JPH10327002A - 誘電体共振器、誘電体フィルタ、共用器ならびに通信機装置 - Google Patents
誘電体共振器、誘電体フィルタ、共用器ならびに通信機装置Info
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- JPH10327002A JPH10327002A JP10059902A JP5990298A JPH10327002A JP H10327002 A JPH10327002 A JP H10327002A JP 10059902 A JP10059902 A JP 10059902A JP 5990298 A JP5990298 A JP 5990298A JP H10327002 A JPH10327002 A JP H10327002A
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- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/207—Hollow waveguide filters
- H01P1/208—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure
- H01P1/2084—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure with dielectric resonators
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- H01P7/10—Dielectric resonators
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- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
- H01P1/201—Filters for transverse electromagnetic waves
- H01P1/203—Strip line filters
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- H01P1/20336—Comb or interdigital filters
- H01P1/20345—Multilayer filters
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 不要共振であるスプリアスを抑え、フィルタ
の帯域外特性の低下を防止することができる誘電体共振
器を提供する。 【解決手段】 誘電体基板２に円形の開口部２ｃ、２ｄ
を有する電極２ａ、２ｂを形成し、誘電体基板２を上下
導体ケース３、４の間に配置して、誘電体基板２の開口
部２ｃ、２ｄ間を共振領域とし、上下導体ケース間に電
磁波吸収材料からなる柱状体７、８を配置する。
の帯域外特性の低下を防止することができる誘電体共振
器を提供する。 【解決手段】 誘電体基板２に円形の開口部２ｃ、２ｄ
を有する電極２ａ、２ｂを形成し、誘電体基板２を上下
導体ケース３、４の間に配置して、誘電体基板２の開口
部２ｃ、２ｄ間を共振領域とし、上下導体ケース間に電
磁波吸収材料からなる柱状体７、８を配置する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波帯やミ
リ波帯等で使用される誘電体共振器、誘電体フィルタ、
共用器ならびに通信機装置に関する。
リ波帯等で使用される誘電体共振器、誘電体フィルタ、
共用器ならびに通信機装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、移動体通信システムの需要の急速
な増加およびマルチメディア化に対応して大容量で且つ
高速な通信システムが要求されている。このような通信
すべき情報量の拡大に伴って、マイクロ波帯からミリ波
帯へ使用周波数帯域が拡大されようとしている。このよ
うなミリ波帯でも、従来から知られている円柱形状の誘
電体からなるＴＥ01δ モード誘電体共振器をマイクロ
波帯と同様に使用することが可能である。この時、ＴＥ
01δ モード誘電体共振器の共振周波数は円柱形状の誘
電体の外形寸法で決定されていたため厳しい加工精度が
必要となっていたが、誘電体の焼成時の収縮等の要因に
より共振周波数に対して厳密な寸法に設定することがで
きなかった。
な増加およびマルチメディア化に対応して大容量で且つ
高速な通信システムが要求されている。このような通信
すべき情報量の拡大に伴って、マイクロ波帯からミリ波
帯へ使用周波数帯域が拡大されようとしている。このよ
うなミリ波帯でも、従来から知られている円柱形状の誘
電体からなるＴＥ01δ モード誘電体共振器をマイクロ
波帯と同様に使用することが可能である。この時、ＴＥ
01δ モード誘電体共振器の共振周波数は円柱形状の誘
電体の外形寸法で決定されていたため厳しい加工精度が
必要となっていたが、誘電体の焼成時の収縮等の要因に
より共振周波数に対して厳密な寸法に設定することがで
きなかった。
【０００３】また、ＴＥ01δ モード誘電体共振器を複
数個、所定間隔を隔てて金属ケース内に配置することに
よって誘電体フィルタを構成した場合、金属ループ等の
入出力手段と誘電体共振器、または、誘電体共振器同士
の結合は、相互間の距離によって決定されるため、高い
位置精度で配置されることが必要であった。
数個、所定間隔を隔てて金属ケース内に配置することに
よって誘電体フィルタを構成した場合、金属ループ等の
入出力手段と誘電体共振器、または、誘電体共振器同士
の結合は、相互間の距離によって決定されるため、高い
位置精度で配置されることが必要であった。
【０００４】そこで本願出願人は特願平７−６２６２５
号においてこれらの問題を解消した加工精度に優れた誘
電体共振器及び位置精度に優れた誘電体フィルタを提案
している。
号においてこれらの問題を解消した加工精度に優れた誘
電体共振器及び位置精度に優れた誘電体フィルタを提案
している。
【０００５】上記出願に係る誘電体フィルタの基本的な
構成を図１２に示す。図１２は上記出願に係る誘電体フ
ィルタの分解斜視図である。
構成を図１２に示す。図１２は上記出願に係る誘電体フ
ィルタの分解斜視図である。
【０００６】図１２に示すように、誘電体フィルタ１０
１は、誘電体基板１０２と上下導体ケース１０３、１０
４から構成されている。
１は、誘電体基板１０２と上下導体ケース１０３、１０
４から構成されている。
【０００７】誘電体基板１０２は一定の比誘電率を有す
る基板であり、その一方主面には３つの所定寸法の円形
の開口部１０２ｃを除いて全面に電極１０２ａが形成さ
れており、その他方主面には３つの所定寸法の円形の開
口部１０２ｄを除いて全面に電極１０２ｂが形成されて
いる。両主面の３つの開口部１０２ｃ、１０２ｄは互い
に対向している。
る基板であり、その一方主面には３つの所定寸法の円形
の開口部１０２ｃを除いて全面に電極１０２ａが形成さ
れており、その他方主面には３つの所定寸法の円形の開
口部１０２ｄを除いて全面に電極１０２ｂが形成されて
いる。両主面の３つの開口部１０２ｃ、１０２ｄは互い
に対向している。
【０００８】上導体ケース１０３は、金属により形成さ
れており、下面開口の箱形形状をしている。また、上導
体ケース１０３は電極１０２ａの開口部１０２ｃ付近
で、誘電体基板１０２から間隔をおいて配置されてい
る。
れており、下面開口の箱形形状をしている。また、上導
体ケース１０３は電極１０２ａの開口部１０２ｃ付近
で、誘電体基板１０２から間隔をおいて配置されてい
る。
【０００９】下導体ケース１０４は、誘電体により形成
されており、上面開口の箱型形状で側面に鍔が突出した
形状となっている。また、下導体ケース１０４の内周面
には遮蔽導体１０６が形成されており、電極１０２ｂの
３つの開口部１０２ｄのうち両端の開口部１０２ｄに対
向する位置に入出力電極１０５ａ、１０５ｂが遮蔽導体
１０６と絶縁されて形成されている。入出力電極１０５
ａ、１０５ｂは下導体ケース１０４の側面に形成された
孔１０４ａ、１０４ｂから導出されている。さらに、下
導体ケース１０４内には、遮蔽導体１０６が形成された
下導体ケース１０４の内部底面と誘電体基板１０２を一
定の間隔に保つためのスペーサ１０７が配置されてい
る。このスペーサ１０７は、上下導体ケース内１０３、
１０４の電磁界を乱さないように低誘電率の誘電体材料
で形成される。
されており、上面開口の箱型形状で側面に鍔が突出した
形状となっている。また、下導体ケース１０４の内周面
には遮蔽導体１０６が形成されており、電極１０２ｂの
３つの開口部１０２ｄのうち両端の開口部１０２ｄに対
向する位置に入出力電極１０５ａ、１０５ｂが遮蔽導体
１０６と絶縁されて形成されている。入出力電極１０５
ａ、１０５ｂは下導体ケース１０４の側面に形成された
孔１０４ａ、１０４ｂから導出されている。さらに、下
導体ケース１０４内には、遮蔽導体１０６が形成された
下導体ケース１０４の内部底面と誘電体基板１０２を一
定の間隔に保つためのスペーサ１０７が配置されてい
る。このスペーサ１０７は、上下導体ケース内１０３、
１０４の電磁界を乱さないように低誘電率の誘電体材料
で形成される。
【００１０】このような構造にすることで、電極１０２
ａ、１０２ｂの対向する３つの開口部１０２ｃ、１０２
ｄに挟まれた部分付近の誘電体基板１０２に電磁界エネ
ルギーが閉じ込められて３つの共振器として働くため、
３段の共振器を有する誘電体フィルタとなる。
ａ、１０２ｂの対向する３つの開口部１０２ｃ、１０２
ｄに挟まれた部分付近の誘電体基板１０２に電磁界エネ
ルギーが閉じ込められて３つの共振器として働くため、
３段の共振器を有する誘電体フィルタとなる。
【００１１】この構成により、共振領域を電極の開口部
の大きさで規定できるので、製造時にエッチング等の手
法を用いることができ、共振周波数に対する共振器の寸
法精度及び共振器間の位置精度を極めて正確に再現した
誘電体フィルタを作成することができるようになった。
の大きさで規定できるので、製造時にエッチング等の手
法を用いることができ、共振周波数に対する共振器の寸
法精度及び共振器間の位置精度を極めて正確に再現した
誘電体フィルタを作成することができるようになった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、誘電体
基板１０２に形成された電極１０２ａ、１０２ｂの開口
部の電極縁端部分で不要なＴＥＭモードの電磁波が発生
することがあった。このようなＴＥＭ波は誘電体基板１
０２に形成された電極１０２ａ、１０２ｂ間を伝搬して
誘電体基板１０２の端面で反射することによって定在波
が生じて共振する。この定在波は、誘電体フィルタ１０
１自体のフィルタ特性に対してスプリアスとなり、フィ
ルタの帯域外特性に影響を与え、誘電体フィルタ１０１
自体のフィルタ特性を低下させる恐れがあった。
基板１０２に形成された電極１０２ａ、１０２ｂの開口
部の電極縁端部分で不要なＴＥＭモードの電磁波が発生
することがあった。このようなＴＥＭ波は誘電体基板１
０２に形成された電極１０２ａ、１０２ｂ間を伝搬して
誘電体基板１０２の端面で反射することによって定在波
が生じて共振する。この定在波は、誘電体フィルタ１０
１自体のフィルタ特性に対してスプリアスとなり、フィ
ルタの帯域外特性に影響を与え、誘電体フィルタ１０１
自体のフィルタ特性を低下させる恐れがあった。
【００１３】また、誘電体基板１０２に形成された電極
１０２ａ、１０２ｂの開口部の電極縁端部分で発生した
不要なＴＥＭ波が、電極１０２ａと導体１０４ａとの間
あるいは電極１０２ｂと導体１０４ｂとの間を伝搬して
誘電体基板１０２の端部で反射することによって定在波
が生じて共振する。この定在波も、誘電体フィルタ１０
１自体のフィルタ特性に対してスプリアスとなり、フィ
ルタの帯域外特性に影響を与え、誘電体フィルタ１０１
自体のフィルタ特性を低下させる恐れがあった。
１０２ａ、１０２ｂの開口部の電極縁端部分で発生した
不要なＴＥＭ波が、電極１０２ａと導体１０４ａとの間
あるいは電極１０２ｂと導体１０４ｂとの間を伝搬して
誘電体基板１０２の端部で反射することによって定在波
が生じて共振する。この定在波も、誘電体フィルタ１０
１自体のフィルタ特性に対してスプリアスとなり、フィ
ルタの帯域外特性に影響を与え、誘電体フィルタ１０１
自体のフィルタ特性を低下させる恐れがあった。
【００１４】本発明は、これらの問題点を鑑みてなされ
たもので、不要共振であるスプリアスを抑え、フィルタ
の帯域外特性の低下を防止することができる誘電体フィ
ルタを提供することを目的としている。
たもので、不要共振であるスプリアスを抑え、フィルタ
の帯域外特性の低下を防止することができる誘電体フィ
ルタを提供することを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】そこで、請求項１に係る
誘電体共振器では、誘電体基板と、前記誘電体基板の一
方主面に形成された第１の導体と、前記誘電体基板の他
方主面に形成された第２の導体と、前記第１の導体から
前記誘電体基板が露出するように前記第１の導体に形成
された第１の開口部と、前記第２の導体から前記誘電体
基板が露出するように前記第２の導体に形成された第２
の開口部と、少なくとも前記第１の開口部を覆うように
前記第１の導体から間隔を隔てて配置された第１の導電
体板と、少なくとも前記第２の開口部を覆うように前記
第２の導体から間隔を隔てて配置された第２の導電体板
と、前記第１の開口部と前記第２の開口部により決定さ
れる共振部と、前記第１、第２の導電体板間に配置され
る電磁波吸収体とを有している。
誘電体共振器では、誘電体基板と、前記誘電体基板の一
方主面に形成された第１の導体と、前記誘電体基板の他
方主面に形成された第２の導体と、前記第１の導体から
前記誘電体基板が露出するように前記第１の導体に形成
された第１の開口部と、前記第２の導体から前記誘電体
基板が露出するように前記第２の導体に形成された第２
の開口部と、少なくとも前記第１の開口部を覆うように
前記第１の導体から間隔を隔てて配置された第１の導電
体板と、少なくとも前記第２の開口部を覆うように前記
第２の導体から間隔を隔てて配置された第２の導電体板
と、前記第１の開口部と前記第２の開口部により決定さ
れる共振部と、前記第１、第２の導電体板間に配置され
る電磁波吸収体とを有している。
【００１６】これにより、電磁波吸収体に不要共振とな
るモードの電磁波を吸収させることができる。
るモードの電磁波を吸収させることができる。
【００１７】また、請求項２に係る誘電体共振器では、
電磁波吸収体が、第１、第２の導電体板の少なくともど
ちらか一方と前記誘電体基板との間に配置されている。
電磁波吸収体が、第１、第２の導電体板の少なくともど
ちらか一方と前記誘電体基板との間に配置されている。
【００１８】これにより、誘電体基板１０２に形成され
た電極１０２ａ、１０２ｂの開口部の電極縁端部分で発
生し、電極１０２ａと導体１０４ａとの間あるいは電極
１０２ｂと導体１０４ｂとの間を伝搬する不要なＴＥＭ
モードの電磁波を吸収し、不要共振を低減することがで
きる。
た電極１０２ａ、１０２ｂの開口部の電極縁端部分で発
生し、電極１０２ａと導体１０４ａとの間あるいは電極
１０２ｂと導体１０４ｂとの間を伝搬する不要なＴＥＭ
モードの電磁波を吸収し、不要共振を低減することがで
きる。
【００１９】さらに、請求項３に係る誘電体共振器で
は、電磁波吸収体が、前記誘電体基板の両主面に垂直な
側面に接するように配置されている。
は、電磁波吸収体が、前記誘電体基板の両主面に垂直な
側面に接するように配置されている。
【００２０】これにより、誘電体基板１０２に形成され
た電極１０２ａ、１０２ｂの開口部の電極縁端部分で発
生し、電極１０２ａ、１０２ｂ間を伝搬する不要なＴＥ
Ｍモードの電磁波を吸収し、不要共振を低減することが
できる。
た電極１０２ａ、１０２ｂの開口部の電極縁端部分で発
生し、電極１０２ａ、１０２ｂ間を伝搬する不要なＴＥ
Ｍモードの電磁波を吸収し、不要共振を低減することが
できる。
【００２１】請求項４に係る誘電体フィルタでは、誘電
体基板と、前記誘電体基板の一方主面に形成された第１
の導体と、前記誘電体基板の他方主面に形成された第２
の導体と、前記第１の導体から前記誘電体基板が露出す
るように前記第１の導体に形成された第１の開口部と、
前記第２の導体から前記誘電体基板が露出するように前
記第２の導体に形成された第２の開口部と、少なくとも
前記第１の開口部を覆うように前記第１の導体から間隔
を隔てて配置された第１の導電体板と、少なくとも前記
第２の開口部を覆うように前記第２の導体から間隔を隔
てて配置された第２の導電体板と、前記第１の開口部と
前記第２の開口部により決定される共振部と、前記共振
部に結合する入出力手段と、前記第１、第２の導電体板
間に配置される電磁波吸収体とを有している。
体基板と、前記誘電体基板の一方主面に形成された第１
の導体と、前記誘電体基板の他方主面に形成された第２
の導体と、前記第１の導体から前記誘電体基板が露出す
るように前記第１の導体に形成された第１の開口部と、
前記第２の導体から前記誘電体基板が露出するように前
記第２の導体に形成された第２の開口部と、少なくとも
前記第１の開口部を覆うように前記第１の導体から間隔
を隔てて配置された第１の導電体板と、少なくとも前記
第２の開口部を覆うように前記第２の導体から間隔を隔
てて配置された第２の導電体板と、前記第１の開口部と
前記第２の開口部により決定される共振部と、前記共振
部に結合する入出力手段と、前記第１、第２の導電体板
間に配置される電磁波吸収体とを有している。
【００２２】これにより、電磁波吸収体にスプリアスと
なるモードの電磁波を吸収させることができる。
なるモードの電磁波を吸収させることができる。
【００２３】請求項５に係る誘電体フィルタでは、電磁
波吸収体が、第１、第２の導電体板の少なくともどちら
か一方と前記誘電体基板との間に配置されている。
波吸収体が、第１、第２の導電体板の少なくともどちら
か一方と前記誘電体基板との間に配置されている。
【００２４】これにより、誘電体基板１０２に形成され
た電極１０２ａ、１０２ｂの開口部の電極縁端部分で発
生し、電極１０２ａと導体１０４ａとの間あるいは電極
１０２ｂと導体１０４ｂとの間を伝搬する不要なＴＥＭ
モードの電磁波を吸収し、不要なスプリアスを低減する
ことができる。
た電極１０２ａ、１０２ｂの開口部の電極縁端部分で発
生し、電極１０２ａと導体１０４ａとの間あるいは電極
１０２ｂと導体１０４ｂとの間を伝搬する不要なＴＥＭ
モードの電磁波を吸収し、不要なスプリアスを低減する
ことができる。
【００２５】請求項６に係る誘電体フィルタでは、電磁
波吸収体が、前記誘電体基板の両主面に垂直な側面に接
するように配置されている。
波吸収体が、前記誘電体基板の両主面に垂直な側面に接
するように配置されている。
【００２６】これにより、誘電体基板１０２に形成され
た電極１０２ａ、１０２ｂの開口部の電極縁端部分で発
生し、電極１０２ａ、１０２ｂ間を伝搬する不要なＴＥ
Ｍモードの電磁波を吸収し、不要なスプリアスを低減す
ることができる。
た電極１０２ａ、１０２ｂの開口部の電極縁端部分で発
生し、電極１０２ａ、１０２ｂ間を伝搬する不要なＴＥ
Ｍモードの電磁波を吸収し、不要なスプリアスを低減す
ることができる。
【００２７】請求項７に係る共用器では、少なくとも第
１のフィルタと第２のフィルタを有し、前記第１のフィ
ルタは、誘電体基板と、前記誘電体基板の一方主面に形
成された第１の導体と、前記誘電体基板の他方主面に形
成された第２の導体と、前記第１の導体から前記誘電体
基板が露出するように前記第１の導体に形成された第１
の開口部と、前記第２の導体から前記誘電体基板が露出
するように前記第２の導体に形成された第２の開口部
と、少なくとも前記第１の開口部を覆うように前記第１
の導体から間隔を隔てて配置された第１の導電体板と、
少なくとも前記第２の開口部を覆うように前記第２の導
体から間隔を隔てて配置された第２の導電体板と、前記
第１の開口部と前記第２の開口部により決定される共振
部と、前記共振部に、結合する入出力手段とを有し、前
記第２のフィルタは、誘電体基板と、前記誘電体基板の
両主面に形成される電極と、誘電体基板と、前記誘電体
基板の一方主面に形成された第１の導体と、前記誘電体
基板の他方主面に形成された第２の導体と、前記第１の
導体から前記誘電体基板が露出するように前記第１の導
体に形成された第１の開口部と、前記第２の導体から前
記誘電体基板が露出するように前記第２の導体に形成さ
れた第２の開口部と、少なくとも前記第１の開口部を覆
うように前記第１の導体から間隔を隔てて配置された第
１の導電体板と、少なくとも前記第２の開口部を覆うよ
うに前記第２の導体から間隔を隔てて配置された第２の
導電体板と、前記第１の開口部と前記第２の開口部によ
り決定される共振部と、前記共振部に、結合する入出力
手段とを有し、前記第１のフィルタの入出力手段のうち
の一つと第２のフィルタの入出力手段のうちの一つとを
接続した共通の入出力手段を有し、前記第１のフィルタ
の第１、第２の導電体板間または前記第２のフィルタの
第１、第２の導電体板間の少なくとも一方に配置される
電磁波吸収体を有している。
１のフィルタと第２のフィルタを有し、前記第１のフィ
ルタは、誘電体基板と、前記誘電体基板の一方主面に形
成された第１の導体と、前記誘電体基板の他方主面に形
成された第２の導体と、前記第１の導体から前記誘電体
基板が露出するように前記第１の導体に形成された第１
の開口部と、前記第２の導体から前記誘電体基板が露出
するように前記第２の導体に形成された第２の開口部
と、少なくとも前記第１の開口部を覆うように前記第１
の導体から間隔を隔てて配置された第１の導電体板と、
少なくとも前記第２の開口部を覆うように前記第２の導
体から間隔を隔てて配置された第２の導電体板と、前記
第１の開口部と前記第２の開口部により決定される共振
部と、前記共振部に、結合する入出力手段とを有し、前
記第２のフィルタは、誘電体基板と、前記誘電体基板の
両主面に形成される電極と、誘電体基板と、前記誘電体
基板の一方主面に形成された第１の導体と、前記誘電体
基板の他方主面に形成された第２の導体と、前記第１の
導体から前記誘電体基板が露出するように前記第１の導
体に形成された第１の開口部と、前記第２の導体から前
記誘電体基板が露出するように前記第２の導体に形成さ
れた第２の開口部と、少なくとも前記第１の開口部を覆
うように前記第１の導体から間隔を隔てて配置された第
１の導電体板と、少なくとも前記第２の開口部を覆うよ
うに前記第２の導体から間隔を隔てて配置された第２の
導電体板と、前記第１の開口部と前記第２の開口部によ
り決定される共振部と、前記共振部に、結合する入出力
手段とを有し、前記第１のフィルタの入出力手段のうち
の一つと第２のフィルタの入出力手段のうちの一つとを
接続した共通の入出力手段を有し、前記第１のフィルタ
の第１、第２の導電体板間または前記第２のフィルタの
第１、第２の導電体板間の少なくとも一方に配置される
電磁波吸収体を有している。
【００２８】これにより、電磁波吸収体にスプリアスと
なるモードの電磁波を吸収させることができる。
なるモードの電磁波を吸収させることができる。
【００２９】請求項８に係る共用器では、電磁波吸収体
が、前記第１のフィルタの前記第１、第２の導電体板の
少なくともどちらか一方と前記誘電体基板との間、また
は前記第２のフィルタの前記第１、第２の導電体板の少
なくともどちらか一方と前記誘電体基板との間の少なく
とも一方に配置されている。
が、前記第１のフィルタの前記第１、第２の導電体板の
少なくともどちらか一方と前記誘電体基板との間、また
は前記第２のフィルタの前記第１、第２の導電体板の少
なくともどちらか一方と前記誘電体基板との間の少なく
とも一方に配置されている。
【００３０】これにより、誘電体基板に形成された電極
の開口部の電極縁端部分で発生し、電極と導体との間を
伝搬する不要なＴＥＭモードの電磁波を吸収し、不要な
スプリアスを低減することができる。
の開口部の電極縁端部分で発生し、電極と導体との間を
伝搬する不要なＴＥＭモードの電磁波を吸収し、不要な
スプリアスを低減することができる。
【００３１】請求項９に係る共用器では、電磁波吸収体
が、前記第１のフィルタの共振部と前記第２のフィルタ
の共振部とを分離するように配置されている。
が、前記第１のフィルタの共振部と前記第２のフィルタ
の共振部とを分離するように配置されている。
【００３２】これにより、第１のフィルタの共振部の共
振と第２のフィルタの共振部の共振が干渉しあうのを防
ぐことができる。
振と第２のフィルタの共振部の共振が干渉しあうのを防
ぐことができる。
【００３３】請求項１０に係る共用器では、電磁波吸収
体が、前記第１のフィルタの前記誘電体基板の両主面に
垂直な側面、または前記第２のフィルタの前記誘電体基
板の両主面に垂直な側面の少なくとも一方に接するよう
に配置されている。
体が、前記第１のフィルタの前記誘電体基板の両主面に
垂直な側面、または前記第２のフィルタの前記誘電体基
板の両主面に垂直な側面の少なくとも一方に接するよう
に配置されている。
【００３４】これにより、誘電体基板に形成された電極
の開口部の電極縁端部分で発生し、電極間を伝搬する不
要なＴＥＭモードの電磁波を吸収し、不要なスプリアス
を低減することができる。
の開口部の電極縁端部分で発生し、電極間を伝搬する不
要なＴＥＭモードの電磁波を吸収し、不要なスプリアス
を低減することができる。
【００３５】請求項１１に係る通信機装置では、少なく
とも共用器と送信回路及び受信回路とアンテナとを有
し、前記共用器は、誘電体基板と、前記誘電体基板の一
方主面に形成された第１の導体と、前記誘電体基板の他
方主面に形成された第２の導体と、前記第１の導体から
前記誘電体基板が露出するように前記第１の導体に形成
された第１の開口部と、前記第２の導体から前記誘電体
基板が露出するように前記第２の導体に形成された第２
の開口部と、少なくとも前記第１の開口部を覆うように
前記第１の導体から間隔を隔てて配置された第１の導電
体板と、少なくとも前記第２の開口部を覆うように前記
第２の導体から間隔を隔てて配置された第２の導電体板
と、前記第１の開口部と前記第２の開口部により決定さ
れる共振部と、前記共振部に結合する入出力手段とを有
する第１のフィルタと、誘電体基板と、前記誘電体基板
の一方主面に形成された第１の導体と、前記誘電体基板
の他方主面に形成された第２の導体と、前記第１の導体
から前記誘電体基板が露出するように前記第１の導体に
形成された第１の開口部と、前記第２の導体から前記誘
電体基板が露出するように前記第２の導体に形成された
第２の開口部と、少なくとも前記第１の開口部を覆うよ
うに前記第１の導体から間隔を隔てて配置された第１の
導電体板と、少なくとも前記第２の開口部を覆うように
前記第２の導体から間隔を隔てて配置された第２の導電
体板と、前記第１の開口部と前記第２の開口部により決
定される共振部と、前記共振部に結合する入出力手段と
を有する第２のフィルタと、前記第１のフィルタの入出
力手段のうちの一つと第２のフィルタの入出力手段のう
ちの一つとを接続した共通入出力手段と、前記第１のフ
ィルタの第１、第２の導電体板間または前記第２のフィ
ルタの第１、第２の導電体板間の少なくとも一方に配置
される電磁波吸収体とからなり、前記第１のフィルタに
送信回路が接続され、前記第２のフィルタに受信回路が
接続され、前記共通入出力手段にアンテナが接続されて
いる。
とも共用器と送信回路及び受信回路とアンテナとを有
し、前記共用器は、誘電体基板と、前記誘電体基板の一
方主面に形成された第１の導体と、前記誘電体基板の他
方主面に形成された第２の導体と、前記第１の導体から
前記誘電体基板が露出するように前記第１の導体に形成
された第１の開口部と、前記第２の導体から前記誘電体
基板が露出するように前記第２の導体に形成された第２
の開口部と、少なくとも前記第１の開口部を覆うように
前記第１の導体から間隔を隔てて配置された第１の導電
体板と、少なくとも前記第２の開口部を覆うように前記
第２の導体から間隔を隔てて配置された第２の導電体板
と、前記第１の開口部と前記第２の開口部により決定さ
れる共振部と、前記共振部に結合する入出力手段とを有
する第１のフィルタと、誘電体基板と、前記誘電体基板
の一方主面に形成された第１の導体と、前記誘電体基板
の他方主面に形成された第２の導体と、前記第１の導体
から前記誘電体基板が露出するように前記第１の導体に
形成された第１の開口部と、前記第２の導体から前記誘
電体基板が露出するように前記第２の導体に形成された
第２の開口部と、少なくとも前記第１の開口部を覆うよ
うに前記第１の導体から間隔を隔てて配置された第１の
導電体板と、少なくとも前記第２の開口部を覆うように
前記第２の導体から間隔を隔てて配置された第２の導電
体板と、前記第１の開口部と前記第２の開口部により決
定される共振部と、前記共振部に結合する入出力手段と
を有する第２のフィルタと、前記第１のフィルタの入出
力手段のうちの一つと第２のフィルタの入出力手段のう
ちの一つとを接続した共通入出力手段と、前記第１のフ
ィルタの第１、第２の導電体板間または前記第２のフィ
ルタの第１、第２の導電体板間の少なくとも一方に配置
される電磁波吸収体とからなり、前記第１のフィルタに
送信回路が接続され、前記第２のフィルタに受信回路が
接続され、前記共通入出力手段にアンテナが接続されて
いる。
【００３６】これにより、電磁波吸収体にスプリアスと
なるモードの電磁波を吸収させることができる。
なるモードの電磁波を吸収させることができる。
【００３７】請求項１２に係る通信機装置では、電磁波
吸収体が、前記第１のフィルタの前記第１、第２の導電
体板の少なくともどちらか一方と前記誘電体基板との間
または前記第２のフィルタの前記第１、第２の導電体板
の少なくともどちらか一方と前記誘電体基板との間のう
ち、少なくとも一方に配置されている。
吸収体が、前記第１のフィルタの前記第１、第２の導電
体板の少なくともどちらか一方と前記誘電体基板との間
または前記第２のフィルタの前記第１、第２の導電体板
の少なくともどちらか一方と前記誘電体基板との間のう
ち、少なくとも一方に配置されている。
【００３８】これにより、誘電体基板に形成された電極
の開口部の電極縁端部分で発生し、電極と導体との間を
伝搬する不要なＴＥＭモードの電磁波を吸収し、不要な
スプリアスを低減することができる。
の開口部の電極縁端部分で発生し、電極と導体との間を
伝搬する不要なＴＥＭモードの電磁波を吸収し、不要な
スプリアスを低減することができる。
【００３９】請求項１３に係る通信機装置では、電磁波
吸収体が、前記第１のフィルタの共振部と前記第２のフ
ィルタの共振部とを分離するように配置されている。
吸収体が、前記第１のフィルタの共振部と前記第２のフ
ィルタの共振部とを分離するように配置されている。
【００４０】これにより、受信側の信号と送信側の信号
が干渉しあうのを防ぐことができる。
が干渉しあうのを防ぐことができる。
【００４１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
を図１、図２を用いて説明する。図１は本実施の形態に
係る誘電体共振器１の分解斜視図であり、図２は図１の
Ｘ−Ｘ線断面図である。
を図１、図２を用いて説明する。図１は本実施の形態に
係る誘電体共振器１の分解斜視図であり、図２は図１の
Ｘ−Ｘ線断面図である。
【００４２】図１に示すように、誘電体共振器１は、両
主面に電極を形成した誘電体基板２と上下導体ケース
３、４から構成されている。
主面に電極を形成した誘電体基板２と上下導体ケース
３、４から構成されている。
【００４３】誘電体基板２は一定の比誘電率を有する基
板で、その両主面に１つの円形状の開口部２ｃ、２ｄを
有する電極２ａ、２ｂが、開口部２ｃ、２ｄが互いに対
向するように配置して形成されている。
板で、その両主面に１つの円形状の開口部２ｃ、２ｄを
有する電極２ａ、２ｂが、開口部２ｃ、２ｄが互いに対
向するように配置して形成されている。
【００４４】上導体ケース３は、金属により形成されて
おり、下面開口の箱形形状をしている。また、上導体ケ
ース３は電極２ａの開口部２ｃ付近で、誘電体基板２か
ら間隔をおいて配置されている。
おり、下面開口の箱形形状をしている。また、上導体ケ
ース３は電極２ａの開口部２ｃ付近で、誘電体基板２か
ら間隔をおいて配置されている。
【００４５】下導体ケース４は、誘電体により形成され
ており、上面開口の箱型形状で側面に鍔が突出した形状
となっている。また、下導体ケース４の内周面には遮蔽
導体６が形成されており、下面にはアース導体６ａが形
成されている。さらに、電極２ｂの開口部２ｄに対向す
る位置にマイクロストリップライン電極５が遮蔽導体６
と絶縁されて形成されている。マイクロストリップライ
ン電極５は下導体ケース４の側面に形成された孔４ａ、
４ｂから導出されている。
ており、上面開口の箱型形状で側面に鍔が突出した形状
となっている。また、下導体ケース４の内周面には遮蔽
導体６が形成されており、下面にはアース導体６ａが形
成されている。さらに、電極２ｂの開口部２ｄに対向す
る位置にマイクロストリップライン電極５が遮蔽導体６
と絶縁されて形成されている。マイクロストリップライ
ン電極５は下導体ケース４の側面に形成された孔４ａ、
４ｂから導出されている。
【００４６】上導体ケース３の内部天井面と誘電体基板
２との間には、電磁波吸収材料により形成された柱状体
７、７がそれぞれ配置されている。
２との間には、電磁波吸収材料により形成された柱状体
７、７がそれぞれ配置されている。
【００４７】これと同様に下導体ケース４の内部底面と
誘電体基板２との間には電磁波吸収材料により形成され
た柱状体８、８が配置されている。柱状体８には、マイ
クロストリップライン電極５と接触しないように切り欠
き８ａが形成されている。
誘電体基板２との間には電磁波吸収材料により形成され
た柱状体８、８が配置されている。柱状体８には、マイ
クロストリップライン電極５と接触しないように切り欠
き８ａが形成されている。
【００４８】図２は図１の誘電体共振器１をＸ−Ｘ線で
切断して矢印の方向に見た断面図である。図２に示すよ
うに、柱状体７、８がスペーサとしての機能も有してお
り、柱状体７が誘電体基板２と上導体ケース３との間隔
を一定に保ち、柱状体８が誘電体基板２と下導体ケース
４との間隔を一定に保っている。
切断して矢印の方向に見た断面図である。図２に示すよ
うに、柱状体７、８がスペーサとしての機能も有してお
り、柱状体７が誘電体基板２と上導体ケース３との間隔
を一定に保ち、柱状体８が誘電体基板２と下導体ケース
４との間隔を一定に保っている。
【００４９】このように誘電体基板２の電極２ａ、２ｂ
と上下導体ケース３、４との間に電磁波吸収材料からな
る柱状体７、８を配置することによって、誘電体基板２
の電極２ａ、２ｂと上下導体ケース３、４との間を不要
モードが伝搬することを防ぐことができる。
と上下導体ケース３、４との間に電磁波吸収材料からな
る柱状体７、８を配置することによって、誘電体基板２
の電極２ａ、２ｂと上下導体ケース３、４との間を不要
モードが伝搬することを防ぐことができる。
【００５０】なお、本実施の形態では、電磁波吸収材料
を柱状体に形成しているがこれに限るものではなく、例
えば、環状体に形成してもよい。この時、開口部２ｃ、
２ｄを取り囲むような形状にするのが最も不要モード抑
圧の効果が大きいので、そのような形状にするのが好ま
しい。
を柱状体に形成しているがこれに限るものではなく、例
えば、環状体に形成してもよい。この時、開口部２ｃ、
２ｄを取り囲むような形状にするのが最も不要モード抑
圧の効果が大きいので、そのような形状にするのが好ま
しい。
【００５１】また、このような電磁波吸収材料（wave
absorber）として、フェライトやカーボンを用いられ
る。また、プラスチックや樹脂にカルボニル鉄等を含有
させた電磁波吸収体等を用いてもよい。さらに、その他
の電磁波吸収体を用いてもよく、例えば、「電波吸収体
と電波暗室（関康雄 株式会社ＣＭＣ） １９８９年３
月」に記載されているものを用いることも考えられる。
absorber）として、フェライトやカーボンを用いられ
る。また、プラスチックや樹脂にカルボニル鉄等を含有
させた電磁波吸収体等を用いてもよい。さらに、その他
の電磁波吸収体を用いてもよく、例えば、「電波吸収体
と電波暗室（関康雄 株式会社ＣＭＣ） １９８９年３
月」に記載されているものを用いることも考えられる。
【００５２】次に、第２の実施の形態に係る誘電体共振
器１１について図３を用いて説明する。図３は、図２と
同じ位置での断面図である。
器１１について図３を用いて説明する。図３は、図２と
同じ位置での断面図である。
【００５３】図３に示すように、誘電体共振器１１は、
両主面に電極を形成した誘電体基板１２と上下導体ケー
ス１３、１４から構成されている。
両主面に電極を形成した誘電体基板１２と上下導体ケー
ス１３、１４から構成されている。
【００５４】誘電体基板１２は一定の比誘電率を有する
基板で、その両主面に１つの円形状の開口部１２ｃ、１
２ｄを有する電極１２ａ、１２ｂが、開口部１２ｃ、１
２ｄが互いに対向するように配置して形成されている。
基板で、その両主面に１つの円形状の開口部１２ｃ、１
２ｄを有する電極１２ａ、１２ｂが、開口部１２ｃ、１
２ｄが互いに対向するように配置して形成されている。
【００５５】上導体ケース１３は、金属により形成され
ており、板状をしている。また、上導体ケース１３は電
極１２ａの開口部１２ｃ付近で、誘電体基板１２から間
隔をおいて配置されている。
ており、板状をしている。また、上導体ケース１３は電
極１２ａの開口部１２ｃ付近で、誘電体基板１２から間
隔をおいて配置されている。
【００５６】下導体ケース１４は、段付の環状金属部と
誘電体基板部により形成されており、上面開口の箱型形
状で側面に鍔が突出した形状となっている。また、下導
体ケース１４の内周面には遮蔽導体１６が形成されてお
り、下面にはアース導体１６ａが形成されている。さら
に、電極１２ｂの開口部１２ｄに対向する位置に図示し
ないマイクロストリップライン電極が遮蔽導体１６と絶
縁されて形成されている。
誘電体基板部により形成されており、上面開口の箱型形
状で側面に鍔が突出した形状となっている。また、下導
体ケース１４の内周面には遮蔽導体１６が形成されてお
り、下面にはアース導体１６ａが形成されている。さら
に、電極１２ｂの開口部１２ｄに対向する位置に図示し
ないマイクロストリップライン電極が遮蔽導体１６と絶
縁されて形成されている。
【００５７】下導体ケース１４の環状金属部の段には誘
電体基板１２と電磁波吸収材料により形成された環状体
１７が配置されている。この時、誘電体基板１２の両主
面に垂直な側面に電磁波吸収材料からなる矩形状の環状
体１７が接するように配置している。
電体基板１２と電磁波吸収材料により形成された環状体
１７が配置されている。この時、誘電体基板１２の両主
面に垂直な側面に電磁波吸収材料からなる矩形状の環状
体１７が接するように配置している。
【００５８】このように、誘電体基板１２の側面を電磁
波吸収材からなる環状体１７に接するように配置してい
るため、誘電体基板１２内を伝搬して側壁の導体で反射
する不要モードを吸収することができる。
波吸収材からなる環状体１７に接するように配置してい
るため、誘電体基板１２内を伝搬して側壁の導体で反射
する不要モードを吸収することができる。
【００５９】次に、本発明の第３の実施の形態を図４、
図５を用いて説明する。図４は本実施の形態に係る誘電
体フィルタ２１の分解斜視図であり、図５は図４のＹ−
Ｙ線断面図である。
図５を用いて説明する。図４は本実施の形態に係る誘電
体フィルタ２１の分解斜視図であり、図５は図４のＹ−
Ｙ線断面図である。
【００６０】図４に示すように、誘電体フィルタ２１
は、両主面に電極を形成した誘電体基板２と上下導体ケ
ース２３、２４から構成されている。
は、両主面に電極を形成した誘電体基板２と上下導体ケ
ース２３、２４から構成されている。
【００６１】誘電体基板２２は一定の比誘電率を有する
基板で、その両主面に３つの円形状の開口部２２ｃ、２
２ｄを有する電極２２ａ、２２ｂが、開口部２２ｃ、２
２ｄが互いに対向するように配置して形成されている。
基板で、その両主面に３つの円形状の開口部２２ｃ、２
２ｄを有する電極２２ａ、２２ｂが、開口部２２ｃ、２
２ｄが互いに対向するように配置して形成されている。
【００６２】上導体ケース２３は、金属により形成され
ており、下面開口の箱形形状をしている。また、上導体
ケース２３は電極２２ａの開口部２２ｃ付近で、誘電体
基板２２から間隔をおいて配置されている。
ており、下面開口の箱形形状をしている。また、上導体
ケース２３は電極２２ａの開口部２２ｃ付近で、誘電体
基板２２から間隔をおいて配置されている。
【００６３】下導体ケース２４は、誘電体により形成さ
れており、上面開口の箱型形状で側面に鍔が突出した形
状となっている。また、下導体ケース２４の内周面には
遮蔽導体２６が形成されており、電極２２ｂの３つの開
口部２２ｄのうち両端の開口部２２ｄに対向する位置に
入出力電極２５ａ、２５ｂが遮蔽導体２６と絶縁されて
形成されている。入出力電極２５ａ、２５ｂは下導体ケ
ース２４の側面に形成された孔２４ａ、２４ｂから導出
されている。
れており、上面開口の箱型形状で側面に鍔が突出した形
状となっている。また、下導体ケース２４の内周面には
遮蔽導体２６が形成されており、電極２２ｂの３つの開
口部２２ｄのうち両端の開口部２２ｄに対向する位置に
入出力電極２５ａ、２５ｂが遮蔽導体２６と絶縁されて
形成されている。入出力電極２５ａ、２５ｂは下導体ケ
ース２４の側面に形成された孔２４ａ、２４ｂから導出
されている。
【００６４】上導体ケース２３の内部天井面と誘電体基
板２２との間には、電磁波吸収材料により形成された矩
形の環状体２７が配置されている。
板２２との間には、電磁波吸収材料により形成された矩
形の環状体２７が配置されている。
【００６５】これと同様に下導体ケース２４の内部底面
と誘電体基板２２との間には電磁波吸収材料により形成
された矩形の環状体２８が配置されている。環状体２８
には、入出力電極２５ａ、２５ｂと接触しないように切
り欠き２８ａ、２８ｂが形成されている。
と誘電体基板２２との間には電磁波吸収材料により形成
された矩形の環状体２８が配置されている。環状体２８
には、入出力電極２５ａ、２５ｂと接触しないように切
り欠き２８ａ、２８ｂが形成されている。
【００６６】図５は図４の誘電体フィルタ１をＸ−Ｘ線
で切断して矢印の方向に見た断面図である。図５に示す
ように、環状体２７、２８がスペーサとしての機能も有
しており、環状体２７が誘電体基板２２と上導体ケース
２３との間隔を一定に保ち、環状体２８が誘電体基板２
２と下導体ケース２４との間隔を一定に保っている。
で切断して矢印の方向に見た断面図である。図５に示す
ように、環状体２７、２８がスペーサとしての機能も有
しており、環状体２７が誘電体基板２２と上導体ケース
２３との間隔を一定に保ち、環状体２８が誘電体基板２
２と下導体ケース２４との間隔を一定に保っている。
【００６７】このように誘電体基板２２の電極２２ａ、
２２ｂと上下導体ケース２３、２４との間に電磁波吸収
材料からなる環状体２７、２８を配置することによっ
て、誘電体基板２２の電極２２ａ、２２ｂと上下導体ケ
ース２３、２４との間を不要モードが伝搬することを防
ぐことができる。
２２ｂと上下導体ケース２３、２４との間に電磁波吸収
材料からなる環状体２７、２８を配置することによっ
て、誘電体基板２２の電極２２ａ、２２ｂと上下導体ケ
ース２３、２４との間を不要モードが伝搬することを防
ぐことができる。
【００６８】なお、本実施の形態では、電磁波吸収材料
を矩形の環状体に形成しているがこれに限るものではな
く、例えば、棒状体に形成してもよい。この時、誘電体
基板２２の主面においての外周を構成する辺のうち少な
くとも一つに、電磁波吸収材量からなる棒状体を配置す
れば、不要モード抑圧の効果を得られるが、開口部２２
ｃ、２２ｄを取り囲むような形状にするのが最も不要モ
ード抑圧の効果が大きいので、そのような形状にするの
が好ましい。
を矩形の環状体に形成しているがこれに限るものではな
く、例えば、棒状体に形成してもよい。この時、誘電体
基板２２の主面においての外周を構成する辺のうち少な
くとも一つに、電磁波吸収材量からなる棒状体を配置す
れば、不要モード抑圧の効果を得られるが、開口部２２
ｃ、２２ｄを取り囲むような形状にするのが最も不要モ
ード抑圧の効果が大きいので、そのような形状にするの
が好ましい。
【００６９】次に、第４の実施の形態について図６を用
いて説明する。図６は、図５と同じ位置での断面図であ
る。
いて説明する。図６は、図５と同じ位置での断面図であ
る。
【００７０】本実施の形態では、図４、図５の矩形の環
状体２７、２８の代わりに電磁波吸収体３７を形成して
いる。
状体２７、２８の代わりに電磁波吸収体３７を形成して
いる。
【００７１】すなわち、図６に示すように、誘電体フィ
ルタ３１では、誘電体基板３２の両主面に形成された、
開口部３２ｃ、３２ｄを有する電極３２ａ、３２ｂ上
に、ペースト状の電磁波吸収材を塗布・硬化させること
により電磁波吸収体３７を形成している。
ルタ３１では、誘電体基板３２の両主面に形成された、
開口部３２ｃ、３２ｄを有する電極３２ａ、３２ｂ上
に、ペースト状の電磁波吸収材を塗布・硬化させること
により電磁波吸収体３７を形成している。
【００７２】このように誘電体基板３２の電極３２ａ、
３２ｂと上下導体ケース３３、３４との間に電磁波吸収
体３７を形成することによって、誘電体基板３２の電極
３２ａ、３２ｂと上下導体ケース３３、３４との間を不
要モードが伝搬することを防ぐことができる。
３２ｂと上下導体ケース３３、３４との間に電磁波吸収
体３７を形成することによって、誘電体基板３２の電極
３２ａ、３２ｂと上下導体ケース３３、３４との間を不
要モードが伝搬することを防ぐことができる。
【００７３】なお、本実施の形態では電磁波吸収体３７
をスペーサとして用いていないので、上導体ケース３３
及び下導体ケース３４に誘電体基板３２の支持部分を形
成しているが、電磁波吸収体３７の厚みを厚くしてスペ
ーサとして用いることもできる。この場合、電磁波吸収
体３７は開口部３２ｃ、３２ｄを囲むように形成するの
が好ましいが、入出力電極３５ａ、３５ｂとは交差しな
いように形成する必要がある。
をスペーサとして用いていないので、上導体ケース３３
及び下導体ケース３４に誘電体基板３２の支持部分を形
成しているが、電磁波吸収体３７の厚みを厚くしてスペ
ーサとして用いることもできる。この場合、電磁波吸収
体３７は開口部３２ｃ、３２ｄを囲むように形成するの
が好ましいが、入出力電極３５ａ、３５ｂとは交差しな
いように形成する必要がある。
【００７４】さらに、本実施の形態では電磁波吸収体３
７を誘電体基板３２に形成しているが、これに限るもの
ではなく、上下導体ケース３３、３４側に電磁波吸収体
を形成しても同様の効果が得られる。
７を誘電体基板３２に形成しているが、これに限るもの
ではなく、上下導体ケース３３、３４側に電磁波吸収体
を形成しても同様の効果が得られる。
【００７５】次に、本発明の第５の実施の形態を図７、
図８を用いて説明する。図７は本実施の形態に係る誘電
体フィルタ４１の分解斜視図であり、図８は図７のＺ−
Ｚ線断面図である。
図８を用いて説明する。図７は本実施の形態に係る誘電
体フィルタ４１の分解斜視図であり、図８は図７のＺ−
Ｚ線断面図である。
【００７６】図７に示すように、誘電体共振器４１は、
両主面に電極を形成した誘電体基板４２と上下導体ケー
ス４３、４４から構成されている。
両主面に電極を形成した誘電体基板４２と上下導体ケー
ス４３、４４から構成されている。
【００７７】誘電体基板４２は一定の比誘電率を有する
基板で、その両主面に３つの円形状の開口部４２ｃ、４
２ｄを有する電極４２ａ、４２ｂが、開口部４２ｃ、４
２ｄが互いに対向するように配置して形成されている。
基板で、その両主面に３つの円形状の開口部４２ｃ、４
２ｄを有する電極４２ａ、４２ｂが、開口部４２ｃ、４
２ｄが互いに対向するように配置して形成されている。
【００７８】上導体ケース４３は、金属により形成され
ており、板状をしている。また、上導体ケース４３は電
極４２ａの開口部４２ｃ付近で、誘電体基板４２から間
隔をおいて配置されている。
ており、板状をしている。また、上導体ケース４３は電
極４２ａの開口部４２ｃ付近で、誘電体基板４２から間
隔をおいて配置されている。
【００７９】下導体ケース４４は、段付の環状金属部と
誘電体基板部により形成されており、上面開口の箱型形
状で側面に鍔が突出した形状となっている。また、下導
体ケース４４の内周面には遮蔽導体４６が形成されてお
り、下面にはアース導体４６ａが形成されている。さら
に、電極４２ｂの開口部４２ｄに対向する位置に図示し
ないマイクロストリップライン電極が遮蔽導体４６と絶
縁されて形成されている。
誘電体基板部により形成されており、上面開口の箱型形
状で側面に鍔が突出した形状となっている。また、下導
体ケース４４の内周面には遮蔽導体４６が形成されてお
り、下面にはアース導体４６ａが形成されている。さら
に、電極４２ｂの開口部４２ｄに対向する位置に図示し
ないマイクロストリップライン電極が遮蔽導体４６と絶
縁されて形成されている。
【００８０】下導体ケース４４の環状金属部の段には誘
電体基板４２と電磁波吸収材料により形成された環状体
４７が配置されている。この時、誘電体基板４２の両主
面に垂直な側面に電磁波吸収材料からなる矩形状の環状
体４７が接するように配置している。
電体基板４２と電磁波吸収材料により形成された環状体
４７が配置されている。この時、誘電体基板４２の両主
面に垂直な側面に電磁波吸収材料からなる矩形状の環状
体４７が接するように配置している。
【００８１】このように、誘電体基板４２の側面を電磁
波吸収材からなる環状体４７に接するように配置してい
るため、誘電体基板４２内を伝搬して側壁の導体で反射
する不要モードを吸収することができる。
波吸収材からなる環状体４７に接するように配置してい
るため、誘電体基板４２内を伝搬して側壁の導体で反射
する不要モードを吸収することができる。
【００８２】次に、本発明の第６の実施の形態を図９を
用いて説明する。図９は本実施の形態に係る共用器５１
の分解斜視図である。
用いて説明する。図９は本実施の形態に係る共用器５１
の分解斜視図である。
【００８３】図９に示すように、共用器５１は、両主面
に電極を形成した誘電体基板５２と上下導体ケース５
３、５４から構成されている。
に電極を形成した誘電体基板５２と上下導体ケース５
３、５４から構成されている。
【００８４】誘電体基板５２は一定の比誘電率を有する
基板で、その両主面に４つの円形状の開口部５２ｃ、５
２ｄを有する電極５２ａ、５２ｂが、開口部５２ｃ、５
２ｄが互いに対向するように配置して形成されている。
基板で、その両主面に４つの円形状の開口部５２ｃ、５
２ｄを有する電極５２ａ、５２ｂが、開口部５２ｃ、５
２ｄが互いに対向するように配置して形成されている。
【００８５】この４つの開口部５２ｃ、５２ｄのうち２
つが第１のフィルタの共振部として機能し、残る２つが
第２のフィルタの共振部として機能する上導体ケース５
３は、金属により形成されており、下面開口の箱形形状
をしている。また、上導体ケース５３は電極５２ａの開
口部５２ｃ付近で、誘電体基板５２から間隔をおいて配
置されている。
つが第１のフィルタの共振部として機能し、残る２つが
第２のフィルタの共振部として機能する上導体ケース５
３は、金属により形成されており、下面開口の箱形形状
をしている。また、上導体ケース５３は電極５２ａの開
口部５２ｃ付近で、誘電体基板５２から間隔をおいて配
置されている。
【００８６】下導体ケース５４は、誘電体により形成さ
れており、上面開口の箱型形状で側面に鍔が突出した形
状となっている。また、下導体ケース５４の内周面には
遮蔽導体５６が形成されており、下面にはアース導体５
６ａが形成されている。さらに、電極５２ｂの開口部５
２ｄに対向する位置にマイクロストリップライン電極５
５ａ、５５ｂ、５５ｃが遮蔽導体５６と絶縁されて形成
されている。マイクロストリップライン電極５５ａ、５
５ｂ、５５ｃは下導体ケース５４の側面に形成された孔
４ａ、４ｂ、４ｃから導出されている。
れており、上面開口の箱型形状で側面に鍔が突出した形
状となっている。また、下導体ケース５４の内周面には
遮蔽導体５６が形成されており、下面にはアース導体５
６ａが形成されている。さらに、電極５２ｂの開口部５
２ｄに対向する位置にマイクロストリップライン電極５
５ａ、５５ｂ、５５ｃが遮蔽導体５６と絶縁されて形成
されている。マイクロストリップライン電極５５ａ、５
５ｂ、５５ｃは下導体ケース５４の側面に形成された孔
４ａ、４ｂ、４ｃから導出されている。
【００８７】下導体ケース５４の内部底面と誘電体基板
５２との間には電磁波吸収材料により形成された柱状体
５７、５８が配置されている。柱状体５８には、マイク
ロストリップライン電極５５ａと接触しないように切り
欠き５８ａが形成されている。
５２との間には電磁波吸収材料により形成された柱状体
５７、５８が配置されている。柱状体５８には、マイク
ロストリップライン電極５５ａと接触しないように切り
欠き５８ａが形成されている。
【００８８】柱状体５８はスペーサとしての機能も有し
ており、柱状体５７、５８が誘電体基板５２と下導体ケ
ース５４との間隔を一定に保っている。
ており、柱状体５７、５８が誘電体基板５２と下導体ケ
ース５４との間隔を一定に保っている。
【００８９】このように誘電体基板５２の電極５２ｂと
下導体ケース５４との間に電磁波吸収材料からなる柱状
体５７を配置することによって、誘電体基板５２の電極
５２ｂと下導体ケース５４との間を不要モードが伝搬す
ることを防ぐことができる。
下導体ケース５４との間に電磁波吸収材料からなる柱状
体５７を配置することによって、誘電体基板５２の電極
５２ｂと下導体ケース５４との間を不要モードが伝搬す
ることを防ぐことができる。
【００９０】また、柱状体５８は第１のフィルタを構成
する２つの開口部５２ｄと第２のフィルタを構成する２
つの開口部５２ｄとを仕切る形で配置されているため、
第１のフィルタと第２のフィルタの共振が干渉しあうこ
とを防止することができる。
する２つの開口部５２ｄと第２のフィルタを構成する２
つの開口部５２ｄとを仕切る形で配置されているため、
第１のフィルタと第２のフィルタの共振が干渉しあうこ
とを防止することができる。
【００９１】なお、本実施の形態では、柱状体５７、５
８は下導体ケース５４側にのみ配置したが、これに限る
ものではなく、上導体ケース５３側にも、対称的に配置
しても良い。この場合、さらに不要モード伝搬の防止及
び共振の干渉を防ぐことができる。また、図４に示した
第３の実施形態の誘電体フィルタ２１に用いた環状の電
磁波吸収体を用いてもよく、この場合、さらに不要モー
ド伝搬の防止及び共振の干渉を防ぐことができる。
８は下導体ケース５４側にのみ配置したが、これに限る
ものではなく、上導体ケース５３側にも、対称的に配置
しても良い。この場合、さらに不要モード伝搬の防止及
び共振の干渉を防ぐことができる。また、図４に示した
第３の実施形態の誘電体フィルタ２１に用いた環状の電
磁波吸収体を用いてもよく、この場合、さらに不要モー
ド伝搬の防止及び共振の干渉を防ぐことができる。
【００９２】次に、本発明の第７の実施の形態を図１０
を用いて説明する。図１０は本実施の形態に係る共用器
６１の断面図である。
を用いて説明する。図１０は本実施の形態に係る共用器
６１の断面図である。
【００９３】図１０に示すように、共用器６１は、両主
面に電極を形成した誘電体基板６２と上下導体ケース６
３、６４から構成されている。
面に電極を形成した誘電体基板６２と上下導体ケース６
３、６４から構成されている。
【００９４】誘電体基板６２は一定の比誘電率を有する
基板で、その両主面に４つの円形状の開口部６２ｃ、６
２ｄを有する電極６２ａ、６２ｂが、開口部６２ｃ、６
２ｄが互いに対向するように配置して形成されている。
基板で、その両主面に４つの円形状の開口部６２ｃ、６
２ｄを有する電極６２ａ、６２ｂが、開口部６２ｃ、６
２ｄが互いに対向するように配置して形成されている。
【００９５】上導体ケース６３は、金属により形成され
ており、板状をしている。また、上導体ケース６３は電
極６２ａの開口部６２ｃ付近で、誘電体基板６２から間
隔をおいて配置されている。
ており、板状をしている。また、上導体ケース６３は電
極６２ａの開口部６２ｃ付近で、誘電体基板６２から間
隔をおいて配置されている。
【００９６】下導体ケース６４は、段付の環状金属部と
誘電体基板部により形成されており、上面開口の箱型形
状で側面に鍔が突出した形状となっている。また、下導
体ケース６４の内周面には遮蔽導体１６が形成されてお
り、下面にはアース導体６６ａが形成されている。さら
に、電極６２ｂの開口部６２ｄに対向する位置にマイク
ロストリップライン電極６５ａ、６５ｂ、６５ｃが遮蔽
導体６６と絶縁されて形成されている。
誘電体基板部により形成されており、上面開口の箱型形
状で側面に鍔が突出した形状となっている。また、下導
体ケース６４の内周面には遮蔽導体１６が形成されてお
り、下面にはアース導体６６ａが形成されている。さら
に、電極６２ｂの開口部６２ｄに対向する位置にマイク
ロストリップライン電極６５ａ、６５ｂ、６５ｃが遮蔽
導体６６と絶縁されて形成されている。
【００９７】下導体ケース６４の環状金属部の段には誘
電体基板６２と電磁波吸収材料により形成された環状体
６７が配置されている。この時、誘電体基板６２の両主
面に垂直な側面に電磁波吸収材料からなる矩形状の環状
体６７が接するように配置している。
電体基板６２と電磁波吸収材料により形成された環状体
６７が配置されている。この時、誘電体基板６２の両主
面に垂直な側面に電磁波吸収材料からなる矩形状の環状
体６７が接するように配置している。
【００９８】このように、誘電体基板６２の側面を電磁
波吸収材からなる環状体６７に接するように配置してい
るため、誘電体基板６２内を伝搬して側壁の導体で反射
する不要モードを吸収することができる。
波吸収材からなる環状体６７に接するように配置してい
るため、誘電体基板６２内を伝搬して側壁の導体で反射
する不要モードを吸収することができる。
【００９９】次に、第８の実施の形態に係る通信機装置
７１について図１１を用いて説明する。図１１に示すよ
うに、通信機装置７１はアンテナ７２、伝送線路７３、
共用器部７４と受信回路７５及び送信回路７６から構成
されている。
７１について図１１を用いて説明する。図１１に示すよ
うに、通信機装置７１はアンテナ７２、伝送線路７３、
共用器部７４と受信回路７５及び送信回路７６から構成
されている。
【０１００】共用器部７４は受信フィルタ７４ａと送信
フィルタ７４ｂから構成されており、受信フィルタ７４
ａの一方の入力端と送信フィルタ７４ｂの出力端が共通
に接続されている。この共通に接続された入出力端が伝
送線路７３を介してアンテナ７２に接続され、高周波信
号を送受信している。また、受信フィルタ７４ａの出力
端は受信回路７５に接続され、送信フィルタ７４ｂの入
力端は送信回路７６に接続されている。
フィルタ７４ｂから構成されており、受信フィルタ７４
ａの一方の入力端と送信フィルタ７４ｂの出力端が共通
に接続されている。この共通に接続された入出力端が伝
送線路７３を介してアンテナ７２に接続され、高周波信
号を送受信している。また、受信フィルタ７４ａの出力
端は受信回路７５に接続され、送信フィルタ７４ｂの入
力端は送信回路７６に接続されている。
【０１０１】共用器部７４には、第６、７の実施の形態
で説明した共用器５１、６１を用いてもよいし、第１〜
第５の実施の形態で説明した共振器１、１１、誘電体フ
ィルタ２１、３１、４１を受信フィルタ４４ａや送信フ
ィルタ４４ｂにそれぞれ用いてもよい。
で説明した共用器５１、６１を用いてもよいし、第１〜
第５の実施の形態で説明した共振器１、１１、誘電体フ
ィルタ２１、３１、４１を受信フィルタ４４ａや送信フ
ィルタ４４ｂにそれぞれ用いてもよい。
【０１０２】なお、第１〜第８の実施の形態ではすべて
帯域通過フィルタを用いて説明したが、これに限るもの
ではなく、例えば、帯域阻止フィルタやトラップフィル
タ等にも本発明は適用できるものである。
帯域通過フィルタを用いて説明したが、これに限るもの
ではなく、例えば、帯域阻止フィルタやトラップフィル
タ等にも本発明は適用できるものである。
【０１０３】
【発明の効果】以上のように、本発明の誘電体共振器、
誘電体フィルタ、共用器、通信機装置では、第１、第２
の導体との間に電磁波吸収体を配置することによって、
不要共振であるスプリアスとなるモードの電磁波を抑圧
することができ、良好なフィルタ特性を得ることができ
る。
誘電体フィルタ、共用器、通信機装置では、第１、第２
の導体との間に電磁波吸収体を配置することによって、
不要共振であるスプリアスとなるモードの電磁波を抑圧
することができ、良好なフィルタ特性を得ることができ
る。
【０１０４】特に、誘電体基板の電極と第１、第２の導
体との間に電磁波吸収体を形成することによって、誘電
体基板の電極と第１、第２の導体との間を不要モードが
伝搬することを防ぐことができる。
体との間に電磁波吸収体を形成することによって、誘電
体基板の電極と第１、第２の導体との間を不要モードが
伝搬することを防ぐことができる。
【０１０５】また、誘電体基板の四側面に電磁波吸収体
を当接しているため、誘電体基板内を伝搬する不要モー
ドを吸収することができる。
を当接しているため、誘電体基板内を伝搬する不要モー
ドを吸収することができる。
【図１】第１の実施形態に係る誘電体共振器の分解斜視
図である。
図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線断面図である。
【図３】第２の実施形態に係る誘電体共振器の断面図で
ある。
ある。
【図４】第３の実施形態に係る誘電体フィルタの分解斜
視図である。
視図である。
【図５】図４のＹ−Ｙ線断面図である。
【図６】第４の実施形態に係る誘電体フィルタの断面図
である。
である。
【図７】第５の実施形態に係る誘電体フィルタの分解斜
視図である。
視図である。
【図８】図７のＺ−Ｚ線断面図である。
【図９】第６の実施形態に係る共用器の分解斜視図であ
る。
る。
【図１０】第７の実施形態に係る共用器の断面図であ
る。
る。
【図１１】第８の実施形態に係る通信機装置のブロック
図である。
図である。
【図１２】本願出願人が先に提案した誘電体フィルタの
分解斜視図である。
分解斜視図である。
１ 誘電体共振器 ２ 誘電体基板 ２ａ、２ｂ 電極 ３ 上導体ケース ４ 下導体ケース ４ａ、４ｂ 孔 ５ａ、５ｂ 入出力電極 ６ 遮蔽導体 ７、８ 電磁波吸収材料からなる柱状体 ８ａ、８ｂ 切り欠き部
Claims (14)
- 【請求項１】誘電体基板と、 前記誘電体基板の一方主面に形成された第１の導体と、 前記誘電体基板の他方主面に形成された第２の導体と、 前記第１の導体から前記誘電体基板が露出するように前
記第１の導体に形成された第１の開口部と、 前記第２の導体から前記誘電体基板が露出するように前
記第２の導体に形成された第２の開口部と、 少なくとも前記第１の開口部を覆うように前記第１の導
体から間隔を隔てて配置された第１の導電体板と、 少なくとも前記第２の開口部を覆うように前記第２の導
体から間隔を隔てて配置された第２の導電体板と、 前記第１の開口部と前記第２の開口部により決定される
共振部と、 前記第１、第２の導電体板間に配置される電磁波吸収体
と、を有することを特徴とする誘電体共振器。 - 【請求項２】前記電磁波吸収体は、前記第１、第２の導
電体板の少なくともどちらか一方と前記誘電体基板との
間に配置されたことを特徴とする請求項１記載の誘電体
共振器。 - 【請求項３】前記電磁波吸収体は、前記誘電体基板の両
主面に垂直な側面に接するように配置されたことを特徴
とする請求項１または請求項２記載の誘電体共振器。 - 【請求項４】誘電体基板と、 前記誘電体基板の一方主面に形成された第１の導体と、 前記誘電体基板の他方主面に形成された第２の導体と、 前記第１の導体から前記誘電体基板が露出するように前
記第１の導体に形成された第１の開口部と、 前記第２の導体から前記誘電体基板が露出するように前
記第２の導体に形成された第２の開口部と、 少なくとも前記第１の開口部を覆うように前記第１の導
体から間隔を隔てて配置された第１の導電体板と、 少なくとも前記第２の開口部を覆うように前記第２の導
体から間隔を隔てて配置された第２の導電体板と、 前記第１の開口部と前記第２の開口部により決定される
共振部と、 前記共振部に結合する入出力手段と、 前記第１、第２の導電体板間に配置される電磁波吸収体
と、を有することを特徴とする誘電体フィルタ。 - 【請求項５】前記電磁波吸収体は、前記第１、第２の導
電体板の少なくともどちらか一方と前記誘電体基板との
間に配置されたことを特徴とする請求項４記載の誘電体
フィルタ。 - 【請求項６】前記電磁波吸収体は、前記誘電体基板の両
主面に垂直な側面に接するように配置されたことを特徴
とする請求項４または請求項５記載の誘電体フィルタ。 - 【請求項７】少なくとも第１のフィルタと第２のフィル
タを有し、 前記第１のフィルタは、誘電体基板と、前記誘電体基板
の一方主面に形成された第１の導体と、前記誘電体基板
の他方主面に形成された第２の導体と、前記第１の導体
から前記誘電体基板が露出するように前記第１の導体に
形成された第１の開口部と、前記第２の導体から前記誘
電体基板が露出するように前記第２の導体に形成された
第２の開口部と、少なくとも前記第１の開口部を覆うよ
うに前記第１の導体から間隔を隔てて配置された第１の
導電体板と、少なくとも前記第２の開口部を覆うように
前記第２の導体から間隔を隔てて配置された第２の導電
体板と、前記第１の開口部と前記第２の開口部により決
定される共振部と、前記共振部に、結合する入出力手段
とを有し、 前記第２のフィルタは、誘電体基板と、前記誘電体基板
の両主面に形成される電極と、誘電体基板と、前記誘電
体基板の一方主面に形成された第１の導体と、前記誘電
体基板の他方主面に形成された第２の導体と、前記第１
の導体から前記誘電体基板が露出するように前記第１の
導体に形成された第１の開口部と、前記第２の導体から
前記誘電体基板が露出するように前記第２の導体に形成
された第２の開口部と、少なくとも前記第１の開口部を
覆うように前記第１の導体から間隔を隔てて配置された
第１の導電体板と、少なくとも前記第２の開口部を覆う
ように前記第２の導体から間隔を隔てて配置された第２
の導電体板と、前記第１の開口部と前記第２の開口部に
より決定される共振部と、前記共振部に、結合する入出
力手段とを有し、 前記第１のフィルタの入出力手段のうちの一つと第２の
フィルタの入出力手段のうちの一つとを接続した共通の
入出力手段を有し、 前記第１のフィルタの第１、第２の導電体板間または前
記第２のフィルタの第１、第２の導電体板間の少なくと
も一方に配置される電磁波吸収体を有することを特徴と
する共用器。 - 【請求項８】前記電磁波吸収体は、前記第１のフィルタ
の前記第１、第２の導電体板の少なくともどちらか一方
と前記誘電体基板との間または前記第２のフィルタの前
記第１、第２の導電体板の少なくともどちらか一方と前
記誘電体基板との間の少なくとも一方に配置されたこと
を特徴とする請求項７記載の共用器。 - 【請求項９】前記電磁波吸収体は、前記第１のフィルタ
の共振部と前記第２のフィルタの共振部とを分離するよ
うに配置されたことを特徴とする請求項７または請求項
８記載の共用器。 - 【請求項１０】前記電磁波吸収体は、前記第１のフィル
タの前記誘電体基板の両主面に垂直な側面、または前記
第２のフィルタの前記誘電体基板の両主面に垂直な側面
の少なくとも一方に接するように配置されたことを特徴
とする請求項７、請求項８または請求項９記載の共用
器。 - 【請求項１１】少なくとも共用器と送信回路及び受信回
路とアンテナとを有し、 前記共用器は、誘電体基板と、前記誘電体基板の一方主
面に形成された第１の導体と、前記誘電体基板の他方主
面に形成された第２の導体と、前記第１の導体から前記
誘電体基板が露出するように前記第１の導体に形成され
た第１の開口部と、前記第２の導体から前記誘電体基板
が露出するように前記第２の導体に形成された第２の開
口部と、少なくとも前記第１の開口部を覆うように前記
第１の導体から間隔を隔てて配置された第１の導電体板
と、少なくとも前記第２の開口部を覆うように前記第２
の導体から間隔を隔てて配置された第２の導電体板と、
前記第１の開口部と前記第２の開口部により決定される
共振部と、前記共振部に結合する入出力手段とを有する
第１のフィルタと、誘電体基板と、前記誘電体基板の一
方主面に形成された第１の導体と、前記誘電体基板の他
方主面に形成された第２の導体と、前記第１の導体から
前記誘電体基板が露出するように前記第１の導体に形成
された第１の開口部と、前記第２の導体から前記誘電体
基板が露出するように前記第２の導体に形成された第２
の開口部と、少なくとも前記第１の開口部を覆うように
前記第１の導体から間隔を隔てて配置された第１の導電
体板と、少なくとも前記第２の開口部を覆うように前記
第２の導体から間隔を隔てて配置された第２の導電体板
と、前記第１の開口部と前記第２の開口部により決定さ
れる共振部と、前記共振部に結合する入出力手段とを有
する第２のフィルタと、前記第１のフィルタの入出力手
段のうちの一つと第２のフィルタの入出力手段のうちの
一つとを接続した共通入出力手段と、前記第１のフィル
タの第１、第２の導電体板間または前記第２のフィルタ
の第１、第２の導電体板間の少なくとも一方に配置され
る電磁波吸収体とからなり、 前記第１のフィルタに送信回路が接続され、前記第２の
フィルタに受信回路が接続され、前記共通入出力手段に
アンテナが接続されたことを特徴とする通信機装置。 - 【請求項１２】前記電磁波吸収体は、前記第１のフィル
タの前記第１、第２の導電体板の少なくともどちらか一
方と前記誘電体基板との間または前記第２のフィルタの
前記第１、第２の導電体板の少なくともどちらか一方と
前記誘電体基板との間のうち、少なくとも一方に配置さ
れたことを特徴とする請求項１１記載の通信機装置。 - 【請求項１３】前記電磁波吸収体は、前記第１のフィル
タの共振部と前記第２のフィルタの共振部とを分離する
ように配置されたことを特徴とする請求項１１または請
求項１２記載の通信機装置。 - 【請求項１４】前記電磁波吸収体は、前記第１のフィル
タの前記誘電体基板の両主面に垂直な側面、または前記
第２のフィルタの前記誘電体基板の両主面に垂直な側面
の少なくとも一方に接するように配置されたことを特徴
とする請求項１１、請求項１２または請求項１３記載の
通信機装置。
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