JPH10340903A - 層間絶縁膜の平坦化方法 - Google Patents
層間絶縁膜の平坦化方法Info
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- JPH10340903A JPH10340903A JP14890397A JP14890397A JPH10340903A JP H10340903 A JPH10340903 A JP H10340903A JP 14890397 A JP14890397 A JP 14890397A JP 14890397 A JP14890397 A JP 14890397A JP H10340903 A JPH10340903 A JP H10340903A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の平坦化方法では平坦化の難しい、埋め
込み特性に優れた層間絶縁膜であっても、平坦化できる
方法を提供する。 【解決手段】 層間絶縁膜の本平坦化方法は、配線層３
４をパターニングして配線３８を形成する配線形成工程
と、配線上に第１次の層間絶縁膜４０を成膜する工程
と、配線上の第１次の層間絶縁膜領域に表面変質処理を
施し、その領域上に第２次の層間絶縁膜を成膜する際
に、第２次の層間絶縁膜の堆積速度を遅くさせるように
する表面変質処理工程と、第１次の層間絶縁膜上に第２
次の層間絶縁膜を成膜する工程とを有する。
込み特性に優れた層間絶縁膜であっても、平坦化できる
方法を提供する。 【解決手段】 層間絶縁膜の本平坦化方法は、配線層３
４をパターニングして配線３８を形成する配線形成工程
と、配線上に第１次の層間絶縁膜４０を成膜する工程
と、配線上の第１次の層間絶縁膜領域に表面変質処理を
施し、その領域上に第２次の層間絶縁膜を成膜する際
に、第２次の層間絶縁膜の堆積速度を遅くさせるように
する表面変質処理工程と、第１次の層間絶縁膜上に第２
次の層間絶縁膜を成膜する工程とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、層間絶縁膜の平坦
化方法に関し、更に詳細には、従来の平坦化方法では平
坦化が難しい、埋め込み特性に優れた層間絶縁膜であっ
ても、平坦化できる、層間絶縁膜の平坦化方法に関する
ものである。
化方法に関し、更に詳細には、従来の平坦化方法では平
坦化が難しい、埋め込み特性に優れた層間絶縁膜であっ
ても、平坦化できる、層間絶縁膜の平坦化方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積化及び微細化に伴
い、多層配線構造が重要視されている。多層配線構造で
は、下地の素子形成時における凹凸に加え、何層ものＡ
l配線層及び層間絶縁膜を成膜するために、表面の凹凸
の大きさはますます大きくなる。また、素子が微細化さ
れると、横方向の寸法は縮小されるが、Ａl配線層及び
層間絶縁膜の膜厚は抵抗や容量の増大を避けるために縮
小することは難しい。この結果、段差が急峻となり、配
線やスルーホールのアスペクト比は大きくなる。表面の
凹凸は配線の断線、短絡、スルーホールを介したＡl−
Ａlコンタクトの不良、フォトリソグラフィの解像度低
下を招く。そこで、多層配線構造の形成では、層間絶縁
膜の平坦化が重要である。
い、多層配線構造が重要視されている。多層配線構造で
は、下地の素子形成時における凹凸に加え、何層ものＡ
l配線層及び層間絶縁膜を成膜するために、表面の凹凸
の大きさはますます大きくなる。また、素子が微細化さ
れると、横方向の寸法は縮小されるが、Ａl配線層及び
層間絶縁膜の膜厚は抵抗や容量の増大を避けるために縮
小することは難しい。この結果、段差が急峻となり、配
線やスルーホールのアスペクト比は大きくなる。表面の
凹凸は配線の断線、短絡、スルーホールを介したＡl−
Ａlコンタクトの不良、フォトリソグラフィの解像度低
下を招く。そこで、多層配線構造の形成では、層間絶縁
膜の平坦化が重要である。
【０００３】層間絶縁膜の従来の平坦化方法には、ＳＯ
Ｇ（Spin−On−Glass ）を成膜し、更にフォトレジスト
等を用いて基板全面をエッチバックし、層間絶縁膜を平
坦化する方法、シリカフィルムなどの無機系流動性物
質、或いはポリイミド系樹脂などの有機系流動性物質を
塗布し、高温熱処理によるリフローにより層間絶縁膜を
平坦化する方法等が、採用されてきた。
Ｇ（Spin−On−Glass ）を成膜し、更にフォトレジスト
等を用いて基板全面をエッチバックし、層間絶縁膜を平
坦化する方法、シリカフィルムなどの無機系流動性物
質、或いはポリイミド系樹脂などの有機系流動性物質を
塗布し、高温熱処理によるリフローにより層間絶縁膜を
平坦化する方法等が、採用されてきた。
【０００４】ここで、図３を参照して、ＳＯＧを用いた
層間絶縁膜の従来の平坦化方法を説明する。 （１）基板に形成されている下地層間絶縁膜１２上に、
Ａl又はＡl合金（以下、簡単にＡlと総称する）からな
る第１次配線層１４をスパッタリング法等を用いて成膜
する。次いで、フォトレジスト層１６を塗布し、フォト
リソグラフィー技術により第１次配線パターンを転写す
る（図３（ａ））。 （２）異方性エッチング技術等を用いて第１次配線層１
４をエッチングして第１次配線パターン１８を形成す
る。次いで、プラズマＣＶＤ法により成膜した、いわゆ
るプラズマ−ＳｉＯ2 等の第１次層間絶縁膜２０を第１
次配線パターン１８上に成膜し、更にその上にＳＯＧ膜
２２を塗布する（図３（ｂ））。 （３）ＳＯＧ膜２２を必要量だけエッチングした後、第
２次層間絶縁膜２４を形成する（図３（ｃ））。 （４）次に、第２次層間絶縁膜２４上にＡlからなる第
２次配線層２６を成膜し、その上にフォトレジスト２８
を塗布し、フォトリソグラフィー技術等を用いて第２次
配線パターンを転写する。
層間絶縁膜の従来の平坦化方法を説明する。 （１）基板に形成されている下地層間絶縁膜１２上に、
Ａl又はＡl合金（以下、簡単にＡlと総称する）からな
る第１次配線層１４をスパッタリング法等を用いて成膜
する。次いで、フォトレジスト層１６を塗布し、フォト
リソグラフィー技術により第１次配線パターンを転写す
る（図３（ａ））。 （２）異方性エッチング技術等を用いて第１次配線層１
４をエッチングして第１次配線パターン１８を形成す
る。次いで、プラズマＣＶＤ法により成膜した、いわゆ
るプラズマ−ＳｉＯ2 等の第１次層間絶縁膜２０を第１
次配線パターン１８上に成膜し、更にその上にＳＯＧ膜
２２を塗布する（図３（ｂ））。 （３）ＳＯＧ膜２２を必要量だけエッチングした後、第
２次層間絶縁膜２４を形成する（図３（ｃ））。 （４）次に、第２次層間絶縁膜２４上にＡlからなる第
２次配線層２６を成膜し、その上にフォトレジスト２８
を塗布し、フォトリソグラフィー技術等を用いて第２次
配線パターンを転写する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、配線
パターンが、更に、高密度化するにつれて、より埋め込
み特性の優れた、例えばＯ3 −ＴＥＯＳ膜等の層間絶縁
膜が用いられるようになって来た。しかし、埋め込み特
性の優れた層間絶縁膜は、強い配線パターン疎密依存
性、及び下地膜質依存性を有するために、従来の平坦化
方法では、層間絶縁膜の十分な平坦度を得ることが困難
であった。更には、上層配線が高密度化すると、フォト
リソグラフィーによる上層配線パターンの転写時に、下
地段差の影響のために焦点深度不足が起こり、上層配線
パターンを正確に転写できなくなるという問題もあっ
た。例えば、上述の例では、ステップ（３）で段差部
は、プラズマ−ＳｉＯ2 膜２２の成膜及びエッチバック
及びＳＯＧ膜２４の成膜により局所的に層間絶縁膜は平
坦化されているものの、平坦化が充分ではなく、そのた
めに、フォトレジストが薄い部分Ａと厚い部分Ｂとがで
きてしまう。この結果、第２次配線の配線密度が高くな
ると、露光時に焦点深度不足が起こり、配線パターンを
正確に転写できなくなることが多かった。
パターンが、更に、高密度化するにつれて、より埋め込
み特性の優れた、例えばＯ3 −ＴＥＯＳ膜等の層間絶縁
膜が用いられるようになって来た。しかし、埋め込み特
性の優れた層間絶縁膜は、強い配線パターン疎密依存
性、及び下地膜質依存性を有するために、従来の平坦化
方法では、層間絶縁膜の十分な平坦度を得ることが困難
であった。更には、上層配線が高密度化すると、フォト
リソグラフィーによる上層配線パターンの転写時に、下
地段差の影響のために焦点深度不足が起こり、上層配線
パターンを正確に転写できなくなるという問題もあっ
た。例えば、上述の例では、ステップ（３）で段差部
は、プラズマ−ＳｉＯ2 膜２２の成膜及びエッチバック
及びＳＯＧ膜２４の成膜により局所的に層間絶縁膜は平
坦化されているものの、平坦化が充分ではなく、そのた
めに、フォトレジストが薄い部分Ａと厚い部分Ｂとがで
きてしまう。この結果、第２次配線の配線密度が高くな
ると、露光時に焦点深度不足が起こり、配線パターンを
正確に転写できなくなることが多かった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、従来の平坦化方
法では平坦化の難しかった、埋め込み特性に優れた層間
絶縁膜であっても、平坦化できる方法を提供することで
ある。
法では平坦化の難しかった、埋め込み特性に優れた層間
絶縁膜であっても、平坦化できる方法を提供することで
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る層間絶縁膜の平坦化方法は、配線層を
パターニングして配線を形成する配線形成工程と、配線
上に第１次の層間絶縁膜を成膜する工程と、配線上の第
１次の層間絶縁膜領域に表面変質処理を施し、その領域
上に第２次の層間絶縁膜を成膜する際に、第２次の層間
絶縁膜の堆積速度が遅くなるようにする、第１次の層間
絶縁膜の表面変質処理工程と、第１次の層間絶縁膜上に
第２次の層間絶縁膜を成膜する工程とを有することを特
徴としている。
に、本発明に係る層間絶縁膜の平坦化方法は、配線層を
パターニングして配線を形成する配線形成工程と、配線
上に第１次の層間絶縁膜を成膜する工程と、配線上の第
１次の層間絶縁膜領域に表面変質処理を施し、その領域
上に第２次の層間絶縁膜を成膜する際に、第２次の層間
絶縁膜の堆積速度が遅くなるようにする、第１次の層間
絶縁膜の表面変質処理工程と、第１次の層間絶縁膜上に
第２次の層間絶縁膜を成膜する工程とを有することを特
徴としている。
【０００８】本発明の好適な実施態様では、配線形成工
程では、配線パターン転写用フォトマスクを転写してな
るフォトレジスト膜パターンをマスクにして配線層をパ
ターニングし、表面変質処理工程では、配線形成工程の
際と同じマスクパターンを有し、かつ配線形成工程で使
用したフォトレジスト膜がネガ型の時にはポジ型の、ポ
ジ型の時にはネガ型のフォトレジスト膜パターンをマス
クにして、表面変質処理を第１次の層間絶縁膜に施す。
これにより、表面変質処理の必要な第１次の層間絶縁膜
領域に、例えば配線上の第１次の層間絶縁膜に表面変質
処理を施すことができる。
程では、配線パターン転写用フォトマスクを転写してな
るフォトレジスト膜パターンをマスクにして配線層をパ
ターニングし、表面変質処理工程では、配線形成工程の
際と同じマスクパターンを有し、かつ配線形成工程で使
用したフォトレジスト膜がネガ型の時にはポジ型の、ポ
ジ型の時にはネガ型のフォトレジスト膜パターンをマス
クにして、表面変質処理を第１次の層間絶縁膜に施す。
これにより、表面変質処理の必要な第１次の層間絶縁膜
領域に、例えば配線上の第１次の層間絶縁膜に表面変質
処理を施すことができる。
【０００９】本発明で使用する第１次の層間絶縁膜は、
後で施される表面変質処理により、上部に堆積させる第
２次の層間絶縁膜の堆積速度を変化させるような性質を
有する限り、その種類に制約はなく、好適には、例え
ば、ＮＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜、ＡＳＳＧ膜等のプラズマ−
ＳｉＯ2 膜を使用する。また、表面変質処理は、この処
理により、下部の第１次層間絶縁膜の性質を変化させる
ような全ての処理を含む。好ましい表面変質処理方法
は、プラズマ処理装置を使用して行うプラズマ処理であ
って、例えばＯ2 プラズマ処理、Ｎ2 プラズマ処理等で
ある。また、プラズマ処理に代えて、ＨＭＤＳ（Hexa M
ethyl Di Silazane ）薬液処理を施しても良い。第２次
の層間絶縁膜は、表面変質処理により堆積速度が変化す
るような性質を有する膜である限り、その種類に制約は
なく、例えばＯ3 −ＴＥＯＳ膜（OzoneTetra Ethyl Ort
ho Silicate）を好適に使用できる。
後で施される表面変質処理により、上部に堆積させる第
２次の層間絶縁膜の堆積速度を変化させるような性質を
有する限り、その種類に制約はなく、好適には、例え
ば、ＮＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜、ＡＳＳＧ膜等のプラズマ−
ＳｉＯ2 膜を使用する。また、表面変質処理は、この処
理により、下部の第１次層間絶縁膜の性質を変化させる
ような全ての処理を含む。好ましい表面変質処理方法
は、プラズマ処理装置を使用して行うプラズマ処理であ
って、例えばＯ2 プラズマ処理、Ｎ2 プラズマ処理等で
ある。また、プラズマ処理に代えて、ＨＭＤＳ（Hexa M
ethyl Di Silazane ）薬液処理を施しても良い。第２次
の層間絶縁膜は、表面変質処理により堆積速度が変化す
るような性質を有する膜である限り、その種類に制約は
なく、例えばＯ3 −ＴＥＯＳ膜（OzoneTetra Ethyl Ort
ho Silicate）を好適に使用できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、実施例を挙げ、添付図面
を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説
明する。実施例 本実施例は、本発明に係る層間絶縁膜の平坦化方法の実
施例の一つである。図１（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、
それぞれ、本平坦化方法の工程毎の基板断面図であり、
図２（ｄ）、（ｅ）及び（ｆ）は、図１（ｃ）に続く、
それぞれ、本平坦化方法の工程毎の基板断面図である。
以下に、図１及び図２を参照して、本実施例を説明す
る。 （１）下地層間絶縁膜３２上にＡl又はＡl合金（以下、
簡単にＡlと言う）からなる第１次配線層３４をスパッ
タリング法等を用いて成膜し、次いでポジ型フォトレジ
スト３６を塗布し、フォトリソグラフィー技術等を用い
て第１次配線パターンを転写する（図１（ａ））。 （２）異方性エッチング技術等を用いて第１次配線パタ
ーン３８を形成し、続いて、第１次配線パターン３８上
に第１次層間絶縁膜、例えばプラズマ−ＳｉＯ2膜４０
を成膜する。次いで、第１次層間絶縁膜４０上にネガ型
フォトレジスト４２を塗布し、第１次配線パターンを転
写するときに使用したものと同一のフォトマスクを用い
て、フォトリソグラフィー技術等を用いてパターンを転
写する。このとき、ネガ型フォトレジストを用いている
ため、第１次配線パターン３８が露出し、逆に第１次配
線パターンの間隙部にのみフォトレジスト膜４２が残
り、第１次配線パターンの逆パターンが転写されること
になる（図１（ｂ））。 （３）次に、この露出した第１次配線パターン３８の間
隙部に残るフォトレジスト膜４２をマスクにしてに表面
変質処理、例えばＯ2 プラズマ処理又はＮ2 プラズマ処
理を第１次層間絶縁膜４０に施す（図１（ｃ））。プラ
ズマ処理は、通常のプラズマ処理装置を使用し、Ｏ2 プ
ラズマ処理の場合の条件は、例えば、圧力が１３Ｐａ、
温度が２２０℃、高周波出力が５００Ｗ、Ｏ2 流量が１
００sccmである。
を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細に説
明する。実施例 本実施例は、本発明に係る層間絶縁膜の平坦化方法の実
施例の一つである。図１（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、
それぞれ、本平坦化方法の工程毎の基板断面図であり、
図２（ｄ）、（ｅ）及び（ｆ）は、図１（ｃ）に続く、
それぞれ、本平坦化方法の工程毎の基板断面図である。
以下に、図１及び図２を参照して、本実施例を説明す
る。 （１）下地層間絶縁膜３２上にＡl又はＡl合金（以下、
簡単にＡlと言う）からなる第１次配線層３４をスパッ
タリング法等を用いて成膜し、次いでポジ型フォトレジ
スト３６を塗布し、フォトリソグラフィー技術等を用い
て第１次配線パターンを転写する（図１（ａ））。 （２）異方性エッチング技術等を用いて第１次配線パタ
ーン３８を形成し、続いて、第１次配線パターン３８上
に第１次層間絶縁膜、例えばプラズマ−ＳｉＯ2膜４０
を成膜する。次いで、第１次層間絶縁膜４０上にネガ型
フォトレジスト４２を塗布し、第１次配線パターンを転
写するときに使用したものと同一のフォトマスクを用い
て、フォトリソグラフィー技術等を用いてパターンを転
写する。このとき、ネガ型フォトレジストを用いている
ため、第１次配線パターン３８が露出し、逆に第１次配
線パターンの間隙部にのみフォトレジスト膜４２が残
り、第１次配線パターンの逆パターンが転写されること
になる（図１（ｂ））。 （３）次に、この露出した第１次配線パターン３８の間
隙部に残るフォトレジスト膜４２をマスクにしてに表面
変質処理、例えばＯ2 プラズマ処理又はＮ2 プラズマ処
理を第１次層間絶縁膜４０に施す（図１（ｃ））。プラ
ズマ処理は、通常のプラズマ処理装置を使用し、Ｏ2 プ
ラズマ処理の場合の条件は、例えば、圧力が１３Ｐａ、
温度が２２０℃、高周波出力が５００Ｗ、Ｏ2 流量が１
００sccmである。
【００１１】（４）続いて、フォトレジスト膜４２を剥
離、除去し、次いで第２次層間絶縁膜、例えばＯ3 −Ｔ
ＥＯＳ膜４４を第１次層間絶縁膜４０上に堆積する（図
２（ｄ））。このとき、ステップ（３）で表面変質処理
を行った領域、即ち第１次配線パターン３８上の第１次
層間絶縁膜４０上に堆積する第２次層間絶縁膜４４（図
２（ｄ）でＣで表示）の堆積速度は、表面変質処理を行
っていない領域、即ち第１次配線パターン３８の間隙部
上の第１次層間絶縁膜４０上に堆積する第２次層間絶縁
膜４４（図２（ｄ）でＤで表示）の堆積速度にと比較し
て遅くなる。 （５）第２次層間絶縁膜４４を堆積させてゆくと、やが
て段差が無くなり、完全平坦化が達成される（図２
（ｅ））。 （６）そして、完全平坦化が達成された後に、第２次層
間絶縁膜４４を必要量だけエッチバックすることによ
り、平坦化された所望膜厚の層間絶縁膜を得ることがで
きる（図２（ｆ））。
離、除去し、次いで第２次層間絶縁膜、例えばＯ3 −Ｔ
ＥＯＳ膜４４を第１次層間絶縁膜４０上に堆積する（図
２（ｄ））。このとき、ステップ（３）で表面変質処理
を行った領域、即ち第１次配線パターン３８上の第１次
層間絶縁膜４０上に堆積する第２次層間絶縁膜４４（図
２（ｄ）でＣで表示）の堆積速度は、表面変質処理を行
っていない領域、即ち第１次配線パターン３８の間隙部
上の第１次層間絶縁膜４０上に堆積する第２次層間絶縁
膜４４（図２（ｄ）でＤで表示）の堆積速度にと比較し
て遅くなる。 （５）第２次層間絶縁膜４４を堆積させてゆくと、やが
て段差が無くなり、完全平坦化が達成される（図２
（ｅ））。 （６）そして、完全平坦化が達成された後に、第２次層
間絶縁膜４４を必要量だけエッチバックすることによ
り、平坦化された所望膜厚の層間絶縁膜を得ることがで
きる（図２（ｆ））。
【００１２】この後、第２次層間絶縁膜４４上にＡlか
らなる第２次配線層を成膜し、フォトレジストを塗布
し、フォトリソグラフィー技術等を用いてパターンを転
写する。従来の半導体層間絶縁膜の平坦化方法では、平
坦化が不足するために、フォトリソグラフィー技術によ
る露光の際、下地段差の影響のために焦点深度不足が起
こり、転写できないような高密度パターンであっても、
本実施例では、第２次層間絶縁膜４４が平坦化されてい
て、下地段差の影響がないために、高密度パターンを正
確に転写することができる。
らなる第２次配線層を成膜し、フォトレジストを塗布
し、フォトリソグラフィー技術等を用いてパターンを転
写する。従来の半導体層間絶縁膜の平坦化方法では、平
坦化が不足するために、フォトリソグラフィー技術によ
る露光の際、下地段差の影響のために焦点深度不足が起
こり、転写できないような高密度パターンであっても、
本実施例では、第２次層間絶縁膜４４が平坦化されてい
て、下地段差の影響がないために、高密度パターンを正
確に転写することができる。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、配線上の第１次の層間
絶縁膜領域に表面変質処理を施し、その領域上に第２次
の層間絶縁膜を成膜する際に、第２次の層間絶縁膜の堆
積速度が遅くなるようにする、第１次の層間絶縁膜の表
面変質処理を行うことにより、第２次の層間絶縁膜を十
分に平坦化することができる。よって、本発明方法を適
用することにより、第２次の層間絶縁膜上に上層配線層
を成膜し、次いでフォトリソグラフィーによる上層配線
パターンの転写する際、下地段差の影響が無くなるた
め、従来の平坦化方法では平坦化が不足するために、下
地段差の影響が大きく、焦点深度不足が起こり、転写が
できないような高密度パターンであっても、正確に転写
することができる。また、配線形成工程では、配線パタ
ーン転写用フォトマスクを転写してなるフォトレジスト
膜パターンをマスクにして配線層をパターニングし、表
面変質処理工程では、配線形成工程の際と同じマスクパ
ターンを有し、かつ配線形成工程で使用したフォトレジ
スト膜がネガ型の時にはポジ型の、ポジ型の時にはネガ
型のフォトレジスト膜パターンをマスクにして、表面変
質処理を第１次の層間絶縁膜に施すことにより、同一の
マスクパターンを用いることができるので、マスク枚数
を増やす必要がない。従って、本発明方法を適用するこ
とにより、従来の半導体装置と比較してより高密度な半
導体集積回路を大幅なコスト増なしに実現可能となる。
絶縁膜領域に表面変質処理を施し、その領域上に第２次
の層間絶縁膜を成膜する際に、第２次の層間絶縁膜の堆
積速度が遅くなるようにする、第１次の層間絶縁膜の表
面変質処理を行うことにより、第２次の層間絶縁膜を十
分に平坦化することができる。よって、本発明方法を適
用することにより、第２次の層間絶縁膜上に上層配線層
を成膜し、次いでフォトリソグラフィーによる上層配線
パターンの転写する際、下地段差の影響が無くなるた
め、従来の平坦化方法では平坦化が不足するために、下
地段差の影響が大きく、焦点深度不足が起こり、転写が
できないような高密度パターンであっても、正確に転写
することができる。また、配線形成工程では、配線パタ
ーン転写用フォトマスクを転写してなるフォトレジスト
膜パターンをマスクにして配線層をパターニングし、表
面変質処理工程では、配線形成工程の際と同じマスクパ
ターンを有し、かつ配線形成工程で使用したフォトレジ
スト膜がネガ型の時にはポジ型の、ポジ型の時にはネガ
型のフォトレジスト膜パターンをマスクにして、表面変
質処理を第１次の層間絶縁膜に施すことにより、同一の
マスクパターンを用いることができるので、マスク枚数
を増やす必要がない。従って、本発明方法を適用するこ
とにより、従来の半導体装置と比較してより高密度な半
導体集積回路を大幅なコスト増なしに実現可能となる。
【図１】図１（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、本平坦化
方法の工程毎の基板断面図である。
方法の工程毎の基板断面図である。
【図２】図２（ｄ）から（ｆ）は、図１（ｃ）に続く、
それぞれ、本平坦化方法の工程毎の基板断面図である。
それぞれ、本平坦化方法の工程毎の基板断面図である。
【図３】図３（ａ）から（ｄ）は、それぞれ、ＳＯＧ膜
を層間絶縁膜として用いた場合の従来の層間絶縁膜の平
坦化方法の各工程毎の基板断面を示す図である。
を層間絶縁膜として用いた場合の従来の層間絶縁膜の平
坦化方法の各工程毎の基板断面を示す図である。
１２……下地層間絶縁膜、１４……第１次配線層、１６
……フォトレジスト層、１８……第１次配線パターン、
２０……第１次層間絶縁膜、２２……ＳＯＧ膜、２４…
…第２次層間絶縁膜、２６……第２次配線層、２８……
フォトレジスト、３２……下地層間絶縁膜、３４……第
１次配線層、３６……ポジ型フォトレジスト、３８……
第１次配線パターン、４０……第１次層間絶縁膜４２…
…ネガ型フォトレジスト、４４……第２次層間絶縁膜。
……フォトレジスト層、１８……第１次配線パターン、
２０……第１次層間絶縁膜、２２……ＳＯＧ膜、２４…
…第２次層間絶縁膜、２６……第２次配線層、２８……
フォトレジスト、３２……下地層間絶縁膜、３４……第
１次配線層、３６……ポジ型フォトレジスト、３８……
第１次配線パターン、４０……第１次層間絶縁膜４２…
…ネガ型フォトレジスト、４４……第２次層間絶縁膜。
Claims (3)
- 【請求項１】 配線層をパターニングして配線を形成す
る配線形成工程と、 配線上に第１次の層間絶縁膜を成膜する工程と、 配線上の第１次の層間絶縁膜領域に表面変質処理を施
し、その領域上に第２次の層間絶縁膜を成膜する際に、
第２次の層間絶縁膜の堆積速度が遅くなるようにする、
第１次の層間絶縁膜の表面変質処理工程と、 第１次の層間絶縁膜上に第２次の層間絶縁膜を成膜する
工程とを有することを特徴とする層間絶縁膜の平坦化方
法。 - 【請求項２】 配線形成工程では、配線パターン転写用
フォトマスクを転写してなるフォトレジスト膜パターン
をマスクにして配線層をパターニングし、 表面変質処理工程では、配線形成工程の際と同じマスク
パターンを有し、かつ配線形成工程で使用したフォトレ
ジスト膜がネガ型の時にはポジ型の、ポジ型の時にはネ
ガ型のフォトレジスト膜パターンをマスクにして、表面
変質処理を第１次の層間絶縁膜に施すことを特徴とする
請求項１に記載の層間絶縁膜の平坦化方法。 - 【請求項３】 表面変質処理がプラズマ処理であること
を特徴とする請求項１又は２に記載の層間絶縁膜の平坦
化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14890397A JPH10340903A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 層間絶縁膜の平坦化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14890397A JPH10340903A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 層間絶縁膜の平坦化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340903A true JPH10340903A (ja) | 1998-12-22 |
Family
ID=15463255
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14890397A Pending JPH10340903A (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | 層間絶縁膜の平坦化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10340903A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103681232A (zh) * | 2012-09-04 | 2014-03-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件的制造方法 |
-
1997
- 1997-06-06 JP JP14890397A patent/JPH10340903A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103681232A (zh) * | 2012-09-04 | 2014-03-26 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件的制造方法 |
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