JPH10335437A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置

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JPH10335437A
JPH10335437A JP9137217A JP13721797A JPH10335437A JP H10335437 A JPH10335437 A JP H10335437A JP 9137217 A JP9137217 A JP 9137217A JP 13721797 A JP13721797 A JP 13721797A JP H10335437 A JPH10335437 A JP H10335437A
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substrate
suction
shaped member
disk
processing apparatus
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Application number
JP9137217A
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English (en)
Inventor
Takeshi Matsuka
毅 松家
Masakazu Sanada
雅和 真田
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 風切り現象による基板の処理むらを生じさせ
ることなく基板の回転処理が可能な基板処理装置を提供
する。 【解決手段】 基板を保持する回転保持部10は円板状
部材9および吸引保持部13を備える。円板状部材9は
円板状の底板11の上面に凹溝を形成し、その上面に上
板12を接合して環状通路14a、放射状通路14bを
構成する。円板状部材9の上面外周に環状の吸引保持部
13を装着し、環状吸引口13aを環状通路14aに連
通させる。吸引保持部13は基板の裏面外周部を吸引し
て基板を吸着保持する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板を水平に保持
して回転させながら基板に所定の処理を行う基板処理装
置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基
板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基
板等の基板に種々の処理を行うために基板処理装置が用
いられている。基板処理装置の一例として、基板を水平
に保持して回転させながら基板に所定の処理を行う回転
式塗布装置、回転式現像装置等の回転式基板処理装置が
ある。
【0003】回転式基板処理装置においては、半導体ウ
エハ等の基板を水平姿勢に保持して回転させる必要があ
る。このため、基板の裏面を真空吸着により保持する吸
引式スピンチャックが一般的に用いられている。
【0004】吸引式スピンチャックは、基板より小径の
円板の表面に吸着孔を設け、この吸着孔を通して基板の
裏面を真空吸着して基板を保持するものである。
【0005】しかしながら、吸引式スピンチャックで
は、基板の中央部分を吸着保持するために、基板の外周
部側で撓み易くなる。特に、近年では基板が大径化して
いる。このため、基板外周での撓み量が大きくなり、こ
の基板の撓みによって基板上に形成される膜の厚みが不
均一になるという不都合が生じる。また、基板の裏面中
央部を吸引式スピンチャックが吸着するために、基板裏
面の中央部分の洗浄が不完全になり、残余した汚染物が
他の基板の処理に悪影響を及ぼすという不都合もある。
【0006】また一方では、基板の裏面外周部および外
周端面をピン状部材で保持して基板に回転力を伝達する
メカ式スピンチャックが提案されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、メカ式
スピンチャックでは、高速回転時に、ピン状部材によっ
て風切り現象が生じ、基板の外周近傍で気流の乱れが生
じる。このため、基板上に処理液を回転塗布する場合に
は、ピン状部材による気流の乱れが塗布膜の表面に影響
を及ぼし、膜厚の不均一が生じるおそれがある。
【0008】本発明の目的は、風切り現象による基板の
処理むらを生じさせることなく基板を回転保持すること
が可能な基板処理装置を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第1の
発明に係る基板処理装置は、基板を保持して水平姿勢で
回転駆動される円板状部材を備え、基板を回転させなが
ら基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、円板
状部材の上面に、基板の裏面の周縁部付近を部分的また
は全体的に吸引保持する吸引保持部を設けたものであ
る。
【0010】第1の発明に係る基板処理装置において
は、基板の裏面周縁部付近を吸引保持部により吸着保持
する。しかも、基板は円板状部材の上方に近接保持され
る。このため、基板の上面外周近傍に風切り現象を生じ
させる部材が存在せず、これにより、風切り現象に起因
する気流の乱れにより基板上に形成される膜の厚さが不
均一となることを防止することができる。また、基板の
外周部を吸着することにより、基板の中央部が自重によ
って撓むことを抑制することができる。これにより、基
板の撓みによる膜厚の不均一の発生を防止することがで
きる。
【0011】第2の発明に係る基板処理装置は、第1の
発明に係る基板処理装置の構成において、吸引保持部
が、円板状保持部の上面にリング状に設けられたもので
ある。
【0012】この場合、基板の裏面の周縁部付近を全周
にわたって吸着保持することができる。それゆえ、基板
の撓みを抑制し、基板上の膜に生じる膜厚の不均一を防
止することができる。
【0013】第3の発明に係る基板処理装置は、第1の
発明に係る基板処理装置の構成において、吸引保持部が
円板状部材の上面に複数箇所設けられたものである。こ
の場合においても、基板の外周部を吸着保持することに
より特に中央部における基板の撓みを抑制し、それによ
って基板の撓みに起因する膜厚の不均一の発生を防止す
ることができる。加えて、基板と吸引保持部との接触面
積を小さくすることにより、モータ等の発熱源からの熱
が基板に伝えられることを抑制し、それによって基板の
温度不均一に起因する膜厚の不均一の発生を防止するこ
とができる。
【0014】第4の発明に係る基板処理装置は、第1〜
第3のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、吸引保持部が、基板の裏面を吸引する吸引口を備
え、円板状部材が、吸引保持部の吸引口に連通する吸引
通路を備えたものである。
【0015】この場合、吸引通路を通して吸引口から真
空吸引することにより、基板の裏面外周部を吸引保持部
に吸着して保持することができる。
【0016】第5の発明に係る基板処理装置は、第4の
発明に係る基板処理装置の構成において、中空の通路が
形成されかつ先端部に円板状部材が取り付けられた回転
軸を有するモータをさらに備え、円板状部材の吸引通路
が回転軸の中空の通路に連通されたものである。
【0017】これにより、回転軸の中空の通路の一端を
外部の真空吸引手段に接続することにより、吸引保持部
の吸引口、円板状部材の吸引通路および回転軸の中空通
路を通して吸引することが可能となり、基板を吸引保持
部上に真空吸着して保持することができる。
【0018】第6の発明に係る基板処理装置は、第5の
発明に係る基板処理装置の構成において、円板状部材
が、モータの回転軸に取り付けられる円板状の底板と、
底板の上面に接合される上板とを有し、吸引通路が底板
と上板との接合部に形成されたものである。
【0019】これにより、吸引通路が円板状部材の内部
に形成されることになり、円板状部材の外形が簡素化さ
れる。このため、円板状部材の回転によって風切り現象
が生じることが防止され、基板の外周上面に円板状部材
の風切り現象による膜厚の不均一等の悪影響が生じるこ
とを防止することができる。
【0020】第7の発明に係る基板処理装置は、第1〜
第6のいずれかの発明に係る基板処理装置の構成におい
て、基板の裏面を支持して昇降する複数の昇降部材をさ
らに備え、円板状部材が、複数の昇降部材を通過させる
複数の孔と、孔を覆って閉塞するとともに、孔を通過す
る昇降部材の昇降動作に伴って伸縮するシート部材とを
備えたものである。
【0021】シート部材は昇降部材の昇降動作に係わら
ず、常時円板状部材の孔を閉塞する。このため、円板状
部材の孔を通り基板の裏面側にミストやパーティクルが
侵入することが防止される。このため、円板状部材の上
方に保持された基板の裏面が清浄な状態に保たれ、基板
の裏面洗浄を不要にすることができる。また、シート部
材が伸縮自在であることにより、昇降部材が孔を通過し
て上昇する場合にも昇降部材の上昇動作を阻害すること
が防止される。
【0022】
【発明の実施の形態】以下では、基板処理装置として回
転式塗布装置を例に説明する。図1は、本発明の第1の
実施例による回転式塗布装置の断面図である。図2は、
回転保持部の半断面を示す平面図であり、図3は図2中
のA−A線断面図である。
【0023】図1〜図3において、回転式塗布装置は、
モータ1の回転軸2の先端に水平に取り付けられた回転
保持部10を備える。回転保持部10は基板Wを水平姿
勢で保持して回転する。回転保持部10の周囲には中空
のカップ3が配置されている。カップ3は基板Wから飛
散する処理液が外方へ拡散することを防止する。
【0024】カップ3の下方には、3本の昇降ピン4が
配置されている。3本の昇降ピン4はピン支持フレーム
5に固定されており、ピン支持フレーム5の一端がエア
シリンダ6のロッドに連結されている。昇降ピン4はエ
アシリンダ6の伸縮動作に応じて昇降移動する。
【0025】回転保持部10は円板状部材9と吸引保持
部13とから構成され、円板状部材9はさらに底板11
と上板12とから構成される。底板11は、基板Wとほ
ぼ同径の円板状の底部11aと、底部11aの外周上面
から上方に突出した周壁部11bと、モータの回転軸2
の先端に嵌合固定される軸取付け部11cとから構成さ
れる。また、図2に示すように、底板11の上面には、
外周部に沿った凹溝からなる環状通路14aと、底板1
1aの中心から放射状に延びる複数の凹溝からなる放射
状通路14bが形成されている。この底板11の上面に
は、環状通路14aの内径にほぼ等しい外径を有する円
板状の上板12が溶接や溶着により接合される。上板1
2の下面は平坦に形成されている。このため、底板11
上に上板12を接合すると、凹溝からなる放射状通路1
4bが中空の通路となる。
【0026】また、底板11の周壁部11bの内周面と
上板12の外周端面との間の環状の空間には吸引保持部
13が挿入される。吸引保持部13の上面は上板12の
上面よりも僅かに高くなるように形成されている。これ
により、吸引保持部13の上面が基板Wの裏面外周部を
支持する。吸引保持部13の幅は例えば5mm程度に設
定されている。吸引保持部13には環状吸引口13aが
形成されており、環状吸引口13aは環状通路14aに
連通している。環状吸引口13aは基板外周のオリフラ
部(直線切欠部)やノッチ部に掛らない程度に基板外周
部より少し内側に設けられている。
【0027】モータの回転軸2の内部には、中空部14
cが形成されており、中空部14cの上端は底板11の
放射状通路14bに連通している。また、中空部14c
の下端は、連結部15を介して吸引管路16に接続され
ている。さらに、吸引管路16は外部の真空吸引装置
(図示せず)に接続されている。また、吸引管路16の
途中には、開閉弁17が配置されている。開閉弁17は
基板Wの吸引保持のオンオフ動作を制御する。
【0028】上記の構成により、吸引保持部13の環状
吸引口13a、底板11の環状通路14a、放射状通路
14b、回転軸の中空部14cが回転塗布装置における
真空経路を構成している。
【0029】図4は、図2中のB−B線断面図である。
回転保持部10には、昇降ピン4を通過させる貫通孔2
2が形成されている。貫通孔22は、底板11および上
板12を貫通して設けられている。上板12の上面に
は、貫通孔22の孔径よりも大きい閉塞用シート部材2
1が配置されている。閉塞用シート用部材21は、ゴム
等の伸縮自在な弾性材料からなり、その外周部は上板1
2の上面に接着等により強固に固定されている。
【0030】また、昇降ピン4が通過するカップ3の孔
7の上面側には、開閉自在な蓋8が設けられている。蓋
8の一端は回動自在にカップ3の内面に固定されてい
る。そして、常時孔7を閉塞する方向にばねによって付
勢されている。
【0031】基板Wの搬入搬出時には、モータ1が、回
転保持部10の貫通孔22と昇降ピン4とが一致する位
置に回転保持部10を停止させる。そして、昇降ピン4
が上昇する。昇降ピン4は、カップ3の蓋8を押し上げ
て孔7を通過し、さらに回転保持部10の貫通孔22内
を上昇する。そして、閉塞用シート部材21を上方に引
き伸ばし、閉塞用シート部材21を介して基板Wの裏面
を支持して上方へ移動する。昇降ピン4の先端は平坦に
形成され、これによって基板Wを安定に支持する。
【0032】昇降ピン4が下降する場合には、上記と逆
に、昇降ピン4の下降に伴い閉塞用シート部材21が元
の平坦な状態に復元する。さらに、蓋8がカップ3の孔
7を閉塞する。
【0033】上記構成を有する回転式塗布装置では、回
転保持部10に基板Wを載置すると、基板Wの下面が吸
引保持部13のみによって支持される。そして、開閉弁
17を開いて真空引きを開始すると、吸引保持部13は
環状吸引口13aを通して基板Wの下面外周部を吸引し
て基板Wを吸着保持する。これにより、基板Wの中央部
における自重による撓みが抑制される。また、回転保持
部10は基板Wの外径とほぼ同径の周壁部11bを有し
ている。このため、周壁部11bによる回転時の風切り
現象がほとんど生じない。これにより、基板W上に塗布
膜を均一な膜厚に形成することができる。
【0034】また、基板Wの下面側には、上板12との
間に密閉された空間が構成される。しかも、円板状部材
9の貫通孔22は閉塞用シート部材21により常に閉塞
されている。これにより、貫通孔22を通して処理液の
ミスト(液状粒子)が侵入して基板Wの裏面に付着する
ことが防止される。それゆえ、基板Wの裏面洗浄を不要
とすることができる。
【0035】図5は、本発明の第2の実施例による回転
式塗布装置の回転保持部の平面図であり、図6は図5中
のC−C線断面図である。
【0036】第2の実施例では、基板Wの外周部付近が
部分的に吸引保持される。すなわち、回転保持部30は
円板状部材39、吸引保持部33および支持部材34か
ら構成される。さらに、円板状部材39は底板引と上板
32とから構成される。底板31は、基板Wとほぼ同径
の円板状の底部31aと、回転軸2の先端部に嵌合固定
される軸取付け部31cとからなる。底部31aの上面
側には、底板31の中心から外周側に放射状に延びる3
本の凹溝からなる放射状通路14eと、放射状通路14
eに連通する円弧状の凹溝からなる中空部14dが形成
されている。底板31の上面には、ほぼ円板状の上板1
2が接合される。上板12が接合された状態で凹溝から
なる放射状通路14eが中空の通路となる。
【0037】円板状部材39の外周上面には3つの吸引
保持部33が等間隔に配置されている。吸引保持部材3
3は底板31上に固定された支持部材34の上面に嵌入
固定されている。吸引保持部33は複数(図示の例では
3個)の吸引口33aが形成されている。吸引口33a
は中空部14dに連通している。
【0038】この回転式塗布装置では、吸引保持部33
の吸引口33a、支持部材34の中空部14d、放射状
通路14eおよび回転軸2の中空部14cにより真空経
路が構成されている。
【0039】第2の実施例による回転式塗布装置の回転
保持部30は、3つの吸引保持部33により基板Wの裏
面外周を吸引して吸着保持する。これにより、第1の実
施例と同様に、基板Wの自重による撓みを抑制して保持
することができる。したがって、基板Wの撓みに起因す
る塗布膜の膜厚不均一を防止することができる。
【0040】また、吸引保持部33および支持部材34
は基板Wの下面側に配置されている。このため、吸引保
持部33および支持部材34による風切りの影響は基板
Wの上面側にほとんど及ばない。これにより、風切り現
象による膜厚の不均一を防止することができる。
【0041】さらに、本実施例の回転保持部30では、
基板Wと吸引保持部33との接触面積が極めて小さい。
このため、モータ1で発生した熱が回転保持部30を通
って基板Wに伝わることを防止することができる。これ
により、基板Wの温度不均一に起因する塗布膜の膜厚の
不均一を防止することができる。
【0042】さらに、本実施例の回転保持部30におい
て、支持部材34の高さを大きくし、基板Wと円板状部
材39との隙間を大きくすることができる。この場合に
は、基板Wの受渡しを行う基板搬送装置の基板保持アー
ムを基板Wと円板状部材39との間に挿入して基板Wを
受渡すことができる。それにより、第1の実施例におけ
る昇降ピン4およびこれに関連する構成が不要となる。
また、支持部材34の高さを小さくし、基板Wと円板状
部材39との隙間を小さくした場合には、第1の実施例
と同様に、基板Wの昇降用の昇降ピン4、ピン支持フレ
ーム5、エアシリンダ6、カップ3の孔7、円板状部材
39の貫通孔22および閉塞用シート部材21を設けれ
ばよい。
【0043】図7は、本発明の第3の実施例による回転
式塗布装置の回転保持部の部分断面図である。第3の実
施例による回転保持部は、基板Wの裏面を吸引する吸引
保持部43が上板12と底板11とから構成され、上板
12の周壁外面と底板11の周壁内面との間に吸引口4
3aが形成されている。吸引保持部43および吸引口4
3aは第1の実施例における吸引保持部13および環状
吸引口13aと同様に形成されてもよく、また第2の実
施例における吸引保持部33および吸引口33aと同様
に形成されてもよい。
【0044】なお、上記実施例においては回転式塗布装
置を例に説明したが、本発明による回転保持部10,3
0は回転式現像装置、回転式洗浄装置等の回転式の基板
処理装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例による回転式塗布装置の
断面図である。
【図2】図1の回転保持部の平面図である。
【図3】図2中のA−A線断面図である。
【図4】図2中のB−B線断面図である。
【図5】本発明の第2の実施例による回転式塗布装置の
回転保持部の平面図である。
【図6】図5のC−C線断面図である。
【図7】本発明の第3の実施例による回転式塗布装置の
回転保持部の部分断面図である。
【符号の説明】
2 回転軸 4 昇降ピン 9,39 円板状部材 10,30 回転保持部 11,31 底板 12,32 上板 13,33,43 吸引保持部 13a 環状吸引口 14a 環状通路 14b,34b 放射状通路 14c,14d,34d 中空部 21 閉塞用シート部材 22 貫通孔 33a,43a 吸引口 34 支持部材

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板を保持して水平姿勢で回転駆動され
    る円板状部材を備え、前記基板を回転させながら前記基
    板に所定の処理を行う基板処理装置であって、 前記円板状部材の上面に、前記基板の裏面の周縁部付近
    を部分的または全体的に吸引保持する吸引保持部を設け
    たことを特徴とする基板処理装置。
  2. 【請求項2】 前記吸引保持部は、前記円板状部材の上
    面にリング状に設けられたことを特徴とする請求項1記
    載の基板処理装置。
  3. 【請求項3】 前記吸引保持部は、前記円板状部材の上
    面に複数箇所設けられたことを特徴とする請求項1記載
    の基板処理装置。
  4. 【請求項4】 前記吸引保持部は、前記基板の裏面を吸
    引する吸引口を備え、 前記円板状部材は、前記吸引保持部の前記吸引口に連通
    する吸引通路を備えたことを特徴とする請求項1〜3の
    いずれかに記載の基板処理装置。
  5. 【請求項5】 中空の通路が形成されかつ先端部に前記
    円板状部材が取り付けられた回転軸を有するモータをさ
    らに備え、 前記円板状部材の前記吸引通路が前記回転軸の前記中空
    の通路に連通されたことを特徴とする請求項4記載の基
    板処理装置。
  6. 【請求項6】 前記円板状部材は、前記モータの前記回
    転軸に取り付けられる円板状の底板と、 前記底板の上面に接合される上板とを有し、 前記吸引通路は前記底板と前記上板との接合部に形成さ
    れたことを特徴とする請求項5記載の基板処理装置。
  7. 【請求項7】 前記基板の裏面を支持して昇降する複数
    の昇降部材をさらに備え、 前記円板状部材は、前記複数の昇降部材を通過させる複
    数の孔と、前記孔を覆って閉塞するとともに、前記孔を
    通過する前記昇降部材の昇降動作に伴って伸縮するシー
    ト部材とを備えたことを特徴とする請求項1〜6のいず
    れかに記載の基板処理装置。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005013334A3 (en) * 2003-08-01 2007-08-09 Sgl Carbon Ag Holder for supporting wafers during semiconductor manufacture
JP2009111024A (ja) * 2007-10-26 2009-05-21 Applied Materials Inc 化学機械研磨装置の基板支持部材、および化学機械研磨装置
CN101829647A (zh) * 2009-03-11 2010-09-15 东丽工程株式会社 减压干燥装置
JP2010219190A (ja) * 2009-03-16 2010-09-30 Dainippon Printing Co Ltd 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JP2012015247A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布装置および塗布方法
JP2015002292A (ja) * 2013-06-17 2015-01-05 東京エレクトロン株式会社 化合物半導体膜成膜用基板の移載装置および移載方法、ならびに化合物半導体膜の成膜システムおよび成膜方法
JP2015079879A (ja) * 2013-10-17 2015-04-23 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
CN109935541A (zh) * 2019-03-13 2019-06-25 江苏鲁汶仪器有限公司 一种反应腔室
JP2020031150A (ja) * 2018-08-23 2020-02-27 日本特殊陶業株式会社 真空チャック及びその製造方法
KR102073977B1 (ko) * 2019-06-25 2020-03-17 안근식 Mct가공장치
WO2022153774A1 (ja) * 2021-01-15 2022-07-21 東レエンジニアリング株式会社 ウエーハ保持装置
JP2022109874A (ja) * 2021-01-15 2022-07-28 東レエンジニアリング株式会社 ウエーハ保持装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005013334A3 (en) * 2003-08-01 2007-08-09 Sgl Carbon Ag Holder for supporting wafers during semiconductor manufacture
JP2009111024A (ja) * 2007-10-26 2009-05-21 Applied Materials Inc 化学機械研磨装置の基板支持部材、および化学機械研磨装置
CN101829647A (zh) * 2009-03-11 2010-09-15 东丽工程株式会社 减压干燥装置
JP2010219190A (ja) * 2009-03-16 2010-09-30 Dainippon Printing Co Ltd 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JP2012015247A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 塗布装置および塗布方法
JP2015002292A (ja) * 2013-06-17 2015-01-05 東京エレクトロン株式会社 化合物半導体膜成膜用基板の移載装置および移載方法、ならびに化合物半導体膜の成膜システムおよび成膜方法
JP2015079879A (ja) * 2013-10-17 2015-04-23 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP2020031150A (ja) * 2018-08-23 2020-02-27 日本特殊陶業株式会社 真空チャック及びその製造方法
CN109935541A (zh) * 2019-03-13 2019-06-25 江苏鲁汶仪器有限公司 一种反应腔室
KR102073977B1 (ko) * 2019-06-25 2020-03-17 안근식 Mct가공장치
WO2022153774A1 (ja) * 2021-01-15 2022-07-21 東レエンジニアリング株式会社 ウエーハ保持装置
JP2022109874A (ja) * 2021-01-15 2022-07-28 東レエンジニアリング株式会社 ウエーハ保持装置

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