JPH10329003A - 研磨クロスのドレッシング及びブラッシング方法 - Google Patents
研磨クロスのドレッシング及びブラッシング方法Info
- Publication number
- JPH10329003A JPH10329003A JP9155795A JP15579597A JPH10329003A JP H10329003 A JPH10329003 A JP H10329003A JP 9155795 A JP9155795 A JP 9155795A JP 15579597 A JP15579597 A JP 15579597A JP H10329003 A JPH10329003 A JP H10329003A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dressing
- polishing cloth
- polishing
- brushing
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハが移動し得る領域においてドレッシ
ング量を均一にして、半導体ウェーハの面内平坦度の低
下、品質の面内バラ付きの発生を防止できる研磨クロス
のドレッシング及びブラッシング方法の提供。 【解決手段】 円盤状プレートにウェーハが移動し得る
直径以上のリング状ドレッシングまたはブラッシング材
を埋設し、研磨クロスの回転数に対してドレッシング・
ブラッシングプレート回転数を特定計算式にて適切に決
定し、かつ研磨クロスの回転とは逆回転させることによ
り、研摩クロスのドレッシング量またはブラッシング量
の均一化を可能とする。
ング量を均一にして、半導体ウェーハの面内平坦度の低
下、品質の面内バラ付きの発生を防止できる研磨クロス
のドレッシング及びブラッシング方法の提供。 【解決手段】 円盤状プレートにウェーハが移動し得る
直径以上のリング状ドレッシングまたはブラッシング材
を埋設し、研磨クロスの回転数に対してドレッシング・
ブラッシングプレート回転数を特定計算式にて適切に決
定し、かつ研磨クロスの回転とは逆回転させることによ
り、研摩クロスのドレッシング量またはブラッシング量
の均一化を可能とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体デバイス
に使用される半導体ウェーハ研磨、ＣＭＰ工程におい
て、研磨に寄与する研磨クロス表面層を目立て、ドレッ
シング、ブラッシングすることで研磨速度の低下防止、
品質のばらつき防止、面内平坦度維持を行うためのドレ
ッシング及びブラッシング方法の改良に係り、リング内
径がウェーハの直径以上のドレッシング材を埋設したプ
レートを用いて、研磨クロスの回転数に対して特定の回
転数でクロスの回転方向に対して逆回転させることによ
り、ウェーハが移動し得る領域においてドレッシング量
を均一にした研磨クロスのドレッシング及びブラッシン
グ方法に関するものである。
に使用される半導体ウェーハ研磨、ＣＭＰ工程におい
て、研磨に寄与する研磨クロス表面層を目立て、ドレッ
シング、ブラッシングすることで研磨速度の低下防止、
品質のばらつき防止、面内平坦度維持を行うためのドレ
ッシング及びブラッシング方法の改良に係り、リング内
径がウェーハの直径以上のドレッシング材を埋設したプ
レートを用いて、研磨クロスの回転数に対して特定の回
転数でクロスの回転方向に対して逆回転させることによ
り、ウェーハが移動し得る領域においてドレッシング量
を均一にした研磨クロスのドレッシング及びブラッシン
グ方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体製造技術の分野における微
細化技術の進歩が著しく、これに伴い半導体ウェーハに
要求される加工精度はますます厳しくなっている。加工
精度の中でも、特にウェーハの平行度及び平坦度につい
ては、特に要求が厳しくなっている。
細化技術の進歩が著しく、これに伴い半導体ウェーハに
要求される加工精度はますます厳しくなっている。加工
精度の中でも、特にウェーハの平行度及び平坦度につい
ては、特に要求が厳しくなっている。
【０００３】半導体ウェーハの研磨に使用される鏡面研
磨方法には、加工歪みが最も少ないとされている、メカ
ノケミカルポリッシングが採用されている。詳述する
と、例えば５〜３００ｎｍ程度の粒径を有するＳｉＯ2
砥粒を苛性ソーダ、アンモニア及びエタノールアミン等
のアルカリ溶液に懸濁させてｐＨ９〜１２程度にした、
いわゆるコロイダルシリカからなる研磨液を用いて、半
導体ウェーハを固定した定盤と研磨クロスとを相対的に
回転させ、砥粒による機械的作用とアルカリ溶液のエッ
チによる化学的作用の両方を利用するメカノケミカルポ
リッシング法にて研磨する構成からなる。
磨方法には、加工歪みが最も少ないとされている、メカ
ノケミカルポリッシングが採用されている。詳述する
と、例えば５〜３００ｎｍ程度の粒径を有するＳｉＯ2
砥粒を苛性ソーダ、アンモニア及びエタノールアミン等
のアルカリ溶液に懸濁させてｐＨ９〜１２程度にした、
いわゆるコロイダルシリカからなる研磨液を用いて、半
導体ウェーハを固定した定盤と研磨クロスとを相対的に
回転させ、砥粒による機械的作用とアルカリ溶液のエッ
チによる化学的作用の両方を利用するメカノケミカルポ
リッシング法にて研磨する構成からなる。
【０００４】かかる半導体ウェーハの研磨やＣＭＰ工程
において、独立発泡体からなる研磨クロスを用いた場
合、研磨屑及び研磨剤の変質により、研磨クロスは研磨
が進むにつれて、次第に目詰まりし、やがて研磨クロス
は研磨を行うのに、十分な役目を果たさなくなるので、
研磨速度の低下や面内平坦度の低下を防止するために、
研磨クロス表面層に常に新しい発泡が存在するように研
磨中にもしくは研磨終了後にドレッシングが実施されて
いる。
において、独立発泡体からなる研磨クロスを用いた場
合、研磨屑及び研磨剤の変質により、研磨クロスは研磨
が進むにつれて、次第に目詰まりし、やがて研磨クロス
は研磨を行うのに、十分な役目を果たさなくなるので、
研磨速度の低下や面内平坦度の低下を防止するために、
研磨クロス表面層に常に新しい発泡が存在するように研
磨中にもしくは研磨終了後にドレッシングが実施されて
いる。
【０００５】従来のドレッシング法として、例えば、ダ
イヤモンドぺレット等を表面に定着させたドレッシング
材を用いて研磨クロス表面をメカニカルにドレッシング
し、半導体ウェーハの削り屑と一緒に研磨クロスの表面
を削り取っていた。また、薬液、例えば、苛性ソーダ等
の強アルカリ薬液を用いて、ブラシ等を併用して、半導
体ウェーハの削り屑を化学的に溶かす方法などが用いら
れてきた。
イヤモンドぺレット等を表面に定着させたドレッシング
材を用いて研磨クロス表面をメカニカルにドレッシング
し、半導体ウェーハの削り屑と一緒に研磨クロスの表面
を削り取っていた。また、薬液、例えば、苛性ソーダ等
の強アルカリ薬液を用いて、ブラシ等を併用して、半導
体ウェーハの削り屑を化学的に溶かす方法などが用いら
れてきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記のごとく、一般に
は研磨クロスを貼り付けたクロス定盤にドレッサーを追
従回転させるもの、追従回転させながら並進させるもの
が存在する。図１に追従回転させてクロスをドレッシン
グした際の研磨クロスの厚みを示すが、研磨クロスとド
レッサーの回転方向が相反する１０〜２５ｃｍ位置の研
磨クロスのドレッシング量が大きいことが分かる。その
ため研磨クロスの厚み変化が大きく、研磨においてウェ
ーハ面内平坦度の低下原因となる。
は研磨クロスを貼り付けたクロス定盤にドレッサーを追
従回転させるもの、追従回転させながら並進させるもの
が存在する。図１に追従回転させてクロスをドレッシン
グした際の研磨クロスの厚みを示すが、研磨クロスとド
レッサーの回転方向が相反する１０〜２５ｃｍ位置の研
磨クロスのドレッシング量が大きいことが分かる。その
ため研磨クロスの厚み変化が大きく、研磨においてウェ
ーハ面内平坦度の低下原因となる。
【０００７】また、半導体ウェーハの研磨で連続発泡体
の研磨クロスを用いた場合も、研磨屑の蓄積による研磨
速度の低下、面内平坦度の低下、品質の面内バラ付きを
防止するために、研磨中もしくは研磨終了後にブラッシ
ングを行う。この場合もドレッシング同様、研磨クロス
の均一なブラッシングができていないために、面内平坦
度の低下や品質の面内バラ付きが生じる。（特開平６−
１９０７１４号、特開平８−１６８９５３号）
の研磨クロスを用いた場合も、研磨屑の蓄積による研磨
速度の低下、面内平坦度の低下、品質の面内バラ付きを
防止するために、研磨中もしくは研磨終了後にブラッシ
ングを行う。この場合もドレッシング同様、研磨クロス
の均一なブラッシングができていないために、面内平坦
度の低下や品質の面内バラ付きが生じる。（特開平６−
１９０７１４号、特開平８−１６８９５３号）
【０００８】半導体ウェーハの研磨やＣＭＰ工程で、研
磨中にウェーハが接触し得る研磨クロスの領域のドレッ
シング、ブラッシング量が均一になっていない場合に、
面内平坦度の低下、品質の面内バラ付きが発生してお
り、加工精度の向上のためにはかかる問題を防止する必
要がある。
磨中にウェーハが接触し得る研磨クロスの領域のドレッ
シング、ブラッシング量が均一になっていない場合に、
面内平坦度の低下、品質の面内バラ付きが発生してお
り、加工精度の向上のためにはかかる問題を防止する必
要がある。
【０００９】この発明は、研磨クロスのドレッシング及
びブラッシング方法における上述の現状に鑑み、ウェー
ハが移動し得る領域においてドレッシング量を均一にし
て、半導体ウェーハの面内平坦度の低下、品質の面内バ
ラ付きの発生を防止できる研磨クロスのドレッシング及
びブラッシング方法の提供を目的としている。
びブラッシング方法における上述の現状に鑑み、ウェー
ハが移動し得る領域においてドレッシング量を均一にし
て、半導体ウェーハの面内平坦度の低下、品質の面内バ
ラ付きの発生を防止できる研磨クロスのドレッシング及
びブラッシング方法の提供を目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】発明者は、ウェーハが移
動し得る領域においてドレッシング量を均一にできる研
磨クロスのドレッシング方法について種々検討した結
果、リング内径がウェーハの直径以上のドレッシング材
を埋設したプレートを、研磨クロスの回転数に対して特
定の回転数で、研磨クロスの回転方向に対して逆回転さ
せることにより、目的が達成できることを知見し、さら
に、ドレッシングとは異なり半導体ウェーハの削り屑と
一緒に研磨クロスの表面を削り取ることができないが、
ブラッシング方法においても、同様の効果を奏してウェ
ーハの面内平坦度の低下、品質の面内バラ付きの発生を
防止できることを知見し、この発明を完成した。
動し得る領域においてドレッシング量を均一にできる研
磨クロスのドレッシング方法について種々検討した結
果、リング内径がウェーハの直径以上のドレッシング材
を埋設したプレートを、研磨クロスの回転数に対して特
定の回転数で、研磨クロスの回転方向に対して逆回転さ
せることにより、目的が達成できることを知見し、さら
に、ドレッシングとは異なり半導体ウェーハの削り屑と
一緒に研磨クロスの表面を削り取ることができないが、
ブラッシング方法においても、同様の効果を奏してウェ
ーハの面内平坦度の低下、品質の面内バラ付きの発生を
防止できることを知見し、この発明を完成した。
【００１１】すなわち、この発明は、半導体ウェーハの
精密研磨に使用する研磨クロスのドレッシング方法また
はブラッシング方法において、リング内径が半導体ウェ
ーハの直径以上のドレッシング材またはブラッシング材
を埋設した円盤状ドレッシングプレートまたはブラッシ
ングプレートを用い、研磨クロスの回転数に対して、後
述する１１．１式と１１．２式を用いてドレッシングプ
レート回転数を決定してドレッシングまたはブラッシン
グを行い、ウェーハが移動し得る領域においてドレッシ
ング量またはブラッシング量を均一にする研磨クロスの
ドレッシング方法またはブラッシング方法である。
精密研磨に使用する研磨クロスのドレッシング方法また
はブラッシング方法において、リング内径が半導体ウェ
ーハの直径以上のドレッシング材またはブラッシング材
を埋設した円盤状ドレッシングプレートまたはブラッシ
ングプレートを用い、研磨クロスの回転数に対して、後
述する１１．１式と１１．２式を用いてドレッシングプ
レート回転数を決定してドレッシングまたはブラッシン
グを行い、ウェーハが移動し得る領域においてドレッシ
ング量またはブラッシング量を均一にする研磨クロスの
ドレッシング方法またはブラッシング方法である。
【００１２】
【発明の実施の形態】発明者は、研磨中にウェーハが接
触し得る研磨クロスの領域をドレッシング、ブラッシン
グ量が均一になるようにドレッサー、ブラシを回転させ
る必要があり、この要求を満たすクロス定盤に対するド
レッサー、ブラシの回転数およびドレッサー、ブラシの
形状を以下の式を解くことにより求めることが可能であ
ることを知見した。
触し得る研磨クロスの領域をドレッシング、ブラッシン
グ量が均一になるようにドレッサー、ブラシを回転させ
る必要があり、この要求を満たすクロス定盤に対するド
レッサー、ブラシの回転数およびドレッサー、ブラシの
形状を以下の式を解くことにより求めることが可能であ
ることを知見した。
【００１３】ここでは並進運動のないドレッシングを取
り上げて説明する。なお、ブラッシングについても研磨
クロスの表面を削り取ることができないが、全く同様な
ため、以下にドレッシングの場合を示す。図２に、円盤
状ドレッシングプレート１にドレッシング材２をリング
状に埋設した構成のドレッサー３を用いてドレッシング
する様子を図示した。研磨クロスの回転数をωc ｒｐ
ｍ、ドレッシングプレートの回転数をωd ｒｐｍとす
る。
り上げて説明する。なお、ブラッシングについても研磨
クロスの表面を削り取ることができないが、全く同様な
ため、以下にドレッシングの場合を示す。図２に、円盤
状ドレッシングプレート１にドレッシング材２をリング
状に埋設した構成のドレッサー３を用いてドレッシング
する様子を図示した。研磨クロスの回転数をωc ｒｐ
ｍ、ドレッシングプレートの回転数をωd ｒｐｍとす
る。
【００１４】ドレッサー３の、すなわち円盤状ドレッシ
ングプレート１（外周の半径ｒd、内周の半径ｒdi）の
中心から埋設ドレッサーリング上の任意の点までのベク
トルをＲd（大きさｘ）、研磨クロス中心からドレッサ
ー中心までのベクトルをＲcd（大きさｒcd）、研磨クロ
ス中心から埋設ドレッサー上の任意の点までのベクトル
をＲc（大きさｒc）、ＲdとＲcdのなす角度をθとす
る。
ングプレート１（外周の半径ｒd、内周の半径ｒdi）の
中心から埋設ドレッサーリング上の任意の点までのベク
トルをＲd（大きさｘ）、研磨クロス中心からドレッサ
ー中心までのベクトルをＲcd（大きさｒcd）、研磨クロ
ス中心から埋設ドレッサー上の任意の点までのベクトル
をＲc（大きさｒc）、ＲdとＲcdのなす角度をθとす
る。
【００１５】まず、Ｒcが一定の場合（点線）を考え
る。ドレッシング圧力がドレッサー３面内で一定である
ならば、研磨クロスの消耗量（ドレッシング量）はドレ
ッサーと研磨クロスの相対速度差に比例する。
る。ドレッシング圧力がドレッサー３面内で一定である
ならば、研磨クロスの消耗量（ドレッシング量）はドレ
ッサーと研磨クロスの相対速度差に比例する。
【００１６】ドレッサー３プレート中心から見たドレッ
サー部の任意の点Ｒd は、 Ｒd＝ｘ（ｃｏｓθ＋ｉｓｉｎθ） （１式） 研磨クロス中心から見たドレッサープレート中心の位置
ｒcdは、ドレッサーの並進運動がないので、 Ｒcd＝ｒcd （２式） クロス中心から見たドレッサー部の任意の点Ｒcは、 Ｒc＝Ｒd＋Ｒcd＝ｘｃｏｓθ＋ｒcd＋ｉｘｓｉｎθ （３式） 点Ｒdにおけるドレッサー速度Ｖdは、 Ｖd＝ｉωd Ｒd＝−ｘωd（ｓｉｎθ−ｉｃｏｓθ） （４式） 点Ｒcクロス速度Ｖcは、 Ｖc＝ｉωc Ｒc＝−ｘωc ｓｉｎθ＋ｉωc（ｘｃｏｓθ＋ｒcd） （５式） である。
サー部の任意の点Ｒd は、 Ｒd＝ｘ（ｃｏｓθ＋ｉｓｉｎθ） （１式） 研磨クロス中心から見たドレッサープレート中心の位置
ｒcdは、ドレッサーの並進運動がないので、 Ｒcd＝ｒcd （２式） クロス中心から見たドレッサー部の任意の点Ｒcは、 Ｒc＝Ｒd＋Ｒcd＝ｘｃｏｓθ＋ｒcd＋ｉｘｓｉｎθ （３式） 点Ｒdにおけるドレッサー速度Ｖdは、 Ｖd＝ｉωd Ｒd＝−ｘωd（ｓｉｎθ−ｉｃｏｓθ） （４式） 点Ｒcクロス速度Ｖcは、 Ｖc＝ｉωc Ｒc＝−ｘωc ｓｉｎθ＋ｉωc（ｘｃｏｓθ＋ｒcd） （５式） である。
【００１７】ドレッサー３と研磨クロスの相対速度差Ｖ
は、 Ｖ＝Ｖc−Ｖd＝−ｘ（ωc−ωd）ｓｉｎθ＋ｉ｛ｘ（ωc−ωd）ｃｏｓθ＋ωc ｒcd｝ （６式） である。
は、 Ｖ＝Ｖc−Ｖd＝−ｘ（ωc−ωd）ｓｉｎθ＋ｉ｛ｘ（ωc−ωd）ｃｏｓθ＋ωc ｒcd｝ （６式） である。
【００１８】
【数３】
【００１９】クロス円周上（点線）の条件は｜Ｒc｜＝
ｒc＝ｃｏｎｓｔａｎｔであるから（３式）より下記式
となる。
ｒc＝ｃｏｎｓｔａｎｔであるから（３式）より下記式
となる。
【００２０】
【数４】
【００２１】これを整理すると ｒc 2−ｘ2−ｒcd 2＝２ｘｒcd・ｃｏｓθ （９式） （７），（９式）よりドレッサーとクロスの相対速度差
ｖの絶対値は、１０式で表すことができる。
ｖの絶対値は、１０式で表すことができる。
【００２２】
【数５】
【００２３】ｘの取りうる領域は、｜ｒc−ｒcd｜＞ｒ
diのとき、｜ｒc−ｒcd｜からｒdまでであるから、クロ
ス中心から半径ｒcの単位円周上の相対速度の和は以下
の１１．１式で表わせる。
diのとき、｜ｒc−ｒcd｜からｒdまでであるから、クロ
ス中心から半径ｒcの単位円周上の相対速度の和は以下
の１１．１式で表わせる。
【００２４】
【数６】
【００２５】また｜ｒc−ｒcd｜＜ｒdiのとき、ｘの取
り得る領域は、ｒdiからｒdまでであるから、同様に１
１．２式で表わせる。
り得る領域は、ｒdiからｒdまでであるから、同様に１
１．２式で表わせる。
【００２６】
【数７】
【００２７】上記の１１．１式、１１．２式を各々のク
ロスの位置ｒcにおいて解けば、クロスのある位置の研
磨クロスの消耗量、すなわちドレッシング量に比例した
量が求まる。
ロスの位置ｒcにおいて解けば、クロスのある位置の研
磨クロスの消耗量、すなわちドレッシング量に比例した
量が求まる。
【００２８】また、この発明において、ウェーハが移動
し得る領域においてドレッシング量を均一にするには、
１１．１式、１１．２式と実施例から分かるように、円
盤状プレートにウェーハが移動し得る直径以上のリング
状にドレッシング材を埋設したものが必要で、被研磨ウ
ェーハの直径よりもドレッサーの内径を大きくする必要
がある。
し得る領域においてドレッシング量を均一にするには、
１１．１式、１１．２式と実施例から分かるように、円
盤状プレートにウェーハが移動し得る直径以上のリング
状にドレッシング材を埋設したものが必要で、被研磨ウ
ェーハの直径よりもドレッサーの内径を大きくする必要
がある。
【００２９】均一なドレッシング量を得るための円盤状
ドレッシングプレートにおけるドレッシング材の埋設例
を図５に示す。図５Ａは、円盤状ドレッシングプレート
１にプレート外径と同外径で内径が被研磨ウェーハの直
径よりも大きな内径のリング状ドレッシング材２ａを埋
設したもので、同Ｂは円盤状ドレッシングプレート１に
小径ドレッシング材２ｂを周方向に多数個配列し、かつ
これを２列配列してリング状ドレッシング部を形成して
あり、同Ｃは２種の略扇型ドレッシング材２ｃ，２ｄを
組み合せてリング状ドレッシング部を形成してある。
ドレッシングプレートにおけるドレッシング材の埋設例
を図５に示す。図５Ａは、円盤状ドレッシングプレート
１にプレート外径と同外径で内径が被研磨ウェーハの直
径よりも大きな内径のリング状ドレッシング材２ａを埋
設したもので、同Ｂは円盤状ドレッシングプレート１に
小径ドレッシング材２ｂを周方向に多数個配列し、かつ
これを２列配列してリング状ドレッシング部を形成して
あり、同Ｃは２種の略扇型ドレッシング材２ｃ，２ｄを
組み合せてリング状ドレッシング部を形成してある。
【００３０】
実施例１ ８インチウェーハ研磨用のクロスのドレッシングを想定
し、ウェーハよりもドレッサーの内径を大きくし、上記
の１１．１式、１１．２式を解いた結果を、研磨クロス
中心からの距離と相対研磨速度の差との関係を示すグラ
フとして、図３に示す。ここでは研磨クロスとドレッサ
ーが追従回転すると仮定した。各々の条件は以下の通り
である。 ｒd＝１５ｃｍ、ｒdi＝１２ｃｍ、ｒcd＝２５ｃｍ、ωd
＝５０ｒｐｍ、ωc＝５０ｒｐｍ
し、ウェーハよりもドレッサーの内径を大きくし、上記
の１１．１式、１１．２式を解いた結果を、研磨クロス
中心からの距離と相対研磨速度の差との関係を示すグラ
フとして、図３に示す。ここでは研磨クロスとドレッサ
ーが追従回転すると仮定した。各々の条件は以下の通り
である。 ｒd＝１５ｃｍ、ｒdi＝１２ｃｍ、ｒcd＝２５ｃｍ、ωd
＝５０ｒｐｍ、ωc＝５０ｒｐｍ
【００３１】図３より明らかなように、研磨クロス中心
に近いほどが外周に比べドレッシング量が多いため、ウ
ェーハの動き得る領域、１６〜３６ｃｍにおいてクロス
の均一なドレッシングは不可能である。
に近いほどが外周に比べドレッシング量が多いため、ウ
ェーハの動き得る領域、１６〜３６ｃｍにおいてクロス
の均一なドレッシングは不可能である。
【００３２】図４は、研磨クロスとドレッサーの回転方
向を逆回転にして、上記の１１．１式、１１．２式を解
いた場合の研磨クロス中心からの距離と相対研磨速度の
差との関係を示すグラフである。各々の条件は以下の通
りである。 ｒd＝１５ｃｍ、ｒdi＝１２ｃｍ、ｒcd＝２５ｃｍ、ωd
＝−５０ｒｐｍ、ωc＝２０ｒｐｍ
向を逆回転にして、上記の１１．１式、１１．２式を解
いた場合の研磨クロス中心からの距離と相対研磨速度の
差との関係を示すグラフである。各々の条件は以下の通
りである。 ｒd＝１５ｃｍ、ｒdi＝１２ｃｍ、ｒcd＝２５ｃｍ、ωd
＝−５０ｒｐｍ、ωc＝２０ｒｐｍ
【００３３】図４より明らかなように、研磨クロスとド
レッサーの回転方向を逆回転にした場合は、研磨ウェー
ハの動き得る領域、１６〜３６ｃｍにおいてほぼ均一な
ドレッシング量が得られることが分かる。
レッサーの回転方向を逆回転にした場合は、研磨ウェー
ハの動き得る領域、１６〜３６ｃｍにおいてほぼ均一な
ドレッシング量が得られることが分かる。
【００３４】実施例２ 図５Ａのドレッサーを用いて研磨クロスをこの発明によ
る方法でドレッシングした例を、研磨クロス中心からの
距離と研磨クロスの厚みとの関係を表す図６に示す。研
磨時にウェーハの接する領域である１６〜３６ｃｍの位
置においてほぼ均一の厚みにドレッシングできているこ
とが分かる。
る方法でドレッシングした例を、研磨クロス中心からの
距離と研磨クロスの厚みとの関係を表す図６に示す。研
磨時にウェーハの接する領域である１６〜３６ｃｍの位
置においてほぼ均一の厚みにドレッシングできているこ
とが分かる。
【００３５】上記のこの発明による逆回転のドレッシン
グを毎回の研磨の終了ごとに行った際のウェーハの面内
平坦度、ここではＴＴＶ（Ｔｏｔａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅ
ｓｓＶａｒｉａｔｉｏｎ）で評価した結果を図７に示
す。また、従来の研磨クロスに対して追従回転させるド
レッシングを行い、同様に評価した結果を図７に示す。
図７に明らかなように、追従回転を行っている場合は平
坦度の変化が著しく、この発明による逆回転のドレッシ
ングを行った場合は、安定した平坦度の研磨が可能であ
る。
グを毎回の研磨の終了ごとに行った際のウェーハの面内
平坦度、ここではＴＴＶ（Ｔｏｔａｌ Ｔｈｉｃｋｎｅ
ｓｓＶａｒｉａｔｉｏｎ）で評価した結果を図７に示
す。また、従来の研磨クロスに対して追従回転させるド
レッシングを行い、同様に評価した結果を図７に示す。
図７に明らかなように、追従回転を行っている場合は平
坦度の変化が著しく、この発明による逆回転のドレッシ
ングを行った場合は、安定した平坦度の研磨が可能であ
る。
【００３６】実施例３ 以上の実施例では主に研磨クロスの厚みを測ることで均
一ドレッシングの効果を示したが、ブラッシングにおい
てはクロスの除去はできないので、ブラッシング後のウ
ェーハの面内平坦度で評価したところ、図７と同様の結
果を得、この発明によるブラッシング方法が、ドレッシ
ング方法と同様の効果を有することを確認した。
一ドレッシングの効果を示したが、ブラッシングにおい
てはクロスの除去はできないので、ブラッシング後のウ
ェーハの面内平坦度で評価したところ、図７と同様の結
果を得、この発明によるブラッシング方法が、ドレッシ
ング方法と同様の効果を有することを確認した。
【００３７】
【発明の効果】半導体ウェーハの研磨やＣＭＰプロセス
工程で行われる研磨クロスのドレッシングまたはブラッ
シングにおいて、円盤状プレートにウェーハが移動し得
る直径以上のリング状ドレッシングまたはブラッシング
材を埋設し、研磨クロスの回転数に対してドレッシング
・ブラッシングプレート回転数を特定計算式にて適切に
決定し、かつ研磨クロスの回転とは逆回転させることに
より、研磨クロスのドレッシング量またはブラッシング
量の均一化を可能とし、これにより研磨速度の低下防
止、品質のばらつき防止、面内平坦度維持が可能となっ
た。
工程で行われる研磨クロスのドレッシングまたはブラッ
シングにおいて、円盤状プレートにウェーハが移動し得
る直径以上のリング状ドレッシングまたはブラッシング
材を埋設し、研磨クロスの回転数に対してドレッシング
・ブラッシングプレート回転数を特定計算式にて適切に
決定し、かつ研磨クロスの回転とは逆回転させることに
より、研磨クロスのドレッシング量またはブラッシング
量の均一化を可能とし、これにより研磨速度の低下防
止、品質のばらつき防止、面内平坦度維持が可能となっ
た。
【図１】従来のドレッシング方法を行った場合の研磨ク
ロス中心からの距離と研磨クロスの厚みとの関係を示す
グラフである。
ロス中心からの距離と研磨クロスの厚みとの関係を示す
グラフである。
【図２】この発明によるドレッシング方法を行った場合
の研磨クロスと円盤状ドレッシングプレートとの関係を
示す説明図である。
の研磨クロスと円盤状ドレッシングプレートとの関係を
示す説明図である。
【図３】比較例のドレッシング方法における研磨クロス
中心からの距離と相対研磨速度の差との関係を示すグラ
フである
中心からの距離と相対研磨速度の差との関係を示すグラ
フである
【図４】この発明によるドレッシング方法を行った場合
の研磨クロス中心からの距離と相対研磨速度の差との関
係を示すグラフである
の研磨クロス中心からの距離と相対研磨速度の差との関
係を示すグラフである
【図５】Ａ，Ｂ，Ｃはこの発明によるドレッシング方法
に使用する円盤状ドレッシングプレートを示す説明図で
ある。
に使用する円盤状ドレッシングプレートを示す説明図で
ある。
【図６】この発明によるドレッシング方法を行った場合
の研磨クロス中心からの距離と研磨クロスの厚みとの関
係を示すグラフである。
の研磨クロス中心からの距離と研磨クロスの厚みとの関
係を示すグラフである。
【図７】この発明によるドレッシング方法を行った場合
の研磨サイクルと研磨クロスＴＴＶとの関係を示すグラ
フである。
の研磨サイクルと研磨クロスＴＴＶとの関係を示すグラ
フである。
１ ドレッシングプレート ２，２ａ リング状ドレッシング材 ２ｂ 小径ドレッシング材 ２ｃ，２ｄ 略扇型ドレッシング材 ３ ドレッサー ４ 研磨クロス
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウェーハの精密研磨に使用する研
磨クロスのドレッシング方法において、リング内径が半
導体ウェーハの直径以上のドレッシング材を埋設した円
盤状ドレッシングプレートを用い、研磨クロスの回転数
に対して下記１１．１式と１１．２式を用いてドレッシ
ングプレート回転数を決定し、研磨クロスの回転方向に
対してドレッシングプレートを逆回転させてドレッシン
グを行い、ウェーハが移動し得る領域においてドレッシ
ング量を均一にする研磨クロスのドレッシング方法。 【数１】 【数２】 - 【請求項２】 請求項１において、ブラッシング材を用
いる研磨クロスのブラッシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9155795A JPH10329003A (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | 研磨クロスのドレッシング及びブラッシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9155795A JPH10329003A (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | 研磨クロスのドレッシング及びブラッシング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10329003A true JPH10329003A (ja) | 1998-12-15 |
Family
ID=15613612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9155795A Pending JPH10329003A (ja) | 1997-05-28 | 1997-05-28 | 研磨クロスのドレッシング及びブラッシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10329003A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7354337B2 (en) | 2005-08-30 | 2008-04-08 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Pad conditioner, pad conditioning method, and polishing apparatus |
| US8257150B2 (en) | 2008-02-29 | 2012-09-04 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Pad dresser, polishing device, and pad dressing method |
-
1997
- 1997-05-28 JP JP9155795A patent/JPH10329003A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7354337B2 (en) | 2005-08-30 | 2008-04-08 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Pad conditioner, pad conditioning method, and polishing apparatus |
| US7731569B2 (en) | 2005-08-30 | 2010-06-08 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Pad conditioner, pad conditioning method, and polishing apparatus |
| US8257150B2 (en) | 2008-02-29 | 2012-09-04 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Pad dresser, polishing device, and pad dressing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3645528B2 (ja) | 研磨方法及び半導体装置の製造方法 | |
| US5234867A (en) | Method for planarizing semiconductor wafers with a non-circular polishing pad | |
| KR100574323B1 (ko) | 반도체장치의 제조방법 및 가공장치 | |
| US7951718B2 (en) | Edge removal of silicon-on-insulator transfer wafer | |
| JP6366614B2 (ja) | 研磨パッドをドレッシングするための方法 | |
| JP6312976B2 (ja) | 半導体ウェーハの製造方法 | |
| WO2020054811A1 (ja) | ウェーハの鏡面面取り方法、ウェーハの製造方法、及びウェーハ | |
| JP2008507855A (ja) | 研磨パッドをコンディショニングする方法及び装置 | |
| US20250353138A1 (en) | Chemical-mechanical planarization pad and methods of use | |
| JP3663348B2 (ja) | 研磨装置及び研磨方法 | |
| JP2000079551A (ja) | コンディショニング装置及びコンディショニング方法 | |
| US11794305B2 (en) | Platen surface modification and high-performance pad conditioning to improve CMP performance | |
| US6478977B1 (en) | Polishing method and apparatus | |
| JPH10329003A (ja) | 研磨クロスのドレッシング及びブラッシング方法 | |
| KR20020010484A (ko) | 반도체 웨이퍼의 평탄화 가공방법 | |
| JP2001232555A (ja) | 平坦化方法 | |
| JP3779104B2 (ja) | ウェーハ研磨装置 | |
| US6155913A (en) | Double polishing head | |
| JP3528501B2 (ja) | 半導体の製造方法 | |
| JPH0911117A (ja) | 平坦化方法及び平坦化装置 | |
| JP3847500B2 (ja) | 半導体ウェハ平坦化加工方法および平坦化加工装置 | |
| JP2001009711A (ja) | 研磨装置 | |
| JP3651923B2 (ja) | ポリッシング装置及び方法 | |
| JPH03121773A (ja) | Ｓｉウエハの高平坦度研磨法 | |
| JP3601937B2 (ja) | 表面平坦化方法および表面平坦化装置 |