JPH10336059A

JPH10336059A - 無線放送に関する改良

Info

Publication number: JPH10336059A
Application number: JP13186797A
Authority: JP
Inventors: Jeffrey M Maleck; ジェフリーエム．マレック
Original assignee: Harris Corp
Current assignee: Harris Corp
Priority date: 1997-05-22
Filing date: 1997-05-22
Publication date: 1998-12-18

Abstract

(57)【要約】【解決手段】ＲＦ電力増幅器は一定の周波数を有するＲ
Ｆパルスのトレインを提供するためのＲＦソースであ
り、ここにおいて各パルスが一定の振幅および所要時間
を有するものを含んでいる。ブリッジ回路は、オンの際
に、第一の方向においてそれを経由して流れるＤＣ電流
用のロードの両端にＤＣ電圧源を接続するための第一ト
ランジスタスイッチング手段を備える第一回路を含む。
このブリッジ回路は、オンの際に、第二の方向において
それを経由して流れるＤＣ電流用のそのロードの両端に
そのＤＣ電圧源を接続するための第二トランジスタスイ
ッチング手段を備える第二回路を含んでいる。スイッチ
ドライバコントロールは、イネーブルの際、ＲＦ信号の
それに依存する周波数において、またそのＤＣ電圧源か
らの電流がそのロードを経由してその第一および第二の
方向において交互に流れるような態様で、第一および第
二トランジスタスイッチをオンおよびオフに駆動するた
めのＲＦパルスをパスするために機能する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は電力増幅器を駆動するた
めのドライバ回路を備えたＡＭ無線放送に関する。

【０００２】

【従来の技術】米国特許第4,580,111 号および第4,949,
050 号は、ＡＭ無線放送に使用するための振幅変調器で
あって、ここにおいて変調器がデジタル方式において複
数個のＲＦ増幅器を選択的にチューン・オンおよびオフ
して振幅変調を生成することによって振幅変調された搬
送信号を発生するために機能するものを開示している。
各ＲＦ増幅器は複数個のスイッチングトランジスタを含
み、それらの各々は互いに接続されてブリッジ回路を構
成するＭＯＳＦＥＴトランジスタの形態を取るものであ
ればよい。このブリッジ回路は出力コンバイナー(outpu
t combiner) への出力信号を提供する。各ＭＯＳＦＥＴ
トランジスタはゲートであって、適切に同調させたＲＦ
周波数信号によって駆動されるものを有しているが、こ
れらの信号は適切なＭＯＳＦＥＴトランジスタを正確な
時刻にターンオンせしめるものである。

【０００３】ＲＦ増幅器のＭＯＳＦＥＴスイッチングト
ランジスタは、それぞれのＭＯＳＦＥＴスイッチングト
ランジスタを駆動するためのそれ自体の二次巻線を備え
るトランスを含んでいる。これが各ＭＯＳＦＥＴスイッ
チングトランジスタのゲート用の低インピーダンス駆動
源を提供する。更に、これはＭＯＳＦＥＴスイッチング
トランジスタに対するコレクト位相外れドライブを提供
する。このようにして、このブリッジ・アレンジメント
は上位またはハイ・サイドＭＯＳＦＥＴスイッチングト
ランジスタおよび下位またはロー・サイドＭＯＳＦＥＴ
スイッチングトランジスタを含む。ＭＯＳＦＥＴスイッ
チングトランジスタに対するコレクト位相外れドライブ
はソース電圧に関して適切なゲート電圧を提供する。こ
のソース電圧はＤＣ２３０ボルトのオーダーにあれば良
好である。ロー・サイドＭＯＳＦＥＴトランジスタドラ
イブに関して、トランスの二次巻線がコントロール・ト
ランジスタと関連して使用されて、このドライブをより
下位対のＭＯＳＦＥＴスイッチングトランジスタをター
ンオンおよびオフし、そしてこれが引き続きＲＦ増幅器
それ自体をオンおよびオフする。ＭＯＳＦＥＴトランジ
スタ・ドライブを提供するためのＲＦトランスの使用は
各ＭＯＳＦＥＴトランジスタ・ドライバ・トランスの入
力に対するＲＦ駆動信号を必要とする。オペレーション
の周波数を横切る適切なオペレーションのために、ＲＦ
増幅器の入力回路は広帯域化される。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明はＲＦ電力増幅器
システムにより構成されるＡ．Ｍ．無線放送システムを
包含し、このシステムは一定の周波数を有するＲＦパル
スのトレインを提供するためのＲＦソースであって、こ
こにおいて各パルスが一定の振幅および所要時間を有す
るものと、ＤＣ電圧源と、ブリッジ回路であって、オン
の際に、第一の方向においてそれを経由して流れるＤＣ
電流用のロードの両端に前記ＤＣ電圧源を接続するため
の第一トランジスタスイッチング手段を備える第一回路
およびオンの際に、第二の方向においてそれを経由して
流れるＤＣ電流用の前記ロードの両端に前記ＤＣ電圧源
を接続するための第二トランジスタスイッチング手段を
備える第二回路を含むものと、イネーブルの際、ＲＦ信
号のそれに依存する周波数において、また前記ＤＣ電圧
源からの電流が前記ロードを経由して前記第一および第
二の方向において交互に流れるような態様で、前記第一
および第二トランジスタスイッチイング手段をパスオン
およびオフするためのスイッチドライバコントロール手
段と、ターンオン信号を提供し、かつ前記ＲＦパルスを
前記スイッチング手段にパスするための前記ドライバコ
ントロール手段をイネーブルするための前記スイッチド
ライバコントロール手段に対し前記ターンオン信号を選
択的に加えるための手段とを含んで成ることを特徴とし
ている。

【０００５】本発明はまた、Ａ．Ｍ．無線放送システム
に適応させたＲＦ電力増幅器システムを包含し、このシ
ステムは一定の周波数においてＲＦパルスのトレインを
提供するためのＲＦソースであって、各パルスが一定の
マグニチュードおよび所要時間を有するものと、ＤＣ電
圧源と、複数基のＲＦ電力増幅器であって、それぞれの
増幅器がブリッジ回路であって、ＤＣ電圧源の両端に接
続するための一対の入力ターミナルおよびロードの両端
に接続された一対の出力ターミナルを有するものを含
み、前記ブリッジ回路のそれぞれが、オンの際に、第一
の方向においてそれを経由して流れるＤＣ電流用のロー
ドの両端に前記ＤＣ電圧源を接続するために少なくとも
第一トランジスタスイッチング手段を備える第一回路お
よびオンの際に、第二の方向においてそれを経由して流
れるＤＣ電流用の前記ロードの両端に前記ＤＣ電圧源を
接続するための第二トランジスタスイッチング手段を備
える第二回路を含むものと、複数基のスイッチドライバ
コントロール手段であって、それぞれが前記ＲＦ電力増
幅器の１基と関連しており、これはイネーブルの際、前
記ＲＦパルスのそれに依存する周波数において、また前
記ＤＣ源からの電流が前記ロードを経由して前記第一お
よび第二の方向において交互に流れるような態様で、前
記第一および第二トランジスタスイッチイング手段をパ
スオンおよびオフするための手段であるものと、入力信
号のマグニチュードに依存して１基またはそれ以上の前
記ドライバコントロール手段をイネーブルするためのタ
ーンオン信号を提供するためのターンオン信号手段とを
含んで成り、ここにおいて前記スイッチドライバコント
ロール手段のそれぞれが前記ＲＦパルスを前記第一およ
び第二トランジスタスイッチング手段に対しパスするた
めの前記ターンオン信号によりイネーブルされる論理ゲ
ーティング手段を含んでおり、また好ましくは前記ター
ンオン信号の、前記電力増幅器中の前記第二トランジス
タスイッチング手段への適用を遅らせるための、それぞ
れの前記電力増幅器と関連する遅延手段を含んでおり、
ここにおいて前記遅延手段が、前記ターンオン信号提供
手段と前記電力増幅器中の前記スイッチドライバコント
ロール手段との間に配置されていることを特徴としてい
る。

【０００６】本発明の目的はブリッジ・アレンジメント
におけるＭＯＳＦＥＴスイッチングトランジスタ用の駆
動回路を提供することである。本発明において、ＲＦ電
力増幅器システムが提供される。これはＲＦパルスのト
レインを提供するためのＲＦソースおよびＤＣ電圧源を
包含する。各電力増幅器はブリッジ回路を含み、これは
オンの際に、第一の方向においてそれを経由して流れる
ＤＣ電流用のロードの両端にＤＣ電圧源を接続するため
に少なくとも第一トランジスタスイッチを備える第一回
路およびオンの際に、第二の方向においてそれを経由し
て流れるＤＣ電流用のロードの両端にＤＣ電圧源を接続
するための第二トランジスタスイッチング手段を備える
第二回路を有している。スイッチドライバコントロール
は、イネーブルの際、ＲＦパルスの周波数に依存する或
る周波数において、またＤＣ源からの電流がロードを経
由して第一および第二の方向において交互に流れるよう
な態様で、トランジスタスイッチをオンおよびオフ駆動
するためにＲＦパルスをパスするべく機能する。ターン
オン信号制御手段はＲＦパルスをトランジスタスイッチ
に対しパスするためにスイッチドライバコントロールを
イネーブルするためのターンオンパルスを提供する。

【０００７】次に、本発明を添付図面を参照して、実施
例により説明する。以下に続く詳細は図１中の回路の動
作の説明を指向しており、これに続くのは図２（ａ）お
よび図２（ｂ）中に示される電力増幅器の詳細な説明で
ある。図１は、音声信号ソースであればよい入力ソース
１２から入力信号を受信する際の振幅変調器１０を示し
ている。変調器１０はＲＦ搬送信号を発生し、これはソ
ース１２からの入力信号の振幅の関数として振幅変調さ
れている。この振幅変調搬送信号はロード１４であっ
て、ＲＦ送信アンテナの形態を取ればよいものに接続さ
れた出力ラインに対し提供される。この出力ラインは、
誘導子１３およびコンデンサ１５を含む出力ネットワー
ク１１を包含している。ディジタイザ１６は複数個のデ
ィジタル制御信号Ｄ１乃至ＤＮをもたらし、これらの信
号は入力信号の瞬時レベルに従って変化する値を有して
いる。制御信号はバイナリ信号であり、それらの各々は
バイナリ１またはバイナリ０レベルを有している。バイ
ナリ１またはバイナリ０レベルを有する多数の信号は入
力信号の瞬時レベルに依存している。

【０００８】出力制御信号Ｄ１−ＤＮのそれぞれは複数
個ＮのＲＦ電力増幅器ＰＡ１−ＰＡＮの１基に供給され
る。制御信号は関連する電力増幅器をターンオンまたは
オフするために機能する。このようにして、もし制御信
号がバイナリ１レベルを有していれば、その関連する増
幅器はイナクティブであり、従ってその出力において信
号は全く供給されない。しかし、もし制御信号がバイナ
リ０レベルを有していれば、電力増幅器はアクティブで
あり、その結果増幅された搬送信号がその出力において
もたらされる。各電力増幅器は、単一のコモンＲＦソー
ス２０に接続された入力を有している。このＲＦソース
２０はＲＦ分配器２２を経由して供給されるＲＦ搬送信
号の単一ソースとして機能するので、各増幅器ＰＡ１−
ＰＡＮは同様な振幅および位相および周波数を有する信
号を受信する。この搬送信号は制御信号Ｄ１−ＤＮに従
って振幅変調され、そしてその振幅変調された搬送信号
は同様な周波数および位相を有することになる。これら
の信号は、複数個のトランスＴ１，Ｔ２，．．．ＴＮを
含んで構成されるコンバイナー回路２４に供給される。
二次巻線は独立の信号ソースとして作用し、それにより
様々なトランスによって提供される信号は累積的に互い
に組み合わされて、結合信号(combined signal) を生成
し、これはロード１４に供給される。この結合信号はＲ
Ｆソース２０によって供給されるＲＦ信号と同一の周波
数を有するが、結合信号の振幅は、入力ソース１２によ
り供給される入力信号に従って変調される。

【０００９】ＲＦソース２０は５００乃至１６００ＫＨ
ｚのオーダーの周波数を有するＲＦ発振器２１を含んで
いる。この発振器はＲＦドライバ２３をもたらし、その
出力は電力増幅器ＰＡ１−ＰＡＮに供給される。このＲ
Ｆドライバは、ＲＦ信号が電力増幅器に供給されるのに
先立って、発振器２１から得たその信号の電力増幅度を
提供し、それらの電力増幅器においても変調が生ずる。
このＲＦドライバ２３は数段階の増幅を含んでいてもよ
く、また電力増幅器ＰＡ１−ＰＡＮに類似して配列され
ていてもよい。

【００１０】図２（ａ）は、図１の電力増幅器ＰＡ１が
類似の他の電力増幅器ＰＡ２−ＰＡＮを選んでもよい一
つの形態を例示している。示された電力増幅器はブリッ
ジ・アレンジメントにおいて、たとえば２５０ボルトの
ＤＣ電源電圧に接続される４個の半導体増幅器エレメン
ト７０、７２、７４および７６を含んでいる。関連する
トランスの一次巻線４４の両端は４個の半導体エレメン
トのブリッジ・ジャンクションＪ１およびＪ２に接続さ
れている。これらの半導体増幅器エレメントは金属酸化
物半導体、電界効果型トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）で
あって、３個の電極、慣習的にはゲート、ドレインおよ
びソースとして特定されるものを有している。それらの
主要電流パスを表すトランジスタ７０および７２のドレ
イン−ソースパスは、トランジスタ７４および７６のド
レイン−ソース電流パスがそうであるように、直列にＤ
Ｃ電源に接続されている。対応するコンバイナー・トラ
ンスＴ１の一次巻線４４は、トランジスタ７０および７
２間ならびにトランジスタ７４および７６間のコモン・
ジャンクションＪ１とＪ２に跨って、ＤＣ阻止コンデン
サ７８と直列に接続されている。トランジスタ７０、７
２、７４および７６はスイッチとして効果的に作動し
て、一次巻線４４の２つの側をＤＣ電圧ソースか、ある
いはアースに接続する。これらトランジスタの適切な作
動によって、トランスの巻線４４をＤＣ電源を横切るい
ずれかの方向に接続することが出来る。

【００１１】図２（ｂ）は図２（ａ）の回路を簡略化し
て示すものである。図２（ｂ）において、トランジスタ
７０、７２、７４および７６はそれぞれ従来のシングル
ポール、単投スイッチＳ１，Ｓ２，Ｓ３およびＳ４によ
って特徴づけられる。図２（ｂ）に示すように、スイッ
チＳ１は開かれ、そしてスイッチＳ２は閉じられ、それ
によってそれらの間のコモン・ジャンクションＪ１は接
地される。スイッチＳ３は閉じられ、そしてスイッチＳ
４は開放されるが、それによってそれらスイッチ間のジ
ャンクションＪ２はＤＣ電源電圧に接続される。従っ
て、電流は矢印８０により示される方向において一次巻
線４４を通過する。４個全てのスイッチＳ１−Ｓ４がそ
れらの逆の状態に投入されると、電流は反対の方向にお
いて出力巻線４４を通過する。このようにして、スイッ
チＳ１およびＳ４が閉じられ、またスイッチＳ２および
Ｓ３が開放されると、ジャンクションＪ１はＤＣ電源に
接続され、そしてＪ２はアースに接続される。この場
合、トランスの一次巻線４４を経由する電流は図２
（ｂ）の矢印８０によって示されるのとは反対の方向に
ある。従って、この２種類の交互状態の間でスイッチＳ
１−Ｓ４を周期的に切り替えることによって、ＡＣ信号
をコイル４４の両端に加えることが出来る。もし、これ
をＲＦ周波数において行えば、ＲＦ搬送信号がもたらさ
れる。

【００１２】図２（ａ）において、トランジスタスイッ
チ７０、７２、７４および７６は、それらのゲート電極
に加えられた信号によって制御される。４個全てのトラ
ンジスタのためのゲート信号は個々の二次トランス巻線
に由来するものである。このトランスは一次巻線８２を
備えたドーナツ形のフェライトコアおよびその周りに巻
回された４個の二次巻線８４、８６、８８および９０を
有している。このトランスの巻数比は１：１であり、そ
れによって一次巻線に現れる同一信号が４個の二次巻線
に接続される回路のそれぞれに加えられる。４個の二次
巻線のそれぞれはＭＯＳＦＥＴ７０−７６の関連する１
個についてのゲートおよびソース電極間に接続される。
二次巻線８４はゲートＭＯＳＦＥＴ７０およびジャンク
ションＪ１間に直接接続され、一方二次巻線８８は同様
に直接ゲートＭＯＳＦＥＴ７４およびジャンクションＪ
２間に接続される。二次巻線８６および９０は同様な形
態でＭＯＳＦＥＴ７２および７６のゲートおよびソース
電極間に接続されるが、この場合インピーダンス・ネッ
トワーク９２および９４はそれぞれコイル８６および９
０と接続される。各インピーダンス・ネットワーク９
２、９４は抵抗９６、９８およびコンデンサ１００、１
０２の並列結合を含んでいる。これらのインピーダンス
・ネットワークの目的は、増幅器制御回路１０４の説明
の間に以下で説明するものとする。

【００１３】ドーナツ形トランスの一次巻線８２はＲＦ
ソース２０の出力に接続され、このソースは正弦ＲＦ駆
動電圧を電力増幅器に提供する。各ＭＯＳＦＥＴは、そ
のゲートに加えられたＲＦ信号がオンである場合には、
その正の半サイクルをターンオンし、そして加えられた
信号がオンである場合には、その負の半サイクルをター
ンオフする。従って、ＭＯＳＦＥＴは、加えられたＲＦ
ゲート信号の周波数および位相によって周期的にターン
オンおよびオフする。巻線８４および９０は同じ方向に
おいてＭＯＳＦＥＴ７０および７６を挟んで接続され、
それによりこれらトランジスタのゲートにおいて出現す
る信号は互いに同相にある。それ故、ＭＯＳＦＥＴ７０
および７６は一致してターンオンおよびオフする。他
方、巻線８６および８８は巻線８４および９０の接続方
向とは反対の方向においてＭＯＳＦＥＴ７２および７４
を挟んで接続されている。従って、ＭＯＳＦＥＴ７０お
よび７６のゲートに加えられた信号はトランジスタ７４
および７２のゲートに加えられた信号に対して１８０゜
位相が外れている。その結果、トランジスタ７０および
７６が「オン」であれば、トランジスタ７２および７４
は「オフ」であり、また逆の場合も同じである。

【００１４】ＭＯＳＦＥＴ７０、７２、７４および７６
の非線形伝達特性に起因して、これらＭＯＳＦＥＴは加
えられた正弦信号に応答して、それに線状に従うという
よりはむしろ急激にターンオンおよびオフすることにな
る。従って、ジャンクションＪ１およびＪ２に並列に加
えられる信号は、加えられたＲＦ入力信号の周波数にお
いてであるが、本質的に方形波形状を有するものとな
る。図１のコンバイナー回路２４の出力が接続されるロ
ード１４は通常周波数選択的なものとなり、そしてこの
方形波の基本的成分のみを選択するものである。

【００１５】図２（ａ）に示すように、電力増幅器ＰＡ
１はスイッチング回路１０４であって、ディジタイザ出
力ラインＤ１に出現する制御信号に応答してその電力増
幅器をターンオンおよびオフするためのものを含む。ス
イッチング回路１０４はＮＰＮバイポーラ・ジャンクシ
ョントランジスタ１０６を含み、これはその接地された
エミッタおよび対応するダイオード１０８および１１０
を経由するＭＯＳＦＥＴ７２および７６のゲートに接続
されたそのコレクタを有している。トランジスタ１０６
のベースはベースレジスタ１１２を介してディジタイザ
２４のＤ１出力に接続されている。ベースレジスタ１１
２に加えられる制御信号が高いロジックレベル（すなわ
ち、ロジック「１」）を有していれば、ベース電流がト
ランジスタ１０６に印加され、それを強制して飽和とす
る。次いで、トランジスタ７２および７６のゲートは、
対応するダイオード１０８および１１０を介して効果的
に接地される。これが、これらトランジスタのゲート信
号を大地電位にクランプする効果を有しており、それに
よってそれら双方を強制して「オフ」状態の侭とする。
このようにして、一次巻線４４は接地から有効に開放さ
れ、それによって電力増幅器をターンオフする。

【００１６】飽和状態になると、ＭＯＳＦＥＴ７２およ
び７６のゲート回路中のレジスタ９６および９８はトラ
ンジスタ１０６を経由する電流を制限する。これらが包
含されないとすると、トランジスタ１０６を経由する電
流は非常に高くなる。それは巻線８６および９０が電圧
源として作用するからである。コンデンサ１００および
１０２はレジスタをバイパスし、ＲＦ周波数においてそ
れらの効果を減少する。第三コンデンサ１１４は両コン
デンサ１００および１０２間に接続される。このコンデ
ンサは増幅器のターン−オン／ターン−オフ特性を改良
する。トランジスタ１０６のベースに加えられる制御信
号が低ロジックレベル（すなわち、ロジック「０」）で
あれば、トランジスタ１０６はカットオフされ、そして
増幅器２６の動作は略、先に説明したようなものとな
る。しかし、このロジック０信号は負の信号であり、そ
してそれはベース駆動レジスタ９１および９３をそれぞ
れ介してＰＮＰトランジスタ９５および９７をターンオ
ンするために機能する。これらのトランジスタがターン
オンされて、それらを飽和状態に強制すると、それらは
順にＭＯＳＦＥＴスイッチングトランジスタ７２および
７６を迅速に駆動して飽和状態とする。

【００１７】ＲＦ電力増幅器ＰＡ１乃至ＰＡＮのそれぞ
れは各ＭＯＳＦＥＴトランジスタのゲートと関連する二
次巻線を有するトランスを必要とする。このようにし
て、図２（ａ）において理解されるように、二次巻線８
４、８６、８８および９０は正弦ＲＦ駆動電圧をＭＯＳ
ＦＥＴトランジスタスイッチのゲート電極に対し提供す
る。駆動電圧は適切な整相を有することを必要とするの
で、トランジスタ７２および７４がオフである間ＭＯＳ
ＦＥＴトランジスタ７０および７６はオンであり、そし
て逆の場合も同じである。これらＲＦ信号の適切な整相
に加えて、ＲＦドライバ２３（図１参照）は増幅の数段
階を含んでいる。これらの各段階において、増幅器、チ
ューナ回路およびカップリング回路内に損失が存在す
る。

【００１８】ダイレクトＭＯＳＦＥＴトランジスタ駆動
システムが提供されるが、これは図２（ａ）の駆動トラ
ンス環状体がＭＯＳＦＥＴドライバ集積回路によって置
換されるものであり、この集積回路はロジックレベル入
力信号を用いるＭＯＳＦＥＴトランジスタゲートドライ
ブの適切なレベルを提供するように設計されている。非
常に詳細に説明されるであろうように、これらのドライ
バは、ブリッジの高位側（上位レベル）および低位側
（底部レベル）を駆動するための高位側（上位ブリッジ
レベル）および低位側（底部ブリッジレベル）ドライバ
として使用される。これらのＭＯＳＦＥＴゲートドライ
バはInternational Rectifier Corporation により供給
されるモデルNo. ＩＲ２１１０の形態を取ればよい。こ
れらのドライバは十分なピーク電流機能を保持して、大
部分のＭＯＳＦＥＴトランジスタを所望のスイッチング
速度で駆動する。バッファ回路は一層高いゲートキャパ
シタンスを伴うＭＯＳＦＥＴトランジスタあるいは並列
にしたＭＯＳＦＥＴトランジスタであって、その電圧要
件がそのＭＯＳＦＥＴゲートドライバ集積回路それ自体
の限界の外にあるものを駆動するために使用することが
出来る。

【００１９】図３は概略ブロック図を示すものである。
図１および図３中で用いる構成要素間の類似性に鑑み
て、図３中の類似の構成要素は同様な参照符号によって
同定するものとする。たとえば、図１中の電力増幅器Ｐ
Ａ１’乃至ＰＡＮ’は図３中にそれらに対応する相対物
が見出だされ、それらは電力増幅器ＰＡ１’乃至ＰＡ
Ｎ’と称される。簡単化のために、２個の電力増幅器の
みが図３中に示されている。以下で説明されるＭＯＳ
ＦＥＴゲートドライバを使用するＲＦ電力増幅器を駆動
するために必要とされる信号はロジックレベル信号であ
る。以下に展開されるであろうように、この駆動信号は
ＭＯＳＦＥＴトランジスタをターンオンおよびオフする
ための搬送周波数において方形波信号である。図３に示
すように、各電力増幅器はブリッジ・アレンジメントを
含んでおり、これはＡ−サイドＭＯＳＦＥＴトランジス
タ７０および７２ならびにＢ−サイドＭＯＳＦＥＴトラ
ンジスタ７４および７６を包含している。トランジスタ
７０および７４は高位側トランジスタと称され、またト
ランジスタ７２および７６は低位側トランジスタと称さ
れる。これらＭＯＳＦＥＴトランジスタのゲートに供給
されるＲＦ駆動信号は、トランジスタ７０および７６が
ターンオンされるのに対し、トランジスタ７２および７
４はターンオフされ、また逆の場合も同様となるように
してある。このスイッチングは搬送周波数において行わ
れるので、図２（ａ）に関して論述したのと同じ態様に
おいて電流は巻線４４を経由して反対の方向に流れる。
ＶＣＣ電圧はＤＣ２３０ボルトのオーダーであればよ
い。ＭＯＳＦＥＴトランジスタ７０、７２、７４および
７６を駆動するための図３中の回路はロジックレベル信
号のみを用いており、これらのロジックレベル信号は適
切な位相信号ならびに所望のスイッチングＲＦ駆動信号
の双方を提供するものである。これは低レベル高速ロジ
ックによって遂行すればよい。従って、図３の回路を発
振器をもって実行すればよく、この発振器はロジックレ
ベル出力を提供し、これはディジタル語をＲＦ増幅器用
のスイッチコマンドに符号化する変調エンコーダに供給
される。図３のダイレクト駆動システムはＭＯＳＦＥＴ
ドライバ回路を介して低レベルロジック信号を用いる。

【００２０】次に、注意を一層具体的に図３について向
けるものとする。ＲＦ駆動トレインはＲＦ発振器２００
であって、方形波パルストレインを生成し、ここにおい
てパルスが固定振幅、所要時間および周波数を有するも
のである。これらのパルスはＤＣ５ボルトのオーダーの
尖頭値を有していればよい。パルストレインはアナログ
ディジタル整相回路を経由してＡＤ変換器３７’に供給
され、これは図１に述べたのと同じ態様において、入力
ソース１２’から可聴信号を受信する。このアナログデ
ィジタル変換器３７’は１２個の、但しディジタル出力
パターンをエンコーダ２０４に対し提供する。このエン
コーダは複数個Ｎの出力回路を備えており、それぞれ電
力増幅器ＰＡ１’乃至ＰＡＮ’の１個と対応している。
これらの出力回路はラッチ回路２０６に接続され、この
ラッチ回路はＡＤ変換器３７’によってストローブされ
る。ラッチ回路２０６もまた、複数個の出力を有し、こ
れらの各々は電力増幅器ＰＡ１’乃至ＰＡＮ’の１個と
対応している。図１の場合のように、この回路はソース
１２’からのオーディオ入力信号のマグニチュードを監
視し、そして複数個のターンオン信号を、オーディオ入
力信号のそのマグニチュードに従って複数個の電力増幅
器ＰＡ１’乃至ＰＡＮ’をターンオンするためのラッチ
２０６の出力に対し提供するために機能する。従来タイ
プのＡＤ変換器は比較的高い周波数において変換をもた
らし、そして各変換に関してデータがラッチ回路２０６
にストローブされる。もし、電力増幅器ＰＡ１’をター
ンオンすべきであれば、ラッチ回路２０６によって関連
する出力回路は高くなる。そうでなければ、出力回路は
低いか、あるいはバイナリ０レベルとなる。

【００２１】電界効果ドライバはＭＯＳＦＥＴトランジ
スタ７０、７２、７４および７６のそれぞれと関連して
いる。これらは高位側電界効果ドライバ２１０および２
１２ならびに低位側電界効果ドライバ２１４および２１
６を含んでいる。この高位側電界効果ドライバは高位側
電界効果トランジスタ７０および７４をそれぞれ駆動す
るために機能するのに対し、低位側電界効果ドライバ２
１４および２１６は低位側トランジスタ７２および７６
をそれぞれ駆動するために機能している。発振器２００
から得られるＲＦ方形波パルストレインは低位側電界効
果トランジスタドライバ２１４および２１６に対し連続
的に供給されるが、これらは互いに１８０゜位相が外れ
ている。従って、低位側電界効果トランジスタドライバ
２１４に対し供給された際の方形波は図４中の波形２５
０に示すように現れる。この波形はその方形波が遅延回
路２５２および緩衝増幅器２５４を通過した後に取り上
げられている。類似の波形であるが、１８０゜位相の外
れたものが低位側電界効果トランジスタドライバ２１６
に対し供給される。このような訳で、図４に示されるよ
うな波形２６０が低位側電界効果トランジスタドライバ
２１６に対し供給される信号を表す。これは遅延回路２
６２およびインバータ２６４を通過した後の発振器２０
０から得られる。波形２５０および２６０は互いに１８
０゜位相が外れている。波形２６０は０゜波形と称する
ことが出来、これに対し波形２５０は１８０゜波形と称
してもよい。波形２５０および２６０に対応するロジッ
クレベルドライブはそれぞれ全ての電力増幅器ＰＡ１’
乃至ＰＡＮ’のＡサイド低レベルドライバおよびＢサイ
ド低レベルドライバに対し同時に適用される。その結
果、緩衝増幅器２５４およびインバータ増幅器２６４の
出力は、十分なファンアウト能力(fanout capability)
をもって供給され、全てのＲＦ増幅器中の全ての低位側
電界効果ドライバを同時に駆動する。各電力増幅器中の
高位側電界効果型トランジスタドライバ２１０および２
１２は０゜および１８０゜駆動信号をもって駆動され
る。更に、これらのドライバはまた、ラッチ回路２０６
を経由して変調エンコーダ２０４からの出力によりター
ンオンおよびオフされる。これらＲＦ増幅器のそれぞれ
について論理回路が設けられている。

【００２２】以下は電力増幅器ＰＡ１’に関連する論理
回路についての説明である。ＰＡ１’用の論理回路はＡ
ＮＤゲート２７０を含んでいる。このＡＮＤゲートは発
振器２００の出力に接続された或る入力およびラッチ回
路２０６の第一出力ラインＤ１に接続された第二の入力
を有している。ＡＮＤゲート２７０の出力はインバータ
増幅器２７２を経由して高位側ドライバ２１０の入力に
印加されるのみならず、緩衝増幅器２７４を経由して高
位側ドライバ２１２に印加される。これらは互いに位相
が１８０゜外れている。すなわち、もしＡＮＤゲート２
７０が正のパルスによってイネーブルになっていれば、
それがイネーブルである限り、それは発振器２００から
得られる方形波パルストレインをパスすることになる。
これは図４中の波形２８０によって示され、この場合そ
の波形の正の部分が、発振器２００からの方形波駆動パ
ルスをパスするようにＡＮＤゲートをイネーブルとす
る。ＡＮＤゲート２７０をパスしたパルスは図４の波形
２８２により理解されるように、緩衝回路２７４を経由
して高位側ドライバ２１２に供給される。ＡＮＤゲート
２７０をパスしたパルスはまた、図４中の波形２８４に
より示されるように、インバータ増幅器２７２によって
逆転され、そして高位側ドライバ２１０に供給される。
そのような訳で、高位側ドライバ２１０および高位側ド
ライバ２１２に対する入力は互いに位相が１８０゜外れ
る。同様な論理回路が、他の電力増幅器ＰＡ１’乃至Ｐ
ＡＮ’のそれぞれの高位側ドライバ２１０および２１２
に関して設けられる。このようにして、増幅器ＰＡＮ’
に関して示されるように、ＡＮＤゲート２７０Ｎ、イン
バータ増幅器２７２Ｎ、および緩衝増幅器２７４Ｎが設
けられる。

【００２３】ＲＦ増幅器中の高位側ドライバは０゜およ
び１８０゜の２個のロジックレベルドライバを必要と
し、またラッチ回路２０６を経由して変調エンコーダ２
０４により供給されるべきターンオン信号を要すること
が理解される。図３から、発振器２００からのＲＦ出力
が各ＡＮＤゲート２７０および２７０Ｎの一方の入力を
駆動することが注目される。各ＡＮＤゲートの他方の入
力はラッチ回路２０６から得られる。ターンオン信号の
数は、入力ソース１２’から得られるアナログ入力信号
のマグニチュードに依存することになる。電力増幅器Ｐ
Ａ１’乃至ＰＡＮ’の１基がターンオンされるべき場
合、ラッチ回路２０６の関連する出力は高いものとな
る。次いで、ＡＮＤゲートはＲＦ駆動信号をパスするこ
とがイネーブルとなり、これは増幅器２７２および２７
４によって０゜および１８０゜信号に分かれる。

【００２４】高位側および低位側ドライバにおける伝搬
遅延の量を決定すること、および低位側ドライバに加え
られる遅延の適切な量が必要であるかも知れない。これ
が、図３中に示される遅延回路２５２および２６２の目
的である。ＭＯＳＦＥＴトランジスタを駆動するための
ディジタルスイッチング信号の利用は、上部および下部
ＭＯＳＦＥＴトランジスタがターンオンおよびオフする
時間におけるポイント間のデッドバンドの使用を要する
かも知れない。従来技術においては、図１および図２
（ａ）中に開示されるように、上部または下部ＭＯＳＦ
ＥＴトランジスタのいずれもがターンオンされない場
合、ＭＯＳＦＥＴトランジスタの両セットに対する正弦
ＲＦドライブは或る量のデッドバンドまたは時間を生成
する。これは本構成において、もし、ＭＯＳＦＥＴトラ
ンジスタの両セットが同時にターンオンされると発生す
るかも知れない高いピーク電流の可能性を阻止するため
に利用することが出来る。このデッドバンド回路は図５
を参照しながら以下に非常に詳細に論述するものとす
る。

【００２５】図５はＭＯＳＦＥＴトランジスタと共にＲ
Ｆドライバ回路を非常に詳細に示している。この回路
は、関連する電力増幅器、たとえばＰＡ１’のＡサイド
ＭＯＳＦＥＴ７０および７２を駆動するためのＡサイド
ＭＯＳＦＥＴドライバ３００を含んでいる。同様に、Ｂ
サイドＭＯＳＦＥＴドライバ３０２はＢサイドＭＯＳＦ
ＥＴトランジスタ７４および７６を駆動するために機能
する。Ａサイドドライバ３００は、図３に示すように、
高位側ドライバ２１０を低位側ドライバ２１４に合体さ
せる。同様に、ドライバ３０２は図３に示すように、高
位側ドライバ２１２と低位側ドライバ２１６とを合体さ
せる。このＡサイドドライバ３００とＢサイドドライバ
３０２は同一であり、そしてそれぞれInternational Re
ctifier Corporation によって供給される集積回路モデ
ルＩＲ２１１０ゲートドライバの形態を取るものであ
る。高位側および低位側ドライバの両者は１個の集積回
路上に配置されている。ブートストラップ回路が、供給
電圧よりも１５ボルト高いゲート電圧を供給するために
設けられている。ドライバ３００のためのブートストラ
ップ回路は、ピン５および６間に接続されたコンデンサ
３１０、ピン３および６間に接続されたダイオード３１
２、およびピン２および３間に接続されたコンデンサ３
１４を包含している。同様な態様において、ブートスト
ラップ回路はドライバ３０２を設けている。このブート
ストラップ回路は、ピン５および６間に接続されたコン
デンサ３１６、ピン３および６間に接続されたダイオー
ド３１８、およびピン２および３間に接続されたコンデ
ンサ３２０を含んでいる。ブートストラップコンデンサ
は、上部ＭＯＳＦＥＴトランジスタがターンオフされる
と、ゲーティングダイオード３１２および３１８によっ
て下位側ドライバに使用する＋１５ボルトサプライにチ
ャージされる。高位側ＭＯＳＦＥＴトランジスタがター
ンオンを要する（ピン１０に対する入力信号がロジック
・ハイである）場合、ソース電圧（ピン５）＋チャージ
ド・ブートストラップコンデンサ電圧はピン６からピン
７に接続され、その結果、ＭＯＳＦＥＴゲートを、ソー
ス電圧より１５ボルト高いレベルにおいて駆動する。高
位側ＭＯＳＦＥＴトランジスタがスイッチオンおよびオ
フされてＲＦをスイッチし、そして低位側ＭＯＳＦＥＴ
トランジスタは連続的にオンであることに注目すべきで
ある。これは、高位側ＭＯＳＦＥＴサプライを得るため
のブートストラップ法に適合するものである。図２
（ａ）に示す従来技術バージョンにおいては、低位側Ｍ
ＯＳＦＥＴトランジスタがターンオンおよびオフされ、
そして高位側ＭＯＳＦＥＴトランジスタは連続的にＲＦ
信号を受信することが察知されるべきである。

【００２６】図６はターオン信号のＭＯＳＦＥＴトラン
ジスタドライバ２１２への通過を遅らせるための手段の
利用を例示する概略ブロック図である。更に、ＭＯＳＦ
ＥＴトランジスタドライバ２１０、２１２、２１４およ
び２１６を駆動するための論理回路は若干モディファイ
されているが、図３に関連して上に論述したのと同一の
結果を成就するものである。図６から、低位側電界効果
型トランジスタドライバ２１４および２１６は発振器２
００からＲＦ方形波信号を連続的に受信することが理解
される。これらの信号は互いに位相が１８０゜だけ外れ
ている。すなわち、各電力増幅器において下位側ドライ
バ２１６に対し連続的に供給されるＲＦ信号はインバー
タ増幅器４０４を介して供給され、そしてこれは０位相
信号であると考えられる。同様に、低位側ドライバ２１
４に供給されるＲＦ信号は増幅器４００を経由して供給
され、そしてこれらの信号は１８０゜信号であると考え
られる。更に、高位側ドライバ２１０および２１２は、
それらの関連ゲート４０２および４０６がイネーブルで
ある場合のみＲＦ信号によって駆動される。ゲート４０
２はラッチ２０６の出力によりイネーブルとされる。ラ
ッチ回路２０６の同一出力が、遅延４１０を経由してゲ
ート４０６に供給されるが、これは同一の出力ラッチ２
０６によってゲート４０１からのそれと反対の態様にお
いてイネーブルされるものである。他の電力増幅器のそ
れぞれと関連する回路は増幅器ＰＡ１”用の論理回路に
関連して上記したものと同一である。遅延回路４１０が
組み込まれるので、ＢサイドＭＯＳＦＥＴトランジスタ
７４および７６をターンオンするディジタルドライブ
が、Ａサイド用のトランジスタに関するそれの後、生成
することが理解される。

【発明の効果】

【００２７】以上述べたところから、図４および図６に
示す実施態様によるＲＦドライブチェーンは本明細書図
１および図２（ａ）に示される従来利用されているもの
より簡単な構成を提供することが理解される。すなわ
ち、本発明による回路はＲＦドライブチェーンの複雑性
ならびにディジタル変調されたＡＭ送信機のディジタル
駆動回路における実質的な低減を達成する。これが一層
高い包括的な効率および一層低いプロダクトコストを提
供する。

【００２８】ＲＦ電力増幅器は、本明細書において、一
定の周波数を有するＲＦパルスのトレインを提供するた
めのＲＦソースを含むものとして提示され、またここに
おいて、各パルスは一定の振幅および所要時間を有して
いる。ブリッジ回路は第一の回路を含んでおり、これは
オンの際に、第一の方向においてそれを経由して流れる
ＤＣ電流用のロードの両端にＤＣ電圧を接続するための
第一トランジスタスイッチング手段を備えている。この
ブリッジ回路は第二回路を含んでおり、これはオンの際
に、第二の方向においてそれを経由して流れるＤＣ電流
用のロードの両端にＤＣ電圧を接続するための第二トラ
ンジスタスイッチング手段を含んでいる。イネーブルの
際、スイッチドライバコントロールはＲＦ信号のそれに
依存する周波数において、またＤＣ電圧源からの電流が
ロードを経由して第一および第二の方向において交互に
流れるように、第一および第二トランジスタスイッチを
オンおよびオフに駆動するためのＲＦパルスをパスする
ために機能する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の適用が可能な、従来技術による或る応
用例を例示する概略ブロック図である。

【図２】（ａ）図１で用いられる、従来技術による或る
電力増幅器を例示する概略回路図である。（ｂ）図２（ａ）に示す回路の動作を理解するために有
用な、従来技術による簡略化された概略回路図である。

【図３】本発明による組み込み回路を例示する概略ブロ
ック図である。

【図４】図３に示す回路の動作を示す時間に対する電圧
について数種類の波形を例示するグラフである。

【図５】本発明による改良されたドライブ・コントロー
ルを備えた或る電力増幅器を例示する概略ブロック図で
ある。

【図６】本発明による組み込み回路の第二実施態様を例
示する概略ブロック図である。

【符号の説明】

ＰＡ１’、ＰＡＮ’ 電力増幅器１２’ 入力ソース３７’ アナログディジタル変換器４４一次巻線７０、７２Ａ−サイドＭＯＳＦＥＴトランジスタ７４、７６Ｂ−サイドＭＯＳＦＥＴトランジスタ２００ＲＦ発振器２０４エンコーダ２０６ラッチ回路２１０、２１２高位側電界効果ドライバ２１４、２１６低位側電界効果ドライバ２５２遅延回路２５４緩衝増幅器２６４インバータ増幅器２７０、２７０ＮＡＮＤゲート２７２、２７２Ｎインバータ増幅器２７４、２７４Ｎ緩衝増幅器

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一定の周波数を有するＲＦパルスのトレ
インを提供するためのＲＦソースであって、各パルスが
一定の振幅および所要時間を有するものと、ＤＣ電圧源
と、ブリッジ回路であって、オンの際に、第一の方向に
おいてそれを経由して流れるＤＣ電流用のロードの両端
に前記ＤＣ電圧源を接続するための第一トランジスタス
イッチング手段を備える第一回路およびオンの際に、第
二の方向においてそれを経由して流れるＤＣ電流用の前
記ロードの両端に前記ＤＣ電圧源を接続するための第二
トランジスタスイッチング手段を備える第二回路を含む
ものと、イネーブルの際、ＲＦ信号のそれに依存する周
波数において、また前記ＤＣ電圧源からの電流が前記ロ
ードを経由して前記第一および第二の方向において交互
に流れるような態様で、前記第一および第二トランジス
タスイッチイング手段をパスオンおよびオフするための
スイッチドライバコントロール手段と、ターンオン信号
を提供し、かつ前記ＲＦパルスを前記スイッチング手段
にパスするための前記ドライバコントロール手段をイネ
ーブルするための前記スイッチドライバコントロール手
段に対し前記ターンオン信号を選択的に加えるための手
段とを含んで成ることを特徴とするＲＦ電力増幅器シス
テムにより構成されるＡ．Ｍ．無線放送システム。
【請求項２】前記スイッチドライバコントロール手段
が、前記ＲＦパルスを前記第一および第二トランジスタ
スイッチング手段に対しパスするための前記ターンオン
信号によりイネーブルされる論理ゲーティング手段と共
に前記ターンオン信号の前記第二トランジスタスイッチ
ング手段への適用を遅らせるための遅延手段を含んでお
り、ここにおいて前記遅延手段が、前記ターンオン信号
提供手段と前記スイッチドライバコントロール手段との
間に配置されている請求項１記載のシステム。
【請求項３】前記スイッチドライバコントロールの間
に配置された電界効果型トランジスタドライバ手段を含
み、また前記第一および第二トランジスタスイッチング
手段がそれぞれ電界効果型トランジスタ手段であり、こ
こにおいて前記ブリッジ回路が第三および第四トランジ
スタスイッチング手段を含んでいる請求項２記載のシス
テム。
【請求項４】前記第二および第三トランジスタスイッ
チング手段の両者がオンである場合、それらが前記ＤＣ
電圧源を、前記第二の方向においてそれを経由して流れ
るＤＣ電流用の前記ロードの両端に接続するように、前
記第三トランジスタスイッチング手段が直列に前記第二
トランジスタスイッチング手段を備える前記第二回路と
接続され、また前記第一および第四トランジスタスイッ
チング手段の両者がオンである場合、それらが前記ＤＣ
電圧源を、前記第一の方向においてそれを経由して流れ
るＤＣ電流用の前記ロードの両端に接続するように、前
記第四トランジスタスイッチング手段が直列に前記第一
トランジスタスイッチング手段を備える前記第一回路と
接続され、ここにおいて前記スイッチドライバコントロ
ール手段が、前記ＲＦパルスを前記第一および第二トラ
ンジスタスイッチング手段に対しパスするための前記タ
ーンオン信号によりイネーブルされる論理ゲーティング
手段を含んでいる請求項３記載のシステム。
【請求項５】前記電界効果型トランジスタのそれぞれ
がＭＯＳＦＥＴトランジスタである前記請求項１乃至４
のいずれかに記載のシステム。
【請求項６】一定の周波数においてＲＦパルスのトレ
インを提供するためのＲＦソースであって、各パルスが
一定のマグニチュードおよび所要時間を有するものと、
ＤＣ電圧源と、複数基のＲＦ電力増幅器であって、それ
ぞれの増幅器がブリッジ回路であって、ＤＣ電圧源の両
端に接続するための一対の入力ターミナルおよびロード
の両端に接続された一対の出力ターミナルを有するもの
を含み、前記ブリッジ回路のそれぞれが、オンの際に、
第一の方向においてそれを経由して流れるＤＣ電流用の
ロードの両端に前記ＤＣ電圧源を接続するために少なく
とも第一トランジスタスイッチング手段を備える第一回
路およびオンの際に、第二の方向においてそれを経由し
て流れるＤＣ電流用の前記ロードの両端に前記ＤＣ電圧
源を接続するための第二トランジスタスイッチング手段
を備える第二回路を含むものと、複数基のスイッチドラ
イバコントロール手段であって、それぞれが前記ＲＦ電
力増幅器の１基と関連しており、これはイネーブルの
際、前記ＲＦパルスのそれに依存する周波数において、
また前記ＤＣ源からの電流が前記ロードを経由して前記
第一および第二の方向において交互に流れるような態様
で、前記第一および第二トランジスタスイッチイング手
段をパスオンおよびオフするための手段であるものと、
入力信号のマグニチュードに依存して１基またはそれ以
上の前記ドライバコントロール手段をイネーブルするた
めのターンオン信号を提供するためのターンオン信号手
段とを含んで成り、ここにおいて前記スイッチドライバ
コントロール手段のそれぞれが前記ＲＦパルスを前記第
一および第二トランジスタスイッチング手段に対しパス
するための前記ターンオン信号によりイネーブルされる
論理ゲーティング手段を含んでおり、また好ましくは前
記ターンオン信号の、前記電力増幅器中の前記第二トラ
ンジスタスイッチング手段への適用を遅らせるための、
それぞれの前記電力増幅器と関連する遅延手段を含んで
おり、ここにおいて前記遅延手段が、前記ターンオン信
号提供手段と前記電力増幅器中の前記スイッチドライバ
コントロール手段との間に配置されていることを特徴と
するＡ．Ｍ．無線放送システムに適応させたＲＦ電力増
幅器システム。
【請求項７】前記第一および第二トランジスタスイッ
チング手段がそれぞれ電界効果型トランジスタであっ
て、前記スイッチドライバコントロール手段と各前記電
界効果型トランジスタ手段との間に配置されたものを含
み、そしてここにおいて前記ブリッジ回路が第三および
第四トランジスタスイッチング手段を含んでいる請求項
６記載のシステム。
【請求項８】前記第二および第三トランジスタスイッ
チング手段の両者がオンである場合、それらが前記ＤＣ
電圧源を、前記第二の方向においてそれを経由して流れ
るＤＣ電流用の前記ロードの両端に接続するように、前
記第三トランジスタスイッチング手段が直列に前記第二
トランジスタスイッチング手段を備える前記第二回路と
接続され、また前記第一および第四トランジスタスイッ
チング手段の両者がオンである場合、それらが前記ＤＣ
電圧源を、前記第一の方向においてそれを経由して流れ
るＤＣ電流用の前記ロードの両端に接続するように、前
記第四トランジスタスイッチング手段が直列に前記第一
トランジスタスイッチング手段を備える前記第一回路と
接続される請求項６または７記載のシステム。
【請求項９】前記スイッチドライバコントロール手段
が、前記ＲＦパルスを前記第一および第二トランジスタ
スイッチング手段に対しパスするための前記ターンオン
信号によりイネーブルされる論理ゲーティング手段を含
み、また前記ターンオン信号の前記第二トランジスタス
イッチング手段への適用を遅らせるための遅延手段を含
んでおり、ここにおいて前記遅延手段が、前記ターンオ
ン信号提供手段と前記スイッチドライバコントロール手
段との間に配置されている請求項８記載のシステム。
【請求項１０】前記トランジスタスイッチング手段の
それぞれが電界効果型トランジスタであり、また前記ス
イッチドライバコントロール手段と各前記電界効果型ト
ランジスタ手段との間に配置される電界効果型トランジ
スタドライバ手段を含み、そして好ましくはそれぞれの
前記電界効果型トランジスタがＭＯＳＦＥＴトランジス
タである請求項９記載のシステム。