JPH10337004A - Power supply - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、高調波電流の低減
対策用に昇圧チョッパ回路からなる力率改善回路を備え
た電源装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power supply device provided with a power factor improving circuit comprising a boost chopper circuit for reducing harmonic currents.
【０００２】[0002]
【発明が解決しようとする課題】一般に電源装置は、直
流電圧を入力して安定した任意の電圧を出力するもので
あるが、交流入力電圧を整流ダイオードと平滑コンデン
サで整流平滑して直流電圧に変換した場合、交流電源電
圧が完全な正弦波形状であるにも拘らず、電流は平滑コ
ンデンサの充電されている期間のみ流れてパルス波形状
となり、入力力率に低下を生じて高調波ノイズの発生源
となる。In general, a power supply device inputs a DC voltage and outputs a stable and arbitrary voltage. However, the AC input voltage is rectified and smoothed by a rectifying diode and a smoothing capacitor to obtain a DC voltage. When converted, the current flows only during the period when the smoothing capacitor is charged, and becomes a pulse waveform, even though the AC power supply voltage has a perfect sine waveform. It is a source.
【０００３】こうした入力力率の低下を防止するものと
して、図２に示す電源装置が提案されている。同図にお
いて、商用電源１の両端には入力端子２，３を介してブ
リッジダイオードからなる整流回路４が接続され、前記
商用電源１からの交流電源電圧を整流して、昇圧チョッ
パ回路からなる力率改善回路５に供給する。力率改善回
路５は周知のように、チョークコイル６とスイッチング
素子たるＭＯＳ型ＦＥＴ７との直列回路を、整流回路４
の出力端間に接続すると共に、ダイオード８と平滑コン
デンサ９との直列回路を、ＭＯＳ型ＦＥＴ７の両端間す
なわちドレイン−ソース間に接続して構成される。そし
て、ＭＯＳ型ＦＥＴ７がオンのときには、整流回路４か
らの直流電流によりチョークコイル６にエネルギーを蓄
え、ＭＯＳ型ＦＥＴ７がオフのときには、このチョーク
コイル６に蓄えられたエネルギーを整流回路４の両端間
に発生する電圧に重畳させて、入力側よりも高い直流電
圧Ｖｉを平滑コンデンサ９の両端間に発生させるように
している。A power supply device shown in FIG. 2 has been proposed to prevent such a decrease in input power factor. In FIG. 1, a rectifier circuit 4 composed of a bridge diode is connected to both ends of a commercial power supply 1 via input terminals 2 and 3, and rectifies an AC power supply voltage from the commercial power supply 1 to form a power supply composed of a step-up chopper circuit. It is supplied to the rate improvement circuit 5. As is well known, the power factor improving circuit 5 includes a series circuit of a choke coil 6 and a MOSFET 7 serving as a switching element.
And a series circuit of a diode 8 and a smoothing capacitor 9 is connected between both ends of the MOS FET 7, that is, between the drain and the source. When the MOS FET 7 is on, energy is stored in the choke coil 6 by the DC current from the rectifier circuit 4, and when the MOS FET 7 is off, the energy stored in the choke coil 6 is transferred between both ends of the rectifier circuit 4. The DC voltage Vi higher than the input side is generated between both ends of the smoothing capacitor 9 by superimposing it on the voltage generated at the input side.
【０００４】前記平滑コンデンサ９により平滑された直
流電圧Ｖｉは、抵抗11，12により分圧され、直流電圧検
出信号として誤差増幅器13の一方の入力端子に印加され
る。この誤差増幅器13の他方の入力端子には、基準電圧
を発生する基準電源14が接続されており、直流電圧検出
信号と基準電圧との差異が、制御手段としてのパルス幅
制御回路15に出力される。パルス幅制御回路15は、この
誤差増幅器13の出力に基づき、交流電源電圧の電流波形
と電圧波形とを近付けて、入力力率を改善するように、
ＭＯＳ型ＦＥＴ７のパルス導通幅ひいてはチョークコイ
ル６に蓄えられるエネルギーを制御するものである。The DC voltage Vi smoothed by the smoothing capacitor 9 is divided by resistors 11 and 12 and applied to one input terminal of an error amplifier 13 as a DC voltage detection signal. A reference power supply 14 for generating a reference voltage is connected to the other input terminal of the error amplifier 13, and a difference between the DC voltage detection signal and the reference voltage is output to a pulse width control circuit 15 as control means. You. The pulse width control circuit 15 closes the current waveform and the voltage waveform of the AC power supply voltage based on the output of the error amplifier 13 to improve the input power factor,
It controls the pulse conduction width of the MOS FET 7 and thus the energy stored in the choke coil 6.
【０００５】直流電圧Ｖｉが発生する平滑コンデンサ９
の両端間には、インバータを構成するトランス21の一次
巻線と主スイッチング素子たるＭＯＳ型ＦＥＴ22との直
列回路が接続される。そして、ＭＯＳ型ＦＥＴ22のスイ
ッチングにより、直流電圧Ｖｉをトランス21の一次巻線
に断続的に印加することで、二次巻線に誘起された電圧
を整流平滑回路23で整流平滑して、出力端子24，25間に
出力電圧Ｖｏを供給するように構成している。また、出
力電圧Ｖｏは、抵抗26，27により分圧されて、出力電圧
検出信号として誤差増幅器28の一方の入力端子に印加さ
れる。この誤差増幅器28の他方の入力端子には、基準電
圧を発生する基準電源29が接続されており、直流電圧検
出信号と基準電圧との差異が、パルス幅制御回路30に出
力される。パルス幅制御回路30は、この誤差増幅器28の
出力に基づき、出力電圧Ｖｏが一定となるように、ＭＯ
Ｓ型ＦＥＴ22のパルス導通幅を制御する。[0005] Smoothing capacitor 9 for generating DC voltage Vi
A series circuit of a primary winding of a transformer 21 constituting an inverter and a MOS-type FET 22 as a main switching element is connected between both ends of the inverter. The DC voltage Vi is intermittently applied to the primary winding of the transformer 21 by the switching of the MOS type FET 22, so that the voltage induced in the secondary winding is rectified and smoothed by the rectifying and smoothing circuit 23, and the output terminal The output voltage Vo is supplied between 24 and 25. The output voltage Vo is divided by the resistors 26 and 27 and applied to one input terminal of the error amplifier 28 as an output voltage detection signal. A reference power supply 29 for generating a reference voltage is connected to the other input terminal of the error amplifier 28, and the difference between the DC voltage detection signal and the reference voltage is output to the pulse width control circuit 30. The pulse width control circuit 30 controls the MO based on the output of the error amplifier 28 so that the output voltage Vo becomes constant.
The pulse conduction width of the S-type FET 22 is controlled.
【０００６】ところで、上記構成のスイッチング電源装
置では、力率改善回路５の昇圧作用により、平滑コンデ
ンサ９の両端間に例えば 360〜 400Ｖの高電圧が発生す
るが、誤差増幅器13における入出力の電圧は数Ｖ程度で
低く、平滑コンデンサ９の一端から誤差増幅器13の入力
端子に至るラインが、何等かの原因でオープン（開放）
状態になりやすい。よって、この場合は、誤差増幅器13
には直流電圧検出信号が入力しなくなり、パルス幅制御
回路15からＭＯＳ型ＦＥＴ７を略全開（オン）させよう
とする駆動信号が出力されるので、平滑コンデンサ９の
耐電圧を超えて直流電圧Ｖｉが上昇し、平滑コンデンサ
９が破損するという不具合を生じる。In the switching power supply having the above configuration, a high voltage of, for example, 360 to 400 V is generated across the smoothing capacitor 9 due to the boosting action of the power factor improving circuit 5. Is as low as several volts, and the line from one end of the smoothing capacitor 9 to the input terminal of the error amplifier 13 is open for some reason.
Easy to be in a state. Therefore, in this case, the error amplifier 13
Does not receive a DC voltage detection signal, and a drive signal for causing the MOS type FET 7 to be almost fully opened (turned on) is output from the pulse width control circuit 15, so that the DC voltage Vi exceeds the withstand voltage of the smoothing capacitor 9. Rises, and the smoothing capacitor 9 is damaged.
【０００７】こうした問題に対処するには、２個の抵抗
素子を並列接続して抵抗11を構成し、仮に一方の抵抗素
子がオープンになっても、他方の抵抗素子により誤差増
幅器13に直流電圧検出信号を供給することが考えられ
る。しかし、このような構成では、抵抗11を構成する各
抵抗素子以外の、例えば平滑コンデンサ９の一端から抵
抗11に至るラインがオープンになれば、誤差増幅器13へ
の直流電圧検出信号の供給が途絶えてしまい、全く効果
がない。また、抵抗11の両端間は高電圧が加わるため、
実際には複数の抵抗素子を直列接続せざるを得ず、これ
らの各抵抗素子毎にさらに別の抵抗素子を並列接続する
ことは、基板実装やコストの面からも著しく不利であ
る。In order to cope with such a problem, two resistors are connected in parallel to form a resistor 11. Even if one resistor is opened, the other resistor causes a DC voltage to be supplied to the error amplifier 13. It is conceivable to provide a detection signal. However, in such a configuration, supply of the DC voltage detection signal to the error amplifier 13 is interrupted if, for example, a line from one end of the smoothing capacitor 9 to the resistor 11 other than the respective resistance elements forming the resistor 11 is opened. It has no effect at all. Since a high voltage is applied between both ends of the resistor 11,
In practice, a plurality of resistance elements must be connected in series, and connecting another resistance element in parallel for each of these resistance elements is extremely disadvantageous in terms of substrate mounting and cost.
【０００８】そこで、本発明は上記問題点に鑑み、簡単
な構成により、スイッチング素子が略オン状態になる事
態が発生しても、平滑コンデンサの破損を確実に防止す
ることのできる電源装置を提供することをその目的とす
る。In view of the above problems, the present invention provides a power supply device having a simple configuration and capable of reliably preventing a smoothing capacitor from being damaged even when a switching element is substantially turned on. Its purpose is to
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明における電源装置
は、交流電源電圧を整流する整流回路と、スイッチング
素子をスイッチングして前記交流電源電圧の電流波形と
電圧波形とを近付け、平滑コンデンサから平滑した直流
電圧を供給する力率改善回路とを備えた電源装置におい
て、前記平滑コンデンサの耐電圧以下のツェナー電圧特
性を有するツェナーダイオードを、該平滑コンデンサの
両端間に接続すると共に、前記ツェナーダイオードの短
絡時に溶断するヒューズを前記整流回路の入力側に接続
したものである。A power supply device according to the present invention comprises a rectifier circuit for rectifying an AC power supply voltage, and a switching element for switching a current waveform and a voltage waveform of the AC power supply voltage closer to each other so that a smoothing capacitor smoothes the AC power supply voltage. And a power factor improving circuit for supplying a DC voltage, wherein a Zener diode having a Zener voltage characteristic equal to or less than the withstand voltage of the smoothing capacitor is connected between both ends of the smoothing capacitor, and A fuse that blows when a short circuit occurs is connected to the input side of the rectifier circuit.
【００１０】上記構成によれば、何等かの原因でスイッ
チング素子が略オン状態になったとしても、平滑コンデ
ンサの両端間に発生する直流電圧は、ツェナーダイオー
ドのツェナー電圧にてクランプされる。したがって、こ
のツェナーダイオードのツェナー電圧特性が、平滑コン
デンサの耐電圧以下であれば、平滑コンデンサの破損を
確実に防止できる。また、ツェナーダイオードに流れ込
む逆方向電流が増加して、万一ツェナーダイオードが短
絡破壊に至っても、過電流保護用のヒューズが溶断し
て、後段の整流回路や力率改善回路を確実に保護でき
る。さらに、ツェナーダイオードとヒューズを付加した
だけの簡単な構成であるため、基板実装やコストの面の
負担が少ない。According to the above configuration, even if the switching element is substantially turned on for some reason, the DC voltage generated between both ends of the smoothing capacitor is clamped by the Zener voltage of the Zener diode. Therefore, if the Zener voltage characteristic of the Zener diode is equal to or lower than the withstand voltage of the smoothing capacitor, it is possible to reliably prevent the smoothing capacitor from being damaged. Also, even if the reverse current flowing into the Zener diode increases and the Zener diode is short-circuited, the fuse for overcurrent protection is blown and the rectifier circuit and the power factor correction circuit at the subsequent stage can be reliably protected. . Furthermore, since it has a simple configuration in which a zener diode and a fuse are simply added, there is little burden on substrate mounting and cost.
【００１１】[0011]
【発明の実施形態】以下、本発明における電源装置の一
実施例について、図１を参照しながら説明する。なお、
前記従来例で示した図２と同一部分には同一符号を付
し、重複する部分の説明を省略して異なる部分について
のみ説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the power supply device according to the present invention will be described below with reference to FIG. In addition,
The same parts as those in FIG. 2 shown in the conventional example are denoted by the same reference numerals, and the description of the overlapping parts will be omitted, and only different parts will be described.
【００１２】図１において、41，42は、平滑コンデンサ
９の両端間に直列接続されたツェナーダイオードであ
る。このツェナーダイオード41，42は、力率改善回路５
のスイッチング素子であるＭＯＳ型ＦＥＴ７が略オン状
態に陥った場合でも、平滑コンデンサ９の両端間に発生
する直流電圧Ｖｉを、平滑コンデンサ９の耐電圧以下に
クランプするものである。このために、ツェナーダイオ
ード41，42は、各々のツェナー電圧の合計値が、平滑コ
ンデンサ９の耐電圧以下になる特性のものを選定してい
る。なお、一般的なツェナーダイオードの仕様では、ツ
ェナー電圧が直流電圧Ｖｉ（ 360〜 400Ｖ）ひいては平
滑コンデンサ９の耐電圧よりも低いために、本実施例で
は２個のツェナーダイオード41，42を用いているが、平
滑コンデンサ９の耐電圧が低い場合には、単一のツェナ
ーダイオードで構成してもよい。また、本実施例のよう
にツェナーダイオード41，42を複数用いる場合は、各ツ
ェナーダイオード41，42の特性を同一にすることが、特
定のツェナーダイオード41，42に対する電力の集中を防
ぐ上で好ましい。In FIG. 1, reference numerals 41 and 42 denote Zener diodes connected in series between both ends of a smoothing capacitor 9. The Zener diodes 41 and 42 are connected to the power factor improving circuit 5.
The DC voltage Vi generated between both ends of the smoothing capacitor 9 is clamped below the withstand voltage of the smoothing capacitor 9 even when the MOS-type FET 7 serving as the switching element is substantially turned on. For this reason, the Zener diodes 41 and 42 are selected to have a characteristic in which the total value of the respective Zener voltages is equal to or less than the withstand voltage of the smoothing capacitor 9. In the general specifications of the Zener diode, the Zener voltage is lower than the DC voltage Vi (360 to 400 V) and, therefore, the withstand voltage of the smoothing capacitor 9. Therefore, in this embodiment, two Zener diodes 41 and 42 are used. However, when the withstand voltage of the smoothing capacitor 9 is low, a single zener diode may be used. When a plurality of Zener diodes 41 and 42 are used as in the present embodiment, it is preferable to make the characteristics of each Zener diode 41 and 42 the same in order to prevent concentration of power to specific Zener diodes 41 and 42. .
【００１３】43は、ツェナーダイオード41，42の短絡時
に溶断する過電流保護用のヒューズである。このヒュー
ズ43は、力率改善回路５のみならず整流回路４をも保護
するために、整流回路４の入力側に接続される。なお、
それ以外の各部の構成は、前記図２に示したものと全く
同一である。Reference numeral 43 denotes a fuse for overcurrent protection which is blown when the Zener diodes 41 and 42 are short-circuited. This fuse 43 is connected to the input side of the rectifier circuit 4 to protect not only the power factor correction circuit 5 but also the rectifier circuit 4. In addition,
The configuration of other parts is completely the same as that shown in FIG.
【００１４】次に、上記構成につきその作用を説明す
る。正常の動作時においては、誤差増幅器13の一方の入
力端子に、直流電圧Ｖｉを抵抗11，12で分圧した直流電
圧検出信号が印加される。パルス幅制御回路15は、誤差
増幅器13から出力される、直流電圧検出信号と基準電圧
との差異に基づき、直流電圧Ｖｉが一定になるように、
ＭＯＳ型ＦＥＴ７のパルス導通幅を制御する。これによ
り、商用電源１からの交流電源電圧の電流波形と電圧波
形が近付き、入力力率の改善がなされる。直流電圧Ｖｉ
は、別のＭＯＳ型ＦＥＴ22をスイッチングすることによ
り、トランス21の一次巻線に断続的に印加される。トラ
ンス21の二次巻線に誘起される電圧は、整流平滑回路23
により整流平滑され、出力電圧Ｖｏとして出力端子24，
25間に出力されるが、この出力電圧Ｖｏを抵抗26，27で
分圧した出力電圧検出信号は、誤差増幅器28により基準
電源29の基準電圧と比較され、その差異がパルス幅制御
回路30に出力される。これにより、パルス幅制御回路30
は、出力電圧Ｖｏが一定になるように、ＭＯＳ型ＦＥＴ
22のパルス導通幅を制御する。Next, the operation of the above configuration will be described. During normal operation, a DC voltage detection signal obtained by dividing the DC voltage Vi by the resistors 11 and 12 is applied to one input terminal of the error amplifier 13. The pulse width control circuit 15 controls the DC voltage Vi based on the difference between the DC voltage detection signal output from the error amplifier 13 and the reference voltage so that the DC voltage Vi is constant.
The pulse conduction width of the MOS FET 7 is controlled. As a result, the current waveform and the voltage waveform of the AC power supply voltage from the commercial power supply 1 approach each other, and the input power factor is improved. DC voltage Vi
Is intermittently applied to the primary winding of the transformer 21 by switching another MOS FET 22. The voltage induced in the secondary winding of the transformer 21 is
Rectified and smoothed by the output terminal 24,
An output voltage detection signal obtained by dividing the output voltage Vo by resistors 26 and 27 is compared with a reference voltage of a reference power supply 29 by an error amplifier 28, and the difference is sent to a pulse width control circuit 30. Is output. Thereby, the pulse width control circuit 30
Is a MOS type FET so that the output voltage Vo is constant.
22 pulse conduction widths are controlled.
【００１５】一方、平滑コンデンサ９の一端から誤差増
幅器13の入力端子に至るラインが、何等かの原因でオー
プン状態になると、誤差増幅器13には直流電圧検出信号
が入力しなくなり、パルス幅制御回路15からＭＯＳ型Ｆ
ＥＴ７を略オンさせようとする駆動信号が出力される。
しかし、本実施例では、直流電圧Ｖｉが平滑コンデンサ
９の耐電圧よりも低く設定したツェナーダイオード41，
42のツェナー電圧（合計値）に達すると、ツェナーダイ
オード41，42の逆方向電流が流れ込んで、直流電圧Ｖｉ
がクランプされる。したがって、直流電圧Ｖｉが耐電圧
以上に達することによる平滑コンデンサ９の破損を防止
できる。また、ツェナーダイオード41，42に流れ込む逆
方向電流が増加して、ツェナーダイオード41，42が短絡
破壊に至ると、今度は過電流保護用のヒューズ43が溶断
する。よって、力率改善回路５のみならず整流回路４を
含めた電源装置の各回路素子を、ツェナーダイオード4
1，42の短絡破壊から確実に保護することが可能にな
る。On the other hand, if the line from one end of the smoothing capacitor 9 to the input terminal of the error amplifier 13 is opened for some reason, the DC voltage detection signal is not input to the error amplifier 13 and the pulse width control circuit MOS type F from 15
A drive signal for substantially turning on ET7 is output.
However, in the present embodiment, the Zener diode 41, in which the DC voltage Vi is set lower than the withstand voltage of the smoothing capacitor 9,
When the Zener voltage (total value) of the Zener diodes 42 is reached, the reverse current of the Zener diodes 41 and 42 flows, and the DC voltage Vi
Is clamped. Therefore, it is possible to prevent the smoothing capacitor 9 from being damaged due to the DC voltage Vi reaching the withstand voltage or more. When the reverse current flowing into the Zener diodes 41 and 42 increases and the Zener diodes 41 and 42 are short-circuited, the fuse 43 for overcurrent protection is blown. Therefore, each circuit element of the power supply including the rectifier circuit 4 as well as the power factor improvement circuit 5 is connected to the Zener diode 4.
It is possible to reliably protect against short circuit breakdown of 1,42.
【００１６】以上のように、上記実施例によれば、何等
かの原因でＭＯＳ型ＦＥＴ７が略オン状態になったとし
ても、平滑コンデンサ９の両端間に発生する直流電圧Ｖ
ｉは、ツェナーダイオード41，42のツェナー電圧（合計
値）にてクランプされる。したがって、このツェナーダ
イオード41，42のツェナー電圧特性が、平滑コンデンサ
９の耐電圧以下であれば、平滑コンデンサ９の破壊を確
実に防止できる。また、ツェナーダイオード41，42に流
れ込む逆方向電流が増加して、万一ツェナーダイオード
41，42が短絡破壊に至っても、過電流保護用のヒューズ
43が溶断して、後段の整流回路４や力率改善回路５の破
損を確実に保護できる。さらに、ツェナーダイオード4
1，42とヒューズ43を付加しただけの簡単な構成である
ため、基板実装やコストの面の負担が少ない。As described above, according to the above-described embodiment, even if the MOS type FET 7 is substantially turned on for some reason, the DC voltage V generated across the smoothing capacitor 9 is obtained.
i is clamped by the Zener voltage (total value) of the Zener diodes 41 and 42. Therefore, if the Zener voltage characteristics of the Zener diodes 41 and 42 are lower than the withstand voltage of the smoothing capacitor 9, the destruction of the smoothing capacitor 9 can be reliably prevented. Also, the reverse current flowing into the Zener diodes 41 and 42 increases, and
Fuse for overcurrent protection even if short circuit breaks in 41 and 42
As a result, the rectifier circuit 4 and the power factor correction circuit 5 at the subsequent stage can be reliably protected from being damaged. In addition, Zener diode 4
Since it is a simple configuration in which the fuses 43 are added only to the components 1 and 42, the burden on the substrate mounting and cost is small.
【００１７】つまり、交流電源電圧を整流する整流回路
４と、ＭＯＳ型ＦＥＴ７をスイッチングして前記交流電
源電圧の電流波形と電圧波形とを近付け、平滑コンデン
サ９から平滑した直流電圧を供給する力率改善回路５と
を備えた電源装置において、平滑コンデンサ９の耐電圧
以下のツェナー電圧特性を有するツェナーダイオード4
1，42を、平滑コンデンサ９の両端間に接続すると共
に、ツェナーダイオード41，42の短絡時に溶断するヒュ
ーズ43を、整流回路４の入力側に接続すれば、簡単な構
成により、ＭＯＳ型ＦＥＴ７が略オン状態になる事態が
発生しても、平滑コンデンサ９の破損を確実に防止で
き、また万一ツェナーダイオード41，42が短絡破壊して
も、電源装置の各回路素子を確実に保護することが可能
になる。That is, the rectifier circuit 4 for rectifying the AC power supply voltage and the power factor for switching the MOS FET 7 to bring the current waveform and the voltage waveform of the AC power supply voltage closer to each other and supply a smoothed DC voltage from the smoothing capacitor 9. And a Zener diode having a Zener voltage characteristic equal to or lower than the withstand voltage of the smoothing capacitor.
By connecting the resistors 1 and 42 between both ends of the smoothing capacitor 9 and connecting the fuse 43 that blows when the Zener diodes 41 and 42 are short-circuited to the input side of the rectifier circuit 4, the MOS-type FET 7 has a simple configuration. Even if a substantially ON state occurs, the smoothing capacitor 9 can be reliably prevented from being damaged, and even if the zener diodes 41 and 42 are short-circuited and broken, each circuit element of the power supply device is reliably protected. Becomes possible.
【００１８】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨の範囲において種々の変形実
施が可能である。例えば、ヒューズ43は、商用電源１か
ら整流回路４に至る交流電源電圧ラインのどちら側に接
続しても構わない。また、力率改善回路のスイッチング
素子は、本実施例のようなＭＯＳ型ＦＥＴ以外のものを
用いてもよい。The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the present invention. For example, the fuse 43 may be connected to either side of the AC power supply voltage line from the commercial power supply 1 to the rectifier circuit 4. Further, the switching element of the power factor correction circuit may be other than the MOSFET of the present embodiment.
【００１９】[0019]
【発明の効果】本発明の電源装置は、交流電源電圧を整
流する整流回路と、スイッチング素子をスイッチングし
て前記交流電源電圧の電流波形と電圧波形とを近付け、
平滑コンデンサから平滑した直流電圧を供給する力率改
善回路とを備えた電源装置において、前記平滑コンデン
サの耐電圧以下のツェナー電圧特性を有するツェナーダ
イオードを、該平滑コンデンサの両端間に接続すると共
に、前記ツェナーダイオードの短絡時に溶断するヒュー
ズを前記整流回路の入力側に接続したものであり、簡単
な構成により、スイッチング素子が略オン状態になる事
態が発生しても、平滑コンデンサの破損を確実に防止で
き、また万一ツェナーダイオードが短絡破壊しても、電
源装置の各回路素子を確実に保護することが可能にな
る。According to the power supply device of the present invention, a rectifier circuit for rectifying an AC power supply voltage and a switching element are switched to bring a current waveform and a voltage waveform of the AC power supply voltage closer to each other.
A power factor improving circuit that supplies a smoothed DC voltage from the smoothing capacitor, wherein a Zener diode having a Zener voltage characteristic equal to or less than the withstand voltage of the smoothing capacitor is connected between both ends of the smoothing capacitor, A fuse that blows when the Zener diode is short-circuited is connected to the input side of the rectifier circuit.With a simple configuration, even if a switching element is substantially turned on, damage to the smoothing capacitor can be reliably prevented. Thus, even if the Zener diode is short-circuited and broken, each circuit element of the power supply device can be reliably protected.
【図１】本発明の一実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention.
【図２】従来例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a conventional example.
１ 商用電源 ４ 整流回路 ５ 力率改善回路 ７ ＭＯＳ型ＦＥＴ（スイッチング素子） ９ 平滑コンデンサ 41，42 ツェナーダイオード 43 ヒューズ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Commercial power supply 4 Rectifier circuit 5 Power factor improvement circuit 7 MOS type FET (switching element) 9 Smoothing capacitor 41, 42 Zener diode 43 Fuse
Claims (1)
イッチング素子をスイッチングして前記交流電源電圧の
電流波形と電圧波形とを近付け、平滑コンデンサから平
滑した直流電圧を供給する力率改善回路とを備えた電源
装置において、前記平滑コンデンサの耐電圧以下のツェ
ナー電圧特性を有するツェナーダイオードを、該平滑コ
ンデンサの両端間に接続すると共に、前記ツェナーダイ
オードの短絡時に溶断するヒューズを前記整流回路の入
力側に接続したことを特徴とする電源装置。1. A rectifier circuit for rectifying an AC power supply voltage, a power factor improving circuit for switching a switching element to approximate a current waveform and a voltage waveform of the AC power supply voltage and supplying a smoothed DC voltage from a smoothing capacitor. In the power supply device, a Zener diode having a Zener voltage characteristic equal to or less than the withstand voltage of the smoothing capacitor is connected between both ends of the smoothing capacitor, and a fuse that blows when the Zener diode is short-circuited is connected to the input of the rectifier circuit. A power supply device connected to the side.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9141578A JPH10337004A (en) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | Power supply |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9141578A JPH10337004A (en) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | Power supply |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10337004A true JPH10337004A (en) | 1998-12-18 |
Family
ID=15295256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9141578A Pending JPH10337004A (en) | 1997-05-30 | 1997-05-30 | Power supply |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10337004A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001314083A (en) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Densei Lambda Kk | Power factor improving circuit |
| JP2011004551A (en) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Funai Electric Co Ltd | Electric apparatus |
| JP2011151988A (en) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Funai Electric Co Ltd | Power supply circuit |
| JP2015195654A (en) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 株式会社富士通ゼネラル | rectifier |
| WO2023219186A1 (en) * | 2022-05-12 | 2023-11-16 | 엘지전자 주식회사 | Power supply device, operation method thereof, and display device |
-
1997
- 1997-05-30 JP JP9141578A patent/JPH10337004A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2015195654A (en) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 株式会社富士通ゼネラル | rectifier |
| WO2023219186A1 (en) * | 2022-05-12 | 2023-11-16 | 엘지전자 주식회사 | Power supply device, operation method thereof, and display device |
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