JPH10338598A - 単結晶保持装置及び単結晶保持方法 - Google Patents
単結晶保持装置及び単結晶保持方法Info
- Publication number
- JPH10338598A JPH10338598A JP15921197A JP15921197A JPH10338598A JP H10338598 A JPH10338598 A JP H10338598A JP 15921197 A JP15921197 A JP 15921197A JP 15921197 A JP15921197 A JP 15921197A JP H10338598 A JPH10338598 A JP H10338598A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- holding
- polygonal link
- polygonal
- crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
寸法の再現性の良い部位を保持するとともに、単結晶の
収縮に伴う保持力の低下に対応できるようにする。 【解決手段】 結晶引き上げワイヤに同期して昇降なら
びに回転する単結晶保持装置の2本の保持ロッド11の
下端に、複数の等辺リンク14aを連結してなり、リン
クピン14bの位置を移動させることによって水平面内
で変形可能な多角形リンク体14を連結する。単結晶9
を取り囲む多角形リンク体14を所定の位置に設置した
後、保持ロッド11を水平方向に移動させ、多角形リン
ク体14を正方形から菱形に変形させて単結晶9の直胴
部を挟み込む。単結晶9が冷却して収縮し、多角形リン
ク体14の保持力が低下した場合は、保持ロッド11を
更に移動させて保持力を回復させる。また、多角形リン
ク体14が単結晶9の稜線に当接しないように種結晶の
装着方向を選択する。
Description
晶製造装置に装着され、特に大重量の単結晶の製造に好
適な単結晶保持装置及び単結晶保持方法に関する。
製造されている。CZ法は、単結晶製造装置内に設置し
た石英るつぼに多結晶シリコンを充填し、石英るつぼの
周囲に設けたヒータによって前記多結晶シリコンを加熱
溶解した上、シードホルダに取り付けた種結晶を融液に
浸漬する。そして、シードホルダ及び石英るつぼを互い
に同方向または逆方向に回転させながらシードホルダを
引き上げて単結晶シリコンを所定の直径及び長さに成長
させる方法である。
で転位が発生する。この転位を単結晶に伝播させないよ
うにするため、ダッシュネック法を用いて直径数mm程
度のネック部を種結晶の下方に形成し、転位をネック部
の表面に逃がす。そして、無転位化が確認された後、肩
部を形成して単結晶を所定の直径まで拡大させ、次いで
直胴部形成に移行する。
てその重量が増大し、ネック部の強度が限界に近づいて
いる。そのため、従来の結晶引き上げ方法ではネック部
が破断するおそれがあり、安全な単結晶育成ができな
い。この対策として、ダッシュネック法によって無転位
化した後の拡径工程において単結晶の直径をいったん絞
り込んでくびれ部を形成し、このくびれ部に保持具を掛
止して単結晶を保持する種々の工夫がなされている。単
結晶重量の大部分を保持具で支えるため、ネック部の破
断が防止され、ネック部が破断した場合でも保持具によ
り単結晶の落下を防止することができる。
示された単結晶成長装置は、単結晶に形成したくびれ部
に掛止させて前記単結晶を吊り下げる開閉可能なクラン
プアームを備えている。また、特公平7−515号公報
で開示された結晶引上装置は、上下動可能な把持ホルダ
の下端に一定の角度で停止する複数の爪を備え、これら
の爪を単結晶のくびれ部に掛止させて前記単結晶を吊り
下げる構成としている。更に、特公平7−103000
号公報で開示された結晶引上装置は、単結晶のくびれ部
に掛止する爪を有し、ワイヤの巻き取りまたは巻き戻し
により開閉する複数の把持レバーと、把持レバーの開き
を防止するリングとを用いて前記単結晶を吊り下げる構
成としている。その他、特開平9−2893号公報、特
開平5−270934号公報等が開示されている。
に形成したくびれ部を各種の保持具で保持する場合、下
記の問題点がある。 (1)くびれ部を形成する場合、結晶引き上げ速度や融
液温度を調整して形状を制御するため、ねらいの形状を
再現性良く形成することが困難で、保持具の掛止具合が
単結晶ごとに異なってしまう。 (2)保持具に機械的な圧力を加えて単結晶を保持する
場合、単結晶の冷却に伴う収縮により保持力が低下し、
単結晶を確実に保持することができなくなるが、この問
題を解決する方策は確立されていない。 (3)一般的に、単結晶の外周面には結晶方位による晶
癖線(稜線)が発生し、この稜線は単結晶の外周面から
突起している。そのため、単結晶を保持する保持具が稜
線に当接して保持力が加えられると、稜線が欠けること
がある。そして、欠落した単結晶の破片が融液に落下す
ると、育成中の単結晶を有転位化させてしまう。また、
前記稜線の欠けた部位が破壊起点となって単結晶が破壊
し、融液に落下することも起こり得る。従って、保持具
と単結晶の稜線とが一致しないように制御する必要があ
るが、この点を明確化した単結晶保持方法は開示されて
いない。
れたもので、大重量の単結晶を保持する際に、形状、寸
法の再現性の良い部位を保持し、単結晶の冷却に伴う収
縮による保持力の低下に対応することが可能で、かつ、
保持部位が単結晶の稜線と一致しないように制御するこ
とができる単結晶保持装置及び単結晶保持方法を提供す
ることを目的としている。
め、本発明に係る単結晶保持装置は、複数のリンクを連
結してなり、リンクピンの位置を移動させることにより
水平面内で変形可能な多角形リンク体と、単結晶を挟持
するために多角形リンク体を変形させる手段と、多角形
リンク体を結晶引き上げワイヤと同期して回転及び昇降
させる手段と、結晶引き上げワイヤに加わる荷重を検出
する引き上げワイヤ用ロードセルと、結晶引き上げワイ
ヤに加わる荷重と多角形リンク体に加わる荷重との合計
荷重を検出する合計荷重用ロードセルと、前記の各手段
を制御する制御装置とを備えていることを特徴とする。
本発明の単結晶保持装置は、単結晶を取り囲むように配
置した多角形リンク体を変形させて単結晶を挟持するも
のである。上記構成によれば、多角形リンク体の変形に
より対向位置にあるリンクの間隔が狭くなるので、単結
晶を前記リンクで挟み込むことができる。多角形リンク
体は、結晶引き上げワイヤと同期して回転及び昇降する
ので、単結晶を挟持する際に結晶引き上げワイヤと多角
形リンク体との回転速度差あるいは上昇速度差による摩
擦が起こらない。多角形リンク体で単結晶を挟持した後
の結晶引き上げ速度は、結晶引き上げワイヤのみによる
引き上げ速度と同一である。また、結晶引き上げワイヤ
に加わる荷重すなわちネック部に加わる荷重は引き上げ
ワイヤ用ロードセルが検出し、多角形リンク体に加わる
荷重は合計荷重用ロードセルの検出値と引き上げワイヤ
用ロードセルの検出値との差として検出され、これらの
値に基づいて制御装置が単結晶の育成及び荷重配分の制
御を行う。
ヤ巻き取り機構と、引き上げワイヤ用ロードセルと、多
角形リンク体駆動機構とを単結晶製造装置の上部に設け
た真空容器に収納し、前記真空容器と、真空容器に加わ
る荷重を検出する合計荷重用ロードセルと、真空容器回
転機構とを昇降自在のキャリッジに搭載したことを特徴
とする。上記構成によれば、結晶引き上げワイヤ巻き取
り機構、多角形リンク体駆動機構及び前記2種類のロー
ドセルを昇降自在のキャリッジに搭載したので、単結晶
の引き上げは結晶引き上げワイヤの巻き取り、キャリッ
ジの上昇のいずれによっても可能となる。
ンク体駆動機構の第1は、モータまたは流体圧アクチュ
エータと、単結晶製造装置内に垂直に保持され、前記モ
ータまたは流体圧アクチュエータにより水平方向に移動
する2本の保持ロッドとからなる多角形リンク体駆動機
構を有し、前記保持ロッドの下端に多角形リンク体の対
向位置にあるリンクピンを連結したことを特徴とする。
上記構成によれば、保持ロッドは垂直姿勢を維持しつつ
水平方向に動くので、保持ロッドの下端に連結された多
角形リンク体が変形して単結晶を保持する。
ンク体駆動機構の第2は、2個のワイヤ巻き取りドラム
と、前記ワイヤ巻き取りドラムから垂下する2本の多角
形リンク体駆動ワイヤと、真空容器の下端に設置した複
数個の滑車と、多角形リンク体駆動ワイヤの巻き取りに
伴って多角形リンク体のリンクピンを横方向に移動させ
るガイドプレートとからなる多角形リンク体駆動機構を
有し、前記ワイヤの下端に多角形リンク体の対向位置に
あるリンクピンを連結したことを特徴とする。多角形リ
ンク体の対向位置にあるリンクピンにそれぞれ多角形リ
ンク体駆動ワイヤを連結し、これらのワイヤをワイヤ巻
き取り機構で巻き取るようにすれば、前記リンクピンが
横方向に移動するので、多角形リンク体が変形して単結
晶を保持する。
より単結晶が収縮し、単結晶保持装置の保持力が低下し
た場合の保持力回復機能を有し、引き上げた単結晶を単
結晶製造装置から取り出すまで保持力を維持することを
特徴とする。単結晶が収縮すると、結晶引き上げワイヤ
に加わる荷重が異常に増加し、単結晶保持装置に加わる
荷重が減少する。引き上げワイヤ用ロードセルの検出値
があらかじめ定められた設定荷重を超えると、制御装置
の指令信号により保持ロッドを更に移動させ、あるいは
多角形リンク体駆動ワイヤを更に巻き取るので、多角形
リンク体の単結晶保持力が回復し、その状態を常に維持
することができる。
リンク体を構成するリンクの内側面に、単結晶のくびれ
部を保持するための円弧状の断面をもつ保持部材を取着
したことを特徴とする。多角形リンク体に単結晶のくび
れ部を包囲する保持部材を取着すれば、単結晶の直胴部
のみならずくびれ部を保持することも可能である。その
場合、円弧状の断面をもつ保持部材がくびれ部近傍の円
錐面を担持し、くびれ部を締めつけないので、くびれ部
の損傷、破壊が防止される。
結晶を取り囲む多角形リンク体を所定の位置に下降させ
た後、保持ロッドの水平方向移動または多角形リンク体
駆動ワイヤの巻き上げにより多角形リンク体を変形させ
て単結晶の直胴部を挟持することを特徴とする。上記構
成によれば、多角形リンク体を変形させて単結晶の直胴
部を挟み込み、所定の力で締めつけることにより、単結
晶を保持することができる。
ネック部と単結晶の肩部との間に形成したくびれ部また
は単結晶の直胴部に形成したくびれ部を、多角形リンク
体の内側面に取着した保持部材で保持することを特徴と
する。多角形リンク体を変形させ、保持部材で単結晶の
くびれ部を包囲した後、多角形リンク体を僅かに上昇さ
せてくびれ部に当接させれば、くびれ部を締めつけるこ
となく単結晶を保持することができる。
体が単結晶に当接する位置と単結晶の稜線とが一致しな
いように、種結晶または単結晶保持装置を設置すること
を特徴とする。稜線の発生位置、本数は結晶方位によっ
て異なるが、上記構成によれば、多角形リンク体で単結
晶を締め付けても稜線の圧壊が回避され、育成中の単結
晶に悪影響を及ぼさない。
晶の育成中に、単結晶重量の一部または全部を単結晶保
持装置に負担させ、重量の一部を負担させる場合はネッ
ク部が破断しない重量をネック部に負担させることを特
徴とする。上記構成によれば、単結晶保持装置とネック
部とに対する負担重量をあらかじめ定めておき、引き上
げワイヤ用ロードセル及び合計荷重用ロードセルの検出
信号に基づいて制御装置が前記重量配分を制御するの
で、大重量の単結晶引き上げにおいてもネック部の破断
が起こらない。
結晶保持装置及び単結晶保持方法の実施例について図面
を参照して説明する。図1は単結晶保持装置の第1実施
例の概略構造を示す模式的縦断面図である。単結晶製造
装置1の上端に設置された真空容器2は、支持板2a、
2bにより3分割され、支持板2b上に結晶引き上げワ
イヤ3の巻き取りを行うワイヤ巻き取りドラム4と、結
晶引き上げワイヤ3にかかる荷重を検出する引き上げワ
イヤ用ロードセル5とが設置されている。結晶引き上げ
ワイヤ3は単結晶製造装置1の中心を垂下してその下端
にシードホルダ6が釣支され、シードホルダ6に取着さ
れた種結晶7の下端にダッシュネック法によるネック部
8を形成した後、単結晶9が育成される。
10の構成部材である2本の柱状の保持ロッド11を水
平方向に移動させる保持ロッド駆動モータ12が設置さ
れている。前記保持ロッド駆動モータ12の左右両端か
ら水平方向に突出するモータ軸13は同期回転するボー
ルネジを有し、モータ軸13には保持ロッド11の上端
が螺合されている。保持ロッド11は単結晶製造装置1
内に垂直に設置され、下端には多角形リンク体14が装
着されている。なお、保持ロッド11の駆動手段として
左右両方向に伸縮する油圧シリンダまたは空圧シリンダ
を用いてもよい。
着され、支持板2bは前記プーリ15上に設置された合
計荷重用ロードセル16に担持されている。合計荷重用
ロードセル16は、結晶引き上げワイヤ3にかかる荷重
と単結晶保持装置10にかかる荷重との合計荷重を検出
して図示しない制御装置に入力する。制御装置は、前記
合計荷重検出値と引き上げワイヤ用ロードセル5の検出
値とに基づいて、単結晶保持装置10が負担している荷
重を算出する。真空容器2は、真空シール17を介して
キャリッジ18に搭載され、キャリッジ18に設置され
た回転用モータ19により回転する。また、前記プーリ
15はキャリッジ18に設置された支持筒20にスラス
ト軸受21を介して担持されている。前記キャリッジ1
8は図示しない昇降手段、たとえばボールネジ軸の回転
により昇降可能で、キャリッジ18とともに真空容器2
が昇降する。更に、キャリッジ18とゲートチャンバ2
2とは伸縮自在のベローズ23で連結され、ゲートチャ
ンバ22の下端はトップチャンバ24を介して図示しな
いメインチャンバに連結されている。
の多角形リンク体14は4個の等辺リンク14aをリン
クピン14bで互いに連結したもので、対角線上の2本
のリンクピンにそれぞれ保持ロッド11の下端が連結さ
れている。2本の保持ロッド11が中心側に移動したと
き多角形リンク体14は正方形となり、保持ロッド11
が外方に移動したとき多角形リンク体14は菱形に変形
して単結晶9を挟み込む。保持ロッド11、等辺リンク
14a、リンクピン14bはモリブデン等の耐熱金属を
用いて製作されている。なお、保持ロッド11が中心側
に移動したとき多角形リンク体14が菱形に変形する構
造としてもよい。
力を高めるため、図3に示すように等辺リンク14aの
内側面に凹凸14cを設けてもよく、図4に示すように
円弧上の凸部14dを設けてもよい。
る。図1に示した種結晶7をシードホルダ6に装着する
際、多角形リンク体14が単結晶9に発生する稜線に当
接しないように種結晶の装着方向を選択する。絞り工
程、肩部形成及び直胴部形成の途中までの育成は、結晶
引き上げワイヤ3の巻き取り制御により行う。このとき
の単結晶成長は、引き上げワイヤ用ロードセル5の検出
値に基づいて図示しない制御装置により制御される。単
結晶9が保持に適した位置まで成長した後、単結晶保持
装置10の多角形リンク体14と単結晶9との位置合わ
せを行う。第1の単結晶保持方法として、保持に最適な
位置に多角形リンク体14を待機させて単結晶9の成長
を待ち、単結晶9が最適位置まで成長したとき結晶引き
上げワイヤ3の巻き取りを停止し、前記停止直前の結晶
引き上げワイヤ3の巻き取り速度でキャリッジ18の上
昇を開始する。結晶引き上げワイヤ3からキャリッジ1
8への移行は瞬時に行う。単結晶9の直径は引き上げワ
イヤ用ロードセル5、合計荷重用ロードセル16の検出
値によって制御しているので、結晶引き上げワイヤ3か
らキャリッジ18への移行はスムーズに行うことができ
る。また、前記移行後の単結晶育成は重量検出信号を制
御装置がキャリッジ18の上昇速度にフィードバックし
て制御する。
5(a)に示すように4個の等辺リンク14aで形成さ
れる四辺形は正方形で、等辺リンク14aに囲まれた単
結晶の直胴部9a外周面と各等辺リンク14aの内側面
との間には一定の隙間が確保されている。結晶引き上げ
ワイヤ3からキャリッジ18への移行時には、図1に示
した保持ロッド駆動モータ12が回転して保持ロッド1
1を外方に移動させる。これにより多角形リンク体14
が菱形に変形し、図5(b)に示すように直胴部9aを
等辺リンク14aで挟み込んで締めつける。多角形リン
ク体14が変形して直胴部9aに当接するとき単結晶に
振動、衝撃を与えず、また、締めつけにより単結晶に過
度の面圧が発生しないようにするため、制御装置が保持
ロッド駆動モータ12の回転速度及びトルクを制御す
る。
1に示したベローズ23の下端よりも上方の任意の位置
で多角形リンク体14を単結晶9に係合させるため、多
角形リンク体14を速度Va (mm/min)で上昇さ
せる場合、引き上げワイヤ用ロードセル5の検出信号に
基づいて制御装置が指令する結晶引き上げワイヤ3の巻
き取り速度をVb (mm/min)とすると、ワイヤ巻
き取り速度をVb −Va (mm/min)に制御する。
これとは逆に、多角形リンク体14を速度Va(mm/
min)で下降させる場合は、ワイヤ巻き取り速度をV
b +Va (mm/min)に制御する。
14を相対的に移動させることにより、任意の位置で直
胴部を挟み込むことができる。炉内における単結晶の温
度プロファイルをあらかじめ把握しておき、材料力学的
にシリコンが安定する温度帯で単結晶を保持したり、汚
染を防止する等、温度に対する保持位置の制御が可能で
ある。多角形リンク体14を単結晶に係合した後、結晶
引き上げワイヤ3を巻き戻して単結晶重量の一部を単結
晶保持装置側に移す。結晶引き上げワイヤ側にはたとえ
ば5kg前後の荷重を残し、結晶引き上げワイヤ3のた
るみによるワイヤ巻き取りドラム4からの外れを防止す
る。引き上げ可能重量を大きくするには、ネック部8が
破断しない程度の荷重を結晶引き上げワイヤ側に残しつ
つ引き上げを行うのが有利である。従って、結晶引き上
げワイヤ3にかかる荷重を引き上げワイヤ用ロードセル
5でモニタリングし、設定荷重より検出荷重が増えた場
合はワイヤ巻き取りドラム4にフィードバックして結晶
引き上げワイヤ3を巻き戻し、常に一定の荷重がネック
部8にかかるように制御する。
置と単結晶との係合状態がゆるむので、結晶引き上げワ
イヤ側に荷重が移動する。図1において、引き上げワイ
ヤ用ロードセル5による検出値が結晶引き上げワイヤ3
の設定荷重を超えた場合、制御装置の指令信号により保
持ロッド駆動モータ12が回転して保持ロッド11が更
に外方に移動し、多角形リンク体14を更に偏平にさせ
る。このときの保持ロッド駆動モータ12のトルクは、
単結晶9が欠損しない程度の大きさで与えられる。この
ような単結晶の収縮に対する多角形リンク体14の増し
締め機能は、単結晶の育成中のみならず、冷却工程でチ
ャンバ内が解体可能な温度まで下がり、単結晶が搬出装
置に保持されるまでの間継続して維持される。
構造を示す模式図である。この単結晶保持装置は、図1
に示した保持ロッド駆動モータ12及びモータ軸13の
上方に90°ずらして保持ロッド駆動モータと1対のモ
ータ軸及び保持ロッドを増設したもので、単結晶9を上
下2個の多角形リンク体14、25で保持する。これに
より、単結晶保持能力を高めることができる。
て、単結晶の肩部上端に形成したくびれ部を保持する単
結晶保持装置の下部構造の説明図、図8(a)は図7に
示した多角形リンク体の上面図、図8(b)は図8
(a)のA−A断面図である。この単結晶保持装置で
は、多角形リンク体14を構成する4個の等辺リンク1
4aの内側面に円弧状の保持部材14eが取着されてお
り、形状再現性精度の劣るくびれ部9b近傍の外周面を
複数箇所で保持することができる。
部9bを保持する場合は、4個の保持部材14eによっ
て囲まれた部分の内径がくびれ部の最大径と最小径との
間の任意の値となるように多角形リンク体14を変形さ
せればよく、くびれ部を締めつける必要はない。そこ
で、この単結晶保持装置では2本の保持ロッド11が開
き防止板26で連結され、保持ロッド11に取着したガ
イドピン27が前記開き防止板26に設けたガイド溝2
6a内をスライドして保持ロッド11の移動量を制限し
ている。そして、ガイドピン27がガイド溝26aの両
端に当接すると2本の保持ロッド11の間隔が最大とな
り、保持部材14eの内径はくびれ部の最大径と最小径
との間の所定値となる。開き防止板26は、保持部材1
4eによるくびれ部9bの圧壊を防止するとともに、く
びれ部7bを保持したときの多角形リンク体14の剛性
を確保する。
係合させる場合、多角形リンク体14を速度Va (mm
/min)で下降させ、ワイヤ巻き取り速度をVb +V
a (mm/min)に制御して、制御装置が指令する結
晶引き上げ速度Vb (mm/min)を維持する。そし
て、多角形リンク体14をくびれ部9bの最小径の位置
に合わせ、保持ロッド11を外方に駆動して保持部材1
4eの内径を所定値Dとした後、単結晶保持装置を単結
晶に対して相対的に上昇させる。これにより、保持部材
14eはくびれ部9bの上側円錐面に当接する。このと
きの速度操作は第1実施例の場合と同じである。そし
て、所望の荷重を結晶引き上げワイヤに負荷した時点で
単結晶成長速度の制御はキャリッジ上昇手段に瞬時に切
り換えられる。
置を用いる単結晶保持方法の他の実施例を示す説明図で
ある。図9は単結晶の育成に当たり、ネック部8の下端
に拡径部9cを形成し、これに続いて拡径部9cより小
径の直胴部9dを形成した後、所定の直径に拡大する単
結晶の製造において、前記直胴部9dを多角形リンク体
14で保持する方法を示す。また、図10はネック部8
の下端に所定寸法の直胴部より小径の直胴部9dを形成
した後、所定の直径に拡大する単結晶の製造において、
前記直胴部9dを多角形リンク体14で保持する方法を
示している。いずれの場合も、形状、寸法の再現性の良
い直胴部を保持する方法であるため、直胴部9dの寸法
制御が容易で、かつ、単結晶を確実に保持することがで
きる。また、図9、図10に示した単結晶保持装置の場
合は、多角形リンク体を小型化することができる。
て、保持ロッドごとに独立した駆動モータを用い、上下
2組の多角形リンク体を装着した単結晶保持装置におけ
る保持ロッド駆動機構の平面図、図12は図11のZ視
図である。制御装置の指令信号により同期回転する4個
の保持ロッド駆動モータ28が真空容器2の外部に真空
シール29を介して90°ピッチに取着され、各保持ロ
ッド駆動モータ28に取着されたボールネジ軸30はス
ライドブロック31に螺合されている。前記スライドブ
ロック31は、図12に示すように支持板2a上に敷設
されたスライドガイド32によって拘束されながら支持
板2a上を滑動する。保持ロッド11の上端は前記スラ
イドブロック31に結合され、支持板2aに設けられた
切り欠き穴2c内を外方または内方に移動する。対向す
る2個のスライドブロックに結合された1対の保持ロッ
ドの下端に1個の多角形リンク体が連結され、対向する
他の2個のススライドブロックに結合された1対の保持
ロッドの下端に他の1個の多角形リンク体が連結されて
いる。前記保持ロッド駆動モータ28及び保持ロッド1
1を真空容器2の対向する位置に1対だけ設け、保持ロ
ッドの下端に1個の多角形リンク体のみを連結する構成
としてもよい。
す模式的縦断面図、図14は図13のZ視図、図15は
ガイドプレートの平面図で、この保持装置は多角形リン
ク体をワイヤの操作で変形させて単結晶を保持する構成
である。図13に示すように、真空容器2内には、結晶
引き上げワイヤ3の巻き取りを行うワイヤ巻き取りドラ
ム4の上方にモータ34が設置され、このモータ34の
両側にそれぞれワイヤ巻き取りドラム35が取着されて
いる。また、真空容器2の下面の左右両側には図13、
図14に示すように、滑車押さえ板36が取着され、こ
れらの滑車押さえ板36に挟まれて左右各3個の滑車3
7、38、39が取着されている。前記ワイヤ巻き取り
ドラム35に巻き付けられたワイヤ40は真空容器2内
を垂下し、滑車37、38、39を介してブロック41
に繋着され、このブロック41はリンクピン延長軸42
を介して多角形リンク体14のリンクピン14bに連結
している。前記ブロック41には左右方向に水平に突出
する移動軸43が取着されている。
イドプレート44、44が取着されている。ガイドプレ
ート44は図15に示すように、中央部にガイド溝44
aを備えている。このガイド溝44aは図13、図14
に示した移動軸43がスライドする溝で、多角形リンク
体14が待機姿勢のとき、移動軸43はガイド溝44a
内のA位置に静止している。この単結晶保持装置では上
記以外の構造は図1に示した単結晶保持装置と同一であ
り、同一構成要素には図1と同一符号を付して説明を省
略する。
結晶に係合させる場合、制御装置の指令信号によりモー
タ34が回転してワイヤ40が所定量だけ巻き取られ、
ブロック41が滑車39の方向に引き寄せられる。この
とき、移動軸43はガイドプレート44のガイド溝44
aをA位置からB位置にスライドし、ブロック41とと
もにリンクピン延長軸42及びリンクピン14bも外方
に移動するため、多角形リンク体14が正方形から菱形
に変形して単結晶を保持する。
施例の単結晶保持装置における保持ロッドに代えてワイ
ヤを用いて多角形リンク体を駆動する方式としたので、
単結晶保持装置の重量を軽減することができる。
装置及び保持方法によれば、次の効果が得られる。 (1)従来の単結晶保持装置のように、形状、寸法の再
現性が劣るくびれ部を保持せず、単結晶の直胴部を多角
形リンク体で挟み込んで保持することにしたので、保持
状態が一定し、大重量の単結晶をより確実に保持するこ
とができる。また、くびれ部を保持する場合に比べて保
持装置の上下方向の位置調整が著しく容易である。 (2)単結晶を保持する際に、多角形リンク体の変形速
度を制御することにより、単結晶との接触時に振動、衝
撃を与えず、円滑に保持することができる。 (3)多角形リンク体を駆動するモータのトルクまたは
流体圧アクチュエータの流体圧を制御することにより、
常に所望の締めつけ力で単結晶を保持することができ、
単結晶を損傷させない。 (4)ロードセルの検出値に基づいてネック部に加わる
荷重と多角形リンク体に加わる荷重とを配分し、ネック
部荷重を許容範囲内に制御するようにしたので、ネック
部の破断が確実に防止される。また、ネック部荷重を許
容範囲内で任意に設定することができるので、単結晶保
持装置の許容荷重を考慮しつつ前記両者の荷重配分を設
定することにより、引き上げ可能な単結晶重量を増加す
ることが可能である。 (5)結晶引き上げワイヤと多角形リンク体とを同一の
モータで回転させるので、両者の回転速度が正確に一致
する。従って、単結晶を多角形リンク体で保持する際
に、回転速度の微妙な相違によって生じる単結晶と多角
形リンク体との摩擦が起こり得ず、円滑かつ安全に保持
することができる。 (6)結晶引き上げワイヤと単結晶保持装置とを併用し
た単結晶引き上げにおいて、結晶引き上げワイヤのみに
よる単結晶引き上げ時と同様に、単結晶の育成速度を所
望の値に制御しつつ単結晶を保持することが可能のた
め、従来から行われている高精度の結晶育成技術を容易
に適用することができる。 (7)種結晶をシードホルダに装着する際に、多角形リ
ンク体が単結晶の稜線に当接しないように装着方向を選
択することにしたので、稜線の欠損を避けることがで
き、育成中の単結晶に悪影響を与えない。 (8)単結晶の収縮により保持力が低下した場合、保持
力を回復させることができるので、単結晶が落下するお
それがなく、安全性が高い。 (9)多角形リンク体にアタッチメントとして保持部材
を取着すれば、形状、寸法にバラツキをもつくびれ部を
保持することも可能である。
模式的縦断面図である。
形状の一例を示す説明図である。
形状の他の例を示す説明図である。
(a)は単結晶保持前、(b)は単結晶保持後を示す。
模式図である。
説明図である。
リンク体を示し、(a)は上面図、(b)は(a)のA
−A断面図である。
法の他の実施例を示す説明図である。
方法の他の実施例を示す説明図である。
す平面図である。
す模式的縦断面図である。
ワイヤ、4,35…ワイヤ巻き取りドラム、5…引き上
げワイヤ用ロードセル、7…種結晶、8…ネック部、9
…単結晶、9a,9d…直胴部、9b…くびれ部、10
…単結晶保持装置、11…保持ロッド、12,28…保
持ロッド駆動モータ、14,25…多角形リンク体、1
4a…等辺リンク、14b…リンクピン、14e…保持
部材、16…合計荷重用ロードセル、18…キャリッ
ジ、26…開き防止板、37,38,39…滑車、40
…多角形リンク体駆動ワイヤ、44…ガイドプレート。
Claims (10)
- 【請求項1】 複数のリンクを連結してなり、リンクピ
ンの位置を移動させることにより水平面内で変形可能な
多角形リンク体と、単結晶を挟持するために多角形リン
ク体を変形させる手段と、多角形リンク体を結晶引き上
げワイヤと同期して回転及び昇降させる手段と、結晶引
き上げワイヤに加わる荷重を検出する引き上げワイヤ用
ロードセルと、結晶引き上げワイヤに加わる荷重と多角
形リンク体に加わる荷重との合計荷重を検出する合計荷
重用ロードセルと、前記の各手段を制御する制御装置と
を備えていることを特徴とする単結晶保持装置。 - 【請求項2】 結晶引き上げワイヤ巻き取り機構と、引
き上げワイヤ用ロードセルと、多角形リンク体駆動機構
とを単結晶製造装置の上部に設けた真空容器に収納し、
前記真空容器と、真空容器に加わる荷重を検出する合計
荷重用ロードセルと、真空容器回転機構とを昇降自在の
キャリッジに搭載したことを特徴とする請求項1記載の
単結晶保持装置。 - 【請求項3】 モータまたは流体圧アクチュエータと、
単結晶製造装置内に垂直に保持され、前記モータまたは
流体圧アクチュエータにより水平方向に移動する2本の
保持ロッドとからなる多角形リンク体駆動機構を有し、
前記保持ロッドの下端に多角形リンク体の対向位置にあ
るリンクピンを連結したことを特徴とする請求項1記載
の単結晶保持装置。 - 【請求項4】 2個のワイヤ巻き取りドラムと、前記ワ
イヤ巻き取りドラムから垂下する2本の多角形リンク体
駆動ワイヤと、真空容器の下端に設置した複数個の滑車
と、多角形リンク体駆動ワイヤの巻き取りに伴って多角
形リンク体のリンクピンを横方向に移動させるガイドプ
レートとからなる多角形リンク体駆動機構を有し、前記
ワイヤの下端に多角形リンク体の対向位置にあるリンク
ピンを連結したことを特徴とする請求項1記載の単結晶
保持装置。 - 【請求項5】 冷却により単結晶が収縮し、単結晶保持
装置の保持力が低下した場合の保持力回復機能を有し、
引き上げた単結晶を単結晶製造装置から取り出すまで保
持力を維持することを特徴とする請求項1記載の単結晶
保持装置。 - 【請求項6】 多角形リンク体を構成するリンクの内側
面に、単結晶のくびれ部を保持するための円弧状の断面
をもつ保持部材を取着したことを特徴とする請求項1記
載の単結晶保持装置。 - 【請求項7】 単結晶を取り囲む多角形リンク体を所定
の位置に下降させた後、保持ロッドの水平方向移動また
は多角形リンク体駆動ワイヤの巻き上げにより多角形リ
ンク体を変形させて単結晶の直胴部を挟持することを特
徴とする単結晶保持方法。 - 【請求項8】 ネック部と単結晶の肩部との間に形成し
たくびれ部または単結晶の直胴部に形成したくびれ部
を、多角形リンク体の内側面に取着した保持部材で保持
することを特徴とする請求項7記載の単結晶保持方法。 - 【請求項9】 多角形リンク体が単結晶に当接する位置
と単結晶の稜線とが一致しないように、種結晶または単
結晶保持装置を設置することを特徴とする請求項7記載
の単結晶保持方法。 - 【請求項10】 単結晶の育成中に、単結晶重量の一部
または全部を単結晶保持装置に負担させ、重量の一部を
負担させる場合はネック部が破断しない重量をネック部
に負担させることを特徴とする請求項7記載の結晶製造
方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15921197A JP3986622B2 (ja) | 1997-06-02 | 1997-06-02 | 単結晶保持装置及び単結晶保持方法 |
| TW87107494A TW482830B (en) | 1997-06-02 | 1998-05-14 | Device and method for clamping single crystals |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15921197A JP3986622B2 (ja) | 1997-06-02 | 1997-06-02 | 単結晶保持装置及び単結晶保持方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10338598A true JPH10338598A (ja) | 1998-12-22 |
| JP3986622B2 JP3986622B2 (ja) | 2007-10-03 |
Family
ID=15688760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15921197A Expired - Lifetime JP3986622B2 (ja) | 1997-06-02 | 1997-06-02 | 単結晶保持装置及び単結晶保持方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3986622B2 (ja) |
| TW (1) | TW482830B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014214052A (ja) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | 三菱マテリアルテクノ株式会社 | 結晶重量測定装置及び結晶引上装置 |
| CN111733449A (zh) * | 2020-07-07 | 2020-10-02 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 晶棒生长设备及生长方法 |
-
1997
- 1997-06-02 JP JP15921197A patent/JP3986622B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-05-14 TW TW87107494A patent/TW482830B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014214052A (ja) * | 2013-04-25 | 2014-11-17 | 三菱マテリアルテクノ株式会社 | 結晶重量測定装置及び結晶引上装置 |
| CN111733449A (zh) * | 2020-07-07 | 2020-10-02 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 晶棒生长设备及生长方法 |
| CN111733449B (zh) * | 2020-07-07 | 2021-04-27 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 晶棒生长设备及生长方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3986622B2 (ja) | 2007-10-03 |
| TW482830B (en) | 2002-04-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62288191A (ja) | 単結晶成長方法及びその装置 | |
| EP1012357B1 (en) | Non-dash neck method for single crystal silicon growth | |
| EP0826796B1 (en) | Method and equipment for growing single crystals | |
| JPH1036187A (ja) | 単結晶の引上げ方法及び装置 | |
| JPH07172981A (ja) | 半導体単結晶の製造装置および製造方法 | |
| JPH03285893A (ja) | 結晶引上装置 | |
| JP5005747B2 (ja) | 単結晶を引き上げるための装置 | |
| JP3986622B2 (ja) | 単結晶保持装置及び単結晶保持方法 | |
| JP3400312B2 (ja) | 単結晶引上げ装置及び単結晶引上げ方法 | |
| JP2990658B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| KR20000068395A (ko) | 단결정 인상장치 | |
| JPH10310492A (ja) | 単結晶引上装置及び引上方法 | |
| EP0867533A2 (en) | Single crystal growing apparatus ans single crystal growing method | |
| US5885347A (en) | Apparatus and method for lifting single crystals | |
| US6099642A (en) | Apparatus for pulling up single crystals and single crystal clamping device | |
| US4523972A (en) | Method of and apparatus for handling crystal ingots | |
| JP2002104896A (ja) | 単結晶の成長方法および成長装置 | |
| JPH10120487A (ja) | 単結晶引上装置および引上方法 | |
| US6077348A (en) | Single crystal pulling apparatus, single crystal support mechanism, and single crystal pulling method | |
| JP2990659B2 (ja) | 単結晶引上装置 | |
| JP2007008773A (ja) | 単結晶引上装置及びその制御方法 | |
| JPH11314998A (ja) | シリコン単結晶の引き上げ装置およびこれを用いた引き上げ方法 | |
| JP2005029449A (ja) | シリコン単結晶の製造装置 | |
| JPH10273382A (ja) | 半導体単結晶引上炉 | |
| JPH1192285A (ja) | 単結晶成長装置及び単結晶成長方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040330 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060905 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061218 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070109 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070302 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070410 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070606 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070710 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070711 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100720 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110720 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110720 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120720 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120720 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130720 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |