘッ
ドスライダとの接触面積を減少させ、ＣＳＳ(Contact S
tart and Stop)時の摩擦力を低減させることが可能とな
る。テクスチャゾーン内のドットは、高さ１５〜４０ｎ
ｍ、見かけの面積割合０．１〜５．０％であることが好
ましい。ドット高さが１５ｎｍ未満では媒体底部と磁気
ヘッドスライダの接触を避けるのに十分でなく、また、
ドット高さが４０ｎｍを超えると、磁気ヘッドが浮上中
にドットに接触し、クラッシュの原因となる。ドットの
見かけの面積割合が０．１％未満ではドットにかかる圧
力が増大してドットの磨耗が激しくなり、一方、ドット
の見かけの面積割合が５．０％を超えると、ＣＳＳ時の
摩擦力を低減させる効果が減少する。

【００７１】

【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。

【００７２】実施例１ アルキルアミン系潤滑剤には以下の化合物を使用した。 C₁₄H₂₉NH₂

【００７３】実施例２ アルキルアミン系潤滑剤には以下の化合物を使用した。 C₁₆H₃₃NH₂

【００７４】実施例３ アルキルアミン系潤滑剤には以下の化合物を使用した。 C₁₈H₃₇NH₂

【００７５】実施例４ アルキルアミン系潤滑剤には以下の化合物を使用した。 C₂₄H₄₉N(CH₃)₂

【００７６】実施例５ アルキルアミン系潤滑剤には以下の化合物を使用した。 C₃₃H₆₇NH₂

【００７７】実施例６ アルキルアミン系潤滑剤には以下の化合物を使用した。 FC₁₂F₂₄CH₂CH₂NH₂

【００７８】実施例７ アルキルアミン系潤滑剤には以下の化合物を使用した。 FC₁₂F₂₄CH₂NH₂

【００７９】実施例８ アルキルアミン系潤滑剤には以下の化合物を使用した。 FC₁₆F₃₂CH₂CH₂NH₂

【００８０】実施例９ アルキルアミン系潤滑剤には以下の化合物を使用した。 FC₁₆F₃₂CH₂NH₂

【００８１】実施例１０ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 CH₃(CH₂)₁₁O(CH₂)₃NHCO-CF₂-(OC₂F₄)₁₀-(OCF₂)₁₀-CF₂-C
ONH(CH₂)₃O(CH₂)₁₁CH₃

【００８２】実施例１１ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₄H₉(CH₂CH=CH)₂C₇H₁₄COOCH₂-CF₂-(OC₂F₄)₁₀-(OCF₂)₁₀-
CF₂-CH₂OCOC₇H₁₄(CH₂CH=CH)₂C₄H₉

【００８３】実施例１２ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₄H₉(CH₂CH=CH)₂C₇H₁₄CH₂OCH₂-CF₂-(OC₂F₄)₁₀-(OCF₂)₁₀
-CF₂-CH₂OCH₂C₇H₁₄(CH₂CH=CH)₂C₄H₉

【００８４】実施例１３ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₁₇H₃₅COOCH₂-CF₂-(OC₂F₄)₁₀-(OCF₂)₁₀-CF₂-CH₂OCOC₁₇H
₃₅

【００８５】実施例１４ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₁₇H₃₅CH₂OCH₂-CF₂-(OC₂F₄)₁₀-(OCF₂)₁₀-CF₂-CH₂OCH₂₁₇
H₃₅

【００８６】実施例１５ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 [(CH₃)₂CH(CH₃)CH]₂C(CH₃)-COOCH₂-CF₂-(OC₂F₄)₁₀-(OCF
₂)₁₀-CF₂-CH₂OCO-C(CH₃)[C(CH₃)HCH(CH₃)₂]₂

【００８７】実施例１６ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₄H₉O-(C₂H₄O)₄-CH₂-CF₂-(OC₂F₄)₁₀-(OCF₂)₁₀-CF₂-CH₂-
(OC₂H₄)₄-OC₄H₉

【００８８】実施例１７ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₄H₉O-(C₂H₄O)₆-CH₂-CF₂-(OC₂F₄)₁₀-(OCF₂)₁₀-CF₂-CH₂-
(OC₂H₄)₆-OC₄H₉

【００８９】実施例１８ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₄H₉(CH₂CH=CH)₂C₇H₁₄COOCH₂-CF₂-CF₂-(OC₃F₆)₁₅F

【００９０】実施例１９ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 CH₃(CH₂)₁₁-O-(CH₂)₃NHCOCH₂-CF₂-CF₂-(OC₃F₆)₁₅F

【００９１】実施例２０ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₁₇H₃₅COOCH₂-CF₂-CF₂-(OC₃F₆)₁₅F

【００９２】実施例２１ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 [(CH₃)₂CH(CH₃)CH]₂C(CH₃)-COOCH₂-CF₂-CF₂-(OC₃F₆)₁₅F

【００９３】実施例２２ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₄H₉O-(C₂H₄O)₄-CH₂-CF₂-CF₂-(OC₃F₆)₁₅F

【００９４】実施例２３ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₄H₉O-(C₂H₄O)₆-CH₂-CF₂-CF₂-(OC₃F₆)₁₅F

【００９５】実施例２４ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₆F₁₃CH₂OCOC₃H₆(CH₂CH=CH)₂C₇H₁₄COOCH₂C₆F₁₃

【００９６】実施例２５ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₄H₉(CH₂CH=CH)₂C₇H₁₄COOCH₂CH₂C₆F₁₃

【００９７】実施例２６ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₆F₁₃CH₂-O-C₄H₈(CH₂CH=CH)₂C₇H₁₄CH₂-O-CH₂C₆F₁₃

【００９８】実施例２７ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₄H₉(CH₂CH=CH)₂C₇H₁₄CH₂-O-CH₂C₆F₁₃

【００９９】実施例２８ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₄H₉(CH₂CH=CH)₂C₇H₁₄COOCH₂C₆F₁₂CH₂OCOC₇H₁₄(CH₂CH=C
H)₂C₄H₉

【０１００】実施例２９ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 [(CH₃)₂CH(CH₃)CH]₂C(CH₃)-COOCH₂C₆F₁₂CH₂OCO-C(CH₃)
[C(CH₃)HCH(CH₃)₂]₂

【０１０１】実施例３０ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 [(CH₃)₂CH(CH₃)CH]₂C(CH₃)-COOCH₂C₆F₁₃

【０１０２】実施例３１ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₄H₉(CH₂CH=CH)₂C₇H₁₄COOC₄H₉(CH₂CH=CH)₂C₇H₁₄OCOCH₂C
₇H₁₄(CH₂CH=CH)₂C₄H₉

【０１０３】実施例３２ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₄H₉(CH₂CH=CH)₂C₇H₁₄COOC₇H₁₄(CH₂CH=CH)₂C₄H₉

【０１０４】実施例３３ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₄H₉(CH₂CH=CH)₂C₇H₁₄COOC₈H₁₆OCOC₇H₁₄(CH₂CH=CH)₂C₄H
₉

【０１０５】実施例３４ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₄H₉(CH₂CH=CH)₂C₇H₁₄COOC₁₇H₃₅

【０１０６】実施例３５ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₁₇H₃₅COOC₄H₈(CH₂CH=CH)₂C₇H₁₄OCOC₁₇H₃₅

【０１０７】実施例３６ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 [(CH₃)₂CH(CH₃)CH]₂C(CH₃)-COOC₈H₁₈OCO-C(CH₃)[C(CH₃)
HCH(CH₃)₂]₂

【０１０８】実施例３７ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 [(CH₃)₂CH(CH₃)CH]₂C(CH₃)-COOC₄H₈(CH₂CH=CH)₂C₇H₁₄OC
O-C(CH₃)[C(CH₃)HCH(CH₃)₂]₂

【０１０９】実施例３８ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₄H₉O-(C₂H₄O)₆-CH₂C₆F₁₂CH₂-(OC₂H₄)₆-OC₄H₉

【０１１０】実施例３９ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 C₄H₉O-(C₂H₄O)₆-CH₂C₈F₁₇

【０１１１】実施例４０ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 CH₃(Si(CF₃)(CH₃)O)₁₀-Si(CF₃)₂(CH₃)

【０１１２】実施例４１ 常温で液体である潤滑剤には以下の化合物を用いた。 CH₃(Si(CH₃)₂O)₁₀-Si(NH₂)₃

【０１１３】実施例４２ 実施例１〜４１の化合物は常温でイソプロピルアルコー
ル(IPA)、メチルイソブチルケトン(MIBK)及びノルマル
ヘプタンに１．０wt％の濃度で可溶である事を確認し
た。

【０１１４】実施例４３ ＮｉＰメッキされた３．５インチＡｌ合金基板を研磨
し、テクスチャ処理して中心線表面粗さＲａが４ｎｍで
ある基板を得た。この基板上にＤＣマグネトロンスパッ
タリングによりＡｒガス雰囲気中で５０ｎｍのＣｒ下地
層、３０ｎｍのCoCrPt磁性層、２０ｎｍのカーボン保護
膜を順次成膜した。

【０１１５】実施例４４ ２．５インチガラス基板をフッ酸中で化学エッチングし
てケミカルテクスチャ処理を行い、中心線表面粗さＲａ
が４ｎｍであるガラス基板を得た。この基板上にＤＣマ
グネトロンスパッタリングによりＡｒガス雰囲気中で５
０ｎｍのＣｒ下地層、３０ｎｍのCoCrPt磁性層、２０ｎ
ｍのカーボン保護膜を順次成膜した。

【０１１６】実施例４５ ３．５インチサイズのアモルファスポリオレフィン(AP
O)基板を射出成形により形成した。ＡＰＯ基板表面を酸
素圧力５mTorrの雰囲気中で２００ＷのＲＦで1分間プラ
ズマ処理した。この後ＤＣマグネトロンスパッタリング
によりＡｒガス雰囲気中で５０ｎｍのＣｒ下地層、３０
ｎｍのCoCrPt磁性層、２０ｎｍのカーボン保護膜を順次
成膜した。

【０１１７】実施例４６ ３．５インチサイズのアモルファスポリオレフィン(AP
O)基板を射出成形により形成した。ＡＰＯ基板表面を酸
素圧力５mTorrの雰囲気中で２００ＷのＲＦで１分間プ
ラズマ処理した。この後ＤＣマグネトロンスパッタリン
グによりＡｒガス雰囲気中で５０ｎｍのＳｉバッファー
層、５０ｎｍのＣｒ下地層、３０ｎｍのCoCrPt磁性層、
２０ｎｍのカーボン保護膜を順次成膜した。

【０１１８】実施例４７ ３．５インチサイズのアモルファスポリオレフィン(AP
O)基板を射出成形により形成した。ＡＰＯ基板表面を酸
素圧力５mTorrの雰囲気中で２００ＷのＲＦで１分間プ
ラズマ処理した。この後ＤＣマグネトロンスパッタリン
グによりＡｒガス雰囲気中で５０ｎｍのＢバッファー
層、５０ｎｍのＣｒ下地層、３０ｎｍのCoCrPt磁性層、
２０ｎｍのカーボン保護膜を順次成膜した。

【０１１９】実施例４８ ３．５インチサイズのアモルファスポリオレフィン(AP
O)基板を射出成形により形成した。ＡＰＯ基板表面を酸
素圧力５mTorrの雰囲気中で２００ＷのＲＦで１分間プ
ラズマ処理した。この後ＤＣマグネトロンスパッタリン
グによりＡｒ＋Ｎ₂ガス雰囲気中で５０ｎｍのＳｉＮ_xバ
ッファー層を形成し、次にＡｒ雰囲気中で５０ｎｍのＣ
ｒ下地層、３０ｎｍのCoCrPt磁性層、２０ｎｍのカーボ
ン保護膜を順次成膜した。

【０１２０】実施例４９ ３．５インチサイズのアモルファスポリオレフィン(AP
O)基板を射出成形により形成した。ＡＰＯ基板表面を酸
素圧力５mTorrの雰囲気中で２００ＷのＲＦで１分間プ
ラズマ処理した。この後ＤＣマグネトロンスパッタリン
グによりＡｒ＋Ｎ₂ガス雰囲気中で50ｎｍのＴｉＮ_xバッ
ファー層を形成し、次にＡｒ雰囲気中で５０ｎｍのＣｒ
下地層、３０ｎｍのCoCrPt磁性層、２０ｎｍのカーボン
保護膜を順次成膜した。

【０１２１】実施例５０ ３．５インチサイズのアモルファスポリオレフィン(AP
O)基板を射出成形により形成した。ＡＰＯ基板表面を酸
素圧力５mTorrの雰囲気中で２００ＷのＲＦで１分間プ
ラズマ処理した。この後ＤＣマグネトロンスパッタリン
グによりＡｒ＋Ｏ₂ガス雰囲気中で５０ｎｍのＳｉＯ_xバ
ッファー層を形成し、次にＡｒ雰囲気中で５０ｎｍのＣ
ｒ下地層、３０ｎｍのCoCrPt磁性層、２０ｎｍのカーボ
ン保護膜を順次成膜した。

【０１２２】実施例５１ ３．５インチサイズのアモルファスポリオレフィン(AP
O)基板を射出成形により形成した。ＡＰＯ基板表面を酸
素圧力５mTorrの雰囲気中で２００ＷのＲＦで１分間プ
ラズマ処理した。この後ＤＣマグネトロンスパッタリン
グによりＡｒ＋Ｎ₂ガス雰囲気中で５０ｎｍのＢＮ_xバッ
ファー層を形成し、次にＡｒ雰囲気中で５０ｎｍのＣｒ
下地層、３０ｎｍのCoCrPt磁性層、２０ｎｍのカーボン
保護膜を順次成膜した。

【０１２３】実施例５２ ３．５インチサイズのアモルファスポリオレフィン(AP
O)基板を射出成形により形成した。ＡＰＯ基板表面を酸
素圧力５mTorrの雰囲気中で２００ＷのＲＦで１分間プ
ラズマ処理した。この後ＤＣマグネトロンスパッタリン
グによりＡｒ＋ＣＨ₄ガス雰囲気中で５０ｎｍのＳｉＣ_x
バッファー層を形成し、次にＡｒ雰囲気中で５０ｎｍの
Ｃｒ下地層、３０ｎｍのCoCrPt磁性層、２０ｎｍのカー
ボン保護膜を順次成膜した。

【０１２４】実施例５３ ３．５インチサイズのアモルファスポリオレフィン(AP
O)基板を射出成形により形成した。ＡＰＯ基板表面を大
気中で１８４．９ｎｍの波長を有する紫外線で５分間照
射処理した。この後ＤＣマグネトロンスパッタリングに
よりＡｒガス雰囲気中で５０ｎｍのＣｒ下地層、３０ｎ
ｍのCoCrPt磁性層、２０ｎｍのカーボン保護膜を順次成
膜した。

【０１２５】実施例５４ ３．５インチサイズのアモルファスポリオレフィン(AP
O)基板を射出成形により形成した。ＡＰＯ基板表面を大
気中で１８４．９ｎｍの波長を有する紫外線で５分間照
射処理した。この後ＤＣマグネトロンスパッタリングに
よりＡｒガス雰囲気中で５０ｎｍのＳｉバッファー層、
５０ｎｍのＣｒ下地層、３０ｎｍのCoCrPt磁性層、２０
ｎｍのカーボン保護膜を順次成膜した。

【０１２６】実施例５５ ３．５インチサイズのアモルファスポリオレフィン(AP
O)基板を射出成形により形成した。ＡＰＯ基板表面を大
気中で１８４．９ｎｍの波長を有する紫外線で５分間照
射処理した。この後ＤＣマグネトロンスパッタリングに
よりＡｒガス雰囲気中で５０ｎｍのＢバッファー層、５
０ｎｍのＣｒ下地層、３０ｎｍのCoCrPt磁性層、２０ｎ
ｍのカーボン保護膜を順次成膜した。

【０１２７】実施例５６ ３．５インチサイズのアモルファスポリオレフィン(AP
O)基板を射出成形により形成した。ＡＰＯ基板表面を大
気中で１８４．９ｎｍの波長を有する紫外線で５分間照
射処理した。この後ＤＣマグネトロンスパッタリングに
よりＡｒ＋Ｎ₂ガス雰囲気中で５０ｎｍのＳｉＮ_xバッフ
ァー層、５０ｎｍのＣｒ下地層、３０ｎｍのCoCrPt磁性
層、２０ｎｍのカーボン保護膜を順次成膜した。

【０１２８】実施例５７ ３．５インチサイズのアモルファスポリオレフィン(AP
O)基板を射出成形により形成した。ＡＰＯ基板表面を大
気中で１８４．９ｎｍの波長を有する紫外線で５分間照
射処理した。この後ＤＣマグネトロンスパッタリングに
よりＡｒ＋Ｎ₂ガス雰囲気中で５０ｎｍのＴｉＮ_xバッフ
ァー層、５０ｎｍのＣｒ下地層、３０ｎｍのCoCrPt磁性
層、２０ｎｍのカーボン保護膜を順次成膜した。

【０１２９】実施例５８ ３．５インチサイズのアモルファスポリオレフィン(AP
O)基板を射出成形により形成した。ＡＰＯ基板表面を大
気中で１８４．９ｎｍの波長を有する紫外線で５分間照
射処理した。この後ＤＣマグネトロンスパッタリングに
よりＡｒ＋Ｎ₂ガス雰囲気中で５０ｎｍのＢＮ_Xバッファ
ー層、５０ｎｍのＣｒ下地層、３０ｎｍのCoCrPt磁性
層、２０ｎｍのカーボン保護膜を順次成膜した。

【０１３０】実施例５９ ３．５インチサイズのアモルファスポリオレフィン(AP
O)基板を射出成形により形成した。ＡＰＯ基板表面を大
気中で１８４．９ｎｍの波長を有する紫外線で５分間照
射処理した。この後ＤＣマグネトロンスパッタリングに
よりＡｒ＋Ｏ₂ガス雰囲気中で５０ｎｍのＳｉＯ_xバッフ
ァー層、５０ｎｍのＣｒ下地層、３０ｎｍのCoCrPt磁性
層、２０ｎｍのカーボン保護膜を順次成膜した。

【０１３１】実施例６０ ３．５インチサイズのアモルファスポリオレフィン(AP
O)基板を射出成形により形成した。ＡＰＯ基板表面を大
気中で１８４．９ｎｍの波長を有する紫外線で５分間照
射処理した。この後ＤＣマグネトロンスパッタリングに
よりＡｒ＋ＣＨ₄ガス雰囲気中で５０ｎｍのＳｉＣ_xバッ
ファー層、５０ｎｍのＣｒ下地層、３０ｎｍのCoCrPt磁
性層、２０ｎｍのカーボン保護膜を順次成膜した。

【０１３２】実施例６１ ３．５インチサイズのアモルファスポリオレフィン(AP
O)基板を射出成形により形成した。この射出形成時、溝
付きスタンパを用いてＡＰＯ基板にはデータトラックと
サーボトラックのプリピットがＡＰＯ基板表面に形成さ
れている。ＡＰＯ基板表面を大気中で１８４．９ｎｍの
波長を有する紫外線で５分間照射処理した。この後ＤＣ
マグネトロンスパッタリングによりＡｒガス雰囲気中で
５０ｎｍのＣｒ下地層、３０ｎｍのCoCrPt磁性層、２０
ｎｍのカーボン保護膜を順次成膜した。

【０１３３】実施例６２ ３．５インチサイズのアモルファスポリオレフィン(AP
O)基板を射出成形により形成した。この射出形成時、溝
付きスタンパを用いてＡＰＯ基板にはデータトラックと
サーボトラックのプリピットがＡＰＯ基板表面に形成さ
れている。ＡＰＯ基板表面を酸素圧力5mTorrの雰囲気中
で２００ＷのＲＦで１分間プラズマ処理した。この後Ｄ
ＣマグネトロンスパッタリングによりＡｒガス雰囲気中
で５０ｎｍのＣｒ下地層、３０ｎｍのCoCrPt磁性層、２
０ｎｍのカーボン保護膜を順次成膜した。

【０１３４】比較例１ ３．５インチサイズのアモルファスポリオレフィン(AP
O)基板を射出成形により形成した。その後ＤＣマグネト
ロンスパッタリングによりＡｒガス雰囲気中で、５０ｎ
ｍのＣｒ下地層、３０ｎｍのCoCrPt磁性層、２０ｎｍの
カーボン保護膜を順次成膜した。

【０１３５】実施例４３〜６２及び比較例１の試料表面
を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察した。その結果、実施
例４３〜６２の媒体表面にひび割れは観察できなかっ
た。一方、比較例1では長さ１．５μｍ、幅０．０５μ
ｍ程度のミミズ状のひび割れが多数媒体表面で観察され
た。

【０１３６】酸素プラズマ或いは紫外線照射処理する前
のＡＰＯ基板表面をＸ線光電子分光分析(XPS)で調べる
とＡＰＯ表面には酸素が殆ど存在しておらず、ＡＰＯの
表面は−ＣＨ₂−鎖のみで覆われている事が判った。一
方、酸素プラズマ或いは紫外線でＡＰＯ表面を処理した
後の表面をＸＰＳで分析すると１２．７〜２７．５at％
の酸素が検出された。従ってＡＰＯ表面を酸素プラズマ
或いは紫外線（波長１８４．９ｎｍ）で処理するとＡＰ
Ｏ表面に酸素を含んだ多くの官能基が生成し、金属、酸
化物、窒化物、ホウ化物、ケイ化物、炭化物等の無機物
との親和性と濡れ性が高まり、その結果それらの無機物
との接着力が増加して媒体表面にひび割れが発生する事
を抑制したものと考えられる。

【０１３７】実施例１〜９のアルキルアミン系潤滑剤と
実施例１０〜４１の常温で液体である潤滑剤をメチルイ
ソブチルケトン(MIBK)を溶媒に用い、下記の表１に示さ
れる組み合わせで潤滑剤溶液を調製した。 表１ 実施例No. アルキルアミン系潤滑剤 濃度(wt.%) 液体潤滑剤 濃度(wt.%) 63 実施例3 0.05 実施例10 0.03 64 実施例3 0.05 実施例15 0.03 65 実施例3 0.05 実施例17 0.03 66 実施例8 0.05 実施例10 0.03 67 実施例8 0.05 実施例15 0.03 68 実施例8 0.05 実施例17 0.03 69 実施例4 0.05 実施例10 0.03 70 実施例4 0.05 実施例15 0.03 71 実施例4 0.05 実施例17 0.03 72 実施例3 0.05 実施例18 0.03 73 実施例3 0.05 実施例21 0.03 74 実施例3 0.05 実施例23 0.03 75 実施例8 0.05 実施例18 0.03 76 実施例8 0.05 実施例21 0.03 77 実施例8 0.05 実施例23 0.03 78 実施例4 0.05 実施例18 0.03 79 実施例4 0.05 実施例21 0.03 80 実施例4 0.05 実施例23 0.03 81 実施例3 0.05 実施例24 0.03 82 実施例3 0.05 実施例25 0.03 83 実施例3 0.05 実施例28 0.03 84 実施例3 0.05 実施例29 0.03 85 実施例8 0.05 実施例24 0.03 86 実施例8 0.05 実施例25 0.03 87 実施例8 0.05 実施例28 0.03 88 実施例8 0.05 実施例29 0.03 89 実施例4 0.05 実施例24 0.03 90 実施例4 0.05 実施例25 0.03 91 実施例4 0.05 実施例28 0.03 92 実施例4 0.05 実施例30 0.03 93 実施例3 0.05 実施例29 0.03 94 実施例3 0.05 実施例36 0.03 95 実施例3 0.05 実施例38 0.03 96 実施例3 0.05 実施例40 0.03 97 実施例8 0.05 実施例32 0.03 98 実施例4 0.05 実施例32 0.03 99 実施例3 0.05 実施例32 0.03

【０１３８】比較例 実施例１〜９のアルキルアミン系潤滑剤単独或いは実施
例１０〜３５の常温で液体である潤滑剤単独をメチルイ
ソブチルケトン(MIBK)を溶媒に用い、下記の表２に示さ
れるの潤滑剤溶液を調製した。 表２ 比較例No. アルキルアミン系潤滑剤 濃度(wt.%) 液体潤滑剤 濃度(wt.%) 2 実施例3 0.05 無し -- 3 実施例8 0.05 無し -- 4 実施例4 0.05 無し -- 5 無し -- 実施例10 0.03 6 無し -- 実施例15 0.03 7 無し -- 実施例17 0.03 8 無し -- 実施例18 0.03 9 無し -- 実施例21 0.03 10 無し -- 実施例23 0.03 11 無し -- 実施例24 0.03 12 無し -- 実施例25 0.03 13 無し -- 実施例28 0.03 14 無し -- 実施例30 0.03 15 無し -- 実施例32 0.03

【０１３９】実施例１００ 実施例４３〜６２のカーボン保護膜表面を大気中で１８
４．９ｎｍの波長を有する紫外線で５分間照射処理し
た。その後、実施例６３〜９９の潤滑剤溶液を紫外線照
射処理したカーボン保護膜表面上にスピンコートした。
スピンコートは基板回転数１０００ｒｐｍ，液圧４ｋｇ
ｆ／ｃｍ²で３秒間コートし、その後過剰の潤滑剤溶液
を基板回転数３０００ｒｐｍで振り切った。

【０１４０】比較例１６ 実施例４３〜６２のカーボン保護膜表面に紫外線照射処
理する事無く実施例６３〜９９の潤滑剤溶液をカーボン
保護膜表面上にスピンコートした。スピンコートは基板
回転数１０００ｒｐｍ，液圧４ｋｇｆ／ｃｍ²で３秒間
コートし、その後過剰の潤滑剤溶液を基板回転数３００
０ｒｐｍで振り切った。

【０１４１】比較例１７ 実施例４３〜６２のカーボン保護膜表面を大気中で１８
４．９ｎｍの波長を有する紫外線で５分間照射処理し
た。その後、比較例２〜１５の潤滑剤溶液を紫外線照射
処理したカーボン保護膜表面上にスピンコートした。ス
ピンコートは基板回転数１０００ｒｐｍ，液圧４ｋｇｆ
／ｃｍ²で３秒間コートし、その後過剰の潤滑剤溶液を
基板回転数３０００ｒｐｍで振り切った。

【０１４２】実施例１０１ 実施例１００及び比較例１７のカーボン保護膜表面上の
余剰潤滑剤層をアセトンで３０秒間超音波洗浄した後、
カーボン保護膜表面の酸素と炭素の組成比（Ｏ／Ｃ）を
Ｘ線光電子分光分析(XPS)を用い検出角度４５度で測定
した。その結果、その組成比（Ｏ／Ｃ）は実施例９３及
び比較例１７のカーボン保護膜表面に於いて０．１以上
である事が確認された。

【０１４３】比較例１８ 比較例１６のカーボン保護膜表面上の余剰潤滑剤層をア
セトンで３０秒間超音波洗浄した後、カーボン保護膜表
面の酸素と炭素の組成比（Ｏ／Ｃ）をＸ線光電子分光分
析(XPS)を用い検出角度４５度で測定した。その結果、
その組成比（Ｏ／Ｃ）は保護膜表面に於いて全て０．１
未満である事が確認された。

【０１４４】実施例１０２ 実施例１００及び比較例１６〜１７の試料をＴｉＣ・Ａ
ｌ₂Ｏ₃コンポジットスライダを有する薄膜ヘッドを用い
てＣＳＳテストを行った。ＣＳＳテスト条件は３０℃，
８０％ＲＨの条件下で荷重３ｇｆに於いて１秒間でヘッ
ド／媒体間相対速度を７．５４ｍ／ｓに加速し、１秒間
相対速度７．５４ｍ／ｓで保持し、１秒間で減速停止
し、１秒間保持するＣＳＳ１サイクル４秒間のテストで
ある。

【０１４５】実施例１０３ 実施例１００及び比較例１６〜１７の試料をＴｉＣ・Ａ
ｌ₂Ｏ₃コンポジットスライダを有する薄膜ヘッドを用い
てＣＳＳテストを行った。ＣＳＳテスト条件は５５℃，
２０％ＲＨの条件下で荷重３ｇｆに於いて１秒間でヘッ
ド／媒体間相対速度を７．５４ｍ／ｓに加速し、１秒間
相対速度７．５４ｍ／ｓで保持し、１秒間で減速停止
し、１秒間保持するＣＳＳ１サイクル４秒間のテストで
ある。

【０１４６】実施例１０４ 実施例１０２（３０℃，８０％ＲＨ）のＣＳＳテストに
於けるディスク回転初期のスティクションの最大値とＣ
ＳＳ耐久性を下記の表３に示す。 表３ ３０℃，８０％ＲＨでのＣＳＳ特性 試料 スティクションの最大値(gf) CSS耐久性(Cycles) 実施例100 0.5〜1.5 ＞20,000 比較例16 1.5〜2.0 10,000〜15,000 比較例2 0.5〜1.5 ＞20,000 比較例3 0.5〜1.5 ＞20,000 比較例4 0.5〜1.5 ＞20,000 比較例5〜15 1.5〜2.0 3,000〜8,000

【０１４７】アルキルアミン系潤滑剤と常温で液体の潤
滑剤の２成分混合系潤滑剤であってもカーボン保護膜表
面を紫外線を照射しなかったり、カーボン保護膜表面を
紫外線照射処理してもアルキルアミン系潤滑剤が無く、
常温で液体である潤滑剤のみではスティクションが大き
く、ＣＳＳ耐久性が実施例１００の試料に比べて劣って
いる事が判る。またカーボン保護膜表面を紫外線照射処
理し、その上にアルキルアミン系潤滑剤のみを塗布した
試料に於いては３０℃，８０％ＲＨの環境下では実施例
１００の試料と同等なＣＳＳ特性を示す。

【０１４８】実施例１０５ 実施例１０３（５５℃，２０％ＲＨ）のＣＳＳテストに
於けるディスク回転初期のスティクションの最大値とＣ
ＳＳ耐久性を下記の表４に示す。 表４ ５５℃，２０％ＲＨでのＣＳＳ特性 試料 スティクションの最大値(gf) CSS耐久性(Cycles) 実施例100 0.3〜1.0 ＞20,000 比較例16 1.0〜1.5 15,000〜20,000 比較例2 2.0〜3.5 2,000 比較例3 2.0〜3.5 2,000 比較例4 2.0〜3.5 2,000 比較例5〜15 0.5〜1.5 5,000〜13,000

【０１４９】実施例１００の試料では環境が高温の５５
℃になってもスティクションは減少し、かつＣＳＳ耐久
性は３０℃の場合と同等である。５５℃でスティクショ
ンが減少するのは常温で液体の潤滑剤の粘度が高温時に
低下するためであると考えられる。高温時には常温で液
体の潤滑剤を有する比較例１６、比較例５〜１５の試料
に於いてもスティクションの減少とＣＳＳ耐久性の改善
が見られる。一方、３０℃で良好なＣＳＳ特性を示した
アルキルアミン系固体潤滑剤のみを有する比較例２〜４
は高温の５５℃でスティクションが増大し、ＣＳＳ耐久
性も低下している。これは従来技術で詳細に述べたよう
にアルキルアミン系潤滑剤がそれらの融点近傍で境界潤
滑性を消失するためである。

【０１５０】本発明によるカーボン保護膜表面を紫外線
で照射処理しその表面にアルキルアミン系固体潤滑剤と
常温で液体の潤滑剤の２成分系潤滑剤を有する試料では
３０℃，８０％ＲＨから５５℃，２０％ＲＨの広い温湿
度範囲に於いて良好なＣＳＳ特性を示す事が判る。

【０１５１】実施例１０６ ＴｉＣ・Ａｌ₂Ｏ₃コンポジットスライダ表面にプラズマ
ＣＶＤ法によりダイヤモンドライクカーボン保護膜を１
０ｎｍ成膜した。

【０１５２】実施例１０７ ＴｉＣ・Ａｌ₂Ｏ₃コンポジットスライダ表面にプラズマ
ＣＶＤ法によりダイヤモンドライクカーボン保護膜を１
０ｎｍ成膜した。次にこのＤＬＣ保護膜表面を１８４．
９ｎｍの波長を発生する低圧水銀ランプを用い大気中で
５分間紫外線照射処理した。カーボン保護膜表面の酸素
と炭素の組成比（Ｏ／Ｃ）をＸ線光電子分光分析(XPS)
を用い検出角度４５度で測定した。その結果、その組成
比（Ｏ／Ｃ）はカーボン保護膜表面に於いて０．１以上
である事が確認された。

【０１５３】実施例１０８ ＴｉＣ・Ａｌ₂Ｏ₃コンポジットスライダ表面にプラズマ
ＣＶＤ法によりダイヤモンドライクカーボン保護膜を１
０ｎｍ成膜した。次にこのＤＬＣ保護膜表面を１８４．
９ｎｍの波長を発生する低圧水銀ランプを用い大気中で
５分間紫外線照射処理した。この後、ＤＬＣ保護膜上に
ステアリルアミン（濃度：０．０５wt％、溶媒：メチル
イソブチルケトン）をスプレーコートした。カーボン保
護膜表面上の余剰潤滑剤層をアセトンで３０秒間超音波
洗浄した後、カーボン保護膜表面の酸素と炭素の組成比
（Ｏ／Ｃ）をＸ線光電子分光分析(XPS)を用い検出角度
４５度で測定した。その結果、その組成比（Ｏ／Ｃ）は
保護膜表面に於いて全て０．１以上である事が確認され
た。

【０１５４】実施例１０９ 実施例１００で得られた媒体を実施例１０６〜１０８の
磁気ヘッドスライダ及びＤＬＣ保護膜の無いＴｉＣ・Ａ
ｌ₂Ｏ₃コンポジットスライダを用いてＣＳＳテストを行
った。ＣＳＳテスト条件は５５℃，２０％ＲＨの条件下
で、ヘッド垂直荷重３．５ｇ、測定半径１９ｍｍにおい
て、３秒間でディスク回転数５４００ｒｐｍ、相対速度
１２．４ｍ／ｓに加速し、１０秒間浮上させ、６秒間で
減速停止させ、１１秒間休止することからなる１サイク
ル３０秒間の試験条件で行った。

【０１５５】実施例１１０ 表５にスティクションの最大値とＣＳＳ耐久性をまとめ
て示す。表から分かるように、磁気ヘッドスライダ上に
ＤＬＣ保護膜を設けること、更にそのＤＬＣ保護膜表面
を波長１８４．９ｎｍの紫外線で照射処理すること、更
にその後ＤＬＣ保護膜表面にアルキルアミン系潤滑剤を
塗布することによりＤＬＣ保護膜の無い磁気ヘッドスラ
イダに比較して特にスティクションが低下している事が
分かる。これは磁気ヘッドスライダ上にもカーボン系保
護膜であるＤＬＣを設けたため、摺動初期あるいは摺動
中にアルキルアミン系潤滑剤が磁気ヘッドスライダ表面
のＤＬＣに化学吸着し、図４に示したように液体潤滑剤
を介して炭化水素鎖同士の摩擦となったためと考えられ
る。 表５ ５５℃，２０％ＲＨでのＣＳＳ特性 ──────────────────────────────────── 媒 体 磁気ヘット゛スライタ゛ スティクションの最大値(gf) CSS耐久性(サイクル） 実施例100 TiC・Al₂O₃ 0.3〜1.0 >20,000 実施例100 実施例10６ 0.2〜0.8 >20,000 実施例100 実施例107 0.2〜0.6 >20,000 実施例100 実施例108 0.1〜0.4 >20,000 ────────────────────────────────────

【０１５６】実施例１１１ 厚さ６．３μｍのＰＥＴフィルムの表面にＣｏを酸素雰
囲気中で０．１５μｍの膜厚で斜め蒸着し、その後、Ｃ
₂Ｈ₄：６０ｍｌ／ｍｉｎ，Ｈ₂：１２０ｍｌ／ｍｉｎに
成膜用ガスを制御し、１３．５６ＭＨｚ，１ｋＷのＲＦ
電源を用いプラズマ重合法により磁性層上にＤＬＣ（ダ
イヤモンドライクカーボン）保護膜を２０ｎｍ成膜し
た。作製した媒体を８ｍｍ幅に裁断し磁気テープを得
た。この磁気テープのカーボン保護膜表面を大気中で１
８４．９ｎｍの波長を有する紫外線で５分間照射処理し
た。その後、実施例３のアミン（濃度０．０５wt％）と
実施例１０の液体潤滑剤（濃度０．０３wt％）とをメチ
ルイソブチルケトンを溶媒に用いて潤滑剤溶液を調製
し、この潤滑剤溶液を前記磁気テープに塗布した。

【０１５７】実施例１１２ 厚さ３．８μｍのアラミドフィルムの表面にＣｏを酸素
雰囲気中で０．１５μｍの膜厚で斜め蒸着し、その後、
Ｃ₂Ｈ₄：６０ｍｌ／ｍｉｎ，Ｈ₂：１２０ｍｌ／ｍｉｎ
に成膜用ガスを制御し、１３．５６ＭＨｚ，１ｋＷのＲ
Ｆ電源を用いプラズマ重合法により磁性層上にＤＬＣ
（ダイヤモンドライクカーボン）保護膜を２０ｎｍ成膜
した。作製した媒体を８ｍｍ幅に裁断し磁気テープを得
た。この磁気テープのカーボン保護膜表面を大気中で１
８４．９ｎｍの波長を有する紫外線で５分間照射処理し
た。その後、実施例３のアミン（濃度０．０５wt％）と
実施例１０の液体潤滑剤（濃度０．０３wt％）とをメチ
ルイソブチルケトンを溶媒に用いて潤滑剤溶液を調製
し、この潤滑剤溶液を前記磁気テープに塗布した。

【０１５８】実施例１１３ 厚さ６．０μｍのＰＥＮフィルムの表面にＣｏを酸素雰
囲気中で０．１５μｍの膜厚で斜め蒸着し、その後、Ｃ
₂Ｈ₄：６０ｍｌ／ｍｉｎ，Ｈ₂：１２０ｍｌ／ｍｉｎに
成膜用ガスを制御し、１３．５６ＭＨｚ，１ｋＷのＲＦ
電源を用いプラズマ重合法により磁性層上にＤＬＣ（ダ
イヤモンドライクカーボン）保護膜を２０ｎｍ成膜し
た。作製した媒体を８ｍｍ幅に裁断し磁気テープを得
た。この磁気テープのカーボン保護膜表面を大気中で１
８４．９ｎｍの波長を有する紫外線で５分間照射処理し
た。その後、実施例３のアミン（濃度０．０５wt％）と
実施例１０の液体潤滑剤（濃度０．０３wt％）とをメチ
ルイソブチルケトンを溶媒に用いて潤滑剤溶液を調製
し、この潤滑剤溶液を前記磁気テープに塗布した。

【０１５９】比較例１９ 厚さ６．３μｍのＰＥＴフィルムの表面にＣｏを酸素雰
囲気中で０．１５μｍの膜厚で斜め蒸着し、その後、Ｃ
₂Ｈ₄：６０ｍｌ／ｍｉｎ，Ｈ₂：１２０ｍｌ／ｍｉｎに
成膜用ガスを制御し、１３．５６ＭＨｚ，１ｋＷのＲＦ
電源を用いプラズマ重合法により磁性層上にＤＬＣ（ダ
イヤモンドライクカーボン）保護膜を２０ｎｍ成膜し
た。作製した媒体を８ｍｍ幅に裁断し磁気テープを得
た。この磁気テープのカーボン保護膜表面を大気中で１
８４．９ｎｍの波長を有する紫外線で５分間照射処理し
た。その後、実施例３のアミン（濃度０．０５wt％）を
メチルイソブチルケトンを溶媒に用いて潤滑剤溶液を調
製し、この潤滑剤溶液を前記磁気テープに塗布した。

【０１６０】実施例１１４ 実施例１１１〜実施例１１３及び比較例１９の試料を８
ｍｍＶＴＲを用いてスチル試験を行った。この際、シリ
ンダのモータ負荷電流と再生出力をモニターし、再生出
力が初期値の半分になる時間をスチル寿命とした。スチ
ル試験は５５℃、２０％ＲＨの条件下でテープ張力１
２．５ｇ／ｃｍ、ヘッド・テープ間相対速度１１．３ｍ
／秒の条件で行った。シリンダ負荷電流値及びスチル寿
命測定結果を表６に示す。 表６ ５５℃，２０％ＲＨでのスチル試験測定結果 試料 シリンダ負荷電流値(mA) スチル寿命(hr) 実施例111 ２５ ＞１５０ 実施例112 ２４ ＞１５０ 実施例113 ２５ ＞１５０ 比較例19 ６３ ０．５

【０１６１】実施例１１５ 常温で液体である潤滑剤は以下の化合物を使用した。 [FC₆H₄O]₂-(P₃N₃)-[OC₆H₄CF₃]₄

【０１６２】実施例１１６ 常温で液体である潤滑剤は以下の化合物を使用した。 [FC₆H₄O]₃-(P₃N₃)-[OC₆H₄CF₃]₃

【０１６３】実施例１１７ 常温で液体である潤滑剤は以下の化合物を使用した。 [FC₆H₄O]₄-(P₃N₃)-[OC₆H₄CF₃]₂

【０１６４】実施例１１８ 常温で液体である潤滑剤は以下の化合物を使用した。 (CF₃)₂CF(CF₂)₄CH₂C(H)(OCOC(CH₃)₂(C₆H₁₃))CH₂OCOC(CH
₃)₂(C₆H₁₃)

【０１６５】実施例１１９ 常温で液体である潤滑剤は以下の化合物を使用した。 (CF₃)₂CF(CF₂)₆CH₂C(H)(OCOC(CH₃)₂(C₆H₁₃))CH₂OCOC(CH
₃)₂(C₆H₁₃)

【０１６６】実施例１２０ 常温で液体である潤滑剤は以下の化合物を使用した。 F(CF₂)₆CH₂C(H)(OCOC(CH₃)₂(C₆H₁₃))CH₂OCOC(CH₃)₂(C₆H
₁₃)

【０１６７】実施例１２１ 常温で液体である潤滑剤は以下の化合物を使用した。 F(CF₂)₈CH₂C(H)(OCOC(CH₃)₂(C₆H₁₃))CH₂OCOC(CH₃)₂(C₆H
₁₃)

【０１６８】実施例１２２ 実施例１１５〜１２１の化合物は常温でイソプロピルア
ルコール、メチルイソブチルケトン及びノルマルヘプタ
ンに１．０wt％の濃度で可溶性であることが確認され
た。

【０１６９】実施例１２３ 半径１６．７６ｍｍ〜２０．７３ｍｍに、高さ３０ｎ
ｍ、見かけ上の面積割合０．５％のドット状テクスチャ
ゾーンを有する３．５インチサイズのアモルファスポリ
オレフィン（ＡＰＯ）基板を射出成型により成形した。
このＡＰＯ基板上にＤＣマグネトロンスパッタにより５
０ｎｍのＴｉバッファ層、５０ｎｍのＣｒＴｉ下地層、
１５ｎｍのＣｏＣｒＰｔ磁性層、１５ｎｍの窒素含有カ
ーボン保護膜を順次成膜した。

【０１７０】実施例１２４ 半径１６．７６ｍｍ〜２０．７３ｍｍに、高さ３０ｎ
ｍ、見かけ上の面積割合０．５％のドット状テクスチャ
ゾーンを有する３．５インチサイズのアモルファスポリ
オレフィン（ＡＰＯ）基板を射出成型により成形した。
このＡＰＯ基板上にＤＣマグネトロンスパッタにより５
０ｎｍのＳｉバッファ層、５０ｎｍのＣｒＴｉ下地層、
１５ｎｍのＣｏＣｒＰｔ磁性層、１５ｎｍの窒素含有カ
ーボン保護膜を順次成膜した。

【０１７１】実施例１２５ 半径１６．７６ｍｍ〜２０．７３ｍｍに、高さ３０ｎ
ｍ、見かけ上の面積割合０．５％のドット状テクスチャ
ゾーンを有する３．５インチサイズのアモルファスポリ
オレフィン（ＡＰＯ）基板を射出成型により成形した。
このＡＰＯ基板上にＤＣマグネトロンスパッタにより５
０ｎｍのＳｉＮｘバッファ層、５０ｎｍのＣｒＴｉ下地
層、１５ｎｍのＣｏＣｒＰｔ磁性層、１５ｎｍの窒素含
有カーボン保護膜を順次成膜した。

【０１７２】実施例１２６ 半径１６．７６ｍｍ〜２０．７３ｍｍに、高さ３０ｎ
ｍ、見かけ上の面積割合０．５％のドット状テクスチャ
ゾーンを有する３．５インチサイズのアモルファスポリ
オレフィン（ＡＰＯ）基板を射出成型により成形した。
このＡＰＯ基板上にＤＣマグネトロンスパッタにより５
０ｎｍのＴｉＮｘバッファ層、５０ｎｍのＣｒＴｉ下地
層、１５ｎｍのＣｏＣｒＰｔ磁性層、１５ｎｍの窒素含
有カーボン保護膜を順次成膜した。

【０１７３】実施例１２７ 半径１６．７６ｍｍ〜２０．７３ｍｍに、高さ３０ｎ
ｍ、見かけ上の面積割合０．５％のドット状テクスチャ
ゾーンを有する３．５インチサイズのアモルファスポリ
オレフィン（ＡＰＯ）基板を射出成型により成形した。
このＡＰＯ基板上にＤＣマグネトロンスパッタにより５
０ｎｍのＳｉと５０ｎｍのＴｉからなるバッファ層、５
０ｎｍのＣｒＴｉ下地層、１５ｎｍのＣｏＣｒＰｔ磁性
層、１５ｎｍの窒素含有カーボン保護膜を順次成膜し
た。

【０１７４】実施例１２８ 半径１６．７６ｍｍ〜２０．７３ｍｍに、高さ３０ｎ
ｍ、見かけ上の面積割合０．５％のドット状テクスチャ
ゾーンを有する３．５インチサイズのアモルファスポリ
オレフィン（ＡＰＯ）基板を射出成型により成形した。
このＡＰＯ基板上にＤＣマグネトロンスパッタにより５
０ｎｍのＳｉＮｘと５０ｎｍのＴｉからなるバッファ
層、５０ｎｍのＣｒＴｉ下地層、１５ｎｍのＣｏＣｒＰ
ｔ磁性層、１５ｎｍの窒素含有カーボン保護膜を順次成
膜した。

【０１７５】実施例１２９ 半径１６．７６ｍｍ〜２０．７３ｍｍに、高さ３０ｎ
ｍ、見かけ上の面積割合０．５％のドット状テクスチャ
ゾーンを有する３．５インチサイズのアモルファスポリ
オレフィン（ＡＰＯ）基板を射出成型により成形した。
このＡＰＯ基板上にＤＣマグネトロンスパッタにより５
０ｎｍのＮｉＰｘバッファ層、５０ｎｍのＣｒＴｉ下地
層、１５ｎｍのＣｏＣｒＰｔ磁性層、１５ｎｍの窒素含
有カーボン保護膜を順次成膜した。

【０１７６】実施例１３０ 半径１６．７６ｍｍ〜２０．７３ｍｍに、高さ３０ｎ
ｍ、見かけ上の面積割合０．５％のドット状テクスチャ
ゾーンを有する３．５インチサイズのアモルファスポリ
オレフィン（ＡＰＯ）基板を射出成型により成形した。
このＡＰＯ基板上にＤＣマグネトロンスパッタにより５
０ｎｍのＮｉＰｘと５０ｎｍのＴｉからなるバッファ
層、５０ｎｍのＣｒＴｉ下地層、１５ｎｍのＣｏＣｒＰ
ｔ磁性層、１５ｎｍの窒素含有カーボン保護膜を順次成
膜した。

【０１７７】実施例１３１ 半径１６．７６ｍｍ〜２０．７３ｍｍに、高さ３０ｎ
ｍ、見かけ上の面積割合０．５％のドット状テクスチャ
ゾーンを有する３．５インチサイズのアモルファスポリ
オレフィン（ＡＰＯ）基板を射出成型により成形した。
このＡＰＯ基板上にＤＣマグネトロンスパッタにより５
０ｎｍのＭｏと５０ｎｍのＴｉからなるバッファ層、５
０ｎｍのＣｒＴｉ下地層、１５ｎｍのＣｏＣｒＰｔ磁性
層、１５ｎｍの窒素含有カーボン保護膜を順次成膜し
た。

【０１７８】実施例１３２〜実施例１４０ 実施例１２３〜実施例１３１におけるＡＰＯ基板の代わ
りに、射出成型により成形したポリカーボネート基板を
使用したこと以外は、実施例１２３〜実施例１３１に述
べた条件と同一の条件で試料を作製した。

【０１７９】実施例１４１〜実施例１４９ 実施例１２３〜実施例１３１における窒素含有カーボン
保護膜の代わりに、水素含有カーボン保護膜を使用した
こと以外は、実施例１２３〜実施例１３１に述べた条件
と同一の条件で試料を作製した。

【０１８０】実施例３のアルキルアミン潤滑剤と実施例
１１５〜１２１の液体潤滑剤をメチルイソブチルケトン
を溶媒に用い、下記の表７に示される組み合わせで潤滑
剤溶液を調製した。 表７ 実施例No. アルキルアミン系潤滑剤 濃度(wt.%) 液体潤滑剤 濃度(wt.%) 150 実施例3 0.05 実施例115 0.05 151 実施例3 0.05 実施例116 0.05 152 実施例3 0.05 実施例117 0.05 153 実施例3 0.05 実施例118 0.05 154 実施例3 0.05 実施例119 0.05 155 実施例3 0.05 実施例120 0.05 156 実施例3 0.05 実施例121 0.05

【０１８１】比較例２０〜２７ 実施例３のアルキルアミン系潤滑剤単独、或いは実施例
１１５〜実施例１２１の常温で液体である潤滑剤単独
を、メチルイソブチルケトン溶媒を用いて、下記の表８
に示される潤滑剤溶液を調製した。 表８ 比較例No. アルキルアミン系潤滑剤 濃度(wt.%) 液体潤滑剤 濃度(wt.%) 20 実施例3 0.05 ---- -- 21 --- -- 実施例115 0.05 22 --- -- 実施例116 0.05 23 --- -- 実施例117 0.05 24 --- -- 実施例118 0.05 25 --- -- 実施例119 0.05 26 --- -- 実施例120 0.05 27 --- -- 実施例121 0.05

【０１８２】実施例１５７ 実施例１２３〜実施例１４９のカーボン系保護膜表面を
大気中で波長１８４．９ｎｍの紫外線を発生する低圧水
銀ランプで５分間照射処理した。その後、実施例１５０
〜実施例１５６の潤滑剤溶液を紫外線照射処理したカー
ボン系保護膜表面にスピンコートした。スピンコート条
件は吐出半径２２．５ｍｍ、液圧４ｋｇ／ｃｍ²、基板
回転数１０００ｒｐｍで３秒間吐出し、その後、過剰の
潤滑剤溶液を基板回転数３０００ｒｐｍで３秒間振り切
った。

【０１８３】比較例２８ 実施例１２３〜実施例１４９のカーボン系保護膜表面を
紫外線照射することなく、実施例１５０〜実施例１５６
の潤滑剤溶液をカーボン系保護膜表面にスピンコートし
た。スピンコート条件は吐出半径２２．５ｍｍ、液圧４
ｋｇ／ｃｍ²、基板回転数１０００ｒｐｍで３秒間吐出
し、その後、過剰の潤滑剤溶液を基板回転数３０００ｒ
ｐｍで３秒間振り切った。

【０１８４】比較例２９ 実施例１２３〜実施例１４９のカーボン系保護膜表面を
大気中で波長１８４．９ｎｍの紫外線を発生する低圧水
銀ランプで５分間照射処理した。その後、比較例２０〜
２７の潤滑剤溶液を紫外線照射処理したカーボン系保護
膜表面にスピンコートした。スピンコート条件は吐出半
径２２．５ｍｍ、液圧４ｋｇ／ｃｍ²、基板回転数１０
００ｒｐｍで３秒間吐出し、その後、過剰の潤滑剤溶液
を基板回転数３０００ｒｐｍで３秒間振り切った。

【０１８５】実施例１５８ 実施例１５７及び比較例２９のカーボン系保護膜表面の
余剰潤滑剤をアセトンで３０秒間超音波洗浄した後、カ
ーボン系保護膜表面の酸素と炭素の組成比（Ｏ／Ｃ）を
Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ）を用い、検出角４５度で
測定した。その結果、その組成比（Ｏ／Ｃ）は実施例１
５７及び比較例２９のカーボン系保護膜表面において、
０．１以上であることが確認された。

【０１８６】比較例３０ 比較例２８のカーボン系保護膜表面の余剰潤滑剤をアセ
トンで３０秒間超音波洗浄した後、カーボン系保護膜表
面の酸素と炭素の組成比（Ｏ／Ｃ）をＸ線光電子分光分
析（ＸＰＳ）を用い、検出角４５度で測定した。その結
果、その組成比（Ｏ／Ｃ）は０．１未満であることが確
認された。

【０１８７】実施例１５９ 実施例１２３〜実施例１４９のカーボン系保護膜表面を
酸素圧力３ｍＴｏｒｒの雰囲気中で１３．５６ＭＨｚの
高周波電源を用いて１０秒間酸素プラズマ処理した。そ
の後、実施例１５０〜実施例１５６の潤滑剤溶液を酸素
プラズマ処理したカーボン系保護膜表面にスピンコート
した。スピンコート条件は吐出半径２２．５ｍｍ、液圧
４ｋｇ／ｃｍ²、基板回転数１０００ｒｐｍで３秒間吐
出し、その後、過剰の潤滑剤溶液を基板回転数３０００
ｒｐｍで３秒間振り切った。

【０１８８】実施例１６０ 実施例１５９のカーボン系保護膜表面の余剰潤滑剤をア
セトンで３０秒間超音波洗浄した後、カーボン系保護膜
表面の酸素と炭素の組成比（Ｏ／Ｃ）をＸ線光電子分光
分析（ＸＰＳ）を用い、検出角４５度で測定した。その
結果、その組成比（Ｏ／Ｃ）は０．１以上であることが
確認された。

【０１８９】実施例１６１ 実施例１５７、比較例２８〜２９及び実施例１５９の試
料を、ＴｉＣ・Ａｌ₂Ｏ₃コンポジットスライダを有する
薄膜ヘッドを用いてＣＳＳ(Contact Start and Stop)試
験を行った。ＣＳＳ試験は、３０℃、８０％ＲＨの環境
下、ヘッド垂直荷重３．５ｇ、測定半径１９ｍｍにおい
て、３秒間でディスク回転数５４００ｒｐｍ、相対速度
１２．４ｍ／ｓに加速し、１０秒間浮上させ、６秒間で
減速停止させ、１１秒間休止することからなる１サイク
ル３０秒間の試験条件で行った。なお、実施例１２３〜
１４９に用いたプラスチック基板は、半径１６．７６ｍ
ｍ〜２０．７３ｍｍの範囲に、高さ３０ｎｍ、見かけ上
の面積割合０．５％のドット状テクスチャゾーンを有し
ていた。

【０１９０】実施例１６２ 実施例１５７、比較例２８〜２９及び実施例１５９の試
料を、ＴｉＣ・Ａｌ₂Ｏ₃コンポジットスライダを有する
薄膜ヘッドを用いてＣＳＳ(Contact Start and Stop)試
験を行った。ＣＳＳ試験は、５５℃、２０％ＲＨの環境
下、ヘッド垂直荷重３．５ｇ、測定半径１９ｍｍにおい
て、３秒間でディスク回転数５４００ｒｐｍ、相対速度
１２．４ｍ／ｓに加速し、１０秒間浮上させ、６秒間で
減速停止させ、１１秒間休止することからなる１サイク
ル３０秒間の試験条件で行った。なお、実施例１２１〜
１４７に用いたプラスチック基板は、半径１６．７６ｍ
ｍ〜２０．７３ｍｍの範囲に、高さ３０ｎｍ、見かけ上
の面積割合０．５％のドット状テクスチャゾーンを有し
ていた。

【０１９１】実施例１６３ 実施例１６１（３０℃、８０％ＲＨ）のＣＳＳ試験にお
けるディスク回転初期のスティクションの最大値とＣＳ
Ｓ耐久性の結果を下記の表９に要約して示す。 表９ ３０℃，８０％ＲＨでのＣＳＳ特性 試 料 スティクションの最大値(gf) CSS耐久性(Cycles) 実施例157 0.9〜1.5 >20000 比較例28 1.5〜2.0 10000〜15000 比較例29（潤滑剤：比較例20） 1.5 >20000 比較例29（潤滑剤：比較例21） 2.0 10000 比較例29（潤滑剤：比較例22） 2.0 10000 比較例29（潤滑剤：比較例23） 2.0 10000 比較例29（潤滑剤：比較例24） 3.5 2000 比較例29（潤滑剤：比較例25） 3.5 2000 比較例29（潤滑剤：比較例26） 3.5 2000 比較例29（潤滑剤：比較例27） 3.5 2000 実施例159 0.9〜1.5 >20000

【０１９２】前記の表９に示された結果から、アルキル
アミン系潤滑剤と常温で液体の２成分混合系潤滑剤であ
っても、カーボン系保護膜表面を紫外線照射処理或いは
酸素プラズマ処理しなかったり、カーボン系保護膜表面
を紫外線処理してもアルキルアミン系潤滑剤が無く、常
温で液体である潤滑剤のみではスティクション が大き
く、ＣＳＳ耐久性が実施例１５７及び１５９に比べて劣
っていることが分かる。また、カーボン系保護膜表面を
紫外線処理し、その上にアルキルアミン系潤滑剤のみを
塗布した試料の場合、３０℃、８０％ＲＨの環境下で
は、実施例１５７及び１５９と同等なＣＳＳ特性を示
す。

【０１９３】実施例１６４ 実施例１６２（５５℃、２０％ＲＨ）のＣＳＳ試験にお
けるディスク回転初期のスティクションの最大値とＣＳ
Ｓ耐久性の結果を下記の表１０に要約して示す。 表１０ ５５℃，２０％ＲＨでのＣＳＳ特性 試 料 スティクションの最大値(gf) CSS耐久性(Cycles) 実施例157 0.5〜1.2 >20000 比較例28 1.0〜1.5 5000〜10000 比較例29（潤滑剤：比較例20） 3.5 7000 比較例29（潤滑剤：比較例21） 1.5 5000 比較例29（潤滑剤：比較例22） 1.5 5000 比較例29（潤滑剤：比較例23） 1.5 5000 比較例29（潤滑剤：比較例24） 2.0 200 比較例29（潤滑剤：比較例25） 2.0 200 比較例29（潤滑剤：比較例26） 2.0 2000 比較例29（潤滑剤：比較例27） 2.0 2000 実施例15９ 0.5〜1.2 >20000

【０１９４】表１０に示された結果から明らかなよう
に、実施例１５７及び実施例１５９の試料では、試験環
境が高温の５５℃になっても、スティクションは減少
し、かつ、ＣＳＳ耐久性は３０℃の場合と同等である。
５５℃でスティクションが減少する原因は、常温で液体
である潤滑剤の粘度が高温時に低下するためであると考
えられる。一方、３０℃で良好なＣＳＳ特性を示したア
ルキルアミン潤滑剤のみを有する比較例２９（潤滑剤：
比較例２０）は高温の５５℃でスティクションが増大
し、ＣＳＳ耐久性も低下している。これは従来技術で詳
細に述べたように、アルキルアミン潤滑剤がそれらの融
点近傍で境界潤滑性を喪失するためである。

【０１９５】従って、本発明によるカーボン系保護膜
を、酸素を含む環境下で紫外線照射処理又はプラズマ処
理し、その表面にアルキルアミン系潤滑剤と常温で液体
である潤滑剤からなる２成分系潤滑剤を有する試料で
は、３０℃、８０％ＲＨから５５℃、２０％ＲＨの広い
温湿度範囲において良好なＣＳＳ特性を示すことが理解
できる。

【０１９６】

【発明の効果】本発明によるカーボン保護膜表面を紫外
線で照射処理しその表面にアルキルアミン系固体潤滑剤
と常温で液体の潤滑剤の２成分系潤滑剤塗布した試料で
は３０℃，８０％ＲＨから５５℃，２０％ＲＨの広い温
湿度範囲に於いて良好なＣＳＳ特性を示す。また２成分
系潤滑剤の各々が安価な汎用性溶媒に可溶である事か
ら、従来のパーフルオロポリエーテル系潤滑剤の場合の
ように高価なパーフルオロアルキル系の溶媒を使用する
必要がなく媒体製造のコストを大きく低減できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の使用状態を示す模式的
断面図であり、（Ａ）は３０℃，８０％ＲＨ程度の状態
における使用状態を示す模式的断面図であり、（Ｂ）は
５５℃，２０％ＲＨ程度の状態における使用状態を示す
模式的断面図である。

【図２】本発明の磁気記録媒体の別の実施例を示す模式
的断面図である。

【図３】本発明の磁気記録媒体の他の実施例を示す模式
的断面図である。

【図４】本発明の磁気記録媒体と本発明の磁気ヘッドと
を組合わせた使用状態を示す模式的断面図である。

【符号の説明】

１ 非磁性基体 ３ 磁性層 ５ カーボン系保護膜 ７ アルキルアミン系固体潤滑剤 ９ 変性パーフルオロポリエーテル系液体潤滑剤 １１ 磁気ヘッド １３ 無機バッファ層 １５ クロム合金下地層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｇ１１Ｂ 5/84 Ｇ１１Ｂ 5/84 Ｂ // Ｃ０１Ｂ 31/02 １０１ Ｃ０１Ｂ 31/02 １０１Ｚ Ｃ１０Ｎ 40:18 (72)発明者 麿 毅 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 安達 和慶 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 藤本 由紀枝 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内 (72)発明者 荒木 立夫 大阪府茨木市丑寅一丁目１番88号 日立マ クセル株式会社内

Claims (138)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性基体上に、非磁性無機バッファー
   層を介すか介さないかして、また、非磁性クロム合金下
   地層を介すか介さないかして、コバルト系磁性層を設け
   この上に少なくともカーボンを含むカーボン系保護膜を
   設けた薄膜磁気記録媒体に於いて、 前記カーボン系保護膜は、その表面に少なくともカルボ
   キシル基を有し、該表面の酸素と炭素の組成比（Ｏ／Ｃ
   比）が０．１以上であり、 前記カーボン系保護膜上に、分子末端に少なくともアミ
   ノ基[-NH₂]或いはN,N-ジメチルアミノ基[-N(CH₃)₂]を有
   するアルキルアミン系潤滑剤と常温で液体である潤滑剤
   から成る２成分の潤滑剤を潤滑層として有しており、 前記カーボン系保護膜表面のカルボキシル基と前記アル
   キルアミン系固体潤滑剤のアミノ基とが化学結合により
   結合されていることを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 非磁性基体がＰＥＴ，ＰＥＮ及びアラミ
   ドからなる群から選択され、コバルト系性層がＣｏ−Ｃ
   ｏＯ磁性層である請求項１の磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 非磁性基体がポリカーボネイト、アモル
   ファスポリオレフィン、ポリエーテルイミド、ポリエー
   テルスルフォン、フェノール樹脂から選ばれる高分子プ
   ラスチックであり、この高分子プラスチック上に案内溝
   とピット、もしくは、案内溝又はピットの何れかが形成
   されている請求項１の磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 非磁性基体がポリカーボネイト、アモル
   ファスポリオレフィン、ポリエーテルイミド、ポリエー
   テルスルフォン、フェノール樹脂を射出成型したもので
   あり、その基板内周部に高さ１５〜４０ｎｍ、見かけの
   面積割合０．１〜５．０％のドット状テクスチャーゾー
   ンが形成されていることを特徴とする請求項１の磁気記
   録媒体。
5. 【請求項５】 前記アルキルアミン系潤滑剤が常温で固
   体である事を特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
6. 【請求項６】 前記アルキルアミン系潤滑剤の炭素数が
   １０以上である事を特徴とする請求項１又は５の磁気記
   録媒体。
7. 【請求項７】 前記アルキルアミン系潤滑剤が下式、 C_aH_2a+1NH₂ 又はC_aH_2a+1N(CH₃)₂ （式中、ａは１０以上の整数である）で示される飽和ア
   ルキルアミンである事を特徴とする請求項１、５又は６
   の磁気記録媒体。
8. 【請求項８】 前記アルキルアミン系潤滑剤が下式、 F(CF₂)_b(CH₂)_cNH₂ 又はF(CF₂)_b(CH₂)_cN(CH₃)₂ （式中、ｂ及びｃはｂ≧１、ｃ≧１であり、かつｂ＋ｃ
   ≧１０を満足する整数である）で示される部分フッ素化
   飽和アルキルアミンである事を特徴とする請求項１、５
   又は６の磁気記録媒体。
9. 【請求項９】 常温で液体である潤滑剤がパーフルオロ
   ポリエーテルの片末端或いは両末端にエーテル結合或い
   はアミド結合或いはエステル結合を介して炭素数４以上
   の飽和もしくは不飽和炭化水素鎖を結合させた変性パー
   フルオロポリエーテルから成る事を特徴とする請求項１
   の磁気記録媒体。
10. 【請求項１０】 常温で液体である潤滑剤がパーフルオ
    ロポリエーテルの片末端或いは両末端にエーテル結合或
    いはアミド結合或いはエステル結合を介して炭素数４以
    上の飽和もしくは不飽和含酸素炭化水素鎖を結合させた
    変性パーフルオロポリエーテルから成る事を特徴とする
    請求項１の磁気記録媒体。
11. 【請求項１１】 常温で液体である潤滑剤がパーフルオ
    ロポリエーテルの片末端或いは両末端にエーテル結合或
    いはアミド結合或いはエステル結合を介して炭素数4以
    上の分岐状炭化水素を結合させた変性パーフルオロポリ
    エーテルから成る事を特徴とする請求項１の磁気記録媒
    体。
12. 【請求項１２】 常温で液体である変性パーフルオロポ
    リエーテルの主鎖が-(CF₂CF₂CF₂O)_d-，-(CF₂O)_e-(CF₂CF
    ₂O)_f-又は-(C(CF₃)FCF₂O)_g-（式中、ｄ及びｇは１０以
    上の整数であり、ｅ及びｆは１以上であり、かつｅ＋ｆ
    ≧１０を満足する整数である）で構成されている事を特
    徴とする請求項９、１０又は１１の磁気記録媒体。
13. 【請求項１３】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素の片末端もしくは両末端に炭素数
    ６以上の部分フッ素化飽和アルキルをエーテル結合或い
    はエステル結合或いはアミド結合で連結した化合物であ
    る事を特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
14. 【請求項１４】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の部分フッ素化飽和アルキルの両末端に炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエステル結
    合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特徴と
    する請求項１の磁気記録媒体。
15. 【請求項１５】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の部分フッ素化飽和アルキルの両末端もしくは片末
    端に炭素数１０以上の分岐状炭化水素をエーテル結合或
    いはエステル結合或いはアミド結合で連結した化合物で
    ある事を特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
16. 【請求項１６】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の飽和炭化水素の片末端もしくは両末端に炭素数１
    ０以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエステル
    結合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特徴
    とする請求項１の磁気記録媒体。
17. 【請求項１７】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素の両末端もしくは片末端に炭素数
    １０以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエステ
    ル結合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特
    徴とする請求項１の磁気記録媒体。
18. 【請求項１８】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素の両末端に炭素数１０以上の飽和
    炭化水素をエーテル結合或いはエステル結合或いはアミ
    ド結合で連結した化合物である事を特徴とする請求項１
    の磁気記録媒体。
19. 【請求項１９】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の飽和炭化水素の両末端或いは片末端に炭素数４以
    上の分岐状炭化水素をエーテル結合或いはエステル結合
    或いはアミド結合で連結した化合物である事を特徴とす
    る請求項１の磁気記録媒体。
20. 【請求項２０】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素の両末端或いは片末端に炭素数４
    以上の分岐状炭化水素をエーテル結合或いはエステル結
    合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特徴と
    する請求項１の磁気記録媒体。
21. 【請求項２１】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の部分フッ素化飽和アルキルの両末端或いは片末端
    に総炭素数４以上のポリエーテルをエーテル結合或いは
    エステル結合或いはアミド結合で連結した化合物である
    事を特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
22. 【請求項２２】 常温で液体である潤滑剤がジメチルポ
    リシロキサン［-(Si(CH₃)₂O)_h-（式中、ｈは６以上の整
    数である）］である事を特徴とする請求項１の磁気記録
    媒体。
23. 【請求項２３】 常温で液体である潤滑剤がジメチルポ
    リシロキサン中のメチル基の水素を部分的にフッ素もし
    くは部分フッ素化アルキルで置換したフッ素化ジメチル
    ポリシロキサン［-(Si(CF₃)₂O)_h-，-(Si(CF₃)(CH₃)O)_h-
    又は -(Si(C₂H₄C₆F₁₃)₂O)_h-（式中、ｈは６以上の整数
    である）］である事を特徴とする請求項１の磁気記録媒
    体。
24. 【請求項２４】 常温で液体である潤滑剤が下式、 CH₃(Si(CH₃)₂0)_n-Si(NH₂)₃，F(CF₂)_nCH₂-Si(NH₂)₃又は F(CF₂)_nCH₂CH₂-Si(NH₂)₃ （式中、ｎは６以上の整数である）で示される、末端に
    アミノ基を有する変性ジメチルポリシロキサンである事
    を特徴とする請求項１の磁気記録媒体。
25. 【請求項２５】 常温で液体である潤滑剤が下式、 [FC₆H₄O]_m-(P₃N₃)-[OC₆H₄CF₃]_6-m （式中、ｍは０〜６の整数である）で示される請求項１
    の磁気記録媒体。
26. 【請求項２６】 常温で液体である潤滑剤が下式、 (CF₃)₂CF(CF₂)_jCH₂CHOCORCH₂OCOR （式中、ｊは２〜１６の整数であり、Ｒは−ＣＲ₁Ｒ₂Ｒ
    ₃で示され、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃はそれぞれＣ_sＨ_2s+1，Ｃ_tＨ
    _2t+1及びＣ_uＨ_2u+1で示され、ｓ，ｔ及びｕはそれぞれ
    ｓ≧１，ｔ≧１及びｕ≧１であり、かつ、ｓ＋ｔ＋ｕ≧
    ８を満足する整数である）で示される請求項１の磁気記
    録媒体。
27. 【請求項２７】 常温で液体である潤滑剤が下式、 F(CF₂)_jCH₂CHOCORCH₂OCOR （式中、ｊは２〜１６の整数であり、Ｒは−ＣＲ₁Ｒ₂Ｒ
    ₃で示され、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃はそれぞれＣ_sＨ_2s+1，Ｃ_tＨ
    _2t+1及びＣ_uＨ_2u+1で示され、ｓ，ｔ及びｕはそれぞれ
    ｓ≧１，ｔ≧１及びｕ≧１であり、かつ、ｓ＋ｔ＋ｕ≧
    ８を満足する整数である）で示される請求項１の磁気記
    録媒体。
28. 【請求項２８】 アルキルアミン系潤滑剤及び常温で液
    体である潤滑剤の何れもが、汎用性溶媒であるエタノー
    ル、プロパノール、イソプロピルアルコール等のアルコ
    ール類或いはアセトン、メチルエチルケトン、メチルイ
    ソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類或いは
    ヘキサン、ペンタン、ヘプタン等の飽和アルキル類に可
    溶性である事を特徴とする請求項１又は５〜２７の何れ
    かの磁気記録媒体。
29. 【請求項２９】 非磁性基体上に、非磁性無機バッファ
    ー層を介すか介さないかして、また、非磁性クロム合金
    下地層を介すか介さないかして、コバルト系磁性層を設
    け、この上に少なくともカーボンを含むカーボン系保護
    膜を設けることからなる薄膜磁気記録媒体の製造方法に
    於いて、 前記カーボン系保護膜表面を、少なくとも酸素の存在す
    る雰囲気下で、１８４．９ｎｍの波長を含む紫外光で照
    射処理するか、又は少なくとも酸素の存在する雰囲気中
    でプラズマ処理することにより、該表面の酸素と炭素の
    組成比（Ｏ／Ｃ比）が０．１以上となるように該表面に
    少なくともカルボキシル基を生成させ、前記カーボン系
    保護膜上に、分子末端に少なくともアミノ基[-NH₂]或い
    はN,N-ジメチルアミノ基[-N(CH₃)₂]を有するアルキルア
    ミン系潤滑剤と常温で液体である潤滑剤から成る２成分
    の潤滑剤を塗布し、前記カーボン系保護膜表面のカルボ
    キシル基と前記アルキルアミン系固体潤滑剤のアミノ基
    とを化学結合させることにより潤滑層を形成することを
    特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
30. 【請求項３０】 非磁性基体がＰＥＴ，ＰＥＮ及びアラ
    ミドからなる群から選択され、コバルト系性層がＣｏ−
    ＣｏＯ磁性層である請求項２９の方法。
31. 【請求項３１】 非磁性基体がポリカーボネイト、アモ
    ルファスポリオレフィン、ポリエーテルイミド、ポリエ
    ーテルスルフォン、フェノール樹脂から選ばれる高分子
    プラスチックであり、この高分子プラスチック上に案内
    溝とピット、もしくは、案内溝又はピットの何れかが形
    成されている請求項２９の方法。
32. 【請求項３２】 非磁性基体がポリカーボネイト、アモ
    ルファスポリオレフィン、ポリエーテルイミド、ポリエ
    ーテルスルフォン、フェノール樹脂を射出成型したもの
    であり、その基板内周部に高さ１５〜４０ｎｍ、見かけ
    の面積割合０．１〜５．０％のドット状テクスチャーゾ
    ーンが形成されていることを特徴とする請求項２９の方
    法。
33. 【請求項３３】 前記アルキルアミン系潤滑剤をエタノ
    ール、プロパノール、イソプロピルアルコール等のアル
    コール類或いはアセトン、メチルエチルケトン、メチル
    イソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類或い
    はヘキサン、ペンタン、ヘプタン等の飽和アルキル類か
    ら選択される少なくとも１種類の汎用溶剤に溶解させて
    ０．００５wt％〜０．５０wt％の範囲内の濃度の潤滑剤
    溶液を調製し、前記常温で液体の潤滑剤をエタノール、
    プロパノール、イソプロピルアルコール等のアルコール
    類或いはアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
    チルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類或いはヘキ
    サン、ペンタン、ヘプタン等の飽和アルキル類から選択
    される少なくとも１種類の汎用溶剤に溶解させて０．０
    ０５wt％〜０．５０wt％の範囲内の濃度の潤滑剤溶液を
    調製し、これらの潤滑剤溶液をスピンコート法、ディッ
    プコート法又はスプレーコート法によりカーボン保護膜
    表面上に塗布するか、又は、前記アルキルアミン系潤滑
    剤及び前記常温で液体の潤滑剤を一緒に、エタノール、
    プロパノール、イソプロピルアルコール等のアルコール
    類或いはアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
    チルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類或いはヘキ
    サン、ペンタン、ヘプタン等の飽和アルキル類から選択
    される少なくとも１種類の汎用溶剤に溶解させて０．０
    ０５wt％〜０．５０wt％の範囲内の濃度の潤滑剤溶液を
    調製し、この潤滑剤溶液をスピンコート法、ディップコ
    ート法又はスプレーコート法によりカーボン保護膜表面
    上に塗布する事を特徴とする請求項２９の方法。
34. 【請求項３４】 前記アルキルアミン系潤滑剤が常温で
    固体である事を特徴とする請求項２９又は３３の方法。
35. 【請求項３５】 前記アルキルアミン系潤滑剤の炭素数
    が１０以上である事を特徴とする請求項２９、３３又は
    ３４の方法。
36. 【請求項３６】 前記アルキルアミン系潤滑剤が下式、 C_aH_2a+1NH₂ 又はC_aH_2a+1N(CH₃)₂ （式中、ａは１０以上の整数である）で示される飽和ア
    ルキルアミンである事を特徴とする請求項２９、３４ま
    たは３１の何れかの方法。
37. 【請求項３７】 前記アルキルアミン系潤滑剤が下式、 F(CF₂)_b(CH₂)_cNH₂ 又はF(CF₂)_b(CH₂)_cN(CH₃)₂ （式中、ｂ及びｃはｂ≧１、ｃ≧１であり、かつｂ＋ｃ
    ≧１０を満足する整数である）で示される部分フッ素化
    飽和アルキルアミンである事を特徴とする請求項２９、
    ３４または３１の何れかの方法。
38. 【請求項３８】 常温で液体である潤滑剤がパーフルオ
    ロポリエーテルの片末端或いは両末端にエーテル結合或
    いはアミド結合或いはエステル結合を介して炭素数４以
    上の飽和もしくは不飽和炭化水素鎖を結合させた変性パ
    ーフルオロポリエーテルから成る事を特徴とする請求項
    ２９の方法。
39. 【請求項３９】 常温で液体である潤滑剤がパーフルオ
    ロポリエーテルの片末端或いは両末端にエーテル結合或
    いはアミド結合或いはエステル結合を介して炭素数４以
    上の飽和もしくは不飽和含酸素炭化水素鎖を結合させた
    変性パーフルオロポリエーテルから成る事を特徴とする
    請求項２９の方法。
40. 【請求項４０】 常温で液体である潤滑剤がパーフルオ
    ロポリエーテルの片末端或いは両末端にエーテル結合或
    いはアミド結合或いはエステル結合を介して炭素数4以
    上の分岐状炭化水素を結合させた変性パーフルオロポリ
    エーテルから成る事を特徴とする請求項２９の方法。
41. 【請求項４１】 常温で液体である変性パーフルオロポ
    リエーテルの主鎖が-(CF₂CF₂CF₂O)_d-，-(CF₂O)_e-(CF₂CF
    ₂O)_f-又は-(C(CF₃)FCF₂O)_g-（式中、ｄ及びｇは１０以
    上の整数であり、ｅ及びｆは１以上であり、かつｅ＋ｆ
    ≧１０を満足する整数である）で構成されている事を特
    徴とする請求項３８〜４０の何れかの方法。
42. 【請求項４２】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素の片末端もしくは両末端に炭素数
    ６以上の部分フッ素化飽和アルキルをエーテル結合或い
    はエステル結合或いはアミド結合で連結した化合物であ
    る事を特徴とする請求項２９の方法。
43. 【請求項４３】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の部分フッ素化飽和アルキルの両末端に炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエステル結
    合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特徴と
    する請求項２９の方法。
44. 【請求項４４】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の部分フッ素化飽和アルキルの両末端もしくは片末
    端に炭素数１０以上の分岐状炭化水素をエーテル結合或
    いはエステル結合或いはアミド結合で連結した化合物で
    ある事を特徴とする請求項２９の方法。
45. 【請求項４５】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の飽和炭化水素の片末端もしくは両末端に炭素数１
    ０以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエステル
    結合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特徴
    とする請求項２９の方法。
46. 【請求項４６】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素の両末端もしくは片末端に炭素数
    １０以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエステ
    ル結合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特
    徴とする請求項２９の方法。
47. 【請求項４７】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素の両末端に炭素数１０以上の飽和
    炭化水素をエーテル結合或いはエステル結合或いはアミ
    ド結合で連結した化合物である事を特徴とする請求項２
    ９の方法。
48. 【請求項４８】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素の両末端或いは片末端に炭素数１
    ０以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエステル
    結合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特徴
    とする請求項２９の方法。
49. 【請求項４９】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素の両末端或いは片末端に炭素数４
    以上の分岐状炭化水素をエーテル結合或いはエステル結
    合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特徴と
    する請求項２９の方法。
50. 【請求項５０】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の部分フッ素化飽和アルキルの両末端或いは片末端
    に総炭素数４以上のポリエーテルをエーテル結合或いは
    エステル結合或いはアミド結合で連結した化合物である
    事を特徴とする請求項２９の方法。
51. 【請求項５１】 常温で液体である潤滑剤がジメチルポ
    リシロキサン［-(Si(CH₃)₂O)_h-（式中、ｈは６以上の整
    数である）］である事を特徴とする請求項２９の方法。
52. 【請求項５２】 常温で液体である潤滑剤がジメチルポ
    リシロキサン中のメチル基の水素を部分的にフッ素もし
    くは部分フッ素化アルキルで置換したフッ素化ジメチル
    ポリシロキサン［-(Si(CF₃)₂O)_h-，-(Si(CF₃)(CH₃)O)_h-
    又は -(Si(C₂H₄C₆F₁₃)₂O)_h-（式中、ｈは６以上の整数
    である）］である事を特徴とする請求項２９の方法。
53. 【請求項５３】 常温で液体である潤滑剤が下式、 CH₃(Si(CH₃)₂0)_n-Si(NH₂)₃，F(CF₂)_nCH₂-Si(NH₂)₃又は F(CF₂)_nCH₂CH₂-Si(NH₂)₃ （式中、ｎは６以上の整数である）で示される、末端に
    アミノ基を有する変性ジメチルポリシロキサンである事
    を特徴とする請求項２９の方法。
54. 【請求項５４】 常温で液体である潤滑剤が下式、 [FC₆H₄O]_m-(P₃N₃)-[OC₆H₄CF₃]_6-m （式中、ｍは０〜６の整数である）で示される請求項２
    ９の方法。
55. 【請求項５５】 常温で液体である潤滑剤が下式、 (CF₃)₂CF(CF₂)_jCH₂CHOCORCH₂OCOR （式中、ｊは２〜１６の整数であり、Ｒは−ＣＲ₁Ｒ₂Ｒ
    ₃で示され、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃はそれぞれＣ_sＨ_2s+1，Ｃ_tＨ
    _2t+1及びＣ_uＨ_2u+1で示され、ｓ，ｔ及びｕはそれぞれ
    ｓ≧１，ｔ≧１及びｕ≧１であり、かつ、ｓ＋ｔ＋ｕ≧
    ８を満足する整数である）で示される請求項２９の方
    法。
56. 【請求項５６】 常温で液体である潤滑剤が下式、 F(CF₂)_jCH₂CHOCORCH₂OCOR （式中、ｊは２〜１６の整数であり、Ｒは−ＣＲ₁Ｒ₂Ｒ
    ₃で示され、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃はそれぞれＣ_sＨ_2s+1，Ｃ_tＨ
    _2t+1及びＣ_uＨ_2u+1で示され、ｓ，ｔ及びｕはそれぞれ
    ｓ≧１，ｔ≧１及びｕ≧１であり、かつ、ｓ＋ｔ＋ｕ≧
    ８を満足する整数である）で示される請求項２９の方
    法。
57. 【請求項５７】 磁気記録媒体の読出／書込用磁気ヘッ
    ドにおいて、 該磁気ヘッドの摺動面には、スパッタカーボン、プラズ
    マCVDカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、水素含
    有カーボン、窒素含有カーボン又はシリコン含有カーボ
    ンからなるカーボン系保護膜が設けられており、 前記カーボン系保護膜は、その表面に少なくともカルボ
    キシル基を有し、該表面の酸素と炭素の組成比（Ｏ／Ｃ
    比）が０．１以上であり、 前記カーボン系保護膜上に少なくとも、分子末端に少な
    くともアミノ基[-NH₂]或いはN,N-ジメチルアミノ基[-N
    (CH₃)₂]を有するアルキルアミン系潤滑剤から成る潤滑
    層を有しており、 前記カーボン系保護膜表面のカルボキシル基と前記アル
    キルアミン系固体潤滑剤のアミノ基とが化学結合により
    結合されていることを特徴とする磁気ヘッド。
58. 【請求項５８】 前記アルキルアミン系潤滑剤が常温で
    固体である事を特徴とする請求項５７の磁気ヘッド。
59. 【請求項５９】 前記アルキルアミン系潤滑剤の炭素数
    が１０以上である事を特徴とする請求項５７又は５８の
    磁気ヘッド。
60. 【請求項６０】 前記アルキルアミン系潤滑剤が下式、 C_aH_2a+1NH₂ 又はC_aH_2a+1N(CH₃)₂ （式中、ａは１０以上の整数である）で示される飽和ア
    ルキルアミンである事を特徴とする請求項５７〜５９の
    何れかの磁気ヘッド。
61. 【請求項６１】 前記アルキルアミン系潤滑剤が下式、 F(CF₂)_b(CH₂)_cNH₂ 又はF(CF₂)_b(CH₂)_cN(CH₃)₂ （式中、ｂ及びｃはｂ≧１、ｃ≧１であり、かつｂ＋ｃ
    ≧１０を満足する整数である）で示される部分フッ素化
    飽和アルキルアミンである事を特徴とする請求項５７〜
    ５９の何れかの磁気ヘッド。
62. 【請求項６２】 前記潤滑層はアルキルアミン系潤滑剤
    の他に、常温で液体の潤滑剤を更に有する２成分系潤滑
    剤からなることを特徴とする請求項５７の磁気ヘッド。
63. 【請求項６３】 常温で液体である潤滑剤がパーフルオ
    ロポリエーテルの片末端或いは両末端にエーテル結合或
    いはアミド結合或いはエステル結合を介して炭素数４以
    上の飽和もしくは不飽和炭化水素鎖を結合させた変性パ
    ーフルオロポリエーテルから成る事を特徴とする請求項
    ６２の磁気ヘッド。
64. 【請求項６４】 常温で液体である潤滑剤がパーフルオ
    ロポリエーテルの片末端或いは両末端にエーテル結合或
    いはアミド結合或いはエステル結合を介して炭素数４以
    上の飽和もしくは不飽和含酸素炭化水素鎖を結合させた
    変性パーフルオロポリエーテルから成る事を特徴とする
    請求項６２の磁気ヘッド。
65. 【請求項６５】 常温で液体である潤滑剤がパーフルオ
    ロポリエーテルの片末端或いは両末端にエーテル結合或
    いはアミド結合或いはエステル結合を介して炭素数４以
    上の分岐状炭化水素を結合させた変性パーフルオロポリ
    エーテルから成る事を特徴とする請求項６２の磁気ヘッ
    ド。
66. 【請求項６６】 常温で液体である変性パーフルオロポ
    リエーテルの主鎖が-(CF₂CF₂CF₂O)_d-，-(CF₂O)_e-(CF₂CF
    ₂O)_f-又は-(C(CF₃)FCF₂O)_g-（式中、ｄ及びｇは１０以
    上の整数であり、ｅ及びｆは１以上であり、かつｅ＋ｆ
    ≧１０を満足する整数である）で構成されている事を特
    徴とする請求項６３〜６５の何れかの磁気ヘッド。
67. 【請求項６７】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素の片末端もしくは両末端に炭素数
    ６以上の部分フッ素化飽和アルキルをエーテル結合或い
    はエステル結合或いはアミド結合で連結した化合物であ
    る事を特徴とする請求項６２の磁気ヘッド。
68. 【請求項６８】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の部分フッ素化飽和アルキルの両末端に炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエステル結
    合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特徴と
    する請求項６２の磁気ヘッド。
69. 【請求項６９】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の部分フッ素化飽和アルキルの両末端もしくは片末
    端に炭素数１０以上の分岐状炭化水素をエーテル結合或
    いはエステル結合或いはアミド結合で連結した化合物で
    ある事を特徴とする請求項６２の磁気ヘッド。
70. 【請求項７０】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の飽和炭化水素の片末端もしくは両末端に炭素数１
    ０以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエステル
    結合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特徴
    とする請求項６２の磁気ヘッド。
71. 【請求項７１】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素の両末端もしくは片末端に炭素数
    １０以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエステ
    ル結合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特
    徴とする請求項６２の磁気ヘッド。
72. 【請求項７２】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素の両末端に炭素数１０以上の飽和
    炭化水素をエーテル結合或いはエステル結合或いはアミ
    ド結合で連結した化合物である事を特徴とする請求項６
    ２の磁気ヘッド。
73. 【請求項７３】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素の両末端或いは片末端に炭素数１
    ０以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエステル
    結合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特徴
    とする請求項６２の磁気ヘッド。
74. 【請求項７４】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素の両末端或いは片末端に炭素数４
    以上の分岐状炭化水素をエーテル結合或いはエステル結
    合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特徴と
    する請求項６２の磁気ヘッド。
75. 【請求項７５】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の部分フッ素化飽和アルキルの両末端或いは片末端
    に総炭素数４以上のポリエーテルをエーテル結合或いは
    エステル結合或いはアミド結合で連結した化合物である
    事を特徴とする請求項６２の磁気ヘッド。
76. 【請求項７６】 常温で液体である潤滑剤がジメチルポ
    リシロキサン［-(Si(CH₃)₂O)_h-（式中、ｈは６以上の整
    数である）］である事を特徴とする請求項６２の磁気ヘ
    ッド。
77. 【請求項７７】 常温で液体である潤滑剤がジメチルポ
    リシロキサン中のメチル基の水素を部分的にフッ素もし
    くは部分フッ素化アルキルで置換したフッ素化ジメチル
    ポリシロキサン［-(Si(CF₃)₂O)_h-，-(Si(CF₃)(CH₃)O)_h-
    又は -(Si(C₂H₄C₆F₁₃)₂O)_h-（式中、ｈは６以上の整数
    である）］である事を特徴とする請求項６２の磁気ヘッ
    ド。
78. 【請求項７８】 常温で液体である潤滑剤が下式、 CH₃(Si(CH₃)₂0)_n-Si(NH₂)₃，F(CF₂)_nCH₂-Si(NH₂)₃又は F(CF₂)_nCH₂CH₂-Si(NH₂)₃ （式中、ｎは６以上の整数である）で示される、末端に
    アミノ基を有する変性ジメチルポリシロキサンである事
    を特徴とする請求項６２の磁気ヘッド。
79. 【請求項７９】 常温で液体である潤滑剤が下式、 [FC₆H₄O]_m-(P₃N₃)-[OC₆H₄CF₃]_6-m （式中、ｍは０〜６の整数である）で示される請求項６
    ２の磁気ヘッド。
80. 【請求項８０】 常温で液体である潤滑剤が下式、 (CF₃)₂CF(CF₂)_jCH₂CHOCORCH₂OCOR （式中、ｊは２〜１６の整数であり、Ｒは−ＣＲ₁Ｒ₂Ｒ
    ₃で示され、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃はそれぞれＣ_sＨ_2s+1，Ｃ_tＨ
    _2t+1及びＣ_uＨ_2u+1で示され、ｓ，ｔ及びｕはそれぞれ
    ｓ≧１，ｔ≧１及びｕ≧１であり、かつ、ｓ＋ｔ＋ｕ≧
    ８を満足する整数である）で示される請求項６２の磁気
    ヘッド。
81. 【請求項８１】 常温で液体である潤滑剤が下式、 F(CF₂)_jCH₂CHOCORCH₂OCOR （式中、ｊは２〜１６の整数であり、Ｒは−ＣＲ₁Ｒ₂Ｒ
    ₃で示され、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃はそれぞれＣ_sＨ_2s+1，Ｃ_tＨ
    _2t+1及びＣ_uＨ_2u+1で示され、ｓ，ｔ及びｕはそれぞれ
    ｓ≧１，ｔ≧１及びｕ≧１であり、かつ、ｓ＋ｔ＋ｕ≧
    ８を満足する整数である）で示される請求項６２の磁気
    ヘッド。
82. 【請求項８２】 アルキルアミン系潤滑剤及び常温で液
    体である潤滑剤の何れもが、汎用性溶媒であるエタノー
    ル、プロパノール、イソプロピルアルコール等のアルコ
    ール類或いはアセトン、メチルエチルケトン、メチルイ
    ソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類或いは
    ヘキサン、ペンタン、ヘプタン等の飽和アルキル類に可
    溶性である事を特徴とする請求項６２〜７８の何れかの
    磁気ヘッド。
83. 【請求項８３】 磁気記録媒体の読出／書込用磁気ヘッ
    ドの製造方法において、 該磁気ヘッドの摺動面に、スパッタカーボン、プラズマ
    CVDカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、水素含有
    カーボン、窒素含有カーボン又はシリコン含有カーボン
    からなるカーボン系保護膜を設け、 前記カーボン系保護膜表面を、少なくとも酸素の存在す
    る雰囲気下で、１８４．９ｎｍの波長を含む紫外光で照
    射処理するか、又は少なくとも酸素の存在する雰囲気中
    でプラズマ処理することにより、該表面の酸素と炭素の
    組成比（Ｏ／Ｃ比）が０．１以上となるように該表面に
    少なくともカルボキシル基を生成させ、前記カーボン系
    保護膜上に少なくとも、分子末端に少なくともアミノ基
    [-NH₂]或いはN,N-ジメチルアミノ基[-N(CH₃)₂]を有する
    アルキルアミン系潤滑剤を塗布し、前記カーボン系保護
    膜表面のカルボキシル基と前記アルキルアミン系固体潤
    滑剤のアミノ基とを化学結合させることにより潤滑層を
    形成することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
84. 【請求項８４】 前記アルキルアミン系潤滑剤をエタノ
    ール、プロパノール、イソプロピルアルコール等のアル
    コール類或いはアセトン、メチルエチルケトン、メチル
    イソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類或い
    はヘキサン、ペンタン、ヘプタン等の飽和アルキル類か
    ら選択される少なくとも１種類の汎用溶剤に溶解させて
    ０．００５wt％〜０．５０wt％の範囲内の濃度の潤滑剤
    溶液を調製し、この潤滑剤溶液をスピンコート法、ディ
    ップコート法又はスプレーコート法によりカーボン保護
    膜表面上に塗布する事を特徴とする請求項８３の方法。
85. 【請求項８５】 前記アルキルアミン系潤滑剤が常温で
    固体である事を特徴とする請求項８３又は８４の方法。
86. 【請求項８６】 前記アルキルアミン系潤滑剤の炭素数
    が１０以上である事を特徴とする請求項８３〜８５の何
    れかの方法。
87. 【請求項８７】 前記アルキルアミン系潤滑剤が下式、 C_aH_2a+1NH₂ 又はC_aH_2a+1N(CH₃)₂ （式中、ａは１０以上の整数である）で示される飽和ア
    ルキルアミンである事を特徴とする請求項８３〜８６の
    何れかの方法。
88. 【請求項８８】 前記アルキルアミン系潤滑剤が下式、 F(CF₂)_b(CH₂)_cNH₂ 又はF(CF₂)_b(CH₂)_cN(CH₃)₂ （式中、ｂ及びｃはｂ≧１、ｃ≧１であり、かつｂ＋ｃ
    ≧１０を満足する整数である）で示される部分フッ素化
    飽和アルキルアミンである事を特徴とする請求項８３〜
    ８５の何れかの方法。
89. 【請求項８９】 アルキルアミン系潤滑剤の他に、常温
    で液体の潤滑剤を更に有する２成分系潤滑剤を塗布する
    ことにより潤滑層を形成することを特徴とする請求項８
    ３の方法。
90. 【請求項９０】 前記アルキルアミン系潤滑剤をエタノ
    ール、プロパノール、イソプロピルアルコール等のアル
    コール類或いはアセトン、メチルエチルケトン、メチル
    イソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類或い
    はヘキサン、ペンタン、ヘプタン等の飽和アルキル類か
    ら選択される少なくとも１種類の汎用溶剤に溶解させて
    ０．００５wt％〜０．５０wt％の範囲内の濃度の潤滑剤
    溶液を調製し、前記常温で液体の潤滑剤をエタノール、
    プロパノール、イソプロピルアルコール等のアルコール
    類或いはアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
    チルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類或いはヘキ
    サン、ペンタン、ヘプタン等の飽和アルキル類から選択
    される少なくとも１種類の汎用溶剤に溶解させて０．０
    ０５wt％〜０．５０wt％の範囲内の濃度の潤滑剤溶液を
    調製し、これらの潤滑剤溶液をスピンコート法、ディッ
    プコート法又はスプレーコート法によりカーボン保護膜
    表面上に塗布するか、又は、前記アルキルアミン系潤滑
    剤及び前記常温で液体の潤滑剤を一緒に、エタノール、
    プロパノール、イソプロピルアルコール等のアルコール
    類或いはアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
    チルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類或いはヘキ
    サン、ペンタン、ヘプタン等の飽和アルキル類から選択
    される少なくとも１種類の汎用溶剤に溶解させて０．０
    ０５wt％〜０．５０wt％の範囲内の濃度の潤滑剤溶液を
    調製し、この潤滑剤溶液をスピンコート法、ディップコ
    ート法又はスプレーコート法によりカーボン保護膜表面
    上に塗布する事を特徴とする請求項８９の方法。
91. 【請求項９１】 常温で液体である潤滑剤がパーフルオ
    ロポリエーテルの片末端或いは両末端にエーテル結合或
    いはアミド結合或いはエステル結合を介して炭素数４以
    上の飽和もしくは不飽和炭化水素鎖を結合させた変性パ
    ーフルオロポリエーテルから成る事を特徴とする請求項
    ８９の方法。
92. 【請求項９２】 常温で液体である潤滑剤がパーフルオ
    ロポリエーテルの片末端或いは両末端にエーテル結合或
    いはアミド結合或いはエステル結合を介して炭素数４以
    上の飽和もしくは不飽和含酸素炭化水素鎖を結合させた
    変性パーフルオロポリエーテルから成る事を特徴とする
    請求項８９の方法。
93. 【請求項９３】 常温で液体である潤滑剤がパーフルオ
    ロポリエーテルの片末端或いは両末端にエーテル結合或
    いはアミド結合或いはエステル結合を介して炭素数４以
    上の分岐状炭化水素を結合させた変性パーフルオロポリ
    エーテルから成る事を特徴とする請求項８９の方法。
94. 【請求項９４】 常温で液体である変性パーフルオロポ
    リエーテルの主鎖が-(CF₂CF₂CF₂O)_d-，-(CF₂O)_e-(CF₂CF
    ₂O)_f-又は-(C(CF₃)FCF₂O)_g-（式中、ｄ及びｇは１０以
    上の整数であり、ｅ及びｆは１以上であり、かつｅ＋ｆ
    ≧１０を満足する整数である）で構成されている事を特
    徴とする請求項９１〜９３の何れかの方法。
95. 【請求項９５】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素の片末端もしくは両末端に炭素数
    ６以上の部分フッ素化飽和アルキルをエーテル結合或い
    はエステル結合或いはアミド結合で連結した化合物であ
    る事を特徴とする請求項８９の方法。
96. 【請求項９６】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の部分フッ素化飽和アルキルの両末端に炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエステル結
    合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特徴と
    する請求項８９の方法。
97. 【請求項９７】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の部分フッ素化飽和アルキルの両末端もしくは片末
    端に炭素数１０以上の分岐状炭化水素をエーテル結合或
    いはエステル結合或いはアミド結合で連結した化合物で
    ある事を特徴とする請求項８９の方法。
98. 【請求項９８】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の飽和炭化水素の片末端もしくは両末端に炭素数１
    ０以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエステル
    結合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特徴
    とする請求項８９の方法。
99. 【請求項９９】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１０
    以上の不飽和炭化水素の両末端もしくは片末端に炭素数
    １０以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエステ
    ル結合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特
    徴とする請求項８９の方法。
100. 【請求項１００】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１
     ０以上の不飽和炭化水素の両末端に炭素数１０以上の飽
     和炭化水素をエーテル結合或いはエステル結合或いはア
     ミド結合で連結した化合物である事を特徴とする請求項
     ８９の方法。
101. 【請求項１０１】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１
     ０以上の不飽和炭化水素の両末端或いは片末端に炭素数
     １０以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエステ
     ル結合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特
     徴とする請求項８９の方法。
102. 【請求項１０２】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１
     ０以上の不飽和炭化水素の両末端或いは片末端に炭素数
     ４以上の分岐状炭化水素をエーテル結合或いはエステル
     結合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特徴
     とする請求項８９の方法。
103. 【請求項１０３】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１
     ０以上の部分フッ素化飽和アルキルの両末端或いは片末
     端に総炭素数４以上のポリエーテルをエーテル結合或い
     はエステル結合或いはアミド結合で連結した化合物であ
     る事を特徴とする請求項８９の方法。
104. 【請求項１０４】 常温で液体である潤滑剤がジメチル
     ポリシロキサン［-(Si(CH₃)₂O)_h-（式中、ｈは６以上の
     整数である）］である事を特徴とする請求項８９の方
     法。
105. 【請求項１０５】 常温で液体である潤滑剤がジメチル
     ポリシロキサン中のメチル基の水素を部分的にフッ素も
     しくは部分フッ素化アルキルで置換したフッ素化ジメチ
     ルポリシロキサン［-(Si(CF₃)₂O)_h-，-(Si(CF₃)(CH₃)O)
     _h-又は -(Si(C₂H₄C₆F₁₃)₂O)_h-（式中、ｈは６以上の整
     数である）］である事を特徴とする請求項８９の方法。
106. 【請求項１０６】 常温で液体である潤滑剤が下式、 CH₃(Si(CH₃)₂0)_n-Si(NH₂)₃，F(CF₂)_nCH₂-Si(NH₂)₃又は F(CF₂)_nCH₂CH₂-Si(NH₂)₃ （式中、ｎは６以上の整数である）で示される、末端に
     アミノ基を有する変性ジメチルポリシロキサンである事
     を特徴とする請求項８９の方法。
107. 【請求項１０７】 常温で液体である潤滑剤が下式、 [FC₆H₄O]_m-(P₃N₃)-[OC₆H₄CF₃]_6-m （式中、ｍは０〜６の整数である）で示される請求項８
     ９の方法。
108. 【請求項１０８】 常温で液体である潤滑剤が下式、 (CF₃)₂CF(CF₂)_jCH₂CHOCORCH₂OCOR （式中、ｊは２〜１６の整数であり、Ｒは−ＣＲ₁Ｒ₂Ｒ
     ₃で示され、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃はそれぞれＣ_sＨ_2s+1，Ｃ_tＨ
     _2t+1及びＣ_uＨ_2u+1で示され、ｓ，ｔ及びｕはそれぞれ
     ｓ≧１，ｔ≧１及びｕ≧１であり、かつ、ｓ＋ｔ＋ｕ≧
     ８を満足する整数である請求項８９の方法。
109. 【請求項１０９】 常温で液体である潤滑剤が下式、 F(CF₂)_jCH₂CHOCORCH₂OCOR （式中、ｊは２〜１６の整数であり、Ｒは−ＣＲ₁Ｒ₂Ｒ
     ₃で示され、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃はそれぞれＣ_sＨ_2s+1，Ｃ_tＨ
     _2t+1及びＣ_uＨ_2u+1で示され、ｓ，ｔ及びｕはそれぞれ
     ｓ≧１，ｔ≧１及びｕ≧１であり、かつ、ｓ＋ｔ＋ｕ≧
     ８を満足する整数である）で示される請求項８９の方
     法。
110. 【請求項１１０】 少なくとも、磁気記録媒体と磁気ヘ
     ッドを有する磁気記憶装置において、 前記磁気記録媒体は、非磁性基体上に、非磁性無機バッ
     ファー層を介すか介さないかして、また、非磁性クロム
     合金下地層を介すか介さないかして、コバルト系磁性層
     を有し、この上にスパッタカーボン、プラズマCVDカー
     ボン、ダイヤモンドライクカーボン、水素含有カーボ
     ン、窒素含有カーボン又はシリコン含有カーボンからな
     るカーボン系保護膜を有し、 前記カーボン系保護膜は、その表面に少なくともカルボ
     キシル基を有し、該表面の酸素と炭素の組成比（Ｏ／Ｃ
     比）が０．１以上であり、 前記カーボン系保護膜上に、分子末端に少なくともアミ
     ノ基[-NH₂]或いはN,N-ジメチルアミノ基[-N(CH₃)₂]を有
     するアルキルアミン系潤滑剤と常温で液体である潤滑剤
     から成る２成分の潤滑剤を潤滑層として有しており、 前記カーボン系保護膜表面のカルボキシル基と前記アル
     キルアミン系固体潤滑剤のアミノ基とが化学結合により
     結合されており、 前記磁気ヘッドは、その摺動面に、スパッタカーボン、
     プラズマCVDカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、
     水素含有カーボン、窒素含有カーボン又はシリコン含有
     カーボンからなるカーボン系保護膜を有し、 前記カーボン系保護膜は、その表面に少なくともカルボ
     キシル基を有し、該表面の酸素と炭素の組成比（Ｏ／Ｃ
     比）が０．１以上であり、 前記カーボン系保護膜上に少なくとも、分子末端に少な
     くともアミノ基[-NH₂]或いはN,N-ジメチルアミノ基[-N
     (CH₃)₂]を有するアルキルアミン系潤滑剤から成る潤滑
     層を有しており、 前記カーボン系保護膜表面のカルボキシル基と前記アル
     キルアミン系固体潤滑剤のアミノ基とが化学結合により
     結合されていることを特徴とする磁気記憶装置。
111. 【請求項１１１】 非磁性基体がポリカーボネイト、ア
     モルファスポリオレフィン、ポリエーテルイミド、ポリ
     エーテルスルフォン、フェノール樹脂から選ばれる高分
     子プラスチックであり、この高分子プラスチック上に案
     内溝とピット、もしくは、案内溝又はピットの何れかが
     形成されていることを特徴とする請求項９６の装置。
112. 【請求項１１２】 非磁性基体がポリカーボネイト、ア
     モルファスポリオレフィン、ポリエーテルイミド、ポリ
     エーテルスルフォン、フェノール樹脂を射出成型したも
     のであり、その基板内周部に高さ１５〜４０ｎｍ、見か
     けの面積割合０．１〜５．０％のドット状テクスチャー
     ゾーンが形成されていることを特徴とする請求項１１０
     の装置。
113. 【請求項１１３】 非磁性基体がＰＥＴ、ＰＥＮ及びア
     ラミドからなる群から選択され、Ｃｏ系磁性層がＣｏ−
     ＣｏＯ磁性層であることを特徴とする請求項１１０の装
     置。
114. 【請求項１１４】 前記カーボン系保護膜上の潤滑層は
     アルキルアミン系潤滑剤の他に、常温で液体の潤滑剤を
     更に有する２成分系潤滑剤からなることを特徴とする請
     求項１１０の装置。
115. 【請求項１１５】 前記アルキルアミン系潤滑剤が常温
     で固体である事を特徴とする請求項１１０の装置。
116. 【請求項１１６】 前記アルキルアミン系潤滑剤の炭素
     数が１０以上である事を特徴とする請求項１１０又は１
     １５の装置。
117. 【請求項１１７】 前記アルキルアミン系潤滑剤が下
     式、 C_aH_2a+1NH₂ 又はC_aH_2a+1N(CH₃)₂ （式中、ａは１０以上の整数である）で示される飽和ア
     ルキルアミンである事を特徴とする請求項１１０、１１
     ５又は１１６の装置。
118. 【請求項１１８】 前記アルキルアミン系潤滑剤が下
     式、 F(CF₂)_b(CH₂)_cNH₂ 又はF(CF₂)_b(CH₂)_cN(CH₃)₂ （式中、ｂ及びｃはｂ≧１、ｃ≧１であり、かつｂ＋ｃ
     ≧１０を満足する整数である）で示される部分フッ素化
     飽和アルキルアミンである事を特徴とする請求項１１
     ０、１１５又は１１６の装置。
119. 【請求項１１９】 常温で液体である潤滑剤がパーフル
     オロポリエーテルの片末端或いは両末端にエーテル結合
     或いはアミド結合或いはエステル結合を介して炭素数４
     以上の飽和もしくは不飽和炭化水素鎖を結合させた変性
     パーフルオロポリエーテルから成る事を特徴とする請求
     項１１０又は１１４の装置。
120. 【請求項１２０】 常温で液体である潤滑剤がパーフル
     オロポリエーテルの片末端或いは両末端にエーテル結合
     或いはアミド結合或いはエステル結合を介して炭素数４
     以上の飽和もしくは不飽和含酸素炭化水素鎖を結合させ
     た変性パーフルオロポリエーテルから成る事を特徴とす
     る請求項１１０又は１１４の装置。
121. 【請求項１２１】 常温で液体である潤滑剤がパーフル
     オロポリエーテルの片末端或いは両末端にエーテル結合
     或いはアミド結合或いはエステル結合を介して炭素数4
     以上の分岐状炭化水素を結合させた変性パーフルオロポ
     リエーテルから成る事を特徴とする請求項１１０又は１
     １４の装置。
122. 【請求項１２２】 常温で液体である変性パーフルオロ
     ポリエーテルの主鎖が-(CF₂CF₂CF₂O)_d-，-(CF₂O)_e-(CF₂
     CF₂O)_f-又は-(C(CF₃)FCF₂O)_g-（式中、ｄ及びｇは１０
     以上の整数であり、ｅ及びｆは１以上であり、かつｅ＋
     ｆ≧１０を満足する整数である）で構成されている事を
     特徴とする請求項１１９、１２０又は１２１の装置。
123. 【請求項１２３】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１
     ０以上の不飽和炭化水素の片末端もしくは両末端に炭素
     数６以上の部分フッ素化飽和アルキルをエーテル結合或
     いはエステル結合或いはアミド結合で連結した化合物で
     ある事を特徴とする請求項１１０又は１１４の装置。
124. 【請求項１２４】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１
     ０以上の部分フッ素化飽和アルキルの両末端に炭素数１
     ０以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエステル
     結合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特徴
     とする請求項１１０又は１１４の装置。
125. 【請求項１２５】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１
     ０以上の部分フッ素化飽和アルキルの両末端もしくは片
     末端に炭素数１０以上の分岐状炭化水素をエーテル結合
     或いはエステル結合或いはアミド結合で連結した化合物
     である事を特徴とする請求項１１０又は１１４の装置。
126. 【請求項１２６】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１
     ０以上の飽和炭化水素の片末端もしくは両末端に炭素数
     １０以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエステ
     ル結合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特
     徴とする請求項１１０又は１１４の装置。
127. 【請求項１２７】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１
     ０以上の不飽和炭化水素の両末端もしくは片末端に炭素
     数１０以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエス
     テル結合或いはアミド結合で連結した化合物である事を
     特徴とする請求項１１０又は１１４の装置。
128. 【請求項１２８】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１
     ０以上の不飽和炭化水素の両末端に炭素数１０以上の飽
     和炭化水素をエーテル結合或いはエステル結合或いはア
     ミド結合で連結した化合物である事を特徴とする請求項
     １１０又は１１４の装置。
129. 【請求項１２９】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１
     ０以上の不飽和炭化水素の両末端或いは片末端に炭素数
     １０以上の不飽和炭化水素をエーテル結合或いはエステ
     ル結合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特
     徴とする請求項１１０又は１１４の装置。
130. 【請求項１３０】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１
     ０以上の不飽和炭化水素の両末端或いは片末端に炭素数
     ４以上の分岐状炭化水素をエーテル結合或いはエステル
     結合或いはアミド結合で連結した化合物である事を特徴
     とする請求項１１０又は１１４の装置。
131. 【請求項１３１】 常温で液体である潤滑剤が炭素数１
     ０以上の部分フッ素化飽和アルキルの両末端或いは片末
     端に総炭素数４以上のポリエーテルをエーテル結合或い
     はエステル結合或いはアミド結合で連結した化合物であ
     る事を特徴とする請求項１１０又は１１４の装置。
132. 【請求項１３２】 常温で液体である潤滑剤がジメチル
     ポリシロキサン［-(Si(CH₃)₂O)_h-（式中、ｈは６以上の
     整数である）］である事を特徴とする請求項１１０又は
     １１４の装置。
133. 【請求項１３３】 常温で液体である潤滑剤がジメチル
     ポリシロキサン中のメチル基の水素を部分的にフッ素も
     しくは部分フッ素化アルキルで置換したフッ素化ジメチ
     ルポリシロキサン［-(Si(CF₃)₂O)_h-，-(Si(CF₃)(CH₃)O)
     _h-又は -(Si(C₂H₄C₆F₁₃)₂O)_h-（式中、ｈは６以上の整
     数である）］である事を特徴とする請求項１１０又は１
     １４の装置。
134. 【請求項１３４】 常温で液体である潤滑剤が下式、 CH₃(Si(CH₃)₂0)_n-Si(NH₂)₃，F(CF₂)_nCH₂-Si(NH₂)₃又は F(CF₂)_nCH₂CH₂-Si(NH₂)₃ （式中、ｎは６以上の整数である）で示される、末端に
     アミノ基を有する変性ジメチルポリシロキサンである事
     を特徴とする請求項１１０又は１１４の装置。
135. 【請求項１３５】 常温で液体である潤滑剤が下式、 [FC₆H₄O]_m-(P₃N₃)-[OC₆H₄CF₃]_6-m （式中、ｍは０〜６の整数である）で示される請求項１
     １０又は１１４の装置。
136. 【請求項１３６】 常温で液体である潤滑剤が下式、 (CF₃)₂CF(CF₂)_jCH₂CHOCORCH₂OCOR （式中、ｊは２〜１６の整数であり、Ｒは−ＣＲ₁Ｒ₂Ｒ
     ₃で示され、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃はそれぞれＣ_sＨ_2s+1，Ｃ_tＨ
     _2t+1及びＣ_uＨ_2u+1で示され、ｓ，ｔ及びｕはそれぞれ
     ｓ≧１，ｔ≧１及びｕ≧１であり、かつ、ｓ＋ｔ＋ｕ≧
     ８を満足する整数である）で示される請求項１１０又は
     １１４の装置。
137. 【請求項１３７】 常温で液体である潤滑剤が下式、 F(CF₂)_jCH₂CHOCORCH₂OCOR （式中、ｊは２〜１６の整数であり、Ｒは−ＣＲ₁Ｒ₂Ｒ
     ₃で示され、Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃はそれぞれＣ_sＨ_2s+1，Ｃ_tＨ
     _2t+1及びＣ_uＨ_2u+1で示され、ｓ，ｔ及びｕはそれぞれ
     ｓ≧１，ｔ≧１及びｕ≧１であり、かつ、ｓ＋ｔ＋ｕ≧
     ８を満足する整数である）で示される請求項１１０又は
     １１４の装置。
138. 【請求項１３８】 アルキルアミン系潤滑剤及び常温で
     液体である潤滑剤の何れもが、汎用性溶媒であるエタノ
     ール、プロパノール、イソプロピルアルコール等のアル
     コール類或いはアセトン、メチルエチルケトン、メチル
     イソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類或い
     はヘキサン、ペンタン、ヘプタン等の飽和アルキル類に
     可溶性である事を特徴とする請求項１１０又は１１４〜
     １３７の何れかの装置。