JPH10335267A

JPH10335267A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH10335267A
Application number: JP9142377A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Arimoto; 智有本; Yoshitatsu Kawama; 吉竜川間
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1997-05-30
Filing date: 1997-05-30
Publication date: 1998-12-18
Also published as: US6069065A; DE19752413A1

Abstract

(57)【要約】【課題】金属ペースト材料を用いて電極を形成する場
合に、半田付けで配線を行う際の半田との付着強度を高
めることができる簡便でかつ信頼性の高い電極形成が可
能な半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】接合を有する半導体基板１に電極を形成
するに当たり、開口部を有するアルミペースト電極３の
パターンを先に形成した後、該開口部上に銀アルミペー
スト電極７もしくは銀ペースト電極５のパターンの一部
に重なるように形成することで、開口部上に銀アルミペ
ースト電極７もしくは銀ペースト電極５は、アルミペー
スト電極３と合金化されずに半田との付着強度を高める
ことができると共に、各金属ペーストパターンの重なり
合う領域が合金化されることで電極パターン間の電気的
接続がなされて電極間の接続の確実性を向上できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、金属ペースト材
料で電極を形成する半導体装置の製造方法に関し、特
に、２種類以上の金属ペースト材料を併用する際に、簡
便でかつ信頼性の高い電極形成が可能な半導体装置の製
造方法を関する。

【０００２】

【従来の技術】この発明が適用可能な半導体装置の種類
は多岐に亘るが、中でも、フォトダイオードや太陽電池
等の受光素子にとりわけ有効である。ここでは、具体例
として、太陽電池を取り上げ、この発明の背景について
説明する。現在の電力用太陽電池の主流はシリコン太陽
電池であるが、その量産レベルにおけるプロセスフロー
はかなり簡略化されたものになっている。

【０００３】以下、図５を用いて従来の半導体装置の製
造方法の一例について説明する。図５は一般的に行われ
ている太陽電池の作製フローである。図５中、１は半導
体基板としてのｐ型Ｓｉ基板であり、図５（ｂ）におい
て例えばリン（Ｐ）を熱的に拡散することにより導電型
を反転させたｎ型拡散層２を形成する。通常、リンの拡
散源としては、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ₃）が用いら
れることが多い。また、特に工夫の無い場合、ｎ型拡散
層２はｐ型Ｓｉ基板１の全面に形成される。なお、この
ｎ型拡散層２のシート抵抗は数十Ω／□程度で、拡散層
の深さは０．３〜０．５μｍ程度である。

【０００４】このｎ型拡散層２は、詳細は省略するが、
例えばレジストで片面を保護した後、図５（ｃ）に示す
ように、一主面のみにｎ型拡散層２を残すようにエッチ
ング除去し、このレジストは有機溶剤等を用いて除去さ
れる。この後、図５（ｃ）におけるｎ型拡散層２の対向
面に、例えばスクリーン印刷法（またはロールコーター
方式）でアルミペースト電極３を印刷後（図５
（ｄ））、７００〜９００℃で数分から十数分、近赤外
炉中で焼成することによりアルミペーストから不純物と
してアルミがｐ型Ｓｉ基板１中に拡散し、図５（ｅ）に
示すように、高濃度不純物を含んだｐ⁺ 層４が形成され
る。この層は、一般にＢＳＦ（Back Surface Field）層
と呼ばれ、太陽電池のエネルギー変換効率の向上に寄与
するものである。また、図では簡略化のため省略した
が、この後、ｎ型拡散層２の表面に反射防止膜を設けて
もよい。

【０００５】図５（ｆ）は裏面のアルミペースト電極３
を除去せずに銀ペースト電極５を印刷乾燥した状態を示
している。他方、図５（ｈ）は裏面のアルミペースト電
極３を例えば王水で除去した状態であり、引き続き、裏
面に銀ペースト電極５を印刷乾燥した状態を示したもの
が図５（ｉ）である。これら裏面の銀ペースト電極５
は、太陽電池を複数直列・並列接続したモジュールを作
製する際の配線の接続部分として機能させるものであ
る。最終的には、何れのプロセスにおいても、図５
（ｇ）、（ｊ）何れも表面（受光面）に銀ペースト電極
６を印刷し、再度焼成を行うことで太陽電池が完成す
る。なお、工程簡略化の為に、図５（ｅ）の焼成工程を
省略し、図５（ｇ）、（ｊ）の工程の後に、一度の焼成
で太陽電池を完成させることも可能である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ようにして製造されるシリコン太陽電池では、裏面電極
の製造方法に関して以下のような問題点があった。例え
ば図５（ａ）〜（ｅ）から（ｆ）、（ｇ）に至る方法で
は、電極焼成工程でアルミペースト電極３と銀ペースト
電極５の合金化が生じると、銀ペースト電極５部に半田
付けで配線を行うような場合、アルミとの合金化の影響
により全く半田が付着しないあるいは付着しても配線の
付着強度が弱いといった問題が生じていた。また、図５
（ａ）〜（ｅ）から（ｈ）、（ｊ）に至る方法では、ア
ルミペースト電極３を全てエッチング除去する必要があ
り、工程の複雑化、製造コストの増加を招くといった問
題が生じていた。

【０００７】この発明は上述した従来例に係る問題点に
鑑みてなされたもので、金属ペースト材料を用いて電極
を形成する場合に、半田付けで配線を行う際の半田との
付着強度を高めることができる簡便でかつ信頼性の高い
電極形成が可能な半導体装置の製造方法を得ることを目
的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体装
置の製造方法は、接合を有する半導体基板に電極を形成
する半導体装置の製造方法において、基板に第１の金属
ペースト材料を用いて所定の開口部を有する第１の電極
パターンを形成する工程と、上記第１の電極パターンを
形成した後、上記第１の金属ペースト材料より半田との
付着強度が高い第２の金属ペースト材料を用いて上記開
口部周辺の上記第１の金属ペースト材料の一部と重なる
ようにして上記開口部に第２の電極パターンを形成する
工程とを有することを特徴とするものである。

【０００９】また、上記第１の金属ペースト材料は、ア
ルミペーストであり、上記第２の金属ペースト材料は、
銀ペーストまたは銀とアルミを含んだ銀アルミペースト
であり、これらのうち２つ以上を組み含わせて用いるこ
とを特徴とするものである。

【００１０】また、上記アルミペーストでなる第１の電
極パターンを先に形成した後、銀ペーストでなる第２の
電極パターンをアルミペーストの電極パターンの一部に
重なるように形成することを特徴とするものである。

【００１１】また、上記アルミペーストでなる第１の電
極パターンを先に形成した後、銀アルミペーストでなる
第２の電極パターンをアルミペーストの電極パターンの
一部に重なるように形成することを特徴とするものであ
る。

【００１２】また、上記第１と第２の電極パターンは、
金属ペースト材料がスクリーン印刷もしくはロールコー
ター方式で形成されてなり、第１と第２の電極パターン
の重なり部の幅を５０ミクロン以上とすることを特徴と
するものである。

【００１３】また、上記第１と第２の電極パターンを形
成する工程は、重なり合うように形成される第１と第２
の金属ペースト材料のパターンが、各々独立に印刷・乾
燥する工程を含んで形成されてなり、印刷・乾燥工程を
経た後、一括して焼成する工程をさらに有することを特
徴とするものである。

【００１４】また、上記第２の電極パターンに半田付け
で配線を行う工程をさらに有することを特徴とするもの
である。

【００１５】また、上記半導体基板はシリコンであるこ
とを特徴とするものである。

【００１６】

【発明の実施の形態】この発明に係る半導体装置の製造
方法に関するフローチャートを図１に纏めた。以下、こ
のフローチャートに基づいて具体的な実施の形態につい
て説明する。なお、本プロセスフロ一は１つの半導体装
置に限定されるものではないが、以下、具体例として太
陽電池を取り上げて説明する。

【００１７】実施の形態１．本実施の形態１では、図１
のフローチャートで、ステップＳ１−ステップＳ２−ス
テップＳ３−ステップＳ４−ステップＳ５ｂ−（ステッ
プＳ６）一ステップＳ７−ステップＳ８−ステップＳ９
のフローで作製される太陽電池および太陽電池のモジュ
ールについて説明を行う。ここで、括弧付の工程である
ステップＳ６での焼成工程は、従来例で説明したのと同
じ理由により、工程簡略化のために省略可能であり、ス
テップＳ７の工程後に、ステップＳ８により一度の焼成
で行うこともできる。

【００１８】まず、図１に示すステップＳ１の工程は、
半導体基板として、例えば引き上げ法により製造される
単結晶あるいは鋳造法により製造される多結晶シリコン
基板を洗浄する工程であるが、太陽電池の場合、インゴ
ットからスライスされたままの基板を用いることが多
い。この場合、スライスに用いたワイヤーソー等の傷に
よる基板表面ダメージ及びウエハスライスエ程の汚染を
取り除くため、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム水溶
液等のアルカリ水溶液あるいは弗酸と硝酸の混合液など
を用いて、およそ１０から２０μｍ程度、基板表面をエ
ッチングする。さらには、基板表面に付着した鉄などの
重金属類の除去のために、塩酸と過酸化水素の混合液で
洗浄する工程を付加しても良い。

【００１９】引き続き、ステップＳ２の工程で、使用す
る基板がｐ型であれば、ｐｎ接合を形成する為にｎ型層
を形成する。このｎ型層の形成方法としては、例えば図
５（ｂ）で説明したようなオキシ塩化リン（ＰＯＣ
ｌ₃）によるリン拡散を用いる。ステップＳ３の工程で
の裏面拡散層除去は、例えば図５（ｃ）で説明したフロ
ーと同様にして行うことが可能であり、例えばレジスト
で片面を保護した後、表面のみにｎ型拡散層を残すよう
にエッチング除去し、レジストは有機溶剤等を用いて除
去される。

【００２０】ステップＳ４の工程は、裏面にアルミペー
スト電極３を印刷し乾燥させる工程であり、その後のス
テップＳ５ｂの工程はアルミを含みアルミペースト電極
３より半田との付着強度が高い銀アルミペースト電極７
を各々印刷し乾燥する工程である。なお、銀アルミペー
スト電極７中に含まれるアルミは１から３％である。こ
れ以上アルミを混入すると、後述する半田付けが困難に
なり不適である。これら金属ペースト電極の印刷は一般
的なスクリーン印刷（またはロールコーター方式）にて
行う。印刷条件としては、何れのペーストの粘度も約１
００Ｐａ・ｓｅｃ、印刷時のスキージ圧力２ｋｇ／ｃｍ
²、スキージ走査速度３００ｍｍ／ｓｅｃ、スキージと
印刷マスクの間隔は２ｍｍとした。また、印刷マクスの
メッシュサイズとしては、アルミペースト電極３に対し
ては２００メッシュ、銀アルミペースト電極７（および
後述する銀ペースト電極５）に関しては２５０から３２
５メッシユのものを用いた。

【００２１】図２（ａ）及び（ｂ）にその具体的な電極
パターンの例を示す。ここで、ｐ型Ｓｉ基板１は図５
（ａ）と同等のものであるが、例えば基板サイズは１０
ｃｍ×１０ｃｍとする。また、アルミペースト電極３の
パターンは例えば外周９．８ｃｍ×９．８ｃｍであり、
図２（ａ）に示すように、中央に２カ所９．４ｃｍ×
０．３ｃｍの開口部３ａを設けたものである。図２
（ｂ）は、このアルミペースト電極３のパターンの開口
部３ａに開口部周辺のアルミペースト電極３と一部重な
るように、銀アルミペースト電極７（または銀ペースト
電極５）のパターンを印刷した状態を示している。この
銀アルミペースト電極７のパターンサイズは、９．５ｃ
ｍ×０．４ｃｍである。すなわち、アルミペースト電極
３のパターンと銀アルミペースト電極７（または銀ペー
スト電極５）のパターンとの重なる領域としては５００
ミクロンとした。

【００２２】この重ね合う領域の幅については、印刷マ
スクのパターン精度が約２０ミクロンであるため、２種
類のペーストを確実に重ね合わせるには、マスクパター
ン上で少なくとも５０ミクロン以上重なり合うようにし
ておく必要がある。本実施の形態１では、特に重ね合わ
せ精度を要求しないパターンのため、５００ミクロンの
重なり合う幅を確保しているが、微細なパターンを必要
とする場合には、この最小重ね幅を充分考慮して電極パ
ターンを設計する必要がある。

【００２３】次に、ステップＳ７の工程は、図５（ｇ）
または（ｊ）と同様に、受光面側に銀ペースト電極６を
印刷し乾燥する工程である。この後、ステップＳ８の工
程において、全電極を一括で焼成する。焼成条件は、近
赤外炉を用い乾燥空気中にて、例えば７００から７５０
℃で数十秒から数分間行えば良い。

【００２４】さて、この工程を経ることで電極がどのよ
うに変化するかを、模式的に示したものが図３である。
図３（ａ）は、アルミペースト電極３と銀アルミペース
ト電極７とを重ねて印刷した状態である。図中、８が重
なり部分に相当する。勿論、この乾燥したままの状態で
は、両ペースト電極は電気的に接続されていない。これ
を焼成した後の状態が、図３（ｂ）である。ここで、図
３（ｂ）において、９は両ペースト電極が合金化された
領域を示している。この領域は完全にアルミペースト電
極３と銀アルミペースト電極７とが混合され、高濃度の
アルミを含む銀・アルミ合金になっている。

【００２５】これにより、両ペーストは電気的かつ強度
的に全く問題の無い状態で接続されるのである。また、
図３（ｂ）中、４は先に説明したＢＳＦ層である。さら
に、合金化せずに残った銀アルミペースト電極７の直下
にも低濃度ではあるが、アルミが拡散した拡散層１０が
形成される。この拡散層１０の領域は、アルミペースト
電極３の下部に比べると、アルミの拡散量は低濃度では
あるが、確実に銀アルミペースト電極７とオーミック接
触が取れており、太陽電池の裏面電極の接触抵抗の低抵
抗化に有効に作用する。

【００２６】引き続き、ステップＳ９の工程では、太陽
電池の受光面（表面）側の銀ペースト電極６と裏面の銀
アルミペースト電極７を銅線を用い半田付けにより適当
に直列・並列接続する。その後、強化ガラスに例えばエ
チレン・ビニル・アセテート等の樹脂で封止すること
で、太陽電池モジュールが完成する。

【００２７】この際、この発明による裏面電極構造で
は、半田付けを行う銀アルミペースト電極７が極めて強
い強度で基板（この場合、拡散層１０）およびアルミペ
ースト電極３に密着しているため、電極はがれ等の障害
が発生することなく、高い歩留りでかつ高い信頼性の太
陽電池モジュールを作製することができる。しかも、半
田付けを行う銀アルミペースト電極７は、アルミペース
ト電極３の開口部３ａ上に形成されるので、アルミとの
合金化による影響を受けずに半田との付着強度を高める
ことができる。また、半田付けを行う銀アルミペースト
電極７の幅としては、図２（ａ）と（ｂ）及び図３
（ｂ）に示すように、上記アルミペースト電極３の開口
部３ａの幅Ｗ₀ 以上の幅Ｗを確実に確保できるため、配
線時の半田作業を容易にすることができる。

【００２８】実施の形態２．本実施の形態２では、図１
のフローチャートで、ステップＳ１−ステップＳ２−ス
テップＳ３−ステップＳ４−ステップＳ５ａ一（ステッ
プＳ６）−ステップＳ７−ステップＳ８−ステップＳ９
のフローで作製される太陽電池及び太陽電池のモジュー
ルについて説明を行う。この場合、実施の形態１と異な
るのは、裏面電極の銀アルミペースト電極７を銀ペース
ト電極５に変更する（図２（ｂ）参照）だけで、同様の
効果を奏することができる。但し、この場合、図３
（ｂ）で説明したようなアルミの拡散層１０は形成され
ないが、アルミペースト電極３領域を充分に広くとって
いれば裏面電極の接触抵抗の増大を招くことはない。

【００２９】なお、実施の形態１、２において、基板裏
面のアルミペースト電極３と銀ペースト電極５もしくは
銀アルミペースト電極７との印刷順番を入れ替えること
も可能ではあるが、ＢＳＦ層４が形成される面積を増大
させる（太陽電池特性を向上させる）には、本実施の形
態２のように、始めに、アルミペースト電極３を印刷し
ておくことが望ましい。すなわち、ＢＳＦ層４は、アル
ミとシリコンが完全に混じり合い混晶化したものである
ので、アルミペーストと他ペーストの重なり合う部分に
おいて、アルミペースト電極３がシリコン面と接触して
いる方がより良好なＢＳＦ層４が形成できるためであ
る。

【００３０】しかも、ステップＳ３の工程で裏面の拡散
層除去が不完全でも、アルミペースト電極の接触面積が
増加するため、アルミ拡散により拡散層（ｎ層）を補償
しｐ型への転換がなされる面積も増加し、信頼性の高い
製品を製造することが可能になる。加えて、アルミペー
ストと他ペーストの重なり合う部分が、シリコン基板と
混晶化しているため、電極の付着力が高まる。すなわ
ち、太陽電池間の配線の強度をさらに高めることも可能
になるからである。

【００３１】さらには、実際に量産における生産性を考
慮した場合、以下のような優れた特徴を発揮する。この
ことを図４を用いて裏面のアルミペースト電極３と銀ペ
ースト電極５（もしくは銀アルミペースト電極７）の印
刷順番を入れ替えることによる生産性の違いを説明す
る。図４（ａ）は裏面用銀ペースト電極５、裏面用アル
ミペースト電極３を形成する迄の工程を示したもので、
基本的には各装置が全て直結され、印刷、ウエハ乾燥等
各種工程はオートメーション機構を備え、連続的かつ自
動的に処理が行われるものを想定している。

【００３２】さて、ここで、例えば図２で示したような
印刷パターンを裏面電極として形成する場合を仮定す
る。２種類の電極パターンの面積比、すなわち、アルミ
ペースト電極３の面積／銀ペースト電極５の面積比は約
１２となる。このことは、単純に各々の電極パターンの
印刷厚さが同じであるとすると、アルミペースト電極３
の使用量が１２倍であることに相当する。実際には実施
の形態１で示したメッシュサイズのスクリーン印刷マス
クを用いると、アルミペースト電極３の印刷厚さは実際
に銀ペースト電極５よりも多くなるのでさらに使用量は
増加することになる。

【００３３】この差は、図４（ａ）に示す自動化された
ラインでは生産タクトの問題に影響を及ぼす。印刷を連
続的に多数枚行っている場合には当然のことながら、ス
クリーンマスク上に供給されているペーストが不足す
る、あるいはマスクのメッシュに目詰まりが生じる、な
どにより所定の印刷パターンにかすれを生じる。従っ
て、この段階もしくはこの段階に至る前に、ペーストを
新たに供給するあるいは印刷マスク自体を交換する作業
が必ず必要になる。

【００３４】先述したような各印刷パターンに対するペ
ースト使用量の差は、これらの作業頻度の差として現わ
れる。すなわち、ペースト使用量の多いアルミペースト
印刷では、必ずこれら作業の頻度が高いことを意味して
いる。従って、先頭に裏面用銀ペースト電極５を印刷す
る工程を持ってくると、裏面用アルミペースト電極３の
印刷工程での停止時間を吸収する為のウエハストッカー
部、いわゆるバッファーゾーンを設け、裏面用銀ペース
ト電極５の印刷工程をなるべく停止させないような複雑
なライン構成が必要となってくる。

【００３５】これに対して、図４（ｂ）は、この発明に
おける印刷順番で、裏面用アルミペースト電極３、裏面
用銀ぺースト電極５を形成する迄の工程を示したもので
ある。この場合、連続工程で最も生産タクトを支配する
裏面用アルミペースト電極３の印刷工程が先頭に来るの
で、後工程のタクト調整のバッファーを必要としない。
これにより、ライン構成は簡略化され製造コストの低い
ラインを構築することが可能となる。

【００３６】また、銀ペースト電極５を最初に印刷し、
その後にアルミペースト電極３の印刷して形成する場合
に、銀ペースト電極５の幅がアルミペースト電極３との
合金化により縮小されることになるのに比べ、この実施
の形態２では、上述した実施の形態１と同様に、半田付
けを行う銀ペースト電極５の幅としては、上述した実施
の形態１と同様に、図２（ａ）と（ｂ）及び図３（ｂ）
に示すように、上記アルミペースト電極３の開口部３ａ
の幅Ｗ₀ 以上の幅Ｗを確実に確保できることになるた
め、配線時の半田作業を容易にすることができる。

【００３７】上述したように、この発明は、従来例の改
善、即ち太陽電池の電極形成方法の改善に適用できるだ
けでなく、金属ペースト電極を使用する半導体装置に対
して幅広く適用可能なものとなる。

【００３８】

【発明の効果】以上のように、この発明に係る半導体装
置の製造方法によれば、接合を有する半導体基板に電極
を形成する半導体装置の製造方法において、基板に第１
の金属ペースト材料を用いて所定の開口部を有する第１
の電極パターンを形成する工程と、上記第１の電極パタ
ーンを形成した後、上記第１の金属ペースト材料より半
田との付着強度が高い第２の金属ペースト材料を用いて
上記開口部周辺の上記第１の金属ペースト材料の一部と
重なるようにして上記開口部に第２の電極パターンを形
成する工程とを有することにより、金属ペーストを用い
て電極を形成する場合に、開口部上に形成される第２の
金属ペースト材料は第１の金属ペースト材料と合金化さ
れずに半田付けで配線を行う際の半田との付着強度を高
めることができると共に、各金属ペースト材料の重なり
合う領域が合金化されることで電極パターン間の電気的
接続がなされて電極間の接続の確実性を向上でき、製造
工程を簡略化すると共に簡便でかつ信頼性の高い電極形
成が可能な半導体装置の製造方法を得ることができる。

【００３９】また、上記第１の金属ペースト材料は、ア
ルミペーストであり、上記第２の金属ペースト材料は、
銀ペーストまたは銀とアルミを含んだ銀アルミペースト
であり、これらのうち２つ以上を組み含わせて用いるこ
とにより、製造コストを低減できる効果がある。

【００４０】また、上記アルミペーストでなる第１の電
極パターンを先に形成した後、銀ペーストでなる第２の
電極パターンをアルミペーストの電極パターンの一部に
重なるように形成することにより、形成した電極の信頼
性を高めると共に製造ラインを簡略化できる効果があ
る。

【００４１】また、上記アルミペーストでなる第１の電
極パターンを先に形成した後、銀アルミペーストでなる
第２の電極パターンをアルミペーストの電極パターンの
一部に重なるように形成することにより、形成した電極
の信頼性を高めると共に電極の接触抵抗をさらに低減で
き、さらには製造ラインを簡略化できる効果がある。

【００４２】また、上記第１と第２の電極パターンは、
金属ペースト材料がスクリーン印刷もしくはロールコー
ター方式で形成されてなり、第１と第２の電極パターン
の重なり部の幅を５０ミクロン以上とすることにより、
高精度のパターニングを行える効果がある。

【００４３】また、上記第１と第２の電極パターンを形
成する工程は、重なり合うように形成される第１と第２
の金属ペースト材料のパターンが、各々独立に印刷・乾
燥する工程を含んで形成されてなり、印刷・乾燥工程を
経た後、一括して焼成する工程をさらに有することによ
り、各金属ペースト材料の電極パターンの重なり含う領
域が合金化されることで電極パターン間の電気的接続が
なされるようにしたので、電極間の接続の確実性を向上
できる効果がある。

【００４４】また、上記第２の電極パターンに半田付け
で配線を行う工程をさらに有することにより、上記の方
法で製造される半導体装置を複数個接続するに際し、銀
アルミペーストもしくは銀ペーストパターンに半田付け
で配線を行うことで、配線の付着強度を高める効果があ
る。

【００４５】また、上記半導体基板をシリコンとしたの
で、半導体装置を低コストで大量生産できる効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態１及び２に係る半導体
装置の製造方法を説明するフローチャートである。

【図２】この発明の実施の形態１による電極パターン
の一例を示す説明図である。

【図３】この発明の実施の形態１による電極形成状態
の説明図である。

【図４】この発明の実施の形態２による電極形成の製
造ライン構成の説明図である。

【図５】従来の太陽電池の製造フローを示す工程図で
ある。

【符号の説明】

１ｐ型Ｓｉ基板、２ｎ型拡散層、３アルミペース
ト電極、３ａ開口部、４ＢＳＦ層、５銀ペースト
電極、７銀アルミペースト電極、８アルミペースト
と銀アルミペーストの重ね合わせ領域、９アルミペー
ストと銀アルミペーストの合金化領域、１０銀アルミ
ペーストからアルミが拡散したｐ型層。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】接合を有する半導体基板に電極を形成す
る半導体装置の製造方法において、基板に第１の金属ペ
ースト材料を用いて所定の開口部を有する第１の電極パ
ターンを形成する工程と、上記第１の電極パターンを形
成した後、上記第１の金属ペースト材料より半田との付
着強度が高い第２の金属ペースト材料を用いて上記開口
部周辺の上記第１の金属ペースト材料の一部と重なるよ
うにして上記開口部に第２の電極パターンを形成する工
程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】上記第１の金属ペースト材料は、アルミ
ペーストであり、上記第２の金属ペースト材料は、銀ペ
ーストまたは銀とアルミを含んだ銀アルミペーストであ
り、これらのうち２つ以上を組み含わせて用いることを
特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】上記アルミペーストでなる第１の電極パ
ターンを先に形成した後、銀ペーストでなる第２の電極
パターンをアルミペーストの電極パターンの一部に重な
るように形成することを特徴とする請求項２記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項４】上記アルミペーストでなる第１の電極パ
ターンを先に形成した後、銀アルミペーストでなる第２
の電極パターンをアルミペーストの電極パターンの一部
に重なるように形成することを特徴とする請求項２記載
の半導体装置の製造方法。
【請求項５】上記第１と第２の電極パターンは、金属
ペースト材料がスクリーン印刷もしくはロールコーター
方式で形成されてなり、第１と第２の電極パターンの重
なり部の幅を５０ミクロン以上とすることを特徴とする
請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置の製造
方法。
【請求項６】上記第１と第２の電極パターンを形成す
る工程は、重なり合うように形成される第１と第２の金
属ペースト材料のパターンが、各々独立に印刷・乾燥す
る工程を含んで形成されてなり、印刷・乾燥工程を経た
後、一括して焼成する工程をさらに有することを特徴と
する請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置の
製造方法。
【請求項７】上記第２の電極パターンに半田付けで配
線を行う工程をさらに有することを特徴とする請求項１
ないし６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】上記半導体基板はシリコンであることを
特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体
装置の製造方法。