JPH10339859A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH10339859A JPH10339859A JP9151338A JP15133897A JPH10339859A JP H10339859 A JPH10339859 A JP H10339859A JP 9151338 A JP9151338 A JP 9151338A JP 15133897 A JP15133897 A JP 15133897A JP H10339859 A JPH10339859 A JP H10339859A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 周囲光が明るい場所では反射型として、ま
た、暗い場所では透過型として用いることができるよう
にする。 【解決手段】 絶縁材料に液晶分子を分散させてなる高
分子液晶層（ＰＤＬＣ層）に所定の電圧を印加して透明
状態にし、また、バックライトを点灯させると、光変調
を行う液晶層への電圧印加制御により白黒表示を実現で
き、透過型の液晶表示素子として機能する。また、ＰＤ
ＬＣ層に所定の電圧を印加して透明状態にし、また、光
変調を行う液晶層への電圧を無印加にして光吸収状態
に、換言すると黒表示させることにより、観察者におい
ては黒表示を認識でき、反射型の液晶表示素子として機
能する。よって、本発明の液晶表示素子は、周囲光が明
るい場所では反射型として、また、暗い場所では透過型
として用いることができる。
た、暗い場所では透過型として用いることができるよう
にする。 【解決手段】 絶縁材料に液晶分子を分散させてなる高
分子液晶層（ＰＤＬＣ層）に所定の電圧を印加して透明
状態にし、また、バックライトを点灯させると、光変調
を行う液晶層への電圧印加制御により白黒表示を実現で
き、透過型の液晶表示素子として機能する。また、ＰＤ
ＬＣ層に所定の電圧を印加して透明状態にし、また、光
変調を行う液晶層への電圧を無印加にして光吸収状態
に、換言すると黒表示させることにより、観察者におい
ては黒表示を認識でき、反射型の液晶表示素子として機
能する。よって、本発明の液晶表示素子は、周囲光が明
るい場所では反射型として、また、暗い場所では透過型
として用いることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワードプロセッサ
やパーソナルコンピュータなどのＯＡ機器や、電子手帳
等の携帯情報機器、または液晶モニターを備えたカメラ
一体型ＶＴＲ等に用いられる液晶表示素子に関する。
やパーソナルコンピュータなどのＯＡ機器や、電子手帳
等の携帯情報機器、または液晶モニターを備えたカメラ
一体型ＶＴＲ等に用いられる液晶表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】上述した液晶表示素子は、薄型で低消費
電力であるという特徴があり、ＣＲＴ（ブラウン管）や
ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）とは異なり自らは発
光しない。このため、液晶表示素子としては、バックラ
イトと呼ばれる蛍光管からなる装置を背後に配置して照
明する方式、つまり透過型と呼ばれる方式が一般的であ
る。しかしながら、バックライトは、通常、液晶表示素
子の全消費電力のうちの５０％以上を消費する。このた
め、戸外や常時携帯して使用する機会が多い携帯情報機
器では、バックライトの代わりに反射板を設置した、周
囲光のみで表示を行う方式、つまり反射型と呼ばれる方
式も用いられている。
電力であるという特徴があり、ＣＲＴ（ブラウン管）や
ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）とは異なり自らは発
光しない。このため、液晶表示素子としては、バックラ
イトと呼ばれる蛍光管からなる装置を背後に配置して照
明する方式、つまり透過型と呼ばれる方式が一般的であ
る。しかしながら、バックライトは、通常、液晶表示素
子の全消費電力のうちの５０％以上を消費する。このた
め、戸外や常時携帯して使用する機会が多い携帯情報機
器では、バックライトの代わりに反射板を設置した、周
囲光のみで表示を行う方式、つまり反射型と呼ばれる方
式も用いられている。
【０００３】この反射型の液晶表示素子で用いられる表
示モードには、現在、透過型で広く用いられているＴＮ
（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパ
ーツイステッドネマティック）モードといった、偏光板
を利用するタイプや、その他、偏光板を用いないため明
るい表示が実現できる相転移型ゲストホストモードも近
年盛んに開発が行われている（特開平４−７５０２２、
特願平７−２２８３６５等）。
示モードには、現在、透過型で広く用いられているＴＮ
（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパ
ーツイステッドネマティック）モードといった、偏光板
を利用するタイプや、その他、偏光板を用いないため明
るい表示が実現できる相転移型ゲストホストモードも近
年盛んに開発が行われている（特開平４−７５０２２、
特願平７−２２８３６５等）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな反射型液晶表示素子は、周囲の光が暗い場合には視
認性が極端に低下するという欠点があり、一方、透過型
液晶表示素子は、これとは逆に周囲光が非常に明るい場
合、例えば晴天下等での使用の場合には視認性が低下す
るという問題があった。
うな反射型液晶表示素子は、周囲の光が暗い場合には視
認性が極端に低下するという欠点があり、一方、透過型
液晶表示素子は、これとは逆に周囲光が非常に明るい場
合、例えば晴天下等での使用の場合には視認性が低下す
るという問題があった。
【０００５】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、周囲光が明るい場所では
反射型として、また、暗い場所では透過型として用いる
ことができる液晶表示素子を提供することを目的とす
る。
決すべくなされたものであり、周囲光が明るい場所では
反射型として、また、暗い場所では透過型として用いる
ことができる液晶表示素子を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示素子
は、一対の透明電極にて挟まれ、該一対の透明電極の間
の電位が調整されることにより光変調を行う液晶層と、
該液晶層の一方側に、別の一対の透明電極にて挟んで設
けられ、該別の一対の透明電極の間の電位が調整される
ことにより電気的光散乱効果が制御される、絶縁材料に
液晶分子を分散させてなる高分子液晶層と、該液晶層の
該高分子液晶層とは反対側に設けられ、反射板を有する
バックライトとを具備し、そのことにより上記目的が達
成される。
は、一対の透明電極にて挟まれ、該一対の透明電極の間
の電位が調整されることにより光変調を行う液晶層と、
該液晶層の一方側に、別の一対の透明電極にて挟んで設
けられ、該別の一対の透明電極の間の電位が調整される
ことにより電気的光散乱効果が制御される、絶縁材料に
液晶分子を分散させてなる高分子液晶層と、該液晶層の
該高分子液晶層とは反対側に設けられ、反射板を有する
バックライトとを具備し、そのことにより上記目的が達
成される。
【０００７】本発明の液晶表示素子において、前記光変
調を行う液晶層を制御する手段として第１のスイッチン
グ素子を有すると共に、前記高分子液晶層を制御する手
段として第２のスイッチング素子を有し、両スイッチン
グ素子のゲート電極が共通のゲート信号線に接続されて
いる構成とし、または、両スイッチング素子のゲート電
極に入力タイミングを同期させたゲート信号を付与する
構成としてもよい。
調を行う液晶層を制御する手段として第１のスイッチン
グ素子を有すると共に、前記高分子液晶層を制御する手
段として第２のスイッチング素子を有し、両スイッチン
グ素子のゲート電極が共通のゲート信号線に接続されて
いる構成とし、または、両スイッチング素子のゲート電
極に入力タイミングを同期させたゲート信号を付与する
構成としてもよい。
【０００８】本発明の液晶表示素子において、実効表示
画素部以外の領域に、前記スイッチング素子並びに該ス
イッチング素子のゲート電極およびソース電極の少なく
とも一方に信号を送るための配線からなる遮光性パター
ン、または、これらとは別体の遮光性パターンが配設さ
れている構成とすることができる。
画素部以外の領域に、前記スイッチング素子並びに該ス
イッチング素子のゲート電極およびソース電極の少なく
とも一方に信号を送るための配線からなる遮光性パター
ン、または、これらとは別体の遮光性パターンが配設さ
れている構成とすることができる。
【０００９】本発明の液晶表示素子において、前記高分
子液晶層の前記バックライトとは反対側に、カラー表示
を行うためのカラーフィルタ層が設けられている構成と
することができる。
子液晶層の前記バックライトとは反対側に、カラー表示
を行うためのカラーフィルタ層が設けられている構成と
することができる。
【００１０】以下に、本発明の作用を説明する。
【００１１】本発明の液晶表示素子を構成する高分子液
晶層は、図９に示すように、高分子材料中に微小な液晶
滴が存在する層、いわゆるＰＤＬＣ層の構造であり、こ
のＰＤＬＣ層の両側には一対の透明電極が設けられる。
高分子材料の屈折率は、液晶分子の短軸方向の屈折率
（ｎ0：常光屈折率）と等しくしている。このＰＤＬＣ
層においては、図９（ａ）に示すように、上記一対の透
明電極を電圧無印加状態とすると、液晶分子がランダム
に配向するため、高分子材料と液晶滴との屈折率差によ
り光が散乱され、白色を呈する。一方、図９（ｂ）に示
すように、上記一対の透明電極に所定の電圧を印加する
と、液晶分子が電界方向に揃うため、基板の法線方向か
ら観察した場合は高分子材料と液晶滴との屈折率が等し
くなり、透明となる。
晶層は、図９に示すように、高分子材料中に微小な液晶
滴が存在する層、いわゆるＰＤＬＣ層の構造であり、こ
のＰＤＬＣ層の両側には一対の透明電極が設けられる。
高分子材料の屈折率は、液晶分子の短軸方向の屈折率
（ｎ0：常光屈折率）と等しくしている。このＰＤＬＣ
層においては、図９（ａ）に示すように、上記一対の透
明電極を電圧無印加状態とすると、液晶分子がランダム
に配向するため、高分子材料と液晶滴との屈折率差によ
り光が散乱され、白色を呈する。一方、図９（ｂ）に示
すように、上記一対の透明電極に所定の電圧を印加する
と、液晶分子が電界方向に揃うため、基板の法線方向か
ら観察した場合は高分子材料と液晶滴との屈折率が等し
くなり、透明となる。
【００１２】本発明は、このようなＰＤＬＣ層の性質を
利用している。ＰＤＬＣ層に所定の電圧を印加して、図
９（ｂ）に示す透明状態にし、また、バックライトを点
灯させると、光変調を行う液晶層への電圧印加制御によ
り白黒表示を実現でき、透過型の液晶表示素子として機
能する。
利用している。ＰＤＬＣ層に所定の電圧を印加して、図
９（ｂ）に示す透明状態にし、また、バックライトを点
灯させると、光変調を行う液晶層への電圧印加制御によ
り白黒表示を実現でき、透過型の液晶表示素子として機
能する。
【００１３】また、ＰＤＬＣ層に所定の電圧を印加し
て、図９（ｂ）に示す透明状態にし、また、光変調を行
う液晶層への電圧を無印加にして光吸収状態に、換言す
ると黒表示させることにより、観察者においては黒表示
を認識でき、反射型の液晶表示素子として機能する。
て、図９（ｂ）に示す透明状態にし、また、光変調を行
う液晶層への電圧を無印加にして光吸収状態に、換言す
ると黒表示させることにより、観察者においては黒表示
を認識でき、反射型の液晶表示素子として機能する。
【００１４】よって、本発明の液晶表示素子は、周囲光
が明るい場所では反射型として、また、暗い場所では透
過型として用いることができる。
が明るい場所では反射型として、また、暗い場所では透
過型として用いることができる。
【００１５】更に、反射型の液晶表示素子として使用可
能にする場合としては、ＰＤＬＣ層を電圧無印加状態と
して白表示状態にし、かつ、光変調を行う液晶層を電圧
印加状態として透明にすることにより、ＰＤＬＣ層を散
乱通過した光を、バックライト内蔵の反射板にて反射光
として利用する場合がある。この場合には、光変調を行
う液晶層を電圧無印加状態とし、かつＰＤＬＣ層を黒表
示の状態とし、すなわち図３（ａ）に示すようにＰＤＬ
Ｃ層単体で反射させる状態としたときの反射率（標準拡
散板比：ＢａＳＯ4）１０％に対して、図３（ｂ）に示
すような白レベルが約２５％と大幅に改善されたＶ−Ｒ
カーブが得られる。
能にする場合としては、ＰＤＬＣ層を電圧無印加状態と
して白表示状態にし、かつ、光変調を行う液晶層を電圧
印加状態として透明にすることにより、ＰＤＬＣ層を散
乱通過した光を、バックライト内蔵の反射板にて反射光
として利用する場合がある。この場合には、光変調を行
う液晶層を電圧無印加状態とし、かつＰＤＬＣ層を黒表
示の状態とし、すなわち図３（ａ）に示すようにＰＤＬ
Ｃ層単体で反射させる状態としたときの反射率（標準拡
散板比：ＢａＳＯ4）１０％に対して、図３（ｂ）に示
すような白レベルが約２５％と大幅に改善されたＶ−Ｒ
カーブが得られる。
【００１６】したがって、光変調を行う液晶層が光吸収
状態から透過状態、ＰＤＬＣ層が透過状態から光散乱状
態になるように、それぞれの層に同時に電圧を印加する
ことにより、反射型液晶表示素子として黒表示から白表
示の階調表示が可能となる。
状態から透過状態、ＰＤＬＣ層が透過状態から光散乱状
態になるように、それぞれの層に同時に電圧を印加する
ことにより、反射型液晶表示素子として黒表示から白表
示の階調表示が可能となる。
【００１７】なお、上述したように、光変調を行う液晶
層とＰＤＬＣ層とに同時に電圧を印加する場合、光変調
を行う液晶層を制御する手段としての第１のスイッチン
グ素子のゲート電極と、ＰＤＬＣ層を制御する手段とし
ての第２のスイッチング素子のゲート電極とを共通のゲ
ート信号線に接続させた構成とするか、または、両スイ
ッチング素子のゲート電極に入力タイミングを同期させ
たゲート信号を付与する構成とすればよい。
層とＰＤＬＣ層とに同時に電圧を印加する場合、光変調
を行う液晶層を制御する手段としての第１のスイッチン
グ素子のゲート電極と、ＰＤＬＣ層を制御する手段とし
ての第２のスイッチング素子のゲート電極とを共通のゲ
ート信号線に接続させた構成とするか、または、両スイ
ッチング素子のゲート電極に入力タイミングを同期させ
たゲート信号を付与する構成とすればよい。
【００１８】また、実効表示画素部以外の領域に、スイ
ッチング素子並びにスイッチング素子のゲート電極およ
びソース電極の少なくとも一方に信号を送るための配線
からなる遮光性パターンを配設したり、または、これら
とは別体の遮光性パターンを配設すると、実効表示画素
部以外からの不要な光漏れを防止できる。
ッチング素子並びにスイッチング素子のゲート電極およ
びソース電極の少なくとも一方に信号を送るための配線
からなる遮光性パターンを配設したり、または、これら
とは別体の遮光性パターンを配設すると、実効表示画素
部以外からの不要な光漏れを防止できる。
【００１９】また、ＰＤＬＣ層のバックライトとは反対
側にカラーフィルタ層を設けると、カラー表示を行うこ
とが可能となる。この場合には、前記遮光性パターンが
ブラックマトリクスとして機能することとなる。
側にカラーフィルタ層を設けると、カラー表示を行うこ
とが可能となる。この場合には、前記遮光性パターンが
ブラックマトリクスとして機能することとなる。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態について説明す
る。
る。
【００２１】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１に係る液晶表示素子を示す断面図である。
１に係る液晶表示素子を示す断面図である。
【００２２】この液晶表示素子は、例えばガラス等から
なる３枚の基板１０、２０、３０を有する。最下側の基
板１０の上面には透明電極４０および液晶配向層１２０
が形成され、中間の基板２０の下面には透明電極５０お
よび液晶配向層１２０が形成されており、かかる両基板
１０と２０との間には光変調を行う液晶層１１０が、シ
ール樹脂８０にて封止されている。この液晶層１１０
は、透明電極４０、５０と、これらに電位を付与する図
示しないドライバー回路とにより駆動される。また、最
下側の基板１０の下側には、バックライト１５０が設け
られている。
なる３枚の基板１０、２０、３０を有する。最下側の基
板１０の上面には透明電極４０および液晶配向層１２０
が形成され、中間の基板２０の下面には透明電極５０お
よび液晶配向層１２０が形成されており、かかる両基板
１０と２０との間には光変調を行う液晶層１１０が、シ
ール樹脂８０にて封止されている。この液晶層１１０
は、透明電極４０、５０と、これらに電位を付与する図
示しないドライバー回路とにより駆動される。また、最
下側の基板１０の下側には、バックライト１５０が設け
られている。
【００２３】中間の基板２０の上面には透明電極６０が
形成され、最上側の基板３０の下面には透明電極７０が
形成されており、かかる両基板２０と３０との間には、
図９に示した挙動をするＰＤＬＣ層１００が設けられて
いる。このＰＤＬＣ層１００は、絶縁性の高分子材料中
に微小な滴状の液晶領域が存在する構成であり、シール
樹脂９０にて封止されている。また、このＰＤＬＣ層１
００は、透明電極６０、７０と、これらに電位を付与す
る図示しないドライバー回路とにより駆動される。
形成され、最上側の基板３０の下面には透明電極７０が
形成されており、かかる両基板２０と３０との間には、
図９に示した挙動をするＰＤＬＣ層１００が設けられて
いる。このＰＤＬＣ層１００は、絶縁性の高分子材料中
に微小な滴状の液晶領域が存在する構成であり、シール
樹脂９０にて封止されている。また、このＰＤＬＣ層１
００は、透明電極６０、７０と、これらに電位を付与す
る図示しないドライバー回路とにより駆動される。
【００２４】次に、この液晶表示素子の製造方法につき
説明する。
説明する。
【００２５】まず、３枚の基板１０、２０、３０の一方
の表面に、例えばスパッタリング法によりＩＴＯ（酸化
インジウム）からなる透明電極４０、５０、７０を形成
した。但し、基板２０については、もう一方の表面にも
ＩＴＯからなる透明電極６０を形成した。
の表面に、例えばスパッタリング法によりＩＴＯ（酸化
インジウム）からなる透明電極４０、５０、７０を形成
した。但し、基板２０については、もう一方の表面にも
ＩＴＯからなる透明電極６０を形成した。
【００２６】次に、基板１０の透明電極４０の上と基板
２０の透明電極５０の上とに、例えば水平配向性ポリイ
ミドＲＮ１０２４（日産化学社製）をスピンコートして
焼成した後にラビング処理を施すことにより、液晶配向
層１２０を形成した。なお、ラビング方向は、上下基板
で２４０度ねじれた液晶分子配向を実現できるように設
定する。
２０の透明電極５０の上とに、例えば水平配向性ポリイ
ミドＲＮ１０２４（日産化学社製）をスピンコートして
焼成した後にラビング処理を施すことにより、液晶配向
層１２０を形成した。なお、ラビング方向は、上下基板
で２４０度ねじれた液晶分子配向を実現できるように設
定する。
【００２７】次に、両基板１０と２０とを、例えば５μ
ｍ径のガラスファイバースペーサーを混入したシール樹
脂８０を用いて基板周囲で貼り合わせ、液晶パネルとす
る。続いて、両基板１０と２０との間であって、シール
樹脂８０で囲まれた内部に液晶材料を、例えば真空注入
法により充填することにより、光変調を行う液晶層１１
０を設けた。この液晶層１１０は、液晶材料ＺＬＩ−４
７９２（メルク社製）に、光学活性物質Ｓ−８１１（メ
ルク社製）を０．５％、アゾ系およびアントラキノン系
の黒色色素を数ｗｔ％混入したものであり、偏光板の不
要なゲストホスト（Ｇｕｅｓｔ Ｈｏｓｔ：ＧＨ）表示
モード（ＰＣＧＨモード：ＰｈａｓｅＣａｎｇｅ ＧＨ
モード）である。
ｍ径のガラスファイバースペーサーを混入したシール樹
脂８０を用いて基板周囲で貼り合わせ、液晶パネルとす
る。続いて、両基板１０と２０との間であって、シール
樹脂８０で囲まれた内部に液晶材料を、例えば真空注入
法により充填することにより、光変調を行う液晶層１１
０を設けた。この液晶層１１０は、液晶材料ＺＬＩ−４
７９２（メルク社製）に、光学活性物質Ｓ−８１１（メ
ルク社製）を０．５％、アゾ系およびアントラキノン系
の黒色色素を数ｗｔ％混入したものであり、偏光板の不
要なゲストホスト（Ｇｕｅｓｔ Ｈｏｓｔ：ＧＨ）表示
モード（ＰＣＧＨモード：ＰｈａｓｅＣａｎｇｅ ＧＨ
モード）である。
【００２８】次に、前記液晶パネルを構成する基板２０
と、基板３０とを、例えば６μｍ径のガラスファイバー
スペーサーを混入したシール樹脂９０を用いて基板周囲
で貼り合わせる。
と、基板３０とを、例えば６μｍ径のガラスファイバー
スペーサーを混入したシール樹脂９０を用いて基板周囲
で貼り合わせる。
【００２９】次に、この基板２０と３０との間であっ
て、シール樹脂９０で囲まれた内部に、ＰＤＬＣ層１０
０を設ける。このＰＤＬＣ層１００の形成は、例えば、
誘電異方性が正の液晶材料ＺＬＩ−１７０１（メルク社
製）を４．３ｇと、ＴＭＰＴ（トリメチルプロパントリ
アクリレート；新中村化学社製）を０．２ｇと、２−エ
チルヘキシルアクリレート（日本化薬製）を０．５ｇと
の混合したものに対し、紫外線硬化剤Ｉｒｇａｃｕｒｅ
１８４（チバガイギー社製）を０．５ｇ混合し、８０℃
で均一に撹拌して得た混合物を、真空注入法にて充填し
て、高圧水銀ランプを用いて２０ｍＷ／ｃｍ2の強度の
紫外光を照射することにより行った。
て、シール樹脂９０で囲まれた内部に、ＰＤＬＣ層１０
０を設ける。このＰＤＬＣ層１００の形成は、例えば、
誘電異方性が正の液晶材料ＺＬＩ−１７０１（メルク社
製）を４．３ｇと、ＴＭＰＴ（トリメチルプロパントリ
アクリレート；新中村化学社製）を０．２ｇと、２−エ
チルヘキシルアクリレート（日本化薬製）を０．５ｇと
の混合したものに対し、紫外線硬化剤Ｉｒｇａｃｕｒｅ
１８４（チバガイギー社製）を０．５ｇ混合し、８０℃
で均一に撹拌して得た混合物を、真空注入法にて充填し
て、高圧水銀ランプを用いて２０ｍＷ／ｃｍ2の強度の
紫外光を照射することにより行った。
【００３０】次に、以上のように作製した液晶パネル１
４０の背面側、つまり基板１０の下側にバックライト１
５０を配置する。これにより、本実施形態の液晶表示素
子が完成する。
４０の背面側、つまり基板１０の下側にバックライト１
５０を配置する。これにより、本実施形態の液晶表示素
子が完成する。
【００３１】本実施形態の液晶表示素子は、以下のよう
に機能する。
に機能する。
【００３２】暗い場所でバックライトを点灯して透過型
として用いることができる。すなわち、ＰＤＬＣ層１０
０は所定の電圧の交流矩形波を印加して透明状態にして
おき、この状態でＰＣＧＨモードの光変調を行う液晶層
（ＰＣＧＨ層）１１０に交流矩形波を印加すると、図２
に示すようなＶ−Ｔカーブ（印加電圧Ｖに対する透過率
Ｔの変化）が得られ、透過型液晶表示素子として機能さ
せることができる。なお、図２のＶ−Ｔカーブは、垂直
視角方向における例である。
として用いることができる。すなわち、ＰＤＬＣ層１０
０は所定の電圧の交流矩形波を印加して透明状態にして
おき、この状態でＰＣＧＨモードの光変調を行う液晶層
（ＰＣＧＨ層）１１０に交流矩形波を印加すると、図２
に示すようなＶ−Ｔカーブ（印加電圧Ｖに対する透過率
Ｔの変化）が得られ、透過型液晶表示素子として機能さ
せることができる。なお、図２のＶ−Ｔカーブは、垂直
視角方向における例である。
【００３３】また、周囲光が十分に明るい場所でバック
ライトを消灯して反射型として用いることができる。す
なわち、ＰＣＧＨモードの光変調を行う液晶層（ＰＣＧ
Ｈ層）１１０は電圧無印加状態とし、ＰＤＬＣ層１００
に交流矩形波を印加すると、図３（ａ）に示すＶ−Ｒカ
ーブ（３０゜入射で垂直視角方向での測定の場合）を得
ることができ、反射型液晶表示素子として機能させるこ
とができる。更に、この反射型液晶表示素子として使用
する場合において、白表示の際に、ＰＤＬＣ層１００を
電圧無印加状態にし、かつ、ＰＣＧＨ層１１０を電圧印
加状態とすることにより、ＰＤＬＣ層１００を散乱通過
した光を、バックライト１５０に内蔵された反射板で反
射させることにより反射光として利用することができ
る。よって、バックライト内蔵の反射板を利用した場合
は、ＰＤＬＣ層単体の反射率（標準拡散板比：ＢａＳＯ
4）１０％程度に対し、図３（ｂ）に示すようにＶ−Ｒ
カーブ（３０゜入射で垂直視角方向での測定の場合）を
得ることができ、白レベルを約２５％と大幅に改善でき
る。このような方式を利用する場合、ＰＣＧＨ層１１０
が光吸収状態から透過状態、ＰＤＬＣ層１００が透過状
態から光散乱状態となるように、それぞれ同時に電圧を
印加することにより、反射型液晶表示素子として黒表示
から白表示の階調表示が可能となる。
ライトを消灯して反射型として用いることができる。す
なわち、ＰＣＧＨモードの光変調を行う液晶層（ＰＣＧ
Ｈ層）１１０は電圧無印加状態とし、ＰＤＬＣ層１００
に交流矩形波を印加すると、図３（ａ）に示すＶ−Ｒカ
ーブ（３０゜入射で垂直視角方向での測定の場合）を得
ることができ、反射型液晶表示素子として機能させるこ
とができる。更に、この反射型液晶表示素子として使用
する場合において、白表示の際に、ＰＤＬＣ層１００を
電圧無印加状態にし、かつ、ＰＣＧＨ層１１０を電圧印
加状態とすることにより、ＰＤＬＣ層１００を散乱通過
した光を、バックライト１５０に内蔵された反射板で反
射させることにより反射光として利用することができ
る。よって、バックライト内蔵の反射板を利用した場合
は、ＰＤＬＣ層単体の反射率（標準拡散板比：ＢａＳＯ
4）１０％程度に対し、図３（ｂ）に示すようにＶ−Ｒ
カーブ（３０゜入射で垂直視角方向での測定の場合）を
得ることができ、白レベルを約２５％と大幅に改善でき
る。このような方式を利用する場合、ＰＣＧＨ層１１０
が光吸収状態から透過状態、ＰＤＬＣ層１００が透過状
態から光散乱状態となるように、それぞれ同時に電圧を
印加することにより、反射型液晶表示素子として黒表示
から白表示の階調表示が可能となる。
【００３４】なお、本実施形態では、３枚の基板を用い
たが、図４に示すように、ＰＤＬＣ層１００を有する液
晶セル１６０と、光変調を行う液晶層１１０を有する液
晶セル１８０とを別々に作製し、屈折率がガラス基板と
等しい接着剤１９０を用いて貼り合わせた構成としても
よい。
たが、図４に示すように、ＰＤＬＣ層１００を有する液
晶セル１６０と、光変調を行う液晶層１１０を有する液
晶セル１８０とを別々に作製し、屈折率がガラス基板と
等しい接着剤１９０を用いて貼り合わせた構成としても
よい。
【００３５】（実施形態２）図５は、本発明の実施形態
２に係る液晶表示素子を示す断面図である。
２に係る液晶表示素子を示す断面図である。
【００３６】この液晶表示素子は、ガラス等からなる基
板１１の上に、ＰＤＬＣ層１０１と光変調を行う液晶層
（ＰＣＧＨ層）１１１の各々の液晶層を個別に駆動する
ための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２０１、２１１が形
成されている。両ＴＦＴ２０１と２１１のゲート電極
は、図６に示すように共通のゲート信号線に接続され、
両ＴＦＴ２０１と２１１のソース電極は別々のソース信
号線に接続されている。また、基板１１の上には、ＴＦ
Ｔ２０１のドレイン電極と電気的に接続して、ＩＴＯか
らなる画素電極２２１が形成されている。
板１１の上に、ＰＤＬＣ層１０１と光変調を行う液晶層
（ＰＣＧＨ層）１１１の各々の液晶層を個別に駆動する
ための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２０１、２１１が形
成されている。両ＴＦＴ２０１と２１１のゲート電極
は、図６に示すように共通のゲート信号線に接続され、
両ＴＦＴ２０１と２１１のソース電極は別々のソース信
号線に接続されている。また、基板１１の上には、ＴＦ
Ｔ２０１のドレイン電極と電気的に接続して、ＩＴＯか
らなる画素電極２２１が形成されている。
【００３７】この上にはＰＤＬＣ層１０１が形成され、
ＰＤＬＣ層１０１の上には透明電極としてのＩＴＯ層２
５１が形成されている。このＩＴＯ層２５１と前記画素
電極２２１とは、その間に存在するＰＤＬＣ層１０１を
駆動する一対の電極を構成する。
ＰＤＬＣ層１０１の上には透明電極としてのＩＴＯ層２
５１が形成されている。このＩＴＯ層２５１と前記画素
電極２２１とは、その間に存在するＰＤＬＣ層１０１を
駆動する一対の電極を構成する。
【００３８】前記ＰＤＬＣ層１０１の上には、ＩＴＯ層
２５１を覆って絶縁膜２９１が形成されており、この絶
縁膜２９１のＴＦＴ２１１と対応する部分にはスルーホ
ール２７１が形成されている。上記絶縁膜２９１は、後
述する画素電極２６１を作製するためのものである。ま
た、絶縁膜２９１の上には画素電極２６１が、その一部
をスルーホール２７１を介してＴＦＴ２１１のドレイン
電極と電気的に接続して設けられている。隣合う画素電
極２６１の間は離隔されており、これにより他の画素電
極から絶縁されている。
２５１を覆って絶縁膜２９１が形成されており、この絶
縁膜２９１のＴＦＴ２１１と対応する部分にはスルーホ
ール２７１が形成されている。上記絶縁膜２９１は、後
述する画素電極２６１を作製するためのものである。ま
た、絶縁膜２９１の上には画素電極２６１が、その一部
をスルーホール２７１を介してＴＦＴ２１１のドレイン
電極と電気的に接続して設けられている。隣合う画素電
極２６１の間は離隔されており、これにより他の画素電
極から絶縁されている。
【００３９】このように構成された基板１１に対して、
片面に透明電極としてのＩＴＯ層３１１が形成された基
板３０１が、シール樹脂８１（５μｍ径のガラスファイ
バースペーサーを混入）を用いて貼り合わされている。
両基板１１と３０１との間であって、シール樹脂８１に
て囲まれた領域には、偏光板の不要なＰＣＧＨ層１１１
が設けられている。また、両基板１１と３０１のＰＣＧ
Ｈ層１１１側には、シール樹脂８１の内側において水平
配向性ポリイミド層１２１が形成されている。この水平
配向性ポリイミド層１２１は、ラビングによる配向処理
が施されている。上記ＩＴＯ層３１１と画素電極２６１
とは、その間に存在するＰＣＧＨ層１１１を駆動する一
対の電極を構成する。
片面に透明電極としてのＩＴＯ層３１１が形成された基
板３０１が、シール樹脂８１（５μｍ径のガラスファイ
バースペーサーを混入）を用いて貼り合わされている。
両基板１１と３０１との間であって、シール樹脂８１に
て囲まれた領域には、偏光板の不要なＰＣＧＨ層１１１
が設けられている。また、両基板１１と３０１のＰＣＧ
Ｈ層１１１側には、シール樹脂８１の内側において水平
配向性ポリイミド層１２１が形成されている。この水平
配向性ポリイミド層１２１は、ラビングによる配向処理
が施されている。上記ＩＴＯ層３１１と画素電極２６１
とは、その間に存在するＰＣＧＨ層１１１を駆動する一
対の電極を構成する。
【００４０】このように構成された液晶パネル３２１に
おける基板３０１のＰＣＧＨ層１１１とは反対側にバッ
クライト１５１が配置されている。
おける基板３０１のＰＣＧＨ層１１１とは反対側にバッ
クライト１５１が配置されている。
【００４１】図６は、この構成の液晶表示素子の等価回
路を示す。つまり、２つのＴＦＴ２０１と２１１との両
ゲート電極を共通のゲート信号線に接続し、また、２つ
のＴＦＴ２０１と２１１との両ソース電極を各々別のソ
ース信号線に接続することで、ＰＤＬＣ層１０１とＰＣ
ＧＨ層１１１とを個別のソース信号で、かつ、同期駆動
をさせることが可能となるようにしてある。なお、本発
明は、この構成に限らず、２つのＴＦＴ２０１と２１１
とのゲート電極に、入力タイミングを同期させた信号を
入力するように構成してもよく、この構成の場合も同様
に同期駆動が可能である。
路を示す。つまり、２つのＴＦＴ２０１と２１１との両
ゲート電極を共通のゲート信号線に接続し、また、２つ
のＴＦＴ２０１と２１１との両ソース電極を各々別のソ
ース信号線に接続することで、ＰＤＬＣ層１０１とＰＣ
ＧＨ層１１１とを個別のソース信号で、かつ、同期駆動
をさせることが可能となるようにしてある。なお、本発
明は、この構成に限らず、２つのＴＦＴ２０１と２１１
とのゲート電極に、入力タイミングを同期させた信号を
入力するように構成してもよく、この構成の場合も同様
に同期駆動が可能である。
【００４２】上記液晶表示素子は、以下のようにして製
造される。
造される。
【００４３】まず、図７（ａ）に示すように、ガラス等
からなる基板１１の上に、ＰＤＬＣ層１０１と光変調を
行う液晶層（ＰＣＧＨ層）１１１の各々の液晶層を個別
に駆動するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２０１、
２１１を形成し、また、ＴＦＴ２０１に対してＩＴＯか
らなる画素電極２２１を形成する。また、別のガラス等
からなる基板２３１の上に、フッ素コーティング剤を塗
布して離型剤層２４１を形成する。
からなる基板１１の上に、ＰＤＬＣ層１０１と光変調を
行う液晶層（ＰＣＧＨ層）１１１の各々の液晶層を個別
に駆動するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）２０１、
２１１を形成し、また、ＴＦＴ２０１に対してＩＴＯか
らなる画素電極２２１を形成する。また、別のガラス等
からなる基板２３１の上に、フッ素コーティング剤を塗
布して離型剤層２４１を形成する。
【００４４】次に、図７（ｂ）に示すように、実施形態
１と同様にして得た高分子材料と液晶材料との混合物
に、４μｍのシリカスペーサーを数ｗｔ％加えたもの
を、基板１１の上に滴下し、気泡が混入しないように基
板２３１を上から基板１１に対して機械的に接近させ、
そのままプレスする。この状態で、２０ｍＷ／ｃｍ2の
強度の紫外光を照射する。
１と同様にして得た高分子材料と液晶材料との混合物
に、４μｍのシリカスペーサーを数ｗｔ％加えたもの
を、基板１１の上に滴下し、気泡が混入しないように基
板２３１を上から基板１１に対して機械的に接近させ、
そのままプレスする。この状態で、２０ｍＷ／ｃｍ2の
強度の紫外光を照射する。
【００４５】次に、図７（ｃ）に示すように、基板２３
１を剥離し、ＰＤＬＣ層１０１を得る。
１を剥離し、ＰＤＬＣ層１０１を得る。
【００４６】次に、図７（ｄ）に示すように、ＰＤＬＣ
層１０１の上に、例えばスパッタリング法によりＩＴＯ
層２５１を形成する。
層１０１の上に、例えばスパッタリング法によりＩＴＯ
層２５１を形成する。
【００４７】次に、図７（ｅ）に示すように、ＴＦＴ２
１１のドレイン電極と後工程で作製する画素電極２６１
との接続用スルーホール２７１を、ＩＴＯ層２５１およ
びＰＤＬＣ層１０１にフォトプロセスにて各画素毎に形
成する。
１１のドレイン電極と後工程で作製する画素電極２６１
との接続用スルーホール２７１を、ＩＴＯ層２５１およ
びＰＤＬＣ層１０１にフォトプロセスにて各画素毎に形
成する。
【００４８】次に、図７（ｆ）に示すように、ＩＴＯ層
２５１の上に、画素電極２６１を作製するための絶縁膜
２９１として、ＳｉＮ膜をＣＶＤ法にて成膜し、そのＳ
ｉＮ膜の前記接続用スルーホール２７１部分をフォトプ
ロセスにて除去し、続いて画素電極２６１となるＩＴＯ
層をスパッタリング法により成膜してパターン化するこ
とにより、画素電極２６１を形成する。
２５１の上に、画素電極２６１を作製するための絶縁膜
２９１として、ＳｉＮ膜をＣＶＤ法にて成膜し、そのＳ
ｉＮ膜の前記接続用スルーホール２７１部分をフォトプ
ロセスにて除去し、続いて画素電極２６１となるＩＴＯ
層をスパッタリング法により成膜してパターン化するこ
とにより、画素電極２６１を形成する。
【００４９】次に、図５に示す、もう一方のガラス等か
らなる基板３０１の片面に、ＩＴＯ層３１１をスパッタ
リング法により成膜する。このＩＴＯ層３１１の形成
は、ＰＤＬＣ層１０１や画素電極２６１などを基板１１
上へ形成するよりも先に行ってもよい。
らなる基板３０１の片面に、ＩＴＯ層３１１をスパッタ
リング法により成膜する。このＩＴＯ層３１１の形成
は、ＰＤＬＣ層１０１や画素電極２６１などを基板１１
上へ形成するよりも先に行ってもよい。
【００５０】次に、これ以降からＰＣＧＨ層１１１の作
製まで実施形態１と同様に、水平配向性ポリイミド層１
２１の塗布、ラビングによる配向処理、シール樹脂８１
（５μｍ径のガラスファイバースペーサーを混入）を用
いた両基板３０１と１１との貼り合わせ、最後に真空注
入法により液晶材料の注入を行い、偏光板の不要なＰＣ
ＧＨ層１１１とする。
製まで実施形態１と同様に、水平配向性ポリイミド層１
２１の塗布、ラビングによる配向処理、シール樹脂８１
（５μｍ径のガラスファイバースペーサーを混入）を用
いた両基板３０１と１１との貼り合わせ、最後に真空注
入法により液晶材料の注入を行い、偏光板の不要なＰＣ
ＧＨ層１１１とする。
【００５１】次に、このようにして得た液晶パネル３２
１における基板３０１のＰＣＧＨ層１１１とは反対側に
バックライト１５１を配置し、図５に示した液晶表示素
子が完成する。
１における基板３０１のＰＣＧＨ層１１１とは反対側に
バックライト１５１を配置し、図５に示した液晶表示素
子が完成する。
【００５２】なお、本実施形態２において、図８（ａ）
〜（ｃ）に示すようにカラーフィルタ層３３１を設ける
ことによりカラー表示が可能になることは言うまでもな
く、カラーフィルタ層３３１はＰＤＬＣ層１０１よりも
基板１１側であればよい。図８（ａ）は、基板１１と画
素電極２２１との間にカラーフィルタ層３３１を設けた
場合、図８（ｂ）は画素電極２２１とＰＤＬＣ層１０１
との間にカラーフィルタ層３３１を設けた場合、図８
（ｃ）は液晶パネル３２１の基板１１より外側にカラー
フィルタ層３３１を設けた場合である。また、図８
（ａ）〜（ｃ）に示すように、カラーフィルタ層３３１
の隙間に遮光性パターン３４１を設けることにより、実
効表示画素部をその遮光性パターン３４１が遮光して、
ＰＤＬＣ層１０１での視角方向以外の散乱光を遮光する
ことが可能となり、コントラストの低下を最小限にする
ことができる。この遮光性パターン３４１はＴＦＴ等と
は別に設けているが、本発明はこれに限らない。例え
ば、遮光性パターン３４１を別に設けることなく、ＴＦ
Ｔ、ゲート信号線およびソース信号線だけで遮光するよ
うにしてもよい。この場合、ゲート信号線およびソース
信号線の幅は、適当な値に調整する必要がある。
〜（ｃ）に示すようにカラーフィルタ層３３１を設ける
ことによりカラー表示が可能になることは言うまでもな
く、カラーフィルタ層３３１はＰＤＬＣ層１０１よりも
基板１１側であればよい。図８（ａ）は、基板１１と画
素電極２２１との間にカラーフィルタ層３３１を設けた
場合、図８（ｂ）は画素電極２２１とＰＤＬＣ層１０１
との間にカラーフィルタ層３３１を設けた場合、図８
（ｃ）は液晶パネル３２１の基板１１より外側にカラー
フィルタ層３３１を設けた場合である。また、図８
（ａ）〜（ｃ）に示すように、カラーフィルタ層３３１
の隙間に遮光性パターン３４１を設けることにより、実
効表示画素部をその遮光性パターン３４１が遮光して、
ＰＤＬＣ層１０１での視角方向以外の散乱光を遮光する
ことが可能となり、コントラストの低下を最小限にする
ことができる。この遮光性パターン３４１はＴＦＴ等と
は別に設けているが、本発明はこれに限らない。例え
ば、遮光性パターン３４１を別に設けることなく、ＴＦ
Ｔ、ゲート信号線およびソース信号線だけで遮光するよ
うにしてもよい。この場合、ゲート信号線およびソース
信号線の幅は、適当な値に調整する必要がある。
【００５３】
【発明の効果】以上詳述したように本発明による場合に
は、周囲光が明るい場所では反射型として、また、暗い
場所では透過型として用いることができる液晶表示素子
を提供することが可能となる。
は、周囲光が明るい場所では反射型として、また、暗い
場所では透過型として用いることができる液晶表示素子
を提供することが可能となる。
【図１】本発明の実施形態１に係る液晶表示素子を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】図１の液晶表示素子を透過型として機能させる
場合における、Ｖ−Ｔカーブを示す図である。
場合における、Ｖ−Ｔカーブを示す図である。
【図３】図１の液晶表示素子を反射型として機能させる
場合における、Ｖ−Ｒカーブを示す図である。
場合における、Ｖ−Ｒカーブを示す図である。
【図４】本発明の実施形態１に係る他の液晶表示素子を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態２に係る液晶表示素子を示す
断面図である。
断面図である。
【図６】本発明の実施形態２に係る液晶表示素子の構成
を示す等価回路図である。
を示す等価回路図である。
【図７】本発明の実施形態２に係る液晶表示素子の製造
工程を示す工程図（断面図）である。
工程を示す工程図（断面図）である。
【図８】本発明の実施形態２に係る液晶表示素子の他の
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図９】本発明の液晶表示素子の動作内容を説明するた
めの図である。
めの図である。
１０、２０、３０ 基板 １１ 基板 ４０ 透明電極 ５０ 透明電極 ６０ 透明電極 ７０ 透明電極 ８０ シール樹脂 ８１ シール樹脂 ９０ シール樹脂 １００ ＰＤＬＣ層 １０１ ＰＤＬＣ層 １１０ 液晶層 １１１ 光変調を行う液晶層（ＰＣＧＨ層） １２０ 液晶配向層 １２１ 水平配向性ポリイミド層 １５０ バックライト ２０１ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ２１１ 薄膜トランジスタ（ＴＦＴ） ２２１ 画素電極 ２５１ ＩＴＯ層 ２６１ 画素電極 ２７１ スルーホール ２９１ 絶縁膜 ３０１ 基板 ３１１ ＩＴＯ層 ３２１ 液晶パネル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ Ｇ０９Ｇ 3/36 Ｇ０９Ｇ 3/36 Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｂ
Claims (4)
- 【請求項１】 一対の透明電極にて挟まれ、該一対の透
明電極の間の電位が調整されることにより光変調を行う
液晶層と、 該液晶層の一方側に、別の一対の透明電極にて挟んで設
けられ、該別の一対の透明電極の間の電位が調整される
ことにより電気的光散乱効果が制御される、絶縁材料に
液晶分子を分散させてなる高分子液晶層と、 該液晶層の該高分子液晶層とは反対側に設けられ、反射
板を有するバックライトとを具備する液晶表示素子。 - 【請求項２】 前記光変調を行う液晶層を制御する手段
として第１のスイッチング素子を有すると共に、前記高
分子液晶層を制御する手段として第２のスイッチング素
子を有し、両スイッチング素子のゲート電極が共通のゲ
ート信号線に接続されている構成とし、または、両スイ
ッチング素子のゲート電極に入力タイミングを同期させ
たゲート信号を付与する構成としてある請求項１に記載
の液晶表示素子。 - 【請求項３】 実効表示画素部以外の領域に、前記スイ
ッチング素子並びに該スイッチング素子のゲート電極お
よびソース電極の少なくとも一方に信号を送るための配
線からなる遮光性パターン、または、これらとは別体の
遮光性パターンが配設されている請求項２に記載の液晶
表示素子。 - 【請求項４】 前記高分子液晶層の前記バックライトと
は反対側に、カラー表示を行うためのカラーフィルタ層
が設けられている請求項１乃至３のいずれかに記載の液
晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9151338A JPH10339859A (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9151338A JPH10339859A (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10339859A true JPH10339859A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15516400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9151338A Withdrawn JPH10339859A (ja) | 1997-06-09 | 1997-06-09 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10339859A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004021254A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Toppoly Optelectronics Corp | 透過反射型切換液晶ディスプレイ |
| JP2005534969A (ja) * | 2002-07-30 | 2005-11-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半透過型液晶表示装置 |
| WO2010100807A1 (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-10 | 九州ナノテック光学株式会社 | 液晶ブラインド装置とその使用方法 |
| WO2012004922A1 (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-12 | シャープ株式会社 | 液晶表示システム及び液晶表示システムの制御方法 |
| US8350783B2 (en) | 2007-05-24 | 2013-01-08 | Samsung Lcd Netherlands R&D Center B.V. | Electrowetting element, display device and control system |
| CN106033157A (zh) * | 2015-03-07 | 2016-10-19 | 上海冠显光电科技有限公司 | 一种液晶显示装置 |
| WO2017066020A1 (en) * | 2015-10-12 | 2017-04-20 | 3M Innovative Properties Company | Multi-mode display |
-
1997
- 1997-06-09 JP JP9151338A patent/JPH10339859A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004021254A (ja) * | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Toppoly Optelectronics Corp | 透過反射型切換液晶ディスプレイ |
| JP2005534969A (ja) * | 2002-07-30 | 2005-11-17 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半透過型液晶表示装置 |
| US8350783B2 (en) | 2007-05-24 | 2013-01-08 | Samsung Lcd Netherlands R&D Center B.V. | Electrowetting element, display device and control system |
| WO2010100807A1 (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-10 | 九州ナノテック光学株式会社 | 液晶ブラインド装置とその使用方法 |
| WO2012004922A1 (ja) * | 2010-07-08 | 2012-01-12 | シャープ株式会社 | 液晶表示システム及び液晶表示システムの制御方法 |
| CN106033157A (zh) * | 2015-03-07 | 2016-10-19 | 上海冠显光电科技有限公司 | 一种液晶显示装置 |
| WO2017066020A1 (en) * | 2015-10-12 | 2017-04-20 | 3M Innovative Properties Company | Multi-mode display |
| CN108139626A (zh) * | 2015-10-12 | 2018-06-08 | 3M创新有限公司 | 多模式显示器 |
| US11067850B2 (en) | 2015-10-12 | 2021-07-20 | 3M Innovative Properties Company | Multi-mode display |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040907 |