JPH10329012A - 研磨装置および研磨方法 - Google Patents

研磨装置および研磨方法

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JPH10329012A
JPH10329012A JP6685698A JP6685698A JPH10329012A JP H10329012 A JPH10329012 A JP H10329012A JP 6685698 A JP6685698 A JP 6685698A JP 6685698 A JP6685698 A JP 6685698A JP H10329012 A JPH10329012 A JP H10329012A
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polishing
polished
head
axis
polishing pad
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JP6685698A
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Matsuomi Nishimura
松臣 西村
Takashi Ota
俊 太田
Atsushi Ikeda
敦 池田
Shinzo Uchiyama
信三 内山
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Canon Inc
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    • B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
    • B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
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    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B24B41/04—Headstocks; Working-spindles; Features relating thereto
    • B24B41/047—Grinding heads for working on plane surfaces
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P52/00—Grinding, lapping or polishing of wafers, substrates or parts of devices
    • H10P52/40—Chemomechanical polishing [CMP]
    • H10P52/402—Chemomechanical polishing [CMP] of semiconductor materials

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高精度な研磨 【解決手段】 被研磨体をその被研磨面が上を向く状態
で保持する為の保持手段と、該被研磨面より小なる面積
の研磨面を有する研磨パッドを該被研磨面に接触させて
保持し自転軸を中心に自転させる為の研磨ヘッドと、を
有する研磨装置において、該研磨ヘッドには、該研磨パ
ッドを公転軸を中心に公転させる為の駆動手段が設けら
れており、該公転軸と該自転軸との距離が該研磨パッド
の半径より小さくなるように該公転軸及び該自転軸の軸
位置が定める。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウエハ等の基板を高
精度に研磨するための精密研磨装置及び研磨方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの超微細化や多層
配線化が進み、これに伴って、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ
やＳＯＩ等からなる半導体ウエハ、或いはトランジスタ
を有するガラス又は石英製の基板等、いわゆる素子基板
の表面を高精度に平坦化する精密研磨装置が求められて
いるが、その中でも半導体素子が形成されたウエハ等の
基板の表面を高精度に平坦化するための精密研磨装置と
して化学機械研磨装置（ＣＭＰ装置；Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ装置）が
知られている。
【０００３】従来のＣＭＰ装置は、図７、図８に示すよ
うな２種類のタイプに分類することができる。
【０００４】（１）図７は、ウエハ１００の被研磨面が
下方を向く状態で研磨加工が行われるＣＭＰ装置の研磨
加工部の模式的な外観図である。
【０００５】図７に示したように、ウエハ１００は、被
研磨面が下方を向く状態で保持され、回転しながらウエ
ハ１００よりも大口径の研磨パッド５０２に押し付けら
れることで研磨される。研磨時は、研磨剤（スラリー）
が研磨パッド５０２の上面に滴下される。
【０００６】この種の装置では、ウエハチャック５０１
にウエハ１００を保持する方法は、真空吸着、ワック
ス、溶液或いは純水による接着などがあり、ウエハ１０
０のずれを防止する目的でウエハ１００の外周にガイド
リンクを設ける。研磨テーブル５０６上の研磨パッド５
０２の径はウエハ１００の３〜５倍であり、スラリーと
しては、酸化シリコンの微粉末を水酸化カリウム水溶液
に混合した懸濁液が用いられる。
【０００７】（２）また、図８に示すように、ウエハテ
ーブル６０６に配された、ガイドリングを有するウエハ
チャック６０１にウエハ１００を研磨面を上方に向け
て、ウエハ１００の径より小さな研磨パッド６０２を用
いて研磨する方法も提案されている。
【０００８】これらの研磨装置及び研磨方法は、専ら現
在の８インチの半導体ウエハ等の基板を研磨することが
できるが、近年、半導体集積回路の微細化とウエハの大
口径化が進んでおり、近い将来、ウエハは８インチから
１２インチに移行するといわれている。
【０００９】しかしながら、こうした従来の研磨装置
は、８インチのウエハを研磨するのに研磨パッドの厚さ
や弾力性などを最適化することで研磨性能の調節を試み
ているが、その場合、研磨パッドの材質の微妙な調整や
均一性を確保することが困難であり、１２インチといっ
た、より口径の大きいウエハを高品質に研磨することは
難しい。
【００１０】これを解決する為には、粗研磨用の研磨パ
ッドを用いてウエハ全面の研磨を行い、その後、ウエハ
の必要な個所を選択的或いは優先的に研磨して、所望の
ウエハ表面を得る方法が考えられる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、直径８
インチ以上の大口径のウエハを研磨するにあたり、以下
のような解決すべき技術課題がある。
【００１２】従来のウエハより大きな研磨工具を用いる
研磨装置、方法では、それによって均一化できなかった
部分は、同じ方法ではそれ以上均一化、平坦化させるこ
とは極めて難しい。またウエハより小さい研磨工具を用
い、自転する工具を揺動させつつ走査させる系もしく
は、ウエハより小さい研磨工具を用い、自転する工具
を、工具の半径より大きな半径で公転させ、さらに揺動
させつつ走査させる系ではウエハの必要な個所を選択的
或いは優先的に研磨はできるが、走査によるピッチむら
がでやすく、高精度に修正し、均一化平坦化させること
は難しい。また、米国特許４１２８９６８に提案される
系即ち研磨の断面形状が公転軸中心で最大であり、周辺
に向かって漸減してゆく形状の自、公転小工具を用いる
系も同様に、ウエハの必要な箇所を選択的或いは優先的
に研磨はできるが、走査によるピッチむらがでやすく、
高精度に修正し、均一化平坦化させることは難しい。
本発明の第１の目的は、大面積基板を高精度に修正研磨
できる研磨装置及び研磨方法を提供することにある。
【００１３】本発明の第２の目的はウエハより小さい工
具（研磨パッド）を用いて、ウエハの必要な箇所を選択
的或いは優先的に高精度に修正し、ウエハをより均一
化、平坦化できる研磨装置及び研磨方法を提供すること
にある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、被研磨体をそ
の被研磨面が上を向く状態で保持する為の保持手段と、
該被研磨面より小なる面積の研磨面を有する研磨パッド
を該被研磨面に接触させて保持し自転軸を中心に自転さ
せる為の研磨ヘッドと、を有する研磨装置において、該
研磨ヘッドには、該研磨パッドを公転軸を中心に公転さ
せる為の駆動手段が設けられており、該公転軸と該自転
軸との距離が該研磨パッドの半径より小さくなるように
該公転軸及び該自転軸の軸位置が定められていることを
特徴とする。
【００１５】又、本発明は被研磨体をその被研磨面が上
を向く状態で保持手段上に載置し、該被研磨面より小な
る面積の研磨面を有する研磨パッドを該被研磨面に接触
回転させて、該被研磨面を研磨する研磨方法において、
該研磨パッドを自転軸を中心に自転させる工程と、該研
磨パッドを、該自転軸までの距離が該研磨パッドの半径
より小さくなるように軸位置が定められた公転軸を中心
に公転させる工程と、を含むことを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の好適な実施の形
態による研磨装置及び研磨方法を説明する為の模式図で
ある。
【００１７】符号１は、被研磨体２をその被研磨面３が
上を向く状態で保持する為の保持手段である。符号１０
は研磨ヘッドであり、被研磨面３より小なる面積の研磨
面１１を有する研磨パッド１２を被研磨面３に接触させ
て保持し、自転軸１３を中心に自転させる。
【００１８】研磨ヘッド１０には、自転用の第１の駆動
手段１４とともに、研磨パッド１２を公転軸１５を中心
に公転させる為の第２駆動手段１６が設けられており、
公転軸１５と自転軸１３との距離Ｄが研磨パッド１２の
半径Ｌより小さくなるように、公転軸１５及び自転軸１
３の軸位置が定められている。
【００１９】研磨パッド１２は、それが取り付けられた
研磨ヘッド１０の自転軸１３を中心とした回転運動によ
り、軸１３を中心に矢印Ａ方向に回転する。これと同時
に、公転軸１５を中心とした研磨ヘッド１０の回転運動
により、研磨パッド１２は軸１５を中心に矢印Ｂ方向に
回転運動する。
【００２０】こうした研磨パッドの回転運動を以下周転
円運動とよぶことにする。
【００２１】図２は、周転円運動による研磨断面形状を
示す図である。縦軸は研磨レート横軸は位置を表わして
いる。
【００２２】周転円運動する研磨パッドによる研磨レー
トの断面形状は、自転数と公転数が等しいとき公転軸上
で最大であり、その軸から或る一定距離まで研磨レート
は一定である。その一定距離とは、研磨パッドの半径Ｌ
より自転と公転との軸間距離Ｄをひいた距離、つまりＬ
−Ｄである。それより離れるに従い、研磨レートは漸減
する。このように、本発明による、周転円運動する工具
＝パッドによる、研磨断面形状は、公転軸を中心に台形
状をなす。このような断面形状にすることにより、走
査、揺動を加えたときその重なり程度を最適化すること
により、走査むらの無い、均一な平坦な研磨面を得るこ
とができる。
【００２３】また、軸間距離Ｄを変化させることにより
台形の上辺の長さを変化でき、断面形状を変化させるこ
とができる。ただし、研磨レート（台形の高さ）及び、
底辺の長さも変化するが、このように、断面形状を任意
に変化させ、かつ走査、揺動のしかたを最適化させるこ
とにより、より高精度に均一化、平坦化させることが可
能となる。
【００２４】図３は、周転円運動する研磨パッドの５つ
の点の軌跡を示す図である。
【００２５】図３において研磨パッド１２は自転軸を表
す点Ｐを中心として自転する。また研磨パッド１２は公
転軸を表す点Ｑを中心に公転する。このとき研磨パッド
１２の外周の公転軌跡を線Ｓとして表す。
【００２６】また研磨パッド１２の自転方向と公転方向
は互いに逆向きである。
【００２７】このとき研磨パッドの内面の点であるＴ１
は矢印が示すように公転方向に回転軌跡を描く。また研
磨パッド１２の外周の点Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４もＴ１と同様
に矢印が示すように公転方向に回転軌跡を描く。また点
Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４の回転軌跡は公転軌跡である線Ｓと接
する。
【００２８】このように研磨パッド１２上の点は、図に
しめす矢印のような円運動をし、この運動はパッド上の
どの点でも同じである。そして公転軸をあらわす点Ｑを
中心として、研磨パッド１２の半径から点ＰとＱの間の
距離を引いた距離を半径とする不図示の円領域において
研磨パッド１２は被研磨体であるウエハを平坦に研磨す
ることができる。
【００２９】被研磨体２には、所望の表面形状を得る為
に、その表面全てを研磨すべき状態のものと、その表面
のうち一部のみを研磨すればよいものとがある。本発明
は特に後者の場合に好適な研磨方法を提供するものであ
り、被研磨体の表面上の所定の位置に研磨パッド１２を
配置してその位置において周転円運動による研磨を行
う。複数箇所を選択的に研磨すべき場合には研磨パッド
１２を当該個所に移動させて選択的に研磨すればよい。
【００３０】また図４に示すように自転軸１３内に配置
されている研磨剤供給管１８が公転軸１５内を貫通する
形態でもよい。図４に示すように供給管１８はロータリ
ージョイント３０を介して研磨剤供給源３０と接続され
ている。また第１駆動手段１４は中空モーターであり供
給管１８は前記中空モーターの中空部を貫通して配置さ
れている。その結果ロータリージョイント３０を供給管
１８を研磨剤供給源３０とつなぐことで、研磨ヘッド１
０の自転の影響を受けて供給管１８が回転しても供給管
１８がねじれて破損することを防ぐことが出来る。また
供給管１８を公転軸内１５を貫通して配置することで研
磨ヘッドの駆動手段の小型化が可能となり、更に研磨装
置の小型化が可能となる。
【００３１】（実施例１）図５は、本発明の好適な実施
例１による研磨装置および研磨方法を説明する為の模式
図である。
【００３２】保持手段としてのウエハチャック１の上面
には被研磨体としての円板状のウエハ２が載置されてい
る。ウエハチャック１はウエハの中心軸４を中心に回転
可能であり、支持体５によって支持されている。支持体
５は不図示のモーターを備えている。
【００３３】研磨ヘッド１０側の構成は以下の通りであ
る。研磨パッド１２はその研磨面１１が下方を向くよう
にプラテン１０ａに取り付けられている。プラテン１０
ａは第１駆動手段としてのモーター１４によって、軸１
３を中心に矢印Ｃ方向に回転する。回転軸１３は中空の
研磨剤供給管１８で構成されている。モーター１４と研
磨剤供給管１８は公転テーブル１７に取り付けられてお
り、公転テーブル１７は第２の駆動手段としてのモータ
ー１６により軸１５を中心に矢印Ｄ方向に回転する。モ
ーター１４は中心軸が貫通しているコアレスタイプモー
ター、つまり中空モーターである。研磨剤は研磨剤供給
源３０から供給管１８を介して研磨パッド１２の裏面側
に供給され、研磨パッド１２に設けられた小孔或いは研
磨パッド自身の連通気泡を介して研磨面１１側にしみだ
してくる。１９は加圧手段であり、研磨パッド１２をウ
エハ２に対して押し付けたり、ウエハ２と接触している
研磨パッド１２をウエハ２から離す機能も有している。
【００３４】支柱２０は研磨ヘッド１０をウエハ２の上
面に沿って移動させるガイドの機能と、研磨ヘッド１０
を支持する機能をもつ。
【００３５】この研磨装置においては、研磨パッド１２
の半径Ｌとヘッド１０の自転軸１３と公転軸１５間の距
離Ｄの関係が、Ｌ＞Ｄとなるように自転及び公転の軸位
置が定められている。
【００３６】次に、この研磨装置を用いて行う研磨方法
について述べる。
【００３７】まず、ウエハ２をトランジスタ等の素子が
形成された面を上向きにしてウエハチャック１上に配置
し、真空吸着させ固定する。
【００３８】研磨パッド１２を研磨面１１が下を向くよ
うにプラテン１０ａ下面上に貼り付ける。
【００３９】研磨剤供給源としてのタンクに砥粒と分散
媒とを混合して溜める。
【００４０】研磨装置の駆動制御装置４０を操作して、
研磨装置を動作させる。駆動制御装置に入力された表面
形状のデータをもとに、ウエハチャック１を回転させる
とともに、ヘッド１０をウエハ表面に沿って移動させ
て、ウエハ表面上の研磨すべき部位に対向する位置に研
磨パッド１２を配置する。
【００４１】研磨剤供給源３０から研磨パッド１２を介
してウエハ表面上に研磨剤を供給する。
【００４２】プラテン１０ａを矢印Ｃ方向に自転させる
とともに、矢印Ｇ方向に公転させる。
【００４３】研磨ヘッド１０を降下させ、研磨パッド１
２とウエハ２を当接し、所定の圧力を加えて研磨を行
う。
【００４４】所定時間研磨を継続した後、ヘッド１０を
上昇させる。その後、他に研磨すべき部位があれば、ウ
エハ１の回転とヘッドのウエハの径方向への移動によ
り、研磨位置の位置決めを行い、上記工程を繰返して研
磨を行う。研磨すべき部位がなければ、自転、公転及び
研磨剤の供給を中断し修正研磨を終了する。
【００４５】（実施例２）本発明の実施例２による汎用
性の高い研磨装置を図６に示す。
【００４６】実施例１と異なる点は、ウエハに応じてよ
り精密に研磨できるように、自転軸１３と公転軸１５と
の距離Ｄを可変とする可変手段が設けられている点であ
る。更には、修正研磨時の位置決めを正確にする為に表
面形状を検出する為の検出ヘッドがウエハ１の径方向に
移動可能に付設されている点である。
【００４７】プラテン１０ａ、モーター１４及び供給管
１８は、可変手段としての伸縮自在なジョイント付きの
アーム２２に付設されている。２１はジョイントであ
り、作業者の手動又は不図示の駆動手段により距離Ｄを
調整できるようになっている。距離Ｄを定める場合に
は、研磨パッド１２或いはプラテン１０ａの半径Ｌより
距離Ｄが大きくならないようにリミッターを設けてもよ
い。
【００４８】符号２３は必要に応じて設けられる検出ヘ
ッドを示す。検出ヘッド２３は、光センサ等で構成され
ており、検出ヘッド２３を支持しウエハチャック１の径
方向への移動を案内するヘッドガイド２４に付設されて
いる。ガイド２４は支柱２５に固定されている。この検
出ヘッド２３の径方向への移動範囲はウエハチャックの
中心軸４からウエハチャックの端部までであり、ウエハ
の自転量と径方向への移動量に基づいて、検出した表面
状態がウエハ上のどこであるかを駆動制御装置４０が判
断する。研磨ヘッド１０による修正研磨の後、検出ヘッ
ド２３によって研磨された部位の表面形状を再び検出
し、その形状が所望の形状にないと判断されたら再び同
じ部位を修正研磨してもよい。
【００４９】その他の構成は、実施例１とほぼ同じであ
る。
【００５０】次に、この研磨装置を用いて行う研磨方法
について述べる。
【００５１】まず、ウエハ２をトランジスタ等の素子が
形成された面を上向きにしてウエハチャック１上に配置
し、真空吸着させ固定する。
【００５２】研磨すべきウエハ２に形成されたＩＣチッ
プのサイズ、或いは半導体素子のサイズに応じて、研磨
パッド１２のサイズを選択する。例えば８インチウエハ
で、作成すべきマイクロプロセッサチップのサイズが１
０ｍｍ×１０ｍｍの場合、研磨パッド１２としてチップ
サイズの数倍から数分の１倍の円形又は四角形のポリウ
レタンパッドを用いると良い。そして、研磨パッド１２
を研磨面１１が下を向くようにプラテン１０ａ下面上に
貼り付ける。
【００５３】ジョイント２１を調整して距離Ｄがパッド
半径Ｌを越えない値に定める。
【００５４】研磨剤供給源としてのタンクに砥粒と分散
媒とを混合して溜める。
【００５５】研磨装置の駆動制御装置４０を操作して、
研磨装置を動作させる。
【００５６】ここでは研磨の前に検出ヘッド２３を用い
てウエハ２の表面形状を検出する。駆動制御装置４０に
検出ヘッド２３から入力された表面形状のデータをもと
に、ウエハチャック１を回転させるとともに、ヘッド１
０をウエハ表面に沿って移動させて、ウエハ表面上の研
磨すべき部位に対向する位置に研磨パッド１２を配置す
る。
【００５７】研磨剤供給源３０から研磨パッド１２を介
してウエハ表面上に研磨剤を供給する。
【００５８】プラテン１０ａを矢印Ｃ方向に自転させる
とともに、矢印Ｇ方向に公転させる。
【００５９】回転数の比は１もしくはその数分の１から
数倍が好ましく、この場合に良好な結果が得られる。
【００６０】研磨ヘッド１０を降下させ、研磨パッド１
２とウエハ２を当接し、所定の圧力を加えて研磨を行
う。
【００６１】所定時間研磨を継続した後、ヘッド１０を
上昇させる。その後、他に研磨すべき部位があれば、ウ
エハ１の回転とヘッドのウエハの径方向への移動によ
り、研磨位置の位置決めを行い、上記工程を繰返して研
磨を行う。研磨すべき部位がなければ、再び検出ヘッド
２３により表面形状の検出を行う。この時検出された表
面形状が所望のものであれば自転、公転及び研磨剤の供
給を中断し修正研磨を終了する。所望の表面形状にない
と判断された場合には、再び同じ要領で修正研磨をおこ
なう。
【００６２】本実施例によれば、自転軸と公転軸の距離
が可変である為に、ＩＣチップサイズ、トランジスタサ
イズ、配線ルール等が各種異なる如何なる素子基板であ
っても、素子基板のうねりにそって精密に且つ平坦に研
磨できる。
【００６３】
【発明の効果】本発明によれば被研磨体の必要な部位の
形状を選択的或いは優先的に、且つ高精度に修正研磨す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な実施の形態による研磨装置及び
研磨方法を説明する為の模式図。
【図２】周転円運動による研磨レートと位置の関係を示
す模式図。
【図３】研磨パッドの軌跡を示す図。
【図４】本発明の一実施例による研磨装置を示す模式
図。
【図５】本発明の別の実施例による研磨装置を示す模式
図。
【図６】本発明の別の実施例による研磨装置を示す摸式
図。
【図７】従来の研磨装置の一例を示す模式図。
【図８】従来の研磨装置の別の例を示す模式図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内山 信三 東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノ ン株式会社内

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 被研磨体をその被研磨面が上を向く状態
    で保持する為の保持手段と、 該被研磨面より小なる面積の研磨面を有する研磨パッド
    を該被研磨面に接触させて保持し自転軸を中心に自転さ
    せる為の研磨ヘッドと、を有する研磨装置において、 該研磨ヘッドには、該研磨パッドを公転軸を中心に公転
    させる為の駆動手段が設けられており、該公転軸と該自
    転軸との距離が該研磨パッドの半径より小さくなるよう
    に該公転軸及び該自転軸の軸位置が定められていること
    を特徴とする研磨装置。
  2. 【請求項２】 該保持手段は、回転可能である請求項１
    に記載の研磨装置。
  3. 【請求項３】 該研磨ヘッドの公転軸は、該被研磨面に
    沿って移動可能である請求項１に記載の研磨装置。
  4. 【請求項４】 該被研磨体の表面形状に応じて、該被研
    磨体の所定の位置に該公転軸を移動させる請求項１に記
    載の研磨装置。
  5. 【請求項５】 該保持手段の回転と該公転軸の移動によ
    り、該被研磨体の表面形状に応じて、該被研磨体の所定
    の位置に該ヘッドの公転軸を移動させる請求項１に記載
    の研磨装置。
  6. 【請求項６】 該研磨ヘッドには、該被研磨体の表面状
    態を検出する検出ヘッドが設けられている請求項１に記
    載の研磨装置。
  7. 【請求項７】 該研磨ヘッドは該公転軸と該自転軸との
    距離を可変とする可変手段を備えている請求項１に記載
    の研磨装置。
  8. 【請求項８】 該研磨ヘッドは、該研磨パッドを通して
    研磨材を供給する為の供給路を有する請求項１に記載の
    研磨装置。
  9. 【請求項９】 被研磨体をその被研磨面が上を向く状態
    で保持手段上に載置し、研磨ヘッドが該被研磨面より小
    なる面積の研磨面を有する研磨パッドを該被研磨面に接
    触回転させて、該被研磨面を研磨する研磨方法におい
    て、 該研磨パッドを自転軸を中心に自転させる工程と、 該研磨パッドを、該自転軸までの距離が該研磨パッドの
    半径より小さくなるように軸位置が定められた公転軸を
    中心に公転させる工程と、 を含むことを特徴とする研磨方法。
  10. 【請求項１０】 該被研磨面の表面形状に応じて、該被
    研磨面の所定の位置に該公転軸を移動させる工程を含む
    請求項９に記載の研磨方法。
  11. 【請求項１１】 該保持手段の回転と該公転軸の移動に
    より、該被研磨面の表面形状に応じて、該被研磨面の所
    定の位置に該ヘッドの公転軸を移動させる工程を含む請
    求項９に記載の研磨方法。
  12. 【請求項１２】 該公転軸と該自転軸との距離が、該被
    研磨体である素子基板の素子の大きさに応じて定められ
    ている請求項９に記載の研磨方法。
  13. 【請求項１３】 該素子基板は、半導体ウエハ、ガラス
    基板、石英基板を含む請求項９に記載の研磨方法。
  14. 【請求項１４】 前記供給路は前記自転軸を貫通し且つ
    前記供給路に配置された研磨材を供給するための供給管
    がロータリージョイントを介して研磨材を供給する研磨
    材供給源と接続されていることを特徴とする請求項８記
    載の研磨装置。
  15. 【請求項１５】 前記供給管は前記公転軸を貫通して配
    置されることを特徴とする請求項１４記載の研磨装置。
  16. 【請求項１６】 前記研磨パッドを保持するための前記
    研磨ヘッドの面に設けられた小孔から研磨材を前記被研
    磨体に供給して前記被研磨体を研磨することを特徴とす
    る請求項９記載の研磨方法。
  17. 【請求項１７】 前記小孔に設けられた供給管が研磨材
    を前記小孔から前記被研磨体に供給することを特徴とす
    る請求項１６記載の研磨方法。
  18. 【請求項１８】 前記供給間は前記公転軸を貫通して配
    置されることを特徴とする請求項１７記載の研磨方法。
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