JPH10326847A - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板１０から突出して形成された環状のダム
枠１１と、ダム枠１１の環の内側に形成され、金メッキ
層１６を表面に有するボンディング回路１２と、ダム枠
１１の環の外側に形成された環外側回路１４と、金メッ
キ層１７を表面に有するコンタクト回路１３と、円筒状
のスルホールメッキ皮膜１５とを備える半導体パッケー
ジの製造方法であって、熱サイクル信頼性が優れた半導
体パッケージが得られると共に、環外側回路３４の部分
が、ダム枠３１の高さより高くなりにくい半導体パッケ
ージの製造方法を提供する。 【解決手段】 スルホールメッキ皮膜１５の内側の空洞
部に、固形物１８を充填する工程と、基板１０の一方の
面をマスクした後、コンタクト回路用導体２２の表面に
金メッキ層１７を形成する工程と、基板１０の他方の面
をマスクした後、ボンディング回路用導体２１の表面に
第一の金メッキ層１６を形成する工程を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に使用される半導体パッケージの製造方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の高機能化に伴い、半導体装
置をプリント配線板に実装するための端子の数は増大す
る傾向にある。そのため、ＰＧＡ（ピングリッドアレ
イ）半導体装置と呼ばれる半導体装置や、ＢＧＡ（ボー
ルグリッドアレイ）半導体装置と呼ばれる半導体装置の
ように、基板の一方の面に半導体素子収納部を形成し、
基板のその面又は他方の面に複数の端子を形成した半導
体パッケージを用いて、半導体素子を半導体素子収納部
に実装した後、エポキシ樹脂組成物等の封止材で半導体
素子及び半導体素子収納部を封止した半導体装置が実用
化されている。

【０００３】これらの半導体パッケージに、半導体素子
を実装する方法としては、基板の半導体素子収納部に半
導体素子を収納した後、ボンディングワイヤーを用い
て、基板の表層に設けられた回路のうち、ボンディング
ワイヤーで接着するための回路（以下ボンディング回路
と記す）と半導体素子とを接続する方法が一般に行われ
ている。

【０００４】なお、ボンディング回路は、金線等のボン
ディングワイヤーと接着するのに適するように、一般に
表面に金メッキ層を形成しており、その金メッキ層は、
一般にソフト金メッキと呼ばれる金の含有率が高く、硬
さが柔らかい金メッキ層を形成するようにしている。

【０００５】また、半導体素子を封止材で封止する方法
としては、例えば図３に示すような、その環の内側の基
板３０表面に、ボンディング回路３２が露出する環状の
ダム枠３１を、基板３０から突出するように形成するこ
とにより、半導体素子収納部を凹状に形成した基板３０
を用いて、そのダム枠３１の環の内側に半導体素子４１
を収納した後、ボンディングワイヤー４２を用いてボン
ディング回路３２と半導体素子４１を接続し、次いでダ
ム枠３１に封止用のモールド金型４０を接触させた後、
ダム枠３１と封止用のモールド金型４０の間に、室温で
液状又は加熱溶融させて液状とした封止材４３を供給し
てダム枠３１の環の内側を埋め、次いで加熱することに
より硬化させて封止する方法が行われている。

【０００６】近年の電子機器の高機能化に伴い、電子機
器のコネクタ手段と着脱可能に形成すると共に、コネク
タ手段に装着したときに、コネクタ手段と電気的に接続
可能に形成した、接触接続型の半導体装置が検討されて
いる。この接触接続型の半導体装置に用いられる半導体
パッケージとしては、図４に示すような、基板３０の一
方の面に、環状のダム枠３１を形成すると共に、そのダ
ム枠３１の環の内側にボンディング回路３２を形成し、
基板３０の他方の面に、コネクタ手段に接触させて接続
するための回路（以下コンタクト回路と記す）３３を形
成した半導体パッケージが用いられている。またこの半
導体パッケージには、コンタクト回路３３やボンディン
グ回路３２等の基板３０の表裏の回路を電気的に接続す
るために、基板３０を貫通して形成した円筒状のスルホ
ールメッキ皮膜３５を一般に備えている。

【０００７】なお、上記コンタクト回路３３は、コネク
タ手段との接続の信頼性を高めるために、一般に上記ソ
フト金メッキとは異なる金メッキ層を表面に形成してお
り、その金メッキ層は、一般にハード金メッキと呼ばれ
る金の含有率が低く、硬さが硬い金メッキ層を形成する
ようにしている。そのため、この半導体パッケージは、
ソフト金メッキの金メッキ層と、ハード金メッキの金メ
ッキ層を共に形成することにより製造されている。

【０００８】このような、基板３０の一方の面に突出し
て形成された環状のダム枠３１と、そのダム枠３１の環
の内側に形成され、ソフト金メッキの金メッキ層を表面
に有するボンディング回路３２と、基板３０の他方の面
に形成され、ハード金メッキの金メッキ層を表面に有す
るコンタクト回路３３と、基板３０を貫通して形成さ
れ、基板３０の表裏の回路等を電気的に接続する円筒状
のスルホールメッキ皮膜３５とを備える半導体パッケー
ジを製造する方法としては、以下の２種類の方法が検討
され実用化されている。

【０００９】第一の方法としては、例えば、図５（ａ）
に示すような、その壁面にスルホールメッキ皮膜３５を
形成した貫通する穴３８を有すると共に、そのスルホー
ルメッキ皮膜３５を介して電気的に接続された、ボンデ
ィング回路の一部となる導体２９ａ及びコンタクト回路
の一部となる導体２９ｂを有する基板３０を用いて、ボ
ンディング回路の一部となる導体２９ａを取り囲む位置
に、ダム枠３１を基板３０の一方の面から突出するよう
に形成する。このダム枠３１を形成する方法としては、
熱硬化性樹脂を環状に印刷した後、硬化する方法や、環
状の材料を接着する方法等により形成する。次いで、図
５（ｂ）に示すように、その基板３０のダム枠３１を形
成した面を全面、第一のレジストフィルム３９ａでマス
クした後、露出しているコンタクト回路の一部となる導
体２９ｂの表面にハード金メッキの金メッキ層３７を形
成する。

【００１０】次いで、第一のレジストフィルム３９ａを
剥離した後、図５（ｃ）に示すように、基板３０のダム
枠３１を形成した面と反対の面の、ハード金メッキの金
メッキ層３７の表面全面を、第二のレジストフィルム３
９ｂでマスクする。次いで、露出しているボンディング
回路の一部となる導体２９ａの表面にソフト金メッキの
金メッキ層を形成した後、第二のレジストフィルム３９
ｂを剥離して、図５（ｄ）に示すような、基板３０の一
方の面にソフト金メッキの金メッキ層３６を表面に有す
るボンディング回路３２を備え、基板３０の他方の面に
ハード金メッキの金メッキ層３７を表面に有するコンタ
クト回路３３を備え、基板３０を貫通するスルホールメ
ッキ皮膜３５でボンディング回路３２とコンタクト回路
３３を電気的に接続する半導体パッケージを製造する。

【００１１】また、第二の方法としては、例えば、図６
（ａ）に示すような、上記第一の方法の場合と同様の基
板３０を用いて、同様にダム枠３１を基板３０の一方の
面から突出するように形成する。そして、図６（ｂ）に
示すように、その基板３０の表面のうちダム枠３１の内
側を第一のレジストフィルム３９ａでマスクした後、露
出しているコンタクト回路の一部となる導体２９ｂの表
面にハード金メッキの金メッキ層３７を形成する。

【００１２】次いで、第一のレジストフィルム３９ａを
剥離した後、図６（ｃ）に示すように、基板３０の表面
のうち、ダム枠３１の内側を除く部分全面を、第二のレ
ジストフィルム３９ｂ，３９ｂでマスクする。次いで、
露出しているボンディング回路の一部となる導体２９ａ
の表面にソフト金メッキの金メッキ層を形成した後、第
二のレジストフィルム３９ｂ，３９ｂを剥離して、図６
（ｄ）に示すような、基板３０の一方の面にソフト金メ
ッキの金メッキ層３６を表面に有するボンディング回路
３２を備える、他方の面にハード金メッキの金メッキ層
３７を表面に有するコンタクト回路３３を備え、基板３
０を貫通するスルホールメッキ皮膜３５でボンディング
回路３２とコンタクト回路３３を電気的に接続する半導
体パッケージを製造する。

【００１３】しかし、第一の方法で得られる半導体パッ
ケージは、ハード金メッキの金メッキ層３７を形成する
とき、及びソフト金メッキの金メッキ層を形成するとき
共に、メッキ液がレジストフィルム（３９ａと３９ｂ）
によって妨げられて穴の内部まで十分に供給され難いた
め、図５（ｄ）に示すように、スルホールメッキ皮膜３
５の中央部分に金メッキ層（３７と３６）が形成されな
い部分や、形成されても厚みが薄い部分が生じる場合が
あった。そして、このような半導体パッケージを用いて
熱サイクル試験を行うと、その厚みが薄いスルホールメ
ッキ皮膜３５の中央部分で電気的な接続が切断される場
合があり、熱サイクル信頼性が低いという問題があっ
た。

【００１４】なお、接触接続型の半導体装置に用いられ
る半導体パッケージは、接続の信頼性を高めるために、
コンタクト回路３３の大きさを可能な限り大きくしたも
のが一般である。そのため、基板３０のダム枠３１を形
成した面のうち、ダム枠３１の環の外側に形成され、ス
ルホールメッキ皮膜３５と接続するスルホールランド
や、基板３０のダム枠３１を形成した面のうち、ダム枠
３１の環の外側に形成された回路（以下、環外側回路と
記す）等の導体の面積は、基板３０の他方の面に形成さ
れたコンタクト回路３３等の導体の面積と比較して、一
般にかなり小さくなっている。

【００１５】そのため、第二の方法で得られる半導体パ
ッケージは、図６（ｄ）に示すように、導体の面積が小
さい、ダム枠３１の環の外側に形成された環外側回路３
４等の部分はメッキ層の厚みが厚くなり、導体の面積が
大きい、コンタクト回路３３の部分はメッキ層の厚みが
薄くなる傾向があった。特に、生産性を高めるために、
大きな電流を流してハード金メッキの金メッキ層３７を
形成した場合や、メッキ液の循環量が低下した場合等、
活性の高いメッキ液の供給が不十分となった場合に、特
に両者の厚みの差が大きくなる傾向があった。また、金
メッキの析出性を安定させるために、金メッキの前処理
として電気ニッケルメッキを行ってニッケルメッキ層を
形成した場合にも、両者の厚みの差が大きくなる傾向が
あった。

【００１６】そのため、コンタクト回路３３の部分のメ
ッキ層（ハード金メッキの金メッキ層３７や、ニッケル
メッキ層）の厚みを所定の厚み形成した場合、導体の面
積が小さい環外側回路３４等の部分が、ダム枠３１の高
さより高くなる場合があった。そして、環外側回路３４
の部分がダム枠３１の高さより高くなると、モールド金
型を用いてダム枠３１の部分で封止するとき、モールド
金型が環外側回路３４と接触してしまい、ダム枠３１と
モールド金型の間は隙間が形成されるため、ダム枠３１
の環の内側に供給した封止材がその隙間から漏れ出す場
合があり、封止の信頼性が低いという問題があった。

【００１７】そのため、熱サイクル信頼性が優れた半導
体パッケージが得られると共に、ダム枠３１の環の外側
に形成された環外側回路３４の部分が、ダム枠３１の高
さより高くなりにくい半導体パッケージの製造方法が求
められている。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を改善するために成されたもので、その目的とするとこ
ろは、基板の一方の面に突出して形成された環状のダム
枠と、基板のその一方の面のうち、ダム枠の環の内側に
形成され、ボンディングワイヤーと接着を予定する第一
の金メッキ層を表面に有するボンディング回路と、基板
のその一方の面のうち、ダム枠の環の外側に形成された
環外側回路と、基板の他方の面に形成され、電子機器の
コネクタ手段に接触させて、電気的に接続を予定する第
二の金メッキ層を表面に有するコンタクト回路と、基板
を貫通して形成され、ボンディング回路とコンタクト回
路を電気的に接続する円筒状のスルホールメッキ皮膜
と、を備える半導体パッケージの製造方法であって、熱
サイクル信頼性が優れた半導体パッケージが得られると
共に、環外側回路の部分が、ダム枠の高さより高くなり
にくい半導体パッケージの製造方法を提供することにあ
る。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
半導体パッケージの製造方法は、基板の一方の面に突出
して形成された環状のダム枠と、基板のその一方の面の
うち、ダム枠の環の内側に形成され、ボンディングワイ
ヤーと接着を予定する第一の金メッキ層を表面に有する
ボンディング回路と、基板のその一方の面のうち、ダム
枠の環の外側に形成された環外側回路と、基板の他方の
面に形成され、電子機器のコネクタ手段に接触させて、
電気的に接続を予定する第二の金メッキ層を表面に有す
るコンタクト回路と、基板を貫通して形成され、ボンデ
ィング回路とコンタクト回路を電気的に接続する円筒状
のスルホールメッキ皮膜と、を備える半導体パッケージ
の製造方法であって、下記の［ア］並びに［イ］の工程
を有することを特徴とする。［ア］スルホールメッキ皮
膜の内側の空洞部に、固形物を充填する工程と、［イ］
コンタクト回路の一部となる導体が露出するように基板
の上記一方の面をマスクした後、コンタクト回路の一部
となる導体の表面に第二の金メッキ層を形成して、コン
タクト回路を形成する工程、及び、ボンディング回路の
一部となる導体が露出するように基板の上記他方の面を
マスクした後、ボンディング回路の一部となる導体の表
面に第一の金メッキ層を形成して、ボンディング回路を
形成する工程。

【００２０】本発明の請求項２に係る半導体パッケージ
の製造方法は、請求項１記載の半導体パッケージの製造
方法において、固形物が熱硬化性樹脂硬化物であること
を特徴とする。

【００２１】本発明の請求項３に係る半導体パッケージ
の製造方法は、請求項１又は請求項２記載の半導体パッ
ケージの製造方法において、基板の上記他方の面をマス
クした後、ボンディング回路の一部となる導体の表面に
第一の金メッキ層を形成する方法が、基板の上記他方の
面をマスクした後、ボンディング回路の一部となる導体
の表面にニッケルメッキ皮膜を形成し、次いで、そのニ
ッケルメッキ皮膜の表面に第一の金メッキ層を形成する
方法であることを特徴とする。

【００２２】本発明の請求項４に係る半導体パッケージ
の製造方法は、請求項１から請求項３のいずれかに記載
の半導体パッケージの製造方法において、基板の上記一
方の面をマスクした後、コンタクト回路の一部となる導
体の表面に第二の金メッキ層を形成する方法が、基板の
上記一方の面をマスクした後、コンタクト回路の一部と
なる導体の表面にニッケルメッキ皮膜を形成し、次い
で、そのニッケルメッキ皮膜の表面に第二の金メッキ層
を形成する方法であることを特徴とする。

【００２３】本発明により得られる半導体パッケージ
は、スルホールメッキ皮膜の内側の空洞部に固形物が充
填されているため、熱サイクル試験時に、基板やスルホ
ールメッキ皮膜が伸縮した場合、スルホールメッキ皮膜
全体がほぼ均一に伸縮し、全体でストレスを受け止める
ため、従来の中央部分の厚みが薄く、その厚みの薄い部
分にストレスが集中しやすいスルホールメッキ皮膜を有
する半導体パッケージと比較して、スルホールメッキ皮
膜が切断され難く、熱サイクル信頼性がすぐれた半導体
パッケージとなる。

【００２４】また、環外側回路の表面に金メッキ層が形
成される場合、その金メッキ層の厚みは、コンタクト回
路の一部となる導体の部分と比較して面積が小さい、ボ
ンディング回路の一部となる導体の面積に影響されるた
め、コンタクト回路の一部となる導体の面積に影響され
る場合と比較して、環外側回路の一部となる導体の表面
に形成される金メッキ層の厚みが過度に厚くなり難くな
り、環外側回路の部分がダム枠の高さより高くなり難く
なる。

【００２５】

【発明の実施の形態】本発明に係る半導体パッケージの
製造方法を図面に基づいて説明する。図１は本発明に係
る半導体パッケージの製造方法の、一実施の形態を説明
する工程図であり、図２は本発明に係る半導体パッケー
ジの製造方法の、他の実施の形態を説明する工程図であ
る。

【００２６】本発明で得られる半導体パッケージは、図
１（ｅ）に示すように、基板１０の一方の面に突出して
形成された環状のダム枠１１と、基板１０のその一方の
面のうち、ダム枠１１の環の内側に形成されたボンディ
ング回路１２と、基板１０のその一方の面のうち、ダム
枠１１の環の外側に形成された環外側回路１４と、基板
１０の他方の面に形成されたコンタクト回路１３と、基
板１０を貫通して形成され、ボンディング回路１２とコ
ンタクト回路１３を電気的に接続する円筒状のスルホー
ルメッキ皮膜１５と、を備える。

【００２７】そして、ボンディング回路１２の表面に
は、第一の金メッキ層１６が形成されており、コンタク
ト回路１３の表面には、第二の金メッキ層１７が形成さ
れている。

【００２８】なお、第一の金メッキ層１６は、ボンディ
ングワイヤーと接着をするための層であり、一般にソフ
ト金メッキと呼ばれる金の含有率が９９．９９％程度と
高く、硬さが柔らかい金メッキで形成されており、ま
た、第二の金メッキ層１７は、電子機器のコネクタ手段
に接触させて、電気的に接続するための層であり、一般
にハード金メッキと呼ばれる金の含有率が９９．５％程
度と低く、硬さが硬い金メッキで形成されている。な
お、第一の金メッキ層１６は、ボンディングワイヤーと
接着が可能であれば、ソフト金メッキに限定するもので
はなく、また、第二の金メッキ層１７は、電子機器のコ
ネクタ手段に接触させて、電気的に接続が可能であれ
ば、ハード金メッキに限定するものではなく、他の金メ
ッキでもよい。ただし、本発明は、第一の金メッキ層１
６と第二の金メッキ層１７が異なっている場合に限定さ
れる。

【００２９】この半導体パッケージの製造方法として
は、例えば、図１（ａ）〜（ｅ）に示すような工程で製
造される。

【００３０】本発明では、図１（ａ）に示すような、そ
の壁面に円筒状のスルホールメッキ皮膜１５を形成した
貫通する穴を有すると共に、ボンディング回路の一部と
なる導体２１を一方の面に有し、コンタクト回路の一部
となる導体２２を他方の面に有する基板１０を用いる。
なお、基板１０のボンディング回路の一部となる導体２
１を形成した面と同じ面に形成された環外側回路の一部
となる導体２３、及び、スルホールメッキ皮膜１５を介
して、ボンディング回路の一部となる導体２１とコンタ
クト回路の一部となる導体２２は電気的に接続されてい
る。

【００３１】なお、本発明に用いられる基板１０として
は、スルホールメッキ皮膜１５、ボンディング回路の一
部となる導体２１、コンタクト回路の一部となる導体２
２及び環外側回路の一部となる導体２３を有する基板１
０であれば、特に限定するものではなく、例えば、熱硬
化性樹脂を硬化させたシートの両面に金属箔が張られて
いる板や、ガラス等の無機質繊維やポリエステル、ポリ
アミド、木綿等の有機質繊維のクロス、ペーパー等の基
材を、熱硬化性樹脂で接着し、両面に金属箔が張られて
いる板等を用いて、穴開け及び金属メッキを行って円筒
状のスルホールメッキ皮膜１５を形成した後、所定の部
分をエッチングして導体（２１〜２３）を形成したも
の、及び、金属箔が張られていない板に穴開け及び金属
メッキを行い、導体（２１〜２３）及び円筒状のスルホ
ールメッキ皮膜１５を形成したもの等が挙げられる。

【００３２】上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂
系、フェノール樹脂系、ポリイミド樹脂系、不飽和ポリ
エステル樹脂系、ポリフェニレンエーテル樹脂系等の熱
硬化性樹脂や、これらの熱硬化性樹脂に無機充填材等を
配合したものが挙げられる。なお、導体（２１〜２３）
を形成する金属としては、電気的信頼性より銅が好まし
い。また、この基板１０は、必要に応じて内部にも導体
を有していてもよい。

【００３３】次いで、図１（ｂ）に示すように、ボンデ
ィング回路の一部となる導体２１を取り囲む位置に、ダ
ム枠１１を基板１０の一方の面から突出するように形成
すると共に、スルホールメッキ皮膜１５の内側の空洞部
に、固形物１８を充填する（工程［ア］）。なお、ダム
枠１１を形成する工程と、固形物１８を充填する工程
は、どちらを先に行っても良く、同時に行っても良い。

【００３４】ダム枠１１を形成する方法としては、未硬
化の熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂を環状に印刷した
後、硬化して形成する方法や、環状の材料を接着する方
法等により形成する。なお、ダム枠１１の形成に用いる
熱硬化性樹脂は、基板１０に用いた熱硬化性樹脂と同じ
でも良く、異なっていても良い。また、上記環状の材料
としては、上記基材を熱硬化性樹脂で接着した板等が挙
げられる。なお、未硬化の熱硬化性樹脂を環状に印刷し
た後、硬化する方法で形成する場合、ダム枠１１を形成
する生産性が優れると共に、基板１０とダム枠１１の接
着強度が優れ好ましい。

【００３５】なお、本発明では、スルホールメッキ皮膜
１５の内側の空洞部に、固形物１８を充填する工程を有
することが重要である。この工程を有しない場合は、熱
サイクル試験を行ったときに、スルホールメッキ皮膜１
５の中央部が切断される場合があり、熱サイクル信頼性
が低い半導体パッケージとなる。

【００３６】本発明に用いる固形物１８としては、スル
ホールメッキ皮膜１５の内側の空洞部に充填可能であ
り、かつ、以後の半導体パッケージの製造工程や、半導
体パッケージの使用工程において固形であるものであれ
ば特に限定するものではなく、例えば、室温で液状又は
加熱溶融させて液状化した未硬化の熱硬化性樹脂や、未
硬化の紫外線硬化性樹脂を充填した後、硬化して固形化
したもの、及び、ハンダ等の金属を加熱溶融させて充填
した後、冷却して固形化したもの等が挙げられる。な
お、熱硬化性樹脂を用いると、充填性が良好であると共
に、スルホールメッキ皮膜１５との接着強度が優れ好ま
しい。

【００３７】なお、スルホールメッキ皮膜１５の内側の
空洞部を充填するときに、図２（ｂ）に示すように、環
外側回路の一部となる導体２３の表面にも未硬化の熱硬
化性樹脂や、未硬化の紫外線硬化性樹脂を塗布した後、
硬化して、環外側回路の一部となる導体２３の表面に固
形物１８の層を形成し、次いで、その固形物１８の層の
表面にダム枠１１を形成すると、環外側回路の一部とな
る導体２３の表面には以後の工程でメッキが付着しない
ため、特に環外側回路１４の部分が、ダム枠１１の高さ
より高くなり難く好ましい。なお、図２（ａ）は、用い
る基板１０を表し、図１（ａ）に示す基板１０と同様の
基板１０である。

【００３８】次いで、図１（ｃ）に示すように、基板１
０のダム枠１１を形成した面全体を、第一のレジストフ
ィルム１９ａでマスクする（以後、工程［イ］）。なお
このとき、基板１０のダム枠１１を形成した面と反対の
面はマスクせず、コンタクト回路の一部となる導体２２
が露出するようにする。上記第一のレジストフィルム１
９ａとしては、一般にドライフィルムレジストと呼ばれ
るシート状感光性レジストが用いられるが、液状レジス
トを印刷法等により塗布するようにしてもよい。なお、
第一のレジストフィルム１９ａは、基板１０のダム枠１
１を形成した面全体に形成することに限定するものでは
なく、ボンディング回路の一部となる導体２１の表面が
マスクされていれば、導体がない部分等には形成しなく
ても良い。

【００３９】なお、図２（ｃ）に示すような、環外側回
路の一部となる導体２３の表面に固形物１８の層を形成
した場合には、その固形物１８の層を形成した部分も、
第一のレジストフィルム１９ａでマスクしなくても良
い。

【００４０】次いで、図１（ｃ）に示すように、第一の
レジストフィルム１９ａでマスクしていないため露出し
ている、コンタクト回路の一部となる導体２２の表面に
第二の金メッキ層１７を形成して、コンタクト回路１３
を製造する。なお、コンタクト回路の一部となる導体２
２の表面に、ニッケルメッキ皮膜を形成した後、そのニ
ッケルメッキ皮膜の表面に第二の金メッキ層１７を形成
するようにすると、第二の金メッキ層１７の析出性が安
定するため、電子機器のコネクタ手段との接続信頼性が
優れた半導体パッケージが得られ好ましい。

【００４１】次いで、第一のレジストフィルム１９ａを
剥離した後、図１（ｄ）に示すように、基板１０のダム
枠１１を形成した面と反対の面全面を、第二のレジスト
フィルム１９ｂでマスクする。なおこのとき、基板１０
のダム枠１１を形成した面はマスクせず、ボンディング
回路の一部となる導体２１等が露出するようにする。上
記第二のレジストフィルム１９ｂとしては、第一のレジ
ストフィルム１９ａと同様のものが挙げられる。また、
第二のレジストフィルム１９ｂも、基板１０のダム枠１
１を形成した面と反対の面全体に形成することに限定す
るものではなく、コンタクト回路１３の表面に形成され
た第二の金メッキ層１７の表面がマスクされていれば、
導体のない部分や、その面の導体のうちコネクタ手段と
接続を予定しない導体の部分には形成しなくても良い。

【００４２】次いで、第二のレジストフィルム１９ｂで
マスクしていないため露出している、ボンディング回路
の一部となる導体２１及び環外側回路の一部となる導体
２３の表面に第一の金メッキ層１６を形成して、ボンデ
ィング回路１２及び環外側回路１４を製造する。なお、
ボンディング回路の一部となる導体２１の表面に、ニッ
ケルメッキ皮膜を形成した後、そのニッケルメッキ皮膜
の表面に第一の金メッキ層１６を形成するようにする
と、第一の金メッキ層１６の析出性が安定するため、ボ
ンディングワイヤーとの接続信頼性が優れた半導体パッ
ケージが得られ好ましい。

【００４３】次いで、第二のレジストフィルム１９ｂを
剥離すると、図１（ｅ）に示すような、基板１０のダム
枠１１を形成した一方の面に、第一の金メッキ層１６を
表面に有するボンディング回路１２及び環外側回路１４
を備え、基板１０の他方の面に、第二の金メッキ層１７
を表面に有するコンタクト回路１３を備え、基板１０を
貫通するスルホールメッキ皮膜１５と、環外側回路１４
を介して、ボンディング回路１２とコンタクト回路１３
が電気的に接続された半導体パッケージが得られる。そ
して、このようにして得られた半導体パッケージは、熱
サイクル信頼性が優れると共に、ダム枠１１の環の外側
に形成された環外側回路１４の部分が、ダム枠１１の高
さより高くなり難くなる。

【００４４】なお、図２（ｂ）に示すような、環外側回
路の一部となる導体２３の表面に固形物１８の層を形成
した場合に、上記と同様に工程［イ］を行うと、図２
（ｅ）に示すように、基板１０のダム枠１１を形成した
一方の面に、第一の金メッキ層１６を表面に有するボン
ディング回路１２を備え、基板１０の他方の面に、第二
の金メッキ層１７を表面に有するコンタクト回路１３を
備え、基板１０を貫通するスルホールメッキ皮膜１５
と、環外側回路１４を介して、ボンディング回路１２と
コンタクト回路１３が電気的に接続された半導体パッケ
ージが得られる。そして、このようにして得られた半導
体パッケージは、熱サイクル信頼性が優れると共に、環
外側回路の一部となる導体２３の表面には第一の金メッ
キ層１６が形成されないため、ダム枠１１の環の外側に
形成された環外側回路１４の部分が、ダム枠１１の高さ
より高くなり難くなる。

【００４５】なお、上記実施の形態は、コンタクト回路
の一部となる導体２２の表面に第二の金メッキ層１７を
形成した後、ボンディング回路の一部となる導体２１の
表面に第一の金メッキ層１６を形成する実施の形態を説
明したが、これに限定するものではなく、ボンディング
回路の一部となる導体２１が露出するように、基板１０
のダム枠１１を形成した面と反対の面をマスクした後、
ボンディング回路の一部となる導体２１の表面に第一の
金メッキ層１６を形成して、ボンディング回路１２を形
成した後、コンタクト回路の一部となる導体２２が露出
するように、基板１０のダム枠１１を形成した面をマス
クした後、コンタクト回路の一部となる導体２２の表面
に第二の金メッキ層１７を形成して、コンタクト回路１
３を形成するようにしてもよい。

【００４６】

【発明の効果】本発明に係る半導体パッケージの製造方
法は、上記［ア］及び［イ］の工程を有するため、熱サ
イクル信頼性が優れた半導体パッケージが得られると共
に、ダム枠の環の外側に形成された環外側回路の部分
が、ダム枠の高さより高くなり難くなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体パッケージの製造方法の、
一実施の形態を説明する工程図である。

【図２】本発明に係る半導体パッケージの製造方法の、
他の実施の形態を説明する工程図である。

【図３】従来の半導体パッケージの封止方法を説明する
図である。

【図４】従来の半導体パッケージの構造を説明する断面
図である。

【図５】従来の半導体パッケージの製造方法を説明する
工程図である。

【図６】従来の、他の半導体パッケージの製造方法を説
明する工程図である。

【符号の説明】

１０，３０ 基板 １１，３１ ダム枠 １２，３２ ボンディング回路 １３，３３ コンタクト回路 １４，３４ 環外側回路 １５，３５ スルホールメッキ皮膜 １６ 第一の金メッキ層 １７ 第二の金メッキ層 １８ 固形物 １９ａ，１９ｂ，３９ａ，３９ｂ レジストフィルム ２１，２９ａ ボンディング回路の一部となる導体 ２２，２９ｂ コンタクト回路の一部となる導体 ２３ 環外側回路の一部となる導体 ３６ ソフト金メッキの金メッキ層 ３７ ハード金メッキの金メッキ層 ３８ 穴 ４０ モールド金型 ４１ 半導体素子 ４２ ボンディングワイヤー ４３ 封止材

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板（１０）の一方の面に突出して形成
   された環状のダム枠（１１）と、基板（１０）のその一
   方の面のうち、ダム枠（１１）の環の内側に形成され、
   ボンディングワイヤーと接着を予定する第一の金メッキ
   層（１６）を表面に有するボンディング回路（１２）
   と、基板（１０）のその一方の面のうち、ダム枠（１
   １）の環の外側に形成された環外側回路（１４）と、基
   板（１０）の他方の面に形成され、電子機器のコネクタ
   手段に接触させて、電気的に接続を予定する第二の金メ
   ッキ層（１７）を表面に有するコンタクト回路（１３）
   と、基板（１０）を貫通して形成され、ボンディング回
   路（１２）とコンタクト回路（１３）を電気的に接続す
   る円筒状のスルホールメッキ皮膜（１５）と、を備える
   半導体パッケージの製造方法であって、下記の［ア］並
   びに［イ］の工程を有することを特徴とする半導体パッ
   ケージの製造方法。［ア］スルホールメッキ皮膜（１
   ５）の内側の空洞部に、固形物（１８）を充填する工程
   と、［イ］コンタクト回路の一部となる導体（２２）が
   露出するように基板（１０）の上記一方の面をマスクし
   た後、コンタクト回路の一部となる導体（２２）の表面
   に第二の金メッキ層（１７）を形成して、コンタクト回
   路（１３）を形成する工程、及び、ボンディング回路の
   一部となる導体（２１）が露出するように基板（１０）
   の上記他方の面をマスクした後、ボンディング回路の一
   部となる導体（２１）の表面に第一の金メッキ層（１
   ６）を形成して、ボンディング回路（１２）を形成する
   工程。
2. 【請求項２】 固形物（１８）が熱硬化性樹脂硬化物で
   あることを特徴とする、請求項１記載の半導体パッケー
   ジの製造方法。
3. 【請求項３】 基板（１０）の上記他方の面をマスクし
   た後、ボンディング回路の一部となる導体（２１）の表
   面に第一の金メッキ層（１６）を形成する方法が、基板
   （１０）の上記他方の面をマスクした後、ボンディング
   回路の一部となる導体（２１）の表面にニッケルメッキ
   皮膜を形成し、次いで、そのニッケルメッキ皮膜の表面
   に第一の金メッキ層（１６）を形成する方法であること
   を特徴とする、請求項１又は請求項２記載の半導体パッ
   ケージの製造方法。
4. 【請求項４】 基板（１０）の上記一方の面をマスクし
   た後、コンタクト回路の一部となる導体（２２）の表面
   に第二の金メッキ層（１７）を形成する方法が、基板
   （１０）の上記一方の面をマスクした後、コンタクト回
   路の一部となる導体（２２）の表面にニッケルメッキ皮
   膜を形成し、次いで、そのニッケルメッキ皮膜の表面に
   第二の金メッキ層（１７）を形成する方法であることを
   特徴とする、請求項１から請求項３のいずれかに記載の
   半導体パッケージの製造方法。