JPH10340794A - プラズマ発生装置 - Google Patents
プラズマ発生装置Info
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- JPH10340794A JPH10340794A JP9148258A JP14825897A JPH10340794A JP H10340794 A JPH10340794 A JP H10340794A JP 9148258 A JP9148258 A JP 9148258A JP 14825897 A JP14825897 A JP 14825897A JP H10340794 A JPH10340794 A JP H10340794A
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Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高い放電電圧下における電極の消耗を防止し
たプラズマ発生装置を提供する。 【解決手段】 放電用ガスが導入される筒体の下流側に
環状の陰極を有するカソード４と、カソード４の下流側
に設けられた環状アノード２２〜２４、最終アノード７
との間でアーク放電を発生させて所望の粒子をプラズマ
化させるプラズマ発生装置の環状アノード２２〜２４の
数を２つから３つ以上に増加することにより、環状アノ
ード２２〜２４間の電位差が小さくなる。この電位差を
12Ｖ以下とすることにより、環状アノード２２〜２４に
おける電位勾配が小さくなり、スパッタリングのエネル
ギーが低下する。その結果、反応容器３内を10-4Torrの
低い圧力にしたままプラズマを発生させることができ、
基板１０上に緻密な膜８ａを形成することができる。
たプラズマ発生装置を提供する。 【解決手段】 放電用ガスが導入される筒体の下流側に
環状の陰極を有するカソード４と、カソード４の下流側
に設けられた環状アノード２２〜２４、最終アノード７
との間でアーク放電を発生させて所望の粒子をプラズマ
化させるプラズマ発生装置の環状アノード２２〜２４の
数を２つから３つ以上に増加することにより、環状アノ
ード２２〜２４間の電位差が小さくなる。この電位差を
12Ｖ以下とすることにより、環状アノード２２〜２４に
おける電位勾配が小さくなり、スパッタリングのエネル
ギーが低下する。その結果、反応容器３内を10-4Torrの
低い圧力にしたままプラズマを発生させることができ、
基板１０上に緻密な膜８ａを形成することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ発生装置
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマ発生装置は、イオンプレーティ
ングの成膜やガスイオン化装置或いは材料を蒸発させる
熱源として用いられている。
ングの成膜やガスイオン化装置或いは材料を蒸発させる
熱源として用いられている。
【０００３】図６は従来のプラズマ発生装置を用いたイ
オンプレーティング装置の概念図である。
オンプレーティング装置の概念図である。
【０００４】イオンプレーティング装置１は、主に圧力
勾配型のプラズマ発生装置２と反応容器３とで構成され
ている。プラズマ発生装置２は、Ａｒ等の放電用ガスが
導入される筒体の下流側に環状の陰極を有するカソード
４と、カソード４の下流側に設けられカソード４との間
で初期放電を発生させるための環状のアノード（第１ア
ノード５及び第２アノード６とする）と、第２アノード
６の下流側に設けられカソード４との間でアーク放電に
よるプラズマを発生させるための最終アノード７とで構
成されている。
勾配型のプラズマ発生装置２と反応容器３とで構成され
ている。プラズマ発生装置２は、Ａｒ等の放電用ガスが
導入される筒体の下流側に環状の陰極を有するカソード
４と、カソード４の下流側に設けられカソード４との間
で初期放電を発生させるための環状のアノード（第１ア
ノード５及び第２アノード６とする）と、第２アノード
６の下流側に設けられカソード４との間でアーク放電に
よるプラズマを発生させるための最終アノード７とで構
成されている。
【０００５】反応容器３内には、プラズマ発生装置２の
最終アノード７が配置され、Ｏ2 ガス或いはＮ2 ガス等
の反応用ガスが導入されるようになっている。反応容器
３内の底部には成膜材料８を収容するるつぼ９が配置さ
れ、るつぼ９の上部には膜８ａを形成すべく基板１０が
配置されている。尚、るつぼ９内の成膜材料８には、反
応容器３の外部に設けられた図示しない電子銃からの電
子ビームが照射されるようになっている。
最終アノード７が配置され、Ｏ2 ガス或いはＮ2 ガス等
の反応用ガスが導入されるようになっている。反応容器
３内の底部には成膜材料８を収容するるつぼ９が配置さ
れ、るつぼ９の上部には膜８ａを形成すべく基板１０が
配置されている。尚、るつぼ９内の成膜材料８には、反
応容器３の外部に設けられた図示しない電子銃からの電
子ビームが照射されるようになっている。
【０００６】カソード４及び最終アノード７にはアーク
放電を発生させるための直流高電圧電源１１が接続され
ている。直流高電圧電源１１と第１アノード５、第２ア
ノード６との間には抵抗器１２，１３がそれぞれ挿入さ
れている。るつぼ９と基板１０との間には直流電源１４
が接続されている。
放電を発生させるための直流高電圧電源１１が接続され
ている。直流高電圧電源１１と第１アノード５、第２ア
ノード６との間には抵抗器１２，１３がそれぞれ挿入さ
れている。るつぼ９と基板１０との間には直流電源１４
が接続されている。
【０００７】プラズマ発生装置が作動すると、カソード
４と各アノード５〜７との間に直流高電圧が印加されて
アーク放電が発生する。電子銃から電子ビームがるつぼ
内の成膜材料８に照射されると成膜材料８が蒸発し、蒸
発粒子が基板１０に達する間にイオン化されプラズマを
形成し、プラズマ化した反応用ガスと反応した化合物が
膜８ａとして基板１０に付着する。
４と各アノード５〜７との間に直流高電圧が印加されて
アーク放電が発生する。電子銃から電子ビームがるつぼ
内の成膜材料８に照射されると成膜材料８が蒸発し、蒸
発粒子が基板１０に達する間にイオン化されプラズマを
形成し、プラズマ化した反応用ガスと反応した化合物が
膜８ａとして基板１０に付着する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、基板１０上
に緻密な膜を形成するためには、反応容器３内の気圧を
１０-4Ｔｏｒｒ程度にするのが好ましいことが知られて
いる。このような低い圧力下やＯ2 、Ｎ2 等の反応ガス
雰囲気でアーク放電を発生するには、カソード４と最終
アノード７との間の電位差を７０Ｖ以上もの高い電圧に
することが必要である（通常は４０Ｖ〜５０Ｖ）。
に緻密な膜を形成するためには、反応容器３内の気圧を
１０-4Ｔｏｒｒ程度にするのが好ましいことが知られて
いる。このような低い圧力下やＯ2 、Ｎ2 等の反応ガス
雰囲気でアーク放電を発生するには、カソード４と最終
アノード７との間の電位差を７０Ｖ以上もの高い電圧に
することが必要である（通常は４０Ｖ〜５０Ｖ）。
【０００９】しかし、カソード４、最終アノード７間の
電位差が大きくなると、反応容器３内に生じたプラスイ
オンが、負の電圧が印加される第１アノード５や第２ア
ノード６に衝突してスパッタリングが生じる。このスパ
ッタリングにより第１アノード５、第２アノード６が消
耗してイオンプレーティング装置の寿命が低下するだけ
でなく、スパッタリングされたアノード材料の粒子が膜
８ａ中に不純物として混入する。例えば第１アノード
５、第２アノード６の材質が銅の場合、スパッタリング
された銅が反応容器３の中に侵入し、成膜材料８と共に
基板１０上の膜８ａに混入されて製品の品質が低下して
しまう。
電位差が大きくなると、反応容器３内に生じたプラスイ
オンが、負の電圧が印加される第１アノード５や第２ア
ノード６に衝突してスパッタリングが生じる。このスパ
ッタリングにより第１アノード５、第２アノード６が消
耗してイオンプレーティング装置の寿命が低下するだけ
でなく、スパッタリングされたアノード材料の粒子が膜
８ａ中に不純物として混入する。例えば第１アノード
５、第２アノード６の材質が銅の場合、スパッタリング
された銅が反応容器３の中に侵入し、成膜材料８と共に
基板１０上の膜８ａに混入されて製品の品質が低下して
しまう。
【００１０】これに対して、反応容器３内の圧力を１０
-3Ｔｏｒｒと高くすると、放電用ガスが膜８ａに取り込
まれる確率が高くなり、その結果、膜８ａの密度が低下
し、粗雑なものとなってしまう。このような膜を光学フ
ィルタに用いると経時変化して水を含みやすくなり、吸
収波長がシフトしてしまうという問題があった。
-3Ｔｏｒｒと高くすると、放電用ガスが膜８ａに取り込
まれる確率が高くなり、その結果、膜８ａの密度が低下
し、粗雑なものとなってしまう。このような膜を光学フ
ィルタに用いると経時変化して水を含みやすくなり、吸
収波長がシフトしてしまうという問題があった。
【００１１】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、高い放電電圧下における電極の消耗を防止したプラ
ズマ発生装置を提供することにある。
し、高い放電電圧下における電極の消耗を防止したプラ
ズマ発生装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、放電用ガスが導入される筒体の下流側に環
状の陰極を有するカソードを設け、カソードの下流側に
該カソードとの間で初期放電を発生させるための環状の
アノードを設け、アノードの下流側にカソードとの間で
アーク放電によるプラズマを発生させるための最終アノ
ードを設けたプラズマ発生装置において、環状アノード
をカソードの下流側に少なくとも３つ設け、環状アノー
ド間の電位差を所定値以下にしたものである。
に本発明は、放電用ガスが導入される筒体の下流側に環
状の陰極を有するカソードを設け、カソードの下流側に
該カソードとの間で初期放電を発生させるための環状の
アノードを設け、アノードの下流側にカソードとの間で
アーク放電によるプラズマを発生させるための最終アノ
ードを設けたプラズマ発生装置において、環状アノード
をカソードの下流側に少なくとも３つ設け、環状アノー
ド間の電位差を所定値以下にしたものである。
【００１３】上記構成に加え本発明は、環状アノード間
の電位差が１２Ｖ以下であるのが好ましい。
の電位差が１２Ｖ以下であるのが好ましい。
【００１４】上記構成に加え本発明は、環状アノードを
保持すべく環状アノード間に設けられた環状絶縁体の内
径が環状アノードの内径より大きいのが好ましい。
保持すべく環状アノード間に設けられた環状絶縁体の内
径が環状アノードの内径より大きいのが好ましい。
【００１５】本発明によれば、放電電圧が一定のため、
環状アノードの数を２つから３つ以上に増加することに
より、各環状アノード間の電位差が小さくなる。この電
位差を所定値、すなわち１２Ｖ以下とすることにより、
環状アノードにおける電位勾配が小さくなり、スパッタ
リングのエネルギーが低下する。その結果、反応容器内
を１０-4Ｔｏｒｒの低い圧力にしたままプラズマを発生
させることができ、緻密な膜を形成することができる。
環状アノードの数を２つから３つ以上に増加することに
より、各環状アノード間の電位差が小さくなる。この電
位差を所定値、すなわち１２Ｖ以下とすることにより、
環状アノードにおける電位勾配が小さくなり、スパッタ
リングのエネルギーが低下する。その結果、反応容器内
を１０-4Ｔｏｒｒの低い圧力にしたままプラズマを発生
させることができ、緻密な膜を形成することができる。
【００１６】また、環状アノード間に設けられた環状絶
縁体の内径を環状アノードの内径より大きくすることに
より、環状絶縁体が環状アノードの影になり、プラズマ
粒子の衝突を防止できる。環状アノードは水冷方式によ
る冷却が可能であるが、環状絶縁体は冷却が困難なため
効果的である。
縁体の内径を環状アノードの内径より大きくすることに
より、環状絶縁体が環状アノードの影になり、プラズマ
粒子の衝突を防止できる。環状アノードは水冷方式によ
る冷却が可能であるが、環状絶縁体は冷却が困難なため
効果的である。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００１８】図１は本発明のプラズマ発生装置を用いた
イオンプレーティング装置の一実施の形態を示す概念図
であり、図２は図１に示した反応容器内のるつぼ内の成
膜材料の加熱を説明するための説明図である。尚、図６
に示した従来例と同様の部材には共通の符号を用いた。
イオンプレーティング装置の一実施の形態を示す概念図
であり、図２は図１に示した反応容器内のるつぼ内の成
膜材料の加熱を説明するための説明図である。尚、図６
に示した従来例と同様の部材には共通の符号を用いた。
【００１９】図１に示すイオンプレーティング装置２０
は、主に圧力勾配型のプラズマ発生装置２１と反応容器
（真空容器）３とで構成されている。プラズマ発生装置
２１は、放電用ガス（例えばＡｒ）が導入される筒体の
下流側に環状の陰極を有するカソード４と、カソード４
の下流側に設けられカソード４との間で初期放電を発生
させるための環状のアノード（第１アノード２２、第２
アノード２３及び第３アノード２４とする）と、第３ア
ノード２４の下流側に設けられカソード４との間でアー
ク放電によるプラズマを発生させるための最終アノード
７とで構成されている。
は、主に圧力勾配型のプラズマ発生装置２１と反応容器
（真空容器）３とで構成されている。プラズマ発生装置
２１は、放電用ガス（例えばＡｒ）が導入される筒体の
下流側に環状の陰極を有するカソード４と、カソード４
の下流側に設けられカソード４との間で初期放電を発生
させるための環状のアノード（第１アノード２２、第２
アノード２３及び第３アノード２４とする）と、第３ア
ノード２４の下流側に設けられカソード４との間でアー
ク放電によるプラズマを発生させるための最終アノード
７とで構成されている。
【００２０】第１アノード２２、第２アノード２３及び
第３アノード２４の間には、これら各アノード２２〜２
４の内径より大きい内径を有する環状絶縁体２５，２６
が設けられている。
第３アノード２４の間には、これら各アノード２２〜２
４の内径より大きい内径を有する環状絶縁体２５，２６
が設けられている。
【００２１】反応容器３内には、プラズマ発生装置２１
の最終アノード７が配置され、反応用ガス（例えばＴｉ
Ｏ2 を成膜する場合にはＯ2 ガス、ＴｉＮ2 を成膜する
場合にはＮ2 ガス）が導入されるようになっている。反
応容器３内の底部には成膜材料（例えばＴｉＯ2 やＴｉ
Ｎ2 の膜を形成する場合にはＴｉ）８を収容するるつぼ
９が配置され、るつぼ９の上部には膜８ａが形成される
基板１０が配置されている。るつぼ９には反応容器３の
外部に設けられた電子銃３０からの電子ビーム３１が照
射されるようになっている（図２参照）。
の最終アノード７が配置され、反応用ガス（例えばＴｉ
Ｏ2 を成膜する場合にはＯ2 ガス、ＴｉＮ2 を成膜する
場合にはＮ2 ガス）が導入されるようになっている。反
応容器３内の底部には成膜材料（例えばＴｉＯ2 やＴｉ
Ｎ2 の膜を形成する場合にはＴｉ）８を収容するるつぼ
９が配置され、るつぼ９の上部には膜８ａが形成される
基板１０が配置されている。るつぼ９には反応容器３の
外部に設けられた電子銃３０からの電子ビーム３１が照
射されるようになっている（図２参照）。
【００２２】カソード４と最終アノード７との間にはア
ーク放電を発生させるための直流高電圧電源１１が接続
されている。直流高電圧電源１１と第１アノード２２、
第２アノード２３及び第３アノード２４との間には、各
アノード２２〜２４に所定の電圧を印加するための抵抗
器２７〜２９がそれぞれ挿入されている。るつぼ９と基
板１０との間には、成膜材料の蒸発粒子を加速するため
の直流電源１４が接続されている。
ーク放電を発生させるための直流高電圧電源１１が接続
されている。直流高電圧電源１１と第１アノード２２、
第２アノード２３及び第３アノード２４との間には、各
アノード２２〜２４に所定の電圧を印加するための抵抗
器２７〜２９がそれぞれ挿入されている。るつぼ９と基
板１０との間には、成膜材料の蒸発粒子を加速するため
の直流電源１４が接続されている。
【００２３】プラズマ発生装置が作動すると、カソード
４と各アノード２２〜２４との間に直流高電圧が印加さ
れてアーク放電が発生する。電子銃３０から電子ビーム
３１がるつぼ９内のＴｉ８に照射されると、Ｔｉ８が蒸
発し、Ｔｉ８の粒子が基板１０に達する間にイオン化さ
れてプラズマを形成し、プラズマ化したＯ2 と反応した
ＴｉＯ2 が膜８ａとして基板１０に付着する。
４と各アノード２２〜２４との間に直流高電圧が印加さ
れてアーク放電が発生する。電子銃３０から電子ビーム
３１がるつぼ９内のＴｉ８に照射されると、Ｔｉ８が蒸
発し、Ｔｉ８の粒子が基板１０に達する間にイオン化さ
れてプラズマを形成し、プラズマ化したＯ2 と反応した
ＴｉＯ2 が膜８ａとして基板１０に付着する。
【００２４】図３は図１に示したプラズマ発生装置のカ
ソードからの位置と電位との関係を示す図であり、図４
は図５に示した従来のプラズマ装置のカソードからの位
置と電位との関係を示す図である。図３及び図４におい
て横軸がカソードからの位置を示し、縦軸が電位を示し
ている。
ソードからの位置と電位との関係を示す図であり、図４
は図５に示した従来のプラズマ装置のカソードからの位
置と電位との関係を示す図である。図３及び図４におい
て横軸がカソードからの位置を示し、縦軸が電位を示し
ている。
【００２５】従来のプラズマ発生装置２の最終アノード
７と第２アノード６との間の電位差ΔＶa は約１５Ｖで
あり、第２アノード６と第１アノード５との間の電位差
ΔＶb は２０Ｖ以上であった。両アノード５，６には、
スパッタリングの発生による消耗が生じた（図６）。
７と第２アノード６との間の電位差ΔＶa は約１５Ｖで
あり、第２アノード６と第１アノード５との間の電位差
ΔＶb は２０Ｖ以上であった。両アノード５，６には、
スパッタリングの発生による消耗が生じた（図６）。
【００２６】これに対し図１に示したプラズマ発生装置
２１の最終アノード７と第３アノード２４との間の電位
差ΔＶ1 は約１２Ｖであり、第３アノード２４と第２ア
ノード２３との間の電位差ΔＶ2 は約１２Ｖであり、第
２アノード２３と第１アノード２２との間の電位差ΔＶ
3 は約１２Ｖであった。各アノード２２〜２４にはスパ
ッタリングによる消耗は生じなかった。
２１の最終アノード７と第３アノード２４との間の電位
差ΔＶ1 は約１２Ｖであり、第３アノード２４と第２ア
ノード２３との間の電位差ΔＶ2 は約１２Ｖであり、第
２アノード２３と第１アノード２２との間の電位差ΔＶ
3 は約１２Ｖであった。各アノード２２〜２４にはスパ
ッタリングによる消耗は生じなかった。
【００２７】すなわち、放電電圧が一定のため、環状ア
ノードの数を２つから３つ以上に増加することにより、
各環状アノード間の電位差が小さくなる。この電位差を
所定値、すなわち１２Ｖ以下とすることにより、環状ア
ノードにおける電位勾配が小さくなり、スパッタリング
のエネルギーが低下し、環状アノードのスパッタリング
による消耗がなくなる。その結果、反応容器内を１０-4
Ｔｏｒｒの低い圧力にしたままプラズマを発生させるこ
とができ、緻密な膜を形成することができる。
ノードの数を２つから３つ以上に増加することにより、
各環状アノード間の電位差が小さくなる。この電位差を
所定値、すなわち１２Ｖ以下とすることにより、環状ア
ノードにおける電位勾配が小さくなり、スパッタリング
のエネルギーが低下し、環状アノードのスパッタリング
による消耗がなくなる。その結果、反応容器内を１０-4
Ｔｏｒｒの低い圧力にしたままプラズマを発生させるこ
とができ、緻密な膜を形成することができる。
【００２８】また、環状アノード間に設けられた環状絶
縁体の内径を環状アノードの内径より大きくすることに
より、環状絶縁体が環状アノードの影になり、プラズマ
粒子の衝突を防止できる。環状アノードは水冷方式によ
る冷却が可能であるが、環状絶縁体は冷却が困難なため
効果的である。
縁体の内径を環状アノードの内径より大きくすることに
より、環状絶縁体が環状アノードの影になり、プラズマ
粒子の衝突を防止できる。環状アノードは水冷方式によ
る冷却が可能であるが、環状絶縁体は冷却が困難なため
効果的である。
【００２９】以上において、本発明のプラズマ発生装置
は、カソードと最終アノードとの間に設けられる環状ア
ノードの数を増加することで、各環状アノード間の電位
差が小さくなり、スパッタ量が減少する。環状アノード
間の電位差が小さい程、プラズマ中のイオンが電極に衝
突するエネルギーが小さくなり、スパッタ量が小さくな
る。スパッタ量が小さくなれば、環状アノードの消耗が
小さくなり、プラズマ発生装置の寿命が長くなり、成膜
中の膜への不純物混入確率も小さくなり、緻密な成膜が
得られる。従ってイオンプレーティング装置の性能が向
上する。
は、カソードと最終アノードとの間に設けられる環状ア
ノードの数を増加することで、各環状アノード間の電位
差が小さくなり、スパッタ量が減少する。環状アノード
間の電位差が小さい程、プラズマ中のイオンが電極に衝
突するエネルギーが小さくなり、スパッタ量が小さくな
る。スパッタ量が小さくなれば、環状アノードの消耗が
小さくなり、プラズマ発生装置の寿命が長くなり、成膜
中の膜への不純物混入確率も小さくなり、緻密な成膜が
得られる。従ってイオンプレーティング装置の性能が向
上する。
【００３０】ここで、本実施の形態ではるつぼ内の成膜
材料を蒸発させるのに電子銃を用いた場合で説明した
が、これに限定されずプラズマ発生装置２からのプラズ
マ流を磁界で曲げて直接るつぼ９内の成膜材料８に照射
して成膜材料を蒸発させたり（図５参照）、るつぼから
電子を発生させると共に磁界で曲げてるつぼ９内の成膜
材料８に照射して成膜材料８を蒸発させてもよい。尚、
図５は図１に示した反応容器内のるつぼ内の成膜材料の
加熱を説明するための説明図である。
材料を蒸発させるのに電子銃を用いた場合で説明した
が、これに限定されずプラズマ発生装置２からのプラズ
マ流を磁界で曲げて直接るつぼ９内の成膜材料８に照射
して成膜材料を蒸発させたり（図５参照）、るつぼから
電子を発生させると共に磁界で曲げてるつぼ９内の成膜
材料８に照射して成膜材料８を蒸発させてもよい。尚、
図５は図１に示した反応容器内のるつぼ内の成膜材料の
加熱を説明するための説明図である。
【００３１】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００３２】環状アノードをカソードの下流側に少なく
とも３つ設け、環状アノード間の電位差を所定値以下に
することにより、高い放電電圧下における電極の消耗を
防止したプラズマ発生装置の提供を実現することができ
る。
とも３つ設け、環状アノード間の電位差を所定値以下に
することにより、高い放電電圧下における電極の消耗を
防止したプラズマ発生装置の提供を実現することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のプラズマ発生装置を用いたイオンプレ
ーティング装置の一実施の形態を示す概念図である。
ーティング装置の一実施の形態を示す概念図である。
【図２】図１に示した反応容器内のるつぼ内の成膜材料
の加熱を説明するための説明図である。
の加熱を説明するための説明図である。
【図３】図１に示したプラズマ発生装置のカソードから
の位置と電位との関係を示す図である。
の位置と電位との関係を示す図である。
【図４】図１に示した反応容器内のるつぼ内の成膜材料
の加熱を説明するための説明図である。
の加熱を説明するための説明図である。
【図５】図１に示した反応容器内のるつぼ内の成膜材料
の加熱を説明するための説明図である。
の加熱を説明するための説明図である。
【図６】従来のプラズマ発生装置を用いたイオンプレー
ティング装置の概念図である。
ティング装置の概念図である。
３ 反応容器 ４ カソード ７ 最終アノード ８ 成膜材料（Ｔｉ） ８ａ 膜 ９ るつぼ １０ 基板 ２１ プラズマ発生装置 ２２ 環状アノード（第１アノード） ２３ 環状アノード（第２アノード） ２４ 環状アノード（第３アノード） ２５，２６ 環状絶縁体
Claims (3)
- 【請求項１】 放電用ガスが導入される筒体の下流側に
環状の陰極を有するカソードを設け、該カソードの下流
側に該カソードとの間で初期放電を発生させるための環
状アノードを設け、該環状アノードの下流側に上記カソ
ードとの間でアーク放電によるプラズマを発生させるた
めの最終アノードを設けたプラズマ発生装置において、
上記環状アノードを上記カソードの下流側に少なくとも
３つ設け、環状アノード間の電位差を所定値以下にした
ことを特徴とするプラズマ発生装置。 - 【請求項２】 上記環状アノード間の電位差が１２Ｖ以
下である請求項１に記載のプラズマ発生装置。 - 【請求項３】 上記環状アノードを保持すべく環状アノ
ード間に設けられた環状絶縁体の内径が上記環状アノー
ドの内径より大きい請求項１に記載のプラズマ発生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9148258A JPH10340794A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | プラズマ発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9148258A JPH10340794A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | プラズマ発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340794A true JPH10340794A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15448765
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9148258A Pending JPH10340794A (ja) | 1997-06-05 | 1997-06-05 | プラズマ発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10340794A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011025729A3 (en) * | 2009-08-31 | 2011-05-26 | Novellus Systems Inc. | Improved plasma ignition performance for low pressure physical vapor deposition (pvd) processes |
-
1997
- 1997-06-05 JP JP9148258A patent/JPH10340794A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011025729A3 (en) * | 2009-08-31 | 2011-05-26 | Novellus Systems Inc. | Improved plasma ignition performance for low pressure physical vapor deposition (pvd) processes |
| US9111733B2 (en) | 2009-08-31 | 2015-08-18 | Novellus Systems Inc. | Plasma ignition performance for low pressure physical vapor deposition (PVD) processes |
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