JPH10326800A - 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置用金型 - Google Patents
半導体装置の製造方法及び半導体製造装置用金型Info
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- JPH10326800A JPH10326800A JP9135368A JP13536897A JPH10326800A JP H10326800 A JPH10326800 A JP H10326800A JP 9135368 A JP9135368 A JP 9135368A JP 13536897 A JP13536897 A JP 13536897A JP H10326800 A JPH10326800 A JP H10326800A
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
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- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】プラスチックパッケージ、特にＢＧＡ等の基板
片面樹脂封止したパッケージの熱収縮率の差により生じ
るパッケージ反りを防止すること。 【解決手段】樹脂封止時に基板をあらかじめパッケージ
反りが生じる方向と逆方向に反らせておく。金型１（第
１金型）には樹脂を封入するためのくぼみ３（キャビテ
ィー）と、キャビティー３に通じる樹脂の流動路４（ラ
ンナー）が設けられている。ここで、金型２（第２金
型）には凸形状５が設けられており、凸形状の位置は金
型１，２を重ね合わせたとき、その中心が金型１のキャ
ビティー３の中心にくるようにしてある。半導体６を搭
載した基板７は半導体６がキャビティー３のセンターに
くるように半導体６を下向きして金型１にセットされ
る。これにより、基板７は金型２に設けた凸形状５によ
って湾曲した状態となり、そこにランナー４を通じて樹
脂８がキャビティー３の内部に充填される。
片面樹脂封止したパッケージの熱収縮率の差により生じ
るパッケージ反りを防止すること。 【解決手段】樹脂封止時に基板をあらかじめパッケージ
反りが生じる方向と逆方向に反らせておく。金型１（第
１金型）には樹脂を封入するためのくぼみ３（キャビテ
ィー）と、キャビティー３に通じる樹脂の流動路４（ラ
ンナー）が設けられている。ここで、金型２（第２金
型）には凸形状５が設けられており、凸形状の位置は金
型１，２を重ね合わせたとき、その中心が金型１のキャ
ビティー３の中心にくるようにしてある。半導体６を搭
載した基板７は半導体６がキャビティー３のセンターに
くるように半導体６を下向きして金型１にセットされ
る。これにより、基板７は金型２に設けた凸形状５によ
って湾曲した状態となり、そこにランナー４を通じて樹
脂８がキャビティー３の内部に充填される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラスチックパッケ
ージの樹脂封止後に発生するパッケージの反りを防止す
る方法と、防止するための製造装置に関するののであ
り、特にボールグリッドアレイのような基板片面に樹脂
封止するプラスチックパッケージにに適した半導体製造
方法及び製造装置に関する物である。
ージの樹脂封止後に発生するパッケージの反りを防止す
る方法と、防止するための製造装置に関するののであ
り、特にボールグリッドアレイのような基板片面に樹脂
封止するプラスチックパッケージにに適した半導体製造
方法及び製造装置に関する物である。
【０００２】
【従来の技術】従来プラスチックパッケージの樹脂封止
工程は、１５０℃から２００℃程度の間に加熱された上
下金型の間に半導体を搭載した基板を挟み込み、キャビ
ティーと呼ばれるパッケージを形成するため金型に設け
られたくぼみの部分に、ランナーとよばれる樹脂の流入
経路をを通して樹脂を封入しあるる程度熱による硬化が
進んだ後金型を開いて樹脂封入の終了した基板を取り出
す工程であるが、この時半導体を搭載した基板は、平板
状で金型同士に挟み込まれていた。
工程は、１５０℃から２００℃程度の間に加熱された上
下金型の間に半導体を搭載した基板を挟み込み、キャビ
ティーと呼ばれるパッケージを形成するため金型に設け
られたくぼみの部分に、ランナーとよばれる樹脂の流入
経路をを通して樹脂を封入しあるる程度熱による硬化が
進んだ後金型を開いて樹脂封入の終了した基板を取り出
す工程であるが、この時半導体を搭載した基板は、平板
状で金型同士に挟み込まれていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】樹脂封入を行い、パッ
ケージが形成された後、常温までパッケージ温度が下が
ってくると、封入樹脂と基板の熱収縮率の違いのため、
パッケージに反りが生じてくる。一般に基板に用いられ
る材料、例えばガラスエポキシ、ＢＴレジン、ポリイミ
ド等の熱収縮率よりも、エポキシやビフェニル樹脂を主
剤に、シリカ粒子を配合したパッケージ形成用樹脂の熱
収縮率の方がが大きいため、パッケージは基板面側の中
央部が凸状になるようにそってしまう。
ケージが形成された後、常温までパッケージ温度が下が
ってくると、封入樹脂と基板の熱収縮率の違いのため、
パッケージに反りが生じてくる。一般に基板に用いられ
る材料、例えばガラスエポキシ、ＢＴレジン、ポリイミ
ド等の熱収縮率よりも、エポキシやビフェニル樹脂を主
剤に、シリカ粒子を配合したパッケージ形成用樹脂の熱
収縮率の方がが大きいため、パッケージは基板面側の中
央部が凸状になるようにそってしまう。
【０００４】このようにパッケージに反りが生ずると、
パッケージを基板に実装する時、パッケージの接続端子
が、基板上に設けてある接続用のランドに均一に接する
ことができず、実装不良となってしまう場合があった。
パッケージを基板に実装する時、パッケージの接続端子
が、基板上に設けてある接続用のランドに均一に接する
ことができず、実装不良となってしまう場合があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明はなされたもので、請求項１に記載の半導体装
置の製造方法は、回路基板の一方の面側は外部端子が形
成され、前記回路基板の他方の面側には半導体チップが
搭載され、前記半導体チップがプラスチック樹脂にて封
止される半導体装置の製造方法であって、前記プラスチ
ック樹脂にて前記半導体チップを封止する工程におい
て、前記半導体チップを搭載した基板を湾曲させた状態
にて封止を行うことを特徴とする。
に本発明はなされたもので、請求項１に記載の半導体装
置の製造方法は、回路基板の一方の面側は外部端子が形
成され、前記回路基板の他方の面側には半導体チップが
搭載され、前記半導体チップがプラスチック樹脂にて封
止される半導体装置の製造方法であって、前記プラスチ
ック樹脂にて前記半導体チップを封止する工程におい
て、前記半導体チップを搭載した基板を湾曲させた状態
にて封止を行うことを特徴とする。
【０００６】また、請求項２に記載のように請求項１の
方法に加えて、前記回路基板を前記半導体チップの搭載
された面の相反する面側に湾曲させた状態にて前記プラ
スチック樹脂による封止を行うことを特徴とする。すな
わち、基板と樹脂の熱収縮率の違いによるパッケージの
反りを改善するため、樹脂封入時に予めパッケージ完成
後に反る方向と逆方向に基板に反りを加える事を特徴と
する。
方法に加えて、前記回路基板を前記半導体チップの搭載
された面の相反する面側に湾曲させた状態にて前記プラ
スチック樹脂による封止を行うことを特徴とする。すな
わち、基板と樹脂の熱収縮率の違いによるパッケージの
反りを改善するため、樹脂封入時に予めパッケージ完成
後に反る方向と逆方向に基板に反りを加える事を特徴と
する。
【０００７】また、本発明における半導体製造装置用金
型としては、請求項３に記載のように、回路基板の一方
の面側は外部端子が形成され、前記回路基板の他方の面
側には半導体チップが搭載され、前記半導体チップがプ
ラスチック樹脂にて封止するための半導体製造装置用金
型であって、前記回路基板における前記半導体チップの
搭載された面側に位置し、前記半導体チップを含み、樹
脂の注入される凹部が形成された第１金型と、前記回路
基板における前記半導体チップの搭載された面に相対す
る面側において、前記回路基板の前記面と当接する位置
に凸形状を設けてなる第２金型と、を有してなることを
特徴とする。つまり、ここで基板に反りを加える手段と
しては、金型の基板に反りを加える部分に接する部分に
凸形状を加え、上下金型で基板を挟み込んだとき、金型
の凸部が基板を押し、結果として基板に反りが加わるよ
うにする。金型の凸形状は基板を反らした時、基板と金
型の間に隙間が出来ない形状が金型の熱が基板に最も伝
わり易い為好ましいが、イジェクタピンの様に一点支持
にしても構わない。反りが最も大きくなる場所はパッケ
ージの中心となる位置にする。
型としては、請求項３に記載のように、回路基板の一方
の面側は外部端子が形成され、前記回路基板の他方の面
側には半導体チップが搭載され、前記半導体チップがプ
ラスチック樹脂にて封止するための半導体製造装置用金
型であって、前記回路基板における前記半導体チップの
搭載された面側に位置し、前記半導体チップを含み、樹
脂の注入される凹部が形成された第１金型と、前記回路
基板における前記半導体チップの搭載された面に相対す
る面側において、前記回路基板の前記面と当接する位置
に凸形状を設けてなる第２金型と、を有してなることを
特徴とする。つまり、ここで基板に反りを加える手段と
しては、金型の基板に反りを加える部分に接する部分に
凸形状を加え、上下金型で基板を挟み込んだとき、金型
の凸部が基板を押し、結果として基板に反りが加わるよ
うにする。金型の凸形状は基板を反らした時、基板と金
型の間に隙間が出来ない形状が金型の熱が基板に最も伝
わり易い為好ましいが、イジェクタピンの様に一点支持
にしても構わない。反りが最も大きくなる場所はパッケ
ージの中心となる位置にする。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施方法の一例を
図面に基づいて説明する。
図面に基づいて説明する。
【０００９】図面１は、樹脂封止に用いる金型に半導体
を搭載した基板を載せた状態の断面図であり、図面２は
上下金型で半導体を搭載した基板を挟み込んだ状態の断
面図、図面３は樹脂封入直後のパッケーを示した図面、
図面４は常温に下がった時のパッケージを示した図面で
ある。
を搭載した基板を載せた状態の断面図であり、図面２は
上下金型で半導体を搭載した基板を挟み込んだ状態の断
面図、図面３は樹脂封入直後のパッケーを示した図面、
図面４は常温に下がった時のパッケージを示した図面で
ある。
【００１０】まず図面１において樹脂封止用半導体製造
装置を説明する。樹脂封止に用いる装置は１５０℃から
２００℃程度に加熱した金型１金型２にて構成されてい
る。金型１（第１金型）には樹脂を封入するためのくぼ
み３（以後キャビティーと呼ぶ）と、キャビティー３に
通じる樹脂の流動路４（以後ランナーと呼ぶ）が設けら
れている。
装置を説明する。樹脂封止に用いる装置は１５０℃から
２００℃程度に加熱した金型１金型２にて構成されてい
る。金型１（第１金型）には樹脂を封入するためのくぼ
み３（以後キャビティーと呼ぶ）と、キャビティー３に
通じる樹脂の流動路４（以後ランナーと呼ぶ）が設けら
れている。
【００１１】金型２（第２金型）には本発明の特徴であ
る凸形状５が設けられており、凸形状の位置は金型１，
２を重ね合わせたとき、その中心が金型１のキャビティ
ー３の中心にくるようにしてある。
る凸形状５が設けられており、凸形状の位置は金型１，
２を重ね合わせたとき、その中心が金型１のキャビティ
ー３の中心にくるようにしてある。
【００１２】半導体６を搭載した基板７は半導体６がキ
ャビティー３のセンターにくるように半導体６を下向き
して金型１にセットされる。
ャビティー３のセンターにくるように半導体６を下向き
して金型１にセットされる。
【００１３】図面２は基板７を金型１にセットした後、
樹脂を充填するため、金型２にて挟み込んだ状態を示し
ている。
樹脂を充填するため、金型２にて挟み込んだ状態を示し
ている。
【００１４】基板７は、金型２に設けた凸形状５によっ
て湾曲した状態となり、そこにランナー４を通じて樹脂
８がキャビティー３の内部に充填される。
て湾曲した状態となり、そこにランナー４を通じて樹脂
８がキャビティー３の内部に充填される。
【００１５】図面３は樹脂封止直後のパッケージ９を示
している。パッケージは金型２の凸形状５により基板側
中央部が凹となるように湾曲している。
している。パッケージは金型２の凸形状５により基板側
中央部が凹となるように湾曲している。
【００１６】図面４はパッケージ９が常温まで温度が下
がった状態を示している。パッケージ９を構成する樹脂
８と基板７の熱収縮率の差によりパッケージの湾曲が矯
正され、結果としてパッケージ９は平坦な形状となる。
しかる後、基板７に半田ボールを搭載するとボールグリ
ッドアレイのパッケージができあがる。
がった状態を示している。パッケージ９を構成する樹脂
８と基板７の熱収縮率の差によりパッケージの湾曲が矯
正され、結果としてパッケージ９は平坦な形状となる。
しかる後、基板７に半田ボールを搭載するとボールグリ
ッドアレイのパッケージができあがる。
【００１７】
【発明の効果】本発明により、基板片面に樹脂封止をし
たプラスチックパッケージの熱収縮率の違いによる反り
は改善でき、パッケージの基板実装時円滑に実装する事
ができる。
たプラスチックパッケージの熱収縮率の違いによる反り
は改善でき、パッケージの基板実装時円滑に実装する事
ができる。
【図１】樹脂封止に用いる金型に半導体を登載した基板
を乗せた図。
を乗せた図。
【図２】図面１の金型を樹脂封止のためクランプした
図。
図。
【図３】図１の装置及び方法によって樹脂封止された直
後のプラスチックパッケージを示す図。
後のプラスチックパッケージを示す図。
【図４】図３のパッケージが常温に冷えた状態を示す
図。
図。
１・・・金型（下型） ２・・・金型（上型） ３・・・キャビティー ４・・・ランナー ５・・・凸形状 ６・・・半導体 ７・・・基板 ８・・・樹脂 ９・・・プラスチックパッケージ
Claims (3)
- 【請求項１】回路基板の一方の面側は外部端子が形成さ
れ、前記回路基板の他方の面側には半導体チップが搭載
され、前記半導体チップがプラスチック樹脂にて封止さ
れる半導体装置の製造方法であって、前記プラスチック
樹脂にて前記半導体チップを封止する工程において、前
記半導体チップを搭載した基板を湾曲させた状態にて封
止を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】前記回路基板を前記半導体チップの搭載さ
れた面の相反する面側に湾曲させた状態にて前記プラス
チック樹脂による封止を行うことを特徴とする請求項１
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】回路基板の一方の面側は外部端子が形成さ
れ、前記回路基板の他方の面側には半導体チップが搭載
され、前記半導体チップがプラスチック樹脂にて封止す
るための半導体製造装置用金型であって、前記回路基板
における前記半導体チップの搭載された面側に位置し、
前記半導体チップを含み、樹脂の注入される凹部が形成
された第１金型と、前記回路基板における前記半導体チ
ップの搭載された面に相対する面側において、前記回路
基板の前記面と当接する位置に凸形状を設けてなる第２
金型と、を有してなることを特徴とする半導体製造装置
用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9135368A JPH10326800A (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9135368A JPH10326800A (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置用金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10326800A true JPH10326800A (ja) | 1998-12-08 |
Family
ID=15150099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9135368A Withdrawn JPH10326800A (ja) | 1997-05-26 | 1997-05-26 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10326800A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100567129B1 (ko) * | 2001-04-13 | 2006-03-31 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 몰딩 금형 및 이것을 이용한 반도체패키지 몰딩방법 |
| US7563651B2 (en) | 2005-04-11 | 2009-07-21 | Nec Electronics Corporation | Method of fabricating a substrate with a concave surface |
| EP1946373A4 (en) * | 2005-10-19 | 2010-04-07 | Texas Instruments Inc | Semiconductor assembly for improved device warpage and solder ball coplanarity |
| JP2010214595A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Apic Yamada Corp | 樹脂封止装置 |
| US8198141B2 (en) | 2008-12-15 | 2012-06-12 | Elpida Memory, Inc. | Intermediate structure of semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2014154806A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| CN107978533A (zh) * | 2016-10-25 | 2018-05-01 | 南亚科技股份有限公司 | 半导体结构及其制造方法 |
| CN108010877A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-05-08 | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 | 半导体芯片的封装结构及封装方法 |
| JP2021156516A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 三菱電機株式会社 | 化粧グリルの製造方法 |
| CN113811104A (zh) * | 2020-06-17 | 2021-12-17 | 五行科技股份有限公司 | 复合板材及其制造方法 |
| CN113799316A (zh) * | 2020-06-17 | 2021-12-17 | 五行科技股份有限公司 | 复合板材的制造方法 |
| US20230061379A1 (en) * | 2021-08-24 | 2023-03-02 | Applied Materials, Inc. | Low warpage curing methodology by inducing curvature |
-
1997
- 1997-05-26 JP JP9135368A patent/JPH10326800A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100567129B1 (ko) * | 2001-04-13 | 2006-03-31 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 몰딩 금형 및 이것을 이용한 반도체패키지 몰딩방법 |
| US7563651B2 (en) | 2005-04-11 | 2009-07-21 | Nec Electronics Corporation | Method of fabricating a substrate with a concave surface |
| EP1946373A4 (en) * | 2005-10-19 | 2010-04-07 | Texas Instruments Inc | Semiconductor assembly for improved device warpage and solder ball coplanarity |
| US8198141B2 (en) | 2008-12-15 | 2012-06-12 | Elpida Memory, Inc. | Intermediate structure of semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2010214595A (ja) * | 2009-03-13 | 2010-09-30 | Apic Yamada Corp | 樹脂封止装置 |
| JP2014154806A (ja) * | 2013-02-13 | 2014-08-25 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| CN107978533A (zh) * | 2016-10-25 | 2018-05-01 | 南亚科技股份有限公司 | 半导体结构及其制造方法 |
| CN108010877A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-05-08 | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 | 半导体芯片的封装结构及封装方法 |
| JP2021156516A (ja) * | 2020-03-27 | 2021-10-07 | 三菱電機株式会社 | 化粧グリルの製造方法 |
| CN113811104A (zh) * | 2020-06-17 | 2021-12-17 | 五行科技股份有限公司 | 复合板材及其制造方法 |
| CN113799316A (zh) * | 2020-06-17 | 2021-12-17 | 五行科技股份有限公司 | 复合板材的制造方法 |
| US20230061379A1 (en) * | 2021-08-24 | 2023-03-02 | Applied Materials, Inc. | Low warpage curing methodology by inducing curvature |
| US11929260B2 (en) * | 2021-08-24 | 2024-03-12 | Applied Materials, Inc. | Low warpage curing methodology by inducing curvature |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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