JPH10326563A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造方法Info
- Publication number
- JPH10326563A JPH10326563A JP13711097A JP13711097A JPH10326563A JP H10326563 A JPH10326563 A JP H10326563A JP 13711097 A JP13711097 A JP 13711097A JP 13711097 A JP13711097 A JP 13711097A JP H10326563 A JPH10326563 A JP H10326563A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass powder
- melting point
- low melting
- dielectric layer
- low
- Prior art date
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- Pending
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- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 広い温度範囲にわたって作業に有利な低粘度
を維持することにより、プロセスマージンを広げると共
に脱泡性を向上させることを課題とする。 【解決手段】 電極を誘電体層により覆った間接放電形
式のプラズマディスプレイパネルにおいて、誘電体層
を、軟化点の異なる少なくとも２種のガラス粉末を含む
混合体を使用して形成することを特徴とするプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法により上記課題を解決する
を維持することにより、プロセスマージンを広げると共
に脱泡性を向上させることを課題とする。 【解決手段】 電極を誘電体層により覆った間接放電形
式のプラズマディスプレイパネルにおいて、誘電体層
を、軟化点の異なる少なくとも２種のガラス粉末を含む
混合体を使用して形成することを特徴とするプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法により上記課題を解決する
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルの製造方法に関する。更に詳しくは、本発明
は、間接放電形式のプラズマディスプレイパネルを構成
する誘電体層の製造方法に関する。
レイパネルの製造方法に関する。更に詳しくは、本発明
は、間接放電形式のプラズマディスプレイパネルを構成
する誘電体層の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネル（以下、Ｐ
ＤＰと称する）は、表面輝度の高い自己発光型の表示装
置である。このＰＤＰは、表示画面の大型化及び表示速
度の高速化が可能であることから、ブラウン管（以下、
ＣＲＴと称する）に代わる表示装置として注目されてい
る。特に、蛍光体によりカラー表示を実現した面放電型
ＰＤＰは、ハイビジョンを含むテレビ映像の分野にその
用途が拡大しつつある。
ＤＰと称する）は、表面輝度の高い自己発光型の表示装
置である。このＰＤＰは、表示画面の大型化及び表示速
度の高速化が可能であることから、ブラウン管（以下、
ＣＲＴと称する）に代わる表示装置として注目されてい
る。特に、蛍光体によりカラー表示を実現した面放電型
ＰＤＰは、ハイビジョンを含むテレビ映像の分野にその
用途が拡大しつつある。
【０００３】間接放電形式のＰＤＰは、誘電体層で覆わ
れ電極を有する一対の基板を所定の放電空間を介して対
向させ、その空間には適当な放電ガスが封入されてなる
構成を有している。ここで、上記のＰＤＰにおいて、誘
電体層は、一般的に低融点ガラス粉末を溶剤と樹脂から
なるビークルに分散させたペーストを使用し、このペー
ストを印刷や転写することにより塗膜とし、この塗膜を
乾燥後、焼成することにより形成されている。
れ電極を有する一対の基板を所定の放電空間を介して対
向させ、その空間には適当な放電ガスが封入されてなる
構成を有している。ここで、上記のＰＤＰにおいて、誘
電体層は、一般的に低融点ガラス粉末を溶剤と樹脂から
なるビークルに分散させたペーストを使用し、このペー
ストを印刷や転写することにより塗膜とし、この塗膜を
乾燥後、焼成することにより形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】誘電体層の形成に使用
される低融点ガラス粉末は単一種であり、また、焼成温
度は一般に溶融時の低融点ガラスの粘度が約１０5 ｐｓ
以下となるように設定されている。単一種からなる低融
点ガラス粉末の場合、プロセスマージンが狭いため、焼
成時に脱泡性が悪化する等の問題があった。脱泡性が悪
化すると、泡が存在する部分の誘電体層に絶縁破壊が生
じ、それにより表示ができないこととなる。
される低融点ガラス粉末は単一種であり、また、焼成温
度は一般に溶融時の低融点ガラスの粘度が約１０5 ｐｓ
以下となるように設定されている。単一種からなる低融
点ガラス粉末の場合、プロセスマージンが狭いため、焼
成時に脱泡性が悪化する等の問題があった。脱泡性が悪
化すると、泡が存在する部分の誘電体層に絶縁破壊が生
じ、それにより表示ができないこととなる。
【０００５】脱泡性を確保するために低融点ガラス粉末
の軟化点を下げると、後に形成される隔壁や誘電体層の
保護層の形成温度を低下させる必要がある。なお、焼成
温度を脱泡性を確保するために極端に高温に設定する
と、ＰＤＰを構成する他の材料に悪影響を与えることと
なる。脱泡性を改善する方法として、特開平２−１２３
６３５号公報には、軟化点の異なる複数の低融点ガラス
膜を積層する方法が記載されている。しかしながら、こ
の方法では、誘電体層を複数層積層する必要があるた
め、工程数が増加し、コストがかかるという問題があっ
た。また、個々の誘電体層は単一種の低融点ガラスから
なっており、そのためプロセスマージンが狭くなるとい
う問題を解決することはできなかった。
の軟化点を下げると、後に形成される隔壁や誘電体層の
保護層の形成温度を低下させる必要がある。なお、焼成
温度を脱泡性を確保するために極端に高温に設定する
と、ＰＤＰを構成する他の材料に悪影響を与えることと
なる。脱泡性を改善する方法として、特開平２−１２３
６３５号公報には、軟化点の異なる複数の低融点ガラス
膜を積層する方法が記載されている。しかしながら、こ
の方法では、誘電体層を複数層積層する必要があるた
め、工程数が増加し、コストがかかるという問題があっ
た。また、個々の誘電体層は単一種の低融点ガラスから
なっており、そのためプロセスマージンが狭くなるとい
う問題を解決することはできなかった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、電極を誘電体層により覆った間接放電形式のプラズ
マディスプレイパネルにおいて、誘電体層を、軟化点の
異なる少なくとも２種のガラス粉末を含む混合体を使用
して形成することを特徴とするＰＤＰの製造方法が提供
される。
ば、電極を誘電体層により覆った間接放電形式のプラズ
マディスプレイパネルにおいて、誘電体層を、軟化点の
異なる少なくとも２種のガラス粉末を含む混合体を使用
して形成することを特徴とするＰＤＰの製造方法が提供
される。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明に使用できる基板として
は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板等が
挙げられる。この内、ガラス基板が安価なので好まし
い。基板上には、電極及び誘電体層が形成される。ここ
で、面放電型ＰＤＰの場合、一方の基板が前面基板、他
方の基板が背面基板と呼ばれる。前面基板上に形成され
る電極は、特に限定されず公知の材料及び構成を使用す
ることができる。例えば、基板上に複数本のストライプ
状の幅の広い透明導電膜とその導電性を補うための幅の
狭い金属膜の積層体からなる構成が挙げられる。なお、
幅の広い透明電極はサスティン電極、幅の狭い電極はバ
ス電極と、それぞれ一般的に呼ばれる。ここで、サステ
ィン電極は、例えばＩＴＯ（酸化インジウム＋酸化ス
ズ）やネサ（酸化スズ）等の酸化金属から構成され、蒸
着等の成膜法とエッチング法を組み合わせることによ
り、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することがで
きる。他方、バス電極は、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃ
ｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）等か
ら構成され、スパッタ法、蒸着法等の成膜法とエッチン
グ法を組み合わせることにより、所望の本数、厚さ、幅
及び間隔で形成することができる。
は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板等が
挙げられる。この内、ガラス基板が安価なので好まし
い。基板上には、電極及び誘電体層が形成される。ここ
で、面放電型ＰＤＰの場合、一方の基板が前面基板、他
方の基板が背面基板と呼ばれる。前面基板上に形成され
る電極は、特に限定されず公知の材料及び構成を使用す
ることができる。例えば、基板上に複数本のストライプ
状の幅の広い透明導電膜とその導電性を補うための幅の
狭い金属膜の積層体からなる構成が挙げられる。なお、
幅の広い透明電極はサスティン電極、幅の狭い電極はバ
ス電極と、それぞれ一般的に呼ばれる。ここで、サステ
ィン電極は、例えばＩＴＯ（酸化インジウム＋酸化ス
ズ）やネサ（酸化スズ）等の酸化金属から構成され、蒸
着等の成膜法とエッチング法を組み合わせることによ
り、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することがで
きる。他方、バス電極は、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃ
ｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）等か
ら構成され、スパッタ法、蒸着法等の成膜法とエッチン
グ法を組み合わせることにより、所望の本数、厚さ、幅
及び間隔で形成することができる。
【０００８】一方、背面基板上に形成される電極は、特
に限定されず公知の材料及び構成を使用することができ
る。例えば、複数本のストライプ状の構成からなってい
てもよい。なお、この電極は一般にアドレス電極と呼ば
れる。ここで、アドレス電極は、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃ
ｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃ
ｒ）等から構成され、スパッタ法、蒸着法等の成膜法と
エッチング法を組み合わせることにより、所望の本数、
厚さ、幅及び間隔で形成することができる。
に限定されず公知の材料及び構成を使用することができ
る。例えば、複数本のストライプ状の構成からなってい
てもよい。なお、この電極は一般にアドレス電極と呼ば
れる。ここで、アドレス電極は、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃ
ｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃ
ｒ）等から構成され、スパッタ法、蒸着法等の成膜法と
エッチング法を組み合わせることにより、所望の本数、
厚さ、幅及び間隔で形成することができる。
【０００９】次に、上記電極を覆うように誘電体層が形
成される。なお、誘電体層は、ＰＤＰ駆動時の面放電に
より生じるイオンによる衝撃から上記電極を保護する役
割も果たす。本発明では、この誘電体層を、軟化点の異
なる少なくとも２種のガラス粉末を含む混合体を使用し
て形成することを特徴の１つとしている。ここで本発明
に使用できるガラス粉末としては、例えば、ＰｂＯ−Ｓ
ｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｚ
ｎＯ系、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −ＺｎＯ系、Ｂｉ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系等の粉末が挙げられる。上記粉末
に、Ｒ2 Ｏ（Ｒ＝Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ等）、ＢａＯ、Ｃａ
Ｏ、ＭｇＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ 2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｎａ
Ｆ、Ｐ2 Ｏ5 等の粉末を加えてもよい。ガラス粉末の軟
化点は、ガラス粉末の構成、組成等を適宜変化させるこ
とにより、所望の値に調節することができる。
成される。なお、誘電体層は、ＰＤＰ駆動時の面放電に
より生じるイオンによる衝撃から上記電極を保護する役
割も果たす。本発明では、この誘電体層を、軟化点の異
なる少なくとも２種のガラス粉末を含む混合体を使用し
て形成することを特徴の１つとしている。ここで本発明
に使用できるガラス粉末としては、例えば、ＰｂＯ−Ｓ
ｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系、ＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −Ｚ
ｎＯ系、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −ＺｎＯ系、Ｂｉ2 Ｏ3 −Ｓ
ｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系等の粉末が挙げられる。上記粉末
に、Ｒ2 Ｏ（Ｒ＝Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ等）、ＢａＯ、Ｃａ
Ｏ、ＭｇＯ、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ 2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｎａ
Ｆ、Ｐ2 Ｏ5 等の粉末を加えてもよい。ガラス粉末の軟
化点は、ガラス粉末の構成、組成等を適宜変化させるこ
とにより、所望の値に調節することができる。
【００１０】ここで、本発明の原理を図１を参照しつつ
説明する。図１の横軸は温度、縦軸は粘度の対数表示で
ある。図１中、実線は、軟化点の異なる２種類の低融点
ガラス粉末Ｌ及びＨの温度−粘度曲線を示している。こ
の２種類の低融点ガラス粉末Ｌ及びＨを混合し、温度を
上げた場合、まず低い軟化点の低融点ガラス粉末Ｌが溶
融する。この際、低融点ガラス粉末相互間で拡散が起こ
り、溶けはじめの温度より粘度は上昇する。一方、高い
軟化点の低融点ガラス粉末Ｈは、低融点ガラス粉末Ｌの
溶融にともなう拡散により、粘度が低下する。図１中の
破線は、この粘度変化を示している。従って、単一種の
低融点ガラス粉末を使用するより、複数種の低融点ガラ
ス粉末を混合した方が、広い温度範囲にわたって作業に
有利な低粘度を維持することができるので、プロセスマ
ージンを広げることが可能となる。更に、単一種の低融
点ガラス粉末を使用するより、低い温度で粘度を低下さ
せることができるので、脱泡性も向上させることができ
る。
説明する。図１の横軸は温度、縦軸は粘度の対数表示で
ある。図１中、実線は、軟化点の異なる２種類の低融点
ガラス粉末Ｌ及びＨの温度−粘度曲線を示している。こ
の２種類の低融点ガラス粉末Ｌ及びＨを混合し、温度を
上げた場合、まず低い軟化点の低融点ガラス粉末Ｌが溶
融する。この際、低融点ガラス粉末相互間で拡散が起こ
り、溶けはじめの温度より粘度は上昇する。一方、高い
軟化点の低融点ガラス粉末Ｈは、低融点ガラス粉末Ｌの
溶融にともなう拡散により、粘度が低下する。図１中の
破線は、この粘度変化を示している。従って、単一種の
低融点ガラス粉末を使用するより、複数種の低融点ガラ
ス粉末を混合した方が、広い温度範囲にわたって作業に
有利な低粘度を維持することができるので、プロセスマ
ージンを広げることが可能となる。更に、単一種の低融
点ガラス粉末を使用するより、低い温度で粘度を低下さ
せることができるので、脱泡性も向上させることができ
る。
【００１１】なお、上記では、２種類の低融点ガラス粉
末を使用した場合について説明したが、本発明はこの場
合に限定されず種々の変形が可能である。また、本発明
では、上記図１から判るように、所望の溶融時の粘度を
得るために、軟化点の高いものと低いものの少なくとも
２種の低融点ガラス粉末を含むことが好ましい。更に、
ガラス粉末を含む混合体は、ガラス粉末を樹脂及び溶剤
からなるビークルに分散したペーストや、ガラス粉末を
含む樹脂シートの形状からなることが好ましい。
末を使用した場合について説明したが、本発明はこの場
合に限定されず種々の変形が可能である。また、本発明
では、上記図１から判るように、所望の溶融時の粘度を
得るために、軟化点の高いものと低いものの少なくとも
２種の低融点ガラス粉末を含むことが好ましい。更に、
ガラス粉末を含む混合体は、ガラス粉末を樹脂及び溶剤
からなるビークルに分散したペーストや、ガラス粉末を
含む樹脂シートの形状からなることが好ましい。
【００１２】ペースト及びシートに含まれる樹脂として
は、特に限定されず、公知の樹脂をいずれの場合にも使
用することができる。具体的には、ポリアクリル酸ブチ
ル、ポリアクリル酸２−エチルヘキシル、ポリアクリル
酸等の（メタ）アクリル樹脂、メチルセルロース、エチ
ルセルロース等のセルロース樹脂等が挙げられる。上記
樹脂と低融点ガラス粉末の配合割合は、０．１〜２０：
９９．９〜８０（重量％）が好ましく、０．１〜１０：
９９．９〜９０がより好ましい。ここで、樹脂の配合割
合が、０．１％より少ないと均一に樹脂を混合すること
ができないので好ましくない。一方、樹脂の配合割合
が、２０％より多いと形成される誘電体層に割れが生じ
るので好ましくない。
は、特に限定されず、公知の樹脂をいずれの場合にも使
用することができる。具体的には、ポリアクリル酸ブチ
ル、ポリアクリル酸２−エチルヘキシル、ポリアクリル
酸等の（メタ）アクリル樹脂、メチルセルロース、エチ
ルセルロース等のセルロース樹脂等が挙げられる。上記
樹脂と低融点ガラス粉末の配合割合は、０．１〜２０：
９９．９〜８０（重量％）が好ましく、０．１〜１０：
９９．９〜９０がより好ましい。ここで、樹脂の配合割
合が、０．１％より少ないと均一に樹脂を混合すること
ができないので好ましくない。一方、樹脂の配合割合
が、２０％より多いと形成される誘電体層に割れが生じ
るので好ましくない。
【００１３】また、ペーストに含まれる溶剤としては、
上記樹脂を溶解しうる溶剤であればよく、特に限定され
ない。具体的には、沸点が高いものが好ましく、例えば
テルピネオール、ブチルカルビトール等が挙げられる。
次に、誘電体層の形成方法としては、ペーストを使用す
る場合、該ペーストを印刷法や転写法等により塗布した
後、焼成する方法、シートを使用する場合、該シートを
熱圧着等により接着した後、焼成する方法がそれぞれ挙
げられる。焼成温度は、混合体に含まれる材料等により
相違するが、例えば５００〜６００℃で行われる。
上記樹脂を溶解しうる溶剤であればよく、特に限定され
ない。具体的には、沸点が高いものが好ましく、例えば
テルピネオール、ブチルカルビトール等が挙げられる。
次に、誘電体層の形成方法としては、ペーストを使用す
る場合、該ペーストを印刷法や転写法等により塗布した
後、焼成する方法、シートを使用する場合、該シートを
熱圧着等により接着した後、焼成する方法がそれぞれ挙
げられる。焼成温度は、混合体に含まれる材料等により
相違するが、例えば５００〜６００℃で行われる。
【００１４】なお、誘電体層は、１０〜５０μｍの厚さ
を有することが好ましい。また、前面基板の誘電体層上
には、ＭｇＯ等の保護膜を形成してもよい。次に、背面
基板の誘電体層上には、公知の方法（例えば、サンドブ
ラスト法、転写法等）により隔壁が形成される。この隔
壁は、アドレス電極間に複数本ストライプ状に形成する
ことが好ましい。更に、隔壁の側面と誘電体層上には蛍
光体層が通常設けられる。
を有することが好ましい。また、前面基板の誘電体層上
には、ＭｇＯ等の保護膜を形成してもよい。次に、背面
基板の誘電体層上には、公知の方法（例えば、サンドブ
ラスト法、転写法等）により隔壁が形成される。この隔
壁は、アドレス電極間に複数本ストライプ状に形成する
ことが好ましい。更に、隔壁の側面と誘電体層上には蛍
光体層が通常設けられる。
【００１５】このように形成された前面基板と背面基板
を、それぞれの上に形成された電極が直交するように対
向させ、適切な放電ガスを封入することによりＰＤＰを
形成することができる。より具体的には、本発明のＰＤ
Ｐの製造方法を利用して、例えば図２に示す如きＰＤＰ
を形成することができる。
を、それぞれの上に形成された電極が直交するように対
向させ、適切な放電ガスを封入することによりＰＤＰを
形成することができる。より具体的には、本発明のＰＤ
Ｐの製造方法を利用して、例えば図２に示す如きＰＤＰ
を形成することができる。
【００１６】図２は、一般的な間接放電形式の面放電型
ＰＤＰの一画素に対応する概略斜視図であり、蛍光体の
配置形態による分類により、反射型に属し、かつ３電極
構造のＰＤＰ１を示している。図２のＰＤＰ１は、一対
のガラス基板２と５が対向して配置されている。ガラス
基板２には、一対の表示電極ＸとＹが平行に形成され、
表示電極ＸとＹを覆うようにガラス基板２上に壁電荷に
よって放電を維持する交流（ＡＣ）駆動用の誘電体層３
が形成され、更に誘電体層３上に保護膜４が形成されて
いる。一方、ガラス基板５には、平面的に見て表示電極
ＸとＹに直交する位置に複数のストライプ状のアドレス
電極Ａが形成され、該アドレス電極Ａを覆うようにガラ
ス基板５上に誘電体層６が記載されている。更に、隣接
するアドレス電極Ａ間かつ該アドレス電極Ａと平行にな
るように複数のストライプ状の隔壁７が形成されてい
る。隣接する隔壁７の側壁及びアドレス電極Ａ上には蛍
光体層８が形成されている。次に、９は放電空間を示
し、表示電極ＸとＹの延伸方向に単位発光領域（以下、
ＥＵと称する）毎に区画され、かつその間隙寸法が規定
されている。なお、放電空間９には適当な放電ガスが封
入されている。
ＰＤＰの一画素に対応する概略斜視図であり、蛍光体の
配置形態による分類により、反射型に属し、かつ３電極
構造のＰＤＰ１を示している。図２のＰＤＰ１は、一対
のガラス基板２と５が対向して配置されている。ガラス
基板２には、一対の表示電極ＸとＹが平行に形成され、
表示電極ＸとＹを覆うようにガラス基板２上に壁電荷に
よって放電を維持する交流（ＡＣ）駆動用の誘電体層３
が形成され、更に誘電体層３上に保護膜４が形成されて
いる。一方、ガラス基板５には、平面的に見て表示電極
ＸとＹに直交する位置に複数のストライプ状のアドレス
電極Ａが形成され、該アドレス電極Ａを覆うようにガラ
ス基板５上に誘電体層６が記載されている。更に、隣接
するアドレス電極Ａ間かつ該アドレス電極Ａと平行にな
るように複数のストライプ状の隔壁７が形成されてい
る。隣接する隔壁７の側壁及びアドレス電極Ａ上には蛍
光体層８が形成されている。次に、９は放電空間を示
し、表示電極ＸとＹの延伸方向に単位発光領域（以下、
ＥＵと称する）毎に区画され、かつその間隙寸法が規定
されている。なお、放電空間９には適当な放電ガスが封
入されている。
【００１７】ＰＤＰ１は、図２のように１つの画素に対
応する３つのＥＵのそれぞれにおいて、表示電極Ｙとア
ドレス電極Ａとの交差部に表示又は非表示を選択するた
めの選択放電セルが画定されている。また、表示電極Ｘ
とＹの間に主放電セルが画定されている。ここで、蛍光
体層８は、面放電により生じるイオンによる衝撃を避け
るために、表示電極ＸとＹと反対側のガラス基板５上の
隔壁７間に設けられている。この蛍光体層８は、主放電
セルの面放電により生じる紫外線によって励起され発光
する。蛍光体層８の表面層（放電空間９と接する側）で
発生した光は、誘電体層３及びガラス基板２を透過して
外部へ射出される。つまり、ＰＤＰ１では、ガラス基板
２の外面が表示面Ｄとなる。
応する３つのＥＵのそれぞれにおいて、表示電極Ｙとア
ドレス電極Ａとの交差部に表示又は非表示を選択するた
めの選択放電セルが画定されている。また、表示電極Ｘ
とＹの間に主放電セルが画定されている。ここで、蛍光
体層８は、面放電により生じるイオンによる衝撃を避け
るために、表示電極ＸとＹと反対側のガラス基板５上の
隔壁７間に設けられている。この蛍光体層８は、主放電
セルの面放電により生じる紫外線によって励起され発光
する。蛍光体層８の表面層（放電空間９と接する側）で
発生した光は、誘電体層３及びガラス基板２を透過して
外部へ射出される。つまり、ＰＤＰ１では、ガラス基板
２の外面が表示面Ｄとなる。
【００１８】表示電極ＸとＹは、蛍光体層８に対して表
示面Ｄ側に配置されるので、面放電を広範囲とし、かつ
表示光の遮光を最小限とするために、幅の広い透明導電
膜１０とその導電性を補うための幅の狭い金属膜（バス
電極）１１とから構成されている。上記のようにＰＤＰ
は表示電極ＸとＹを覆い、放電を維持するための誘電体
層３をもつガラス基板２（前面基板）と、放電空間９を
区画するための隔壁７をもつガラス基板５（背面基板）
の２枚のガラス基板を貼り合わせることにより構成され
ている。
示面Ｄ側に配置されるので、面放電を広範囲とし、かつ
表示光の遮光を最小限とするために、幅の広い透明導電
膜１０とその導電性を補うための幅の狭い金属膜（バス
電極）１１とから構成されている。上記のようにＰＤＰ
は表示電極ＸとＹを覆い、放電を維持するための誘電体
層３をもつガラス基板２（前面基板）と、放電空間９を
区画するための隔壁７をもつガラス基板５（背面基板）
の２枚のガラス基板を貼り合わせることにより構成され
ている。
【００１９】
実施例１及び比較例１ 平均粒径３μｍのＰｂＯ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＺｎＯ
系の低融点ガラス粉末Ｎｏ．１（軟化点：４７５℃）と
Ｎｏ．２（軟化点：５８５℃）〔それぞれ、ＬＳ−３１
６２Ｓ、ＬＳ−３２３２（日本電気硝子社製）〕を、テ
ルピネオール９５重量％とエチルセルロース５重量％の
ビークルに８：２（重量比）の割合で混合し、３本ロー
ルにより分散させ、ペーストを調製した。このペースト
を基板上にスクリーン印刷法により３０μｍの厚さで塗
膜を形成し、１３０℃で３０分間乾燥させた。この塗膜
を１０℃／分で昇温して４００℃まで上げ、４００℃で
１０分間脱樹脂を行った。更に、１０℃／分で昇温し
て、５６０℃、５７０℃、５８０℃及び５９０℃のそれ
ぞれの温度で１０分間維持することにより焼成した後、
約５℃／分で常温まで降温して誘電体層を形成した。こ
の誘電体層の５００ｎｍでの光透過率を表１に示した。
系の低融点ガラス粉末Ｎｏ．１（軟化点：４７５℃）と
Ｎｏ．２（軟化点：５８５℃）〔それぞれ、ＬＳ−３１
６２Ｓ、ＬＳ−３２３２（日本電気硝子社製）〕を、テ
ルピネオール９５重量％とエチルセルロース５重量％の
ビークルに８：２（重量比）の割合で混合し、３本ロー
ルにより分散させ、ペーストを調製した。このペースト
を基板上にスクリーン印刷法により３０μｍの厚さで塗
膜を形成し、１３０℃で３０分間乾燥させた。この塗膜
を１０℃／分で昇温して４００℃まで上げ、４００℃で
１０分間脱樹脂を行った。更に、１０℃／分で昇温し
て、５６０℃、５７０℃、５８０℃及び５９０℃のそれ
ぞれの温度で１０分間維持することにより焼成した後、
約５℃／分で常温まで降温して誘電体層を形成した。こ
の誘電体層の５００ｎｍでの光透過率を表１に示した。
【００２０】なお、比較例１として２種類の低融点ガラ
ス粉末の代わりに軟化点が４８０℃の１種類の低融点ガ
ラス粉末を使用すること以外は、上記と同様にして光透
過率を測定した。結果を表１に示した。
ス粉末の代わりに軟化点が４８０℃の１種類の低融点ガ
ラス粉末を使用すること以外は、上記と同様にして光透
過率を測定した。結果を表１に示した。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１から明らかなように、実施例１では焼
成温度が５６０〜５９０℃の広範囲にわたって安定した
光透過率を示していることが判る。従って、比較例より
プロセスマージンを広げることができる。
成温度が５６０〜５９０℃の広範囲にわたって安定した
光透過率を示していることが判る。従って、比較例より
プロセスマージンを広げることができる。
【００２３】実施例２ 実施例１と同じ低融点ガラス粉末を使用し、これにアク
リル樹脂２０重量％、可塑剤としてジブチルフタレート
３重量％からなるグリーンシート（膜厚５０μｍ）を作
製した。これを基板上に熱接着し、実施例１と同様の方
法で焼成を行い、光透過率を測定した。得られた結果
は、実施例１と同様であった。
リル樹脂２０重量％、可塑剤としてジブチルフタレート
３重量％からなるグリーンシート（膜厚５０μｍ）を作
製した。これを基板上に熱接着し、実施例１と同様の方
法で焼成を行い、光透過率を測定した。得られた結果
は、実施例１と同様であった。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、単一種の低融点ガラス
粉末を使用するよりも広い温度範囲にわたって作業に有
利な低粘度を維持することができるので、プロセスマー
ジンを広げることが可能となると共に脱泡性も向上させ
ることができる。
粉末を使用するよりも広い温度範囲にわたって作業に有
利な低粘度を維持することができるので、プロセスマー
ジンを広げることが可能となると共に脱泡性も向上させ
ることができる。
【図１】本発明の原理の説明図である。
【図２】本発明のＰＤＰの概略斜視図である。
１ ＰＤＰ ２、５ ガラス基板 ３、６ 誘電体層 ４ 保護膜 ７ 隔壁 ８ 蛍光体層 ９ 放電空間 １０ 透明導電膜 １１ 金属膜 Ａ アドレス電極 Ｄ 表示面 Ｘ、Ｙ 表示電極
Claims (1)
- 【請求項１】 電極を誘電体層により覆った間接放電形
式のプラズマディスプレイパネルにおいて、誘電体層
を、軟化点の異なる少なくとも２種のガラス粉末を含む
混合体を使用して形成することを特徴とするプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13711097A JPH10326563A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13711097A JPH10326563A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10326563A true JPH10326563A (ja) | 1998-12-08 |
Family
ID=15191081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13711097A Pending JPH10326563A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10326563A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100693018B1 (ko) * | 1999-05-20 | 2007-03-12 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 가스방전 표시패널 및 그 제조 방법 |
| CN108417309A (zh) * | 2018-05-04 | 2018-08-17 | 上海汉欣电线电缆有限公司 | 陶瓷耐火带及其制备方法 |
-
1997
- 1997-05-27 JP JP13711097A patent/JPH10326563A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100693018B1 (ko) * | 1999-05-20 | 2007-03-12 | 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 | 가스방전 표시패널 및 그 제조 방법 |
| CN108417309A (zh) * | 2018-05-04 | 2018-08-17 | 上海汉欣电线电缆有限公司 | 陶瓷耐火带及其制备方法 |
| CN108417309B (zh) * | 2018-05-04 | 2024-05-10 | 上海汉欣电线电缆有限公司 | 陶瓷耐火带及其制备方法 |
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