JPH10335256A - 液晶基板のレーザアニーリング装置 - Google Patents

液晶基板のレーザアニーリング装置

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JPH10335256A
JPH10335256A JP14130697A JP14130697A JPH10335256A JP H10335256 A JPH10335256 A JP H10335256A JP 14130697 A JP14130697 A JP 14130697A JP 14130697 A JP14130697 A JP 14130697A JP H10335256 A JPH10335256 A JP H10335256A
Authority
JP
Japan
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liquid crystal
crystal substrate
homogenizer
laser beam
sectional
Prior art date
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Pending
Application number
JP14130697A
Other languages
English (en)
Inventor
Makoto Harada
真 原田
Shiro Hamada
史郎 浜田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Heavy Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 真空チャンバ内の液晶基板を回動することな
く、方向の異なる選択照射を可能とする。 【解決手段】 液晶基板16長尺ビーム照射方向に合わ
せて、ホモジナイザ12を回動し、該ホモジナイザ12
の回動に合わせて、ビーム断面方向変更用光学系71
で、ホモジナイザ12に入射するレーザ光10の断面方
向を変更する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶基板のレーザ
アニーリング装置に係り、特に、アモルファスシリコン
の液晶基板に、レーザビームを照射してアニーリング
し、ポリシリコンに改質する際に用いるのに好適な、改
質が必要な部分に選択的にレーザビームを照射可能な、
液晶基板のレーザアニーリング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】アモルファスシリコンの液晶基板にレー
ザビームを照射してアニーリングし、ポリシリコンに改
質することが行われている。このレーザビーム照射に際
して、従来は、例えば図12に示す如く、断面形状が縦
35mm×横25mmのエキシマレーザ光10を、全反
射ミラー11及び方向性を有するホモジナイザ12を通
して、例えば幅1mm×長さ200mmの長尺ビーム1
4に変形し、これを液晶基板16に照射して、そのアニ
ーリングを行うようにしていた。具体的には、図13に
示す如く、長尺ビーム14が幅方向に例えば90%オー
バーラップするように、液晶基板16を例えば0.1m
mずつ矢印A方向に送りながら、液晶基板16の全面に
レーザビームを照射するようにしていた。
【0003】しかしながら、この全面照射では、オーバ
ーラップライン18の痕跡が、例えば0.1mm刻みの
縞として残り、これが最終のディスプレイ画面で、雨の
ような模様に現われる現象となるため、不良品を多く出
していた。
【0004】そこで、図14に示すような、例えばディ
スプレイを6枚取る6枚取りの液晶基板16において、
ディスプレイ表示部20は、アモルファスシリコンのま
まで問題はなく、スイッチングさせる周辺駆動回路部2
2のみポリシリコン化すればよいことに着目して、周辺
駆動回路部22のみにレーザビームを選択的に照射し
て、無駄な照射を無くし、効率化すると共に、前記オー
バーラップライン18の発生を防止することが考えられ
る。
【0005】一方、このような選択照射を行う場合に
は、周辺駆動回路部22の方向が、ディスプレイ表示部
20の上下と左右で90°異なるため、長尺ビーム14
の照射方向も、これに合わせて、90°変える必要があ
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
全面照射時のように、ホモジナイザ12を含む光学系は
固定したまま、液晶基板16側を移動(90°回動)す
るようにしたのでは、液晶基板16が収納された真空チ
ャンバ内に回動機構を設ける必要があり、真空チャンバ
がコンタミネーションにより汚れてしまう可能性があ
る。又、ステッピングモータやエンコーダ等を含む回動
機構は、高温(真空チャンバ内は400℃程度になる)
に弱く、劣化を早く起こし、精度劣化も生じる等の問題
点が考えられる。
【0007】本発明は、前記従来の問題点を解消するべ
くなされたもので、真空チャンバ内に置かれる液晶基板
側を回動させることなく、方向の異なる選択照射を可能
にすることを課題とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、断面形状に異
方性があるレーザビームを、方向性を有するホモジナイ
ザを通して液晶基板に照射し、アニーリングを行う液晶
基板のレーザアニーリング装置において、液晶基板への
レーザビーム照射方向に合わせて、ホモジナイザを回動
するホモジナイザ回動機構と、該ホモジナイザの回動に
合わせて、ホモジナイザに入射するレーザビームの断面
方向を変更するためのビーム断面方向変更用光学系とを
備えることにより、前記課題を解決したものである。
【0009】又、前記ビーム断面方向変更用光学系を、
レーザビームの光路中に出入れ可能な全反射ミラーを用
いて構成し、ビーム断面方向を90°変更可能としたも
のである。
【0010】更に、液晶基板固定方向の基準方向からの
ずれに対応して、前記全反射ミラーの反射面を微調整可
能としたものである。
【0011】又、液晶基板固定方向の基準方向からのず
れを検知する手段を、前記ホモジナイザと共に回動する
ように設けたものである。
【0012】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して、本発明の実
施形態を詳細に説明する。
【0013】本実施形態の全体構成を、図1(正面から
見た断面図)、図2(側面から見た断面図)、図3(上
面から見た中央部の断面図)、図4(上面から見た拡大
図)に示す。
【0014】アニーリングの対象である液晶基板16
は、例えばボールねじ28によってX軸方向(液晶基板
16の長手方向、図13のA方向)に移動可能なキャリ
ア30上に配設されたヒータ32上に配置されている。
この液晶基板16、ヒータ32及びキャリア30は、共
に、真空チャンバ34内に収容されている。真空チャン
バ34は、架台36の上に載せられ、その上面のホモジ
ナイザ12と対向する位置には、長尺ビームを通過させ
るためのウィンドウ38が設けられている。
【0015】真空チャンバ34上方の液晶基板16と対
向する位置には、従来と同様のホモジナイザ12が設け
られている。このホモジナイザ12は、図2に示す如
く、上部のクロスローラベアリング42及び下部の玉軸
受44によって外筒40内に回動自在に支持された内筒
46に固定され、回動自在とされている。前記内筒46
は、その上端に取り付けられた大プーリ48、前記外筒
40の側面に取り付けられたサーボモータ50によって
回動される小プーリ52、及び、大プーリ48と小プー
リ52間に掛け渡されたスチールベルト54により、サ
ーボモータ50の回転に応じてバックラッシュなしで回
動するようにされている。
【0016】前記外筒40の側面は、図1に示す如く、
移動ベース58に取り付けられ、Y軸フレーム60に固
定されたY軸ベース62の端部に固定されたサーボモー
タ64(図2参照)により回転駆動されるボールねじ6
8によって、Y軸方向に移動可能とされている。従っ
て、サーボモータ64を回転することによって、液晶基
板16に対する長尺ビームのY軸方向の照射位置を変え
ることができる。
【0017】前記外筒40の上面には光学系ベース70
が配設され、該光学系ベース70の上に、図4に示す如
く、ホモジナイザ12の回動に合わせてホモジナイザに
入射するレーザビームの断面方向を変更するための、5
つの全反射ミラー(以下、単にミラーと称する)72、
74、76、78、80を含むビーム断面変更用光学系
71が設けられている。
【0018】前記ミラーのうち、ミラー72、74、7
6は、水平方向に入射するレーザ光10を同じ水平面内
で90°方向に反射するようにされ、前記ミラー78、
80は、水平面内を進んできたレーザ光をホモジナイザ
12向けて下方向に反射するようにされている。
【0019】前記ミラー72は、図5に詳細に示す如
く、一対のガイドロッド83にガイドされ、中央の細長
いエアシリンダ84によって前後動(図4の矢印B方
向)に移動可能な直進ステージ82上に載置されてい
る。このミラー72の反射面の角度は、マイクロメータ
ヘッド73により微調整可能とされている。
【0020】前記ミラー74、76は、図6にミラー7
4で例示する如く、マイクロメータヘッド75(77)
及びエンコーダ付モータ94(98)によって、反射面
のあおり角度が微調整可能とされると共に、エンコーダ
付モータ100(102)によって、前後位置が調整可
能なステージ104(106)上に載置されている。
【0021】前記ミラー78、80は、図7にミラー7
8で例示する如く、一対のガイドロッド87(91)に
ガイドされ、中央の細長いエアシリンダ88(92)に
よって前後動(ミラー78は図4の矢印C方向、ミラー
80は同じく矢印D方向)に移動可能とされた直進ステ
ージ86(90)上に、下向き45°の角度で固定され
ている。このミラー86、90の反射面の角度は、マイ
クロメータヘッド79(81)により微調整可能とされ
ている。
【0022】前記ミラー72、78は、例えばホモジナ
イザ12の方向が0°であるときに、図8に示す如く、
エアシリンダ84、88によってレーザ光10の光路中
に挿入されて、レーザ光10を、それぞれミラー74及
びホモジナイザ12の方向に反射し、一方、ホモジナイ
ザ12の方向が90°であるときは、レーザ光10の光
路から退避するようにされている。
【0023】前記ミラー80は、例えばホモジナイザ1
2の方向が90°であるときに、図9に示す如く、レー
ザ光の光路中に挿入され、ミラー76によって反射され
てきたレーザ光を、下方のホモジナイザ12方向に反射
するようにされている。一方、ホモジナイザ12の方向
が0°であるときには、レーザ光10の光路から退避す
るようにされている。
【0024】前記内筒46のホモジナイザ12先端近傍
には、図2に示すように、液晶基板16に設けられた、
図14に示したようなアライメントマーク24を検出す
るための、一対のCCTV鏡筒108、110が並設さ
れている。
【0025】以下実施形態の作用を説明する。
【0026】図8に示す如く、液晶基板16の幅方向に
長い長尺ビーム14を照射する場合、即ち、ホモジナイ
ザ12の方向が0°である場合には、図4に示した如
く、エアシリンダ92によりミラー80を後退させる一
方、エアシリンダ84、88により、ミラー72、78
を前進させ、レーザ光10の光路中に挿入する。する
と、レーザ光10は、図8に示した如く、ミラー72、
74、78で反射され、ホモジナイザ12の方向、即
ち、形成すべき長尺ビーム14の長手方向と断面形状が
合った状態で、ホモジナイザ12に入射する。
【0027】一方、液晶基板16の長手方向に長い長尺
ビーム14を照射したい場合には、エアシリンダ84、
88によりミラー72、78を後退させる一方、エアシ
リンダ92によりミラー80を前進させる。すると、図
9に示す如く、レーザ光10はミラー76、80で反射
され、ホモジナイザ12の方向、即ち、長尺ビーム14
の長手方向と断面形状が合った状態で、ホモジナイザ1
2に入射する。
【0028】従って、真空チャンバ34内にあり、回動
することが困難な液晶基板16を回動することなく、液
晶基板16上の照射方向の変化に合わせて、ホモジナイ
ザ12の回動角度、及び、これに入射するレーザ光10
の断面形状を調整することができる。
【0029】なお、実際のレーザ照射に際しては、図1
0に示す如く、液晶基板16がキャリア30上の基準方
向(X)からずれて配置されることがある。この場合に
は、CCTV鏡筒108、110を介して検出されるア
ライメントマーク24の位置に合わせて、内筒46、即
ち、ホモジナイザ12を角度θだけ回動し、ホモジナイ
ザ12によって形成される長尺ビーム14の照射方向を
液晶基板16の照射位置と合わせることができるが、光
学系71によって形成されるレーザ光10のホモジナイ
ザ12に対する入射角度は若干ずれてしまう。そこで、
図11に示す如く、まずエンコーダ付モータ94、98
によってミラー74(方向0°の場合)、又はミラー7
6(方向90°の場合)のあおり角度を調整し、次い
で、このあおり調整によってずれた位置を、エンコーダ
付モータ100、102によってミラー74、76の前
後位置を調整することにより、アライメント調整による
ホモジナイザ12の微少回動に合わせて、これに入射す
るレーザ光の断面形状を微少調整することができる。
【0030】本実施形態においては、5枚のミラー7
2、74、76、78、80を用いて、ホモジナイザ1
2の方向が0°、90°の場合で、レーザ光の光路長が
変わらないようにしているので、レーザ光の断面サイズ
が光路長によって変化する場合でも、高精度の照射を行
うことができる。
【0031】本実施形態においては、ホモジナイザの回
動に合わせて、ホモジナイザに入射するレーザビームの
断面方向を変更するためのビーム断面方向変更用光学系
を、5枚のミラーを用いて構成しているので、構成が簡
略である。なお、ビーム断面方向変更用光学系の構成
は、これに限定されず、ミラーの数を変えたり、プリズ
ムを用いたりすることも可能である。
【0032】
【発明の効果】本発明によれば、液晶基板を回動するこ
となく、方向の異なる選択照射が可能になる。従って、
真空チャンバ内に液晶基板を回動するための機構を設け
る必要がなく、真空チャンバ内のコンタミネーションを
防止することができる。又、高温の真空チャンバ内に回
転機構を設けた場合の回転機構の寿命劣化や、精度低下
を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る液晶基板のレーザアニーリング装
置の実施形態の全体構成を示す、正面から見た断面図
【図2】同じく側面から見た断面図
【図3】同じく上面から見た中央部の断面図
【図4】同じくビーム断面方向変更用光学系の構成を示
す拡大上面図
【図5】前記光学系の一部のミラーの取付状態を示す斜
視図
【図6】同じく他のミラーの取付状態を示す斜視図
【図7】同じく更に他のミラーの取付状態を示す斜視図
【図8】ホモジナイザの方向が0°のときのレーザ光の
照射状態を示す要部斜視図
【図9】ホモジナイザの方向が90°であるときのレー
ザ光の照射状況を示す要部斜視図
【図10】前記実施形態のアライメント調整方法を説明
するための平面図
【図11】同じく、アライメント調整に合わせてレーザ
断面形状を微調整する方法を説明する線図
【図12】ホモジナイザと液晶基板の関係の例を示す斜
視図
【図13】従来の全面照射方法を説明するための平面図
【図14】液晶基板におけるディスプレイ表示部と周辺
駆動回路部の例を示す平面図
【符号の説明】
10…レーザ光 12…ホモジナイザ 14…長尺ビーム 16…液晶基板 20…ディスプレイ表示部 22…周辺駆動回路部 24…アライメントマーク 30…キャリア 32…ヒータ 34…真空チャンバ 36…架台 40…外筒 46…内筒 48、52…プーリ 50、64…サーボモータ 54…スチールベルト 56…直進ガイド 58…移動ベース 60…Y軸フレーム 62…Y軸ベース 70…光学系ベース 71…ビーム断面方向変更用光学系 72、74、76、78、80…全反射ミラー 82、86、90、104、106…ステージ 94、98、100、102…エンコーダ付モータ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】断面形状に異方性があるレーザビームを、
    方向性を有するホモジナイザを通して液晶基板に照射
    し、アニーリングを行う液晶基板のレーザアニーリング
    装置において、 液晶基板へのレーザビーム照射方向に合わせて、ホモジ
    ナイザを回動するホモジナイザ回動機構と、 該ホモジナイザの回動に合わせて、ホモジナイザに入射
    するレーザビームの断面方向を変更するためのビーム断
    面方向変更用光学系とを備え、 液晶基板を回動することなく、方向の異なる選択照射を
    可能にしたことを特徴とする液晶基板のレーザアニーリ
    ング装置。
  2. 【請求項2】請求項1において、前記ビーム断面方向変
    更用光学系が、レーザビームの光路中に出入れ可能な全
    反射ミラーを用いて構成され、ビーム断面方向を90°
    変更可能とされていることを特徴とする液晶基板のレー
    ザアニーリング装置。
  3. 【請求項3】請求項2において、液晶基板固定方向の基
    準方向からのずれに対応して、前記全反射ミラーの反射
    面が微調整可能とされていることを特徴とする液晶基板
    のレーザアニーリング装置。
  4. 【請求項4】請求項1において、液晶基板固定方向の基
    準方向からのずれを検知する手段が、前記ホモジナイザ
    と共に回動するように設けられていることを特徴とする
    液晶基板のレーザアニーリング装置。
JP14130697A 1997-05-30 1997-05-30 液晶基板のレーザアニーリング装置 Pending JPH10335256A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002217126A (ja) * 2001-01-12 2002-08-02 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd レーザアニール方法及び装置
CN100347814C (zh) * 2004-01-30 2007-11-07 株式会社日立显示器 激光退火方法及激光退火装置
US7622374B2 (en) 2005-12-29 2009-11-24 Infineon Technologies Ag Method of fabricating an integrated circuit

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