JPH10329424A - 光情報記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
光情報記録媒体およびその製造方法Info
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- JPH10329424A JPH10329424A JP9146207A JP14620797A JPH10329424A JP H10329424 A JPH10329424 A JP H10329424A JP 9146207 A JP9146207 A JP 9146207A JP 14620797 A JP14620797 A JP 14620797A JP H10329424 A JPH10329424 A JP H10329424A
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- film
- substance
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＤ規格を満たし、生産歩留りが良好な光情
報記録媒体を得る。 【解決手段】 プラスチック、ガラス等の透明基板１上
に、記録膜２、反射膜３、樹脂保護膜４が形成されて光
情報記録媒体が構成されている。記録膜２は、真空スパ
ッタ装置を用い、ＣＨ4 のガスのプラズマ中に、Ｓｎ-
Ｎと金属をターゲットとしてスパッタを行う。ＣＨ4 、
Ｃ2 Ｈ4 、Ｃ2 Ｈ2 、Ｃ2 Ｈ6 などのガス成分は、記録
膜２中でＣとＨの鎖状有機物質を構成しており、記録レ
ーザが照射されると、熱分解とガス化を起こし、記録部
の複素屈折率の変化と、記録膜２および透明基板１の変
形による光散乱により反射率を低下させる。Ｓｎ- Ｎ
は、記録レーザ光に対し透明で、記録レーザ光の光吸収
率を調整するために用いられる。このＳｎ- Ｎを混入す
ることにより、反射膜３からの反射と相まって追記型Ｃ
Ｄ規格である反射率６５％以上を実現する。
報記録媒体を得る。 【解決手段】 プラスチック、ガラス等の透明基板１上
に、記録膜２、反射膜３、樹脂保護膜４が形成されて光
情報記録媒体が構成されている。記録膜２は、真空スパ
ッタ装置を用い、ＣＨ4 のガスのプラズマ中に、Ｓｎ-
Ｎと金属をターゲットとしてスパッタを行う。ＣＨ4 、
Ｃ2 Ｈ4 、Ｃ2 Ｈ2 、Ｃ2 Ｈ6 などのガス成分は、記録
膜２中でＣとＨの鎖状有機物質を構成しており、記録レ
ーザが照射されると、熱分解とガス化を起こし、記録部
の複素屈折率の変化と、記録膜２および透明基板１の変
形による光散乱により反射率を低下させる。Ｓｎ- Ｎ
は、記録レーザ光に対し透明で、記録レーザ光の光吸収
率を調整するために用いられる。このＳｎ- Ｎを混入す
ることにより、反射膜３からの反射と相まって追記型Ｃ
Ｄ規格である反射率６５％以上を実現する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、記録レーザ光の照
射により記録膜に情報を記録する光情報記録媒体および
その製造方法に関し、この光情報記録媒体としては、光
ディスク、光カードに用いることができる。
射により記録膜に情報を記録する光情報記録媒体および
その製造方法に関し、この光情報記録媒体としては、光
ディスク、光カードに用いることができる。
【０００２】
【従来の技術】現在、光情報記録媒体としてＣＤ（コン
パクトディスク）と再生時互換性がある追記型ＣＤが商
品化されている。これは、透明なプラスチック基板上
に、有機色素記録膜、Ａｕ反射膜とＵＶ（紫外線）樹脂
保護膜を設け、記録レーザ光の照射時に、有機色素記録
膜の熱分解による基板の変形によって記録部の反射率を
低下させ、信号を記録するものである。
パクトディスク）と再生時互換性がある追記型ＣＤが商
品化されている。これは、透明なプラスチック基板上
に、有機色素記録膜、Ａｕ反射膜とＵＶ（紫外線）樹脂
保護膜を設け、記録レーザ光の照射時に、有機色素記録
膜の熱分解による基板の変形によって記録部の反射率を
低下させ、信号を記録するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の追記型ＣＤは、透明基板上に有機色素をスピンコー
タで塗布しているため、スピンコータ周囲の温度や湿度
によって、成膜条件が異なり、生産歩留まりが悪くなる
という問題がある。これに対し、特公平３−５７５４０
号公報には、スパッタ法を用いて基板上にエネルギー吸
収性の記録膜を形成するものが開示されている。このエ
ネルギー吸収性の記録膜としては、Ｔｅ、Ｉｎ等の低融
点の金属とＮ、Ｏなどの元素を組み合わせたものが使用
される。この記録膜にレーザビームが照射されると、局
部加熱により記録膜内部からガスが生し、このガスによ
り凸部が形成されて記録が行われる。
来の追記型ＣＤは、透明基板上に有機色素をスピンコー
タで塗布しているため、スピンコータ周囲の温度や湿度
によって、成膜条件が異なり、生産歩留まりが悪くなる
という問題がある。これに対し、特公平３−５７５４０
号公報には、スパッタ法を用いて基板上にエネルギー吸
収性の記録膜を形成するものが開示されている。このエ
ネルギー吸収性の記録膜としては、Ｔｅ、Ｉｎ等の低融
点の金属とＮ、Ｏなどの元素を組み合わせたものが使用
される。この記録膜にレーザビームが照射されると、局
部加熱により記録膜内部からガスが生し、このガスによ
り凸部が形成されて記録が行われる。
【０００４】この光情報記録媒体においては、スパッタ
法を用いているため、生産歩留まりはよくなるが、本発
明者らがこの公報に記載されたものを試作し、確認した
ところ、反射率が２０〜３０％と低く、反射率７０％以
上を必要とするＣＤ規格を満たさないため、ＣＤプレー
ヤでの再生ができないという問題があることが判明し
た。これは、記録膜中に分散したＴｅ、Ｉｎ等の金属で
光が乱反射するため十分な反射光が得られないためであ
る。この場合、記録膜に反射膜を設けることが考えられ
るが、上記した乱反射により反射膜からの反射光を十分
得ることができないため、反射率を十分向上させること
ができない。また、Ｔｅ、Ｉｎ等の混入割合を変化させ
て反射率の調整を行うことも検討したが、単にその混入
割合を変化させただけでは、記録膜での光吸収率の調整
が困難であることが判明した。
法を用いているため、生産歩留まりはよくなるが、本発
明者らがこの公報に記載されたものを試作し、確認した
ところ、反射率が２０〜３０％と低く、反射率７０％以
上を必要とするＣＤ規格を満たさないため、ＣＤプレー
ヤでの再生ができないという問題があることが判明し
た。これは、記録膜中に分散したＴｅ、Ｉｎ等の金属で
光が乱反射するため十分な反射光が得られないためであ
る。この場合、記録膜に反射膜を設けることが考えられ
るが、上記した乱反射により反射膜からの反射光を十分
得ることができないため、反射率を十分向上させること
ができない。また、Ｔｅ、Ｉｎ等の混入割合を変化させ
て反射率の調整を行うことも検討したが、単にその混入
割合を変化させただけでは、記録膜での光吸収率の調整
が困難であることが判明した。
【０００５】本発明は上記問題に鑑みたもので、ＣＤ規
格を満たし、かつ生産歩留りが良好な光情報記録媒体を
得ることを目的とする。また我々はこれら課題を解決す
るために先に特願平９−２４１４７号を出願した。この
出願の中では、記録膜が記録レーザ光の照射時に熱分解
を起こす物質（例えば、有機物質）と、記録レーザ光に
対して透明で記録膜での吸収率を調整する物質（例え
ば、窒化物、酸化膜、硫化物）を含むものである。
格を満たし、かつ生産歩留りが良好な光情報記録媒体を
得ることを目的とする。また我々はこれら課題を解決す
るために先に特願平９−２４１４７号を出願した。この
出願の中では、記録膜が記録レーザ光の照射時に熱分解
を起こす物質（例えば、有機物質）と、記録レーザ光に
対して透明で記録膜での吸収率を調整する物質（例え
ば、窒化物、酸化膜、硫化物）を含むものである。
【０００６】そこで本発明の他の目的は、上記記録膜を
更に高感度にすることをである。
更に高感度にすることをである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明においては、記録膜を真空成膜法で形成し、
記録膜に、記録レーザ光の照射時に熱分解を起こす物質
と、光吸収率を調整する物質とを含ませたことを特徴と
している。真空成膜法で記録膜を形成することにより、
生産歩留りを良好とすることができる。この真空蒸着法
としては、例えばスパッタ法、蒸着法、イオンプレーテ
ィング法などを用いることができる。
め、本発明においては、記録膜を真空成膜法で形成し、
記録膜に、記録レーザ光の照射時に熱分解を起こす物質
と、光吸収率を調整する物質とを含ませたことを特徴と
している。真空成膜法で記録膜を形成することにより、
生産歩留りを良好とすることができる。この真空蒸着法
としては、例えばスパッタ法、蒸着法、イオンプレーテ
ィング法などを用いることができる。
【０００８】また、記録レーザ光の照射時に熱分解を起
こす物質により記録膜を変形させ、その変形した部分で
の反射率を低下させて情報の記録を行うことができ、ま
た記録レーザ光に対し透明で記録膜での光吸収率を調整
する物質を用いることによって、反射膜から反射してき
た光を効率的に透過させ、反射率を高めることができ
る。従って、ＣＤ規格を満たした光情報記録媒体を得る
ことができる。なお、光吸収率を調整する物質の混入量
を調整することにより、反射率の制御を容易に行うこと
ができる。
こす物質により記録膜を変形させ、その変形した部分で
の反射率を低下させて情報の記録を行うことができ、ま
た記録レーザ光に対し透明で記録膜での光吸収率を調整
する物質を用いることによって、反射膜から反射してき
た光を効率的に透過させ、反射率を高めることができ
る。従って、ＣＤ規格を満たした光情報記録媒体を得る
ことができる。なお、光吸収率を調整する物質の混入量
を調整することにより、反射率の制御を容易に行うこと
ができる。
【０００９】ここで、上記した熱分解を起こす物質とし
ては、有機物質を含むものとすることができ、この有機
物質としては、ＣY ＨX （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜６）Ｃ
Y Ｈ X ＦZ （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜６、Ｚ＝１〜６）、
ＣY ＨX ＦZ ＢｒA （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜６、Ｚ＝１
〜６、Ａ＝１〜６）、ＣY ＨX ＦZ ＣｌA （Ｙ＝１〜
２、Ｘ＝１〜６、Ｚ＝１〜６、Ａ＝１〜６）のいずれか
を主成分としたものとすることができる。この物質は、
記録レーザ光の照射時に熱分解とガス化を起こし、記録
部の複素屈折率の変化と、記録膜および基板の変形を生
じさせ、それによる光散乱により反射率を低下させる。
ては、有機物質を含むものとすることができ、この有機
物質としては、ＣY ＨX （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜６）Ｃ
Y Ｈ X ＦZ （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜６、Ｚ＝１〜６）、
ＣY ＨX ＦZ ＢｒA （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜６、Ｚ＝１
〜６、Ａ＝１〜６）、ＣY ＨX ＦZ ＣｌA （Ｙ＝１〜
２、Ｘ＝１〜６、Ｚ＝１〜６、Ａ＝１〜６）のいずれか
を主成分としたものとすることができる。この物質は、
記録レーザ光の照射時に熱分解とガス化を起こし、記録
部の複素屈折率の変化と、記録膜および基板の変形を生
じさせ、それによる光散乱により反射率を低下させる。
【００１０】また、記録膜に、記録レーザ光を熱に変換
する物質を含ませることができる。この物質が発生する
熱により、上記した熱分解を起こす物質の熱分解を容易
に行わせることができる。この熱に変換する物質として
は、金属を用いることができ、この金属としては周期律
表のIIa からVIb 属の金属又はその合金を用いることが
できる。また、熱に変換する物質としては、窒化物、酸
化物、硫化物のいずれか１つ又はその混合物を含むもの
を用いることができる。ここで熱に変換する物質とし
て、熱分解も兼ねる材料であれば、記録感度の低減、振
幅変調度の向上に対して効果がある。例えばＣｕ−Ｎを
用いると、この物質は３００℃で熱分解し、Ｃｕ粒子が
析出し、膜中の分散し、光吸収が増加し、反射率が低下
する。
する物質を含ませることができる。この物質が発生する
熱により、上記した熱分解を起こす物質の熱分解を容易
に行わせることができる。この熱に変換する物質として
は、金属を用いることができ、この金属としては周期律
表のIIa からVIb 属の金属又はその合金を用いることが
できる。また、熱に変換する物質としては、窒化物、酸
化物、硫化物のいずれか１つ又はその混合物を含むもの
を用いることができる。ここで熱に変換する物質とし
て、熱分解も兼ねる材料であれば、記録感度の低減、振
幅変調度の向上に対して効果がある。例えばＣｕ−Ｎを
用いると、この物質は３００℃で熱分解し、Ｃｕ粒子が
析出し、膜中の分散し、光吸収が増加し、反射率が低下
する。
【００１１】また、上記した光吸収率を調整する物質と
しては、硫化物、酸化物、窒化物、フッ化物のいずれか
１つ又はその混合物を主成分とするものを用いることが
できる。この場合、それらの物質が記録レーザ光に対し
て透明であることが重要であり、その透明な物質によ
り、反射膜から反射してきた光を効率的に透過させ、反
射率を高めることができる。ここで光吸収率を調整する
物質として、熱分解も兼ねる材料であれば、記録感度の
低減、振幅変調度の向上に対して効果がある。例えばＳ
ｎ−Ｎを用いると、この物質は３６０℃で熱分解し、Ｓ
ｎ粒子が析出し、膜中の分散し、光吸収が増加すし、反
射率が低下する。
しては、硫化物、酸化物、窒化物、フッ化物のいずれか
１つ又はその混合物を主成分とするものを用いることが
できる。この場合、それらの物質が記録レーザ光に対し
て透明であることが重要であり、その透明な物質によ
り、反射膜から反射してきた光を効率的に透過させ、反
射率を高めることができる。ここで光吸収率を調整する
物質として、熱分解も兼ねる材料であれば、記録感度の
低減、振幅変調度の向上に対して効果がある。例えばＳ
ｎ−Ｎを用いると、この物質は３６０℃で熱分解し、Ｓ
ｎ粒子が析出し、膜中の分散し、光吸収が増加すし、反
射率が低下する。
【００１２】なお、記録膜上に形成する反射膜として
は、金属反射膜または光干渉多層反射膜を用いることが
できる。また、真空蒸着法としてスパッタ法を用いた場
合、記録レーザ光の照射時に熱分解を起こす物質と、記
録レーザ光に対し透明で光吸収率を調整する物質をター
ゲットとすることができる。この場合、それぞれの物質
を混合して１つのターゲットとする他、それぞれの物質
を異なるターゲットとして、同時にスパッタするように
してもよい。さらに、ＣY ＨX （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜
６）ＣY ＨX ＦZ（Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜６、Ｚ＝１〜
６）、ＣY ＨX ＦZ ＢｒA （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜６、
Ｚ＝１〜６、Ａ＝１〜６）、ＣY ＨX ＦZ ＣｌA （Ｙ＝
１〜２、Ｘ＝１〜６、Ｚ＝１〜６、Ａ＝１〜６）のいず
れかを含むガスを導入して反応性スパッタにより記録膜
を形成するようにしてもよい。
は、金属反射膜または光干渉多層反射膜を用いることが
できる。また、真空蒸着法としてスパッタ法を用いた場
合、記録レーザ光の照射時に熱分解を起こす物質と、記
録レーザ光に対し透明で光吸収率を調整する物質をター
ゲットとすることができる。この場合、それぞれの物質
を混合して１つのターゲットとする他、それぞれの物質
を異なるターゲットとして、同時にスパッタするように
してもよい。さらに、ＣY ＨX （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜
６）ＣY ＨX ＦZ（Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜６、Ｚ＝１〜
６）、ＣY ＨX ＦZ ＢｒA （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜６、
Ｚ＝１〜６、Ａ＝１〜６）、ＣY ＨX ＦZ ＣｌA （Ｙ＝
１〜２、Ｘ＝１〜６、Ｚ＝１〜６、Ａ＝１〜６）のいず
れかを含むガスを導入して反応性スパッタにより記録膜
を形成するようにしてもよい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図１に、本発明の一実施形態にかか
る光情報記録媒体の模式的な断面構成を示す。図に示す
ように、プラスチック、ガラス等の透明基板１上に、記
録膜２、反射膜３、樹脂保護膜４が形成されて光情報記
録媒体が構成されている。透明基板１には、図示してな
いが、ウォブルを持った案内溝（グルーブ）が形成され
ており、この案内溝は、例えば深さが５０ｎｍ以下で、
幅が０．７〜０．５μｍ程度のものである。
について説明する。図１に、本発明の一実施形態にかか
る光情報記録媒体の模式的な断面構成を示す。図に示す
ように、プラスチック、ガラス等の透明基板１上に、記
録膜２、反射膜３、樹脂保護膜４が形成されて光情報記
録媒体が構成されている。透明基板１には、図示してな
いが、ウォブルを持った案内溝（グルーブ）が形成され
ており、この案内溝は、例えば深さが５０ｎｍ以下で、
幅が０．７〜０．５μｍ程度のものである。
【００１４】記録膜２は、真空スパッタ装置を用いて形
成される。この場合、ＣＨ4 、Ｃ2Ｈ4 、Ｃ2 Ｈ2 、Ｃ
2 Ｈ6 などのガスのプラズマ中に、Ｓｎ−Ｎと金属をタ
ーゲットとしてスパッタを行うことにより、記録膜２を
形成することができる。金属としては、周期律表のIIa
からVIb 属の金属又はその合金を利用することができ
る。
成される。この場合、ＣＨ4 、Ｃ2Ｈ4 、Ｃ2 Ｈ2 、Ｃ
2 Ｈ6 などのガスのプラズマ中に、Ｓｎ−Ｎと金属をタ
ーゲットとしてスパッタを行うことにより、記録膜２を
形成することができる。金属としては、周期律表のIIa
からVIb 属の金属又はその合金を利用することができ
る。
【００１５】また、金属の代わりに、窒化物、酸化物、
硫化物のいずれか１つ又はその混合物を用いてもよい。
窒化物としては、Ａｇ3 Ｎ、Ｃｕ−Ｎ、Ｉｎ−Ｎなどを
用いることができる。酸化物、硫化物としては、記録レ
ーザ光の波長に対し吸収性があるものを用い、例えば酸
化物としてＡｇＯｘ、ＴｅＯｘ、ＳｂＯｘなど、硫化物
としてＳｂ2 Ｓ3 、ＩｎＳなどを用いることができる。
硫化物のいずれか１つ又はその混合物を用いてもよい。
窒化物としては、Ａｇ3 Ｎ、Ｃｕ−Ｎ、Ｉｎ−Ｎなどを
用いることができる。酸化物、硫化物としては、記録レ
ーザ光の波長に対し吸収性があるものを用い、例えば酸
化物としてＡｇＯｘ、ＴｅＯｘ、ＳｂＯｘなど、硫化物
としてＳｂ2 Ｓ3 、ＩｎＳなどを用いることができる。
【００１６】上記した金属あるいは窒化物、酸化物、硫
化物などは、記録レーザ光を吸収して、熱に変換する役
目を果たす。Ｓｎ−Ｎは、記録レーザ光に対し透明で、
記録レーザ光の光吸収率を調整するために用いられる。
このＳｎ−Ｎを混入することにより、反射膜３からの反
射と相まって追記型ＣＤ規格である反射率６５％以上を
実現する。このＳｎ−Ｎに代えて、記録レーザ光に対し
透明な、硫化物、酸化物、窒化物、フッ化物のいずれか
１つ又はその混合物を主成分としたものを用いてもよ
い。例えば、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 、ＳｉＮなどを用いる
ことができる。
化物などは、記録レーザ光を吸収して、熱に変換する役
目を果たす。Ｓｎ−Ｎは、記録レーザ光に対し透明で、
記録レーザ光の光吸収率を調整するために用いられる。
このＳｎ−Ｎを混入することにより、反射膜３からの反
射と相まって追記型ＣＤ規格である反射率６５％以上を
実現する。このＳｎ−Ｎに代えて、記録レーザ光に対し
透明な、硫化物、酸化物、窒化物、フッ化物のいずれか
１つ又はその混合物を主成分としたものを用いてもよ
い。例えば、ＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 、ＳｉＮなどを用いる
ことができる。
【００１７】また、ＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ4 、Ｃ2 Ｈ2 、Ｃ2
Ｈ6 などのガス成分は、記録膜２中でＣとＨの鎖状有機
物質を構成しており、記録レーザが照射されると、熱分
解とガス化を起こし、記録部の複素屈折率の変化と、記
録膜２および透明基板１の変形による光散乱により反射
率を低下させる。それ以外のガス成分として、ＣY Ｈ X
ＦZ （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜６、Ｚ＝１〜６）、ＣY Ｈ
X ＦZ ＢｒA （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜６、Ｚ＝１〜６、
Ａ＝１〜６）、ＣY ＨX ＦZ ＣｌA （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝
１〜６、Ｚ＝１〜６、Ａ＝１〜６）を用いても良い。
Ｈ6 などのガス成分は、記録膜２中でＣとＨの鎖状有機
物質を構成しており、記録レーザが照射されると、熱分
解とガス化を起こし、記録部の複素屈折率の変化と、記
録膜２および透明基板１の変形による光散乱により反射
率を低下させる。それ以外のガス成分として、ＣY Ｈ X
ＦZ （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜６、Ｚ＝１〜６）、ＣY Ｈ
X ＦZ ＢｒA （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜６、Ｚ＝１〜６、
Ａ＝１〜６）、ＣY ＨX ＦZ ＣｌA （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝
１〜６、Ｚ＝１〜６、Ａ＝１〜６）を用いても良い。
【００１８】なお、上記したＡｇ3 Ｎ、Ｃｕ−Ｎ、Ａｇ
Ｏｘ、Ｓｎ−Ｎは、比較的低温（３００℃程度）で熱分
解する。反射膜３は、スパッタ法、蒸着法により形成さ
れた金属反射膜、例えばＡｕ、Ａｇ、Ａｌ膜または合金
を用いることができる。また、金属反射膜の代わりに光
干渉多層反射膜を用いてもよい。
Ｏｘ、Ｓｎ−Ｎは、比較的低温（３００℃程度）で熱分
解する。反射膜３は、スパッタ法、蒸着法により形成さ
れた金属反射膜、例えばＡｕ、Ａｇ、Ａｌ膜または合金
を用いることができる。また、金属反射膜の代わりに光
干渉多層反射膜を用いてもよい。
【００１９】樹脂保護膜４として、ＵＶ硬化樹脂をスピ
ンコータで塗布し、紫外線を照射することにより、硬化
させる。なお、記録膜２は、スパッタ法以外に、蒸着
法、イオンプレーティング法などを用いて成膜してもよ
い。上記した実施形態によれば、透明基板１上に記録膜
２、反射膜３、樹脂保護膜４を形成し、情報記録により
その記録部の反射率が低下するようにした追記型の光デ
ィスクを構成することができる。この場合、記録膜３を
真空成膜法を用いて形成しているから、タクトタイムの
短縮と生産歩留まりの向上を図ることができる。
ンコータで塗布し、紫外線を照射することにより、硬化
させる。なお、記録膜２は、スパッタ法以外に、蒸着
法、イオンプレーティング法などを用いて成膜してもよ
い。上記した実施形態によれば、透明基板１上に記録膜
２、反射膜３、樹脂保護膜４を形成し、情報記録により
その記録部の反射率が低下するようにした追記型の光デ
ィスクを構成することができる。この場合、記録膜３を
真空成膜法を用いて形成しているから、タクトタイムの
短縮と生産歩留まりの向上を図ることができる。
【００２０】また、図１に示すように、記録膜２は、熱
分解・ガス化を起こす物質（例えばＣＨ4 ）と、記録レ
ーザ光に対し透明で記録膜での光吸収率を調整する物質
（例えばＳｎ−Ｎ）との混合物の中に、記録レーザ光を
吸収し熱に変換する物質（例えばＣｕ−Ｎ）が分散した
構成となっている。光吸収率を調整する物質は、反射膜
３から反射してきた光を透過するため、高反射率を実現
することができる。この場合、光吸収率を調整する物質
の混入量を調整することにより、記録膜２の透過率を制
御することができるため、未記録部の反射率を６５％以
上として、ＣＤ規格を満足することができる。
分解・ガス化を起こす物質（例えばＣＨ4 ）と、記録レ
ーザ光に対し透明で記録膜での光吸収率を調整する物質
（例えばＳｎ−Ｎ）との混合物の中に、記録レーザ光を
吸収し熱に変換する物質（例えばＣｕ−Ｎ）が分散した
構成となっている。光吸収率を調整する物質は、反射膜
３から反射してきた光を透過するため、高反射率を実現
することができる。この場合、光吸収率を調整する物質
の混入量を調整することにより、記録膜２の透過率を制
御することができるため、未記録部の反射率を６５％以
上として、ＣＤ規格を満足することができる。
【００２１】また、記録レーザ光の照射時に、記録レー
ザ光を熱に変換する物質から発生した熱により、熱分解
・ガス化する物質が、熱分解、ガス化を起こし、記録膜
の複素屈折率が変化し、また記録膜２および透明基板１
を変形させるため、その記録部分での反射率が減少し、
振幅変調度を６０％以上としたＣＤ規格を満足すること
ができる。
ザ光を熱に変換する物質から発生した熱により、熱分解
・ガス化する物質が、熱分解、ガス化を起こし、記録膜
の複素屈折率が変化し、また記録膜２および透明基板１
を変形させるため、その記録部分での反射率が減少し、
振幅変調度を６０％以上としたＣＤ規格を満足すること
ができる。
【００２２】また、従来のもののように透明基板上に有
機色素をスピンコータで塗布した場合には、追記領域
（ＲＡＭ部）と再生専用領域（ＲＯＭ部）を混在させた
光ディスクを製作するときに、ＲＯＭ部のピット内に有
機色素が進入してピットを埋めてしまい、ＲＯＭ部を消
失させてしまう恐れがあるが、上記実施形態のように記
録膜３を真空成膜法を用いて光ディスクを形成した場合
には、ＲＯＭ部のピットを埋めるという問題が生じない
ため、ＲＡＭ部とＲＯＭ部を混在させた光ディスクを容
易に製造することができる。
機色素をスピンコータで塗布した場合には、追記領域
（ＲＡＭ部）と再生専用領域（ＲＯＭ部）を混在させた
光ディスクを製作するときに、ＲＯＭ部のピット内に有
機色素が進入してピットを埋めてしまい、ＲＯＭ部を消
失させてしまう恐れがあるが、上記実施形態のように記
録膜３を真空成膜法を用いて光ディスクを形成した場合
には、ＲＯＭ部のピットを埋めるという問題が生じない
ため、ＲＡＭ部とＲＯＭ部を混在させた光ディスクを容
易に製造することができる。
【００２３】なお、光情報記録媒体としては、保護板も
しくは図１に示すものと同種の基板を接着剤、ＵＶ樹脂
等で貼り合わせた構造のものであってもよい。
しくは図１に示すものと同種の基板を接着剤、ＵＶ樹脂
等で貼り合わせた構造のものであってもよい。
【００２４】
【実施例】以下、実施例について説明する。 （実施例１）案内溝を持った透明なポリカーボネイト基
板１上に、反応性高周波スパッタ法により、ＣｕとＳｎ
の原子％が４０：６０の合金ターゲットをスパッタし、
記録膜２を形成する。このとき、ＡｒとＮ2 、ＣＨ4 の
ガスを導入する。スパッタパワーは５００Ｗであり、ガ
ス圧は１２Ｐａであり、ＡｒとＮ2 、ＣＨ4 の比率は
６：３：３である。さらに、反射膜３としてＡｕを１０
０ｎｍ形成する。最後に、樹脂保護膜４として、ＵＶ硬
化樹脂をスピンコータで塗布し、紫外線を照射すること
により、硬化させる。
板１上に、反応性高周波スパッタ法により、ＣｕとＳｎ
の原子％が４０：６０の合金ターゲットをスパッタし、
記録膜２を形成する。このとき、ＡｒとＮ2 、ＣＨ4 の
ガスを導入する。スパッタパワーは５００Ｗであり、ガ
ス圧は１２Ｐａであり、ＡｒとＮ2 、ＣＨ4 の比率は
６：３：３である。さらに、反射膜３としてＡｕを１０
０ｎｍ形成する。最後に、樹脂保護膜４として、ＵＶ硬
化樹脂をスピンコータで塗布し、紫外線を照射すること
により、硬化させる。
【００２５】このときの記録膜２の複素屈折率は、２．
６−０．０７ｉであり、その膜厚の反射率依存性は図２
に示すようになった。膜厚１２５ｎｍのときミラー面の
反射率が７８％となり、案内溝上では７３％となった。
従って、６０％以上の反射率を有し、ＣＤ規格を満たし
ている。次に、実際にこの光ディスクに記録を行った。
線速２．８ｍ／ｓ（２倍速）でＥＦＭ信号を記録してみ
た結果、レーザパワー（７８０ｎｍ）９ｍＷで記録可能
であった。ＥＦＭ信号の中でパルス幅の最も長い信号で
あるＩ11の振幅変調度は７４％となり、振幅変調度６０
％以上を必要とするＣＤ規格を満足し、良好な再生信号
を得ることができた。
６−０．０７ｉであり、その膜厚の反射率依存性は図２
に示すようになった。膜厚１２５ｎｍのときミラー面の
反射率が７８％となり、案内溝上では７３％となった。
従って、６０％以上の反射率を有し、ＣＤ規格を満たし
ている。次に、実際にこの光ディスクに記録を行った。
線速２．８ｍ／ｓ（２倍速）でＥＦＭ信号を記録してみ
た結果、レーザパワー（７８０ｎｍ）９ｍＷで記録可能
であった。ＥＦＭ信号の中でパルス幅の最も長い信号で
あるＩ11の振幅変調度は７４％となり、振幅変調度６０
％以上を必要とするＣＤ規格を満足し、良好な再生信号
を得ることができた。
【００２６】なお、上記実施例ではＣｕとＳｎの合金金
属ターゲットをＮ2 反応性スパッタリングして光記録層
を形成したが、ＣｕおよびＳｎ合金の窒化物である単一
ターゲットを用いると、光記録層材料の組成制御の精度
をさらに高めることが可能である。また実施例１におい
て、反射率の波長依存性を測定すると、図３のようにな
る。短波長において反射率が高く、６３０ｎｍまたは６
５０ｎｍを使用するＤＶＤ（Digital Versatile Disc）
システムにおいてでも再生可能となる。
属ターゲットをＮ2 反応性スパッタリングして光記録層
を形成したが、ＣｕおよびＳｎ合金の窒化物である単一
ターゲットを用いると、光記録層材料の組成制御の精度
をさらに高めることが可能である。また実施例１におい
て、反射率の波長依存性を測定すると、図３のようにな
る。短波長において反射率が高く、６３０ｎｍまたは６
５０ｎｍを使用するＤＶＤ（Digital Versatile Disc）
システムにおいてでも再生可能となる。
【図１】本発明の一実施形態を示す光情報記録媒体の模
式的な断面構成図である。
式的な断面構成図である。
【図２】実施例１における膜厚の反射率依存性を示す図
である。
である。
【図３】実施例１における反射率の波長依存性を示す図
である。
である。
１ 透明基板2 記録膜 ３ 反射膜 ４ 樹脂保護膜。
フロントページの続き (72)発明者 河内 泰司 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 久野 裕也 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内
Claims (14)
- 【請求項１】 透明基板（１）上に記録膜（２）および
反射膜（３）、保護膜（４）が形成され、記録レーザ光
の照射により前記記録膜に情報を記録する光情報記録媒
体において、 前記記録膜は、真空成膜法で形成されたものであって、
前記記録レーザ光の照射時に熱分解を起こす物質と、前
記記録レーザ光に対し透明で前記記録膜での光吸収率を
調整する物質とを含んで構成されていることを特徴とす
る光情報記録媒体。 - 【請求項２】 前記熱分解を起こす物質は、有機物質を
含むことを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒
体。 - 【請求項３】 前記有機物質は、ＣY ＨX （Ｙ＝１〜
２、Ｘ＝１〜６）、Ｃ Y ＨX ＦZ （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１
〜６、Ｚ＝１〜６）、ＣY ＨX ＦZ ＢｒA （Ｙ＝１〜
２、Ｘ＝１〜６、Ｚ＝１〜６、Ａ＝１〜６）、ＣY ＨX
ＦZ ＣｌA （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜６、Ｚ＝１〜６、Ａ
＝１〜６）のいずれかを主成分とするものであることを
特徴とする請求項２に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項４】 前記記録膜は、照射された前記記録レー
ザ光を熱に変換する物質を含むことを特徴とする請求項
１乃至３のいずれか１つに記載の光情報記録媒体。 - 【請求項５】 前記熱に変換する物質は、金属を含むこ
とを特徴とする請求項４に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項６】 前記金属は周期律表のIIa からVIb 属の
金属又はその合金であることを特徴とする請求項５に記
載の光情報記録媒体。 - 【請求項７】 前記熱に変換する物質は、窒化物、酸化
物、硫化物のいずれか１つ又はその混合物を含むことを
特徴とする請求項４に記載の光情報記録媒体。 - 【請求項８】 前記熱に変換する物質は、Ｃｕ−Ｎ系を
主成分含むことを特徴とする請求項４に記載の光情報記
録媒体。 - 【請求項９】 前記光吸収率を調整する物質は、硫化
物、酸化物、窒化物、フッ化物のいずれか１つ又はその
混合物を主成分とするものであることを特徴とする請求
項１乃至８のいずれか１つに記載の光情報記録媒体。 - 【請求項１０】 前記光吸収率を調整する物質は、Ｓｎ
−Ｎ系またはＳｉ−Ｎ系を主成分であることを特徴とす
る請求項１乃至９のいずれか１つに記載の光情報記録媒
体。 - 【請求項１１】 透明基板（１）上に記録膜（２）、反
射膜（３）および保護膜（４）を形成してなり、記録レ
ーザ光の照射により前記記録膜に情報を記録する光情報
記録媒体の製造方法において、 前記記録レーザ光の照射時に熱分解を起こす物質と、前
記記録レーザ光に対し透明で前記記録膜での光吸収率を
調整する物質とを含んで、真空成膜法により前記記録膜
を形成することを特徴とする光情報記録媒体の製造方
法。 - 【請求項１２】 透明基板（１）上に記録膜（２）およ
び反射膜（３）、保護膜（４）を形成してなり、記録レ
ーザ光の照射により前記記録膜に情報を記録する光情報
記録媒体の製造方法において、 前記記録レーザ光の照射時に熱分解を起こす物質と、前
記記録レーザ光に対し透明で前記記録膜での光吸収率を
調整する物質をターゲットとして、前記記録膜をスパッ
タ形成することを特徴とする光情報記録媒体の製造方
法。 - 【請求項１３】 前記記録レーザ光の照射によって熱分
解を起こす物質と光吸収率を調整する物質を異なるター
ゲットとして、同時にスパッタすることを特徴とする請
求項１２に記載の光情報記録媒体の製造方法。 - 【請求項１４】 ＣY ＨX （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜
６）、ＣY ＨX ＦZ （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜６、Ｚ＝１
〜６）、ＣY ＨX ＦZ ＢｒA （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜
６、Ｚ＝１〜６、Ａ＝１〜６）、ＣY ＨX ＦZ Ｃｌ
A （Ｙ＝１〜２、Ｘ＝１〜６、Ｚ＝１〜６、Ａ＝１〜
６）を含むガスを導入して反応性スパッタにより前記記
録膜を形成することを特徴とする請求項１２又は１３に
記載の光情報記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9146207A JPH10329424A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9146207A JPH10329424A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10329424A true JPH10329424A (ja) | 1998-12-15 |
Family
ID=15402550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9146207A Pending JPH10329424A (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10329424A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005018947A1 (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | 記録媒体 |
| EP1510355A4 (en) * | 2002-06-03 | 2005-07-13 | Pioneer Corp | INFORMATION RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME |
| JP2008511096A (ja) * | 2004-08-25 | 2008-04-10 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 超解像情報記録媒体、データ再生方法及びデータ記録及び／または再生装置 |
| JP2016035091A (ja) * | 2014-08-04 | 2016-03-17 | 三菱マテリアル株式会社 | ＣｕＳｎスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
-
1997
- 1997-06-04 JP JP9146207A patent/JPH10329424A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1510355A4 (en) * | 2002-06-03 | 2005-07-13 | Pioneer Corp | INFORMATION RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME |
| US7524612B2 (en) | 2002-06-03 | 2009-04-28 | Pioneer Corporation | Information recording medium and process for producing the same |
| WO2005018947A1 (ja) * | 2003-08-21 | 2005-03-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | 記録媒体 |
| US7381458B2 (en) | 2003-08-21 | 2008-06-03 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Recording medium |
| JP2008511096A (ja) * | 2004-08-25 | 2008-04-10 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 超解像情報記録媒体、データ再生方法及びデータ記録及び／または再生装置 |
| JP2016035091A (ja) * | 2014-08-04 | 2016-03-17 | 三菱マテリアル株式会社 | ＣｕＳｎスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050914 |
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